TW202104393A - 熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體、以及彼等之製造方法 - Google Patents

熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體、以及彼等之製造方法 Download PDF

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Abstract

提供在進行電路基板的多層化之際操作範圍(process window)廣、兼具高耐熱性與生產性之熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體及成形體。前述熱塑性液晶聚合物薄膜係由能形成光學性各向異性的熔融相之熱塑性聚合物所構成的薄膜，在由動態黏彈性測定所求取之儲存模數的量變曲線中，在180℃以上的溫度存在橡膠狀平坦區域，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’為80MPa以上。

Description

熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體、以及彼等之製造方法
本發明係關於包含能形成光學性各向異性的熔融相之聚合物(以下，稱為熱塑性液晶聚合物)，且耐熱性優異的薄膜、積層體、及成形體、以及彼等之製造方法。
近年來，在電子/電氣/通訊工業領域中，因設備的小型化/輕量化的要求，故印刷電路基板的高密度化的必要性正在提高。伴隨於此，正在發展電路基板的多層化、佈線間距的狹窄化、通孔的細微化等各式各樣的方法。例如，高密度化電路係將包含非金屬層與金屬層之覆金屬積層板隔著非金屬層進行多層化而製造。以往，印刷電路基板/電路主要係使用酚樹脂、環氧樹脂等熱固性樹脂作為非金屬層，並與銅箔等金屬層進行積層而製造，但已知熱固性樹脂在藉由加熱反應而變得能適合的積層為止前需要時間。
相對於此，將生產性提升作為目的，一般採用複數片的同時積層、由裝置所致之同時多段製造。在此種狀況下，熱塑性液晶聚合物材料可期待活用為熱塑性樹脂一事之生產性的提升效果，又，在物性面上亦因相較於其他材料，吸水率與介電損失極低，而以高頻率傳輸用途為代表正受到高度注目。
熱塑性液晶聚合物材料係利用熱塑性而使由熱壓接所致之多層化成為可能，但另一方面，亦需要在多層化之際的耐熱性。也就是說，即使在將使用於多層化之非金屬層適當地軟化/可塑化而在與積層板的金屬層或非金屬層穩固地附著之條件下製造積層體之際，在積層板的非金屬層具有高耐熱性之情形，亦能製造操作範圍(process window)(製造條件的最適範圍)寬廣且穩定的產品。
作為多層積層體的穩定的製造法，作為不使用接著劑的例子，在專利文獻1(日本專利第4004139號公報)、專利文獻2(日本專利第4138995號公報)中記載有包含熔點不同的熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬層之金屬積層體與非金屬層的多層積層板之製造方法。
在專利文獻3(日本專利第3893930號公報)所提案之多層基板的製造方法中，積層包含熱塑性樹脂之複數片材，在一片一片地將前述積層片材保持在片材保持具的狀態下，隔著可撓性材料進行加熱及加壓，藉此可不利用以往的分批型真空室地製造多層基板。因此，根據該製造方法，相較於使用以往的分批型真空室之步驟，可大幅地提高生產效率。
關於材料本身的耐熱化，作為熱塑性液晶聚合物材料的耐熱化，在專利文獻4(日本專利第3878741號公報)中記載有將熔點為300℃以下的熱塑性液晶聚合物的熔點提高至300℃以上的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第4004139號公報 專利文獻2：日本專利第4138995號公報 專利文獻3：日本專利第3893930號公報 專利文獻4：日本專利第3878741號公報
[發明欲解決之課題]
然而，在專利文獻1及2所提案之多層積層板中，因使用低熔點的熱塑性液晶聚合物薄膜的點，而難以擴大操作範圍。又，在提高熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點之情形，因需要由多階段所致之4小時以上的熱處理，故有缺乏生產性這樣的問題點。
又，在專利文獻3所提案之方法中，在隔著可撓性材料急速加熱積層片材之際，熱塑性樹脂會引起水解反應，例如在熱塑性液晶聚合物等中，樹脂的流動性變大，有導體圖案的位置偏離、在樹脂薄膜中發生空隙這樣的問題點。
再者，在專利文獻4所記載之方法中，雖亦能藉由多階段且藉由4小時以上的加熱而提高熱塑性液晶聚合物的熔點，但此種方法有缺乏生產性這樣的問題點。
因此，對於在使用熱塑性液晶聚合物薄膜進行多層化時擴大操作範圍，在設備、接著劑的改善方面有極限，無法充分地滿足進一步的多層化的要求。又，在僅單純地提升熔點方面，包含熱塑性液晶聚合物薄膜製造時的生產性在內，皆無法滿足市場要求。
因此，本發明之目的在於提供在進行多層化之際操作範圍寬廣的熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體、以及能輕易地製造此等的方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人等為了解決上述課題而專心致志地探討的結果，驚人地發現，關於由動態黏彈性測定所求取之儲存模數的溫度依賴性，存在橡膠狀平坦區域，且在該橡膠狀平坦區域中之儲存模數E’為特定範圍的熱塑性液晶聚合物薄膜，係在多層積層板製造時所要求的耐熱性明顯地高，尤其，可能係因其特定的動態黏彈特性，故可抑制樹脂的流動，進而完成本發明。
亦即，本發明能由以下的態樣所構成。 [態樣1] 一種熱塑性液晶聚合物薄膜，其係由能形成光學性各向異性的熔融相之聚合物(以下，稱為熱塑性液晶聚合物)所構成的薄膜，在由動態黏彈性測定所求取之儲存模數的量變曲線中，在180℃以上(較佳為190℃以上，更佳為200℃以上)的溫度存在橡膠狀平坦區域，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’為80MPa以上(較佳為100MPa以上，更佳為120MPa以上)。 [態樣2] 如態樣1所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜，其中，在280℃之儲存模數為60MPa以上(較佳為70MPa以上，更佳為80MPa以上)。 [態樣3] 如態樣1或2所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜，其中，使用示差掃描熱析儀，以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃的溫度範圍之際出現的吸熱峰位置為310℃以上(較佳為315℃以上，更佳為320℃以上)。 [態樣4] 一種積層體，其具備至少一層如態樣1至3中任一態樣所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜。 [態樣5] 如態樣4所記載之積層體，其更具備至少一層金屬層。 [態樣6] 如態樣5所記載之積層體，其中，前述金屬層係由選自銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎳、鎳合金、鐵、鐵合金、銀、銀合金、及此等的複合金屬種類的至少一種所構成。 [態樣7] 一種成形體，其係由如態樣1至3中任一態樣所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜或如態樣4至6中任一態樣所記載之積層體所形成。 [態樣8] 如態樣7所記載之成形體，其為電路板。 [態樣9] 如態樣7或8所記載之成形體，其為高頻率用電路基板、車載用感測器、行動用電路基板、或天線。 [態樣10] 一種如態樣1至3中任一態樣所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，對於由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上(較佳為0.22℃/min以上，更佳為0.25℃/min以上，再佳為0.26℃/min以上)的熱塑性液晶聚合物所構成之熱塑性液晶聚合物薄膜(材料薄膜)，進行熱處理而耐熱化。 [態樣11] 如態樣10所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，前述熱處理為一階段或複數階段的熱處理，在設為熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )之情形，在Tm0 ℃以下(較佳為小於Tm0 ℃，更佳為(Tm0 -2)℃以下)進行第一熱處理而耐熱化。 [態樣12] 如態樣10或11所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，作為熱源，使用選自熱風烘箱、蒸氣烘箱、電熱器、紅外線加熱器、陶瓷加熱器、熱輥、熱壓、及電磁波照射機的至少一種。 [態樣13] 如態樣10至12中任一態樣所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，前述熱處理為一階段。 [態樣14] 一種如態樣4至6中任一態樣所記載之積層體的製造方法，其中，對於具備由熱塑性液晶聚合物所構成之聚合物層的積層體，亦即前述聚合物層係由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上(較佳為0.22℃/min以上，更佳為0.25℃/min以上，再佳為0.26℃/min以上)的熱塑性液晶聚合物所構成之積層體，進行熱處理而耐熱化。 [態樣15] 如態樣14所記載之積層體的製造方法，其中，前述熱處理為一階段或複數階段的熱處理，在設為熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )之情形，在Tm0 ℃以下(較佳為小於Tm0 ℃，更佳為(Tm0 -2)℃以下)進行第一熱處理而耐熱化。 [態樣16] 如態樣14或15所記載之積層體的製造方法，其中，作為熱源，使用選自熱風烘箱、蒸氣烘箱、電熱器、紅外線加熱器、陶瓷加熱器、熱輥、熱壓、及電磁波照射機的至少一種。 [態樣17] 一種方法，其係藉由對於如態樣1至3中任一態樣所記載之熱塑性液晶聚合物薄膜、及/或如態樣4至6中任一態樣所記載之積層體進行後加工而製造成形體。
本說明書中，所謂熱塑性液晶聚合物的熔點上升速度，係在示差掃描熱析測定中，在常溫(例如25℃)與指定溫度(例如400℃)之間，在將熱塑性液晶聚合物薄膜(原料薄膜)進行加熱、冷卻、再加熱之際，將在再加熱時出現吸熱峰的溫度設為熱塑性液晶聚合物的熔點Tm0 ，且將熱塑性液晶聚合物薄膜以Tm0 -10℃的溫度進行熱處理一小時後，在示差掃描熱析測定中，在從常溫(例如25℃)加熱至指定溫度(例如400℃)之際，將出現吸熱峰的溫度設為Tm’時，由Rtm=(Tm’-Tm0 )/60所算出之值。在上述的示差掃描熱析測定中之溫度變化率(升溫速度、降溫速度)可為10℃/min。
本說明書中，所謂積層體，意指已對於熱塑性液晶聚合物薄膜積層被黏著物的結構物，所謂成形體，意指已對於熱塑性液晶聚合物薄膜形成電路等的結構物。
此外，申請專利範圍及/或說明書及/或圖式所揭示之至少二個構成要素的任何組合亦包含在本發明中。尤其，申請專利範圍所記載之請求項的二個以上的任何組合亦包含在本發明中。 [發明之效果]
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜，因在多層積層板製造時所要求的耐熱性非常高，在積層/電路加工之際具有寬廣操作範圍，故例如伴隨著至今為止繁雜的多層積層程序的簡略化，而能以低成本製造積層體。再者，變得亦能不使用特殊的設備、夾具地製造超多層積層基板。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施形態進行說明。此外，在以下的說明中，作為表現特定功能的化合物，雖揭示具體例，但本發明不受限於此。又，所例示之材料只要沒有特別說明，則可單獨使用亦可組合使用。
[熱塑性液晶聚合物] 本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜係由熱塑性液晶聚合物所構成。此熱塑性液晶聚合物係由可熔融成形的液晶聚合物(或能形成光學性各向異性的熔融相之聚合物)所構成，只要為可熔融成形的液晶聚合物則不特別限定其化學構成，但可列舉例如熱塑性液晶聚酯、或在此中已導入醯胺鍵的熱塑性液晶聚酯醯胺等。
又，熱塑性液晶聚合物可為在芳香族聚酯或芳香族聚酯醯胺中已進一步導入醯亞胺鍵、碳酸酯鍵、碳二亞胺鍵、三聚異氰酸酯(isocyanurate)鍵等源自異氰酸酯的鍵等之聚合物。
作為能用於本發明的熱塑性液晶聚合物的具體例，可列舉由以下所例示之被分類成(1)至(4)的化合物及其衍生物所致之公知的熱塑性液晶聚酯及熱塑性液晶聚酯醯胺。惟，為了形成能形成光學性各向異性的熔融相之聚合物，理所當然地在各種原料化合物的組合中有適當的範圍。
(1)芳香族或脂肪族二醇(代表例係參照表1) [表1]
Figure 02_image001
(2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例係參照表2) [表2]
Figure 02_image003
(3)芳香族羥基羧酸(代表例係參照表3) [表3]
Figure 02_image005
(4)芳香族二胺、芳香族羥基胺或芳香族胺基羧酸(代表例係參照表4) [表4]
Figure 02_image007
作為由此等原料化合物所得之熱塑性液晶聚合物的代表例，可列舉具有表5及6所示之結構單元的共聚物。
[表5]
Figure 02_image009
[表6]
Figure 02_image011
此等共聚物之中，較佳為至少包含對羥苯甲酸及/或6-羥基-2-萘甲酸作為重複單元之共聚物，尤其，較佳為(i)包含對羥苯甲酸與6-羥基-2-萘甲酸的重複單元之共聚物、或(ii)包含選自包含對羥苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸之群組的至少一種的芳香族羥基羧酸、至少一種的芳香族二醇、以及至少一種的芳香族二羧酸的重複單元之共聚物。
熱塑性液晶聚合物為包含對羥苯甲酸(A)及6-羥基-2-萘甲酸(B)的重複單元之共聚物之情形，其莫耳比(A)/(B)較佳為(A)/(B)=10/90～90/10，更佳為50/50～90/10，再佳為75/25～90/10，又再佳為75/25～85/15，特佳為77/23～80/20。
例如，(i)的共聚物之情形，除了對羥苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸的重複單元以外，由調整分子量等之觀點而言，亦可包含由芳香族二醇、芳香族二羧酸(例如，對苯二甲酸)所構成之重複單元。
又，(ii)的共聚物之情形，可為包含以下重複單元的共聚物：選自包含對羥苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸之群組的至少一種的芳香族羥基羧酸；選自包含4,4’-二羥基聯苯、氫醌、苯基氫醌、及4,4’-二羥基二苯基醚之群組的至少一種的芳香族二醇；以及選自包含對苯二甲酸、間苯二甲酸及2,6-萘二甲酸之群組的至少一種的芳香族二羧酸。
此外，本發明中所謂能形成光學性各向異性的熔融相，例如可藉由將試料載置於熱載台，在氮氣體環境下進行升溫加熱，觀察試料的透射光而確認。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜，在上述共聚物之中，較佳為由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上的熱塑性液晶聚合物所構成。更佳可為0.22℃/min以上，再佳可為0.25℃/min以上，又再佳可為0.26℃/min以上。熱塑性液晶聚合物的熔點上升速度Rtm的上限未被特別限制，但可為1.0℃/min以下。
熔點上升速度RTm係如以下般算出。首先，使用示差掃描熱析儀，將熱塑性液晶聚合物薄膜的一部分置入試料容器，以10℃/min的速度從室溫(例如，25℃)升溫至400℃後，以10℃/min的速度冷卻至室溫，將再次以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃之際出現的吸熱峰的位置作為構成熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物固有的熔點(以下稱為Tm0 )進行測定。 又，將用於Tm0 的測定之熱塑性液晶聚合物薄膜以Tm0 -10℃處理60分鐘後，將已進行該處理的熱塑性液晶聚合物薄膜的一部分置入試料容器，將以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃之際出現的吸熱峰的位置作為已在Tm0 -10℃氣體環境下處理60分鐘之熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點Tm’進行測定。基於此等測定值，藉由以下的公式，算出構成熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的熔點上升速度Rtm(℃/min)。 Rtm=(Tm’-Tm0 )/60
熔點上升速度迅速的熱塑性液晶聚合物，藉由熱處理，可能係因容易形成結晶結構的均勻性高的斜方晶結晶，故不僅耐熱性的提升，亦可賦予特定的動態黏彈特性。
熱塑性液晶聚合物係熔點(Tm0 )例如較佳為300～380℃的範圍，更佳可為305～360℃的範圍，再佳可為310～350℃的範圍。此外，熔點係可使用示差掃描熱析儀，如上述般觀察熱塑性液晶聚合物樣品的熱行為而獲得。
又，由熔融成形性的觀點而言，熱塑性液晶聚合物例如可具有在(Tm0 ＋20)℃之剪切速度1000/s的熔融黏度30～120Pa･s，較佳可具有熔融黏度50～100Pa･s。
前述熱塑性液晶聚合物中，在不損及本發明的效果之範圍內，可添加聚對苯二甲酸乙二酯、改質聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳酯(polyarylate)、聚醯胺、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚醚醚酮、氟樹脂等熱塑性聚合物、各種添加劑。又，因應需要亦可添加填充劑。
[熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體或成形體的製造方法] 本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜係能藉由對於由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上的熱塑性液晶聚合物所構成之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜、材料薄膜)進行熱處理而製造。
熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)只要係由具有特定熔點上升速度Rtm的熱塑性液晶聚合物所構成，則其製造方法未被特別限定，例如，可將前述熱塑性液晶聚合物進行澆鑄成形而獲得薄膜，亦可將前述熱塑性液晶聚合物的熔融混練物進行擠壓成形而獲得薄膜。作為擠壓成形法，係使用任意方法者，但周知的T型模(T-DIE)法、充氣(Inflation)法等就工業上而言是有利的。尤其，在充氣法中，不僅在熱塑性液晶聚合物薄膜的機械軸方向(以下，簡稱為MD方向)，亦在與此正交的方向(以下，簡稱為TD方向)施加應力，而可在MD方向、TD方向均勻地延伸，因此能獲得已控制在MD方向與TD方向中之分子定向性、介電特性等的熱塑性液晶聚合物薄膜。
例如，在由T型模法所致之擠壓成形中，可將由T型模所擠壓之熔融體薄片，不僅對於熱塑性液晶聚合物薄膜的MD方向，而是對於此與TD方向雙方同時進行延伸而製膜，或可將由T型模所擠壓之熔融體薄片暫時先在MD方向進行延伸，接著在TD方向進行延伸而製膜。
又，在由充氣法所致之擠壓成形中，對於由環模所熔融擠壓之圓筒狀薄片，可以指定拉伸比(相當於MD方向的延伸倍率)及吹比(相當於TD方向的延伸倍率)進行延伸而製膜。
此種擠壓成形的延伸倍率，作為MD方向的延伸倍率(或拉伸比)，例如可為1.0～10左右，較佳可為1.2～7左右，再佳可為1.3～7左右。又，作為TD方向的延伸倍率(或吹比)，例如可為1.5～20左右，較佳可為2～15左右，再佳可為2.5～14左右。
對於如此進行所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)進行熱處理，而被耐熱化。 熱處理的方法只要經耐熱化的熱塑性液晶聚合物薄膜具有特定的動態黏彈特性則未被特別限定，例如，可將熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)藉由卷對卷等而進行直接熱處理，亦可將積層暫時得到之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)與被黏著物的積層體進行熱處理，亦可將藉由濺鍍或電鍍等而在熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)上直接形成金屬層的積層體進行熱處理。此種積層體能利用熱壓或熱輥、雙帶沖壓(double belt press)等的熱壓接法而製造，但不特別受限於此。
作為進行熱處理之際的熱源，能利用公知或慣用的熱源。作為較佳的熱源，可列舉例如，熱風烘箱、蒸氣烘箱、電熱器、紅外線加熱器、陶瓷加熱器、熱輥、熱壓、電磁波照射機(例如，微波照射機等)等。此等熱源可單獨或組合二種以上而使用。
耐熱化雖能藉由一階段或複數階段的熱處理而進行，但在本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜中，較佳為以一至二階段進行熱處理，更佳為以一階段進行熱處理為較佳。
在一階段或複數階段的熱處理中，例如，作為第一熱處理，在將熱塑性液晶聚合物的熔點設為(Tm0 )之情形，可在Tm0 ℃以下，較佳為小於Tm0 ℃，更佳為(Tm0 -2)℃以下進行加熱處理。加熱溫度較佳可為(Tm0 -50)℃以上，更佳可為(Tm0 -40)℃以上。於此，熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )可藉由前述的熔點的測定方法而求取。在一階段的熱處理中，僅藉由第一熱處理進行耐熱化，而在複數階段的熱處理中，第一熱處理以後，下一階段的熱處理溫度可藉由比前階段的熱處理溫度更高的加熱溫度進行熱處理。
熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點雖因應熱處理而上升，但在本發明中因能迅速的耐熱化，故加熱溫度只要將熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )作為基準而決定即可。
因此，第二熱處理以後的加熱溫度可因應需要而在熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )以上進行，例如，在複數階段的熱處理中之最高到達溫度可為(Tm0 ＋30)℃以下，較佳可為(Tm0 ＋20)℃以下。
在熱處理中之各階段的加熱時間，可因應加熱溫度、熱處理的階段等而適當設定。在本發明中，因能迅速的耐熱化，故加熱時間例如整體可為10分鐘～3小時左右，較佳可為10分鐘～2小時左右(例如30分鐘～2小時左右)，更佳可為10分鐘～1.3小時左右(例如45分鐘～1.3小時左右)。
作為被黏著物，只要可利用作為熱處理的支持體則未被特別限定，可列舉金屬層、耐熱性樹脂層等。
作為構成金屬層的金屬，只要為具有導電性的金屬則未被特別限定，但可列舉例如，銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎳、鎳合金、鐵、鐵合金、銀、銀合金、及此等的複合金屬種類等。在此等金屬中，可以2000質量ppm以下包含其他金屬種類，亦可存在不可避免的雜質。
使用金屬層作為被黏著物之情形，在熱處理後，能以熱塑性液晶聚合物薄膜部分經耐熱化的積層體的形態直接使用。例如，在需要導電性、放熱性之情形，只要使用銅、銅合金、銀、銀合金即可，若需要強磁性則使用鐵合金等即可，若需要便宜者則使用鋁等即可。
較佳為，可使用銅作為電路基板用的金屬種類，具體而言，金屬層可由包含99.8%質量以上的銅，再包含2000質量ppm以下的選自包含銀、錫、鋅、鉻、硼、鈦、鎂、磷、矽、鐵、金、鐠、鎳、及鈷之群組的至少一種的其他金屬種類、及剩餘部分不可避免的雜質的銅所構成。
作為在熱塑性液晶聚合物薄膜上形成金屬層的方法，可使用公知的方法。例如在熱塑性液晶聚合物薄膜上，可蒸鍍金屬層，亦可藉由無電解電鍍、電解電鍍而形成金屬層。又，亦可藉由熱壓接而將金屬箔(例如銅箔)積層在熱塑性液晶聚合物薄膜的表面。銅箔只要為在電路基板中能使用的銅箔，則未被特別限定，可為壓延銅箔、電解銅箔之任一者。
作為構成耐熱性樹脂層的樹脂，可列舉具有比在熱處理所實行的最高到達溫度更高的熔點之樹脂或熱固性樹脂等，較佳可列舉聚醯亞胺、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚苯硫、氟樹脂(例如，聚四氟乙烯)等。
作為在熱塑性液晶聚合物薄膜上形成耐熱性樹脂層之方法，可使用公知的方法，例如可藉由熱壓接而將耐熱性樹脂薄膜積層在熱塑性液晶聚合物薄膜的表面。
前述熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬層的積層體，若將在各個單層的厚度設為Ta(μm)、Tb(μm)，則Ta、Tb分別能選自0.1～500μm的範圍。由近年的薄型化、輕量化的觀點而言，Ta較佳可為1～175μm，更佳可為5～130μm左右。又，Tb較佳可為1～20μm，更佳可為2～15μm左右。
此外，前述積層體具有熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬層的多層結構，包含至少一層的熱塑性液晶聚合物薄膜與至少一層的金屬層。例如，作為多層結構的積層體，可列舉具有以下積層結構者，但不限於此等， (i)金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜 (ii)金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層 (iii)熱塑性液晶聚合物薄膜/熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層 (iv)熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜 (v)金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜/熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層 (vi)金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬層等。
此外，熱塑性液晶聚合物薄膜可以已與被黏著物積層的狀態，直接以積層體的形態使用，亦可與被黏著物分離而單獨使用熱塑性液晶聚合物薄膜。再者，對於熱塑性液晶聚合物薄膜，亦可隔著適當的接著層而進行多層化。作為接著層，可列舉例如，聚苯醚、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、熱塑性聚醯亞胺、聚醚醯亞胺等。
又，例如，成形體亦可藉由對於熱塑性液晶聚合物薄膜、及/或積層體進行後加工而被製造。
例如，對於熱塑性液晶聚合物薄膜，可藉由在表面上形成導體圖案，而製造電路板等成形體(或單位電路基板)。又，對於積層體的金屬層，可藉由形成導體圖案，而製造電路板等成形體(或單位電路基板)。 再者，亦可將已形成導體圖案的單位電路基板對於其他基板材料進行重疊而多層化，藉此製造電路板等成形體(或電路基板)。作為基板材料，可例示上述的熱塑性液晶聚合物薄膜、金屬層(金屬箔)、單位電路基板等，因應需要亦可使用接著層。
或者，亦可對於具備由熱塑性液晶聚合物所構成之聚合物層的預備成形體，亦即前述聚合物層係由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上的熱塑性液晶聚合物所構成之預備成形體，進行熱處理，而獲得成形體。該情形，成形體的聚合物部分具有後述之特定範圍的橡膠狀平坦區域的儲存模數E’。
[熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體及成形體] 本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體，藉由熱處理，可能係因在熱塑性液晶聚合物中形成特定的結晶結構，故熱塑性液晶聚合物部分在由動態黏彈性測定所求得之儲存模數的量變曲線中，在180℃以上的溫度存在橡膠狀平坦區域，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’為80MPa以上。
於此，所謂橡膠狀平坦區域，係聚合物的分子鏈雖會動，但未完全熔融的區域，且指儲存模數不依賴溫度，呈約略固定的值之區域。在本發明中，由在指定溫度的±5℃的溫度範圍中之儲存模數(MPa)的變化量所算出之斜率的絕對值為5MPa/℃以下之情形中，該指定溫度中之儲存模數係被視為屬於平坦區域者。此外，所謂在指定範圍(例如，180℃以上)的溫度存在橡膠狀平坦區域之情形，係指橡膠狀平坦區域的整體屬於該指定範圍的溫度。橡膠狀平坦區域較佳為可存在於190℃以上，更佳為可存在於200℃以上。又，橡膠狀平坦區域可存在於350℃以下，較佳為可存在於340℃以下，更佳為可存在於330℃以下。此外，將在高溫側上述斜率的絕對值超過5MPa/℃而儲存模數急遽降低的區域設為流動區域。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜係發現藉由上述的製造方法而可賦予特定動態黏彈特性者。具體而言，藉由將熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)進行熱處理，可使橡膠狀平坦區域存在於儲存模數的高溫區，又，藉由使用具有特定熔點上升速度者作為構成該熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物，可將橡膠狀平坦區域的儲存模數E’提高至特定範圍。而且，此種熱塑性液晶聚合物薄膜係發現可抑制在積層體製作時之樹脂的流動者。
由抑制在積層體製作時之樹脂的流動之觀點而言，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’較佳可為100MPa以上，更佳可為120MPa以上。在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’的上限未被特別限定，但例如可為1000MPa左右。此外，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’係藉由後述實施例所記載之方法所測定的值，即使為橡膠狀平坦區域在200～280℃的範圍外仍持續存在之情形，亦為在200～280℃之間所測定的值。
又，由抑制在積層體製作時之樹脂的流動之觀點而言，在280℃之儲存模數例如可為60MPa以上，較佳可為70MPa以上，更佳可為80MPa以上。在280℃之儲存模數的上限未被特別限定，但例如可為800MPa左右。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜，由耐熱性優異之觀點而言，橡膠狀平坦區域的終點溫度可為280℃以上，較佳可為285℃以上，更佳可為300℃以上。橡膠狀平坦區域的終點溫度的上限未被特別限定，但例如可為400℃左右。此外，橡膠狀平坦區域的終點溫度係藉由後述實施例所記載之方法所測定的值。
又，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜係使用示差掃描熱析儀，將以10℃/min的速度從室溫(例如，25℃)升溫至400℃的溫度範圍之際出現的吸熱峰位置設為熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)。例如，熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)可為310℃以上，較佳可為315℃以上，更佳可為320℃以上。熔點(Tm)的上限未被特別限定，但例如可為400℃左右。
又，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體、及成形體係藉由熱處理而在熱塑性液晶聚合物中產生特定的結晶結構，因此熱塑性液晶聚合物部分在由廣角X射線繞射測定所偵測之繞射量變曲線中，在將2θ=14～26度之基線上的積分強度設為A、將在2θ=22.3～24.3度中將主峰的量變曲線近似線性函數並去除後的次峰的量變曲線的積分強度設為B、並設為B/A×100=UC時，可滿足下述式(1)，更佳為可滿足下述式(2)。 0≦UC≦2.0 (1) 0.1≦UC≦1.5 (2)
本發明中所謂之UC，可被視為斜方晶結晶的結構的均勻性(結晶性)之指標。數值愈大，意指斜方晶的(200)面的繞射信號愈靈敏。亦即，結晶結構的均勻性高的斜方晶大幅成長。此外，由廣角X射線繞射測定所致之UC，係藉由後述實施例所記載的方法所測定之值。
即使為UC不存在於指定範圍之情形，亦存在例如熔點為280～340℃的熱塑性液晶聚合物薄膜。然而，在此種熱塑性液晶聚合物薄膜中，耐熱化不是藉由斜方晶的形成而進行，而主要是藉由固相聚合程序而進行，因此耐熱化有需要龐大時間的熱處理之傾向。
例如，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體及成形體不僅耐熱性優異，且操作範圍亦寬廣，因此可適合使用在各種用途。
例如，具備至少一層的熱塑性液晶聚合物薄膜與至少一層的金屬層之積層體，可在金屬層形成電路圖案，作為電路板是有用的。又，在成形體具備複數電路層之情形，能滿足高密度化、高功能化的要求，因此成形體適合作為多層電路基板。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜、積層體及成形體因耐熱性明顯地高，故適合高頻率用電路基板、車載用感測器、行動用電路基板、天線等的用途，但不限定於此等。 [實施例]
以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明不受本實施例任何限定。此外，在以下的實施例及比較例中，係藉由下述方法測定各種物性。
(膜厚) 使用數位厚度計(Mitutoyo股份有限公司製)，將所得之熱塑性液晶聚合物薄膜在TD方向以1cm間隔進行測定，將從中心部及端部任意選擇的10點的平均值設為膜厚。
(示差掃描熱析測定) (Tm) 使用示差掃描熱析儀(島津製作所股份有限公司製)，從在實施例及比較例中所得之熱處理後的熱塑性液晶聚合物薄膜採樣指定大小並置入試料容器，將以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃之際出現的吸熱峰的位置設為熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點Tm。
(Tm0 及Rtm) 使用示差掃描熱析儀(島津製作所股份有限公司製)，從熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)採樣指定大小並置入試料容器，在以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃後，以10℃/min的速度冷卻至室溫，將再次以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃之際出現的吸熱峰的位置設為構成熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的熔點Tm0 。
又，將熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)在批式烘箱中於Tm0 -10℃的氣體環境下處理60分鐘。使用示差掃描熱析儀，從已處理的熱塑性液晶聚合物薄膜採樣指定大小並置入試料容器，將以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃之際出現的吸熱峰的位置設為經上述處理之熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點Tm’，藉由以下的公式，算出構成熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的熔點上升速度Rtm(℃/min)。 Rtm=(Tm’-Tm0 )/60
(動態黏彈性測定) 將熱塑性液晶聚合物薄膜裁切成縱10mm、橫5mm，製作試驗片。使用黏彈性測定裝置(NETZSCH製「DMA242E Artemis」)，將試驗片安裝在樣品座，將頻率數設為1Hz、將荷重設為0.2N、將測定模式設為拉力模式，在室溫至350℃的溫度範圍中，以5℃/min的升溫速度測定儲存模數。 在所得之儲存模數的量變曲線(縱軸：儲存模數(MPa)，橫軸：溫度(℃))中，從儲存模數相對於在200℃至280℃之間每10℃的溫度變化之變化量算出斜率。求取所算出之斜率的絕對值為5MPa/℃以下且最小的溫度變化範圍，算出在其溫度變化範圍中之中心的溫度(例如，若為200～210℃則是205℃)的儲存模數作為橡膠狀平坦區域的儲存模數E’。又，算出在280℃之儲存模數。 又，算出在180℃以上的溫度存在之橡膠狀平坦區域的接線、與較該橡膠狀平坦區域更高溫側的流動區域的接線之交點的溫度，作為橡膠狀平坦區域的終點溫度。
(廣角X射線繞射測定) 廣角X射線繞射測定係使用Bruker AXS公司製、D8 Discover裝置。將熱塑性液晶聚合物薄膜裁切成10mm見方，貼附在標準的樣品座。為了提高數據的S/N比，熱塑性液晶聚合物薄膜係以使MD方向一致之方式重疊複數片，以厚度成為0.5mm左右之方式進行調整。X射線源係設為CuKα，將燈絲電壓設為45kV，將電流設為110mA。準直器係使用0.3mm者。
將標準樣品座安裝至裝置，以從與熱塑性液晶聚合物薄膜的法線一致的方向照射X射線之方式進行位置調整。亦即，對於熱塑性液晶聚合物薄膜表面，垂直地照射X射線。將熱塑性液晶聚合物薄膜與偵測器的距離(攝影機距離)設為100mm。偵測器係使用二維PSPC偵測器，取得二維繞射影像。偵測器係設置在試料的後方，以熱塑性液晶聚合物薄膜的法線、偵測器的法線、X射線照射方向全部一致之方式進行配置。曝光時間係設為600秒鐘。
將所得之二維繞射影像進行圓環平均處理，轉換成一維量變曲線(數據1)。圓環平均的範圍以繞射角(2θ)表示係設為10～30度。方位角範圍係設為0～180度。2θ的節距(step)係設為0.05度。此外，使方位角0度對應於熱塑性液晶聚合物薄膜的MD方向。
經轉換的一維量變曲線(數據1)係使用以相同條件所取得之背景值數據(未安裝試料時的測定數據)進行寄生散射等的處理。亦即，在將背景值數據進行一維量變曲線化後，從熱塑性液晶聚合物薄膜的數據扣除。將此作為數據2。
對於經背景值處理的數據2，設定基線並扣除。基線係設為在背景值處理後的數據中，連接2θ在14度與26度之強度值的線性函數。此外，在14度及26度之強度值，係分別設為13.8～14.2度、25.8～26.2度的範圍之強度的平均值(間隔0.05度)。從數據2扣除上述線性函數。將此作為數據3。對於數據3，在繞射角2θ為14～26度的範圍求取積分強度，將所求取的積分強度設為A。
再者，在數據3中，計算連接繞射角2θ在22.3度與24.3度之強度值的線性函數，從數據3再減去線性函數。將此作為數據4。對於數據4，求取2θ為22.3～24.3度的範圍之積分強度(B)。再計算B/A×100(=UC)。
(覆金屬積層板的製作) 如圖1所示，重疊熱塑性液晶聚合物薄膜1與金屬箔2，製作組件。金屬箔係使用福田金屬箔粉工業股份有限公司製CF-H9A-DS-HD2-12(厚度12μm)。將此組件在北川精機股份有限公司製真空壓製機中，於真空下，以6℃/min使其從室溫(25℃)升溫至250℃，保持15分鐘後，以6℃/min升溫至300℃後，以面壓4MPa的條件使其熱壓接，在10分鐘後以7℃/min降溫至250℃，到達250℃後急速冷卻，藉此確認成為50℃，釋放真空，製作具備熱塑性液晶聚合物薄膜1與金屬箔2的覆金屬積層板3。
(耐熱性-層流/操作範圍) 由層流所致之耐熱性，係觀察多層積層基板四角落的熱塑性液晶聚合物薄膜形狀變化而進行評價。如圖2所示，將二片由圖1所得之覆金屬積層板3，以彼此的熱塑性液晶聚合物薄膜1相合之方式重疊，製作組件。在此組件的上下表面分別配設SUS板4及緩衝材5而夾住組件，在真空壓製機中，以310℃、面壓2MPa的條件使其熱壓接，製作多層積層基板。藉由目視觀察所製作之多層積層基板四角落的熱塑性液晶聚合物薄膜形狀變化，並藉由以下的基準進行評價。 A：在積層條件中，熱塑性液晶聚合物幾乎不流動，僅從金屬層確認到0.7mm以下的毛邊。 B：在積層條件中，熱塑性液晶聚合物幾乎不流動，僅從金屬層確認到大於0.7mm且1mm以下的毛邊。 C：在積層條件中，藉由熱塑性液晶聚合物的流動而從金屬層確認到大於1mm的毛邊。
(熱塑性液晶聚合物的製作) 作為熱塑性液晶聚合物的聚合的代表例，實施例1的方法係為以下。投入對羥苯甲酸6.1kg(23莫耳份)、2-羥基-6-萘甲酸28.1kg(77莫耳份)、及乙酸酐20.1kg，在乙醯基化(160℃，回流下約2小時)後，以1℃/min進行升溫並保持在340℃，進行60分鐘減壓處理(1000Pa)，進行熔融聚縮合。
＜實施例1＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元23莫耳份、對羥苯甲酸單元77莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓成形，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為310℃。 (2)針對由上述所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)，以280℃進行熱處理3小時。所得之熱塑性液晶聚合物薄膜的Tm為317℃。 (3)使用由上述(2)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，圖3係揭示由實施例1所得之熱處理後的熱塑性液晶聚合物薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表，儲存模數E’表示在245℃之儲存模數的數值。
＜實施例2＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元20莫耳份、對羥苯甲酸單元80莫耳份、對苯二甲酸單元1莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓成形，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為320℃。 (2)針對由上述所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)，以300℃進行熱處理1小時。所得之熱塑性液晶聚合物薄膜的Tm為334℃。 (3)使用由上述(2)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，儲存模數E’表示在265℃之儲存模數的數值。
＜實施例3＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元20莫耳份、對羥苯甲酸單元80莫耳份、對苯二甲酸單元1莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓成形，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為320℃。 (2)針對由上述所得之熱塑性液晶聚合物薄膜(耐熱化前薄膜)，以310℃進行熱處理1小時。所得之熱塑性液晶聚合物薄膜的Tm為347℃。 (3)使用由上述(2)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，儲存模數E’係表示在265℃之儲存模數的數值。
＜比較例1＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元27莫耳份、對羥苯甲酸單元73莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為280℃。 (2)使用由上述(1)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，在動態黏彈性測定中，在180℃以上的溫度未偵測到儲存模數的橡膠狀平坦區域。
＜比較例2＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元23莫耳份、對羥苯甲酸單元77莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為310℃。 (2)使用由上述(1)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，圖4係揭示由比較例2所得之熱塑性液晶聚合物薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表，但如此圖所示，在180℃以上的溫度未偵測到儲存模數的橡膠狀平坦區域。
＜比較例3＞ (1)將包含6-羥基-2-萘甲酸單元20莫耳份、對羥苯甲酸單元80莫耳份、對苯二甲酸1莫耳份的莫耳比例之熱致液晶性聚酯進行聚合，由充氣模進行擠壓，獲得厚度50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜。構成所得之熱塑性液晶聚合物薄膜之熱塑性液晶聚合物的Tm0 為320℃。 (2)使用由上述(1)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，在動態黏彈性測定中，在180℃以上的溫度未偵測到儲存模數的橡膠狀平坦區域。
＜比較例4＞ (1)將比較例1的材料以280℃進行熱處理3小時。所得之熱塑性液晶聚合物薄膜的Tm為313℃。 (2)使用由上述(1)所得之熱塑性液晶聚合物薄膜製作覆金屬積層板、多層積層基板。針對所得之熱塑性液晶聚合物薄膜與多層積層基板，進行關於示差掃描熱析測定、動態黏彈性測定、廣角X射線繞射測定、及層流的評價之結果係如同表7所示。此外，圖5係揭示由比較例4所得之熱處理後的熱塑性液晶聚合物薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表，儲存模數E’係表示在245℃之儲存模數的數值。
[表7]
  熱處理條件 示差掃描熱析測定 動態黏彈性測定 廣角X射線繞射測定 層流操作範圍
Tm (℃) Tm0 (℃) Rtm (℃/min) E’ (MPa) 280℃ 儲存模數 (MPa) 終點溫度 (℃) UC
實施例1 280℃ 3小時 317 310 0.28 147 96 288 1.07 B
實施例2 300℃ 1小時 334 320 0.45 319 251 310 1.10 A
實施例3 310℃ 1小時 347 320 0.45 253 206 313 1.15 A
比較例1 - - 280 0.17 - 14 - -0.65 C
比較例2 - - 310 0.28 - 22 - -0.45 C
比較例3 - - 320 0.45 - 61 - -0.12 C
比較例4 280℃ 3小時 313 280 0.17 43 27 283 -0.13 C
由表7可知，在由比較例1～3所得之熱塑性液晶聚合物薄膜中，因不存在橡膠狀平坦區域，故無法滿足層流。又，在比較例4中，雖藉由施以熱處理而產生橡膠狀平坦區域，但在使用如比較例4般Rtm為小的熱塑性液晶聚合物之情形，因無法提高橡膠狀平坦區域的儲存模數E’，故無法滿足層流。
相對於此，在實施例1～3中，因存在橡膠狀平坦區域且具有特定範圍的橡膠狀平坦區域的儲存模數E’，故相對於比較例1～4係滿足層流。若使用具有此種薄膜的覆金屬積層板，則在積層/電路加工之際具有寬廣的操作範圍，因此能不使用特殊的設備、夾具地以低成本製造積層體。 [產業上利用之可能性]
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜及積層板適合作為各種成形體(例如，電路板)的材料，尤其適合作為多層積層電路材料等，例如，作為在電子/電氣/通訊工業領域中之印刷電路板，在高頻率用電路基板、車載用感測器、行動用電路基板、天線等的用途中是有用的。
如以上所述，雖說明本發明的適合的實施形態，但在不脫離本發明要旨的範圍內，各種的追加、變更或刪除是可能的，該者亦被包含在本發明的範圍內。
1:熱塑性液晶聚合物薄膜 2:金屬層(銅箔) 3:覆金屬積層板 4:SUS板 5:緩衝材
圖1係本發明的一態樣中之覆金屬積層板的剖面圖。 圖2係本發明的一態樣中之多層積層基板製作時的組件的剖面圖。 圖3係揭示由本發明的實施例1所得之熱處理後的薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表。 圖4係揭示由比較例2所得之薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表。 圖5係揭示由比較例4所得之熱處理後的薄膜的關於由動態黏彈性測定所致之儲存模數的溫度依賴性的量變曲線之圖表。

Claims (17)

  1. 一種熱塑性液晶聚合物薄膜，其係由能形成光學性各向異性的熔融相之聚合物(以下，稱為熱塑性液晶聚合物)所構成的薄膜，在由動態黏彈性測定所求取之儲存模數的量變曲線中，在180℃以上的溫度存在橡膠狀平坦區域，在200～280℃之橡膠狀平坦區域的儲存模數E’為80MPa以上。
  2. 如請求項1之熱塑性液晶聚合物薄膜，其中，在280℃之儲存模數為60MPa以上。
  3. 如請求項1或2之熱塑性液晶聚合物薄膜，其中，使用示差掃描熱析儀，以10℃/min的速度從室溫升溫至400℃的溫度範圍之際出現的吸熱峰位置為310℃以上。
  4. 一種積層體，其具備至少一層如請求項1至3中任一項之熱塑性液晶聚合物薄膜。
  5. 如請求項4之積層體，其更具備至少一層金屬層。
  6. 如請求項5之積層體，其中，該金屬層係由選自銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎳、鎳合金、鐵、鐵合金、銀、銀合金、及此等的複合金屬種類的至少一種所構成。
  7. 一種成形體，其係由如請求項1至3中任一項之熱塑性液晶聚合物薄膜或如請求項4至6中任一項之積層體所形成。
  8. 如請求項7之成形體，其為電路板。
  9. 如請求項7或8之成形體，其為高頻率用電路基板、車載用感測器、行動用電路基板、或天線。
  10. 一種如請求項1至3中任一項之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，對於由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上的熱塑性液晶聚合物所構成之熱塑性液晶聚合物薄膜，進行熱處理而耐熱化。
  11. 如請求項10之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，該熱處理為一階段或複數階段的熱處理，在設為熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )之情形，在Tm0 ℃以下進行第一熱處理而耐熱化。
  12. 如請求項10或11之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，作為熱源，使用選自熱風烘箱、蒸氣烘箱、電熱器、紅外線加熱器、陶瓷加熱器、熱輥、熱壓、及電磁波照射機的至少一種。
  13. 如請求項10至12中任一項之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其中，該熱處理為一階段。
  14. 一種如請求項4至6中任一項之積層體的製造方法，其中，對於具備由熱塑性液晶聚合物所構成之聚合物層的積層體，亦即該聚合物層係由熔點上升速度Rtm為0.20℃/min以上的熱塑性液晶聚合物所構成之積層體，進行熱處理而耐熱化。
  15. 如請求項14之積層體的製造方法，其中，該熱處理為一階段或複數階段的熱處理，在設為熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 )之情形，在Tm0 ℃以下進行第一熱處理而耐熱化。
  16. 如請求項14或15之積層體的製造方法，其中，作為熱源，使用選自熱風烘箱、蒸氣烘箱、電熱器、紅外線加熱器、陶瓷加熱器、熱輥、熱壓、及電磁波照射機的至少一種。
  17. 一種方法，其係藉由對於如請求項1至3中任一項之熱塑性液晶聚合物薄膜、及/或如請求項4至6中任一項之積層體進行後加工而製造成形體。
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