JPWO2019188453A1 - 基板処理装置、空調方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

塗布・現像装置２は、ウェハＷを収容する複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａと、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに第一ガスを送る第一ダクト３０と、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクト４０と、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ設けられ、第一ダクト３０から吐出される第一ガス及び第二ダクト４０から吐出される第二ガスの混合比率を調節する複数の個別空調部５０と、を備える。

Description

本開示は、基板処理装置、空調方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、多段に重ねられた複数の処理ユニットを有する処理ステーションの外部において、空気の温度を調節する温度コントローラと、温度コントローラにより温度を調節された空気を処理ステーション内に送る送風ファンと、を備える処理装置が開示されている。

特開平９−２０５０４７号公報

本開示は、簡素な構成にて基板の収容室ごとの温度調節を可能にする基板処理装置を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を収容する複数の収容室と、複数の収容室のそれぞれに第一ガスを送る第一ダクトと、複数の収容室のそれぞれに第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクトと、複数の収容室にそれぞれ設けられ、第一ダクトから吐出される第一ガス及び第二ダクトから吐出される第二ガスの混合比率を調節する複数の個別空調部と、を備える。

基板処理装置外の給気源において調温されたガスを複数の収容室に送る場合、給気源からの距離の違い等に起因して、収容室同士で内部温度に差異が生じる場合がある。収容室ごとの温度調節を可能にするためには、給気源を収容室ごとに設けることが考えられるが、給気源の数が増えることによってシステム構成が複雑化する。これに対し、互いに温度の異なる第一ガス及び第二ガスを別々に供給し、これらの混合比率を調節する個別空調部を収容室ごとに設ける構成によれば、給気源を収容室ごとに設けることなく、各収容室に吐出されるガスの温度を個別に調節することができる。したがって、簡素な構成にて収容室ごとの温度調節を可能にすることができる。

第一ダクトは、複数の収容室が並ぶ方向に沿った第一メインダクトと、複数の収容室にそれぞれ対応する複数の位置にて第一メインダクトから突出した複数の第一サブダクトと、を有し、第二ダクトは、複数の収容室が並ぶ方向に沿った第二メインダクトと、複数の収容室にそれぞれ対応する複数の位置にて第二メインダクトから突出した複数の第二サブダクトと、を有し、複数の第一サブダクトは第一メインダクトから第二メインダクト側に突出し、複数の第二サブダクトは第二メインダクトから第一メインダクト側に突出し、それぞれの収容室の個別空調部は、第一メインダクト及び第二メインダクトの間において、当該収容室に対応する第一サブダクト及び第二サブダクトに接続されていてもよい。第二ダクトから第一ダクトへの伝熱が生じると、第二ガスの温度が第一ガスの温度に近付き、個別空調部における温度調整範囲が狭くなる可能性がある。これに対し、本構成によれば、第一メインダクト及び第二メインダクトを離して配置することができるので、第二ダクトから第一ダクトへの伝熱を抑制することができる。

基板処理装置は、収容室ごとの内部温度に基づいて、複数の収容室内に吐出される第一ガス及び第二ガスの混合比率をそれぞれ調節するように複数の個別空調部を制御する制御部を更に備えていてもよい。この場合、収容室ごとに、内部温度のフィードバック制御を行うことで、収容室ごとの温度をより適切に調節することができる。

制御部は、収容室ごとの内部圧力に基づいて、複数の収容室内に吐出される第一ガス及び第二ガスの総量をそれぞれ調節するように複数の個別空調部を制御してもよい。この場合、個別空調部を圧力の調節にも活用し、構成の更なる簡素化を図ることができる。

複数の個別空調部は、同一の収容室に設けられた複数の個別空調部を含んでおり、制御部は、収容室内における温度分布の均一性を向上させるように、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部を制御してもよい。この場合、同一の収容室内における温度均一性も向上させることができる。

制御部は、収容室内における温度分布の変化と、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部における第一ガス及び第二ガスの吐出量の増減との関係を示すモデルに基づいて複数の個別空調部を制御してもよい。この場合、同一の収容室内における温度均一性を更に向上させることができる。

基板処理装置は、複数の収容室の外の第三ガスを複数の収容室のそれぞれに送る第三ダクトを更に備え、第一ダクトは、第三ガスよりも低温のガスを第一ガスとして供給する第一ガス供給源に接続され、第二ダクトは、第三ガスよりも高温のガスを第二ガスとして供給する第二ガス供給源に接続され、個別空調部は、第三ダクトにより送られる第三ガスに第一ダクトにより送られる第一ガス及び第二ダクトにより送られる第二ガスを混合した混合ガスを吐出するように構成され、混合ガスにおける第一ガス、第二ガス及び第三ガスの混合比率を調節してもよい。この場合、第一ガス及び第二ガスの間の温度の第三ガスを混合することにより、第一ガス及び第二ガスの総供給量を削減することができる。これにより、第一ガス供給源及び第二ガス供給源の負担を減らし、これらの小規模化を図ることができる。

基板処理装置は、複数の収容室を含む筐体を更に備え、第三ダクトは、筐体に隣接する空間のガスを第三ガスとして複数の収容室のそれぞれに送るように構成されていてもよい。この場合、装置構成の更なる簡素化を図ることができる。

本開示の他の側面に係る基板処理装置の空調方法は、複数の収容室を有する基板処理装置の収容室ごとの内部温度情報を取得することと、第一ガスを送る第一ダクトから吐出される第一ガス、及び第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクトから吐出される第二ガスの混合比率を調節するように、複数の収容室にそれぞれ設けられた複数の個別空調部を、取得した収容室ごとの内部温度情報に基づいてそれぞれ制御することと、を含む。

本開示の更に他の側面に係る記憶媒体は、上記空調方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示によれば、簡素な構成にて基板の収容室ごとの温度調節を可能にする基板処理装置を提供することができる。

基板液処理システムの概略構成を示す斜視図である。 基板処理装置の概略構成を示す断面図である。 空調システムの概略構成を示す模式図である。 第一ダクト及び第二ダクトの部分拡大図である。 個別空調部の一例を示す模式図である。 個別空調部の変形例を示す模式図である。 図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。 空調処理手順を示すフローチャートである。 空調システムの変形例を示す模式図である。 空調システムの変形例を示す模式図である。 個別空調部の変形例を示す模式図である。 個別空調部の変形例を示す模式図である。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、ウェハＷを収容する収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ（図３参照）を有し、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを収容室１１ａ，１２ａ，１３ａに内蔵している。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、ウェハＷを収容する収容室１４ａ（図３参照）を有し、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを収容室１４ａに内蔵している。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔空調システム〕
図３に示すように、基板処理システム１は、処理ブロック５内の温度及び圧力を調節するための空調システム２０を更に備える。空調システム２０は、第一ガス供給源２１と、第二ガス供給源２２と、第一ダクト３０と、第二ダクト４０と、複数の個別空調部５０と、複数の温度センサ６１，６２，６３と、複数の圧力センサ７１，７２，７３とを備える。

第一ガス供給源２１は、例えばクーラまたはヒータ等の温度調節部を有する送風機であり、処理ブロック５内の目標温度よりも低い温度に調節した第一ガスを処理ブロック５に供給する。第二ガス供給源２２は、例えばクーラまたはヒータ等の温度調節部を有する送風機であり、第一ガスの温度及び処理ブロック５内の目標温度よりも高い温度に調節した第二ガスを処理ブロック５に供給する。

第一ダクト３０と、第二ダクト４０と、複数の個別空調部５０と、複数の温度センサ６１，６２，６３と、複数の圧力センサ７１，７２，７３とは、塗布・現像装置２内に設けられている。すなわち、塗布・現像装置２は、第一ダクト３０と、第二ダクト４０と、複数の個別空調部５０と、複数の温度センサ６１，６２，６３と、複数の圧力センサ７１，７２，７３とを備える。

第一ダクト３０は、第一ガス供給源２１により供給された第一ガスを複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに送る。第一ダクト３０は、第一メインダクト３１と、複数の第一サブダクト３２とを有する。第一メインダクト３１は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが並ぶ方向（例えば上下方向）に沿って延びている。

複数の第一サブダクト３２は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ対応する複数の位置にて第一メインダクト３１から側方に突出している。複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ対応するとは、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが並ぶ方向において、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの範囲内にそれぞれ位置するか、或いは複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの範囲の近傍にそれぞれ位置することを意味する。例えば、それぞれの第一サブダクト３２は、対応する収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの高さの範囲内で天井の近傍に配置されている。側方とは、第一メインダクト３１が延びる方向に交差する方向を意味する。以下においても同様である。

第二ダクト４０は、第二ガス供給源２２により供給された第二ガスを複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに送る。第二ダクト４０は、第二メインダクト４１と、複数の第二サブダクト４２とを有する。第二メインダクト４１は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが並ぶ方向（例えば上下方向）に沿って延びている。複数の第二サブダクト４２は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ対応する複数の位置にて第二メインダクト４１から側方に突出している。

ここで、複数の第一サブダクト３２は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａをそれぞれ経て第一メインダクト３１から第二メインダクト４１側（図示右方向）に突出している。複数の第二サブダクト４２は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａをそれぞれ経て第二メインダクト４１から第一メインダクト３１側（図示左方向）に突出している。

第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１は、所定方向において収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを挟むように配置されていてもよい。例えば第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１は、キャリアブロック４、処理ブロック５及びインタフェースブロック６が並ぶ方向において収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを挟むように配置されている。

図示においては、第一メインダクト３１がキャリアブロック４側に配置され、第二メインダクト４１がインタフェースブロック６側に配置されているがこれに限られず、第一メインダクト３１がインタフェースブロック６側に配置され、第二メインダクト４１がキャリアブロック４側に配置されていてもよい。

図４に例示するように、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１の少なくとも一部は断熱材により被覆されていてもよい。図４においては、第一メインダクト３１が断熱材３４により被覆され、第一サブダクト３２が断熱材３６により被覆され、第二メインダクト４１が断熱材４４により被覆され、第二サブダクト４２が断熱材４６により被覆されている。互いに離れて配置される第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１の断熱材３４，４４を省略してもよい。断熱材３４，３６，４４，４６の具体例としては、例えば発泡ウレタン等の多孔性の樹脂材料が挙げられる。断熱材３４，３６，４４，４６により、第一ダクト３０及び第二ダクト４０の間における伝熱が抑制される。

図３に戻り、複数の個別空調部５０は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ設けられた複数の個別空調部５０を含む。複数の個別空調部５０は、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに設けられた複数の個別空調部５０を含んでいてもよい。図３においては、第一サブダクト３２及び第二サブダクト４２に沿って並ぶ複数の個別空調部５０が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに設けられている。個別空調部５０は、第一ダクト３０から吐出される第一ガス及び第二ダクト４０から吐出される第二ガスの混合比率を調節する。例えば個別空調部５０は、第一ダクト３０により送られる第一ガスと第二ダクト４０により送られる第二ガスとを混合し、これにより得られた混合ガスを収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出し、混合ガスにおける第一ガス及び第二ガスの混合比率を調節する。収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの個別空調部５０は、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１の間において、当該収容室に対応する第一サブダクト３２及び第二サブダクト４２に接続されている。

例えば図５に示すように、個別空調部５０は、吐出部５３と、第一導入部５１と、第二導入部５２と、第一バルブ５４と、第二バルブ５５とを有する。吐出部５３は収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に開口している。第一導入部５１は第一サブダクト３２に接続され、第一サブダクト３２から吐出部５３に第一ガスを導入する。第二導入部５２は第二サブダクト４２に接続され、第二サブダクト４２から吐出部５３に第二ガスを導入する。

第一バルブ５４は、第一導入部５１内の流路の開度を調節する。第二バルブ５５は、第二導入部５２内の流路の開度を調節する。第一バルブ５４及び第二バルブ５５の開度をそれぞれ調節することにより、吐出部５３における第一ガス及び第二ガスの混合比率を調節することが可能である。また、第一バルブ５４の開度及び第二バルブ５５の開度の比率を保ちながら第一バルブ５４及び第二バルブ５５の開度を調節することにより、第一ガス及び第二ガスの混合比率を保ちつつ、吐出部５３から吐出される第一ガス及び第二ガスの総量を調節することが可能である。第一バルブ５４及び第二バルブ５５の具体例としては、板状の弁部材５６を回転させることにより当該流路の開度を調節するバタフライバルブが挙げられる。

なお、図５の構成は一例に過ぎない。個別空調部５０は、第一ダクト３０から吐出される第一ガス及び第二ダクト４０から吐出される第二ガスの混合比率を調節し得る限り、いかようにも構成可能である。

図６及び図７は、個別空調部５０の変形例を示す模式図である。図６及び図７の個別空調部５０は、第一バルブ５４及び第二バルブ５５に代えて、混合比率の調節用の第一バルブ８１と、吐出量の調節用の第二バルブ８２とを有する。例えば第一バルブ８１は、第一導入部５１側及び第二導入部５２側の間で板状の弁部材８３を移動させることによって第一ガス及び第二ガスの混合比率を調節する。第二バルブ８２は第一バルブ８１よりも下流側に配置され、板状の弁部材８４を回転させることにより吐出部５３内の流路の開度を調節する。

図３に戻り、複数の温度センサ６１は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内への供給前における第一ガスの温度を計測するソースポイントセンサであり、第一ダクト３０内に設けられている。複数の温度センサ６１は、複数の第一サブダクト３２にそれぞれ対応するように配置されている。図示において、それぞれの温度センサ６１は第一メインダクト３１と第一サブダクト３２とが交わる部分に配置されているがこれに限られない。温度センサ６１は第一サブダクト３２内に配置されていてもよい。また、複数の温度センサ６１は、同一の第一サブダクト３２内に配置される複数の温度センサ６１を含んでいてもよい。同一の第一サブダクト３２内の複数の温度センサ６１は、当該第一サブダクト３２に沿って並ぶ複数の個別空調部５０にそれぞれ対応するように配置されていてもよい。なお、温度センサ６１と個別空調部５０とが対応するとは、当該温度センサ６１と当該個別空調部５０との距離が、当該温度センサ６１と他のいずれの個別空調部５０との距離よりも小さいことを意味する。以下においても同様である。

複数の温度センサ６２は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内への供給前における第二ガスの温度を計測するソースポイントセンサであり、第二ダクト４０内に設けられている。複数の温度センサ６２は、複数の第二サブダクト４２にそれぞれ対応するように配置されている。図示において、それぞれの温度センサ６２は第二メインダクト４１と第二サブダクト４２とが交わる部分に配置されているがこれに限られない。温度センサ６２は第二サブダクト４２内に配置されていてもよい。また、複数の温度センサ６２は、同一の第二サブダクト４２内に配置される複数の温度センサ６２を含んでいてもよい。同一の第二サブダクト４２内の複数の温度センサ６２は、当該第二サブダクト４２に沿って並ぶ複数の個別空調部５０にそれぞれ対応するように配置されていてもよい。

複数の温度センサ６３は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の温度を計測するユースポイントセンサである。複数の温度センサ６３は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内にそれぞれ配置される複数の温度センサ６３を含む。複数の温度センサ６３は、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに設けられた複数の温度センサ６３を含んでいてもよい。図３においては、個別空調部５０と同数の温度センサ６３が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに設けられている。それぞれの収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにおいて、複数の温度センサ６３は、複数の個別空調部５０にそれぞれ対応するように配置されている。

複数の圧力センサ７１は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内への供給前における第一ガスの圧力を計測するソースポイントセンサであり、第一ダクト３０内に設けられている。複数の圧力センサ７１は、複数の第一サブダクト３２にそれぞれ対応するように配置されている。図示において、それぞれの圧力センサ７１は第一メインダクト３１と第一サブダクト３２とが交わる部分に配置されているがこれに限られない。圧力センサ７１は第一サブダクト３２内に配置されていてもよい。また、複数の圧力センサ７１は、同一の第一サブダクト３２内に配置される複数の圧力センサ７１を含んでいてもよい。同一の第一サブダクト３２内の複数の圧力センサ７１は、当該第一サブダクト３２に沿って並ぶ複数の個別空調部５０にそれぞれ対応するように配置されていてもよい。

複数の圧力センサ７２は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内への供給前における第二ガスの圧力を計測するソースポイントセンサであり、第二ダクト４０内に設けられている。複数の圧力センサ７２は、複数の第二サブダクト４２にそれぞれ対応するように配置されている。図示において、それぞれの圧力センサ７２は第二メインダクト４１と第二サブダクト４２とが交わる部分に配置されているがこれに限られない。圧力センサ７２は第二サブダクト４２内に配置されていてもよい。また、複数の圧力センサ７２は、同一の第二サブダクト４２内に配置される複数の圧力センサ７２を含んでいてもよい。同一の第二サブダクト４２内の複数の圧力センサ７２は、当該第二サブダクト４２に沿って並ぶ複数の個別空調部５０にそれぞれ対応するように配置されていてもよい。

複数の圧力センサ７３は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の圧力を計測するユースポイントセンサである。複数の圧力センサ７３は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内にそれぞれ配置される複数の圧力センサ７３を含む。図３においては、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに一つの圧力センサ７３が配置されているが、これに限られない。複数の圧力センサ７３は、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに設けられた複数の圧力センサ７３を含んでいてもよい。

以上の空調システム２０は、例えば制御部１００により制御される。制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部温度に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの混合比率をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御する。制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部圧力に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの総量をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御してもよい。制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度分布の均一性を向上させるように、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部５０を制御してもよい。

例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、ソースポイント情報取得部１１１と、第一空調制御部１１２と、ユースポイント情報取得部１１３と、第二空調制御部１１４とを有する。ソースポイント情報取得部１１１は、複数の温度センサ６１、複数の温度センサ６２、複数の圧力センサ７１、及び複数の圧力センサ７２による計測結果を取得する。

第一空調制御部１１２は、全ての温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２による計測結果が所定の条件を満たすように第一ガス供給源２１及び第二ガス供給源２２を制御する。例えば第一空調制御部１１２は、全ての温度センサ６１による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の目標温度よりも低くなり、全ての圧力センサ７１による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の目標圧力よりも高くなるように第一ガス供給源２１を制御する。また、第一空調制御部１１２は、全ての温度センサ６２による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の目標温度よりも高くなり、全ての圧力センサ７２による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の目標圧力よりも高くなるように第一ガス供給源２１を制御する。

ユースポイント情報取得部１１３は、複数の温度センサ６３及び複数の圧力センサ７３による計測結果を取得する。

第二空調制御部１１４は、複数の温度センサ６３による計測結果に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの混合比率をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御する。例えば第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも低い場合には、当該収容室の個別空調部５０において第二ガスの混合比率を高める。一方、第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも高い場合には、当該収容室の個別空調部５０において第一ガスの混合比率を高める。

また、第二空調制御部１１４は、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内の複数の温度センサ６３による計測結果の均一性を向上させるように、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部５０を制御する。例えば第二空調制御部１１４は、いずれかの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも低い場合には、当該温度センサ６３に対応する個別空調部５０において第二ガスの混合比率を高める。一方、第二空調制御部１１４は、いずれかの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも高い場合には、当該温度センサ６３に対応する個別空調部５０において第一ガスの混合比率を高める。

また、第二空調制御部１１４は、複数の圧力センサ７３による計測結果に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの総量をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御する。例えば第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの圧力センサ７３による計測結果が目標圧力よりも低い場合には、当該収容室の個別空調部５０が吐出する第一ガス及び第二ガスの総量を増やす。一方、第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの圧力センサ７３による計測結果が目標圧力よりも高い場合には、当該収容室の個別空調部５０が吐出する第一ガス及び第二ガスの総量を減らす。

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図８に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の空調処理手順を空調システム２０に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、第一ガス供給源２１、第二ガス供給源２２、個別空調部５０、温度センサ６１，６２，６３及び圧力センサ７１，７２，７３との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔空調方法〕
以下、塗布・現像装置２の空調方法の一例として、空調システム２０において実行される空調処理手順を説明する。当該空調処理手順は、複数の収容室を有する基板処理装置の収容室ごとの内部温度情報を取得することと、第一ガスを送る第一ダクトから吐出される第一ガス、及び第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクトから吐出される第二ガスの混合比率を調節するように、複数の収容室にそれぞれ設けられた複数の個別空調部を、取得した収容室ごとの内部温度情報に基づいてそれぞれ制御することと、を含む。

例えば図９に示すように、制御部１００は、まずステップＳ０１，Ｓ０２を順に実行する。ステップＳ０１では、ソースポイント情報取得部１１１が、全ての温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２による計測結果を取得する。ステップＳ０２では、第一空調制御部１１２が、全ての温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２による計測結果が所定の条件を満たすか否かを確認する。

ステップＳ０２において、温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２のいずれかによる計測結果が所定の条件を満たしていないと判定した場合、制御部１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、第一空調制御部１１２は、ステップＳ０２における判定結果に基づいて、第一ガス及び第二ガスの供給状態を調節するように第一ガス供給源２１及び第二ガス供給源２２を制御する。例えば、いずれかの温度センサ６１による計測結果が、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの目標温度以上となっている場合、第一空調制御部１１２は、第一ガスの温度を低下させるように第一ガス供給源２１を制御する。いずれかの圧力センサ７１による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの目標圧力以下となっている場合、第一空調制御部１１２は、第一ガスの供給量を増やすように第一ガス供給源２１を制御する。いずれかの温度センサ６２による計測結果が、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの目標温度以下となっている場合、第一空調制御部１１２は、第二ガスの温度を上昇させるように第二ガス供給源２２を制御する。いずれかの圧力センサ７２による計測結果が収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの目標圧力以下となっている場合、第一空調制御部１１２は、第二ガスの供給量を増やすように第二ガス供給源２２を制御する。その後、制御部１００は処理をステップＳ０１に戻す。以後、全ての温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２による計測結果が所定の条件を満たすまでは、第一ガス及び第二ガスの供給状態の調節が繰り返される。

ステップＳ０２において、全ての温度センサ６１，６２及び圧力センサ７１，７２による計測結果が所定の条件を満たしていると判定した場合、制御部１００はステップＳ０４，Ｓ０５，Ｓ０６，Ｓ０７を順に実行する。ステップＳ０４では、ユースポイント情報取得部１１３が、全ての温度センサ６３及び圧力センサ７３による計測結果を取得する。

ステップＳ０５では、第二空調制御部１１４が、温度センサ６３及び圧力センサ７３による計測結果に基づいて、それぞれの個別空調部５０における第一ガス及び第二ガスの混合比率と、それぞれの個別空調部５０における第一ガス及び第二ガスの総吐出量とを設定する。例えば第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも低い場合には、当該収容室の個別空調部５０における第二ガスの混合比率の設定値を高くする。一方、第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも高い場合には、当該収容室の個別空調部５０における第一ガスの混合比率の設定値を高くする。また、第二空調制御部１１４は、いずれかの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも低い場合には、当該温度センサ６３に対応する個別空調部５０における第二ガスの混合比率の設定値を高くする。一方、第二空調制御部１１４は、いずれかの温度センサ６３による計測結果が目標温度よりも高い場合には、当該温度センサ６３に対応する個別空調部５０における第一ガスの混合比率の設定値を高くする。また、第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの圧力センサ７３による計測結果が目標圧力よりも低い場合には、当該収容室の個別空調部５０が吐出する第一ガス及び第二ガスの総量の設定値を増やす。一方、第二空調制御部１１４は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの圧力センサ７３による計測結果が目標圧力よりも高い場合には、当該収容室の個別空調部５０が吐出する第一ガス及び第二ガスの総量の設定値を減らす。

ステップＳ０６では、第二空調制御部１１４が、ステップＳ０５において設定された混合比率及び総吐出量に基づいて、それぞれの個別空調部５０における第一バルブ５４及び第二バルブ５５の開度指令を導出する。ステップＳ０７では、第二空調制御部１１４が、ステップＳ０６において導出された開度指令をそれぞれの個別空調部５０に出力する。以上で空調処理手順が完了する。制御部１００は、当該空調処理手順を繰り返し実行する。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷを収容する複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａと、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに第一ガスを送る第一ダクト３０と、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクト４０と、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ設けられ、第一ダクト３０から吐出される第一ガス及び第二ダクト４０から吐出される第二ガスの混合比率を調節する複数の個別空調部５０と、を備える。

塗布・現像装置２外の給気源において調温されたガスを複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに送る場合、給気源からの距離の違い等に起因して、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ同士で内部温度に差異が生じる場合がある。収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの温度調節を可能にするためには、給気源を収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとに設けることが考えられるが、給気源の数が増えることによってシステム構成が複雑化する。これに対し、互いに温度の異なる第一ガス及び第二ガスを別々に供給し、これらの混合比率を調節する個別空調部５０を収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとに設ける構成によれば、給気源を収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとに設けることなく、各収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに吐出されるガスの温度を個別に調節することができる。したがって、簡素な構成にて収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの温度調節を可能にすることができる。

第一ダクト３０は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが並ぶ方向に沿った第一メインダクト３１と、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ対応する複数の位置にて第一メインダクト３１から突出した複数の第一サブダクト３２と、を有し、第二ダクト４０は、複数の収容室が並ぶ方向に沿った第二メインダクト４１と、複数の収容室にそれぞれ対応する複数の位置にて第二メインダクト４１から突出した複数の第二サブダクト４２と、を有し、複数の第一サブダクト３２は第一メインダクト３１から第二メインダクト４１側に突出し、複数の第二サブダクト４２は第二メインダクト４１から第一メインダクト３１側に突出し、それぞれの収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの個別空調部５０は、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１の間において、当該収容室に対応する第一サブダクト３２及び第二サブダクト４２に接続されていてもよい。第二ダクト４０から第一ダクト３０への伝熱が生じると、第二ガスの温度が第一ガスの温度に近付き、個別空調部における温度調整範囲が狭くなる可能性がある。これに対し、本構成によれば、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１を離して配置することができるので、第二ダクトから第一ダクトへの伝熱を抑制することができる。例えば、所定方向において収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを挟むように第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１を配置することも可能である。このように、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１を離して配置することにより、第二ダクト４０から第一ダクト３０への伝熱を抑制することができる。更に、第一メインダクト３１及び第二メインダクト４１の少なくとも一部を断熱材３４，４４により被覆することによっても、第二ダクト４０から第一ダクト３０への伝熱を抑制することができる。

塗布・現像装置２は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部温度に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの混合比率をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御する制御部１００を更に備えていてもよい。この場合、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとに、内部温度のフィードバック制御を行うことで、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの温度をより適切に調節することができる。

制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部圧力に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス及び第二ガスの総量をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御してもよい。この場合、個別空調部５０を圧力の調節にも活用し、構成の更なる簡素化を図ることができる。

複数の個別空調部５０は、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに設けられた複数の個別空調部５０を含んでおり、制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度分布の均一性を向上させるように、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部５０を制御してもよい。この場合、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度均一性も向上させることができる。

制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度分布の変化と、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部５０における第一ガス及び第二ガスの吐出量の増減との関係を示すモデルに基づいて複数の個別空調部５０を制御するように構成されていてもよい。

例えば制御部１００は、図１０に示すように、機能モジュールとしてデータ蓄積部１１６及びモデル構築部１１７を更に有してもよい。データ蓄積部１１６は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度分布の変化に関するデータをユースポイント情報取得部１１３から取得し、当該収容室内に設けられた複数の個別空調部５０における第一ガス及び第二ガスの吐出量の増減に関するデータを第二空調制御部１１４から取得し、これらを対応付けて蓄積する。

モデル構築部１１７は、データ蓄積部１１６に蓄積されたデータに基づいて、温度分布を変化させるべき量（以下、「必要変化量」という。）と、複数の個別空調部５０において第一ガス及び第二ガスの吐出量を増減させるべき量（以下、「必要制御量」という。）との関係を示すモデル（例えば多変数の関数）を構築する。

第二空調制御部１１４は、モデル構築部１１７により構築されたモデルに基づいて複数の個別空調部５０を制御する。例えば第二空調制御部１１４は、ユースポイント情報取得部１１３が取得した計測結果に基づいて収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度分布を導出し、当該温度分布の均一化のための必要変化量を導出し、当該必要変化量に対応する必要制御量を当該モデルに基づいて導出し、当該必要制御量に基づいて複数の個別空調部５０を制御する。より具体的に、第二空調制御部１１４は、当該必要制御量に基づいて、それぞれの個別空調部５０における第一バルブ５４及び第二バルブ５５の開度指令を導出し、それぞれの個別空調部５０に開度指令を出力する。

このような構成によれば、同一の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内における温度均一性を更に向上させることができる。例えば、複数の温度センサ６３が複数の個別空調部５０に対応するように配置されている場合であっても、いずれかの個別空調部５０における第一ガス及び第二ガスの増減は、当該個別空調部５０に対応する温度センサ６３の他の温度センサ６３の配置位置の温度にも影響する。以下、これを「周辺影響」という。局所的な温度変化及びガス吐出量の増減との関係ではなく、温度分布の変化と複数個所におけるガス吐出量の増減との関係を示すモデルに基づくことにより、上記周辺影響をも加味した制御を行うことができる。これが、温度均一性の更なる向上に寄与する。

図１１に示すように、塗布・現像装置２は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの外の第三ガスを複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに送る第三ダクト９０を更に備えてもよく、第一ガス供給源２１は第三ガスよりも低温のガスを第一ガスとして第一ダクト３０に供給するように構成され、第二ガス供給源２２は第三ガスよりも高温のガスを第二ガスとして第二ダクト４０に供給するように構成され、個別空調部５０は、第三ダクト９０により送られる第三ガスに第一ダクト３０により送られる第一ガス及び第二ダクト４０により送られる第二ガスを混合した混合ガスを吐出するように構成され、混合ガスにおける第一ガス、第二ガス及び第三ガスの混合比率を調節してもよい。

この場合、第一ガス及び第二ガスの間の温度の第三ガスを混合することにより、第一ガス及び第二ガスの総供給量を削減することができる。これにより、第一ガス供給源２１及び第二ガス供給源２２の負担を減らし、これらの小規模化を図ることができる。なお、図１１に例示する第三ダクト９０は、第一ダクト３０と同様に、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが並ぶ方向に沿う第三メインダクト９１と、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａにそれぞれ対応する複数の位置で第三メインダクト９１から突出した複数の第三サブダクト９２とを有する。第三メインダクト９１は、キャリアブロック４側に配置されているがこれに限られず、インタフェースブロック６側に配置されていてもよい。また、第三メインダクト９１は処理ブロック５内に配置されていてもよい。

塗布・現像装置２は、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを含む筐体Ｂ１を更に備えてもよく、第三ダクト９０は、筐体Ｂ１に隣接する空間のガスを第三ガスとして複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａのそれぞれに送るように構成されていてもよい。この場合、装置構成の更なる簡素化を図ることができる。例えば図１１に示す塗布・現像装置２は、筐体Ｂ１に隣接する空間のガスを筐体Ｂ１内に導入する送風機９３を更に備えており、第三ダクト９０の第三メインダクト９１は送風機９３に接続されている。

第一ガス、第二ガス及び第三ガスの混合比率を調節可能な個別空調部５０の構成例を図１２及び図１３に示す。図１２に示す個別空調部５０は、図５の個別空調部５０に第三導入部５８と第三バルブ５９とを付加したものである。第三導入部５８は第三サブダクト９２に接続され、第三サブダクト９２から吐出部５３に第三ガスを導入する。第三バルブ５９は、第三導入部５８内の流路の開度を調節する。第三バルブ５９の具体例としては、第一バルブ５４及び第二バルブ５５と同様に、弁部材５６を回転させることにより流路の開度を調節するバタフライバルブが挙げられる。

図１３に示す個別空調部５０は、図６の個別空調部５０に合流部８７、第三導入部５８及び第三バルブ８８を付加したものである。合流部８７は、第一導入部５１及び第二導入部５２と吐出部５３との間に介在する部分である。第一ガス及び第二ガスの混合比率を調節するための上記第一バルブ８１は合流部８７に設けられている。第三導入部５８は、第三サブダクト９２に接続され、第三サブダクト９２から吐出部５３に第三ガスを導入する。第三バルブ８８は、合流部８７及び第三導入部５８の間で板状の弁部材８９を移動させることによって、第一ガス及び第二ガスと第三ガスとの混合比率を調節する。

このように、個別空調部５０が第一ガス、第二ガス及び第三ガスの混合比率を調節可能である場合、制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部温度に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス、第二ガス及び第三ガスの混合比率をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御してもよい。また、制御部１００は、収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａごとの内部圧力に基づいて、複数の収容室１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ内に吐出される第一ガス、第二ガス及び第三ガスの総量をそれぞれ調節するように複数の個別空調部５０を制御してもよい。

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ…収容室、２１…第一ガス供給源、２２…第二ガス供給源、３０…第一ダクト、３１…第一メインダクト、３２…第一サブダクト、４０…第二ダクト、４１…第二メインダクト、４２…第二サブダクト、５０…個別空調部、９０…第三ダクト、１００…制御部、Ｂ１…筐体、Ｗ…ウェハ（基板）。

Claims (10)

1. 基板を収容する複数の収容室と、
   前記複数の収容室のそれぞれに第一ガスを送る第一ダクトと、
   前記複数の収容室のそれぞれに前記第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクトと、
   前記複数の収容室にそれぞれ設けられ、前記第一ダクトから吐出される前記第一ガス及び前記第二ダクトから吐出される前記第二ガスの混合比率を調節する複数の個別空調部と、を備える基板処理装置。
2. 前記第一ダクトは、前記複数の収容室が並ぶ方向に沿った第一メインダクトと、前記複数の収容室にそれぞれ対応する複数の位置にて前記第一メインダクトから突出した複数の第一サブダクトと、を有し、
   前記第二ダクトは、前記複数の収容室が並ぶ方向に沿った第二メインダクトと、前記複数の収容室にそれぞれ対応する複数の位置にて前記第二メインダクトから突出した複数の第二サブダクトと、を有し、
   前記複数の第一サブダクトは前記第一メインダクトから前記第二メインダクト側に突出し、前記複数の第二サブダクトは前記第二メインダクトから前記第一メインダクト側に突出し、それぞれの前記収容室の前記個別空調部は、前記第一メインダクト及び前記第二メインダクトの間において、当該収容室に対応する前記第一サブダクト及び前記第二サブダクトに接続されている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記収容室ごとの内部温度に基づいて、前記複数の収容室内に吐出される前記第一ガス及び前記第二ガスの混合比率をそれぞれ調節するように前記複数の個別空調部を制御する制御部を更に備える、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記収容室ごとの内部圧力に基づいて、前記複数の収容室内に吐出される前記第一ガス及び前記第二ガスの総量をそれぞれ調節するように前記複数の個別空調部を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記複数の個別空調部は、同一の前記収容室に設けられた複数の前記個別空調部を含んでおり、
   前記制御部は、前記収容室内における温度分布の均一性を向上させるように、当該収容室内に設けられた前記複数の個別空調部を制御する、請求項３又は４記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記収容室内における温度分布の変化と、当該収容室内に設けられた前記複数の個別空調部における前記第一ガス及び前記第二ガスの吐出量の増減との関係を示すモデルに基づいて前記複数の個別空調部を制御する、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記複数の収容室の外の第三ガスを前記複数の収容室のそれぞれに送る第三ダクトを更に備え、
   前記第一ダクトは、前記第三ガスよりも低温のガスを前記第一ガスとして供給する第一ガス供給源に接続され、
   前記第二ダクトは、前記第三ガスよりも高温のガスを前記第二ガスとして供給する第二ガス供給源に接続され、
   前記個別空調部は、前記第三ダクトにより送られる前記第三ガスに前記第一ダクトにより送られる前記第一ガス及び前記第二ダクトにより送られる前記第二ガスを混合した混合ガスを吐出するように構成され、前記混合ガスにおける前記第一ガス、前記第二ガス及び前記第三ガスの混合比率を調節する、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記複数の収容室を含む筐体を更に備え、
   前記第三ダクトは、前記筐体に隣接する空間のガスを前記第三ガスとして前記複数の収容室のそれぞれに送るように構成されている、請求項７記載の基板処理装置。
9. 複数の収容室を有する基板処理装置の前記収容室ごとの内部温度情報を取得することと、
   第一ガスを送る第一ダクトから吐出される第一ガス、及び前記第一ガスよりも高温の第二ガスを送る第二ダクトから吐出される第二ガスの混合比率を調節するように、前記複数の収容室にそれぞれ設けられた複数の個別空調部を、取得した前記収容室ごとの内部温度情報に基づいてそれぞれ制御することと、を含む基板処理装置の空調方法。
10. 請求項９記載の空調方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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