TWI453957B - 發光二極體之封裝結構 - Google Patents

Description

發光二極體之封裝結構

本發明涉及一種半導體發光元件，特別涉及一種發光二極體之封裝結構。

發光二極體(light emitting diode，LED)與傳統燈泡比較具有較大之優勢，例如體積小、壽命長、省電、無水銀污染等特性。因此，隨著發光效率不斷地提升，發光二極體在某些領域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡。舉例來說，需要高速反應之掃描器光源、液晶顯示器之背光源、汽車之儀錶板照明光源以及一般照明裝置都已應用發光二極體。

習知發光二極體通常使用聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)做為封裝材料。封裝制程通常係以射出成型、轉移成型或鑄造方式完成。固化環氧樹脂封膠具有相對高之硬度，其提供刮傷與磨耗阻力、高剛性、及高初始光傳導性。然，該等封裝材料在短波長光線照射下容易黃化或改變材料特性，進而降低反射杯殼之反射率以及降低組件之發光效率。

一種發光二極體之封裝結構包括一矽基板、貼設在該矽基板 上之一發光二極體晶片，及一玻璃封裝體，該玻璃封裝體蓋罩於該發光二極體晶片上，該矽基板具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，該發光二極體晶片設置於該第一表面上，該玻璃封裝體卡合於該矽基板之第一表面上，並與該矽基板配合封置該發光二極體晶片，該玻璃封裝體與矽基板之間形成一容置空間，發光二極體晶片容置於該容置空間內。

與習知技術相比，本發明之發光二極體之封裝結構藉由玻璃封裝體與矽基板配合封置發光二極體晶片，玻璃封裝體卡合於矽基板上，配合穩固，且能夠使得發光二極體晶片與封裝體相分隔設置，同時能夠適用於發光二極體高功率或發出短波長光線之工作環境。

10,50,60,80‧‧‧基板

11,51,61,81‧‧‧發光二極體晶片

12,12a,12b,12c,12d,12e,22,32,42,52,52a,52b,52c,62,62a,62b,62c,62d,72,82,82a‧‧‧封裝體

14,54,64‧‧‧穩壓二極體

15‧‧‧螢光材料

101,501,601,801‧‧‧第一表面

102,502,602,802‧‧‧第二表面

103,503‧‧‧凹陷部

104,504‧‧‧臺階部

120,220,320,420,520,620,820‧‧‧入光面

122,222,322,422,522,622,822‧‧‧出光面

604,804‧‧‧凹槽

624,824‧‧‧底部

1040,5040‧‧‧臺階面

圖1為本發明第一實施例之發光二極體之封裝結構之正面示意圖。

圖2為圖1中之發光二極體之封裝結構沿II-II線剖視圖。

圖3為圖1中之發光二極體之封裝結構沿III-III線剖視圖。

圖4為圖1中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料一配合使用示意圖。

圖5為圖1中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料另一配合使用示意圖。

圖6為圖1中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料另 一配合使用示意圖。

圖7為圖1中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料另一配合使用示意圖。

圖8為圖1中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料另一配合使用示意圖。

圖9為本發明第二實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之剖面示意圖。

圖10為本發明第三實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之結構示意圖。

圖11為本發明第四實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之立體圖。

圖12為圖11中發光二極體之封裝結構之封裝體沿XII-XII線剖視圖。

圖13為本發明第五實施例之發光二極體之封裝結構之剖面示意圖。

圖14為本發明第六實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之剖面示意圖。

圖15為本發明第七實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之結構示意圖。

圖16為本發明第八實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體 之結構示意圖。

圖17為本發明第九實施例之發光二極體之封裝結構之正面示意圖。

圖18為圖17中發光二極體之封裝結構之封裝體沿XVIII-XVIII剖面示意圖，為清楚，將封裝體與基板分離顯示。

圖19為圖17中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料之一配合使用示意圖。

圖20為圖17中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料之另一配合使用示意圖。

圖21為圖17中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料之另一配合使用示意圖。

圖22為圖17中之發光二極體之封裝結構之封裝體與螢光材料之另一配合使用示意圖。

圖23為本發明第十實施例之發光二極體之封裝結構之封裝體之結構示意圖。

圖24為本發明第十一實施例之發光二極體之封裝結構之剖面示意圖，為清楚，將封裝體與基板分離顯示。

圖25為本發明第十二實施例之發光二極體之封裝結構之剖面示意圖，為清楚，將封裝體與基板分離顯示。

請參閱圖1至3，本發明第一實施例提供之之發光二極體之封裝結構包括一基板10、貼設在該基板10上之一發光二極體晶片11及封罩在該發光二極體晶片11上之一封裝體12。

上述基板10為一種矽基板，採用矽或矽之化合物等材料製成。該基板10具有一第一表面101及與該第一表面101相對之一第二表面102。該第一表面101向下凹陷形成有一凹陷部103，該凹陷部103呈碗狀，該凹陷部103之底面為平面，該凹陷部103之側壁面為向第一表面101漸擴傾斜設置之斜面。該發光二極體晶片11容置於該凹陷部103內，並貼置於凹陷部103之底面上。該基板10之第一表面101上沿凹陷部103之開口處周緣向下凹陷形成一環狀臺階部104。該封裝體12承載於該臺階部104上，進而與基板10配合封置該發光二極體晶片11。可以理解地，該臺階部104為一支撐結構，用以將該封裝體12支撐並固定於發光二極體晶片11之上方。該臺階部104具有至少一承載封裝體之臺階面1040，該臺階面1040位於基板10之第一表面101與凹陷部103之底面之間，使得該封裝體12蓋置於該基板10之凹陷部103之開口處，從而將發光二極體晶片11封置於基板10之凹陷部103內。該臺階部104在週邊尺寸上與封裝體12相對應一致。該電極13與外部電源電性連接，可由氧化銦錫(ITO)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)之材料，並且利用電鍍法(plating process)、濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation deposition)或電子束(electronic beam)之技術形成。另，該電極13可以自該第一表面101延伸至第二表面102，從而使該發光二極體具有表面貼裝器件(SMD)之結構。

該發光二極體之封裝結構還包括一穩壓二極體14設置於該凹陷部103之底面上、並與該發光二極體晶片11電性相連，當發光二極體工作功率較大時，藉由該穩壓二極體14能夠幫助穩壓，從而避免發光二極體晶片11被電流損壞。

該封裝體12具有一供發光二極體晶片11發出之光線射入該封裝體12之入光面120及一供發光二極體晶片11發出之光線射出該封裝體12之出光面122。該發光二極體晶片11可以發出短波長之光線，其波長範圍為330~450nm。在本實施例中，該封裝體12為一平板玻璃，其入光面120與出光面122平行、相對設置。為改變本發明之發光二極體之出光效果，該封裝體12可以藉由與螢光材料15配合工作，參照圖4至8，如下列方式：(1)將螢光材料15均勻擴散於封裝體12a內部；(2)在封裝體12b之中部即入、出光面120，122之間形成一螢光材料15之夾層，使得發光二極體晶片11發出之光線依次經過入光面120、螢光材料15、出光面122而射出該封裝體12b；(3)將螢光材料15塗佈於封裝體12c之入光面120上；(4)將螢光材料15塗佈於封裝體12d之出光面122上；(5)將螢光材料15分別塗佈於封裝體12e之入、出光面120，122上。另，也可將螢光材料15直接塗佈於發光二極體晶片11之出光面上使用。該螢光材料15可為石榴石(garnet)結構之化合 物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、矽酸鹽類(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物中之至少一種。

參照圖9，在本發明之第二實施例中，發光二極體之封裝體22為一板體，其入、出光面220，222相對設置、均呈波浪狀。相對於第一實施例中之封裝體12之平面入、出光面120，122，該入、出光面220，222可以改變發光二極體之出光方向。發光二極體之其餘結構及封裝體22與螢光材料15之配合方式，均與上述第一實施例之原理相同，不予累述。

參照圖10，在本發明之第三實施例中，發光二極體之封裝體32為一長條拱狀體，較佳地如一軸向切開之半圓柱體。該封裝體32沿其縱長方向蓋置於基板10之凹陷部103開口處，並向遠離發光二極體晶片11之方向拱起。該封裝體32之入光面320為一平面，而出光面322包括該封裝體除入光面外之外周面及二端面。

圖11及12所示為本發明在第四實施例中之封裝體42之結構。該封裝體42為一中空之長條拱狀體，其開口方向面向發光二極體晶片11設置，其入、出光面420，422均沿遠離發光二極體晶片11之方向向外拱起。可以理解地，該封裝體42配合基板10之凹陷部103設置，其也可以為球形拱狀體、橢球形拱狀體或其他不規則形狀拱狀體中之一種。該封裝體42之入光面420為該中空封裝體42之整個內壁面，而出光面422為該中空封裝體42之整個外壁面。發光二極體之其餘結構及封裝體 42與螢光材料15之配合方式，均與上述第三實施例之原理相同，不予累述。

圖13所示為本發明在第五實施例之發光二極體，其包括一基板50、貼設在該基板50上之二發光二極體晶片51及分別封罩在該二發光二極體晶片51上之二封裝體52。該基板50為一種矽基板，採用矽或矽之化合物等材料製成。該基板51具有一第一表面501及與該第一表面501相對之一第二表面502。該第一表面501向下凹陷形成有一凹陷部503，該凹陷部503呈碗狀，該凹陷部503之底面為平面，該凹陷部503之側壁面為向第一表面501漸擴傾斜設置之斜面。同樣，該第二表面502向上凹陷形成有另一凹陷部503，該凹陷部503呈碗狀，該凹陷部503之頂面為平面，該凹陷部503之側壁面為向第二表面502漸擴傾斜設置之斜面。該二凹陷部503關於該基板50呈對稱設置。該二發光二極體晶片51分別容置於該二凹陷部503內，並貼置於凹陷部503之底/頂面上。該發光二極體晶片51可以發出短波長之光線，其波長範圍為330~450nm。該基板50之第一、第二表面501，502上沿凹陷部503之開口處周緣凹陷分別形成一環狀臺階部504。該二封裝體52分別承載於該二臺階部504上，進而與基板50配合封置該二發光二極體晶片51。可以理解地，該臺階部504為一支撐結構，用以將該封裝體52支撐並固定於發光二極體晶片51之上方。該臺階部504具有至少一承載發光二極體晶片51之臺階面5040，該臺階面5040分別位於基板50之第一表面501與凹陷部503之底 面之間、第二表面502與另一凹陷部503之頂面之間，使得封裝體52蓋置於該基板50之凹陷部503之開口處，從而將發光二極體晶片51封置於基板50之凹陷部503內。該臺階部504在週邊尺寸上與封裝體52相對應一致。該基板50上開設有貫穿連通二凹陷部503之底面之二貫通孔505，該二貫通孔505用以填充導電體，如銅柱或銀漿等，用以電性連通該二發光二極體晶片51。該第一、第二表面501，502上分別設置有二電極與發光二極體晶片51電性連通。

該發光二極體還包括一穩壓二極體54設置於其中一凹陷部503之底/頂面上、並與該發光二極體晶片51電性相連，當發光二極體工作功率較大時，藉由該穩壓二極體54能夠幫助穩壓，從而避免發光二極體晶片51被電流損壞。

該封裝體52具有一供發光二極體晶片51發出之光線射入該封裝體52之入光面520及一供發光二極體晶片51發出之光線射出該封裝體52之出光面522。同時參照圖4-8，在本實施例中，該封裝體52與第一實施例中之封裝體12相同，其為一平板玻璃，入光面520與出光面522平行、相對設置。該封裝體52同樣可以藉由與螢光材料15配合工作。如下列方式：(1)將與螢光材料15均勻擴散於封裝體52內部；(2)在封裝體52之中部即入、出光面之間520，522形成一螢光材料15之夾層，使得發光二極體晶片51發出之光線依次經過入光面520、螢光材料15、出光面522而射出該封裝體52；(3)將螢光材料15塗佈於封裝體52之入光面520上；(4)將螢光材料15 塗佈於封裝體52之出光面522上；(5)將螢光材料15分別塗佈於封裝體52之入、出光面520，522上。另，也可將螢光材料15直接塗佈於發光二極體晶片51之出光面上使用。該螢光材料15可為石榴石(garnet)結構之化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、矽酸鹽類(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物中之至少一種。

圖14所示為本發明在第六實施例之發光二極體之封裝體52a。與第五實施例之發光二極體相比，不同之處在於：在第六實施例中發光二極體之封裝體52a與第二實施例中之封裝體22相同，其餘結構特徵及封裝體52a與螢光材料15之配合方式均與第五實施例中相同。

圖15所示為本發明在第七實施例之發光二極體之封裝體52b。與第五實施例之發光二極體相比，不同之處在於：在第七實施例中發光二極體之封裝體52b與第三實施例中之封裝體32相同，其餘結構特徵及封裝體52b與螢光材料15之配合方式均與第五實施例中相同。

圖16所示為本發明在第八實施例之發光二極體之封裝體52c。與第五實施例之發光二極體相比，不同之處在於：在第八實施例中發光二極體之封裝體52c與第四實施例中之封裝體42相同，其餘結構特徵及封裝體與螢光材料15之配合方式均與第五實施例中相同。

圖17及18所示為本發明在第九實施例之發光二極體，其包括一基板60、貼設在該基板60上之一發光二極體晶片61及封罩在該發光二極體晶片61上之一封裝體62。上述基板60為一種矽基板，採用矽或矽之化合物等材料製成。該基板60具有一第一表面601及與該第一表面601相對之一第二表面602。該發光二極體晶片61設置於第一表面601上。該第一表面601向下凹陷形成有一凹槽604。該凹槽604呈環狀，並圍繞該發光二極體晶片61設置。該發光二極體還包括設置於第一表面601上之二電極63，與該發光二極體晶片61電性連接。該電極63與外部電源電性連接，可由氧化銦錫(ITO)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)之材料，並且利用電鍍法(plating process)、濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation deposition)或電子束(electronic beam)之技術形成。另，該電極63可以自該第一表面601延伸至第二表面602，從而使該發光二極體具有表面貼裝器件(SMD)之結構。

上述封裝體62為一中空之半球體，其底部624具有一開口。該封裝體62之底部624呈環狀，其對應卡置於基板60之凹槽604內，進而與基板60配合封置該發光二極體晶片61。該凹槽604在外形、尺寸上與封裝體62之底部624相對應一致。該封裝體62蓋置於發光二極體晶片61之正上方，並向遠離發光二極體晶片61之方向拱起。

該發光二極體還包括一穩壓二極體64設置於第一表面601上 、並與該發光二極體晶片61電性相連，當發光二極體工作功率較大時，藉由該穩壓二極體64能夠幫助穩壓，從而避免發光二極體晶片61被電流損壞。

該封裝體62具有一供發光二極體晶片61發出之光線射入該封裝體62之入光面620及一供發光二極體晶片61發出之光線射出該封裝體62之出光面622。該發光二極體晶片61可以發出短波長之光線，其波長範圍為330~450nm。該封裝體62採用玻璃材料，其入光面620為該封裝體62之內壁曲面，而相對設置之出光面622為該封裝體62之外壁曲面。該封裝體62同樣可以藉由與螢光材料15配合工作，參照圖19至22如下列方式：(1)將螢光材料15均勻擴散於封裝體62a內部；(2)將螢光材料15塗佈於封裝體62b之入光面620上；(3)將螢光材料15塗佈於封裝體62c之出光面622上；(4)將螢光材料15分別塗佈於封裝體62d之入、出光面620，622上。另，也可將螢光材料15直接塗佈於發光二極體晶片61之出光面上使用。該螢光材料15可為石榴石(garnet)結構之化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、矽酸鹽類(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物。

在本實施例中，該封裝體62之厚度由正對發光二極體晶片61之中央向該封裝體62周緣逐漸減小。由於發光二極體晶片61正上方之部分封裝體62會接受較多之光線，而發光二極體晶片61側面之部分封裝體62接受較少之光則，係故光線藉由不 同厚度之玻璃封裝體62會因為折射率不同之而改變射出方向，本實施例之封裝體62之結構能夠使得發光二極體晶片61發出之光線之均勻地射出封裝體62。

圖23所示為本發明在第十實施例之發光二極體。與第九實施例之發光二極體相比，不同之處在於：在第十實施例中，封裝體72之厚度均一。由於封裝體72之厚度均一，螢光材料15亦可均勻塗佈在封裝體上且塗佈方式如第九實施例該，此時發光二極體晶片61發出之各個方向之光在該封裝體72內之行走路程相同，當發光二極體產生之光照射在一平面上時，不會有內圈和外圈色度不均之問題，即不會產生光圈，或成品間不會有色度差距較大之問題。

圖24所示為本發明在第十一實施例之發光二極體，其包括一基板80、貼設在該基板80上之二發光二極體晶片81及分別封罩在該二發光二極體晶片81上之二封裝體82。該發光二極體晶片81可以發出短波長之光線，其波長範圍為330~450nm。該基板80為一種矽基板，採用矽或矽之化合物等材料製成。該基板80具有一第一表面801及與該第一表面801相對之一第二表面802。該二發光二極體晶片81設置於第一、第二表面801，802上。該第一表面801向下凹陷形成有一凹槽804。該凹槽804呈環狀，並圍繞該發光二極體晶片81設置。同樣，該第二表面802向上凹陷形成有另一凹槽804，該凹槽804呈環狀，並圍繞另一發光二極體晶片81設置。該二凹槽804關於該基板80呈對稱設置。

上述封裝體82為一中空之半球體，其底/頂部824具有一開口。該封裝體82之底/頂部824呈環狀。該二封裝體82之底/頂部824分別對應卡置於基板80第一、第二表面801，802之凹槽804內，進而與基板80配合封置該二發光二極體晶片81。該凹槽804在外形、尺寸上與封裝體82之底/頂部824相對應一致。該二封裝體82分別蓋置於發光二極體晶片81之正上/下方，並向遠離發光二極體81晶片之方向拱起。該二封裝體82同樣關於基板80呈對稱設置。

該封裝體82具有一供發光二極體晶片81發出之光線射入該封裝體82之入光面820及一供發光二極體晶片81發出之光線射出該封裝體82之出光面822。該封裝體82採用玻璃材料，其入光面820為該封裝體82之內壁曲面，而相對設置之出光面822為該封裝體82之外壁曲面。該封裝體82同樣可以藉由與螢光材料15配合工作。如下列方式：(1)將與螢光材料15均勻擴散於封裝體82內部；(2)在封裝體82之中部即入、出光面820，822之間形成一螢光材料15之夾層，使得發光二極體晶片81發出之光線依次經過入光面820、螢光材料15、出光面822而射出該封裝體82；(3)將螢光材料15塗佈於封裝體82之入光面820上；(4)將螢光材料15塗佈於封裝體82之出光面822上；(5)將螢光材料15分別塗佈於封裝體82之入、出光面820，822上。另，也可將螢光材料15直接塗佈於發光二極體晶片81之出光面上使用。

在本實施例中，該封裝體82之厚度由正對發光二極體晶片81 之中央向該封裝體82周緣逐漸減小。由於發光二極體晶片81正上方之部分封裝體82會接受較多之光線，而發光二極體晶片81側面之部分封裝體82接受較少之光則，因此光線藉由不同厚度之玻璃封裝體82會因為折射率不同之而改變射出方向，本實施例之封裝體82之結構能夠使得發光二極體晶片81發出之光線之均勻地射出封裝體82。

圖25所示為本發明在第十二實施例之發光二極體。與第十一實施例之發光二極體相比，不同之處在於：在第十二實施例中，封裝體82a之厚度均一。

製作本發明之發光二極體時，先在基板之第一或第二表面上蝕刻出該凹陷部、臺階部或者凹槽結構，再將該發光二極體晶片固定在基板上，最後將該封裝體蓋置於臺階部上或卡置於凹槽內，並在封裝體與基板接合處以點膠方式封裝。也可在安裝封裝體前，先點膠至臺階部上或凹槽內，再將該封裝體蓋置於臺階部上或卡置於凹槽內，最後在封裝體與基板接合處再以點膠方式封裝，以達到更好之封裝效果。

與習知技術相比，本發明之發光二極體藉由以臺階部承載或凹槽卡置該封裝體之方式固定安裝該封裝體，配合穩固，且能夠使得發光二極體晶片與封裝體相分隔設置，使得封裝體不易受發光二極體晶片工作時散發之熱量影響。該封裝體採用玻璃製成，具有較好之耐黃變性能，適合供發出紫外光或近紫外光等各種短波長光線之發光二極體使用，同時可適用於其他高功率之可見光發光二極體使用。另，基板之第一、 第二表面上均裝置有發光二極體晶片，可設計成前後相串、並聯電路，應用更為廣泛。另，螢光粉均勻形成於封裝體之表面，可以避免紫外光外漏而造成對人體之傷害。本發明之發光二極體之矽基板與玻璃封裝體結構適用於發光二極體晶片發出短波長光線或高功率之工作環境。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10‧‧‧基板

11‧‧‧發光二極體晶片

12‧‧‧封裝體

14‧‧‧穩壓二極體

101‧‧‧第一表面

102‧‧‧第二表面

103‧‧‧凹陷部

104‧‧‧臺階部

120‧‧‧入光面

122‧‧‧出光面

1040‧‧‧臺階面

Claims (15)

1. 一種發光二極體之封裝結構包括一矽基板、貼設在該矽基板上之一發光二極體晶片，及一玻璃封裝體，該玻璃封裝體蓋罩於該發光二極體晶片上，該矽基板具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，其改良在於：該發光二極體晶片設置於該第一表面上，該第一表面向下凹陷形成有一環狀凹槽，該凹槽圍繞該發光二極體晶片設置，該玻璃封裝體具有一開口，該開口部呈環狀並對應卡置於該矽基板之凹槽內，並與該矽基板配合封置該發光二極體晶片，該玻璃封裝體與矽基板之間形成一容置空間，該發光二極體晶片容置於該容置空間內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構還包括一穩壓二極體設置於第一表面上、並與該發光二極體晶片電性相連。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該第一表面向下凹陷形成有一碗狀凹陷部，該發光二極體晶片容置於該凹陷部內，該矽基板之第一表面上沿凹陷部之開口處周緣向下凹陷形成一臺階部，該玻璃封裝體承載於該臺階部上，以與該矽基板配合封置該發光二極體晶片。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體具有一供發光二極體發出之光線射入該玻璃封裝體之入光面及一供發光二極體發出之光線射出該玻璃封裝 體之出光面。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體呈板狀、球形拱狀體、橢球形拱狀體或長條拱形體。
6. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體之入、出光面為平面、波浪面或拱形曲面。
7. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體之封裝結構，其中該第二表面向上凹陷形成有另一碗狀凹陷部，該發光二極體還包括另一發光二極體晶片容置於該凹陷部內，該矽基板之第二表面上沿凹陷部之開口處周緣向上凹陷形成一臺階部，該發光二極體還包括另一玻璃封裝體承載於該臺階部上，以與該矽基板配合封置該發光二極體晶片。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體之封裝結構，其中該矽基板上形成有貫通孔連通該二凹陷部，其中該第一表面之凹陷部包含一電極結構，並且該電極結構自該第一表面藉由該貫通孔延伸至該第二表面之凹陷部。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該第二表面向上凹陷形成有另一環狀凹槽，該發光二極體還包括另一發光二極體晶片裝置於第二表面上，該另一凹槽圍繞另一發光二極體晶片設置，該發光二極體還包括另一中空玻璃封裝體，該另一中空玻璃封裝體具有一開口部，該開口部呈環狀並對應卡置於該矽基板之另一凹槽內以與該矽基板配合封置另一發光二極體晶片。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中 該玻璃封裝體具有一供發光二極體發出之光線射入該玻璃封裝體之入光面及一供發光二極體發出之光線射出該玻璃封裝體之出光面。
11. 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體之入、出光面均為曲面，且該玻璃封裝體之入、出光面均沿遠離發光二極體晶片之方向向外拱起。
12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體之厚度由正對發光二極體晶片之中央向該玻璃封裝體周緣逐漸減小或該玻璃封裝體之厚度均一。
13. 如申請專利範圍第3項或第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該玻璃封裝體包含均勻之螢光材料，其中該螢光材料為石榴石(garnet)結構之化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、矽酸鹽類(silicate)、砷化物、硒化物以及碲化物中之至少一種。
14. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該發光二極體晶片所發出之光線之波長範圍在330~450納米之間。
15. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之封裝結構，其中該發光二極體晶片與該玻璃封裝體之間存在間隙。