CN112563382A - 白光发光二极管结构及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 9
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 6
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 8
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000510672 Cuminum Species 0.000 description 1
- 235000007129 Cuminum cyminum Nutrition 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
本发明是关于一种白光发光二极管结构及其制造方法,白光发光二极管结构包含一基座,具有一容置槽与一开口;一发光二极管晶片,设置于容置槽底部;一封装胶体,填充于该容置槽并包覆该发光二极管晶片;一荧光玻璃,盖设于基座的开口;其中封装胶体包含第一荧光粉材料与硅胶材料,且荧光玻璃是将玻璃粉与第二荧光粉材料混合,经低温烧结所获得;本发明的白光发光二极管结构在可见光波段具有连续且平坦的光谱。
Description
技术领域
本发明是关于一种白光发光二极管结构及其制造方法,在可见光波段具有连续且平坦的光谱。
背景技术
发光二极管(Light-emitting diode,简称LED)是一种能发光的半导体电子元件,能将电能转化成光能;目前制作白光发光二极管的方法包含利用蓝光发光二极管晶粒激发包含黄色荧光材料的封装胶或荧光玻璃,黄色荧光材料被蓝光激发后会发出黄光,黄光再与未被吸收的蓝光混合并互补形成白光,例如中国台湾地区专利第TW I396303(B)号发明专利,为具荧光粉的基板与白光LED光源元件的制造方法,具荧光粉的基板的制造方法包括将荧光粉与助熔剂均匀混合并覆烧以形成一半熔状的玻璃体,将玻璃体研磨成荧光粉体并涂布于一基板上,以及加热荧光粉体使其成为荧光膜,荧光膜受到蓝光LED晶粒的激发后,便会发出白色光;但此方法所产生的白光色温偏高,且因发光的红光光谱较弱以至于演色性较差,平均演色性指数(color rendering index,CRI)较低。
又,另一种制作白光发光二极管的方法,是将多色的荧光粉添加于发光二极管的封装胶中,例如在透明封装胶内混合一定比例的蓝色荧光粉、绿色荧光粉或红色荧光粉,且经由蓝光发光二极管晶粒激发之后,以产生白光;例如中国专利第 CN109659420(A)号专利公开案为一种高显色、宽光谱的白光LED光源,揭露在硅胶内混合蓝绿荧光粉、多种不同波峰的绿荧光粉以及红荧光粉,以获得一LED荧光胶;但是此种白光发光二极管,发光效率较不足,且封装胶或是荧光胶具有易老化的缺失。
发明内容
今,发明人有鉴于现有白光发光二极管仍有不足之处,于是乃一本孜孜不倦的精神,并通过其丰富专业知识及多年的实务经验所辅佐,而加以改善,并据此研创出本发明。
本发明是关于一种白光发光二极管结构及其制造方法,白光发光二极管结构发出的白光在可见光波段具有连续且平坦的光谱。
本发明的白光发光二极管结构包含一基座,一第一电极与一第二电极,一发光二极管晶片,一封装胶体以及一荧光玻璃;基座包含一容置槽与一开口;第一电极与第二电极设置于容置槽中,发光二极管晶片放置于容置槽中,并电连接于第一电极与第二电极;封装胶体填充于容置槽中,并包覆发光二极管晶片,封装胶体包含一第一荧光粉材料以及硅胶材料;以及荧光玻璃盖设于容置槽的开口,且荧光玻璃是将一玻璃粉与一第二荧光粉材料经由一低温烧结步骤所制得。
本发明白光发光二极管结构的制造方法包含:步骤一,将一发光二极管晶片固定于一基座的一容置槽底部,并将该发光二极管晶片电连接于第一电极与第二电极,其中基座设有一开口;步骤二,将一封装胶体填充到基座的容置槽内,并包覆发光二极管晶片,其中封装胶体包含硅胶材料与第一荧光粉材料;以及步骤三,将一荧光玻璃盖设于基座的开口,其中荧光玻璃是将玻璃粉与第二荧光粉材料经由一低温烧结步骤所制得。
于本发明的一实施例中,发光二极管晶片为蓝光发光二极管晶片。
于本发明的一实施例中,封装胶体包含10~30wt%的第一荧光粉材料与剩余百分比的硅胶材料。
于本发明的一实施例中,第一荧光粉材料包含一绿色荧光粉,一青色荧光粉以及一红色荧光粉。
于本发明的一实施例中,第一荧光粉材料包含10wt%绿色荧光粉,3wt%青色荧光粉以及0.8wt%红色荧光粉。
于本发明的一实施例中,绿色荧光粉的峰值波长为515nm,平均粒径大小为12 nm,该青色荧光粉的青色荧光粉的峰值波长为495nm,平均粒径大小为20nm,以及该红色荧光粉的峰值为波长660nm,平均粒径大小为14nm。
于本发明的一实施例中,第二荧光粉材料为一钇铝石榴石(YAG)荧光粉材料。
于本发明的一实施例中,白光发光二极管的光输出通量为100~150流明,相对色温为4000~4500K,显色指数(CRI)的R9大于70,且平均演色性指数(Ra)大于90。
藉此,本发明的白光发光二极管结构及其制造方法,通过同时使用封装胶体以及荧光玻璃,且利用最佳比例的荧光材料组合,以制造出在可见光波段具有连续且平坦光谱的白光发光二极管结构。
附图说明
图1:本发明白光发光二极管结构的剖面图。
图2:本发明白光发光二极管结构的制作流程图。
图3:本发明含有不同比例的绿色荧光粉的封装胶体的发光二极管的可见光光谱分析图。
图4:本发明含有10wt%绿色荧光粉与不同比例的青色荧光粉的封装胶体的发光二极管的可见光光谱分析图。
图5:本发明含有10wt%绿色荧光粉、3wt%青色荧光粉与不同比例的红色荧光粉的封装胶体的发光二极管的可见光光谱分析图。
图6:本发明含有10wt%绿色荧光粉、3wt%青色荧光粉与0.8wt%荧光粉的封装胶体的发光二极管的可见光光谱分析图。
附图标号
1 基座
11 容置槽
12 开口
2 第一电极
3 第二电极
4 发光二极管晶片
41 银胶
5 封装胶体
51 绿色荧光粉
52 青色荧光粉
53 红色荧光粉
6 荧光玻璃
7 导电金属线
具体实施方式
本发明的目的及其结构功能上的优点,将依据以下图面所示,配合具体实施例予以说明,俾使审查委员能对本发明有更深入且具体的了解。
本发明是关于一种白光发光二极管结构及其制造方法,白光发光二极管结构在可见光波段具有连续且平坦的光谱。
请参阅图1,本发明的白光发光二极管结构包含一基座1,一第一电极2,一第二电极3,一发光二极管晶片4,一封装胶体5以及一荧光玻璃6。基座1包含一容置槽11与一开口12,第一电极2与第二电极3设置于容置槽11底部,发光二极管晶片4亦设置于容置槽11底部,并与第一电极2与第二电极3电连接;封装胶体5 填充于容置槽11内,并包覆住第一电极2、第二电极3以及发光二极管晶片4,封装胶体5包含第一荧光粉材料与硅胶,第一荧光粉材料中又包含绿色荧光粉51、青色荧光粉52与红色荧光粉53;荧光玻璃6盖设并固定于基座1的开口12,其中荧光玻璃6是将一玻璃粉与一第二荧光粉材料经由低温烧结步骤所制得。
此外,通过下述具体实施例,可进一步证明本发明可实际应用的范围,但不意欲以任何形式限制本发明的范围。
一、白光发光二极管结构的制造
(一)、荧光玻璃制造
本发明所使用的荧光玻璃,是将玻璃粉与钇铝石榴石(YAG)荧光粉以重量比 87:13的比例混匀,经过机器挤压之后,以650℃的温度进行烧结,以制成荧光碇;将荧光碇进一步进行切片、研磨并抛光,最后再利用激光切割的技术,将其切割成所需要的大小,本实施例中,所切割的大小为5×5mm2。
(二)、白光发光二极管结构制造
请一并参见图1与图2,先将第一电极2与第二电极3固设于基座1的底部,其中第一电极2与第二电极3为相反的电极,例如第一电极2为正极(anode)时,第二电极3便为负极(cathode);将发光二极管晶片4利用银胶41固定于第一电极2或第二电极3上,本实施例中,发光二极管晶片4以银胶41固定于第二电极3上;接着,将发光二极管晶片4连接上导电金属线7,例如导电金线,并对应连接到第一电极2,以使发光二极管晶片4、第一电极2与第二电极3电连接;接着,配制封装胶体5,本发明所使用的封装胶体5中包含硅胶(silicone)与10~30wt%的第一荧光粉材料,将第一荧光粉材料与硅胶均匀混合后以获得封装胶体5,再把封装胶体5填充至底座1 的容置槽11中,例如以点胶的方式注入容置槽11,再将封装胶体5以150℃作用4 小时,以烘干封装胶体5;最后,再将以玻璃粉与钇铝石榴石(YAG)荧光粉制备的荧光玻璃6覆盖并固定于底座1的开口12,以完成本发明白光发光二极管结构。
本实施例所使用的发光二极管晶片4为氮化铟镓(InGaN)蓝光发光二极管晶片,尺寸为45×45mm2,所发出的可见光主波长为460nm的蓝光,操作电流为350mA;本发明利用发光二极管晶片4发出的蓝光激发封装胶体5中的第一荧光粉材料,以及荧光玻璃6中的YAG荧光粉,以产生白光。
(三)、第一荧光粉材料
(1)绿色荧光粉
此试验测试以含有10wt%、15wt%或20wt%绿色荧光粉的封装胶体,所制备的白光发光二极管结构的发光光谱,所使用的绿色荧光粉峰值波长为515nm,平均粒径大小为12nm,可为但不限于铝酸盐(Aluminates)荧光粉材料;请参见图3,以含有绿色荧光粉(GreenP)封装胶体制成的白光发光二极管结构,发出的光谱具有两个明显的波峰,第一个波峰的主峰落在460nm,第二个波峰主峰落在约550nm;又,以加入10wt%绿色荧光粉(GreenP)的组别,第一波峰的强度较强,故后续便使用加入10 wt%绿色荧光粉(GreenP)的封装胶体。
(2)青色荧光粉
本试验使用包含0.5wt%、1.0wt%与3wt%的青色荧光粉,与10wt%绿色荧光粉的封装胶体,所制备的白光发光二极管结构的光谱;此实施例所使用的青色荧光粉的峰值波长为495nm,平均粒径大小为20nm,可为但不限于氧化氮(Nitrogen oxides, NOX)材料;请参见图4,0.5wt%青色荧光粉(CyanP)组以及1.0wt%青色荧光粉(CyanP) 组,所发出的光谱图具有两个波峰,第一个波峰主峰落在460nm,第二个波峰约为 550nm;加入3wt%青色荧光粉(CyanP)组,其主要波峰范围介于500~600nm之间,且具有一较平坦的光谱,故选择含有10wt%绿色荧光粉(GreenP)以及3wt%青色荧光粉(CyanP)的封装胶体,继续进行以下的试验。
(3)红色荧光粉
本试验使用包含0.5wt%、0.8wt%以及1wt%的红色荧光粉,与10wt%绿色荧光粉以及3wt%青色荧光粉的封装胶体,制备的白光发光二极管结构的光谱;本实施例所使用的红色荧光粉的峰值为波长660nm,平均粒径大小为14nm,可为但不限于氮化物(Nitride)材料;请参见图5与图6,虽然添加0.5wt%、0.8wt%以及1wt%红色荧光粉(RedP)的三组,其发光的波峰范围都有扩大的趋势,但以添加0.8wt%红色荧光粉(RedP)组,其在可见光范围,发光强度较一致,且具有连续且平坦的发光光谱,可见光的波段色域广,为较佳的添加比例。
本实施例制得的白光发光二极管结构,尺寸为5×5mm2,光输出通量为104.3 流明(lm),色温为4200K,属于暖白光;另,本实施例制得的白光发光二极管结构,显色指数(CRI)的R9为73,且平均演色性指数(Ra)为90.9。
由上述的实施说明可知,本发明具有以下优点:
1.本发明的白光发光二极管结构,同时具有含有荧光粉的封装胶体以及荧光玻璃,且封装胶体与荧光玻璃中包含了不同种类的荧光粉,因此发出来的白光显色能力佳,且具有宽广的色域范围。
2.本发明的白光发光二极管结构,封装胶体中同时加入绿色荧光粉、青色荧光粉以及红色荧光粉,搭配蓝光发光二极管晶片的光谱,于可见光波段范围具有连续且平坦的光谱。
3.本发明的白光发光二极管结构所使用的荧光玻璃,是将玻璃粉与荧光粉混合后低温烧结制成,能有效避免荧光粉沉淀的缺失,以达到较好的空间光色分布均匀性。
Claims (10)
1.一种白光发光二极管结构,其特征在于,包含:
一基座,具有一容置槽以及一开口;
一第一电极与一第二电极,设置于该容置槽内;
一发光二极管晶片,设置于该容置槽内并电连接该第一电极与该第二电极;
一封装胶体,填充于该容置槽并包覆该发光二极管晶片,其中该封装胶体包含一硅胶材料与一第一荧光粉材料;以及
一荧光玻璃,盖设于该基座的该开口,其中该荧光玻璃是将一玻璃粉与一第二荧光粉材料经由一烧结步骤所制得。
2.如权利要求1所述的白光发光二极管结构,其特征在于,该封装胶体包含10~30wt%的该第一荧光粉材料与剩余百分比的该硅胶材料。
3.如权利要求2所述的白光发光二极管结构,其特征在于,该第一荧光粉材料包含一绿色荧光粉,一青色荧光粉以及一红色荧光粉。
4.如权利要求3所述的白光发光二极管结构,其特征在于,该第一荧光粉材料包含10wt%绿色荧光粉,3wt%青色荧光粉以及0.8wt%红色荧光粉。
5.如权利要求3所述的白光发光二极管结构,其特征在于,该绿色荧光粉的峰值波长为515nm,平均粒径大小为12nm,该青色荧光粉的青色荧光粉的峰值波长为495nm,平均粒径大小为20nm,以及该红色荧光粉的峰值为波长660nm,平均粒径大小为14nm。
6.如权利要求1所述的白光发光二极管结构,其特征在于,该荧光玻璃的该第二荧光粉材料为一钇铝石榴石荧光粉材料。
7.如权利要求1所述的白光发光二极管结构,其特征在于,其光输出通量为100~150流明,相对色温为4000~4500K,显色指数的R9大于70,且平均演色性指数大于90。
8.一种白光发光二极管结构的制造方法,其特征在于,包含:
步骤一:将一发光二极管晶片固定于一基座的一容置槽底部,并将该发光二极管晶片电连接于一第一电极与一第二电极,其中该基座设有一开口;
步骤二:将一封装胶体填充到该基座的该容置槽内,并包覆该发光二极管晶片,其中该封装胶体包含一硅胶材料与一第一荧光粉材料;以及
步骤三:将一荧光玻璃盖设于该基座的该开口,其中该荧光玻璃是将一玻璃粉与一第二荧光粉材料经由一烧结步骤所制得。
9.如权利要求8所述的白光发光二极管结构的制造方法,其特征在于,该封装胶体的该第一荧光粉材料包含一绿色荧光粉,一青色荧光粉以及一红色荧光粉,且该荧光玻璃的该第二荧光粉材料为一钇铝石榴石荧光粉材料。
10.如权利要求9所述的白光发光二极管结构的制造方法,其特征在于,该第一荧光粉材料包含10wt%绿色荧光粉,3wt%青色荧光粉以及0.8wt%红色荧光粉,且该绿色荧光粉的峰值波长为515nm,平均粒径大小为12nm,该青色荧光粉的青色荧光粉的峰值波长为495nm,平均粒径大小为20nm,以及该红色荧光粉的峰值为波长660nm,平均粒径大小为14nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910910487.XA CN112563382A (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 白光发光二极管结构及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910910487.XA CN112563382A (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 白光发光二极管结构及其制造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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CN112563382A true CN112563382A (zh) | 2021-03-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201910910487.XA Pending CN112563382A (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 白光发光二极管结构及其制造方法 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN112563382A (zh) |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101123286A (zh) * | 2006-08-09 | 2008-02-13 | 刘胜 | 发光二极管封装结构和方法 |
CN101222010A (zh) * | 2007-01-11 | 2008-07-16 | 采钰科技股份有限公司 | 光电元件封装结构及其封装方法 |
CN201303008Y (zh) * | 2008-11-07 | 2009-09-02 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
US20100090235A1 (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-15 | Wei-Ko Wang | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
CN101881420A (zh) * | 2009-06-08 | 2010-11-10 | 李欣洋 | 一种使用具有透明基材的荧光转换装置的led光源 |
CN102222665A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-10-19 | 符建 | 带薄型复眼透镜的集成led模块 |
CN102244178A (zh) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的封装结构 |
CN102487117A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 矽品精密工业股份有限公司 | 透光盖板及其制法及发光二极管的封装结构 |
CN103189326A (zh) * | 2010-10-28 | 2013-07-03 | 康宁股份有限公司 | 用于led照明应用的含磷光体玻璃料材料 |
CN104505456A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 福建中科芯源光电科技有限公司 | 一种散热良好的大功率白光led及其制造方法 |
JP2016119454A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法 |
CN105762144A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-07-13 | 杜军 | 一种全光谱高显色性led发白光器件及其制作方法 |
CN105870306A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-17 | 浙江明辉发光科技有限公司 | 一种集成封装长余辉led发光芯片及其制作方法 |
CN106410016A (zh) * | 2015-02-02 | 2017-02-15 | 费罗公司 | 用于光学应用的玻璃组合物和玻璃料复合物 |
CN107248547A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-10-13 | 鸿宝科技股份有限公司 | 一种大功率led芯片集成封装结构及其封装方法 |
CN107565006A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 合肥工业大学 | 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具 |
CN108899311A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-27 | 朗昭创新控股(深圳)有限公司 | 一种led光源制造方法 |
CN109728154A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-07 | 华中科技大学 | 一种全无机白光led封装结构及其制备方法 |
CN109904300A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-06-18 | 索罗紫光(上海)科技有限公司 | 一种车灯光源器件和车灯模组 |
-
2019
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Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101123286A (zh) * | 2006-08-09 | 2008-02-13 | 刘胜 | 发光二极管封装结构和方法 |
CN101222010A (zh) * | 2007-01-11 | 2008-07-16 | 采钰科技股份有限公司 | 光电元件封装结构及其封装方法 |
US20100090235A1 (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-15 | Wei-Ko Wang | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
CN201303008Y (zh) * | 2008-11-07 | 2009-09-02 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
CN101881420A (zh) * | 2009-06-08 | 2010-11-10 | 李欣洋 | 一种使用具有透明基材的荧光转换装置的led光源 |
CN102244178A (zh) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的封装结构 |
CN103189326A (zh) * | 2010-10-28 | 2013-07-03 | 康宁股份有限公司 | 用于led照明应用的含磷光体玻璃料材料 |
CN102487117A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 矽品精密工业股份有限公司 | 透光盖板及其制法及发光二极管的封装结构 |
CN102222665A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-10-19 | 符建 | 带薄型复眼透镜的集成led模块 |
CN104505456A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 福建中科芯源光电科技有限公司 | 一种散热良好的大功率白光led及其制造方法 |
JP2016119454A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法 |
CN106410016A (zh) * | 2015-02-02 | 2017-02-15 | 费罗公司 | 用于光学应用的玻璃组合物和玻璃料复合物 |
CN105762144A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-07-13 | 杜军 | 一种全光谱高显色性led发白光器件及其制作方法 |
CN105870306A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-17 | 浙江明辉发光科技有限公司 | 一种集成封装长余辉led发光芯片及其制作方法 |
CN107248547A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-10-13 | 鸿宝科技股份有限公司 | 一种大功率led芯片集成封装结构及其封装方法 |
CN107565006A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 合肥工业大学 | 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具 |
CN108899311A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-27 | 朗昭创新控股(深圳)有限公司 | 一种led光源制造方法 |
CN109728154A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-07 | 华中科技大学 | 一种全无机白光led封装结构及其制备方法 |
CN109904300A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-06-18 | 索罗紫光(上海)科技有限公司 | 一种车灯光源器件和车灯模组 |
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PB01 | Publication | ||
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