JPH07162089A - 可視光レーザダイオード及びその製造方法 - Google Patents
可視光レーザダイオード及びその製造方法Info
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- JPH07162089A JPH07162089A JP5310947A JP31094793A JPH07162089A JP H07162089 A JPH07162089 A JP H07162089A JP 5310947 A JP5310947 A JP 5310947A JP 31094793 A JP31094793 A JP 31094793A JP H07162089 A JPH07162089 A JP H07162089A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング制御性が高く、活性層からの発光
の吸収が起こらないエッチングストッパ層を備え、レー
ザ発振しきい値が低く、高出力発振時の電流特性の良い
可視光レーザダイオード及びその製造方法を提供する。 【構成】 ６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードにおい
て、第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層３ｂを所定形状にするため、該第２のｐ型（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂに比べ
エッチングレートが極端に小さく、バルクでのバンドギ
ャップがｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６のバンドギ
ャップより大きい層厚５ｎｍのＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッ
チングストッパ層１０を備えた。
の吸収が起こらないエッチングストッパ層を備え、レー
ザ発振しきい値が低く、高出力発振時の電流特性の良い
可視光レーザダイオード及びその製造方法を提供する。 【構成】 ６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードにおい
て、第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層３ｂを所定形状にするため、該第２のｐ型（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂに比べ
エッチングレートが極端に小さく、バルクでのバンドギ
ャップがｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６のバンドギ
ャップより大きい層厚５ｎｍのＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッ
チングストッパ層１０を備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は可視光レーザダイオー
ド，及びその製造方法に関し、特に、活性層の近傍にエ
ッチングストッパ層を有する可視光レーザダイオード，
及びその製造方法に関するものである。
ド，及びその製造方法に関し、特に、活性層の近傍にエ
ッチングストッパ層を有する可視光レーザダイオード，
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の可視光レーザダイオードの製造方
法においては、その活性層上に形成するクラッド層中の
所定位置にエッチングストッパ層を導入しておき、該ク
ラッド層を所定の形状に形成する方法が一般的に用いら
れており、このような方法により製造された可視光レー
ザダイオードについて以下に図を用いて説明する。
法においては、その活性層上に形成するクラッド層中の
所定位置にエッチングストッパ層を導入しておき、該ク
ラッド層を所定の形状に形成する方法が一般的に用いら
れており、このような方法により製造された可視光レー
ザダイオードについて以下に図を用いて説明する。
【０００３】図１１は、従来の可視光レーザダイオード
の断面図であり、該可視光レーザダイオードの発振波長
は６３３ｎｍである。図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板であり、例えばＭＯＣＶＤ装置を用いて、該ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上に層厚１．５μｍのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，多重量子井戸構造の
ｕｎ（アンドープ）−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６，層
厚０．２５μｍの第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，層厚５ｎｍのＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐエッチングストッパ層９，層厚１．２５μｍの第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂを順次形成し、該第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3
）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを選択エッチングに
よりメサ形状に形成した後、再び、ＭＯＣＶＤ装置を用
いて、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去した部分にｎ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層４を形成し、さらに、上記メサ形
状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層３ｂ，上記ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４の上
面にｐ型ＧａＡｓキャップ層５を形成した層構造を有
し、この層構造の最下面にｎ側電極１３を、また最上面
にｐ側電極１４をそれぞれ形成してなるものである。
の断面図であり、該可視光レーザダイオードの発振波長
は６３３ｎｍである。図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板であり、例えばＭＯＣＶＤ装置を用いて、該ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上に層厚１．５μｍのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，多重量子井戸構造の
ｕｎ（アンドープ）−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６，層
厚０．２５μｍの第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，層厚５ｎｍのＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐエッチングストッパ層９，層厚１．２５μｍの第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂを順次形成し、該第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3
）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを選択エッチングに
よりメサ形状に形成した後、再び、ＭＯＣＶＤ装置を用
いて、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去した部分にｎ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層４を形成し、さらに、上記メサ形
状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層３ｂ，上記ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４の上
面にｐ型ＧａＡｓキャップ層５を形成した層構造を有
し、この層構造の最下面にｎ側電極１３を、また最上面
にｐ側電極１４をそれぞれ形成してなるものである。
【０００４】次に、エッチングストッパ層の機能，及び
メサ形状のクラッド層の形成方法について説明する。ま
ず、該可視光レーザダイオードの横モード制御を行なう
ためには、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ａの層厚を所定の厚さ（ここに示
した従来の可視光レーザダイオードの構造では、０．２
５μｍ）に保ち、かつ上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂをメサ形状にする必
要があるが、本例では、上記第１，第２のクラッド層の
材料に同じ（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用い
ているため、両者の間にエッチング液に対するエッチン
グレートの差がなく、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上に直接、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂを形成したのでは、上述のような形状に形成するこ
とが不可能である。
メサ形状のクラッド層の形成方法について説明する。ま
ず、該可視光レーザダイオードの横モード制御を行なう
ためには、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ａの層厚を所定の厚さ（ここに示
した従来の可視光レーザダイオードの構造では、０．２
５μｍ）に保ち、かつ上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂをメサ形状にする必
要があるが、本例では、上記第１，第２のクラッド層の
材料に同じ（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用い
ているため、両者の間にエッチング液に対するエッチン
グレートの差がなく、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上に直接、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂを形成したのでは、上述のような形状に形成するこ
とが不可能である。
【０００５】そこで、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐを有するメサ成形に用いるエッチャントに対し（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりも十分低いエッチ
ングレートを有する材料を用いた所要の厚みのエッチン
グストッパ層を、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層間に導入すると、これ
らを所定厚の裾部を有するメサ形状のクラッド層に形成
することが可能となるものであり、図１２(a) に示した
ように、硫酸系のエッチング溶液を用いた場合、（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのエッチングレートに対
し５０分の１前後のエッチングレートを示すＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐを用いた層厚５ｎｍの上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層９を、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａと、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂとの間に形成しているものである。
5 Ｐを有するメサ成形に用いるエッチャントに対し（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりも十分低いエッチ
ングレートを有する材料を用いた所要の厚みのエッチン
グストッパ層を、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層間に導入すると、これ
らを所定厚の裾部を有するメサ形状のクラッド層に形成
することが可能となるものであり、図１２(a) に示した
ように、硫酸系のエッチング溶液を用いた場合、（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのエッチングレートに対
し５０分の１前後のエッチングレートを示すＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐを用いた層厚５ｎｍの上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層９を、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａと、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂとの間に形成しているものである。
【０００６】そして、図１２(b) に示したように、Ｓｉ
Ｎ膜１２をマスクとして、上記硫酸系のエッチング液を
用いて上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを行うと、該第２のｐ
型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ
よりも十分低いエッチングレートを有する上記Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層９の作用により、上記
第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層３ａに達する直前にエッチングを制御性良く停止さ
せることができ、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
６上に、所定厚の上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａと、メサ形状の第２のｐ
型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ
とからなるクラッド層を形成することができる。
Ｎ膜１２をマスクとして、上記硫酸系のエッチング液を
用いて上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを行うと、該第２のｐ
型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ
よりも十分低いエッチングレートを有する上記Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層９の作用により、上記
第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層３ａに達する直前にエッチングを制御性良く停止さ
せることができ、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
６上に、所定厚の上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａと、メサ形状の第２のｐ
型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ
とからなるクラッド層を形成することができる。
【０００７】次に、図１２(c) に示したように、上記第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの上記メサ形状にエッチング除去した部分にｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層４を形成し、上述のクラッド層
のエッチング工程時にマスクとして用いた上記ＳｉＮ膜
１２を取り除いた後、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ及び上記
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４の上面露出部の上にｐ型
ＧａＡｓキャップ層５を形成することにより所定の層構
造とすることができる。
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの上記メサ形状にエッチング除去した部分にｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層４を形成し、上述のクラッド層
のエッチング工程時にマスクとして用いた上記ＳｉＮ膜
１２を取り除いた後、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ及び上記
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４の上面露出部の上にｐ型
ＧａＡｓキャップ層５を形成することにより所定の層構
造とすることができる。
【０００８】さらに、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層５の
上面にｐ側電極１４を，上記ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面
にｎ側電極１３をそれぞれ形成することにより、図１１
に示したような可視光レーザダイオードを得ることがで
きる。
上面にｐ側電極１４を，上記ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面
にｎ側電極１３をそれぞれ形成することにより、図１１
に示したような可視光レーザダイオードを得ることがで
きる。
【０００９】そして、上述のようなクラッド層のメサ形
状形成工程を含む製造方法により製造された可視光レー
ザダイオードは、上記ｎ側電極１３，ｐ側電極１４間に
所要の駆動電流を印加することにより駆動され、波長６
３３ｎｍのレーザ光を出射する。
状形成工程を含む製造方法により製造された可視光レー
ザダイオードは、上記ｎ側電極１３，ｐ側電極１４間に
所要の駆動電流を印加することにより駆動され、波長６
３３ｎｍのレーザ光を出射する。
【００１０】このように、従来の可視光レーザダイオー
ドにおいては、基板にＧａＡｓを用いることが多く、こ
のＧａＡｓ基板と格子整合するＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用
いてエッチングストッパ層を形成し、活性層上のクラッ
ド層を所定形状にする方法が一般的であり、上述の層構
造の他にも、例えば特開平３−１１２１８６号公報に
は、電圧−電流特性を改善し、エッチングの制御性を高
めるためにＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層厚４０オング
ストロームのバッファ層を、ＡｌＧａＩｎＰと、ＡｌＧ
ａＡｓとからなる２つのクラッド層の間に導入して製作
した可視光レーザダイオードが示されている。
ドにおいては、基板にＧａＡｓを用いることが多く、こ
のＧａＡｓ基板と格子整合するＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用
いてエッチングストッパ層を形成し、活性層上のクラッ
ド層を所定形状にする方法が一般的であり、上述の層構
造の他にも、例えば特開平３−１１２１８６号公報に
は、電圧−電流特性を改善し、エッチングの制御性を高
めるためにＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層厚４０オング
ストロームのバッファ層を、ＡｌＧａＩｎＰと、ＡｌＧ
ａＡｓとからなる２つのクラッド層の間に導入して製作
した可視光レーザダイオードが示されている。
【００１１】また、特開平３−７３５８４号公報には、
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐクラッド層上にＧ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層（層厚０．０５μ
ｍ），ＧａＡｓ電流阻止層（層厚０．６μｍ）を順次形
成し、上記ＧａＡｓ電流阻止層の一部を選択的にエッチ
ングする工程を含む方法で製作した発振波長６６０ｎｍ
以下の半導体レーザ装置が示されている。
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐクラッド層上にＧ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層（層厚０．０５μ
ｍ），ＧａＡｓ電流阻止層（層厚０．６μｍ）を順次形
成し、上記ＧａＡｓ電流阻止層の一部を選択的にエッチ
ングする工程を含む方法で製作した発振波長６６０ｎｍ
以下の半導体レーザ装置が示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光レーザダ
イオード，及びその製造方法は、以上のように構成され
ており、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上の上
記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ａ，３ｂを所定形状に形成するために、
両クラッド層３ａ，３ｂの間に上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層９を導入することが不可欠であ
り、また、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂを所定形状に形成
した後に上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層
９を取り除くことができず、図１１に示したように、本
来の役割を終えた上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングス
トッパ層９の一部を上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性
層６の上方に備えたままの層構造となっている。そし
て、上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層９
は、その層厚が５ｎｍであることから、上記第１，第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ａ，３ｂの間で１つの量子井戸を形成することとな
り、この量子井戸のエネルギ準位を波長に換算すると６
４０ｎｍ付近となる。これは、図１３(a) に示したよう
に、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３
ｄ，３ｅと、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層９ｂとを形成し
て、該Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層９ｂの井戸幅を可変
し、４．２Ｋで測定したＰＬ発光の波長を基にバンドギ
ャップエネルギに換算してプロットした図１３(b) の白
丸と、波動関数の計算から求めた理論値を示す図１３
(b) の実線ｌにより裏付けられたものである。
イオード，及びその製造方法は、以上のように構成され
ており、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上の上
記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ａ，３ｂを所定形状に形成するために、
両クラッド層３ａ，３ｂの間に上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層９を導入することが不可欠であ
り、また、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂを所定形状に形成
した後に上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層
９を取り除くことができず、図１１に示したように、本
来の役割を終えた上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングス
トッパ層９の一部を上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性
層６の上方に備えたままの層構造となっている。そし
て、上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層９
は、その層厚が５ｎｍであることから、上記第１，第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ａ，３ｂの間で１つの量子井戸を形成することとな
り、この量子井戸のエネルギ準位を波長に換算すると６
４０ｎｍ付近となる。これは、図１３(a) に示したよう
に、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３
ｄ，３ｅと、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層９ｂとを形成し
て、該Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層９ｂの井戸幅を可変
し、４．２Ｋで測定したＰＬ発光の波長を基にバンドギ
ャップエネルギに換算してプロットした図１３(b) の白
丸と、波動関数の計算から求めた理論値を示す図１３
(b) の実線ｌにより裏付けられたものである。
【００１３】即ち、層厚５ｎｍの上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐエッチングストッパ層９は、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍの光に対して
一種の吸収層となり、発光のシンクとなるため、高出力
発振時の電流特性劣化を招き、上記可視光レーザダイオ
ードの性能を劣化させてしまうという問題があった。こ
れは、可視光レーザダイオードの発振波長が６７０ｎｍ
帯のときには、上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングスト
ッパ層９を備えたままの層構造であっても、吸収が起こ
らず問題とならなかったものである。しかし、近年の結
晶成長技術の高度化により、可視光レーザダイオードに
おいてその活性層の井戸幅を狭くすることによる量子効
果を利用し、発振波長をより短波長化することが可能と
なり、波長６３３ｎｍのＨｅＮｅガスレーザに代わる可
視光レーザダイオードとして、活性層の井戸幅を４ｎｍ
以下とする６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードが、例
えば９２年秋期応用物理学会等の各種の学会で発表され
ている。このような可視光レーザダイオードの発振波長
の短波長化は、光ディスク，バーコードリーダ，レーザ
ビームプリンタ等に応用するために必要で時代の趨勢と
なっており、これにより光ディスクの書き込みスピード
の向上，所要電力の低減等を図ることが可能となり、さ
らにハイビジョンシステムの記録が容易になることか
ら、ますますこの短波長化が進む傾向にあり、これにつ
れて、上述の問題はこれを避けて通ることができないも
のであった。
Ｐエッチングストッパ層９は、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍの光に対して
一種の吸収層となり、発光のシンクとなるため、高出力
発振時の電流特性劣化を招き、上記可視光レーザダイオ
ードの性能を劣化させてしまうという問題があった。こ
れは、可視光レーザダイオードの発振波長が６７０ｎｍ
帯のときには、上記Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングスト
ッパ層９を備えたままの層構造であっても、吸収が起こ
らず問題とならなかったものである。しかし、近年の結
晶成長技術の高度化により、可視光レーザダイオードに
おいてその活性層の井戸幅を狭くすることによる量子効
果を利用し、発振波長をより短波長化することが可能と
なり、波長６３３ｎｍのＨｅＮｅガスレーザに代わる可
視光レーザダイオードとして、活性層の井戸幅を４ｎｍ
以下とする６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードが、例
えば９２年秋期応用物理学会等の各種の学会で発表され
ている。このような可視光レーザダイオードの発振波長
の短波長化は、光ディスク，バーコードリーダ，レーザ
ビームプリンタ等に応用するために必要で時代の趨勢と
なっており、これにより光ディスクの書き込みスピード
の向上，所要電力の低減等を図ることが可能となり、さ
らにハイビジョンシステムの記録が容易になることか
ら、ますますこの短波長化が進む傾向にあり、これにつ
れて、上述の問題はこれを避けて通ることができないも
のであった。
【００１４】そこで、例えばJAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS VOL.29 NO.9,SEPTEMBER,1990,11.L 1669-L
1671 には、アンドープ（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ
0.5Ｐ活性層上のｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ（層厚０．２５μｍ）内クラッド層の上に、ｐ型
（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッ
パ層（層厚５ｎｍ）を設け、その上層のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ（層厚０．７μｍ）外クラッ
ド層をメサ形状にした６３２．７ｎｍ可視光レーザダイ
オードが記載されている。しかるに、この層構造ではエ
ッチングストッパ層による光の吸収が起こらないもの
の、上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外ク
ラッド層をメサ形状にするときに、Ａｌを０．１９も入
れている上記ｐ型（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層は、上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3
）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外クラッド層との間で選択比が小さ
くなり、十分にエッチングを停止することができないも
のであった。
IED PHYSICS VOL.29 NO.9,SEPTEMBER,1990,11.L 1669-L
1671 には、アンドープ（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ
0.5Ｐ活性層上のｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ（層厚０．２５μｍ）内クラッド層の上に、ｐ型
（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッ
パ層（層厚５ｎｍ）を設け、その上層のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ（層厚０．７μｍ）外クラッ
ド層をメサ形状にした６３２．７ｎｍ可視光レーザダイ
オードが記載されている。しかるに、この層構造ではエ
ッチングストッパ層による光の吸収が起こらないもの
の、上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外ク
ラッド層をメサ形状にするときに、Ａｌを０．１９も入
れている上記ｐ型（Ａｌ0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
エッチングストッパ層は、上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3
）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外クラッド層との間で選択比が小さ
くなり、十分にエッチングを停止することができないも
のであった。
【００１５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、エッチング制御性が高く、活性
層からの発光の吸収が起こらないエッチングストッパ層
を備え、レーザ発振しきい値が低く、高出力発振時の電
流特性の良い可視光レーザダイオード，及びその製造方
法を提供するものである。
ためになされたもので、エッチング制御性が高く、活性
層からの発光の吸収が起こらないエッチングストッパ層
を備え、レーザ発振しきい値が低く、高出力発振時の電
流特性の良い可視光レーザダイオード，及びその製造方
法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る可視光レ
ーザダイオードは、所定のエッチング溶液によるエッチ
ングレートが該クラッド層に用いる材料のエッチングレ
ートに比べ十分に小さい値となり、かつバルクでのバン
ドギャップが上記活性層のバンドギャップより大きいバ
ンドギャップを有する材料からなり、上記クラッド層中
の所定位置に、該エッチングストッパ層上又は該層中の
所定位置でエッチングを停止させ、かつ該可視光レーザ
ダイオードの発振波長に相当するバンドギャップを超え
るエネルギ量子準位を形成するような層厚を有する層を
含むエッチングストッパ層を備えたものである。
ーザダイオードは、所定のエッチング溶液によるエッチ
ングレートが該クラッド層に用いる材料のエッチングレ
ートに比べ十分に小さい値となり、かつバルクでのバン
ドギャップが上記活性層のバンドギャップより大きいバ
ンドギャップを有する材料からなり、上記クラッド層中
の所定位置に、該エッチングストッパ層上又は該層中の
所定位置でエッチングを停止させ、かつ該可視光レーザ
ダイオードの発振波長に相当するバンドギャップを超え
るエネルギ量子準位を形成するような層厚を有する層を
含むエッチングストッパ層を備えたものである。
【００１７】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードは、上記エッチングストッパ層を、硫酸系エッチン
グ溶液を用いてエッチングを行うときに、そのエッチン
グレートが上記クラッド層のエッチングレートの５０分
の１以下となる材料からなるものとしたものである。
ードは、上記エッチングストッパ層を、硫酸系エッチン
グ溶液を用いてエッチングを行うときに、そのエッチン
グレートが上記クラッド層のエッチングレートの５０分
の１以下となる材料からなるものとしたものである。
【００１８】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶成長させた
ものであり、上記活性層は、ＧａＩｎＰを用いた多重量
子井戸構造を有し、上記クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰ
を用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッパ層
は、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数よ
り小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用いた
量子井戸構造のものとしたものである。
ードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶成長させた
ものであり、上記活性層は、ＧａＩｎＰを用いた多重量
子井戸構造を有し、上記クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰ
を用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッパ層
は、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数よ
り小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用いた
量子井戸構造のものとしたものである。
【００１９】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐを用いた６３３ｎ
ｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記クラッド層
は、バルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶのＡｌＧ
ａＩｎＰの薄膜結晶層であり、上記エッチングストッパ
層は、バルクでのバンドギャップが２．００ｅＶのＧａ
ＩｎＰ薄膜結晶層であり、上記クラッド層の所定位置に
配置され、井戸幅約５ｎｍの単一量子井戸を形成してな
るものとしたものである。
ードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐを用いた６３３ｎ
ｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記クラッド層
は、バルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶのＡｌＧ
ａＩｎＰの薄膜結晶層であり、上記エッチングストッパ
層は、バルクでのバンドギャップが２．００ｅＶのＧａ
ＩｎＰ薄膜結晶層であり、上記クラッド層の所定位置に
配置され、井戸幅約５ｎｍの単一量子井戸を形成してな
るものとしたものである。
【００２０】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐを用いた６３３ｎ
ｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記クラッド層
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐの薄膜結晶層
であり、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x
Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に配置
し、上記Ｇａx Ｉｎ1-xＰ薄膜結晶層の層厚の総和が約
５ｎｍとなるように積層してなる多重量子井戸構造を有
するものとしたものである。
ードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐを用いた６３３ｎ
ｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記クラッド層
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐの薄膜結晶層
であり、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x
Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に配置
し、上記Ｇａx Ｉｎ1-xＰ薄膜結晶層の層厚の総和が約
５ｎｍとなるように積層してなる多重量子井戸構造を有
するものとしたものである。
【００２１】さらに、この発明に係る可視光レーザダイ
オードは、上記エッチングストッパ層を、該エッチング
ストッパ層と上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合すること
により生じる格子歪みの応力を上記活性層に与え得る位
置に配置したものである。
オードは、上記エッチングストッパ層を、該エッチング
ストッパ層と上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合すること
により生じる格子歪みの応力を上記活性層に与え得る位
置に配置したものである。
【００２２】またさらに、この発明に係る可視光レーザ
ダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６
３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記エッチ
ングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎ
x Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜
結晶層とを交互に配置して積層してなる多重量子井戸構
造を有するものとしたものである。
ダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６
３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードであり、上記エッチ
ングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎ
x Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜
結晶層とを交互に配置して積層してなる多重量子井戸構
造を有するものとしたものである。
【００２３】さらに、この発明に係る可視光レーザダイ
オードは、上記エッチングストッパ層を、上記Ｇａx Ｉ
ｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以上となるよ
うに積層したものとしたものである。
オードは、上記エッチングストッパ層を、上記Ｇａx Ｉ
ｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以上となるよ
うに積層したものとしたものである。
【００２４】この発明に係る可視光レーザダイオードの
製造方法は、所定のエッチング溶液によるエッチングレ
ートが該クラッド層に用いる材料のエッチングレートに
比べ十分に小さい値となり、かつバルクでのバンドギャ
ップが上記活性層のバンドギャップより大きいバンドギ
ャップを有する材料を用いて、上記クラッド層中の所定
位置に、該エッチングストッパ層上又は該層中の所定位
置でエッチングを停止させ、かつ該可視光レーザダイオ
ードの発振波長に相当するバンドギャップを超えるエネ
ルギ量子準位となるような層厚のエッチングストッパ層
を形成する工程を含むようにしたものである。
製造方法は、所定のエッチング溶液によるエッチングレ
ートが該クラッド層に用いる材料のエッチングレートに
比べ十分に小さい値となり、かつバルクでのバンドギャ
ップが上記活性層のバンドギャップより大きいバンドギ
ャップを有する材料を用いて、上記クラッド層中の所定
位置に、該エッチングストッパ層上又は該層中の所定位
置でエッチングを停止させ、かつ該可視光レーザダイオ
ードの発振波長に相当するバンドギャップを超えるエネ
ルギ量子準位となるような層厚のエッチングストッパ層
を形成する工程を含むようにしたものである。
【００２５】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードの製造方法は、ＧａＡｓ基板の上方に、ＧａＩｎＰ
を用いた多重量子井戸構造の活性層を形成する工程と、
上記活性層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて第１のクラッド
層を形成する工程と、上記第１のクラッド層上にＧａ組
成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数より小さい格
子定数を有するＧａＩｎＰを用いて単一もしくは多重量
子井戸構造のエッチングストッパ層を形成する工程と、
上記エッチングストッパ層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて
第２のクラッド層を形成する工程と、上記第２のクラッ
ド層の一部をエッチング除去し、所定形状に形成する工
程とを含むようにしたものである。
ードの製造方法は、ＧａＡｓ基板の上方に、ＧａＩｎＰ
を用いた多重量子井戸構造の活性層を形成する工程と、
上記活性層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて第１のクラッド
層を形成する工程と、上記第１のクラッド層上にＧａ組
成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数より小さい格
子定数を有するＧａＩｎＰを用いて単一もしくは多重量
子井戸構造のエッチングストッパ層を形成する工程と、
上記エッチングストッパ層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて
第２のクラッド層を形成する工程と、上記第２のクラッ
ド層の一部をエッチング除去し、所定形状に形成する工
程とを含むようにしたものである。
【００２６】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードの製造方法は、上記第２のクラッド層の一部をエッ
チング除去し、所定形状に形成する工程を、上記第２の
クラッド層と、上記エッチングストッパ層とのエッチン
グレートの比が約５０対１となる硫酸系エッチング溶液
を用いて行うものとしたものである。
ードの製造方法は、上記第２のクラッド層の一部をエッ
チング除去し、所定形状に形成する工程を、上記第２の
クラッド層と、上記エッチングストッパ層とのエッチン
グレートの比が約５０対１となる硫酸系エッチング溶液
を用いて行うものとしたものである。
【００２７】さらに、この発明に係る可視光レーザダイ
オードの製造方法は、上記可視光レーザダイオードが、
活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視
光レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラッド
層は、バルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶのＡｌ
ＧａＩｎＰを用いて形成し、上記エッチングストッパ層
は、バルクでのバンドギャップが２．００ｅＶのＧａＩ
ｎＰを用いて、約５ｎｍの層厚で形成するものであり、
上記第２のＡｌＧａＩｎＰクラッド層の一部を、硫酸系
エッチング溶液によりエッチング除去するようにしたも
のである。
オードの製造方法は、上記可視光レーザダイオードが、
活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視
光レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラッド
層は、バルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶのＡｌ
ＧａＩｎＰを用いて形成し、上記エッチングストッパ層
は、バルクでのバンドギャップが２．００ｅＶのＧａＩ
ｎＰを用いて、約５ｎｍの層厚で形成するものであり、
上記第２のＡｌＧａＩｎＰクラッド層の一部を、硫酸系
エッチング溶液によりエッチング除去するようにしたも
のである。
【００２８】さらにまた、この発明に係る可視光レーザ
ダイオードの製造方法は、上記可視光レーザダイオード
が、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯
可視光レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラ
ッド層は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用い
て形成し、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-
x Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に、
上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が約５ｎ
ｍとなるように形成するものであり、上記第２の（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層の一部を、硫
酸系エッチング溶液によりエッチング除去するようにし
たものである。
ダイオードの製造方法は、上記可視光レーザダイオード
が、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯
可視光レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラ
ッド層は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用い
て形成し、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-
x Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に、
上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が約５ｎ
ｍとなるように形成するものであり、上記第２の（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層の一部を、硫
酸系エッチング溶液によりエッチング除去するようにし
たものである。
【００２９】さらに、この発明に係る可視光レーザダイ
オードの製造方法は、上記第１のクラッド層を、上記エ
ッチングストッパ層と上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合
することにより生じる格子歪みの応力を上記活性層に与
え得る層厚で形成するようにしたものである。
オードの製造方法は、上記第１のクラッド層を、上記エ
ッチングストッパ層と上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合
することにより生じる格子歪みの応力を上記活性層に与
え得る層厚で形成するようにしたものである。
【００３０】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードの製造方法は、上記可視光レーザダイオードが、活
性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光
レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラッド層
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いて形成
し、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ
（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇ
ａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ
≦０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して形成するも
のであり、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層の一部を、硫酸系エッチング溶液により
エッチング除去するようにしたものである。
ードの製造方法は、上記可視光レーザダイオードが、活
性層にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光
レーザダイオードであり、上記第１，第２のクラッド層
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いて形成
し、上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ
（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇ
ａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ
≦０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して形成するも
のであり、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層の一部を、硫酸系エッチング溶液により
エッチング除去するようにしたものである。
【００３１】さらに、この発明に係る可視光レーザダイ
オードの製造方法は、上記エッチングストッパ層を、上
記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以
上となるように形成するようにしたものである。
オードの製造方法は、上記エッチングストッパ層を、上
記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以
上となるように形成するようにしたものである。
【００３２】
【作用】この発明に係る可視光レーザダイオード，及び
その製造方法においては、所定のエッチング溶液による
エッチングレートが該クラッド層に用いる材料のエッチ
ングレートに比べ十分に小さい値となり、かつバルクで
のバンドギャップが上記活性層のバンドギャップより大
きいバンドギャップを有する材料を用いて、上記クラッ
ド層中の所定位置に、該エッチングストッパ層上又は該
層中の所定位置でエッチングを停止させ、かつ該可視光
レーザダイオードの発振波長に相当するバンドギャップ
を超えるエネルギ量子準位を形成するような層厚を有す
る層を含むエッチングストッパ層を備えたから、上記ク
ラッド層を上記エッチングストッパ層に対し選択的に制
御性よくエッチングして所定の形状にすることができ、
このエッチング工程後、上記エッチングストッパ層の一
部を上記クラッド層中に残したままの層構造としても、
上記活性層からの発光を上記エッチングストッパ層が吸
収することを防ぐことができる。
その製造方法においては、所定のエッチング溶液による
エッチングレートが該クラッド層に用いる材料のエッチ
ングレートに比べ十分に小さい値となり、かつバルクで
のバンドギャップが上記活性層のバンドギャップより大
きいバンドギャップを有する材料を用いて、上記クラッ
ド層中の所定位置に、該エッチングストッパ層上又は該
層中の所定位置でエッチングを停止させ、かつ該可視光
レーザダイオードの発振波長に相当するバンドギャップ
を超えるエネルギ量子準位を形成するような層厚を有す
る層を含むエッチングストッパ層を備えたから、上記ク
ラッド層を上記エッチングストッパ層に対し選択的に制
御性よくエッチングして所定の形状にすることができ、
このエッチング工程後、上記エッチングストッパ層の一
部を上記クラッド層中に残したままの層構造としても、
上記活性層からの発光を上記エッチングストッパ層が吸
収することを防ぐことができる。
【００３３】また、この発明においては、上記可視光レ
ーザダイオードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶
成長させたものであり、上記活性層はＧａＩｎＰを用い
た多重量子井戸構造を有し、上記クラッド層はＡｌＧａ
ＩｎＰを用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッ
パ層を、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定
数より小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用
いた量子井戸構造のものとしたから、上記エッチングス
トッパ層は、上記クラッド層に対し高い選択比を有し、
上記活性層が有するバンドギャップより大きいバンドギ
ャップとなる引っ張り歪みを有する量子井戸を上記クラ
ッド層中に形成することとなり、これにより上記クラッ
ド層を制御性良く所定の形状にすることができ、上記活
性層からの発光を上記エッチングストッパ層が吸収する
ことを防ぐことができる。
ーザダイオードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶
成長させたものであり、上記活性層はＧａＩｎＰを用い
た多重量子井戸構造を有し、上記クラッド層はＡｌＧａ
ＩｎＰを用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッ
パ層を、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定
数より小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用
いた量子井戸構造のものとしたから、上記エッチングス
トッパ層は、上記クラッド層に対し高い選択比を有し、
上記活性層が有するバンドギャップより大きいバンドギ
ャップとなる引っ張り歪みを有する量子井戸を上記クラ
ッド層中に形成することとなり、これにより上記クラッ
ド層を制御性良く所定の形状にすることができ、上記活
性層からの発光を上記エッチングストッパ層が吸収する
ことを防ぐことができる。
【００３４】さらに、この発明においては、上記第１の
クラッド層を、上記エッチングストッパ層と上記ＧａＡ
ｓ基板とが格子不整合することにより生じる格子歪みの
応力を上記活性層に与え得る層厚で形成し、その上に上
記エッチングストッパ層を設けたから、上記エッチング
ストッパ層の引っ張り歪みにより、上記活性層に圧縮方
向の応力をかけることとなり、これにより上記活性層の
バンドギャップを広げて発振波長を短波長化することが
できる。
クラッド層を、上記エッチングストッパ層と上記ＧａＡ
ｓ基板とが格子不整合することにより生じる格子歪みの
応力を上記活性層に与え得る層厚で形成し、その上に上
記エッチングストッパ層を設けたから、上記エッチング
ストッパ層の引っ張り歪みにより、上記活性層に圧縮方
向の応力をかけることとなり、これにより上記活性層の
バンドギャップを広げて発振波長を短波長化することが
できる。
【００３５】またさらに、この発明においては、上記可
視光レーザダイオードは、活性層がＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
を用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードであり、
上記エッチングストッパ層を、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y
）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して積層してなる
多重量子井戸構造を有するものとしたから、上記Ｇａx
Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層に加わる引っ張り方向の応力を、
上記（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ薄膜結晶層に加わ
る圧縮方向の応力により相殺して積層することとなり、
これにより上記エッチングストッパ層の量子井戸の数を
増やしてバンドギャップをさらに大きくすることがで
き、かつ層厚を厚くしてエッチング制御性を高めること
ができる。
視光レーザダイオードは、活性層がＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
を用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードであり、
上記エッチングストッパ層を、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y
）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して積層してなる
多重量子井戸構造を有するものとしたから、上記Ｇａx
Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層に加わる引っ張り方向の応力を、
上記（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ薄膜結晶層に加わ
る圧縮方向の応力により相殺して積層することとなり、
これにより上記エッチングストッパ層の量子井戸の数を
増やしてバンドギャップをさらに大きくすることがで
き、かつ層厚を厚くしてエッチング制御性を高めること
ができる。
【００３６】
【実施例】実施例１．以下、この発明の第１の実施例を
図について説明する。図１(a) は本実施例１による６３
３ｎｍ帯可視光レーザダイオードの断面図であり、図に
おいて、１はｎ型ＧａＡｓ基板であり、例えばＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上に層厚１．５
μｍのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層２，層厚６ｎｍの井戸層と８ｎｍのバリア層とを４
重化してなり、５０〜８０ｎｍのガイド層を有する多重
量子井戸構造のｕｎ−（アンドープ）Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ活性層６，層厚０．２５μｍの第１のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，層厚５ｎｍ
のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０，層厚
１．２５μｍの第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを順次形成し、該第２のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを
選択エッチングによりメサ形状に形成した後、再び、Ｍ
ＯＣＶＤ装置を用いて、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去
した部分にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４を形成し、さ
らに、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ，上記ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層４の上面にｐ型ＧａＡｓキャップ層５を形成
した層構造を有し、この層構造の最下面にｎ側電極１３
を、また最上面にｐ側電極１４をそれぞれ形成してなる
ものである。
図について説明する。図１(a) は本実施例１による６３
３ｎｍ帯可視光レーザダイオードの断面図であり、図に
おいて、１はｎ型ＧａＡｓ基板であり、例えばＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上に層厚１．５
μｍのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層２，層厚６ｎｍの井戸層と８ｎｍのバリア層とを４
重化してなり、５０〜８０ｎｍのガイド層を有する多重
量子井戸構造のｕｎ−（アンドープ）Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ活性層６，層厚０．２５μｍの第１のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，層厚５ｎｍ
のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０，層厚
１．２５μｍの第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを順次形成し、該第２のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを
選択エッチングによりメサ形状に形成した後、再び、Ｍ
ＯＣＶＤ装置を用いて、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去
した部分にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４を形成し、さ
らに、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ，上記ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層４の上面にｐ型ＧａＡｓキャップ層５を形成
した層構造を有し、この層構造の最下面にｎ側電極１３
を、また最上面にｐ側電極１４をそれぞれ形成してなる
ものである。
【００３７】次に、上記可視光レーザダイオードの製造
方法を説明するための図２を用いて、上記メサ形状の第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの形成方法について詳述する。まず、図２(a) に
示したように、硫酸系のエッチング溶液を用いた場合に
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのエッチングレー
トに対し、５０分の１前後のエッチングレートを示すＧ
ａ0.57Ｉｎ0.43Ｐを用いた層厚５ｎｍの上記Ｇａ0.57Ｉ
ｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を上記第１のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上
に形成し、上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ
層１０の上に上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを形成しておく。このとき、
図１(b) に示したように、バルクでのバンドギャップが
２．３４ｅＶである上記第１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂ間で、バルク
でのバンドギャップが２．００ｅＶである上記Ｇａ0.57
Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０が１つの量子井戸
を形成することとなる。
方法を説明するための図２を用いて、上記メサ形状の第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの形成方法について詳述する。まず、図２(a) に
示したように、硫酸系のエッチング溶液を用いた場合に
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのエッチングレー
トに対し、５０分の１前後のエッチングレートを示すＧ
ａ0.57Ｉｎ0.43Ｐを用いた層厚５ｎｍの上記Ｇａ0.57Ｉ
ｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を上記第１のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上
に形成し、上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ
層１０の上に上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを形成しておく。このとき、
図１(b) に示したように、バルクでのバンドギャップが
２．３４ｅＶである上記第１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂ間で、バルク
でのバンドギャップが２．００ｅＶである上記Ｇａ0.57
Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０が１つの量子井戸
を形成することとなる。
【００３８】そして、図２(b) に示したように、上記第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの一部上面に設けた厚さ３０００〜５０００オン
グストロームのＳｉＮ膜１２をマスクとして、上記硫酸
系のエッチング液を用いて上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを
行うと、該第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングレートよりも十分に低
いエッチングレートを有する上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエ
ッチングストッパ層１０の作用により、上記第１のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａに
達する直前にエッチングを制御性良く停止させることが
でき、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上に層厚
０．２５μｍの上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.
5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを残して、メサ形状の第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂを形成することができる。
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂの一部上面に設けた厚さ３０００〜５０００オン
グストロームのＳｉＮ膜１２をマスクとして、上記硫酸
系のエッチング液を用いて上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを
行うと、該第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングレートよりも十分に低
いエッチングレートを有する上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエ
ッチングストッパ層１０の作用により、上記第１のｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａに
達する直前にエッチングを制御性良く停止させることが
でき、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上に層厚
０．２５μｍの上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.
5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを残して、メサ形状の第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂを形成することができる。
【００３９】その後、図２(c) に示したように、上記メ
サ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去した部分にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層４を形成し、上述のクラッド層のエ
ッチング工程時にマスクとして用いた上記ＳｉＮ膜１２
を取り除いた後、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ及び上記ｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層４の上面露出部の上にｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５を形成することにより図１に示したよ
うな所定の層構造とすることができるものである。
サ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂのエッチング除去した部分にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層４を形成し、上述のクラッド層のエ
ッチング工程時にマスクとして用いた上記ＳｉＮ膜１２
を取り除いた後、上記メサ形状の第２のｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂ及び上記ｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層４の上面露出部の上にｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５を形成することにより図１に示したよ
うな所定の層構造とすることができるものである。
【００４０】以下に、図６〜図１１を用いて、ＧａＩｎ
Ｐを用いたエッチングストッパ層の層厚、組成の決定方
法と、この決定方法により求めた上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43
Ｐエッチングストッパ層１０の作用についてさらに詳し
く説明する。まず、エッチングストッパ層の層厚につい
て述べると、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂの層厚が１．２５μｍでウェ
ハ全体の厚み分布が±１０％であることから、 １．２５μｍ×（０．１＋０．１）＝０．２５μｍ …(1) となり、０．２５μｍ（２５０ｎｍ）の厚み分布をエッ
チングストッパ層で吸収できなければならないことがわ
かる。
Ｐを用いたエッチングストッパ層の層厚、組成の決定方
法と、この決定方法により求めた上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43
Ｐエッチングストッパ層１０の作用についてさらに詳し
く説明する。まず、エッチングストッパ層の層厚につい
て述べると、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂの層厚が１．２５μｍでウェ
ハ全体の厚み分布が±１０％であることから、 １．２５μｍ×（０．１＋０．１）＝０．２５μｍ …(1) となり、０．２５μｍ（２５０ｎｍ）の厚み分布をエッ
チングストッパ層で吸収できなければならないことがわ
かる。
【００４１】そして、硫酸と水との混合比を１対１とし
た５０℃のエッチング溶液を用いてエッチングを行うも
のとすると、図６に示したように上記エッチング溶液に
対して、ＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰとのエッチング選
択比は約５８となるため、 ２５０ｎｍ×１／５８＝４．３ｎｍ …(2) となり、上記(1),(2) 式より完全なエッチングの停止の
ためにエッチングストッパ層には、少なくとも４．３ｎ
ｍの層厚が必要となるものであり、誤差等を考慮すると
約５ｎｍの層厚があればエッチングストッパ層としての
機能を満たすことがわかる。
た５０℃のエッチング溶液を用いてエッチングを行うも
のとすると、図６に示したように上記エッチング溶液に
対して、ＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰとのエッチング選
択比は約５８となるため、 ２５０ｎｍ×１／５８＝４．３ｎｍ …(2) となり、上記(1),(2) 式より完全なエッチングの停止の
ためにエッチングストッパ層には、少なくとも４．３ｎ
ｍの層厚が必要となるものであり、誤差等を考慮すると
約５ｎｍの層厚があればエッチングストッパ層としての
機能を満たすことがわかる。
【００４２】次に、エッチングストッパ層に用いるＧａ
ＩｎＰの組成比を決めるため、図７(a) に示したよう
に、ＧａＡｓ基板の上方、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5Ｐバリア層３ｄ，３ｅの間に井戸幅１５ｎｍのＧ
ａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂを、そのＧａ組成（ｘ）を
順次変えて形成し、４．２Ｋで測定したＰＬ発光の波長
を基に上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂのバンドギャ
ップエネルギの変化を調べ、図７(b) に示したようにグ
ラフ化した。これにより、Ｇａ組成（ｘ）を大きくする
ほどバンドギャップエネルギが大きくなり、ＰＬ発光波
長が短波長化していることがわかる。しかし、上記Ｇａ
x Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂのＧａ組成（ｘ）を０．５よ
り大きくすると、当然のこととしてＧａＡｓ基板と格子
整合していたＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりも格子定数が小さ
くなり、該Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂには引っ張り
方向の応力が加わることとなるため、上記Ｇａ組成
（ｘ）をあまりに大きくし過ぎると、臨界応力を越えて
転位が導入されてしまうこととなる。
ＩｎＰの組成比を決めるため、図７(a) に示したよう
に、ＧａＡｓ基板の上方、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5Ｐバリア層３ｄ，３ｅの間に井戸幅１５ｎｍのＧ
ａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂを、そのＧａ組成（ｘ）を
順次変えて形成し、４．２Ｋで測定したＰＬ発光の波長
を基に上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂのバンドギャ
ップエネルギの変化を調べ、図７(b) に示したようにグ
ラフ化した。これにより、Ｇａ組成（ｘ）を大きくする
ほどバンドギャップエネルギが大きくなり、ＰＬ発光波
長が短波長化していることがわかる。しかし、上記Ｇａ
x Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂのＧａ組成（ｘ）を０．５よ
り大きくすると、当然のこととしてＧａＡｓ基板と格子
整合していたＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりも格子定数が小さ
くなり、該Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂには引っ張り
方向の応力が加わることとなるため、上記Ｇａ組成
（ｘ）をあまりに大きくし過ぎると、臨界応力を越えて
転位が導入されてしまうこととなる。
【００４３】ところで、上述の転位の存在を確認するた
めの方法として、従来はＴＥＭ（transmission electro
n microscopy，透過電子顕微鏡像）等の手法に頼ってい
たが、このような方法においては、測定するための労力
が大きく、かつ観測できる領域が極めて狭く、信頼性が
低い。
めの方法として、従来はＴＥＭ（transmission electro
n microscopy，透過電子顕微鏡像）等の手法に頼ってい
たが、このような方法においては、測定するための労力
が大きく、かつ観測できる領域が極めて狭く、信頼性が
低い。
【００４４】そこで、本実施例１では、１９９２年秋期
応用物理学会学術講演会講演予稿集１７Ｐ−ＺＥ−９に
示した量子井戸のキャリアライフタイムを評価すること
により臨界膜厚を測定する方法を用い、図８(a) に示し
たように、数種類のＧａ組成（ｘ）のＧａx Ｉｎ1-x Ｐ
井戸層１０ｃを、その層厚を順次変えて（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｄ，３ｅ間に形成し、
それぞれの場合のキャリアライフタイムを評価して転位
の存在の確認を行った。
応用物理学会学術講演会講演予稿集１７Ｐ−ＺＥ−９に
示した量子井戸のキャリアライフタイムを評価すること
により臨界膜厚を測定する方法を用い、図８(a) に示し
たように、数種類のＧａ組成（ｘ）のＧａx Ｉｎ1-x Ｐ
井戸層１０ｃを、その層厚を順次変えて（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｄ，３ｅ間に形成し、
それぞれの場合のキャリアライフタイムを評価して転位
の存在の確認を行った。
【００４５】そして、上記キャリアライフタイムの評価
を行った結果のうち、無歪（ＧａＡｓ基板に格子整合し
ている）のＧａ組成（ｘ）＝０．５のＧａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ井戸層１０ｃ1 と、引っ張り歪＝０．５％に相当する
Ｇａ組成（ｘ）＝０．５７のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層
１０ｃ2 とを、それぞれ層厚（井戸幅ｄ）を変えて各々
キャリアライフタイムを評価した結果を図８(b) に示
す。この図８(b) から、上記無歪のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
井戸層１０ｃ1 の場合、井戸幅ｄの逆数（１／ｄ）とキ
ャリアライフタイムτの逆数（１／τ）との関係が破線
ｍで示したようにリニアになり、転位が導入されていな
いことがわかる。これに対して、上記引っ張り歪＝０．
５％を有するＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ｃ2 の場
合、上記の関係は実線ｎで示したようになっており、井
戸幅ｄが大きくなって１５ｎｍを超えると、キャリアラ
イフタイムτの劣化がやや見られ、上記井戸幅ｄがさら
に大きくなり３０ｎｍを超えると、急激にキャリアライ
フタイムτが劣化しており、このことから結晶中に転位
が導入されていることがわかる。このことは逆に、Ｇａ
組成（ｘ）を０．５７にして引っ張り歪みを０．５％導
入した上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ｃ2 は、その
層厚が５ｎｍであればキャリアライフタイムτの劣化が
無く、転位が導入されないことを意味するものでもあ
る。
を行った結果のうち、無歪（ＧａＡｓ基板に格子整合し
ている）のＧａ組成（ｘ）＝０．５のＧａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ井戸層１０ｃ1 と、引っ張り歪＝０．５％に相当する
Ｇａ組成（ｘ）＝０．５７のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層
１０ｃ2 とを、それぞれ層厚（井戸幅ｄ）を変えて各々
キャリアライフタイムを評価した結果を図８(b) に示
す。この図８(b) から、上記無歪のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
井戸層１０ｃ1 の場合、井戸幅ｄの逆数（１／ｄ）とキ
ャリアライフタイムτの逆数（１／τ）との関係が破線
ｍで示したようにリニアになり、転位が導入されていな
いことがわかる。これに対して、上記引っ張り歪＝０．
５％を有するＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ｃ2 の場
合、上記の関係は実線ｎで示したようになっており、井
戸幅ｄが大きくなって１５ｎｍを超えると、キャリアラ
イフタイムτの劣化がやや見られ、上記井戸幅ｄがさら
に大きくなり３０ｎｍを超えると、急激にキャリアライ
フタイムτが劣化しており、このことから結晶中に転位
が導入されていることがわかる。このことは逆に、Ｇａ
組成（ｘ）を０．５７にして引っ張り歪みを０．５％導
入した上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ｃ2 は、その
層厚が５ｎｍであればキャリアライフタイムτの劣化が
無く、転位が導入されないことを意味するものでもあ
る。
【００４６】さらに、図９(a) に示したように、層厚５
ｎｍのＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂ1 を、そのＧａ組
成（ｘ）を順次変えて、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5Ｐバリア層３ｄ，３ｅ間に形成し、室温でのＰＬ発
光波長を評価した。その結果、ＰＬ発光波長は図９(b)
の実線ｐで示したようになり、引っ張り歪みが０．５％
導入されるが上述のように転位が発生しないＧａ組成
（ｘ）＝０．５７のＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂ1 の
ＰＬ発光波長は、約６１５ｎｍとなった。このＰＬ発光
波長は、本来の発振波長に比べて５〜１０ｎｍ短くなる
ものであるが、発振波長６３３ｎｍの可視光レーザダイ
オードのＰＬ発光波長よりも短波長側に位置しているこ
とがわかる。
ｎｍのＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂ1 を、そのＧａ組
成（ｘ）を順次変えて、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5Ｐバリア層３ｄ，３ｅ間に形成し、室温でのＰＬ発
光波長を評価した。その結果、ＰＬ発光波長は図９(b)
の実線ｐで示したようになり、引っ張り歪みが０．５％
導入されるが上述のように転位が発生しないＧａ組成
（ｘ）＝０．５７のＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層１０ｂ1 の
ＰＬ発光波長は、約６１５ｎｍとなった。このＰＬ発光
波長は、本来の発振波長に比べて５〜１０ｎｍ短くなる
ものであるが、発振波長６３３ｎｍの可視光レーザダイ
オードのＰＬ発光波長よりも短波長側に位置しているこ
とがわかる。
【００４７】以上のことから、上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
エッチングストッパ層１０は、５ｎｍの層厚で、上記第
１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層３ａ，３ｂの間に形成されて、上記ｕｎ−Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６が有するバンドギャップエネルギを
超えるエネルギ量子準位の量子井戸を形成するものとな
り、エッチングを完全に停止し、かつ上記ｕｎ−Ｇａ0.
5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍの光を
吸収しないものとなる。
エッチングストッパ層１０は、５ｎｍの層厚で、上記第
１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層３ａ，３ｂの間に形成されて、上記ｕｎ−Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６が有するバンドギャップエネルギを
超えるエネルギ量子準位の量子井戸を形成するものとな
り、エッチングを完全に停止し、かつ上記ｕｎ−Ｇａ0.
5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍの光を
吸収しないものとなる。
【００４８】なお、図９(b) から判るように、ＧａＩｎ
Ｐエッチングストッパ層１０の層厚が５ｎｍであれば、
そのＧａ組成を０．５３にしてもＰＬ発光波長は約６２
３ｎｍとなり、上記発振波長６３３ｎｍの光を吸収しな
いものであり、また、エッチング選択比がさらに高くな
るエッチング溶液を用いて、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを行
うのであれば、ＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０の
層厚を５ｎｍ以下にしても良く、参考までに２つの（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層間にＧａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層を形成して量子井戸幅−格子歪み−発
振波長の関係を調べた結果を示した図１０から判るよう
に、その層厚を薄くしたＧａＩｎＰエッチングストッパ
層１０が形成する量子井戸のエネルギ量子準位はさらに
大きいものとなり、可視光レーザダイオードの発振波長
が６３３ｎｍ以下になっても対応できるものとなる。
Ｐエッチングストッパ層１０の層厚が５ｎｍであれば、
そのＧａ組成を０．５３にしてもＰＬ発光波長は約６２
３ｎｍとなり、上記発振波長６３３ｎｍの光を吸収しな
いものであり、また、エッチング選択比がさらに高くな
るエッチング溶液を用いて、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂのエッチングを行
うのであれば、ＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０の
層厚を５ｎｍ以下にしても良く、参考までに２つの（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層間にＧａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層を形成して量子井戸幅−格子歪み−発
振波長の関係を調べた結果を示した図１０から判るよう
に、その層厚を薄くしたＧａＩｎＰエッチングストッパ
層１０が形成する量子井戸のエネルギ量子準位はさらに
大きいものとなり、可視光レーザダイオードの発振波長
が６３３ｎｍ以下になっても対応できるものとなる。
【００４９】ところで従来、特開平４−２５１９２号公
報には、ＧａＡｓ基板の上方に、該ＧａＡｓ基板と格子
整合したＧａＩｎＰ活性層，ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層，ＧａＩｎＰエッチングストッパ層，ＧａＡｓ光吸収
層を順次形成してなる層構造を有する半導体レーザ素
子，及びその製造方法において、上記ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層のバンドギャップエネルギを上記ＧａＩ
ｎＰ活性層のバンドギャップエネルギよりも大きくする
ことが示されている。しかるに、上記ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層は、その層厚を制御してバンドギャップ
エネルギを大きくしようとするものであり、本実施例１
による可視光レーザダイオードが備えた上記Ｇａ0.57Ｉ
ｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０のように、Ｇａ組成
を大きくしてバンドギャップエネルギを大きくするもの
ではない。また、上記(1) ，(2) 式を用いて説明したよ
うに、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に導入したエッチング
ストッパ層では、その層厚の下限が決まっており、バン
ドギャップエネルギを大きくするためにエッチングスト
ッパ層の層厚を下限以下にするとエッチング制御性が失
われてしまうものである。
報には、ＧａＡｓ基板の上方に、該ＧａＡｓ基板と格子
整合したＧａＩｎＰ活性層，ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層，ＧａＩｎＰエッチングストッパ層，ＧａＡｓ光吸収
層を順次形成してなる層構造を有する半導体レーザ素
子，及びその製造方法において、上記ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層のバンドギャップエネルギを上記ＧａＩ
ｎＰ活性層のバンドギャップエネルギよりも大きくする
ことが示されている。しかるに、上記ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層は、その層厚を制御してバンドギャップ
エネルギを大きくしようとするものであり、本実施例１
による可視光レーザダイオードが備えた上記Ｇａ0.57Ｉ
ｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０のように、Ｇａ組成
を大きくしてバンドギャップエネルギを大きくするもの
ではない。また、上記(1) ，(2) 式を用いて説明したよ
うに、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に導入したエッチング
ストッパ層では、その層厚の下限が決まっており、バン
ドギャップエネルギを大きくするためにエッチングスト
ッパ層の層厚を下限以下にするとエッチング制御性が失
われてしまうものである。
【００５０】このように、本実施例１による可視光レー
ザダイオードの製造方法においては、バルクでのバンド
ギャップが２．００ｅＶの薄膜結晶を用いた層厚５ｎｍ
のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を、バ
ルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶの薄膜結晶を用
いた第１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ
クラッド層３ａ，３ｂの間に形成し、上記第２の（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを硫酸系
エッチング溶液により、所定の形状にエッチングするよ
うにしたので、上記第１の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ａに達する直前にエッチングを停
止して、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂを所定の形状にすることができ、この
エッチング工程を含む製造方法により製造した可視光レ
ーザダイオードは、上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチング
ストッパ層１０の一部をＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６の
上方に残したままの層構造を有するものとしても、上記
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍ
の光を上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１
０が吸収することはなく、レーザ発振しきい値が低く、
高出力発振時の電流特性の良い可視光レーザダイオード
とすることができる。
ザダイオードの製造方法においては、バルクでのバンド
ギャップが２．００ｅＶの薄膜結晶を用いた層厚５ｎｍ
のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を、バ
ルクでのバンドギャップが２．３４ｅＶの薄膜結晶を用
いた第１，第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ
クラッド層３ａ，３ｂの間に形成し、上記第２の（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ｂを硫酸系
エッチング溶液により、所定の形状にエッチングするよ
うにしたので、上記第１の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層３ａに達する直前にエッチングを停
止して、上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂを所定の形状にすることができ、この
エッチング工程を含む製造方法により製造した可視光レ
ーザダイオードは、上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチング
ストッパ層１０の一部をＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６の
上方に残したままの層構造を有するものとしても、上記
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６からの発振波長６３３ｎｍ
の光を上記Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１
０が吸収することはなく、レーザ発振しきい値が低く、
高出力発振時の電流特性の良い可視光レーザダイオード
とすることができる。
【００５１】なお、本実施例１では、上述のような層構
造を有する発振波長６３３ｎｍの可視光レーザダイオー
ドについて説明したが、これに限らず、図６〜１１を用
いて詳述したような方法でそのレーザダイオードに対応
したエッチングストッパ層の材料，層厚を決定して形成
するようにすればよく、上記可視光レーザダイオード以
外のレーザダイオードにおいても上記のような効果が得
られることは言うまでもない。
造を有する発振波長６３３ｎｍの可視光レーザダイオー
ドについて説明したが、これに限らず、図６〜１１を用
いて詳述したような方法でそのレーザダイオードに対応
したエッチングストッパ層の材料，層厚を決定して形成
するようにすればよく、上記可視光レーザダイオード以
外のレーザダイオードにおいても上記のような効果が得
られることは言うまでもない。
【００５２】実施例２．この発明の第２の実施例による
可視光レーザダイオード及びその製造方法は、エッチン
グストッパ層を除いて上記実施例１と同じであり、例え
ばＭＯＣＶＤ装置を用いてＧａＡｓ基板１上に各半導体
層を順次形成するものであり、図３(a)は本実施例２に
よる可視光レーザダイオードが備えたエッチングストッ
パ層の層構造を示す一部拡大断面図である。また、図３
(b) は活性層の上方に形成したクラッド層のエッチング
工程に入る前の層構造を示す断面図であり、上記実施例
１における図２(a) に相当するものである。図におい
て、上記実施例１における図２と同一符号は同一又は相
当部分を示し、３１はエッチングストッパ層であり、層
厚２ｎｍのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層３ｂ1 ，層厚１ｎｍのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ2 ，及び各層厚１．７ｎｍ
の３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1 〜１０
ａ3 からなるものである。
可視光レーザダイオード及びその製造方法は、エッチン
グストッパ層を除いて上記実施例１と同じであり、例え
ばＭＯＣＶＤ装置を用いてＧａＡｓ基板１上に各半導体
層を順次形成するものであり、図３(a)は本実施例２に
よる可視光レーザダイオードが備えたエッチングストッ
パ層の層構造を示す一部拡大断面図である。また、図３
(b) は活性層の上方に形成したクラッド層のエッチング
工程に入る前の層構造を示す断面図であり、上記実施例
１における図２(a) に相当するものである。図におい
て、上記実施例１における図２と同一符号は同一又は相
当部分を示し、３１はエッチングストッパ層であり、層
厚２ｎｍのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層３ｂ1 ，層厚１ｎｍのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ2 ，及び各層厚１．７ｎｍ
の３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1 〜１０
ａ3 からなるものである。
【００５３】そして、エッチングストッパ層３１の形成
方法は、図３(a) に示したように、第１のｐ型（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上に、ｐ型
Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1 ，ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ1 ，ｐ型Ｇａ0.57
Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ2 ，ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ2 ，ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43
Ｐ井戸層１０ａ3 を順次形成するものであり、この後、
上記ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ3 上に第２の
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３
ｂを形成する。
方法は、図３(a) に示したように、第１のｐ型（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ上に、ｐ型
Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1 ，ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ1 ，ｐ型Ｇａ0.57
Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ2 ，ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ2 ，ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43
Ｐ井戸層１０ａ3 を順次形成するものであり、この後、
上記ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ3 上に第２の
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３
ｂを形成する。
【００５４】即ち、本実施例２におけるエッチングスト
ッパ層３１は、上記実施例１における層厚５ｎｍのＧａ
0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を３等分した
ものに相当する３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１
０ａ1 〜１０ａ3 により、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂ及
びｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３
ｂ1 ，３ｂ2 を量子障壁とした多重量子井戸を形成して
なるものである。このため、硫酸系エッチング溶液によ
り、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂをメサ形状にエッチングするときに、
エッチングは上記３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層
１０ａ1 〜１０ａ3 のいずれかの層で停止することとな
り、その後、上記エッチングストッパ層３１の一部をｕ
ｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上に残したままの層構
造で該可視光レーザダイオードを完成させてもよく、こ
の場合にも多重量子井戸効果により、上記エッチングス
トッパ層３１は、上記実施例１によるエッチングストッ
パ層１０が有するバンドギャップエネルギ以上のバンド
ギャップエネルギを有するものとなる。
ッパ層３１は、上記実施例１における層厚５ｎｍのＧａ
0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０を３等分した
ものに相当する３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１
０ａ1 〜１０ａ3 により、上記第１，第２のｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａ，３ｂ及
びｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３
ｂ1 ，３ｂ2 を量子障壁とした多重量子井戸を形成して
なるものである。このため、硫酸系エッチング溶液によ
り、上記第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３ｂをメサ形状にエッチングするときに、
エッチングは上記３層のｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層
１０ａ1 〜１０ａ3 のいずれかの層で停止することとな
り、その後、上記エッチングストッパ層３１の一部をｕ
ｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６上に残したままの層構
造で該可視光レーザダイオードを完成させてもよく、こ
の場合にも多重量子井戸効果により、上記エッチングス
トッパ層３１は、上記実施例１によるエッチングストッ
パ層１０が有するバンドギャップエネルギ以上のバンド
ギャップエネルギを有するものとなる。
【００５５】以上のように、本実施例２によれば、上記
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ
1 ，３ｂ2 及びｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1
〜１０ａ3 からなる多重量子井戸構造の上記エッチング
ストッパ層３１を備えるようにしたので、その上層の第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂを所定の形状にするエッチング工程において、高
い制御性をもってエッチングすることができる。従って
レーザ動作時に上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６
からの発振波長６３３ｎｍの光をその上方のエッチング
ストッパ層３１で吸収することがなく、レーザ発振しき
い値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レー
ザダイオードを得ることができる。
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３ｂ
1 ，３ｂ2 及びｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層１０ａ1
〜１０ａ3 からなる多重量子井戸構造の上記エッチング
ストッパ層３１を備えるようにしたので、その上層の第
２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層３ｂを所定の形状にするエッチング工程において、高
い制御性をもってエッチングすることができる。従って
レーザ動作時に上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６
からの発振波長６３３ｎｍの光をその上方のエッチング
ストッパ層３１で吸収することがなく、レーザ発振しき
い値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レー
ザダイオードを得ることができる。
【００５６】実施例３．この発明の第３の実施例による
可視光レーザダイオード，及びその製造方法は、エッチ
ングストッパ層の構造及び形成方法を除き、上記実施例
１と同じであり、図４(a) は、本実施例３による可視光
レーザダイオードが備えたエッチングストッパ層の一部
拡大断面図である。また、図４(b) は活性層の上方に形
成したクラッド層のエッチング工程前の層構造を示した
図であり、上記実施例１における図２(a) に相当するも
のである。図において、上記実施例１における図２と同
一符号は同一又は相当部分を示し、３２はエッチングス
トッパ層であり、総層厚１０ｎｍのｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.
43Ｐ層１１ａ1 〜１１ａ7 と、ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）
0.43Ｉｎ0.57Ｐ（y ≧０．７）３ｃ1 〜３ｃ6 とを交互
に積層してなる多重量子井戸構造を有するものである。
可視光レーザダイオード，及びその製造方法は、エッチ
ングストッパ層の構造及び形成方法を除き、上記実施例
１と同じであり、図４(a) は、本実施例３による可視光
レーザダイオードが備えたエッチングストッパ層の一部
拡大断面図である。また、図４(b) は活性層の上方に形
成したクラッド層のエッチング工程前の層構造を示した
図であり、上記実施例１における図２(a) に相当するも
のである。図において、上記実施例１における図２と同
一符号は同一又は相当部分を示し、３２はエッチングス
トッパ層であり、総層厚１０ｎｍのｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.
43Ｐ層１１ａ1 〜１１ａ7 と、ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）
0.43Ｉｎ0.57Ｐ（y ≧０．７）３ｃ1 〜３ｃ6 とを交互
に積層してなる多重量子井戸構造を有するものである。
【００５７】図４(a) に示したように、エッチングスト
ッパ層３２は、量子井戸となるｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
層１１ａ1 〜１１ａ7 に加わる引っ張り方向の応力（引
っ張り歪量＝０．５％）を、これと同量の圧縮方向の応
力（圧縮歪量＝０．５％）が加わるｐ型（Ａｌy Ｇａ1-
y ）0.43Ｉｎ0.57Ｐ層３ｃ1 〜３ｃ6 により相殺するよ
うにしたゼロネットストレイン構造のものとして、第１
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ａ上に形成されるため、上記ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
層１１ａ1 〜１１ａ7 の各膜厚の総和が臨界膜厚を超え
ても転位が導入されることがないものであり、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂのエッチング工程時に、上記実施例１，２よりエッ
チング制御性が高くなり、かつ形成後のバンドギャップ
エネルギも大きくなる。
ッパ層３２は、量子井戸となるｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
層１１ａ1 〜１１ａ7 に加わる引っ張り方向の応力（引
っ張り歪量＝０．５％）を、これと同量の圧縮方向の応
力（圧縮歪量＝０．５％）が加わるｐ型（Ａｌy Ｇａ1-
y ）0.43Ｉｎ0.57Ｐ層３ｃ1 〜３ｃ6 により相殺するよ
うにしたゼロネットストレイン構造のものとして、第１
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ａ上に形成されるため、上記ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
層１１ａ1 〜１１ａ7 の各膜厚の総和が臨界膜厚を超え
ても転位が導入されることがないものであり、上記第２
のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３ｂのエッチング工程時に、上記実施例１，２よりエッ
チング制御性が高くなり、かつ形成後のバンドギャップ
エネルギも大きくなる。
【００５８】このように、本実施例３によれば、ゼロネ
ットストレイン構造，かつ多重量子井戸構造の上記エッ
チングストッパ層３２を形成するようにしたので、上記
ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ層１１ａ1 〜１１ａ7 の層厚あ
るいは層数を転位を発生させずに増やしてエッチング制
御性を高めることができ、さらに、Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
からなる量子井戸をより多重化することによりバンドギ
ャップエネルギをさらに大きくして、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ活性層６からの発光の吸収を防ぐことができ
る。
ットストレイン構造，かつ多重量子井戸構造の上記エッ
チングストッパ層３２を形成するようにしたので、上記
ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ層１１ａ1 〜１１ａ7 の層厚あ
るいは層数を転位を発生させずに増やしてエッチング制
御性を高めることができ、さらに、Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
からなる量子井戸をより多重化することによりバンドギ
ャップエネルギをさらに大きくして、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ活性層６からの発光の吸収を防ぐことができ
る。
【００５９】なお、上記エッチングストッパ層３２の各
層の引っ張り歪量あるいは圧縮歪量をそれぞれ０．５％
としたが、これに限らず、該エッチングストッパ層は、
これをゼロネットストレイン構造のものとし、上記ｕｎ
−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６のバンドギャップエネル
ギより大きいバンドギャップエネルギを有するものとす
るのであれば、上記エッチングストッパ層を構成するｐ
型ＧａＩｎＰ層及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層の組成につい
てはこれを所要の組成にし、歪み量を変えても良いこと
は言うまでもない。
層の引っ張り歪量あるいは圧縮歪量をそれぞれ０．５％
としたが、これに限らず、該エッチングストッパ層は、
これをゼロネットストレイン構造のものとし、上記ｕｎ
−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６のバンドギャップエネル
ギより大きいバンドギャップエネルギを有するものとす
るのであれば、上記エッチングストッパ層を構成するｐ
型ＧａＩｎＰ層及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層の組成につい
てはこれを所要の組成にし、歪み量を変えても良いこと
は言うまでもない。
【００６０】実施例４．図５は、この発明の第４の実施
例による可視光レーザダイオードにおけるクラッド層の
エッチング工程前の層構造を示す図であり、上記実施例
１の図２(a) に相当するものである。図において、上記
実施例１における図２と同一符号は同一又は相当部分を
示し、８はストレス調整層であり、その上方に形成する
Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０が有する
格子歪みによる応力を、その下方に形成されているｕｎ
−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６に与えることができるよ
うな層厚で形成したものである。
例による可視光レーザダイオードにおけるクラッド層の
エッチング工程前の層構造を示す図であり、上記実施例
１の図２(a) に相当するものである。図において、上記
実施例１における図２と同一符号は同一又は相当部分を
示し、８はストレス調整層であり、その上方に形成する
Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッパ層１０が有する
格子歪みによる応力を、その下方に形成されているｕｎ
−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６に与えることができるよ
うな層厚で形成したものである。
【００６１】上記実施例１では、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐ活性層６上に層厚２５０ｎｍで第１のｐ型（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを形成して
いたが、本実施例４は、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを層厚２４９ｎｍ
で形成し、これをストレス調整層８とした。これにより
該ストレス調整層８上に形成する、ＧａＡｓ基板１より
格子定数が小さいＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッ
パ層１０を、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６に
圧縮方向の応力を与えるストレッサとして用いることが
でき、これにより上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
６のバンドギャップを広くしてその発振波長を６３３ｎ
ｍ以下にすることができる。
5 Ｐ活性層６上に層厚２５０ｎｍで第１のｐ型（Ａｌ0.
7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを形成して
いたが、本実施例４は、上記第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３ａを層厚２４９ｎｍ
で形成し、これをストレス調整層８とした。これにより
該ストレス調整層８上に形成する、ＧａＡｓ基板１より
格子定数が小さいＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングストッ
パ層１０を、上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層６に
圧縮方向の応力を与えるストレッサとして用いることが
でき、これにより上記ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
６のバンドギャップを広くしてその発振波長を６３３ｎ
ｍ以下にすることができる。
【００６２】このように本実施例４によれば、上記実施
例１による効果に加えて、可視光レーザダイオードの発
振波長を短波長化することができる効果がある。なお、
エッチングストッパ層を、発振波長を短波長化するスト
レス印加手段として用いるためには、該エッチングスト
ッパ層が引っ張り歪みを有するものであれば良く、上記
実施例２におけるエッチングストッパ層３１を用いても
良いことは言うまでもない。
例１による効果に加えて、可視光レーザダイオードの発
振波長を短波長化することができる効果がある。なお、
エッチングストッパ層を、発振波長を短波長化するスト
レス印加手段として用いるためには、該エッチングスト
ッパ層が引っ張り歪みを有するものであれば良く、上記
実施例２におけるエッチングストッパ層３１を用いても
良いことは言うまでもない。
【００６３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る可視光レ
ーザダイオード，及びその製造方法によれば、所定のエ
ッチング溶液によるエッチングレートが該クラッド層に
用いる材料のエッチングレートに比べ十分に小さい値と
なり、かつバルクでのバンドギャップが上記活性層のバ
ンドギャップより大きいバンドギャップを有する材料を
用いて、上記クラッド層中の所定位置に、該エッチング
ストッパ層上又は該層中の所定位置でエッチングを停止
させ、かつ該可視光レーザダイオードの発振波長に相当
するバンドギャップを超えるエネルギ量子準位を形成す
るような層厚の層を含むエッチングストッパ層を備えた
ので、上記クラッド層を上記エッチングストッパ層に対
し選択的に制御性よくエッチングして所定の形状にする
ことができ、このエッチング工程後、上記エッチングス
トッパ層の一部を上記クラッド層中に残したままの層構
造を該レーザが有するものとして完成させても、レーザ
動作時に、上記活性層からの発光を上記エッチングスト
ッパ層が吸収することを防ぐことができ、レーザ発振し
きい値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レ
ーザダイオードを得ることができる。
ーザダイオード，及びその製造方法によれば、所定のエ
ッチング溶液によるエッチングレートが該クラッド層に
用いる材料のエッチングレートに比べ十分に小さい値と
なり、かつバルクでのバンドギャップが上記活性層のバ
ンドギャップより大きいバンドギャップを有する材料を
用いて、上記クラッド層中の所定位置に、該エッチング
ストッパ層上又は該層中の所定位置でエッチングを停止
させ、かつ該可視光レーザダイオードの発振波長に相当
するバンドギャップを超えるエネルギ量子準位を形成す
るような層厚の層を含むエッチングストッパ層を備えた
ので、上記クラッド層を上記エッチングストッパ層に対
し選択的に制御性よくエッチングして所定の形状にする
ことができ、このエッチング工程後、上記エッチングス
トッパ層の一部を上記クラッド層中に残したままの層構
造を該レーザが有するものとして完成させても、レーザ
動作時に、上記活性層からの発光を上記エッチングスト
ッパ層が吸収することを防ぐことができ、レーザ発振し
きい値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レ
ーザダイオードを得ることができる。
【００６４】また、この発明によれば、上記可視光レー
ザダイオードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶成
長させたものであり、上記活性層はＧａＩｎＰを用いた
多重量子井戸構造を有し、上記クラッド層はＡｌＧａＩ
ｎＰを用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッパ
層を、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数
より小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用い
た量子井戸構造のものとしたので、上記エッチングスト
ッパ層により、上記クラッド層のエッチング工程におい
て該クラッド層を制御性良く所定の形状にすることがで
き、このエッチング工程後に残った上記エッチングスト
ッパ層は、上記クラッド層中に、引っ張り歪みを有し上
記活性層が有するバンドギャップより大きいバンドギャ
ップとなる量子井戸を形成することとなり、上記活性層
からの発光を上記エッチングストッパ層が吸収すること
を防止でき、レーザ発振しきい値が低く、高出力発振時
の電流特性の良い可視光レーザダイオードを得ることが
できる。
ザダイオードは、ＧａＡｓ基板上に各半導体層を結晶成
長させたものであり、上記活性層はＧａＩｎＰを用いた
多重量子井戸構造を有し、上記クラッド層はＡｌＧａＩ
ｎＰを用いた薄膜結晶であり、上記エッチングストッパ
層を、Ｇａ組成が大きく、上記ＧａＡｓ基板の格子定数
より小さい格子定数を有するＧａＩｎＰ薄膜結晶を用い
た量子井戸構造のものとしたので、上記エッチングスト
ッパ層により、上記クラッド層のエッチング工程におい
て該クラッド層を制御性良く所定の形状にすることがで
き、このエッチング工程後に残った上記エッチングスト
ッパ層は、上記クラッド層中に、引っ張り歪みを有し上
記活性層が有するバンドギャップより大きいバンドギャ
ップとなる量子井戸を形成することとなり、上記活性層
からの発光を上記エッチングストッパ層が吸収すること
を防止でき、レーザ発振しきい値が低く、高出力発振時
の電流特性の良い可視光レーザダイオードを得ることが
できる。
【００６５】さらに、この発明によれば、上記クラッド
層中に設けるエッチングストッパ層を、該エッチングス
トッパ層と上記活性層とが格子不整合することにより生
じる格子歪みを上記活性層に与え得る位置に設けたの
で、上記エッチングストッパ層を、その引っ張り歪みに
より上記活性層に圧縮方向の応力を加え、該活性層のバ
ンドギャップを広げるストレッサとすることができ、上
記活性層の発振波長を短波長化することができる。
層中に設けるエッチングストッパ層を、該エッチングス
トッパ層と上記活性層とが格子不整合することにより生
じる格子歪みを上記活性層に与え得る位置に設けたの
で、上記エッチングストッパ層を、その引っ張り歪みに
より上記活性層に圧縮方向の応力を加え、該活性層のバ
ンドギャップを広げるストレッサとすることができ、上
記活性層の発振波長を短波長化することができる。
【００６６】またさらに、この発明によれば、活性層に
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザ
ダイオードのエッチングストッパ層を、Ｇａx Ｉｎ1-x
Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy
Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦
ｘ≦０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置し、上記Ｇａ
x Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層に加わる引っ張り方向の応力
を、上記（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ薄膜結晶層に
加わる圧縮方向の応力により相殺するように積層してな
る多重量子井戸構造を有するものとしたので、上記エッ
チングストッパ層はゼロネットストレイン構造となり、
上記２つの薄膜結晶層を臨界膜厚以上に積層することが
でき、エッチングストッパ層の層厚を厚くしてエッチン
グ制御性を高め、かつ量子井戸の数を増やしてバンドギ
ャップをさらに大きくすることができ、レーザ発振しき
い値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レー
ザダイオードを得ることができる。
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザ
ダイオードのエッチングストッパ層を、Ｇａx Ｉｎ1-x
Ｐ（０．５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy
Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦
ｘ≦０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置し、上記Ｇａ
x Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層に加わる引っ張り方向の応力
を、上記（Ａｌy Ｇａ1-y ）1-x Ｉｎx Ｐ薄膜結晶層に
加わる圧縮方向の応力により相殺するように積層してな
る多重量子井戸構造を有するものとしたので、上記エッ
チングストッパ層はゼロネットストレイン構造となり、
上記２つの薄膜結晶層を臨界膜厚以上に積層することが
でき、エッチングストッパ層の層厚を厚くしてエッチン
グ制御性を高め、かつ量子井戸の数を増やしてバンドギ
ャップをさらに大きくすることができ、レーザ発振しき
い値が低く、高出力発振時の電流特性の良い可視光レー
ザダイオードを得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施例による可視光レーザダ
イオードの断面図、及びエッチングストッパ層のエネル
ギバンド構造図。
イオードの断面図、及びエッチングストッパ層のエネル
ギバンド構造図。
【図２】この発明の第１の実施例による可視光レーザダ
イオードの製造方法を説明するための図。
イオードの製造方法を説明するための図。
【図３】この発明の第２の実施例による可視光レーザダ
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
【図４】この発明の第３の実施例による可視光レーザダ
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
【図５】この発明の第４の実施例による可視光レーザダ
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
イオードの製造方法におけるエッチング工程前の層構造
を示す断面図。
【図６】硫酸系エッチング溶液によるＡｌＧａＩｎＰ
と、ＧａＩｎＰとのエッチングレートの違いを示すグラ
フを示す図。
と、ＧａＩｎＰとのエッチングレートの違いを示すグラ
フを示す図。
【図７】（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる
バリア層間に形成したＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層のＧａ組
成の変化とバンドギャップエネルギの関係を示す図。
バリア層間に形成したＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層のＧａ組
成の変化とバンドギャップエネルギの関係を示す図。
【図８】無歪のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ，引っ張り歪＝０．
５％のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐの各井戸幅の変化とキャリア
ライフタイムの関係を示す図。
５％のＧａ0.57Ｉｎ0.43Ｐの各井戸幅の変化とキャリア
ライフタイムの関係を示す図。
【図９】層厚５ｎｍのＧａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層のＧａ組
成，格子歪み，ＰＬ発光波長の関係を示す図。
成，格子歪み，ＰＬ発光波長の関係を示す図。
【図１０】ＧａＩｎＰ井戸層の井戸幅，格子歪み，発振
波長の関係を示す図。
波長の関係を示す図。
【図１１】従来の可視光レーザダイオードの断面図。
【図１２】従来の可視光レーザダイオードの製造方法を
説明するための図。
説明するための図。
【図１３】（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア
層間に形成したＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐ井戸層の井戸幅の変
化と、バンドギャップエネルギ（該井戸層のＰＬ発光波
長を変換したもの）との関係を示す図。
層間に形成したＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐ井戸層の井戸幅の変
化と、バンドギャップエネルギ（該井戸層のＰＬ発光波
長を変換したもの）との関係を示す図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ａ 第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ｂ 第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ｂ1,３ｂ2 ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐバリア層 ３ｄ，３ｅ （Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐバリア層 ３ｃ1 〜３ｃ6 ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.43Ｉｎ
0.57Ｐ層 ４ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ６ ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ８ ストレス調整層 ９ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングス
トッパ層 ９ｂ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層 １０ Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングス
トッパ層 １０ａ1 〜１０ａ3 ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層 １０ｂ Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（１５ｎ
ｍ） １０ｂ1 Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（５ｎ
ｍ） １０ｃ Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（厚さ可
変） １０ｃ1 Ｇａ0.5 ｎ0.5 Ｐ井戸層（無歪
み） １０ｃ2 Ｇａ0.57ｎ0.43Ｐ井戸層（引っ張
り歪み＝０．５％） １１ａ1 〜１１ａ3 ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ層 １２ ＳｉＮ膜（マスク） １３ ｎ側電極 １４ ｐ側電極 ３１，３２ エッチングストッパ層
ｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ａ 第１のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ｂ 第２のｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ３ｂ1,３ｂ2 ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐバリア層 ３ｄ，３ｅ （Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.
5 Ｐバリア層 ３ｃ1 〜３ｃ6 ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.43Ｉｎ
0.57Ｐ層 ４ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ６ ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ８ ストレス調整層 ９ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングス
トッパ層 ９ｂ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層 １０ Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐエッチングス
トッパ層 １０ａ1 〜１０ａ3 ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ井戸層 １０ｂ Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（１５ｎ
ｍ） １０ｂ1 Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（５ｎ
ｍ） １０ｃ Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ井戸層（厚さ可
変） １０ｃ1 Ｇａ0.5 ｎ0.5 Ｐ井戸層（無歪
み） １０ｃ2 Ｇａ0.57ｎ0.43Ｐ井戸層（引っ張
り歪み＝０．５％） １１ａ1 〜１１ａ3 ｐ型Ｇａ0.57Ｉｎ0.43Ｐ層 １２ ＳｉＮ膜（マスク） １３ ｎ側電極 １４ ｐ側電極 ３１，３２ エッチングストッパ層
Claims (16)
- 【請求項１】 活性層上に形成されたクラッド層を所定
の形状にエッチングにより形成するためのエッチングス
トッパ層を、上記クラッド層中の所定位置に有する可視
光レーザダイオードにおいて、 所定のエッチング溶液によるエッチングレートが上記ク
ラッド層に用いる材料のエッチングレートに比べて十分
に小さい値となり、かつバルクでのバンドギャップが上
記活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを
有する材料からなり、該エッチングストッパ層上又は該
層中の所定位置で上記エッチングを停止させ、かつ該可
視光レーザダイオードの発振波長に相当するバンドギャ
ップを超えるエネルギ量子準位を形成するような層厚を
有する層を含むエッチングストッパ層を備えたことを特
徴とする可視光レーザダイオード。 - 【請求項２】 請求項１記載の可視光レーザダイオード
において、 上記エッチングストッパ層は、硫酸系エッチング溶液を
用いてエッチングを行うとき、そのエッチングレートが
上記クラッド層のエッチングレートの５０分の１以下と
なる材料からなることを特徴とする可視光レーザダイオ
ード。 - 【請求項３】 請求項２記載の可視光レーザダイオード
において、 上記可視光レーザダイオードは、ＧａＡｓ基板上に各半
導体層を結晶成長させたものであり、 上記活性層は、ＧａＩｎＰを用いた多重量子井戸構造を
有し、 上記クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰを用いた薄膜結晶で
あり、 上記エッチングストッパ層は、Ｇａ組成が大きく、上記
ＧａＡｓ基板の格子定数より小さい格子定数を有するＧ
ａＩｎＰ薄膜結晶を用いた量子井戸構造のものであるこ
とを特徴とする可視光レーザダイオード。 - 【請求項４】 請求項３記載の可視光レーザダイオード
において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記クラッド層は、バルクでのバンドギャップが２．３
４ｅＶのＡｌＧａＩｎＰの薄膜結晶層であり、 上記エッチングストッパ層は、バルクでのバンドギャッ
プが２．００ｅＶのＧａＩｎＰ薄膜結晶層であり、上記
クラッド層の所定位置に配置され、井戸幅約５ｎｍの単
一量子井戸を形成してなるものであることを特徴とする
可視光レーザダイオード。 - 【請求項５】 請求項３記載の可視光レーザダイオード
において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記クラッド層は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐの薄膜結晶層であり、 上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に配置し、上記
Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が約５ｎｍと
なるように積層してなる多重量子井戸構造を有するもの
であることを特徴とする可視光レーザダイオード。 - 【請求項６】 請求項３ないし５のいずれかに記載の可
視光レーザダイオードにおいて、 上記エッチングストッパ層を、該エッチングストッパ層
と上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合することにより生じ
る格子歪みの応力を上記活性層に与え得る位置に配置し
たことを特徴とする可視光レーザダイオード。 - 【請求項７】 請求項３記載の可視光レーザダイオード
において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y
）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して積層してなる
多重量子井戸構造を有することを特徴とする可視光レー
ザダイオード。 - 【請求項８】 請求項７記載の可視光レーザダイオード
において、 上記エッチングストッパ層は、上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄
膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以上となるように積層し
たものであることを特徴とする可視光レーザダイオー
ド。 - 【請求項９】 活性層上に形成されたクラッド層を所定
の形状にする工程を含む可視光レーザダイオードの製造
方法において、 所定のエッチング溶液によるエッチングレートが該クラ
ッド層に用いる材料のエッチングレートに比べ十分に小
さい値となり、かつバルクでのバンドギャップが上記活
性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有す
る材料を用いて、上記クラッド層中の所定位置に、該エ
ッチングストッパ層上又は該層中の所定位置でエッチン
グを停止させ、かつ該可視光レーザダイオードの発振波
長に相当するバンドギャップを超えるエネルギ量子準位
となるような層厚のエッチングストッパ層を形成する工
程を含むことを特徴とする可視光レーザダイオードの製
造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の可視光レーザダイオー
ドの製造方法において、 ＧａＡｓ基板の上方に、ＧａＩｎＰを用いた多重量子井
戸構造の活性層を形成する工程と、 上記活性層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて第１のクラッド
層を形成する工程と、 上記第１のクラッド層上にＧａ組成が大きく、上記Ｇａ
Ａｓ基板の格子定数より小さい格子定数を有するＧａＩ
ｎＰを用いて量子井戸構造のエッチングストッパ層を形
成する工程と、 上記エッチングストッパ層上にＡｌＧａＩｎＰを用いて
第２のクラッド層を形成する工程と、 上記第２のクラッド層の一部をエッチング除去し、所定
形状に形成する工程とを含むことを特徴とする可視光レ
ーザダイオードの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の可視光レーザダイオ
ードの製造方法において、 上記第２のクラッド層の一部をエッチング除去し、所定
形状に形成する工程は、硫酸系エッチング溶液を用いて
行い、そのときの上記第２のクラッド層と、上記エッチ
ングストッパ層とのエッチングレートの比は約５０対１
となるものであることを特徴とする可視光レーザダイオ
ードの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の可視光レーザダイオ
ードの製造方法において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記第１，第２のクラッド層は、バルクでのバンドギャ
ップが２．３４ｅＶのＡｌＧａＩｎＰを用いて形成し、 上記エッチングストッパ層は、バルクでのバンドギャッ
プが２．００ｅＶのＧａＩｎＰを用いて、約５ｎｍの層
厚で形成するものであり、 上記第２のＡｌＧａＩｎＰクラッド層の一部を、硫酸系
エッチング溶液によりエッチング除去することを特徴と
する可視光レーザダイオードの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の可視光レーザダイオ
ードの製造方法において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記第１，第２のクラッド層は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いて形成し、 上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.
3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ薄膜結晶層とを交互に、上記Ｇａx
Ｉｎ1-x Ｐ薄膜結晶層の層厚の総和が約５ｎｍとなるよ
うに形成するものであり、 上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層の一部を、硫酸系エッチング溶液によりエッチング
除去することを特徴とする可視光レーザダイオードの製
造方法。 - 【請求項１４】 請求項１１ないし１３のいずれかに記
載の可視光レーザダイオードの製造方法において、 上記第１のクラッド層を、上記エッチングストッパ層と
上記ＧａＡｓ基板とが格子不整合することにより生じる
格子歪みの応力を上記活性層に与え得る層厚で形成する
ことを特徴とする可視光レーザダイオードの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１１記載の可視光レーザダイオ
ードの製造方法において、 上記可視光レーザダイオードは、活性層にＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを用いた６３３ｎｍ帯可視光レーザダイオードで
あり、 上記第１，第２のクラッド層は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐを用いて形成し、 上記エッチングストッパ層は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ（０．
５３≦ｘ≦０．５７）薄膜結晶層と、（Ａｌy Ｇａ1-y
）1-x Ｉｎx Ｐ（０．７≦y ≦１，０．５３≦ｘ≦
０．５７）薄膜結晶層とを交互に配置して形成するもの
であり、 上記第２の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層の一部を、硫酸系エッチング溶液によりエッチング
除去することを特徴とする可視光レーザダイオードの製
造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の可視光レーザダイオ
ードの製造方法において、 上記エッチングストッパ層を、上記Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ薄
膜結晶層の層厚の総和が５ｎｍ以上となるように形成す
ることを特徴とする可視光レーザダイオードの製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310947A JPH07162089A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310947A JPH07162089A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
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Family
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|---|---|---|---|
| JP5310947A Pending JPH07162089A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
Country Status (3)
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| DE69120865T2 (de) * | 1990-05-09 | 1997-01-23 | Sharp K.K., Osaka | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
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- 1994-12-13 DE DE4444313A patent/DE4444313A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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