JP2007258641A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ素子は、半導体基板(101)上に、半導体基板(101)に近い側から順に、第1のクラッド層(103)、活性層(104)、及び第2のクラッド層(105)が積層されてなる積層構造を有する。第1のクラッド層(103)及び第2のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して圧縮性の歪を有し、且つ、第1のクラッド層(103)及び第2のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して引張性の歪を有する半導体層(106)を含んでいる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザ素子の断面図である。
本実施形態の変形例に係る半導体レーザ素子は、活性層104の構成の点で、上述の第1の実施形態に係る半導体レーザ素子と異なっており、その他は同様である。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザ素子の断面図を示している。
102、502 n型GaAsよりなるバッファ層
103、503 n型AlGaInPよりなる下層クラッド層
104、504 GaInPよりなる量子井戸構造を有する活性層
105、506 p型AlGaInPよりなる上層クラッド層
105a p型AlGaInPよりなる第1の上層クラッド層
105b p型AlGaInPよりなる第2の上層クラッド層
505 p型AlGaInPよりなる低濃度上層クラッド層
506 p型AlGaInPよりなる高濃度上層クラッド層
506a p型AlGaInPよりなる第1の高濃度上層クラッド層
506b p型AlGaInPよりなる第2の高濃度上層クラッド層
106、507 p型GaInPよりなるエッチングストップ層
107、508 p型GaInPよりなる中間層
108、509 p型GaAsよりなるコンタクト層
109、510 n型GaAsよりなる電流ブロック層
110、511 p型電極
111、512 n型電極
Claims (11)
- 半導体基板上に、前記半導体基板に近い側から順に、第1のクラッド層、活性層、及び第2のクラッド層が積層されてなる積層構造を有する半導体レーザ素子であって、
前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して圧縮性の歪を有し、且つ、
前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して引張性の歪を有する半導体層を含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記圧縮性の歪を有する、前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して、2.0×10-4以上であって且つ3.0×10-3以下の格子不整合を有し、且つ、
前記引張性の歪みを有する半導体層は、前記半導体基板に対して、−2.0×10-3以上であって且つ−2.0×10-4以下の格子不整合を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第2のクラッド層は、前記引張性の歪を有する半導体層を有し、
前記引張性の歪を有する半導体層は、エッチングによって前記第2のクラッド層にリッジ部を形成する際のエッチングストップ層として機能することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子。 - 半導体基板上に、前記半導体基板に近い側から順に、第1のクラッド層、活性層、及び第2のクラッド層が積層されてなる積層構造を有する半導体レーザ素子であって、
前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して、圧縮性の歪を有し、且つ、
前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、相対的に高濃度の不純物を含む高濃度不純物領域と相対的に低濃度の不純物を含む低濃度不純物領域とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記高濃度不純物領域は、前記活性層に対して前記低濃度不純物領域が形成されている位置よりも遠い位置に形成されており、
前記低濃度不純物領域は、前記活性層に対して前記高濃度不純物領域が形成されている位置よりも近い位置に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ素子。 - 前記圧縮性の歪を有する、前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して、2.0×10-4以上であって且つ3.0×10-3以下の格子不整合を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方は、前記半導体基板に対して引張性の歪を有する半導体層を含んでいることを特徴とする請求項4〜6のうちのいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記引張性の歪みを有する半導体層は、前記半導体基板に対して、−2.0×10-3以上であって且つ−2.0×10-4以下の格子不整合を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層を構成する井戸層は、前記半導体基板に対して圧縮性の歪を有し、且つ、
前記井戸層の膜厚は、20nm以上であることを特徴とする請求項1〜8のうちのいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 当該半導体レーザ素子は、自励発振特性を有していることを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 半導体基板上に、前記半導体基板に対して2.0×10-4以上であって且つ3.0×10-3以下の格子不整合を有する第1のクラッド層を形成する工程と、
前記第1のクラッド層の上に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、前記半導体基板に対して−2.0×10-3以上であって且つ−2.0×10-4以下の格子不整合を有する半導体層を内部に含む、前記半導体基板に対して2.0×10-4以上であって且つ3.0×10-3以下の格子不整合を有する第2のクラッド層を形成する工程と、
前記半導体層をエッチングストップ層として用いて、前記第2のクラッド層をエッチングすることにより、リッジ部を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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