JP2011507262A - 結合界面を有する発光デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- n型領域とp型領域との間に配列されているAlGaInP発光層を含む第1の半導体構造と、
第2の半導体構造と、
上記第1及び第2の半導体構造の間に配置された界面に形成されている結合と、
を備え、
上記結合は、上記第1の半導体構造を上記第2の半導体構造に接続し、
上記界面に接する半導体層は少なくとも2×1018cm-3の濃度までドープされている、
ことを特徴とするデバイス。 - 上記界面に接する半導体層は、少なくとも5×1018cm-3の濃度までドープされ且つ3,000オングストロームより大きい厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する半導体層は、5,000乃至10,000オングストローム厚であり且つ少なくとも5×1018cm-3の濃度までTeでドープされているInGaP層であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する上記半導体層は、上記界面に接している第1の半導体層であり、
上記界面に接する第2の半導体層は、250オングストロームより小さい厚みであり且つTeでドープされているInGaPである、
ことを特徴とする請求項3に記載のデバイス。 - 上記界面に接する上記半導体層は、15nmより大きいピーク−谷粗さを有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する上記半導体層は、GaAsのバルク格子定数とは異なるバルク格子定数を有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- GaAsのバルク格子定数とは異なる上記バルク格子定数を有する上記界面に接する上記半導体層は、InGaP及びAlGaInPの一方であることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。
- 上記界面に接する上記半導体層は、勾配付けされた組成を有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する半導体層のバンドギャップは、上記発光層のバンドギャップより大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する半導体層のバンドギャップは、上記発光層のバンドギャップ+0.025eVより大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記第2の半導体構造は、少なくとも10μm厚の透明GaP層を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する半導体層は、上記p型領域及び上記n型領域の少なくとも一方より重度にドープされていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 上記界面に接する上記半導体層は、上記界面に接している第1の半導体層であり、
上記界面に接する上記第1の半導体層は、500オングストロームより小さい厚みを有し且つ2×1018cm-3より大きい濃度までTeでドープされているAlGaInPであり、
上記界面に接する第2の半導体層は、8%乃至16%のInP組成と2,000乃至20,000オングストロームの厚みとを有し且つ8×1018cm-3の濃度までTeでドープされているInGaPである、
ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。 - GaAs基板上に第1の半導体構造を成長させるステップ、
を含み、
上記第1の半導体構造は、
150オングストロームより小さい厚みを有するエッチング停止層と、
n型領域とp型領域との間に配置されているAlGaInP発光層と、
を含み、
上記GaAs基板を除去するステップと、
上記第1の半導体構造を、第2の半導体構造に結合するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。 - 上記エッチング停止層は、45乃至50%のInP組成を有するInGaPまたはAlGaInPであることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 上記エッチング停止層及び上記GaAs基板は、同一のバルク格子定数を有していることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 上記エッチング停止層及び上記GaAs基板は、異なるバルク格子定数を有していることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 上記第2の半導体構造は、結合層を含み、
上記第1の半導体構造及び上記第2の半導体構造は、上記エッチング停止層と上記結合層との間に配置されている結合によって結合される、
ことを特徴とする請求項14に記載及び/または方法。 - 上記結合層は、少なくとも5,000オングストロームの厚みを有していることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 上記結合層は、少なくとも5×1018cm-3の濃度までドープされていることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 上記エッチング停止層は第2のエッチング停止層であり、
上記第1の半導体構造は、第1のエッチング停止層を更に含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 上記第1及び第2のエッチング停止層は、異なる組成を有していることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 上記第1のエッチング停止層はAlGaAsであり、上記第2のエッチング停止層はInGaP及びAlInGaPの一方であることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- GaAs基板上に第1の半導体構造を成長させるステップ、
を含み、
上記第1の半導体構造は、
GaAsの格子定数とは異なるバルク格子定数を有するエッチング停止層と、
n型領域とp型領域との間に配置されているAlGaInP発光層と、
を含み、
上記GaAs基板を除去するステップと、
上記第1の半導体構造を、第2の半導体構造に結合するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。 - 上記第1の半導体構造は、上記エッチング停止層と結合層との間の界面に配置されている結合によって上記第2の半導体構造に結合され、
上記エッチング停止層は、500オングストロームより小さい厚みを有し且つ5×1017cm-3より大きい濃度までTeでドープされているAlGaInPであり、
上記結合層は、8%乃至16%のInP組成と800乃至20,000オングストロームの厚みとを有し且つ1×1018cm-3より大きい濃度までTeでドープされているInGaPである、
ことを特徴とする請求項24に記載の方法。 - 上記第2の半導体構造を形成するステップを更に含み、上記第2の半導体構造を形成する上記ステップは、
透明基板を準備するステップと、
上記透明基板上に結合層を成長させるステップと、
を含み、
上記結合層は、上記透明基板のバルク格子定数とは異なるバルク格子定数を有し、
上記結合層は、上記結合層のひずみリラクセーションのために、臨界厚みより大きい厚みまで成長させる、
ことを特徴とする請求項24に記載の方法。
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