TW202139512A - 天線系統及天線電路基板 - Google Patents

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宮內知嘉子
磯上宏一郎
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日商可樂麗股份有限公司
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Abstract

提供一種有用於高頻通訊的天線系統。前述天線系統(100)係由以下所構成：使高頻穿透之第1玻璃層(101)；具有比前述第1玻璃層(101)低的介電常數，同時鄰接於前述第1玻璃層(101)，使從前述第1玻璃層(101)所入射的高頻穿透之低介電層(103)；鄰接於前述低介電層(103)，接收從前述低介電層(103)所入射的高頻，同時包含高頻絕緣層(105)之天線電路基板(107)。

Description

天線系統及天線電路基板
本案主張在日本於2019年12月3日及2020年7月30日申請的特願2019-218850及特願2020-129756之優先權，藉由參照其整體而作為構成本申請案之一部分者引用。
本發明係關於有用於高頻通訊的天線系統及有用於該天線系統之天線電路基板。
已知於汽車等之移動物體上配設汽車用電話或行動電話之收發用天線。例如，專利文獻1(日本特開2007-53505號公報)中記載：由在汽車等移動物體的窗玻璃面或車體之絕緣構件表面上配設的導電線條所構成之天線，係適合電視之UHF播放波或VHF播放波的電波之接收，或汽車電話、行動電話、個人無線、業務用無線、PHS等之寬頻電波之收發。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-53505號公報
[發明欲解決之課題]
然而，UHF播放波或VHF播放波的電波，或汽車電話、行動電話、個人無線、業務用無線、PHS等所用之電波，能傳送的資訊量有限，無法增多資訊量。近年來，所傳送的資訊量係趨向一直增加，為了交換大量的資訊量，有必須作成為頻率高的GHz頻帶。
本發明之目的在於提供一種天線系統，其係與玻璃層一體化，在GHz頻帶中的傳送特性優異。 本發明之另一目的在於提供一種天線電路基板，其係於透過玻璃層進行通訊時，在GHz頻帶中的傳送特性優異。 本發明之又一目的在於提供一種天線電路基板與低介電層之積層體，其係於透過玻璃層進行通訊時，在GHz頻帶中的傳送特性優異。 [用以解決課題之手段]
本發明之發明者們為了達成上述目的，檢討利用對於高頻具有高精度之天線電路基板，結果發現由於在高頻中傳送距離變短，遭受以往之MHz頻帶中未受到影響之障礙物之影響，對於前述天線電路基板，到達的電波會衰減，將此當作新的課題。 而且，發現對於高頻穿透的玻璃，使比玻璃更低介電常數的低介電層鄰接，若透過前述低介電層而使電波到達天線電路基板，則可精度良好地利用高頻，終於完成本發明。
亦即，本發明可由以下之態樣所構成。 [態樣1] 一種天線系統，其係在1GHz以上(較佳為2GHz以上，更佳為6GHz以上，尤佳為30GHz以上，特佳為50GHz以上)之頻率使用，且由以下所構成： 使高頻穿透之第1玻璃層； 低介電層，其具有比前述第1玻璃層低的介電常數，同時鄰接於前述第1玻璃層，使從前述第1玻璃層所入射的高頻穿透；及 天線電路基板，其鄰接於前述低介電層，接收從前述低介電層所入射的高頻，包含高頻絕緣層。 [態樣2] 如態樣1記載之天線系統，其中高頻絕緣層係以熱塑性液晶聚合物或聚醯亞胺所構成。 [態樣3] 如態樣1或2記載之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電常數，前述第1玻璃層的介電常數εg為5.5～7.5(較佳為5.8～7.3，更佳為6.0～7.0)，前述低介電層的介電常數εf為2.0～4.0(較佳為2.2～3.5，更佳為2.4～3.0)。 [態樣4] 如態樣1～3中任一態樣記載之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電正切，前述第1玻璃層之介電正切tanδ g為0.05以下(較佳為0.03以下，更佳為0.02以下)，前述低介電層之介電正切tanδ f為0.05以下(較佳為0.03以下，更佳為0.01以下)。 [態樣5] 如態樣1～4中任一態樣記載之天線系統，其中前述低介電層係以選自包含聚乙烯縮醛樹脂、烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂、離子聚合物樹脂及丙烯酸系樹脂之群組的至少一種所構成。 [態樣6] 如態樣1～5中任一態樣記載之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電常數，前述高頻絕緣層的介電常數εp為2.0～4.0(較佳為2.2～3.5，更佳為2.4～3.0)。 [態樣7] 如態樣1～6中任一態樣記載之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電正切，前述高頻絕緣層之介電正切tanδ p為0.010以下(較佳為0.005以下，更佳為0.003以下)。 [態樣8] 如態樣1～7中任一態樣記載之天線系統，其中前述低介電層的介電常數εf與前述高頻絕緣層的介電常數εp為εf/εp=30/70～60/40(較佳為35/65～60/40，更佳為38/62～55/45)。 [態樣9] 如態樣1～8中任一態樣記載之天線系統，其中前述低介電層之厚度為λ/4×n±0.050mm(此處，λ為高頻之波長，n為整數)(較佳為λ/4×n±0.030mm，更佳為λ/4×n±0.025mm)。 [態樣10] 如態樣1～9中任一態樣記載之天線系統，其中前述第1玻璃層係以選自鈉鈣石灰玻璃、硼酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、石英玻璃、無鹼玻璃及低鹼玻璃的至少1種所構成。 [態樣11] 如態樣1～10中任一態樣記載之天線系統，其進一步包含第2玻璃層，在前述第1玻璃層與前述第2玻璃層之間，配設低介電層及天線電路基板。 [態樣12] 如態樣1～11中任一態樣記載之天線系統，其係構成交通工具或建築物的窗玻璃。 [態樣13] 如態樣1～11中任一態樣記載之天線系統，其係以對於交通工具、建築物或土木構造物附著之狀態，用於接收電波。 [態樣14] 一種天線電路基板，其用於如態樣1～13中任一態樣記載之天線系統。 [態樣15] 一種積層體，其用於如態樣1～14中任一態樣記載之天線系統，為天線電路基板與鄰接於該天線電路基板之低介電層。
另外，申請專利範圍及/或說明書及/或圖式中所揭示的至少2個構成要素之任何組合，亦包含於本發明中。尤其是申請專利範圍中記載的請求項之2個以上的任何組合亦包含於本發明中。 [發明之效果]
根據本發明，於天線系統中，藉由配設高頻天線電路基板，同時對於該天線電路基板隔著低介電層配設玻璃層，可抑制高頻之衰減，提高對於高頻的天線電路基板之傳送特性，交換大量的資訊量。
[用以實施發明的形態]
本發明之天線系統至少具備：使高頻穿透之第1玻璃層；具有比前述第1玻璃層低的介電常數，同時鄰接於前述第1玻璃層，使從前述第1玻璃層所入射的高頻穿透之低介電層；及，鄰接於前述低介電層，接收從前述低介電層所入射的高頻，包含高頻絕緣層之天線電路基板。
本發明之天線系統視為對象的高頻之頻率，例如可為1GHz以上，較佳可為2GHz以上，更佳可為6GHz以上，尤佳可為30GHz以上，特佳可為50GHz以上。頻率之上限係沒有特別的限定，但例如可為400GHz以下，較佳可為300GHz以下。
以下，一邊參照圖式，一邊說明本發明之天線系統的具體實施形態之例，惟本發明之天線系統不受例示的實施形態所限定。
[第1實施形態] 圖1係用於說明第1實施形態的天線系統之製造方法之概略剖面圖。如圖1所示，第1實施形態的天線系統100具備：第1玻璃層101、具有比第1玻璃層101低的介電常數之低介電層103及天線電路基板107。第1玻璃層101與低介電層103係在厚度方向中具有鄰接的部分，且低介電層103與天線電路基板107係在厚度方向中具有鄰接的部分。
另外，圖1中，天線電路基板係僅配設1個，但1個以上(例如1～10等)的天線電路基板亦可鄰接於低介電層，含於1個天線系統中。包含複數的天線電路基板時，可為包含非高頻天線電路基板(以頻率小於1GHz作為對象之電路基板)之多頻帶對應。此係在以下之實施形態中亦同樣。
第1玻璃層101例如可為窗玻璃等。另外，窗玻璃之面內的天線電路基板之位置係沒有特別的限制，例如如圖1所示，可以天線電路基板107之一端部接觸前述窗玻璃之端部的方式配設，也可為以在從窗玻璃之端部到內側(例如在1～10cm左右內側)，存在天線電路基板107之前述一端部(存在於天線電路基板之最外側的端部)之方式配設之狀態。又，與窗玻璃同樣，可將天線電路基板配設在交通工具用玻璃(前玻璃、側玻璃、後玻璃)。
例如，如窗玻璃或汽車用玻璃等需要視覺辨認性時，較佳為將天線電路基板107配置在不妨礙視野之部分。例如，天線電路基板107中的天線電路可在從第1玻璃層103之端部到內側，配置於0cm以上10cm以下之端部區域。又，為了防止因端部的吸水而生銹等，天線電路基板107中的天線電路可與第1玻璃層103之端部疏離地配置，例如可在從第1玻璃層103之端部到內側，配置於1cm以上之端部區域(較佳為在內側，在1cm以上10cm以下之區域)。此等係在以下之實施形態中亦同樣。
圖1中，以朝向第1玻璃層101之一端箭頭所示的高頻A，係從第1玻璃層101之外側入射到第1玻璃層101，向其內側射出。因此，於以兩端箭頭所示的厚度方向Z中，第1玻璃層101具有一側作為外側面，具有另一側作為內側面。在第1玻璃層101之厚度方向Z的內側，鄰接低介電層103，在低介電層103之厚度方向Z的內側，鄰接天線電路基板107。
高頻A係在從第1玻璃層101之外側面入射後，透過鄰接於第1玻璃層101的低介電層103而到達天線電路基板107。然後，到達天線電路基板107的高頻A係被天線電路基板107所接收。另外，本說明書中，即使陳述僅接收之形態，也可能不僅接收而且亦發出，在全部的實施形態中亦同樣。
天線電路基板107具備高頻絕緣層(以下亦僅稱絕緣層)105、配設於絕緣層105之一面(厚度方向Z之外側面)上的電路層104與配設於絕緣層105之另一面(厚度方向Z之內側面)上的導體層106。另外，圖1中為了單純化，僅記載一層的電路層，但由於在絕緣層中亦可包含未圖示的內層電路等，故天線電路基板107可為多層電路基板。又，導體層106視需要可具有電路圖案，或也可為具有反射性的金屬層等。於導體層106中，入射到天線電路基板107的高頻A被具有反射性的金屬層所反射時，可提高天線電路基板107中的高頻A之利用效率。
高頻A係在指定的頻率中具有波長λ，入射到第1玻璃層101後，一部分會不到達天線電路基板107而被反射，但藉由比第1玻璃層101的介電常數εg更減小低介電層103的介電常數εf，可減少高頻A從第1玻璃層101入射後至到達天線電路基板107表面為止的反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統100中，在厚度方向Z中，第1玻璃層101具有厚度dg，低介電層103具有天線電路基板107上之厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。 此處，低介電層103之厚度df佔電路部分(電路層104)之面內的比例小於一半時，可作為忽視電路部分後的第1玻璃層101與絕緣層105之間的距離來加以掌握，但為了方便而稱為低介電層103之厚度df。 另外，所謂天線電路基板107上之厚度df，亦可為對於天線電路基板，在高頻A之入射側所配設的低介電層之厚度。
第1玻璃層101之厚度dg係可按照配備有第1玻璃層的物體之用途，例如在0.1～100mm之範圍中適宜設定，例如可為0.5～20mm(例如1～20mm)左右，較佳可為1～15mm(例如3～13mm)左右，更佳可為1.5～10mm(例如4～10mm)左右。例如，第1玻璃層101可為交通工具的第1玻璃層或建築物的第1玻璃層等，也可為形成層合玻璃(laminated glass)的第1玻璃層。
天線電路基板107中的絕緣層105之厚度dp係可按照所需要的天線性能等來適宜設定，例如可從10μm～2.5mm之寬廣範圍中選擇，例如可為0.1～2.5mm左右，較佳可為0.3～2.0mm左右，更佳可為0.3～1.0mm左右。當天線電路基板為多層電路基板，絕緣層之厚度dp表示構成多層電路基板之絕緣層的整體厚度(或全部絕緣層合計的厚度)。
另外，圖1中，低介電層103係對於第1玻璃層101及天線電路基板107之兩者具有接著性，天線電路基板107係隔著低介電層103對於第1玻璃層101附著。因此，對於第1玻璃層101，低介電層103具有密著面，對於低介電層103，天線電路基板107具有密著面。
低介電層103係對於天線電路基板107，可按照用途而具有所欲的大小。如圖1，低介電層103之面方向的尺寸可與天線電路基板107相同，或也可小或大。低介電層103在面方向中大於天線電路基板107時，低介電層103可埋設天線電路基板107。另外，所謂面方向，就是將圖1之厚度方向Z當作法線之面方向。關於低介電層與高頻天線電路基板之尺寸，於以下之實施形態中亦共通。
另外，當低介電層103不具有接著性時，視需要可使用外部接著手段，使第1玻璃層101與低介電層103與天線電路基板107互相鄰接。此時，低介電層103與第1玻璃層101之間的鄰接面，較佳在不隔著空氣層下進行密接。同樣地，低介電層103與天線電路基板107之間的鄰接面，較佳在不隔著空氣層下進行密接。
於第1玻璃層101中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲之地方。
另外，視需要可將用於保護天線電路基板107的保護構件配設於天線電路基板107之背面(亦即，與低介電層103相接的面相反側之面)及/或側面。例如，作為保護構件，例如鄰接於天線電路基板107，可進一步配設低介電層。或者，作為保護構件，例如鄰接於天線電路基板107，可進一步依序配設低介電層及第2玻璃層。又，當天線系統100使用於交通工具玻璃等時，在第1玻璃層103的至少一部分之邊緣，可設置密封材。此等係在以下之實施形態中同樣。
[第2實施形態] 圖2係用於說明第2實施形態的天線系統之製造方法之概略剖面圖。如圖2所示，第2實施形態的天線系統200具備：第1玻璃層201、具有比第1玻璃層201低的介電常數之低介電層203、天線電路基板107及與第1玻璃層201在厚度方向Z中相對配設之第2玻璃層202。另外，在與第1實施形態相同的構成要素，附上相同的符號，省略其說明。天線系統200例如可為藉由第1玻璃層201及第2玻璃層202形成複層玻璃(或層合玻璃)，且由複層玻璃所成之窗玻璃或交通工具用玻璃(前玻璃、側玻璃、後玻璃)等，也可為在第1玻璃層201及第2玻璃層202之內部，隔著低介電層103配設有天線電路基板107之狀態。
於第2實施形態中，低介電層203係埋設天線電路基板107，藉由低介電層203接著第1玻璃層201與第2玻璃層202。
高頻A係在指定之頻率中具有波長λ，入射到第1玻璃層201後，一部分會不到達天線電路基板107而以指定的反射率R進行反射，但藉由比第1玻璃層201的介電常數εg更減小低介電層203的介電常數εf，可減少反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統200中，厚度方向Z中第1玻璃層201具有厚度dg，低介電層203具有天線電路基板107之上的厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。此處，低介電層203之厚度df不是第1玻璃層201與第2玻璃層202之距離，而是當作為第1玻璃層201與絕緣層105之間的距離來加以掌握。另外，低介電層203的整體厚度da係意指低介電層整體之厚度，圖2中顯示第1玻璃層201與第2玻璃層202之間的距離。此等係在全部的實施形態中同樣。
第1玻璃層201之厚度dg係可按照配備有第1玻璃層的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm(例如1～20mm)左右，較佳可為1～15mm(例如3～13mm)左右，更佳可為1.5～10mm(例如4～10mm)左右。
關於第2玻璃層202之厚度dg’，亦可按照配備有第2玻璃層202的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm(例如1～20mm)左右，較佳可為1～15mm(例如3～13mm)左右，更佳可為1.5～10mm(例如4～10mm)左右。
於第1玻璃層201中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲的場所。
[第3實施形態] 圖3係用於說明第3實施形態的天線系統之製造方法之概略剖面圖。如圖3所示，第3實施形態的天線系統300具備：第1玻璃層301、具有比第1玻璃層301低的介電常數之低介電層303、天線電路基板107及第2玻璃層302。另外，在與第1實施形態相同的構成要素，附上相同的符號，省略其說明。 第1玻璃層301與低介電層303係在厚度方向中具有鄰接的部分，且低介電層303與天線電路基板107係在厚度方向中具有鄰接的部分。再者，天線電路基板107只要可藉由各種固定黏接手段對於第2玻璃層302附著即可，例如透過接著層308將天線電路基板107附著於第2玻璃層302。
於此實施形態中，第2玻璃層302例如可為窗玻璃等，也可為在前述窗玻璃之外側配設有天線電路基板107之狀態。
於第3實施形態中，在高頻A入射到第1玻璃層301後，一部分會不到達天線電路基板107而以指定的反射率R進行反射，但藉由比第1玻璃層301的介電常數εg更減小低介電層303的介電常數εf，可減少反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統300中，厚度方向Z中第1玻璃層301具有厚度dg，低介電層303具有厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。此處，低介電層303之厚度df不是第1玻璃層301與第2玻璃層302之距離，而是當作為第1玻璃層301與絕緣層305之間的距離來加以掌握。另外，於此實施形態中，低介電層303的整體厚度係與天線電路基板107上之厚度df相同。
第1玻璃層301從輕量化之觀點來看可減薄，厚度dg例如可為0.5～7mm左右，較佳可為0.7～5mm左右，更佳可為0.8～3mm左右。
第2玻璃層302之厚度dg’係可按照配備有第2玻璃層302的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm(例如1～20mm)左右，較佳可為1～15mm(例如3～13mm)左右，更佳可為1.5～10mm(例如4～10mm)左右。
設置接著層308時，接著層308只要能將天線電路基板107對於第2玻璃層進行接著，則可利用對於天線電路基板及玻璃具有接著性之眾所周知或慣用的接著性材料。又，作為接著層308，亦可利用在低介電層所利用之接著性材料。或者，從簡便化之觀點來看，308可為雙面膠帶等之感壓式黏著膠帶等。
於第2玻璃層302中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲的場所。
[第4實施形態] 圖4係用於說明第4實施形態的天線系統之製造方法之概略剖面圖。如圖4所示，第4實施形態之天線系統400具備：第1玻璃層401、具有比第1玻璃層401低的介電常數之低介電層403及天線電路基板107。另外，在與第1實施形態相同的構成要素，附上相同的符號，省略其說明。
第1玻璃層401與低介電層403係在厚度方向中具有鄰接的部分，且低介電層403與天線電路基板107係在厚度方向具有鄰接的部分。
於此實施形態中，黏附體409例如只要能固定天線電路基板107，則可舉出各式各樣的態樣，例如可為建築物的壁部或交通工具的側部等。又，黏附體409可為PEN薄膜、PET薄膜、丙烯酸薄膜等之可撓性材料。
於第4實施形態中，在高頻A入射到第1玻璃層401後，一部分會不到達天線電路基板107而以指定的反射率R進行反射，但藉由比第1玻璃層401的介電常數εg更減小低介電層403的介電常數εf可減少反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統400中，厚度方向Z中第1玻璃層401具有厚度dg，低介電層403具有厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。此處，低介電層403之厚度df係當作為第1玻璃層401與絕緣層105之間的距離來加以掌握。另外，於此實施形態中，低介電層403的整體厚度係與天線電路基板107上之厚度df相同。
第1玻璃層401從輕量化之觀點來看可減薄，厚度dg例如可為0.5～7mm左右，較佳可為0.7～5mm左右，更佳可為0.8～3mm左右。
再者，天線系統400可藉由各種固定黏接手段對於黏附體409附著。例如，可使用從側面包圍天線系統400的固定黏接手段408a及408b，使天線系統400附著於黏附體409。固定黏接手段408a及408b亦可為其它構件，也可為經一體化的構件。固定黏接手段可包含螺栓、螺釘、螺絲等。
除了固定黏接手段408a及408b之外，或代替固定黏接手段408a及408b，雖然未圖示，但可透過如圖3所示的接著層308般之接著層，接著天線電路基板107與黏附體409。
例如，接著層只要能將天線電路基板107對於黏附體409進行接著，則可利用對於天線電路基板及黏附體具有接著性之眾所周知或慣用的接著性材料。例如，從簡便化之觀點來看，接著層可為雙面膠帶等之感壓式黏著材料等。
於黏附體409中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲的場所。
[第5實施形態] 圖5係用於說明第5實施形態的天線系統之概略剖面圖。如圖5所示，第5實施形態之天線系統500具備：第1玻璃層501、具有比第1玻璃層501低的介電常數之第1低介電層503a、天線電路基板107、第2低介電層503b及與第1玻璃層501在厚度方向Z中相對配設之第2玻璃層502。另外，在與第5實施形態相同的構成要素，附上相同的符號，省略其說明。天線系統500例如可為藉由第1玻璃層501及第2玻璃層502形成層合玻璃，且由層合玻璃所成之窗玻璃等，也可為在第1玻璃層501及第2玻璃層502之內部，隔著第1低介電層503a及第2低介電層503b配設有天線電路基板107之狀態。
於第5實施形態中，天線電路基板107係在第1低介電層503a及第2低介電層503b之邊界埋設，藉由第1低介電層503a及第2低介電層503b來接著第1玻璃層501與第2玻璃層502，形成層合玻璃。
高頻A係在指定之頻率中具有波長λ，入射到第1玻璃層501後，一部分會不到達天線電路基板107而以指定的反射率R進行反射，但藉由使用第1低介電層503a，比第1玻璃層501的介電常數εg更減小第1低介電層503a的介電常數εf，可減少反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統500中，厚度方向Z中第1玻璃層501具有厚度dg，第1低介電層503a具有天線電路基板107上之厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。此處，第1低介電層503a之天線電路基板107上之厚度df係當作為第1玻璃層501與絕緣層105之間的距離來加以掌握。
又，第2低介電層503b具有高頻天線電路基板107下之厚度df’，第2低介電層503b之高頻天線電路基板107下之厚度df’，由於佔導電層106之面內的比例為一半以上，故可當作為第2玻璃層501與導電層106之間的距離來加以掌握。另外，所謂天線電路基板107下之厚度df’，可為對於天線電路基板，在與第1低介電層相反側所配設的低介電層之厚度。 又，第1及第2低介電層係一體化，低介電層的整體厚度為厚度da，可當作為第1玻璃層501與第2玻璃層502之間的距離來加以掌握。
第1玻璃層501之厚度dg係可按照配備有第1玻璃層501的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm左右，較佳可為1～15mm左右，更佳可為1.5～10mm左右。
關於第2玻璃層502之厚度dg’，亦可按照配備有第2玻璃層502的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm左右，較佳可為1～15mm左右，更佳可為1.5～10mm左右。
第1低介電層503a之厚度df及第2低介電層503b之厚度df’係可互相相同或相異。
於第1玻璃層501中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲的場所。
[第6實施形態] 圖6係用於說明第6實施形態的天線系統之概略剖面圖。如圖6所示，第6實施形態的天線系統600具備：第1玻璃層601、具有比第1玻璃層601低的介電常數之第1低介電層603a、天線電路基板107、第2低介電層603b及與第1玻璃層601在厚度方向Z中相對配設之第2玻璃層602。另外，在與第5實施形態相同的構成要素，附上相同的符號，省略其說明。天線系統600例如可為藉由第1玻璃層601及第2玻璃層602形成層合玻璃，且由層合玻璃所成之窗玻璃等，也可為在第1玻璃層601及第2玻璃層602之內部，隔著第1低介電層603a及第2低介電層603b配設有天線電路基板107之狀態。
於第6實施形態中，天線電路基板107係在厚的第1低介電層603a之中，與薄的第2低介電層603b一起埋設。第2低介電層603b係在不接觸天線電路基板及第2玻璃層之任一者的面中，與第1低介電層603a相接。第1低介電層603a及第2低介電層603b係整體形成低介電層603，藉由低介電層603接著第1玻璃層601與第2玻璃層602而形成層合玻璃。
高頻A係在指定之頻率中具有波長λ，入射到第1玻璃層601後，一部分會不到達天線電路基板107而以指定的反射率R進行反射，但藉由使用第1低介電層603a，比第1玻璃層601的介電常數εg更減小第1低介電層603a的介電常數εf，可減少反射率R，可提高到達天線電路基板107的高頻A之比例。
於天線系統600中，厚度方向Z中第1玻璃層601具有厚度dg，第1低介電層603a具有天線電路基板107上之厚度df，天線電路基板107中的絕緣層105具有厚度dp。 此處，第1低介電層603a之天線電路基板107上之厚度df，由於佔電路部分(電路層104)之面內的比例小於一半，故可當作為第1玻璃層601與絕緣層105之間的距離來加以掌握。
又，第2低介電層603b具有天線電路基板107下之厚度df’，第2低介電層603b之天線電路基板107下之厚度df’，由於佔導電層106之面內的比例為一半以上，故可當作為第2玻璃層602與導電層106之間的距離來加以掌握。
第1玻璃層601之厚度dg係可按照配備有第1玻璃層601的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm左右，較佳可為1～15mm左右，更佳可為1.5～10mm左右。
關於第2玻璃層602之厚度dg’，亦可按照配備有第2玻璃層602的物體之用途而適宜設定，例如可為0.5～20mm左右，較佳可為1～15mm左右，更佳可為1.5～10mm左右。
於第1低介電層603a之中，可埋設天線電路基板107及第2低介電層603b。此時，相較於第2低介電層603b之厚度df’，可使第1低介電層603a的天線電路基板107之上的厚度df成為充分厚。
圖6中，第1及第2低介電層的整體厚度da係當第1低介電層603a埋設天線電路基板107及第2低介電層603b時，在埋設前與埋設後具有實質上相同的厚度時，作為第1及第2低介電層的整體厚度da，可使用第1低介電層603a的薄膜之厚度。
於第1玻璃層601中，天線電路基板107係可按照用途，以所欲的大小配設於所欲的場所。
再者，於本發明中，亦包含一種積層體，其係用於上述之天線系統等，包含天線電路基板與鄰接於該天線電路基板之低介電層。 本發明之積層體只要包含天線電路基板與鄰接於該天線電路基板之低介電層即可。例如，作為積層體，可舉出將第1低介電層與天線電路基板依序積層之積層體、將第1低介電層與天線電路基板與第2低介電層依此順序積層之積層體等。前述積層體係可對於此等積層體，進一步形成保護層等之第3層。 前述積層體係可與玻璃等之黏附體組合，形成天線系統。例如，如此的積層體係可構成上述第1～第6實施形態中記載的天線系統之一部分。
以下，說明各構成構件，惟此等只不過是一例，在可達成本發明之效果的範圍內，可包含各式各樣的態樣。
(第1及第2玻璃層) 作為第1及第2玻璃層，只要在使高頻穿透後，可透過低介電層使高頻到達天線電路基板，則其形狀係沒有特別的限定，例如可舉出平面狀、曲面狀等之面狀玻璃。
又，第1及第2玻璃層之材質只要是一般窗玻璃等所用之材質，則沒有特別的限定，可為各式各樣的透光性之透明或半透明有機玻璃構件(例如丙烯酸構件、聚碳酸酯構件等)，但較佳從耐候性及透明性之觀點來看，可舉出鈉鈣石灰玻璃、硼酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、石英玻璃等之無機玻璃構件。根據鹼成分之分類，可舉出無鹼玻璃、低鹼玻璃。上述玻璃構件的鹼金屬成分(例如Na2 O、K2 O、Li2 O)之含量較佳為15重量%以下，更佳為10重量%以下。
此等玻璃層之成形方法係可按照玻璃的形狀或材質，採用任意的適當方法。代表性的是上述玻璃構件係將包含二氧化矽或氧化鋁等之主原料與芒硝或氧化銻等之消泡劑與碳等之還原劑之混合物，在1400℃～1600℃之溫度下熔融，成形為薄板狀後，冷卻而製作。作為上述玻璃構件的薄板成形方法，例如可舉出流孔下拉法、熔融法、浮法等。藉由此等之方法成形為板狀等之特定形狀的玻璃，係可按照需要，進行薄板化，或藉由防眩處理等將凹凸形狀賦予至表面。又，為了提高平滑性，亦可藉由氫氟酸等之溶劑進行化學研磨。
第1及第2玻璃層例如可為交通工具用窗玻璃(例如車輛、鐵路、飛機、船等之交通工具用窗玻璃)，也可為建築物用窗玻璃。
又，亦可對於第1玻璃層，組合第2玻璃層，在其間配設天線電路基板。第2玻璃層一般而言為與第1玻璃層在厚度方向中相對配設之玻璃構件，第2玻璃層可與第1玻璃層為相同材質或不同材質。
第1及第2玻璃層可包含著色區域，也可在該著色區域內配置天線電路基板中的天線電路。第1及/或第2玻璃層之著色區域，係尤其在如窗玻璃或交通工具用玻璃等之需要視覺辨認性的情況，可部分(例如端部區域等)地具有。
(低介電層) 低介電層具有比第1玻璃層低的介電常數，具有使從第1玻璃層所入射的高頻到達天線電路基板之作用。低介電層係在相同頻率下比較時，具有比第1玻璃層小的介電常數。 較佳的是低介電層的介電常數εf係相對於第1玻璃層的介電常數εg，以下述式(I)之範圍存在為宜。
Figure 02_image001
作為具體的值，例如在頻率28GHz下，相對於第1玻璃層的介電常數εg，低介電層的介電常數εf例如可為εg-5～εg-0.1，較佳可為εg-4.5～εg-0.5，更佳可為εg-4～εg-1.5。
另外，介電特性(介電常數及介電正切)之測定，係可使用KEYCOM股份有限公司製法布里-珀羅(Fabry Perot)共振器(Model No. DPS03)，在28GHz(25℃)下依照JIS R 1660-2進行測定。該測定方法係在平面中的一方向及正交於其的方向之兩方(X-Y方向)上，可非常高精度地測定，即使為tanδ 低之物也可高精度地測定。
於一態樣中，例如在頻率28GHz下，第1玻璃層的介電常數εg可為5.5～7.5，較佳可為5.8～7.3，更佳可為6.0～7.0，低介電層的介電常數εf例如可為2.0～4.0，較佳可為2.2～3.5，更佳可為2.4～3.0。
於一態樣中，例如在頻率28GHz下，第1玻璃層之介電正切tanδ g可為0.05以下，較佳可為0.03以下，更佳可為0.02以下，低介電層之介電正切tanδ f例如可為0.05以下，較佳可為0.03以下，更佳可為0.01以下。
於一態樣中，低介電層之厚度(df：單位mm)係相對於高頻之波長λ(範圍：1～100mm)，可為λ/4×n-0.050～λ/4×n+0.050之範圍，較佳可為λ/4×n-0.030～λ/4×n+0.030之範圍，更佳可為λ/4×n-0.025～λ/4×n+0.025之範圍，特佳可為λ/4×n-0.010～λ/4×n+0.010之範圍。此處，n為整數(例如1～10之整數)。
於一態樣中，低介電層之厚度(df：單位mm)可按照高頻之波長(λ)及低介電層之介電常數εf而適宜變更，較佳為滿足下述式(II)～(II’’)之任一者的範圍。此處，n為整數(例如1～10之整數)。
Figure 02_image003
更佳可為滿足下述式(II’)之範圍：
Figure 02_image005
更佳可為滿足下述式(II’’)之範圍：
Figure 02_image007
於一態樣中，低介電層之天線電路基板上之厚度(df：單位mm)，係可按照高頻之波長(λ)及低介電層之介電常數而適宜變更，較佳為滿足下述式(III)～(III’’)之任一者的範圍。此處，n為整數(例如1～10之整數)。
Figure 02_image009
更佳為滿足下述式(III’)之範圍：
Figure 02_image011
更佳為滿足下述式(III’’)之範圍：
Figure 02_image013
於一態樣中，低介電層之厚度df可從1μm～20.0mm左右之寬廣範圍中選擇，從抑制反射率之觀點來看，例如可為0.1～20.0mm左右，較佳可為0.1～10.0mm左右，更佳可為0.15～2.0mm左右。
又，低介電層之厚度df係在用於層合玻璃時等，可為較厚的範圍，此時，低介電層之厚度df例如可超過0.37mm，較佳可為0.50mm以上，更佳可為0.75mm以上，且較佳可為2.5mm以下，更佳可為2.28mm以下，尤佳可為1.6mm以下，尤更佳可為0.85mm以下。
另一方面，按照用途，低介電層可為較薄，例如低介電層之厚度df係例如可為370μm以下，更佳可為300μm以下，尤佳可為200μm以下，尤更佳可為100μm以下，特佳可為60μm以下，更特佳可為小於50μm，尤特佳可為45μm以下，最佳可為40μm以下。又，較佳可為1μm以上，更佳可為5μm以上，尤佳可為10μm以上，尤更佳可為20μm以上。
當第1低介電層與第2低介電層分別鄰接於天線電路基板之兩面時，第1低介電層之厚度df及第2低介電層之厚度df’係可兩者皆為較厚的範圍，也可兩者皆為較薄的範圍，亦可一者為較厚，另一者為較薄的範圍。
又，於一態樣中，當第1低介電層與第2低介電層分別鄰接於天線電路基板之兩面時，按照天線系統之態樣或用途，各低介電層之厚度及面方向的大小可各自相同，也可互相不同。相對於低介電層之一者，另一者為極薄時，例如厚的低介電層與薄的低介電層之厚度比(df/df’  其中df＞df’)可為3/1～30/1，較佳可為4/1～20/1。具有如此的厚度比時，例如形成在厚的低介電層之內部配設有天線電路基板之層合玻璃時，可不為了填埋階差而挖出層合玻璃用中間膜或不使用填埋階差用的間隔物，而製作層合玻璃。
可按照用途或電路基板之厚度而適宜設定，但例如第1及第2低介電層進行一體化時，低介電層的整體厚度da可為0.1～40mm左右，較佳可為0.5～30mm左右，更佳可為1.0～25mm左右。
低介電層只要具有指定的介電常數，同時可鄰接於第1玻璃層，則沒有特別的限定，例如可由具有指定的介電常數之熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂所形成。此處，所謂鄰接，就是意指在對象物之鄰接面中密接，或與前述密接的情況相比，以將高頻之入射率保持在同程度(例如密接時的入射率±10%左右之範圍)之範圍接近者。
為了使第1玻璃層與低介電層之界面及低介電層與天線電路基板之界面可簡便地密著，較佳為低介電層本身為具有接著性的接著性低介電層。低介電層係對於第1玻璃層可具有接著性，也可對於天線電路基板具有接著性，較佳為對於雙方具有接著性。
當低介電層具有熱熔接性時，可使低介電層材料熔融，透過低介電層材料使天線電路基板與第1玻璃熔接。或者，當低介電層材料溶解於溶劑中而成的溶液具有接著性時，可將低介電層材料溶液塗布於第1玻璃及/或天線電路基板之接合面，透過低介電層材料接著天線電路基板與第1玻璃。 另外，於熔接或接著(以下稱為熔接等)時，從預防空氣混合之觀點來看，較佳為在脫氣下及/或減壓下進行。脫氣係可藉由從接合界面物理性地擠出空氣而進行。 熔接等係可藉由預備地進行熔接等而進行天線電路基板之定位後，在脫氣下及/或減壓下使天線電路基板與第1玻璃熔接等。
作為接著性低介電層，例如可舉出對於玻璃材料具有良好的親和性之聚乙烯縮醛樹脂、烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂、離子聚合物樹脂、丙烯酸系樹脂等。接著性低介電層可藉由加熱壓接進行接著時，於該接著時可抑制電路的斷線或變形發生，同時即使玻璃基材為汽車用前玻璃等之曲面玻璃，也能追隨而可抑制發泡或剝離。再者，作為如在玻璃基材之間埋設高頻天線電路基板之方式的層合玻璃，形成天線系統時，由於可在層合玻璃的一般製作條件下積層，故可省略多餘的步驟。
(聚乙烯縮醛樹脂) 作為聚乙烯縮醛樹脂，例如可舉出藉由聚乙烯醇或乙烯醇共聚物等之乙烯醇系樹脂的縮醛化而製造的聚乙烯縮醛樹脂。 低介電層含有聚乙烯縮醛樹脂時，可包含1種類的聚乙烯縮醛樹脂，可包含黏度平均聚合度、縮醛化度、乙醯基量、羥基量、乙烯含量、用於縮醛化的醛之分子量及鏈長之中任1個以上各自不同的2個以上之聚乙烯縮醛樹脂。聚乙烯縮醛樹脂包含不同的2個以上之聚乙烯縮醛樹脂時，從熔融成形的容易性之觀點等來看，較佳為黏度平均聚合度、縮醛化度、乙醯基量、羥基量之中任1個以上各自不同的2個以上之聚乙烯縮醛樹脂之混合物。
本發明所用之聚乙烯縮醛樹脂係可藉由眾所周知或慣用之方法獲得，例如對於聚乙烯醇或乙烯醇共聚物之水溶液，添加醛(或酮化合物)及酸觸媒，進行縮醛化反應。接著，將反應液按照需要地過濾後，添加鹼等之中和劑進行中和，藉由將樹脂過濾、水洗及乾燥，可得到聚乙烯縮醛樹脂。
聚乙烯醇係可將聚合乙烯酯化合物而得之聚乙烯酯予以皂化而獲得，乙烯醇共聚物係可將乙烯酯化合物與其它單體之共聚物予以皂化而獲得。
作為乙烯酯化合物，例如可舉出乙酸乙烯酯、乙酸1-丙烯酯、乙酸1-甲基乙烯酯、乙酸1-丁烯酯、乙酸2-甲基-1-丙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、新戊酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、己酸乙烯酯、辛酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、十二酸乙烯酯、十六酸乙烯酯、十八酸乙烯酯等之脂肪族羧酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等之芳香族羧酸乙烯酯等。此等乙烯酯化合物係可單獨或組合使用。於此等乙烯酯化合物之中，從生產性之觀點來看，較佳為乙酸乙烯酯。
作為其它單體，例如可舉出乙烯、丙烯、正丁烯、異丁烯等之α-烯烴；丙烯酸及其鹽；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯等之丙烯酸酯類；甲基丙烯酸及其鹽；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸十二酯、甲基丙烯酸十八酯等之甲基丙烯酸酯類；丙烯醯胺；N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、丙烯醯胺丙烷磺酸及其鹽、丙烯醯胺丙基二甲基胺及其鹽或其四級鹽、N-羥甲基丙烯醯胺及其衍生物等之丙烯醯胺衍生物；甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺丙烷磺酸及其鹽、甲基丙烯醯胺丙基二甲基胺及其鹽或其四級鹽、N-羥甲基甲基丙烯醯胺及其衍生物等之甲基丙烯醯胺衍生物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、十二基乙烯基醚、硬脂基乙烯基醚等之乙烯基醚類；丙烯腈、甲基丙烯腈等之腈類；氯乙烯、氟乙烯等之鹵乙烯類；偏二氯乙烯、偏二氟乙烯等之偏二鹵乙烯類；乙酸烯丙酯、烯丙氯等之烯丙基化合物；馬來酸、伊康酸、富馬酸等之不飽和二羧酸及其鹽、其酯或其酐；乙烯基三甲氧基矽烷等之乙烯基矽基化合物等。其它單體係可單獨或二種以上組合使用。其中，其它單體較佳為乙烯。
用於縮醛化反應的酸觸媒係沒有特別的限定，可使用有機酸及無機酸之任一者，例如可舉出乙酸、對甲苯磺酸、硝酸、硫酸及鹽酸等。其中，從酸之強度及洗淨時的去除容易度之觀點來看，較佳為鹽酸、硫酸及硝酸。
聚乙烯縮醛樹脂之製造中使用的醛(或酮化合物)較佳為具有1～10個碳原子的直鏈狀、分支狀或環狀，更佳為直鏈狀或分支狀。藉此，造成相應的直鏈狀或分支狀之縮醛側鏈。又，本發明中使用的聚乙烯縮醛樹脂，係可藉由複數的醛(或酮化合物)之混合物，將聚乙烯醇或乙烯醇共聚物縮醛化而得。聚乙烯醇或乙烯醇共聚物可由僅任一者所構成，也可為聚乙烯醇及乙烯醇共聚物之混合物。
作為醛，例如可舉出甲醛、乙醛、丙醛、正丁醛、異丁醛、戊醛、異戊醛、正己醛、2-乙基丁醛、正庚醛、正辛醛、2-乙基己醛、正壬醛、正癸醛、苯甲醛、肉桂醛等之脂肪族、芳香族、脂環式醛。其中，碳原子數為2～6的脂肪族非分支之醛較宜，從容易得到具有合適的斷裂能量之聚乙烯縮醛樹脂之觀點來看，特佳為正丁醛。此等之醛可單獨或二種以上組合使用。再者，可以全部醛的20質量%以下之範圍，併用多官能醛或具有其它官能基的醛等。使用正丁醛時，用於縮醛化的醛中之正丁醛之含量較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上，尤佳為95質量%以上，特佳為99質量%以上，亦可為100質量%。
成為聚乙烯縮醛樹脂之原料的聚乙烯醇之黏度平均聚合度較佳為100以上，更佳為300以上，更佳為400以上，尤佳為600以上，特佳為700以上，最佳為750以上。另外，使用含有較多可塑劑(例如20質量份以上)之聚乙烯縮醛樹脂組成物時，成為聚乙烯縮醛樹脂之原料的聚乙烯醇之黏度平均聚合度較佳為500以上，更佳為900以上，更佳為1000以上，尤佳為1200以上，特佳為1500以上，最佳為1600以上。 又，聚乙烯醇之黏度平均聚合度較佳為5000以下，更佳為3000以下，尤佳為2500以下，特佳為2300以下，最佳為2000以下。 聚乙烯醇之黏度平均聚合度例如可根據JIS K 6726「聚乙烯醇試驗方法」進行測定。
通常，聚乙烯縮醛樹脂之黏度平均聚合度，為了與成為原料的聚乙烯醇之黏度平均聚合度成一致，上述聚乙烯醇的較佳黏度平均聚合度係與聚乙烯縮醛樹脂的較佳黏度平均聚合度成一致。低介電層包含2個以上不同的聚乙烯縮醛樹脂時，至少1個聚乙烯縮醛樹脂之黏度平均聚合度較佳為前述下限值以上且前述上限值以下。
構成低介電層的聚乙烯縮醛樹脂中之乙醯基量，以聚乙烯縮醛主鏈的乙烯單元為基準，較佳可為0.01～20質量%，更佳可為0.05～10質量%，尤佳可為0.1～5質量%。聚乙烯縮醛樹脂的乙醯基量係可藉由適宜調整原料的聚乙烯醇或乙烯醇共聚物之皂化度而調整。低介電層包含2個以上不同的聚乙烯縮醛樹脂時，至少1個聚乙烯縮醛樹脂之乙醯基量較佳為上述範圍內。
本發明所用之聚乙烯縮醛樹脂的縮醛化度係沒有特別的限定，但較佳為40～86莫耳%，更佳為45～82莫耳%，尤佳為50～78莫耳%，特佳為60～74莫耳%，最佳為68～74莫耳%。藉由適宜調整將聚乙烯醇樹脂縮醛化時的醛之使用量，可將聚乙烯縮醛樹脂的縮醛化度調整至前述範圍內。若縮醛化度為前述範圍內，則聚乙烯縮醛樹脂與可塑劑之相溶性不易降低。低介電層包含2個以上不同的聚乙烯縮醛樹脂時，至少1個聚乙烯縮醛樹脂之縮醛化度較佳為上述範圍內。
聚乙烯縮醛樹脂之羥基量係以聚乙烯縮醛主鏈的乙烯單元為基準，較佳為6～26質量%，更佳為12～24質量%，更佳為15～22質量%，特佳為18～21質量%。藉由調整將聚乙烯醇樹脂縮醛化時的醛之使用量，可將羥基量調整至前述範圍內。低介電層包含2個以上不同的聚乙烯縮醛樹脂時，至少1個聚乙烯縮醛樹脂之羥基量較佳為上述範圍內。
聚乙烯縮醛樹脂通常由縮醛基單元、羥基單元及乙醯基單元所構成，此等各單元量例如可藉由JISK 6728「聚乙烯縮丁醛試驗方法」或核磁共振法(NMR)測定。又，聚乙烯縮醛樹脂包含縮醛基單元以外的單元時，可測定羥基之單元量與乙醯基之單元量，從不含縮醛基單元以外的單元之情況的縮醛基單元量中扣除此等之兩單元量，算出剩餘的縮醛基單元量。
從容易得到良好的製膜性之觀點來看，低介電層較佳包含未交聯的聚乙烯縮醛，但亦可包含經交聯的聚乙烯縮醛。例如，作為交聯方法，聚乙烯縮醛可藉由含羧基的聚乙烯縮醛所致的熱自我交聯、聚醛、乙醛酸等所致的分子間交聯而交聯。
聚乙烯縮醛樹脂之黏度係可按照所用的種類而適宜設定，但例如作為薄的低介電層形成時，使用布魯菲爾德型(Brookfield)型(B型)黏度計，在20℃、30rpm下所測定的濃度10質量%之甲苯/乙醇=1/1(質量比)溶液之黏度可為100～1000mPa・s，較佳可為120～800mPa・s，更佳可為150～600mPa・s，尤佳可為180～500mPa・s，特佳可為200～400mPa・s。藉由使用具有上述範圍之黏度的聚乙烯縮醛樹脂，加熱壓接而使其接著於玻璃基材時，可容易使其加熱溫度或加熱時間成為所欲之範圍，不易殘留聚乙烯縮醛樹脂的未熔融部。又，即使天線系統暴露於高溫下也可抑制天線電路基板之配置偏移。藉由使用或併用將黏度平均聚合度高或低的聚乙烯醇系樹脂用作為原料或原料之一部分而製造的聚乙烯縮醛樹脂，可調整聚乙烯縮醛樹脂之黏度。當用於構成低介電層的聚乙烯縮醛樹脂為由複數的樹脂之混合物所成時，前述黏度為如此的混合物之黏度。
再者，聚乙烯縮醛樹脂係視需要可組合眾所周知或慣用的可塑劑。作為可塑劑，例如可舉出以下之可塑劑。此等可塑劑係可以單獨或二種以上組合使用。例如，能作成以可塑劑與聚乙烯縮醛樹脂所構成的可塑化聚乙烯縮醛樹脂組成物，而形成低介電層。
作為可塑劑，例如可利用以下所示者。 ・多元的脂肪族或芳香族酸之酯。例如，可舉出己二酸二烷基酯(例如己二酸二己酯、己二酸二-2-乙基丁酯、己二酸二辛酯、己二酸二-2-乙基己酯、己二酸己基環己酯、己二酸庚酯與己二酸壬酯之混合物、己二酸二異壬酯、己二酸庚基壬酯)；己二酸與包含脂環式酯醇或醚化合物的醇之酯(例如己二酸二(丁氧基乙基)酯、己二酸二(丁氧基乙氧基乙基)酯)；癸二酸二烷基酯(例如癸二酸二丁酯)；癸二酸與包含脂環式或醚化合物的醇之酯；鄰苯二甲酸之酯(例如鄰苯二甲酸丁基苄酯、鄰苯二甲酸雙-2-丁氧基乙酯)；及脂環式多元羧酸與脂肪族醇之酯(例如1,2-環己烷二甲酸二異壬酯)。 ・多元的脂肪族或芳香族醇或具有1個以上脂肪族或芳香族取代基的寡聚醚二醇之酯或醚。例如，可舉出甘油、二甘醇、三甘醇、四甘醇等與線狀或分支狀的脂肪族或脂環式羧酸之酯。具體而言，可舉出二乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)、三乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)、三乙二醇-雙-(2-乙基丁酸酯)、四乙二醇-雙-正庚酸酯、三乙二醇-雙-正庚酸酯、三乙二醇-雙-正己酸酯、四乙二醇二甲基醚及二丙二醇苯甲酸酯。 ・脂肪族或芳香族的酯醇之磷酸酯。例如，可舉出磷酸參(2-乙基己基)酯(TOF)、磷酸三乙酯、磷酸二苯基-2-乙基己酯及磷酸三甲苯酯。 ・檸檬酸、琥珀酸及/或富馬酸之酯。
又，亦可使用由多元醇與多元羧酸所成之聚酯或寡聚酯、此等之末端酯化物或醚化物、由內酯或羥基羧酸所成之聚酯或寡聚酯、或此等之末端酯化物或醚化物等作為可塑劑。
相對於聚乙烯縮醛樹脂與可塑劑之總量，可塑劑之含量例如可為0～40質量%，較佳可為0～30質量%，更佳可為0～15質量%，尤佳可為0～10質量%，尤更佳可為0～5質量%。 較佳的聚乙烯縮醛樹脂例如係由KURARAY股份有限公司以「Mowital(商標)」等而販售中，聚乙烯縮醛樹脂製薄膜例如係由KURARAY股份有限公司以「Trosifol(商標)」等而販售中。
或者，於使以聚乙烯縮醛樹脂構成的低介電層接著至黏附體時，對於以聚乙烯縮醛樹脂構成的薄膜等，進一步塗布可塑劑，可藉由可塑劑來增強聚乙烯縮醛樹脂之接著性。作為如此的可塑劑，可使用上述的可塑劑，由於可提高低介電層的接著性，較佳為三乙二醇-雙-(2-乙基丁酸酯)、三乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)、己二酸二己酯、癸二酸二丁酯、己二酸二(丁氧基乙基)酯、己二酸二(丁氧基乙氧基乙基)酯，更佳為三乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)、己二酸二(丁氧基乙基)酯、己二酸二(丁氧基乙氧基乙基)酯，特佳為己二酸二(丁氧基乙基)酯、己二酸二(丁氧基乙氧基乙基)酯。
(烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂) 烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂只要具有比第1玻璃層低的介電常數，則沒有特別的限定，作為烯烴，例如可舉出乙烯、丙烯、正丁烯、異丁烯、丁二烯、異戊二烯等，作為羧酸乙烯酯，可舉出聚乙烯縮醛樹脂之項目中例示的乙烯酯化合物。於此等之中，使用乙烯作為烯烴且使用乙酸乙烯酯作為羧酸乙烯酯化合物之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂，由於可控制介電常數，同時接著性良好而較宜。
烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂只要可將介電常數控制在指定範圍，則亦可進一步共聚合作為第三成分的單體。作為第三成分的單體，可舉出聚乙烯縮醛樹脂之項目中記載的丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、丙烯醯胺及其衍生物、甲基丙烯醯胺及其衍生物、乙烯基醚類、腈類、鹵乙烯類、偏二鹵乙烯類、烯丙基化合物、不飽和羧酸及其衍生物、乙烯基矽基化合物等。此等之單體係可單獨或二種以上組合使用。使此等其它單體共聚合時，通常相對於羧酸乙烯酯化合物，較佳為以小於10莫耳%之比例使用該等其它單體。
於烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂中，從強度的觀點來看，相對於烯烴單元與羧酸乙烯酯單元之合計，羧酸乙烯酯單元之比率例如較佳為小於50莫耳%，更佳為30莫耳%以下，尤佳為20莫耳%以下，特佳為15莫耳%以下。羧酸乙烯酯之下限值係沒有特別的限定，例如可為5莫耳%左右。 較佳的烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂，例如作為乙烯乙酸乙烯酯，由東曹股份有限公司以「Melthene(商標)」等而販售中。
(離子聚合物樹脂) 作為離子聚合物樹脂，並沒有特別的限定，但可舉出具有乙烯等源自烯烴的構成單元及源自α,β-不飽和羧酸的構成單元，且α,β-不飽和羧酸的至少一部分經金屬離子所中和之熱塑性樹脂。作為金屬離子，例如可舉出鈉離子等之鹼金屬離子；鎂離子等之鹼土類金屬離子；鋅離子等。
於藉由金屬離子進行中和前的乙烯-α,β-不飽和羧酸共聚物中，α,β-不飽和羧酸的構成單元之含量係以該乙烯-α,β-不飽和羧酸共聚物之質量為基礎，較佳為2質量%以上，更佳為5質量%以上。又，α,β-不飽和羧酸的構成單元之含量較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。
作為離子聚合物樹脂所具有之源自α,β-不飽和羧酸的構成單元，例如可舉出源自丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、馬來酸單甲酯、馬來酸單乙酯、馬來酸酐的構成單元等，其中特佳為源自丙烯酸或甲基丙烯酸的構成單元。
作為上述離子聚合物樹脂，從取得容易性之觀點來看，更佳為乙烯-丙烯酸共聚物之離子聚合物及乙烯-甲基丙烯酸共聚物之離子聚合物，特佳為乙烯-丙烯酸共聚物之鋅離子聚合物、乙烯-丙烯酸共聚物之鈉離子聚合物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物之鋅離子聚合物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物之鈉離子聚合物。離子聚合物樹脂可單獨或二種以上組合使用。 較佳的離子聚合物樹脂製之薄膜，例如由KURARAY股份有限公司以「Sentry Glass(商標)」等而販售中。
(丙烯酸系樹脂) 丙烯酸系樹脂較佳為由丙烯酸酯系單體及/或甲基丙烯酸酯系單體所得之聚合物，作為該單體，可舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯等之丙烯酸烷基酯；丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸2-羥基乙酯等之改質丙烯酸酯；乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯等之多官能丙烯酸酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯等之甲基丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯等之改質甲基丙烯酸酯；乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯等之多官能甲基丙烯酸酯等。此等單體可單獨或組合2種以上使用。
又，丙烯酸酯系單體及/或甲基丙烯酸酯系單體、與丙烯酸、甲基丙烯酸等之不飽和羧酸；N,N-二甲基丙烯醯胺等之丙烯醯胺類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯基化合物等之共聚物亦可適用作為丙烯酸系樹脂。
作為較佳的丙烯酸系樹脂，就液狀注入型樹脂而言，由新光玻璃工業股份有限公司以「SSS樹脂」等而販售中。
低介電層係視需要可包含眾所周知或慣用的添加劑。作為添加劑，例如可舉出溶劑、可塑劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、接著調整劑、增白劑或螢光增白劑、安定劑、色素、加工助劑、有機或無機奈米粒子、煅燒矽酸及表面活性劑等。添加劑可單獨或二種以上組合使用。
(天線電路基板) 天線電路基板包含至少1個電路層與至少1個高頻絕緣層，其形態係沒有特別的限定，可藉由眾所周知或慣用之手段，作為各種高頻電路基板使用。
本發明亦包含天線電路基板，本發明之天線電路基板係源自高頻絕緣層之高頻特性，可用於本發明之天線系統中。
電路層例如係至少由具有導電性的金屬所形成，可使用眾所周知之電路加工方法來形成電路。作為形成電路層之導體，可為具有導電性的各種金屬，例如金、銀、銅、鐵、鎳、鋁或此等之合金金屬等。
又，天線電路基板係除了電路層以外，亦可包含接地層等之導體層。導體層可由具有導電性的各種金屬，例如由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁或此等之合金金屬等所構成。構成電路層與導體層之導體係可相同，也可相異。
天線電路基板可用於各種傳送線路，例如同軸線路、帶狀線路、微帶狀線路、共平面線路、平行線路等之眾所周知或慣用的傳送線路，也可用於天線(例如微波或毫米波用天線)。又，電路基板可用於天線與傳送線路所一體化之天線裝置。
作為天線構造，只要有使用高頻絕緣層，則具有眾所周知或慣用的構造即可，例如可舉出導波管槽孔天線、號角天線、透鏡天線、晶片天線、圖案天線、印刷天線、三板天線、微帶狀天線、貼片天線等之利用毫米波或微波之天線等。天線電路基板(或半導體元件安裝基板)可用於各種感測器，尤其是車載雷達。
天線電路基板可為具有複數的電路層及/或導體層之多層電路基板。又，天線電路基板亦可為搭載有半導體元件(例如IC晶片)之電路基板(或半導體元件安裝基板)。
高頻天線電路基板係可對應於每秒10 gigabit(十億位元)以上的數據傳送速度。例如，高頻天線電路基板可為對應於5G及下一世代的電路基板。
(高頻絕緣層) 天線電路基板具備高頻絕緣層。所謂高頻絕緣層，只要是能減低高頻電路中的電訊號之傳送損失的絕緣層，則沒有特別的限定，例如可舉出以熱塑性液晶聚合物(LCP)、聚醯亞胺(PI)(尤其改質聚醯亞胺(MPI))、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)等之耐熱性樹脂所構成的絕緣層。其中，以聚醯亞胺所構成的絕緣層，係耐熱性優異，同時耐化學性亦優異而較宜採用。又，於介電特性優異之點上，較宜採用熱塑性液晶聚合物。
例如，絕緣層可由熱塑性液晶聚合物薄膜或聚醯亞胺薄膜所形成，此時，可對於熱塑性液晶聚合物薄膜或聚醯亞胺薄膜，配設電路層等而得到天線電路基板。
高頻絕緣層之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電常數εp例如在頻率28GHz下，可為2.0～4.0，較佳可為2.2～3.5，更佳可為2.4～3.0。 又，低介電層的介電常數εf與高頻絕緣層的介電常數εp可為εf/εp=30/70～60/40，較佳可為35/65～60/40，更佳可為38/62～55/45。
高頻絕緣層之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電正切tanδ p例如在頻率28GHz下，可為0.010以下，較佳可為0.005以下，更佳可為0.003以下。此處，介電特性係藉由前述方法所測定之值。
從耐熱性優異之觀點來看，較佳為以聚醯亞胺所構成的絕緣層(以下，亦稱為聚醯亞胺絕緣層)。聚醯亞胺只要是在結構單元中具有醯亞胺基之聚合物，則沒有特別的限定，例如可舉出聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醯亞胺酯、聚醚醯亞胺、聚矽氧烷醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂。
聚醯亞胺係可藉由使前驅物的聚醯胺酸進行醯亞胺化(硬化)而形成。聚醯胺酸係可使眾所周知的二胺與四羧酸(包含其酸酐)在溶劑之存在下反應而合成。作為二胺，可使用芳香族二胺、脂肪族二胺、脂環式二胺等，從耐熱性之觀點來看，較佳為芳香族二胺。作為芳香族二胺，例如可舉出4,4’-二胺基二苯基醚、2’-甲氧基-4,4’-二胺基苯甲醯苯胺、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基苯甲醯苯胺、5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并
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唑等。又，作為四羧酸，可使用芳香族四羧酸、脂肪族四羧酸、脂環式四羧酸、此等之酸酐等，從耐熱性之觀點來看，較佳為芳香族四羧酸酐。作為芳香族四羧酸酐，例如可舉出苯均四酸酐、3,3’,4,4’-聯苯基四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四甲酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸酐等。此等二胺、四羧酸可各自單獨或二種以上組合使用。
聚醯亞胺絕緣層所用的聚醯亞胺薄膜，例如可藉由將使二胺與四羧酸反應而得的聚醯胺酸(聚醯亞胺前驅物)之溶液，塗布於支撐體，乾燥而得到聚醯胺酸薄膜後，進行熱處理而使硬化(醯亞胺化)來製造。聚醯胺酸溶液之塗布例如可使用旋轉塗布、缺角輪塗布、網版印刷法、狹縫塗布、輥塗、刀塗、浸漬塗布、模塗等之眾所周知的塗布方法。
於聚醯亞胺薄膜中，在不損害本發明的效果之範圍內，亦可添加各種添加劑、填充劑等。
作為聚醯亞胺薄膜，例如由東麗-杜邦股份有限公司製之Kepton EN、Kepton H、Kepton V(皆商品名)、KANEKA股份有限公司製之Apical NPI(商品名)、宇部興產股份有限公司製之Upilex S(商品名)等而販售中。
從介電特性優異之觀點來看，較佳為以熱塑性液晶聚合物所構成的絕緣層(以下，亦稱為熱塑性液晶聚合物絕緣層)。熱塑性液晶聚合物絕緣層所用的熱塑性液晶聚合物薄膜係由能熔融成形的液晶性聚合物所形成。此熱塑性液晶聚合物只要是能形成光學異向性的熔融相之聚合物，能熔融成形之液晶性聚合物，則其化學構成係沒有特別的限定，例如可舉出熱塑性液晶聚酯或在其中導入有醯胺鍵之熱塑性液晶聚酯醯胺等。
又，熱塑性液晶聚合物可為在芳香族聚酯或芳香族聚酯醯胺中，進一步導入有醯亞胺鍵、碳酸酯鍵、碳二亞胺鍵或異三聚氰酸酯鍵等之源自異氰酸酯的鍵等之聚合物。
作為本發明所用的熱塑性液晶聚合物之具體例，可舉出由以下例示的(1)至(4)所分類的化合物及其衍生物所導出的眾所周知之熱塑性液晶聚酯及熱塑性液晶聚酯醯胺。惟，為了形成能形成光學異向性的熔融相之聚合物，當然在各種的原料化合物之組合中有適當的範圍。
(1)芳香族或脂肪族二羥基化合物(代表例參照表1) [表1]
Figure 02_image015
(2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例參照表2) [表2]
Figure 02_image017
(3)芳香族羥基羧酸(代表例參照表3) [表3]
Figure 02_image019
(4)芳香族二胺、芳香族羥基胺或芳香族胺基羧酸(代表例參照表4) [表4]
Figure 02_image021
作為由此等之原料化合物所得的熱塑性液晶聚合物之代表例，可舉出具有表5及6所示的結構單元之共聚物。
[表5]
Figure 02_image023
[表6]
Figure 02_image025
於此等之共聚物之中，較佳為至少包含對羥基苯甲酸及/或6-羥基-2-萘甲酸作為重複單元之聚合物，特佳為(i)包含對羥基苯甲酸與6-羥基-2-萘甲酸的重複單元之聚合物，或(ii)包含選自包含對羥基苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸之群組中的至少一種芳香族羥基羧酸、至少一種芳香族二醇及/或芳香族羥基胺與至少一種芳香族二羧酸的重複單元之共聚物。
例如，於(i)之聚合物中，當熱塑性液晶聚合物至少包含對羥基苯甲酸與6-羥基-2-萘甲酸的重複單元時，重複單元(A)的對羥基苯甲酸與重複單元(B)的6-羥基-2-萘甲酸之莫耳比(A)/(B)係在熱塑性液晶聚合物中，宜為(A)/(B)=10/90～90/10左右，更佳可為(A)/(B)=15/85～85/15左右，尤佳可為(A)/(B)=20/80～80/20左右。
又，於(ii)之聚合物的情況，選自包含對羥基苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸之群組的至少一種芳香族羥基羧酸(C)，與選自包含4,4’-二羥基聯苯、氫醌、苯基氫醌及4,4’-二羥基二苯基醚之群組的至少一種芳香族二醇(D)，與選自包含對苯二甲酸、間苯二甲酸及2,6-萘二甲酸之群組中的至少一種芳香族二羧酸(E)，在熱塑性液晶聚合物中的各重複單元之莫耳比，可為芳香族羥基羧酸(C)：前述芳香族二醇(D)：前述芳香族二羧酸(E)=(30～80)：(35～10)：(35～10)左右，更佳可為(C)：(D)：(E)=(35～75)：(32.5～12.5)：(32.5～12.5)左右，尤佳可為(C)：(D)：(E)=(40～70)：(30～15)：(30～15)左右。
又，於芳香族羥基羧酸(C)之中，源自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元之莫耳比率，例如可為85莫耳%以上，較佳可為90莫耳%以上，更佳可為95莫耳%以上。於芳香族二羧酸(E)之中，源自2,6-萘二甲酸的重複單元之莫耳比率例如可為85莫耳%以上，較佳可為90莫耳%以上，更佳可為95莫耳%以上。
還有，芳香族二醇(D)可為源自選自包含氫醌、4,4’-二羥基聯苯、苯基氫醌及4,4’-二羥基二苯基醚之群組的互相不同二種之芳香族二醇的重複單元(D1)與(D2)，此時，二種芳香族二醇之莫耳比可為(D1)/(D2)=23/77～77/23，更佳可為25/75～75/25，尤佳為30/70～70/30。
又，源自芳香族二醇的重複結構單元與源自芳香族二羧酸的重複結構單元之莫耳比較佳為(D)/(E)=95/100～100/95。若脫離此範圍，則聚合度不上升而有機械強度降低之傾向。
另外，本發明中所言之能形成光學異向性的熔融相，例如可藉由將試料載置於熱載台上，於氮氣環境下升溫加熱，觀察試料的穿透光而認定。
作為熱塑性液晶聚合物，較佳者可為熔點(以下稱為Tm0)為200～360℃之範圍者，較佳為240～360℃之範圍，更佳為260～360℃之範圍，尤佳為Tm0為270～350℃者。另外，Tm0係藉由示差掃描熱量計(島津製作所(股)DSC)測定主吸熱峰出現的溫度而求得。亦即，將熱塑性液晶聚合物樣品以10℃/min之速度升溫而使其完全熔融後，將熔融物以10℃/min之速度冷卻到50℃為止，求出再度以10℃/min之速度升溫後所出現的吸熱峰之位置，當作熱塑性液晶聚合物樣品之熔點。
於前述熱塑性液晶聚合物中，在不損害本發明的效果之範圍內，可添加聚對苯二甲酸乙二酯、改質聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醯胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮、氟樹脂等之熱塑性聚合物、各種添加劑、填充劑等。
熱塑性液晶聚合物薄膜例如係將前述熱塑性液晶聚合物的熔融混練物予以擠出成形而得。作為擠出成形法，使用任意之方法，但周知的T字模法、吹脹法等係工業上有利。尤其於吹脹法中，不僅在熱塑性液晶聚合物薄膜之機械軸方向(以下簡稱MD方向)，而且在與其正交的方向(以下簡稱TD方向)，亦施加應力，可在MD方向、TD方向中均勻地延伸，因此得到MD方向與TD方向中之分子配向性、介電特性等經控制之熱塑性液晶聚合物薄膜。
又，視需要亦可進行眾所周知或慣用的熱處理，而調整熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點及/或熱膨脹係數。熱處理條件係可按照目的而適宜設定，例如可藉由在熱塑性液晶聚合物之熔點(Tm0 )-10℃以上(例如，Tm0-10℃～Tm0 +30℃左右，較佳為Tm0 ℃～Tm0 +20℃左右)，進行數小時加熱，使熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點(Tm)上升。
對於所得之熱塑性液晶聚合物薄膜，藉由眾所周知或慣用之方法設置電路層及/或導體層，可製作具有熱塑性液晶聚合物絕緣層之天線電路基板。
熱塑性液晶聚合物絕緣層之熔點(Tm)例如可為200～380℃，較佳可為240～370℃之範圍。另外，熱塑性液晶聚合物絕緣層之熔點(Tm)係可使用示差掃描熱量計，觀察由熱塑性液晶聚合物絕緣層(或熱塑性液晶聚合物薄膜)所得之樣品的熱行為而獲得。亦即，可求出將熱塑性液晶聚合物薄膜樣品以10℃/min之速度升溫時所出現的吸熱峰之位置，當作熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點(Tm)。
熱塑性液晶聚合物絕緣層例如具有熱膨脹係數0～25ppm/℃，熱膨脹係數較佳可為5～22ppm/℃左右。另外，熱膨脹係數係可使用熱機械分析裝置(TMA)，在以5℃/分鐘之速度從25℃升溫到200℃後，以20℃/分鐘之速度冷卻到30℃為止，再度以5℃/分鐘之速度升溫時，掌握在30℃及150℃之間所測定的值。 [實施例]
以下舉出實施例來更詳細地說明本發明，惟本發明完全不受此等之實施例所限定。
[介電常數及介電正切] 關於以下之低介電層及高頻絕緣層所用的薄膜，使用KEYCOM股份有限公司製Model No.DPS03(法布里-珀羅共振器)，在28GHz(25℃)之頻率下依據JIS R 1660-2進行介電常數及介電正切之測定。另外，測定係在平面中的一方向及正交於其的方向之兩方(X-Y方向)中實施。
[天線電路基板、低介電層之厚度] 天線電路基板之厚度係使用測微計(MITUTOYO(股)製，型式227-201-CLM-15QM)，測定天線電路基板。又，低介電層之厚度係使用作為低介電層用的薄膜進行測定。另外，分別測定天線系統整體以及天線系統中的天線電路基板及玻璃之厚度，藉由從天線系統整體之厚度中去除天線電路基板及玻璃之厚度，可得到低介電層之厚度。
[聚乙烯縮醛樹脂之溶液黏度] 將構成聚乙烯縮醛樹脂薄膜的聚乙烯縮醛樹脂溶解於甲苯/乙醇=1/1(質量比)之混合溶劑中而成為濃度10質量%，調製溶液。於20℃、旋轉數30rpm下，使用布魯菲爾德型(B型)黏度計，測定該溶液之黏度。
[實施例1] ＜天線電路基板之製作＞ 於熱塑性液晶聚合物薄膜(KURARAY股份有限公司製Vecstar(註冊商標)，厚度50μm，X方向的介電常數：3.4，Y方向的介電常數：3.4，X方向之介電正切：0.002，Y方向之介電正切：0.002)之兩面，疊合銅箔(福田金屬箔粉工業股份有限公司製，電解銅箔「H9A」，厚度12μm)，使用真空熱壓裝置，將加熱盤設定在290℃，在4MPa之壓力下，壓接15分鐘，製作銅箔/熱塑性液晶聚合物薄膜/銅箔之構成的覆銅積層板。藉由蝕刻液去除所得之覆銅積層板的一面之銅箔的一部分，而形成電路，重複此操作，而製作厚度400μm之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)。
＜聚乙烯縮醛樹脂薄膜之製作＞ 將聚乙烯縮丁醛樹脂1(羥基量19.8質量%、縮醛化度70.8莫耳%、乙醯基量1.0質量%、樹脂黏度152mPa・s)及聚乙烯縮丁醛樹脂2(羥基量20.1質量%、縮醛化度70.4莫耳%、乙醯基量0.9質量%、樹脂黏度1410mPa・s)以75：25之質量比摻合，熔融混練而擠出成股束(strand)狀，進行丸粒化。使用單軸擠壓機與T字模，將所得之丸粒熔融擠出，使用金屬彈性輥，得到表面為平滑的厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜(X方向的介電常數：2.5，Y方向的介電常數：2.5，X方向之介電正切：0.01，Y方向之介電正切：0.01，可塑劑含量：0質量%，樹脂黏度：245mPa・s)。
＜積層體之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm之下側玻璃上，將單面附壓花的鐵氟龍(註冊商標)薄片、上述所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、上述所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、單面附壓花的鐵氟龍(註冊商標)薄片及縱5cm、橫5cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。另外，聚乙烯縮醛樹脂薄膜與天線電路基板與上側玻璃係以互相重疊的方式進行定位。 鄰接於聚乙烯縮醛樹脂薄膜的鐵氟龍(註冊商標)薄片，係以壓花面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。鄰接於天線電路基板之鐵氟龍(註冊商標)薄片係以鏡面接觸天線電路基板之方式配置。天線電路基板係以具有電路之面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，卸除在上下配設的鐵氟龍(註冊商標)薄片與上側及下側玻璃，製作依聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，以聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)接觸下側玻璃之方式重疊上述積層體(縱5cm、橫5cm)，在其上將鐵氟龍(註冊商標)薄片及縱5cm、橫5cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。另外，天線電路基板係在從下側玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。又，積層體與上側玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，卸除鐵氟龍(註冊商標)薄片與上側玻璃，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例2] ＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，以聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)接觸下側玻璃之方式重疊實施例1所得之積層體(縱5cm、橫5cm)，在其上將實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜及縱5cm、橫5cm、厚度1mm之薄板玻璃依此順序重疊及固定。另外，天線電路基板係在從下側玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。又，積層體與薄板玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例3] ＜積層體之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm之玻璃上，將單面附壓花的鐵氟龍(註冊商標)薄片、實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜及縱5cm、橫5cm、厚度1mm之薄板玻璃依此順序重疊及固定。另外，聚乙烯縮醛樹脂薄膜與天線電路基板與薄板玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 鐵氟龍(註冊商標)薄片係以壓花面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。天線電路基板係以具有電路之面接觸鄰接於鐵氟龍(註冊商標)薄片的聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，卸除鐵氟龍(註冊商標)薄片與玻璃，製作依聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，以聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)接觸玻璃之方式重疊上述積層體(縱5cm、橫5cm)及固定。另外，積層體係在玻璃中從玻璃的縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例4] ＜積層體之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm之下側玻璃上，將單面附壓花的鐵氟龍(註冊商標)薄片、實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、單面附壓花的鐵氟龍(註冊商標)薄片及縱5cm、橫5cm、厚度3mm的上側玻璃依此順序重疊及固定。鐵氟龍(註冊商標)薄片係以壓花面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。天線電路基板係以具有電路之面接觸下側玻璃側之聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，卸除在上下配設的鐵氟龍(註冊商標)薄片與上側及下側玻璃，製作依聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，以鄰接於電路層的聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)接觸玻璃之方式重疊上述積層體(縱5cm、橫5cm)，在其上重疊縱5cm、橫5cm、厚度1mm之薄板玻璃及固定。另外，天線電路基板係在從玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。又，積層體與薄板玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例5] ＜積層體之製作＞ 除了代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用包含聚乙烯縮丁醛樹脂(羥基量28.8質量%、黏度平均聚合度1700)72質量%與三乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)28質量%之縱5cm、橫5cm、厚度0.38mm的可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(X方向的介電常數：2.7，Y方向的介電常數：2.7，X方向之介電正切：0.02，Y方向之介電正切：0.02)以外，與實施例1同樣地，製作依可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 除了代替實施例1之積層體，使用上述積層體以外，與實施例1同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例6] ＜天線系統之製作＞ 除了代替實施例1之積層體，使用實施例5之積層體，代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用實施例5所使用之縱5cm、橫5cm、厚度0.38mm之可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜以外，與實施例2同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例7] ＜積層體之製作＞ 除了代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用縱5cm、橫5cm、厚度50μm之離子聚合物樹脂薄膜(藉由熱壓將KURARAY股份有限公司製SentryGlas(註冊商標) SG5000薄膜化之薄膜，X方向的介電常數：2.2，Y方向的介電常數：2.2，X方向之介電正切：0.002，Y方向之介電正切：0.002)以外，與實施例1同樣地，製作依離子聚合物樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 除了代替實施例1之積層體，使用上述積層體，代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用縱5cm、橫5cm、厚度50μm之離子聚合物樹脂薄膜(藉由熱壓將KURARAY股份有限公司製SentryGlas(註冊商標) SG5000薄膜化之薄膜)以外，與實施例2同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/離子聚合物樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/離子聚合物樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例8] ＜積層體之製作＞ 除了代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用縱5cm、橫5cm、厚度30μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜以外，與實施例1同樣地，製作依聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序所積層的積層體。
＜天線系統之製作＞ 除了代替實施例1之積層體，使用上述積層體以外，與實施例2同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。厚度30μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜由於以與實施例1所製作之聚乙烯縮醛樹脂薄膜同樣之聚乙烯縮醛樹脂所構成，故推測具有同樣的介電常數。於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故推測入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例9] ＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，將實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、鐵氟龍(註冊商標)薄片及縱5cm、橫5cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。天線電路基板係以具有電路之面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。另外，聚乙烯縮醛樹脂薄膜與天線電路基板與上側玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等以真空層壓裝置，在真空下、140℃加熱15分鐘後，使上腔室成為-10kPa(與下腔室之壓差約90kPa)而保持15分鐘後，返回常壓，卸除鐵氟龍(註冊商標)薄片與上側玻璃，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例10] ＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，將實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜、實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、實施例1所製作之乾燥的縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜及縱5cm、橫5cm、厚度1mm之薄板玻璃依此順序重疊及固定。天線電路基板係以具有電路之面接觸下側玻璃側之聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。另外，天線電路基板係在從下側玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。又，天線電路基板與2片聚乙烯縮醛樹脂薄膜與薄板玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等置入真空袋內，於常溫下減壓15分鐘後，於減壓下升溫到135℃為止，保持30分鐘，然後降溫及解除減壓，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例11] ＜天線系統之製作＞ 除了代替縱5cm、橫5cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，使用實施例5所使用之縱5cm、橫5cm、厚度0.38mm之可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜以外，與實施例9同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例12] ＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，將實施例5所使用之乾燥的縱7cm、橫7cm、厚度0.38mm之可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜、在可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜之中央的實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)、實施例1所製作之乾燥的縱7cm、橫7cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜及縱7cm、橫7cm、厚度1mm之薄板玻璃依此順序重疊及固定。天線電路基板係以具有電路之面接觸可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。另外，天線電路基板係在從玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。又，2片聚乙烯縮醛樹脂薄膜與薄板玻璃係以互相重疊之方式進行定位。 將此等置入真空袋內，於常溫下減壓15分鐘後，於減壓下升溫到100℃為止，保持30分鐘，然後降溫及解除減壓，暫時壓接後，投入高壓釜內，在140℃、12MPa下處理30分鐘，依玻璃(第1玻璃層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，未看見部分的剝離或發泡，亦未看見電路的斷線或變形等。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例13] ＜天線系統之製作＞ 在縱30cm、橫30cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，以聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)接觸下側玻璃方式重疊實施例1所得之積層體，在其上將包含聚乙烯縮丁醛樹脂(羥基量28.8質量%、黏度平均聚合度1700)72質量%與三乙二醇-雙-(2-乙基己酸酯)28質量%之縱30cm、橫30cm、厚度0.76mm之可塑化聚乙烯縮醛樹脂中間膜及縱30cm、橫30cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。另外，天線電路基板係配設於下側玻璃之面方向的中央。 將此等置入真空袋內，於常溫下減壓15分鐘後，於減壓下升溫到100℃為止，保持30分鐘，然後降溫及解除減壓，暫時壓接後，投入高壓釜內，在140℃、12MPa下處理30分鐘，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(第1低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂中間膜(第2低介電層)/玻璃(第2玻璃層)之順序積層，得到在層合玻璃之內部密封有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，在天線電路之周圍亦未看見發泡或大的光學斑。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例14] ＜天線系統之製作＞ 在縱30cm、橫30cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，重疊實施例1所製作之乾燥的縱7cm、橫7cm、厚度50μm之聚乙烯縮醛樹脂薄膜，在聚乙烯縮醛樹脂薄膜之中央重疊配置實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)，在其上將實施例13所使用之縱30cm、橫30cm、厚度0.76mm之可塑化聚乙烯縮醛樹脂中間膜及縱30cm、橫30cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。天線電路基板係以具有電路之面接觸聚乙烯縮醛樹脂薄膜之方式配置。另外，天線電路基板係配設於下側玻璃之面方向的中央。 將此等置入真空袋內，於常溫下減壓15分鐘後，於減壓下升溫到100℃為止，保持30分鐘，然後降溫及解除減壓，暫時壓接後，投入高壓釜內，在140℃、12MPa下處理30分鐘，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(第1低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/可塑化聚乙烯縮醛樹脂中間膜(第2低介電層)/玻璃(第2玻璃層)之順序積層，得到在層合玻璃之內部密封有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，在天線電路之周圍亦未看見發泡或大的光學斑。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例15] ＜天線系統之製作＞ 在縱30cm、橫30cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之下側玻璃上，重疊縱7cm、橫7cm、厚度50μm之離子聚合物樹脂薄膜(藉由熱壓將KURARAY股份有限公司製SentryGlas(註冊商標) SG5000薄膜化之薄膜，X方向的介電常數：2.2，Y方向的介電常數：2.2，X方向之介電正切：0.002，Y方向之介電正切：0.002)，在聚乙烯縮醛樹脂薄膜之中央重疊配置實施例1所製作之天線電路基板(縱5cm、橫5cm)，在其上將經乾燥的縱30cm、橫30cm、厚度890μm之離子聚合物樹脂中間膜(KURARAY股份有限公司製SentryGlas(註冊商標) SG5000)及縱30cm、橫30cm、厚度3mm之上側玻璃依此順序重疊及固定。天線電路基板係以具有電路之面接觸離子聚合物樹脂薄膜之方式配置。另外，天線電路基板係配設於下側玻璃之面方向的中央。 將此等置入真空袋內，於常溫下減壓15分鐘後，於減壓下升溫到100℃為止，保持30分鐘，然後降溫及解除減壓，暫時壓接後，投入高壓釜內，在135℃、12MPa下處理30分鐘，依玻璃(第1玻璃層)/離子聚合物樹脂薄膜(第1低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/離子聚合物樹脂中間膜(第2低介電層)/玻璃(第2玻璃層)之順序積層，得到在層合玻璃之內部密封有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，在天線電路之周圍亦未看見發泡或大的光學斑。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例16] ＜天線系統之製作＞ 在實施例1所得之積層體之聚乙烯縮醛樹脂薄膜面，塗布適量的三乙二醇-二-(2-乙基己酸酯)，在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，以空氣不進入之方式貼合。另外，天線電路基板係在從玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。 藉由將此等以50℃的熱風乾燥機加熱1小時，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。即使將剪切力施加於所得之天線系統，也未看見薄膜之偏移。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例17] ＜天線系統之製作＞ 在實施例3所得之積層體之聚乙烯縮醛樹脂薄膜面，塗布適量的三乙二醇-二-(2-乙基己酸酯)，在縱20cm、橫10cm、厚度3mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，以空氣不進入之方式貼合。另外，天線電路基板係在從玻璃之縱方向端部到內側，配設於2cm以上7cm以下之區域。 藉由將此等以50℃的熱風乾燥機加熱1小時，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。即使將剪切力施加於所得之天線系統，也未看見薄膜之偏移。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例18] ＜天線系統之製作＞ 除了代替三乙二醇-二-(2-乙基己酸酯)，使用己二酸二丁氧基乙酯以外，與實施例17同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。即使將剪切力施加於所得之天線系統，也未看見薄膜之偏移。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例19] ＜天線系統之製作＞ 除了將熱風乾燥機之加熱變更為30℃、24小時以外，與實施例17同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。即使將剪切力施加於所得之天線系統，也未看見薄膜之偏移。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例20] ＜天線系統之製作＞ 除了將熱風乾燥機之加熱變更為30℃以外，與實施例18同樣地，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)/聚乙烯縮醛樹脂薄膜(低介電層)/薄板玻璃(保護層)之順序積層，得到在玻璃之一部分配設有附保護玻璃板的天線電路基板之天線系統。即使將剪切力施加於所得之天線系統，也未看見薄膜之偏移。又，於所得之天線系統中，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例21] ＜天線電路基板之製作＞ 在熱塑性液晶聚合物薄膜(KURARAY股份有限公司製Vecstar(註冊商標)、厚度50μm、X方向的介電常數：3.4、Y方向的介電常數：3.4，X方向之介電正切：0.002、Y方向之介電正切：0.002)之兩面上，疊合銅箔(福田金屬箔粉工業股份有限公司製，電解銅箔「H9A」、厚度12μm)，使用真空熱壓裝置，將加熱盤設定在290℃，在4MPa之壓力下，壓接15分鐘，製作銅箔/熱塑性液晶聚合物薄膜/銅箔之構成的覆銅積層板。藉由蝕刻液去除所得之覆銅積層板的一面之銅箔的一部分，而形成電路，重複此操作，而製作厚度400μm之天線電路基板(縱3cm、橫3cm)。
＜天線系統之製作＞ 在縱20cm、橫10cm、厚度3.5mm、X方向的介電常數：6.5、Y方向的介電常數：6.5、X方向之介電正切：0.01、Y方向之介電正切：0.01之玻璃上，將縱3cm、橫3cm之聚乙烯縮醛薄膜(KURARAY股份有限公司製V200KE，厚度700μm，X方向的介電常數：2.7，Y方向的介電常數：2.7，X方向之介電正切：0.02，Y方向之介電正切：0.02)，以薄膜之上端為從玻璃的縱方向之上端起2cm下側(內側)，薄膜之橫方向的中央部與玻璃的橫方向之中央部重疊之方式配置，在其上將上述所製作之天線電路基板以具有電路之面接觸聚乙烯縮醛薄膜之方式配置。然後，於保持天線電路基板之位置的狀態下，將玻璃置入真空袋內，於減壓下在100℃處理30分鐘，冷卻後解除減壓，將天線電路基板對於玻璃預積層。然後，將此投入高壓釜內，在140℃、1.2MPa下處理30分鐘，依玻璃(第1玻璃層)/聚乙烯縮醛薄膜(低介電層)/電路(電路層)/天線電路基板內層(以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣層之多層基板)/銅箔(導體層)之順序，得到在玻璃之一部分配設有天線電路基板之天線系統。於所得之天線系統中，低介電層之厚度df為700μm，對於成為對象的波長λ(1.47mm)之高頻，滿足λ/4×n±0.050mm(n=2)之範圍。
對於所得之天線系統，使波長λ之高頻從玻璃側入射時，聚乙烯縮醛薄膜係小於玻璃，具有滿足上述式(I)之範圍的介電常數，因此入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層的聚乙烯縮醛層，到達天線電路基板。又，由於低介電層之厚度滿足λ/4×n±0.050mm之範圍，故可高效率地使高頻到達天線電路基板。
[實施例22] 除了代替實施例21所用之低介電層，重疊複數片的聚乙烯縮醛薄膜[MFR(190℃、2.16kg)0.75g/10分鐘，厚度50μm，X方向的介電常數：2.5，Y方向的介電常數：2.5，X方向之介電正切：0.01，Y方向之介電正切：0.01]而使用以外，與實施例21同樣地製作天線系統時，亦與實施例21同樣地，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例23] 除了代替實施例21所用之低介電層，使用離子聚合物薄膜(KURARAY股份有限公司製SGR5000，厚度1000μm，X方向的介電常數：2.2，Y方向的介電常數：2.2，X方向之介電正切：0.002，Y方向之介電正切：0.002)以外，與實施例21同樣地製作天線系統時，亦與實施例21同樣地，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例24] 除了代替實施例21所用之天線電路基板的熱塑性液晶聚合物薄膜，使用聚醯亞胺薄膜(東麗-杜邦股份有限公司製Kepton 300H，厚度75μm，X方向的介電常數：3.3，Y方向的介電常數：3.3，X方向之介電正切：0.007，Y方向之介電正切：0.007)，天線電路基板內之接著係使用低介電接著劑的NIIKKAN工業(股)製SAFY(介電常數：3、介電正切：0.005)進行以外，與實施例21同樣地製作天線系統時，亦與實施例21同樣地，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。
[實施例25] 除了代替實施例24所用之聚醯亞胺薄膜，使用聚醯亞胺薄膜(KANEKA股份有限公司製Apical NPI，厚度50μm，X方向的介電常數：3.4，Y方向的介電常數：3.4，X方向之介電正切：0.004，Y方向之介電正切：0.004)以外，與實施例24同樣地製作天線系統時，亦與實施例21同樣地，由於低介電層具有比玻璃小的介電常數，故入射到玻璃的高頻係可穿透低介電層，到達天線電路基板。 [產業上利用之可能性]
本發明之天線系統由於可抑制高頻之衰減，提高對於高頻的天線電路基板之傳送特性，交換大量的資訊量，因此藉由設置在例如自動駕駛或車載機的經常通訊等之所謂聯網汽車等之交通工具用天線系統、建築物的窗或壁面、各種土木構造物(鐵路設施、道路設施、能源設施、堤壩・河川設施、上下水道設施、機場設施)等，可有用作為小型蜂巢網基地台用天線系統等。例如，本發明之天線系統係可利用於構成交通工具或建築物的窗玻璃或附著於交通工具或建築物。
如以上，邊參照圖式邊說明本發明之合適實施形態，但只要是當業者，則觀看本件說明書，在自明的範圍內可容易料想到各種的變更及修正。因此，如此的變更及修正係被解釋為包含於申請專利範圍所規定的發明之範圍內。
100,200,300,400,500,600:天線系統 101,201,301,401,501,601:第1玻璃層 202,302,502,602:第2玻璃層 103,203,303,403:低介電層 503a,603a:第1低介電層 503b,603b:第2低介電層 104:電路層 105:高頻絕緣層 106:導體層 107:天線電路基板 308:接著層 408a,408b:固定黏接手段 409:黏附體
本發明係可由參考附圖的以下之合適實施形態的說明而更明瞭地理解。然而，實施形態及圖式只是用於圖示及說明，而不應被利用於限定本發明之範圍。本發明之範圍係由所附的申請專利範圍所規定。附圖中，複數的圖式中之相同的元件編號表示相同部分，圖式未必以固定的尺寸表示，在為了表示本發明的原理時予以縮放。 圖1係用於說明本發明之第1實施形態的天線系統之概略剖面圖。 圖2係用於說明本發明之第2實施形態的天線系統之概略剖面圖。 圖3係用於說明本發明之第3實施形態的天線系統之概略剖面圖。 圖4係用於說明本發明之第4實施形態的天線系統之概略剖面圖。 圖5係用於說明本發明之第5實施形態的天線系統之概略剖面圖。 圖6係用於說明本發明之第6實施形態的天線系統之概略剖面圖。
100:天線系統
101:第1玻璃層
103:低介電層
104:電路層
105:高頻絕緣層
106:導體層
107:天線電路基板
A:高頻
df:厚度
dg:厚度
dp:厚度
Z:厚度方向

Claims (15)

  1. 一種天線系統，其係在1GHz以上之頻率使用，且由以下所構成： 使高頻穿透之第1玻璃層； 低介電層，其具有比該第1玻璃層低的介電常數，同時鄰接於該第1玻璃層，使從該第1玻璃層所入射的高頻穿透；及 天線電路基板，其鄰接於該低介電層，接收從該低介電層所入射的高頻，包含高頻絕緣層。
  2. 如請求項1之天線系統，其中高頻絕緣層係以熱塑性液晶聚合物或聚醯亞胺所構成。
  3. 如請求項1或2之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電常數，該第1玻璃層的介電常數εg為5.5～7.5，該低介電層的介電常數εf為2.0～4.0。
  4. 如請求項1至3中任一項之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電正切，該第1玻璃層之介電正切tanδg為0.05以下，該低介電層之介電正切tanδf為0.05以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之天線系統，其中該低介電層係以選自包含聚乙烯縮醛樹脂、烯烴-羧酸乙烯酯共聚物樹脂、離子聚合物樹脂及丙烯酸系樹脂之群組的至少一種所構成。
  6. 如請求項1至5中任一項之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電常數，該高頻絕緣層的介電常數εp為2.0～4.0。
  7. 如請求項1至6中任一項之天線系統，其中作為在頻率28GHz下所測定之平面中的一方向及正交於其的方向之兩方的介電正切，該高頻絕緣層之介電正切tanδp為0.010以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之天線系統，其中該低介電層的介電常數εf與該高頻絕緣層的介電常數εp為εf/εp=30/70～60/40。
  9. 如請求項1至8中任一項之天線系統，其中該低介電層之厚度為λ/4×n±0.050mm(此處，λ為高頻之波長，n為整數)。
  10. 如請求項1至9中任一項之天線系統，其中該第1玻璃層係以選自鈉鈣石灰玻璃、硼酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、石英玻璃、無鹼玻璃及低鹼玻璃的至少1種所構成。
  11. 如請求項1至10中任一項之天線系統，其進一步包含第2玻璃層，在該第1玻璃層與該第2玻璃層之間，至少配設低介電層及天線電路基板。
  12. 如請求項1至11中任一項之天線系統，其係構成交通工具或建築物的窗玻璃。
  13. 如請求項1至11中任一項之天線系統，其係以對於交通工具、建築物或土木構造物附著之狀態，用於接收電波。
  14. 一種天線電路基板，其用於如請求項1至13中任一項之天線系統。
  15. 一種積層體，其用於如請求項1至14中任一項之天線系統，包含天線電路基板與鄰接於該天線電路基板之低介電層。
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