TW201941262A - 基板處理裝置、空調方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置、空調方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW201941262A
TW201941262A TW108109207A TW108109207A TW201941262A TW 201941262 A TW201941262 A TW 201941262A TW 108109207 A TW108109207 A TW 108109207A TW 108109207 A TW108109207 A TW 108109207A TW 201941262 A TW201941262 A TW 201941262A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
duct
storage
conditioning
individual air
Prior art date
Application number
TW108109207A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI788540B (zh
Inventor
田所真任
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201941262A publication Critical patent/TW201941262A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI788540B publication Critical patent/TWI788540B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/06—Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
    • F26B21/10—Temperature; Pressure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Air Bags (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種基板處理裝置，能以簡單之構成而進行基板之各收納室的溫度調節。
依本發明之塗佈顯影裝置2包含：複數收納室11a、12a、13a、14a，將晶圓W加以收納；第一導管30，將第一氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a；第二導管40，將比第一氣體高溫之第二氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a；及複數個別空調部50，分別設於複數收納室11a，12a，13a，14a，並調節從第一導管30噴吐之第一氣體及從第二導管40噴吐之第二氣體的混合比例。

Description

基板處理裝置、空調方法及記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置、空調方法及記錄媒體。
在專利文獻1中揭露了一種處理裝置，其在具有多層重疊之複數處理單元的處理站之外部具備：溫度控制器，調節空氣溫度；及送風扇，將已藉由溫度控制器調節溫度之空氣饋送至處理站內。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平9-205047號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，能夠以簡單的構成而進行各基板收納室的溫度調節。
[解決問題之技術手段]
依本發明之一態樣之基板處理裝置包含：複數收納室，收納基板；第一導管，將第一氣體饋送至各複數收納室；第二導管，將比第一氣體高溫的第二氣體饋送至各複數收納室；複數個別空調部，分別設於複數收納室，調節從第一導管噴吐之第一氣體及從第二導管噴吐之第二氣體的混合比例。
將已在基板處理裝置外之供氣源中調溫的氣體饋送至複數收納室時，由於距離供氣源之距離不同等原因，因而會有收納室彼此間的內部溫度產生差異的情況。為了要能進行各收納室的溫度調節，有人想到將供氣源設於各收納室，但系統構成會因供氣源的數量增加而複雜化。相對於此，若依將彼此溫度不同的第一氣體及第二氣體各別供給，並將調節該等氣體之混合比例的個別空調部設於各收納室的構成，則可在不用將供氣源設於各收納室的情況下，而個別調節噴吐至各收納室之氣體的溫度。從而，能夠以簡單的構成而進行各收納室的溫度調節。
第一導管包含：第一主導管，沿著複數收納室並列之方向；及複數第一副導管，在分別與複數收納室對應之複數位置，從第一主導管伸出；第二導管包含：第二主導管，沿著複數收納室並列之方向；及複數第二副導管，在分別與複數收納室對應之複數位置，從第二主導管伸出；複數第一副導管係從第一主導管往第二主導管側伸出，而複數第二副導管係從第二主導管往第一主導管側伸出，並且各收納室的個別空調部亦可在第一主導管及第二主導管之間，而和與該收納室對應之第一副導管及第二副導管連接。若產生從第二導管往第一導管的熱傳遞，則第二氣體的溫度會接近第一氣體的溫度，而會有個別空調部中的溫度調整範圍變窄的可能性。相對於此，依本發明之構成，由於將第一主導管及第二主導管分離配置，故可抑制從第二導管往第一導管的熱傳遞。
基板處理裝置亦可更包含：控制部，基於各收納室的內部溫度而控制複數個別空調部，以分別調節噴吐至複數收納室內之第一氣體及第二氣體的混合比例。此情況下，可藉由在各收納室進行內部溫度的反饋控制，而更適當地調節各收納室的溫度。
控制部亦可基於各收納室的內部壓力而控制複數個別空調部，以分別調節噴吐至複數收納室內之第一氣體及第二氣體的總量。此情況下，可將個別空調部亦運用於壓力之調節，而實現構成之更簡化。
複數個別空調部係包含設於同一收納室的複數個別空調部，控制部亦可控制設於該收納室內的複數個別空調部，以使收納室內的溫度分布之均勻性提高。此情況下，亦可使同一收納室內的溫度均勻性提高。
控制部亦可基於表示「收納室內之溫度分布的變化」與「設於該收納室內之複數個別空調部中的第一氣體及第二氣體之噴吐量的增減」之關係的模型，而控制複數個別空調部。此情況下，可使同一收納室內的溫度均勻性進一步提高。
基板處理裝置亦可更包含：第三導管，將複數收納室外的第三氣體饋送至各複數收納室；第一導管係與第一氣體供給源連接，其供給比第三氣體低溫的氣體作為第一氣體，第二導管係與第二氣體供給源連接，其供給比第三氣體高溫的氣體作為第二氣體，個別空調部亦可噴吐將藉由第一導管饋送之第一氣體及藉由第二導管饋送之第二氣體，混合至藉由第三導管饋送之第三氣體後的混合氣體，並調節混合氣體中的第一氣體、第二氣體及第三氣體的混合比例。此情況下，可藉由混合溫度在第一氣體及第二氣體之間的第三氣體，而減少第一氣體及第二氣體的總供給量。藉此，可減輕第一氣體供給源及第二氣體供給源的負擔，而實現該等氣體供給源的小規模化。
基板處理裝置更具備包含複數收納室的殼體；第三導管亦可將與殼體鄰接之空間的氣體作為第三氣體而饋送至各複數收納室。此情況下，可實現裝置構成的更簡化。
依本發明之另一態樣之基板處理裝置的空調方法，係包含以下步驟：取得具有複數收納室之基板處理裝置之各收納室的內部溫度資訊；及基於取得之各收納室的內部溫度資訊，而分別控制分別設於複數收納室之複數個別空調部，以調節從饋送第一氣體之第一導管所噴吐之第一氣體，與從饋送比第一氣體高溫之第二氣體的第二導管所噴吐之第二氣體的混合比例。
依本發明之又一態樣之記錄媒體，係電腦可讀取之記錄媒體，其儲存有用於使裝置執行上述空調方法的程式。
[對照先前技術之功效]
依本發明，可提供一種基板處理裝置，能夠以簡單的構成而進行各基板收納室的溫度調節。
〔基板處理系統〕
基板處理系統1係對基板實施感光性被覆膜之形成、該感光性被覆膜之曝光、及該感光性被覆膜之顯影的系統。處理對象的基板例如為半導體之晶圓W。感光性被覆膜例如為光阻膜。基板處理系統1包含：塗佈顯影裝置2及曝光裝置3。曝光裝置3係將形成於晶圓W(基板)上之光阻膜(感光性被覆膜)進行曝光處理。具體而言，係藉由液浸曝光等方法對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗佈顯影裝置2係在藉由曝光裝置3所進行之曝光處理前，進行在晶圓W(基板)之表面形成光阻膜的處理，並在曝光處理後進行光阻膜的顯影處理。
〔基板處理裝置〕
以下，就基板處理裝置之一例而言，說明塗佈顯影裝置2的構成。如圖1及圖2所示，塗佈顯影裝置2包含：載具區塊4、處理區塊5、介面區塊6及控制部100。
載具區塊4係進行朝塗佈顯影裝置2內導入晶圓W及從塗佈顯影裝置2內導出晶圓W。例如，載具區塊4可支撐晶圓W用之複數載具C，並內建有傳遞臂A1。載具C例如可收納圓形之複數片晶圓W。傳遞臂A1係從載具C將晶圓W取出而傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5承接晶圓W而送回載具C內。
處理區塊5包含複數處理模組11、12、13、14。處理模組11、12、13包含收納晶圓W的收納室11a、12a、13a(參照圖3)，並且將塗佈單元U1、熱處理單元U2、及將晶圓W搬運至該等單元的搬運臂A3內建於收納室11a、12a、13a。
處理模組11係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2而在晶圓W的表面上形成下層膜。處理模組11的塗佈單元U1係將下層膜形成用處理液塗佈於晶圓W上。處理模組11的熱處理單元U2係進行伴隨下層膜之形成的各種熱處理。
處理模組12係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2而在下層膜上形成光阻膜。處理模組12的塗佈單元U1係將光阻膜形成用處理液塗佈於下層膜上。處理模組12的熱處理單元U2係進行伴隨光阻膜之形成的各種熱處理。
處理模組13係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2而在光阻膜上形成上層膜。處理模組13的塗佈單元U1係將上層膜形成用液體塗佈於光阻膜上。處理模組13的熱處理單元U2係進行伴隨上層膜之形成的各種熱處理。
處理模組14包含收納晶圓W的收納室14a(參照圖3)，並在收納室14a內建有顯影單元U3、熱處理單元U4、及將晶圓W搬運至該等單元的搬運臂A3。
處理模組14係藉由顯影單元U3及熱處理單元U4而進行曝光後之光阻膜的顯影處理。顯影單元U3係在曝光完成之晶圓W的表面上塗佈顯影液後，藉由沖洗液沖洗該晶圓W，藉此進行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U4係進行伴隨顯影處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例可列舉：顯影處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake：曝光後烘烤)、及顯影處理後的加熱處理(PB：Post Bake：後烘烤)等。
在處理區塊5內的載具區塊4側設有棚單元U10。棚單元U10係分隔成在上下方向並列的複數單位格。在棚單元U10的附近設有升降臂部A7。升降臂部A7係使晶圓W在棚單元U10之單位格彼此間升降。
在處理區塊5內的介面區塊6側設有棚單元U11。棚單元U11係分隔成在上下方向並列的複數單位格。
介面區塊6係在與曝光裝置3之間進行晶圓W的傳遞。例如，介面區塊6內建有傳遞臂A8，並與曝光裝置3連接。傳遞臂A8係將配置於棚單元U11之晶圓W傳遞至曝光裝置3，並從曝光裝置3承接晶圓W而送回棚單元U11。
控制部100例如控制塗佈顯影裝置2，以下述步驟執行塗佈顯影處理。首先，控制部100控制傳遞臂A1，將載具C內的晶圓W搬運至棚單元U10，並控制升降臂部A7，將此晶圓W配置於處理模組11用的單位格。
接著，控制部100控制搬運臂A3，將棚單元U10的晶圓W搬運至處理模組11內的塗佈單元U1及熱處理單元U2，並控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，在此晶圓W的表面上形成下層膜。其後，控制部100控制搬運臂A3，將已形成下層膜之晶圓W送回棚單元U10，並控制升降臂部A7，將此晶圓W配置於處理模組12用的單位格。
接著，控制部100控制搬運臂A3，將棚單元U10的晶圓W搬運至處理模組12內的塗佈單元U1及熱處理單元U2，並控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，在此晶圓W的下層膜上形成光阻膜。其後，控制部100控制搬運臂A3，將晶圓W送回棚單元U10，並控制升降臂部A7，將此晶圓W配置於處理模組13用的單位格。
接著，控制部100控制搬運臂A3，將棚單元U10的晶圓W搬運至處理模組13內的各單元，並控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，在此晶圓W的光阻膜上形成上層膜。其後，控制部100控制搬運臂A3，將晶圓W搬運至棚單元U11。
接著控制部100控制傳遞臂A8，將棚單元U11的晶圓W送出至曝光裝置3。其後，控制部100控制傳遞臂A8，從曝光裝置3承接已實施曝光處理之晶圓W，再配置於棚單元U11中之處理模組14用的單位格。
接著控制部100控制搬運臂A3，將棚單元U11的晶圓W搬運至處理模組14內的各單元，並控制顯影單元U3及熱處理單元U4，對此晶圓W的光阻膜實施顯影處理。其後，控制部100控制搬運臂A3，將晶圓W送回棚單元U10，並控制升降臂部A7及傳遞臂A1，將此晶圓W送回載具C內。以上，便完成塗佈顯影處理。
又，基板處理裝置之具體構成並不限定於以上所例示之塗佈顯影裝置2的構成。基板處理裝置只要包含塗佈單元U1及可控制該單元的控制部100，亦可為任意之構成。
〔空調系統〕
如圖3所示，基板處理系統1更包含空調系統20，用於調節處理區塊5內的溫度及壓力。空調系統20包含：第一氣體供給源21、第二氣體供給源22、第一導管30、第二導管40、複數個別空調部50、複數溫度感測器61、62、63及複數壓力感測器71、72、73。
第一氣體供給源21例如為具有冷卻器或是加熱器等溫度調節部的送風機，其將已調節成比處理區塊5內之目標溫度更低之溫度的第一氣體供給至處理區塊5。第二氣體供給源22例如為具有冷卻器或是加熱器等溫度調節部的送風機，其將已調節成比第一氣體之溫度及處理區塊5內之目標溫度更高之溫度的第二氣體供給至處理區塊5。
第一導管30、第二導管40、複數個別空調部50、複數溫度感測器61、62、63及複數壓力感測器71、72、73係設於塗佈顯影裝置2內。亦即，塗佈顯影裝置2包含：第一導管30、第二導管40、複數個別空調部50、複數溫度感測器61、62、63及複數壓力感測器71、72、73。
第一導管30係將由第一氣體供給源21所供給之第一氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a。第一導管30包含第一主導管31及複數第一副導管32。第一主導管31係沿著複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向(例如上下方向)而延伸。
複數第一副導管32係在分別與複數收納室11a、12a、13a、14a對應之複數位置，從第一主導管31往側方伸出。所謂分別與複數收納室11a、12a、13a、14a對應係表示在複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向上，分別位於複數收納室11a、12a、13a、14a的範圍內，或是分別位於複數收納室11a、12a、13a、14a的範圍附近。例如，各第一副導管32係在對應之收納室11a、12a、13a、14a的高度範圍內，配置於頂棚附近。所謂側方係表示與第一主導管31所延伸之方向交叉的方向。此說明同樣適用於以下內容。
第二導管40係將由第二氣體供給源22所供給之第二氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a。第二導管40包含第二主導管41及複數第二副導管42。第二主導管41係沿著複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向(例如上下方向)而延伸。複數第二副導管42係在分別與複數收納室11a、12a、13a、14a對應之複數位置，從第二主導管41往側方伸出。
此處，複數第一副導管32係分別經由複數收納室11a、12a、13a、14a而從第一主導管31往第二主導管41側(圖示右方向)伸出。複數第二副導管42係分別經由收納室11a、12a、13a、14a而從第二主導管41往第一主導管31側(圖示左方向)伸出。
第一主導管31及第二主導管41亦能以在既定方向上將收納室11a、12a、13a、14a包夾的方式配置。例如，第一主導管31及第二主導管41以在載具區塊4、處理區塊5及介面區塊6並列之方向上將收納室11a、12a、13a、14a包夾的方式配置。
圖示中，第一主導管31係配置在載具區塊4側，第二主導管41係配置在介面區塊6側，但並不限定於此，第一主導管31亦可配置在介面區塊6側，第二主導管41亦可配置在載具區塊4側。
如圖4所例示，第一主導管31及第二主導管41的至少一部分亦可藉由隔熱材加以被覆。圖4中，第一主導管31係藉由隔熱材34加以被覆，第一副導管32係藉由隔熱材36加以被覆，第二主導管41係藉由隔熱材44加以被覆，第二副導管42係藉由隔熱材46加以被覆。亦可將彼此分離配置的第一主導管31及第二主導管41的隔熱材34、44省略。作為隔熱材34、36、44、46的具體例，例如可列舉：發泡聚氨酯等多孔性的樹脂材料。藉由隔熱材34、36、44、46，可抑制第一導管30及第二導管40之間的熱傳遞。
回到圖3，複數個別空調部50係包含分別設於複數收納室11a、12a、13a、14a的複數個別空調部50。複數個別空調部50亦可包含設於同一收納室11a、12a、13a、14a的複數個別空調部50。圖3中，沿著第一副導管32及第二副導管42而並列的複數個別空調部50係設於各收納室11a、12a、13a、14a。個別空調部50係調節從第一導管30噴吐之第一氣體及從第二導管40噴吐之第二氣體的混合比例。例如，個別空調部50係將藉由第一導管30饋送之第一氣體及藉由第二導管40饋送之第二氣體加以混合，並將藉此所得之混合氣體噴吐至收納室11a、12a、13a、14a內，且調節混合氣體中之第一氣體及第二氣體的混合比例。收納室11a、12a、13a、14a的個別空調部50係在第一主導管31及第二主導管41之間，和與該收納室對應之第一副導管32及第二副導管42連接。
例如，如圖5所示，個別空調部50包含：噴吐部53、第一導入部51、第二導入部52、第一閥54及第二閥55。噴吐部53係在收納室11a、12a、13a、14a內形成開口。第一導入部51係與第一副導管32連接，而將第一氣體從第一副導管32導入至噴吐部53。第二導入部52係與第二副導管42連接，而將第二氣體從第二副導管42導入至噴吐部53。
第一閥54係調節第一導入部51內之流道的開度。第二閥55係調節第二導入部52內之流道的開度。可藉由分別調節第一閥54及第二閥55的開度，而調節噴吐部53中之第一氣體及第二氣體的混合比例。又，藉由一邊保持第一閥54之開度及第二閥55之開度的比例，一邊調節第一閥54及第二閥55的開度，可在保持第一氣體及第二氣體之混合比例的同時，調節從噴吐部53噴吐之第一氣體及第二氣體的總量。作為第一閥54及第二閥55的具體例可列舉：蝶形閥，其藉由使板狀的閥構件56旋轉而調節該流道的開度。
又，圖5之構成僅為一例。個別空調部50只要能調節從第一導管30噴吐之第一氣體及從第二導管40噴吐之第二氣體的混合比例，可為任意構成。
圖6及圖7係顯示個別空調部50之變形例的示意圖。圖6及圖7之個別空調部50係包含：混合比例調節用的第一閥81、及噴吐量調節用的第二閥82，以代替第一閥54及第二閥55。例如，第一閥81係藉由使板狀之閥構件83在第一導入部51側及第二導入部52側之間移動，而調節第一氣體及第二氣體的混合比例。第二閥82係配置於比第一閥81更下遊側，其藉由使板狀之閥構件84旋轉，而調節噴吐部53內之流道的開度。
回到圖3，複數溫度感測器61係測量供給至收納室11a、12a、13a、14a內前的第一氣體之溫度的來源端感測器，其設於第一導管30內。複數溫度感測器61係以分別與複數第一副導管32對應的方式配置。圖示中，各溫度感測器61係配置於第一主導管31與第一副導管32交叉的部分，但並不限定於此。溫度感測器61亦可配置於第一副導管32內。又，複數溫度感測器61亦可包含配置於同一第一副導管32內的複數溫度感測器61。同一第一副導管32內的複數溫度感測器61亦能以分別與沿著該第一副導管32而並列之複數個別空調部50對應的方式配置。又，所謂溫度感測器61與個別空調部50對應，係表示該溫度感測器61與該個別空調部50的距離，小於該溫度感測器61與其他任一個別空調部50的距離。此說明同樣適用於以下內容。
複數溫度感測器62係測量供給至收納室11a、12a、13a、14a內前的第二氣體之溫度的來源端感測器，其設於第二導管40內。複數溫度感測器62係以分別與複數第二副導管42對應的方式配置。圖示中，各溫度感測器62係配置於第二主導管41與第二副導管42交叉的部分，但並不限定於此。溫度感測器62亦可配置於第二副導管42內。又，複數溫度感測器62亦可包含配置於同一第二副導管42內的複數溫度感測器62。同一第二副導管42內的複數溫度感測器62亦能以分別與沿著該第二副導管42而並列之複數個別空調部50對應的方式配置。
複數溫度感測器63係測量收納室11a、12a、13a、14a內之溫度的使用端感測器。複數溫度感測器63包含分別配置於複數收納室11a、12a、13a、14a內的複數溫度感測器63。複數溫度感測器63亦可包含設於同一收納室11a、12a、13a、14a的複數溫度感測器63。圖3中，個別空調部50與相同數量的溫度感測器63係設於各收納室11a、12a、13a、14a。各收納室11a、12a、13a、14a中，複數溫度感測器63係以分別與複數個別空調部50對應的方式配置。
複數壓力感測器71係測量供給至收納室11a、12a、13a、14a內前的第一氣體之壓力的來源端感測器，其設於第一導管30內。複數壓力感測器71係以分別與複數第一副導管32對應的方式配置。圖示中，各壓力感測器71係配置於第一主導管31與第一副導管32交叉的部分，但並不限定於此。壓力感測器71亦可配置於第一副導管32內。又，複數壓力感測器71亦可包含配置於同一第一副導管32內的複數壓力感測器71。同一第一副導管32內的複數壓力感測器71亦能以分別與沿著該第一副導管32而並列之複數個別空調部50對應的方式配置。
複數壓力感測器72係測量供給至收納室11a、12a、13a、14a內前的第二氣體之壓力的來源端感測器，其設於第二導管40內。複數壓力感測器72係以分別與複數第二副導管42對應的方式配置。圖示中，各壓力感測器72係配置於第二主導管41與第二副導管42交叉的部分，但並不限定於此。壓力感測器72亦可配置於第二副導管42內。又，複數壓力感測器72亦可包含配置於同一第二副導管42內的複數壓力感測器72。同一第二副導管42內的複數壓力感測器72亦能以分別與沿著該第二副導管42而並列之複數個別空調部50對應的方式配置。
複數壓力感測器73係測量收納室11a、12a、13a、14a內之壓力的使用端感測器。複數壓力感測器73包含分別配置於複數收納室11a、12a、13a、14a內的複數壓力感測器73。圖3中，係在各收納室11a、12a、13a、14a中配置一個壓力感測器73，但並不限定於此。複數壓力感測器73亦可包含設於同一收納室11a、12a、13a、14a的複數壓力感測器73。
以上的空調系統20例如係藉由控制部100進行控制。控制部100係基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部溫度而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內的第一氣體及第二氣體的混合比例。控制部100亦可基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部壓力而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內的第一氣體及第二氣體的總量。控制部100亦可控制設於該收納室內的複數個別空調部50，而使收納室11a、12a、13a、14a內的溫度分布之均勻性提高。
例如，控制部100作為功能性的構成(以下，稱為「功能模組」)包含：來源端資訊取得部111、第一空調控制部112、使用端資訊取得部113及第二空調控制部114。來源端資訊取得部111係取得藉由複數溫度感測器61、複數溫度感測器62、複數壓力感測器71及複數壓力感測器72所測得之測量結果。
第一空調控制部112控制第一氣體供給源21及第二氣體供給源22，而使藉由所有溫度感測器61、62及壓力感測器71、72所測得之測量結果滿足既定條件。例如，第一空調控制部112控制第一氣體供給源21，使所有藉由溫度感測器61所測得之測量結果變得比收納室11a、12a、13a、14a內的目標溫度低，並使所有藉由壓力感測器71所測得之測量結果變得比收納室11a、12a、13a、14a內的目標壓力高。又，第一空調控制部112控制第一氣體供給源21，使所有藉由溫度感測器62所測得之測量結果變得比收納室11a、12a、13a、14a內的目標溫度高，並使所有藉由壓力感測器72所測得之測量結果變得比收納室11a、12a、13a、14a內的目標壓力高。
使用端資訊取得部113係取得藉由複數溫度感測器63及複數壓力感測器73所測得之測量結果。
第二空調控制部114係基於藉由複數溫度感測器63所測得之測量結果而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內的第一氣體及第二氣體的混合比例。例如，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之溫度感測器63所測得之測量結果低於目標溫度的情況下，係將該收納室之個別空調部50中第二氣體的混合比例提高。另一方面，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之溫度感測器63所測得之測量結果高於目標溫度的情況下，係將該收納室之個別空調部50中第一氣體的混合比例提高。
又，第二空調控制部114控制設於該收納室內的複數個別空調部50，以使藉由同一收納室11a、12a、13a、14a內之複數溫度感測器63所測得之測量結果的均勻性提高。例如，第二空調控制部114在藉由任一溫度感測器63所測得之測量結果低於目標溫度的情況下，係將與該溫度感測器63對應之個別空調部50中，第二氣體的混合比例提高。另一方面，第二空調控制部114在藉由任一溫度感測器63所測得之測量結果高於目標溫度的情況下，係將與該溫度感測器63對應之個別空調部50中，第一氣體的混合比例提高。
又，第二空調控制部114係基於複數壓力感測器73所測得之測量結果而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內的第一氣體及第二氣體的總量。例如，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之壓力感測器73所測得之測量結果低於目標壓力的情況下，係將該收納室之個別空調部50所噴吐之第一氣體及第二氣體的總量增加。另一方面，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之壓力感測器73所測得之測量結果高於目標壓力的情況下，係將該收納室之個別空調部50所噴吐之第一氣體及第二氣體的總量減少。
控制部100係由一個或是複數個控制用電腦所構成。例如，控制部100包含圖8所示之電路120。電路120包含：一個或是複數個處理器121、記憶體122、儲存裝置123、輸入輸出埠124、及計時器125。儲存裝置123例如包含硬碟等電腦可讀取之記錄媒體。記錄媒體儲存有用於使空調系統20執行後述之空調處理步驟的程式。記錄媒體亦可為非揮發性的半導體記憶體、磁碟及光碟等可取出之媒體。記憶體122係將從儲存裝置123之記錄媒體所載入之程式及藉由處理器121所執行之運算結果暫時儲存。處理器121係與記憶體122協同而執行上述程式，藉此構成上述各功能模組。輸入輸出埠124係依照來自處理器121的指令，而在第一氣體供給源21、第二氣體供給源22、個別空調部50、溫度感測器61、62、63及壓力感測器71、72、73之間，進行電信號的輸入輸出。計時器125例如藉由計算固定周期的基準脈衝而測量經過時間。
又，控制部100的硬體構成並不一定限於藉由程式而構成各功能模組者。例如，控制部100的各功能模組亦可由專用的邏輯電路，或是將其整合後的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：特定應用積體電路)所構成。
〔空調方法〕
以下，就塗佈顯影裝置2的空調方法之一例而言，說明在空調系統20中所執行的空調處理步驟。該空調處理步驟包含：取得具有複數收納室之基板處理裝置之各收納室的內部溫度資訊；及基於取得之各收納室的內部溫度資訊，而分別控制分別設於複數收納室之複數個別空調部，以調節「從饋送第一氣體之第一導管噴吐之第一氣體」及「從饋送比第一氣體高溫之第二氣體的第二導管噴吐之第二氣體」的混合比例。
例如，如圖9所示，首先，控制部100係依序執行步驟S01、S02。在步驟S01中，來源端資訊取得部111係取得所有藉由溫度感測器61、62及壓力感測器71、72所測得之測量結果。在步驟S02中，第一空調控制部112係確認所有藉由溫度感測器61、62及壓力感測器71、72所測得之測量結果是否滿足既定條件。
在步驟S02中，判斷藉由溫度感測器61、62及壓力感測器71、72中之任一者所測得之測量結果未滿足既定條件的情況下，控制部100係執行步驟S03。在步驟S03中，第一空調控制部112係基於步驟S02中的判斷結果，而控制第一氣體供給源21及第二氣體供給源22，以調節第一氣體及第二氣體的供給狀態。例如，藉由任一溫度感測器61所測得之測量結果在收納室11a、12a、13a、14a之目標溫度以上的情況，第一空調控制部112控制第一氣體供給源21，以使第一氣體的溫度降低。在藉由任一壓力感測器71所測得之測量結果在收納室11a、12a、13a、14a之目標壓力以下的情況，第一空調控制部112控制第一氣體供給源21，以增加第一氣體的供給量。在藉由任一溫度感測器62所測得之測量結果在收納室11a、12a、13a、14a之目標溫度以下的情況，第一空調控制部112控制第二氣體供給源22，以使第二氣體的溫度升高。在藉由任一壓力感測器72所測得之測量結果在收納室11a、12a、13a、14a之目標壓力以下的情況，第一空調控制部112控制第二氣體供給源22，以增加第二氣體的供給量。其後，控制部100使處理回到步驟S01。之後，在所有藉由溫度感測器61之62及壓力感測器71之72所測得之測量結果滿足既定條件前，重複進行第一氣體及第二氣體之供給狀態的調節。
在步驟S02中，判斷所有藉由溫度感測器61、62及壓力感測器71、72所測得之測量結果滿足既定條件的情況下，控制部100係依序執行步驟S04、S05、S06、S07。在步驟S04中，使用端資訊取得部113係取得所有藉由溫度感測器63及壓力感測器73所測得之測量結果。
在步驟S05中，第二空調控制部114係基於藉由溫度感測器63及壓力感測器73所測得之測量結果，而設定各個別空調部50中的第一氣體及第二氣體的混合比例，及各個別空調部50中的第一氣體及第二氣體的總噴吐量。例如，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之溫度感測器63所測得之測量結果低於目標溫度的情況下，係將該收納室之個別空調部50中之第二氣體的混合比例的設定値提高。另一方面，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之溫度感測器63所測得之測量結果高於目標溫度的情況下，係將該收納室之個別空調部50中之第一氣體的混合比例的設定値提高。又，第二空調控制部114在藉由任一溫度感測器63所測得之測量結果低於目標溫度的情況下，係將與該溫度感測器63對應之個別空調部50中之第二氣體的混合比例的設定値提高。另一方面，第二空調控制部114在藉由任一溫度感測器63所測得之測量結果高於目標溫度的情況下，係將與該溫度感測器63對應之個別空調部50中之第一氣體的混合比例的設定値提高。又，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之壓力感測器73所測得之測量結果低於目標壓力的情況下，係將該收納室之個別空調部50所噴吐之第一氣體及第二氣體的總量的設定値增加。另一方面，第二空調控制部114在藉由收納室11a、12a、13a、14a之壓力感測器73所測得之測量結果高於目標壓力的情況下，係將該收納室之個別空調部50所噴吐之第一氣體及第二氣體的總量的設定値減少。
在步驟S06中，第二空調控制部114係基於步驟S05中所設定的混合比例及總噴吐量，而導出各個別空調部50中的第一閥54及第二閥55的開度指令。在步驟S07中，第二空調控制部114係將步驟S06中所導出的開度指令輸出至各個別空調部50。以上，便完成空調處理步驟。控制部100係將該空調處理步驟重複執行。
〔本實施態樣之效果〕
如以上所說明，塗佈顯影裝置2包含：複數收納室11a、12a、13a、14a，收納晶圓W；第一導管30，將第一氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a；第二導管40，將比第一氣體高溫之第二氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a；及複數個別空調部50，分別設於複數收納室11a、12a、13a、14a，並調節從第一導管30噴吐之第一氣體及從第二導管40噴吐之第二氣體的混合比例。
將已在塗佈顯影裝置2外之供氣源中調溫的氣體饋送至複數收納室11a、12a、13a、14a時，由於距離供氣源之距離不同等原因，因而會有收納室11a、12a、13a、14a彼此間的內部溫度產生差異的情況。為了能夠進行各收納室11a、12a、13a、14a的溫度調節，有人想到將供氣源設於各收納室11a、12a、13a、14a，但系統構成會因供氣源的數量增加而複雜化。相對於此，若依將彼此溫度不同的第一氣體及第二氣體各別供給，並將調節該等氣體之混合比例的個別空調部50設於各收納室11a、12a、13a、14a的構成，則可在不將供氣源設於各收納室11a、12a、13a、14a的情況下，個別地調節噴吐至各收納室11a、12a、13a、14a之氣體的溫度。從而，能夠以簡單的構成而進行各收納室11a、12a、13a、14a的溫度調節。
第一導管30包含：第一主導管31，沿著複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向；及複數第一副導管32，在分別與複數收納室11a、12a、13a、14a對應之複數位置，從第一主導管31伸出。第二導管40包含：第二主導管41，沿著複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向；及複數第二副導管42，在分別與複數收納室11a、12a、13a、14a對應之複數位置，從第二主導管41伸出。複數第一副導管32係從第一主導管31往第二主導管41側伸出，複數第二副導管42係從第二主導管41往第一主導管31側伸出，各收納室11a、12a、13a、14a之個別空調部50亦可在第一主導管31及第二主導管41之間，和與該收納室對應之第一副導管32及第二副導管42連接。若產生從第二導管40往第一導管30的熱傳遞，則第二氣體的溫度會接近於第一氣體的溫度，而會有個別空調部中的溫度調整範圍變窄的可能性。相對於此，依本發明之構成，由於可將第一主導管31及第二主導管41分離配置，故可抑制從第二導管往第一導管的熱傳遞。例如，亦能以在既定方向上將收納室11a、12a、13a、14a包夾的方式配置第一主導管31及第二主導管41。如此，可藉由將第一主導管31及第二主導管41分離配置，而抑制從第二導管40往第一導管30的熱傳遞。再者，藉由將第一主導管31及第二主導管41的至少一部分以隔熱材34、44加以被覆，亦可抑制從第二導管40往第一導管30的熱傳遞。
本發明之塗佈顯影裝置2亦可更包含：控制部100，其基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部溫度而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內之第一氣體及第二氣體的混合比例。此情況下，可藉由對各收納室11a、12a、13a、14a進行內部溫度的反饋控制，而更適當地調節各收納室11a、12a、13a、14a的溫度。
控制部100亦可基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部壓力，而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內之第一氣體及第二氣體的總量。此情況下，可將個別空調部50亦運用於壓力之調節，而實現構成之更簡化。
複數個別空調部50包含設於同一收納室11a、12a、13a、14a的複數個別空調部50，控制部100亦可控制設於該收納室內的複數個別空調部50，以使收納室11a、12a、13a、14a內之溫度分布的均勻性提高。此情況下，亦可使同一收納室11a、12a、13a、14a內的溫度均勻性提高。
控制部100亦可基於表示「收納室11a、12a、13a、14a內的溫度分布之變化」與「設於該收納室內之複數個別空調部50中的第一氣體及第二氣體的噴吐量之增減」之關係的模型，而控制複數個別空調部50。
例如，如圖10所示，控制部100亦可更包含資料儲存部116及模型建構部117作為功能模組。資料儲存部116係從使用端資訊取得部113取得與收納室11a、12a、13a、14a內的溫度分布之變化有關的資料，並從第二空調控制部114取得與設於該收納室內之複數個別空調部50中之第一氣體及第二氣體的噴吐量之增減有關的資料，再將該等資料賦予對應關係而加以儲存。
模型建構部117係基於儲存在資料儲存部116的資料，而建構表示應使溫度分布變化的量(以下，稱為「必須變化量」)，與應使複數個別空調部50中第一氣體及第二氣體之噴吐量增減的量(以下，稱為「必須控制量」)之關係的模型(例如，多變數的函數)。
第二空調控制部114係基於由模型建構部117所建構之模型，而控制複數個別空調部50。例如，第二空調控制部114係基於使用端資訊取得部113所取得之測量結果，而導出收納室11a、12a、13a、14a內的溫度分布，再導出用於使該溫度分布均一化的必須變化量，並基於該模型而導出與該必須變化量對應之必須控制量，再基於該必須控制量而控制複數個別空調部50。更具體而言，第二空調控制部114係基於該必須控制量，而導出各個別空調部50中的第一閥54及第二閥55的開度指令，並將開度指令輸出至各個別空調部50。
依如此之構成，可使同一收納室11a、12a、13a、14a內的溫度均勻性進一步提高。例如，在複數溫度感測器63以與複數個別空調部50對應的方式配置的情況下，任一個別空調部50中之第一氣體及第二氣體的增減，亦會影響與該個別空調部50對應之溫度感測器63之外的溫度感測器63之配置位置的溫度。以下，將此影響稱為「周邊影響」。藉由基於表示溫度分布之變化與複數位置中的氣體噴吐量之增減的關係，而並非局部溫度變化與氣體噴吐量的增減之關係的模型，可進行將上述周邊影響亦列入考慮之控制。如此一來，有助於進一步提高溫度均勻性。
如圖11所示，塗佈顯影裝置2亦可更包含：第三導管90，將複數收納室11a、12a、13a、14a之外的第三氣體饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a；第一氣體供給源21係將比第三氣體低溫的氣體作為第一氣體而供給至第一導管30，第二氣體供給源22係將比第三氣體高溫的氣體作為第二氣體而供給至第二導管40，個別空調部50亦可噴吐將藉由第一導管30饋送之第一氣體及藉由第二導管40饋送之第二氣體，混合至藉由第三導管90饋送之第三氣體後之混合氣體，並調節混合氣體中之第一氣體、第二氣體及第三氣體的混合比例。
此情況下，可藉由將溫度在第一氣體及第二氣體之間的第三氣體加以混合，而減少第一氣體及第二氣體的總供給量。藉此，可減輕第一氣體供給源21及第二氣體供給源22的負擔，而實現該等氣體供給源的小規模化。又，圖11所例示之第三導管90係以與第一導管30同樣的方式包含：第三主導管91，沿著複數收納室11a、12a、13a、14a並列之方向；及複數第三副導管92，在分別與收納室11a、12a、13a、14a對應的複數位置，從第三主導管91伸出。在圖11中，第三主導管91係配置於載具區塊4側，但並不限定於此，亦可配置於介面區塊6側。又，第三主導管91亦可配置於處理區塊5內。
塗佈顯影裝置2亦可更具備：殼體B1，其包含複數收納室11a、12a、13a、14a；第三導管90亦可將與殼體B1鄰接之空間的氣體作為第三氣體，而饋送至各複數收納室11a、12a、13a、14a。此情況下，可實現裝置構成的更簡化。例如，圖11所示之塗佈顯影裝置2更包含：送風機93，將與殼體B1鄰接之空間的氣體導入至殼體B1內；第三導管90的第三主導管91係與送風機93連接。
將可調節第一氣體、第二氣體及第三氣體之混合比例的個別空調部50的構成例顯示於圖12及圖13。圖12所示之個別空調部50係將第三導入部58及第三閥59附加至圖5的個別空調部50。第三導入部58係與第三副導管92連接，並將第三氣體從第三副導管92導入至噴吐部53。第三閥59係調節第三導入部58內之流道的開度。作為第三閥59的具體例可列舉：蝶形閥，與第一閥54及第二閥55同樣地藉由使閥構件56旋轉而調節流道之開度。
圖13所示之個別空調部50係將合流部87、第三導入部58及第三閥88附加至圖6之個別空調部50。合流部87係夾設於「第一導入部51及第二導入部52」與「噴吐部53」之間的部分。用於調節第一氣體及第二氣體之混合比例的上述第一閥81係設於合流部87。第三導入部58係與第三副導管92連接，並將第三氣體從第三副導管92導入至噴吐部53。第三閥88係藉由使板狀之閥構件89在合流部87與第三導入部58之間移動，而調節第一氣體及第二氣體與第三氣體的混合比例。
如此，在個別空調部50可調節第一氣體、第二氣體及第三氣體之混合比例的情況下，控制部100亦可基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部溫度，而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內之第一氣體、第二氣體及第三氣體的混合比例。又，控制部100亦可基於各收納室11a、12a、13a、14a的內部壓力，而控制複數個別空調部50，以分別調節噴吐至複數收納室11a、12a、13a、14a內之第一氣體、第二氣體及第三氣體的總量。
以上，雖針對實施態樣加以說明，但本發明並非一定限於上述實施態樣，而係可在不脫離其主旨的範圍內進行各式各樣的變更。處理對象之基板並不限於半導體晶圓，例如亦可為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)等。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧塗佈顯影裝置
3‧‧‧曝光裝置
4‧‧‧載具區塊
5‧‧‧處理區塊
6‧‧‧介面區塊
11、12、13、14‧‧‧處理模組
11a、12a、13a、14a‧‧‧收納室
20‧‧‧空調系統
21‧‧‧第一氣體供給源
22‧‧‧第二氣體供給源
30‧‧‧第一導管
31‧‧‧第一主導管
32‧‧‧第一副導管
34、36、44、46‧‧‧隔熱材
40‧‧‧第二導管
41‧‧‧第二主導管
42‧‧‧第二副導管
50‧‧‧個別空調部
51‧‧‧第一導入部
52‧‧‧第二導入部
53‧‧‧噴吐部
54、81‧‧‧第一閥
55、82‧‧‧第二閥
56、83、84、89‧‧‧閥構件
58‧‧‧第三導入部
59、88‧‧‧第三閥
61、62、63‧‧‧溫度感測器
71、72、73‧‧‧壓力感測器
87‧‧‧合流部
90‧‧‧第三導管
91‧‧‧第三主導管
92‧‧‧第三副導管
93‧‧‧送風機
100‧‧‧控制部
111‧‧‧來源端資訊取得部
112‧‧‧第一空調控制部
113‧‧‧使用端資訊取得部
114‧‧‧第二空調控制部
116‧‧‧資料儲存部
117‧‧‧模型建構部
120‧‧‧電路
121‧‧‧處理器
122‧‧‧記憶體
123‧‧‧儲存裝置
124‧‧‧輸入輸出埠
125‧‧‧計時器
A1、A8‧‧‧傳遞臂
A 、A3‧‧‧搬運臂
A7‧‧‧升降臂部
B1‧‧‧殼體
C‧‧‧載具
S01~S07‧‧‧步驟
U1‧‧‧塗佈單元
U2、U4‧‧‧熱處理單元
U3‧‧‧顯影單元
U10、U11‧‧‧棚單元
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係顯示基板液體處理系統之概略構成的立體圖。
圖2係顯示基板處理裝置之概略構成的剖面圖。
圖3係顯示空調系統之概略構成的示意圖。
圖4係第一導管及第二導管的部分放大圖。
圖5係顯示個別空調部之一例的示意圖。
圖6係顯示個別空調部之變形例的示意圖。
圖7係沿圖6中之VII-VII線的剖面圖。
圖8係顯示控制部之硬體構成的方塊圖。
圖9係顯示空調處理步驟的流程圖。
圖10係顯示空調系統之變形例的示意圖。
圖11係顯示空調系統之變形例的示意圖。
圖12係顯示個別空調部之變形例的示意圖。
圖13係顯示個別空調部之變形例的示意圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 複數收納室，用以收納基板； 第一導管，將第一氣體饋送至該複數收納室中之各收納室； 第二導管，將比該第一氣體高溫的第二氣體饋送至該複數收納室中之各收納室；及 複數個別空調部，分別設於該等複數收納室，用以調節從該第一導管噴吐之該第一氣體及從該第二導管噴吐之該第二氣體的混合比例。
  2. 如請求項第1項所述之基板處理裝置，其中， 該第一導管包含：第一主導管，沿著該等複數收納室並列之方向；及複數第一副導管，在分別與該等複數收納室對應之複數位置，從該第一主導管伸出； 該第二導管包含：第二主導管，沿著該等複數收納室並列之方向；及複數第二副導管，在分別與該等複數收納室對應之複數位置，從該第二主導管伸出； 該等複數第一副導管係從該第一主導管往該第二主導管側伸出，該等複數第二副導管係從該第二主導管往該第一主導管側伸出，各該收納室之該個別空調部係在該第一主導管及該第二主導管之間，和與該收納室對應之該第一副導管及該第二副導管連接。
  3. 如請求項第1或2項所述之基板處理裝置，更包含： 控制部，基於各該收納室之內部溫度，而控制該等複數個別空調部，以分別調節噴吐至該等複數收納室內之該第一氣體與該第二氣體的混合比例。
  4. 如請求項第3項所述之基板處理裝置，其中， 該控制部係基於各該收納室之內部壓力，而控制該等複數個別空調部，以分別調節噴吐至該等複數收納室內之該第一氣體與該第二氣體的總量。
  5. 如請求項第3項所述之基板處理裝置，其中， 該等複數個別空調部包含設於同一該收納室之複數該個別空調部； 該控制部係控制設於該收納室內之該等複數個別空調部，以使該收納室內之溫度分布的均勻性提高。
  6. 如請求項第5項所述之基板處理裝置，其中， 該控制部係基於表示該收納室內的溫度分布之變化、與設於該收納室內之該等複數個別空調部中之該第一氣體及該第二氣體的噴吐量之增減間之關係的模型，而控制該等複數個別空調部。
  7. 如請求項第1或2項中所述之基板處理裝置，更包含： 第三導管，將該等複數收納室之外的第三氣體饋送至該等複數收納室中之各收納室； 該第一導管係與將比該第三氣體低溫之氣體作為該第一氣體而供給的第一氣體供給源連接； 該第二導管係與將比該第三氣體高溫之氣體作為該第二氣體而供給的第二氣體供給源連接； 該個別空調部噴吐混合氣體；該混合氣體係將藉由該第一導管饋送之該第一氣體及藉由該第二導管饋送之該第二氣體，混合至藉由該第三導管饋送之該第三氣體後而獲得；該個別空調部並調節該混合氣體中之該第一氣體、該第二氣體及該第三氣體的混合比例。
  8. 如請求項第7項所述之基板處理裝置，更包含： 殼體，包括該等複數收納室； 該第三導管係將鄰接於該殼體之空間內的氣體，作為該第三氣體而饋送至該複數收納室中之各收納室。
  9. 一種基板處理裝置之空調方法，包含以下步驟： 取得具有複數收納室之基板處理裝置中之各該收納室的內部溫度資訊；及 基於所取得之各該收納室的內部溫度資訊，而分別控制分別設於該等複數收納室之複數個別空調部，以調節從饋送第一氣體之第一導管噴吐之第一氣體、與從饋送比該第一氣體高溫之第二氣體的第二導管噴吐之第二氣體間的混合比例。
  10. 一種電腦可讀取之記錄媒體，儲存有用於使裝置執行如請求項第9項所述之基板處理裝置之空調方法的程式。
TW108109207A 2018-03-26 2019-03-19 基板處理裝置、空調方法及記錄媒體 TWI788540B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018057924 2018-03-26
JP2018-057924 2018-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201941262A true TW201941262A (zh) 2019-10-16
TWI788540B TWI788540B (zh) 2023-01-01

Family

ID=68058810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108109207A TWI788540B (zh) 2018-03-26 2019-03-19 基板處理裝置、空調方法及記錄媒體

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6986623B2 (zh)
CN (1) CN111868883A (zh)
TW (1) TWI788540B (zh)
WO (1) WO2019188453A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739201B (zh) * 2019-11-08 2021-09-11 辛耘企業股份有限公司 基板濕處理裝置及基板清洗方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111076498B (zh) * 2019-12-25 2021-06-11 广东利元亨智能装备股份有限公司 电芯的干燥方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225344B2 (ja) * 1996-01-26 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH11135429A (ja) * 1997-08-29 1999-05-21 Nikon Corp 温度制御方法及び該方法を使用する露光装置
JP3388706B2 (ja) * 1998-11-12 2003-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3552600B2 (ja) * 1998-07-13 2004-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3888836B2 (ja) * 1999-05-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像処理装置
JP4381909B2 (ja) * 2004-07-06 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2010013671A1 (ja) * 2008-08-01 2010-02-04 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5067432B2 (ja) * 2010-02-15 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739201B (zh) * 2019-11-08 2021-09-11 辛耘企業股份有限公司 基板濕處理裝置及基板清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI788540B (zh) 2023-01-01
JP6986623B2 (ja) 2021-12-22
KR20200136940A (ko) 2020-12-08
WO2019188453A1 (ja) 2019-10-03
CN111868883A (zh) 2020-10-30
JPWO2019188453A1 (ja) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636009B1 (ko) 기판처리장치
TWI483306B (zh) 基板製程系統中用於校準流量控制器的裝置及方法
JP4391518B2 (ja) 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および加熱処理装置
US20090098298A1 (en) Coater/developer, method of coating and developing resist film, and computer readable storing medium
TW201941262A (zh) 基板處理裝置、空調方法及記錄媒體
JP2001291660A (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
JP2003234270A (ja) 熱処理装置
JP4970882B2 (ja) 基板の測定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の測定システム
JP4097872B2 (ja) 半導体ウェハプロセッシングシステム
US8474396B2 (en) Developing apparatus, resist pattern forming method and storage medium
JP2845400B2 (ja) レジスト処理装置及び処理装置
KR20190004494A (ko) 기판 처리 장치
KR102674916B1 (ko) 기판 처리 장치, 공조 방법 및 기억 매체
JP3112446B2 (ja) 処理装置
JP2007335544A (ja) 基板処理装置
KR101985764B1 (ko) 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
KR20230029507A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치 제조 방법
JP7454509B2 (ja) 基板処理システムのモデルベースの制御
JP5638477B2 (ja) 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4255237B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20210317579A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102037915B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180119788A (ko) 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
US11927890B1 (en) Substrate processing apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same
KR102041319B1 (ko) 배기 조절 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법