TW296489B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW296489B
TW296489B TW085105204A TW85105204A TW296489B TW 296489 B TW296489 B TW 296489B TW 085105204 A TW085105204 A TW 085105204A TW 85105204 A TW85105204 A TW 85105204A TW 296489 B TW296489 B TW 296489B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
bonding layer
bonding
mixed crystal
crystal ratio
Prior art date
Application number
TW085105204A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Toshiba Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Co Ltd filed Critical Toshiba Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW296489B publication Critical patent/TW296489B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

296489 A7 B7 五、發明説明（1 【產業上之利用領域】 本發明係有關高輸出之半導體發光元件者，尤其有關於 至内外顯不板，鐵路，交通信號，車載用燈具等在室外供 為顯示用光源所使用之半導體發光元件。 【習知技術】 供為此半導體發光元件之製造所使用之結晶法，係具有 從習知就被使用之液相成長法（LpE法），或最近開始被使 用之有機金屬化學氣相成長法（M〇CVD法）等。無論那一 種方法為了製造高亮度發光元件，都採用在成為發光層之 活性層封閉載體（c a r r i e r )之雙異性構造。 茲於圖9表示使用lnGaA丨p.而採用上述構造之習知半導 體發光元件之剖面構造。 於圖9，在此發光元件係做為結晶成長法對於冚族材料 使用三曱基銦（TMI)，三甲基鎵（TMG)，及三曱基鋁 (TMA)，而對於V族材料使用胂氣（AsH3)及三氫碟 (PH3)氣，摻雜材料則使用矽烷氣（SiH4)及二曱基鋅 (DMZ)，將成長爐内減壓為-定，採用做為載體氣使用 氫氣使其成長結晶之有機金屬化學氣相成長法（M〇cvD 法）。 具體上，在成長爐内設置η·(η型之）GaAs基板ι〇ι，而 保持在一定減壓及溫度之狀態下，將m族，v族對於各成 長層以所設定之流量注入而使其依序疊層n_GaAs緩衝層 102，n- Ino.dGabxAlJup 貼合層 1〇4，無摻雜 -4- CI70SI2PCZ20l3IIC.doc 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公爱) 296489 A7 __B7 五、發明説明（2 )
In05(Ga,.yAly)0_5P 活性層 1〇5 ’卜（p 型之）In〇 5(Gai χΑ1χ)〇·5Ρ 貼合層 106 , n_GaAs 塊層 ，x>y)。 接著，取出此結晶成長之晶圓，而使用光刻法進行選擇 #刻n-GaAs塊層107。並且，與使用上述同樣之 MOCVD法依序疊層p-Ga〇3A1〇7As電流擴散層1〇8 , p-GaAs 接觸層 1〇9。 其後，將這樣地形成之結晶成長層之晶圓使用真空澱積 .法在晶圓兩面疊層Au材料，使用光刻法而在p_GaAs接觸 層1〇9將p側形成電極11〇，在n_GaAs基板ι〇ι側形成n 側電極1 1 1。並且，使用分割分割為各個晶片就可獲得如 圖9所示之半導體發光元件。 於像這樣所製造之半導體發光元件，將活性層1〇5之鋁 混晶比y定為〇 . 3，將η型及ρ型之貼合層1 〇 4，i 〇 5之鋁混 晶比X成為1.0，0.9，〇·8，〇 7所形成之晶片裝設於桿棒 而結合，進行樹脂密封而製造ρ 5燈，在初期亮度（1〇)與 5〇mA通電狀態下調查了經過1〇〇〇小時後之亮度（ι)之殘 留率（I/I0xlOO)，將貼合層1〇4，1〇6之鋁混晶比χ，初 期亮度1〇及殘留率之關係表示於圖1〇。 於圖1 0，若增加鋁混晶比χ時，雖然初期亮度會變高’ 但是殘留率會降低，另一方面，若減少鋁混晶比時却期 亮度雖然會降低但是殘留率會提升，這樣就可曉得初期亮 度與殘留率處於交替換位（trade 〇ff)之關係。從這些事 情，做為具有高亮度且長壽命之可靠性之發光元件還不充 分。 -5- C1705l2FCZ20l311C.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 296489 A7 B7 五、發明説明（3 ) 使用InGaAlP材料形成雙異性構造之其他半導體發光元 件，係例如，黃色發光元件如圖11所示者係為人所知曉。 於圖11，此半導體發光元件係在n_GaAS基板121上具 有依序疊層形成n-GaAs緩衝層122 ， n_
In05Al05P/GaAs 多層光反射層 123，n-In〇 5AI0.5.P 貼 合層1 2 4 ’黃色發.光所需之鋁混晶比之卜
In〇.5(Ga0.72Al〇.28)〇.5P 活性層 125，p-ln〇 5AI0.5P 貼 合層126，p-In〇5Ga〇.5P接觸層127，p-GaAs貼合保護 層128，在所需部分形成n-ln〇 5((}a〇 3A10 7)p電流塊層 129及n-GaAs塊保護層130，P-Ga0.3Al0.7As電流擴散 層 131，p-ln〇.5(Ga〇.7Al〇_3)〇5p 擴散層 132，p_GAs 接觸層133之構造。 於這種構造’若欲設計夾住成為發光層之In<) 5(Gai. χ A 1 χ) ο .5 P活性層1 2 5之貼合層之組成時，必須針對下面 所示互相相反之作用進行檢討。 U )為了欲使少數載體或光之封閉充分大，必須具有較 活|±層之帶隙E g更加充分大的E g材料，亦即必須使用紹 組成X大的材料形成貼合層。 (2 )雖然要求在成為發光層之活性層與貼合層之界面其 缺陷為少，但是，在鋁組成大為不同之活性層與在貼合層 界面有時導入許多捕捉少數載體之缺陷。 由這些事，對於圖11所示及光元件發光層之 I η 〇.5 ( G a丨_ x A 1 x ) P活性層1 2 5 ,若採用直接鄰接鋁混晶 比大為相異之之貼合層之構造時，就如上述 CI70512PCZ201Jllc.d〇c · β · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) A7
在兩層界面發生結晶缺陷，而如圖12所示就變成正規化光 輸出（P/P〇)與通電時間關係之圖12，通電壽命特性明顯 地變成低劣。 【發明所欲解決之問題】 如以上所說明，採用夾住成為發光層之活性層所形求之 貼合層之雙異性構造之習知半導體發光元件，為了在室外 可使用程度之亮度而活性層與貼合層之鋁混晶比變成大為 相異，所以，通電時間就變短。 另一方面，若欲確保某程度之通電時間時，就會犧牲光 輸出，而不容易獲得可在室外使用之亮度。 因此，於具有雙異性構造之習知半導體發光元件而不 月都同時滿足亮度及通電壽命。 因而，在本發明，係鑑於上述所發明者，其 -種高亮度且長壽命之半導體發光元件。 的係提供 《解決問題之手段》 為了達成上述目的，申請專利範圍第丨項之發明，其特 徵為；備有形成於半導體基板上之單層或多層所成之第丄 貼合層，與形成於上述第i貼合層表面之第2貼合層，與形 成於上述第2貼合層表面之活性層，與形成於上述活性層 表面之第3貼合層，與形成於上述第3貼合層表面之單層或 多層所成之第4貼合層，上述第2貼合層之鋁混晶比，係^交 活性層之鋁混晶比更大，較上述第1貼合層之鋁混晶比更 小，並且，上述第3貼合層之鋁混晶比係，較上述活性層 之鋁混晶比更大，較上述第4貼合層之鋁混晶比更小。 CI705I2PCZ20I3I lC.doc 296489 五、發明説明（5 申凊專利範圍第5項之發明，苴 於半導體基板上之單層或多所、·為由，具備有形成面之第2貼合層’與形成於上述第2貼:==述：性層表 層所成之貼合層，上述第丨貼人、 之單層或多活性層之铭混晶比更大，且上。=:晶比係，較上述 係較上述活性層之=曰第2貼合層之銘混晶比， 紹混晶比為小 BB比更大’而較上述第3貼合層之 申:：利範圍第8項之發明，其特徵為，備有形 導體基板上之單層或多層所成之第1貼合層，與形成於上 :第1貼合層表面之第2貼合層，與形成於上述第2貼合声 表面之活性層，與形成於上述活性層表面之第3貼人層， 广2貼合層之铭混晶比係較上述活性體之叙混晶比為 大，而較上述第1貼合層之銘混晶比為々、，且上述第3貼合 層之鋁混晶比係，較上述活性層之鋁混晶比為大。 〇 申請專利範圍第U項之發明，其特徵為；備有形成於半 導體基板1，由單層或多層所成之Ρ貼合層，與形成於 上述第1貼合層表面之InGaA1P混晶所成之第t中間層， 與形成於上述第^間^自之活性層，與由形成於上述 活性層表面之InGaAlP混晶所成之第2中間層，與形成於 上述第2中間層表面之單層或多層所成之第2貼合層，而上 述活性層之鋁混晶比X與上述第1，第2中間層曰 Y係，設定為X + 0.1SYSX + 0.5，且上述第1，第間 層之厚度為0.01 ym〜0.1 。 a70SI2PCZ2013UC.doc -8 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 裝 訂 線 ^6489 A7 B7 五、發明説明（6
《作用》 於上述構成，申請專利範圍第丨，5或8項之發明係， 失住發光層之·活性層之貼合層加以多層化，而減低近於= 性層之鋁混晶比來提升活性層界面之結晶性，而提高遠離 活性層之鋁混晶比，使其能夠充分發揮載體密封效果。 申請專利範圍第1 1項之發明係，對於成為發光層之活性 層並非將铭混晶比大為相異之p型，n型之兩貼合層直接， 鄰接’而是在活性層與ρ型及η型貼合層晶設置中間層。 【實施例】 茲使用圖面說明本發明如下》 圖1係表示有關申請專利範圍第1，2或3發明之一實施 例之半導體發光元件構造之圖.。 於圖1，本實施例之發光元件係，在n_Ga As基板1上依 序疊層n-GaAs緩衝層2，n-inAlP/GaAs光反射層3，n_ InGaAlP第2貼合層4 ’ n-InGaAlP第1貼合層5，無摻雜 InGaAlP 活性層 6，p-inGaAlP 第 1 貼合層 7，p-InGaAlP 第 2貼合層 8，n-GaAs 塊層 9，p-GaAlAs 電流 擴散層10 ’及p-GaAs接觸層11之構造。n-lnAlP/GaAs 光反射層3係將在活性層發光之光波長21/4n(n係材料之 折射率）厚度之η_ΙηΑ1Ρ層與n-GaAs層交替地疊層之多層 構造。 又 ’ η-InGaAlP 第 1，第 2貼合層 5，4，ρ-InGaAlP 第 1 ’第2貼合層7 ’ 8及P-GaAlAs電流擴散層10係具有能 夠使在無摻雜InGaAlP活性層6所發光之光充分透過之鋁 CI70S12PCZ20l3IIC.doc -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 296489 A7 !_______B7 五、發明説明（7 ) 作匕日日比。於這種構造，本實施例之特徵為將貼合層2層 化，而使其變成將愈離貼合層之帶隙成為階段性地變大。 茲就上述構成之半導體發光元件之製造方法說明如下。 對於各個半導體結晶層之成長係，做為皿族材料使用三 甲基銦（TMI)，三曱基鎵（TMG)，及三曱基鋁（TMa)， 做為v族材料使用胂氣（AsH3)，三氫代化磷（Ph3)，摻雜 材料係使用矽烷氣（SiHO，二甲基鋅（DMZ)，而在反應 爐注入氫載體氣在一定減壓下保持一定溫度之後，將氫做 為載體氣把V族及摻雜材料以所定之比例流入於反應爐， 而採用由化學性地反應在基板1上堆積結晶層之有機金屬 化學氣相成長法（MOCVD法）。 具體上為將反應爐在30~l〇〇Torr之減壓狀態下使其流 入多量之載體氣之氫氣，而在基座（suscepter)上將面方 位從（100)向011方向錯開數度設置n_GaAs基板1，而在 胂氣環境下升溫為6 0 0〜8 0 0 t保持為一定溫度。其後， 依據各成長層之條件將冚族，V族及掺雜材料以所定比例 使丼流入於反應爐内》 斯此使用金屬化學氣相成長法，在n_GaAs基板上，依 序成長〇·5μιη程度厚度之n-GaAs緩衝層2(載體濃度4)< 1017cm·3)與n-lnA丨P/GaAs光反射層3(載體濃度4χ 1017Cm·3) ’ 與 〇·59 以 m 程度厚度之 η·Ιι1() 5(Gai χΑ1χ)〇.5Ρ 第 2貼合層（載體濃度 4xi〇17cni·3，χ=ι.〇)， 與0.01 程度厚度之n_In〇5(Ga丨.yAly)p第1貼合層 5(載體濃度4xl〇17crn-3，y = 0.7)，與0.6vm程度厚户 CI70512PCZ20miC.doc ·1〇_ 本纸張尺度適用中國画家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) ~ ''— A7 B7
296489 五、發明説明（8 之無掺雜In〇.5(Ga〇.7AU.3)〇 5P活性層6，與〇㈧^程 度厚度之p-In〇.5(Gai-xAlx)0 51>第i貼合層7(載體濃度4 Χίο 丨 7cnT3，z = 0.7)，與 〇.59 Λ Γ- ^ ^ n-
In〇5(Ga卜WA1W)05P第2貼合層8(裁體濃麼Mo”〆 3，W=1〇) ’與〇·〇2/Ζ程度厚度之n-GaAs塊層9(載體濃 度 2x 1 0 18cm·3) 〇 其後，從反應爐取出此外延晶圓（epitaxui wafer), 而使用光刻法將n-GaAs塊層9形成為所定之圖樣。
接著，將此外延晶圓再次設置於反應爐，使用m〇cVD 法依序成長4·5"ιη程度厚度之卜Ga〇3Ai。？As電流擴散 層1〇(載體濃度2xl〇18cm·3)，與程度厚度之Ρ· GaAs接觸層11(載體濃度2xl〇18Cm-3)。 在斯此所獲得之外延晶圓兩面使用真空噴鍍喷鍍銀材 料，而使用光刻法在p-GaAs接觸層丨丨側形成p側電極 1 3 ’而在η · G a A s基板1側形成n側電極1 2。並且，只留 下Ρ側電極13下之p-GaAs接觸層，而除此之外之ρ_ GaAs接觸層係使用上述相同之光刻法做選擇性之去除。 最後，使用分割法分割為晶片就可獲得如圖1所示構造之 發光元件。 將上述實施例所獲得之及光元件裝設於桿棒加以結合， 樹脂密封製造p5mm燈，而調查了初期亮度與5〇mA&電 狀態下調查了經過1 〇 〇 〇小時後之殘留率時，而初期齐产 係如圖1 0所示獲得了習知最高亮度位準（相對值為7 5 〇)二 又’殘留率為獲得8 5 %之良好製品。 CI70512PC22013nC.d〇c - 1 1 - 本紙張尺度適財S S家料(CNS) A4規格(210><297公釐） ----- 裝 訂 線 296489 A7 B7 五、發明説明 以：：化於上述構造係’將夹住成為發光層之活性層6加 ==減低近於活性層6之第1貼合層…晶比， 性層界面之結晶性提高了可靠性，並且，提高遠為 果性：之貼合層之銘混晶比而使其可充分發揮載體密封效 ΐ殘知同等之高亮度，且，較習知提升了其亮 度殘留率，亦即可獲得壽命長之發光元件。 申請專利範圍ρ，第2項之發明之第2實施例係，於上 述構造，係將3A1〇 A 5ρ^貼合層5及卜 〇.5(^〇.3八1() 7)() 5?第1貼合層7之厚度分別成為ο ” 程度，將n_In〇 5A1〇 5pp貼合層4及ρΐη〇 Μ、扦 第2貼口層8之厚度分別成為〇55“m程度，其他係與上 述實施例同樣之構造。 过種構造之φ5ηιηι燈係，如细直麻n β、 τ 初期凴度及売度殘留率係分別 其相對值為710，90%其Α自·ω： _ ^ ^ !马艮好’而可獲得與上述實施例 同樣之效果。 又，做為申請專利範圍第丨項發明之第3實施例，於上述 實施例即使改變銘·混晶比也獲得了同樣之效果。例如，於 上述實施例，將ρ，η之第1貼合層之鋁混晶比y，z從〇 7 變成為0.6或0.8時，其初期亮度/殘留率係變成〇6 : 725/100 %，〇·8 : 720/95%，而可提升與習知同等之最 向壳度位準亮度殘存率，而可獲得與上述實施例同樣之效 果。 圖2係表示有關申請專利範圍第5項發明之第4實施例之 半導體發光元件構造之圖。 -12-
Cn05UPCZ20l3llC.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 296489 A7 B7____ 五、發明説明（1〇 ) 在上述各個實施例係，雖然將活性層之兩側貼合層做為 第1，第2加以2層化，但是，此實施例之特徵係，只將一 方之貼合層加以多層化，即使是這種構造也可獲得與上述 同樣之效果。 例如於上述圖1所示第1實施例，將p側之貼合層（〇 . 5从 πι程度厚度之ρ-Ιη〇·5Α.1〇.5Ρ貼合層）做為1層之貼合層 1 4 ’而η側之貼合層係如圖1所示同樣，也可做為〇 . 〇 1以 m程度厚度之n-In0.5(Ga0.3Al07)05P第1貼合層5與 0.59ym程度厚度之η-Ιη0·5Α105Ρ第2貼合層4。 另一方面，如圖3所示’對於圖1所示構造，將η側之貼 合層1 5做為一層，ρ側之貼合層成為如圖丨所示同樣之2層 也可以。 斯此地，上述實施例係將夾住活性層之貼合層加以多層 化，而由於將其貼合層之鋁混晶比，厚度及層數加以最佳 化，就可提供尚壳度且長壽命而可靠性高之半導體發光元 件。 圖4係表示有關於申請專利範圍第4項發明之一實施例之 半導體發光元件構造之剖面圖。 於圖4，此實施例之發光元件係，在藍寶石基板以上依 序疊層形成GaN緩衝層22 ，n_GaN層23 ，η-Al0.2GaQ.8N 第 2 貼合層 24，n_A1。Q5Ga。95：^第 i 貼合 層25，InGaN活性層26 ’ p_A1〇 〇5(}a〇 9州第i貼合層 27 ’ p-A 丨 0.2Ga〇.8Np 貼合層 28，p(}aN 層 29 ,其後 將p - G a N層2 9之一部分你用退為办丨m抑 便用濕、姓刻做選擇去除直到露出
CI705l2PC220l3HC.doc . iO 本紙張尺^適用中國國家標準(CNS) A4規格(2ι〇χ 297公爱） —-- 裝 訂 線 296489 A7 ______B7 五、發明説明（11 ) n-GaN層23，而在p-GaN層29上形成p側電極30，在露 出n-GaN層23上形成η側電極31所構成者。 即使在此實施例，也可獲得與上述實施例同樣之效果。 按’此實施例係雖然將夾住活性層2 6兩側之貼合層成為 2層化，但是，即使將任何一方之貼合層2層化，也可缉得 同樣之效果。 按上述全部之實施例，係雖然將貼合層加以2層化，但 是’即使成為2層以上也可獲得同樣之效果。又，發光色 係可適用到I n G a A 1 Ρ系L E D之綠色〜紅色之可視光領.領 域’ GaN系LED之藍色可視光領域及GaAs系LED之紅外 領域。
並且，將其他材料亦即，InGaN，InGaAsP等之瓜-V 族混晶或ZnSeTe，MgSeTe，ZnSSe，MgSSe 等之 Π- VI族混晶也可使用於貼合層。 圖5係表示有關申請專利範圍第1 1〜i 4項發明之一實施 例之半導雔發光元件構造之圖。 此發明之特徵係，在於對成為發光層之丨n 〇 5 ( G a丨· X A丨X ) Q . 5 P活性層並非將链混晶比大為相異之P型，n型之 In05(Ga]_xAlx)〇5P兩貼合層直接，鄰接，而活性層與 P型及π型貼合層間，在Ιη〇.. 5(0&ι.γΑ1γ)〇·5Ρ中之Ai混 晶比Υ(Χ + 0·15Υ$Χ + 〇·5)之範圍，設置了厚度為〇〇1 〜0.1 //m之中間層。 按，活性層之鋁混晶比X係包含X = 〇，貼合層之銘混晶 比Z也包含Z = 1。 -14- CI70SI2PCZ2013IIC.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 296489 A7 ____B7 五、發明説明（12 ) 於圖5 ’本實施例之發光元件係，在n_Gaas基板上將 n-GaAs緩衝層42，11-111〇.5八1〇5?與11-〇3八3交替地疊 層10對所成之多層膜光反射層43，η-Ιη()5Α1〇·5Ρ貼合層 44，11-1110.5(〇&0.4八10.6)05?層（中間層）45，無.摻雜11 型 111。.5(〇3。_72八丨。28)。5?型活性層 46 ， p.
In05(Ga04Al06)05p 層 47(中間層），ρ_ΐη0·5Α105ρ 貼 合層48 ’ p-In〇.5Ga〇.5P接觸層49，p-GaAs貼合保護層 50，n-In〇.5(Ga〇.3Al0.7)P 電流塊層 51，n-GaAs 塊保 護層 52 ，p-Ga〇.3Al〇.7As 電流擴散層 54 ，p_
In0.5(Ga〇.7Al〇.3)〇5p側对濕性層 55，p- GaAs 接觸層 56疊層形成，而在p-GaAs接觸層56上形成由Au-Ζη所 成之P側電極58 ’在n-GaAs基板41侧形成由Au-Ge所成 之η側電極5 9所構成。 兹將欲獲得上述構造所用之一製造方法參照圖6所示製 程剖面圖說明如下。 例如，若是黃色發光色時，首先，在n_GaAs基板41上 使用MOCVD法依序疊層形成將厚度0.5Mm程度之8丨捧 雜n-GaAs緩衝層（載體濃度n = 2.0〜5.0)(1(^^^3)42， 厚度分別為400程度之Si摻雜 η· ϊη0.5Α1〇.5Ρ(Ν = 0.4 〜2.0 x.l018cm·3)與 si 摻雜 η
GaAs(N = 0_4〜2.0xl〇18cm·3)交替地ΐ〇對疊層之多層祺 光反射層43，厚度〇.6/zm程度之Si摻雜η·Ιη()5Α1()5ρ 貼合層（Ν = 2·0〜6·0χ1017)44，本發明特徵之厚度〇 〇5 β 程度之 Si 摻雜 n-In〇.5(Ga〇.4Al〇 6)〇 5p 層（中間 -15- C1705l2PC22013IIC.doc 本紙張尺度通用中國國家標竿(CNS) A4规格(210 X 297公釐) 296489 A8 B8 C8 D8 申請專利範園13
層）45 ’厚度程度之無摻雜 In0.5(Ga0.72Al 0 2 8 )〇 5p 活性層〇 χ 1〇17〇功 3)46，本發明特徵之厚度〇_〇5ym程度之Ζη摻雜卜 In0.5(Ga0.4Al〇 6)〇 5?層（中間層）47 ,厚度〇 6仁爪程度 之 Zn摻雜 P-In〇 5A1〇 5p 貼合層（N = 2 〇xi〇17cm.3)48 二 厚度0_02//m程度之Zn摻雜接觸層 (N = 0.5〜1.0xl0"cm-3)49，厚度〇 〇ι ^程度之^穆 雜p-GaAs之貼合保護層（N=1 〇〜6 〇xl〇18cm.3)5〇，厚 度0.02^程度之Si摻雜n_In〇而〇 3A1〇 7)p電流 (>1 = 0.5〜1.〇><101>111-3)51’厚度〇〇1”程度之。穆 雜 n-GaAs 塊保護層（N=1 〇〜6 〇xl〇"cm-3)52，厚度 0_02//m程度之 Si摻雜 n_In<)5(Ga〇3A1〇7)〇5p 帽 (N = 1.0-6.Ox 1018cm'3)53(il 6(a)) 〇 兹就 n-In0.5(Ga0 3Al0 7)〇 5p 帽蓋層 53，n_GaAs 绳 保護層5 2使用濕蝕刻形成為所需之形狀（圖6 (b ))。 接著’將殘留於n_G a As塊保護層52 In0.5(Ga03Al0.7)〇5p帽蓋層53及將使用如圖6(b)所示 製程在表面所露出之n_In〇5(Ga〇3A1〇7)〇5P電流魂Μ 使用濕蝕刻形成為所需之形狀（圖6 (c ))。 接著’在於圖6(c)所示製程後所獲得之晶圓上使用 MOVCD法依序疊層形成，厚度45//m程度之Zn摻雜p 0&〇.3八1〇.7八8電流擴散層（>1=1〇〜6〇)<1〇1%111-3)54, 厚度0.1 程度之Zn摻雜ρ·Ιη。5(Ga。7A1q 3)g sp耐濕 性層（N = 0.5 〜2.〇xi〇18cm-3)55，厚度 〇1μ. m 程度之 &
Cl70512PCZ2013HC.doc -16 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 较 訂 線 A8 B8 C8 D8 申請專利範園14 摻雜p-GaAs接觸層（N=l.〇〜6·0χ10丨8cm-3)56，厚度 〇15 # m程度之Si摻雜η·Ιη。5(Ga。」A丨。 j (N=1.0^6.0xl0-cm-3)o(a6(d))〇 盖層 接著，將n-GaAs基板41表面使用5以爪濕蝕刻去除之 =’將n-In().5(Ga〇‘3A1〇 7)P帽蓋層57全部使用濕蝕刻 去除，而在n-GaAs基板41之整個表面形成Au_Gein電 極59。接著’在p-GaAs接觸層％表面將成為電流塊層 5 1正上方之部分形成直徑為I4〇"m程度之AuZn所成之 y電極58。接著，將露出於元件表面之p_GaAs接觸層％ 。用濕#刻去除之後，冑用板分割分離為—邊為 ^度大小之το件’並且’使用板分割將發生於元件側面之 碎層使用㈣刻加以去除’就可獲得實施例之構造。 像,樣所獲得之發光元件係…采用了對於成為 為H -XA1X)P活性層46並非直接，鄰接幻混晶比大 :^型 ’ η型之In。5(Gai xAlx)pt^ 貼合層 48， 層二Γ在活性層“與13型及n型層48，44間，對於活性 層46之鋁混晶比χ之貼合層〗 ,a a ., v . . , ·5(<^ 丨·γΑ1γ)0 5Ρ 中之鋁 忍明比Υ為在（X + 0.lgYgx + 〇 5)範圍内，並且， ^為〇_Gl 〜G.1心中間層之構造，所以，可提升活 性層4 6與鄰接層界面之結晶性， 如圖7所示與習知同等之高亮度狀：圖:：「仍然維持 所示習知相較可提升發光壽命H 所不與圖12 干又中二述製二手法㈣，成為本發明特徵之圖5所 中間層45’47為以下所示之組成及厚度組合之實施 •17· 裝 訂 線 CI705l2PC220miC.doc
而可獲得上述之效果。 (1)厚度 0 , (Ga〇 2ai n d m 程度之 Si 摻雜 η_ιη〇 5 2 〇8)0.5P 層與凰；δ：Λ
In〇.5(Ga〇 2Α1與厚度〇.05 # m程度之Zn摻雜p_ 0·2Α10.8)〇·5Ρ 層。 (2 )厚度Q 〇 (Ga〇.^Q 程度之 Si 摻雜 η·Ιη〇·5
In〇 5(Ga λ. 、厚度〇 _ 〇1 V m程度之Z n摻雜卜 0 5Wa〇 4Al〇 6)〇 扦層。 (3) 厚度 0.01 # m (Gao.Ml^)。5P屬鱼厂 度之Sl摻雜n_In〇 5 ho 5(Ga"A1〇.山.汁層。 程度之Ζη摻雜Ρ- (4) 只有厚度〇 (以❶^丨。.6)。.51>層，/"〇1程度之8丨換雜^以.5 二ΓΓ申請專利範圍之各構要件所併記之圖面參 =:範圍\易了解本發明所用者，並非用來將本發 η 圍限定於圖面所示實施例所併記者。 屈4構成，申料利範圍第1，5或8之發明，係將夾 :屬於發光層之活性層之貼合層加於 低近於活性層層之鈕换a l t 两由於將減 晶 /日日，而提尚遠離於活性層之鋁混 χ '，可提升在活性層界面之結晶性，並且，可充 分載體密閉效果，所以，可達成高亮度且長壽命 於發範圍第11項之發明’係並非直接，鄰接於對屬 ==其紹混晶比大為相異之,型，n型之兩貼合層，而 1±層與p型及n3|貼合層間設置了中間層’所以提 升活性層界面之結晶性，而可達成高亮度且長壽命。 -18 -
Cl705l2FCZ20I3IJC.doc 本纸張尺度適财g g家標準(CNS) A4規格(210X297公茇）. 五 、發明説明（16 ) A7B7 【圖式之簡單說明】 圖1係表示有關申請裒4丨总 ^ f寻利範圍第1〜3項發明一實施例之 半導體發光元件構造之剖面圖。 圖2係表示有關申請真刹益阁c 导利釭圍5項發明一實施例之半導體 發光疋件構造之剖面圖。 圖3係表不有關申請專刹益阁。 ^ , 月寻利範圍8項發明一實施例之半導體 發光7L件構造之剖面圖。 圖4係表示有關申請專刺益阳j s a 导幻範圍4項發明一實施例之半導體 發光元件構造之剖面圖。 圖5係表不有關申請專刺益阁够η 利範圍第1 1〜1 4項發明_實施例 之+導體發光元件構造之剖面圖。 圖6係表示圖5所示之一製程之製程剖面圖。 圖7係表示圖5所示實施例之元件與圖 之光輸出之比較圖。 ★天兀件 圖8係表示圖5所示元件之通電壽命特性圖。 圖9係表示習知半導體發光元件構造之剖面圖。 圖1〇係表示圖9所示元件之貼合層之銘混晶比與其 度及初期亮度殘留率之關係圖。 〜 圖"係表示習知半導體發光元件之其他構造之剖面圖。 圖12係表示圖丨丨所示元件之通電壽命特性之圖。 【符號之說明】 1 ，4 1 · · • n-GaAs 基板 2 ，42 · · • n-GaAs緩衝層 3 ，43 · · * n-InAlP/GaAs Ci705l2PCZ20l3HC.doc -19- 本紙張尺度適财目时標準(CNS) A4«^(21G X 297公釐) ' 一. 裝 訂 線 296489 A7 B7 五、發明説明 (17 ) 4 · • · η-ΙηΑ1Ρ第2貼合層 5 · • · η-ΙηΑ1Ρ第2貼合層 6 · • · 無摻離I n G a A 1 P活性層 7 · • · p-InGaAlP第1貼合層 8 · • · p-InGaAlP第2貼合層 9 · • 參 n-GaAs 塊層. 10· 參 • n-GaAlAs電流擴散層 11· • •p-GaAs接觸層 12, 3 1 ，5 9 ... η側.電極 13, 3 0 ，5 8 · · · ρ側電極 2 1· •藍寶石基板 22 · • GaN緩衝層 23 · • ηG aN 層 24 · • n-AlGaN第2貼合層 25 · • n-AlGaN第1貼合層 26 · • I n G a N活性層 2 7· • ρ-AlGaN第1貼合層 2 8· • ρ-AlGaN第2貼合層 29 · • p-G aN 層 44 · • n-InGaAlP 貼合層 45 · • n-InGaAlP 層 46 · • η -1 n G a A 1 P 活性層 4 7· • •n-InGaAlP 層 48 · • • η-ΙηΑ1Ρ貼合層 Cl705l2PCZ20l31lC.doc -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 296489 A7 B7五、發明説明（18 ) 49. · .n-InGaAlP 接觸層 50，56· · .p.-GaAs 接觸層 51 · · · n-InGaAlP 電流塊層 52·· .n-GaAs塊保護層 53，57· · .n-InGaAlP 帽蓋層 54. . .p-GaAlAs電流擴散層 5 5 · · · p -1 n G a A 1 P 耐濕性層 5 8· · . p側電極 5 9. · · η側電極 裝 訂 線 CI70SI2PCZ2013IIC.doc - 21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 296489 A5 B5 四、中文發明摘要（發明之名稱：半導體發光元件 ) 本發明之目的係提供一種高亮度且長壽命之半導體發光 元件。 本發明係夾住形成於半導體基板1之活性層6以形成雙異 性接合之兩貼合層4，5，7，8為由2層化之1 n G a A 1 P混晶 所成，活性層6之鋁混晶比u與活性層6接觸之第1貼合層 5，7之混晶比y與第1貼合層5，7所疊層之第2貼合層4，8 之混晶比X係設定為u : y = 3 : 6，7或8 : 1 0所構成。 英文發明摘要（發明之名稱： ） CI70512PCZ20l3IIC.doc · - 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)‘A4規格(210X 297公釐) 296489 . -- pi年"月2 日舞(更)正本 会|
1· 一種半導體發光元件，其特徵為；備有形成於半導 體基板上，由單層或多層所成之第UnAlp貼合層，其中 該半導體基板包含於一基板上之至少一半導體層，與 形成於上述第1貼合層表面之第2111〇3八丨1>貼合層，與 办成於上述第2貼合層表面之inGaAlP (其中之銘混 晶比> 0 )活性層，與 形成於上述活性層表面之第3InGaAip貼合層，與從 形成於上述第3貼合層表面之單層或多層所成之第4InA1P 貼合層， 上述第2貼合層之铭混晶比係較上述活性層之銘混晶 比更大，而較上述第1貼合層之鋁混晶比更小，並且， 上述第3貼合層之銘混晶比’係較上述活性層之銘混 晶比更大’上述第4貼合層之鋁混晶比更小。 2.根據申請專利範圍第1項之半導體發光元件，其 中’上述第1貼合層，第2貼合層之層厚合計，及上述第3 貼合層’第4貼合層之層厚合計係〇.6μηι程度。 3 ·根據申請專利範圍第1項之半導體發光元件，其 中， 上述第1貼合層係η-Ιη0_5Α10.5Ρ ’上述第2貼合層係 n-In〇.5(Ga〇.3Al〇.7)〇.5P ，上述第 3 貼合層係 ρ_ In〇5(Ga0.3Al07)0.5P ，上述第 4 貼合層係 p_ Ιη〇.5Α1〇.5ρ。 4.(刪除）根據申請專利範圍第1項之半導體發光元 件’其中，上述第1貼合層係n-In0.2Ga08N，上述第2
Cl705l2PC220l3IIC.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

Claims (1)

  1. 296489 A8 · · B8 C8 D8 六、 申請專利範園 層，與 形成於上述第1貼合層表面之第2貼合層，與 形成於上述第2之貼合層表面之inGaAip(其中之紹混 晶比> 0 )活性層，與 上述第2貼合層之铭混晶比，係較上述活性層之銘混 晶比更大，較上述第1貼合層之鋁混晶比更小，並且，上 述第3貼合層之銘混晶比係，較上述活性層之鋁混晶比更 大。 9.根據申請專利範圍第8項之半導體發光元件，其 中， 上述第1貼合層係η-Ιη〇.5Α1〇5Ρ，上述第2貼合層係 n.-In0.5(Ga0.3Al0.7)0 5p ，上述第 3 貼合層係 p_ Ιη〇 5Α1〇 5Ρ。 1〇.(刪除）根據申請專利範圍第8項之半導體發光元 件’其中，上述第1貼合層係n-Al02Ga0.8，上述第2貼 合層係n-Al0.05Ga〇.95N ，上述第3貼合層係p-Al〇 3Ga〇 8N ° 11. 一種半導體發光元件，其特徵為；備有 形成於半導體基板上之單層或多層所成之第1貼合 層其中該半導體基板包含於一基板上之至少一半導體 層，與 形成於上述第1貼合層表面之J n G a A 1 P混晶所成之第1 中間層’與形成於上述第1中間層表面之InGaAip活性層 (其中在呂混晶比X>〇)，斑 -3- CI705l2PCZ20l3l1C.doc 本纸張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 29640 . A8 B8 C8
    肜成於上述活性層表面之InGaAip混晶所之第2中 間層，與 八思形成於上述第2中間層表面之單層或多層所成之第2貼 合盾， 上述活性層之銘混晶比x與上述p，第2中間層之銘 混晶比Y係，設定為χ + 〇 ^ ,^ 0 . Ββ — Y=A + 〇.5，並且，上述第 卜第2令間層之厚度係〇·〇1μηι〜〇 1μιη。 弟 中 12·根據申請專利範圍第11項之半導體發光元件，Α 上述中間層係被單層或多層化。 ’、 件 U.(刪除）根據申請專利範圍第u項之半導體發光元 其中，上述活性層之鋁混晶比Χ係包含χ = ()。 中 裝 14.根據申請專利範圍第"項之半導體發光元件其 上述貼合層之鋁混晶比Ζ係包含ζ = i。 、 訂 線 -4 CI70SI2PC220l3HC.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱）.
TW085105204A 1995-04-14 1996-05-01 TW296489B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8951095A JPH08288544A (ja) 1995-04-14 1995-04-14 半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW296489B true TW296489B (zh) 1997-01-21

Family

ID=13972789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085105204A TW296489B (zh) 1995-04-14 1996-05-01

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5732098A (zh)
JP (1) JPH08288544A (zh)
TW (1) TW296489B (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6996150B1 (en) 1994-09-14 2006-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3713100B2 (ja) 1996-05-23 2005-11-02 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
JPH104240A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体光素子、ウエハ及びその製造方法
JP3097570B2 (ja) * 1996-09-26 2000-10-10 日本電気株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体およびその製造方法
US6258619B1 (en) 1996-12-06 2001-07-10 Rohm Ltd Fabrication of semiconductor light emitting device
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US20010020703A1 (en) * 1998-07-24 2001-09-13 Nathan F. Gardner Algainp light emitting devices with thin active layers
TW399344B (en) * 1998-09-09 2000-07-21 Jan Shr Shiung High intensity light emitting diode (LED) and the manufacturing method thereof
JP3698402B2 (ja) 1998-11-30 2005-09-21 シャープ株式会社 発光ダイオード
US6430202B1 (en) * 1999-04-09 2002-08-06 Xerox Corporation Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
JP4024463B2 (ja) * 1999-09-27 2007-12-19 シャープ株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2001274456A (ja) 2000-01-18 2001-10-05 Sharp Corp 発光ダイオード
JP3882539B2 (ja) * 2000-07-18 2007-02-21 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置
JP2002111052A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2002111134A (ja) 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JP5283293B2 (ja) * 2001-02-21 2013-09-04 ソニー株式会社 半導体発光素子
US6775314B1 (en) * 2001-11-29 2004-08-10 Sandia Corporation Distributed bragg reflector using AIGaN/GaN
JP2003289176A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2004288799A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6967346B2 (en) * 2003-08-02 2005-11-22 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode structure and manufacture method thereof
WO2005064666A1 (en) * 2003-12-09 2005-07-14 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US7196835B2 (en) * 2004-06-01 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Aperiodic dielectric multilayer stack
KR100616596B1 (ko) * 2004-07-09 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자 및 제조방법
US7307516B2 (en) * 2004-08-22 2007-12-11 Wiegner Thomas F Instrument viewing display system for motorcycles
JP2006120668A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
JP2007096267A (ja) * 2005-08-30 2007-04-12 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに半導体発光素子
TWI452716B (zh) * 2007-06-08 2014-09-11 Formosa Epitaxy Inc Gallium nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof
TWI341600B (en) * 2007-08-31 2011-05-01 Huga Optotech Inc Light optoelectronic device and forming method thereof
US8403885B2 (en) 2007-12-17 2013-03-26 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Catheter having transitioning shaft segments
TWI473292B (zh) * 2008-12-15 2015-02-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片
JP2011054862A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Hitachi Cable Ltd エピタキシャルウエハ、発光素子、エピタキシャルウエハの製造方法、及び発光素子の製造方法
KR20130137295A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP6325948B2 (ja) * 2014-09-02 2018-05-16 株式会社東芝 半導体発光素子および光結合装置
CN105742433B (zh) * 2016-04-29 2018-03-02 厦门市三安光电科技有限公司 一种AlGaInP发光二极管

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4792958A (en) * 1986-02-28 1988-12-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure
JPH0212885A (ja) * 1988-06-29 1990-01-17 Nec Corp 半導体レーザ及びその出射ビームの垂直放射角の制御方法
US5153889A (en) * 1989-05-31 1992-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JPH039515A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Sharp Corp 半導体装置
JPH04247676A (ja) * 1991-02-01 1992-09-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 面発光半導体モードロックレーザ
JP3242967B2 (ja) * 1992-01-31 2001-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JPH05235312A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Fujitsu Ltd 半導体基板及びその製造方法
JP3373561B2 (ja) * 1992-09-30 2003-02-04 株式会社東芝 発光ダイオード
DE69433926T2 (de) * 1993-04-28 2005-07-21 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
BE1007251A3 (nl) * 1993-06-28 1995-05-02 Philips Electronics Nv Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
US5537433A (en) * 1993-07-22 1996-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitter
JPH0766455A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体発光装置
JPH07162089A (ja) * 1993-12-13 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp 可視光レーザダイオード及びその製造方法
JPH07235733A (ja) * 1993-12-27 1995-09-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子
JPH07231142A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
JP3293996B2 (ja) * 1994-03-15 2002-06-17 株式会社東芝 半導体装置
DE69517614T2 (de) * 1994-03-22 2001-02-15 Uniphase Opto Holdings Inc Halbleiterdiodenlaser und dessen Herstellungsverfahren
JPH07281619A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ、およびその基板への取付け構造
US5592501A (en) * 1994-09-20 1997-01-07 Cree Research, Inc. Low-strain laser structures with group III nitride active layers
US5568499A (en) * 1995-04-07 1996-10-22 Sandia Corporation Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
US6229834B1 (en) 2001-05-08
US5732098A (en) 1998-03-24
JPH08288544A (ja) 1996-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW296489B (zh)
TW541714B (en) Semiconductor light-emitting device
US5317167A (en) Semiconductor light-emitting device with InGaAlp
JP4116260B2 (ja) 半導体発光装置
JP3717196B2 (ja) 発光素子
JP4653671B2 (ja) 発光装置
TW456059B (en) Semiconductor light-emitting element and method of fabrication thereof
JP4507594B2 (ja) 半導体発光素子
EP2400571A1 (en) Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and method for producing light-emitting diode
JPH0936431A (ja) 半導体発光素子
US7528417B2 (en) Light-emitting diode device and production method thereof
TWI409973B (zh) 發光二極體及發光二極體燈、及照明裝置
WO2006126516A1 (ja) 窒化物半導体発光素子
US10236411B2 (en) Light-emitting device
JP2008282851A (ja) 半導体発光素子
JP3152708B2 (ja) 半導体発光素子
JP7432024B2 (ja) 赤外線発光ダイオード
JP3264563B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP3602856B2 (ja) 半導体発光素子およびその製法
TW201448265A (zh) 半導體發光元件及其製造方法
JPH0715038A (ja) 半導体発光素子
JP2005277218A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP2006041077A (ja) 蛍光体
JP2006024913A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極および発光素子
JPH04361572A (ja) 半導体発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent