TW201914060A - 應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提出一發光裝置，包含：覆晶式LED晶片；光致發光結構，設置於LED晶片上；及濕氣阻隔反射結構，覆蓋光致發光結構之側面及LED晶片之立面。光致發光結構包括依序堆疊之第一光致發光層、光透明隔離層、第二光致發光層及光透明濕氣阻隔層。在一較佳實施例中，LED晶片發出藍光，第一光致發光層包含紅色螢光材料，第二光致發光層包含綠色量子點；藉此，第一光致發光層之紅色螢光材料可先將較高能階之藍光部份轉換為較低能階之紅光，降低了照射於綠色量子點之未被轉換的藍光強度，有效避免量子點之光氧化。本發明另提出上述發光裝置之製造方法。

Description

應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法
本發明有關一種晶片級封裝發光裝置及其製造方法，特別關於一種應用綠色量子點材料及紅色螢光粉之晶片級封裝發光裝置及其製造方法。
量子點(quantum dot,QD)材料係為一尺寸為奈米等級的半導體晶體材料，其粒徑尺寸通常介於1奈米至50奈米，在受到高能階之光線照射後，由於量子侷限效應(Quantum confinement effect)，量子點材料可將部分入射光線轉換成另一較低能階之可見光線，故量子點材料可作為一光致發光材料。透過改變量子點材料之粒徑、形狀或材料組成，可使得量子點材料發出不同波長之可見光線，即改變其發光頻譜(spectrum)。
相較於傳統螢光材料，例如釔鋁石榴石(YAG)螢光粉、氮化物(Nitride)或氮氧化物(Oxynitride)螢光粉等，量子點材料的發光頻譜具有明顯較窄的半高寬(Full Width at Half Maximum，FWHM)，因此，使用量子點材料搭配LED晶片構成一LED發光裝置以作為顯示器的背光光源時，可改進顯示器之色彩純度。相較於有機發光二極體(OLED)顯示器所能達到70% BT.2020之色域範圍(Color Gamut)，應用量子點材料之顯示 器在色彩表現上可具有高達90% BT.2020之色域範圍；此外，相較於屬有機材料之OLED，其使用壽命較短，而量子點材料屬無機材料，使用壽命相對較長。另一方面，應用量子點材料之發光裝置可直接取代現有液晶顯示器之背光光源，僅透過光致發光材料之改變即可明顯增加液晶顯示器之色域範圍。
量子點材料搭配LED晶片之發光裝置雖然有上述之優勢，但是實務上仍有些問題待改善或克服。舉例而言，量子點材料的熱穩定性(thermal stability)不佳，在高溫環境(例如大於70℃之環境)下，其效能將明顯衰減。因此，LED晶片運作時所產生之熱能可能使量子點材料之效能大幅衰減。
此外，量子點材料接觸到空氣中的水氣或氧氣時，表面易被氧化而形成氧化物，導致量子點材料的發光強度下降，因此，使用量子點材料之發光裝置需具有良好的溼氣阻隔保護，才能使外界之水氣及氧氣不易朝內滲透而接觸量子點材料，以使發光裝置具有較長的使用壽命。
再者，於週遭存在氧氣或水氣的情況下，量子點材料受到較高能階之光線(如紫外光或藍光)激發時，更易產生光氧化(photo-oxidation)現象，造成其發光強度(intensity)的明顯下降及發光頻譜的「藍移(blue shifting)」。具體而言，高能階光線照射於量子點等半導體材料時，由於光電效應(photovoltaic effect)的作用，半導體材料將產生大量電子與電洞，而被激發出之自由電子使半導體材料表面容易將週遭之氧分子解離(dissociation)而形成氧原子與氧離子，促使半導體材料更易與氧反應而形成氧化物；學者Young E.M.於1988年Appl Phys A 47：259-69之論文及學者 Sato S.等於1997年J Appl Phys 81：1518之論文對此電子活化(electron-active)半導體材料之光氧化現象有諸多實驗驗證與描述。因此，量子點材料在高能階光線的照射下，會明顯加速其氧化反應。
同時，量子點表面產生氧化後，將使得量子點材料之有效粒徑縮減，由於較小粒徑之量子點光致發光材料可產生較高能階之轉換光線(即波長較短)，因此量子點材料表面於氧化後將使其發光頻譜朝短波長移動，產生所謂的「藍移(blue shifting)」現象。又，氧化物的產生將增加量子點的結構缺陷(defects)，而此結構缺陷於光電效應作用時，會造成電子與電洞循著非放光模式結合(non-radiative electron-hole recombination)，此非放光之電子電洞結合將以熱能之方式釋放能量，而不會轉換為較低能階之光子，因此量子點材料之光氧化現象亦會造成其發光強度下降，最終使量子點不再發光，此即量子點之光致退色(photobleaching)現象。因此，將量子點材料應用於LED發光裝置時，需防止量子點材料受到過強之較高能階光線所照射，始能避免光氧化現象所造成之光衰減及發光頻譜之藍移。
此外，應用量子點色彩轉換之發光裝置通常需將量子點材料均勻分散於黏合膠材(binder)之中以獲得良好的發光效率。然而，並非量子點材料皆能相容於所有膠材，通常需要先將量子點材料進行表面改質，例如形成配位基(Ligand)，才能將量子點均勻分散於特定膠材中；因此，表面改質、特定膠材之選用及不同膠材之間的製程相容性亦成為實現將量子點材料應用於LED發光裝置之重要技術挑戰。
綜合上述，如何更好地改善或克服上述之任一問題以將量子點材料應用於LED發光裝置，正是目前LED業界待解決的技術課題。
本發明之一目的在於提出一種應用量子點色彩轉換之發光裝置其製造方法，該發光裝置為晶片級封裝發光裝置，使用覆晶式LED晶片，具有低熱阻之散熱途徑以降低LED晶片接面溫度(Junction Temperature)，因此可有效地改善量子點材料的熱衰減現象，降低量子點材料所承受之溫度。
本發明之一目的在於提出一種應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法，該發光裝置具有良好之濕氣阻隔氣密性(hermetic seal)，以減少或避免外界空氣中之水氣與氧氣接觸到量子點材料，可有效地改善量子點材料的氧化現象。
本發明之一目的在於提出一種應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法，將不易光氧化之螢光材料設置於較易光氧化之量子點材料與LED晶片之間，可有效降低入射於量子點材料之高能階光線的光強度，使其不超過量子點材料所能承受者，以改善量子點材料的光氧化現象。
本發明之一目的在於提出一種應用量子點色彩轉換之發光裝置其製造方法，固定螢光材料所需之黏合膠材與固定量子點材料所需之黏合膠材具有不同特性，其膠材固化製程亦不相容，該發光裝置可有效阻隔用於固定量子點材料的高分子材料與用於固定螢光材料的高分子材料，避免兩者製程或材料特性不相容之問題。
為達上述目的，所提出的發光裝置可包含：一覆晶式LED晶片，用以提供一第一光線，該第一光線為一藍光、一深藍光、一紫光或一紫外光；一光致發光結構設置於該覆晶式LED晶片之一上表面上，且包 括一第一光致發光層、一光透明隔離層、一第二光致發光層及一光透明濕氣阻隔層，該光透明隔離層設置於該第一光致發光層上，該第二光致發光層設置於該光透明隔離層上，而該光透明濕氣阻隔層設置於該第二光致發光層上，其中，該第一光致發光層包含一第一高分子材料及混合於該第一高分子材料中之一較低激發能階之螢光材料(例如紅色螢光材料)，而該第二光致發光層包含一第二高分子材料及混合於該第二高分子材料中之一較高激發能階之量子點材料(例如綠色量子點材料)；以及一濕氣阻隔反射結構，覆蓋該光致發光結構之一側面及該覆晶式LED晶片之一立面，且不低於該覆晶式LED晶片之一電極面；其中，該第一光致發光層之該較低激發能階之螢光材料用以將該第一光線(例如藍光)之一部份轉換為一較長波長之可見光線(例如紅光)，使得該未被轉換的第一光線(例如藍光)之光強度減小，以達到不大於該較高激發能階之量子點材料(例如綠色量子點材料)所能承受之光強度。本發明揭露的發光裝置之製造方法可包含：將一光致發光結構與一覆晶式LED晶片相貼合；以及形成一濕氣阻隔反射結構，以覆蓋該光致發光結構之一側面及該覆晶式LED晶片之一立面。
藉此，本發明所提出的發光裝置至少可提供以下有益技術效果：
1、相對於覆晶式LED晶片所在之位置而言，第二光致發光層係設置於第一光致發光層之上方，故覆晶式LED晶片所發出的第一光線的一部份會先被第一光致發光層轉換，減少第一光線照射到第二光致發光層中的較高激發能階之量子點材料(例如綠色量子點材料)的劑量。因此，照射至較高激發能階之量子點材料的第一光線的光強度不大於其所能承受之光強 度，可有效抑制或避免較高激發能階之量子點材料的光氧化現象。
2、發光裝置可不需封裝支架，因此在相同封裝體積之下，可具有較大之發光面積，因此可有效降低照射於量子點材料之藍光單位面積強度，以減少量子點材料之光氧化。
3、光透明濕氣阻隔層及濕氣阻隔反射結構皆具有較低的水氣滲透率，可使外界的水氣及氧氣不易穿透其中而接觸到第二光致發光層中的量子點材料，可有效避免或減少量子點材料的氧化現象。
4、光透明隔離層將第二光致發光層與第一光致發光層相分隔，使兩者不相接觸，換言之，用於膠合較高激發能階之量子點材料的第二高分子材料與用於膠合較低激發能階之螢光材料(例如紅色螢光材料)的第一高分子材料不會相接觸，因此不會相互影響對方的材料特性或製程特性(如固化機制)。
5、相較於採用封裝支架或封裝基板之發光裝置，採用覆晶式LED晶片之晶片級封裝發光裝置具有較低之熱阻，可有效降低LED晶片的接面溫度，且第二光致發光層較遠離覆晶式LED晶片，因此，覆晶式LED晶片所產生之熱能對於量子點材料之影響較小，可減少量子點材料所承受之溫度，例如低於50℃、40℃或30℃，有效改善量子點材料的熱衰減現象。
6、當第一光致發光層所採用之較低激發能階之螢光材料為氟化物螢光材料(即KSF或MGF)時，由於KSF與MGF不被綠光所激發，因此可將較高激發能階之量子點材料所發出較高能階之光線(例如綠光)有效往外散射，故可增加發光裝置之整體光萃取效率。
為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較 佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。
1~3‧‧‧發光裝置
10‧‧‧覆晶式LED晶片、LED晶片
101‧‧‧上表面
102‧‧‧電極面、下表面
103‧‧‧立面
104‧‧‧電極組
20‧‧‧光致發光結構、PL結構
201‧‧‧頂面
202‧‧‧底面
203‧‧‧側面
21‧‧‧第一光致發光層、第一PL層
211‧‧‧第一高分子材料
212‧‧‧較低激發能階之螢光材料、紅色螢光材料
22‧‧‧光透明隔離層
23‧‧‧第二光致發光層、第二PL層
231‧‧‧第二高分子材料
232‧‧‧較高激發能階之量子點材料、綠色量子點材料、綠色QD材料
233‧‧‧光散射性微粒
234‧‧‧藍色量子點材料
24‧‧‧光透明濕氣阻隔層
25‧‧‧光透明導熱層
26‧‧‧光透明分隔層
30‧‧‧濕氣阻隔反射結構、反射結構
301‧‧‧頂面
302‧‧‧底面
31‧‧‧第三高分子材料
32‧‧‧光散射性微粒
40‧‧‧光導引結構
401‧‧‧頂面
402‧‧‧傾斜側面
900‧‧‧離型材料
B‧‧‧藍光、藍光頻譜
G、G1、G2‧‧‧綠光、綠光頻譜
R‧‧‧紅光、紅光頻譜
第1A圖及第1B圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的二剖面示意圖；第1C圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的另一態樣的剖面示意圖；第2A圖及第2C圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的另二剖面示意圖，顯示光轉換及傳遞；第2B圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的發光光譜量測結果；第3圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的剖面示意圖；第4A圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的剖面示意圖；第4B圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的另一態樣的剖面示意圖；第5A圖至第5I圖為依據本發明之一較佳實施例之發光裝置的製造方法之步驟示意圖；以及第6A圖至第6D圖為依據本發明之一較佳實施例之發光裝置的製造方法之步驟示意圖。
請參閱第1A圖及第1B圖，其為依據本發明之第1較佳實施例的發光裝置1之示意圖。，發光裝置1可包含一覆晶式LED晶片10、一光致 發光結構20及一濕氣阻隔反射結構30，各元件之技術內容將依序說明如下。
覆晶式LED晶片(以下簡稱為LED晶片)10用以提供一第一光線(或稱主光線)，其可為一藍光、一深藍光、一紫光或一紫外光等較高能階之光線；以一藍光LED晶片為例，LED晶片10所提供的第一光線為藍光。晶片10可包含一上表面101、一下表面102、一立面103及一電極組104，上表面101與下表面102為相對且相反地設置，立面103形成於上表面101與下表面102之間、且連接上表面101與下表面102，換言之，立面103沿著上表面101之邊緣與下表面102之邊緣而形成，故立面103相對於上表面101與下表面102為環形(例如矩型環)。
電極組104設置於下表面102上，且可具有二個以上之電極。由於電極組104設置於其上，下表面102又稱為電極面102；申言之，此電極面102並非指電極104之下表面。LED晶片10可透過電極組104將電能(圖未示)轉換而發出符合第一光線(藍光)之波長範圍之光線；該光線絕大多數可從上表面101及立面103發出。
另一方面，相較於使用支架或基板之發光裝置，本發明所揭露之發光裝置1為晶片級封裝發光裝置，其一技術特徵是LED晶片10為覆晶式晶片，可直接接合於印刷電路板或其他應用基板上，由於未包含支架，因此具有較低之熱阻，其運作時所產生之熱能可經由電極組104較直接地排散，減少熱能對於其他結構的影響。
光致發光(Photoluminescent，PL)結構20在受到LED晶片10所發出的第一光線激發後，可吸收部份之第一光線而轉換出較低能階之光線(如紅光及綠光)，然後部分未被轉換之第一光線(如藍光)與紅光及 綠光相混合後，構成所需顏色之光線(例如為白光)。
外觀上，光致發光結構(以下簡稱為PL結構)20可包括一頂面201、一底面202及一側面203，頂面201與底面202為相對且相反設置，側面203形成於頂面201及底面202之間，且連接頂面201與底面202，換言之，側面203相對於頂面201及底面202為環形(例如矩型環)。
位置上，PL結構20設置於LED晶片10上，PL結構20的底面202位於LED晶片10之上表面101上，且底面202可直接覆蓋於上表面101上，但未有覆蓋LED晶片之立面103；然而，不排除底面202與上表面101相距之實施態樣，表示PL結構20與LED晶片10之間可設置其他結構或材料(圖未示)。此外，底面202可略大於上表面101，但不以此為限。
結構上，PL結構20包括一第一光致發光層(以下簡稱為第一PL層)21、一光透明隔離層22、一第二光致發光層(以下簡稱為第二PL層)23及一光透明濕氣阻隔層24，沿著LED晶片10之上表面101之法線方向依序堆疊設置，也就是，第一PL層21設置於LED晶片10之上表面101上，光透明隔離層22設置於第一PL層21上，第二PL層23設置於光透明隔離層22上，而光透明濕氣阻隔層24設置於第二PL層23上。
第一PL層21於第一光線激發時可產生一較低能階之光線(例如紅光)，其可包含一第一高分子材料211及一較低激發能階之螢光材料(例如紅色螢光材料)212，為使說明簡便，以下將以紅色螢光材料212及其所發出之紅光為例進行技術說明。紅色螢光材料212可均勻地混合及膠合(固定)於第一高分子材料211中。紅色螢光材料212在受到較高能階之第一光線激發後，可將第一光線部分地轉換成紅光；換言之，第一光線通 過第一PL層21後，由於一部份被轉換為紅光，部分未轉換之第一光線的光強度會隨之降低；此方面的技術內容爾後將參閱第2A圖來進一步說明。此外，相較於後述量子點材料(例如綠色量子點材料)232，螢光材料(例如紅色螢光材料)212可承受較高之溫度，因此可較接近或接觸LED晶片10。
紅色螢光材料212例如可包含但不限定：一氟化物螢光材料或一氮化物螢光材料等可產生紅光者；氟化物螢光材料例如可為KSF螢光材料，其至少可包含下列其中一者：(A)A2[MF6]：M4+，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其組合，M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其組合；(B)E2[MF6]：M4+，其中E選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及其組合，M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其組合；(C)Ba0.65Zr0.35F2.70：M4+；或(D)A3[ZrF7]：M4+，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其組合。其他氟化物螢光材料例如可為MGF螢光材料，其至少可包含下列其中一者：(x-a)MgO.(a/2)Sc2O3.yMgF2.cCaF2.(1-b)GeO2.(b/2)Mt2O3：zMn4+；其中，2.0x4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0a<0.5、0<b<0.5、0c<1.5、y+c<1.5，且Mt選自Al、Ga及In中之至少1種。
上述種類的氟化物螢光材料所產生的光線具有較窄的半波寬，其可被激發之光源波長小於500奈米，因此不會被第二PL層23所產生之綠光所激發，故可增加發光裝置1之整體光萃取率(Light Extraction Efficiency)；此方面的技術內容爾後將參閱第2C圖來進一步說明。
第一高分子材料211可包括但不限定：一樹脂材料或一矽膠材料。由於第一PL層21較接近熱源LED晶片10，故第一高分子材料211需具有較佳之耐熱性，例如為一熱固化之矽膠材料(Silicone)，其可包括一白金 觸媒矽膠(Platinum Silicone)或一錫觸媒矽膠(Tin Silicone)，其中白金觸媒矽膠具有較佳的耐熱性，因此發光裝置1較佳地選用白金觸媒矽膠作為第一高分子材料211。白金觸媒矽膠係為矽膠中含有白金觸媒，其可幫助矽膠受熱後快速固化；然而，白金觸媒容易受到若干化學成分鈍化(Deactivated)或毒化(Poisoned)，使得矽膠的固化反應受到抑制(Inhibition)，進而導致矽膠無法固化、或僅部分固化。可能使白金觸媒鈍化或毒化的化學成分包含：sulfur、sulfides、thio compounds、tin、fatty acid tin salts、phosphorus、phosphines、phosphites、arsenic、arsines、antimony、stibenes、selenium、selenide、tellurium、telluride、amines、amides,ethanolamine、N-methylethanolamine、triethanolamine、chelates、EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid)、NTA(nitriloacetic acid)、ethanol、methanol等。因此，當白金觸媒矽膠作為第一高分子材料211，較佳地應考量白金觸媒的鈍化或毒化問題。
第二PL層23於第一光線激發時可產生一較高能階之光線(例如綠光)，其可包含一第二高分子材料231及一較高激發能階之量子點材料(例如綠色量子點材料，以下簡稱為綠色QD材料)232，為使說明簡便，以下將以綠色QD材料232及其所發出之綠光為例進行技術說明。綠色QD材料232可均勻地混合及膠合(固定)於第二高分子材料231中。綠色QD材料232在受到較高能階之第一光線照射後，可產生綠光。綠色QD材料232例如可包含但不限定：硒化鎘(CdSe)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)或碲化鋅(ZnTe)等可產生綠光者。此外，綠色QD材料232的量子點晶體結構通常包含內核(core)及保護殼層(shell)。
由於前述氟化物螢光材料於第一光線激發時所產生的紅光具有較窄的半高寬，可媲美量子點材料所產生之高純度紅光。因此，於廣色域顯示器背光源之應用中，發光裝置1之一較佳實施例為：LED晶片10為發出藍光之LED晶片、第一PL層21所包含之螢光材料為一能發出較高純度紅光之氟化物螢光材料及第二PL層23包含一能發出較高純度綠光之綠色量子點材料。
第二高分子材料231可包括但不限定：一樹脂材料或一矽膠材料等具有良好透光率者。由於量子點材料於高溫時易產生氧化，故較不適合使用熱固化膠材，因此第二高分子材料231較佳地為一紫外線固化膠，第二高分子材料231於常溫下受到紫外光之照射即可固化，不需如熱固化膠般於高溫下才可固化。如此，第二高分子材料231固化時，不會經歷高溫而使綠色QD材料232之效能衰減。
紫外線固化膠內通常包含使白金觸媒鈍化或毒化的化學成分，造成需熱固化之矽膠無法固化。因此，以紫外線固化膠構成的第二高分子材料231於製程中不能與熱固化膠構成的第一高分子材料211相接觸，否則會導致第一高分子材料211無法固化。
在本實施例中，光透明隔離層22可隔離第一PL層21及第二PL層23，第二高分子材料231之中能使白金觸媒鈍化或毒化的化學成分無法擴散至第一高分子材料211，使得第一高分子材料211能完全固化。由此可知，光透明隔離層22可改善第一高分子材料211與第二高分子材料231彼此材料特性或固化製程不相容的問題。具體而言，光透明隔離層22用以隔離第一PL層21及第二PL層23，以避免兩者相接觸，且可使第二PL層23更遠離 LED晶片10，以減少LED晶片10之熱能對於第二PL層23的影響。光透明隔離層22可包括但不限定一透明無機材料(例如石英或玻璃等)或一高分子材料等具有良好透光率者。此外，光透明隔離層22較佳地不包含會使白金觸媒鈍化或毒化的化學成分，故可接觸第一高分子材料211。
此外，發光裝置1之光透明濕氣阻隔層24用以阻礙水氣的通過，以對第二PL層23之量子點材料形成保護，防止其產生氧化。光透明濕氣阻隔層24可包括但不限定一透明無機材料(例如石英或玻璃等)或一高分子材料等具有良好透光率者；若為高分子材料時，選用具有低水氣滲透率者，例如於厚度為1釐米時具有不大於20g/(m2day)之水氣滲透率。光透明隔離層22亦可選用具有低水氣滲透率者，例如於厚度為1釐米時具有不大於20g/(m2day)之水氣滲透率，因此光透明濕氣阻隔層24與光透明隔離層22將內含量子點材料之第二PL層23夾置於其間，使得外界環境中的水氣或氧氣難以接觸到第二PL層23中的綠色QD材料232，減少或避免水氣或氧氣從上方或下方滲透至綠色QD材料232。
濕氣阻隔反射結構(以下簡稱為反射結構)30可反射發光裝置側面發出之光線並導向正面出光。具體而言，反射結構30覆蓋PL結構20之側面203及LED晶片10之立面103，但不覆蓋PL結構20之頂面201，故能夠反射從立面103及側面203所射出的光線，使光線朝向PL結構20之頂面201射出。反射結構30不低於LED晶片10之下表面102，不覆蓋下表面102及電極組104。反射結構30之頂面301可實質齊平於PL結構20之頂面201，由於發光裝置1為晶片級封裝發光裝置，可直接接合於印刷電路板或其他應用基板上，因此具有較低之熱阻以降低發光裝置之操作溫度，故反射結構30之底 面302不可低於電極面102之高度以避免電極組104與基板銲墊接合不良，較佳地，反射結構30之底面302可實質齊平於LED晶片10之電極面102。此外，反射結構30還可覆蓋PL結構20之底面202超出LED晶片10之上表面101的部分。雖然內含量子點材料之第二PL層23被設置於光透明濕氣阻隔層24與光透明隔離層22之間，使得外界環境中的水氣難以接觸到第二PL層23中的綠色QD材料232，但水氣仍可經由第二PL層23之側面滲入。本發光裝置之反射結構30的另一功效為阻礙環境中之水氣滲入，以減少或避免水氣或氧氣從側方接觸到綠色QD材料232之可能；因此，透過濕氣阻隔反射結構30、光透明濕氣阻隔層24及光透明隔離層22三者的包覆，可進一步提供綠色QD材料232濕氣阻隔保護，以減少光氧化之發生。
為使反射結構30具有上述之特性，其較佳地可包含一第三高分子材料31及混合於第三高分材料31之一光散射性微粒32；第三高分子材料31可選用具有較低水氣滲透率者(例如厚度為1釐米時不大於20g/m2/day)，例如可包括一樹脂材料或一矽膠材料，以使水氣難以通過；光散射性微粒32具體可為二氧化鈦(TiO2)、氮化硼(BN)、二氧化矽(SiO2)或三氧化二鋁(Al2O3)等，且其在反射結構30中的一重量百分比不小於20%，以達到良好之反射效果。
請配合參閱第2A圖，接著將進一步說明如何利用第一PL層21降低第一光線之光強度至綠色QD材料232所能承受的光強度，以避免量子點材料光氧化之發生。具體而言，LED晶片10所發出之第一光線以藍光B為例，其初始之光強度為L0，藍光B通過第一PL層21時，其一部份(即第一部份)會被轉換成紅光R。藍光B之剩餘未被轉換之另一部份(即第二部 份)的光強度為L1，小於初始光強度L0。藍光B之剩餘的第二部份接著再部分地激發綠色QD材料232，然後被轉換成綠光G(也就是，第二部份的一部份再轉換成綠光G)。因此，最終從PL結構20之頂面201(亦即發光裝置1之發光面)發出的光包含藍光B、紅光R及綠光G，可混合而形成一白光。
因此，本發明所揭露之發光裝置1中的綠色QD材料232將受到藍光B與紅光R之照射，由於紅光R之能階不足以激發綠色QD材料232而產生綠光G，故不會使綠色QD材料232產生自由電子與電洞，而自由電子將活化(electron-active)量子點材料使其產生光氧化，因此綠色QD材料232受到紅光R照射時不易產生光氧化現象。
由於綠色QD材料232於藍光B照射下仍會產生大量之自由電子而導致量子點材料光氧化，而本發明所揭露之發光裝置1可大幅減低照射於綠色QD材料232之藍光B強度。具體而言，LED晶片10所提供的藍光B初始光強度為L0，為便於說明，將其區分為第一部份及第二部份；通過第一PL層21後，第一部份之藍光B轉換為紅光R與未轉換之第二部份藍光B，初始藍光強度L0將降低為第二部份所對應之藍光強度L1，此藍光強度L1不大於綠色QD材料232所能承受之光強度，故在光強度L1之藍光B照射下，綠色QD材料232仍不易產生光氧化現象，進而使綠色QD材料232具有更穩定之發光頻譜及發光效率，並具有更長之使用壽命。
通過第一PL層21後未被轉換之藍光B(第二部份)，其光強度L1的量測可為以下方式：於第二PL層23設置前(或是將第二PL層23移除)，驅動LED晶片10使其發出藍光B，然後從第一PL層21之上方測量藍光B之強度值。另外，於一段時間內由具有光強度L1之藍光B照射下，若綠色 QD材料232所轉換出的光線沒有明顯的強度衰減(例如不大於20%或不大於10%之強度衰減)、或是沒有明顯的波長偏移(例如不大於10奈米或不大5奈米之峰值波長偏移)，應可推論出藍光B之光強度L1不大於綠色QD材料232所能承受之光強度。
綠色QD材料232依據其結構及材料不同，其所能承受之第一光線的光強度亦會不同；例如目前習知的綠色QD材料232能承受之藍光光強度係不大於10W/cm2、不大於5W/cm2或不大於2W/cm2。由於科技的發展將持續地改善量子點材料的結構，可預期到量子點材料所能承受的光強度上限應會提升，例如超過10W/cm2。
用於激發量子點材料之入射光的光強度上限通常可由其製造商或供應商提供，亦可經由實驗測試而得知。例如，照射不同光強度之藍光B(或其他高能階的第一光線)至綠色QD材料232上，然後量測綠色QD材料232於一段時間內所轉換出綠光強度及峰值波長之變化量；藉由觀察所轉換出光線的強度是否有明顯地衰減(例如不大於20%或不大於10%之強度衰減)、波長有明顯地偏移(例如不大於10奈米或不大5奈米之峰值波長偏移)，則可量測出綠色QD材料232於長時間操作下所能承受的藍光B的光強度。
第2B圖為發光裝置1之一較佳實施實例之發光光譜量測結果，此實例之LED晶片10可發出一峰值波長為443奈米之藍光B，使用峰值波長為630奈米之KSF紅色螢光材料作為第一PL層21之較低激發能階之螢光材料，並使用峰值波長為540奈米之InP綠色量子點材料作為第二PL層23之較高激發能階之量子點材料。在藍光激發下，較靠近LED晶片10之KSF 螢光材料可先吸收一部分LED晶片10所發出之藍光B，並轉換發出一具有窄半高寬之紅光R，而未被轉換之藍光B與紅光R接著傳遞至第二PL層23，其中未被轉換之藍光B再被第二PL層23之綠色量子點材料部分吸收後並轉換發出一半高寬為39奈米之綠光G，並於第2B圖中呈現為綠光頻譜G。第2B圖中所示之藍光頻譜B為部分未被第二PL層23轉換之藍光B，而紅光R由於能階較低而不足以激發第二PL層23之綠色量子點材料，因此可大部分輸出發光裝置外並呈現為第2B圖中所示之紅光頻譜R。由於第一PL層21已將約1/3之藍光B強度轉換為紅光R，因此可有效降低約1/3藍光B照射於綠色量子點材料之光強度，使其較不易造成光氧化而具有更長之使用壽命。由於此發光裝置1具有高色彩純度(窄半高寬)之紅、綠及藍頻譜，因此非常適合應用於廣色域液晶顯示器之背光光源。
請配合參閱第2C圖，以下將進一步說明第一PL層21如何增加綠光G的光萃取率。綠色QD材料232轉換出的一部份的綠光G1會朝外輸出至PL結構20外，但另一部份的綠光G2會反向朝LED晶片10前進；若第一PL層21的紅色螢光材料212選用特定種類的氟化物螢光材料，則不會被波長大於約500nm之光線所激發，故朝向晶片10散射之綠光G2不會被紅色螢光材料212吸收而轉換。如此，反向朝LED晶片10前進之綠光G2可被紅色螢光材料212有效地朝外散射(scattering)，綠光並輸出至發光裝置1外。因此，可有效增加綠光G(G1、G2)之光萃取效率。
請配合參閱第1C圖，於另一實施態樣中，第二PL層23可更包含一光散射性微粒233，其混合於該第二高分子材料231。量子點材料為奈米等級之微粒，第一光線易穿透而不激發量子點材料，因此光散射性微 粒233用以使第一光線於第二PL層內產生散射，增加第一光線激發綠色QD材料232之機率。易言之，光散射性微粒233可增加第一光線通過第二PL層23時之總光路徑，以增加第一光線被轉換成綠光的比例。另，光散射性微粒233於第二PL層23中的重量百分比較佳地不大於20%、不大於15%或不大於10%，以提供合適的光穿透率，避免過度阻擋第一光線。
於又一實施態樣中，LED晶片10為一深藍光LED晶片、一紫光LED晶片或一紫外光LED晶片，其所發出的第一光線為深藍光、紫光或紫外光。此時，第二PL層23可更包含另一較高激發能階之量子點材料234，例如可為一藍色量子點材料234，其可混合於第二高分子材料231中，亦可混合於不同於第二高分子材料231之另一高分子材料中(圖未示)。深藍光或紫外光可被藍色量子點材料234轉換成藍光，使發光裝置1所產生的光線可包含藍光、紅光及綠光等頻譜。
以上是發光裝置1的技術內容的說明，接著說明依據本發明其他實施例的技術內容，而各實施例的技術內容應可互相參考，故相同的部分將省略或簡化。此外，各實施例的技術內容應可互相應用、組合搭配。
請參閱第3圖所示，其為依據本發明之第2較佳實施例的發光裝置2之示意圖。發光裝置2之PL結構20更包含一光透明導熱層25；光透明導熱層25可設置於第二PL層23與光透明濕氣阻隔層24之間、及/或設置於第二PL層23與光透明隔離層22之間，換言之，第二PL層23之頂面及/或底面都可設置覆蓋一光透明導熱層25。
光透明導熱層25具有良好的熱傳導率(即低熱阻)，並大於光透明濕氣阻隔層24或光透明隔離層22之熱傳導率；此外，光透明導熱層 25亦需具有良好的透光率。因此，光透明導熱層25可包含但不限定：一薄膜金屬、一網格狀金屬、一透明導電氧化物或一石墨烯等；其中，透明導電氧化物可例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)，其透光率可大於90%，且熱傳導率(於25℃)約為10~12W/mK；石墨烯的熱傳導率更是高達5300W/mK。光透明導熱層25可使第二PL層23於光轉換時所產生之熱能快速地向外傳遞或分散，以減少綠色QD材料232之操作溫度，進而減少熱能對於綠色QD材料232之影響。
反射結構30亦可選擇地包含一導熱材料(圖未示)，混合於第三高分子材料31中，使得反射結構30之熱傳導率不小於光透明濕氣阻隔層24或光透明隔離層22之熱傳導率。如此，第二PL層23之熱能亦可有效地通過反射結構30向外傳遞，減少高溫對綠色QD材料232之影響。導熱材料可包含石墨烯或陶瓷材料等，其中陶瓷材料可為氮化鋁(熱傳導率約為285W/mK)或氧化鋁。導熱材料亦可包含金屬材料，較佳地可避免其接觸到LED晶片10，例如使包含金屬導熱材料之反射結構30覆蓋於後述的光導引結構40(如第4B圖所示)，換言之，反射結構30間接覆蓋LED晶片10之立面103。
請參閱第4A圖所示，其為依據本發明之第3較佳實施例的發光裝置3之示意圖。發光裝置3之PL結構20更包含一光透明分隔層26，其設置於LED晶片10之上表面101上；第一PL層21則設置於光透明分隔層26上，未直接覆蓋、接觸LED晶片10。如此，第二PL層23可更遠離於較熱之LED晶片10，以進一步減少高溫之LED晶片10對綠色QD材料232的影響。光透明分隔層26可包括但不限定一透明無機材料(例如石英或玻璃等)或一高分子材料(例如矽膠)等；若為高分子材料時，較佳地可選用具有低水氣滲 透率者，以降低水氣及氧氣在發光裝置內部滲透的可能性。
請參閱第4B圖所示，於本發明之第3較佳實施例之另一態樣中，發光裝置3更包含一光導引結構40。光導引結構40可包括一高分子材料(例如矽膠、環氧樹脂、橡膠等良好透光率者)，且可覆蓋LED晶片10之立面103，然後被反射結構30覆蓋。更具體而言，光導引結構40可包含一頂面401及一傾斜側面402，頂面401可與LED晶片10之上表面101齊平，而傾斜側面402相對於LED晶片10之立面103為傾斜；傾斜側面402可為凹狀曲面(如圖所示)，亦可為平面或凸狀曲面(圖未示)。此外，傾斜側面402還被反射結構30直接覆蓋，故反射結構30具有與傾斜側面33相貼合對應的一內側斜面(或稱內傾斜側面)。當傾斜側面402被反射結構30直接覆蓋時，LED晶片10之立面103被反射結構30間接地覆蓋。
此外，由於晶片級封裝發光裝置不需封裝支架，因此在相同封裝體積之下，本發明所揭露之發光裝置可具有較大之發光面積，即PL結構20之面積可較大，因此，當LED晶片10所發出之藍光B照射於較大面積之PL結構20時，則可有效降低照射於PL結構20內之量子點材料的單位面積藍光強度，故可進一步減少量子點材料之光氧化現象。光導引結構40配合反射結構30，可將LED晶片10之側向所發出的第一光線有效反射至PL結構20中，以使第一光線較均勻地照射PL結構20，降低單位面積藍光強度，減少量子點材料之光氧化現象以增加其使用壽命；光導引結構40配合反射結構30之技術內容可進一步參考申請人先前所申請的申請號106103239之台灣專利申請案。
請參閱第5A圖至第5I圖，接著將說明依據本發明的較佳實 施例的發光裝置的製造方法，該製造方法可製造出相同或類似於上述實施例的發光裝置1~3，故製造方法的技術內容與發光裝置1~3的技術內容可相互參考、應用。
如第5A圖所示，首先提供或形成出光透明濕氣阻隔層24，然後藉由噴塗(spraying)、旋轉塗佈(spin coating)或印刷(printing)等方式直接於光透明濕氣阻隔層24上形成第二PL層23；也就是，將未固化的第二高分子材料231及綠色QD材料232先混合後，然後透過上述方式形成於光透明濕氣阻隔層24上，待第二高分子材料231固化，即形成第二PL層23，若第二高分子材料231為熱固化矽膠，則需於惰性氣體或真空環境中進行熱固化。此外，第二PL層23亦可單獨地形成後，再貼合至光透明濕氣阻隔層24。
如第5B圖所示，接著，於第二PL層23上直接形成光透明隔離層22，例如可採噴塗、旋轉塗佈或印刷等方式，或是將光透明隔離層22貼合至第二PL層23。如第5C圖所示，爾後，於光透明隔離層22上直接形成第一PL層21，例如可採噴塗、旋轉塗佈或印刷等方式，或採公開號US2010/0119839之美國專利申請案(對應於證書號I508331之臺灣專利)所揭露的技術；或者，於第一PL層21單獨形成後，再貼合至光透明隔離層22。
如此，可製作出複數個發光裝置1之PL結構20，彼此仍一體相連。另外，於第5A圖所示的步驟中，可於第二PL層23形成前及/或後，選擇地形成光透明導熱層25，以製作出複數個發光裝置2之PL結構20。如第5D圖所示，可選擇地於第一PL層21上形成光透明分隔層26，以製作出複數個發光裝置3之PL結構20。
如第5E圖所示，製作出PL結構20後，接著將複數個LED晶片10倒置，使其上表面101朝下(下表面102朝上)、面對PL結構20之底面202，然後將LED晶片10貼合至PL結構20之外層(即光透明分隔層26或第一PL層21)。LED晶片10貼合完成後，可選擇地形成光導引結構40於第一PL層21或光透明分隔層26上，光導引結構40之具體形成方式可步參考申請人所申請的申請號106103239之台灣專利申請案。
如第5F圖所示，LED晶片10貼合完成後，切割一體相連的該等PL結構20，使其分離；每一個PL結構20與其中一個LED晶片10相貼合，以構成一發光結構。如第5G圖所示，接著，將該等發光結構排列於一離型材料900上，構成一發光結構陣列；排列時，可選擇使PL結構20之頂面201貼合至離型材料900(如圖所示)，或是使LED晶片10之下表面102貼合至離型材料900、而電極組104嵌入離型材料900中(圖未示)。
如第5H圖所示，然後，於離型材料900上與發光結構之間形成反射結構30，以覆蓋PL結構20之側面203及光導引結構40之傾斜側面402(間接地覆蓋LED晶片10之立面103)，但未有覆蓋LED晶片10之下表面102；反射結構30的形成可採模造或點膠等方法。反射結構30形成後，可獲得複數個發光裝置3(或其他類型的發光裝置)，該些發光裝置3彼此相互連接。如第5I圖所示，最後，採取一切割步驟以將相連接的發光裝置3分離，便得到相互分離的發光裝置3；其中，可於切割前或切割後將離型材料900與發光裝置3分離。
請復參閱第5C圖或第5D圖，一體相連的PL結構20製作出後，亦可直接進行切割步驟，使其分離成複數個PL結構20；爾後，將PL結 構20與LED晶片10相貼合，再形成反射結構30將兩者包覆，亦可完成發光裝置3(或其他類型的發光裝置)之製作。
請參閱第6A圖至第6D圖，PL結構20亦可採取以下方式來製作。如第6A圖所示，首先提供或形成出光透明濕氣阻隔層24，然後於光透明濕氣阻隔層24上形成第二PL層23。如第6B圖所示，接著，另外再提供或形成光透明隔離層22，並形成第一PL層21於光透明隔離層22上；光透明隔離層22及第一PL層21皆不是如第5B圖般於第二PL層23上依序形成。
換言之，光透明濕氣阻隔層24及第二PL層23之組合，與光透明隔離層22及與第一PL層21之組合，係分別進行製作，兩者的製程不會相互影響。因此，若第一PL層21的第一高分子材料211為熱固化膠時，其進行熱固化的高溫不會影響到第二PL層23的綠色QD材料232，故綠色QD材料232之效能不會因為經歷第一PL層21的熱固化製程而衰減。
如第6C圖所示，爾後，將LED晶片10貼合至第一PL層21，並且可選擇地，於第一PL層21上形成光透明分隔層26及/或光導引結構40。再如第6D圖所示，將光透明隔離層22與第二PL層23相貼合，以製造出如第5E圖所示的PL結構20。之後可採取如第5F圖至第5I圖的步驟，得到相互分離的發光裝置3或其他發光裝置。
綜合上述，本發明之較佳實施例所提出的發光裝置可有效地改善量子點材料的氧化現象，且可減少或避免外界空氣中之水氣及氧氣接觸到量子點材料；還可有效地避免用於固定量子點材料的高分子材料與用於固定螢光材料的高分子材料，兩者材料特性不相容之問題；亦可有效地改善量子點材料的熱衰減現象，降低量子點材料所承受之溫度，以及增加 發光裝置之光萃取效率。發光裝置的製造方法可製造出各種具有上述功效的發光裝置，且製造過程中可使量子點材料不會承受高溫。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

Claims (24)

  1. 一種發光裝置，包含：一覆晶式LED晶片，用以提供一第一光線，該第一光線為一藍光、一深藍光、一紫光或一紫外光；一光致發光結構，設置於該覆晶式LED晶片之一上表面上、且包括一第一光致發光層、一光透明隔離層、一第二光致發光層及一光透明濕氣阻隔層，該光透明隔離層設置於該第一光致發光層上，該第二光致發光層設置於該光透明隔離層上，而該光透明濕氣阻隔層設置於該第二光致發光層上，其中，該第一光致發光層包含一第一高分子材料及混合於該第一高分子材料中之一較低激發能階之螢光材料，而該第二光致發光層包含一第二高分子材料及混合於該第二高分子材料中之一較高激發能階之量子點材料；以及一濕氣阻隔反射結構，覆蓋該光致發光結構之一側面及該覆晶式LED晶片之一立面，且不低於該覆晶式LED晶片之一電極面；其中，該第一光致發光層之該較低激發能階之螢光材料用以將該第一光線之一部份轉換為一較長波長之可見光，使得該未被轉換之另一部份之該第一光線的光強度不大於該較高激發能階之量子點材料所能承受之光強度。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該較低激發能階之螢光材料包含一紅色螢光材料，該較高激發能階之量子點材料包含一綠色量子點材料。
  3. 如請求項2所述的發光裝置，其中，該綠色量子點材料所能承受之該 第一光線的光強度不大於10W/cm 2。
  4. 如請求項2所述的發光裝置，其中，該光致發光結構更包含一光透明導熱層，該光透明導熱層設置於該第二光致發光層與該光透明濕氣阻隔層之間、及/或設置於該第二光致發光層與該光透明隔離層之間；其中，該光透明導熱層之熱傳導率大於該光透明濕氣阻隔層或該光透明隔離層之熱傳導率。
  5. 如請求項4述的發光裝置，其中，該光透明導熱層包含一薄膜金屬、一網格狀金屬、一透明導電氧化物或一石墨烯。
  6. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該光致發光結構更包含一光透明分隔層，該第一光致發光層設置於該光透明分隔層上。
  7. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，更包含一光導引結構，該光導引結構覆蓋該覆晶式LED晶片之該立面，該光導引結構包含一傾斜側面，該傾斜側面相對於該覆晶式LED晶片之該立面為傾斜、且被該濕氣阻隔反射結構覆蓋。
  8. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該第一高分子材料為一熱固化膠及該第二高分子材料為一紫外線固化膠。
  9. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該光透明隔離層及該光透明濕氣阻隔層各包含一透明無機材料。
  10. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該光透明隔離層及該光透明濕氣阻隔層各包含一高分子材料，其於厚度為1釐米時具有不大於20g/(m 2day)之水氣滲透率(WVTR)。
  11. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該濕氣阻隔反射結構 包含一第三高分子材料及混合於該第三高分材料中之一光散射性微粒。
  12. 如請求項11的發光裝置，其中，該第三高分子材料於厚度為1釐米時具有不大於20g/(m 2day)之水氣滲透率。
  13. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該濕氣阻隔反射結構之熱傳導率不小於該光透明隔離層或該光透明濕氣阻隔層之熱傳導率。
  14. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該第二光致發光層更包含一光散射性微粒，該光散射性微粒混合於該第二高分子材料中。
  15. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該紅色螢光材料包含一氟化物螢光材料或一氮化物螢光材料。
  16. 如請求項15所述的發光裝置，其中，該氟化物螢光材料至少包含下列其中一者：(A)A 2[MF 6]：M 4+，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH 4及其組合，M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其組合；(B)E 2[MF 6]：M 4+，其中E選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及其組合，M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其組合；(C)Ba 0.65Zr 0.35F 2.70：M 4+；或(D)A 3[ZrF 7]：M 4+，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH 4及其組合。
  17. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該氮化物螢光材料至少包含下列其中一者：(x-a)MgO.(a/2)Sc 2O 3.yMgF 2.cCaF 2.(1-b)GeO 2.(b/2)Mt 2O 3：zMn 4+；其中，2.0 x 4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0 a<0.5、0<b<0.5、0 c<1.5、y+c<1.5、且Mt選自Al、Ga及In中之至少1種。
  18. 如請求項2至5任一項所述的發光裝置，其中，該第二光致發光層更包含一藍色量子點材料。
  19. 一種發光裝置的製造方法，包含：將一光致發光結構與一覆晶式LED晶片相貼合；以及形成一濕氣阻隔反射結構，以覆蓋該光致發光結構之一側面及該覆晶式LED晶片之一立面；其中，該光致發光結構包括一第一光致發光層、一光透明隔離層、一第二光致發光層及一光透明濕氣阻隔層，該光透明隔離層設置於該第一光致發光層上，該第二光致發光層設置於該光透明隔離層上，而該光透明濕氣阻隔層設置於該第二光致發光層上，該第一光致發光層覆蓋該覆晶式LED晶片之一上表面，該第一光致發光層包含一第一高分子材料及混合於該第一高分子材料中之一較低激發能階之螢光材料，而該第二光致發光層包含一第二高分子材料及混合於該第二高分子材料中之一較高激發能階之量子點材料，該濕氣阻隔反射結構不低於該覆晶式LED晶片之一電極下表；其中，該覆晶式LED晶片用以提供一第一光線，該第一光線為一藍光、一深藍光、一紫光或一紫外光，而該第一光致發光層之該較低激發能階之螢光材料用以將該第一光線之一部份轉換為一較長波長之可見光，使得該第一光線之未被轉換之另一部份之光強度不大於該較高激發能階之量子點材料所能承受之光強度。
  20. 如請求項19所述的發光裝置的製造方法，更包含：形成該光致發光結構，其包含： 提供該光透明濕氣阻隔層；形成該第二光致發光層於該光透明濕氣阻隔層上；形成該光透明隔離層於該第二光致發光層上；以及形成該第一光致發光層於該光透明隔離層上。
  21. 如請求項19所述的發光裝置的製造方法，更包含：形成該光致發光結構，其包含：提供該光透明濕氣阻隔層，並形成該第二光致發光層於該光透明濕氣阻隔層上；提供該光透明隔離層，並形成該第一光致發光層於該光透明隔離層上；以及將該光透明隔離層與該第二光致發光層相貼合。
  22. 如請求項19所述的發光裝置的製造方法，其中，該光致發光結構更包含一光透明導熱層，該光透明導熱層形成於該第二光致發光層與該光透明濕氣阻隔層之間、及/或形成於該第二光致發光層與該光透明濕氣阻隔層之間；其中，該光透明導熱層之熱傳導率大於該光透明隔離層或該光透明濕氣阻隔層之熱傳導率。
  23. 如請求項19至22任一項所述的發光裝置的製造方法，其中，該光致發光結構更包含一光透明分隔層，該光透明分隔層形成於該第一光致發光層上；其中，該光透明分隔層覆蓋該覆晶式LED晶片之該上表面。
  24. 如請求項19至22任一項所述的發光裝置的製造方法，更包含形成一光導引結構，該光導引結構形成於該第一光致發光層上，以覆蓋該覆 晶式LED晶片之該立面，其中，該光導引結構包含一傾斜側面，該傾斜側面相對於該覆晶式LED晶片之該立面為傾斜；其中，形成該濕氣阻隔反射結構時，使該濕氣阻隔反射結構覆蓋該光導引結構之該傾斜側面。
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