KR20100066397A - 반도체 발광장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 휘도를 유지하면서 와이어 단선의 발생을 억제한 품질 및 신뢰성이 높은 반도체 발광장치를 제공한다. 또한, 이와 같은 반도체 발광장치의 수율이 높은 제조방법을 제공한다.
밀봉재에 혼합하는 광반사성 필러의 농도를, 소정 이상의 광속을 유지할 수 있고 와이어 단선이 발생할 가능성이 낮은 범위의 것으로 한다. 또한, 그 범위에 있어서, 여러 농도의 밀봉재를 준비하고, 광반사성 필러의 농도에 의해 색도가 이동하는 것을 이용하여, 제조시에 반도체 발광소자의 색도에 따른 농도의 밀봉재를 이용하여 색도의 편차를 제조시에 억제한다.
반도체 발광장치

Description

반도체 발광장치 및 그 제조방법{Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing thereof}
본 발명은 반도체 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자를 수지밀봉하여 형성되는 반도체 발광장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
서브마운트 기판 위에 반도체 발광소자를 탑재한 표면실장형 반도체 발광장치(발광 다이오드)에 있어서, 본딩와이어 등의 부재를 수지제 밀봉재로 보호한 것이 알려져 있다(예를 들어, 일본특허공개공보 제2005-26401호 참조). 일본특허공개공보 제2005-26401호에 기재된 기술에서는, 휘도 저하를 방지하기 위하여 밀봉재에 반사층용 재료로서의 역할을 부여하는 것이 제안되어 있다. 구체적으로는, 밀봉재 수지에 필러로서 백색 산화티탄(TiO2)을 혼입하여, 밀봉재의 내측에 있는 반도체 발광소자로부터의 조사광을 반사하여 광을 유효하게 이용하고 있다.
밀봉재에 의해 반사율을 향상시키고 휘도를 유지하기 위해서는, 밀봉재 안의 산화티탄의 함유량이 많은 것이 좋다. 하지만, 산화티탄의 함유량이 많아지면 많아질수록 밀봉재의 경도(硬度)가 높아져 버린다. 그 결과, 온도 변화 등의 환경 변화에 따른 내부응력이 커지고, 이에 의해 본딩와이어에 대한 영향도 커진다. 따라서, 반사율을 향상시키기 위하여 산화티탄의 함유량을 늘리면, 응력에 의한 와이어 단선의 발생 가능성이 높아진다.
본 발명은 상기 사정에 감안하여 이루어진 것으로서, 높은 휘도를 유지하면서 와이어 단선이 발생하는 것을 억제한 품질 및 신뢰성이 높은 반도체 발광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 더욱이, 이와 같은 반도체 발광장치를 높은 수율로 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 밀봉재에 혼합하는 광반사성 필러의 농도를, 소정 이상의 휘도(광속(光束))를 유지할 수 있고 와이어 단선이 발생할 가능성이 낮은 범위의 것으로 한다. 또한, 그 범위에 있어서, 여러 농도의 필러를 포함하는 복수개의 밀봉재를 준비하고, 광반사성 필러의 농도에 의해 색도(色度)가 이동하는 것을 이용하여, 제조시에 어긋남이 있는 반도체 발광소자의 색도에 따른 농도의 밀봉재를 이용하여 색도의 편차를 제조시에 억제한다.
구체적으로는, 반도체 발광소자; 소정 농도의 파장변환재료를 함유하고, 그 파장변환재료가 상기 반도체 발광소자로부터 출사된 광의 적어도 일부에 의해 여기되어 서로 다른 파장의 광을 냄으로써 파장을 변환하는 파장변환층; 상기 반도체 발광소자와 상기 파장변환층을 실장(實裝)하는 기판; 상기 반도체 발광소자와 기판을 전기적으로 접속하는 본딩와이어; 및 광투과성 수지와 산화티탄을 주성분으로 하는 밀봉재이고, 상기 파장변환층의 측면에 배치되며, 그 산화티탄의 함유량이 0.1~8.0wt%인 밀봉재를 구비하는 반도체 발광장치를 제공한다.
또한, 반도체 발광소자; 소정 농도의 파장변화재료를 함유하고, 그 파장변환재료는 상기 반도체 발광소자로부터 출사된 광의 적어도 일부에 의해 여기되어 서로 다른 파장의 광을 냄으로써 파장을 변환하는 파장변환층; 상기 반도체 발광소자와 상기 파장변환층을 실장하는 기판; 상기 반도체 발광소자와 기판을 전기적으로 접속하는 본딩와이어; 및 광투과성 수지와 산화티탄을 주성분으로 하는 밀봉재를 구비하는 반도체 발광장치의 제조방법으로서, 파장변환층을 설치한 반도체 발광소자의 색도를 측정하는 색도측정단계와, 상기 색도측정단계에서 측정된 색도와 목표로 하는 색도의 차(差)인 색도이동량에 근거하여 상기 밀봉재 안의 산화티탄농도를 결정하는 농도결정단계와, 상기 농도결정단계에서 결정한 산화티탄농도를 가지는 상기 밀봉재를 충전하는 밀봉재충전단계를 구비하는 반도체 발광장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 높은 휘도(광속)를 유지하면서 와이어 단선의 발생을 억제한 품질 및 신뢰성이 높은 반도체 발광장치를 실현할 수 있다. 또한, 이와 같은 반도체 발광장치를 높은 수율로 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 몇가지 실시예를 예시하여 상세히 설명하는데, 본 발명은 이것들로 한정되지 않는다.
<제1 실시예>
본 발명을 적용하는 제1 실시예에 대하여 도면을 이용하여 설명한다. 이하, 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서, 동일한 기능을 가지는 것은 같은 부호를 사용하고 반복되는 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광장치의 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)는, 기판(11)과, 기판(11) 위에 탑재된 보호틀(12)과, 반도체 발광소자(발광 다이오드)(13)와, 반도체 발광소자(13) 주위에 형성되는 파장변환층(14)과, 반도체 발광소자(13)와 파장변환층(14)이 실장되는 서브마운트(15)와, 서브마운트(15)와 기판(11)을 전기적으로 접속하는 본딩와이어(Au 와이어)(16)와, 보호틀(12)의 내부에 충전되는 밀봉재(17)를 구비한다.
기판(11)은 방열성이 높은 재료로 형성되고, 그 표면에는 미리 전극배선패턴(도시하지 않음)이 형성된다. 기판(11)의 재료로는 예를 들어, 세라믹, 실리콘, 글라스 에폭시 등을 들 수 있다.
보호틀(12)은 기판(11) 위에 파장변환층(14)의 윗면과 같은 높이가 되도록 형성된다. 보호틀(12)을 형성하는 재료로는 예를 들어, 세라믹, PPA 수지, 실리콘, 글라스, 코바르(kovar) 등을 들 수 있다.
반도체 발광소자(13)는 예를 들어, 투명 사파이어 기판 위에 발광층이 적층되고, 고반사율 전극이 그 발광층의 표면에 형성된 것이다. 반도체 발광소자(13)는 고반사율 전기측이 서브마운트(15)를 향하도록 하고, 서브마운트(15) 위에 Au 범프(도시하지 않음)를 통하여 플립칩(flip chip) 접속된다. 광은 투명 사파이어 기판측으로부터 추출된다.
파장변환층(14)은 열경화성 실리콘 수지나 에폭시 수지 등의 광투과성 수지에 미립자 형상의 파장변환재료(예를 들어, 형광체)가 소정 농도가 되도록 분산된 것이다. 파장변환층(14)은 형광체에 의해 반도체 발광소자(13)가 출사한 광의 일부(여기광)를 파장변환하여 파장변환광으로 한다. 파장변환광은 반도체 발광소자(13)로부터 출사하여 파장변환층(14)을 그대로 투과한 광과 혼합되고, 파장변환층(14)의 윗면으로부터 출사된다. 예를 들어, 형광체는 반도체 발광소자(13)로부터의 청색광에 의해 여기되어 황색광을 발생하는 재료가 선택된다. 이에 의해, 직접적인 청색광과 파장변환된 황색광이 혼합된 백색광이 반도체 발광장치(10)로부터 출사된다.
서브마운트(15)는 질화 알루미늄, 실리콘이 사용된다. 서브마운트(15)에 대하여 Au 범프에 의해 반도체 발광소자(13)가 플립칩 접합한다. 또한 서브마운트(15)는 Au 와이어(16)에 의해 기판(11)과 접속되고, 이에 의해 기판(11)과 반도체 발광소자(13)를 전기적으로 접속한다. Au 와이어(16)는 도 1에 나타내는 바와 같이 밀봉재(17) 안에 들어가도록 배치하는 것이 바람직하다. 그 이유는 밀봉 재(17)와 파장변환층(14)의 두층을 걸치도록 배치하면, 가는 Au 와이어(16)가 열팽창이 다른 두층의 영향을 받아서 단선될 위험이 있기 때문이다. 또한, 파장변환층(14) 안에 배치하는 경우에는, Au 와이어(16)에 의해 반사되어 글레어광(glare light)이 발생한다. 이 경우에 비하여 밀봉재(17) 안에 배치하는 편이 글레어광의 발생을 줄여서 바람직하다.
본 실시예의 밀봉재(17)는 파장변환층(14)의 측면 전체둘레를 덮도록 보호틀(12) 안에 충전된다. 밀봉재(17)는 수지재료를 주성분으로 한 것으로, 예를 들어 실리콘 수지를 바인더로 하고, 광반사성 필러로서 산화티탄 TiO2를 소정 농도가 되도록 혼합분산한 것을 이용한다. 본 실시예에서는 후술하는 바와 같이 수지재료에 혼합분산시키는 광반사성 재료의 비율이 1할에도 미치지 않도록 하고 있다. 따라서, 밀봉재(17) 안의 광반사성 재료가 존재하지 않는 수지부분(바인더)에도 반도체 발광소자(13)로부터 출사한 광 및/또는 파장변환광 성분이 도달한다. 그래서, 밀봉재의 수지재료(바인더)로서는 이 광들을 완전히 흡수하지 않고 투과하는 성질을 가지는 것을 이용한다.
광반사성 필러로서의 산화티탄 TiO2의 농도는 0.1~8.0wt%가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1wt% 근방이고, 더욱이 0.5~2.0wt%가 바람직하다. 이 범위이면, 밀봉재(17) 자체로 원하는 반사율을 가지고, 더욱이 바람직한 조사 휘도(광속)를 유지할 수 있다. 또한 바인더 수지에 대하여 바람직한 농도로 필러를 함유하기 때문에, 경화한 밀봉재(17)가 적당한 탄성율을 가진다. 이 때문에, 사용시의 온도 변 화 등에 기인하여 밀봉재(17)에 발생하는 내부응력을 적절히 흡수할 수 있으며, 와이어 단선 등을 방지할 수 있다.
또한, 혼합하는 산화티탄 TiO2의 1차 입자의 평균입경(이후, '입경'이라고 함) D는 1㎛ 이하가 바람직하다. 일반적으로 산화티탄 TiO2는 그 입경(D)이 1㎛ 이하에서 반사(산란) 효과가 있는 것이 알려져 있다. 이는, 입경(D)이 1㎛보다 큰 경우, 바인더 안에서 침강 분산하기 쉽고, 한편 입경(D)이 광의 파장(λ)에 비하여 극도로 작은 경우, 레일리 산란(Rayleigh scattering)이 발생하고, 은폐력이 감소하여 투명도가 증가하기 때문이다. 또한, 산란효과는 광의 파장(λ)의 1/2 부근에서 가장 큰 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 가시광의 경우, 그 파장(λ)은 0.4~0.8㎛(400~800nm)이기 때문에, 입경(D)은 0.2~0.4㎛의 범위가 특히 바람직하다.
또한, 산화티탄 TiO2의 형상은 구(球)형상, 바늘형상, 플레이크(flake) 형상 등을 사용할 수 있다.
한편, 광반사성 필러로서, 산화티탄 TiO2 이외에는, 바인더로서 사용되는 수지의 굴절율(n=1.4~1.5)의 범위 밖의 굴절율을 가지는 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화 알루미늄(굴절율 n=1.56), 산화 마그네슘(굴절율 n=1.74), 황산 바륨(굴절율 n=1.65) 등을 사용하여도 된다. 한편, 상기 산화티탄 TiO2의 굴절율 n은 2.76이다.
이어서, 본 실시예에 따른 반도체 발광장치(10)의 제조방법의 일례를 설명한다. 도 2는 제조방법 흐름도이다.
먼저, 서브마운트(15)의 윗면에 배선패턴을 형성한다(단계 S101). 이어서, 반도체 발광소자(13)의 발광층 표면에 고반사율 전극이 되는 Au 범프를 형성하고(단계 S102), 이것을 이용하여 다이본딩(die bonding)한다(단계 S103). 이에 의해, 서브마운트(15)에 반도체 발광소자(13)를 플립칩 접속한다. 이어서, 파장변환층(14)을 구성하는 재료의 혼합물을 반도체 발광소자(13)의 주위에 디스펜서 도포공법이나 스크린, 스텐실(stencil) 인쇄 공법에 의해 도포한 후, 가열경화시켜서 파장변환층(14)을 형성한다(단계 S104). 그 후, 기계적인 다이싱 등에 의해 개개의 반도체 발광소자(13)마다 서브마운트(15)를 잘라낸다(단계 S105).
이어서, 기판(11)에 열전도성 접착제를 도포하고, 상기 서브마운트를 탑재한다(단계 S106). 그 후, 열전도성 접착제를 경화시키고 기판(11)과 서브마운트(15)를 본딩와이어(16)에 의해 와이어 본딩한다(단계 S107). 이어서, 보호틀(12) 고정용 접착제를 도포하여 보호틀(12)을 기판(11)의 소정 위치에 고정한다(단계 S108). 그 후, 접착제를 경화시킨다. 그리고, 밀봉재(17)를 보호틀(12) 안에 파장변환층(14)의 높이까지 주입하고(단계 S109), 반도체 발광소자(13)를 피복하는 파장변환층(14)과 서브마운트(15)와 본딩와이어(16)를 밀봉한다.
이와 같이 제조되어, 상기 구성을 가지는 반도체 발광장치(10)에 따르면, 상부에서 보았을 경우, 파장변환층(14)의 윗면만 노출된 구성이 된다. 이 때, 파장변환층(14)의 윗면이 밀봉재(17)로 덮여 있지 않기 때문에, 파장변환층(14)의 윗면으 로부터 발한 광은 밀봉재(17)를 투과하지 않고 그대로 출사된다. 이에 의해, 윗면도 덮여 있는 것에 비하여 휘도를 높일 수 있다.
또한, 파장변환층(14)의 측면을 덮도록 산화티탄 TiO2가 혼합된 밀봉재(17)가 배치되어 있다. 이와 같은 밀봉재(17)는 광을 반사시키기 때문에 반도체 발광소자(13)의 측면으로부터의 방사광의 대부분이 위쪽으로 추출된다. 구체적으로는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 발광소자(13)의 측면으로부터 방사된 광(여기광)의 대부분이 밀봉재(17)와의 경계에서 반사되고, 파장변화층(14) 내부로 돌아온다. 그리고, 돌아온 여기광 중 일부는 파장변환층(14)을 투과하여 위쪽으로 출사된다(도 3의 31). 또한, 다른 일부는 파장변환재인 형광체를 여기하여 파장변환광이 되어, 파장변환층(14) 안을 산란하여 위쪽으로 출사된다(도 3의 32). 이와 같이 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에 따르면, 측면 방사광 성분의 대부분이 위쪽으로 추출되어 광손실이 극히 줄어든다.
더욱이, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에 따르면, 밀봉재(17)에서의 산화티탄 TiO2의 농도가 0.1~8.0wt%의 범위로 설정되어 있다. 이에 의해 주성분인 광투과성을 가지는 수지 안으로도 반도체 발광소자(13)의 측면으로부터 방사된 광 및 파장변환광의 일부가 들어올 수 있다. 이에 의해 산화티탄 TiO2의 농도가 높은 경우에 비하여 투과산란율을 높일 수 있다. 또한, 경도를 억제할 수 있으며, 결과적으로 온도 변화 등의 환경 변화에 기인하는 본딩와이어(16)에 대한 응력을 줄일 수 있다. 이 때문에, 휘도를 유지하고 단선이 발생하기 어려운 고품질의 신뢰성 높은 반도체 발광장치를 얻을 수 있다.
여기서, 밀봉재의 산화티탄 TiO2 농도(wt%)를 변화시켰을 경우의 확산반사율의 변화, 전광속유지율(全光束維持率)의 변화, 및 본딩와이어 단선의 발생을 조사하였다. 한편, 전광속유지율이란, 밀봉전의 광속을 1이라고 하였을 경우의 광속이다.
밀봉재의 산화티탄 TiO2 농도(wt%)를 변화시켰을 때의 확산반사율 분포를 도 4에 나타낸다. 도 4에서 가로축은 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2 농도(wt%)를 대수(logarithm)로 나타낸 것이고, 세로축은 확산반사율(%)이다. 여기서는, 두께 0.6mm의 글라스 도막 시료를 사용하고, 산화티탄 TiO2 농도를 0.1~35wt% 사이에서 변화시켜서 각각의 확산반사율(%)을 계측하였다. 혼합하는 산화티탄 TiO2는 구형상이며 1차 입자의 평균입경이 1㎛ 이하인 것을 사용하였다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2 농도가 8~35wt%의 범위이면, 확산반사율에 큰 변화는 없다는 결과를 얻었다.
이어서 밀봉재의 산화티탄 TiO2 농도(wt%)에 의한 전광속유지율 분포를 도 5에 나타낸다. 여기서는, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)를 사용하고, 산화티탄 TiO2 농도를 0.15~34wt% 사이에서 변화시켰다. 혼합하는 산화티탄 TiO2는 구형상이며 1차 입자의 평균입경이 1㎛ 이하인 것을 사용하였다. 도 5에서 가로축은 산화티 탄 TiO2 농도(wt%)를 대수로 나타낸 것이고, 세로축은 전광속유지율이다. 도 5로부터 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2의 농도가 0.1~35wt%인 범위에서는 전광속유지율이 대략 0.95, 그 농도가 0.2~8wt%인 범위에서는 대략 0.965, 그 농도가 0.5~2.0wt%인 범위에서는 대략 0.98이 되는 것을 알 수 있다.
본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서의 밀봉재의 산화티탄 TiO2 농도(wt%)를 바꾸었을 경우의 본딩와이어(Au 와이어)의 단선까지의 사이클의 측정 결과를 도 6에 나타낸다. 도 6에서 가로축은 산화티탄 TiO2 농도, 세로축은 사이클수이다. 여기서는 직경이 50㎛인 본딩와이어(Au 와이어)를 사용하고, 산화티탄 TiO2의 농도를 34wt%, 20wt%, 8wt%로 바꾼 3종의 반도체 발광장치에 대하여, 3분마다 -40℃와 125℃를 번갈아 가하는 열충격(heat shock) 시험을 하였다. 한편, 각각의 산화티탄 TiO2 농도에서의 밀봉재(17)(필러함유수지)의 경도는 각각 42, 33, 28(경도계 타입 A에 의한 측정값)이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 산화티탄 TiO2의 농도가 34wt%에서는 466 사이클에서 단선이 발생하고, 산화티탄 TiO2의 농도 20wt%에서는 740 사이클에서 단선이 발생하며, 산화티탄 TiO2의 농도 8wt%에서는 3000 사이클 후에도 단선이 발생하지 않았다.
이러한 측정결과로부터, 산화티탄 TiO2의 농도가 낮아짐에 따라서 내열충격 성이 높아지는 것을 알 수 있다. 즉, 산화티탄 TiO2의 농도를 낮춤으로써 와이어 단선을 억제할 수 있다. 특히, 산화티탄 TiO2의 농도가 8wt% 이하이면, 더욱 내열충격성이 높고, 와이어 단선을 억제하는 효과가 높은 것을 알 수 있다.
도 5의 전광속유지율 결과로부터, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서의 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2 농도의 범위(0.1~8.0wt%)에서 충분한 광속을 유지할 수 있으며, 휘도를 보호할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 도 6의 열충격 시험 결과로부터, 산화티탄 TiO2 농도가 이 범위에서는 와이어 단선의 가능성도 낮은 것을 알 수 있다.
본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서는, 밀봉재(17)의 경계면에서의 반사를 이용하여 휘도를 높이고 있다. 이 때문에, 도 4의 결과로부터 확산반사율과 경도만 생각하면, 대략 동등한 반사율을 유지할 수 있고 산화티탄 TiO2의 농도가 가장 낮은 8wt% 근방이 가장 바람직하다고 할 수 있다. 하지만, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서는, 파장변환층(14)의 측면만이 반사성 필러(산화티탄 TiO2)를 함유하는 밀봉재(17)에 의해 덮여있다는 특유의 구성을 사용하고 있다. 본 발명의 구성에서는 상기 산화티탄 TiO2 농도의 범위(0.1~8.0wt%) 전반에서 높은 전광속유지율을 나타낸다.
즉, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)의 구성에 따르면, 상술한 바와 같이, 산화티탄 TiO2의 농도가 높은 범위(백색고농도 영역)에서는, 반사율은 높지만 광의 투과산란율이 낮고 광을 밀폐하는 작용이 커진다. 한편, 산화티탄 TiO2의 농도가 중간 정도인 범위나 낮은 범위(백색중간농도 영역, 백색저농도 영역)에서는, 밀봉재(17) 안에서의 광의 투과산란율이 높아진다. 따라서, 파장변환층(14)의 측면으로부터의 입사광을 산란시켜서 외부로 추출하는 작용이 커진다. 따라서, 확산반사율이 떨어지는 산화티탄 TiO2의 농도 8wt% 이하의 범위에서도 반사율과 투과산란율의 작용으로 광속을 유지할 수 있다. 이 때, 산화티탄의 농도 1wt% 근방(0.5~2.0wt%)에서 전광속유지율이 최대가 되는 범위가 있다. 이 범위에서 특히 높은 휘도를 유지할 수 있는 이유는, 밀봉재의 반사율과 투과산란율이 균형을 이루었기 때문이라고 고찰된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서는, 밀봉재(17)의 베이스가 되는 수지에 대한 필러(산화티탄 TiO2)의 농도를 0.1~8.0wt%로 하면, 광속을 유지하면서 와이어 단선의 발생을 억제한 품질 및 신뢰성이 높은 반도체 발광장치를 얻을 수 있다. 밀봉재(17)의 경도로 말하면 30 이하인 것이 바람직하다. 특히, 전광속유지율이 최대가 되는 산화티탄농도 범위가 1wt% 근방(0.5~2.0wt%)이기 때문에, 이 범위이면 더욱 낮은 단선 발생율과 높은 광속유지율을 달성할 수 있다.
더욱이, 본 실시예에 따르면, 파장변환층(14)은 서브마운트(15) 상의 반도체 발광소자(13)의 주위에 배치되고, 본딩와이어(16)는 서브마운트(15) 상의 파장변환층(14)이 형성되어 있는 영역의 바깥쪽에 결선된다. 이 때문에, 광원 크기를 줄일 수 있으며, 차량용 등구 등의 렌즈나 리플렉터 등의 광학부재와 조합하여 광학설계되는 광학장치의 광학계 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 서브마운트(15)와 반도체 발광소자(13)를 전기적으로 접속하였을 때, 서브마운트(15)에 검사장치(도시하지 않음) 프로브(probe) 등을 접촉시킴으로써 반도체 발광소자(13)의 색도 및 휘도를 측정할 수 있게 된다. 즉, 단계 S105와 단계 S106 사이의 공정에서 광학적 특성을 검사하여 규격외품을 조기에 발견할 수 있으며, 전체적으로 비용을 줄일 수 있다.
한편, 상기 실시예에서는 도 1에 나타내는 측면과 위쪽을 파장변환층(14)으로 덮은 페이스다운형 플립칩 소자인 반도체 발광소자(13)를 서브마운트(15)를 통하여 기판에 접속한 구성의 반도체 발광장치(10)를 예로 들어 설명하였는데, 반도체 발광장치(10)의 내부구성은 이 실시예로 한정되지 않는다. 밀봉재(17)에 의해 소자 혹은 소자를 둘러싸는 파장변환층과 본딩와이어가 밀봉되는 구성이라면 본 발명을 적용할 수 있다. 소자의 구성, 서브마운트의 유무, 본딩와이어의 수, 전극패턴이나 본딩와이어의 배치는 적절히 그 목적에 따라 선택된다. 예를 들어, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같은 반도체 발광소자(13)의 발광층을 위를 향하여 배치하는 실장, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같은 서브마운트(15)를 사용하지 않는 실장, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같은 실장이어도 된다. 여기서, 도 7의 (c)는 불투명기판 위에 발광층이 적층된 반도체 발광소자(72)가 발광층을 위를 향하게 하여 세라믹 기판(71) 위에 배치된다. 한편, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같은 불투명 기판을 이용하는 것인 경우, 파장변환층(14)은 반도체 발광소자(13)의 측면에 배치되어 있 지 않아도 된다.
<제2 실시예>
이어서, 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 본 실시예에서는 제1 실시예의 반도체 발광장치(10)에 대하여 더욱 색도의 편차를 억제하고 수율을 높이는 제조방법을 설명한다. 본 실시예에서는, 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2의 농도의 대수에 비례하여 밀봉전의 색도 좌표가 변하는 성질을 이용하여, 제품의 색도 편차에 따른 수율을 개선한다.
도 8은 본 실시예에 따른 반도체 발광장치(10)의 밀봉재(17)의 필러(여기서는 산화티탄 TiO2)의 농도를 바꾸었을 경우의 반도체 발광장치(10)의 색도이동량의 분포를 나타내는 그래프이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 반도체 발광장치(10)는 산화티탄 TiO2의 농도의 대수에 비례하여 밀봉후의 색도좌표가 변한다.
본 실시예에서는 이러한 특성을 이용하여 반도체 발광장치(10)를 제조한다. 본 실시예의 반도체 발광장치(10)의 제조방법도 기본적으로 제1 실시예의 제조방법과 같다. 단, 밀봉재(17)를 주입하기 전에 각 반도체 발광장치(10)의 색도를 측정하고, 목표로 하는 색도와의 차에 근거하여 밀봉재(17)의 필러 농도를 결정하는 공정이 추가된다.
도 9에 본 실시예의 제조방법의 흐름을 나타낸다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 여기서는 도 2에 나타내는 제1 실시예에 따른 제조방법의 단계 S108까지를 실 시한다. 그 후에 준비한 반도체 발광소자(13) 각각의 색도를 측정하고(단계 S201), 각 반도체 발광소자(13)에 대하여 목표로 하는 색도와의 차에 근거하여 충전하는 밀봉재(17)의 필러(산화티탄 TiO2)의 농도를 결정한다(단계 S202). 즉, 본 실시예의 제조방법에서는 이전의 제조방법에 대하여 상기 2가지 공정이 더해진다. 그리고 마지막에 단계 S109에서는 선택한 필러농도의 밀봉재를 주입한다.
한편, 충전하는 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2의 농도는, 목표로 하는 색도와 측정한 색도의 차를 이동량으로 하여, 예를 들어 도 8의 그래프로부터 결정할 수 있다.
실제 제조에서는, 여러 종류의 산화티탄 TiO2 농도의 밀봉재(17)를 미리 준비해두는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제조로트마다 색도의 평균을 산출하고, 각각 목표로 하는 색도로부터의 이동량을 산출한다. 그리고, 도 8의 그래프로부터 결정되는 해당 이동량에 최적인 밀봉재(17)의 산화티탄 TiO2의 농도에 가장 가까운 농도를 가지는 미리 준비한 밀봉재(17)로부터 선택하여, 주입할 밀봉재(17)를 결정한다.
여기서, 일례로서 산화티탄 TiO2의 농도가 0.3wt%, 1.0wt%, 8.0wt%인 3가지 종류의 밀봉재(17)를 미리 준비하고, 9종류의 제조로트마다 각각 최적의 농도를 가지는 밀봉재(17)를 사용하여 반도체 발광장치를 제조하였다. 이 경우의 수율향상 결과를 아래의 표 1에 나타낸다.
Figure 112009075630701-PAT00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 모든 제조로트에서 0.3wt%의 밀봉재(17)를 이용하는 경우의 평균수율은 38.6%이다. 또한, 1.0wt%의 밀봉재(17)를 이용하는 경우의 평균수율은 79.7%이고, 8.0wt%의 밀봉재(17)를 이용하는 경우의 평균수율은 76.3%이다.
한편, 제조로트마다 상술한 순서로 결정한 최적의 농도를 가지는 밀봉재(17)를 사용하였을 경우, 즉 No.1~No.4 제조로트에서는 농도 1.0wt%의 밀봉재(17)를, No.5~No.9 제조로트에서는 8.0wt%의 밀봉재(17)를 사용하였을 경우, 평균수율은 92.2%로 향상되었다.
한편, 색도가 밀봉재(17)의 반사율 즉, 산화티탄농도에 따라 이동하는 이유는 아래와 같을 것으로 생각된다. 본 실시예의 반도체 발광장치(10)에서는, 제1 실시예의 도 3에서 설명한 바와 같이, 반도체 발광소자(13)의 측면으로부터 방사되는 광의 대부분이 밀봉재(17)의 경계면에서 반사되어 파장변환층(14) 내부로 되돌아오고, 파장변환층(14) 위쪽으로 출사된다. 이 때, 밀봉재(17)의 반사율에 따라 되돌아오는 여기광의 양이 변하고, 그에 따라 형광체를 여기하여 파장변환광이 되는 여기광의 양도 변한다. 파장변환광은 반도체 발광소자(13)의 방사광과는 다른 색도를 가지기 때문에 색도의 이동량도 변한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 제1 실시예에서 얻어지는 효과와 함께, 색도의 편차라는 점에서 더욱 수율을 높일 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 단계 S108의 보호틀(12)을 고정한 후, 단계 S109의 밀봉재(17)를 주입하기 전에 색도측정(단계 S201) 및 밀봉재(17)의 필러 농도결정(단계 S202)을 하였다. 하지만, 색도측정(단계 S201) 및 농도결정(단계 S202)은 이 타이밍으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 단계 S105의 다이싱과 단계 S106의 탑재 사이, 단계 S106의 탑재와 단계 S107의 와이어본딩 사이 등에 실시하여도 된다. 이 타이밍에 실시하는 경우, 상술한 바와 같이 서브마운트(15)와 반도체 발광소자(13)가 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 서브마운트(15)에 검사장치인 프로브 등을 접촉시킴으로써 반도체 소자(13)의 색도 및 휘도를 측정할 수 있다. 또한, 단계 S107의 와이어 본딩과 단계 S108의 고정 사이에 실시하도록 구성하여도 된다.
도 1은 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치의 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치 제조방법의 흐름도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치의 광의 출사를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 글라스 도막 시료에 의한 확산반사율 분포를 나타내는 도면이다.
도 5는 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치에 의한 전광속유지율 분포를 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치에 의한 열충격 시험 결과를 나타내는 도면이다.
도 7의 (a), (b), (c)는 제1 실시예에 따른 반도체 발광장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8은 제2 실시예에 따른 반도체 발광장치의 색도이동량 분포를 나타내는 도면이다.
도 9는 제2 실시예에 따른 반도체 발광장치 제조방법의 흐름도이다.

Claims (5)

  1. 반도체 발광소자;
    소정 농도의 파장변환재료를 함유하고, 상기 파장변환재료가 상기 반도체 발광소자로부터 출사된 광의 적어도 일부에 의해 여기되어 서로 다른 파장의 광을 냄으로써 파장을 변환하는 파장변환층;
    상기 반도체 발광소자와 상기 파장변환층을 실장하는 기판;
    상기 반도체 발광소자와 기판을 전기적으로 접속하는 본딩와이어; 및
    광투과성 수지와 산화티탄을 주성분으로 하는 밀봉재이고, 상기 파장변환층의 측면에 배치되며, 상기 산화티탄의 함유량은 0.1~8.0wt%인 밀봉재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화티탄의 함유량은 0.5~2.0wt%인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩와이어는 상기 밀봉재 안에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  4. 반도체 발광소자;
    소정 농도의 파장변화재료를 함유하고, 상기 파장변환재료는 상기 반도체 발광소자로부터 출사된 광의 적어도 일부에 의해 여기되어 서로 다른 파장의 광을 냄으로써 파장을 변환하는 파장변환층;
    상기 반도체 발광소자와 상기 파장변환층을 실장하는 기판;
    상기 반도체 발광소자와 기판을 전기적으로 접속하는 본딩와이어; 및
    광투과성 수지와 산화티탄을 주성분으로 하는 밀봉재를 구비하는 반도체 발광장치의 제조방법으로서,
    파장변환층을 설치한 반도체 발광소자의 색도를 측정하는 색도측정단계와,
    상기 색도측정단계에서 측정된 색도와 목표로 하는 색도의 차인 색도이동량에 근거하여 상기 밀봉재 안의 산화티탄농도를 결정하는 농도결정단계와,
    상기 농도결정단계에서 결정한 산화티탄농도를 가지는 상기 밀봉재를 충전하는 밀봉재충전단계를 구비하는 반도체 발광장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 농도결정단계는,
    미리 정해진 상기 색도이동량과 상기 산화티탄농도와의 관계에 근거하여 상기 산화티탄농도를 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치의 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120072629A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2018106070A1 (ko) * 2016-12-08 2018-06-14 안상정 화합물 반도체 광소자
KR20180065619A (ko) * 2016-12-08 2018-06-18 안상정 화합물 반도체 광소자
KR101877410B1 (ko) * 2011-08-01 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9660153B2 (en) 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
JP5396215B2 (ja) * 2009-09-24 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
US9012938B2 (en) * 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
DE102010028407B4 (de) 2010-04-30 2021-01-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
DE102010023955A1 (de) 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010024864B4 (de) * 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010026343A1 (de) * 2010-07-07 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102010026344A1 (de) 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
DE102010027253B4 (de) * 2010-07-15 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102010038396B4 (de) * 2010-07-26 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Leuchtvorrichung damit
DE102010047156A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2012142410A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
DE102011105010A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
DE102011079403A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011080458A1 (de) * 2011-08-04 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
JP6154392B2 (ja) * 2012-02-16 2017-06-28 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよび発光ダイオードを有する照明装置
JP6052952B2 (ja) * 2012-03-22 2016-12-27 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用灯具
JP6064415B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5261742B1 (ja) * 2012-08-13 2013-08-14 株式会社昭和真空 発光装置の製造方法及び発光装置の色度調整方法
JP6192025B2 (ja) 2012-11-28 2017-09-06 エルジー・ケム・リミテッド 発光ダイオード
KR20140096722A (ko) * 2013-01-29 2014-08-06 엘지이노텍 주식회사 램프 유닛
DE102013212928A1 (de) 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2015023219A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
US9532464B2 (en) 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
DE102013214896B4 (de) * 2013-07-30 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement
JP6236999B2 (ja) 2013-08-29 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6244784B2 (ja) * 2013-09-30 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9666771B2 (en) 2014-02-27 2017-05-30 Koninklijke Philips N.V. Method of forming a wavelength converted light emitting device
JP2016066680A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6582382B2 (ja) * 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP5996037B2 (ja) * 2015-05-12 2016-09-21 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US9915859B2 (en) * 2015-06-05 2018-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, light source device using the same, and projection display apparatus
US10559722B2 (en) * 2016-04-26 2020-02-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
DE102016109308B4 (de) 2016-05-20 2024-01-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes bauelement
KR102486308B1 (ko) 2016-06-10 2023-01-10 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이에 대한 코팅방법
JP6279702B2 (ja) * 2016-12-26 2018-02-14 ローム株式会社 発光素子パッケージおよび照明装置
US10753597B1 (en) * 2019-07-29 2020-08-25 Haier Us Appliance Solutions, Inc. Light blocking features for indicator lights in an appliance
JP7283489B2 (ja) * 2021-01-20 2023-05-30 三菱電機株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001177157A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
JP2008270820A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
CA2427559A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting device
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
JP2005286312A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
EP1876654B1 (en) * 2005-04-26 2018-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba White led, and backlight and liquid crystal display device using the same
KR100665222B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US8575632B2 (en) * 2005-08-04 2013-11-05 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member
JP4266234B2 (ja) * 2007-03-29 2009-05-20 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001177157A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
JP2008270820A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120072629A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101877410B1 (ko) * 2011-08-01 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2018106070A1 (ko) * 2016-12-08 2018-06-14 안상정 화합물 반도체 광소자
KR20180065619A (ko) * 2016-12-08 2018-06-18 안상정 화합물 반도체 광소자

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