相關申請案之交叉參考
本申請案係關於2016年8月9日提出申請且標題為ULTRASONIC GRAIN REFINING AND DEGASSING PROCEDURES AND SYSTEMS FOR METAL CASTING之美國申請案第62/372,592號(其全部內容以引用方式併入本文中)。本申請案係關於2016年2月15日提出申請且標題為ULTRASONIC GRAIN REFINING AND DEGASSING FOR METAL CASTING之美國申請案第62/295,333號(其全部內容以引用方式併入本文中)。本申請案係關於2015年12月15日提出申請且標題為ULTRASONIC GRAIN REFINING AND DEGASSING OF MOLTEN METAL之美國申請案第62/267,507號(其全部內容以引用方式併入本文中)。本申請案係關於2015年2月9日提出申請且標題為ULTRASONIC GRAIN REFINING之美國申請案第62/113,882號(其全部內容以引用方式併入本文中)。本申請案係關於2015年9月10日提出申請且標題為ULTRASONIC GRAIN REFINING ON A CONTINUOUS CASTING BELT之美國申請案第62/216,842號(其全部內容以引用方式併入本文中)。
金屬及合金之晶粒精製出於許多原因而較為重要，該等原因包含最大化鑄錠速率、改良抗熱撕裂性、最小化元素偏析、增強機械性質(尤其延展性)、改良精製產品之最終特性且增加模具填充特性及降低鑄造合金之孔隙度。通常，顆粒精製係用於產生金屬及合金產品(尤其係鋁合金及鎂合金，其係日愈用於航空太空、國防、汽車、構築及包裝工業中之兩種輕量型材料)之最重要處理步驟之一。顆粒精製亦係用於製造可藉由消除圓柱形顆粒且形成等軸顆粒來鑄造之金屬及合金之重要處理步驟。
顆粒精製係固化處理步驟，其中藉由化學、物理或機械方式減小固相之晶體大小以使得合金可鑄造且減小缺陷形成。當前，鋁產生係使用TIBOR精製顆粒，從而在固化鋁中形成等軸顆粒結構。在本發明之前，使用雜質或化學「顆粒精製劑」係解決在金屬鑄造體中形成圓柱形顆粒之金屬鑄造工業中之長期公認問題之唯一方式。另外，在本發明之前，尚未實施1)超音波除氣以自熔融金屬去除雜質(在鑄造之前)以及2)上述超音波顆粒精製(亦即至少一個振動能量源)之組合。
然而，存在與使用TIBOR有關之較大成本及由在熔體中輸入彼等接種物所致之機械限制。一些限制包含延展性、 機械加工性及導電性。
儘管成本較大，但首先將在美國產生之大約68%之鋁鑄造成鑄錠，然後進一步處理成薄片、板、擠出物或箔。直接激冷(DC)半連續鑄造製程及連續鑄造(CC)製程已成為鋁工業之主要支柱，此主要係由於其穩健性質及相對簡單性。關於DC及CC製程之一個問題係在鑄錠固化期間形成熱裂口或形成裂縫。基本上，幾乎所有鋼錠在不使用顆粒精製下皆將發生斷裂(或不可鑄造)。
然而，該等當前製程之產生速率受限於避免形成裂縫之條件。顆粒精製係減小合金之熱撕裂趨勢且由此增加產生速率之有效方式。因此，大量工作已集中於研發可產生儘可能小粒度之有效顆粒精製劑。若粒度可減小至亞微米級，則可達成超塑性，此使得與當前處理之鋼錠相比，合金不僅可以極快速率鑄造，且亦可在較低溫度下以極快速率輥壓/擠出，從而產生顯著成本節約及能量節約。
當前，世界上來自一級(大約200億kg)或二級及內部廢料(250億kg)之幾乎所有鋁鑄造體係使用大約幾微米直徑之不溶性TiB
2
核之異質核(其使鋁中之精細顆粒結構成核)精製之顆粒。與使用化學顆粒精製劑相關之一個問題係顆粒精製能力有限。實際上，化學顆粒精製劑之使用導致鋁粒度之降低有限，其自係具有略高於2,500 μm之線性顆粒尺寸之圓柱形結構減至小於200 μm之等軸顆粒。鋁合金中之100 µm等軸顆粒似乎係可使用市售化學顆粒精製劑獲得之限值。
若可進一步減小粒度，則可顯著增加生產力。亞微米級粒度產生超塑性，此使得極易在室溫下形成鋁合金。
另一與使用化學顆粒精製劑相關之問題係與使用顆粒精製劑有關之缺陷形成。儘管在先前技術中認為需要進行顆粒精製，但不溶性外來顆粒另外在鋁中係不期望的，尤其係呈顆粒團聚物(「圖簇」)形式者。當前顆粒精製劑(其以於鋁基質母合金中之化合物之形式存在)係藉由採礦、選礦及製造製程之複雜系列產生。當前所用之母合金通常含有氟化鉀鋁(KAIF)鹽及源自鋁顆粒精製劑之習用製造製程之氧化鋁雜質(浮渣)。該等雜質產生鋁中之局部缺陷(例如飲料罐中之「漏隙」及薄箔中之「針孔」)、機器工具磨損及鋁中之表面飾面問題。來自一個鋁電纜公司之資料指示，25%之產生缺陷係由TiB
2
顆粒團聚物所致，且另一25%之缺陷係由在鑄造製程期間包埋至鋁中之浮渣所致。TiB
2
顆粒團聚物通常在擠出期間使線破裂，尤其在線直徑小於8 mm時。
另一與使用化學顆粒精製劑相關之問題係顆粒精製劑之成本。此問題在使用Zr顆粒精製劑產生鎂鋼錠時極其真實。使用Zr顆粒精製劑之顆粒精製對於每公斤所產生Mg鑄造體額外耗費約$1。用於鋁合金之顆粒精製劑每公斤耗費約$1.50。
另一與使用化學顆粒精製劑相關之問題係減小之電導率。化學顆粒精製劑之使用在鋁中引入過量Ti，此導致用於電纜應用之純鋁之電導率發生實質性降低。為維持某一電導率，公司必須付出額外金錢以使用較純鋁來製造電纜及線。
除化學方法外，在過去一個世紀已探究諸多其他顆粒精製方法。該等方法包含使用物理場(例如磁場及電磁場)及使用機械振動。高強度、低振幅超音波振動係已證實用於在不使用外來顆粒下進行金屬及合金之顆粒精製之物理/機械機制之一。然而，在經受短時間段超音波振動之小至幾磅金屬之鋼錠中獲得實驗結果(例如來自上述之Cui等人，2007)。已較少嘗試使用高強度超音波振動進行CC或DC鑄造鋼錠/小坯之顆粒精製。
在本發明中針對顆粒精製解決之一些技術難題係：(1)在延長時間內超音波能量至熔融金屬之耦合，(2)維持系統在升高溫度下之天然振動頻率，及(3)在超音波波導之溫度較熱時增加超音波顆粒精製之顆粒精製效率。用於超音波波導及鑄錠(如下文所闡述)之增強冷卻係本文所呈現用於解決該等難題之解決方案之一。
此外，在本發明中解決之另一技術難題涉及以下事實：鋁愈純，則愈難在固化製程期間獲得等軸顆粒。即使在純鋁(例如鋁之1000、1100及1300系列)中使用外部顆粒精製劑(例如TiB (硼化鈦))，仍難以獲得等軸顆粒結構。然而，使用本文所闡述之新穎顆粒精製技術，已獲得實質性顆粒精製。
在本發明之一實施例中，本發明無需引入顆粒精製劑即部分地阻抑圓柱形顆粒形成。將振動能量施加至熔融金屬(在其傾倒至鑄造器)中使得可實現與使用最新技術顆粒精製劑(例如TIBOR母合金)所獲得粒度相當或較小之粒度。
如本文中所使用，使用熟習此項技術者為呈現其工作常用之術語來闡述本發明實施例。該等術語與熟習材料科學、冶金學、金屬鑄造及金屬處理之技術者所理解之常用含義一致。在下文實施例中闡述一些採用較具體含義之術語。然而，術語「經構形」在本文中理解為繪示允許物件實施緊跟「經構形」術語之功能之適當結構(圖解說明於本文中或已知或業內隱含)。術語「耦合至」意指耦合至第二物件之一個物件具有將第一物件支撐於相對於第二物件之某一位置之必需結構(例如毗連、附接、偏移預定距離、毗鄰、鄰接、連接至一起、彼此可拆開、彼此可拆卸、固定至一起、滑動接觸、輥壓接觸)，其中第一物件及第二物件直接附接或並不直接附接至一起。
頒予Chia等人之美國專利第4,066,475號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述連續鑄造製程。一般而言，圖1繪示連續鑄造系統，其具有包含傾倒噴管11之鑄軋機2，傾倒噴管將熔融金屬引導至含於旋轉模具環13上之周邊凹槽中。循環撓性金屬帶14環繞模具環13之一部分以及一組帶定位輥15之一部分，從而藉由模具環13中之凹槽及上覆金屬帶14來界定連續鑄模。提供冷卻系統以用於冷卻裝置且實現熔融金屬在其於旋轉模具環13上傳輸期間之受控固化。冷卻系統包含複數個佈置於模具環13一側之側封頭17、18及19及分別佈置於金屬帶14之內側及外側(在其環繞模具環之位置處)之內帶封頭及外帶封頭20及21。連結具有適宜閥門之導管網絡24以向各個封頭供應及排放冷卻劑，從而控制裝置之冷卻及熔融金屬之固化速率。
藉由此一構造，將熔融金屬自傾倒噴管11供給至鑄模中且固化並在其傳輸期間藉由使冷卻劑循環穿過冷卻系統來部分地冷卻。自鑄輪汲取固體鑄造棒25且供給至輸送帶27中，輸送帶將鑄造棒輸送至輥軋機28中。應注意，鑄造棒25僅冷卻足以將棒固化之量，且棒保持於升高溫度下以容許在其上實施即刻輥壓操作。輥軋機28可包含之串聯陣列，該等輥壓機架接續將棒輥壓成連續長度之具有實質上均勻、圓形橫截面之線桿30。
圖1及2展示控制其中所展示連續鑄造系統之各個部分之控制器500，如下文更詳細所論述。控制器500可包含一或多個具有程式化指令(亦即算法)之處理器以控制連續鑄造系統及其組件之操作。
在本發明之一實施例中，如圖2中所展示，鑄軋機2包含鑄輪30 (具有傾倒(例如鑄造)熔融金屬之容納結構32 (例如鑄輪30中之槽或通道))及熔融金屬處理器件34。帶36 (例如鋼撓性金屬帶)將熔融金屬限制於容納結構32 (亦即通道)中。輥38容許熔融金屬處理器件34熔融金屬在鑄輪之通道中固化且輸送離開熔融金屬處理器件34時保持於旋轉鑄輪上之固定位置。在本發明之一實施例，熔融金屬處理器件34包含安裝於鑄輪30上之總成42。總成42包含至少一個振動能量源(例如振動器40)、固持振動能量源之外殼44 (亦即支撐器件)。總成42包含至少一個冷卻通道46以經其傳輸冷卻介質。藉由附接至外殼下側之密封件44a將撓性帶36密封至外殼44，由此允許來自冷卻通道之冷卻介質沿撓性帶中與鑄輪通道中之熔融金屬相對之一側流動。空氣擦拭器52引導空氣(作為安全預防措施)，從而沿離開熔融金屬之鑄造源之方向引導任何自冷卻通道洩漏之水。密封件44a可自諸多材料製得，包含 乙烯丙烯、viton、丁腈橡膠(腈)、氯丁橡膠、聚矽氧橡膠、胺基甲酸酯、氟聚矽氧、聚四氟乙烯以及其他已知密封劑材料。在本發明之一實施例中，導引器件(例如輥38)相對於旋轉鑄輪30導引熔融金屬處理器件34。冷卻介質冷卻容納結構32中之熔融金屬及/或至少一個振動能量源40。在本發明之一實施例中，熔融金屬處理器件34之組件(包含外殼)可自金屬(例如鈦)、不銹鋼合金、低碳鋼或H13鋼、其他高溫材料、陶瓷、複合物或聚合物製得。熔融金屬處理器件34之組件可自以下中之一或多者製得：鈮、鈮合金、鈦、鈦合金、鉭、鉭合金、銅、銅合金、錸、錸合金、鋼、鉬、鉬合金、不銹鋼及陶瓷。陶瓷可為氮化矽陶瓷，例如二氧化矽氧化鋁氮化物或SIALON。
在本發明之一實施例中，在熔融金屬通過振動器40下之金屬帶36下方時，隨著金屬開始冷卻且固化將振動能量供應至熔融金屬。在本發明之一實施例中，使用(例如)藉由壓電器件超音波轉換器生成之超音波賦予振動能量。在本發明之一實施例中，使用(例如)藉由磁致伸縮轉換器生成之超音波賦予振動能量。在本發明之一實施例中，使用機械驅動之振動器(論述於下文中)賦予振動能量。在一實施例中，振動能量允許形成多個小晶種，由此產生精細顆粒金屬產品。
在本發明之一實施例中，超音波顆粒精製涉及施加超音波能量(及/或其他振動能量)以用於精製粒度。儘管本發明不限於任一特定理論，但一種理論在於，將振動能量(例如超音波功率)注入熔融或固化合金中可產生非線性效應(例如空化、聲流及輻射壓力)。可使用該等非線性效應使新顆粒成核，且在合金之固化製程期間使枝晶破裂。
在此理論下，顆粒精製製程可分成以下兩個階段：1)成核及2)新近形成固體自液體之生長。在成核階段期間形成球形核。該等核在生長階段期間發展成枝晶。枝晶之單向生長使得可能形成圓柱形顆粒，從而引起二級相之熱撕裂/斷裂及非均勻分佈。此繼而可引起較差可鑄造性。另一方面，枝晶在所有方向上之均勻生長(例如在本發明中可能)使得形成等軸顆粒。含有較小且等軸顆粒之鑄造體/鋼錠具有優良之可成形性。
在此理論下，在合金中之溫度低於液相線溫度時，成核可發生於大小固體晶胚大於在下列方程式中給出之臨界大小時：
其中
r*
係臨界大小，
σ sl
係與固-液界面有關之界面能，且Δ
Gv
,
係與單位體積之液體至固體之轉變有關之吉布斯自由能(Gibbs free energy)。
在此理論下，吉布斯自由能Δ
G
隨著固體晶胚之大小之增加(在其大小大於
r*
時)而降低
，
從而指示固體晶胚之生長在熱力學上較為有利。在該等條件下，固體晶胚變成穩定核。然而，大小大於
r*
之固相之均質成核僅發生於需要熔體中之較大冷卻不足之極端條件下。
在此理論下，在固化期間形成之核可生長成稱為枝晶之固體顆粒。亦可藉由施加振動能量將枝晶破裂成多個小片段。由此形成之樹枝狀片段可生長成新顆粒且最終形成小顆粒；由此產生等軸顆粒結構。
儘管不受限於任一特定理論，但在鑄輪30之通道頂部(例如抵靠帶36之底側)對熔融金屬之相對較小量之冷卻不足(例如小於2、5、10或15℃)使得抵靠鋼帶形成純鋁(或其他金屬或合金)的小核層。振動能量(例如超音波或機械驅動之振動)釋放該等核，其然後用作固化期間之成核劑，從而產生均勻顆粒結構。因此，在本發明之一實施例中，所採用冷卻方法確保在鑄輪30之通道頂部抵靠鋼帶之較小量冷卻不足使得在熔融金屬繼續冷卻時將材料小核處理成熔融金屬。作用於帶36上之振動用於將該等核分散至鑄輪30之通道中之熔融金屬中及/或可用於使形成於冷卻不足層中之枝晶破裂。舉例而言，在熔融金屬冷卻時賦予之振動能量可藉由空化(參見下文)使枝晶破裂以形成新核。枝晶之該等核及片段然後可用於在模具中於固化期間形成(促進)等軸顆粒，從而產生均勻顆粒結構。
換言之，傳送至冷卻不足液體金屬中之超音波振動會在金屬或金屬合金中產生成核位點以精製粒度。可經由如上文所闡述作用之振動能量生成成核位點，以破裂在諸多熔融金屬核中所產生之枝晶，該等核並不依賴外來雜質。在一態樣中，鑄輪30之通道可為耐火金屬或其他高溫材料，例如銅、鐵及鋼、鈮、鈮及鉬、鉭、鎢及錸及包含一或多種可延伸該等材料之熔點之元素(例如矽、氧或氮)之其合金。
在本發明之一實施例中，用於振動能量源40之超音波振動之來源在20 kHz之聲頻下提供1.5 kW之功率。本發明並不限於彼等功率及頻率。相反，可使用寬範圍之功率及超音波頻率，但關注下列範圍。
功率 ：
一般而言，端視音極或探針之尺寸，用於每一音極之功率介於50 W與5000 W之間。通常將該等功率施加至音極上以確保音極末端之功率密度高於100 W/cm
2
，端視熔融金屬之冷卻速率、熔融金屬類型及其他因素，該值可視為在熔融金屬中引起空化之臨限值。此範圍內之功率可介於50 W至5000 W、100 W至3000 W、500 W至2000 W、1000 W至1500 W或任一中間或重疊範圍之間。用於較大探針/音極之較高功率及用於較小探針之較低功率係可能的。在本發明之各個實施例中，所施加振動能量功率密度可介於10 W/cm
2
至500 W/cm
2
或20 W/cm
2
至400 W/cm
2
或30 W/cm
2
至300 W/cm
2
或50 W/cm
2
至200 W/cm
2
或70 W/cm
2
至150 W/cm
2
或其任一中間或重疊範圍之間。
頻率 ：
一般而言，可使用5 kHz至400 kHz (或任一中間範圍)
。
或者，可使用10 kHz及30 kHz (或任一中間範圍)。或者，可使用15 kHz及25 kHz (或任一中間範圍)。所施加頻率可介於5 kHz至400 kHz、10 kHz至30 kHz、15 kHz至25 kHz、10 kHz至200 kHz或50 kHz至100 kHz或其任一中間或重疊範圍之間。
在本發明之一實施例中，至少一個振動器40經佈置以耦合至冷卻通道46，在超音波轉換器之超音波探針(或音極、壓電轉換器或超音波輻射器或磁致伸縮元件)之情形下，其經由冷卻介質以及經由總成42及帶36將超音波振動能量提供至液體金屬中。在本發明之一實施例中，自能夠將電流轉化成機械能、由此產生高於20 kHz (例如高達400 kHz)之振動頻率之轉換器來供應超音波能量，其中自一個或兩個壓電元件或磁致伸縮元件來供應超音波能量。
在本發明之一實施例中，將超音波探針插入冷卻通道46中以與液體冷卻介質接觸。在本發明之一實施例中，超音波探針尖端至帶36之間隔距離(若存在)可變。間隔距離可(例如)小於1 mm、小於2 mm、小於5 mm、小於1 cm、小於2 cm、小於5 cm、小於10 cm、小於20或小於50 cm。在本發明之一實施例中，可將一個以上超音波探針或超音波探針陣列插入冷卻通道46中以與液體冷卻介質接觸。在本發明之一實施例中，超音波探針可附接至總成42之壁上。
在本發明之一態樣中，供應振動能量之壓電轉換器可由陶瓷材料形成，該陶瓷材料夾於提供用於電接觸之附接點之電極之間。在經由電極將電壓施加至陶瓷後，陶瓷擴展且收縮超音波頻率。在本發明之一實施例中，用作振動能量源40之壓電轉換器附接至將振動轉移至探針之助推器。美國專利第9,061,928號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述包含超音波轉換器、超音波助推器、超音波探針及助推器冷卻單元之超音波轉換器總成。‘928專利中之超音波助推器連結至超音波轉換器以擴大由超音波轉換器生成之音能且將經擴大音能轉移至超音波探針。‘928專利之助推器構形在本發明中可用於將能量提供至直接或間接與上述液體冷卻介質接觸之超音波探針。
實際上，在本發明之一實施例中，在超音波區域中使用超音波助推器以擴大或加強由壓電轉換器產生之振動能量。助推器並不增加或降低振動頻率，其增加振幅。(在反向安裝助推器時，其亦可壓縮振動能量。) 在本發明之一實施例中，助推器連結於壓電轉換器與探針之間。在使用助推器進行超音波顆粒精製之情形下，下文係實例性數量之闡釋使用助推器與壓電振動能量源之方法步驟：
1)將電流供應至壓電轉換器。在施加電流時，轉換器內之陶瓷部件發生擴展及收縮，此將電能轉化成機械能。
2)然後將一實施例中之彼等振動轉移至助推器中，其擴大或加強此機械振動。
3)然後將一實施例中來自助推器之經擴大或經加強振動傳播至探針。然後以超音波頻率振動探針，由此產生空化。
4)來自振動探針之空化影響在一實施例中與熔融金屬接觸之鑄造帶。
5)一實施例中之空化使枝晶破裂且產生等軸顆粒結構。
參照圖2，探針耦合至流經熔融金屬處理器件34之冷卻介質。冷卻介質中經由超音波頻率下之探針振動產生之空化影響與容納結構32中之熔融鋁接觸的帶36。
在本發明之一實施例中，可藉由用作振動能量源40之磁致伸縮轉換器供應振動能量。在一實施例中，用作振動能量源40之磁致伸縮轉換器具有與圖2之壓電轉換器單元所利用相同之佈置，唯一差異在於驅動在超音波頻率下振動之表面之超音波源係至少一個磁致伸縮轉換器而非至少一個壓電元件。圖13繪示根據本發明之一實施例用於至少一個超音波振動能量源-磁致伸縮元件40a之鑄輪構形。在本發明之此實施例中，磁致伸縮轉換器40a使耦合至冷卻介質1301之探針(未展示於圖13之側視圖中)以(例如) 30 kHz之頻率發生振動，但可如下文所闡述使用其他頻率。在本發明之另一實施例中，磁致伸縮轉換器40a使熔融金屬處理器件34內側之底部板40b (展示於圖14橫截面示意圖中)發生振動，其中底部板40b(振動板)耦合至冷卻介質1301(展示於圖14中)。
磁致伸縮轉換器通常係由大量在施加電磁場時發生擴展及收縮之材料板構成。更特定而言，在一實施例中，適用於本發明之磁致伸縮轉換器可包含大量平行配置之鎳(或其他磁致伸縮材料)板或壓層，其中每一壓層之一個邊緣附接至製程容器底部或擬振動之另一表面。將線圈置於磁致伸縮材料周圍以提供磁場。舉例而言，在經由線圈供應電流時，產生磁場。此磁場使得磁致伸縮材料收縮或伸長，由此將音波引入與擴展性及收縮性磁致伸縮材料接觸之流體中。來自磁致伸縮轉換器之適用於本發明之典型超音波頻率介於20 kHz與200 kHz之間。端視磁致伸縮元件之天然頻率，可使用較高或較低頻率。
對於磁致伸縮轉換器而言，鎳係最常用材料之一。在將電壓施加至轉換器時，鎳材料在超音波頻率下發生擴展及收縮。在本發明之一實施例中，鎳板直接銀硬銲至不銹鋼板。參照圖2，磁致伸縮轉換器之不銹鋼板係在超音波頻率下振動之表面且係直接耦合至流經熔融金屬處理器件34之冷卻介質之表面(或探針)。冷卻介質中經由在超音波頻率下振動之板產生之空化然後影響與容納結構32中之熔融鋁接觸的帶36。
美國專利第7,462,960號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述具有巨大磁致伸縮元件之超音波轉換器驅動器。因此，在本發明之一實施例中，磁致伸縮元件可自基於稀土合金之材料(例如Terfenol-D及其複合物，其與前過渡金屬(例如鐵(Fe)、鈷(Co)及鎳(Ni))相比具有異常大之磁致伸縮效應)製得。或者，在本發明之一實施例中，磁致伸縮元件可自鐵(Fe)、鈷(Co)及鎳(Ni)製得。
或者，在本發明之一實施例中，磁致伸縮元件可自下列合金中之一或多者製得：鐵及鋱；鐵及鐠；鐵、鋱及鐠；鐵及鏑；鐵、鋱及鏑；鐵、鐠及鏑；鐵、鋱、鐠及鏑；鐵及鉺；鐵及釤；鐵、鉺及釤；鐵、釤及鏑；鐵及鈥； 鐵、釤及鈥；或其混合物。
美國專利第4,158,368號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述磁致伸縮轉換器。如其中所闡述且適用於本發明，磁致伸縮轉換器可包含展現佈置於外殼內之負磁致伸縮之材料之柱塞。美國專利第5,588,466號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述一種磁致伸縮轉換器。如其中所闡述且適用於本發明，將磁致伸縮層施加至撓性元件(例如撓性束)中。藉由外部磁場使撓性元件偏轉。如‘466專利中所闡述且適用於本發明，可將薄磁致伸縮層用於磁致伸縮元件，其由Tb(1-x) Dy(x) Fe
2
組成。美國專利第4,599,591號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述一種磁致伸縮轉換器。如其中所闡述且適用於本發明，磁致伸縮轉換器可利用磁致伸縮材料及複數個連結至多個具有相關係之電流源之線圈以確立磁致伸縮材料內之旋轉磁感應矢量。美國專利第4,986808號(其全部內容以引用方式併入本文中)闡述一種磁致伸縮轉換器。如其中所闡述且適用於本發明，磁致伸縮轉換器可包含複數個磁致伸縮材料狹長條帶，每一條帶具有近端、遠端及實質上V型橫截面，其中V之每一臂係藉由條帶之縱向長度形成，且每一條帶在近端及遠端附接至毗鄰條帶以形成具有中心軸及相對於此軸徑向延伸之翅片之實質上剛性整體柱。
圖3係本發明之另一實施例之示意圖，其展示用於將較低頻率振動能量供應至鑄輪30之通道中之熔融金屬之機械振動構形。在本發明之一實施例中，振動能量係來自由轉換器或其他機械攪動器生成之機械振動。如自業內已知，振動器係生成振動之機械器件。振動通常係藉由在驅動軸上具有不平衡質量之電動機生成。一些機械振動器係由電磁驅動及藉由垂直往復運動攪動之攪拌器軸組成。在本發明之一實施例中，振動能量係自能夠使用機械能產生最高但不限於20 kHz且較佳地介於5-10 kHz之間之振動頻率之振動器(或其他組件)供應。
不論振動機制如何，將振動器(壓電轉換器、磁致伸縮轉換器或機械驅動之振動器)附接至殼44意味著可將振動能量轉移至總成42下之通道中之熔融金屬。
可用於本發明之機械振動器可以8,000至15,000次振動/分鐘來操作，但可使用較高及較低頻率。在本發明之一實施例中，振動機構經構形以565至5,000次振動/秒來振動。在本發明之一實施例中，振動機構經構形以最低零點幾次振動/秒至最高565次振動/秒之極低頻率來振動。適用於本發明之機械驅動之振動之範圍包含(例如) 6,000至9,000次振動/分鐘、8,000至10,000次振動/分鐘、10,000至12,000次振動/分鐘、12,000至15,000次振動/分鐘及15,000至25,000次振動/分鐘。根據文獻報導，適用於本發明之機械驅動之振動之範圍包含(例如) 133 Hz至250 Hz、200 Hz至283 Hz (12,000至17,000次振動/分鐘)及4 Hz至250 Hz之範圍。此外，可藉由週期性驅動以影響鑄輪30或外殼44之簡單錘或柱塞器件將眾多個機械驅動之振盪施加於鑄輪30或外殼44中。一般而言，機械振動可最高為10 kHz。因此，適用於本發明中所使用機械振動之範圍包含：0至10 KHz、10 Hz至4000 Hz、20 Hz至2000 Hz、40 Hz至1000 Hz、100 Hz至500 Hz及其中間及組合範圍，包含565 Hz至5,000 Hz之較佳範圍。
儘管上文針對超音波及機械驅動之實施例予以闡述，但本發明並不限於該等範圍中之一者或其他範圍，但可用於最高400 KHz之寬譜振動能量(包含單頻源及多頻源)。另外，可使用各種源之組合(超音波及機械驅動之源或不同超音波源或不同機械驅動之源或下文擬闡述之音能來源)。
如圖3中所展示，鑄軋機2包含鑄輪30 (在鑄輪30中具有傾倒熔融金屬之容納結構32 (例如槽或通道))及熔融金屬處理器件34。帶36 (例如鋼金屬帶)將熔融金屬限制於容納結構32 (亦即通道)中。如上所述，在熔融金屬1)在鑄輪之通道中固化且2)輸送離開熔融金屬處理器件34時，輥38容許熔融金屬處理器件34保留固定。
冷卻通道46經其傳輸冷卻介質。如前所述，空氣擦拭器52引導空氣(作為安全預防措施)，從而沿離開熔融金屬之鑄造源之方向引導任何自冷卻通道洩漏之水。如前所述，輥壓器件(例如輥38)相對於旋轉鑄輪30導引熔融金屬處理器件34。冷卻介質向熔融金屬及至少一個振動能量源40 (在圖3中展示為機械振動器40)提供冷卻。
在熔融金屬通過機械振動器40下之金屬帶36下方時，隨著金屬開始冷卻且固化將機械驅動之振動能量供應至熔融金屬。在一實施例中，機械驅動之振動能量使得形成多個小晶種，由此產生精細顆粒金屬產品。
在本發明之一實施例中，至少一個振動器40經佈置以耦合至冷卻通道46，在機械振動器之情形下，其經由冷卻介質以及經由總成42及帶36將機械驅動之振動能量提供至液體金屬。在本發明之一實施例中，將機械振動器之頭部插入與液體冷卻介質接觸之冷卻通道46中。在本發明之一實施例中，可將一個以上機械振動器頭部或機械振動器頭部之陣列插入與液體冷卻介質接觸之冷卻通道46中。在本發明之一實施例中，可將機械振動器頭部附接至總成42之壁上。
儘管不受限於任一特定理論，但在鑄輪30之通道底部相對較小量之冷卻不足(例如小於10℃)使得形成較純鋁(或其他金屬或合金)之小核層。機械驅動之振動產生該等核，其然後用作固化期間之成核劑，從而產生均勻顆粒結構。因此，在本發明之一實施例中，所採用冷卻方法確保在通道底部較小量冷卻不足會產生所處理材料之小核層。來自通道底部之機械驅動之振動分散該等核及/或可用於破裂形成於冷卻不足層中之枝晶。枝晶之該等核及片段然後用於在模具中於固化期間形成等軸顆粒，從而產生均勻顆粒結構。
換言之，在本發明之一實施例中，傳送至液體金屬中之機械驅動之振動會在金屬或金屬合金中產生成核位點以精製粒度。如上所述，鑄輪30之通道可為耐火金屬或其他高溫材料，例如銅、鐵及鋼、鈮、鈮及鉬、鉭、鎢及錸及包含一或多種可延伸該等材料之熔點之元素(例如矽、氧或氮)之其合金。
圖3A係根據本發明之一實施例利用至少一個超音波振動能量源及至少一個機械驅動之振動能量源(例如機械驅動之振動器)之鑄輪混合構形之示意圖。與圖3之彼等元件共同展示之元件係實施上述類似功能之類似元件。舉例而言，圖3A中所示之容納結構32 (例如槽或通道)位於傾倒熔融金屬之所繪示鑄輪中。如上所述，帶(未展示於圖3A中)將熔融金屬限制於容納結構32中。此處，在本發明之此實施例中，選擇性啟動超音波振動能量源及機械驅動之振動能量源且可單獨或彼此聯合驅動以提供振動，該等振動在傳送至液體金屬中後會在金屬或金屬合金中產生成核位點以精製粒度。在本發明之各個實施例中，可配置且利用超音波振動能量源及機械驅動之振動能量源之不同組合。
本發明態樣
在本發明之一態樣中，可在冷卻期間將振動能量(來自在8,000至15,000次振動/分鐘範圍內或最高10 KHz及/或在5 kHz至400 kHz範圍內之超音波頻率下之機械驅動之低頻振動器)施加至所容納熔融金屬。在本發明之一態樣中，可在多個不同頻率下施加振動能量。在本發明之一態樣中，可將振動能量施加至各種金屬合金，包含但不限於下文所列示之彼等金屬及合金：鋁、銅、金、鐵、鎳、鉑、銀、鋅、鎂、鈦、鈮、鎢、錳、鐵及其合金及組合；金屬合金，包含-黃銅(銅/鋅)、青銅(銅/錫)、鋼(鐵/碳)、克羅馬羅伊(Chromalloy) (鉻)、不銹鋼(鋼/鉻)、工具鋼(碳/鎢/錳、鈦(鐵/鋁)及標準化等級之鋁合金(包含1100、1350、2024、2224、5052、5154、5356、5183、6101、6201、6061、6053、7050、7075、8XXX系列)；銅合金，包含青銅(陳述於上文中)及與鋅、錫、鋁、矽、鎳、銀之組合合金化之銅；與鋁、鋅、錳、矽、銅、鎳、鋯、鈹、鈣、鈰、釹、鍶、錫、釔、稀土金屬合金化之鎂；鐵及與鉻、碳、矽、鉻、鎳、鉀、鈈、鋅、鋯、鈦、鉛、鎂、錫、鈧合金化之鐵；及其他合金及其組合。
在本發明之一態樣中，將振動能量(來自在8,000至15,000次振動/分鐘範圍內或最高10 KHz及/或在5 kHz至400 kHz範圍內之超音波頻率下之機械驅動之低頻振動器)經由與帶接觸之液體介質耦合至熔融金屬處理器件34下之固化金屬。在本發明之一態樣中，以565 Hz至 5,000 Hz來機械耦合振動能量。在本發明之一態樣中，振動能量以最低零點幾次振動/秒至最高565次振動/秒之極低頻率來以機械方式驅動振動能量。在本發明之一態樣中，在5 kHz至400 kHz範圍內之頻率下以超音波方式驅動振動能量。在本發明之一態樣中，經由含有振動能量源40之外殼44來耦合振動能量。外殼44連結至與通道壁接觸或與熔融金屬直接接觸之其他結構元件(例如帶36或輥38)。在本發明之一態樣中，在金屬冷卻時，此機械耦合將振動能量自振動能量源傳送至熔融金屬。
在一態樣中，冷卻介質可為液體介質(例如水)。在一態樣中，冷卻介質可為氣態介質，例如壓縮空氣或氮中之一者。在一態樣中，冷卻介質可為相變材料。較佳地，以充分速率提供冷卻介質以使毗鄰帶36之金屬冷卻不足(高於合金之液相線溫度小於5℃至10℃或甚至低於液相線溫度)。
在本發明之一態樣中，無需向金屬或金屬合金中添加雜質顆粒(例如硼化鈦)以增加顆粒數量且改良均勻異質固化即獲得鑄造產品內之等軸顆粒。代之以使用成核劑，在本發明之一態樣中，可使用振動能量產生成核位點。
在操作期間，在實質上高於合金之液相線溫度之溫度下之熔融金屬藉由重力流動至鑄輪30的通道中且通過熔融金屬處理器件34下方，其中其暴露於振動能量(亦即超音波或機械驅動之振動)。流動至鑄造通道中之熔融金屬之溫度尤其取決於所選合金類型、傾倒速率、鑄輪通道之大小。對於鋁合金而言，鑄造溫度可介於1220 F至1350 F之間，其中其間之較佳範圍為(例如) 1220 F至1300 F、1220 F至1280 F、1220 F至1270 F、1220 F至1340 F、1240 F至1320 F、1250 F至1300 F、1260 F至1310 F、1270 F至1320 F、1320 F至1330 F，且重疊及中間範圍及+/- 10度F之變化亦適宜。冷卻鑄輪30之通道以確保通道中之熔融金屬接近亞液相線溫度(例如高於合金之液相線溫度小於5℃至10℃或遠低於液相線溫度，但傾倒溫度可遠高於10℃)。在操作期間，可藉助(例如)使用惰性氣體(例如Ar、He或氮)填充或吹掃之護罩(未展示)控制熔融金屬周圍之氣氛。鑄輪30上之熔融金屬通常呈熱穩定狀態，其中熔融金屬自液體轉化成固體。
因冷卻不足接近亞液相線溫度，故固化速率並不足夠緩慢以使得固相線-液相線界面達成平衡，此繼而使得鑄造棒中之組成有所變化。化學組成之不均勻性產生偏析。另外，偏析量與熔融金屬中各種元素之擴散係數以及熱傳遞速率直接相關。另一偏析類型係具有較低熔點之組份將首先冷凍之情況。
在本發明之超音波或機械驅動之振動實施例中，振動能量攪動冷卻中之熔融金屬。在此實施例中，振動能量賦予有攪動且有效攪拌熔融金屬之能量。在本發明之一實施例中，機械驅動之振動能量用於連續攪拌冷卻中之熔融金屬。在各種鑄造合金製程中，期望在鋁合金中具有高濃度之矽。然而，在較高矽濃度下，可形成矽沈澱物。藉由將該等沈澱物「再混合」回熔融狀態，元素矽可至少部分地返回溶液中。或者，即使沈澱物得以保留，混合將並不產生偏析矽沈澱物，由此在下游金屬模具及輥上引起較大磨損。
在各種金屬合金系統中，若合金之一種組份(通常係較高熔點組份)實際上以純淨形式沈澱，從而以純淨組份之顆粒「污染」合金，則發生同種效應。一般而言，在鑄造合金時，發生偏析，藉此溶質濃度在整個鑄造體中並不恆定。此可由各種過程引起。微觀偏析發生於與枝晶臂間隔相當之距離中，據信，其係濃度低於最終平衡濃度之最初形成固體之結果，其使得過量溶質分配至液體中，從而最後形成之固體具有較高濃度。宏觀偏析發生於類似於鑄造體大小之距離中。此可藉由諸多涉及在鑄造體固化時之收縮效應之複雜過程及在分配溶質時液體之密度變化引起。期望在鑄造期間防止偏析以得到具有完全均勻性質之固體小坯。
因此，受益於本發明之振動能量處理之一些合金包含上述彼等合金。
其他構形
本發明並不限於僅將振動能量之使用應用於上述通道結構。一般而言，振動能量(來自在最高10 KHz範圍內及/或在5 kHz至400 kHz範圍內之超音波頻率下之機械驅動之低頻振動器)可在鑄造製程中熔融金屬開始自熔融狀態冷卻且進入固態(亦即熱穩定狀態)之時間點下誘導成核。自不同角度考慮，本發明在各個實施例中組合來自眾多種來源之振動能量與熱管理，從而毗鄰冷卻表面之熔融金屬接近合金之液相線溫度。在該等實施例中，鑄輪30之通道中或抵靠帶36之熔融金屬之溫度足夠低以誘導成核及晶體生長(枝晶形成)，同時振動能量產生核及/或破裂可形成於鑄輪30中之通道之表面上之枝晶。
在本發明之一實施例中，與鑄造製程有關之有益態樣可並不致能或連續致能振動能量源。在本發明之一實施例中，可在程式化開啟/關斷循環期間在關於工作循環之範圍(以百分比表示)介於0至100%、10-50%、50-90%、40%至60%、45%至55%及其間之所有中間範圍之間下經由控制施加至振動能量源之功率來致能振動能量源。
在本發明之另一實施例中，在帶36接觸熔融金屬之前，將振動能量(超音波或機械驅動)直接注入鑄輪中之熔融鋁鑄造體中。直接施加振動能量會在熔體中引起交替壓力。向熔融金屬中直接施加超音波能量作為振動能量可在熔融熔體中引起空化。
儘管不受限於任一特定理論，但空化包括在液體中形成微小中斷或空腔，隨後其進行生長、脈動及塌陷。空化之出現係源於由稀疏相中之音波產生之拉伸應力。若拉伸應力(或負壓)在形成空腔之後持續下去，則空腔將擴展至初始大小之數倍。在超音波場中之空化期間，許多空腔同時出現於小於超音波波長之距離下。在此情形下，空腔氣泡保持其球形形式。空化氣泡之後續行為高度可變：較小部分之氣泡聚結形成大氣泡，但幾乎所有氣泡皆因壓縮相中之音波而塌陷。在壓縮期間，該等空腔中之一些可因壓縮應力而塌陷。因此，在該等空腔塌陷時，高影響波出現於熔體中。因此，在本發明之一實施例中，振動能量誘導之影響波用於使枝晶及其他生長核破裂，由此生成新核，此繼而產生等軸顆粒結構。另外，在本發明之另一實施例中，連續超音波振動可有效均質化所形成核，從而進一步有助於等軸結構。在本發明之另一實施例中，中斷之超音波或機械驅動之振動可有效均質化所形成核，從而進一步有助於等軸結構。
圖4係根據本發明之一實施例具體而言具有探針(未展示)直接插入鑄輪60中之熔融金屬鑄造體中之振動探針器件66之鑄輪構形的示意圖。探針具有類似於業內已知用於超音波除氣之構造的構造。圖4繪示將帶68按壓於鑄輪60之邊緣上之輥62。振動探針器件66將振動能量(超音波或機械驅動之能量)直接或間接耦合至鑄輪60之通道(未展示)中之熔融金屬鑄造體中。隨著鑄輪60逆時針旋轉，熔融金屬通過輥62下方且與可選熔融金屬冷卻器件64接觸。此器件64可類似於圖2及圖3之總成42，但不含振動器40。此器件64可類似於圖3之熔融金屬處理器件34，但不含機械振動器40。
在此實施例中，如圖4中所展示，用於鑄軋機之熔融金屬處理器件利用至少一個振動能量源(亦即振動探針器件66)，在冷卻鑄輪中的熔融金屬的同時，該至少一個振動能量源藉由插入鑄輪中之熔融金屬鑄造體中(較佳地但未必直接插入鑄輪中之熔融金屬鑄造體中)之探針供應振動能量。支撐器件將振動能量源(振動探針器件66)固持於適當位置。
在本發明之另一實施例中，可經由空氣或氣體作為介質藉由使用聲音振盪器將振動能量耦合至冷卻中之熔融金屬。可使用聲音振盪器(例如音頻放大器)來生成音波且傳送至熔融金屬中。在此實施例中，藉由聲音振盪器代替或補充上述超音波或機械驅動之振動器。適用於本發明之音頻放大器提供1 Hz至20,000 Hz之聲音振盪。可使用高於或低於此範圍之聲音振盪。舉例而言，可使用0.5 Hz至20 Hz、10 Hz至500 Hz、200 Hz至2,000 Hz、1,000 Hz至5,000 Hz、2,000 Hz至10,000 Hz、5,000 Hz至14,000 Hz及10,000 Hz至16,000 Hz、14,000 Hz至20,000 Hz及18,000 Hz至25,000 Hz之聲音振盪。可使用電聲音轉換器來生成及傳送音能。
在本發明之一實施例中，可經由氣態介質將音能直接耦合至熔融金屬中，其中音能使熔融金屬發生振動。在本發明之一實施例中，可經由氣態介質將音能間接耦合至熔融金屬中，其中音能使帶36或含有熔融金屬之其他支撐結構發生振動，此繼而使熔融金屬發生振動。
除在上文所闡述之連續輪型鑄造系統中使用本發明之振動能量處理外，本發明亦可用於固定模具及垂直鑄軋機中。
對於固定軋機而言，將熔融金屬傾倒至固定鑄造器62 (例如展示於圖5中者)，該固定鑄造器本身具有熔融金屬處理器件34 (示意性展示)。以此方式，振動能量(來自在最高10 KHz下及/或在5 kHz至400 kHz範圍內之超音波頻率下操作之機械驅動之低頻振動器)可在固定鑄造器中熔融金屬開始自熔融狀態冷卻且進入固態(亦即熱穩定狀態)之時間點下誘導成核。
圖6A-6D繪示垂直鑄軋機之所選組件。該等組件之更多細節及垂直鑄軋機之其他態樣參見美國專利第3,520,352號(其全部內容以引用方式併入本文中)。如圖6A-6D中所展示，垂直鑄軋機包含熔融金屬鑄造空腔213，其在所闡釋實施例中大致為正方形，但其可為圓形、橢圓形、多邊形或任一其他適宜形狀，且其以垂直、相互相交之第一壁部分215及第二或角壁部分217為邊界，且位於模具之頂部部分中。流體保留外罩219環繞鑄造空腔中間隔開之壁215及角部件217。外罩219適於經由入口導管221接收冷卻流體(例如水)，且經由出口導管223排放冷卻流體。
儘管第一壁部分215較佳地係由高熱導性材料(例如銅)製得，但第二或角壁部分217係由較小熱導性材料(例如陶瓷材料)構築。如圖6A-6D中所展示，角壁部分217具有大致L型或角橫截面，且每一角之垂直邊緣向下且朝向彼此彙聚性地傾斜。因此，角部件217終止於模具中位於模具排放端上方位於橫剖面之間之某一便利位準處。
在操作中，熔融金屬自漏斗245流動至垂直往復之鑄模中且自模具連續汲取金屬之鑄造絲條。熔融金屬在接觸較冷模具壁(可視為第一冷卻區)後首先在模具中冷凍。迅速自此區中之熔融金屬去除熱量，且據信在熔融金屬之中心池周圍完全形成材料表面。
在本發明之一實施例中，相對於流體保留外罩219來佈置振動能量源(為簡單起見僅示意性圖解說明於圖6D中之振動器40)且較佳地根據在流體保留外罩219中循環之冷卻介質來佈置。隨著熔融金屬自液體轉化成固體且自金屬鑄造空腔213連續汲取金屬鑄造絲條，振動能量(來自在8,000至15,000次振動/分鐘範圍內及/或在5 kHz至400 kHz範圍內之超音波頻率下之機械驅動之低頻振動器及/或上述聲音振盪器)在鑄造製程中熔融金屬開始自熔融狀態冷卻且進入固態(亦即熱穩定狀態)之時間點下誘導成核。
在本發明之一實施例中，將上述超音波顆粒精製與上述超音波除氣進行組合以在鑄造金屬之前自熔融浴去除雜質。圖9係繪示利用超音波除氣及超音波顆粒精製之本發明之一實施例之示意圖。如其中所展示，爐係熔融金屬之來源。將熔融金屬自爐傳輸至流槽中。在本發明之一實施例中，將超音波除氣器佈置於流槽之路徑中，然後將熔融金屬提供至含有超音波顆粒精製劑之鑄造機器(例如鑄輪，未展示)。在一實施例中，鑄造機器中之顆粒精製無需發生於超音波頻率下，而係可發生於另外論述之一或多個其他機械驅動之頻率下。
儘管並不限於下列具體超音波除氣器，‘336專利闡述適用於本發明之不同實施例之除氣器。一種適宜除氣器係具有以下部分之超音波器件：超音波轉換器；狹長探針，其包括第一端及第二端，第一端附接至超音波轉換器且第二端包括尖端；及吹掃氣體遞送系統，其中吹掃氣體遞送系統可包括吹掃氣體入口及吹掃氣體出口。在一些實施例中，吹掃氣體出口可位於狹長探針之尖端約10 cm (或5 cm或1 cm)內，而在其他實施例中，吹掃氣體出口可位於狹長探針之尖端處。另外，超音波器件可針對每一超音波轉換器包括多個探針總成及/或多個探針。
儘管並不限於下列具體超音波除氣器，‘397專利闡述亦適用於本發明之不同實施例之除氣器。一種適宜除氣器係具有以下部分之超音波器件：超音波轉換器；附接至超音波轉換器之探針，該探針包括尖端；及氣體遞送系統，氣體遞送系統包括氣體入口、穿過探針之氣流路徑及位於探針尖端之氣體出口。在一實施例中，探針可為包括第一端及第二端之狹長探針，第一端附接至超音波轉換器且第二端包括尖端。此外，探針可包括不銹鋼、鈦、鈮、陶瓷及諸如此類或該等材料中之任一者之組合。在另一實施例中，超音波探針可為具有整合氣體遞送系統之整體SIALON探針。在另一實施例中，超音波器件可針對每一超音波轉換器包括多個探針總成及/或多個探針。
在本發明之一實施例中，使用(例如)上述超音波探針之超音波除氣補充了超音波顆粒精製。在超音波除氣之各個實例中，將吹掃氣體(例如)藉助上述探針以介於約1 L/min至約50 L/min之間之速率添加至熔融金屬中。根據揭示內容，流速介於約1 L/min至約50 L/min之間，流速可為約1 L/min、約2 L/min、約3 L/min、約4 L/min、約5 L/min、約6 L/min、約7 L/min、約8 L/min、約9 L/min、約10 L/min、約11 L/min、約12 L/min、約13 L/min、約14 L/min、約15 L/min、約16 L/min、約17 L/min、約18 L/min、約19 L/min、約20 L/min、約21 L/min、約22 L/min、約23 L/min、約24 L/min、約25 L/min、約26 L/min、約27 L/min、約28 L/min、約29 L/min、約30 L/min、約31 L/min、約32 L/min、約33 L/min、約34 L/min、約35 L/min、約36 L/min、約37 L/min、約38 L/min、約39 L/min、約40 L/min、約41 L/min、約42 L/min、約43 L/min、約44 L/min、約45 L/min、約46 L/min、約47 L/min、約48 L/min、約49 L/min或約50 L/min。另外，流速可在約1 L/min至約50 L/min之任一範圍內(舉例而言，速率在約2 L/min至約20 L/min之範圍內)，且此亦包含介於約1 L/min與約50 L/min之間之範圍之任一組合。中間範圍係可能的。同樣，應以類似方式詮釋本文所揭示之所有其他範圍。
本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實施例可提供用於對熔融金屬(包含但不限於鋁、銅、鋼、鋅、鎂及諸如此類或該等及其他金屬之組合(例如合金))進行超音波除氣之系統、方法及/或器件。自熔融金屬處理或鑄造物件可能需要含有熔融金屬之浴，且可將此熔融金屬浴維持於升高溫度下。舉例而言，可將熔融銅維持於約1100℃之溫度下，而可將熔融鋁維持於約750℃之溫度下。
如本文中所使用，術語「浴」、「熔融金屬浴」及諸如此類意欲涵蓋可含有熔融金屬之任一容器，包含器皿、坩堝、槽、流槽、爐、盛桶等。浴及熔融金屬浴術語用於涵蓋間歇、連續、半連續等操作且例如熔融金屬大致靜止(例如通常與坩堝有關)之情形及熔融金屬大致運動(例如通常與流槽有關)之情形。
可使用許多儀器或器件來監測、測試或修改浴中之熔融金屬之條件，且用於最終產生或鑄造期望金屬物件。需要該等儀器或器件較佳地承受熔融金屬浴中遇到之升高溫度，有益地具有較長壽命且限制為與熔融金屬並無反應性，不論金屬係(或金屬包括)鋁抑或銅抑或鋼抑或鋅抑或鎂等。
此外，熔融金屬可在其中溶解有一或多種氣體，且該等氣體可不利地影響期望金屬物件之最終產生及鑄造及/或金屬物件本身之所得物理性質。舉例而言，溶於熔融金屬中之氣體可包括氫、氧、氮、二氧化硫及諸如此類或其組合。在一些情況下，可有利地去除熔融金屬中之氣體或減小氣體量。作為一實例，溶解氫可有害於鋁(或銅或其他金屬或合金)之鑄造且因此，可藉由減小鋁(或銅或其他金屬或合金)之熔融浴中所夾帶氫之量來改良自鋁(或銅或其他金屬或合金)產生之最終物件的性質。超過0.2 ppm、超過0.3 ppm或超過0.5 ppm (以質量計)之溶解氫可對鑄造速率及所得鋁(或銅或其他金屬或合金)桿及其他物件之品質具有有害效應。氫可藉由存在於含有熔融鋁(或銅或其他金屬或合金)之浴上方之氣氛中而進入熔融鋁(或銅或其他金屬或合金)浴中，或其可存在於熔融鋁(或銅或其他金屬或合金)浴中所使用之鋁(或銅或其他金屬或合金)進料起始材料中。
減小熔融金屬浴中之溶解氣體之量之嘗試尚未完全成功。通常，過去之該等製程涉及額外且昂貴之設備以及潛在有害材料。舉例而言，金屬鑄造工業中用於減小熔融金屬之溶解氣體含量之製程可包括由諸如石墨等材料製得之轉子，且可將該等轉子置於熔融金屬浴內。另外，可在毗鄰熔融金屬浴內之轉子之位置處將氯氣添加至熔融金屬浴中。儘管添加氯氣可在一些情況下成功減小(例如)熔融金屬浴中之溶解氫之量，但此習用製程具有顯著缺點，尤其係成本、複雜性及潛在有害及潛在環境有害性氯氣之使用。
另外，在熔融金屬中可存在雜質，且該等雜質可不利地影響期望金屬物件之最終產生及鑄造及/或金屬物件本身之所得物理性質。舉例而言，熔融金屬中之雜質可包括並非需要且亦並非期望存在於熔融金屬中之鹼金屬或其他金屬。較小百分比之某些金屬存在於各種金屬合金中，且該等金屬並不視為雜質。作為非限制性實例，雜質可包括鋰、鈉、鉀、鉛及諸如此類或其組合。各種雜質可藉由存在於熔融金屬浴中所使用之進入之金屬進料起始材料中而進入熔融金屬浴(鋁、銅或其他金屬或合金)中。
本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實施例可提供減小熔融金屬浴中溶解氣體之量之方法或(換言之)使熔融金屬除氣的方法。一種該方法可包括操作熔融金屬浴中之超音波器件，且緊密靠近超音波器件將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。溶解氣體可為或可包括氧、氫、二氧化硫及諸如此類或其組合。舉例而言，溶解氣體可為或可包括氫。熔融金屬浴可包括鋁、銅、鋅、鋼、鎂及諸如此類或其混合物及/或組合(例如包含鋁、銅、鋅、鋼、鎂等之各種合金)。在與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之一些實施例中，熔融金屬浴可包括鋁，而在其他實施例中，熔融金屬浴可包括銅。因此，浴中之熔融金屬可為鋁，或者，熔融金屬可為銅。
此外，本發明實施例可提供減小存在於熔融金屬浴中之雜質之量之方法或(換言之)去除雜質的方法。一種與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之該方法可包括操作熔融金屬浴中之超音波器件，且緊密靠近超音波器件將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。雜質可為或可包括鋰、鈉、鉀、鉛及諸如此類或其組合。舉例而言，雜質可為或可包括鋰或者鈉。熔融金屬浴可包括鋁、銅、鋅、鋼、鎂及諸如此類或其混合物及/或組合(例如包含鋁、銅、鋅、鋼、鎂等之各種合金)。在一些實施例中，熔融金屬浴可包括鋁，而在其他實施例中，熔融金屬浴可包括銅。因此，浴中之熔融金屬可為鋁，或者，熔融金屬可為銅。
與本文所揭示除氣方法及/或去除雜質方法中所採用之超音波除氣及超音波顆粒精製相關之吹掃氣體可包括氮、氦、氖、氬、氪及/或氙中之一或多者，但並不限於此。預計任一適宜其他皆可用作吹掃氣體，條件係該氣體並不與熔融金屬浴中之具體金屬發生明顯反應，或溶於其中。另外，可採用氣體之混合物或組合。根據本文所揭示之一些實施例，吹掃氣體可為或可包括惰性氣體；或者，吹掃氣體可為或可包括稀有氣體；或者，吹掃氣體可為或可包括氦、氖、氬或其組合；或者，吹掃氣體可為或可包括氦；或者，吹掃氣體可為或可包括氖；或者，吹掃氣體可為或可包括氬。另外，申請者預計，在一些實施例中，習用除氣技術可與本文所揭示之超音波除氣製程聯合使用。因此，在一些實施例中，吹掃氣體可進一步包括氯氣，例如單獨或與氮、氦、氖、氬、氪及/或氙中之至少一者組合，使用氯氣作為吹掃氣體。
然而，在本發明之其他實施例中，用於除氣或用於減小熔融金屬浴中溶解氣體之量之與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之方法可在實質上不存在氯氣或不存在氯氣下實施。如本文中所使用，實質上不存在意指基於所使用吹掃氣體之量可使用不超過5重量%之氯氣。在一些實施例中，本文所揭示方法可包括引入吹掃氣體，且此吹掃氣體可選自由以下組成之群：氮、氦、氖、氬、氪、氙及其組合。
引入熔融金屬浴中之吹掃氣體之量可端視諸多因素而有所變化。通常，根據本發明實施例，引入熔融金屬除氣方法(及/或自熔融金屬去除雜質之方法)中且與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之吹掃氣體之量可在約0.1標準公升/min (L/min)至約150 L/min範圍內。在一些實施例中，所引入吹掃氣體之量可在以下範圍內：約0.5 L/min至約100 L/min、約1 L/min至約100 L/min、約1 L/min至約50 L/min、約1 L/min至約35 L/min、約1 L/min至約25 L/min、約1 L/min至約10 L/min、約1.5 L/min至約20 L/min、約2 L/min至約15 L/min或約2 L/min至約10 L/min。該等體積流速係標準公升/分鐘來表示，亦即在標準溫度(21.1℃)及壓力(101 kPa)下。
在連續或半連續熔融金屬操作中，引入熔融金屬浴中之吹掃氣體之量可基於熔融金屬輸出或產生速率而有所變化。因此，根據與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之該等實施例，引入熔融金屬除氣方法(及/或自熔融金屬去除雜質之方法)之吹掃氣體之量可在約10 mL/hr吹掃氣體/kg/hr熔融金屬(mL吹掃氣體/kg熔融金屬)至約500 mL吹掃氣體/kg熔融金屬範圍內。在一些實施例中，吹掃氣體之體積流速對熔融金屬之輸出速率之比率可在以下範圍內：約10 mL/kg至約400 mL/kg或者約15 mL/kg至約300 mL/kg或者約20 mL/kg至約250 mL/kg或者約30 mL/kg至約200 mL/kg或者約40 mL/kg至約150 mL/kg或者約50 mL/kg至約125 mL/kg。如上所述，吹掃氣體之體積流速係在標準溫度(21.1℃)及壓力(101 kPa)下。
與本發明實施例一致且與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之熔融金屬除氣方法可有效去除大於約10重量%之存在於熔融金屬浴中之溶解氣體，亦即，熔融金屬浴中之溶解氣體之量可自在採用除氣製程之前所存在溶解氣體之量減小大於約10重量%。在一些實施例中，自在採用除氣方法之前所存在溶解氣體之量，所存在溶解氣體之量可減小大於約15重量%、大於約20重量%、大於約25重量%、大於約35重量%、大於約50重量%、大於約75重量%或大於約80重量%。舉例而言，若溶解氣體係氫，則在含有鋁或銅之熔融浴中大於約0.3 ppm或0.4 ppm或0.5 ppm (以質量計)之氫含量可有害且通常，熔融金屬中之氫含量可為約0.4 ppm、約0.5 ppm、約0.6 ppm、約0.7 ppm、約0.8 ppm、約0.9 ppm、約1 ppm、約1.5 ppm、約2 ppm或大於 2 ppm。採用本發明實施例中所揭示之方法預計可將熔融金屬浴中之溶解氣體之量減小至小於約0.4 ppm或者小於約0.3 ppm或者小於約0.2 ppm或者在約0.1 ppm至約0.4 ppm範圍內或者在約0.1 ppm至約0.3 ppm範圍內或者在約0.2 ppm至約0.3 ppm範圍內。在該等及其他實施例中，溶解氣體可為或可包括氫，且熔融金屬浴可為或可包括鋁及/或銅。
本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關且涉及除氣方法(例如減小包括熔融金屬之浴中之溶解氣體之量)或雜質去除方法之實施例可包括操作熔融金屬浴中之超音波器件。超音波器件可包括超音波轉換器及狹長探針，且探針可包括第一端及第二端。第一端可附接至超音波轉換器且第二端可包括尖端，且狹長探針之尖端可包括鈮。可用於本文所揭示製程及方法之超音波器件之闡釋性及非限制性實例的細節闡述於下文中。
對於超音波除氣製程或雜質去除製程而言，可(例如)在靠近超音波器件之位置將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。在一實施例中，可在靠近超音波器件之尖端之位置將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。在一實施例中，可在超音波器件之尖端約1米內(例如超音波器件之尖端約100 cm內、約50 cm內、約40 cm內、約30 cm內、約25 cm內或約20 cm內)將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。在一些實施例中，可在以下位置處將吹掃氣體引入熔融金屬浴中：在超音波器件之尖端約15 cm內；或者在約10 cm內；或者在約8 cm內；或者在約5 cm內；或者在約3 cm內；或者在約2 cm內；或者在約1 cm內。在具體實施例中，可毗鄰或穿過超音波器件之尖端將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。
儘管不期望受限於此理論，使用超音波器件且緊密靠近地納入吹掃氣體使得含有熔融金屬之浴中之溶解氣體之量明顯減小。藉由超音波器件產生之超音波能量可在熔體中產生空化氣泡，溶解氣體可擴散至該等空化氣泡中。然而，在不存在吹掃氣體下，許多空化氣泡可在到達熔融金屬浴之表面之前塌陷。吹掃氣體可減小在到達表面之前塌陷之空化氣泡之量，及/或可增加含有溶解氣體之氣泡之大小，且/或可增加熔融金屬浴中之氣泡之數量，且/或可增加含有溶解氣體之氣泡至熔融金屬浴之表面之傳輸速率。超音波器件可在緊密靠近超音波器件之尖端內產生空化氣泡。舉例而言，對於具有直徑約為2 cm至5 cm之尖端之超音波器件而言，空化氣泡可在在塌陷之前位於超音波器件之尖端約15 cm、約10 cm、約5 cm、約2 cm或約1 cm內。若以過於遠離超音波器件之尖端之距離來添加吹掃氣體，則吹掃氣體可能不能擴散至空化氣泡中。因此，在與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實施例中，在超音波器件之尖端約25 cm或約20 cm內及更有益地在超音波器件之尖端約15 cm內、約10 cm內、約5 cm內、約2 cm內或約1 cm內將吹掃氣體引入熔融金屬浴中。
根據本發明實施例之超音波器件可與熔融金屬(例如鋁或銅)接觸，例如如美國專利公開案2009/0224443中所揭示，該專利之全部內容以引用方式併入本文中。在用於減小熔融金屬中之溶解氣體含量(例如氫)之超音波器件中，鈮或其合金可用作器件之保護性障壁(在暴露於熔融金屬時)，或用作器件中直接暴露於熔融金屬之組件。
本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實例可提供用於增加與熔融金屬直接接觸組件之壽命之系統及方法。舉例而言，本發明實施例可使用鈮來減小與熔融金屬接觸之材料之降解，從而在最終產品中產生顯著品質改良。換言之，本發明實施例可藉由使用鈮作為保護性障壁來增加與熔融金屬接觸之材料或組件之壽命或保護該等材料或組件。鈮可具有可幫助提供本發明之上文所提及實施例之性質，例如其高熔點。另外，在暴露於約200℃及更高之溫度時，鈮亦可形成保護性氧化物障壁。
此外，本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實例可提供用於增加與熔融金屬直接接觸或界接之組件壽命之系統及方法。因鈮與某些熔融金屬具有低反應性，故使用鈮可防止基板材料發生降解。因此，本發明中與超音波除氣及超音波顆粒精製相關之實例可使用鈮來減小基板材料之降解，從而在最終產品中產生顯著品質改良。因此，聯合熔融金屬使用之鈮可組合鈮之高熔點及其與熔融金屬(例如鋁及/或銅)之低反應性。
在一些實施例中，鈮或其合金可用於包括超音波轉換器及狹長探針之超音波器件中。狹長探針可包括第一端及第二端,，其中第一端可附接至超音波轉換器且第二端可包括尖端。根據此實施例，狹長探針之尖端可包括鈮(例如鈮或其合金)。超音波器件可用於超音波除氣製程中，如上文所論述。超音波轉換器可生成超音波，且附接至轉換器之探針可將超音波傳送至包括熔融金屬(例如鋁、銅、鋅、鋼、鎂及諸如此類或其混合物及/或組合(例如包含鋁、銅、鋅、鋼、鎂等之各種合金))之浴中。
在本發明之各個實施例中，使用超音波除氣及超音波顆粒精製之組合。組合使用超音波除氣及超音波顆粒精製會單獨及組合提供如下文所闡述之優點。儘管並不限於下列論述，但下列論述可理解伴隨超音波除氣及超音波顆粒精製之組合之獨特效應，從而產生在單獨使用時所不能預期之鑄造產品之整體品質之改良。發明者已在其對此組合超音波處理之研發中實現該等效應。
在超音波除氣中，自金屬鑄造製程消除氯化學物質(在並不使用超音波除氣時利用)。在氯作為化學物質存在於熔融金屬浴中時，其可與浴中可存在之其他外來元素(例如鹼金屬)發生反應且形成強化學鍵。在存在鹼金屬時，在熔融金屬浴中形成穩定鹽，此可使得在鑄造金屬產品中產生使電導率及機械性質劣化之包涵體。在不使用超音波顆粒精製下，使用化學顆粒精製劑(例如硼化鈦)，但該等材料通常含有鹼金屬。
因此，使用消除作為製程元素之氯之超音波除氣及使用消除顆粒精製劑(鹼金屬源)之超音波顆粒精製，形成穩定鹽及在鑄造金屬產品中形成所得包涵體之可能性得以實質上減小。此外，消除作為雜質之該等外來元素會改良鑄造金屬產品之電導率。因此，在本發明之一實施例中，組合超音波除氣及超音波顆粒精製意味著所得鑄造產品具有優良機械及電導率性質，此乃因兩種主要雜質來源得以消除且不會存在一種外來雜質代替另一雜質。
藉由組合超音波除氣及超音波顆粒精製所提供之另一優點涉及以下事實：超音波除氣及超音波顆粒精製皆有效「攪拌」熔融浴，從而均質化熔融材料。在金屬合金發生熔化且然後冷卻至固化時，可因不同合金比例之各別熔點差異而存在合金中間相。在本發明之一實施例中，超音波除氣及超音波顆粒精製皆攪拌中間相且將其混合回熔融相中。
與在使用超音波除氣或超音波顆粒精製時或在使用習用氯處理或化學顆粒精製劑代替任一者或二者時所預期相比，所有該等優點使得可獲得具有小顆粒、具有較少雜質、較少包涵體、較佳電導率、較佳延展性及較高拉伸強度之產品。
超音波顆粒精製論證
圖2及圖3及圖3A中所展示之容納結構使用10 cm之深度及8 cm之寬度且在鑄輪30中形成矩形槽或通道。撓性金屬帶之厚度為6.35 mm。撓性金屬帶之寬度為8 cm。用於帶之鋼合金係1010鋼。在120 W功率下(每一探針)使用20 KHz之超音波頻率，且供應至一個或兩個具有與冷卻介質中之水接觸之振動探針之轉換器。將銅合金鑄輪之區段用作模具 作為冷卻介質，在接近室溫下供應水且以大約15公升/min流經通道46。
以40 kg/min之速率傾倒熔融鋁，從而產生展示與等軸顆粒結構一致之性質之連續鋁鑄造體，但並不添加顆粒精製劑。實際上，已鑄造大約9百萬磅之鋁桿且使用此技術拉製成用於線及電纜應用之最終尺寸。
金屬產品
在本發明之一態樣中，可在鑄輪通道中或在上述鑄造結構中形成包含鑄造金屬組合物之產品，其中無需顆粒精製劑且仍具有亞毫米粒度。因此，可使用小於5%之包含顆粒精製劑之組合物製得鑄造金屬組合物且仍獲得亞毫米粒度。可使用小於2%之包含顆粒精製劑之組合物製得鑄造金屬組合物且仍獲得亞毫米粒度。可使用小於1%之包含顆粒精製劑之組合物製得鑄造金屬組合物且仍獲得亞毫米粒度。在一較佳組合物中，顆粒精製劑小於0.5%或小於0.2%或小於0.1%。可使用不含顆粒精製劑之組合物製得鑄造金屬組合物且仍獲得亞毫米粒度。
端視諸多因素(包含「純淨」或合金化金屬之組份、傾倒速率、傾倒溫度、冷卻速率)，所鑄造金屬組合物可具有不同各種亞毫米粒度。可用於本發明之粒度清單包含下列粒度。對於鋁及鋁合金而言，粒度介於200微米至900微米或300微米至800微米或400微米至700微米或500微米至600微米之間。對於銅及銅合金而言，粒度介於200微米至900微米或300微米至800微米或400微米至700微米或500微米至600微米之間。對於金、銀或錫或其合金而言，粒度介於200微米至900微米或300微米至800微米或400微米至700微米或500微米至600微米之間。對於鎂或鎂合金而言，粒度介於200微米至900微米或300微米至800微米或400微米至700微米或500微米至600微米之間。儘管以範圍形式給出，但本發明亦能夠採用中間值。在本發明之一態樣中，可添加較小濃度(小於5%)之顆粒精製劑以進一步將粒度減小至介於100微米與500微米之間之值。所鑄造金屬組合物可包含鋁、銅、鎂、鋅、鉛、金、銀、錫、青銅、黃銅及其合金。
可將所鑄造金屬組合物拉製成或以其他形式形成棒料、桿料、片料、線、小坯及糰粒。
電腦化控制
可藉助圖7中所展示之電腦系統1201來實施圖1、2、3及4中之控制器500。電腦系統1201可用作控制器500來控制上述鑄造系統或採用本發明之超音波處理之任一其他鑄造系統或裝置。儘管在圖1、2、3及4中單一地繪示為一個控制器，但控制器500可包含彼此連通及/或專用於特定控制功能之離散且單獨之處理器。
特定而言，可具體使用實施由圖8中之流程圖繪示之功能之控制算法來將控制器500程式化。
圖8繪示可將要素程式化或儲存於電腦可讀媒體或下述資料儲存器件中之一者中之流程圖。圖8之流程圖繪示誘導金屬產品中之成核位點之本發明方法。在步驟要素1802處，程式化元件將引導將熔融金屬傾倒至熔融金屬容納結構中之操作。在步驟要素1804處，程式化元件將引導(例如)藉由使液體介質通過靠近熔融金屬容納結構之冷卻通道來冷卻熔融金屬容納結構之操作。在步驟要素1806處，程式化元件將引導將振動能量耦合至熔融金屬之操作。在此要素中，振動能量具有誘導熔融金屬中之成核位點之頻率及功率，如上文所論述。
使用標準軟體語言(論述於下文中)將諸如熔融金屬溫度、傾倒速率、穿過冷卻通道之冷卻流及模具冷卻等要素及與穿過軋機之鑄造產品之控制及拉製(包含振動能量源之功率及頻率之控制)相關的要素程式化，從而產生含有用於本發明方法以誘導金屬產品中之成核位點之指令之特殊目的性處理器。
更具體而言，圖7中所展示之電腦系統1201包含匯流排1202或用於使資訊通信之其他通信機制及與匯流排1202耦合以用於處理資訊之處理器1203。電腦系統1201亦包含主記憶體1204 (例如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件(例如動態RAM (DRAM)、靜態RAM (SRAM)及同步DRAM (SDRAM)))，其耦合至匯流排1202以用於儲存資訊及由處理器1203執行之指定。另外，主記憶體1204可用於儲存暫時變量或在由處理器1203執行指令期間之其他中間資訊。電腦系統1201進一步包含唯讀記憶體(ROM) 1205或其他靜態儲存器件(例如可程式化唯讀記憶體(PROM)、可擦除PROM (EPROM)及電可擦除PROM (EEPROM))，其耦合至匯流排1202以用於儲存用於處理器1203之靜態資訊及指令。
電腦系統1201亦包含磁碟控制器1206，其耦合至匯流排1202以控制一或多個用於儲存資訊及指令之儲存器件(例如磁性硬碟1207及可移媒體驅動1208 (例如軟磁碟驅動、唯讀光碟驅動、讀取/寫入光碟驅動、光碟點播機、磁帶驅動及可移磁光驅動))。可使用適當器件介面(例如小電腦系統介面(SCSI)、整合器件電子介面(IDE)、增強IDE (E-IDE)、直接記憶體存儲(DMA)或超DMA)將儲存器件添加至電腦系統1201中。
電腦系統1201亦可包含特殊目的邏輯器件(例如專用積體電路(ASIC))或可構形邏輯器件(例如簡單可程式化邏輯器件(SPLD)、複雜可程式化邏輯器件(CPLD)及場效可程式閘陣列(FPGA))。
電腦系統1201亦可包含顯示器控制器1209，其耦合至匯流排1202以控制用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器(例如陰極射線管(CRT)或液晶顯示器(LCD))。電腦系統包含輸入器件(例如鍵盤及指向器件)以用於與電腦使用者(例如與控制器500介接之使用者)相互作用且向處理器1203提供資訊。
因應於執行記憶體(例如主記憶體1204)中所含一或多個指令之一或多個序列之處理器1203，電腦系統1201實施本發明之處理步驟(例如針對向熱穩定狀態中之液體金屬提供振動能量所闡述者)之一部分或全部。可自另一電腦可讀媒體(例如硬碟1207或可移媒體驅動1208)將該等指令讀取至主記憶體1204中。亦可採用呈多處理配置之一或多個處理器執行主記憶體1204中所含之指令序。在替代實施例中，可使用硬連線電路代替軟體指令或與其組合使用。因此，實施例並不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。
電腦系統1201包含至少一個電腦可讀媒體或記憶體以用於容納根據本發明教示內容程式化之指令且用於含有本文所闡述之資料結構、表格、記錄或其他資料。電腦可讀媒體之實例係光碟、硬碟、軟碟、磁帶、磁光碟、PROM (EPROM、EEPROM、快閃EPROM)、DRAM、SRAM、SDRAM或任一其他磁媒體、光碟(例如CD-ROM)或任一其他光學媒體或其他實體媒體、載波(闡述於下文中)或電腦可讀取之任一其他媒體。
儲存於電腦可讀媒體中之任一者或組合上，本發明包含用於控制電腦系統1201、用於驅動實施本發明之一或多個器件及用於使得電腦系統1201能夠與人類使用者相互作用之軟體。該軟體可包含但不限於器件驅動器、操作系統、研發工具及應用軟體。該等電腦可讀媒體進一步包含本發明之電腦程式產品以用於實施在實施本發明時實施之所有或一部分(若分佈處理)處理。
本發明之電腦代碼器件可為任一可解釋或可執行代碼機制，包含但不限於腳本、可解釋程式、動態鏈接程式庫(DLL)、Java種類及完全可執行程式。此外，可出於較佳性能、可靠性及/或成本來分佈本發明之處理部件。
本文所用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1203以供執行之任何媒體。電腦可讀媒體可採取許多形式，包含但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包含(例如)光疊、磁碟及磁光碟(例如硬碟1207或可移媒體驅動1208)。揮發性媒體包含動態記憶體(例如主記憶體1204)。傳輸媒體包含共軸電纜、銅線及光纖(包含構成匯流排1202之線)。傳輸媒體亦可採用音波或光波之形式(例如在無線電波及紅外資料通信期間生成者)。
電腦系統1201亦可包含耦合至匯流排1202之通信介面1213。通信介面1213提供耦合至網路鏈接1214之雙向資料通信，網路鏈接連結至(例如)區域網路(LAN) 1215或連結至另一通信網路1216 (例如網際網路)。舉例而言，通信介面1213可為附接至任一封包交換LAN之網路介面卡。作為另一實例，通信介面1213可為不對稱數位用戶線(ADSL)卡、整合服務數位網路(ISDN)卡或資料機以向相應類型之通信線提供資料通信連結。亦可實施無線鏈接。在任一該實施方案中，通信介面1213發送且接收攜載代表各種類型資訊之數位資料流之電、電磁或光學信號。
網路鏈接1214通常經由一或多個網路向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈接1214可經由區域網路1215 (例如LAN)或經由藉由服務提供商(其經由通信網路1216提供通信服務)操作之設備連結至另一電腦。在一實施例中，此能力允許本發明具有多個之網路連接至一起之上述控制器500以用於(例如)工廠範圍自動化或品質控制之目的。區域網路1215及通信網路1216使用(例如)攜載數位資料流之電、電磁或光學信號及有關實體層(例如CAT 5電纜、共軸電纜、光纖等)。穿過各種個網路之信號及位於網路鏈接1214上且穿過通信介面1213之信號(其攜載數位資料往返電腦系統1201)可以基帶信號或基於載波之信號來實施。基帶信號以闡述數位資料位元流之未調製電脈衝形式輸送數位資料，其中術語「位元」應廣泛解釋為意指符號，其中每一符號輸送至少一或多個資訊位元。亦可使用數位資料來調製載波，例如使用在傳導媒體中傳播或經由傳播媒體以電磁波形式傳送之振幅位移、相移及/或頻率位移鍵控信號。因此，數位資料可以未調製基帶資料形式經由「有線」通信通道發送及/或在不同於基帶之預定頻帶內藉由調製載波來發送。電腦系統1201可傳送且經由網路1215及1216、網路鏈接1214及通信介面1213接收資料(包含程式代碼)。此外，網路鏈接1214可經由LAN 1215連結至行動器件1217 (例如個人數位助理(PDA)膝上型電腦或蜂巢式電話)。
更具體而言，在本發明之一實施例中，提供連續鑄造及輥壓系統(CCRS)，其可自熔融金屬直接連續產生純淨電導體等級鋁桿及合金導體等級鋁桿線圈。CCRS可使用一或多個電腦系統1201 (闡述於上文中)來實施控制、監測及資料儲存。
在本發明之一實施例中，為促進高品質鋁桿之良率，高級電腦監測及資料獲取(SCADA)系統監測及/或控制輥軋機(亦即CCRS)。可顯示此系統之其他變量及參數，製表，儲存，且分析以用於品質控制。
在本發明之一實施例中，在資料獲取系統中捕獲下列生產後測試過程中之一或多者。
可在線使用渦流瑕疵檢測器來連續監測鋁桿之表面品質。若位於靠近桿表面處，則可檢測到包涵體，此乃因基質包涵體用作不連續缺陷。在鋁桿之鑄造及輥壓期間，最終產品中之缺陷可來自製程之任一處。金屬中之不恰當熔體化學及/或過量氫可在輥壓製程期間引起瑕疵。渦流系統係非破壞性測試，且用於CCRS之控制系統可向操作者針對上述任一缺陷發出警報。渦流系統可檢測表面缺陷，且將缺陷分類為小、中或大。渦流結果可記錄於SCADA系統中且可追蹤鋁(或所處理其他金屬)之批次及其產生時間。
在製程結束時捲繞桿後，可量測所鑄造鋁之整體機械及電性質且記錄於SCADA系統中。產品品質測試包含：拉伸、伸長率及電導率。拉伸強度係材料之強度量度且係材料可在拉伸下於破裂之前承受之最大力。伸長率值係材料延展性之量度。電導率量測通常報告為「國際退火銅標準」 (IACS)之百分比。該等產品品質量度可記錄於SCADA系統中且可追蹤鋁之批次及其產生時間。
除渦流資料外，可使用扭轉測試實施表面分析。對所鑄造鋁桿實施受控扭曲測試。將在輥壓製程期間產生之與不合理固化有關之缺陷、包涵體及縱向缺陷放大且揭示於扭轉桿上。通常，該等缺陷以平行於輥壓方向之接縫形式展現。在順時針及逆時針扭轉桿之後之一系列平行線指示試樣係均質的，而鑄造製程中之非均質性將產生波動線。扭轉測試之結果可記錄於SCADA系統中且可追蹤鋁之批次及其產生時間。
試樣分析
使用上述CCR系統製備下述試樣。產生試樣之鑄造及輥壓製程始於來自熔化及保溫爐系統之熔融鋁之連續流，將其經由耐火內襯流槽系統遞送至在線化學顆粒精製系統或上述超音波顆粒精製系統。另外，CCR系統包含上述超音波除氣系統，其使用超音波及吹掃氣體以自熔融鋁去除溶解氫或其他氣體。自除氣器，金屬流動至具有進一步減少熔融金屬中之包涵體之多孔陶瓷元件之熔融金屬過濾器。流槽系統然後將熔融鋁傳輸至漏斗中。將熔融鋁自漏斗傾倒至由銅鑄造環之周邊凹槽及鋼帶形成之模具中，如上文所論述。藉由經由噴嘴自多區水歧管分佈之水將熔融鋁冷卻成固體鑄造棒，該等歧管在關鍵區具有磁流量計。連續鋁鑄造棒離開鑄造環進入棒提取輸送帶並到達輥軋機。
輥軋機包含減小棒直徑之個別驅動之輥壓機架。然後將桿傳輸至拉絲機中，其中將桿拉製至預定直徑，且然後捲繞。在製程結束時捲繞桿後，量測鑄造鋁之整體機械及電性質。品質測試包含：拉伸、伸長率及電導率。拉伸強度係材料之強度量度且係材料可在拉伸下於破裂之前承受之最大力。伸長率值係材料延展性之量度。電導率量測通常報告為「國際退火銅標準」 (IACS)之百分比。
1)拉伸強度係材料之強度量度且係材料可在拉伸下於破裂之前承受之最大力。對同一試樣實施拉伸及伸長率量測。選擇10’’標距試樣用於拉伸及伸長率量測。將桿試樣插入拉伸機器中。將夾持物置於10’’標距標誌下。拉伸強度=破裂力(磅)/橫截面積(
π r 2
)，其中r(英吋)係桿半徑。
2)伸長% = ((
L1
– L
2
)/ L
1
)×100。
L1
係材料之初始標距且
L
2
係藉由將來自拉伸測試之兩種破裂試樣放置於一起且量測所發生之故障所獲得之最終長度。通常，材料之延展性愈大，則在拉伸試樣中觀察到 更大縮頸。
3)電導率：電導率量測通常報告為「國際退火銅標準」 (IACS)之百分比。使用Kelvin Bridge實施電導率量測且細節提供於ASTM B193-02中。IACS係相對於標準退火銅導體之金屬及合金之電導率單位；100%之IACS值係指在20℃下之電導率為5.80 × 107西門子(siemens)/米(58.0 MS/m)。
使用如上文所闡述之連續桿製程不僅產生電等級鋁導體，且亦可用於利用超音波顆粒精製及超音波除氣產生機械鋁合金。為測試超音波顆粒精製製程，收集經鑄造棒試樣且蝕刻。
在使用超音波顆粒精製製程鑄造之桿及使用習用TIBOR顆粒精製劑鑄造之桿之間針對桿性質完成對比分析。表1展示使用超音波顆粒精製劑處理之桿之結果與使用TIBOR顆粒精製劑處理之桿之結果。
表1：品質測試：超音波顆粒精製對化學顆粒精製 [1]
| 超音波顆粒精製製程 |
| 所實施測試 | 數據範圍 | 平均值 d | 標準偏差 |
| 拉伸a
(KSI) | 16.6-18.6 | 17.76 | 0.81 |
| 伸長率b | 5-8 | 6 | 1.36 |
| 電導率c | 61.7-61.9 | 61.76 | 0.09 |
| |
| 化學顆粒精製劑 (TiBor) 添加 |
| 所實施測試 | 範圍 | 平均值 d | 標準偏差 |
| 拉伸a
(KSI) | 18-18.7 | 18.29 | 0.29 |
| 伸長率b | 5-7 | 6.23 | 0.53 |
| 電導率c | 61.5-61.7 | 61.67 | 0.08 |
| | | | | |
將在輥壓製程期間產生之與不合理固化有關之缺陷、包涵體及縱向缺陷放大且揭示於扭轉桿上。通常，該等缺陷以平行於輥壓方向之接縫形式展現。在順時針及逆時針扭轉桿之後之一系列平行線指示試樣係均質的，而鑄造製程中之非均質性將產生波動線。
下表2中之數據指示，使用超音波產生極少瑕疵。儘管尚未達成確定結論，但至少自此組數據點獲知，似乎對於使用超音波處理之材料而言，藉由渦流測試儀觀察之表面缺陷之數量較低。
表2：瑕疵分析：超音波顆粒精製對化學顆粒精製
| 超音波顆粒精製製程 |
| 瑕疵大小： | 範圍 | 平均值 | 標準偏差 |
| 大 | 0-0 | 0 | 0 |
| 中 | 0-3 | 0.23 | 0.80 |
| 小 | 0-6 | 2.15 | 1.87 |
| |
| 化學顆粒精製劑 (TiBor) 添加 |
| 瑕疵大小： | 範圍 | 平均值 | 標準偏差 |
| 大 | 1-8 | 1.46 | 2.44 |
| 中 | 0-17 | 3.62 | 4.43 |
| 小 | 0-22 | 6.92 | 6.75 |
扭轉測試結果指示，超音波顆粒精製桿之表面品質與使用化學顆粒精製劑產生之桿之表面品質一樣良好。在將超音波顆粒精製器安裝於連續桿(CR)製程中之後，將化學顆粒精製劑減少至零，同時產生高品質鑄造棒。然後將熱軋桿拉製至介於0.1052’’至0.1878’’之間之各種線大小。然後將線處理至架空傳輸電纜中。
產品可用於兩種單獨導體：鋁導體鋼支撐(ACSS)導體或鋼芯鋁導體(ACSR)導體。製造導體之兩種製程之間之一個差異在於，在絞合之後將ACSS鋁線退火。
圖10係ACSR線製程流程圖。其展示純淨熔融鋁至ACSR線中所使用鋁線之轉化。轉化製程中之第一步驟係將熔融鋁轉化成鋁桿。在下一步驟中，經由若干模具拉製桿且端視最終直徑此可經由一或多個拉製達成。在將桿拉製至最終直徑後，將線纏繞於重量介於200 lbs與500 lbs之間之捲筒上。將該等個別捲筒圍繞鋼絞合電纜絞合成含有若干個別鋁絲條之ACSR電纜。絲條數量及每一絲條之直徑取決於消費者需求。
圖11係ACSS線製程流程圖。其展示純淨熔融鋁至ACSS線中所使用鋁線之轉化。轉化製程中之第一步驟係將熔融鋁處理成鋁桿。在下一步驟中，經由若干模具拉製桿且端視最終直徑此可經由一或多個拉製達成。在將桿拉製至最終直徑後，將線纏繞於重量介於200 lbs與500 lbs之間之捲筒上。將該等個別捲筒圍繞鋼絞合電纜絞合成含有若干個別鋁絲條之ACSS電纜。絲條數量及每一絲條之直徑取決於消費者需求。ACSR電纜與ACSS電纜之間之一個差異在於，在圍繞鋼電纜絞合鋁後，在爐中熱處理整個電纜以使鋁達到極軟條件。重要的是應注意，在ACSR中，電纜強度係源於由鋁及鋼電纜所致之強度之組合，而在ACSS電纜中，大部分強度來自ACSS電纜內部之鋼。
圖12係鋁條帶製程流程圖，其中將條帶最終處理成金屬包覆電纜。其展示第一步驟係將熔融鋁轉化成鋁桿。然後，經由若干輥壓模具輥壓桿以將其轉化成通常寬約0.375’’且厚約0.015’’至0.018’’之條帶。將輥壓條帶處理成重大約600 lbs之圓圈型墊。重要的是應注意，亦可使用輥壓製程產生其他寬度及厚度，但0.375’’之寬度及0.015’’至0.018’’之厚度最常見。然後在爐中熱處理該等墊以使墊達到中等退火條件。在此條件中，鋁既不極硬亦不處於極軟條件。然後將該條帶用作保護性夾套，其組裝為包封一或多個絕緣電路導體之互鎖金屬磁帶(條帶)之防護層。
針對使用超音波顆粒精製製程處理之鋁拉製線及使用習用TIBOR顆粒精製劑處理之鋁線來完成下文所展示基於該等製程之對比分析。如在用於1350電導體線之ASTM標準中所概述之所有說明皆符合拉製試樣。
包含 TIBOR 化學顆粒精製劑之習用桿之性質 | 1350* EC 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 14.41 | 99.2849 | 20.2 | 61.98 |
| 標凖偏差 | 0.364554523 | 2.511780661 | 1.805547009 | 0.09798 |
| 最小值 | 13.6 | 93.704 | 17 | 61.8 |
| 最大值 | 14.9 | 102.661 | 25 | 62.1 |
| 8176* EEE 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 17.875 | 123.15875 | 17.05 | 59.79 |
| 標凖偏差 | 0.719635324 | 4.958287385 | 0.217944947 | 0.099499 |
| 最小值 | 16.2 | 111.618 | 17 | 59.7 |
| 最大值 | 18.9 | 130.221 | 18 | 59.9 |
| 5154* 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 32.915 | 226.78435 | 18.75 | N/A |
| 標凖偏差 | 0.358154994 | 2.467687911 | 0.698212002 | N/A |
| 最小值 | 32.1 | 221.169 | 18 | N/A |
| 最大值 | 33.5 | 230.815 | 20 | N/A |
| 5356* 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 43.97 | 302.9533 | 18.5 | N/A |
| 標凖偏差 | 0.613269924 | 4.225429778 | 0.5 | N/A |
| 最小值 | 43.4 | 299.026 | 18 | N/A |
| 最大值 | 45.2 | 311.428 | 19 | N/A |
超音波處理桿之性質 | 1350* EC 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 13.93 | 95.9777 | 21.1 | 62.17 |
| 標凖偏差 | 0.401372645 | 2.765457523 | 2.3 | 0.130767 |
| 最小值 | 13.2 | 90.948 | 17 | 62 |
| 最大值 | 14.5 | 99.905 | 25 | 62.3 |
| 8176* EEE 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 16.63 | 114.5807 | 19.35 | 60.86 |
| 標凖偏差 | 0.815536633 | 5.619047402 | 1.38834434 | 0.04899 |
| 最小值 | 15.1 | 104.039 | 17 | 60.8 |
| 最大值 | 18.5 | 127.465 | 23 | 60.9 |
| 5154* 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 33.97 | 234.0533 | 18.9 | N/A |
| 標凖偏差 | 0.491019348 | 3.383123307 | 0.99498744 | N/A |
| 最小值 | 33.2 | 228.748 | 18 | N/A |
| 最大值 | 34.7 | 239.083 | 22 | N/A |
| 5356* 桿 0 .375" 直徑 |
| | 拉伸 A KSI | 拉伸 B Mpa | 伸長率 C | IACS%D |
| 平均值 | 41.5 | 285.935 | 19.2 | N/A |
| 標凖偏差 | 0.761577311 | 5.24726767 | 0.87177979 | N/A |
| 最小值 | 40.1 | 276.289 | 18 | N/A |
| 最大值 | 42.6 | 293.514 | 20 | N/A |
用於超音波處理桿之處理條件 | 合金名稱 | 鑄造速率 | 超音波除氣幅值 | 超音波除氣頻率 | 超音波顆粒精製幅值 | 超音波顆粒精製頻率 |
| 1350 (EC) | 15噸/小時 | 60% | 20 KHz | 80% | 20 KHz |
| 8176 (EEE) | 15噸/小時 | 60% | 20 KHz | 80% | 20 KHz |
| 5154 | 4噸/小時 | 60% | 20 KHz | 80% | 20 KHz |
| 5356 | 4噸/小時 | 60% | 20 KHz | 80% | 20 KHz |
*合金名稱係根據鋁協會標準(Aluminum Association Specifications)
**鋁導體鋼支撐
***鋼芯鋁導體
A.1000 lbs./平方英吋
B.拉伸強度，以兆帕斯卡表示
C.伸長百分比
D.國際退火銅標準
*所有長度尺寸皆係以英吋表示。
圖15係鋁1350 EC合金之顯微對比，其展示不使用化學顆粒精製劑、使用顆粒精製劑及僅使用超音波顆粒精製之鑄造體之顆粒結構。
表1
| 1350 EC 桿 0.375” 直徑 |
| | 拉伸(KSI) | 伸長率% | 電導率範圍(IACS%) | 電導率(IACS%) | 電導率標準偏差 |
| 習用桿 | 14.41 | 20.2 | 61.8-62.1 | 61.98 | 0.09 |
| 超音波處理桿 | 13.93 | 21.1 | 62.0-62.3 | 62.17 | 0.13 |
表2
| ACSR 線 0.130” 直徑 |
| | 拉伸(KSI) | 拉伸標準偏差 | 電導率範圍(IACS%) | 電導率(IACS%) | 電導率標準偏差 |
| 習用桿 | 25.37 | 0.61 | 61.1-61.7 | 61.49 | 0.18 |
| 超音波處理桿 | 27.65 | 0.35 | 61.6-62.0 | 61.78 | 0.16 |
表3
| 8176 EEE桿0.375” 直徑 |
| | 拉伸(KSI) | 伸長率% | 電導率範圍(IACS%) | 電導率(IACS%) | 電導率標準偏差 |
| 習用桿 | 17.87 | 17.05 | 59.7-59.9 | 59.79 | 0.09 |
| 超音波處理桿 | 16.63 | 19.35 | 60.8-60.9 | 60.86 | 0.04 |
表4
| 5154 鋁桿0.375” 直徑 |
| | 拉伸範圍(KSI) | 拉伸(KSI) | 伸長率%範圍 | 伸長率% |
| 習用桿 | 32.1-33.5 | 32.91 | 18-20 | 18.75 |
| 超音波處理桿 | 33.2-34.7 | 33.97 | 18-22 | 18.90 |
表5
| 5154鋁條帶0.016” 厚度 |
| | 拉伸範圍(KSI) | 拉伸(KSI) | 伸長率%範圍 | 伸長率% |
| 習用桿 | 36.16-39.02 | 37.32 | 5.90-11.08 | 9.13 |
| 超音波處理桿 | 36.6-39.6 | 37.94 | 8.40-9.95 | 9.10 |
表6
| 5356 鋁桿 0.375” 直徑 |
| | 拉伸範圍(KSI) | 拉伸(KSI) | 伸長率%範圍 | 伸長率% |
| 超音波處理桿 | 40.1-42.6 | 41.5 | 18-20 | 19.20 |
表1係習用1350 EC鋁合金桿(使用化學顆粒精製劑)與1350 EC鋁合金桿(使用超音波顆粒精製)之表格對比。
表2係習用0.130’’直徑ACSR鋁線(使用化學顆粒精製劑)與0.130’’直徑ACSR鋁線(使用超音波顆粒精製)之表格對比。
表3係習用8176 EEE鋁合金桿(使用化學顆粒精製劑)與8176 EEE鋁合金桿(使用超音波顆粒精製)之表格對比。
表4係習用5154鋁合金桿(使用化學顆粒精製劑)與5154鋁合金桿(使用超音波顆粒精製)之表格對比。
表5係習用5154鋁合金條帶(使用化學顆粒精製劑)與5154鋁合金條帶(使用超音波顆粒精製)之表格對比。
表6係繪示5356鋁合金桿(使用超音波顆粒精製)之性質之表格。
本發明之一般化聲明
本發明之下列聲明提供本發明之一或多個特徵並不限制本發明範圍。
聲明1.一種用於鑄軋機上之鑄輪之熔融金屬處理器件，其包括安裝於(或耦合至)該鑄輪上之總成，該總成包含至少一個在冷卻該鑄輪中之該熔融金屬的同時向該鑄輪中之熔融金屬鑄造體供應(例如具有供應構形)振動能量(例如直接或間接供應之超音波、機械驅動及/或音能)之振動能量源；固持該至少一個振動能量源之支撐器件；及視情況導引器件，其針對該鑄輪之移動導引該總成。
聲明2.如聲明1之器件，其中該支撐器件包含外殼，該外殼包括冷卻通道用於經其傳輸冷卻介質。聲明3.如聲明2之器件，其中該冷卻通道包含該冷卻介質，該冷卻介質包括水、氣體、液體金屬及機油中之至少一者。
聲明4.如聲明1、2、3或4之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個超音波轉換器、至少一個機械驅動之振動器或其組合。
聲明5.如聲明4之器件，其中該超音波轉換器(例如壓電元件)經構形以提供最高400 kHz之頻率範圍內之振動能量或其中該超音波轉換器(例如磁致伸縮元件)經構形以提供20 kHz至200 kHz之頻率範圍內之振動能量。聲明6.如聲明1、2或3之器件，其中該機械驅動之振動器包括複數個機械驅動之振動器。聲明7.如聲明4之器件，其中該機械驅動之振動器經構形以提供最高10 KHz之頻率範圍內之振動能量，或其中該機械驅動之振動器經構形以提供8,000至15,000次振動/分鐘之頻率範圍之振動能量。
聲明8a.如聲明1之器件，其中該鑄輪包含將該熔融金屬限制於該鑄輪之通道中之帶。聲明8b.如聲明1至7中任一項之器件，其中該總成定位於該鑄輪上方且在外殼中具有通路以供將該熔融金屬限制於該鑄輪之該通道中之帶通過其中。聲明9.如聲明8之器件，其中沿該外殼導引該帶以允許來自該冷卻通道之該冷卻介質沿該帶中與該熔融金屬相對之一側流動。
聲明10.如聲明1至9中任一項之器件，其中該支撐器件包括以下中之至少一者或多者：鈮、鈮合金、鈦、鈦合金、鉭、鉭合金、銅、銅合金、錸、錸合金、鋼、鉬、鉬合金、不銹鋼、陶瓷、複合物、聚合物或金屬。聲明11.如聲明10之器件，其中該陶瓷包括氮化矽陶瓷。聲明12.如聲明11之器件，其中該氮化矽陶瓷包括SIALON。
聲明13.如聲明1至12中任一項之器件，其中該外殼包括耐火材料。聲明14.如聲明13之器件，其中該耐火材料包括銅、鈮、鈮及鉬、鉭、鎢及錸及其合金中之至少一者。聲明15.如聲明14之器件，其中該耐火材料包括矽、氧或氮中之一或多者。
聲明16.如聲明1至15中任一項之器件，其中該至少一個振動能量源包括一個以上與冷卻介質接觸之振動能量源；例如與流經該支撐器件或該導引器件之冷卻介質接觸。聲明17.如聲明16之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個插入該支撐器件中之冷卻通道中之振動探針。聲明18.如聲明1至3及6至15中任一項之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個與該支撐器件接觸之振動探針。聲明19.如聲明1至3及6至15中任一項之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個與該支撐器件之基底處之帶接觸之振動探針。聲明20.如聲明1至19中任一項之器件，其中該至少一個振動能量源包括複數個分佈於該支撐器件中之不同位置處之振動能量源。
聲明21.如聲明1至20中任一項之器件，其中該導引器件佈置於該鑄輪之邊緣上之帶上。
聲明22.一種形成金屬產品之方法，其包括：
將熔融金屬提供至鑄軋機之容納結構中；
冷卻該容納結構中之熔融金屬，及
在該冷卻期間將振動能量耦合至該容納結構中之該熔融金屬。
聲明23.如聲明22之方法，其中提供熔融金屬包括將熔融金屬傾倒至鑄輪之通道中。
聲明24.如聲明22或23之方法，其中耦合振動能量包括自超音波轉換器或磁致伸縮轉換器中之至少一者供應該振動能量。聲明25.如聲明24之方法，其中供應該振動能量包括提供在5 kHz至40 kHz之頻率範圍內之振動能量。聲明26.如聲明22或23之方法，其中耦合振動能量包括自機械驅動之振動器供應該振動能量。聲明27.如聲明26之方法，其中供應該振動能量包括提供在8,000至15,000次振動/分鐘或最高10 KHz之頻率範圍之振動能量。
聲明28.如聲明22至27中任一項之方法，其中冷卻包括藉由將水、氣體、液體金屬及機油中之至少一者施加至容納該熔融金屬之限制結構中來冷卻該熔融金屬。
聲明29.如聲明22至28中任一項之方法，其中提供熔融金屬包括將該熔融金屬遞送至模具中。聲明30.如聲明22至29中任一項之方法，其中提供熔融金屬包括將該熔融金屬遞送至連續鑄模中。聲明31.如聲明22至30中任一項之方法，其中提供熔融金屬包括將該熔融金屬遞送至水平或垂直鑄模中。
聲明32.一種鑄軋機，其包括經構形以冷卻熔融金屬之鑄模及如聲明1至21中任一項之熔融金屬處理器件。聲明33.如聲明32之軋機，其中該模具包括連續鑄模。聲明34.如聲明32或33之軋機，其中該模具包括水平或垂直鑄模。
聲明35.一種鑄軋機，其包括：熔融金屬容納結構，其經構形以冷卻熔融金屬；及振動能量源，其附接至該熔融金屬容納結構且經構形以在最高400 kHz範圍之頻率下將振動能量耦合至該熔融金屬。
聲明36.一種鑄軋機，其包括：熔融金屬容納結構，其經構形以冷卻熔融金屬；及機械驅動之振動能量源，其附接至該熔融金屬容納結構且經構形以在最高10 KHz範圍(包含0至15,000次振動/分鐘及8,000至15,000次振動/分鐘之範圍)之頻率下將振動能量耦合至該熔融金屬。
聲明37.一種用於形成金屬產品之系統，其包括：用於將熔融金屬傾倒至熔融金屬容納結構中之構件；用於冷卻該熔融金屬容納結構之構件；用於在最高400 KHz範圍(包含0至15,000次振動/分鐘、8,000至15,000次振動/分鐘、最高10 KHz、15 KHz至40 KHz或20 KHz至200 kHz之範圍)之頻率下將振動能量耦合至該熔融金屬之構件；及控制器，其包含資料輸入及控制輸出，且經控制算法程式化以允許如聲明22至31中任一項所列舉之任一步驟要素之操作。
聲明38.一種用於形成金屬產品之系統，其包括：如聲明1至21中任一項之熔融金屬處理器件；及控制器，其包含資料輸入及控制輸出，且經控制算法程式化以允許如聲明22至31中任一項所列舉之任一步驟要素之操作。
聲明39.一種用於形成金屬產品之系統，其包括：耦合至鑄輪之總成，其包含容納冷卻介質之外殼以便該鑄輪中之熔融金屬鑄造體由該冷卻介質冷卻；及針對該鑄輪之移動導引該總成之器件。
聲明40.如聲明38之系統，其包含如聲明2至3、8至15及21中所定義之任一要素。
聲明41.一種用於鑄軋機之熔融金屬處理器件，其包括：至少一個振動能量源，其在冷卻鑄輪中之該熔融金屬的同時將振動能量供應至該鑄輪中之熔融金屬鑄造體中；及固持該振動能量源之支撐器件。
聲明42.如聲明41之器件，其包含如聲明4至15中所定義之任一要素。
聲明43.一種用於鑄軋機上之鑄輪之熔融金屬處理器件，其包括：耦合至該鑄輪之總成，其包含1)至少一個在冷卻該鑄輪中之該熔融金屬的同時向該鑄輪中之熔融金屬鑄造體供應振動能量之振動能量源，2)固持該至少一個振動能量源之支撐器件，及3)可選導引器件，其針對該鑄輪之移動導引該總成。
聲明44.如聲明43之器件，其中該至少一個振動能量源將該振動能量直接供應至該鑄輪中之該熔融金屬鑄造體中。
聲明45.如聲明43之器件，其中該至少一個振動能量源將該振動能量間接供應至該鑄輪中之該熔融金屬鑄造體中。
聲明46.一種用於鑄軋機之熔融金屬處理器件，其包括：至少一個振動能量源，其在冷卻鑄輪中之該熔融金屬的同時藉由插入該鑄輪中之熔融金屬鑄造體中之探針來供應振動能量；及固持該振動能量源之支撐器件，其中該振動能量在該金屬固化時會減小熔融金屬偏析。
聲明47.如聲明46之器件，其包含如聲明2至21中任一項所定義之要素。
聲明48.一種用於鑄軋機之熔融金屬處理器件，其包括：至少一個振動能量源，其在冷卻鑄輪中之該熔融金屬的同時將音能供應至該鑄輪中之熔融金屬鑄造體中；及固持該振動能量源之支撐器件。
聲明49.如聲明48之器件，其中該至少一個振動能量源包括音頻放大器。
聲明50.如聲明49之器件，其中該音頻放大器經由氣態介質將振動能量耦合至該熔融金屬。
聲明51.如聲明49之器件，其中該音頻放大器經由氣態介質將振動能量耦合至容納該熔融金屬之支撐結構。
聲明52.一種精製粒度之方法，其包括：在冷卻熔融金屬之同時將振動能量供應至個熔融金屬；破裂在該熔融金屬中形成之枝晶以該熔融金屬中生成核源。
聲明53.如聲明52之方法，其中該振動能量包括超音波振動、機械驅動之振動及聲音振動中之至少一者或多者。
聲明54.如聲明52之方法，其中該熔融金屬中之該核源並不包含外來雜質。
聲明55.如聲明52之方法，其中一部分該熔融金屬冷卻不足以產生該等枝晶。
聲明56.一種熔融金屬處理器件，其包括：
熔融金屬源；
超音波除氣器，其包含插入該熔融金屬中之超音波探針；
用於接納該熔融金屬之鑄造器；
安裝於該鑄造器上之總成，其包含
至少一個振動能量源，其在冷卻該鑄造器中之該熔融金屬的同時將振動能量供應至該鑄造器中之熔融金屬鑄造體，及
支撐器件，其固持該至少一個振動能量源。
聲明57.如聲明56之器件，其中該鑄造器包括鑄軋機之鑄輪之組件。
聲明58.如聲明56之器件，其中該支撐器件包含外殼，該外殼包括冷卻通道用於經其傳輸冷卻介質。
聲明59.如聲明58之器件，其中該冷卻通道包含該冷卻介質，該冷卻介質包括水、氣體、液體金屬及機油中之至少一者。
聲明60.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括超音波轉換器。
聲明61.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括機械驅動之振動器。
聲明62.如聲明61之器件，其中該機械驅動之振動器經構形以提供在最高10 KHz之頻率範圍內之振動能量。
聲明63.如聲明56之器件，其中該鑄造器包含將該熔融金屬限制於鑄輪之通道中之帶。
聲明64.如聲明63之器件，其中該總成定位於該鑄輪上方且在外殼中具有通路以供將該熔融金屬限制於該鑄輪之通道中之帶通過其中。
聲明65.如聲明64之器件，其中沿該外殼導引該帶以允許來自該冷卻通道之該冷卻介質沿該帶中與該熔融金屬相對之一側流動。
聲明66.如聲明56之器件，其中該支撐器件包括以下中之至少一者或多者：鈮、鈮合金、鈦、鈦合金、鉭、鉭合金、銅、銅合金、錸、錸合金、鋼、鉬、鉬合金、不銹鋼、陶瓷、複合物、聚合物或金屬。
聲明67.如聲明66之器件，其中該陶瓷包括氮化矽陶瓷。
聲明68.如聲明67之器件，其中該氮化矽陶瓷包括SIALON。
聲明69.如聲明64之器件，其中該外殼包括耐火材料。
聲明70.如聲明69之器件，其中該耐火材料包括銅、鈮、鈮及鉬、鉭、鎢及錸及其合金中之至少一者。
聲明71.如聲明69之器件，其中該耐火材料包括矽、氧或氮中之一或多者。
聲明72.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括一個以上與冷卻介質接觸之振動能量源。
聲明73.如聲明72之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個插入該支撐器件中之冷卻通道中之振動探針。
聲明74.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個與該支撐器件接觸之振動探針。
聲明75.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括至少一個與該支撐器件之基底處之帶直接接觸之振動探針。
聲明76.如聲明56之器件，其中該至少一個振動能量源包括複數個分佈於該支撐器件中之不同位置處之振動能量源。
聲明77.如聲明57之器件，其進一步包括針對該鑄輪之移動導引該總成之導引器件。
聲明78.如聲明72之器件，其中該導引器件佈置於該鑄輪之邊緣上之帶上。
聲明79.如聲明56之器件，其中該超音波除氣器包括：
狹長探針，其包括第一端及第二端，該第一端附接至超音波轉換器且該第二端包括尖端，及
吹掃氣體遞送器，其包括吹掃氣體入口及吹掃氣體出口，該吹掃氣體出口佈置於該狹長探針之該尖端處用於將吹掃氣體引入該熔融金屬中。
聲明80.如聲明56之器件，其中該狹長探針包括陶瓷。
聲明81.一種金屬產品，其包括：
鑄造金屬組合物，其具有亞毫米粒度且其中包含小於0.5%之顆粒精製劑且具有下列性質中之至少一者：
在100 lbs/in
2
之拉力下介於10%至30%範圍內之伸長率，
介於50 MPa至300 MPa範圍內之拉伸強度；或
介於45%至75% IAC範圍內之電導率，其中IAC係相對於標準退火銅導體之電導率之百分比單位。
聲明82.如聲明81之產品，其中該組合物中包含小於0.2%之顆粒精製劑。
聲明83.如聲明81之產品，其中該組合物中包含小於0.1%之顆粒精製劑。
聲明84.如聲明81之產品，其中該組合物中中不含顆粒精製劑。
聲明85.如聲明81之產品，其中該組合物包含鋁、銅、鎂、鋅、鉛、金、銀、錫、青銅、黃銅及其合金中之至少一者。
聲明86.如聲明81之產品，其中該組合物形成為棒料、桿料、片料、線、小坯及糰粒中之至少一者。
聲明87.如聲明81之產品，其中該伸長率介於15%至25%範圍內，或該拉伸強度介於100 MPa至200 MPa範圍內，或該電導率介於50%至70% IAC範圍內。
聲明88.如聲明81之產品，其中該伸長率介於17%至20%範圍內，或該拉伸強度介於150 MPa至175 MPa範圍內，或該電導率介於55%至65% IAC範圍內。
聲明89.如聲明81之產品，其中該伸長率介於18%至19%範圍內，或該拉伸強度介於160 MPa至165 MPa範圍內，或該電導率介於60%至62% IAC範圍內。
聲明90.如聲明81、87、88及89中任一項之產品，其中該組合物包括鋁或鋁合金。
聲明91.如聲明90之產品，其中該鋁或該鋁合金包括鋼芯絞線。
聲明92.如聲明90之產品，其中該鋁或該鋁合金包括鋼支撐絞線。
聲明92.一種金屬產品，其係藉由如聲明52至55中任一項所陳述之方法步驟製得，且包括鑄造金屬組合物。
聲明93.如聲明92之產品，其中該鑄造金屬組合物具有亞毫米粒度且其中包含小於0.5%之顆粒精製劑。
聲明94.如聲明92之產品，其中該金屬產品具有下列性質中之至少一者：
在100 lbs/in
2
之拉力下介於10%至30%範圍內之伸長率，
介於50 MPa至300 MPa範圍內之拉伸強度；或
介於45%至75% IAC範圍內之電導率，其中IAC係相對於標準退火銅導體之電導率之百分比單位。
聲明95.如聲明92之產品，其中該組合物中包含小於0.2%之顆粒精製劑。
聲明96.如聲明92之產品，其中該組合物中包含小於0.1%之顆粒精製劑。
聲明97.如聲明92之產品，其中該組合物中不含顆粒精製劑。
聲明98.如聲明92之產品，其中該組合物包含鋁、銅、鎂、鋅、鉛、金、銀、錫、青銅、黃銅及其合金中之至少一者。
聲明99.如聲明92之產品，其中該組合物形成為棒料、桿料、片料、線、小坯及糰粒中之至少一者。
聲明100.如聲明92之產品，其中該伸長率介於15%至25%範圍內，或該拉伸強度介於100 MPa至200 MPa範圍內，或該電導率介於50%至70% IAC範圍內。
聲明101.如聲明92之產品，其中該伸長率介於17%至20%範圍內，或該拉伸強度介於150 MPa至175 MPa範圍內，或該電導率介於55%至65% IAC範圍內。
聲明102.如聲明92之產品，其中該伸長率介於18%至19%範圍內，或該拉伸強度介於160 MPa至165 MPa範圍內，或該電導率介於60%至62% IAC範圍內。
聲明103.如聲明92之產品，其中該組合物包括鋁或鋁合金。
聲明104.如聲明103之產品，其中該鋁或該鋁合金包括鋼芯絞線。
聲明105.如聲明103之產品，其中該鋁或該鋁合金包括鋼支撐絞線。
根據上述教示內容，本發明可具有各種修改及變化。因此，在隨附申請專利範圍之範圍內應理解，可以除本文所具體闡述之方式外之其他方式來實踐本發明。
