CN102244178A - 发光二极管的封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，硅基板具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面，发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，发光二极管芯片容置于该容置空间内。与现有技术相比，本发明的发光二极管的封装结构通过玻璃封装体与硅基板配合封置发光二极管芯片，玻璃封装体卡合于硅基板上，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，同时能够适用于发光二极管高功率或发出短波长光线的工作环境。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电组件，特别是涉及一种发光二极管的封装结构。
背景技术
发光二极管(light emitting diode，LED)与传统灯泡比较具有较大的优势，例如体积小、寿命长、省电、无水银污染等特性。因此，随着发光效率不断地提升，发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡。举例来说，需要高速反应的扫描仪光源、液晶显示器的背光源、汽车的仪表板照明光源、交通号志灯以及一般的照明装置等都已应用发光二极管。
现有发光二极管通常使用聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)做为封装材料。封装制程通常是以射出成型、转移成型或铸造方式完成。固化环氧树脂封胶具有相对高的硬度，其提供刮伤与磨耗阻力、高刚性、及高初始光传导性。然而，这些封装材料在短波长光线的照射下容易黄化或改变材料特性，进而降低反射杯壳之反射率以及降低组件之发光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种适用于短波长组件的发光二极管的封装结构。
一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，所述发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，发光二极管芯片容置于该容置空间内。
与现有技术相比，本发明的发光二极管的封装结构通过玻璃封装体与硅基板配合封置发光二极管芯片，玻璃封装体卡合于硅基板上，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，同时能够适用于发光二极管高功率或发出短波长光线的工作环境。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。
图2为图1中的发光二极管的封装结构沿II-II线剖视图。
图3为图1中的发光二极管的封装结构沿III-III线剖视图。
图4为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料一配合使用示意图。
图5为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。
图6为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。
图7为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。
图8为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。
图9为本发明第二实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。
图10为本发明第三实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。
图11为本发明第四实施例的发光二极管的封装结构的封装体的立体图。
图12为图11中发光二极管的封装结构的封装体沿XII-XII线剖视图。
图13为本发明第五实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。
图14为本发明第六实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。
图15为本发明第七实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。
图16为本发明第八实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。
图17为本发明第九实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。
图18为图17中发光二极管的封装结构的封装体沿XVIII-XVIII剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。
图19为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的一配合使用示意图。
图20为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。
图21为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。
图22为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。
图23为本发明第十实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。
图24为本发明第十一实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。
图25为本发明第十二实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。
主要元件符号说明
| 基板 | 10，50，60，80 |
| 发光二极管芯片 | 11，51，61，81 |
| 封装体 | 12，12a，12b，12c，12d，12e，22，32，42，52，52a，52b，52c，62，62a，62b，62c，62d，72，82，82a |
| 第一表面 | 101，501，601，801 |
| 第二表面 | 102，502，602，802 |
| 凹陷部 | 103，503 |
| 台阶部 | 104，504 |
| 台阶面 | 1040，5040 |
| 稳压二极体 | 14，54，64 |
| 荧光材料 | 15 |
| 入光面 | 120，220，320，420，520，620，820 |
| 出光面 | 122，222，322，422，522，622，822 |
| 凹槽 | 604，804 |
| 底部 | 624，824 |
具体实施方式
请参阅图1至3，本发明第一实施例提供的的发光二极管的封装结构包括一基板10、贴设在该基板10上的一发光二极管芯片11及封罩在该发光二极管芯片11上的一封装体12。
上述基板10为一种硅基板，采用硅或硅的化合物等材料制成。该基板10具有一第一表面101及与该第一表面101相对的一第二表面102。该第一表面101向下凹陷形成有一凹陷部103，该凹陷部103呈碗状，该凹陷部103的底面为平面，该凹陷部103的侧壁面为向第一表面101渐扩倾斜设置的斜面。所述发光二极管芯片11容置于该凹陷部103内，并贴置于凹陷部103的底面上。该基板10的第一表面101上沿凹陷部103的开口处周缘向下凹陷形成一环状台阶部104。所述封装体12承载于该台阶部104上，进而与基板10配合封置所述发光二极管芯片11。可以理解地，所述台阶部104为一支撑结构，用以将所述封装体12支撑并固定于发光二极管芯片11的上方。该台阶部104具有至少一承载封装体的台阶面1040，该台阶面1040位于基板10的第一表面101与凹陷部103的底面之间，使得该封装体12盖置于该基板10的凹陷部103的开口处，从而将发光二极管芯片11封置于基板10的凹陷部103内。该台阶部104在外围尺寸上与封装体12相对应一致。所述电极13与外部电源电性连接，可由氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、镍(Ni)、鈦(Ti)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)的材料，并且利用电镀法(platingprocess)、溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation deposition)或电子束(electronicbeam)的技术形成。另外，所述电极13可以自所述第一表面101延伸至第二表面102，从而使所述发光二极管具有表面贴装器件(SMD)的结构。
所述发光二极管的封装结构还包括一稳压二极体14设置于所述凹陷部103的底面上、并与所述发光二极管芯片11电性相连，当发光二极管工作功率较大时，通过该稳压二极体14能够帮助稳压，从而避免发光二极管芯片11被电流损坏。
所述封装体12具有一供发光二极管芯片11发出的光线射入该封装体12的入光面120及一供发光二极管芯片11发出的光线射出该封装体12的出光面122。所述发光二极管芯片11可以发出短波长之光线，其波长范围为330～450nm。在本实施例中，所述封装体12为一平板玻璃，其入光面120与出光面122平行、相对设置。为改变本发明的发光二极管的出光效果，该封装体12可以通过与稳压二极体荧光材料15配合工作，参照图4至8，如下列方式：(1)将荧光材料15均匀扩散于封装体12a内部；(2)在封装体12b的中部即入、出光面120，122之间形成一荧光材料15的夹层，使得发光二极管芯片11发出的光线依次经过入光面120、荧光材料15、出光面122而射出该封装体12b；(3)将荧光材料15涂布于封装体12c的入光面120上；(4)将荧光材料15涂布于封装体12d的出光面122上；(5)将荧光材料15分别涂布于封装体12e的入、出光面120，122上。另外，也可将荧光材料15直接涂布于发光二极管芯片11的出光面上使用。所述荧光材料15可为石榴石(gamet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物中的至少一种。
参照图9，在本发明的第二实施例中，发光二极管的封装体22为一板体，其入、出光面220，222相对设置、均呈波浪状。相对于第一实施例中的封装体12的平面入、出光面120，122，该入、出光面220，222可以改变发光二极管的出光方向。发光二极管的其余结构及封装体22与荧光材料15的配合方式，均与上述第一实施例的原理相同，不予累述。
参照图10，在本发明的第三实施例中，发光二极管的封装体32为一长条拱状体，较佳地如一轴向切开的半圆柱体。该封装体32沿其纵长方向盖置于基板10的凹陷部103开口处，并向远离发光二极管芯片11的方向拱起。该封装体32的入光面320为一平面，而出光面322包括该封装体除入光面外的外周面及二端面。
图11及12所示为本发明在第四实施例中的封装体42的结构。该封装体42为一中空的长条拱状体，其开口方向面向发光二极管芯片11设置，其入、出光面420，422均沿远离发光二极管芯片11的方向向外拱起。可以理解地，该封装体42配合基板10的凹陷部103设置，其也可以为球形拱状体、椭球形拱状体或其他不规则形状拱状体中的一种。该封装体42的入光面420为该中空封装体42的整个内壁面，而出光面422为该中空封装体42的整个外壁面。发光二极管的其余结构及封装体42与荧光材料15的配合方式，均与上述第三实施例的原理相同，不予累述。
图13所示为本发明在第五实施例的发光二极管，其包括一基板50、贴设在该基板50上的二发光二极管芯片51及分别封罩在该二发光二极管芯片51上的二封装体52。所述基板50为一种硅基板，采用硅或硅的化合物等材料制成。该基板51具有一第一表面501及与该第一表面501相对的一第二表面502。该第一表面501向下凹陷形成有一凹陷部503，该凹陷部503呈碗状，该凹陷部503的底面为平面，该凹陷部503的侧壁面为向第一表面501渐扩倾斜设置的斜面。同样，所述第二表面502向上凹陷形成有另一凹陷部503，该凹陷部503呈碗状，该凹陷部503的顶面为平面，该凹陷部503的侧壁面为向第二表面502渐扩倾斜设置的斜面。该二凹陷部503关于所述基板50呈对称设置。所述二发光二极管芯片51分别容置于该二凹陷部503内，并贴置于凹陷部503的底/顶面上。所述发光二极管芯片51可以发出短波长之光线，其波长范围为330～450nm。该基板50的第一、第二表面501，502上沿凹陷部503的开口处周缘凹陷分别形成一环状台阶部504。所述二封装体52分别承载于该二台阶部504上，进而与基板50配合封置所述二发光二极管芯片51。可以理解地，所述台阶部504为一支撑结构，用以将所述封装体52支撑并固定于发光二极管芯片51的上方。该台阶部504具有至少一承载发光二极管芯片51的台阶面5040，该台阶面5040分别位于基板50的第一表面501与凹陷部503的底面之间、第二表面502与另一凹陷部503的顶面之间，使得封装体52盖置于该基板50的凹陷部503的开口处，从而将发光二极管芯片51封置于基板50的凹陷部503内。该台阶部504在外围尺寸上与封装体52相对应一致。该基板50上开设有贯穿连通二凹陷部503的底面的二贯通孔505，该二贯通孔505用以填充导电体，如铜柱或银浆等，用以电性连通所述二发光二极管芯片51。所述第一、第二表面501，502上分别设置有二电极与发光二极管芯片51电性连通。
所述发光二极管还包括一稳压二极体54设置于其中一凹陷部503的底/顶面上、并与所述发光二极管芯片51电性相连，当发光二极管工作功率较大时，通过该稳压二极体54能够帮助稳压，从而避免发光二极管芯片51被电流损坏。
所述封装体52具有一供发光二极管芯片51发出的光线射入该封装体52的入光面520及一供发光二极管芯片51发出的光线射出该封装体52的出光面522。同时参照图4-8，在本实施例中，该封装体52与第一实施例中的封装体12相同，其为一平板玻璃，入光面520与出光面522平行、相对设置。该封装体52同样可以通过与荧光材料15配合工作。如下列方式：(1)将与荧光材料15均匀扩散于封装体52内部；(2)在封装体52的中部即入、出光面之间520，522形成一荧光材料15的夹层，使得发光二极管芯片51发出的光线依次经过入光面520、荧光材料15、出光面522而射出该封装体52；(3)将荧光材料15涂布于封装体52的入光面520上；(4)将荧光材料15涂布于封装体52的出光面522上；(5)将荧光材料15分别涂布于封装体52的入、出光面520，522上。另外，也可将荧光材料15直接涂布于发光二极管芯片51的出光面上使用。所述荧光材料15可为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物中的至少一种。
图14所示为本发明在第六实施例的发光二极管的封装体52a。与第五实施例的发光二极管相比，不同之处在于：在第六实施例中发光二极管的封装体52a与第二实施例中的封装体22相同，其余结构特征及封装体52a与荧光材料15的配合方式均与第五实施例中相同。
图15所示为本发明在第七实施例的发光二极管的封装体52b。与第五实施例的发光二极管相比，不同之处在于：在第七实施例中发光二极管的封装体52b与第三实施例中的封装体32相同，其余结构特征及封装体52b与荧光材料15的配合方式均与第五实施例中相同。
图16所示为本发明在第八实施例的发光二极管的封装体52c。与第五实施例的发光二极管相比，不同之处在于：在第八实施例中发光二极管的封装体52c与第四实施例中的封装体42相同，其余结构特征及封装体与荧光材料15的配合方式均与第五实施例中相同。
图17及18所示为本发明在第九实施例的发光二极管，其包括一基板60、贴设在该基板60上的一发光二极管芯片61及封罩在该发光二极管芯片61上的一封装体62。上述基板60为一种硅基板，采用硅或硅的化合物等材料制成。该基板60具有一第一表面601及与该第一表面601相对的一第二表面602。所述发光二极管芯片61设置于第一表面601上。该第一表面601向下凹陷形成有一凹槽604。该凹槽604呈环状，并围绕所述发光二极管芯片61设置。该发光二极管还包括设置于第一表面601上的二电极63，与所述发光二极管芯片61电性连接。所述电极63与外部电源电性连接，可由氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)的材料，并且利用电镀法(plating process)、溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporationdeposition)或电子束(electronic beam)的技术形成。另外，所述电极63可以自所述第一表面601延伸至第二表面602，从而使所述发光二极管具有表面贴装器件(SMD)的结构。
上述封装体62为一中空的半球体，其底部624具有一开口。该封装体62的底部624呈环状，其对应卡置于基板60的凹槽604内，进而与基板60配合封置所述发光二极管芯片61。该凹槽604在外形、尺寸上与封装体62的底部624相对应一致。该封装体62盖置于发光二极管芯片61的正上方，并向远离发光二极管芯片61的方向拱起。
所述发光二极管还包括一稳压二极体64设置于第一表面601上、并与所述发光二极管芯片61电性相连，当发光二极管工作功率较大时，通过该稳压二极体64能够帮助稳压，从而避免发光二极管芯片61被电流损坏。
所述封装体62具有一供发光二极管芯片61发出的光线射入该封装体62的入光面620及一供发光二极管芯片61发出的光线射出该封装体62的出光面622。所述发光二极管芯片61可以发出短波长之光线，其波长范围为330～450nm。该封装体62采用玻璃材料，其入光面620为该封装体62的内壁曲面，而相对设置的出光面622为该封装体62的外壁曲面。该封装体62同样可以通过与荧光材料15配合工作，参照图19至22如下列方式：(1)将荧光材料15均匀扩散于封装体62a内部；(2)将荧光材料15涂布于封装体62b的入光面620上；(3)将荧光材料15涂布于封装体62c的出光面622上；(4)将荧光材料15分别涂布于封装体62d的入、出光面620，622上。另外，也可将荧光材料15直接涂布于发光二极管芯片61的出光面上使用。所述荧光材料15可为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物。
在本实施例中，该封装体62的厚度由正对发光二极管芯片61的中央向该封装体62周缘逐渐减小。由于发光二极管芯片61正上方的部分封装体62会接受较多的光线，而发光二极管芯片61侧面的部分封装体62接受较少的光则，因此光线通过不同厚度的玻璃封装体62会因为折射率不同的而改变射出方向，本实施例的封装体62的结构能够使得发光二极管芯片61发出的光线的均匀地射出封装体62。
图23所示为本发明在第十实施例的发光二极管。与第九实施例的发光二极管相比，不同之处在于：在第十实施例中，封装体72的厚度均一。由于封装体72的厚度均一，荧光材料15亦可均匀涂布在封装体上且涂布方式如第九实施例所述，此时发光二极管芯片61发出的各个方向的光在该封装体72内的行走路程相同，当发光二极管产生的光照射在一平面上时，不会有内圈和外圈色度不均的问题，即不会产生光圈，或成品间不会有色度差距较大之问题。
图24所示为本发明在第十一实施例的发光二极管，其包括一基板80、贴设在该基板80上的二发光二极管芯片81及分别封罩在该二发光二极管芯片81上的二封装体82。所述发光二极管芯片81可以发出短波长之光线，其波长范围为330～450nm。所述基板80为一种硅基板，采用硅或硅的化合物等材料制成。该基板80具有一第一表面801及与该第一表面801相对的一第二表面802。所述二发光二极管芯片81设置于第一、第二表面801，802上。该第一表面801向下凹陷形成有一凹槽804。该凹槽804呈环状，并围绕所述发光二极管芯片81设置。同样，所述第二表面802向上凹陷形成有另一凹槽804，该凹槽804呈环状，并围绕另一发光二极管芯片81设置。该二凹槽804关于所述基板80呈对称设置。
上述封装体82为一中空的半球体，其底/顶部824具有一开口。该封装体82的底/顶部824呈环状。所述二封装体82的底/顶部824分别对应卡置于基板80第一、第二表面801，802的凹槽804内，进而与基板80配合封置所述二发光二极管芯片81。所述凹槽804在外形、尺寸上与封装体82的底/顶部824相对应一致。所述二封装体82分别盖置于发光二极管芯片81的正上/下方，并向远离发光二极管81芯片的方向拱起。该二封装体82同样关于基板80呈对称设置。
所述封装体82具有一供发光二极管芯片81发出的光线射入该封装体82的入光面820及一供发光二极管芯片81发出的光线射出该封装体82的出光面822。该封装体82采用玻璃材料，其入光面820为该封装体82的内壁曲面，而相对设置的出光面822为该封装体82的外壁曲面。该封装体82同样可以通过与荧光材料15配合工作。如下列方式：(1)将与荧光材料15均匀扩散于封装体82内部；(2)在封装体82的中部即入、出光面820，822之间形成一荧光材料15的夹层，使得发光二极管芯片81发出的光线依次经过入光面820、荧光材料15、出光面822而射出该封装体82；(3)将荧光材料15涂布于封装体82的入光面820上；(4)将荧光材料15涂布于封装体82的出光面822上；(5)将荧光材料15分别涂布于封装体82的入、出光面820，822上。另外，也可将荧光材料15直接涂布于发光二极管芯片81的出光面上使用。
在本实施例中，该封装体82的厚度由正对发光二极管芯片81的中央向该封装体82周缘逐渐减小。由于发光二极管芯片81正上方的部分封装体82会接受较多的光线，而发光二极管芯片81侧面的部分封装体82接受较少的光则，因此光线通过不同厚度的玻璃封装体82会因为折射率不同的而改变射出方向，本实施例的封装体82的结构能够使得发光二极管芯片81发出的光线的均匀地射出封装体82。
图25所示为本发明在第十二实施例的发光二极管。与第十一实施例的发光二极管相比，不同之处在于：在第十二实施例中，封装体82a的厚度均一。
制作本发明的发光二极管时，先在基板的第一或第二表面上蚀刻出所述凹陷部、台阶部或者凹槽结构，再将所述发光二极管芯片固定在基板上，最后将所述封装体盖置于台阶部上或卡置于凹槽内，并在封装体与基板接合处以点胶方式封装。也可在安装封装体前，先点胶至台阶部上或凹槽内，再将所述封装体盖置于台阶部上或卡置于凹槽内，最后在封装体与基板接合处再以点胶方式封装，以达到更好的封装效果。
与现有技术相比，本发明的发光二极管通过以台阶部承载或凹槽卡置所述封装体的方式固定安装该封装体，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，使得封装体不易受发光二极管芯片工作时散发的热量影响。该封装体采用玻璃制成，具有较好的耐黄变性能，适合供发出紫外光或近紫外光等各种短波长光线的发光二极管使用，同时可适用于其它高功率之可见光发光二极管使用。另外，基板的第一、第二表面上均装置有发光二极管芯片，可设计成前后相串、并联电路，应用更为广泛。另外，荧光粉均匀形成于封装体的表面，可以避免紫外光外漏而造成对人体的伤害。本发明的发光二极管的硅基板与玻璃封装体结构适用于发光二极管芯片发出短波长光线或高功率的工作环境。
Claims (16)
1.一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，所述发光二极管芯片容置于该容置空间内。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述发光二极管还包括一稳压二极体设置于第一表面上、并与所述发光二极管芯片电性相连。
3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第一表面向下凹陷形成有一碗状凹陷部，所述发光二极管芯片容置于该凹陷部内，该硅基板的第一表面上沿凹陷部的开口处周缘向下凹陷形成一台阶部，所述玻璃封装体承载于该台阶部上，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。
5.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体呈板状、球形拱状体、椭球形拱状体或长条拱形体。
6.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体的入、出光面为平面、波浪面或拱形曲面。
7.如权利要求3所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第二表面向上凹陷形成有另一碗状凹陷部，所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片容置于该凹陷部内，该硅基板的第二表面上沿凹陷部的开口处周缘向上凹陷形成一台阶部，所述发光二极管还包括另一玻璃封装体承载于该台阶部上，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
8.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述硅基板上形成有贯通孔连通所述二凹陷部，其中该第一表面之凹陷部包含一电极结构，并且所述电极结构自该第一表面通过该贯通孔延伸至该第二表面之凹陷部。
9.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该第一表面向下凹陷形成有一环状凹槽，该凹槽围绕所述发光二极管芯片设置，所述玻璃封装体具有一开口部，该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的凹槽内，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
10.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第二表面向上凹陷形成有另一环状凹槽，所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片装置于第二表面上，该另一凹槽围绕另一发光二极管芯片设置，所述发光二极管还包括另一中空玻璃封装体，该另一中空玻璃封装体具有一开口部，该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的另一凹槽内以与该硅基板配合封置另一发光二极管芯片。
11.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。
12.如权利要求11所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体的入、出光面均为曲面，且该玻璃封装体的入、出光面均沿远离发光二极管芯片的方向向外拱起。
13.如权利要求12所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体的厚度由正对发光二极管芯片的中央向该玻璃封装体周缘逐渐减小或该玻璃封装体的厚度均一。
14.如权利要求3或9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述玻璃封装体包含均匀的荧光材料，其中所述荧光材料为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类(silicate)、砷化物、硒化物以及碲化物中的至少一种。
15.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片所发出的光线的波长范围在330～450纳米之间。
16.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片与所述玻璃封装体之间存在间隙。
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