JPH04247676A - 面発光半導体モードロックレーザ - Google Patents
面発光半導体モードロックレーザInfo
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- JPH04247676A JPH04247676A JP3146391A JP3146391A JPH04247676A JP H04247676 A JPH04247676 A JP H04247676A JP 3146391 A JP3146391 A JP 3146391A JP 3146391 A JP3146391 A JP 3146391A JP H04247676 A JPH04247676 A JP H04247676A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
- H01S2301/163—Single longitudinal mode
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0614—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by electric field, i.e. whereby an additional electric field is used to tune the bandgap, e.g. using the Stark-effect
-
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18302—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] comprising an integrated optical modulator
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信・光情報システ
ムの構成に利用可能な超短光パルスを発生する面発光半
導体モードロックレーザに関するものである。
ムの構成に利用可能な超短光パルスを発生する面発光半
導体モードロックレーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体モードロックレーザは、簡便に超
高速光パルスを発生できるので、光通信・光情報システ
ムを構成する光源として期待されている。図４は、従来
の半導体能動モードロックレーザの結晶面に垂直方向の
断面を示す。この半導体能動モードロックレーザは、半
導体の成長層に平行な方向に光を出射する半導体レーザ
のｐ側電極、ｎ側電極のうち、エピタキシャル成長面側
に位置する電極を二つ以上の複数に分割した構造となっ
ており、互いに低損失の導波路領域１４を挟んで電気的
に分離されている。図４では、一例として２電極の場合
を示した。図４において、一方の領域１２は、光を発生
して増幅する利得領域であり、他方の領域１３は、利得
領域にて発生し、レーザの共振器を導波してきた光を吸
収する可飽和吸収領域であり、中間の領域１４は、低損
失の導波路である。
高速光パルスを発生できるので、光通信・光情報システ
ムを構成する光源として期待されている。図４は、従来
の半導体能動モードロックレーザの結晶面に垂直方向の
断面を示す。この半導体能動モードロックレーザは、半
導体の成長層に平行な方向に光を出射する半導体レーザ
のｐ側電極、ｎ側電極のうち、エピタキシャル成長面側
に位置する電極を二つ以上の複数に分割した構造となっ
ており、互いに低損失の導波路領域１４を挟んで電気的
に分離されている。図４では、一例として２電極の場合
を示した。図４において、一方の領域１２は、光を発生
して増幅する利得領域であり、他方の領域１３は、利得
領域にて発生し、レーザの共振器を導波してきた光を吸
収する可飽和吸収領域であり、中間の領域１４は、低損
失の導波路である。
【０００３】この構造は、まずｎ−ＩｎＰ 基板の上に
、ｎ−ＩｎＰ クラッド層１６、ＩｎＧａＡｓＰ 活性
層１８、ｐ−ＩｎＰ クラッド層２１を、ＭＯＣＶＤ
等の薄膜成長装置で順次成長させる。導波路領域１４、
可飽和吸収領域１３に相当する領域を、化学エッチ等で
ｎ形クラッド１６の中間まで除去する。つぎに、ＭＯＣ
ＶＤ 等の成長装置を用いてｎ形クラッド層１７、バン
ドギャップがレーザ発振の波長よりも大きい組成を有す
る導波路層２０、ｐ形クラッド層２２を順次成長する。 可飽和吸収領域のｐ形電極２４の下は、電界を印加する
と、フランツ−ケルディッシュ効果により、バンドギャ
ップが小さくなるので、可飽和吸収層として機能する。
、ｎ−ＩｎＰ クラッド層１６、ＩｎＧａＡｓＰ 活性
層１８、ｐ−ＩｎＰ クラッド層２１を、ＭＯＣＶＤ
等の薄膜成長装置で順次成長させる。導波路領域１４、
可飽和吸収領域１３に相当する領域を、化学エッチ等で
ｎ形クラッド１６の中間まで除去する。つぎに、ＭＯＣ
ＶＤ 等の成長装置を用いてｎ形クラッド層１７、バン
ドギャップがレーザ発振の波長よりも大きい組成を有す
る導波路層２０、ｐ形クラッド層２２を順次成長する。 可飽和吸収領域のｐ形電極２４の下は、電界を印加する
と、フランツ−ケルディッシュ効果により、バンドギャ
ップが小さくなるので、可飽和吸収層として機能する。
【０００４】このような利得領域と可飽和吸収領域とが
集積されているレーザ導波路は、利得の回復時間Ｔｇお
よび吸収の回復時間Ｔａと、レーザ共振器の光走行時間
Ｔｒが、以下に述べる条件を満たせば、Ｔｒ時間の繰り
返しで光パルスの圧縮が起こり、モードロック発振にい
たる。 この様子を図２に示す。図２（ａ） は、利得領域の利
得の時間変化および可飽和吸収領域の光損失の時間変化
を示し、図２（ｂ） は、導波路全体を考えた場合の正
味の利得係数の時間変化を示し、図２（ｃ） は光出力
の時間変化を示す。図２（ａ） において、光増幅係数
の飽和は、光強度の増加に伴って誘導放出によるキャリ
アの再結合が促進されるためである。また、走行時間Ｔ
ｒは光が共振器の中を一往復するのに必要な時間である
。光パルスが利得領域を走行すると、光パルスは増幅さ
れるが、誘導放出により、キャリアが枯渇するので、極
めて短時間の間に利得の飽和が生じる。一方、光パルス
が可飽和吸収領域を走行すると、可飽和吸収特性により
光パルスの強度が大きいほど光透過強度が大きくなり、
有効に機能する。また、吸収の回復時間Ｔａは、光走行
時間Ｔｒよりも短い条件を満足すると、光パルスの圧縮
が起こり、モードロック状態になる。
集積されているレーザ導波路は、利得の回復時間Ｔｇお
よび吸収の回復時間Ｔａと、レーザ共振器の光走行時間
Ｔｒが、以下に述べる条件を満たせば、Ｔｒ時間の繰り
返しで光パルスの圧縮が起こり、モードロック発振にい
たる。 この様子を図２に示す。図２（ａ） は、利得領域の利
得の時間変化および可飽和吸収領域の光損失の時間変化
を示し、図２（ｂ） は、導波路全体を考えた場合の正
味の利得係数の時間変化を示し、図２（ｃ） は光出力
の時間変化を示す。図２（ａ） において、光増幅係数
の飽和は、光強度の増加に伴って誘導放出によるキャリ
アの再結合が促進されるためである。また、走行時間Ｔ
ｒは光が共振器の中を一往復するのに必要な時間である
。光パルスが利得領域を走行すると、光パルスは増幅さ
れるが、誘導放出により、キャリアが枯渇するので、極
めて短時間の間に利得の飽和が生じる。一方、光パルス
が可飽和吸収領域を走行すると、可飽和吸収特性により
光パルスの強度が大きいほど光透過強度が大きくなり、
有効に機能する。また、吸収の回復時間Ｔａは、光走行
時間Ｔｒよりも短い条件を満足すると、光パルスの圧縮
が起こり、モードロック状態になる。
【０００５】前述のように、バルク構造を用いた従来の
半導体モードロックレーザは、可飽和吸収領域の吸収の
飽和が起こるまでの光強度が大きいので、動作時の消費
パワーが大きくなる。またフランツ−ケルディッシュ効
果として知られているバルク構造の吸収係数の印加電界
による変化量は小さく、外部からの電界印加によるモー
ドロック特性の調整の制御性に乏しい。
半導体モードロックレーザは、可飽和吸収領域の吸収の
飽和が起こるまでの光強度が大きいので、動作時の消費
パワーが大きくなる。またフランツ−ケルディッシュ効
果として知られているバルク構造の吸収係数の印加電界
による変化量は小さく、外部からの電界印加によるモー
ドロック特性の調整の制御性に乏しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光制御に優
れ、２次元並列処理への適用性が大きい面発光半導体モ
ードロックレーザを提供することにある。
れ、２次元並列処理への適用性が大きい面発光半導体モ
ードロックレーザを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光を発生し増
幅する利得領域ａと、共振器内に存在し光を吸収して自
らの吸収係数の飽和により面発光半導体モードロックレ
ーザ動作を発生させる可飽和吸収領域ｂとを有する面発
光半導体モードロックレーザにおいて、利得領域ａと可
飽和吸収領域ｂを半導体結晶の成長方向に形成すること
によって、光を半導体結晶面に対して垂直方向に出射さ
せ、かつ利得領域ａと可飽和吸収領域ｂを超格子構造と
して２次元励起子の特性を応用することにより、すなわ
ち可飽和吸収領域ｂの吸収係数の波長依存性が可飽和吸
収領域ｂへの印加電界により変化する特性、いわゆる量
子閉じ込めシュタルク効果を利用して、可飽和吸収領域
ｂの光吸収量、飽和の回復時間を調整することにより、
該面発光半導体モードロックレーザの光パルス出力特性
を制御する。
幅する利得領域ａと、共振器内に存在し光を吸収して自
らの吸収係数の飽和により面発光半導体モードロックレ
ーザ動作を発生させる可飽和吸収領域ｂとを有する面発
光半導体モードロックレーザにおいて、利得領域ａと可
飽和吸収領域ｂを半導体結晶の成長方向に形成すること
によって、光を半導体結晶面に対して垂直方向に出射さ
せ、かつ利得領域ａと可飽和吸収領域ｂを超格子構造と
して２次元励起子の特性を応用することにより、すなわ
ち可飽和吸収領域ｂの吸収係数の波長依存性が可飽和吸
収領域ｂへの印加電界により変化する特性、いわゆる量
子閉じ込めシュタルク効果を利用して、可飽和吸収領域
ｂの光吸収量、飽和の回復時間を調整することにより、
該面発光半導体モードロックレーザの光パルス出力特性
を制御する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例の結晶成長面に垂
直方向の断面図である。
に説明する。図１は本発明の一実施例の結晶成長面に垂
直方向の断面図である。
【０００９】この実施例は、ＩｎＰ 基板１の上に、ｎ
−ＩｎＰ バッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ（またはＩ
ｎＧａＡｓＰ）／ＩｎＰ超格子構造の可飽和吸収領域３
、ｎ−ＩｎＰ クラッド層４、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ超
格子構造の利得領域５（３と５の関係は、利得領域５の
励起子吸収ピーク波長が、可飽和吸収領域３の励起子吸
収ピーク波長に等しいか、またはそれよりも長くなるよ
うに設定）、ｐ−ＩｎＰ クラッド層６、 ｐ＋ −Ｉ
ｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層７（キャップ層のバンド端
波長が発振波長よりも短くなるように設定）を順次成長
させる。ＩｎＰ 基板１の厚さは、所望のモードロック
レーザのパルス光の繰り返し周波数に応じて決定する。 例えば基板の厚さとして１ｍｍを用いれば、３０ＧＨｚ
程度の繰り返しが可能である。
−ＩｎＰ バッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ（またはＩ
ｎＧａＡｓＰ）／ＩｎＰ超格子構造の可飽和吸収領域３
、ｎ−ＩｎＰ クラッド層４、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ超
格子構造の利得領域５（３と５の関係は、利得領域５の
励起子吸収ピーク波長が、可飽和吸収領域３の励起子吸
収ピーク波長に等しいか、またはそれよりも長くなるよ
うに設定）、ｐ−ＩｎＰ クラッド層６、 ｐ＋ −Ｉ
ｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層７（キャップ層のバンド端
波長が発振波長よりも短くなるように設定）を順次成長
させる。ＩｎＰ 基板１の厚さは、所望のモードロック
レーザのパルス光の繰り返し周波数に応じて決定する。 例えば基板の厚さとして１ｍｍを用いれば、３０ＧＨｚ
程度の繰り返しが可能である。
【００１０】メサを該可飽和吸収領域３の下のｎ−Ｉｎ
Ｐ バッファ層２の中間の深さまでエッチングすること
により形成する。キャップ層７および可飽和吸収領域３
の上の電極８，９は電流注入用であり、電極１０は可飽
和吸収領域３への電界印加用である。ＩｎＰ 基板１お
よび ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層７の上部
に、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２ などの誘電体多層膜またはＡ
ｕなどの金属またはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ 半導体Ｄ
ＢＲ 構造で構成される反射鏡１１を形成する。
Ｐ バッファ層２の中間の深さまでエッチングすること
により形成する。キャップ層７および可飽和吸収領域３
の上の電極８，９は電流注入用であり、電極１０は可飽
和吸収領域３への電界印加用である。ＩｎＰ 基板１お
よび ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層７の上部
に、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２ などの誘電体多層膜またはＡ
ｕなどの金属またはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ 半導体Ｄ
ＢＲ 構造で構成される反射鏡１１を形成する。
【００１１】次に、この実施例の面発光半導体モードロ
ックレーザの動作、作用について説明する。超格子構造
の吸収係数の波長依存性を図３に示す。
ックレーザの動作、作用について説明する。超格子構造
の吸収係数の波長依存性を図３に示す。
【００１２】まず光強度の弱い場合の吸収について説明
する。この実施例の面発光半導体レーザの利得領域５は
、図３中の矢印外１
する。この実施例の面発光半導体レーザの利得領域５は
、図３中の矢印外１
【外１】
に示されているように、可飽和吸収領域３の励起子吸収
ピークよりも長波長とするので、可飽和吸収領域３への
印加がＯＶのときは吸収が小さい（一点鎖線）。ところ
が、可飽和吸収領域３への逆バイアス印加電界を大きく
していくと、量子閉じ込めシュタルク効果により、励起
子吸収ピークが長波長側にシフトし、吸収係数が増加す
る（実線）。
ピークよりも長波長とするので、可飽和吸収領域３への
印加がＯＶのときは吸収が小さい（一点鎖線）。ところ
が、可飽和吸収領域３への逆バイアス印加電界を大きく
していくと、量子閉じ込めシュタルク効果により、励起
子吸収ピークが長波長側にシフトし、吸収係数が増加す
る（実線）。
【００１３】次に、この状態で光強度を強くすると、光
吸収に可飽和特性が生じる。すなわち重い励起子の低エ
ネルギー側の可飽和吸収量が顕著である。このように所
望する波長に、利得領域５の利得スペクトルのピーク値
を動かし、励起子吸収の可飽和特性が最大となるように
電界を調整する。２次元励起子による吸収飽和の光強度
は、バルクに比べて小さいので、低光パワーで光吸収特
性の飽和（可飽和特性）が起こる。
吸収に可飽和特性が生じる。すなわち重い励起子の低エ
ネルギー側の可飽和吸収量が顕著である。このように所
望する波長に、利得領域５の利得スペクトルのピーク値
を動かし、励起子吸収の可飽和特性が最大となるように
電界を調整する。２次元励起子による吸収飽和の光強度
は、バルクに比べて小さいので、低光パワーで光吸収特
性の飽和（可飽和特性）が起こる。
【００１４】可飽和吸収領域３の飽和量および回復時間
は吸収領域の厚さ、電界を印加しない場合のピーク波長
、電界による励起子寿命の短縮効果等により調整が可能
である。また量子効果によって微分利得係数が大きいの
で、高速化や閾値低減に有効となる。さらに共振器が結
晶成長面に対して垂直方向に垂直共振器構造が形成され
るので、２次元配列が容易であり、２次元並列処理に適
し、モノリシックな作製が可能である。
は吸収領域の厚さ、電界を印加しない場合のピーク波長
、電界による励起子寿命の短縮効果等により調整が可能
である。また量子効果によって微分利得係数が大きいの
で、高速化や閾値低減に有効となる。さらに共振器が結
晶成長面に対して垂直方向に垂直共振器構造が形成され
るので、２次元配列が容易であり、２次元並列処理に適
し、モノリシックな作製が可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の面発光半導
体モードロックレーザは、利得領域５および可飽和吸収
領域３に超格子構造を導入し、共振器を結晶の成長面に
対して垂直方向に形成する垂直共振器構造とすることに
より、、以下に列挙する利点がある。 （１） ２次元励起子の吸収係数の波長依存性が印加電
界により変化する量子閉じ込めシュタルク効果を利用す
ることによって、モードロックの起こる範囲の自由度が
増し、制御性が増加する。 （２） 吸収飽和の起こる光強度が小さいので、低パワ
ーでの動作が可能である。 （３） ２次元励起子による吸収係数が大きいことを利
用して小型化が可能である。 （４） 量子効果により微分利得係数が大きくなるので
、高速化、閾値低減に適する。 （５） 垂直共振器構造のため２次元並列処理、モノリ
シックな形成が可能である。
体モードロックレーザは、利得領域５および可飽和吸収
領域３に超格子構造を導入し、共振器を結晶の成長面に
対して垂直方向に形成する垂直共振器構造とすることに
より、、以下に列挙する利点がある。 （１） ２次元励起子の吸収係数の波長依存性が印加電
界により変化する量子閉じ込めシュタルク効果を利用す
ることによって、モードロックの起こる範囲の自由度が
増し、制御性が増加する。 （２） 吸収飽和の起こる光強度が小さいので、低パワ
ーでの動作が可能である。 （３） ２次元励起子による吸収係数が大きいことを利
用して小型化が可能である。 （４） 量子効果により微分利得係数が大きくなるので
、高速化、閾値低減に適する。 （５） 垂直共振器構造のため２次元並列処理、モノリ
シックな形成が可能である。
【図１】本発明の一実施例の結晶成長面に対して垂直方
向の断面図である。
向の断面図である。
【図２】（ａ） は、利得領域と可飽和吸収領域とが集
積されているレーザ導波路の利得領域の利得の時間変化
および可飽和吸収領域の光損失の時間変化を示す図であ
る。 （ｂ） は、利得領域と可飽和吸収領域とが集積されて
いるレーザ導波路の導波路全体を考えた場合の正味の利
得係数の時間変化を示す図である。 （ｃ） は、利得領域と可飽和吸収領域とが集積されて
いるレーザ導波路の光出力の時間変化を示す図である。
積されているレーザ導波路の利得領域の利得の時間変化
および可飽和吸収領域の光損失の時間変化を示す図であ
る。 （ｂ） は、利得領域と可飽和吸収領域とが集積されて
いるレーザ導波路の導波路全体を考えた場合の正味の利
得係数の時間変化を示す図である。 （ｃ） は、利得領域と可飽和吸収領域とが集積されて
いるレーザ導波路の光出力の時間変化を示す図である。
【図３】超格子構造の吸収係数の波長依存性および光強
度依存性の実験結果を示す図である。
度依存性の実験結果を示す図である。
【図４】従来の半導体モードロックレーザの結晶成長面
に対して垂直方向の断面図である。
に対して垂直方向の断面図である。
１ ＩｎＰ基板
２ ｎ−ＩｎＰバッファ層
３ ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ超格子構造の可飽和
吸収領域４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ５ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ 超格子構造の利得領域６
ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７ ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層８
利得領域のｐ側電極 ９ 利得領域のｎ側電極 １０ 可飽和吸収領域への電界印加用電極１１ 高
反射鏡 １２ 利得領域 １３ 可飽和吸収領域 １４ 導波路領域 １５ ｎ形基板 １６ ｎ形クラッド層 １７ ｎ形クラッド層 １８ 活性層 １９ 可飽和吸収層 ２０ 導波路 ２１ ｐ形クラッド層 ２２ ｐ形クラッド層 ２３ 利得領域のｐ形電極 ２４ 可飽和吸収領域のｐ形電極 ２５ ｎ形電極
吸収領域４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ５ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ 超格子構造の利得領域６
ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７ ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）キャップ層８
利得領域のｐ側電極 ９ 利得領域のｎ側電極 １０ 可飽和吸収領域への電界印加用電極１１ 高
反射鏡 １２ 利得領域 １３ 可飽和吸収領域 １４ 導波路領域 １５ ｎ形基板 １６ ｎ形クラッド層 １７ ｎ形クラッド層 １８ 活性層 １９ 可飽和吸収層 ２０ 導波路 ２１ ｐ形クラッド層 ２２ ｐ形クラッド層 ２３ 利得領域のｐ形電極 ２４ 可飽和吸収領域のｐ形電極 ２５ ｎ形電極
Claims (1)
- 【請求項１】 光を発生し増幅する利得領域ａと、共
振器内に存在し光を吸収して自らの吸収係数の飽和する
可飽和吸収領域ｂとを有する面発光半導体モードロック
レーザにおいて、該利得領域ａと該可飽和吸収領域ｂを
半導体結晶の成長方向に形成することによって、光を半
導体結晶面に対して垂直方向に出射させ、かつ該利得領
域ａと該可飽和吸収領域ｂを超格子構造としたことを特
徴とする面発光半導体モードロックレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146391A JPH04247676A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 面発光半導体モードロックレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146391A JPH04247676A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 面発光半導体モードロックレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247676A true JPH04247676A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=12331958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146391A Pending JPH04247676A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 面発光半導体モードロックレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247676A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618651A2 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-05 | Fujitsu Limited | Surface emitting laser provided with light modulator |
| WO1995018479A1 (en) * | 1993-12-29 | 1995-07-06 | Honeywell Inc. | Integrated laser power monitor |
| US5461637A (en) * | 1994-03-16 | 1995-10-24 | Micracor, Inc. | High brightness, vertical cavity semiconductor lasers |
| US5745512A (en) * | 1993-04-30 | 1998-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Tunable lasers based on absorbers in standing waves |
| US6229834B1 (en) * | 1995-04-14 | 2001-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led display device |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3146391A patent/JPH04247676A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618651A2 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-05 | Fujitsu Limited | Surface emitting laser provided with light modulator |
| EP0618651A3 (en) * | 1993-03-31 | 1994-12-21 | Fujitsu Ltd | Surface emitting laser with light modulator. |
| US5408486A (en) * | 1993-03-31 | 1995-04-18 | Fujitsu Limited | Surface emitting laser provided with light modulator |
| US5745512A (en) * | 1993-04-30 | 1998-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Tunable lasers based on absorbers in standing waves |
| WO1995018479A1 (en) * | 1993-12-29 | 1995-07-06 | Honeywell Inc. | Integrated laser power monitor |
| US5461637A (en) * | 1994-03-16 | 1995-10-24 | Micracor, Inc. | High brightness, vertical cavity semiconductor lasers |
| US5627853A (en) * | 1994-03-16 | 1997-05-06 | Coherent, Inc. | Optimized laser energy conversion through automatic mode matched pumping |
| US6229834B1 (en) * | 1995-04-14 | 2001-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led display device |
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