TW201947787A - Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器。LED發光源包含一基座、至少一LED晶片、一抗硫化結構、一光激發結構、一封膠結構及一保護結構，基座具有上緣並由上緣框圍形成發光區域，基座上緣並向內凹設形成安裝內面，LED晶片透過覆晶或結合金屬打線之方式設置於安裝內面底部位置，抗硫化結構係延續且不斷開地成形於安裝內面上所有金屬材料之表面，光激發結構置於基座內且包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一；封膠結構置於基座內供以將光激發結構及LED晶片封裝於基座內，抗硫化結構係隔絕金屬材料與封膠結構直接接觸，且封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；保護結構透過點膠方式設置於基座並覆蓋封膠結構。

Description

LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器
本發明係與發光二極體(LED)領域相關，尤其是一種提高封裝良率且具有極佳抗濕抗氧化與抗硫化效能之LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器。
隨技術的發展，發光二極體(下稱LED)已為相當普遍被使用之光源產品，各相關廠商亦不斷地針對LED之效能、效率以及使用壽命等方向進行改良與研發。
習知LED9係將LED晶片91設置於一基座90並與發光材料92透過封裝材料93一併封裝，進而形成可供照明或顯示用之發光源，晶片的光線與發光材料受光線激發形成的光線混合後，即混成所需的光線如白光等，如第11圖所示。而依據出光需求的差異，封裝於LED中的發光材料選擇亦有所不同。一般來說，做為顯示之用的LED發光源，需要使用具較窄半波寬之發光材料，以提升顯示器的色彩純度以具有較廣色域顯示。
無論應用於何種範疇，LED之色溫、演色系數、色域/色彩飽和度以及發光亮度等，皆具有一定的規範。故相關業者無不朝向前述各要件需求進行設計與開發，以提供效能更為優越的LED。例如中華民國專利公告號第I453957號所述內容，係改使用玻璃封裝體蓋置於基板上方以使發光二極體晶片與玻璃封裝體分隔設置，以提供具更佳效能之LED發光源。或如中華民國專利公告號第I586001號所述內容，則特別針對不具發光材料之紫外光發光二極體，提供一種紫外光發光二極體封裝結構，以提供反射殼體合適的填充材，例如耐紫外光且為無機的材料，使得紫外光具有高反射率而具有好的性能表現及較低的成本。
此外，封裝於LED內之發光材料常遭遇的問題為，由於發光材料多數以金屬離子作為活化劑，而金屬離子極易與水氣接觸而導致氧化現象，水或氧化現象會讓金屬離子產生價數改變，使螢光粉失去光線激發功能，如原本Eu2+ 的離子變成Eu3+ ，離子價數不正確，或是發光的量子點材料遭水氧反應，奈米級結構變成微米結構，皆使受LED晶片激發的發光材料將不發光，因此會使得發光材料失去光線激發功能，造成LED無法順利提供所需光線。是以，針對LED之抗濕抗氧效能，相關業者遂以提出如下所述之改善方案。例如中華民國專利公告號第I599078號所述內容，則為針對CSP(Chip Size Scale,晶片尺寸封裝)LED，提供各種濕氣阻隔機制，以減少或避免外界空氣中的濕氣影響發光材料，造成光色偏差或亮度衰減等現象。
然而實務上，除了前述之LED封裝生產問題外，封裝於LED內的發光材料受到成分影響，在傳統的LED封裝製程中，會導致LED的金屬反射層發黑，進而失去反射光線之功效，造成LED發光源之亮度下降等現象發生。另一方面，與發光材料接觸之封裝材料亦會產生觸媒毒現象，使得封裝材料烘烤固化時，觸媒毒物質與封裝材料一同揮發，導致封裝材料中毒硬化不完全。對此，現有之LED技術仍無可有效解決前述缺失的方案。
有鑑於此，本發明人係構思一種LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器，希冀有效地針對會導致發黑與觸媒毒現象之發光材料進行封裝，以改善習用LED的問題，進而提升LED發光源之使用壽命與出光呈現。
本發明之一目的，旨在提供一種LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器，其係可有效解決封裝時因發光材料產生之觸媒毒或硫化現象，進而提升LED發光源之產品良率與信賴度，並使LED發光源具有更佳之發光效能。
為達上述目的，本發明於一實施例中提出一種LED發光源，包含：一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層；至少一LED晶片，係透過覆晶方式設置於該安裝內面的底部位置：一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層及該LED晶片之表面；一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內；一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。藉此，透過該抗硫化結構之完整保護，即可有效防止基座內部金屬材料產生之硫化現象，完備LED封裝效能。且透過該保護結構，即可加強該LED發光源整體相對水氣與氧氣之阻隔效能，並具有更佳之發光效率。
較佳者，當該LED晶片以覆晶方式設置時，該封膠結構之硬度較佳介於D40～D60，以具有較佳之封裝效果；並該保護結構之硬度介於D60～D80，以提供足夠之阻絕濕氣與氧氣功效。
於另一實施例中，本發明係揭示一種LED發光源，包含：一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層；至少一LED晶片，係結合二金屬打線並固晶設置於該安裝內面的底部位置：一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層、該等金屬打線及該LED晶片之表面；一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內；一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層、該等金屬打線及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。藉此，透過該抗硫化結構之完整保護，即可有效防止基座內部金屬材料產生之硫化現象，完備LED封裝效能。且透過該保護結構，即可加強該LED發光源整體相對水氣與氧氣之阻隔效能，並具有更佳之發光效率。
較佳者，當該LED晶片以結合二金屬打線並固晶設置於該安裝內面的底部位置時，該封膠結構之硬度較佳介於D20～D40，以具有較佳之封裝效果；並該保護結構之硬度介於D60～D80，以提供足夠之阻絕濕氣與氧氣功效；且該抗硫化結構之厚度介於2～10μm，以避免該抗硫化結構過薄失去阻隔該反射層與該封膠結構接觸之效能，或過厚使該該等金屬打線於受冷熱膨脹應力測試時損壞。
本發明亦提出一種LED發光源之製造方法，包含：提供一基座，該基座具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面；形成一反射層於該安裝內面；提供至少一LED晶片，並透過覆晶或結合二金屬打線固晶方式而設置於該安裝內面的底部位置：注入低黏度高揮發之一抗硫化溶劑至該基座之該安裝內面，而使該抗硫化溶劑完整覆蓋該安裝內面上之所有金屬材料；靜置或加熱使該抗硫化溶劑揮發而形成一抗硫化結構，且該抗硫化結構係為延續且不斷開之薄膜態樣；提供一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內；利用一封膠結構封裝該光激發結構及該LED晶片，該抗硫化結構係隔絕該安裝內面上之所有金屬材料與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及點膠一保護結構於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。據此可有效地防止硫成分於封裝時對金屬材料或是封膠結構之化學反應而致使封裝不完全的現象發生，並可提升製成之該LED發光源之信賴度與應用效能。
較佳者，於形成該抗硫化結構時，若該抗硫化溶劑以加熱進行揮發時，加熱溫度係小於150℃，以避免溫度過高揮發氣體來不及逃脫及薄膜固化，導致該抗硫化結構成形後產生氣泡或膜裂。
本發明亦提出有關於前述LED發光源之應用，於一實施例中係揭示一種直下式顯示器，包含：一顯示模組，供以顯示畫面；及一背光模組，設於該顯示模組之一側，包含：一電路基板；及複數個LED發光源，係設於該電路基板上，該等LED發光源，包含：一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層；至少一LED晶片，係透過覆晶方式設置於該安裝內面的底部位置：一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層及該LED晶片之表面；一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內；一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。藉此，該直下式顯示器係具有更佳之發光效能與色度呈現，並可有效降低應用時LED發光源之設置數量。
本發明亦提出有關於前述LED發光源之應用，於一實施例中係揭示一種直下式顯示器，包含：一顯示模組，供以顯示畫面；及一背光模組，設於該顯示模組之一側，包含：一電路基板；複數個LED發光源，係設於該電路基板上，該等LED發光源，包含：一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層；至少一LED晶片，係結合二金屬打線並固晶設置於該安裝內面的底部位置：一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層、該等金屬打線及該LED晶片之表面；一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內；一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層、該等金屬打線及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
基於前述各實施例，於另一實施例中係揭露該LED發光源更包含：複複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2O3 、TiO2 其中之一或其結合，藉此以提升該LED發光源之光色分布均勻性。
較佳者，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%，以兼具光色分布均勻度與發光亮度之需求。
較佳者，該保護結構之材料係選自有機矽膠，以相對該封膠結構具有相對該封膠結構形成較佳之結合強度，並使發出之光線更為均勻而避免異質結構可能衍生之折射等光學問題。
於一實施例中，為提升該基座相對該保護結構之支撐力，該保護結構係以點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積係大於該發光區域之面積。並更進一步地，該基座之該上緣係可成形為階梯狀。此外，該基座係可為透明材質，以達多向出光之功效。
較佳者，於一實施例中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2 +或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，藉此以混合形成白光。
或於另一實施例，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，藉此以混合形成白光。
或於另一實施例，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，藉此以混合形成白光。
或於另一實施例，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2 +或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，藉此以混合形成白光。
或於另一實施例，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2 +其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，藉此以混合形成白光。
綜上所述，本發明揭示之LED發光源、LED發光源之製造方法及直下式顯示器，係有效解決觸媒毒導致之封裝不易問題，同時更提升了發光效率與光色穩定性。並透過該保護結構，即可供該封膠結構以較低硬度狀態將該光激發結構與該LED晶片封裝固定，無須擔心硬度過低使得阻濕阻氧之保護效能下降。並在後續應用上，可有效提升作為直下式顯示器之出光呈現，具有較高之對比度，而具有更佳之光學品味，據此大幅減少設置數量。
由LED封裝製程技術之多年演進及實務情況中可知，對於LED之封裝材料而言，當其與具有觸媒毒之發光材料，特別是含有硫之發光材料，於密閉高溫環境一同封裝，就會產生觸媒毒現象，使得封裝材料烘烤固化時，觸媒毒物質與封裝材料一同揮發，導致封裝材料觸媒中毒硬化不完全，使封裝材料無法順利固化至足以保護LED晶片與發光材料之硬度，尤當使用矽膠作為封裝材料時觸媒中毒現象更是嚴重。惟目前含有觸媒毒成分之發光材料，卻具有遠低於其他發光材料之光譜半波寬，而具有較佳之顏色呈現，且矽膠之特性對於LED而言亦具有較佳之耐熱耐濕等封裝效能，以有效延長LED壽命，但基於前述原因，現今卻仍深陷無法有效封裝製造之窘境。另一方面，LED晶片承載基座內的金屬反射層，相當懼怕來自LED本身元件或外界環境之硫成分。當含有硫(S)成分之發光材料，透過膠類之封裝材料封裝於LED後，硫會導致LED晶片承載基座內的金屬反射層被腐蝕，例如金屬反射層為電鍍銀，銀與硫反應變成硫化銀，典型的化學反應有以下三種：①4Ag+2H2S+O2→2Ag2S+2H2O ②2Ag+S →Ag2S ③Ag2S+2O2→Ag2SO4 /Ag2O。由於硫化銀不導電，所以隨著硫化，LED電阻值逐漸增大，影響LED電性特性，甚至使LED無法點亮。而硫化銀為黑色晶體，會導致LED的金屬反射層進而失去反射光線之功效，造成LED發光源之亮度下降等現象發生。或是在封裝過程中，存在於環境中之硫成分滲入LED內部時，亦會造成前述硫化現象。是以，現有之LED產品，皆具有嚴重的硫化與觸媒中毒現象，並且仍無法有效地解決該些問題。因此，目前廠商僅能禁止使用含硫及其他會導致觸媒毒現象之材料，而以其他材料進行LED發光源封裝生產。若非得使用前述之發光材料，則只能更換成較不易產生觸媒毒現象之膠體進行封裝生產，如UV膠、壓克力膠等，但該些材料雖然可固化，卻因其不耐高溫之特性，使得膠體會隨LED產生的光熱造成膠體變色、裂解，LED發光效率會隨使用時間快速衰退，使產品良率與信賴度仍不符所需。
為可解決使用含有前述材料之LED發光源，於製程上及後續使用上可能產生的缺失，本發明人係以此方向進行研發與構思，遂而提出如下所述之LED發光源。請參閱第1及2圖，其係為本發明之基座示意圖、第一實施例之LED發光源剖面示意圖(一)及LED發光源剖面示意圖(二)。於此係提出一種LED發光源1，該LED發光源1包含一基座10、至少一LED晶片11、一抗硫化結構12、一光激發結構13、一封膠結構14及一保護結構15。該基座10具有一上緣101並由該上緣101框圍形成一發光區域A，且該基座10沿該上緣101向內凹設形成一安裝內面102，該安裝內面102上設有一反射層1021。其中，於此所述之該發光區域A係指該基座10之該上緣101所框圍形成之區域，且該反射層1021之設置範圍係可遍及於該安裝內面102，或視需求成形於該安裝內面102部分區域亦可，較佳者該反射層1021可為如銀或金等具反射效能之金屬材料。該LED晶片11係透過覆晶方式設置於該安裝內面102的底部位置，而該反射層1021之設置係可在該LED晶片11固定前或後施作成形。該抗硫化結構12係延續且不斷開地成形於該反射層1021及該LED晶片11之表面，其中該抗硫化結構12透過其延續不斷開之結構特徵，係可達到不會產生任何可能導致硫化現象間隙之功效，是以本發明之該抗硫化結構13呈延續不斷開之結構特徵，係有其必要性及對應之功效。該光激發結構13係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構13置於該基座10內。該封膠結構14置於該基座10內供以將該光激發結構13及該LED晶片11封裝於該基座10內，該抗硫化結構12係隔絕該反射層1021及該LED晶片11與該封膠結構14直接接觸，且該封膠結構14為有機矽膠並含有白金觸媒。該保護結構15係透過點膠方式設置於該基座10並覆蓋該封膠結構14；其中，該封膠結構14之硬度係小於該保護結構15。
本發明之該LED發光源1係可透過該抗硫化結構12，有效保護該基座10內部之金屬材料，避免其受到硫影響而造成如黑化等現象。在LED封裝過程及其存儲環境中，空氣內仍可能存有硫成分，此時透過該抗硫化結構12即可有效阻擋外界滲入該LED發光源1內的硫，以保護該反射層1021。尤當該光激發結構之該螢光粉13含有硫時，更是可透過該抗硫化結構12達到優異之保護效能。當該封膠結構14於封裝烘烤製程中因白金觸媒與硫、鉛或磷成分作用而導致其硬度下降時，透過該保護結構15即可防止該封膠結構14固化不完全而無法有效封裝及保護該LED晶片11與該光激發結構13之問題，並更進一步達到防止水氣與氧氣滲入之目的，避免該LED發光源1受到空氣中的濕氣影響而氧化，提升該LED發光源1之產品良率以及信賴度。
為使該LED發光源1可具有多向出光之表現，係可使該基座10為透明材質。該封膠結構14係可以低溫烘烤一小時之條件進行固化，藉此讓該封膠結構14略帶有黏性，以順利在規範之固化硬度內與該保護結構15結合。且使用較低之烘烤溫度，亦可降低白金觸媒與硫、鉛或磷成分之作用程度。而該保護結構15較佳可選自有機矽膠，以利與該封膠結構23結合且避免異質結構對於該LED發光源1之出光影響。其中，較佳者，該LED發光源1之出光角度約介於130～140度。
特別一提的是，與習知技術明顯有別者，該LED發光源1之該保護結構15係與傳統光罩板之結構設計有所不同，該保護結構15係透過點膠方式成形，使該保護結構15與該封膠結構14皆屬膠體而提升兩者間的緊密結合程度，以利取得較佳之出光效能以及保護效能。換言之，在製程工法上，該保護結構15為膠體，且並非成形後再以貼合方式設置於該封膠結構14上，而為採用點(塗)膠於該封膠結構14處再行固化處理之方式，以與該封膠結構14緊密結合。關於該LED發光源1之詳細製造步驟，容後詳述。
由於該LED晶片11係以覆晶方式設置於該安裝內面102之底部位置，而使該LED晶片11無須執行打線製程，較佳者，該封膠結構14之硬度係介於D40～D60，以避免硬度過低使該封膠結構14形成液態，致使該光激發結構13無法反應，或是該封膠結構14過軟而不適合封裝該光激發結構13與該LED晶片11。此外，膠體具有越高之緻密性時，其對應的硬度及阻卻氧氣與溼氣之強度越高。而該LED發光源1之該保護結構15係位於整體結構最外層，作為阻絕氧氣及濕氣之第一線元件，其硬度較佳係介於D60～D80，以具有較高的緻密度而阻隔水氣與氧氣，並保有較佳之保護強度。
本發明所述之該LED發光源1，除如前述可有效地封裝含硫之該光激發結構13，並具有極佳之保護功能外，亦具有優越的發光效能。由於LED在後續焊接至如電路板上加以應用時，皆須先通過表面黏著回流焊接測試(Surface Mount Technology Reflow Soldering Test, SMTRST)，若在通過該測試時即產生嚴重衰退現象，則該LED無法使用。針對該LED發光源1，本發明人係將其與習知LED進行260度的表面黏著回流焊接測試(Surface Mount Technology Reflow Soldering Test, SMTRST)，並依其結果，本發明之該LED發光源1確實具有更為均勻之光色呈現以及亮度表現，而具有更佳之產品信賴度。關於實驗結果及詳細內容，請容後詳述。
在LED製造領域中，LED之出光係依據需求被限定於CIE色度座標圖中之一目標色框內，以達到所需的出光顏色。是以如何盡可能地降低LED於該目標色框的擺盪幅度，使LED於各角度的出光皆具有顏色上的一致性，實為LED開發上一極為重要之要件。換言之，即須使LED具有更佳之光色分布均勻度。特別一提的是，目前實務上之LED出光目標色框，在CIE-x軸向範圍大致已被限定，主要會產生光色偏移的部分則在於CIE-y軸向範圍內，是以若可讓CIE-y軸向之光色色差值有效下降，相對地即可大幅提升LED之出光光色均勻度。本發明為可讓該LED發光源1之出光顏色更加具有一致性，降低顏色偏差，該LED發光源1係可更包含複數均光顆粒16，該等均光顆粒16係散佈設置於該保護結構15內，且略呈均勻分布，該等均光顆粒16係選自SiO2 、BN、Al2 O3 、TiO2 其中之一或其結合。透過該等均光顆粒16係可使通過該保護結構15之光線產生折射或反射，使該保護結構15可增進光線混光效果，讓該LED發光源1於不同角度的出光光色皆可一致，使整體出光更為均勻。且較佳者，該等均光顆粒16相對該保護結構15之重量百分濃度介於5%～15%，以避免設置之該等均光顆粒16重量百分濃度過低而使光色變化過大，或是重量百分濃度過高，使亮度衰減過多而不符使用需求。對於添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16之該LED發光源1，本發明人亦對其進行光色與亮度量測，並依據結果可知添加該等均光顆粒16後，確實可更進一步提升該LED發光源1於各角度之出光光色均勻度，其量測結果請容後詳述。
該LED發光源1之結構具體如第2圖所示，於本實施例中，該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第一紅色螢光粉132，該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。藉此，該LED發光源1於驅動後使該LED晶片11發出之光線、該綠色螢光粉131受激發後發出之綠光及該第一紅色螢光粉132受激發後發出之紅光，混合形成白光射出。較佳者，該綠色螢光粉131係可選自如CdS、ZnS之量子點發光材料或SrGa2 S4 :En2+ 等材料，且該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約介於20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm。其中，該綠色螢光粉131除使用前述材料，於其他實施態樣，該綠色螢光粉131亦可選自如CsPbBr3 或InP等具鉛或磷之量子點發光材料。其中，400～460nm之發光波長，係最適於該光激發結構13吸收，且可符合應用於顯示領域時的光色規範，故於此係選用發光波長為400～460nm之LED晶片11，以獲得最佳之出光表現與發光效率。
請一併參閱第1圖及第3圖，第3圖係為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(二)。除如前述設置態樣，於此係以該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第二紅色螢光粉133，該綠色螢光粉131含硫，該第二紅色螢光粉133亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第二紅色螢光粉133之半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。其中，當該第二紅色螢光粉133選用紅色量子點材料時，該第二紅色螢光粉133可為ZnS、CdS等量子點發光材料。藉此，透過皆為含硫螢光粉之該綠色螢光粉131及該第二紅色螢光粉133，係可使得該LED發光源1具有更佳之混色呈現。並於此結構態樣下，係以該反射層1021未完全覆蓋該安裝內面102為例，在此狀況下，該抗硫化結構12即如第3圖所示，呈現延續且不斷開地成形於該反射層1021及該LED晶片11表面之態樣，以確實阻卻該基座10內金屬材料之硫化現象即可。該綠色螢光粉131及該第二紅色螢光粉133除使用前述材料，於其他實施態樣，該第二紅色螢光粉133可選自如CsPbBr3 或InP等具鉛或磷之量子點發光材料，該綠色螢光粉131亦可選自如CsPbBr3 或InP等具鉛或磷之量子點發光材料，同樣可適用於該LED發光源1。
此外，為免硬度較高之該保護結構15於點膠成形後將該封膠結構14壓毀，於此係以該保護結構15係點膠設置於該基座10之該上緣101，且該保護結構15面積係大於該發光區域A面積為例，以藉此提供該保護結構15支撐力。
請一併參閱第1圖及第4圖，第4圖為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(三)。除如前述設置態樣，於此係以下列結構為例，該LED發光源1之該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，該光激發結構13包含該綠色螢光粉131、該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此透過混合含硫及不含硫之該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，係可提高該LED發光源1之光色呈現外，甚至在部分應用下可降低紅光殘影問題，有效提升該LED發光源1之出光效能。該第二紅色螢光粉133及該綠色螢光粉131除使用前述材料，於其他實施態樣，該第二紅色螢光粉133亦可選自如CsPbBr3 或InP等具鉛或磷之量子點發光材料，該綠色螢光粉131亦可選自如CsPbBr3 或InP等具鉛或磷之量子點發光材料，同樣可適用於該LED發光源1。
請一併參閱第1圖及第5圖，第5圖係為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(四)。除如前述使該保護結構15之面積大於該發光區域A之面積外，該基座10之該上緣101亦可成形為階梯狀，以達到容置固定該保護結構15之功效，並更加強固定以及撐抵效能，阻卻該保護結構15壓毀該封膠結構14之現象，同時於點膠製程上亦具有較佳之施作效率。其中，該LED發光源1係可以該LED晶片11係為複數且包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，該光激發結構13包含一第二紅色螢光粉133，且該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一之態樣實施。較佳者，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。於此該LED發光源1透過該等LED晶片11發出之光線結合含硫之該第二紅色螢光粉133，進而混合形成白光。或如第5圖所示，該LED晶片11為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構13包含一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一為例。較佳者，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。於本實施態樣下，藉由含硫及不含硫之該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，在具有高光色呈現下亦可降低肇因於紅光所產生的殘影。當然該基座10之該上緣101為階梯狀時，亦可使LED晶片之發光波長介於400～460nm，並使該光激發結構13包含該綠色螢光粉131及該第一紅色螢光粉132及/或該第二紅色螢光粉133之結構實施。其中，該第二紅色螢光粉133除選用前述材料，於其他實施態樣下，該第二紅色螢光粉133為紅色量子點時，可選自如CsPbBr3 、InP之具鉛或磷之量子點發光材料，同樣可適用於該LED發光源，並具有較佳之混色表現。
請一併參閱第1圖及第6圖，第6圖係為本發明第二實施例之LED發光源剖面示意圖(一)。該LED發光源1之該LED晶片11除以覆晶方式外，亦可以打線固晶方式設置，於此即進行詳細說明。於本實施例中，該LED發光源1同樣包含該基座10、該LED晶片11、該抗硫化結構12、該光激發結構13、該封膠結構14及該保護膠結構15。該基座10具有一上緣101並由該上緣101框圍形成一發光區域A，且該基座10沿該上緣101向內凹設形成一安裝內面102，該安裝內面102上設有一反射層1021。其中，於此所述之該發光區域A係指該基座10之該上緣101所框圍形成之區域，如第1圖所示。且該反射層1021之設置範圍係可遍及於該安裝內面102，或視需求成形於該安裝內面102部分區域亦可。該LED晶片11係結合二金屬打線17並固晶設置於該安裝內面102的底部位置，該抗硫化結構12係延續且不斷開地成形於該反射層1021、該等金屬打線17及該LED晶片11之表面，其中該抗硫化結構12透過其延續不斷開之結構特徵，係可達到不會產生任何可能導致硫化現象間隙之功效，是以本發明之該抗硫化結構13呈延續不斷開之結構特徵，係有其必要性及對應之功效。該光激發結構13係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構13置於該基座10內，該封膠結構14置於該基座10內供以將該光激發結構13及該LED晶片11封裝於該基座10內，該抗硫化結構12係隔絕該反射層1021及該LED晶片11與該封膠結構14直接接觸，且該封膠結構14為有機矽膠並含有白金觸媒。該保護結構15係透過點膠方式設置於該基座10並覆蓋該封膠結構14。
同樣地，透過該抗硫化結構12，係可有效保護該基座10內部之金屬材料結構，防止其受到環境或該光激發結構或來自其他元件之硫化影響。並透過該保護結構15即可防止該封膠結構14固化不完全而無法有效封裝及保護該LED晶片11與該光激發結構13之問題，並更進一步達到防止水氣與氧氣滲入之目的，提升該LED發光源1之產品良率以及信賴度。透過打線固晶設置之該LED光源1亦可使該基座10為透明材質，且該保護結構15較佳可選自有機矽膠，以利與該封膠結構23結合且避免異質結構對於該LED發光源1之出光影響。其中，該封膠結構14較佳係可以低溫烘烤一小時以上之條件進行固化，以順利在規範之固化硬度內與該保護結構15結合。其餘細部技術特徵請復搭配參閱前實施例內容。
特別一提的是，與習知技術明顯有別者，該LED發光源1之該保護結構15係與傳統光罩板之結構設計有所不同，該保護結構15係透過點膠方式成形，使該保護結構15與該封膠結構14皆屬膠體而提升兩者間的緊密結合程度，以利取得較佳之出光效能以及保護效能。換言之，在製程工法上，該保護結構15並非成形後再以貼合方式設置於該封膠結構14上，而為採用點(塗)膠於該封膠結構14處再行固化處理之方式，以與該封膠結構14緊密結合。
由於該LED晶片11係結合該等金屬打線17設置於該安裝內面102之底部位置，此時若該封膠結構14硬度過高則容易造成該等金屬打線17斷裂現象發生，因此該封膠結構23之硬度較佳係介於D20～D40，以避免硬度過高使該等金屬打線17斷裂。此外，由於膠體具有越高之緻密性時，其對應的硬度及阻卻氧氣與溼氣之強度越高。而該LED發光源1之該保護結構15係位於整體結構最外層，作為阻絕氧氣及濕氣之第一線元件，其硬度較佳需介於D60～D80，以具有較高的緻密度阻隔水氣與氧氣，並保有較佳之保護強度。
此外，由於該抗硫化結構12之硬度約介於D70～D100，而該LED晶片11結合該等金屬打線17所形成的銲點金球厚度一般介於10～20μm，為避免高硬度之該抗硫化結構12過厚而使該等金屬打線17受到熱脹冷縮應力影響造成損壞，或該抗硫化結構12過薄而失去保護該反射層1021之作用，係可使該抗硫化結構12之厚度介於2～10μm。
同樣地，利用結合該等金屬打線17方式設置該LED晶片11之該LED發光源1，同樣可有效地封裝含前述成分之該光激發結構13，並在具有極佳之保護功能外，亦具有優越的發光效能。關於該LED發光源1相較習知LED在經過260度的表面黏著回流焊接測試(Surface Mount Technology Reflow Soldering Test, SMTRST)之實驗數據結果，請容後詳述。
進一步地，為可讓該LED發光源1之出光顏色更加具有一致性，降低顏色偏差，於本實施例中該LED發光源1係可更包含複數均光顆粒16，該等均光顆粒16係散佈設置於該保護結構15內，且該等均光顆粒16係選自SiO2 、BN、Al2 O3 、TiO2 其中之一或其結合。透過該等均光顆粒16係可使通過該保護結構15之光線產生折射或反射，使該保護結構15可增進光線混光效果，讓該LED發光源1於不同角度的出光光色皆可一致，使整體出光更為均勻。且較佳者，該等均光顆粒16相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%，以避免設置之該等均光顆粒16重量百分濃度過低而使光色變化過大，或是重量百分濃度過高，使亮度衰減過多而不符使用需求。而對於添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16之該LED發光源1，本發明人亦對其進行光色與亮度量測，並依據結果可知添加該等均光顆粒16後，確實可更進一步提升該LED發光源1於各角度之出光光色均勻度，其量測結果請容後詳述。
於本實施例中，該LED發光源1之結構具體如第6圖所示，於本實施例中，該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第一紅色螢光粉132，該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。藉此，係可使該LED發光源1於驅動後使該LED晶片11發出之光線、該綠色螢光粉131受激發後發出之綠光及該第一紅色螢光粉132受激發後發出之紅光，混合形成白光射出。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm。其中，為更進一步地保護該封膠結構14，係可如第6圖所示，使該保護結構15以點膠方式設置於該基座10之該上緣101，且該保護結構15之面積大於該發光區域A面積為例，以透過該基座10之該上緣101形成支撐，防止該保護結構15過硬導致該保護結構15壓毀該封膠結構14之情況發生。當然，當該LED晶片11以打線固晶方式設置時，亦可直接點膠該保護結構15，例如第2圖所示結構。其他同於前實施例之細部技術特徵請參閱前述內容。
請一併參閱第1圖及第7圖，第7圖係為本發明實施例之LED發光源剖面示意圖(二)。除如前述設置態樣，於此係以該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第二紅色螢光粉133亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一為例。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，透過皆為含硫螢光粉之該綠色螢光粉131及該第二紅色螢光粉133，係可使得該LED發光源1具有更佳之混色呈現。並於此結構態樣下，係以該反射層1021未完全覆蓋該安裝內面102為例，在此狀況下，該抗硫化結構12即如第7圖所示，呈現延續且不斷開地成形於該反射層1021、該等金屬打線17及該LED晶片11表面之態樣，以確實阻卻該基座10內金屬材料之硫化現象即可。或該LED發光源1之該LED晶片11之發光波長介於400～460nm時，該光激發結構13亦可包含該綠色螢光粉131、該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。透過混合含硫及不含硫之該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，係可提高該LED發光源1之光色呈現外，甚至在部分應用下可降低紅光殘影問題，有效提升該LED發光源1之出光效能。
請一併參閱第1圖及第8圖，第8圖係為本發明實施例之LED發光源剖面示意圖(三)。除如前述設置態樣，該基座10之該上緣101係可成形為階梯狀，而可達到容置固定該保護結構15之功效，並更加強固定以及撐抵效能，同時於點膠製程上亦具有較佳之施作效率。並於此係以該LED晶片11為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構13包含一第二紅色螢光粉133，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第二紅色螢光粉133之半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。於此該LED發光源1透過藍色及綠色之該LED晶片11結合不含硫之該第一紅色螢光粉132及含硫之該第二紅色螢光粉133，藉此混合形成白光。或如第8圖所示，該LED晶片11為複數設置包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片時，亦可使該光激發結構13包含一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。於此實施態樣下，藉由含硫及不含硫之該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133，在具有高光色呈現下亦可降低肇因於紅光所產生的殘影。且於此係以該基座10之該上緣101成形為階梯狀為例，以更進一步地防止該保護結構15壓毀該封膠結構14。
以下內容係為針對本發明之該LED發光源1以及習知LED9進行260度的表面黏著回流焊接測試(Surface Mount Technology Reflow Soldering Test, SMTRST)之實驗數據結果。
如下表一所示，其係為傳統具有紫色LED晶片或藍色LED晶片之LED進行二次SMTRST之實驗結果。於此進行測試之習知LED9結構請參閱第11圖所示，其係具有一基座90，並透過封裝材料93將含硫之發光材料92及為藍光或紫光之LED晶片91封裝於該基座90而形成。由表一可知習知LED9經過SMTRST後，其亮度衰減約在20～30%，光色位移約5～11個BIN(每BIN的值為0.005)。 表一
如下表二所示，其係為本發明之該LED發光源1，使用為有機矽膠且硬度為D80之該保護結構15，並搭配為藍光或紫光LED晶片11之實驗結果。由表二可知該LED發光源1經過SMTRST後，其亮度衰減約在6%以下，光色位移約在3BIN內(每BIN的值為0.005)。 表二
如下表三所示，其係為本發明之該LED發光源1，使用為有機矽膠且硬度為D65之該保護結構15，並搭配為藍光或紫光LED晶片11之實驗結果。由表三可知該LED發光源1經過SMTRST後，其亮度衰減約在10%以下，光色位移約在3BIN內(每BIN的值為0.005)。 表三
透過上述實驗結果可知，本發明之該LED發光源1係可有效改善習知LED9之衰減問題，使亮度衰減由20～30%下降至15%以內，甚可達到6%以下，光色衰減則由5～15BIN，控制至3BIN內，甚可達到2BIN內。
再請參閱下列各表內容，其係為針對未添加，及添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16後(以Al2 O3 為例)之該LED發光源1之光色CIE-x色差、光色CIE-y色差及亮度衰減量測結果。其中，由於該LED發光源1之出光角度約介於130～140度，是以其量測最大角度至±70度即可。
表四係針對該LED發光源1之該保護結構15添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16後，量測其光色CIE-x色差之數據結果；表五係為針對該LED發光源1之該保護結構15添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16後，量測其光色CIE-y色差之數據結果；表六係為針對該LED發光源1之該保護結構15添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16後，量測其亮度衰減之數據結果。其中，表中所列各角度光色CIE-x色差、光色CIE-y色差及亮度，係指該角度位置與0度位置之CIE-x、CIE-y及亮度之差異。 表四 表五 表六
由上述各表格內容可知，該等均光顆粒16之重量百分濃度越大，則該LED發光源1之光色色差越小，但相對地其亮度則越低，是以使該等均光顆粒16相對該保護結構15之重量百分濃度介於5%～15%之間，係可兼具亮度與光色均勻性之需求，更進一步地提升該LED發光源1之出光表現。
請參閱第9圖，其係為本發明之LED發光源製造方法步驟流程圖。並請復搭配參閱第1～8圖之LED發光源結構示意。本發明係於此揭露一種用以製造前述之該LED發光源之製造方法，係包含如下所述步驟。
首先，提供一基座10，該基座10具有一上緣101並由該上緣101框圍形成一發光區域A，且該基座10沿該上緣101向內凹設形成一安裝內面102(步驟S01)。同樣地，於此所述之該發光區域A非指該LED發光源1之發光範圍，而是指該基座10之該上緣101所框圍形成之區域。。接續，形成一反射層1021於該安裝內面102(步驟S02)。並提供至少一LED晶片11，並透過覆晶或結合二金屬打線17固晶方式而設置於該安裝內面102的底部位置(步驟S03)。該反射層1021之設置範圍係可遍及於該安裝內面102，或視需求成形於該安裝內面102部分區域亦可，並該反射層1021之成形，係可先於設置該LED晶片11或後於設置該LED晶片11執行，步驟順序並不以此為限。
該LED晶片11係可透過覆晶方式或結合該等金屬打線17方式設置，當該LED晶片以覆晶方式設置時，該封膠結構14之硬度較佳介於D40～D60，以使該封膠結構14可確實地保護該光激發結構13及該LED晶片。若該LED晶片11採結合該等金屬打線17方式設置，為避免該封膠結構14影響該等金屬打線17，該封膠結構14之硬度較佳介於D20～D40。且為提升該LED發光源1之出光效能，較佳者，該基座10係可為透明材質，據此可讓該LED發光源1形成多向出光狀態。
接續，注入低黏度高揮發之一抗硫化溶劑至該基座10之該安裝內面102，而使該抗硫化溶劑完整覆蓋該安裝內面102上之所有金屬材料(步驟S04)。而後靜置或加熱使該抗硫化溶劑揮發而形成一抗硫化結構12，且該抗硫化結構12係為延續且不斷開之薄膜態樣(步驟S05)。較佳者，該抗硫化溶劑係可選用矽膠溶劑，其內之矽膠固含量約2～3%，其餘部分為溶劑，溶劑則可選用乙酸乙酯及0.2%以下的甲苯，而使該抗硫化溶劑具低黏度高揮發特性。該抗硫化溶劑揮發後形成之該抗硫化結構12成型後之硬度較佳介於D70～D100，透濕度小於10g/m2 .24h，透氧度小於500cm3 / m2 .24h.atm。其中，若該抗硫化溶劑以加熱進行揮發時，加熱溫度係小於150℃，避免加熱溫度過高，揮發氣體來不及逃脫即薄膜固化，導致該抗硫化結構12成形後產生氣泡或膜裂。並當該LED晶片11採結合該等金屬打線17方式設置時，為防止高硬度之該抗硫化結構12過厚，而使該等金屬打線17於熱脹冷縮情況下損壞，較佳者該抗硫化結構12之厚度介於2～10μm。
接續，提供一光激發結構13，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構13置於該基座10內(步驟S06)。並利用一封膠結構14封裝該光激發結構13及該LED晶片11，該抗硫化結構12係隔絕該安裝內面102上之所有金屬材料與該封膠結構14直接接觸，且該封膠結構14為有機矽膠並含有白金觸媒(步驟S07)。最後，點膠一保護結構15於該基座10並覆蓋該封膠結構14；其中，該封膠結構14之硬度係小於該保護結構15 (步驟S08)。為使該保護結構15可與該封膠結構14更為確實地結合，且避免異質材料影響光線射出效果，該保護結構15之材料係可選自有機矽膠。此外，為達到確實地達到阻濕阻氧效能，該保護結構15之硬度介於D60～D80。透過前述各步驟製成之該LED發光源1之結構示意與細部技術特徵描述，請復搭配參閱前述段落內容以及第1～8圖。其中，為可有效地支撐該保護結構15，使其不致壓毀硬度較小之該封膠結構14，係可使該保護結構15透過點膠方式設置於該基座10之該上緣101，且該保護結構15之面積大於該發光區域A之面積(參閱第1、3、4及6～7圖所示)，亦可進一步使該該基座10之該上緣101成形為階梯狀(如第5及8圖所示)。
進一步地，該保護結構15更包含複數個均光顆粒16，係散佈設置於該保護結構15內，且該等均光顆粒16係選自SiO2、BN、Al2O3、TiO2其中之一或其結合，以藉由添加該等均光顆粒16提升該LED發光源1之光色均勻度。且較佳者該等均光顆粒16相對該保護結構15之重量百分濃度介於5%～15%，以避免該等均光顆粒16之重量百分濃度過低導致均光效果不足，或是過高導致亮度不足。而關於摻雜不同重量百分濃度之該等均光顆粒16可獲得之出光表現，請復參閱前述量測結果。
具體地說，實際應用上，該LED發光源1係可具有多種設置方式以混合發出白光。如第2或6圖所示，該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第一紅色螢光粉132，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8:Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm。藉此以透過該LED晶片11發出之光線、該綠色螢光粉131被激發所發出之綠光以及該第一紅色螢光粉132被激發所發出之紅光相互混合形成白光。或如第3或7圖所示，該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第二紅色螢光粉133亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，透過皆含硫之該綠色螢光粉131及該第二紅色螢光粉133，係可更為提升該LED發光源1之光色呈現效能。或如第4圖所示，該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131、一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，透過混合兩種紅色螢光粉之設置方式，係可有效降低紅光導致之殘影現象，更提升該LED發光源1之出光效能。
或如第4圖所示，該LED晶片11係可為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構13包含一第二紅色螢光粉133，且該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，該LED發光源1係可透過該LED晶片11之光線以及該第二紅色螢光粉133被激發所發出之紅光相互混合形成白光，並具有較佳之白光呈現。或如第5及8圖所示，該LED晶片11為複數設置並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片時，該光激發結構13包含一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此透過含硫與不含硫之紅色螢光粉，係可有效降低紅光導致之殘影現象，提升該LED發光源1之出光效能。除了前述列舉之材料，上述各態樣下該綠色螢光粉131、該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133可進一步選用之材料已於前各實施例敘及，於此即不再重述。
經由前述製造方法製成之該LED發光源1，其與習知LED9之實驗比較結果，係如前表一至表三及對應內容，故以此方式製成之該LED發光源1確實可有效改善LED通過SMTRST製程，於高溫過爐期間LED發光亮度與光色衰減的問題。另一方面，添加不同重量百分濃度之該等均光顆粒16後於各角度檢測之出光光色與亮度結果以及整體出光光色分布均勻性，亦請參閱前表四至表六及對應內容，添加該等均光顆粒16後之該LED發光源1確實可有效提升其光色分布均勻性。
請參閱第10圖，其係為本發明之直下式顯示器之分解示意圖，並請復搭配參閱第1～8圖。該直下式顯示器2係包含一顯示模組20及一背光模組21，該背光模組21係設於該顯示模組20之一側，且包含一電路基板211及複數如前所述之該LED發光源1。該等LED發光源1係設於該電路基板211上，且包含一基座10、至少一LED晶片11、一抗硫化結構12、一光激發結構13、一封膠結構14及一保護結構15。各該LED發光源1之結構與連接關係已於前述，於此即不再重述，請搭配參閱前述內容。其中，該LED晶片11係可採覆晶方式，或結合二金屬打線17方式設置於該安裝內面102的底部位置，當該LED晶片11採覆晶方式設置時，該抗硫化結構12係延續且不斷開地成形於該反射層1021及該LED晶片11之表面；當該LED晶片11採結合該等金屬打線17方式設置時，該抗硫化結構12係延續且不斷開地成形於該反射層1021、該等金屬打線17及該LED晶片11之表面，藉此以保護該基座10內之金屬材料免受硫成分影響而產生硫化現象。其餘相同之細部技術特徵，請復參閱前述各實施例內容。
過往直下式顯示器所應用之LED，若其本身之出光光色擺盪過大，則需要在LED外增設如透鏡等光學元件以藉二次光學調整至所需出光，如此卻大幅增加所需成本與元件組設上的困難，且LED會受到透鏡之二次光學放大效果造成黃圈狀之出光現象。或可採將LED密集排列設置之方式來解決光色擺盪缺失，但卻因LED位置過於接近反而衍生如熱點現象之出光亮度不均問題。承前述實施例內容，該LED發光源1係可完善地將含硫、鉛或磷之光激發結構封裝於內，並可消除該基座10內之金屬材料因硫成分導致的硫化現象，針對該封膠結構14因前述成分所造成之觸媒毒現象而致使其硬度不足之缺失，亦可透過該保護結構15有效解決，是以著實大幅提升該LED發光源1之光色呈現與出光效能。由於單獨之該LED發光源1即具有極佳之出光表現，故應用至直下式顯示器2時，透過該LED發光源1之優異出光特性，係可大幅減少設置顆數，降低產品製造成本。且同時可降低異色現象，並使該直下式顯示器2具有較高之畫面對比度，不會有單區顏色不均之問題，進而大幅提升出光品味。
較佳者，各該LED發光源1係可更包含複數均光顆粒16，該等均光顆粒16佈設於該保護結構15內，且該等均光顆粒16係選自SiO2、BN、Al2O3、TiO2其中之一或其結合。較佳者，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。添加該等均光顆粒16，係可使該等LED發光源1出光之光色分布均勻度更加提升，據此設置而成之該直下式顯示器2即可更進一步消除異色現象問題，提供具有更佳光色分布效能之產品。而關於添加該等均光顆粒16後之光色與亮度測試結果，請復參閱第一實施例表四～六，以及對應說明內容。
該直下式顯示器2可附加之技術特徵亦如前各實施例所述。例如該保護材料15係可選自有機矽膠，以提升與該封膠結構14之結合強度以及避免異質材料於光學上之影響，且為達較佳之阻濕阻氧效能，該保護結構之硬度介於D60～D80。此外，為提升該LED發光源1之出光效能，該基座10係可為透明材質。且為防止該保護結構15壓毀硬度較低之該封膠結構14，係可使該保護結構15透過點膠方式設置於該基座10之該上緣101，且該保護結構15之面積大於該發光區域A之面積，進一步地亦可使該基座10之該上緣101係成形為階梯狀，以更利於設置該保護結構15。並當該LED晶片11以覆晶方式設置時，該封膠結構14之硬度較佳介於D40～D60；該LED晶片11以結合該等金屬打線17方式設置時，該封膠結構14之硬度較佳介於D20～D40。其餘相同之細部技術特徵，請復參閱前述內容。
具體應用上，該直下式顯示器2之各該LED發光源1，係可如如第2或5圖所示，使該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第一紅色螢光粉132，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm。藉此以透過該LED晶片11之光線、該綠色螢光粉131被激發所發出之綠光以及該第一紅色螢光粉132被激發所發出之紅光相互混合形成白光。或如第3或7圖所示，該LED晶片11係之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131及一第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第二紅色螢光粉133亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第二紅色螢光粉133之半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，透過皆含硫之該綠色螢光粉131及該第二紅色螢光粉133，係可更為提升該LED發光源1之光色呈現效能。或該LED晶片11之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構13包含一綠色螢光粉131、一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該綠色螢光粉131含硫，該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一較佳者，該綠色螢光粉131之光譜半波寬範圍約為20～40nm或40～60nm，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，透過混合兩種紅色螢光粉之設置方式，係可有效降低紅光導致之殘影現象，更提升該LED發光源1之出光效能。
或如第4圖所示，該LED晶片11係可為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構13包含一第二紅色螢光粉133，且該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此，該LED發光源1係可透過該LED晶片11發出之光線以及該第二紅色螢光粉133被激發所發出之紅光相互混合形成白光，並具有較佳之白光呈現。或如第5及8圖所示，該LED晶片11為複數設置並包含藍色晶片與綠色晶片時，該光激發結構13包含一第一紅色螢光粉132及一第二紅色螢光粉133，且該第一紅色螢光粉132不含硫，該第二紅色螢光粉133含硫；其中，該第一紅色螢光粉132選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉133選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一，較佳者，該第一紅色螢光粉132之光譜半波寬範圍約介於2～7nm或75～95nm，該第二紅色螢光粉133之光譜半波寬範圍約為20～40nm或55～75nm。藉此透過含硫與不含硫之紅色螢光粉，係可有效降低紅光導致之殘影現象，提升該LED發光源1之出光效能。除了前述列舉之材料，上述各態樣下該綠色螢光粉131、該第一紅色螢光粉132及該第二紅色螢光粉133可進一步選用之材料已於前各實施例敘及，於此即不再重述。
綜上所述，本發明揭示之LED發光源、LED發光源之製造方法及其直下式顯示器，該LED發光源係可完善地將含硫、鉛或磷成分等具較佳光色表現之螢光粉封裝於內，並藉由延續且不斷開之該抗硫化結構有效消除金屬材料因硫成分導致的硫化現象；而該封膠結構因前述成分作用產生觸媒毒，進而導致相對該LED晶片與該光激發結構之保護效能缺失，亦可透過該保護結構有效解決，透過該保護結構可供該封膠結構以較低硬度狀態將該光激發結構與該LED晶片封裝固定，無須擔心硬度過低使得阻濕阻氧之保護效能下降，據此大幅提升該LED發光源之光色呈現與出光效能。在後續作為直下式背顯示器之應用時，透過本發明之該LED發光源係可大幅減少設置數量，以降低產品製造成本，同時亦降低異色現象，進而大幅提升出光品味。
惟，以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明實施之範圍；故在不脫離本發明之範圍下所作之均等變化與修飾，皆應涵蓋於本發明之專利範圍內。
1‧‧‧LED發光源
10‧‧‧基座
101‧‧‧上緣
102‧‧‧安裝內面
1021‧‧‧反射層
11‧‧‧LED晶片
12‧‧‧抗硫化結構
13‧‧‧光激發結構
131‧‧‧綠色螢光粉
132‧‧‧第一紅色螢光粉
133‧‧‧第二紅色螢光粉
14‧‧‧封膠結構
15‧‧‧保護結構
16‧‧‧均光顆粒
17‧‧‧金屬打線
2‧‧‧直下式顯示器
20‧‧‧顯示模組
21‧‧‧背光模組
211‧‧‧電路基板
A‧‧‧發光區域
S01～S08‧‧‧步驟
9‧‧‧習知LED
90‧‧‧基座
91‧‧‧LED晶片
92‧‧‧發光材料
93‧‧‧封裝材料
第1圖，為本發明之基座示意圖。 第2圖，為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(一)。 第3圖，為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(二)。 第4圖，為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(三)。 第5圖，為本發明第一實施例之LED發光源剖面示意圖(四)。 第6圖，為本發明第二實施例之LED發光源剖面示意圖(一)。 第7圖，為本發明第二實施例之LED發光源剖面示意圖(二) 第8圖，為本發明第二實施例之LED發光源剖面示意圖(三) 第9圖，為本發明之LED發光源製造方法步驟示意圖。 第10圖，為本發明之直下式顯示器分解示意圖。 第11圖，為習知LED之結構示意圖。

Claims (80)

  1. 一種LED發光源，包含： 一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層； 至少一LED晶片，係透過覆晶方式設置於該安裝內面的底部位置： 一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層及該LED晶片之表面； 一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內； 一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及 一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之LED發光源，更包含：複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2 O3、TiO2 其中之一或其結合。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之LED發光源，其中，該保護結構之材料係選自有機矽膠。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之LED發光源，其中，該封膠結構之硬度較佳介於D40～D60。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之LED發光源，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之LED發光源，其中，該基座係為透明材質。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之LED發光源，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之LED發光源，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8:Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2 +、SrS:Eu2 +或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  12. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一；該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  13. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  14. 如申請專利範圍第2項所述之LED發光源，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一；該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  15. 一種LED發光源，包含： 一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層； 至少一LED晶片，係結合二金屬打線並固晶設置於該安裝內面的底部位置： 一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層、該等金屬打線及該LED晶片之表面； 一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內； 一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層、該等金屬打線及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及 一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之LED發光源，更包含：複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2 O3 、TiO2 其中之一或其結合。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之LED發光源，其中，該保護結構之材料係選自有機矽膠。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之LED發光源，其中，該封膠結構之硬度較佳介於D20～D40。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之LED發光源，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之LED發光源，其中，該抗硫化結構之厚度介於2～10μm。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之LED發光源，其中，該基座係為透明材質。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之LED發光源，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之LED發光源，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  25. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2Si5N8:Eu2+或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。
  26. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  27. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  28. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2 +或紅色量子點其中之一。
  29. 如申請專利範圍第16項所述之LED發光源，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  30. 一種LED發光源之製造方法，包含： 提供一基座，該基座具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面； 形成一反射層於該安裝內面； 提供至少一LED晶片，並透過覆晶或結合二金屬打線固晶方式而設置於該安裝內面的底部位置： 注入低黏度高揮發之一抗硫化溶劑至該基座之該安裝內面，而使該抗硫化溶劑完整覆蓋該安裝內面上之所有金屬材料； 靜置或加熱使該抗硫化溶劑揮發而形成一抗硫化結構，且該抗硫化結構係為延續且不斷開之薄膜態樣； 提供一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內； 利用一封膠結構封裝該光激發結構及該LED晶片，該抗硫化結構係隔絕該安裝內面上之所有金屬材料與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及 點膠一保護結構於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之LED發光源之製造方法，該保護結構更包含：複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2O3 、TiO2 其中之一或其結合。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之LED發光源之製造方法，其中，該保護結構之材料係選自有機矽膠。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片係透過覆晶方式設置於該安裝內面的底部位置時，該封膠結構之硬度較佳介於D40～D60。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之LED發光源之製造方法，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之LED發光源之製造方法，其中，若該抗硫化溶劑以加熱進行揮發時，加熱溫度係小於150℃。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之LED發光源之製造方法，其中，該基座係為透明材質。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之LED發光源之製造方法，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之LED發光源之製造方法，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  40. 如申請專利範圍第33項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片係透過該等金屬打線固晶方式設置於該安裝內面的底部位置時，該封膠結構之硬度較佳介於D20～D40。
  41. 如申請專利範圍第40項所述之LED發光源之製造方法，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之LED發光源之製造方法，其中，該抗硫化結構之厚度介於2～10μm。
  43. 如申請專利範圍第42項所述之LED發光源之製造方法，其中，若該抗硫化溶劑以加熱進行揮發時，加熱溫度係小於150℃。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之LED發光源之製造方法，其中，該基座係為透明材質。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之LED發光源之製造方法，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  46. 如申請專利範圍第45項所述之LED發光源之製造方法，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  47. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2 +或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。
  48. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  49. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  50. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2 +或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  51. 如申請專利範圍第31項所述之LED發光源之製造方法，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2 +其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  52. 一種直下式顯示器，包含： 一顯示模組；及 一背光模組，設於該顯示模組之一側，包含： 一電路基板；及 複數個LED發光源，係設於該電路基板上，該等LED發光源，包含： 一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層； 至少一LED晶片，係透過覆晶方式設置於該安裝內面的底部位置： 一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層及該LED晶片之表面； 一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內； 一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及 一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
  53. 如申請專利範圍第52項所述之直下式顯示器，更包含：複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2 O3 、TiO2 其中之一或其結合。
  54. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。
  55. 如申請專利範圍第54項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構之材料係選自有機矽膠。
  56. 如申請專利範圍第55項所述之直下式顯示器，其中，該封膠結構之硬度較佳介於D40～D60。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  58. 如申請專利範圍第57項所述之直下式顯示器，其中，該基座係為透明材質。
  59. 如申請專利範圍第58項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  60. 如申請專利範圍第59項所述之直下式顯示器，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  61. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。
  62. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  63. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  64. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3:Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  65. 如申請專利範圍第53項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2 +其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  66. 一種直下式顯示器，包含： 一顯示模組；及 一背光模組，設於該顯示模組之一側，包含： 一電路基板；及 複數個LED發光源，係設於該電路基板上，該等LED發光源，包含： 一基座，具有一上緣並由該上緣框圍形成一發光區域，且該基座沿該上緣向內凹設形成一安裝內面，該安裝內面上設有一反射層； 至少一LED晶片，係結合二金屬打線並固晶設置於該安裝內面的底部位置： 一抗硫化結構，該抗硫化結構係延續且不斷開地成形於該反射層、該等金屬打線及該LED晶片之表面； 一光激發結構，係包含有至少一螢光粉含有硫、鉛或磷其中之一，且該光激發結構置於該基座內； 一封膠結構，置於該基座內供以將該光激發結構及該LED晶片封裝於該基座內，該抗硫化結構係隔絕該反射層、該等金屬打線及該LED晶片與該封膠結構直接接觸，且該封膠結構為有機矽膠並含有白金觸媒；及 一保護結構，係透過點膠方式設置於該基座並覆蓋該封膠結構；其中，該封膠結構之硬度係小於該保護結構。
  67. 如申請專利範圍第66項所述之直下式顯示器，更包含：複數個均光顆粒，係散佈設置於該保護結構內，且該等均光顆粒係選自SiO2 、BN、Al2 O3 、TiO2 其中之一或其結合。
  68. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該等均光顆粒相對該保護結構之重量百分濃度介於5%～15%。
  69. 如申請專利範圍第68項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構之材料係選自有機矽膠。
  70. 如申請專利範圍第69項所述之直下式顯示器，其中，該封膠結構之硬度較佳介於D20～D40。
  71. 如申請專利範圍第70項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構之硬度介於D60～D80。
  72. 如申請專利範圍第71項所述之直下式顯示器，其中，該抗硫化結構之厚度介於2～10μm。
  73. 如申請專利範圍第72項所述之直下式顯示器，其中，該基座係為透明材質。
  74. 如申請專利範圍第73項所述之直下式顯示器，其中，該保護結構係透過點膠方式設置於該基座之該上緣，且該保護結構之面積大於該發光區域之面積。
  75. 如申請專利範圍第74項所述之直下式顯示器，其中，該基座之該上緣係成形為階梯狀。
  76. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第一紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2Si5N8:Eu2+或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一。
  77. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第二紅色螢光粉亦含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  78. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片之發光波長介於400～460nm，且該光激發結構包含一綠色螢光粉、一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該綠色螢光粉含硫，該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  79. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第二紅色螢光粉，且該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
  80. 如申請專利範圍第67項所述之直下式顯示器，其中，該LED晶片係為複數設置，並包含發光波長介於400～460nm之晶片與綠色晶片，且該光激發結構包含一第一紅色螢光粉及一第二紅色螢光粉，且該第一紅色螢光粉不含硫，該第二紅色螢光粉含硫；其中，該第一紅色螢光粉選自T2 XF6 :Mn4+ 或M2 Si5 N8 :Eu2+ 或CaAlSiN3 :Eu2+ 其中之一；T可選自Li、Na、K、Rb其中之一，而X可選自Ge，Si，Sn，Zr，Ti其中之一；M可選自Ca、Sr、Ba其中之一，該第二紅色螢光粉選自CaS:Eu2+ 、SrS:Eu2+ 或Ba2 ZnS3 :Mn2+ 或紅色量子點其中之一。
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