JP2021106157A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
に関する。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
情報処理装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げること
ができる。
機能素子の機能を維持するために、機能素子をそれが設けられた基板、封止基板および前
記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に封止する発明が知られてい
る(特許文献1)。
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供す
ることを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法また
は新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
の基材の一方の面に第2の基材を接合する機能を備える接合層と、第1の基材、第2の基
材および接合層に接する絶縁層と、第1の基材、第2の基材および接合層に囲まれた領域
に機能層と、を有する機能パネルである。
2の基材と、第1の基材および第2の基材を接合する接合層と、第1の基材、第2の基材
および接合層に接する絶縁層を含んで構成される。これにより、接合層が第1の基材に接
する領域または接合層が第2の基材に接する領域に生じ易い隙間を、絶縁層により埋める
ことができ、第1の基材と、第2の基材と、第1の基材および第2の基材を接合する接合
層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散する現象を抑制することができる。その
結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
、第1の基材の一方の面に第2の基材を接合する機能を備える接合層と、第1の基材、第
2の基材および接合層に囲まれた領域に機能層と、を有し、機能層は複数の機能素子を備
える加工部材を準備して、加工部材を加工部材支持部に供給する。
に備えるチャンバーを排気する。
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
料ガスをチャンバーからパージする。
数が、所定の回数未満である場合は、第3のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第6のステップに進む。
終了する。
、第1の基材の一方の面に第2の基材を接合する機能を備える第1の接合層および第2の
接合層と、第1の基材、第2の基材および第1の接合層に囲まれた領域に第1の機能層と
、第1の基材、第2の基材および第2の接合層に囲まれた領域に第2の機能層と、を有し
、第1の機能層および第2の機能層は、それぞれ複数の機能素子を備える加工部材を準備
して、第2の基材の、第1の接合層および第2の接合層の間の領域に重なる領域に、開口
部を形成する。
に備えるチャンバーを排気する。
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
料ガスをチャンバーからパージする。
数が、所定の回数未満である場合は、第4のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第7のステップに進む。
を終了する。
なる領域に沿って分断する。
供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガスを
供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成さ
れる。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成すること
ができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
ジュールである。
ッテリー、操作スイッチ、または、筐体と、を有する情報処理装置である。
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はEL層の一
態様である。
)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC(Flexible print
ed circuit)もしくはTCP(Tape Carrier Package)
が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC
(集積回路)が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供できる。または
、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法、または、新規な半導体装置を提供で
きる。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
基材と、第1の基材および第2の基材を接合する接合層と、第1の基材、第2の基材およ
び接合層に接する絶縁層を含んで構成される。
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第1の基材と、第2の基材と、第1の
基材および第2の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネ
ルを提供できる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図1乃至図4を参照し
ながら説明する。
態様の機能パネル200の上面図であり、図1(B)は図1(A)の切断線A−Bおよび
切断線C−Dにおける断面図である。また、図1(C)および図1(D)は、図1(B)
に示す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
本実施の形態で説明する機能パネル200は、第1の基材210と、第1の基材210と
重なる領域を備える第2の基材270と、第1の基材210の一方の面に第2の基材27
0を接合する機能を備える接合層205と、第1の基材210、第2の基材270および
接合層205に接する絶縁層290と、第1の基材210、第2の基材270および接合
層205に囲まれた領域に機能層と、を有する(図1(A)参照)。
、第1の基材210および第2の基材270を接合する接合層205と、第1の基材21
0、第2の基材270および接合層205と、に接する絶縁層290を含んで構成される
。また、可撓性を備える材料を第1の基材210および第2の基材270に用いることが
できる。
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第1の基材と、第2の基材と、第1の
基材および第2の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。また、可撓性を備える材料を第1の基材210および第
2の基材270に用いると、折り曲げることまたは折り畳むことができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
える機能パネル200は発光モジュールということができる。
00は表示モジュールということができる。
する駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび画素202が配
設される領域201を有する(図1(A)および図1(B)参照)。
R等を備える。副画素202Rは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色の
表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
。
光素子250Rと重なる領域を有する着色層267Rを備える。なお、発光素子250R
は表示素子の一態様であるということができる。
配設される。また、回路は絶縁膜221を発光素子250Rとの間に挟む。
開口部を介して発光素子250Rの下部電極と電気的に接続される。
のゲートに電気的に接続され、第2の電極は、駆動トランジスタM0の第2の電極と電気
的に接続される。
、配線211と電気的に接続される端子219と、端子219と電気的に接続されるフレ
キシブルプリント基板209と、を有する。
を備える。
とができる。
お、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の
一部を含む場合がある。
機能パネル200は、第1の基材210、第2の基材270、接合層205、絶縁層29
0または機能層を有する。
画素202R、駆動トランジスタM0、容量素子C、表示モジュール280R、発光素子
250R、着色層267R、画素回路、絶縁膜221、配線211、端子219、フレキ
シブルプリント基板209、遮光層267BM、隔壁228または機能膜267pを備え
る。
第1の基材210は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
ることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第1の基材210
に用いることができる。
等を、第1の基材210に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物
膜または無機酸窒化物膜等を、第1の基材210に用いることができる。例えば、酸化珪
素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第1の基材210に用いることができる。
SUSまたはアルミニウム等を、第1の基材210に用いることができる。
ることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド
、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第1の基材2
10に用いることができる。
た複合材料を第1の基材210に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金
属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第1の基材210
に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材
料に分散した複合材料を、第1の基材210に用いることができる。
できる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を
、第1の基材210に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純
物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれ
た一または複数の膜が積層された材料を、第1の基材210に適用できる。または、樹脂
と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シ
リコン膜等が積層された材料を、第1の基材210に適用できる。
ることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を有する材料を用いること
ができる。具体的には5mm以上、好ましくは4mm以上、より好ましくは3mm以上、
特に好ましくは1mm以上の曲率半径で屈曲できる材料を用いることができる。また、厚
さが2.5μm以上3mm以下好ましくは5μm以上1.5mm以下より好ましくは10
μm以上500μm以下の材料を第1の基材210に用いることができる(図2参照)。
基材210bとバリア膜210aを貼り合わせる樹脂層210cが積層された積層体を第
1の基材210に用いることができる。
第1の基材210に用いることができ且つ表示素子と重なる領域に透光性を有する材料を
、第2の基材270に用いることができる。また、可撓性を有する材料を第2の基材27
0に用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材270b、不純物の拡散を防
ぐバリア膜270aおよび基材270bとバリア膜270aを貼り合わせる樹脂層270
cが積層された積層体を第2の基材270に用いることができる。
第1の基材210および第2の基材270を貼り合わせることができる材料を、接合層2
05に用いることができる。
ができる。
ことができる。
剤等の有機材料を接合層205に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
電気的な絶縁性を備える材料または不純物の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁層2
90に用いることができる。例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、
金属またはポリマーを絶縁層290に用いることができる。
化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸
化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を用いることができる
。
化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料を用いる
ことができる。
またはニッケル等を含む材料を用いることができる。
フッ化ストロンチウムまたはフッ化亜鉛等を含む材料を用いることができる。
物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウム
およびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イッ
トリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
用いて形成することができる材料を、絶縁層290に用いることができる。緻密な、クラ
ックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える絶縁層290を、
原子層堆積法を用いて形成することができる。また、絶縁層290を形成する際に加工部
材に与える損傷を、低減することができる。
機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層
を、機能層に用いることができる。
ランジスタ、容量素子、抵抗素子、記憶素子、発光素子または表示素子等を用いることが
できる。
領域201は、複数の機能素子を備える。例えば、マトリクス状に配設された機能素子を
備える。具体的には、マトリクス状に配設された複数の画素202を備える。これにより
、機能パネル200は画像情報を領域201に表示できる。
複数の副画素を画素202に用いることができる。例えば、赤色を表示する副画素202
Rと、緑色を表示する副画素と、青色を表示する副画素と、を用いることができる。また
、黄色を表示する副画素、白色を表示する副画素、シアンを表示する副画素、マゼンタを
表示する副画素等を用いることができる。
表示素子および表示素子を駆動する画素回路を副画素に用いることができる。
ができる。
ることができる。具体的には、珪素および窒素を含む膜、珪素および酸素を含む膜、ポリ
イミドを含む膜、アクリル樹脂を含む膜、シリコーン樹脂を含む膜またはこれらの膜から
選ばれた複数の膜が積層された膜などを、絶縁膜221に用いることができる。
BMを備える。遮光層267BMは、遮光性を有する。
67BMに用いることができる。具体的には、カーボンブラック、無機酸化物、複数の無
機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光層267BMに用いることができる。
とができる。例えば、隔壁228が重ねて設けられた導電膜の、隔壁228の開口部に重
なる領域を、発光素子250Rの下部電極に用いることができる。これにより、段差が下
部電極の端部に生じないようにすることができる。
例えば、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変
化する表示媒体を表示素子に用いることができる。
着色層267Rと、を備える表示モジュール280Rを表示素子に用いることができる。
により、表示モジュール280Rが射出する光の色と特定の色にすることができる。
を用いることができる。具体的には、反射性の導電膜を一方の電極に、半透過・半反射性
の導電膜を他方の電極に備える発光素子250Rを用いることができる。
色を表示する表示モジュール280Rに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
と共に表示モジュールに用いてもよい。
、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色
LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液
晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマ
ディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を
用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイ
クロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・
モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表
示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチ
ューブを用いた表示素子、などを用いることができる。
表示素子に適したさまざまな画素回路を用いることができる。
。
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタM0の
半導体層に適用できる。
スタM0の半導体層に適用できる。
。
シフトレジスタ等の様々な順序回路等を、駆動回路GDまたは駆動回路SDに用いること
ができる。
。例えば、駆動トランジスタM0と同一の工程で形成することができる構成を、トランジ
スタMDに用いることができる。
導電性を有する材料を配線211または端子219に用いることができる。
11または端子219に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線2
11または端子219に用いることができる。
加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を配線211または端子219に用いることができる
。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば、異方性導電膜を用いて電気的に接続できる。
機能パネル200は機能膜267pを有する。
267pに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、UV硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜2
67pに用いることができる。
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタM0またはトランジスタMDに用いることが
できる。
に用いることができる。
0およびトランジスタMDに適用することができる。
Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
n−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In
−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−
Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−G
d−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho
−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−
Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−H
f−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−G
a系酸化物を用いることができる。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素が入っていてもよい。
を駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用できる(図1(C)参照)。
に適用できる(図1(D)参照)。
晶シリコン膜等を含む半導体層を駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用す
ることができる。
する。
)乃至図22(A)は本発明の一態様の機能パネルの上面図であり、図17(B)乃至図
22(B)はそれぞれ対応する図17(A)乃至図22(A)の切断線A−Bおよび切断
線C−Dにおける断面図である。図17(C)乃至図22(C)および図17(D)乃至
図22(D)は、それぞれ対応する図17(B)乃至図22(B)に示す一部の構成を置
き換えることができる構成を説明する断面図である。
に発光素子250Rを備える点が、機能パネル200と異なる(図17(B)および図1
8(B)参照)。
縁層290と同様の方法を用いて絶縁層291を形成できる。
に駆動トランジスタM0を備える点が、機能パネル200と異なる(図19および図20
参照)。
縁層290と同様の方法を用いて絶縁層291を形成できる。
える点が、機能パネル200と異なる(図21および図22参照)。
本発明の一態様の機能パネルの別の構成について、図3を参照しながら説明する。
態様の機能パネル200Bの上面図であり、図3(B)は図3(A)の切断線A−Bおよ
び切断線C−Dにおける断面図である。図3(C)および図3(D)は、図3(B)に示
す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
備える遮光層267BMおよび着色層267Rが第1の基材210と発光素子250Rの
間に配置されている点、機能膜267pが第1の基材210側に設けられている点および
表示モジュール280Rが光を第1の基材210が設けられている側に射出する点が、図
1を参照しながら説明する機能パネル200と異なる。
しも透光性を備える必要はない。他の構成は同様の構成を用いることができる。
示することができる。
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材210b、不純物の
拡散を防ぐバリア膜210aおよび基材210bとバリア膜210aを貼り合わせる樹脂
層210cが積層された積層体を、第1の基材210に用いることができる。また、可撓
性を有する基材270b、不純物の拡散を防ぐバリア膜270aおよび基材270bとバ
リア膜270aを貼り合わせる樹脂層270cが積層された積層体を、第2の基材270
に用いることができる(図4参照)。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの作製方法について、図5乃至図8を参
照しながら説明する。
の加工部材の構成を説明する模式図である。図6(A−1)は本発明の一態様の加工部材
の上面模式図であり、図6(B−1)は本発明の一態様の加工部材及び該加工部材を用い
た機能パネルの上面模式図であり、図6(A−2)および図6(B−2)はそれぞれ左側
に示す図の切断線W1−W2における断面模式図である。
本実施の形態で説明する機能パネルの作製方法は、以下の6つのステップを有する(図5
参照)。
第1のステップにおいて、加工部材10を準備し、加工部材10を図示されていない加工
部材支持部に供給する(図5(S1)参照)。なお、加工部材支持部は加工部材10の温
度を制御する機能を有する。
2の基材370と、第1の基材310の一方の面に第2の基材370を接合する機能を備
える接合層305と、第1の基材310、第2の基材370および接合層305に囲まれ
た領域に機能層330と、を有する。そして、機能層330は、複数の機能素子を備える
(、図6(A−1)および図6(A−2)参照)。
第2のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材10の温度を所定の値
に制御して、加工部材10および加工部材支持部を内部に備える図示されていないチャン
バーを排気する(図5(S2)参照)。なお、チャンバーは密閉することができる空間を
有する。
第3のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする(図5(S3)参照)。例えば金属アルコキシ
ドまたは有機金属化合物等を前駆体化合物に用いることができる。なお、チャンバーを排
気する方法または不活性ガスを導入しながら排気する方法などを、原料ガスをパージする
方法に用いることができる。
第4のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給したのち原
料ガスをチャンバーからパージする(図5(S4)参照)。例えば、水蒸気、オゾンなど
を酸化剤に用いることができる。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸
化物を含む絶縁層が加工部材10の表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形
状を有する表面に緻密な膜を形成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層
を形成できる。
第5のステップにおいて、第3のステップと第4のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第3のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第6のステップに進む(図5(S5)参照)。なお、繰り返しの単位は一つのサイク
ルを含み、一つのサイクルは第3のステップと第4のステップを含む。
る。例えば、第1の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第1の第3のステップと、第
2の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第2の第3のステップと、を用いることもで
きる。この場合、一つのサイクルは第1の第3のステップ、第2の第3のステップおよび
第4のステップを含む。
第6のステップにおいて、加工部材10をチャンバーから搬出する。ここで、絶縁層39
0の形成を終了する(図5(S6)、図6(B−1)および図6(B−2)参照)。なお
、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層390が所定の厚さ
で表面に形成された機能パネル300を提供することができる。
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
る本発明の一態様の成膜システムを利用して、実施することができる。
において、接合層305を用いて、第1の基材310および第2の基材370を貼り合せ
て第1の基材310を作製することができる。
方法に用いることができる。
域に形成された加工部材を加工部材10に用いる。
。これにより、レジストマスク上に形成された絶縁層390を、レジストマスクと共に加
工部材10から分離することができる。
いることができる。
本発明の一態様の機能パネルの作製方法の別の構成について、図7および図8を参照しな
がら説明する。
の加工部材の構成を説明する模式図である。図8(A−1)乃至図8(D−1)は本発明
の一態様の加工部材の上面模式図であり、図8(A−2)乃至図8(D−2)はそれぞれ
左側に示す図の切断線W1−W2における断面模式図である。
する(図7参照)。なお、例えば、実施の形態3で説明する本発明の一態様の成膜システ
ムを利用して、実施することができる。
異なる。
05aと、第2の接合層305bと、第1の基材310、第2の基材370および第1の
接合層305aに囲まれた領域に第1の機能層330aと、第1の基材310、第2の基
材370および第2の接合層305bに囲まれた領域に第2の機能層330bと、を有す
る(図8(A−1)および図8(A−2))。
bの間の領域に重なる領域に、開口部を形成するステップを有する点である(図7(T1
)、図8(B−1)および図8(B−2)参照)。
の間の領域に重なる領域に沿って分断するステップを有する点である(図7(T8)、図
8(D−1)および図8(D−2)参照)。
分は、上記の説明を援用する。
第1のステップにおいて、加工部材10Bを準備し(図8(A−1)および図8(A−2
)参照)、第1の接合層305aおよび第2の接合層305bの間の領域と重なる、第2
の基材370の領域に、開口部を形成する(図7(T1)、図8(B−1)および図8(
B−2)参照)。
2の基材370aおよび第2の基材370bの間に連続する開口部を形成する。または、
鋭利な先端を用いて第2の基材370を刺突する方法、レーザ等を用いる方法(例えばレ
ーザアブレーション法)等を用いて、破線状に複数の開口部を形成してもよい。
第2のステップにおいて、加工部材10Bを図示されていない加工部材支持部に供給する
(図7(T2))。
第3のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材10Bの温度を所定の
値に制御して、加工部材支持部を内部に備えるチャンバーを排気する(図7(T3)参照
)。なお、チャンバーは密閉することができる空間を有する。
第4のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする(図7(T4)参照)。
第5のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した後チャ
ンバーを排気する(図7(T5)参照)。
Bの表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形状を有する表面に緻密な膜を形
成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層を形成できる。例えば、第1の
ステップにおいて形成した開口部から、第4のステップおよび第5のステップにおいて原
料ガスが侵入し開口部の内部に絶縁層を形成できる。
第6のステップにおいて、第3のステップと第4のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第4のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第7のステップに進む(図7(T6)参照)。
第7のステップにおいて、加工部材10Bをチャンバーから搬出する。ここで、絶縁層3
90の形成を終了する(図7(T7)、図8(C−1)および図8(C−2)参照)。
第8のステップにおいて、加工部材10Bを、第1の接合層305aおよび第2の接合層
305bの間の領域に重なる領域に沿って分断する(図7(T8)、図8(D−1)およ
び図8(D−2)参照)。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を
含む絶縁層390aが所定の厚さで表面に形成された第1の機能パネル300(1)およ
び、絶縁層390bが所定の厚さで表面に形成された第2の機能パネル300(2)を提
供することができる。
領域を備ええる第2の基材370a、第1の基材310aの一方の面に第2の基材370
aを接合する機能を備える接合層305aと、第1の基材310a、第2の基材370a
および接合層305aに囲まれた領域に機能層330aと、を有する。そして、機能層3
30aは複数の機能素子を備える。
10aは絶縁層390aが形成されていない端面を備える。
領域を備ええる第2の基材370b、第1の基材310bの一方の面に第2の基材370
bを接合する機能を備える接合層305bと、第1の基材310b、第2の基材370b
および接合層305bに囲まれた領域に機能層330bと、を有する。そして、機能層3
30bは複数の機能素子を備える。
10bは絶縁層390bが形成されていない端面を備える。
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの作製に利用することができる成膜シス
テムの構成について、図9および図10を参照しながら説明する。
説明する図である。図9(A)は本発明の一態様のクラスタ型の成膜システム1000の
模式図であり、図9(B)は、インライン型の成膜システム1000Bの模式図である。
る図である。図10(A)は、本発明の一態様の成膜装置システムに用いることができる
成膜装置100とシャドーマスク170を用いて第1の基材310に成膜をしている状態
を説明する断面図であり、図10(B)は、原子層堆積装置ALDを用いて加工部材10
に成膜をしている状態を説明する断面図である。
成膜システム1000は、搬入装置LDと、搬入装置LDに接続する搬送室DCと、搬送
室DCに接続する搬出装置ULDと、搬送室DCに接続する成膜装置100と、封止室S
U、原子層堆積装置ALDと、化学気相堆積装置CVDと、を有する(図9(A)参照)
。
を搬入され第1の基材310を搬送する。また、搬出装置ULDは、加工部材10を搬出
する。
膜する。
、加工部材10を搬出する。例えば、第1の基材310に接合層を形成し、接合層を用い
て第1の基材310と第2の基材370を貼り合せ、封止材を形成する。
する。
膜する。
。また、成膜装置100は、シャドーマスク170を搬入される。
Cに接続されてもよい。
成膜システム1000Bは、搬入装置LDと、搬入装置LDに接続する成膜装置100A
と、成膜装置100Aに接続する成膜装置100Bと、成膜装置100Bに接続する成膜
装置100Cと、成膜装置100Cに接続する成膜装置100Dと、成膜装置100Dに
接続する封止室SUと、封止室SUに接続する原子層堆積装置ALDと、原子層堆積装置
ALDに接続する化学気相堆積装置CVDと、化学気相堆積装置CVDに接続する搬出装
置ULDと、を有する(図9(B)参照)。
0を搬出する。
第1の基材310に成膜し、第1の基材310を搬送する。
、加工部材10を搬出する。例えば、第1の基材310に接合層を形成し、接合層を用い
て第1の基材310と第2の基材370を貼り合せ、封止材を形成する。
、加工部材10を搬送する。
し、加工部材10を搬送する。
気相堆積装置CVDは、それぞれ搬入口および搬出口を備える。また、成膜装置100A
乃至成膜装置100Dは、シャドーマスク170を搬入される。
、水分の付着などを防ぐため、露点が管理された不活性ガス(窒素ガス等)を充填させて
おくことが好ましく、望ましくは減圧を維持させる。
置100D、封止室SU,原子層堆積装置ALDおよび化学気相堆積装置CVDを備える
。
に成膜された膜を大気に曝すことなく、直前に成膜された膜に成膜材料を積層することが
できる。また、不純物の混入を抑制できる。また、スループットが高い。また、第1の基
材310と、第2の基材370と、第1の基材310および第2の基材370を貼り合わ
せる接合層と、を備える加工部材10に、ピンホールの少ない絶縁層を形成できる。
いて説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる
場合や他の構成の一部を含む場合がある。
本実施の形態で説明する成膜装置100は、第1の基材310を支持する機能を備える加
工部材支持部110と、第1の基材310に付着させるように成膜材料を噴出する機能を
備える蒸着源120Aと、第1の基材310と蒸着源120Aの間にシャドーマスク17
0を支持する機能を備えるシャドーマスク支持部115と、加工部材支持部110、蒸着
源120Aおよびシャドーマスク支持部115が内部に配置された成膜室190と、を有
する(図10(A)参照)。
140を用いて加工部材支持部110を第1の基材310と共に蒸着源120Aに対して
相対的に移動することができる機能を備えていてもよい。これにより、蒸着源120Aが
噴出する成膜材料を第1の基材310の表面に、均一に堆積させることができる。
ドーマスク170、加工部材支持部110および第1の基材310と共に移動してもよい
。
する検知器198を有していてもよい。例えば、加工部材支持部110または/およびシ
ャドーマスク支持部115を用いて移動して、シャドーマスク170に対して第1の基材
310を所定の位置に配置する。
90に所定の気体を導入するための配管196を有していてもよい。
ク170を搬入または/および搬出することができる機能を備えるドアバルブ195を有
していてもよい。
た、蒸着源120Aから噴出される成膜材料を遮蔽する遮蔽板121Aを有していてもよ
い。また、単位時間当たりに蒸着源120Aから噴出される成膜材料の量を検知する検知
器122Aを有していてもよい。
封止室SUは、例えば第1の基材310と第2の基材370を接合層で貼り合せる機能を
有する。これにより、第1の基材310の表面に形成された機能層等を第2の基材370
を用いて保護する。
作製した機能パネルの一部を第1の基材310から分離して、他の基材に貼り合わせる機
能を備えることができる。具体的には、可撓性を備えない基材から可撓性を備える基材に
置き換えることができる。なお、本明細書において、第1の基材310を置き換えた後の
基材にも、用語「第1の基材310」を用いる。
原子層堆積装置ALDは、入り組んだ構造を表面に備える加工部材10の表面に、さまざ
まな成膜材料を成膜する機能を備える。例えば20nm以上200nm以下の厚さを備え
る膜を、加工部材10に形成する機能を備える。
ピンホールの内部に回り込んで成膜材料を成膜し、ピンホールを埋めることができる。
数種がチャンバーに同時に供給される。ALD法を利用した成膜装置は、反応のための原
料ガスが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ(高速バルブとも呼ぶ)を切り替えて2種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第1の
原料ガスの後に不活性ガス(アルゴン、または窒素など)などを導入し、第2の原料ガス
を導入する。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1の原料ガスを排
出した後、第2の原料ガスを導入してもよい。第1の原料ガスが基板の表面に吸着して第
1の単原子層を成膜し、後から導入される第2の原料ガスと反応して、第2の単原子層が
第1の単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の
厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる
。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密
な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作製する場合に適している。
示す。原子層堆積装置ALDは、成膜室(チャンバー180)と、原料供給部181a、
181bと、流量制御器である高速バルブ182a、182bと、原料導入口183a、
183bと、原料排出口184と、排気装置185を有する。チャンバー180内に設置
される原料導入口183a、183bは供給管やバルブを介して原料供給部181a、1
81bとそれぞれ接続されており、原料排出口184は、排出管やバルブや圧力調整器を
介して排気装置185と接続されている。
86上に被成膜させる第1の基材310を配置する。
原料から原料ガスを形成する。または、原料供給部181a、181bは、気体の原料を
供給する構成としてもよい。
、3つ以上設けてもよい。また、高速バルブ182a、182bは時間で精密に制御する
ことができ、原料ガスと不活性ガスのいずれか一方を供給する構成となっている。高速バ
ルブ182a、182bは原料ガスの流量制御器であり、かつ、不活性ガスの流量制御器
とも言える。
ャンバー180を密閉状態とした後、加工部材支持部186のヒータ加熱により加工部材
10を所望の温度(例えば、80℃以上、100℃以上または150℃以上)とし、原料
ガスの供給と、排気装置185による排気と、不活性ガスの供給と、排気装置185によ
る排気とを繰りかえすことで薄膜を基板表面に形成する。
有機金属化合物など)を適宜選択することにより、ハフニウム、アルミニウム、タンタル
、ジルコニウム等から選択された一種以上の元素を含む酸化物(複合酸化物も含む)を含
んで構成される絶縁層を成膜することができる。具体的には、酸化ハフニウムを含んで構
成される絶縁層、酸化アルミニウムを含んで構成される絶縁層、ハフニウムシリケートを
含んで構成される絶縁層、またはアルミニウムシリケートを含んで構成される絶縁層を成
膜することができる。また、原料供給部181a、181bで用いる原料(揮発性有機金
属化合物など)を適宜選択することにより、タングステン層、チタン層などの金属層や、
窒化チタン層などの窒化物層などの薄膜を成膜することもできる。
ニウム前駆体化合物を含む液体(ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチルアミド
ハフニウム(TDMAH)などのハフニウムアミド)を気化させた原料ガスと、酸化剤と
してオゾン(O3)の2種類のガスを用いる。この場合、原料供給部181aから供給す
る第1の原料ガスがTDMAHであり、原料供給部181bから供給する第2の原料ガス
がオゾンとなる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はHf[N(CH
3)2]4である。また、他の材料液としては、テトラキス(エチルメチルアミド)ハフ
ニウムなどがある。
ム前駆体化合物(TMA:トリメチルアルミニウムなど)を含む液体を気化させた原料ガ
スと、酸化剤としてH2Oの2種類のガスを用いる。この場合、原料供給部181aから
供給する第1の原料ガスがTMAであり、原料供給部181bから供給する第2の原料ガ
スがH2Oとなる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はAl(CH3)3である。
また、他の材料液としては、トリス(ジメチルアミド)アルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、アルミニウムトリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジ
オナート)などがある。
2H6ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン層を形成し、その後、WF6ガスと
H2ガスを用いてタングステン層を形成する。なお、B2H6ガスに代えてSiH4ガス
を用いてもよい。これらのガスは、マスフローコントローラによって制御する装置構成と
してもよい。
化学気相堆積装置CVDは、化学気相堆積法を用いて成膜材料を加工部材に成膜できる。
例えば、プラズマCVD法を利用する成膜装置を用いることができる。
Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
法を利用する成膜装置や、スパッタリング法を利用する成膜装置を用いることもできる。
加工部材支持部110は、第1の基材310を支持する機能を備える。また、加工部材支
持部110は、第1の基材310を蒸着源120Aに対して相対的に移動する機能を備え
てもよい。
10に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材またはL字状等の支
持する部材を用いることができる。また、第1の基材310を把持または支持する構造等
を複数備えていてもよい。具体的には、第1の基材310が長方形の形状を備える場合、
第1の基材310の四隅の近傍を支持してもよい。
40を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモータま
たはエアシリンダーを用いて加工部材支持部110を移動してもよい。具体的には、加工
部材支持部110を、蒸着源120Aの上方で回転または蒸着源120Aの上方を横切る
ように通過させてもよい。
を一定に保つ機能を備えていてもよい。例えば第1の基材310をシャドーマスク170
に密着させる機能を備えていてもよい。具体的には、バネなどの弾性体を用いて、第1の
基材310をシャドーマスクに押し当ててもよい。また、シャドーマスクとの間に第1の
基材310を挟むように磁石等を配置して、シャドーマスクを第1の基材310に引き付
けてもよい。
能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層が挙げられ
る。具体的には、既に公知の表示装置の画素回路、画素の駆動回路、表示素子、カラーフ
ィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
10に用いることができる。
ができる。
等を、第1の基材310に用いることができる。
0に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、
第1の基材310に用いることができる。
ることができる。
トもしくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第1の基材310に用いるこ
とができる。
料を第1の基材310に用いることができる。
た複合材料を、第1の基材310に用いることができる。
第1の基材310に用いることができる。
とができる。例えば、材料と材料に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積
層材料を、第1の基材310に用いることができる。
は酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第1の基材
310に適用できる。
シャドーマスク支持部115は、シャドーマスク170を支持する機能を備える。また、
シャドーマスク支持部115は、シャドーマスクを蒸着源120Aに対して相対的に移動
する機能を備えてもよい。
ドーマスク支持部115に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材
またはL字状等の支持する部材を用いることができる。また、シャドーマスク170を把
持または支持する構造等を複数備えていてもよい。具体的には、シャドーマスク170が
長方形の形状を備える場合、シャドーマスク170の四隅の近傍を支持してもよい。
動力140を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモ
ータまたはエアシリンダーを用いてシャドーマスク支持部115を移動してもよい。具体
的には、シャドーマスク支持部115を、蒸着源120Aの上方で回転または蒸着源12
0Aの上方を横切るように通過させてもよい。
シャドーマスク170は、成膜材料を遮る機能を備える遮蔽領域と、遮蔽領域に囲まれた
開口領域と、を有する。
成膜装置100は、単数または複数の蒸着源を備える。例えば、蒸着源120Aおよび蒸
着源120Bを有する。
第1の基材310の表面に単位時間あたりに堆積する成膜材料の厚さを厚くすることがで
きる。
第1の基材310の表面に異なる材料が混合された膜を成膜できる。言い換えると、共蒸
着をすることができる。
に指向性を有すると好ましい。これにより、成膜材料の使用効率を高めることができる。
Aに用いることができる。または、ポイントソースを直線状またはマトリクス状等に並べ
た蒸着源、気化した成膜材料をスリットから噴出する蒸着源を用いることができる。
する機能を備えてもよい。例えば、動力を用いて蒸着源120Aを第1の基材310に対
して走査しながら成膜してもよい。
成膜室190は、内部を大気圧以下に減圧することができる。例えば内部の圧力を10−
3Pa以下にすることができる。
ンプ、ターボポンプまたは/およびクライオポンプ等を排気装置197に用いることがで
きる。
等を成膜室に供給することができる。
た分子を効率よく脱離させることができる。例えば、ヒータまたは熱媒を供給される配管
等を壁面に備えてもよい。
。
本実施の形態では、入出力装置に用いることができる本発明の一態様の機能パネルの構成
について、図11乃至図13を参照しながら説明する。
図11(A)の切断線A−Bおよび切断線C−Dにおける断面図である。また、図11(
C)は機能パネル200TPの一部の構成を説明する上面図であり、図11(D)は図1
1(C)に示す切断線W3−W4における断面図である。
便宜のために機能パネル200TPの一部を拡大して図示している。
本実施の形態で説明する機能パネル200TPは、第1の基材210と、第1の基材21
0と重なる領域を備える第2の基材270と、第1の基材210の一方の面に第2の基材
270を接合する機能を備える接合層205と、第1の基材210、第2の基材270お
よび接合層205に接する絶縁層290と、第1の基材210、第2の基材270および
接合層205に囲まれた領域に機能層と、を有する。
領域201に備える。これにより、機能パネル200TPは、画像信号を供給され画像を
表示する機能を備える。また、制御信号を供給され検知信号を供給することができる機能
を備える。
る駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび画素202が配設
される領域201を有する(図11(A)および図11(B)参照)。
2R等を備える。副画素202Rは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色
の表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
)。
光素子250Rと重なる領域を有する着色層267Rを備える。なお、発光素子250R
は表示素子の一態様であるということができる。
配設される。また、回路は絶縁膜221を発光素子250Rとの間に挟む。
開口部を介して発光素子250Rの下部電極と電気的に接続される。
のゲートに電気的に接続され、第2の電極は、駆動トランジスタM0の第2の電極と電気
的に接続される。
1と、配線211と電気的に接続される端子219と、端子219と電気的に接続される
フレキシブルプリント基板209と、を有する。
を備える。
ることができる。
CL(i)および複数の信号線ML(j)を支持する機能を備える。
れる機能を備える(図13参照)。
る機能を備える。
と、第1の電極C1(i)と重ならない部分を備え且つ信号線ML(j)と電気的に接続
される第2の電極C2(j)を備える(図11(C)および図13参照)。
と重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。または、第1の電極C1(
i)または第2の電極C2(j)は、画素202または副画素202Rと重なる領域に開
口部767を具備する網目状の導電膜を含む。
と、信号線ML(j)と電気的に接続される端子と、を有する。なお、端子は、フレキシ
ブルプリント基板FPFC2と電気的に接続される。
0と、第1の基材210および第2の基材270を接合する接合層205と、第1の基材
210、第2の基材270および接合層205と、に囲まれる領域に機能層を含んで構成
される。また、機能層は表示素子と検知素子を備える。これにより、供給される画像信号
を表示し、供給される制御信号に応じて検知信号を供給することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
連付けられるように検知情報を供給する機能を備える。これにより、検知したものの位置
または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。具体的には、機能パネル200T
Pの使用者は、機能パネル200TPに近接または接触させた指等をポインタに用いて様
々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等)をすることができ
る。
ができる。例えば、機能パネル200TPが供給する検知情報を供給された演算装置は、
供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジ
ェスチャーに関連付けられた命令を実行することができる。
的には、酸化アルミニウムを含む層またはUV硬化された樹脂層を用いることができる。
できる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。
ネルでもある。
本実施の形態で説明する機能パネル200TPは、第1の基材210、第2の基材270
、接合層205、絶縁層290または機能層を有する。
動トランジスタM0、容量素子C、表示モジュール280R、発光素子250R、着色層
267R、画素回路、絶縁膜221、配線211、端子219、遮光層267BMまたは
隔壁228を含む。
(i)または第2の電極C2(j)を含む。
板FPC1、フレキシブルプリント基板FPC2または機能膜267pを有する。
第1の基材210、第2の基材270、接合層205および絶縁層290に、例えば、実
施の形態1に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材210b、不純物の
拡散を防ぐバリア膜210aおよび基材210bとバリア膜210aを貼り合わせる樹脂
層210cが積層された積層体を、第1の基材210に用いることができる。また、可撓
性を有する基材270b、不純物の拡散を防ぐバリア膜270aおよび基材270bとバ
リア膜270aを貼り合わせる樹脂層270cが積層された積層体を、第2の基材270
に用いることができる(図12参照)。
副画素202R、表示素子、画素回路、駆動回路GD、配線211および端子219に、
例えば、実施の形態1に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく信号を供
給する検知素子を機能層に用いることができる。
いることができる。
回路を、機能層に用いることができる。これにより、大気中において導電膜に近接する指
などを、静電容量の変化を用いて検知できる。
された制御信号および静電容量に基づいて変化する第2の電極C2(j)の電位を、信号
線ML(j)を用いて取得して、検知信号として供給することができる。
できる。
CL(i)は信号線ML(j)と交差する(図11(C)参照)。配線BR(i,j)と
信号線ML(j)の間に絶縁膜711を備える(図11(D)参照)。これにより、配線
BR(i,j)と信号線ML(j)の短絡を防ぐことができる。
知して、検知信号を供給する。
を用いて、検知素子を作製してもよい。
する方法を用いて、機能パネル200TPを作製してもよい。
機能パネル200TPは配線を備える。配線は制御線CL(i)、信号線ML(j)など
を含む。
に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたは
マンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅
、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含む
と好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適
である。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
ジウムから選ばれた元素の膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができ
る。またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジ
ウムから選ばれた複数の元素を含む合金膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用い
ることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオ
ジム、スカンジウムから選ばれた元素の窒化膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を
用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
機能パネル200TPは機能膜267pを有する。
267pに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、UV硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜2
67pに用いることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図14を参照しなが
ら説明する。
状態を説明する投影図であり、図14(B)は図14(A)の切断線X1−X2における
情報処理装置K100の断面図である。図14(C)は入出力装置K20が折り畳まれた
状態を説明する投影図である。
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20、演算装置K10ま
たは筐体K01(1)乃至筐体K01(3)を有する(図14参照)。
例えば、実施の形態4に記載する機能パネルを入出力装置に用いることができる。
)。入出力装置K20は、画像情報Vを供給され且つ検知情報Sを供給する。
0であるとともに、入力装置K40でもある。
力装置K20は、タッチパネルである。
第2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K3
1(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図14(A)参照)。
び第2の屈曲できる領域K31(22)に形成される第2の畳み目で折り畳まれた状態お
よび展開された状態にすることができる(図14(A)および図14(C)参照)。
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2
)または筐体K01(3)を含み、この記載の順に配置される。
1(3)は、入出力装置K20を保持し、入出力装置K20を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる(図14(B)参照)。
例示する。この情報処理装置の入出力装置K20は、2つのヒンジがある場所で折り畳む
ことができる。
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を(n−1)箇所で折って折り
畳むことができる。
10AおよびバッテリーK10Bを収納する。
)を筐体K01(2)に対して回動可能に接続する。
)を筐体K01(3)に対して回動可能に接続する。
。
0Bに供給する。
。
折り畳みセンサK41は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
は第1の領域K31(11)に第1の画像を含む画像情報Vを供給する(図14(C)参
照)。
10は表示装置K30の領域K31に画像情報Vを供給する(図14(A))。
検知部K50は、表示装置K30が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む
検知情報を供給することができる。
供給する検知回路と、を検知部K50に用いることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図15を参照しなが
ら説明する。
の上面図および底面図ある。
情報処理装置3000Aは、入出力部3120および入出力部3120を支持する筐体3
101を有する(図15(A)参照)。
明する機能パネルを入出力部3120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
令を供給することができる。
情報処理装置3000Bは筐体3101およびヒンジで筐体3101に接続された筐体3
101bを有する(図15(B)参照)。
例えば、実施の形態4で説明する機能パネルを入出力部3120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
ることができる。
る指を用いて操作命令を供給することができる。
情報処理装置3000Cは、入出力部3120ならびに入出力部3120を支持する筐体
3101を有する(図15(C−1)および図15(C−2)参照)。
明する機能パネルを入出力部3120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図16を参照しなが
ら説明する。
る。
ある。
よび底面図ある。
情報処理装置4000Aは、入出力部4120および入出力部4120を支持する筐体4
101を有する(図16(A−1)乃至図16(A−3)参照)。
明する機能パネルを入出力部4120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
令を供給することができる。
情報処理装置4000Bは、入出力部4120および入出力部4120bを有する(図1
6(B−1)および図16(B−2)参照)。
を有するベルト状の筐体4101bを有する。
例えば、実施の形態4で説明する機能パネルを入出力部4120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
力部4120に表示情報を表示することができる。
給することができる。
情報処理装置4000Cは、入出力部4120ならびに入出力部4120を支持する筐体
4101および筐体4101bを有する(図16(C−1)および図16(C−2)参照
)。
明する機能パネルを入出力部4120に用いることができる。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場
合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
、など)であるとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であ
り、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに
、XとYとが、接続されている場合である。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、Xと
Yとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとY
とが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとY
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
が電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている
場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は
、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジス
タのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気
的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の
接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介
して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、
前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なく
とも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気
的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタの
ソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3
の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは
、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
FPC2 フレキシブルプリント基板
K01 筐体
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示装置
K31 領域
K40 入力装置
K41 センサ
K45 釦
K50 検知部
K100 情報処理装置
M0 駆動トランジスタ
10 加工部材
10B 加工部材
100 成膜装置
100A 成膜装置
100B 成膜装置
100C 成膜装置
100D 成膜装置
110 加工部材支持部
115 シャドーマスク支持部
120A 蒸着源
120B 蒸着源
121A 遮蔽板
122A 検知器
140 動力
170 シャドーマスク
180 チャンバー
181a 原料供給部
181b 原料供給部
182a 高速バルブ
182b 高速バルブ
183a 原料導入口
183b 原料導入口
184 原料排出口
185 排気装置
186 加工部材支持部
190 成膜室
195 ドアバルブ
196 配管
197 排気装置
198 検知器
200 機能パネル
200(1) 機能パネル
200(2) 機能パネル
200(3) 機能パネル
200B 機能パネル
200TP 機能パネル
201 領域
202 画素
202R 副画素
205 接合層
209 フレキシブルプリント基板
210 第1の基材
210a バリア膜
210b 基材
210c 樹脂層
211 配線
219 端子
221 絶縁膜
228 隔壁
250R 発光素子
267BM 遮光層
267p 機能膜
267R 着色層
270 第2の基材
270a バリア膜
270b 基材
270c 樹脂層
280R 表示モジュール
290 絶縁層
291 絶縁層
300 機能パネル
305 接合層
305a 接合層
305b 接合層
310 第1の基材
310a 第1の基材
310b 第1の基材
330 機能層
330a 機能層
330b 機能層
370 第2の基材
370a 第2の基材
370b 第2の基材
390 絶縁層
390a 絶縁層
390b 絶縁層
610 基材
711 絶縁膜
767 開口部
1000 成膜システム
1000B 成膜システム
3000A 情報処理装置
3000B 情報処理装置
3000C 情報処理装置
3101 筐体
3101b 筐体
3120 入出力部
3120b 入出力部
4000A 情報処理装置
4000B 情報処理装置
4000C 情報処理装置
4101 筐体
4101b 筐体
4120 入出力部
4120b 入出力部
Claims (9)
- 第1の基材と、
前記第1の基材上の発光素子と、
前記発光素子上の絶縁層と、
前記絶縁層上の接合層と、
前記接合層上の第2の基材と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記発光素子上に酸化アルミニウムを含む前記絶縁層を原子層堆積法により成膜する、表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記発光素子は、有機EL素子である、表示装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記接合層は、有機材料を含む、表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記絶縁層は、20nm以上200nm以下の厚さである、表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記絶縁層は、前記発光素子を80℃以上とした状態で成膜される、表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記絶縁層は、
成膜装置内にアルミニウム前駆体化合物を含む第1の原料ガスを導入して、第1の原子層を形成する工程と、
前記成膜装置内から前記第1の原料ガスを排気する工程と、
前記成膜装置内に酸化剤として機能する第2の原料ガスを導入し、前記第1の原子層上に第2の原子層を形成する工程と、
を繰り返して成膜される、表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記絶縁層は、
成膜装置内にアルミニウム前駆体化合物を含む第1の原料ガスを導入して、第1の原子層を形成する工程と、
前記成膜装置内に不活性ガスを導入する工程と、
前記成膜装置内に酸化剤として機能する第2の原料ガスを導入し、前記第1の原子層上に第2の原子層を形成する工程と、
を繰り返して成膜される、表示装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記不活性ガスは、アルゴンガスまたは窒素ガスである、表示装置の作製方法。 - 請求項6乃至請求項8のいずれか一において、
前記アルミニウム前駆体化合物は、トリメチルアルミニウムであり、
前記第2の原料ガスは、水蒸気である、表示装置の作製方法。
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