TW202135597A - 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 229
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 229
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 45
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 247
- 239000000463 material Substances 0.000 description 136
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 66
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 34
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 29
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 21
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 21
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 102220471968 Single-stranded DNA cytosine deaminase_K10A_mutation Human genes 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000005307 potash-lime glass Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)alumanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound [Al+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
提供一種方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。此外，提供一種方便性或可靠性優異的新穎的功能面板的製造方法。該功能面板包括第一基材、具有重疊於第一基材的區域的第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層、以及與第一基材、第二基材及接合層接觸的絕緣層。由此，可填充絕緣層於接合層接觸於第一基材的區域或接合層接觸於第二基材的區域中的易於形成的間隙之中，並且能夠抑制雜質擴散到位於由第一基材、第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層包圍的區域中的功能層的現象。
Description
本發明係關於一種功能面板、該功能面板的製造方法、模組或資料處理裝置。
注意，本發明的實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。此外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子可以包含半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、資料處理裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。
一些功能元件的功能會因為雜質擴散而損壞。為了維持這種功能元件的功能，已知將功能元件密封在由設置有功能元件的基板、密封基板、以及將上述基板
和上述密封基板貼合的密封材料包圍的空間中的發明(專利文獻1)。
[專利文獻1]美國專利申請公開第2007/0170854號說明書
本發明的一個實施方式的目的是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。本發明的一個實施方式的另一目的是提供一種功能面板的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。本發明的一個實施方式的另一目的是提供一種新穎的功能面板、功能面板的新穎的製造方法以及新穎的半導體裝置。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要解決所有上述目的。從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯看出這些目的以外的目的是顯而易見的，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些目的以外的目的。
解決問題的方法
本發明的一個實施方式是一種功能面板，包括：第一基材；具有重疊於第一基材的區域的第二基材；將第二基材接合於第一基材的一個表面的接合層；與第一基材、第二基材及接合層接觸的絕緣層；以及位於由第一
基材、第二基材及接合層包圍的區域中的功能層。
功能層包括多個功能元件。
本發明的另一個實施方式是其功能元件包括發光元件的上述功能面板。
本發明的另一個實施方式是其功能元件包括顯示元件的上述功能面板。
本發明的另一個實施方式是其功能元件包括電晶體的上述功能面板。
上述本發明的一個實施方式的功能面板包括第一基材、具有重疊於第一基材的區域的第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層、以及與第一基材、第二基材及接合層接觸的絕緣層。由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸於第一基材的區域或接合層接觸於第二基材的區域中容易產生的間隙，並且能夠抑制雜質擴散到位於由第一基材、第二基材、接合層包圍的區域中的功能層的現象。其結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。
本發明的另一個實施方式是包括下面的六個步驟的功能面板的製造方法。
在第一步驟中，準備加工構件，該加工構件包括：第一基材；具有重疊於第一基材的區域的第二基材；將第二基材接合於第一基材的一個表面的接合層；以及位於由第一基材、第二基材及接合層包圍的區域中的功能層，功能層包括多個功能元件，並且對加工構件支撐部
供應加工構件。
在第二步驟中，將加工構件的溫度控制為預定的值，並且使在其內部具備加工構件支撐部的處理室排氣。
在第三步驟中，將含有前驅物化合物的源氣體供應給處理室，並且在供應之後從處理室排除源氣體。
在第四步驟中，將含有氧化劑的源氣體供應給處理室，並且在供應之後從處理室排除源氣體。
在第五步驟中，在包括第三步驟及第四步驟的重複週期之次數少於預定的次數時回到第三步驟，在重複週期之次數為大於或等於預定的次數時進入第六步驟。
在第六步驟中，將加工構件從處理室移出。在此結束絕緣層的形成。
本發明的另一個實施方式是包括下面的八個步驟的功能面板的製造方法。
在第一步驟中，準備加工構件，該加工構件包括：第一基材；具有重疊於第一基材的區域的第二基材；將第二基材接合於第一基材的一個表面的第一接合層及第二接合層；位於由第一基材、第二基材及第一接合層包圍的區域中的第一功能層；以及位於由第一基材、第二基材及第二接合層包圍的區域中的第二功能層，第一功能層及第二功能層分別包括多個功能元件，並且在第二基材的重疊於第一接合層與第二接合層之間的區域的區域中形成開口部。
在第二步驟中，對加工構件支撐部供應加工構件。
在第三步驟中，將加工構件的溫度控制為預定的值，並且使在其內部具備加工構件支撐部的處理室排氣。
在第四步驟中，將含有前驅物化合物的源氣體供應給處理室，並且在供應之後從處理室排除源氣體。
在第五步驟中，將含有氧化劑的源氣體供應給處理室，並且在供應之後從處理室排除源氣體。
在第六步驟中，在包括第三步驟及第四步驟的重複週期之次數少於預定的次數時回到第四步驟，在重複週期之次數為大於或等於預定的次數時進入第七步驟。
在第七步驟中，將加工構件從處理室移出。在此結束絕緣層的形成。
在第八步驟中，將加工構件沿著重疊於第一接合層與第二接合層之間的區域的區域分割。
上述本發明的一個實施方式的功能面板的製造方法包括：供應含有前驅物化合物的源氣體，並且在供應之後從處理室排除源氣體的步驟；供應含有氧化劑的源氣體，並且在供應之後從處理室排除源氣體的步驟。由此，可以在加工構件表面上形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層。其結果，可以提供功能面板的新穎的製造方法。
本發明的一個實施方式是一種模組，包括：
上述任一個所記載的功能面板；以及撓性印刷電路板或觸控感測器。
本發明的一個實施方式是一種資料處理裝置，包括：上述任一個所記載的功能面板或上述模組；以及麥克風、天線、電池、操作開關或外殼。
注意，在本說明書中，EL層是指位於發光元件的一對電極之間的層。因此，含有夾在電極之間的作為發光物質的有機化合物的發光層為EL層的一個實施方式。
注意，在本說明書中，發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。此外，發光裝置可能包含以下類目中的模組之任一者：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；以及IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝在形成有發光元件的基板上的模組。
本發明的一個實施方式可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。根據本發明的另一個實施方式可以提供一種功能面板的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。本發明的另一個實施方式提供一種新穎的功能面板、功能面板的新穎的製造方法以及新穎的半導體裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存
在。本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯看出這些效果以外的效果，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些效果以外的效果。
BR:佈線
FPC2:撓性印刷電路板
K01:外殼
K02:鉸鏈
K10:算術裝置
K10A:天線
K10B:電池
K20:輸入/輸出裝置
K30:顯示裝置
K31:區域
K40:輸入裝置
K41:感測器
K45:按鈕
K50:感測部
K100:資料處理裝置
M0:驅動電晶體
10:加工構件
10B:加工構件
100:成膜裝置
100A:成膜裝置
100B:成膜裝置
100C:成膜裝置
100D:成膜裝置
110:加工構件支撐部
115:陰影遮罩支撐部
120A:蒸鍍源
120B:蒸鍍源
121A:遮蔽板
122A:感測器
140:動力
170:陰影遮罩
180:處理室
181a:原料供應部
181b:原料供應部
182a:高速閥
182b:高速閥
183a:原料引入口
183b:原料引入口
184:原料排出口
185:排氣裝置
186:加工構件支撐部
190:成膜室
195:門閥
196:導管
197:排氣裝置
198:感測器
200:功能面板
200(1):功能面板
200(2):功能面板
200(3):功能面板
200B:功能面板
200TP:功能面板
201:區域
202:像素
202R:子像素
205:接合層
209:撓性印刷電路板
210:第一基材
210a:障壁膜
210b:基材
210c:樹脂層
211:佈線
219:端子
221:絕緣膜
228:分隔壁
250R:發光元件
267BM:遮光層
267p:功能膜
267R:彩色層
270:第二基材
270a:障壁膜
270b:基材
270c:樹脂層
280R:顯示模組
290:絕緣層
291:絕緣層
300:功能面板
305:接合層
305a:接合層
305b:接合層
310:第一基材
310a:第一基材
310b:第一基材
330:功能層
330a:功能層
330b:功能層
370:第二基材
370a:第二基材
370b:第二基材
390:絕緣層
390a:絕緣層
390b:絕緣層
610:基材
711:絕緣膜
767:開口部
1000:成膜系統
1000B:成膜系統
3000A:資料處理裝置
3000B:資料處理裝置
3000C:資料處理裝置
3101:外殼
3101b:外殼
3120:輸入/輸出部
3120b:輸入/輸出部
4000A:資料處理裝置
4000B:資料處理裝置
4000C:資料處理裝置
4101:外殼
4101b:外殼
4120:輸入/輸出部
4120b:輸入/輸出部
在圖式中：
圖1A至1D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖2A至2D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖3A至3D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖4A至4D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖5是說明根據實施方式的功能面板的製造方法的流程圖；
圖6A1、6A2、6B1以及6B2是說明根據實施方式的功能面板的製造方法的示意圖；
圖7是說明根據實施方式的功能面板的製造方法的流程圖；
圖8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2是說明根據實施方式的功能面板的製造方法的示意圖；
圖9A和9B是說明可根據實施方式用於製造功能面板的成膜系統的示意圖；
圖10A和10B是說明可根據實施方式用於製造功能面板的成膜裝置的結構的示意圖；
圖11A至11D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖12A至12D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖13是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖14A至14C是說明根據實施方式的資料處理裝置的結構的圖；
圖15A、15B、15C1以及15C2是說明根據實施方式的資料處理裝置的結構的圖；
圖16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2是說明根據實施方式的資料處理裝置的結構的圖；
圖17A至17D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖18A至18D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖19A至19D是說明根據實施方式的功能面板的結構的圖；
圖20A至20D是說明根據實施方式的功能面板的結構；
圖21A至21D是說明根據實施方式的功能面板的結
構；
圖22A至22D是說明根據實施方式的功能面板的結構。
本發明的一個實施方式的功能面板包括第一基材、具有重疊於第一基材的區域的第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層、接觸於第一基材、第二基材及接合層的絕緣層。
由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸於第一基材的區域或接合層接觸於第二基材的區域中容易產生的間隙，並且能夠抑制雜質擴散到位於由第一基材、第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層包圍的區域中的功能層的現象。其結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的具有通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相似功能的部分，而省略該部份重複的說明。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至1D、圖2A至2D、圖3A至3D以及圖4A至4D對本發明的一個實施方式的功能面板的結構進行說明。
圖1A至1D是說明本發明的一個實施方式的功能面板的結構的圖。圖1A是本發明的一個實施方式的功能面板200的俯視圖，圖1B是沿著圖1A中的切斷線A-B及切斷線C-D的剖面圖。圖1C及1D分別說明將圖1B所示的結構的一部分替換的結構的剖面圖。
〈功能面板的結構例子1〉
在本實施方式中說明的功能面板200包括第一基材210、具有重疊於第一基材210的區域的第二基材270、將第二基材270接合於第一基材210的一個表面的接合層205、與第一基材210、第二基材270及接合層205接觸的絕緣層290、位於由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區域中的功能層(參照圖1A)。
功能層包括多個功能元件。
在本實施方式中說明的功能面板200包括第一基材210、第二基材270、將第一基材210和第二基材270接合的接合層205、以及接觸於第一基材210、第二基材270及接合層205的絕緣層290。注意，可以將具有撓性的材料用於第一基材210及第二基材270。
由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸於第一基材的區域或接合層接觸於第二基材的區域中容易產生的間隙，並且能夠抑制雜質擴散到位於由第一基材、第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層包圍的區域中的功能層的現象。當將具有撓性的材料用於第一基材210及第二基材270時，能夠使功能面板彎折或折疊。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。
注意，可以將發光元件250R用作功能元件。可以將具備發光元件250R的功能面板200稱為發光模組。
可以將顯示元件用作功能元件。可以將包含顯示元件的功能面板200稱為顯示模組。
可以將驅動電晶體M0用作功能元件。
此外，本發明的一個實施方式的功能面板200包括像素202、對像素202供應控制信號的驅動電路GD、對像素202供應顯示信號的驅動電路SD、以及配置像素202的區域201(參照圖1A及1B)。
像素202被供應顯示信號(參照圖1A)。像素202包括子像素202R等。子像素202R架構用於顯示紅色。另外，例如，像素202包括顯示綠色的子像素及顯示藍色的子像素等。
子像素202R包括像素電路及顯示模組280R(參照圖1B)。
像素電路包括驅動電晶體M0及電容元件C。
顯示模組280R包括發光元件250R、以及在發光元件250R發射光一側具有重疊於發光元件250R的區域的彩色層267R。注意，發光元件250R是顯示元件的一個實施方式。
發光元件250R包括下部電極、上部電極、含有發光有機化合物的層。
電路包括驅動電晶體M0且被配置在第一基材210與發光元件250R之間。電路與發光元件250R之間夾著絕緣膜221。
驅動電晶體M0包括第二電極。第二電極藉由位於絕緣膜221中的開口部與發光元件250R的下部電極電連接。
電容元件C包括第一電極及第二電極。第一電極與驅動電晶體M0的閘極電連接，第二電極與驅動電晶體M0的第二電極電連接。
驅動電路SD包括電晶體MD及電容器CD。
本發明的一個實施方式的功能面板200包括與驅動電路SD電連接的佈線211、與佈線211電連接的端子219、以及與端子219電連接的撓性印刷電路板209。
功能面板200包括在重疊於子像素202R的區域中具有開口部的遮光層267BM。
功能面板200包括在重疊於發光元件250R的
區域中具有包括開口部且覆蓋下部電極的端部的分隔壁228。
功能面板200包括具有重疊於區域201的區域的功能膜267p(參照圖1B)。
注意，功能面板200可以在設置有第二基材270一側顯示資料。
下面，說明構成本發明的一個實施方式的功能面板200的各種要素。注意，無法明確地區分上述結構，有時一個結構兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
《整體的結構》
功能面板200包括第一基材210、第二基材270、接合層205、絕緣層290以及功能層。
功能面板200包括像素202、驅動電路GD、驅動電路SD、區域201、子像素202R、驅動電晶體M0、電容元件C、顯示模組280R、發光元件250R、彩色層267R、像素電路、絕緣膜221、佈線211、端子219、撓性印刷電路板209、遮光層267BM、分隔壁228以及功能膜267p。
《第一基材210》
第一基材210只要具有能夠耐受製程的耐熱性以及可以設置在製造裝置中的厚度及大小，就沒有特別的限制。
可以將有機材料、無機材料或有機材料與無機材料等的複合材料等用於第一基材210。例如可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於第一基材210。
明確而言，可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用於第一基材210。明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用於第一基材210。例如，可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用於第一基材210。可以將SUS或鋁等用於第一基材210。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於第一基材210。明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於第一基材210。
例如，第一基材210可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。例如，作為第一基材210可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。例如，作為第一基材210可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
可以將單層材料或層疊有多個層的疊層材料用於第一基材210。例如，可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜等的材料用於第一基材210。明確而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中
的雜質擴散的選自氧化矽層、氮化矽層或氧氮化矽層等中的一種或多種的膜的材料應用於第一基材210。或者，可以將層疊有樹脂與防止透過樹脂的雜質的擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的材料應用於第一基材210。
可以將具有撓性的材料用於第一基材210。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的撓性的材料。明確而言，可以使用能夠以5mm或以上，較佳為4mm或以上，更佳為3mm或以上，特別佳為1mm或以上的曲率半徑彎曲的材料。可以將厚度為大於或等於2.5μm且小於或等於3μm，較佳為大於或等於5μm且小於或等於1.5μm，更佳為大於或等於10μm且小於或等於500μm的材料用於第一基材210(參照圖2A至2D)。
明確而言，作為第一基材210可以使用層疊有撓性基材210b、防止雜質的擴散的障壁膜210a、以及將撓性基材210b和障壁膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。
《第二基材270》
可以將可用於第一基材210且在重疊於顯示元件的區域中具有透光性的材料用於第二基材270。可以將具有撓性的材料用於第二基材270。明確而言，作為第二基材270可以使用層疊有撓性基材270b、防止雜質的擴散的障壁膜270a、以及將撓性基材270b和障壁膜270a貼合的樹
脂層270c的疊層體。
《接合層205》
可以將能夠貼合第一基材210和第二基材270的材料用於接合層205。
可以將無機材料、有機材料或無機材料與有機材料的複合材料等用於接合層205。
例如，可以使用熔點為400℃或更低、較佳為300℃或更低的玻璃層或黏合劑等。
例如，可以將光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或/及厭氧型黏合劑等有機材料用於接合層205。
明確而言，可以使用含有環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的黏合劑。
《絕緣層290》
絕緣層290可以使用具有電絕緣性的材料或具有抑制雜質的擴散的功能的材料。例如，絕緣層290可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金屬或聚合物。
例如，可以使用含有氧化鋁、氧化鉿、矽酸鉿、氧化鑭、氧化矽、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化鈦、氧化
鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化錫、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鉺、氧化釩或氧化銦等的材料。
例如，可以使用含有氮化鋁、氮化鉿、氮化矽、氮化鉭、氮化鈦、氮化鈮、氮化鉬、氮化鋯或氮化鎵等的材料。
例如，可以使用含有銅、鉑、釕、鎢、銥、鈀、鐵、鈷或鎳等的材料。
例如，可以使用含有硫化鋅、硫化鍶、硫化鈣、硫化鉛、氟化鈣、氟化鍶或氟化鋅等的材料。
例如，可以使用含有鈦及鋁的氮化物、含有鈦及鋁的氧化物、含有鋁及鋅的氧化物、含有錳及鋅的硫化物、含有鈰及鍶的硫化物、含有鉺及鋁的氧化物、含有釔及鋯的氧化物等的材料。
例如，可以將能夠藉由利用原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法形成的材料用於絕緣層290。藉由利用原子層沉積法可以形成緻密且裂縫或針孔等缺陷被減少或具備均勻的厚度的絕緣層290。此外，可以減少在形成絕緣層290時加工構件受到的損傷。
《功能層》
例如，可以將功能電路、功能元件、光學元件、或功能膜等或者包含選自它們中的多個的層用於功能層。
例如，可以將電元件或生物晶片等用作功能層。明確而言，可以使用電晶體、電容元件、電阻元件、
記憶元件、發光元件或顯示元件等。
例如，可以將顯示元件及驅動顯示元件的像素電路用作功能層。
例如，可以將觸控感測器、濾色片或防濕膜等用作功能層。
《區域201》
區域201包括多個功能元件。例如，具備配置為矩陣狀的多個功能元件。明確而言，區域201具備配置為矩陣狀的多個像素202。由此，功能面板200能夠在區域201中顯示影像資料。
《像素202》
可以將多個子像素用作像素202。例如，可以使用顯示紅色的子像素202R、顯示綠色的子像素以及顯示藍色的子像素。此外，可以使用顯示黃色的子像素、顯示白色的子像素、顯示青色(cyan)的子像素、顯示洋紅色(magenta)的子像素等。
《子像素》
可以將顯示元件及驅動顯示元件的像素電路用於子像素。
絕緣膜221可以配置在包括顯示元件的功能層和包括像素電路的功能層之間。
例如，可以將無機材料、有機材料或無機材料與有機材料的複合材料用於絕緣膜221。明確而言，可以將含有矽及氮的膜、含有矽及氧的膜、含有聚醯亞胺的膜、含有丙烯酸樹脂的膜、含有矽酮樹脂的膜或層疊有選自這些膜中的多個膜的膜等用作絕緣膜221。
注意，功能面板200包括在重疊於子像素202R的區域中包括開口部的遮光層267BM。遮光層267BM具有遮光性。
例如，除了分散有顏料的樹脂、含有染料的樹脂以外，可以將黑色鉻膜等無機膜用於遮光層267BM。明確而言，可以將碳黑、無機氧化物、含有多個無機氧化物的固溶體的複合氧化物等用於遮光層267BM。
注意，可以將在重疊於顯示元件的區域中具有開口部的分隔壁228用作功能面板200。例如，可以將重疊有分隔壁228而設置的導電膜中的重疊於分隔壁228的開口部的區域用作發光元件250R的下部電極。由此，可以防止在下部電極的端部產生步階。
《顯示元件》
例如，可以將其對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用而變化的顯示媒體用作顯示元件。
注意，可以將包括發光元件250R以及使發光元件250R發射的光的至少一部分透過的彩色層267R的顯示模組280R用作顯示元件。
例如，可以將含有顏料或染料等材料的層用於彩色層267R。由此，可以使顯示模組280R發射特定顏色的光。
可以採用在反射膜和半透射．半反射膜之間配置發光元件250R的微諧振器結構。明確而言，可以使用發光元件250R，其中將反射性的導電膜用作一個電極且將半透射．半反射性的導電膜用作另一個電極。
例如，可以將高效地提取紅色光的微諧振器及使紅色光透過的彩色層用於顯示紅色的顯示模組280R，將高效地提取綠色光的微諧振器及使綠色光透過的彩色層用於顯示綠色的顯示模組，或者將高效地提取藍色光的微諧振器及使藍色光透過的彩色層用於顯示藍色的顯示模組。
注意，還可以將高效地提取黃色光的微諧振器及使黃色光透過的彩色層用於顯示模組。
明確而言，可以使用EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的
MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、使用碳奈米管的顯示元件等。
《像素電路》
可以使用適合用於顯示元件的各種像素電路。
例如，可以使用包括驅動電晶體M0或電容元件C的像素電路。
可以將各種電晶體用於驅動電晶體M0。
例如，作為驅動電晶體M0可以應用將14族的元素、化合物半導體或氧化物半導體等用於半導體層的電晶體。明確而言，可以將使用含有矽的半導體、含有砷化鎵的半導體或含有銦的氧化物半導體等的電晶體應用於驅動電晶體M0的半導體層。
例如，可以將單晶矽、多晶矽或非晶矽等應用於驅動電晶體M0的半導體層。
例如，可以應用底閘極型電晶體、頂閘極型電晶體等。
《驅動電路》
可以將移位暫存器等各種各樣的時序電路等用作驅動電路GD或驅動電路SD。
可以將各種各樣的電晶體用作驅動電路SD的電晶體MD。例如，可以將能夠藉由與驅動電晶體M0相同的製程形成的結構用於電晶體MD。
電容元件CD可以具有與電容元件C相同的結構。
《佈線、端子》
可以將導電性材料用於佈線211或端子219。
例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線211或端子219。
明確而言，作為佈線211或端子219可以使用選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀和錳中的金屬元素、包含上述金屬元素的合金或組合上述金屬元素的合金等。
另外，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物用於佈線211或端子219。
可以將石墨烯或石墨用於導電膜。包含石墨烯的膜例如可以藉由使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法或使用還原劑的方法等。
另外，可以使用導電高分子。
注意，可以使端子219與撓性印刷電路板209電連接。例如，可以使用異方性導電膜電連接。
《其他》
功能面板200包括功能膜267p。
例如，可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的複合材料用於功能膜267p。明確而言，可以使用含有氧化鋁或氧化矽等的陶瓷塗層、UV固化樹脂等的硬塗層、防反射膜、圓偏光板等。
《電晶體》
可以將各種各樣的電晶體用作驅動電晶體M0或電晶體MD。
例如，可以將底閘極型電晶體用作驅動電晶體M0或電晶體MD。
例如，可以將含有氧化物半導體、非晶矽等的半導體層應用於驅動電晶體M0及電晶體MD。
例如，較佳為包括以In-M-Zn氧化物表示的膜，該In-M-Zn氧化物膜至少含有銦(In)、鋅(Zn)及M(M為Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)。或者，較佳為含有In和Zn的兩者。
作為穩定劑，包含鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋁(Al)或鋯(Zr)等。作為其他穩定劑，包含鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鎦(Lu)等。
作為構成氧化物半導體膜的氧化物半導體，例如可以使用In-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、
In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物、In-Ga類氧化物等。
注意，在此，In-Ga-Zn類氧化物是指作為主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，對In：Ga：Zn的比例沒有限制。可以含有In、Ga、Zn以外的金屬元素。
例如，可以將含有利用雷射退火等結晶化處理而得到的多晶矽的半導體層應用於驅動電晶體M0及電晶體MD(參照圖1C)。
例如，可以將頂閘極型電晶體應用於驅動電晶體M0及電晶體MD(參照圖1D)。
例如，可以將含有多晶矽的半導體層或包括從單晶矽基板等轉置的單晶矽膜等的半導體層應用於驅動電晶體M0及電晶體MD。
參照圖17A至17D、圖18A至18D、圖19A至19D、圖20A至20D、圖21A至21D以及圖22A至22D說明本發明的一個實施方式的功能面板的另一個結構。
圖17A至圖22D是說明本發明的一個實施方式的功能面板的結構的圖。圖17A、圖18A、圖19A、圖20A、圖21A及圖22A是本發明的一個實施方式的功能面板的俯視圖，圖17B、圖18B、圖19B、圖20B、圖21B及圖22B分別是對應於沿著圖17A、圖18A、圖19A、圖20A、圖21A及圖22A中的切斷線A-B及切斷線C-D的剖面圖。圖17C、圖18C、圖19C、圖20C、圖21C及圖22C及圖17D、圖18D、圖19D、圖20D、圖21D及圖22D是說明將圖17B、圖18B、圖19B、圖20B、圖21B及圖22B的一部分的結構替換的剖面圖。
功能面板200(1)與功能面板200的不同之處在於：功能面板200(1)包括絕緣層291且在絕緣層291和第一基材210之間包括發光元件250R(參照圖17B及圖18B)。
可以將可用於絕緣層290的材料用於絕緣層291。可以藉由與絕緣層290相似的方法形成絕緣層291。
功能面板200(2)與功能面板200的不同之處在於：功能面板200(2)包括絕緣層291且在絕緣層291和第一基材210之間包括驅動電晶體M0(參照圖19A至19D及圖20A至20D)。
可以將可用於絕緣層290的材料用於絕緣層291。可以藉由與絕緣層290相似的方法形成絕緣層291。
功能面板200(3)與功能面板200的不同之處在於：功能面板200(3)在絕緣層290和第二基材270之間包括功能膜267p(參照圖21A至21D及圖22A至22D)。
〈功能面板的結構例子2〉
參照圖3A至3D對本發明的一個實施方式的功能面板的另一個結構進行說明。
圖3A至3D是說明本發明的一個實施方式的功能面板的結構的圖。注意，圖3A是本發明的一個實施方式的功能面板200B的俯視圖，圖3B是沿著圖3A中的切斷線A-B及切斷線C-D的剖面圖。圖3C及3D分別說明將圖3B所示的一部分替換的結構的剖面圖。
在本實施方式中說明的功能面板200B在如下結構上與參照圖1A至1D說明的功能面板200不同：在第一基材210和發光元件250R之間配置有在重疊於子像素202R的區域中具有開口部的遮光層267BM及彩色層267R；功能膜267p設置在第一基材210一側；以及顯示模組280R向設置有第一基材210一側發射光。
第一基材210在重疊於顯示元件的區域中具有透光性，第二基材270並不一定必須具有透光性。作為其他構成要素，可以採用相似的構成要素。
由此，功能面板200B在設置有第一基材210一側可以顯示資料。
注意，可以將具有撓性的材料用於第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的撓性的材料。明確而言，作為第一基材210可以使用層疊有撓性基材210b、防止雜質的擴散的障壁膜210a、以及將撓性基材210b和障壁膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。可以將包含有撓性基材270b、防止雜質的擴散的障壁膜270a、以及將基材270b和障壁膜270a貼合的樹脂層270c的疊層體作為第二基材270(參照圖4A至4D)。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖5、圖6A1、6A2、6B1以及6B2、圖7、圖8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2對本發明的一個實施方式的功能面板的製造方法進行說明。
圖5是說明本發明的一個實施方式的功能面板的製造方法的流程圖，圖6A1、6A2、6B1及6B2是說明製程中的加工構件的結構的示意圖。圖6A1是本發明的一個實施方式的加工構件的俯視示意圖，圖6B1是本發明的一個實施方式的加工構件及使用該加工構件的功能面板的俯視示意圖，並且圖6A2及6B2分別是沿著圖6A1及圖6B1的切斷線W1-W2的剖面示意圖。
〈功能面板的製造方法例子1〉
在本實施方式中說明的功能面板的製造方法包括下面六個步驟(參照圖5)。
《第一步驟》
在第一步驟中，準備加工構件10，將加工構件10供應給未圖示的加工構件支撐部(參照圖5(S1))。注意，加工構件支撐部架構用於控制加工構件10的溫度。
注意，加工構件10包括第一基材310、具有重疊於第一基材310的區域的第二基材370、將第二基材370接合在第一基材310的一個表面的接合層305、以及位於由第一基材310、第二基材370及接合層305包圍的區域中的功能層330。並且，功能層330包括多個功能元件(參照圖6A1及圖6A2)。
《第二步驟》
在第二步驟中，例如使用加工構件支撐部將加工構件10的溫度控制為預定的值，而使其內部具備加工構件10及加工構件支撐部的未圖示的處理室排氣(參照圖5(S2))。注意，處理室包括可以密封的空間。
《第三步驟》
在第三步驟中，將含有前驅物化合物的源氣體供應給
處理室，且在供應之後從處理室排除源氣體(參照圖5(S3))。例如，可以將金屬醇鹽或有機金屬化合物等用作前驅物化合物。注意，可以將使處理室排氣的方法或在引入惰性氣體的同時進行排氣的方法等用於排除源氣體的方法。
《第四步驟》
在第四步驟中，將含有氧化劑的源氣體供應給處理室，並且在供應之後從處理室排除源氣體(參照圖5(S4))。例如，可以將水蒸氣、臭氧等用作氧化劑。注意，在結束該步驟時，在加工構件10的表面上形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層。藉由該方法，可以在具有複雜的形狀的表面上形成緻密的膜。其結果，可以形成缺陷(針孔等)少的絕緣層。
《第五步驟》
在第五步驟中，在包括第三步驟及第四步驟的重複週期之次數少於預定的次數時回到第三步驟，在重複週期之次數為大於或等於預定的次數時進入第六步驟(參照圖5(S5))。注意，重複的單位包括一個週期，一個週期包括第三步驟及第四步驟。
注意，在第三步驟中可以採用交替地供應兩個或兩個以上的前驅物化合物的方法。例如，第三步驟包括如下兩個步驟，即可以採用供應含有第一前驅物化合物
的源氣體的步驟、以及供應含有第二前驅物化合物的源氣體的步驟。在此情況下，一個週期包括第三步驟及第四步驟。
《第六步驟》
在第六步驟中，將加工構件10從處理室移出。在此結束絕緣層390的形成(參照圖5(S6)、圖6B1及圖6B2)。注意，在結束該步驟時，可以提供在其表面上以預定的厚度形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層390的功能面板300。
在本實施方式中說明的功能面板的製造方法包括：供應含有前驅物化合物的源氣體，並且在供應之後從處理室排除源氣體的步驟；供應含有氧化劑的源氣體，並且在供應之後從處理室排除源氣體的步驟。由此，可以在加工構件表面上形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層。其結果，可以提供功能面板的新穎的製造方法。
在本實施方式中說明的功能面板的製造方法例如可以藉由利用在實施方式3中說明的本發明的一個實施方式的成膜系統而實施。
明確而言，在成膜裝置100中，可以在第一基材310上形成功能層，並且在密封室SU中，使用接合層305將第一基材310與第二基材370貼合來製造第一基材310。
並且，藉由使用原子層沉積裝置ALD可以形
成絕緣層390。
將剝離製程(lift-off)法等用於在加工構件10的一部分中設置不形成絕緣層390的區域的方法。
例如，將在後面的製程中可以剝離的光阻遮罩形成在不形成絕緣層390的區域中的加工構件用作加工構件10。
在進行上述第一步驟至第六步驟之後，使光阻遮罩剝離。由此，可以將形成在光阻遮罩上的絕緣層390與光阻遮罩一起從加工構件10分離。
明確而言，可以將感光性的光阻劑、可溶性的樹脂或黏合膠帶等用作光阻遮罩。
〈功能面板的製造方法例子2〉
參照圖7及圖8A1至8D2說明本發明的一個實施方式的功能面板的製造方法的另一個結構。
圖7是說明本發明的一個實施方式的功能面板的製造方法的流程圖。圖8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2是說明製程中的加工構件的結構的示意圖。圖8A1、8B1、8C1以及8D1是本發明的一個實施方式的加工構件的俯視示意圖，圖8A2、8B2、8C2、以及8D2分別是圖8A1、8B1、8C1以及8D1的切斷線W1-W2的剖面示意圖。
在本實施方式中說明的功能面板的製造方法的另一個結構包括下面八個步驟(參照圖7)。注意，例
如，可以藉由利用實施方式3所說明的本發明的一個實施方式的成膜系統而實施。
圖7中的功能面板的製造方法與圖5中的製造方法有如下三個不同之處。
第一個不同之處是使用加工構件10B。加工構件10B包括：第一接合層305a；第二接合層305b；位於由第一基材310、第二基材370及第一接合層305a包圍的區域中的第一功能層330a；以及位於由第一基材310、第二基材370及第二接合層305b包圍的區域中的第二功能層330b(圖8A1及8A2)。
第二個不同之處是圖7中的製造方法包括在第二基材370中的重疊於第一接合層305a與第二接合層305b之間的區域中形成開口部的步驟(參照圖7(T1)、圖8B1及8B2)。
第三個不同之處是圖7中的製造方法包括將加工構件10B沿著重疊於第一接合層305a和第二接合層305b之間的區域的區域分割的步驟(參照圖7(T8)、圖8D1及8D2)。
在此，僅對不同的步驟進行詳細說明，而關於可使用相同步驟的部分，援用上述說明。
《第一步驟》
在第一步驟中，準備加工構件10B(參照圖8A1及8A2)，並且在重疊於第一接合層305a和第二接合層
305b之間的區域的第二基材370中的區域中形成開口部(參照圖7(T1)、圖8B1及8B2)。
例如，將第二基材370分割為第二基材370a及第二基材370b，並且在第二基材370a和第二基材370b之間形成連續的開口部。或者，可以藉由使用鋒利的尖端刺入第二基材370的方法、利用雷射等的方法(例如雷射燒蝕法)等，以虛線狀形成多個開口部。
《第二步驟》
在第二步驟中，將加工構件10B供應給未圖示的加工構件支撐部(圖7(T2))。
《第三步驟》
在第三步驟中，例如使用加工構件支撐部將加工構件10B的溫度控制為預定的值，而使其內部具備加工構件支撐部的處理室排氣(參照圖7(T3))。注意，處理室具有可以密封的空間。
《第四步驟》
第四步驟中，將含有前驅物化合物的源氣體供應給處理室，且在供應之後從處理室排除源氣體(參照圖7(T4))。
《第五步驟》
在第五步驟中，將含有氧化劑的源氣體供應給處理室，並且在供應之後使處理室排氣(參照圖7(T5))。
注意，在結束該步驟時，在加工構件10B的表面上形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層。藉由該方法，可以在具有複雜的形狀的表面上形成緻密的膜。其結果，可以形成針孔等的缺陷少的絕緣層。例如，在第四步驟及第五步驟中，源氣體從在第一步驟中形成的開口部侵入而可以在該開口部的內部形成絕緣層。
《第六步驟》
在第六步驟中，在包括第三步驟及第四步驟的重複週期之次數少於預定的次數時回到第四步驟，在重複週期之次數為大於或等於預定的次數時進入第七步驟(參照圖7(T6))。
《第七步驟》
在第七步驟中，將加工構件10B從處理室移出。在此結束絕緣層390的形成(參照圖7(T7)、圖8C1及8C2)。
《第八步驟》
在第八步驟中，將加工構件10B沿著重疊於第一接合層305a和第二接合層305b之間的區域的區域分割(參照圖7(T8)、圖8D1及8D2)。注意，在結束該步驟時，
可以提供在其表面上以預定的厚度形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層390a的第一功能面板300(1)、以及在其表面上以預定的厚度形成絕緣層390b的第二功能面板300(2)。
第一功能面板300(1)包括第一基材310a、具有重疊於第一基材310a的區域的第二基材370a、將第二基材370a接合於第一基材310a的一個表面的第一接合層305a、以及位於由第一基材310a、第二基材370a及第一接合層305a包圍的區域中的第一功能層330a。並且，第一功能層330a包括多個功能元件。
第一功能面板300(1)包括第一基材310a。由於上述分割，第一基材310a具備沒有形成絕緣層390a的端面。
第二功能面板300(2)包括第一基材310b、具有重疊於第一基材310b的區域的第二基材370b、將第二基材370b接合於第一基材310b的一個表面的第二接合層305b、以及位於由第一基材310b、第二基材370b及第二接合層305b包圍的區域中的第二功能層330b。並且，第二功能層330b包括多個功能元件。
第二功能面板300(2)包括第一基材310b。由於上述分割，第一基材310b具備沒有形成絕緣層390b的端面。
在本實施方式中說明的功能面板的製造方法包括供應含有前驅物化合物的源氣體，並且在供應之後從
處理室排除源氣體的步驟、供應含有氧化劑的源氣體，並且在供應之後從處理室排除源氣體的步驟。由此，可以在加工構件表面上形成含有前驅物化合物的氧化物的絕緣層。其結果，可以提供功能面板的新穎的製造方法。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖9A及9B、圖10A及10B說明可以用於製造本發明的一個實施方式的功能面板的成膜系統結構。
圖9A和9B是說明可以用於製造本發明的一個實施方式的功能面板的成膜系統結構的圖。圖9A是本發明的一個實施方式的群集型成膜系統1000的示意圖，圖9B是本發明的一個實施方式的直列型成膜系統1000B的示意圖。
圖10A和10B分別是說明可以用於本發明的一個實施方式的成膜系統的成膜裝置的結構的圖。圖10A是說明藉由使用可以用於本發明的一個實施方式的成膜系統的成膜裝置100及陰影遮罩170在第一基材310上進行成膜的狀態的剖面圖，圖10B是說明藉由使用原子層沉積裝置ALD在加工構件10上進行成膜的狀態的剖面圖。
〈成膜系統的結構例子1〉
成膜系統1000包括移入裝置LD、連接於移入裝置LD的傳送室DC、連接於傳送室DC的移出裝置ULD、連接於傳送室DC的成膜裝置100、密封室SU、原子層沉積裝置ALD以及化學氣相沉積裝置CVD(參照圖9A)。
並且，移入裝置LD將第一基材310移入。第一基材310被移入到傳送室DC並被傳送。移出裝置ULD將加工構件10移出。
第一基材310被傳送到成膜裝置100，並在第一基材310上形成成膜材料。
第一基材310被移入到密封室SU，並在第一基材310上形成密封材料，且密封室SU傳送加工構件10。例如，在第一基材310上形成接合層，藉由使用接合層將第一基材310和第二基材370貼合，而形成密封材料。
加工構件10被傳送到原子層沉積裝置ALD並將成膜材料形成在加工構件10上。
化學氣相沉積裝置CVD被傳送加工構件10並將成膜材料形成在加工構件10上。
成膜裝置100、原子層沉積裝置ALD及化學氣相沉積裝置CVD具備傳送口。陰影遮罩170被移入到成膜裝置100。
注意，多個成膜裝置、原子層沉積裝置ALD或化學氣相沉積裝置CVD可以連接於傳送室DC。
〈成膜系統的結構例子2〉
成膜系統1000B包括移入裝置LD、連接於移入裝置LD的成膜裝置100A、連接於成膜裝置100A的成膜裝置100B、連接於成膜裝置100B的成膜裝置100C、連接於成膜裝置100C的成膜裝置100D、連接於成膜裝置100D的密封室SU、連接於密封室SU的原子層沉積裝置ALD、連接於原子層沉積裝置ALD的化學氣相沉積裝置CVD、以及連接於化學氣相沉積裝置CVD的移出裝置ULD(參照圖9B)。
並且，移入裝置LD將第一基材310移入。移出裝置ULD將加工構件10移出。
第一基材310被移入到成膜裝置100A至成膜裝置100D並將成膜材料形成在第一基材310上，且成膜裝置100A至成膜裝置100D傳送第一基材310。
第一基材310被移入到密封室SU，並將密封材料形成在第一基材310上，且密封室SU傳送加工構件10。例如，在第一基材310上形成接合層，藉由使用接合層將第一基材310和第二基材370貼合，而形成密封材料。
加工構件10被移入到原子層沉積裝置ALD並將成膜材料形成在加工構件10上，且原子層沉積裝置ALD傳送加工構件10。
化學氣相沉積裝置CVD被移入加工構件10並將成膜材料形成為加工構件10，且化學氣相沉積裝置
CVD傳送加工構件10。
成膜裝置100A至成膜裝置100D、密封室SU、原子層沉積裝置ALD及化學氣相沉積裝置CVD分別具備移入口及移出口。陰影遮罩170被移入到成膜裝置100A至成膜裝置100D。
注意，為了防止水分的附著等，在包括在成膜系統1000或成膜系統1000B中的各裝置中，較佳為充填具有適當的露點的惰性氣體(氮氣體等)，更佳為保持減壓狀態。
在本實施方式中說明的成膜系統1000B包括多個成膜裝置100A至成膜裝置100D、密封室SU、原子層沉積裝置ALD及化學氣相沉積裝置CVD。
由此，可以在第一基材310上層疊多個膜。此外，可以在將之前形成的膜不暴露於大氣的狀態下，在之前形成的膜上層疊成膜材料。此外，可以抑制雜質的混入，且可達到高生產量。此外，可以在包括第一基材310、第二基材370、以及將第一基材310和第二基材370貼合的接合層的加工構件10上形成具有少數針孔的絕緣層。
下面，說明包括在成膜系統1000或成膜系統1000B中的各要素。注意，無法明確地區分上述結構，有時一個結構兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
《成膜裝置100》
在本實施方式中說明的成膜裝置100包含架構用於支撐第一基材310的加工構件支撐部110、架構用於以附著於第一基材310的方式噴射成膜材料的蒸鍍源120A、架構用於在第一基材310與蒸鍍源120A之間支撐陰影遮罩170的陰影遮罩支撐部115、加工構件支撐部110、以及包含有蒸鍍源120A及陰影遮罩支撐部115的成膜室190(參照圖10A)。
此外，成膜裝置100可以包括動力機構140。例如，成膜裝置100可以架構用於利用動力機構140將加工構件支撐部110與第一基材310相對於蒸鍍源120A移動。由此，可以使蒸鍍源120A噴射的成膜材料均勻地沉積在第一基材310的表面上。
此外，成膜裝置100可以例如藉由利用動力機構140將陰影遮罩支撐部115與陰影遮罩170、加工構件支撐部110及第一基材310一起移動。
此外，成膜裝置100可以包括感測出相對於第一基材310的陰影遮罩170的位置的感測器198。例如，藉由使用加工構件支撐部110或/及陰影遮罩支撐部115進行移動，而相對於陰影遮罩170將第一基材310配置為預定的位置。
成膜裝置100可以包括控制成膜室190的壓力的排氣裝置197及對成膜室190引入預定的氣體的導管196。
此外，成膜裝置100可以包括架構用於將第
一基材310或/及陰影遮罩170移入或/及移出成膜室190的門閥195。
成膜裝置100可以包括蒸鍍源120B以及蒸鍍源120A。此外，成膜裝置100可以包括遮蔽從蒸鍍源120A噴射的成膜材料的遮蔽板121A，以及感測每單位時間從蒸鍍源120A噴射的成膜材料量的感測器122A。
《密封室SU》
密封室SU架構用於例如藉由接合層將第一基材310和第二基材370接合。因此，藉由第二基材370保護形成在第一基材310的表面上的功能層等。
密封室SU可以將第一基材310替換為其它基材。例如，密封室SU可以將形成在第一基材310上的功能面板的一部分從第一基材310分離且將該功能面板的一部分貼合到其它基材。明確而言，可以從將不具有撓性的基材替換為具有撓性的基材。注意，在本說明書中，將替換第一基材310之後的基材也稱為“第一基材310”。
《原子層沉積裝置ALD》
原子層沉積裝置ALD架構用於在其表面具有複雜的結構的加工構件10的表面上形成各種各樣的成膜材料。例如，原子層沉積裝置ALD架構用於在加工構件10上形成厚度為大於或等於20nm且小於或等於200nm的膜。
例如，在加工構件10的表面上形成有稱為針
孔的小孔等的情況下，成膜材料可以進入於針孔內部而填充針孔。
習知的利用CVD法的成膜裝置在進行成膜時將用於反應的一種或多種源氣體同時供應到處理室。在利用ALD法的成膜裝置中，將用於反應的源氣體依次引入處理室，並且，按該順序地引入氣體，由此進行成膜。例如，藉由切換各開關閥(也稱為高速閥)來將兩種或兩種以上的源氣體依次供應到處理室內。為了防止多種源氣體混合，在引入第一源氣體之後引入惰性氣體(氬或氮等)等，然後引入第二源氣體。另外，可以利用真空抽氣將第一源氣體排出來代替引入惰性氣體，然後引入第二源氣體。第一源氣體附著到基板表面來形成第一單原子層，之後引入的第二源氣體與該第一單原子層起反應，由此第二單原子層層疊在第一單原子層上而形成薄膜。藉由按該順序多次地引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，可以形成步階覆蓋性良好的薄膜。由於薄膜的厚度可以根據按順序引入氣體的次數來進行調節，因此，ALD法可以準確地調節厚度而適用於形成微型電晶體。
此外，當利用ALD法時不發生電漿損傷。
圖10B說明利用ALD法的成膜裝置(也稱為原子層沉積裝置ALD)的一個例子。利用原子層沉積裝置ALD包括：成膜室(處理室180)；原料供應部181a、181b；用作流量控制器的高速閥182a、182b；原料引入口183a、183b；原料排出口184；排氣裝置185。設置在
處理室180內的原料引入口183a、183b藉由供應管或閥分別連接到原料供應部181a、181b，原料排出口184藉由排出管或閥或壓力調節器連接到排氣裝置185。
處理室內部設置有具備加熱器的加工構件支撐部186，將在其上形成膜的第一基材310配置在該加工構件支撐部186上。
在原料供應部181a、181b中，利用汽化器或加熱單元等由固態或液態的原料形成源氣體。或者，原料供應部181a、181b可以供應氣態的原料。
在此說明設置兩個原料供應部亦即181a、181b的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此，可以設置三個或更多的原料供應部。高速閥182a、182b可以按時間精確地進行控制，以供應源氣體和惰性氣體中的任一個。高速閥182a、182b是源氣體的流量控制器，也是惰性氣體的流量控制器。
在圖10B所示的成膜裝置中，將加工構件10移入到加工構件支撐部186上，使處理室180處於密閉狀態，然後利用加工構件支撐部186的加熱器將加工構件10加熱至所希望的溫度(例如，大於或等於80℃、大於或等於100℃、或大於或等於150℃)，重複地進行源氣體的供應、利用排氣裝置185的排氣、惰性氣體的供應以及利用排氣裝置185的排氣，由此將薄膜形成在基板表面上。
在圖10B所示的成膜裝置中，藉由適當地選
擇在原料供應部181a、181b中使用的原料(揮發性有機金屬化合物等)，可以形成包含含有鉿、鋁、鉭和鋯等中的一或多種的元素的氧化物(也包括複合氧化物)的絕緣層。明確而言，可以形成含有氧化鉿的絕緣層、含有氧化鋁的絕緣層、含有矽酸鉿的絕緣層或含有矽酸鋁的絕緣層。此外，藉由適當地選擇在原料供應部181a、181b中使用的原料(揮發性有機金屬化合物等)，可以形成鎢層或鈦層等金屬層、氮化鈦層等氮化物層等的薄膜。
例如，當使用利用原子層沉積裝置ALD形成氧化鉿層時，使用如下兩種氣體：藉由使含有溶劑和鉿前驅物化合物的液體(鉿醇鹽溶液或四(二甲胺基)四二甲基醯胺鉿(TDMAH)等鉿醯胺)氣化而得到的源氣體；以及用作氧化劑的臭氧(O3)。此時，從原料供應部181a供應的第一源氣體為TDMAH，從原料供應部181b供應的第二源氣體為臭氧。注意，四二甲基醯胺鉿的化學式為Hf[N(CH3)2]4。注意，作為其它材料液有四(乙基甲基醯胺)鉿等。
當使用利用原子層沉積裝置ALD形成氧化鋁層時，使用如下兩種氣體：藉由使含有溶劑和鋁前驅物化合物(三甲基鋁(TMA)等)的液體氣化而得到的源氣體；以及用作氧化劑的H2O。此時，從原料供應部181a供應的第一源氣體為TMA，從原料供應部181b供應的第二源氣體為H2O。注意，三甲基鋁的化學式為Al(CH3)3。作為其它材料液有三(二甲基醯胺)鋁、三異丁基鋁、鋁
三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)等。
當使用利用原子層沉積裝置ALD形成鎢層時，依次重複引入WF6氣體和B2H6氣體形成初始鎢層，然後使用WF6氣體和H2氣體形成鎢層。注意，可以使用SiH4氣體代替B2H6氣體。這些氣體可以利用質量流量控制器控制。
《化學氣相沉積裝置CVD》
化學氣相沉積裝置CVD可以藉由利用化學氣相沉積法將成膜材料形成在加工構件上。例如，可以使用利用電漿CVD法的成膜裝置。
注意，可以使用利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法的成膜裝置或利用濺射法的成膜裝置代替或加上化學氣相沉積裝置CVD。
《加工構件支撐部110》
加工構件支撐部110架構用於支撐第一基材310。加工構件支撐部110也可以架構用於將第一基材310相對於蒸鍍源120A移動。
例如，可以將握持或支撐第一基材310的端部附近的結構等用於加工構件支撐部110。明確而言，可以使用具備夾緊機構的構件或L字狀等的支撐構件。另外，可以包括握持或支撐第一基材310的多個結構等。明
確而言，在第一基材310為長方形的情況下，可以支撐第一基材310的四角附近。
在將加工構件支撐部110相對於蒸鍍源120A移動的情況下，例如，可以利用動力機構140。明確而言，可以使用伺服電動機、步進電動機或氣缸使加工構件支撐部110移動。明確而言，可以使加工構件支撐部110在蒸鍍源120A上方旋轉或橫穿過蒸鍍源120A上方。
注意，加工構件支撐部110可架構用於保持第一基材310相對於陰影遮罩170的位置，例如，將第一基材310密接於陰影遮罩170。明確而言，可以使用彈簧等彈性體，將第一基材310按壓到陰影遮罩。另外，可以以在與陰影遮罩之間夾著第一基材310的方式配置磁石等，而將陰影遮罩吸引到第一基材310。
第一基材310沒有特別的限制，只要具有能夠耐受製程的耐熱性以及可以設置在製造裝置中的厚度及大小即可。
另外，第一基材310可以包括各種各樣的功能層。例如，包含功能電路、功能元件、光學元件、或功能膜等或者包含選自它們中的多個的層。明確而言，包含已知的顯示裝置的像素電路、像素的驅動電路、顯示元件、濾色片或防潮膜等的層或者包含選自它們的多個的層。
可以將有機材料、無機材料或有機材料與無機材料等的複合材料等的材料用於第一基材310。
例如可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於第一基材310。
明確而言，可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用於第一基材310。
明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用於第一基材310。例如，可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用於第一基材310。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於第一基材310。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於第一基材310。
例如，作為第一基材310可以使用將薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。
例如，作為第一基材310可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。
例如，作為第一基材310可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
另外，可以將單層材料或層疊有多個層的疊層材料用於第一基材310。例如，可以將層疊有材料及防
止包含在材料中的雜質擴散的絕緣層等的疊層材料用於第一基材310。
明確而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等中的一種或多種的膜的疊層材料應用於第一基材310。
《陰影遮罩支撐部115》
陰影遮罩支撐部115架構用於支撐陰影遮罩170。陰影遮罩支撐部115也可架構用於將陰影遮罩相對於蒸鍍源120A移動。
例如，可以將握持或支撐陰影遮罩170的端部附近的結構等用於陰影遮罩支撐部115。明確而言，可以使用具備夾緊機構的構件或L字狀等的支撐構件。另外，可以包括握持或支撐陰影遮罩170的多個結構等。明確而言，在陰影遮罩170為長方形的情況下，可以支撐陰影遮罩170的四角附近。
在將陰影遮罩支撐部115相對於蒸鍍源120A移動的情況下，例如，可以利用動力機構140。明確而言，可以使用伺服電動機、步進電動機或氣缸使陰影遮罩支撐部115移動。明確而言，可以使陰影遮罩支撐部115在蒸鍍源120A上方旋轉或以橫穿過蒸鍍源120A上方。
《陰影遮罩170》
陰影遮罩170包括具有遮蔽成膜材料的功能的遮蔽區域、以及由遮蔽區域圍繞的開口區域。
《蒸鍍源》
成膜裝置100包括一個或多個蒸鍍源。例如，包括蒸鍍源120A及蒸鍍源120B。
可以從蒸鍍源120A及蒸鍍源120B噴射相同材料。由此，可以使每單位時間的沉積在第一基材310表面上的成膜材料的厚度變厚。
可以從蒸鍍源120A及蒸鍍源120B噴射不同材料。由此，可以在第一基材310的表面上形成混合不同材料的膜。換言之，可以進行共蒸鍍。
蒸鍍源120A架構用於噴射成膜材料。例如，較佳為具有對噴射成膜材料的方向的指向性。由此，能夠提高成膜材料的使用效率。
明確而言，可以將點源型的蒸鍍源或線源型的蒸鍍源等用作蒸鍍源120A。或者，可以使用將點源配置為直線狀或矩陣狀等的蒸鍍源、從狹縫噴射氣化的成膜材料的蒸鍍源。
成膜裝置100可架構用於將蒸鍍源120A相對於加工構件支撐部110移動。例如，可以利用動力將蒸鍍源120A對第一基材310移動並進行成膜。
《成膜室》
成膜室190可以將其內部減壓為大氣壓以下。例如，可以將內部的壓力設定為10-3Pa或更低。
排氣裝置197可以將成膜室190的內部減壓。例如，可以將機械泵、渦輪泵或/及低溫泵等用作排氣裝置197。
成膜室190的內部可以以氣體充滿。導管196例如可以對成膜室供應氮氣體等。
成膜室190可架構用於加熱其內壁。由此，可以高效地使吸附於內壁的分子脫離。例如，可以設置加熱器或供應有載熱體的導管於壁面上。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖11A至11D、圖12A至12D以及圖13對可用於輸入/輸出裝置的本發明的一個實施方式的功能面板的結構進行說明。
圖11A至11D、圖12A至12D以及圖13是說明本發明的一個實施方式的功能面板的結構的圖。
圖11A是本發明的一個實施方式的功能面板200TP的俯視圖，圖11B是沿著圖11A中的切斷線A-B及切斷線C-D的剖面圖。圖11C是說明功能面板200TP的一部分的結構的俯視圖，並且圖11D是沿著圖11C所示的切斷線W3-W4的剖面圖。
圖13是說明本發明的一個實施方式的功能面板200TP的投影圖。注意，為便於說明而放大功能面板200TP的一部分進行圖示。
〈功能面板的結構例子〉
在本實施方式中說明的功能面板200TP包括第一基材210、具有重疊於第一基材210的區域的第二基材270、將第二基材270接合於第一基材210的一個表面的接合層205、與第一基材210、第二基材270及接合層205接觸的絕緣層290、位於由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區域中的功能層。
功能層包括多個功能元件。明確而言，在區域201中包括像素202及感測元件。因此，功能面板200TP架構用於被供應影像信號並顯示影像。功能面板200TP也架構用於被供應控制信號並可以供應感測信號。
注意，可以將功能面板200TP稱為輸入/輸出面板或觸控面板。
本發明的一個實施方式的功能面板200TP包含像素202、對像素202供應控制信號的驅動電路GD、對像素202供應顯示信號的驅動電路SD、以及配置像素202的區域201(參照圖11A及11B)。
像素202被供應顯示信號(參照圖11A)。像素202包括子像素202R等。子像素202R架構用於顯示紅色。另外，例如，像素202包括顯示綠色的子像素及
顯示藍色的子像素等。
子像素202R包括像素電路及顯示模組280R(參照圖11B)。
像素電路包括驅動電晶體M0及電容元件C。
顯示模組280R包括發光元件250R、以及包括發光元件250R發射光的一側的重疊於發光元件250R的區域的彩色層267R。注意，發光元件250R是顯示元件的一個實施方式。
發光元件250R包括下部電極、上部電極、含有發光有機化合物的層。
電路包括驅動電晶體M0且在第一基材210與發光元件250R之間配置。電路與發光元件250R之間夾著絕緣膜221。
驅動電晶體M0包括第二電極。第二電極藉由設置在絕緣膜221中的開口部與發光元件250R的下部電極電連接。
電容元件C包括第一電極及第二電極。第一電極與驅動電晶體M0的閘極電連接，第二電極與驅動電晶體M0的第二電極電連接。
驅動電路SD包括電晶體MD及電容器CD。
本發明的一個實施方式的功能面板200TP包括與驅動電路SD電連接的佈線211、與佈線211電連接的端子219、以及與端子219電連接的撓性印刷電路板209。
包括在重疊於子像素202R的區域中具有開口部的遮光層267BM。
包括在重疊於發光元件250R的區域中具有開口部且覆蓋下部電極的端部的分隔壁228。
包括具有重疊於區域201的區域的功能膜267p(參照圖11B)。
注意，功能面板200TP在設置有第二基材270的一側可以顯示資料。
功能面板200TP包括第二基材270，第二基材270支撐多個控制線CL(i)及多個信號線ML(j)。
控制線CL(i)延伸在列方向(圖式中的箭頭R所示的方向)且被供應控制信號(參照圖13)。
信號線ML(j)延伸在行方向(圖式中的箭頭C所示的方向)且供應感測信號。
功能面板200TP包括與控制線CL(i)電連接的第一電極C1(i)、具備不重疊於第一電極C1(i)的部分且與信號線ML(j)電連接的第二電極C2(j)(參照圖11C及圖13)。
第一電極C1(i)或第二電極C2(j)包括導電膜，該導電膜中的重疊於像素202或子像素202R的區域具有透光性。或者，第一電極C1(i)或第二電極C2(j)包括網狀的導電膜，該導電膜中的重疊於像素202或子像素202R的區域具有開口部767。
本發明的一個實施方式的功能面板200TP包
括與控制線CL(i)電連接的端子以及與信號線ML(j)電連接的端子。注意，端子與撓性印刷電路板FPC2電連接。
在本實施方式中說明的功能面板200TP包括第一基材210、第二基材270、將第一基材210和第二基材270接合的接合層205、以及位於由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區域中的功能層。功能層包括顯示元件及感測元件。因此，可以顯示被供應的影像信號，並且根據被供應的控制信號供應感測信號。其結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的功能面板。
例如，功能面板200TP感測靠近的物體並供應與該靠近的物體的位置資料有關聯的感測資料。由此，可以供應包含所感測的物體的位置或軌跡等的感測資料。明確而言，功能面板200TP的使用者可以將靠近或接觸功能面板200TP的指頭等用作指示器而進行各種各樣的手勢(點按、拖拉、滑動或捏合等)。
注意，功能面板200TP的使用者可以對算術裝置供應各種各樣的操作指令。例如，被供應功能面板200TP所供應的感測資料的算術裝置根據程式等判斷被供應的資料是否滿足預定條件且執行與預定動作相關聯的指令。
另外，功能面板200TP可以顯示例如算術裝置等所供應的資料。
功能面板200TP包括絕緣層290。
例如，可以將陶瓷塗層或硬塗層用作絕緣層。明確而言，可以使用含有氧化鋁的層或UV固化的樹脂層。
功能面板200TP包括功能膜267p。
可以將控制被功能面板反射的外光的強度的防反射層等用於功能膜。明確而言，可以使用圓偏光板等。
下面，說明構成功能面板200TP的各種要素。注意，無法明確地區分上述結構，有時一個結構兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
例如，功能面板200TP既是觸控面板又是感測面板及顯示面板。
《整體的結構》
在本實施方式中說明的功能面板200TP包括第一基材210、第二基材270、接合層205、絕緣層290以及功能層。
功能層包括像素202、驅動電路GD、驅動電路SD、區域201、子像素202R、驅動電晶體M0、電容元件C、顯示模組280R、發光元件250R、彩色層267R、像素電路、絕緣膜221、佈線211、端子219、遮光層267BM以及分隔壁228。
功能層包括控制線CL(i)、佈線BR(i，j)、信號線ML(j)、第一電極C1(i)以及第二電極
C2(j)。
功能面板200包括撓性印刷電路板209、撓性印刷電路板FPC1、撓性印刷電路板FPC2以及功能膜267p。
《第一基材、第二基材、接合層、以及絕緣層》
可以將與實施方式1所記載的功能面板相似的結構應用於第一基材210、第二基材270、接合層205及絕緣層290。
注意，可以將具有撓性的材料用於第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的撓性的材料。明確而言，第一基材210可以使用層疊有撓性基材210b、防止雜質的擴散的障壁膜210a、以及將基材210b和障壁膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。包含有撓性基材270b、防止雜質的擴散的障壁膜270a、以及將撓性基材270b和障壁膜270a貼合的樹脂層270c的疊層體可以做為第二基材270(參照圖12A至12D)。
《功能層》
例如，可以將與實施方式1所記載的功能面板相似的結構用於子像素202R、顯示元件、像素電路、驅動電路GD、佈線211及端子219。
《感測元件、感測電路》
可以將感測元件用於功能層，該感測元件檢測靜電電容、照度、磁力、電波或壓力等，而供應基於感測出的物理量的信號。
例如，可以將導電膜、光電轉換元件、磁檢測元件、壓電元件或諧振器等用於感測元件。
例如，可以將感測電路用於功能層，該感測電路架構用於供應基於寄生在導電膜中的靜電電容而變化的信號。由此，藉由利用靜電電容的變化可以感測在大氣中靠近於導電膜的手指等。
明確而言，可以使用控制線CL(i)將控制信號供應給第一電極C1(i)，且使用信號線ML(j)得到基於被供應的控制信號及靜電電容而變化的第二電極C2(j)的電位並將其用作感測信號而供應。
例如，可以將包括其一個電極連接於導電膜的電容元件的電路用於感測電路。
控制線CL(i)包括佈線BR(i，j)。在佈線BR(i，j)中，控制線CL(i)與信號線ML(j)交叉(參照圖11C)。在佈線BR(i，j)與信號線ML(j)之間包括絕緣膜711(參照圖11D)。由此，能夠防止佈線BR(i，j)與信號線ML(j)之間的短路。
例如，功能面板200TP例如感測與靠近或接觸的物體之間的靜電容量的變化而供應感測信號。
可以透過在第二基材270之上沉積用來形成
感測元件的膜且對該膜進行加工的方法，來形成感測元件。
另外，可以使用在其它基材上形成功能面板200TP的一部分且將該一部分轉置到基材610的方法，來形成功能面板200TP。
《佈線》
功能面板200TP包括佈線。佈線包括控制線CL(i)、信號線ML(j)等。
可以將具有導電性的材料用於佈線等。
例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線。
明確而言，可以使用選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、釔、鋯、鈀和錳中的金屬元素、包含上述金屬元素的合金或組合上述金屬元素的合金等來形成佈線等。尤其是，較佳為包含選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬及鎢中的一或多個的元素。尤其是，銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻的微細加工。
明確而言，包含在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結構以及依次層疊鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。
明確而言，可以使用在鋁膜上層疊選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的元素的膜的疊層膜。或者，
可以使用在鋁膜上層疊包含選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的多個元素的合金膜的疊層膜。或者，可以使用在鋁膜上層疊選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的元素的氮化膜的疊層膜。
另外，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。
可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法或使用還原劑的方法等。
另外，可以使用導電高分子。
《其他》
功能面板200TP包括功能膜267p。
例如，可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的複合材料用於功能膜267p。明確而言，可以將含有氧化鋁或氧化矽等的陶瓷塗層、UV固化樹脂等的硬塗層、防反射膜、圓偏光板等用於功能膜267p。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖14A至14C說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的結構。
圖14A至14C是說明本發明的一個實施方式
的資料處理裝置的圖。
圖14A是說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置K100的輸入/輸出裝置K20處於展開狀態的投影圖，圖14B是沿著圖14A的切斷線X1-X2的資料處理裝置K100的剖面圖。圖14C是說明輸入/輸出裝置K20處於折疊狀態的投影圖。
〈資料處理裝置的結構例子〉
在本實施方式中說明的資料處理裝置K100包括輸入/輸出裝置K20、算術裝置K10或外殼K01(1)至外殼K01(3)(參照圖14A至14C)。
〈〈輸入/輸出裝置〉〉
例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出裝置。
輸入/輸出裝置K20具備顯示裝置K30及輸入裝置K40(參照圖14B)。輸入/輸出裝置K20被供應影像資料V並供應感測資料S。
顯示裝置K30被供應影像資料V，輸入裝置K40供應感測資料S。
將輸入裝置K40與顯示裝置K30重疊為一體的輸入/輸出裝置K20不僅被用作顯示裝置K30，而且被用作輸入裝置K40。
可以將使用作為輸入裝置K40的觸控感測器
以及作為顯示裝置K30的顯示面板的輸入/輸出裝置K20稱為觸控面板。
顯示裝置K30具有依次將第一區域K31(11)、第一可彎曲區K31(21)、第二區域K31(12)、第二可彎曲區K31(22)以及第三區域K31(13)配置為條紋形狀的區域K31(參照圖14A)。
顯示裝置K30可以沿著形成在第一可彎曲區K31(21)的第一折痕及形成在第二可彎曲區K31(22)的第二折痕折疊或展開(參照圖14A及14C)。
〈〈算術裝置〉〉
算術裝置K10包括運算部及儲存由運算部執行的程式的儲存部。供應影像資料V且被供應感測資料S。
〈〈外殼〉〉
外殼包括依次配置的外殼K01(1)、鉸鏈K02(1)、外殼K01(2)、鉸鏈K02(2)或外殼K01(3)。
外殼K01(3)容納算術裝置K10。外殼K01(1)至外殼K01(3)保持輸入/輸出裝置K20且能夠使輸入/輸出裝置K20處於折疊狀態或展開狀態(參照圖14B)。
在本實施方式中，例示出具備使用兩個鉸鏈連接的三個外殼的資料處理裝置。可以在配置有兩個鉸鏈
的位置折疊該資料處理裝置的輸入/輸出裝置K20。
注意，可以使用(n-1)個鉸鏈連接彼此n(n為2或更大的自然數)個外殼。具備該結構的資料處理裝置可以在(n-1)個位置折疊輸入/輸出裝置K20。
外殼K01(1)與第一區域K31(11)重疊，並且包括按鈕K45(1)。
外殼K01(2)與第二區域K31(12)重疊。
外殼K01(3)與第三區域K31(13)重疊，並且容納算術裝置K10、天線K10A以及電池K10B。
鉸鏈K02(1)與第一可彎曲區K31(21)重疊，鉸鏈K02(1)將外殼K01(1)以可轉動的方式連接到外殼K01(2)。
鉸鏈K02(2)與第二可彎曲區K31(22)重疊，鉸鏈K02(2)將外殼K01(2)以可轉動的方式連接到外殼K01(3)。
天線K10A與算術裝置K10電連接，並供應信號或被供應信號。
另外，天線K10A從外部裝置以無線方式被供應電力，並將電力供應到電池K10B。
電池K10B與算術裝置K10電連接，並供應電力或被供應電力。
〈〈折疊感測器〉〉
折疊感測器K41感測外殼是折疊狀態還是展開狀態，
並提供顯示外殼的狀態的資料。
算術裝置K10被供應顯示外殼的狀態的資料。
在顯示外殼K01的狀態的資料為顯示折疊狀態的資料時，算術裝置K10對第一區域K31(11)供應包含第一影像的影像資料V(參照圖14C)。
在顯示外殼K01的狀態的資料為顯示展開狀態的資料時，算術裝置K10對顯示裝置K30的區域K31供應影像資料V(參照圖14A)。
《感測部》
感測部K50可以感測顯示裝置K30被使用的環境的照度並供應包含照度資料的感測資料。
例如，可以將光電轉換元件及根據光電轉換元件所供應的信號供應環境的照度資料的感測電路用於感測部K50。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖15A、15B、15C1及15C2說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的結構。
圖15A、15B、15C1及15C2是說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的圖。
圖15A是本發明的一個實施方式的資料處理裝置3000A的投影圖。
圖15B是本發明的一個實施方式的資料處理裝置3000B的投影圖。
圖15C1及15C2是本發明的一個實施方式的資料處理裝置3000C的俯視圖及底面圖。
〈〈資料處理裝置A〉〉
資料處理裝置3000A包括輸入/輸出部3120及支撐輸入/輸出部3120的外殼3101(參照圖15A)。
輸入/輸出部3120包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部3120。
資料處理裝置3000A更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
注意，外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
資料處理裝置3000A可以在其側面或/及頂面顯示資料。
資料處理裝置3000A的使用者可以藉由使用指頭接觸資料處理裝置3000A的側面或/及頂面以提供操作指令。
〈〈資料處理裝置B〉〉
資料處理裝置3000B包括外殼3101及藉由鉸鏈連接到外殼3101的外殼3101b(參照圖15B)。
外殼3101支撐輸入/輸出部3120。
外殼3101b支撐輸入/輸出部3120b。
輸入/輸出部3120或輸入/輸出部3120b包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部3120。
資料處理裝置3000B更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
資料處理裝置3000B可以在輸入/輸出部3120或輸入/輸出部3120b顯示資料。
資料處理裝置3000B的使用者可以藉由使用指頭接觸輸入/輸出部3120或輸入/輸出部3120b以提供操作指令。
〈〈資料處理裝置C〉〉
資料處理裝置3000C包括輸入/輸出部3120、支撐輸入/輸出部3120的外殼3101(參照圖15C1及15C2)。
輸入/輸出部3120包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部3120。
資料處理裝置3000C更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
注意，外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
實施方式7
在本實施方式中，參照圖16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的結構。
圖16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2是說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的圖。
圖16A1、16A2以及16A3是本發明的一個實施方式的資料處理裝置的投影圖。
圖16B1及16B2是本發明的一個實施方式的資料處理裝置的投影圖。
圖16C1及16C2是本發明的一個實施方式的資料處理裝置的俯視圖及底面圖。
〈〈資料處理裝置A〉〉
資料處理裝置4000A包括輸入/輸出部4120及支撐輸
入/輸出部4120的外殼4101(參照圖16A1至16A3)。
輸入/輸出部4120包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部4120。
資料處理裝置4000A更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
注意，外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
資料處理裝置4000A可以在其側面或/及頂面顯示資料。
資料處理裝置4000A的使用者可以藉由使用指頭接觸資料處理裝置4000A的側面或/及頂面以提供操作指令。
〈〈資料處理裝置B〉〉
資料處理裝置4000B包括輸入/輸出部4120及輸入/輸出部4120b(參照圖16B1及16B2)。
資料處理裝置4000B更包括支撐輸入/輸出部4120的外殼4101及具有撓性的帶狀外殼4101b。
輸入/輸出部4120或輸入/輸出部4120b包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部4120。
資料處理裝置4000B更包括支撐輸入/輸出部
4120b的外殼4101。
資料處理裝置4000B更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
資料處理裝置4000B可以在被具有撓性的帶狀外殼4101b支撐的輸入/輸出部4120顯示顯示資料。
資料處理裝置4000B的使用者可以藉由使用指頭接觸輸入/輸出部4120以提供操作指令。
〈〈資料處理裝置C〉〉
資料處理裝置4000C包括輸入/輸出部4120、支撐輸入/輸出部4120的外殼4101及外殼4101b(參照圖16C1及16C2)。
輸入/輸出部4120及外殼4101b具有撓性。
輸入/輸出部4120包括本發明的一個實施方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用於輸入/輸出部4120。
資料處理裝置4000C更包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
注意，外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
資料處理裝置4000C可以在外殼4101b的位
置折疊成對折。
本實施方式可以與本說明書所示的任何其他實施方式適當地組合。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等預定的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也記載於圖式或文中。
在此，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，包含在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)連接的情況。
作為X和Y電連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個或以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)。開關被控制為開啟或關閉。換言之，開關為導通狀態(開啟)或非導通狀態(關閉)而控制是否使電流流過。或者，開關具有選
擇並切換電流路徑的功能。注意，X和Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X和Y在功能上連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個或以上的能夠在功能上連接X和Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、γ(伽瑪)校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝器電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，X與Y在功能上是連接著的。注意，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
注意，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)；X與Y在功能上連接的情況(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y的情況)；以及X與Y直接連接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)。換言之，當明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開
了與只明確記載為“連接”的情況相同的內容。
注意，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表示為如下。
例如，可以表達為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)及電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相似的表示方法定義電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
作為其他表示方法，例如可包含“電晶體的源極(或第一端子等)至少藉由第一連接路徑與X電連接，
所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，所述第一連接路徑是藉由Z1的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少藉由第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，所述第三連接路徑是藉由Z2的路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上藉由Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上藉由Z2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。或者，也可以表述為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑，藉由Z1與X電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電路徑，藉由Z2與Y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，所述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑”。藉由使用與這些例子相似的表述方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來確定技術範圍。
注意，這種表示方法是一個例子，不侷限於上述表示方法。在此，X、Y、Z1及Z2為物件(例如，
裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
即使在電路圖上獨立的組件彼此電連接，也有時一個構成要素兼有多個構成要素的功能。例如，在佈線的一部分用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個構成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個構成要素的功能的情況。
200:功能面板
202R:子像素
205:接合層
209:撓性印刷電路板
210:第一基材
211:佈線
219:端子
221:絕緣膜
228:分隔壁
250R:發光元件
267BM:遮光層
267p:功能膜
267R:彩色層
270:第二基材
280R:顯示模組
290:絕緣層
C:電容元件
CD:電容器
SD:驅動電路
M0:驅動電晶體
MD:電晶體
Claims (5)
- 一種顯示裝置，包括：第一基材；第二基材；將該第一基材與該第二基材貼合的接合層；配置於該第一基材與該接合層之間的發光元件；配置於該發光元件與該接合層之間的氧化鋁層；以及配置於該第二基材與該接合層之間且經由該氧化鋁層與該發光元件相對向的彩色層。
- 如請求項1之顯示裝置，其中，該接合層包括有機材料。
- 如請求項1之顯示裝置，其中，該發光元件是有機EL元件。
- 如請求項1之顯示裝置，其中，該接合層與該氧化鋁層接觸。
- 如請求項1之顯示裝置，其中，該氧化鋁層是大於或等於20nm且小於或等於200nm的厚度。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014219066 | 2014-10-28 | ||
| JP2014-219065 | 2014-10-28 | ||
| JP2014-219066 | 2014-10-28 | ||
| JP2014219065 | 2014-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202135597A true TW202135597A (zh) | 2021-09-16 |
| TWI766586B TWI766586B (zh) | 2022-06-01 |
Family
ID=55793147
Family Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110106254A TWI766586B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW111105669A TWI781887B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW104135085A TWI718111B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW112111443A TW202345655A (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW111135580A TWI799351B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW108142597A TWI722676B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
Family Applications After (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111105669A TWI781887B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW104135085A TWI718111B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW112111443A TW202345655A (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW111135580A TWI799351B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
| TW108142597A TWI722676B (zh) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 功能面板、功能面板的製造方法、模組以及資料處理裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11071224B2 (zh) |
| JP (10) | JP6811009B2 (zh) |
| CN (2) | CN107111972B (zh) |
| TW (6) | TWI766586B (zh) |
| WO (1) | WO2016067159A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102439023B1 (ko) | 2014-10-28 | 2022-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기 |
| KR102456654B1 (ko) | 2014-11-26 | 2022-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
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| TWI832709B (zh) * | 2023-02-18 | 2024-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
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-
2015
- 2015-10-21 WO PCT/IB2015/058099 patent/WO2016067159A1/en active Application Filing
- 2015-10-21 CN CN201580058963.XA patent/CN107111972B/zh active Active
- 2015-10-21 CN CN202010227991.2A patent/CN111477657B/zh active Active
- 2015-10-23 JP JP2015209096A patent/JP6811009B2/ja active Active
- 2015-10-26 US US14/922,753 patent/US11071224B2/en active Active
- 2015-10-26 TW TW110106254A patent/TWI766586B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-26 TW TW111105669A patent/TWI781887B/zh active
- 2015-10-26 TW TW104135085A patent/TWI718111B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-26 TW TW112111443A patent/TW202345655A/zh unknown
- 2015-10-26 TW TW111135580A patent/TWI799351B/zh active
- 2015-10-26 TW TW108142597A patent/TWI722676B/zh not_active IP Right Cessation
-
2020
- 2020-12-14 JP JP2020206708A patent/JP7022813B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-11 JP JP2021039330A patent/JP6978620B2/ja active Active
- 2021-03-11 JP JP2021039316A patent/JP6975867B2/ja active Active
- 2021-07-19 US US17/378,840 patent/US11818856B2/en active Active
- 2021-11-11 JP JP2021183888A patent/JP7008864B1/ja active Active
-
2022
- 2022-01-11 JP JP2022002304A patent/JP7052161B1/ja active Active
- 2022-02-07 JP JP2022016841A patent/JP7178519B2/ja active Active
- 2022-11-14 JP JP2022181584A patent/JP7462013B2/ja active Active
-
2023
- 2023-06-16 JP JP2023099494A patent/JP2023120336A/ja active Pending
- 2023-10-04 US US18/376,502 patent/US20240032232A1/en active Pending
-
2024
- 2024-03-25 JP JP2024047488A patent/JP2024071505A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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