TW202130236A - 配線電路基板、容器及基板收容組 - Google Patents

Abstract

本發明之配線電路基板1朝向上側依序具備金屬支持層2、基底絕緣層3及導體層4。基底絕緣層3之周緣包含相對於金屬支持層2向外側突出之突出部分7。金屬支持層2具有50 μm以上之厚度T1。

Description

配線電路基板、容器及基板收容組

本發明係關於一種配線電路基板、容器及基板收容組，詳細而言，係關於一種配線電路基板及容器、及具備該等之基板收容組。

先前，已知有朝向上側依序具備金屬支持基板、基底絕緣層及導體圖案之配線電路基板。(例如參照下述專利文獻1)。

專利文獻1之配線電路基板中，基底絕緣層之周緣配置於較金屬支持基板之周緣靠內側。又，專利文獻1之配線電路基板中，金屬支持基板之厚度為10 μm以上、25 μm以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-040115號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，存在將配線電路基板收容於有底筒形狀之容器中並將其進行搬送之情況。容器具有底壁、及自其周緣向上側延伸之周側壁。於將配線電路基板收容於此種容器中時，金屬支持基板之底面與容器之底壁接觸。另一方面，金屬支持基板之周緣與周側壁隔開微小間隔地對向地配置。

並且，於輸送收容有配線電路基板之容器時，存在如下情況：起因於輸送時之容器之振動，配線電路基板相對於容器相對地於面方向(沿底面之方向)上略微移動。

於此種情形時，專利文獻1之配線電路基板中，金屬支持基板之周緣與容器之周側壁接觸(進而碰撞)。

並且，專利文獻1之配線電路基板中，由於金屬支持基板之厚度為25 μm以下，較薄，且柔軟，故而即便由於上述接觸，亦不易損傷容器之周側壁。

另一方面，根據用途及目的，存在欲使金屬支持基板變厚之要求。若為了滿足該要求而將金屬支持基板之厚度設定為50 μm以上，則金屬支持基板變得剛直。

如此，由於上述接觸，金屬支持基板之周緣容易損傷容器之周側壁。因此，自損傷之容器產生碎屑(異物)。若異物與導體圖案接觸，則存在影響導體圖案之電特性甚至降低配線電路基板之可靠性之不良情況。

本發明提供一種能夠將金屬支持層之厚度變厚並且能夠抑制因容器之損傷而產生異物之配線電路基板、容器及基板收容組。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種配線電路基板，其朝向上側依序具備金屬支持層、基底絕緣層及導體層，上述基底絕緣層之周緣包含相對於上述金屬支持層向外側突出之突出部分，且上述金屬支持層具有50 μm以上之厚度。

該配線電路基板中，由於金屬支持層具有50 μm以上之厚度，故而能夠使金屬支持層變厚。因此，該配線電路基板可使用於需要金屬支持層之剛直性之用途。

另一方面，即便將該配線電路基板收容於容器中進行輸送，因其所引起之振動被傳遞至配線電路基板使突出部分與容器之周側壁接觸，亦能夠抑制位於較突出部分靠內側之金屬支持層之周緣與周側壁接觸。因此，能夠抑制因與金屬支持層之周緣接觸而引起容器之損傷。其結果為，該配線電路基板能夠抑制可靠性降低。

因此，該配線電路基板可用於需要金屬支持層之剛直性之用途，並且可靠性優異。

本發明(2)包含如(1)中記載之配線電路基板，其中上述金屬支持層之厚度相對於上述基底絕緣層之厚度之比為5以上、40以下。

該配線電路基板中，由於金屬支持層之厚度相對於基底絕緣層之厚度之比較大且為5以上，故而能夠使金屬支持層較基底絕緣層更明顯地剛直。

另一方面，由於金屬支持層之厚度相對於基底絕緣層之厚度之比為40以下，故而能夠確保基底絕緣層相對於較厚之金屬支持層具有一定之厚度。

本發明(3)包含如(1)或(2)中記載之配線電路基板，其中上述突出部分之突出長度為5 μm以上、100 μm以下。

該配線電路基板中，由於突出部分之突出長度為5 μm以上，故而能夠確實地抑制於突出部分與周側壁接觸時金屬支持層之周緣與周側壁之接觸。

該配線電路基板中，由於突出部分之突出長度為100 μm以下，故而能夠抑制於突出部分與周側壁接觸時突出部分被折斷，從而確實地抑制金屬支持層與周緣之周側壁之接觸。

本發明(4)包含如(1)～(3)中任一項記載之配線電路基板，其中上述突出部分之厚度為1 μm以上、50 μm以下。

該配線電路基板中，由於突出部分之厚度為1 μm以上，故而能夠確實地抑制於突出部分與周側壁接觸時金屬支持層之周緣與周側壁之接觸。

該配線電路基板中，由於突出部分之厚度為50 μm以下，故而能夠謀求配線電路基板之薄型化。

本發明(5)包含如(1)～(4)中任一項記載之配線電路基板，其具有周緣，該周緣具有第1邊、及與上述第1邊對向之第2邊，且上述第1邊及上述第2邊包含上述突出部分。

即便配線電路基板向第1邊及第2邊之對向方向移動，亦可藉由第1邊及第2邊所包含之突出部分，抑制位於較該突出部分靠內側之金屬支持層之周緣與周側壁接觸。

本發明(6)包含如(1)～(5)中任一項記載之配線電路基板，其具有周緣，該周緣具有第1角部、及與上述第1角部對向之第2角部，且上述第1角部及上述第2角部包含上述突出部分。

即便配線電路基板向第1角部及第2角部之對向方向移動，亦可藉由第1角部及第2角部所包含之突出部分，抑制位於較該突出部分靠內側之金屬支持層之周緣與周側壁接觸。

本發明(7)包含如(1)～(6)中任一項記載之配線電路基板，其中上述金屬支持層之材料為銅或銅合金。

本發明(8)包含如(1)～(7)中任一項記載之配線電路基板，其中上述突出部分之材料為聚醯亞胺樹脂。

本發明(9)包含一種容器，其係用以收容如(1)～(8)中任一項記載之配線電路基板者，且具有底壁、及自上述底壁之周緣向上側延伸之周側壁，上述周側壁具有於將上述配線電路基板載置於上述底壁時能夠與上述突出部分接觸之第1部分。

於將配線電路基板載置於該容器之底壁時，周側壁之第1部分能夠與突出部分接觸。因此，能夠抑制第1部分與位於較突出部分靠內側之金屬支持層之周緣接觸。

其結果為，該容器能夠抑制配線電路基板之可靠性降低，並且能夠收容配線電路基板。

本發明(10)包含如(9)中記載之容器，其中上述金屬支持層之周緣具有相對於上述基底絕緣層向外側突出之第2突出部分，上述周側壁具有於上述第1部分與上述突出部分接觸時與上述第2突出部分隔開間隔之第2部分。

然而，關於第2突出部分，由於金屬支持層之周緣相對於基底絕緣層向外側突出，故而於配線電路基板被收容於容器時，第2突出部分容易與周側壁接觸。因此，由於該接觸，容易產生異物。

但是，該容器由於具有與第2突出部分隔開間隔之第2部分，故而能夠抑制第2突出部分之基底絕緣層之損傷，從而能夠抑制異物之產生。

本發明(11)包含如(9)或(10)中記載之容器，其中上述底壁包含：能夠與上述金屬支持層之周緣之內側部分接觸之接觸部、及能夠與上述金屬支持層之上述周緣之間隔開間隔之間隔部。

於該容器中，底壁之接觸部與金屬支持層之周緣之內側部分接觸，能夠維持配線電路基板之狀態。

另一方面，由於在間隔部與金屬支持層之周緣之間隔開間隔，故而即便金屬支持層之周緣相對於底壁於面方向上移動，亦能夠抑制因該等之接觸而產生底壁之損傷(擦傷)。

本發明(12)包含一種基板收容組，其具備：如(1)至(8)中任一項記載之配線電路基板、及收容上述配線電路基板之如(9)至(11)中任一項記載之容器。

基板收容組藉由容器能夠以優異之可靠性收容用於需要金屬支持層之剛直性之用途之配線電路基板。 [發明之效果]

本發明之容器及基板收容組能夠以優異之可靠性收容用於需要金屬支持層之剛直性之用途之本發明之配線電路基板。

＜第1實施形態＞ 參照圖1A～圖5B，依序說明本發明之配線電路基板、容器及基板收容組之第1實施形態。

再者，圖3A、圖4A及圖5A中，為了明確且簡單地理解配線電路基板1、底壁62及周側壁63(均於後文進行敍述)之相對配置，僅用1條線表示周側壁63。

圖4A及圖5A中，為了明確地表示配線電路基板1、底壁62及周側壁63之相對配置，省略了導體層4(參照圖1)。

[配線電路基板] 如圖1～圖2B所示，該配線電路基板1具有上下方向上較薄且向與上下方向正交之面方向延伸之大致板形狀。又，該配線電路基板1於俯視(與上下方向上投影時同義)下一體地具備具有大致矩形狀之基板本體部5、及自基板本體部5向外側(面方向外側)突起之基板突起部6。

基板本體部5具有作為配線電路基板1之周緣之一例之4個基板邊部，即，基板第1邊部11、基板第2邊部12、基板第3邊部13、及基板第4邊部14。又，基板本體部5具有由4個基板邊部之端部所形成之4個基板角部，即，基板第1角部15、基板第2角部16、基板第3角部17、及基板第4角部18。

基板第1邊部11及基板第2邊部12於第1方向(面方向上所包含之一方向)(對向方向之一例)上隔開間隔地相互對向。基板第2邊部12相對於基板第1邊部11對向地配置於第1方向一側。基板第1邊部11及基板第2邊部12之各者沿第2方向(包含面方向、與第1方向正交之方向)延伸。

基板第3邊部13連結基板第1邊部11之第2方向一端緣及基板第2邊部12之第2方向一端緣。基板第4邊部14連結基板第1邊部11之第2方向另一端緣及基板第2邊部12之第2方向另一端緣。基板第3邊部13及基板第4邊部14於第2方向上隔開間隔地相互對向。基板第3邊部13相對於基板第4邊部14對向地配置於第2方向一側。基板第3邊部13及基板第4邊部14之各者沿第1方向延伸。

基板第1角部15及基板第2角部16相互對向。具體而言，基板第1角部15及基板第2角部16於隨著朝向第1方向一側而向第2方向另一側傾斜之第1傾斜方向上對向地配置。基板第1角部15由基板第1邊部11之第2方向一端部及基板第3邊部13之第1方向另一端部所形成。基板第2角部16由基板第2邊部12之第2方向另一端部及基板第4邊部14之第1方向一端部所形成。

基板第3角部17及基板第4角部18相互對向。具體而言，基板第3角部17及基板第4角部18於隨著朝向第1方向一側而向第2方向一側傾斜之第2傾斜方向(與第1傾斜方向交叉之傾斜方向)上對向地配置。基板第3角部17由基板第1邊部11之第2方向另一端部及基板第4邊部14之第1方向另一端部所形成。基板第4角部18由基板第2邊部12之第2方向一端部及基板第3邊部13之第1方向一端部所形成。

基板本體部5中之4個基板角部之各者形成直角。

基板突起部6與複數個(4個)基板邊部(基板第1邊部11～基板第4邊部14)對應地設置有複數個(4個)。複數個基板突起部6之各者自複數個基板邊部之各者向外側突起。具體而言，複數個基板突起部6之各者自複數個基板邊部之中間部(基板邊部延伸之方向之中間部)(較佳為中央部)向外側俯視下大致矩形狀地突起。

又，該配線電路基板1朝向上側依序具備金屬支持層2、基底絕緣層3、及導體層4。該配線電路基板1具備金屬支持層2、配置於其上表面之基底絕緣層3、及配置於其上表面之導體層4。

金屬支持層2具有於面方向上延伸之板形狀。金屬支持層2於整個面方向上具有相同之厚度T1。金屬支持層2一體地具備金屬本體部25、及金屬突起部26。

金屬本體部25於俯視下包含於基板本體部5中。金屬本體部25為金屬支持層2之本體部(主要部)(支持本體部)，具有俯視矩形狀。金屬本體部25具有金屬邊27(金屬支持層2之周緣之一例)及金屬角部30(周緣之一例)，具體而言，具有4條金屬邊27、及4個金屬角部30。

4條金屬邊27之各者形成(構成)基板第1邊部11、基板第2邊部12、基板第3邊部13、及基板第4邊部14之各者。

4個金屬角部30形成(構成)基板第1角部15、基板第2角部16、基板第3角部17、及基板第4角部18之各者。

於圖1中用虛線表示、於圖2A中用實線表示之金屬突起部26於俯視下包含於基板突起部6中。金屬突起部26於金屬支持層2中自金屬本體部25向外側突起。金屬突起部26亦為輔助支持基底絕緣層3之後文所述之突出部分7(後文所述)的支持構件。

金屬突起部26自金屬本體部25之4條金屬邊27向面方向外側突起。具體而言，金屬突起部26自金屬本體部25之一金屬邊27之中間部(金屬邊27延伸之方向之中間部)向面方向外側俯視下大致矩形狀地突起。金屬突起部26相對於1個金屬本體部25設置有複數個(例如4個)。

複數個金屬突起部26之各者具有作為周緣之一例之金屬突起邊28(圖1中用虛線表示)及金屬連結邊29。

金屬突起邊28相對於金屬本體部25之一條金屬邊27於外側隔開間隔。金屬突起邊28與對應之一條金屬邊27平行。

金屬連結邊29連結金屬本體部25之一條金屬邊27之中間部與金屬突起邊28。相對於1條金屬突起邊28設置2條金屬連結邊29。具體而言，2條金屬連結邊29之各者於突起方向上連結金屬本體部25之一條金屬邊27之中間部中的2個部位之各者與金屬突起邊28之兩端緣之各者。

金屬支持層2之材料可自金屬系材料(具體而言，金屬材料)中適當選擇而使用。具體而言，作為金屬系材料，可列舉週期表中被分類為第1族～第16族之金屬元素、或包含2種以上該等金屬元素之合金等。作為金屬系材料，為過渡金屬、典型金屬之任一者均可。更具體而言，作為金屬系材料，例如可列舉：鈣等第2族金屬元素；鈦、鋯等第4族金屬元素；釩等第5族金屬元素；鉻、鉬、鎢等第6族金屬元素；錳等第7族金屬元素；鐵等第8族金屬元素；鈷等第9族金屬元素；鎳、鉑等第10族金屬元素；銅、銀、金等第11族金屬元素；鋅等第12族金屬元素；鋁、鎵等第13族金屬元素；及鍺、錫等第14族金屬元素。該等可單獨使用或並用。

較佳為可列舉第11族金屬元素、及包含其之合金，就確保優異之導電性之觀點而言，更佳為可列舉銅、銅合金。

金屬支持層2之厚度T1之下限為50 μm，較佳為75 μm，更佳為100 μm。又，金屬支持層2之厚度T1之上限例如為10 mm，較佳為1 mm。

若金屬支持層2之厚度T1不滿足上述下限，則無法將該配線電路基板1用於需要金屬支持層2之剛直性之用途。

另一方面，只要金屬支持層2之厚度T1為上述上限以下，則能夠抑制因過大之厚度引起配線電路基板1之操作性降低。

金屬支持層2之外形尺寸並無特別限定。金屬突起部26之突起長度L1之下限例如為1 μm，較佳為3 μm。金屬突起部26之突起長度L1之上限例如為50 μm，較佳為30 μm。金屬突起部26之突起長度L1具體而言為金屬連結邊29之長度。

再者，自基板第1邊部11突起之金屬突起部26之第2方向長度(寬度)(金屬突起邊28之長度)L2與自基板第2邊部12突起之金屬突起部26之第2方向長度(寬度)(金屬突起邊28之長度)L2相同。自基板第3邊部13突起之金屬突起部26之第1方向長度(寬度)(金屬突起邊28之長度)短於自基板第4邊部14突起之金屬突起部26之第1方向長度(寬度)(金屬突起邊28之長度)。

金屬突起部26之寬度L2相對於金屬邊27之長度(兩端緣間之長度)L3之比(L2/L3)之下限例如為0.1，較佳為0.2。金屬突起部26之寬度相對於金屬邊27之長度之比(L2/L3)之上限例如為0.9，較佳為0.8。

基底絕緣層3具有於面方向延伸之板形狀。基底絕緣層3於整個面方向上具有相同之厚度T2。基底絕緣層3一體地具備基底本體部35及基底突起部36。

基底本體部35於基底絕緣層3中，為將導體層4與金屬支持層2絕緣之本體部(主要部分)(絕緣本體部)。基底本體部35具有小於金屬本體部25之俯視矩形狀。基底本體部35於上下方向投影時，包含於金屬本體部25中。基底本體部35具有基底邊37(周緣之一例)、及基底角部40(周緣之一例)，具體而言，具有4條基底邊37及4個基底角部40。

4條基底邊37之各者與4條金屬邊27之各者一同形成(構成)基板第1邊部11、基板第2邊部12、基板第3邊部13、及基板第4邊部14之各者。4條基底邊37之各者位於較對應之4條金屬邊27之各者靠內側。藉此，4條金屬邊27成為較4條基底邊37更向外側突出之第2突出部分8(後文所述)。

又，4個基底角部40之各者與4個金屬角部30之各者一同形成(構成)基板第1角部15、基板第2角部16、基板第3角部17、及基板第4角部18之各者。4個基底角部40之各者位於較對應之4個金屬角部30之各者靠內側。藉此，4個金屬角部30成為較4個基底角部40更向外側突出之第2突出部分8(後文所述)。再者，金屬角部30之第2突出部分8包含(重疊)於金屬邊27之第2突出部分8中。

基底突起部36於俯視下包含於基板突起部6中。基底突起部36於基底絕緣層3中自基底本體部35向外側突起。基底突起部36自基底本體部35之4條基底邊37向面方向外側突起。具體而言，基底突起部36自一條基底邊37之中間部向面方向外側突起。相對於1個基底本體部35，設置有複數個(例如與金屬突起部26相同數量、較佳為4個)基底突起部36。

複數個基底突起部36之各者具有作為基底絕緣層3之周緣之一例之基底突起邊38及基底連結邊39。

基底突起邊38相對於基底本體部35之一條基底邊37於外側隔開間隔。基底突起邊38與對應之一條基底邊37平行。

基底連結邊39連結基底本體部35之一條基底邊37之中間部(基底邊37延伸之方向之中間部)與基底突起邊38。相對於1條基底突起邊38，設置2條基底連結邊39。具體而言，2條基底連結邊39之各者於突起方向上，連結基底本體部35之一條基底邊37之中間部的2個部位各者與基底突起邊38之兩端緣各者。

並且，於基底突起部36中，包含基底突起邊38之基底活動端部46自金屬突起部26之金屬突起邊28向外側突出(突起)，形成突出部分7。突出部分7之基底突起邊38相對於金屬突起邊28位於外側。突出部分7之下表面向下方露出。即，於突出部分7之下側無金屬支持層2(未配置)。

另一方面，基底突起部36之基底基端部45與金屬支持層2(之金屬突起部26、及其內側部分)重疊。

配線電路基板1之周緣中除突出部分7以外之部分構成第2突出部分8。第2突出部分8係金屬支持層2之金屬邊27(周緣)自基底絕緣層3之基底邊37(周緣)向外側突出之部分。第2突出部分8係4條金屬邊27及4個金屬角部30之各者自對應之4條基底邊37及4個基底角部40之各者向外側突出之部分。

該配線電路基板1之周緣中，沿圓周方向交替地配置突出部分7及第2突出部分8。

再者，該第1實施形態中，4個突出部分7之各者於配線電路基板1之基板第1邊部11、基板第2邊部12、基板第3邊部13、及基板第4邊部14之各者中位於最外側。

作為基底絕緣層3之材料，例如可列舉聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等絕緣性樹脂。就確保優異之耐熱性之觀點而言，較佳為可列舉聚醯亞胺樹脂。

基底絕緣層3之厚度T2之下限為1 μm，較佳為5 μm。基底絕緣層3之厚度T2之上限例如為100 μm，較佳為50 μm。

金屬支持層2之厚度T1相對於基底絕緣層3之厚度T2之比(T1/T2)之下限例如為5，較佳為10。金屬支持層2之厚度相對於基底絕緣層3之厚度之比(T1/T2)之上限例如為40，較佳為30。

若金屬支持層2之厚度T1相對於基底絕緣層3之厚度T2之比(T1/T2)為上述下限以上，則能夠使金屬支持層2較基底絕緣層3更明顯地剛直。

若金屬支持層2之厚度T1相對於基底絕緣層3之厚度T2之比(T1/T2)為上述上限以下，則能夠確保基底絕緣層3相對於較厚之金屬支持層2具有一定之厚度T2。

關於基底絕緣層3之外形尺寸，只要能夠形成突出部分7，則無特別限定。基底突起部36之突起長度L5之下限例如為3 μm，較佳為5 μm，更佳為10 μm。基底突起部36之突起長度L5之上限例如為150 μm，較佳為100 μm，更佳為70 μm。基底突起部36之突起長度L5具體而言為基底連結邊39之長度。

再者，自基板第1邊部11突起之基底突起部36之第2方向長度(寬度)(基底突起邊38之長度)L6與自基板第2邊部12突起之基底突起部36之第2方向長度(寬度)(基底突起邊38之長度)L6相同。自基板第3邊部13突起之基底突起部36之第1方向長度(寬度)(基底突起邊38之長度)短於自基板第4邊部14突起之基底突起部36之第1方向長度(寬度)(基底突起邊38之長度)。

基底突起部36之寬度L6相對於基底邊37之長度(兩端緣間之長度)L7之比(L6/L7)之下限例如為0.1，較佳為0.2。基底突起部36之寬度L6相對於基底邊37之長度(兩端緣間之長度)L7之比(L6/L7)之上限例如為0.9，較佳為0.8。

基底突起部36之突起長度L5相對於金屬突起部26之突起長度L1之比(L5/L1)之下限例如為1.5，較佳為2，更佳為3。基底突起部36之突起長度L5相對於金屬突起部26之突起長度L1之比(L5/L1)之上限例如為1000，較佳為100。

基底突起部36之寬度L6相對於金屬突起部26之寬度L2之比(L6/L2)之下限例如為0.1，較佳為0.5。基底突起部36之寬度L6相對於金屬突起部26之寬度L2之比(L6/L2)之上限例如為10，較佳為2。

只要上述各比處於上述範圍內，則能夠抑制突出部分7之折斷，藉此能夠抑制與突出部分7對應之金屬支持層2之周緣與周側壁63接觸。

突出部分7之突出長度L0之下限例如為5 μm，較佳為10 μm。突出部分7之突出長度L0之上限例如為100 μm，較佳為75 μm。突出部分7之突出長度L0為基底突起邊38及金屬突起邊28間之突出長度(距離)。

若突出部分7之突出長度L0為上述下限以上，則能夠進一步抑制金屬支持層2之周緣與周側壁63接觸。

若突出部分7之突出長度L0為上述上限以下，則會抑制突出部分7於與周側壁63接觸時被折斷，藉此，能夠確實地抑制金屬支持層2之周緣與周側壁63接觸。

突出部分7之突出長度L0相對於基底突起部36之突起長度L5之比(L0/L5)之下限例如為0.1，較佳為0.2。突出部分7之突出長度L0相對於基底突起部36之突起長度L5之比(L0/L5)之上限例如為1，較佳為0.9。

若突出部分7之突出長度L0之比為上述下限以上、上限以下，則能夠抑制突出部分7與周側壁63接觸時突出部分7被折斷。

突出部分7之厚度T2與上述基底絕緣層3之厚度T2相同。

若突出部分7之厚度T2為上述下限以上，則會抑制突出部分7與周側壁63接觸時被折斷，能夠進一步抑制金屬支持層2之周緣與周側壁63接觸。

若突出部分7之厚度T2為上述上限以下，則能夠將配線電路基板1薄型化。

導體層4配置於基底本體部35之上表面。導體層4具有配線48、及端子49。配線48於第1方向上相互隔開間隔配置有複數條。複數條配線48之各者沿第2方向延伸。端子49於配線48之第2方向兩端部延續。作為導體層4之材料，例如可列舉銅、銀、金、鐵、鋁、鉻、及該等之合金等。作為導體層4之材料，就獲得良好之電特性之觀點而言，較佳為可列舉銅。導體層4之厚度之下限例如為1 μm，較佳為5 μm。導體層4之厚度之上限例如為50 μm，較佳為30 μm。

於製造該配線電路基板1時，例如首先準備平板形狀之金屬片材，其後，按順序形成具有上述形狀之基底絕緣層3及導體層4。其後，對金屬片材進行外形加工，形成金屬支持層2。藉此，形成基底絕緣層3之周緣自金屬支持層2突出之突出部分7。與此同時，形成金屬支持層2之周緣自基底絕緣層3突出之第2突出部分8。

[容器] 圖3A～圖3B所示之容器61係用以收容圖1～圖2B所示之配線電路基板1之基板收容用容器。容器61具有有底筒形狀。具體而言，容器61一體地具有底壁62、及自底壁62之周緣向上側延伸之周側壁63。

底壁62於俯視下具有略微大於配線電路基板1之大致矩形板形狀。底壁62一體地具有作為間隔部之一例之平坦部65、及作為接觸部之一例之底壁突起部66。

平坦部65具有於面方向上延伸之平坦狀之上表面。

底壁突起部66之頂部相對於平坦部65之上表面位於上側。底壁突起部66自平坦部65之上表面朝向上側突起。相對於1個平坦部65設置複數個底壁突起部66。複數個底壁突起部66於底壁62中相互隔開間隔地配置。複數個底壁突起部66配置於較底壁62之周端部靠內側部分(不包含周端部之區域)。例如，4個底壁突起部66於底壁62中配置於中央部及第1方向一端部之間、中央部及第1方向另一端部之間、中央部及第2方向一端部之間、及中央部及第2方向另一端部之間。

複數個底壁突起部66之各者具有俯視下大致圓之形狀。

再者，底壁62之4個角部之各者例如具有彎曲形狀。

周側壁63自底壁62之周端緣向上側延伸。又，周側壁63於沿第1方向之剖面觀察(參照圖3B)、及沿第2方向之剖面觀察(圖3B中未圖示)下具有相互對向之周側壁63間之長度隨著朝向上側而變長之大致錐形形狀。又，周側壁63具有剖面觀察下為大致半圓弧之形狀。

再者，周側壁63之傾斜角α例如滿足下述式(1)，較佳為滿足下述式(2)，更佳為滿足下述式(3)。

L0＞T1×tanα              (1) L0＞1.2×T1×tanα        (2) L0＞1.5×T1×tanα        (3) (L0為突出部分7之突出長度；T1為金屬支持層2之厚度；α為周側壁63之傾斜角) 周側壁63之傾斜角α係與平坦部65之上表面正交之垂線P與周側壁63之內面IF所形成之角度。

若周側壁63之傾斜角α、突出部分7之突出長度L0、及金屬支持層2之厚度T1滿足上述式，則如圖5A及圖5B所示，於突出部分7與周側壁63接觸時，能夠確實地抑制突出部分7之內側之金屬支持層2之金屬突起邊28(周緣)與周側壁63接觸。

周側壁63與底壁62之4條邊對應，具有4個側壁60。4個側壁60之各者具有大致平板形狀。

如圖4A～圖5B所示，4個側壁60之各者於收容配線電路基板1時被劃分為可與突出部分7接觸之第1部分71、及可於與第2突出部分8之間隔開間隔之第2部分72。即，4個側壁60之各者包含第1部分71及第2部分72。具體而言，於容器61收容配線電路基板1時，第1部分71為與突出部分7對向之部分，又，第2部分72為與第2突出部分8對向之部分。

再者，如圖3A～圖3B所示，又，該容器61進而包含凸緣64。凸緣64自周側壁63之上端緣向外側擴展。凸緣64係容器61之把手。

容器61之材料並無特別限定，例如可列舉樹脂、金屬、陶瓷等。就確保優異之成形性之觀點、及謀求輕量化之觀點而言，較佳為可列舉樹脂。

然而，於金屬支持層2之金屬突起邊28(周緣)與容器61之周側壁63接觸(碰撞)時，材料為樹脂之情形較材料為金屬或陶瓷之情形更容易產生異物。

然而，於該第1實施形態中，將於後文進行說明，由於突出部分7較金屬突起邊28更向外側突出，故而使上述接觸(碰撞)得到抑制，因此，上述異物之產生得到抑制。因此，就確保優異之成形性之觀點、及謀求輕量化之觀點而言，作為容器61之材料，可較佳地使用樹脂。

[基板收容組] 如圖4A～圖5B所示，基板收容組81具備上述配線電路基板1、及收容其之容器61。又，基板收容組81亦可為包含上述配線電路基板1及容器61之基板收容套組(或者基板收容系統)。

配線電路基板1配置於容器61之底壁62。具體而言，金屬支持層2之下表面與底壁突起部66之上表面接觸。

另一方面，金屬支持層2之下表面與平坦部65之上表面於上下方向上隔開間隔。又，金屬支持層2之金屬突起邊28(之下端部)不與底壁突起部66接觸，與平坦部65於上下方向上隔開間隔。

又，配線電路基板1係以被容器61之周側壁63包圍之方式而配置。金屬支持層1之周緣之中，突出部分7與周側壁63最接近，與突出部分7接近(對向)之周側壁63成為第1部分71。

另一方面，於俯視下周側壁63之中除第1部分71以外之部位成為第2部分72。第2部分72與第2突出部分8間之距離(對向長度)長於第1部分71與突出部分7間之距離(對向長度)。

為了獲得該基板收容組81，首先準備上述配線電路基板1及容器61。繼而，將配線電路基板1配置於容器61之底壁62。再者，此時容許突出部分7與周側壁63(第1部分71)接觸。

並且，該配線電路基板1中，由於金屬支持層2具有50 μm以上之厚度T1，故而能夠使金屬支持層2變厚。因此，該配線電路基板1能夠用於需要金屬支持層1之剛直性之用途。

另一方面，即便將該配線電路基板1收容於容器61中進行輸送，因其所引起之振動被傳遞至配線電路基板1使突出部分7與容器61之周側壁63接觸，亦能夠抑制位於較突出部分7靠內側之金屬支持層2之金屬突起邊28(周緣)與周側壁63接觸。

例如，如圖5A～圖5B之箭頭所示，於基板收容組81中，假定配線電路基板1相對於容器61向第1方向另一側及第2方向一側移動之情況。於此種情形時，與基板第1邊部11及基板第3邊部13之各者對應之突出部分7與周側壁63之第1部分71接觸。此時，位於較上述突出部分7靠內側之金屬突起邊28與第1部分71隔開間隔。因此，能夠有效地抑制因金屬突起邊28與周側壁63接觸而產生異物。

另一方面，第2突出部分8中，金屬支持層2之周緣(金屬邊27、金屬角部30)自基底絕緣層3突出。因此，於將配線電路基板1收容於容器61中時，第2突出部分8中之金屬支持層2之周緣較基底絕緣層3更接近周側壁63。其結果為，容易產生異物。

然而，由於容器61具有與第2突出部分8隔開間隔之第2部分72，故而能夠抑制第2突出部分8中之基底絕緣層3之損傷，從而能夠抑制異物之產生。

因此，該配線電路基板1可用於需要金屬支持層2之剛直性之用途，並且可靠性優異。

並且，又，該基板收容組81藉由容器61能夠以優異之可靠性收容用於需要金屬支持層1之剛直性之用途的配線電路基板1。

該配線電路基板1中，由於金屬支持層之厚度T1相對於基底絕緣層2之厚度T2之比(T1/T2)較大且為5以上，故而能夠使金屬支持層2較基底絕緣層3更明顯地剛直。

另一方面，由於金屬支持層2之厚度T1相對於基底絕緣層2之厚度T2之比(T1/T2)為40以下，故而能夠確保基底絕緣層3相對於較厚之金屬支持層2具有一定之厚度T2。

該配線電路基板1中，由於突出部分7之突出長度L0為5 μm以上，故而能夠確實地抑制於突出部分7與周側壁63接觸時金屬支持層2之周緣與周側壁63之接觸。

該配線電路基板1中，由於突出部分7之突出長度L0為100 μm以下，故而會抑制於突出部分7與周側壁63接觸時突出部分7被折斷，能夠確實地抑制金屬支持層2之周緣與周側壁63之接觸。

該配線電路基板1中，由於突出部分7之厚度T1為5 μm以上，故而能夠確實地抑制於突出部分7與周側壁63接觸時金屬支持層2之周緣與周側壁63之接觸。

該配線電路基板1中，由於突出部分7之厚度T1為50 μm以下，故而能夠謀求配線電路基板1之薄型化。

又，如圖5A所示，即便配線電路基板1向基板第1邊部11及基板第2邊部12之對向方向即第1方向移動，亦可藉由基板第1邊部11及基板第2邊部12所包含之突出部分7，抑制位於較該突出部分7靠內側之金屬支持層2之周緣與周側壁63接觸。

又，於容器61中，底壁62之複數個底壁突起部66為相同高度，藉由與金屬支持層2之周緣之內側部分接觸，能夠維持配線電路基板1之水平狀態。

另一方面，由於在平坦部65與金屬支持層2之周緣之間於上下方向上隔開間隔，故而即便金屬支持層2之金屬邊27(周緣)相對於底壁62於面方向上移動，亦能夠抑制因該等之接觸而產生底壁62之損傷(擦傷)。

＜第1實施形態之變化例＞ 於以下之各變化例中，針對與上述第1實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例除特別記載以外，均能夠發揮出與第1實施形態相同之作用效果。進而，可將第1實施形態及變化例適當組合。

如圖6所示，底壁62可不具有底壁突起部66，而僅具有平坦部65。該變化例中，金屬支持層2之整個下表面與平坦部65之上表面接觸。

圖1～圖5B之第1實施形態優於圖6之變化例。圖6之變化例係金屬支持層2之周緣(金屬邊27、金屬角部30)與平坦部65接觸。如此，會導致起因於該接觸之異物之產生。進而，變化例中之金屬支持層2與底壁62之接觸面積大於第1實施形態之金屬支持層2與底壁62之接觸面積。因此，容易導致起因於該接觸之異物之產生。

另一方面，第1實施形態中，由於金屬支持層2之周緣(金屬邊27、金屬角部30)與平坦部65於上下方向上隔開間隔，故而能夠抑制上述接觸。又，金屬支持層2其下表面之一部分與底壁突起部66接觸。因此，金屬支持層2之下表面及底壁突起部66之接觸面積小於金屬支持層2之整個下表面與平坦部65接觸之圖6之變化例的金屬支持層2之下表面及底壁突起部66之接觸面積。因此，能夠有效地減少上述異物之產生。

如圖7所示，周側壁63亦可相對於平坦部65垂直。

底壁突起部66之數量並無限定。例如，底壁突起部66之數量可如圖8所示，為3，亦可如圖9所示，為4。

底壁突起部66之形狀並無特別限定，亦可如圖9所示，為俯視下大致直線狀。再者，底壁突起部66於俯視下具有矩形框形狀之4個頂點被切掉之形狀。

如圖10所示，底壁突起部66亦可具有俯視下大致矩形框之形狀。

如圖11A及圖13A所示，底壁突起部66亦可配置於底壁62之周端部。

圖11A～圖12B之變化例中，複數個底壁突起部66之各者具有包含底壁62之4條邊之各者之中間部(較佳為中央部)之大致矩形狀。又，底壁突起部66於俯視下具有自底壁62之一邊向底壁62之中央部變小之錐形形狀。

如圖12A～圖12B所示，基板收容組81中，配線電路基板1之基板突起部6、及基板突起部6之附近之基板本體部5之金屬支持層2之下表面與底壁突起部66之上表面接觸。

另一方面，基板本體部5之中央部、基板第1角部15、基板第2角部16、基板第3角部17及基板第4角部18、基板第1邊部11、基板第2邊部12、基板第3邊部13、及基板第4邊部14之各者之兩端部中之金屬支持層2之下表面與平坦部65於上下方向上隔開間隔。

圖11A～圖12B所示之變化例與第1實施形態相同，能夠使金屬支持層2與底壁62之接觸面積小於圖6之變化例，因而能夠有效地減少起因於接觸之異物之產生。

圖13A～圖14B之變化例中，複數個底壁突起部66之各者具有大致矩形狀，該大致矩形狀包含於底壁62中相互對向之2條邊各邊之整體。複數個底壁突起部66之各者具有跨底壁62之一條邊整體且沿該邊之俯視下為大致直線之形狀。

如圖14A～圖14B所示，基板收容組81中，配線電路基板1之基板第3邊部13及與其對應之基板突起部6、及基板第4邊部14及與其對應之基板突起部6與底壁突起部66接觸。又，基板第1角部15、基板第2角部16、基板第3角部17及基板第4角部18亦與底壁突起部66接觸。

另一方面，配線電路基板1之中央部、基板第1邊部11(除基板第1角部15及基板第3角部17以外)及與其對應之基板突起部6、基板第2邊部12(除基板第2角部16及基板第4角部18以外)及與其對應之基板突起部6與平坦部65於上下方向上隔開間隔。

圖13A～圖14B所示之變化例亦與第1實施形態相同，可使金屬支持層2與底壁62之接觸面積小於圖6之變化例。因此，能夠有效地減少起因於接觸之異物之產生。

如圖15所示，配線電路基板1可不具備第2突出部分8而僅具備突出部分7。即，該配線電路基板1之周緣包含突出部分7。突出部分7相當於金屬支持層2之4條基底邊37之各者之整體。

又，周側壁63具有稍大於配線電路基板1之突出部分7之相似形狀。

進而，如圖16所示，配線電路基板1可不具備基板突起部6，而僅具備基板本體部5。基板本體部5中之4個基板邊部之各者具有突出部分7。

第1實施形態中，突出部分7設置於基板第1邊部11～基板第4邊部14，但例如可不設置於基板第3邊部13及基板第4邊部14，而設置於基板第1邊部11及基板第2邊部12，但未圖示。

進而，亦可不於基板第2邊部12設置突出部分7，而僅設置於基板第1邊部11。於此種情形時，於容器61之底壁62朝第1方向另一側向下側傾斜時，與基板第1邊部11對應之突出部分7向下方滑落，從而突出部分7與側壁60(第1部分71)接觸(碰撞)。但是，能夠抑制突出部分7之內側之金屬支持層2之周緣與第1部分71接觸。

又，配線電路基板1之形狀並不限定於上述，例如亦可為俯視下大致三角形狀、俯視下大致圓形狀、俯視下大致十字形狀，但未圖示。

又，於容器61中，亦可於底壁62及/或周側壁63局部地形成開口。

＜第2實施形態＞ 於以下之第2實施形態中，針對與上述第1實施形態及其變化例相同之構件及步驟，附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，第2實施形態除特別記載以外，能夠發揮與第1實施形態及其變化例相同之作用效果。又，該第2實施形態可與上述第1實施形態及其變化例適當組合。

參照圖17～圖20，說明第2實施形態之配線電路基板1、容器61及基板收容組81。於圖19～圖20中，為了明確地表示金屬支持層2、基底絕緣層3及容器61之相對配置，省略了周側壁63。

如圖17所示，第2實施形態中，於配線電路基板1中，將複數個基板突起部6中之一部分替代為基板凹部19。

如圖17及圖19所示，配線電路基板1具備自基板第3邊部13及基板第4邊部14之各者向內側凹陷之基板凹部19。

基板凹部19包含金屬支持層2中之金屬凹部41、及基底絕緣層3中之基底凹部42。

金屬凹部41自金屬邊27向內側凹陷。金屬凹部41具有位於較金屬邊27靠內側之金屬內側邊43(虛線)。金屬內側邊43與金屬邊27平行。

基底凹部42自基底邊37向內側凹陷。基底凹部42具有位於較基底邊37靠內側之基底內側邊44。基底內側邊44與基底邊37平行。

該第2實施形態中，基底內側邊44相對於金屬內側邊43位於外側。因此，包含基底內側邊44之基底活動端部46成為突出部分7。基底內側邊44與金屬內側邊43平行。

另一方面，如圖18～圖19所示，於容器61及基板收容組81中，一側壁60具有平坦側壁68、及自平坦側壁68向面方向內側突起之側壁突起部67。

側壁突起部67於上下方向上延伸。側壁突起部67自平坦側壁68之中間部(較佳為中央部)以成為俯視下大致半圓弧之形狀之方式向內側突起。側壁突起部67為第1部分71。平坦側壁68為第2部分72。

基板收容組81中，配線電路基板1之基板凹部19之突出部分7與容器61之側壁突起部67(第1部分71)接近並對向地配置。

另一方面，與基板凹部19鄰接之第2突出部分8與容器61之平坦側壁68(第2部分72)隔開有長於突出部分7與側壁突起部67(第1部分71)間之長度的長度(間隔)。

如圖20之箭頭所示，於基板收容組81中，假定配線電路基板1相對於容器61向第1方向另一側及第2方向一側移動之情況。於此種情形時，第2方向一側之基板凹部19之突出部分7與側壁突起部67(第1部分71)接觸。同時，與基板第1邊部11對應之突出部分7與和基板第1邊部11對向之周側壁63(第1部分71)接觸。此時，位於較上述突出部分7靠內側之金屬內側邊43與周側壁63(第1部分71)隔開間隔。因此，能夠有效地抑制起因於金屬突起邊28與周側壁63接觸之異物之產生。

另一方面，基板第3邊部13中之第2突出部分8之金屬支持層2之金屬邊27(周緣)較基底絕緣層3之基底邊37與周側壁63(第2突出部分8)更接近。因此，該金屬邊27容易與周側壁63接觸。

但是，該基板收容組81中，由於第2突出部分8中之金屬支持層2之金屬邊27相對於周側壁63之第2部分72隔開間隔，故而能夠有效地抑制因金屬支持層2之金屬邊27與周側壁63接觸而產生異物。

＜第3實施形態＞ 於以下之第3實施形態中，針對與上述第1實施形態、其變化例及第2實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，第3實施形態除特別記載以外，均可發揮與第1實施形態、其變化例及第2實施形態相同之作用效果。又，該第3實施形態可將上述第1實施形態、其變化例及第2實施形態適當組合。

如圖21所示，基板本體部5可具備突出部分7。具體而言，基板本體部5之基板第3邊部13包含突出部分7。

基板第3邊部13中之突出部分7中，基底邊37配置於較金屬邊27靠外側(第2方向一側)。

另一方面，自基板第3邊部13突起之基板突起部6具備第2突出部分8。

於容器61中，與基板第3邊部13對向之側壁60具有平坦側壁68、及自平坦側壁68之第1方向中間部向外側(第2方向一側)凹陷之側壁凹部69。該第3實施形態中，平坦側壁68為第1部分71。側壁凹部69為第2部分72。

側壁凹部69為於俯視下大於形成第2突出部分8之基板突起部6之凹部。具體而言，於基板第3邊部13(突出部分7)與平坦側壁68(第1部分71)接觸時，側壁凹部69(第2部分72)與第2突出部分8(基板突起部6)隔開間隔。

第3實施形態中，於突出部分7與第1部分71接觸時，第2突出部分8與第2部分72亦隔開間隔。

再者，與基板第1邊部11對向之側壁60具有另一凹部70。凹部70具有俯視下大致半圓之形狀。凹部70為插入槽。具體而言，於凹部70插入針狀、鉤狀等之拾取構件(未作圖示)，藉此，可自基板收容組81中容易地取出配線電路基板1。

＜第4實施形態＞ 於以下之第4實施形態中，針對與上述第1實施形態、其變化例、第2實施形態及第3實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，第4實施形態除特別記載以外，均能夠發揮與第1實施形態、其變化例、第2實施形態及第3實施形態相同之作用效果。又，該第4實施形態可將上述第1實施形態、其變化例、第2實施形態及第3實施形態適當組合。

如圖23所示，4個突出部分7之各者設置於配線電路基板1之4個基板角部(基板第1角部15～基板第4角部18)之各者。4個第2突出部分8之各者設置於配線電路基板1之4個基板突起部6之各者。

4個突出部分7之各者設置於4個基底角部40之各者。4個突出部分7之各者具有俯視下大致L字之形狀。

於基板收容組81之容器61中，側壁60具有平坦側壁68、及側壁凹部69。側壁凹部69為第2部分72。平坦側壁68為第1部分71。

並且，該第4實施形態中，如圖24之箭頭所示，即便配線電路基板1向基板第1角部15及基板第2角部16之對向方向即第1傾斜方向移動，亦可藉由基板第1角部15及基板第2角部16之基底角部40所包含之突出部分7，抑制位於較該突出部分7靠內側之金屬角部30與周側壁63接觸。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，並不限定性地進行解釋。該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]

配線電路基板具備於基板收容組中。

1:配線電路基板 2:金屬支持層 3:基底絕緣層 4:導體層 5:基板本體部 6:基板突起部 7:突出部分 8:第2突出部分 11:基板第1邊部 12:基板第2邊部 13:基板第3邊部 14:基板第4邊部 15:基板第1角部 16:基板第2角部 17:基板第3角部 18:基板第4角部 19:基板凹部 25:金屬本體部 26:金屬突起部 27:金屬邊 28:金屬突起邊 29:金屬連結邊 30:金屬角部 35:基底本體部 36:基底突起部 37:基底邊 38:基底突起邊 39:基底連結邊 40:基底角部 41:金屬凹部 42:基底凹部 43:金屬內側邊 44:基底內側邊 45:基底基端部 46:基底活動端部 48:配線 49:端子 60:側壁 61:容器 62:底壁 63:周側壁 64:凸緣 65:平坦部 66:底壁突起部 67:側壁突起部 68:平坦側壁 69:側壁凹部 70:凹部 71:第1部分 72:第2部分 81:基板收容組 IF:周側壁之內面 L0:突出部分之突出長度 L1:金屬突起部之突起長度 L2:金屬突起部之寬度 L3:金屬邊之長度 L5:基底突起部之突起長度 L6:基底突起部之寬度 L7:基底邊之長度 P:垂線 T1:突出部分之厚度 T2:基底絕緣層之厚度 α:周側壁之傾斜角

圖1係本發明之配線電路基板之第1實施形態之俯視圖。 圖2A～圖2B表示圖1所示之配線電路基板，圖2A為沿X-X線之剖視圖，圖2B為沿Y-Y線之剖視圖。 圖3A～圖3B表示用以收容圖1所示之配線電路基板之容器，圖3A為俯視圖，圖3B為沿圖3A之X-X線之剖視圖。 圖4A～圖4B表示具備圖1所示之配線電路基板、及圖3A所示之容器之基板收容組，圖4A為俯視圖，圖4B為沿圖4A之X-X線之剖視圖。 圖5A～圖5B表示圖4A～圖4B所示之配線電路基板移動時之基板收容組，圖5A為俯視圖，圖5B為沿圖5A之X-X線之剖視圖。 圖6係圖4B所示之基板收容組之變化例(底壁不具有底壁突起部之例)之剖視圖。 圖7係圖4B所示之基板收容組之變化例(周側壁與平坦部垂直之例)之剖視圖。 圖8係圖4A所示之基板收容組之變化例(底壁突起部之數量為3之例)之俯視圖。 圖9係圖4A所示之基板收容組之變化例(底壁突起部之量為4且其為俯視直線形狀之例)之俯視圖。 圖10係圖4A所示之基板收容組之變化例(底壁突起部為大致矩形框形狀之例)之俯視圖。 圖11A～圖11B表示圖3A～圖3B所示之容器之變化例(底壁突起部配置於底壁之周端部之例)，圖11A為俯視圖，圖11B為沿圖11A之X-X線之剖視圖。 圖12表示具備圖11A～圖11B所示之容器之基板收容組，圖12A為俯視圖，圖12B為沿圖12A之X-X線之剖視圖。 圖13A～圖13B表示圖3A～圖3B所示之容器之變化例(跨2條邊各邊配置底壁突起部之例)，圖13A為俯視圖，圖13B為沿Z-Z線之剖視圖。 圖14表示具備圖13A～圖13B所示之容器之基板收容組，圖14A為俯視圖，圖14B為沿圖14A之Z-Z線之剖視圖。 圖15係圖4A所示之基板收容組之變化例(具備不具備第2突出部分之配線電路基板、及不具備第2部分之容器的基板收容組之例)之俯視圖。 圖16係圖15所示之基板收容組之又一變化例(配線電路基板不具備基板突起部之基板收容組之例)之俯視圖。 圖17係本發明之配線電路基板之第2實施形態(具備基板凹部之配線電路基板)之俯視圖。 圖18係用以收容圖17所示之配線電路基板之容器之俯視圖。 圖19係具備圖17所示之配線電路基板、及圖18所示之容器之基板收容組之俯視圖。 圖20係圖19所示之配線電路基板移動時之基板收容組之俯視圖。 圖21係本發明之基板收容組之第3實施形態(基板本體部包含突出部分之配線電路基板)之俯視圖。 圖22係圖21所示之配線電路基板移動時之基板收容組之俯視圖。 圖23係本發明之基板收容組之第4實施形態(基板角部包含突出部分之配線電路基板)之俯視圖。 圖24係圖23所示之配線電路基板移動時之基板收容組之俯視圖。

1:配線電路基板

2:金屬支持層

3:基底絕緣層

4:導體層

5:基板本體部

6:基板突起部

7:突出部分

8:第2突出部分

11:基板第1邊部

12:基板第2邊部

13:基板第3邊部

14:基板第4邊部

15:基板第1角部

16:基板第2角部

17:基板第3角部

18:基板第4角部

25:金屬本體部

26:金屬突起部

27:金屬邊

28:金屬突起邊

29:金屬連結邊

30:金屬角部

35:基底本體部

36:基底突起部

37:基底邊

38:基底突起邊

39:基底連結邊

40:基底角部

45:基底基端部

46:基底活動端部

48:配線

49:端子

L0:突出部分之突出長度

L1:金屬突起部之突起長度

L2:金屬突起部之寬度

L3:金屬邊之長度

L5:基底突起部之突起長度

L6:基底突起部之寬度

L7:基底邊之長度

Claims (12)

1. 一種配線電路基板，其特徵在於：朝向上側依序具備金屬支持層、基底絕緣層及導體層；且 上述基底絕緣層之周緣包含相對於上述金屬支持層向外側突出之突出部分； 上述金屬支持層具有50 μm以上之厚度。
2. 如請求項1之配線電路基板，其中上述金屬支持層之厚度相對於上述基底絕緣層之厚度之比為5以上、40以下。
3. 如請求項1或2之配線電路基板，其中上述突出部分之突出長度為5 μm以上、100 μm以下。
4. 如請求項1或2之配線電路基板，其中上述突出部分之厚度為1 μm以上、50 μm以下。
5. 如請求項1或2之配線電路基板，其具有周緣，該周緣具有第1邊、及與上述第1邊對向之第2邊，且 上述第1邊及上述第2邊包含上述突出部分。
6. 如請求項1或2之配線電路基板，其具有周緣，該周緣具有第1角部、及與上述第1角部對向之第2角部，且 上述第1角部及上述第2角部包含上述突出部分。
7. 如請求項1或2之配線電路基板，其中上述金屬支持層之材料為銅或銅合金。
8. 如請求項1或2之配線電路基板，其中上述突出部分之材料為聚醯亞胺樹脂。
9. 一種容器，其特徵在於：其係用以收容如請求項1至8中任一項之配線電路基板者，且 具有底壁、及自上述底壁之周緣向上側延伸之周側壁； 上述周側壁具有於將上述配線電路基板載置於上述底壁時能夠與上述突出部分接觸之第1部分。
10. 如請求項9之容器，其中上述金屬支持層之周緣具有相對於上述基底絕緣層向外側突出之第2突出部分；且 上述周側壁具有於上述第1部分與上述突出部分接觸時與上述第2突出部分隔開間隔之第2部分。
11. 如請求項9或10之容器，其中上述底壁包含： 能夠與上述金屬支持層之周緣之內側部分接觸之接觸部，及 能夠於與上述金屬支持層之上述周緣之間隔開間隔之間隔部。
12. 一種基板收容組，其特徵在於具備： 如請求項1至8中任一項之配線電路基板，及 收容上述配線電路基板之如請求項9至11中任一項之容器。

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