CN111477657A - 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置 - Google Patents

Abstract

提供一种方便性或可靠性高的新颖的功能面板以及其制造方法。该功能面板（200）包括：第一基材（210）；包括重叠于第一基材（210）的区域的第二基材（270）；将第一基材（210）和第二基材（270）接合的接合层（205）；接触于第一基材（210）、第二基材（270）及接合层（205）的绝缘层（290）；以及位于由第一基材（210）、第二基材（270）及接合层（205）包围的区域中的功能层。利用该结构，可以由绝缘层（290）填充在接合层接触于第一基材（210）或第二基材（270）的区域中容易形成的开口，并且能够抑制杂质扩散到功能层。

Description

功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置

本申请是分案申请，其母案申请号为201580058963.X，申请日是2015年10月21日，发明名称是“功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置”。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种功能面板、功能面板的制造方法、模块以及数据处理装置。

另外，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本发明的一个方式涉及一种工序（process）、机器（machine）、产品（manufacture）或者组合物（composition of matter）。具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子包括半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、数据处理装置、上述任何装置的驱动方法以及上述任何装置的制造方法。

背景技术

由于杂质的扩散而损坏某些功能元件的功能。为了维持这种功能元件的功能，已知将功能元件密封在由设置有功能元件的衬底、密封衬底、以及将上述衬底和上述密封衬底贴合的密封材料包围的空间中的发明（专利文献1）。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1] 美国专利申请公开第2007/0170854号。

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性高的新颖的功能面板。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种功能面板的方便性或可靠性高的新颖的制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的功能面板、功能面板的新颖的制造方法以及新颖的半导体装置。

另外，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。从说明书、附图及权利要求书等的记载中可明显看出这些目的以外的目的是显然的，而且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽出这些目的以外的目的。

用来解决问题的手段

本发明的一个方式是一种功能面板，包括：第一基材；包括重叠于第一基材的区域的第二基材；将第二基材接合于第一基材的一个面的接合层；接触于第一基材、第二基材及接合层的绝缘层；以及位于由第一基材、第二基材及接合层包围的区域中的功能层。

功能层包括多个功能元件。

另外，本发明的一个方式是其功能元件包括发光元件的上述功能面板。

另外，本发明的一个方式是其功能元件包括显示元件的上述功能面板。

另外，本发明的一个方式是其功能元件包括晶体管的上述功能面板。

上述本发明的一个方式的功能面板包括第一基材、包括重叠于第一基材的区域的第二基材、将第一基材和第二基材接合的接合层、以及接触于第一基材、第二基材及接合层的绝缘层。由此，可以由绝缘层填充在接合层接触于第一基材的区域或接合层接触于第二基材的区域中容易形成的开口，并且能够抑制杂质扩散到位于由第一基材、第二基材及接合层包围的区域中的功能层。其结果，可以提供方便性或可靠性高的新颖的功能面板。

此外，本发明的一个方式是包括下面的六个步骤的功能面板的制造方法。

在第一步骤中，准备加工构件，该加工构件包括：第一基材；包括重叠于第一基材的区域的第二基材；将第二基材接合于第一基材的一个面的接合层；以及位于由第一基材、第二基材及接合层包围的区域中的功能层，功能层包括多个功能元件，并且对加工构件支撑部供应加工构件。

在第二步骤中，将加工构件的温度控制为预定的值，并且使在其内部具备加工构件支撑部的处理室排气。

在第三步骤中，将包含前体化合物的源气体供应给处理室，并且在供应之后从处理室吹扫源气体。

在第四步骤中，将包含氧化剂的源气体供应给处理室，并且在供应之后从处理室吹扫源气体。

在第五步骤中，在都包括第三步骤及第四步骤的循环的重复次数少于预定的次数时，工序回到第三步骤。在循环的重复次数为预定的次数以上时，工序进入第六步骤。

在第六步骤中，将加工构件从处理室搬出。在此，结束绝缘层的形成。

另外，本发明的一个方式是包括下面的八个步骤的功能面板的制造方法。

在第一步骤中，准备加工构件，该加工构件包括：第一基材；包括重叠于第一基材的区域的第二基材；将第二基材接合于第一基材的一个面的第一接合层及第二接合层；位于由第一基材、第二基材及第一接合层包围的区域中的第一功能层；以及位于由第一基材、第二基材及第二接合层包围的区域中的第二功能层，第一功能层及第二功能层分别包括多个功能元件。在第二基材的重叠于第一接合层与第二接合层之间的区域的区域中形成开口。

在第二步骤中，对加工构件支撑部供应加工构件。

在第三步骤中，将加工构件的温度控制为预定的值，并且使在其内部具备加工构件支撑部的处理室排气。

在第四步骤中，将包含前体化合物的源气体供应给处理室，并且在供应之后从处理室吹扫源气体。

在第五步骤中，将包含氧化剂的源气体供应给处理室，并且在供应之后从处理室吹扫源气体。

在第六步骤中，在都包括第三步骤及第四步骤的循环的重复次数少于预定的次数时，工序回到第四步骤。在循环的重复次数为预定的次数以上时，工序进入第七步骤。

在第七步骤中，将加工构件从处理室搬出。在此，结束绝缘层的形成。

在第八步骤中，将加工构件沿着重叠于第一接合层与第二接合层之间的区域的区域截断。

上述本发明的一个方式的功能面板的制造方法包括：供应包含前体化合物的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤；供应包含氧化剂的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤。由此，可以在加工构件表面上形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层。其结果，可以提供功能面板的新颖的制造方法。

另外，本发明的一个方式是一种模块，包括：上述任一个方式所记载的功能面板；以及FPC或触摸传感器。

另外，本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括：上述任一个方式所记载的功能面板或上述模块；以及麦克风、天线、电池、操作开关或框体。

另外，在本说明书中，“EL层”是指设置在发光元件的一对电极之间的层。因此，含有夹在电极之间的作为发光物质的有机化合物的发光层为EL层的一个方式。

另外，在本说明书中，发光装置是指图像显示装置或光源（包括照明装置）。此外，发光装置在其范畴内有时也包括下述任何模块：在发光装置中安装有连接器诸如FPC（Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路）或TCP（Tape Carrier Package：载带封装）的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；以及IC（集成电路）通过COG（Chip On Glass：玻璃覆晶）方式直接安装在形成有发光元件的衬底上的模块。

根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性或可靠性高的新颖的功能面板。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种功能面板的方便性或可靠性高的新颖的制造方法。另外，根据本发明的一个方式，提供一种新颖的功能面板、功能面板的新颖的制造方法以及新颖的半导体装置。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。从说明书、附图及权利要求书等的记载中可明显看出这些效果以外的效果，而且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽出这些效果以外的效果。

附图说明

图1A至1D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图2A至2D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图3A至3D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图4A至4D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图5是说明一个实施方式的功能面板的制造方法的流程图；

图6A1、6A2、6B1以及6B2是说明一个实施方式的功能面板的制造方法的示意图；

图7是说明一个实施方式的功能面板的制造方法的流程图；

图8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2是说明一个实施方式的功能面板的制造方法的示意图；

图9A和9B都是说明可用于一个实施方式的功能面板的制造的成膜系统的示意图；

图10A和10B都是说明可用于一个实施方式的功能面板的制造的成膜装置的结构的示意图；

图11A至11D是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图12A至12D是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图13是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图14A至14C是说明一个实施方式的数据处理装置的结构的图；

图15A、15B、15C1以及15C2都是说明一个实施方式的数据处理装置的结构的图；

图16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2都是说明一个实施方式的数据处理装置的结构的图；

图17A至17D是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图18A至18D是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图19A至19D是说明一个实施方式的功能面板的结构的图；

图20A至20D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图21A至21D说明一个实施方式的功能面板的结构；

图22A至22D说明一个实施方式的功能面板的结构。

具体实施方式

本发明的一个方式的功能面板包括第一基材、包括重叠于第一基材的区域的第二基材、将第一基材和第二基材接合的接合层、以及接触于第一基材、第二基材及接合层的绝缘层。

由此，可以由绝缘层填充在接合层接触于第一基材的区域或接合层接触于第二基材的区域中容易形成的开口，并且能够抑制杂质扩散到位于由第一基材、第二基材及将第一基材和第二基材接合的接合层包围的区域中的功能层。其结果，可以提供方便性或可靠性高的新颖的功能面板。

参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略该部分的重复说明。

实施方式1

在本实施方式中，参照图1A至1D、图2A至2D、图3A至3D以及图4A至4D对本发明的一个方式的功能面板的结构进行说明。

图1A和1D说明本发明的一个方式的功能面板的结构。图1A是本发明的一个方式的功能面板200的俯视图，图1B是沿着图1A中的线A-B及线C-D的截面图。图1C及1D都是示出将图1B所示的结构的一部分替换的结构的截面图。

<功能面板的结构例子1>

在本实施方式中说明的功能面板200包括第一基材210；包括重叠于第一基材210的区域的第二基材270；将第二基材270接合于第一基材210的一个面的接合层205；接触于第一基材210、第二基材270及接合层205的绝缘层290；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合层205包围的区域中的功能层（参照图1A）。

功能层包括多个功能元件。

在本实施方式中说明的功能面板200包括第一基材210；第二基材270；将第一基材210和第二基材270接合的接合层205；以及接触于第一基材210、第二基材270及接合层205的绝缘层290。另外，可以将具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。

由此，可以由绝缘层填充在接合层接触于第一基材的区域或接合层接触于第二基材的区域中容易形成的开口，并且能够抑制杂质扩散到位于由第一基材、第二基材、将第一基材和第二基材接合的接合层包围的区域中的功能层。当将具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270时，能够使功能面板弯折或折叠。其结果，可以提供一种方便性或可靠性高的新颖的功能面板。

注意，可以将发光元件250R用作功能元件。可以将具备发光元件250R的功能面板200称为发光模块。

可以将显示元件用作功能元件。可以将具备显示元件的功能面板200称为显示模块。

可以将驱动晶体管M0用作功能元件。

此外，本发明的一个方式的功能面板200包括像素202、对像素202供应控制信号的驱动电路GD、对像素202供应显示信号的驱动电路SD、以及配置像素202的区域201（参照图1A及1B）。

像素202被供应显示信号（参照图1A）。像素202包括子像素202R等。子像素202R具有显示红色的功能。另外，像素202包括显示绿色的子像素及显示蓝色的子像素等。

子像素202R包括像素电路及显示模块280R（参照图1B）。

像素电路包括驱动晶体管M0及电容器C。

显示模块280R包括发光元件250R、以及在发光元件250R发射光一侧包括重叠于发光元件250R的区域的着色层267R。此外，发光元件250R是显示元件的一个方式。

发光元件250R包括下部电极、上部电极及包含发光有机化合物的层。

电路包括驱动晶体管M0且被配置在第一基材210与发光元件250R之间。绝缘膜221被配置在电路与发光元件250R之间。

驱动晶体管M0包括第二电极。驱动晶体管M0的第二电极通过设置在绝缘膜221中的开口与发光元件250R的下部电极电连接。

电容器C包括第一电极及第二电极。电容器C的第一电极与驱动晶体管M0的栅极电连接。电容器C的第二电极与驱动晶体管M0的第二电极电连接。

驱动电路SD包括晶体管MD及电容器CD。

本发明的一个方式的功能面板200包括与驱动电路SD电连接的布线211、与布线211电连接的端子219、以及与端子219电连接的柔性印刷电路板209。

此外，还包括，在重叠于子像素202R的区域中包括开口的遮光层267BM。

此外，还包括，在重叠于发光元件250R的区域中包括开口且覆盖下部电极的端部的分隔壁228。

此外，还包括，具备重叠于区域201的区域的功能膜267p（参照图1B）。

此外，功能面板200可以在设置有第二基材270一侧显示数据。

下面，说明构成本发明的一个方式的功能面板200的各种要素。注意，无法明确地使上述结构分离，有时一个结构兼作其他结构或包含其他结构的一部分。

<整体的结构>

功能面板200包括第一基材210、第二基材270、接合层205、绝缘层290以及功能层。

另外，功能面板200还包括像素202、驱动电路GD、驱动电路SD、区域201、子像素202R、驱动晶体管M0、电容器C、显示模块280R、发光元件250R、着色层267R、像素电路、绝缘膜221、布线211、端子219、柔性印刷电路板209、遮光层267BM、分隔壁228以及功能膜267p。

<<第一基材210>>

第一基材210只要具有能够耐受制造工序的耐热性以及可以位于制造装置中的厚度及大小，就没有特别的限制。

可以将有机材料、无机材料或有机材料与无机材料的复合材料等用于第一基材210。例如可以将玻璃、陶瓷或金属等无机材料用于第一基材210。

具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃或水晶玻璃等用于第一基材210。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜等用于第一基材210。例如，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化铝膜等用于第一基材210。可以将SUS或铝等用于第一基材210。

例如，可以将树脂、树脂膜或塑料等有机材料用于第一基材210。具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等树脂膜或树脂板用于第一基材210。

例如，第一基材210可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂膜等的复合材料。例如，作为第一基材210可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂膜而得到的复合材料。例如，作为第一基材210，可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。

可以将单层材料或层叠有多个层的叠层材料用于第一基材210。例如，可以将层叠有基材与防止包含在基材中的杂质扩散的绝缘膜等的叠层材料用于第一基材210。具体而言，可以将层叠有玻璃与防止包含在玻璃中的杂质扩散的选自氧化硅层、氮化硅层和氧氮化硅层等中的一种或多种的膜的叠层材料用于第一基材210。或者，可以将层叠有树脂与防止包含在树脂中的杂质扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的叠层材料用于第一基材210。

可以将具有柔性的材料用于第一基材210。例如，可以使用具有能够弯曲或折叠的柔性的材料。具体而言，可以使用能够以5mm以上，优选为4mm以上，更优选为3mm以上，特别优选为1mm以上的曲率半径弯曲的材料。可以将厚度为2.5μm以上且3μm以下，优选为5μm以上且1.5μm以下，更优选为10μm以上且500μm以下的材料用于第一基材210（参照图2A至2D）。

具体而言，作为第一基材210，可以使用层叠有柔性基材210b、防止杂质的扩散的阻挡膜210a、以及将柔性基材210b和阻挡膜210a贴合的树脂层210c的叠层体。

<<第二基材270>>

可以将可用于第一基材210且在重叠于显示元件的区域中具有透光性的材料用于第二基材270。可以将具有柔性的材料用于第二基材270。具体而言，作为第二基材270，可以使用层叠有柔性基材270b、防止杂质的扩散的阻挡膜270a、以及将阻挡膜270a和柔性基材270b贴合的树脂层270c的叠层体。

<<接合层205>>

可以将能够贴合第一基材210和第二基材270的材料用于接合层205。

可以将无机材料、有机材料或无机材料与有机材料的复合材料等用于接合层205。

例如，可以使用熔点为400℃以下、优选为300℃以下的玻璃层或粘合剂等。

例如，可以将光固化型粘合剂、反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂和/或厌氧型粘合剂等有机材料用于接合层205。

具体而言，可以使用包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、亚胺树脂、聚氯乙烯（PVC）树脂、聚乙烯醇缩丁醛（PVB）树脂或乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）树脂等的粘合剂。

<<绝缘层290>>

绝缘层290可以使用具有电绝缘性的材料或抑制杂质的扩散的材料。例如，绝缘层290可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金属或聚合物。

例如，可以使用包含氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化硅、钛酸锶、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化锆、氧化锡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化铒、氧化钒或氧化铟等的材料。

例如，可以使用包含氮化铝、氮化铪、氮化硅、氮化钽、氮化钛、氮化铌、氮化钼、氮化锆或氮化镓等的材料。

例如，可以使用包含铜、铂、钌、钨、铱、钯、铁、钴或镍等的材料。

例如，可以使用包含硫化锌、硫化锶、硫化钙、硫化铅、氟化钙、氟化锶或氟化锌等的材料。

例如，可以使用包含含有钛及铝的氮化物、含有钛及铝的氧化物、含有铝及锌的氧化物、含有锰及锌的硫化物、含有铈及锶的硫化物、含有铒及铝的氧化物或者含有钇及锆的氧化物等的材料。

例如，可以将能够通过利用原子层沉积（ALD：Atomic Layer Deposition）法形成的材料用于绝缘层290。通过利用原子层沉积法可以形成致密且裂缝或针孔等缺陷被减少或具备均匀的厚度的绝缘层290。此外，可以减少在形成绝缘层290时加工构件受到的损伤。

<<功能层>>

可以将功能电路、功能元件、光学元件、功能膜或者包含选自它们中的多个元件的层用于功能层。

例如，可以将电元件或生物芯片用作功能层。具体而言，可以使用晶体管、电容器、电阻器、存储元件、发光元件或显示元件等。

例如，可以将显示元件及驱动显示元件的像素电路用作功能层。

例如，可以将触摸传感器、滤色片或防湿膜等用作功能层。

<<区域201>>

区域201包括多个功能元件。例如，区域201具备配置为矩阵状的功能元件。具体而言，区域201具备配置为矩阵状的多个像素202。由此，功能面板200能够在区域201上显示图像数据。

<<像素202>>

可以将多个子像素用于像素202。例如，可以使用显示红色的子像素202R、显示绿色的子像素以及显示蓝色的子像素。此外，可以使用显示黄色、白色、青色（cyan）及品红色（magenta）的子像素等。

<<子像素>>

可以将显示元件及驱动显示元件的像素电路用于子像素。

绝缘膜221可以配置在包括显示元件的功能层和包括像素电路的功能层之间。

例如，可以将无机材料、有机材料或无机材料与有机材料的复合材料用于绝缘膜221。具体而言，可以将包含硅及氮的膜、包含硅及氧的膜、包含聚酰亚胺的膜、包含丙烯酸树脂的膜、包含硅酮树脂的膜或层叠有选自这些膜中的多个膜的膜等用作绝缘膜221。

此外，功能面板200包括在重叠于子像素202R的区域中包括开口的遮光层267BM。遮光层267BM具有遮光性。

例如，可以将分散有颜料的树脂、包含染料的树脂或黑色铬膜等无机膜用于遮光层267BM。具体而言，可以将碳黑、无机氧化物或包含多个无机氧化物的固溶体的复合氧化物等用于遮光层267BM。

另外，可以将在重叠于显示元件的区域中包括开口的分隔壁228用作功能面板200。例如，可以将重叠有分隔壁228而设置的导电膜中的重叠于分隔壁228的开口的区域用作发光元件250R的下部电极。由此，可以防止在下部电极的端部产生台阶。

<<显示元件>>

例如，可以将其对比度、亮度、反射率或透射率等因电或磁作用而变化的显示媒体用作显示元件。

此外，可以将包括发光元件250R以及使发光元件250R发射的光的至少一部分透过的着色层267R的显示模块280R用作显示元件。

例如，可以将包含颜料或染料等材料的层用于着色层267R。由此，可以使显示模块280R发射特定颜色的光。

可以采用在反射膜和半透半反膜之间配置发光元件250R的微谐振器结构。具体而言，可以使用发光元件250R，其中将反射性的导电膜用作一个电极且将半透半反导电膜用作另一个电极。

例如，也可以将高效地提取红色光的微谐振器及使红色光透过的着色层用于显示红色的显示模块280R，将高效地提取绿色光的微谐振器及使绿色光透过的着色层用于显示绿色的显示模块，或者将高效地提取蓝色光的微谐振器及使蓝色光透过的着色层用于显示蓝色光的显示模块。

注意，还可以将高效地提取黄色光的微谐振器及使黄色光透过的着色层用于显示模块。

具体而言，可以使用电致发光（EL）元件（包含有机材料及无机材料的EL元件、有机EL元件或无机EL元件）、LED（白色LED、红色LED、绿色LED或蓝色LED等）、晶体管（根据电流而发光的晶体管）、电子发射器、液晶元件、电子墨水、电泳元件、光栅光阀（GLV）、等离子体显示面板（PDP）、使用微电子机械系统（MEMS）的显示元件、数字微镜设备（DMD）、数码微快门（DMS）、MIRASOL（在日本注册的商标）、干涉调制（IMOD）元件、快门方式的MEMS显示元件、光干涉方式的MEMS显示元件、电润湿（electrowetting）元件、压电陶瓷显示器或使用碳纳米管的显示元件等。

<<像素电路>>

可以使用适合用于显示元件的各种像素电路。

例如，可以使用包括驱动晶体管M0或电容器C的像素电路。

可以将各种晶体管用于驱动晶体管M0。

例如，可以使用将14族的元素、化合物半导体或氧化物半导体等用于半导体层的晶体管。具体而言，可以将使用包含硅的半导体、包含砷化镓的半导体或包含铟的氧化物半导体等用于驱动晶体管M0的半导体层。

例如，可以将单晶硅、多晶硅或非晶硅等用于驱动晶体管M0的半导体层。

例如，可以使用底栅型晶体管或顶栅型晶体管等。

<<驱动电路>>

可以将移位寄存器等各种各样的时序电路用作驱动电路GD或驱动电路SD。

可以将各种各样的晶体管用作驱动电路SD的晶体管MD。例如，可以将能够通过与驱动晶体管M0相同的工序形成的结构用于晶体管MD。

可以将与电容器C相同的结构用于电容器CD。

<<布线和端子>>

可以将导电性材料用于布线211或端子219。

例如，可以将无机导电性材料、有机导电性材料、金属材料或导电性陶瓷材料等用于布线211或端子219。

具体而言，作为布线211或端子219，可以使用选自铝、金、铂、银、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钯和锰中的金属元素、包含上述任何金属元素的合金或组合上述任何金属元素的合金等。

或者，可以将氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或添加有镓的氧化锌等导电氧化物用于布线211或端子219。

可以将石墨烯或石墨用于导电膜。包含石墨烯的膜例如可以通过使包含氧化石墨烯的膜还原而形成。作为还原方法，可以采用进行加热的方法或使用还原剂的方法等。

或者，可以使用导电高分子。

另外，可以使端子219与柔性印刷电路板209电连接，例如，可以使用各向异性导电膜电连接。

<<其他>>

功能面板200包括功能膜267p。

例如，可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料用于功能膜267p。具体而言，可以使用包含氧化铝或氧化硅等的陶瓷涂层、包含UV固化树脂等的硬涂层、防反射膜或者圆偏振片等。

<<晶体管>>

可以将各种各样的晶体管用作驱动晶体管M0或晶体管MD。

例如，可以将底栅型晶体管用作驱动晶体管M0或晶体管MD。

例如，可以将包含氧化物半导体或非晶硅等的半导体层用于驱动晶体管M0及晶体管MD。

例如，优选包括以In-M-Zn氧化物表示的膜，该In-M-Zn氧化物膜至少包含铟（In）、锌（Zn）及M（M为Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属）。或者，优选包含In和Zn两者。

作为稳定剂，可以举出镓（Ga）、锡（Sn）、铪（Hf）、铝（Al）及锆（Zr）等。作为其他稳定剂，可以举出镧系元素的镧（La）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）或镥（Lu）等。

作为构成氧化物半导体膜的氧化物半导体，例如可以使用下述任何氧化物：In-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Zn类氧化物、In-Hf-Zn类氧化物、In-La-Zn类氧化物、In-Ce-Zn类氧化物、In-Pr-Zn类氧化物、In-Nd-Zn类氧化物、In-Sm-Zn类氧化物、In-Eu-Zn类氧化物、In-Gd-Zn类氧化物、In-Tb-Zn类氧化物、In-Dy-Zn类氧化物、In-Ho-Zn类氧化物、In-Er-Zn类氧化物、In-Tm-Zn类氧化物、In-Yb-Zn类氧化物、In-Lu-Zn类氧化物、In-Sn-Ga-Zn类氧化物、In-Hf-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Ga-Zn类氧化物、In-Sn-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Hf-Zn类氧化物、In-Hf-Al-Zn类氧化物及In-Ga类氧化物。

注意，在此，“In-Ga-Zn类氧化物”例如是指作为其主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，对In：Ga：Zn的比例没有限制。In-Ga-Zn类氧化物也可以包含In、Ga和Zn以外的金属元素。

例如，可以将包含利用激光退火等结晶化处理而得到的多晶硅的半导体层用于驱动晶体管M0及晶体管MD（参照图1C）。

例如，可以将顶栅型晶体管用于驱动晶体管M0及晶体管MD（参照图1D）。

例如，可以将含有多晶硅的半导体层或包括从单晶硅衬底等转置的单晶硅膜等的半导体层用于驱动晶体管M0及晶体管MD。

参照图17A至17D、图18A至18D、图19A至19D、图20A至20D、图21A至21D以及图22A至22D说明本发明的一个方式的功能面板的另一个结构。

图17A至17D、图18A至18D、图19A至19D、图20A至20D、图21A至21D以及图22A至22D都说明本发明的一个方式的功能面板的结构。图17A、图18A、图19A、图20A、图21A及图22A是本发明的实施方式的功能面板的俯视图。图17B、图18B、图19B、图20B、图21B及图22B分别是沿着图17A、图18A、图19A、图20A、图21A及图22A中的线A-B及线C-D的截面图。图17C、图18C、图19C、图20C、图21C及图22C以及图17D、图18D、图19D、图20D、图21D及图22D是说明将图17B、图18B、图19B、图20B、图21B及图22B的一部分的结构替换的截面图。

功能面板200（1）与功能面板200的不同之处在于：功能面板200（1）包括绝缘层291且在绝缘层291和第一基材210之间包括发光元件250R（参照图17B及图18B）。

可以将可用于绝缘层290的材料用于绝缘层291。可以通过与绝缘层290相似的方法形成绝缘层291。

功能面板200（2）与功能面板200的不同之处在于：功能面板200（2）包括绝缘层291且在绝缘层291和第一基材210之间包括驱动晶体管M0（参照图19A至19D及图20A至20D）。

可以将可用于绝缘层290的材料用于绝缘层291。可以通过与绝缘层290相似的方法形成绝缘层291。

功能面板200（3）与功能面板200的不同之处在于：功能面板200（3）在绝缘层290和第二基材270之间包括功能膜267p（参照图21A至21D及图22A至22D）。

<功能面板的结构例子2>

参照图3A至3D对本发明的一个方式的功能面板的另一个结构进行说明。

图3A至3D说明本发明的一个方式的功能面板的结构。另外，图3A是本发明的一个方式的功能面板200B的俯视图，图3B是沿着图3A中的线A-B及线C-D的截面图。图3C及3D都是示出将图3B所示的一部分替换的结构的截面图。

在本实施方式中说明的功能面板200B在如下结构中与参照图1A至1D说明的功能面板200不同：在第一基材210和发光元件250R之间配置有在重叠于子像素202R的区域中包括开口的遮光层267BM及着色层267R；功能膜267p设置在第一基材210一侧；以及显示模块280R向设置有第一基材210一侧发射光。

第一基材210在重叠于显示元件的区域中具有透光性。第二基材270并不一定必须具有透光性。作为其他构成要素，可以采用同样的构成要素。

由此，功能面板200B在设置有第一基材210一侧可以显示数据。

此外，可以将具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能够弯曲或折叠的柔性的材料。具体而言，作为第一基材210，可以使用层叠有柔性基材210b、防止杂质的扩散的阻挡膜210a、以及将柔性基材210b和阻挡膜210a贴合的树脂层210c的叠层体。作为第二基材270，可以使用层叠有柔性基材270b、防止杂质的扩散的阻挡膜270a、以及将柔性基材270b和阻挡膜270a贴合的树脂层270c的叠层体（参照图4A至4D）。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式2

在本实施方式中，参照图5、图6A1、6A2、6B1以及6B2、图7、图8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2对本发明的一个方式的功能面板的制造方法进行说明。

图5是说明本发明的一个方式的功能面板的制造方法的流程图。图6A1、6A2、6B1及6B2是说明工序中的加工构件的结构的示意图。图6A1是本发明的一个方式的加工构件的顶面示意图，图6B1是本发明的一个方式的加工构件及使用该加工构件的功能面板的顶面示意图，并且图6A2及6B2是沿着左侧的附图中的线W1-W2的截面示意图。

<功能面板的制造方法例子1>

在本实施方式中说明的功能面板的制造方法包括下面六个步骤（参照图5）。

<<第一步骤>>

在第一步骤中，准备加工构件10，将加工构件10供应给未图示的加工构件支撑部（参照图5（S1））。注意，加工构件支撑部具有控制加工构件10的温度的功能。

另外，加工构件10包括第一基材310、具备重叠于第一基材310的区域的第二基材370、将第二基材370接合于第一基材310的一个面的接合层305、以及位于由第一基材310、第二基材370及接合层305包围的区域中的功能层330。功能层330包括多个功能元件（参照图6A1及6A2）。

<<第二步骤>>

在第二步骤中，例如使用加工构件支撑部将加工构件10的温度控制为预定的值，而使其内部具备加工构件10及加工构件支撑部的处理室（未图示）排气（参照图5（S2））。注意，处理室包括可以密封的空间。

<<第三步骤>>

在第三步骤中，将包含前体化合物的源气体供应给处理室，且在供应之后从处理室吹扫源气体（参照图5（S3））。例如，可以将金属醇盐或有机金属化合物等用作前体化合物。另外，可以将使处理室排气的方法或在引入惰性气体的同时使处理室排气的方法等用于吹扫源气体的方法。

<<第四步骤>>

在第四步骤中，将包含氧化剂的源气体供应给处理室，并且在供应之后从处理室吹扫源气体（参照图5（S4））。例如，可以将水蒸气或臭氧等用作氧化剂。另外，在结束该步骤时，在加工构件10的表面上形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层。通过该方法，可以在具有复杂的形状的表面上形成致密的膜。其结果，可以形成针孔等的缺陷少的绝缘层。

<<第五步骤>>

在第五步骤中，在都包括第三步骤及第四步骤的循环的重复次数少于预定的次数时，工序回到第三步骤。在循环的重复次数为预定的次数以上时，工序进入第六步骤（参照图5（S5））。注意，重复的单位包括一个循环，一个循环包括第三步骤及第四步骤。

注意，在第三步骤中可以采用交替地供应两个以上的前体化合物的方法。例如，第三步骤包括如下两个步骤，即可以采用供应包含第一前体化合物的源气体的步骤、以及供应包含第二前体化合物的源气体的步骤。在此情况下，一个循环包括具有上述两个步骤的第三步骤及第四步骤。

<<第六步骤>>

在第六步骤中，将加工构件10从处理室搬出。在此，结束绝缘层390的形成（参照图5（S6）、图6B1及6B2）。另外，在结束该步骤时，可以提供在其表面上以预定的厚度形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层390的功能面板300。

在本实施方式中说明的功能面板的制造方法包括：供应包含前体化合物的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤；以及供应包含氧化剂的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤。由此，可以在加工构件表面上形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层。其结果，可以提供功能面板的新颖的制造方法。

在本实施方式中说明的功能面板的制造方法例如可以通过利用在实施方式3中说明的本发明的实施方式的任何成膜系统而实施。

具体而言，在成膜装置100中，可以在第一基材310上形成功能层，并且在密封室SU中，使用接合层305将第一基材310与第二基材370互相贴合来制造第一基材310。

并且，通过使用原子层沉积（ALD）装置，可以形成绝缘层390。

可以将剥离工艺（lift-off）法等用于在加工构件10的一部分中设置不形成绝缘层390的区域的方法。

例如，将在后面的工序中可以剥离的抗蚀剂掩模形成在不形成绝缘层390的区域中的加工构件用作加工构件10。

在进行上述第一步骤至第六步骤之后，去除抗蚀剂掩模。由此，可以将形成在抗蚀剂掩模上的绝缘层390与抗蚀剂掩模一起从加工构件10分离。

具体而言，可以将感光性的抗蚀剂、可溶性的树脂或粘合胶带等用作抗蚀剂掩模。

<功能面板的制造方法例子2>

参照图7及图8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2说明本发明的一个方式的功能面板的制造方法的另一个例子。

图7是说明本发明的一个方式的功能面板的制造方法的流程图。图8A1、8A2、8B1、8B2、8C1、8C2、8D1以及8D2是说明工序中的加工构件的结构的示意图。图8A1、8B1、8C1以及8D1是说明本发明的一个方式的加工构件的顶面示意图，图8A2、8B2、8C2以及8D2是沿着左侧的附图中的线W1-W2的截面示意图。

在本实施方式中说明的功能面板的另一个制造方法包括下面八个步骤（参照图7）。注意，例如，可以通过利用实施方式3所说明的本发明的实施方式的任何成膜系统而实施。

图7中的功能面板的制造方法在如下三点中与图5中的制造方法不同。

第一点是使用加工构件10B。加工构件10B包括：第一接合层305a；第二接合层305b；位于由第一基材310、第二基材370及第一接合层305a包围的区域中的第一功能层330a；以及位于由第一基材310、第二基材370及第二接合层305b包围的区域中的第二功能层330b（图8A1及8A2）。

第二点是图7中的制造方法包括在第二基材370中的重叠于第一接合层305a与第二接合层305b之间的区域的区域中形成开口的步骤（参照图7（T1）、图8B1及8B2）。

第三点是图7中的制造方法包括将加工构件10B沿着重叠于第一接合层305a和第二接合层305b之间的区域的区域分割的步骤（参照图7（T8）、图8D1及8D2）。

在此，对不同的步骤进行详细说明。关于可使用相同步骤的部分，引用上述说明。

<<第一步骤>>

在第一步骤中，准备加工构件10B（参照图8A1及8A2），并且在重叠于第一接合层305a和第二接合层305b之间的区域的第二基材370中的区域中形成开口（参照图7（T1）、图8B1及8B2）。

例如，将第二基材370分割为第二基材370a及第二基材370b，以在第二基材370a和第二基材370b之间形成连续的开口。或者，也可以通过使用锋利的尖端刺入第二基材370的方法或利用激光等的方法（例如激光烧蚀法）等，以虚线状形成多个开口。

<<第二步骤>>

在第二步骤中，将加工构件10B供应给未图示的加工构件支撑部（参照图7（T2））。

<<第三步骤>>

在第三步骤中，例如使用加工构件支撑部将加工构件10B的温度控制为预定的值，而使其内部具备加工构件支撑部的处理室排气（参照图7（T3））。注意，处理室包括可以密封的空间。

<<第四步骤>>

在第四步骤中，将包含前体化合物的源气体供应给处理室，且在供应之后从处理室吹扫源气体（参照图7（T4））。

<<第五步骤>>

在第五步骤中，将包含氧化剂的源气体供应给处理室，并且在供应之后使处理室排气（参照图7（T5））。

另外，在结束该步骤时，在加工构件10B的表面上形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层。通过该方法，可以在具有复杂的形状的表面上形成致密的膜。其结果，可以形成针孔等的缺陷少的绝缘层。例如，在第四步骤及第五步骤中，源气体从在第一步骤中形成的开口侵入而可以在该开口的内部形成绝缘层。

<<第六步骤>>

在第六步骤中，在都包括第三步骤及第四步骤的循环的重复次数少于预定的次数时，工序回到第四步骤。在循环的重复次数为预定的次数以上时，工序进入第七步骤（参照图7（T6））。

<<第七步骤>>

在第七步骤中，将加工构件10B从处理室搬出。在此，结束绝缘层390的形成（参照图7（T7）、图8C1及8C2）。

<<第八步骤>>

在第八步骤中，将加工构件10B沿着重叠于第一接合层305a和第二接合层305b之间的区域的区域分割（参照图7（T8）、图8D1及8D2）。注意，在结束该步骤时，可以提供在其表面上以预定的厚度形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层390a的第一功能面板300（1）、以及在其表面上以预定的厚度形成绝缘层390b的第二功能面板300（2）。

此外，第一功能面板300（1）包括第一基材310a、具备重叠于第一基材310a的区域的第二基材370a、将第二基材370a接合于第一基材310a的一个面的第一接合层305a、以及位于由第一基材310a、第二基材370a及第一接合层305a包围的区域中的第一功能层330a。第一功能层330a包括多个功能元件。

第一功能面板300（1）包括第一基材310a。由于上述分割，第一基材310a具备没有形成绝缘层390a的端面。

此外，第二功能面板300（2）包括第一基材310b、具备重叠于第一基材310b的区域的第二基材370b、将第二基材370b接合于第一基材310b的一个面的第二接合层305b、以及位于由第一基材310b、第二基材370b及第二接合层305b包围的区域中的第二功能层330b。第二功能层330b包括多个功能元件。

第一功能面板300（2）包括第一基材310b。由于上述分割，第一基材310b具备没有形成绝缘层390b的端面。

在本实施方式中说明的功能面板的制造方法包括供应包含前体化合物的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤、以及供应包含氧化剂的源气体，并且在供应之后从处理室吹扫源气体的步骤。由此，可以在加工构件表面上形成包含前体化合物的氧化物的绝缘层。其结果，可以提供功能面板的新颖的制造方法。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式3

在本实施方式中，参照图9A及9B、图10A及10B说明可以用于本发明的一个方式的功能面板的制造的成膜系统的结构。

图9A和9B说明可以用于本发明的一个方式的功能面板的制造的成膜系统的结构。图9A是本发明的一个方式的集群型成膜系统1000的示意图，图9B是本发明的一个方式的直列型成膜系统1000B的示意图。

图10A和10B都说明可以用于本发明的实施方式的任何成膜系统的成膜装置的结构。图10A是说明通过使用荫罩170及可以用于本发明的一个方式的成膜系统的成膜装置100在第一基材310上进行成膜的状态的截面图，图10B是说明通过使用原子层沉积（ALD）装置在加工构件10上进行成膜的状态的截面图。

<成膜系统的结构例子1>

成膜系统1000包括搬入单元LD、连接于搬入单元LD的传送室DC、连接于传送室DC的搬出单元ULD、连接于传送室DC的成膜装置100、密封室SU、原子层沉积（ALD）装置以及化学气相沉积（CVD）装置（参照图9A）。

搬入单元LD将第一基材310搬入。第一基材310被搬入到传送室DC并被传送。搬出单元ULD将加工构件10搬出。

第一基材310被传送到成膜装置100，并在第一基材310上沉积成膜材料。

第一基材310被搬入到密封室SU，并在第一基材310上形成密封材料，且将加工构件10搬出密封室SU。例如，在第一基材310上形成接合层，通过使用接合层将第一基材310和第二基材370互相贴合，而形成密封材料。

加工构件10被传送到ALD装置并将成膜材料沉积在加工构件10上。

在CVD装置中传送加工构件10，并将成膜材料沉积在加工构件10上。

成膜装置100、ALD装置及CVD装置都具备传送口。荫罩170被搬入到成膜装置100。

另外，多个成膜装置、ALD装置及CVD装置也可以连接于传送室DC。

<成膜系统的结构例子2>

成膜系统1000B包括搬入单元LD、连接于搬入单元LD的成膜装置100A、连接于成膜装置100A的成膜装置100B、连接于成膜装置100B的成膜装置100C、连接于成膜装置100C的成膜装置100D、连接于成膜装置100D的密封室SU、连接于密封室SU的ALD装置、连接于ALD装置的CVD装置、以及连接于CVD装置的搬出单元ULD（参照图9B）。

搬入单元LD将第一基材310搬入。搬出单元ULD将加工构件10搬出。

第一基材310被搬入到成膜装置100A至成膜装置100D并将成膜材料沉积在第一基材310上，且将第一基材310搬出成膜装置100A至成膜装置100D。

第一基材310被搬入到密封室SU，并将密封材料形成在第一基材310上，且密封室SU传送加工构件10。例如，在第一基材310上形成接合层，通过使用接合层将第一基材310和第二基材370互相贴合，而形成密封材料。

加工构件10被搬入到ALD装置并将成膜材料沉积在加工构件10上，且将加工构件10搬出ALD装置。

加工构件10被搬入CVD装置并将成膜材料沉积在加工构件10上，且将加工构件10搬出CVD装置。

成膜装置100A至成膜装置100D、密封室SU、ALD装置及CVD装置都具备搬入口及搬出口。荫罩170被搬入到成膜装置100A至成膜装置100D。

此外，为了防止水分的附着，在包括在成膜系统1000或成膜系统1000B中的各单元和装置中，优选充填具有被控制的露点的惰性气体（氮气等），更优选保持减压状态。

在本实施方式中说明的成膜系统1000B包括多个成膜装置100A至成膜装置100D、密封室SU、ALD装置及CVD装置。

由此，可以在第一基材310上层叠多个膜。此外，可以在将之前形成的膜不暴露于大气的状态下，在之前形成的膜上层叠成膜材料。此外，可以抑制杂质的混入，并可以实现高生产量。此外，可以在包括第一基材310、第二基材370、以及将第一基材310和第二基材370贴合的接合层的加工构件10上形成针孔少的绝缘层。

下面，说明包括在成膜系统1000或成膜系统1000B中的各要素。注意，无法明确地使上述结构分离，有时一个结构兼作其他结构或包含其他结构的一部分。

<<成膜装置100>>

在本实施方式中说明的成膜装置100包括具有支撑第一基材310的功能的加工构件支撑部110、具有以附着于第一基材310的方式喷射成膜材料的功能的蒸镀源120A、具有在第一基材310与蒸镀源120A之间支撑荫罩170的功能的荫罩支撑部115、以及其内部配置有加工构件支撑部110、蒸镀源120A及荫罩支撑部115的成膜室190（参照图10A）。

此外，成膜装置100也可以包括动力机构140。例如，成膜装置100也可以具有利用动力机构140将加工构件支撑部110与第一基材310一起相对于蒸镀源120A移动的功能。由此，可以使蒸镀源120A喷射的成膜材料均匀地沉积在第一基材310的表面上。

此外，成膜装置100也可以通过利用动力机构140将荫罩支撑部115与荫罩170、加工构件支撑部110及第一基材310一起移动。

此外，成膜装置100也可以包括检测出相对于第一基材310的荫罩170的位置的检测器198。例如，通过使用加工构件支撑部110或/和荫罩支撑部115进行移动，而相对于荫罩170将第一基材310配置在预定的位置。

成膜装置100也可以包括控制成膜室190的压力的排气单元197及对成膜室190引入预定的气体的管道196。

此外，成膜装置100也可以包括具有将第一基材310或/和荫罩170搬入或/和搬出成膜室190的功能的门阀195。

除了蒸镀源120A之外，成膜装置100也可以包括蒸镀源120B。此外，成膜装置100也可以包括遮蔽从蒸镀源120A喷射的成膜材料的遮蔽板121A，以及检测每单位时间从蒸镀源120A喷射的成膜材料量的检测器122A。

<<密封室SU>>

密封室SU具有例如由接合层将第一基材310和第二基材370贴合的功能。由此，使用第二基材370保护形成在第一基材310的表面上的功能层等。

密封室SU可以将第一基材310替换为其它基材。例如，密封室SU可以将形成在第一基材310上的功能面板的一部分从第一基材310分离且将该功能面板的一部分贴合到其它基材。具体而言，可以将不具有柔性的基材替换为具有柔性的基材。注意，在本说明书中，将替换第一基材310之后的基材也称为第一基材310。

<<原子层沉积（ALD）装置>>

ALD装置具有在其表面具有复杂的结构的加工构件10的表面上沉积各种各样的成膜材料的功能。例如具有在加工构件10上形成厚度为20nm以上且200nm以下的膜的功能。

例如，在加工构件10的表面上形成有称为针孔的小孔等的情况下，成膜材料可以进入针孔内部而被沉积，由此可以填充针孔。

现有的利用CVD法的成膜装置在进行成膜时将用于反应的一种或多种源气体同时供应到处理室。在利用ALD法的成膜装置中，将用于反应的源气体依次引入处理室，并且，按该顺序反复地引入气体。例如，通过切换各开关阀（也称为高速阀）来将两种以上的源气体依次供应到处理室。为了防止多种源气体混合，在引入第一源气体之后引入惰性气体（氩或氮等）等，然后引入第二源气体。另外，也可以利用真空抽气将第一源气体排出来代替引入惰性气体，然后引入第二源气体。第一源气体附着到衬底表面来形成第一单原子层，之后引入的第二源气体与该第一单原子层起反应，由此第二单原子层层叠在第一单原子层上而形成薄膜。通过按该顺序反复多次引入气体直到获得所希望的厚度为止，可以形成台阶覆盖性良好的薄膜。由于薄膜的厚度可以根据按顺序反复引入气体的次数来进行调节，因此，ALD法可以准确地调节厚度而适用于形成微型晶体管。

此外，当利用ALD法时不发生等离子体损伤。

图10B示出利用ALD法的成膜装置（也称为原子层沉积（ALD）装置）的一个例子。ALD装置包括：成膜室（处理室180）；原料供应部181a和181b；用作流量控制器的高速阀182a和182b；原料引入口183a和183b；原料排出口184；以及排气单元185。设置在处理室180内的原料引入口183a和183b通过供应管和阀分别连接到原料供应部181a和181b。原料排出口184通过排出管、阀及压力调节器连接到排气单元185。

处理室内部设置有具备加热器的加工构件支撑部186，将在其上形成膜的第一基材310配置在该加工构件支撑部186上。

在原料供应部181a和181b中，利用汽化器或加热单元等由固态或液态的原料形成源气体。或者，原料供应部181a和181b也可以供应气态的原料。

虽然示出设置两个原料供应部181a和181b的例子，但是本发明的一个方式不局限于此，也可以设置三个以上的原料供应部。高速阀182a和182b可以按时间精确地进行控制，而供应源气体和惰性气体中的一个。高速阀182a和182b为源气体的流量控制器，也可以称为惰性气体的流量控制器。

在图10B所示的成膜装置中，将加工构件10搬入到加工构件支撑部186上，使处理室180处于密闭状态，利用加工构件支撑部186的加热器将加工构件10加热至所希望的温度（例如，80℃以上、100℃以上或150℃以上），反复地进行源气体的供应、利用排气单元185的排气、惰性气体的供应以及利用排气单元185的排气，由此将薄膜形成在衬底表面上。

在图10B所示的成膜装置中，通过适当地选择在原料供应部181a和181b中使用的原料（挥发性有机金属化合物等），可以形成包含含有铪、铝、钽和锆等中的一种以上的元素的氧化物（包括复合氧化物）的绝缘层。具体而言，可以形成含有氧化铪的绝缘层、含有氧化铝的绝缘层、含有硅酸铪的绝缘层或含有硅酸铝的绝缘层。此外，通过适当地选择在原料供应部181a和181b中使用的原料（挥发性有机金属化合物等），也可以形成钨层或钛层等金属层或者氮化钛层等氮化物层等的薄膜。

例如，当使用ALD装置形成氧化铪层时，使用如下两种气体：用作氧化剂的臭氧（O₃）；以及通过使包含溶剂和铪前体化合物的液体（铪醇盐或四（二甲基酰胺）铪（TDMAH）等铪酰胺）气化而得到的源气体。此时，从原料供应部181a供应的第一源气体为TDMAH，从原料供应部181b供应的第二源气体为臭氧。注意，四（二甲基酰胺）铪的化学式为Hf[N（CH₃）₂]₄。其它材料液的例子包括四（乙基甲基酰胺）铪。

例如，当使用ALD装置形成氧化铝层时，使用如下两种气体：用作氧化剂的H₂O；以及通过使包含溶剂和铝前体化合物（三甲基铝（TMA）等）的液体气化而得到的源气体。此时，从原料供应部181a供应的第一源气体为TMA，从原料供应部181b供应的第二源气体为H₂O。注意，三甲基铝的化学式为Al（CH₃）₃。其它材料液的例子包括三（二甲基酰胺）铝、三异丁基铝及铝三（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮）。

当使用ALD装置形成钨层时，依次反复引入WF₆气体和B₂H₆气体形成初始钨层，然后使用WF₆气体和H₂气体形成钨层。注意，也可以使用SiH₄气体代替B₂H₆气体。这些气体也可以利用质量流量控制器控制。

<<化学气相沉积（CVD）装置>>

CVD装置可以通过利用化学气相沉积法将成膜材料沉积在加工构件上。例如，可以使用利用等离子体CVD法的成膜装置。

另外，也可以使用利用有机金属化学气相沉积（MOCVD：Metal Organic ChemicalVapor Deposition）法的成膜装置或利用溅射法的成膜装置代替或加上CVD装置。

<<加工构件支撑部110>>

加工构件支撑部110具有支撑第一基材310的功能。此外，加工构件支撑部110可以具有将第一基材310相对于蒸镀源120A移动的功能。

例如，可以将握持或支撑第一基材310的端部或其附近的结构用于加工构件支撑部110。具体而言，可以使用具备夹紧机构的构件或L字状等的支撑构件。另外，也可以包括握持或支撑第一基材310的多个结构。具体而言，在第一基材310为长方形的情况下，可以支撑第一基材310的四角或其附近。

例如，通过利用动力机构140，可以将加工构件支撑部110相对于蒸镀源120A移动。具体而言，也可以使用伺服电动机、步进电动机或气缸使加工构件支撑部110移动。具体而言，也可以使加工构件支撑部110在蒸镀源120A上方旋转或横穿过蒸镀源120A上方。

另外，加工构件支撑部110也可以具有保持第一基材310的相对于荫罩170的位置的功能，例如将第一基材310密接于荫罩170的功能。具体而言，也可以使用弹簧等弹性体，将第一基材310按压到荫罩。另外，也可以以在与荫罩之间夹着第一基材310的方式配置磁体等，而将荫罩吸引到第一基材310。

第一基材310只要具有能够耐受制造工序的耐热性以及可以位于制造装置中的厚度及大小，就没有特别的限制。

另外，第一基材310可以包括各种各样的功能层，例如包括功能电路、功能元件、光学元件或功能膜等的层或者包括选自它们中的多个的层。具体例子是已知的显示装置的像素电路、像素的驱动电路、显示元件、滤色片及防潮膜以及包括选自它们中的多个的层。

可以将有机材料、无机材料或有机材料与无机材料的复合材料等用于第一基材310。

例如可以将玻璃、陶瓷或金属等无机材料用于第一基材310。

具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃或水晶玻璃等用于第一基材310。

具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜等用于第一基材310。例如，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化铝膜用于第一基材310。

例如，可以将树脂、树脂膜或塑料等有机材料用于第一基材310。

具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂膜或树脂板用于第一基材310。

例如，作为第一基材310，可以使用将薄板状的玻璃板或无机材料的膜贴合于树脂膜等的复合材料。

例如，作为第一基材310，可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂膜而得到的复合材料。

例如，作为第一基材310，可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。

另外，可以将单层材料或层叠有多个层的叠层材料用于第一基材310。例如，可以将层叠有材料与防止包含在材料中的杂质扩散的绝缘层等的叠层材料用于第一基材310。

具体而言，可以将层叠有玻璃与防止包含在玻璃中的杂质扩散的选自氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜等中的一种或多种的膜的叠层材料用于第一基材310。

<<荫罩支撑部115>>

荫罩支撑部115具有支撑荫罩170的功能。此外，荫罩支撑部115也可以具有将荫罩相对于蒸镀源120A移动的功能。

例如，也可以将握持或支撑荫罩170的端部或其附近的结构用于荫罩支撑部115。具体而言，可以使用具备夹紧机构的构件或L字状等的支撑构件。另外，也可以包括握持或支撑荫罩170的多个结构。具体而言，在荫罩170为长方形的情况下，也可以支撑荫罩170的四角或其附近。

例如，通过利用动力机构140，可以将荫罩支撑部115相对于蒸镀源120A移动。具体而言，也可以使用伺服电动机、步进电动机或气缸使荫罩支撑部115移动。具体而言，也可以使荫罩支撑部115在蒸镀源120A上方旋转或横穿过蒸镀源120A上方。

<<荫罩170>>

荫罩170包括遮蔽成膜材料的遮蔽区域、以及由遮蔽区域围绕的开口区域。

<<蒸镀源>>

成膜装置100包括一个或多个蒸镀源，例如蒸镀源120A及蒸镀源120B。

可以从蒸镀源120A及蒸镀源120B喷射相同材料。由此，可以使每单位时间的沉积在第一基材310表面上的成膜材料的厚度变厚。

此外，也可以从蒸镀源120A及蒸镀源120B喷射不同材料。由此，可以在第一基材310的表面上形成包含不同材料的混合物的膜，换言之，可以进行共蒸镀。

蒸镀源120A具有喷射成膜材料的功能，例如优选具有对喷射成膜材料的方向的指向性。由此，能够提高成膜材料的使用效率。

具体而言，可以将点源型的蒸镀源或线源型的蒸镀源等用作蒸镀源120A。或者，可以使用将点源配置为直线状或矩阵状的蒸镀源或者从狭缝喷射气化的成膜材料的蒸镀源。

成膜装置100也可以具有将蒸镀源120A相对于加工构件支撑部110移动的功能。例如，也可以利用动力机构将蒸镀源120A相对于第一基材310移动并进行成膜。

<<成膜室>>

成膜室190可以将其内部减压为大气压以下，例如为10^-3Pa以下。

排气单元197可以将成膜室190的内部减压。例如，可以将机械泵、涡轮泵或/和低温泵用作排气单元197。

成膜室190的内部可以以气体充满。管道196例如可以对成膜室供应氮气体。

成膜室190可以具有加热其内壁的功能。由此，可以高效地使吸附于内壁的分子脱离。例如，也可以在壁面具备加热器或被供应载热体的管道。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式4

在本实施方式中，参照图11A至11D、图12A至12D以及图13对可用于输入输出装置的本发明的一个方式的功能面板的结构进行说明。

图11A至11D、图12A至12D以及图13说明本发明的一个方式的功能面板的结构。

图11A是本发明的一个方式的功能面板200TP的俯视图，图11B是沿着图11A中的线A-B及线C-D的截面图。图11C是说明功能面板200TP的一部分的结构的俯视图，并且图11D是沿着图11C所示的线W3-W4的截面图。

图13是说明本发明的一个方式的功能面板200TP的投影图。另外，为便于说明而放大功能面板200TP的一部分。

<功能面板的结构例子>

在本实施方式中说明的功能面板200TP包括第一基材210；包括重叠于第一基材210的区域的第二基材270；将第二基材270接合于第一基材210的一个面的接合层205；接触于第一基材210、第二基材270及接合层205的绝缘层290；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合层205包围的区域中的功能层。

功能层包括多个功能元件。具体而言，功能层在区域201中包括像素202及检测元件。由此，功能面板200TP具有被供应图像信号并显示图像的功能。此外，功能面板200TP具有被供应控制信号并供应检测信号的功能。

另外，可以将功能面板200TP称为输入输出面板或触摸面板。

本发明的一个方式的功能面板200TP包括像素202、对像素202供应控制信号的驱动电路GD、对像素202供应显示信号的驱动电路SD、以及配置像素202的区域201（参照图11A及11B）。

像素202被供应显示信号（参照图11A）。像素202包括子像素202R等。子像素202R具有显示红色的功能。另外，像素202包括显示绿色的子像素及显示蓝色的子像素等。

子像素202R包括像素电路及显示模块280R（参照图11B）。

像素电路包括驱动晶体管M0及电容器C。

显示模块280R包括发光元件250R、以及包括发光元件250R发射光的一侧的重叠于发光元件250R的区域的着色层267R。此外，发光元件250R是显示元件的一个方式。

发光元件250R包括下部电极、上部电极及包含发光有机化合物的层。

电路包括驱动晶体管M0且在第一基材210与发光元件250R之间配置。绝缘膜221在电路与发光元件250R之间配置。

驱动晶体管M0包括第二电极。驱动晶体管M0的第二电极通过设置在绝缘膜221中的开口与发光元件250R的下部电极电连接。

电容器C包括第一电极及第二电极。电容器C的第一电极与驱动晶体管M0的栅极电连接。电容器C的第二电极与驱动晶体管M0的第二电极电连接。

驱动电路SD包括晶体管MD及电容器CD。

本发明的一个方式的功能面板200TP包括与驱动电路SD电连接的布线211、与布线211电连接的端子219、以及与端子219电连接的柔性印刷电路板209。

此外，还包括，在重叠于子像素202R的区域中包括开口的遮光层267BM。

此外，还包括，在重叠于发光元件250R的区域中包括开口且覆盖下部电极的端部的分隔壁228。

此外，还包括，具备重叠于区域201的区域的功能膜267p（参照图11B）。

此外，功能面板200TP在设置有第二基材270的一侧可以显示数据。

功能面板200TP包括第二基材270。第二基材270支撑多个控制线CL（i）及多个信号线ML（j）。

控制线CL（i）延伸在行方向（附图中的箭头R所示的方向）且具有被供应控制信号的功能（参照图13）。

信号线ML（j）延伸在列方向（附图中的箭头C所示的方向）且具有供应检测信号的功能。

功能面板200TP包括与控制线CL（i）电连接的第一电极C1（i）和与信号线ML（j）电连接的第二电极C2（j）。第二电极C2（j）具备不重叠于第一电极C1（i）的区域（参照图11C及图13）。

第一电极C1（i）或第二电极C2（j）包括导电膜，该导电膜中的重叠于像素202或子像素202R的区域具有透光性。或者，第一电极C1（i）或第二电极C2（j）包括网状的导电膜，该导电膜的开口767重叠于像素202或子像素202R。

本发明的一个方式的功能面板200TP包括与控制线CL（i）电连接的端子以及与信号线ML（j）电连接的端子。另外，端子与柔性印刷电路板FPC2电连接。

在本实施方式中说明的功能面板200TP包括第一基材210；第二基材270；将第一基材210和第二基材270接合的接合层205；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合层205包围的区域中的功能层。功能层包括显示元件及检测元件。由此，可以显示被供应的图像信号，并且根据被供应的控制信号供应检测信号。其结果，可以提供方便性或可靠性高的新颖的功能面板。

例如，功能面板200TP具有检测靠近的物体并供应与该靠近的物体的位置数据有关联的检测数据。由此，可以供应包含所检测的位置或轨迹等的检测数据。具体而言，功能面板200TP的使用者可以将靠近或接触功能面板200TP的指头等用作指示器而进行各种各样的手势（点按、拖拉、滑动及捏合等）。

另外，功能面板200TP的使用者可以对运算装置供应各种各样的操作指令。例如，被供应功能面板200TP所供应的检测数据的运算装置根据程序等判断被供应的数据是否满足指定条件且执行与指定手势相关联的指令。

另外，功能面板200TP可以显示例如运算装置所供应的显示数据。

功能面板200TP包括绝缘层290。

例如，可以将陶瓷涂层或硬涂层用作绝缘层。具体而言，可以使用包含氧化铝的层或包含UV固化树脂的层。

功能面板200TP包括功能膜267p。

可以将控制被功能面板反射的外光的强度的防反射层等用于功能膜。具体而言，可以使用圆偏振片等。

下面，说明构成功能面板200TP的各种要素。注意，无法明确地使上述结构分离，有时一个结构兼作其他结构或包含其他结构的一部分。

例如，功能面板200TP被用作触摸屏、检测面板及显示面板。

<整体的结构>

在本实施方式中说明的功能面板200TP包括第一基材210、第二基材270、接合层205、绝缘层290以及功能层。

功能层包括像素202、驱动电路GD、驱动电路SD、区域201、子像素202R、驱动晶体管M0、电容器C、显示模块280R、发光元件250R、着色层267R、像素电路、绝缘膜221、布线211、端子219、遮光层267BM以及分隔壁228。

功能层包括控制线CL（i）、布线BR（i，j）、信号线ML（j）、第一电极C1（i）以及第二电极C2（j）。

功能面板200包括柔性印刷电路板209、柔性印刷电路板FPC1、柔性印刷电路板FPC2以及功能膜267p。

<<第一基材、第二基材、接合层、绝缘层>>

可以将与实施方式1所记载的功能面板相同的结构应用于第一基材210、第二基材270、接合层205及绝缘层290。

此外，可以将具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能够弯曲或折叠的柔性的材料。具体而言，第一基材210可以使用层叠有柔性基材210b、防止杂质的扩散的阻挡膜210a、以及将柔性基材210b和阻挡膜210a贴合的树脂层210c的叠层体。第二基材270可以使用层叠有柔性基材270b、防止杂质的扩散的阻挡膜270a、以及将柔性基材270b和阻挡膜270a贴合的树脂层270c的叠层体（参照图12A至12D）。

<<功能层>>

可以将与实施方式1所记载的功能面板相似的结构用于子像素202R、显示元件、像素电路、驱动电路GD、布线211及端子219。

<<检测元件、检测电路>>

可以将检测元件用于功能层，该检测元件检测电容、照度、磁力、电波或压力等，而供应基于检测出的物理量的信号。

例如，可以将导电膜、光电转换元件、磁检测元件、压电元件或谐振器等用于检测元件。

例如，可以将检测电路用于功能层，该检测电路具有供应基于导电膜的寄生电容而变化的信号的功能。由此，通过利用电容的变化可以检测在大气中靠近导电膜的指头等。

具体而言，使用控制线CL（i）将控制信号供应给第一电极C1（i），且使用信号线ML（j）得到基于被供应的控制信号及电容而变化的第二电极C2（j）的电位，并可以将其用作检测信号而供应。

例如，可以将包括其一个电极连接于导电膜的电容器的电路用于检测电路。

控制线CL（i）具备布线BR（i，j）。在布线BR（i，j）中，控制线CL（i）与信号线ML（j）交叉（参照图11C）。在布线BR（i，j）与信号线ML（j）之间包括绝缘膜711（参照图11D）。由此，能够防止布线BR（i，j）与信号线ML（j）之间的短路。

例如，功能面板200TP检测功能面板200TP与靠近或接触功能面板200TP的物体之间的静电容量的变化而供应检测信号。

另外，也可以通过在第二基材270上沉积用来形成检测元件的膜且对该膜进行加工，来形成检测元件。

另外，也可以通过在其它基材上形成功能面板200TP的一部分且将该一部分转置到基材610，来形成功能面板200TP。

<<布线>>

功能面板200TP包括布线。布线包括控制线CL（i）和信号线ML（j）等。

可以将具有导电性的材料用于布线等。

例如，可以将无机导电性材料、有机导电性材料、金属或导电性陶瓷等用于布线。

具体而言，可以将选自铝、金、铂、银、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钇、锆、钯和锰中的金属元素、包含上述任何金属元素的合金或组合上述任何金属元素的合金等用于布线。尤其是，优选包含选自铝、铬、铜、钽、钛、钼和钨中的一个以上的元素。尤其是，铜和锰的合金适用于利用湿蚀刻法的微细加工。

具体而言，可以使用在铝膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钨膜的双层结构、在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠钨膜的双层结构或者依次层叠钛膜、铝膜和钛膜的三层结构等。

具体而言，可以使用在铝膜上层叠选自钛、钽、钨、钼、铬、钕和钪中的元素的膜的叠层膜。或者，可以使用在铝膜上层叠包含选自钛、钽、钨、钼、铬、钕和钪中的多个元素的合金膜的叠层膜。或者，可以使用在铝膜上层叠选自钛、钽、钨、钼、铬、钕和钪中的元素的氮化膜的叠层膜。

另外，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或添加有镓的氧化锌等导电氧化物。

或者，可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜还原而形成。作为还原方法，可以采用进行加热的方法或使用还原剂的方法等。

或者，可以使用导电高分子。

<<其他>>

功能面板200TP包括功能膜267p。

例如，可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料用于功能膜267p。具体而言，可以将包含氧化铝或氧化硅等的陶瓷涂层、包含UV固化树脂等的硬涂层、防反射膜或者圆偏振片等用于功能膜267p。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式5

在本实施方式中，参照图14A至14C说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构。

图14A至14C说明本发明的一个方式的数据处理装置。

图14A是示出本发明的一个方式的数据处理装置K100的输入输出装置K20处于展开状态的投影图。图14B是沿着图14A的线X1-X2的数据处理装置K100的截面图。图14C是示出输入输出装置K20处于折叠状态的投影图。

<数据处理装置的结构例子>

在本实施方式中说明的数据处理装置K100包括输入输出装置K20、运算装置K10或框体K01（1）至框体K01（3）（参照图14A至14C）。

<<输入输出装置>>

例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出装置。

输入输出装置K20具备显示装置K30及输入装置K40（参照图14B）。输入输出装置K20被供应图像数据V并供应检测数据S。

显示装置K30被供应图像数据V，输入装置K40供应检测数据S。

将输入装置K40与显示装置K30互相重叠为一体的输入输出装置K20不仅被用作显示装置K30，而且被用作输入装置K40。

可以将作为输入装置K40使用触摸传感器且作为显示装置K30使用显示面板的输入输出装置K20称为触摸面板。

显示装置K30具有依次将第一区域K31（11）、第一可弯曲区K31（21）、第二区域K31（12）、第二可弯曲区K31（22）以及第三区域K31（13）配置为条纹形状的区域K31（参照图14A）。

显示装置K30可以沿着形成在第一可弯曲区K31（21）中的第一折痕及形成在第二可弯曲区K31（22）中的第二折痕折叠并展开（参照图14A及14C）。

<<运算装置>>

运算装置K10包括运算部及储存由运算部执行的程序的存储单元。运算装置供应图像数据V且被供应检测数据S。

<<框体>>

框体包括依次配置的框体K01（1）、铰链K02（1）、框体K01（2）、铰链K02（2）或框体K01（3）。

框体K01（3）容纳运算装置K10。框体K01（1）至框体K01（3）保持输入输出装置K20且能够使输入输出装置K20处于折叠状态和展开状态（参照图14B）。

在本实施方式中，例示出具备三个框体和连接三个框体的两个铰链的数据处理装置。可以在配置有两个铰链的位置折叠该数据处理装置的输入输出装置K20。

另外，也可以使用（n-1）个铰链连接n（n为2以上的自然数）个框体。具备该结构的数据处理装置可以在（n-1）个位置折叠输入输出装置K20。

框体K01（1）与第一区域K31（11）重叠，并且包括按钮K45（1）。

框体K01（2）与第二区域K31（12）重叠。

框体K01（3）与第三区域K31（13）重叠，并且容纳运算装置K10、天线K10A以及电池K10B。

铰链K02（1）与第一可弯曲区K31（21）重叠，并将框体K01（1）以可转动的方式连接到框体K01（2）。

铰链K02（2）与第二可弯曲区K31（22）重叠，并将框体K01（2）以可转动的方式连接到框体K01（3）。

天线K10A与运算装置K10电连接，并供应信号或被供应信号。

另外，天线K10A从外部装置以无线方式被供应电力，并将电力供应到电池K10B。

电池K10B与运算装置K10电连接，并供应电力或被供应电力。

<<折叠传感器>>

折叠传感器K41检测框体是折叠状态还是展开状态，并供应示出框体的状态的信息。

运算装置K10被供应示出框体的状态的数据。

在示出框体K01的状态的数据为示出折叠状态的数据时，运算装置K10对第一区域K31（11）供应包含第一图像的图像数据V（参照图14C）。

在示出框体K01的状态的数据为示出展开状态的数据时，运算装置K10对显示装置K30的区域K31供应图像数据V（参照图14A）。

<<检测部>>

检测部K50可以检测显示装置K30的使用环境的照度并供应包含照度数据的检测数据。

例如，可以将光电转换元件及根据光电转换元件所供应的信号供应环境照度的数据的检测电路用于检测部K50。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式6

在本实施方式中，参照图15A、15B、15C1及15C2说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构。

图15A、15B、15C1及15C2说明本发明的实施方式的数据处理装置。

图15A是本发明的一个方式的数据处理装置3000A的投影图。

图15B是本发明的一个方式的数据处理装置3000B的投影图。

图15C1及15C2是本发明的一个方式的数据处理装置3000C的俯视图及底面图。

<<数据处理装置A>>

数据处理装置3000A包括输入输出部3120及支撑输入输出部3120的框体3101（参照图15A）。

输入输出部3120包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部3120。

数据处理装置3000A还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体3101容纳运算部、存储部及电池等。

数据处理装置3000A可以在其侧面和/或顶面显示数据。

数据处理装置3000A的使用者可以使用接触于其侧面和/或顶面的指头供应操作指令。

<<数据处理装置B>>

数据处理装置3000B包括框体3101及通过铰链连接到框体3101的框体3101b（参照图15B）。

框体3101支撑输入输出部3120。

框体3101b支撑输入输出部3120b。

输入输出部3120或输入输出部3120b包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部3120。

数据处理装置3000B还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体3101容纳运算部、存储部及电池等。

数据处理装置3000B可以在输入输出部3120或输入输出部3120b显示数据。

数据处理装置3000B的使用者可以使用接触于输入输出部3120或输入输出部3120b的指头供应操作指令。

<<数据处理装置C>>

数据处理装置3000C包括输入输出部3120和支撑输入输出部3120的框体3101（参照图15C1及15C2）。

输入输出部3120或输入输出部3120b包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部3120。

数据处理装置3000C还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体3101容纳运算部、存储部及电池等。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

实施方式7

在本实施方式中，参照图16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构。

图16A1、16A2、16A3、16B1、16B2、16C1以及16C2说明本发明的一个方式的数据处理装置。

图16A1、16A2以及16A3是说明本发明的一个方式的数据处理装置的投影图。

图16B1及16B2是说明本发明的一个方式的数据处理装置的投影图。

图16C1及16C2是本发明的一个方式的数据处理装置的俯视图及底面图。

<<数据处理装置A>>

数据处理装置4000A包括输入输出部4120及支撑输入输出部4120的框体4101（参照图16A1至16A3）。

输入输出部4120包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部4120。

数据处理装置4000A还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体4101容纳运算部、存储部及电池等。

数据处理装置4000A可以在其侧面和/或顶面显示数据。

数据处理装置4000A的使用者可以使用接触于其侧面及/或顶面的指头供应操作指令。

<<数据处理装置B>>

数据处理装置4000B包括输入输出部4120及输入输出部4120b（参照图16B1及16B2）。

数据处理装置4000B还包括支撑输入输出部4120的框体4101及具有柔性的带状框体4101b。

输入输出部4120或输入输出部4120b包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部4120。

数据处理装置4000B还包括支撑输入输出部4120b的框体4101。

数据处理装置4000B还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体4101容纳运算部、存储部及电池等。

数据处理装置4000B可以在被具有柔性的带状框体4101b支撑的输入输出部4120显示数据。

数据处理装置4000B的使用者可以使用接触于输入输出部4120的指头供应操作指令。

<<数据处理装置C>>

数据处理装置4000C包括输入输出部4120、支撑输入输出部4120的框体4101及框体4101b（参照图16C1及16C2）。

输入输出部4120及框体4101b具有柔性。

输入输出部4120包括本发明的一个方式的功能面板。例如，可以将实施方式4所示的功能面板用于输入输出部4120。

数据处理装置4000C还包括运算部、储存由运算部执行的程序的存储部以及供应用来驱动运算部的电力的电池等电源。

另外，框体4101容纳运算部、存储部及电池等。

数据处理装置4000C可以在框体4101b的位置折叠成对折。

本实施方式可以与本说明书所示的其他任何实施方式适当地组合。

例如，在本说明书等中，当明确地记载为“X与Y连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，附图或文中所示的连接关系以外的连接关系包括在附图或文中。

在此，X和Y都为对象物（例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜或层等）。

X与Y直接连接的情况的例子包括在X与Y之间没有连接能够电连接X与Y的元件（例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件和负载等），并且X与Y没有通过能够电连接X与Y的元件连接的情况。

例如，在X和Y电连接的情况下，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件（例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件或负载等）。开关控制导通或关闭。换言之，开关成为导通状态（开启状态）或非导通状态（关闭状态）而决定是否使电流流过。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。另外，X和Y电连接的情况包括X与Y直接连接的情况。

例如，在X和Y在功能上连接的情况下，可以在X和Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X和Y的电路（例如，逻辑电路如反相器、NAND电路或NOR电路等；信号转换电路如DA转换电路、AD转换电路或γ（伽马）校正电路等；电位电平转换电路如电源电路（升压DC-DC转换器或降压DC-DC转换器等）或改变信号的电位电平的电平转换器电路等；电压源；电流源；切换电路；放大电路如能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差分放大电路、源极跟随电路或缓冲器电路等；信号产生电路；存储电路；以及/或者控制电路等）。注意，例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，X与Y在功能上是连接着的。另外，X与Y在功能上连接的情况包括X与Y直接连接的情况及X与Y电连接的情况。

此外，当明确地记载为“X与Y电连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况（换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况）；X与Y在功能上连接的情况（换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y的情况）；以及X与Y直接连接的情况（换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况）。换言之，当明确地记载为“X与Y电连接”时，在本说明书等中公开了与只明确地记载为“X与Y连接”的情况相同的内容。

注意，例如，在晶体管的源极（或第一端子等）通过Z1（或没有通过Z1）与X电连接，晶体管的漏极（或第二端子等）通过Z2（或没有通过Z2）与Y电连接的情况下或者在晶体管的源极（或第一端子等）与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极（或第二端子等）与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况下，可以使用下述任何表现表示。

该表现例如包括“X、Y、晶体管的源极（或第一端子等）及晶体管的漏极（或第二端子等）互相电连接，并按X、晶体管的源极（或第一端子等）、晶体管的漏极（或第二端子等）及Y的顺序互相电连接”、“晶体管的源极（或第一端子等）与X电连接，晶体管的漏极（或第二端子等）与Y电连接，X、晶体管的源极（或第一端子等）、晶体管的漏极（或第二端子等）与Y依次互相电连接”以及“X通过晶体管的源极（或第一端子等）及漏极（或第二端子等）与Y电连接，X、晶体管的源极（或第一端子等）、晶体管的漏极（或第二端子等）及Y依次设置为相互连接”。通过使用与这种例子相似的表现规定电路结构中的连接顺序，可以互相区别晶体管的源极（或第一端子等）与漏极（或第二端子等）而决定技术范围。

其他表现例子包括“晶体管的源极（或第一端子等）至少通过第一连接路径与X电连接，所述第一连接路径不具有第二连接路径，所述第二连接路径是晶体管的源极（或第一端子等）与晶体管的漏极（或第二端子等）之间的路径，所述第一连接路径是通过Z1的路径，晶体管的漏极（或第二端子等）至少通过第三连接路径与Y电连接，所述第三连接路径不具有所述第二连接路径，所述第三连接路径是通过Z2的路径”以及“晶体管的源极（或第一端子等）至少在第一连接路径上通过Z1与X电连接，所述第一连接路径不具有第二连接路径，所述第二连接路径具有通过晶体管的连接路径，晶体管的漏极（或第二端子等）至少在第三连接路径上通过Z2与Y电连接，所述第三连接路径不具有所述第二连接路径”。另一个表现例子为“晶体管的源极（或第一端子等）至少经过第一电路径，通过Z1与X电连接，所述第一电路径不具有第二电路径，所述第二电路径是从晶体管的源极（或第一端子等）到晶体管的漏极（或第二端子等）的电路径，晶体管的漏极（或第二端子等）至少经过第三电路径，通过Z2与Y电连接，所述第三电路径不具有第四电路径，所述第四电路径是从晶体管的漏极（或第二端子等）到晶体管的源极（或第一端子等）的电路径”。通过使用与这些例子相似的表现规定电路结构中的连接路径，可以互相区别晶体管的源极（或第一端子等）和漏极（或第二端子等）来确定技术范围。

注意，这种表现是例子，不局限于上述表现。在此，X、Y、Z1及Z2都为对象物（例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜或层等）。

即使在电路图中独立的构成要素互相电连接，有时一个构成要素具有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分兼用作电极时，一个导电膜用作布线和电极。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内包括这种一个导电膜具有多个构成要素的功能的情况。

附图标记说明

BR：布线；FPC2：柔性印刷电路板；K01：框体；K02：铰链；K10：运算装置；K10A：天线；K10B：电池；K20：输入输出装置；K30：显示装置；K31：区域；K40：输入输出装置；K41：传感器；K45：按钮；K50：检测部；K100：数据处理装置；M0：驱动晶体管；10：加工构件；10B：加工构件；100：成膜装置；100A：成膜装置；100B：成膜装置；100C：成膜装置；100D：成膜装置；110：加工构件支撑部；115：荫罩支撑部；120A：蒸镀源；120B：蒸镀源；121A：遮蔽板；122A：检测器；140：动力机构；170：荫罩；180：处理室；181a：原料供应部；181b：原料供应部；182a：高速阀；182b：高速阀；183a：原料引入口；183b：原料引入口；184：原料排出口；185：排气单元；186：加工构件支撑部；190：成膜室；195：门阀；196：管道；197：排气单元；198：检测器；200：功能面板；200（1）：功能面板；200（2）：功能面板；200（3）：功能面板；200B：功能面板；200TP：功能面板；201：区域；202：像素；202R：子像素；205：接合层；209：柔性印刷电路板；210：第一基材；210a：阻挡膜；210b：基材；210c：树脂层；211：布线；219：端子；221：绝缘层；228：分隔壁；250R：发光元件；267BM：遮光层；267p：功能膜；267R：着色层；270：第二基材；270a：阻挡膜；270b：基材；270c：树脂层；280R：显示模块；290：绝缘层；291：绝缘层；300：功能面板；305：接合层；305a：接合层；305b：接合层；310：第一基材；310a：第一基材；310b：第一基材；330：功能层；330a：功能层；330b：功能层；370：第二基材；370a：第二基材；370b：第二基材；390：绝缘层；390a：绝缘层；390b：绝缘层；610：基材；711：绝缘层；767：开口；1000：成膜系统；1000B：成膜系统；3000A：数据处理装置；3000B：数据处理装置；3000C：数据处理装置；3101：框体；3101b：框体；3120：输入输出部；3120b：输入输出部；4000A：数据处理装置；4000B：数据处理装置；4000C：数据处理装置；4101：框体；4101b：框体；4120：输入输出部；4120b：输入输出部

本申请基于2014年10月28日提交到日本专利局的日本专利申请No. 2014-219065以及2014年10月28日提交到日本专利局的日本专利申请No. 2014-219066，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (2)

1.一种功能面板的制造方法，包括：

准备加工构件的第一步骤，该加工构件包括：第一基材；包括重叠于所述第一基材的区域的第二基材；将所述第二基材接合于所述第一基材的一个表面的接合层；以及位于由所述第一基材、所述第二基材及所述接合层包围的区域中的功能层，并且在所述第一步骤中，对加工构件支撑部供应所述加工构件；

将所述加工构件的温度控制为预定的值且使设置有所述加工构件支撑部的处理室排气的第二步骤；

将包含前体化合物的源气体供应给所述处理室，然后从所述处理室吹扫所述源气体的第三步骤；

将包含氧化剂的源气体供应给所述处理室，然后从所述处理室吹扫所述源气体的第四步骤；

在都包括所述第三步骤及所述第四步骤的循环的反复次数少于预定的反复次数时回到所述第三步骤，并且在所述循环的反复次数为所述预定的次数以上时进入第六步骤的第五步骤；以及

将所述加工构件从所述处理室搬出的所述第六步骤。

2.一种功能面板的制造方法，包括：

准备加工构件的第一步骤，该加工构件包括：第一基材；包括重叠于所述第一基材的区域的第二基材；将所述第二基材接合于所述第一基材的一个表面的第一接合层及第二接合层；包括多个功能元件并位于由所述第一基材、所述第二基材及所述第一接合层包围的区域中的第一功能层；以及位于由所述第一基材、所述第二基材及所述第二接合层包围的区域中并包括多个功能元件的第二功能层，并且在所述第一步骤中，在所述第二基材的重叠于所述第一接合层与所述第二接合层之间的区域的区域中形成开口；

对加工构件支撑部供应所述加工构件的第二步骤；

将所述加工构件的温度控制为预定的值且使设置有所述加工构件支撑部的处理室排气的第三步骤；

将包含前体化合物的源气体供应给所述处理室，然后从所述处理室吹扫所述源气体的第四步骤；

将包含氧化剂的源气体供应给所述处理室，然后从所述处理室吹扫所述源气体的第五步骤；

在都包括所述第四步骤及所述第五步骤的循环的反复次数少于预定的反复次数时回到所述第四步骤，并且在所述循环的反复次数为所述预定的次数以上时进入第七步骤的第六步骤；

将所述加工构件从所述处理室搬出的所述第七步骤；以及

将所述加工构件沿着重叠于所述第一接合层与所述第二接合层之间的所述区域的所述区域截断的第八步骤。

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