TW201928534A - 電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法，其依次包含：在導電層上形成正型感光性組成物層之步驟；對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟；對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟；將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟；對上述經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟；及去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟。

Description

電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法

本揭示係有關一種電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法。

例如，在靜電電容型輸入裝置等具備觸控面板之顯示裝置等（有機電致發光（EL）顯示裝置或液晶顯示裝置等）中，在觸控面板內部設置有相當於可見部的感測器之電極圖案、邊緣配線部分、引出配線部分的配線等電路配線。 形成該種圖案化之電路配線時，從用於獲得所需之圖案形狀之步驟數少之理由而言，研究將乾薄膜阻劑用作感光性轉印材料。 具體而言，廣泛使用如下方法：使用乾薄膜阻劑，在基板上形成感光性組成物層（感光性組成物的層），藉由經由具有圖案之遮罩等對上述感光性組成物層進行圖案曝光，並對曝光後的感光性組成物層進行顯影而獲得阻劑圖案，然後，對基板進行蝕刻處理，藉此形成電路配線。

例如，在日本特開2017-116611號公報中記載有一種正型感光性轉印材料，其具有臨時支撐體及配置於上述臨時支撐體上之正型感光性樹脂層，該正型感光性樹脂層包含：聚合物，包含由下述式A表示之構成單元且重量平均分子量為100000以下；塑化劑，重量平均分子量小於包含上述由式A表示之構成單元之聚合物；及光酸產生劑。

[化學式1]

式A中，R³¹ 及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹ 及R³² 中的任一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或伸芳基。

本發明人等發現在以往的電路基板的製造方法中，在長期使用蝕刻遮罩的去除液之情形下，有時去除性會逐漸下降。

本發明的實施態樣欲解決之課題為，提供一種即使在長時間使用去除液之情形下，蝕刻遮罩的去除性亦優異之電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法。

在用於解決上述問題之方案中包含以下態樣。 ＜1＞一種電路基板的製造方法，其依次包含：在導電層上形成正型感光性組成物層之步驟；對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟；對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟；將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟；對上述經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟；及去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟。 ＜2＞如＜1＞所述之電路基板的製造方法，其中，在對上述正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟與去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟之間，包含對上述經整個面曝光之正型感光性組成物層進行加熱之步驟。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之電路基板的製造方法，其中在去除上述正型感光性組成物層之步驟中，使用含有30質量%以上的水之去除液。 ＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項所述之電路基板的製造方法，其中上述正型感光性組成物層含有聚合物及光酸產生劑，該聚合物包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元。 ＜5＞如＜4＞所述之電路基板的製造方法，其中上述具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元為由下述式A1～式A3中的任一個表示之構成單元。

[化學式2]

式A1中，R¹¹ 及R¹² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R¹¹ 及R¹² 中的任一者係烷基或芳基，R¹³ 表示烷基或芳基，R¹¹ 或R¹² 可以與R¹³ 連結而形成環狀醚，R¹⁴ 表示氫原子或甲基，X¹ 表示單鍵或2價的連結基，R¹⁵ 表示取代基，n表示0～4的整數。 式A2中，R²¹ 及R²² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R²¹ 及R²² 中的任一者係烷基或芳基，R²³ 表示烷基或芳基，R²¹ 或R²² 可以與R²³ 連結而形成環狀醚，R²⁴ 分別獨立地表示羥基、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羥烷基、芳基羰基、芳氧基羰基或環烷基，m表示0～3的整數。 式A3中，R³¹ 及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹ 及R³² 中的任一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或2價的連結基。

＜6＞如＜5＞所述之電路基板的製造方法，其中上述具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元為由上述式A3表示之構成單元。 ＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一項所述之電路基板的製造方法，其中上述導電層為選自包含金屬層及導電性金屬氧化物層之群組中之至少1種層。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項所述之電路基板的製造方法，其中上述導電層為銅層。 ＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項所述之電路基板的製造方法，其中在形成上述正型感光性組成物層之步驟中，使用具有臨時支撐體和正型感光性組成物層之感光性轉印材料。 ＜10＞如＜9＞所述之電路基板的製造方法，其中上述臨時支撐體為樹脂薄膜。 ＜11＞如＜9＞或＜10＞所述之電路基板的製造方法，其中上述臨時支撐體包含環烯烴聚合物。 ＜12＞一種觸控面板的製造方法，其包含＜1＞至＜11＞中任一項所述之電路基板的製造方法。 [發明效果]

依本發明的實施態樣，能夠提供一種即使在長時間使用去除液之情形下，蝕刻遮罩的去除性亦優異之電路基板的製造方法及觸控面板的製造方法。

以下，對本揭示的內容進行說明。另外，參考圖式進行說明，但是有時省略符號。 又，在本說明書中使用“～”表示之數值範圍表示將記載於“～”的前後之數值作為下限值以及上限值而包含在內之範圍。 又，在本說明書中，“（甲基）丙烯酸”表示丙烯酸以及甲基丙烯酸兩者或任一者，“（甲基）丙烯酸酯”表示丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯兩者或任一者。 而且，在本說明書中，組成物中存在複數個符合各成分的物質的情形下，只要無特別指明，組成物中的各成分的量係指存在於組成物中之該複數個物質的總計量。 在本說明書中“步驟”一詞不僅表示獨立之步驟，即使在無法與其他步驟明確區分的情形下，只要能夠達成步驟的預期目的，則包含於本用語。 在本說明書中，所謂“總固體成分”，係指從組成物的所有組成中去除溶劑而得之成分的總質量。又，所謂“固體成分”，如上所述，係指去除溶劑而得之成分，例如，在25℃下可以為固態，亦可以為液態。 在本說明書中的基團（原子團）的標記中，未標有經取代及未經取代之標記包含不具有取代基者，並且還包含具有取代基者。例如“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代之烷基），還包含具有取代基之烷基（經取代之烷基）。 又，本說明書中之化學結構式有時還會以省略了氫原子之簡略結構式記載。 在本揭示中，“質量%”與“重量%”的含義相同，“質量份”與“重量份”的含義相同。 又，在本揭示中，2個以上的較佳態樣的組合係更佳的態樣。 又，本揭示中的重量平均分子量（Mw）及數平均分子量（Mn），只要無特別說明，則為以如下方式獲得之分子量，亦即藉由使用了TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL（均為TOSOH CORPORATION製造的商品名稱）的柱之凝膠滲透層析法（GPC）分析裝置，利用溶劑THF（四氫呋喃）、差示折射計進行檢測，並使用聚苯乙烯來作為標準物質進行換算而得之分子量。

（電路基板的製造方法） 本揭示之電路基板的製造方法依次包含：在導電層上形成正型感光性組成物層之步驟；對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟；對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟；將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟；對上述經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟；及去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟。

本發明人等進行深入研究之結果發現，依本揭示之電路基板的製造方法，即使在長時間使用去除液（剝離液）之情形下，蝕刻遮罩的去除性亦優異。雖然獲得上述效果之機制的詳細內容不明確，但是推測為如下。

如上所述，本發明人等發現以往的電路基板的製造方法中，在長時間使用蝕刻遮罩的去除液之情形下，有時蝕刻遮罩的去除性逐漸下降。 在長時間使用去除液之情形下，雖然詳細內容不明確，但是推斷出由於由空氣中的二氧化碳的溶解引起的碳酸鹽的增加、正型感光性組成物層中的成分的混入等主要原因，去除性逐漸劣化。 本發明人等重複進行深入研究之結果推斷出，本揭示之電路基板的製造方法中，在蝕刻步驟之後，對用作蝕刻遮罩之正型感光性組成物層進行整個面曝光，藉此對去除液的溶解性及去除液的滲透性得到提高，即使在長時間使用去除液之情形下，去除性亦優異。 而且，發現在對上述正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟與去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟之間，包含對上述經整個面曝光之正型感光性組成物層進行加熱之步驟（加熱步驟），藉此在長時間使用去除液之情形下的蝕刻遮罩的去除性更加優異。推斷出藉由包含加熱步驟，能夠促進由正型感光性組成物層中的曝光引起的反應，即使在曝光量不足而可能引起反應抑制之導電層基板附近，反應亦得到促進，對去除液的溶解性及去除液的滲透性得到提高，蝕刻遮罩的去除性更加優異者。

又，推斷出藉由長時間使用去除液，去除液中的鹼（無機鹼或有機鹼）與自空氣中溶解之二氧化碳進行反應而形成碳酸鹽，去除液中的鹽濃度隨時間而上昇。 推斷出：為了藉由去除液溶解正型感光性組成物層（蝕刻遮罩）中所包含之聚合物，需要在去除液中，利用聚合物之間的電荷排斥（斥力），擴散到水溶液中，但是若去除液中的鹽濃度上昇，則聚合物表面中的電雙層的厚度變小，聚合物彼此的斥力變小，藉此聚合物無法充分擴散，去除性下降。 推斷出：藉由去除前的整個面曝光來提高正型樹脂組成物層的溶解性，尤其藉由酸分解性基的分解來產生酸基，使聚合物的酸值上昇，因此能夠增加作用於聚合物之間之斥力，即使在長時間使用去除液之情形下，去除性亦更加優異。

又，作為本揭示之電路基板的製造方法，以下示出較佳的2個態樣。 電路基板的製造方法的第1實施態樣依次包含： 在基板中的導電層上形成正型感光性組成物層之步驟（形成步驟）； 對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟（曝光步驟）； 對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟（顯影步驟）； 將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟（蝕刻步驟）； 對上述經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟（整個面曝光步驟）；及 去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟（去除步驟）。 電路基板的製造方法的第1實施態樣中的基板可以為玻璃、二氧化矽、薄膜等基材本身係基板，亦可以為在玻璃、二氧化矽、薄膜等基材上依需要設置有導電層等任意層之基板。 依電路基板的製造方法的第1實施態樣，能夠在基板表面形成精細圖案。

電路基板的製造方法的第2實施態樣依次包含： 在具有基材及包含構成材料彼此不同之第1導電層及第2導電層之複數個導電層，且在上述基材的表面上以離上述基材的表面遠到近的順序積層有最表面層亦即上述第1導電層及上述第2導電層之基板上形成正型感光性組成物層之步驟； 對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之第1曝光步驟； 對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影而形成第1圖案之第1顯影步驟； 在未配置上述第1圖案之區域中的上述複數個導電層中至少對上述第1導電層及上述第2導電層進行蝕刻處理之第1蝕刻步驟； 對上述第1蝕刻步驟後的上述第1圖案以與上述第1圖案不同的圖案進行圖案曝光之第2曝光步驟； 對上述第2曝光步驟後的上述第1圖案進行顯影而形成第2圖案之第2顯影步驟； 在未配置上述第2圖案之區域中的上述複數個導電層中至少對上述第1導電層進行蝕刻處理之第2蝕刻步驟； 對上述第2圖案進行整個面曝光之步驟；及 去除上述第2圖案之步驟。 作為上述第2實施態樣，能夠參閱國際公開第2006/190405號，將該內容編入於本說明書中。

又，還能夠對具有基材以及包含構成材料彼此不同之第1導電層及第2導電層之複數個導電層之基板反覆應用上述第1實施態樣的電路基板的製造方法來製造電路基板。

以下，對本揭示之電路基板的製造方法進行詳細說明。

＜形成步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含在導電層上形成正型感光性組成物層（還簡稱為“感光性組成物層”。）之步驟（形成步驟）。 作為在導電層上形成正型感光性組成物層之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法，例如可舉出藉由塗佈而在導電層上形成正型感光性組成物層之方法及藉由使用感光性轉印材料轉印正型感光性組成物層而在導電層上形成正型感光性組成物層之方法等。 塗佈方法並無特別限定，能夠藉由狹縫塗佈、旋塗、簾塗、噴墨塗佈等公知的方法進行塗佈。 其中，從簡便性及抑制步驟數的觀點而言，可較佳地舉出藉由使用感光性轉印材料轉印正型感光性組成物層而在導電層上形成正型感光性組成物層之方法。 又，上述感光性轉印材料係在臨時支撐體上具有感光性組成物層者為較佳。 以臨時支撐體為基準，感光性組成物層側的最外層可以為感光性組成物層，亦可以為在感光性組成物層上形成之其他層。 關於本揭示中的正型感光性組成物層及本揭示中所使用之感光性轉印材料的詳細內容，將在後面進行敘述。

在圖1的（a）中示意性地示出了在導電層上形成正型感光性組成物層之情形下的形成正型感光性組成物層之步驟的一例。 首先，貼合步驟中，對於具有基材22及包含構成材料彼此不同之第1導電層24及第2導電層26之複數個導電層，且在基材22的表面上以離基材22的表面遠到近的順序積層有作為最表面層之第1導電層24和第2導電層26之基板（電路配線形成用基板）20，使本揭示之感光性轉印材料100的感光性組成物層12與第1導電層24接觸而貼合。另外，有時將該種電路配線形成用基板與感光性轉印材料的貼合稱為“轉印”或“層合”。 又，關於形成使用了轉印材料之感光性組成物層，還能夠從形成有導電層的圖案之基材上進行轉印。

如圖2所示，在感光性轉印材料100的感光性組成物層12上具有覆蓋膜16之情形下，從感光性轉印材料100（感光性組成物層12）中去除覆蓋膜16之後，使感光性轉印材料100的感光性組成物層12與第1導電層24接觸而貼合。 關於對感光性轉印材料的第1導電層上的貼合（轉印），將感光性轉印材料的感光性組成物層側重疊於第1導電層上，藉由基於輥等之加壓及加熱而進行為較佳。在貼合中，能夠使用積層機、真空積層機以及能夠更加提高生產性之自動切割積層機（Auto-Cut laminator）等公知的積層機。 在電路配線形成用基板的基材係樹脂薄膜之情形下，亦能夠以卷對卷的方式進行貼合。

〔基材〕 在基材上具有上述導電層為較佳。 在基材上積層有複數個導電層之基板中，基材為玻璃基材或薄膜基材為較佳，薄膜基材為更佳，樹脂薄膜為進一步較佳。本揭示之電路基板的製造方法中，當為觸控面板用電路基板時，基材為片狀樹脂組成物為特佳。 又，基材係透明為較佳。 基材的折射率係1.50～1.52為較佳。 基材可由玻璃基材等透光性基材構成，能夠使用以Corning Incorporated Co.,Ltd.的大猩猩玻璃（Gorilla Glass）為代表之強化玻璃等。又，作為上述透明基材，能夠較佳地使用在日本特開2010-086684號公報、日本特開2010-152809號公報以及日本特開2010-257492號公報中使用之材料。 作為基材使用薄膜基材時，使用光學應變小之基材、以及透明度高的基材為更佳，樹脂薄膜為進一步較佳，具體的素材能夠舉出聚對酞酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、三乙醯纖維素、環烯烴聚合物。

〔導電層〕 作為在基材上形成之複數個導電層，能夠舉出在一般的電路配線或觸控面板配線中使用之任意的導電層。 作為導電層，從導電性及細線形成性的觀點而言，可較佳地舉出選自包含金屬層及導電性金屬氧化物層之群組中之至少1種層，可更佳地舉出金屬層，可特佳地舉出銅層。 又，在基材上可以具有1層導電層，亦可以具有2層以上。在2層以上之情形下，具有材質不同之導電層為較佳。 作為導電層的材料，能夠舉出金屬及導電性金屬氧化物等。 作為金屬，能夠舉出Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等。 作為導電性金屬氧化物，能夠舉出ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）、IZO（Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅）、SiO₂ 等。另外，本揭示中，所謂“導電性”，係指體積電阻率小於1×10⁶ Ωcm，體積電阻率小於1×10⁴ Ωcm為較佳。

關於本揭示之電路基板的製造方法，複數個導電層中的至少一個導電層包含導電性金屬氧化物為較佳。 作為導電層，相當於在靜電電容型觸控面板中使用之可見部的感測器之電極圖案或邊緣引出部的配線為較佳。

〔電路配線形成用基板〕 係在基材的表面上具有導電層之基板。藉由對導電層進行圖案化來形成電路配線。在本揭示中，在PET等樹脂薄膜上設置有導電性金屬氧化物或金屬等複數個導電層者為較佳。

＜曝光步驟（第1曝光步驟）＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含對上述正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟（曝光步驟）。 上述第1實施態樣中進行曝光步驟，上述第2實施態樣中進行第1曝光步驟。將曝光步驟（第1曝光步驟）的一例示意性地示於圖1的（b）中。 曝光步驟（第1曝光步驟）中，經由貼合步驟後的感光性轉印材料的臨時支撐體10對感光性組成物層12進行圖案曝光。

作為本揭示中的曝光步驟、顯影步驟及其他步驟的例子，能夠將日本特開2006-023696號公報的0035段～0051段中記載之方法較佳地用於本揭示中。

例如，可舉出在配置於第1導電層24上之感光性轉印材料100的上方（與第1導電層24接觸之一側相反的一側）配置具有特定的圖案之遮罩30，之後，經由遮罩30從遮罩上方以紫外線進行曝光之方法等。 本揭示中圖案的詳細的配置及具體的尺寸並無特別限定。從提高具備具有藉由本揭示之電路基板的製造方法製造之電路配線之輸入裝置之顯示裝置（例如觸控面板）的顯示品質，且欲盡量縮小引出配線所佔之面積之方面而言，圖案的至少一部分（尤其觸控面板的電極圖案及引出配線的部分）係100μm以下的細線為較佳，70μm以下的細線為進一步較佳。 其中，作為用於曝光之光源，只要能夠照射感光性組成物層被曝光之部位能夠溶解於顯影液之波長區域的光（例如，365nm、405nm等），則能夠適當地選定而使用。具體而言，可舉出超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等。 作為曝光量，5mJ/cm² ～200mJ/cm² 為較佳，10mJ/cm² ～100mJ/cm² 為更佳。

另外，使用感光性轉印材料時的圖案曝光可在將臨時支撐體從感光性組成物層剝離後進行，亦可在剝離臨時支撐體之前經由臨時支撐體進行曝光，之後剝離臨時支撐體。為了防止由感光性組成物層和遮罩的接觸引起之遮罩污染、以及避免附著於遮罩之異物對曝光產生之影響，不剝離臨時支撐體而進行曝光為較佳。另外，圖案曝光可以係經由遮罩之曝光，亦可以係利用了雷射等之數位曝光。

＜顯影步驟（第1顯影步驟）＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含對上述經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟（顯影步驟）。 上述第1實施態樣中進行顯影步驟，上述第2實施態樣中進行第1顯影步驟。將顯影步驟（第1顯影步驟）的一例示意性地示於圖1的（c）中。 顯影步驟（第1顯影步驟）中，從曝光步驟（第1曝光步驟）後的感光性組成物層12剝離臨時支撐體10之後，對曝光步驟（第1曝光步驟）後的感光性組成物層12進行顯影而形成第1圖案14A。

顯影步驟（第1顯影步驟）係藉由對經圖案曝光之感光性組成物層進行顯影來形成圖案（第1圖案）之步驟。 經圖案曝光之感光性組成物層的顯影能夠使用顯影液來進行。 作為顯影液，只要能夠去除感光性組成物層的曝光部分則沒有特別的限定，例如能夠使用在日本特開平5-072724號公報中記載之顯影液等公知的顯影液。另外，顯影液係使感光性組成物層的曝光部進行溶解型顯影行為之顯影液為較佳。例如，以0.05mol/L（升）～5mol/L的濃度含有pKa=7～13的化合物之鹼水溶液系顯影液為較佳。顯影液可進一步含有與水具有混合性之有機溶劑、界面活性劑等。作為在本揭示中較佳地使用之顯影液，例如可舉出國際公開第2015/093271號的0194段中記載之顯影液。

作為顯影方式沒有特別的限定，可為旋覆浸沒顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影、浸漬顯影等中的任一種。其中，對噴淋顯影進行說明，則藉由噴淋將顯影液噴吹到曝光後的感光性組成物層，能夠去除曝光部分。又，在顯影後，將清潔劑等藉由噴淋來進行噴吹，一邊用刷子等進行擦拭一邊去除顯影殘渣為較佳。顯影液的液溫係20℃～40℃為較佳。

而且，亦可以具有對包含顯影而獲得之感光性組成物層之圖案進行加熱處理之後烘乾步驟。 後烘乾的加熱在8.1kPa～121.6kPa的環境下進行為較佳，在506.6kPa以上的環境下進行為更佳。另一方面，在1114.6kPa以下的環境下進行為更佳，在101.3kPa以下的環境下進行為特佳。 後烘乾的溫度為80℃～250℃為較佳，110℃～170℃為更佳，130℃～150℃為特佳。 後烘乾的時間係1分鐘～30分鐘為較佳，2分鐘～10分鐘為更佳，2分鐘～4分鐘為特佳。 後烘乾可在空氣環境下進行，亦可在氮取代環境下進行。

在蝕刻步驟之前，亦可以具有後曝光步驟等其他步驟。

＜蝕刻步驟（第1蝕刻步驟）＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟（蝕刻步驟）。 上述第1實施態樣中進行蝕刻步驟，上述第2實施態樣中進行第1蝕刻步驟。將蝕刻步驟（第1蝕刻步驟）的一例示意性地示於圖1的（d）中。 蝕刻步驟（第1蝕刻步驟）中，在未配置第1圖案14A之區域中的複數個導電層中至少對第1導電層24及第2導電層26進行蝕刻處理。藉由蝕刻，形成具有相同圖案之第1導電層24A及第2導電層26A。

導電層的蝕刻能夠以在日本特開2010-152155號公報的0048段～0054段等中記載之方法、基於公知的電漿蝕刻等乾式蝕刻之方法等公知的方法來應用蝕刻。

例如，作為蝕刻方法，可舉出通常進行之在蝕刻液中浸漬之濕式蝕刻法。在濕式蝕刻中使用之蝕刻液依據蝕刻對象來適當地選擇酸性類型或鹼性類型的蝕刻液即可。 作為酸性類型的蝕刻液，可例示鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸等單獨的酸性成分的水溶液、酸性成分與氯化鐵、氟化銨、高錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。酸性成分可使用組合了複數種酸性成分之成分。 作為鹼性類型的蝕刻液，可例示出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺、氫氧化四甲基銨之類的有機胺的鹽等單獨的鹼成分的水溶液、鹼成分和過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。鹼成分可使用組合了複數種鹼成分之成分。

蝕刻液的溫度沒有特別的限定，但是45℃以下為較佳。在本揭示中，用作蝕刻遮罩（蝕刻圖案）之第1圖案對45℃以下的溫度區域中之酸性以及鹼性的蝕刻液發揮尤其優異之耐性為較佳。因此，可防止蝕刻步驟中感光性組成物層被剝離，不存在感光性組成物層之部分被選擇性地蝕刻。

蝕刻步驟後，為了防止生產線的污染，亦可依需要進行清洗步驟及乾燥步驟。 作為清洗步驟中所使用之清洗液，能夠使用純水或混合有能夠溶解於純水中之有機溶劑或界面活性劑之水溶液。從抑制由殘留於基板表面上之液滴引起的剝離不均、提高去除性之觀點而言，作為清洗液，使用混合有能夠溶解於純水中之有機溶劑或界面活性劑之水溶液為較佳，使用混合有能夠溶解於純水中之有機溶劑及界面活性劑這兩者之水溶液為更佳。

作為上述與水混合之水溶性有機溶劑，並無特別限制，但是從溶劑的揮發性的觀點而言，沸點係50℃～250℃者為較佳，55℃～200℃者為更佳，60℃～150℃者為進一步較佳。 作為上述水溶性有機溶劑的例子，可舉出甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇等醇類、2-乙醯氧基-2-苯乙醇、3-甲氧基-3-甲基乙醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、2-丁氧乙氧乙醇等烷氧基醇類、丙酮、甲基乙基酮等酮類、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、乙二醇二甲醚等乙二醇醚類、四氫呋喃、乙腈、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基亞碸、1,3-二氧戊環等。 其中，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、2-乙醯氧基-2-苯乙醇、四氫呋喃、二甲基亞碸為較佳。

相對於水溶液的總質量，與水混合之水溶性有機溶劑的含量係0.01質量%～95質量%為較佳，0.01質量%～20質量%為更佳，0.01質量%～10質量%為進一步較佳，0.01質量%～5質量%為特佳。

作為上述與水混合之界面活性劑，只要是水溶性者，則並無特別限制，能夠使用陰離子系、陽離子系、非離子系（Nonionic）或兩性中的任一種。從抑制清洗液的起泡之觀點而言，非離子性界面活性劑為較佳。 作為上述陰離子系界面活性劑的例子，能夠舉出羧酸鹽類、磺酸鹽類、硫酸酯鹽類、磷酸酯鹽類等。 作為上述陽離子系界面活性劑的例子，能夠舉出胺鹽類及四級銨鹽類。 作為上述兩性界面活性劑的例子，能夠舉出甜菜鹼型類。 作為上述非離子系界面活性劑的例子，能夠舉出聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯烷基苯基醚類、聚氧乙二醇的高級脂肪酸二酯類、烷基苯聚伸烷基二醇類、聚氧伸烷基二醇類、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑。 又，能夠舉出以下商品名稱之各系列：KP（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.製）、Polyflow（Kyoeisha Chemical Co., Ltd.製）、EFTOP（JAPAN ELECTRONIC MONETARY CLAIM ORGANIZATION製）、Megaface（DIC CORPORATION製）、Fluorad（Sumitomo 3M Limited製）、AsahiGuard、Surflon（Asahi Glass Co., Ltd.製）、PolyFox（OMNOVA SOLUTIONS INC.）、Surfinol（Nissin Chemical co.,ltd.製）及SH-8400（Dow Corning Toray Co.,Ltd.製）等。

界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上，同時使用2種以上為較佳。 相對於水溶液的總質量，與水混合之界面活性劑的含量係10質量%以下為較佳，0.001質量%～5質量%為更佳，0.01質量%～3質量%為進一步較佳。

從抑制由殘留於基板表面上之液滴引起的剝離不均、提高去除性之觀點而言，上述混合有水溶性有機溶劑或界面活性劑之水溶液的表面張力係50mN/m以下為較佳，10mN/m～50mN/m為更佳，15mN/m～40mN/m為進一步較佳，20mN/m～40mN/m為最佳。

作為清洗步驟的清洗時間，並無特別限制，例如清洗基板10秒鐘～300秒鐘為較佳，關於乾燥步驟，例如使用鼓風機，適當調節鼓風機壓（較佳為0.1kg/cm² ～5kg/cm² 左右）來進行乾燥即可。

＜第2曝光步驟＞ 上述第2實施態樣中進行第2曝光步驟。將第2曝光步驟的一例示意性地示於圖1的（e）。 第1蝕刻步驟後，將第1蝕刻步驟後的第1圖案14A以與第1圖案不同之圖案進行圖案曝光。

第2曝光步驟中，針對殘留於第1導電層上之第1圖案，曝光至少相當於後述之第2顯影步驟中第1導電層的應去除之部分之部位。 第2曝光步驟中的圖案曝光中，使用圖案與在第1曝光步驟中使用之遮罩30不同之遮罩40，除此之外，能夠適用與第1曝光步驟中的圖案曝光相同的方法。

＜第2顯影步驟＞ 上述第2實施態樣中進行第2顯影步驟。將第2顯影步驟的一例示意性地示於圖1的（f）。 第2顯影步驟中，對第2曝光步驟後的第1圖案14A進行顯影而形成第2圖案14B。 藉由顯影，去除第1圖案中的在第2曝光步驟中被曝光之部分。 另外，第2顯影步驟中，能夠適用與第1顯影步驟中的顯影相同的方法。

＜第2蝕刻步驟＞ 上述第2實施態樣中進行第2蝕刻步驟。將第2蝕刻步驟的一例示意性地示於圖1的（g）中。 第2蝕刻步驟中，在未配置第2圖案14B之區域中的複數個導電層中至少對第1導電層24A進行蝕刻處理。

第2蝕刻步驟中的蝕刻中，選擇與藉由蝕刻而應去除之導電層相應之蝕刻液，除此之外，能夠適用與第1蝕刻步驟中的蝕刻相同的方法。 第2蝕刻步驟中，依據所期望的圖案，選擇性地蝕刻比第1蝕刻步驟少之導電層為較佳。例如，如圖1所示，使用在未配置感光性組成物層之區域中僅選擇性地蝕刻第1導電層24B之蝕刻液來進行蝕刻，藉此能夠將第1導電層的圖案設為與第2導電層的圖案不同。 結束第2蝕刻步驟之後，形成包含至少2種圖案的導電層24B、26A之電路配線。

＜整個面曝光步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法在上述蝕刻步驟之後且在後述去除步驟之前，包含對上述經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟（整個面曝光步驟）。 本揭示中，所謂“對經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光”，係指對藉由顯影而殘影之整個正型感光性組成物層進行曝光即可，對於沒有正型感光性組成物層之部分，可以進行曝光，亦可以不進行保管，但是從簡便性的觀點而言，例如，對基板的具有正型感光性組成物層之一側的面的整個面進行曝光為較佳。

作為上述整個面曝光步驟中的曝光中所使用之光源，並無特別限制，能夠使用公知的曝光光源。具體而言，可舉出超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、發光二極體（LED）等。 又，上述整個面曝光步驟中，從去除性的觀點而言，使用包含與上述曝光步驟相同的波長的光之光源為較佳。 作為上述整個面曝光步驟中的曝光量，從去除性的觀點而言，5mJ/cm² ～1,000mJ/cm² 為較佳，10mJ/cm² ～800mJ/cm² 為更佳，100mJ/cm² ～500mJ/cm² 為特佳。 而且，作為上述整個面曝光步驟中的曝光量，從去除性的觀點而言，係上述曝光步驟中的曝光量以上為較佳，多於上述曝光步驟中的曝光量為更佳。 又，上述整個面曝光步驟中的曝光照度係5mW/cm² ～25,000mW/cm² 為較佳，20mW/cm² ～20,000mW/cm² 為更佳，30mW/cm² ～15,000mW/cm² 為特佳。實際上，藉由將照度設定得高而整個面曝光時所需之時間得以縮短，因此從製程中所需之時間等的觀點而言，能夠選擇最佳的曝光照度。

另外，從提高光酸產生劑的反應速度之觀點及去除多餘的水分之觀點而言，可以在整個面曝光之前、整個面曝光時或該兩者時包含對基材進行加熱之步驟。作為加熱裝置，並無特別限制，能夠使用公知的加熱裝置。具體而言，能夠使用IR（Infrared Ray：紅外線）加熱器、溫風空氣乾燥、熱風機、流烘箱等。 作為在上述整個面曝光之前、整個面曝光時或該兩者時對基材進行加熱之步驟中的加熱溫度，30℃～100℃為較佳，30℃～60℃為更佳。 關於在上述整個面曝光之前、整個面曝光時或該兩者時對基材進行加熱之步驟中的加熱之時間，能夠考慮整個面曝光製程中所需之時間等而適當選定，但是加熱1秒鐘～600秒鐘為較佳，加熱5秒鐘～60秒鐘為特佳。

又，本揭示之電路基板的製造方法在整個面曝光步驟之後不包含將上述經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩並蝕刻導電層之步驟為較佳。

＜加熱步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法可以在上述整個面曝光步驟中、曝光步驟後或該兩者時且後述去除步驟之前包含對上述經整個面曝光之正型感光性組成物層進行加熱之步驟（加熱步驟）。藉由包含加熱步驟，能夠進一步提高光酸產生劑的反應速度及產生酸與正型感光性組成物的反應速度，結果，去除性能得到提高。 作為加熱步驟中所使用之加熱裝置，並無特別限制，能夠使用公知的加熱裝置。具體而言，能夠使用IR加熱器、溫風空氣乾燥、熱風機、流烘箱等。 作為上述加熱步驟中的加熱溫度，從去除性的觀點而言，30℃～100℃為較佳，30℃～80℃為更佳，30℃～60℃為特佳。 作為上述加熱步驟中的加熱時間，從去除性的觀點而言，1秒鐘～600秒鐘為較佳，1秒鐘～120秒鐘為更佳，5秒鐘～60秒鐘為特佳。另外，所謂本揭示中的加熱時間，係指基板達到設定溫度之後的時間，不包含升溫中的時間。

關於上述加熱步驟中的環境，常壓空氣（相對濕度為10%RH～90%RH）為較佳，但是亦可以在脫氧等依需要而使用氮、氬等惰性氣體吹掃之環境下進行加熱。

另外，在如於基板上附著有大量的水之情形下，從提高加熱效率之觀點而言，在上述加熱步驟之前、加熱步驟中或該兩者時，可以組合用氣刀等吹散多餘的水之步驟。

＜去除步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含去除上述經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟（去除步驟）。上述去除步驟中的去除中，例如包含正型感光性組成物層對去除液的溶解及分散。 將去除步驟的一例示意性地示於圖1的（h）中。 結束第2蝕刻步驟之後，在第1導電層24B上的一部分殘留有第2圖案14B。去除所殘留之所有感光性組成物層亦即第2圖案14B即可。

作為去除所殘留之感光性組成物層之方法，並無特別限制，但是能夠舉出藉由藥品處理來去除之方法，能夠特佳地舉出使用去除液。 作為感光性組成物層的去除方法，可舉出較佳為在30℃～80℃、更佳為在50℃～80℃下將具有感光性組成物層等之基材在攪拌中的去除液中浸漬1分鐘～30分鐘之方法。

上述去除步驟中，從去除性的觀點而言，使用含有30質量%以上的水之去除液為較佳，使用含有50質量%以上的水之去除液為更佳，使用含有70質量%以上的水之去除液為進一步較佳。 又，作為去除液，例如係含有氫氧化鈉、氫氧化鉀等無機鹼成分或一級胺化合物、二級胺化合物、三級胺化合物、四級銨鹽化合物等有機鹼成分者為較佳。 其中，從去除性的觀點而言，含有有機鹼成分者為更佳，含有胺化合物為特佳。 關於鹼成分的含量，從其鹼性的強度或溶解性等的觀點而言，適當選擇即可，但是從去除性的觀點而言，相對於去除液的總質量，係0.01質量%～20質量%為較佳，0.1質量%～10質量%為更佳。 從去除性的觀點而言，去除液含有界面活性劑為較佳。 作為界面活性劑，能夠使用公知的界面活性劑。 從去除性的觀點而言，相對於去除液的總質量，界面活性劑的含量係0.1質量%～10質量%為較佳。 去除液還含有水溶性有機溶劑為較佳。 作為水溶性有機溶劑，可較佳地舉出二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮等。 上述去除步驟中，可較佳地舉出使用去除液，藉由噴霧法、噴淋法、旋覆浸沒法等來去除之方法。

＜卷對卷方式＞ 本揭示之電路基板的製造方法藉由卷對卷方式進行為較佳。 所謂卷對卷方式，係指如下方式：使用能夠捲繞及開卷之基板來作為基板，在電路基板的製造方法中所包含之任一個步驟之前，包含將基材或藉由形成步驟形成之上述結構體開卷之開卷步驟，在任一個步驟之後包含將基材或上述結構體捲繞之捲繞步驟，一邊輸送基材或上述結構體一邊進行至少任一個步驟（較佳為所有步驟或除加熱步驟以外的所有步驟）之方式。 作為開卷步驟中的開卷方法及捲繞步驟中的捲繞方法，並無特別限制，使用在卷對卷的製造方法中公知的方法即可。

具體而言，在上述形成步驟、曝光步驟（第一曝光步驟或第二曝光步驟）、加熱步驟（第一加熱步驟或第二加熱步驟）、顯影步驟（第一顯影步驟或第二顯影步驟）、蝕刻步驟（第一蝕刻步驟或第二蝕刻步驟）、整個面曝光步驟及去除步驟之間，包含將貼合藉由形成步驟而形成之上述感光性組成物層與上述基板而成之結構體捲繞之步驟及將上述結構體開卷之步驟為較佳。 又，在上述形成步驟之前，包含將藉由在樹脂薄膜等薄膜上製作金屬等導電層並進行捲繞來製作之輥狀基板開卷之步驟，在經開卷之上述輥狀基板中的導電層上形成感光性組成物層為較佳。

本揭示之電路基板的製造方法還可以包含其他任意步驟。例如，可舉出如下步驟，但是並不限定於該等步驟。

＜貼付保護膜之步驟＞ 上述第2實施態樣中，在第1蝕刻步驟之後且在第2曝光步驟之前，還可以具有在第1圖案上貼附具有透光性之保護膜（未圖示）之步驟。 此時，第2曝光步驟中，經由保護膜對第1圖案進行圖案曝光，在第2曝光步驟後，從第1圖案去除保護膜之後，進行第2顯影步驟為較佳。

＜降低可見光線反射率之步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法能夠包含進行降低基材上的複數個導電層的一部分或所有的可見光線反射率之處理之步驟。 作為降低可見光線反射率之處理，能夠舉出氧化處理等。例如，對銅進行氧化處理來製成氧化銅，從而進行黑化，藉此能夠降低可見光線反射率。 關於降低可見光線反射率之處理的較佳態樣，在日本特開2014-150118號公報的0017段～0025段、以及日本特開2013-206315號公報的0041段、0042段、0048段以及0058段中有記載，該公報的內容編入於本說明書中。

＜在絕緣膜上形成新的導電層之步驟＞ 本揭示之電路基板的製造方法包含在所形成之電路配線上形成絕緣膜之步驟及在絕緣膜上形成新的導電層之步驟亦較佳。 藉由該種構成，能夠將上述第二電極圖案以與第一電極圖案絕緣的方式形成。 形成絕緣膜之步驟沒有特別的限制，能夠舉出公知的形成永久膜之方法。又，亦可使用具有絕緣性之感光性材料，藉由光微影法來形成所期望的圖案的絕緣膜。 在絕緣膜上形成新的導電層之步驟沒有特別的限制。可使用具有導電性之感光性材料，藉由光微影法來形成所期望的圖案的新的導電層。

又，參閱圖1之說明中，對在具備2層導電層之電路配線形成用基板形成具有2個不同之圖案之電路配線之情形進行說明，但是適用於本揭示之電路基板的製造方法之基板的導電層的數量並不限定於2層，亦能夠藉由使用積層有3層以上導電層之電路配線形成用基板，進行3次以上上述之曝光步驟、顯影步驟及蝕刻步驟的組合而將3層以上的導電層形成為分別不同之電路配線圖案。

又，雖未示於圖1，但是本揭示之電路基板的製造方法中，基材在兩個表面分別具有複數個導電層，對形成於基材的兩個表面之導電層逐次或同時形成電路亦為較佳。藉由該種構成，能夠形成在基材的其中一個表面形成第一導電圖案、在另一個表面形成第二導電圖案之觸控面板用電路基板。又，以卷對卷方式從基材的兩面形成該種構成的觸控面板用電路基板亦較佳。

＜正型感光性組成物層＞ 關於本揭示中所使用之正型感光性組成物層，並無特別限制，能夠使用公知的正型感光性組成物層。又，從靈敏度、解析度及去除性的觀點而言，上述感光性組成物層係包含聚合物及光酸產生劑之化學增幅型正型感光性組成物層為較佳，該聚合物包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元。 後述之鎓鹽或肟磺酸鹽化合物等光酸產生劑中，感應活性放射線（光化射線）而生成之酸對上述聚合物中的被保護之酸基的脫保護作為觸媒發揮作用，因此以1個光量子的作用生成之酸有助於多數的脫保護反應，量子產率超過1成為例如10的數次方那樣大的值，作為所謂化學增幅的結果，獲得高靈敏度。 另一方面，作為感應活性放射線之光酸產生劑而使用了醌二疊氮化合物時，藉由逐次型光化學反應而生成羧基，但其量子產率一定為1以下，不符合化學增幅型。

〔包含具備具有被酸分解性保護之酸基之構成單元之聚合物之聚合物A1〕 上述感光性組成物層包含具備具有被酸分解性保護之酸基之構成單元（還稱為“構成單元A”。）之聚合物（還簡稱為“聚合物A1”。）為較佳。 又，上述感光性組成物層除了包含具有構成單元A之聚合物A1以外，還可以包含其他聚合物。本揭示中，還將具有構成單元A之聚合物A1及其他聚合物統稱為“聚合物成分”。 另外，將聚合物成分設為不包含後述界面活性劑者。 因此，在感光性組成物層中不包含除聚合物成分及界面活性劑以外的樹脂成分之情形下，感光性組成物層中的樹脂成分係指聚合物成分。 關於上述聚合物A1，藉由由曝光產生之觸媒量的酸性物質的作用，聚合物A1中的具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A受到脫保護反應並成為酸基。藉由該酸基，能夠溶解於顯影液中。 而且，聚合物A1還包含具有酸基之構成單元為較佳。 又，從圖案形狀、對顯影液的溶解性及轉印性的觀點而言，聚合物A1係非粒子形狀的聚合物（還稱為“黏合劑聚合物”。）為較佳。 以下，對構成單元A的較佳的態樣進行說明。

上述感光性組成物層還可以包含除包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元之聚合物A1以外的聚合物。 又，上述聚合物成分中所包含之所有聚合物分別係至少包含具有後述之酸基之構成單元之聚合物為較佳。 又，上述感光性組成物還可以含有除了該等以外的聚合物。只要無特別敘述，本揭示中的上述聚合物成分係指含有依需要添加之其他聚合物。另外，後述之交聯劑及符合分散劑之化合物即使係高分子化合物，亦設為不包含在上述聚合物成分者。

聚合物A1係加成聚合型樹脂為較佳，係具有來自於（甲基）丙烯酸或其酯之構成單元之聚合物為更佳。另外，亦可以具有除了來自於（甲基）丙烯酸或其酯之構成單元以外的構成單元，例如來自於苯乙烯之構成單元或來自於乙烯基化合物之構成單元等。

從抑制圖案形狀的變形、對顯影液的溶解性及轉印性的觀點而言，上述感光性組成物層包含具有作為上述構成單元A之選自包含由上述式A1～式A3中的任一個表示之構成單元之群組中之至少1種構成單元之聚合物來作為聚合物成分為較佳，包含具有作為上述構成單元A之選自包含由上述式A1～式A3中的任一個表示之構成單元之群組中之至少1種構成單元及酸基之聚合物來作為聚合物成分為更佳。 上述感光性組成物層中所包含之聚合物A1可以僅為1種，亦可以為2種以上。

-構成單元A- 上述聚合物成分包含至少具備具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A之聚合物A1為較佳。藉由上述聚合物成分包含具有構成單元A之聚合物，能夠製成極其高靈敏度的化學增幅型正型感光性組成物層。 本揭示中的“被酸分解性基保護之酸基”中，作為酸基及酸分解性基，能夠使用公知者，並無特別限定。作為具體的酸基，可較佳地舉出羧基及酚性羥基。又，作為被酸分解性保護之酸基，能夠使用較容易被酸分解之基團（例如，被由式A3表示之基團保護之酯基、四氫吡喃酯基或四氫呋喃酯基等縮醛系官能基）或較不容易被酸分解之基團（例如，三級丁酯基等三級烷基、三級丁基碳酸酯基等三級烷基碳酸酯基）。 該等中，作為上述酸分解性基，具有以縮醛的形式被保護之結構之基團為較佳。 又，作為酸分解性基，從可抑制所獲得之電路配線中的線寬的不均之觀點而言，分子量係300以下的酸分解性基為較佳。

從靈敏度及解析度的觀點而言，具有被上述酸分解性基保護之酸基之構成單元A係選自包含由下述式A1～式A3中的任一個表示之構成單元之群組中之至少1種構成單元為較佳，由後述式A3-2表示之構成單元為更佳。

[化學式3]

式A1中，R¹¹ 及R¹² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R¹¹ 及R¹² 中的任一者係烷基或芳基，R¹³ 表示烷基或芳基，R¹¹ 或R¹² 可以與R¹³ 連結而形成環狀醚，R¹⁴ 表示氫原子或甲基，X¹ 表示單鍵或2價的連結基，R¹⁵ 表示取代基，n表示0～4的整數。 式A2中，R²¹ 及R²² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R²¹ 及R²² 中的任一者係烷基或芳基，R²³ 表示烷基或芳基，R²¹ 或R²² 可以與R²³ 連結而形成環狀醚，R²⁴ 分別獨立地表示羥基、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羥烷基、芳基羰基、芳氧基羰基或環烷基，m表示0～3的整數。 式A3中，R³¹ 及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹ 及R³² 中的任一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或伸芳基，Y表示-S-或-O-。

＜＜由式A1表示之構成單元的較佳的態樣＞＞ 式A1中，在R¹¹ 或R¹² 為烷基之情形下，碳數係1～10之烷基為較佳。在R¹¹ 或R¹² 為芳基之情形下，苯基為較佳。R¹¹ 及R¹² 分別係氫原子或碳數1～4的烷基為較佳。 式A1中，R¹³ 表示烷基或芳基，碳數1～10的烷基為較佳，碳數1～6的烷基為更佳。 又，R¹¹ ～R¹³ 中的烷基及芳基可以具有取代基。 式A1中，R¹¹ 或R¹² 可以與R¹³ 連結而形成環狀醚，R¹¹ 或R¹² 與R¹³ 連結而形成環狀醚為較佳。環狀醚的環員數並無特別限制，但是5或6為較佳，5為更佳。 式A1中，X¹ 表示單鍵或2價的連結基，單鍵或伸烷基、-C（=O）O-、-C（=O）NR^N -、-O-或該等的組合為較佳，單鍵為更佳。伸烷基可以係直鏈狀，亦可以具有分支，還可以具有環狀結構，還可以具有取代基。伸烷基的碳數係1～10為較佳，1～4為更佳。在X^B 包含-C（=O）O-之情形下，-C（=O）O-中所包含之碳原子與鍵結有R^B4 之碳原子直接鍵結之態樣為較佳。在X¹ 包含-C（=O）NR^N -之情形下，-C（=O）NR^N -中所包含之碳原子與鍵結有R¹⁴ 之碳原子直接鍵結之態樣為較佳。R^N 表示烷基或氫原子，碳數1～4的烷基或氫原子為較佳，氫原子為更佳。 式A1中，包含R¹¹ ～R¹³ 之基團與X¹ 彼此在對位鍵結為較佳。 式A1中，R¹⁵ 表示取代基，烷基或鹵素原子為較佳。烷基的碳數係1～10為較佳，1～4為更佳。 式A1中，n表示0～4的整數，0或1為較佳，0為更佳。

式A1中，R¹⁴ 表示氫原子或甲基，從能夠進一步降低聚合物A1的Tg之觀點而言，氫原子為較佳。 更具體而言，相對於聚合物A1中所包含之構成單元A的總含量，式A1中的R¹⁴ 為氫原子之構成單元係20質量%以上為較佳。 另外，構成單元A中的、在式A1中的R¹⁴ 係氫原子之構成單元的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從¹³ C-核磁共振光譜（NMR）測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來進行確認。

由式A1表示之構成單元中，從抑制圖案形狀的變形之觀點而言，由下述式A1-2表示之構成單元為更佳。

[化學式4]

式A1-2中，R^B4 表示氫原子或甲基，R^B5 ～R^B11 分別獨立地表示氫原子或碳數1～4的烷基，R^B12 表示取代基，n表示0～4的整數。 式A1-2中，R^B4 係氫原子為較佳。 式A1-2中，R^B5 ～R^B11 係氫原子為較佳。 式A1-2中，R^B12 表示取代基，烷基或鹵素原子為較佳。烷基的碳數係1～10為較佳，1～4為更佳。 式A1-2中，n表示0～4的整數，0或1為較佳，0為更佳。

作為由式A1表示之構成單元A1的較佳的具體例，能夠例示下述構成單元。另外，R^B4 表示氫原子或甲基。

[化學式5]

＜＜由式A2表示之構成單元的較佳的態樣＞＞ 式A2中，在R²¹ 及R²² 為烷基之情形下，碳數1～10的烷基為較佳。在R²¹ 及R²² 為芳基之情形下，苯基為較佳。R¹¹ 及R¹² 分別係氫原子或碳數1～4的烷基為較佳，至少一者係氫原子為更佳。 上述通式A2中，R²³ 表示烷基或芳基，碳數1～10的烷基為較佳，1～6的烷基為更佳。 R¹¹ 或R¹² 可以與R¹³ 連結而形成環狀醚。 式A2中，R²⁴ 分別獨立地係碳數1～10的烷基或碳數1～10的烷氧基為較佳。R²⁴ 可以進一步被與R²⁴ 相同的基團取代。 式A2中，m係1或2為較佳，1為更佳。

作為由式A2表示之構成單元A2的較佳的具體例，能夠例示下述構成單元。另外，R^B4 表示氫原子或甲基。

[化學式6]

＜＜由式A3表示之構成單元的較佳的態樣＞＞ 式A3中，在R³¹ 或R³² 為烷基之情形下，碳數係1～10的烷基為較佳。在R³¹ 或R³² 為芳基之情形下，苯基為較佳。R³¹ 及R³² 分別係氫原子或碳數1～4的烷基為較佳。 式A3中，R³³ 表示烷基或芳基，碳數1～10的烷基為較佳，碳數1～6的烷基為更佳。 又，R³¹ ～R³³ 中的烷基及芳基可以具有取代基。 式A3中，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³¹ 或R³² 與R³³ 連結而形成環狀醚為較佳。環狀醚的環員數並無特別限制，但是5或6為較佳，5為更佳。 式A3中，X⁰ 表示單鍵或伸芳基，單鍵為較佳。伸芳基可以具有取代基。 式A3中，Y表示-S-或-O-，從曝光靈敏度的觀點而言，-O-為較佳。

由上述式A3表示之構成單元為具有被酸分解性基保護之羧基之構成單元。聚合物A1包含由式A3表示之構成單元，藉此圖案形成時的靈敏度優異，且解析度更加優異。 式A3中，R³⁴ 表示氫原子或甲基，從能夠進一步降低聚合物A1的Tg之觀點而言，氫原子為較佳。 更具體而言，相對於聚合物A1中所包含之由式A3表示之構成單元的總量，式A3中的R³⁴ 為氫原子之構成單元係20質量%以上為較佳。 另外，由式A3表示之構成單元中的、在式A1中的R³⁴ 為氫原子之構成單元的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從¹³ C-核磁共振光譜（NMR）測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來進行確認。

由式A3表示之構成單元中，作為具有被酸分解性保護之酸基之構成單元，從進一步提高圖案形成時的曝光靈敏度之觀點而言，由下述式A表示之構成單元為更佳。

[化學式7]

式A中，R³¹ 及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹ 及R³² 中的任一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或2價的連結基。

式A中，R³¹ 、R³² 、R³³ 、R³⁴ 及X⁰ 的含義分別與式A3中的R³¹ 、R³² 、R³³ 、R³⁴ 及X⁰ 相同，較佳的態樣亦相同。

由式A3表示之構成單元中，從進一步提高圖案形成時的靈敏度之觀點而言，由下述式A3-3表示之構成單元亦為更佳。

[化學式8]

式A3-3中，R³⁴ 表示氫原子或甲基，R³⁵ ～R⁴¹ 分別獨立地表示氫原子或碳數1～4的烷基。 式A3-3中，R³⁴ 係氫原子為較佳。 式A3-3中，R³⁵ ～R⁴¹ 係氫原子為較佳。

作為由式A3表示之具有被酸分解性基保護之羧基之構成單元的較佳的具體例，能夠例示下述構成單元。另外，R³⁴ 表示氫原子或甲基。

[化學式9]

聚合物A1中所包含之構成單元A可以為1種，亦可以為2種以上。 相對於聚合物A1的總質量，聚合物A1中的構成單元A的含量係20質量%以上為較佳，20質量%～90質量%為更佳，30質量%～70質量%為進一步較佳。 聚合物A1中的構成單元A的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從¹³ C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來進行確認。 又，將所有聚合物成分分解成構成單元（單體單元）之後，相對於聚合物成分的總質量，構成單元A的比例係5質量%～80質量%為較佳，10質量%～80質量%為更佳，30質量%～70質量%為特佳。

-構成單元B- 上述聚合物A1包含具有酸基之構成單元B為較佳。 構成單元B為具有未被保護基例如酸分解性基保護之酸基亦即不具有保護基之酸基之構成單元。聚合物A1包含構成單元B，藉此圖案形成時的靈敏度良好，圖案曝光後的顯影步驟中容易溶解於鹼性顯影液，並能夠實現顯影時間的縮短化。 本說明書中的酸基係指pKa係12以下的質子解離性基。酸基通常使用能夠形成酸基之單體組入於聚合物而作為具有酸基之構成單元（構成單元B）。從提高靈敏度的觀點而言，酸基的pKa係10以下為較佳，6以下為更佳。又，酸基的pKa係-5以上為較佳。

作為上述酸基，可例示羧基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基及磺醯亞胺基等。其中，選自包含羧酸基及酚性羥基之群組中之至少1種酸基為較佳。 向聚合物A1導入具有酸基之構成單元能夠藉由使具有酸基之單體共聚合或使具有酸酐結構之單體共聚合並對酸酐進行水解來進行。 作為構成單元B之具有酸基之構成單元係對來自於苯乙烯化合物之構成單元或者來自於乙烯基化合物之構成單元進行了酸基取代之構成單元或來自於（甲基）丙烯酸之構成單元為更佳。具體而言，作為具有羧基之單體，可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、4-羧基苯乙烯等，作為具有酚性羥基之單體，可舉出對羥基苯乙烯、4-羥基苯基甲基丙烯酸酯等，作為具有酸酐之單體，可舉出順丁烯二酸酐等。

作為構成單元B，從圖案形成時的靈敏度變得更良好之觀點而言，具有羧酸基之構成單元或具有酚性羥基之構成單元為較佳。 具有能夠形成構成單元B之酸基之單體不限定於既述的例。

聚合物A1中所包含之構成單元B可以僅為1種，亦可以為2種以上。 相對於聚合物A1的總質量，聚合物A1包含0.1質量%～20質量%之具有酸基之構成單元（構成單元B）為較佳，包含0.5質量%～15質量%為更佳，包含1質量%～10質量%為進一步較佳。若在上述範圍內，則圖案形成性變得更加良好。 聚合物A1中的構成單元B的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從¹³ C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來進行確認。

＜＜其他構成單元＞＞ 在不損害本揭示之感光性轉印材料的效果之範圍內，聚合物A1可以包含除已述的構成單元A及構成單元B以外的其他構成單元（以下，有時稱為構成單元C。）。 作為形成構成單元C之單體，並無特別限制，例如能夠舉出苯乙烯類、（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸環狀烷基酯、（甲基）丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、二環不飽和化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、具有脂肪族環式骨架之基團、其他不飽和化合物。 使用構成單元C，調節種類及含量中的至少任一個，藉此能夠調節聚合物A1的各種特性。尤其，藉由適當地使用構成單元C，能夠容易調節聚合物A1的Tg。 將玻璃轉移溫度設為120℃以下，藉此含有聚合物A1之正型感光性組成物層的轉印性、自臨時支撐體的去除性保持在良好的水平，並且圖案形成時的解析度及靈敏度變得更加良好。 聚合物A1可以僅包含1種構成單元C，亦可以包含2種以上。

關於構成單元C，具體而言，能夠舉出使苯乙烯、三級丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯苯甲酸甲酯、乙烯苯甲酸乙酯、（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸異莰酯、丙烯腈或乙二醇單乙醯基乙酸酯單（甲基）丙烯酸酯等聚合而形成之構成單元。此外，能夠舉出日本特開2004-264623號公報的0021段～0024段記載之化合物。

又，作為構成單元C，從提高所獲得之轉印材料的電特性之觀點而言，具有芳香環之構成單元或具有脂肪族環式骨架之構成單元為較佳。作為形成該等構成單元之單體，具體而言，可舉出苯乙烯、三級丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰酯及（甲基）丙烯酸苄酯等。其中，作為構成單元C，可較佳地舉出來自於（甲基）丙烯酸環己酯之構成單元。

又，作為形成構成單元C之單體，從密接性的觀點而言，例如，（甲基）丙烯酸烷基酯為較佳。其中，從密接性的觀點而言，具有碳數4～12的烷基之（甲基）丙烯酸烷基酯為更佳。具體而言，可舉出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯及（甲基）丙烯酸2-乙基己酯。

相對於聚合物A1的總質量，構成單元C的含量係70質量%以下為較佳，60質量%以下為更佳，50質量%以下為進一步較佳。作為下限值，可以為0質量%，但是1質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳。若在上述範圍內，則解析度及密接性得到進一步提高。

從將對顯影液的溶解性及上述感光性組成物層的物理物性最佳化之觀點而言，聚合物A1包含具有上述構成單元B中的酸基的酯之構成單元來作為構成單元C亦為較佳。 其中，聚合物A1包含具有羧酸基之構成單元來作為構成單元B，還包含含有羧酸酯基之構成單元C來作為共聚成分為較佳，例如包含來自於（甲基）丙烯酸之構成單元B及來自於（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯或（甲基）丙烯酸正丁酯之構成單元（c）之聚合物為更佳。 以下，舉出本揭示中的聚合物A1的較佳的例子，但是本揭示並不限定於以下例示。另外，為了獲得較佳的物性，下述例示化合物中的構成單元的比率、重量平均分子量可適當進行選擇。

[化學式10]

-聚合物成分的I/O值的平均值- 關於本揭示中所使用之聚合物成分，從去除性的觀點而言，基於有機概念圖之無機性值I除以有機性值O而得之I/O值的平均值係0.55以上且0.65以下為較佳，0.57以上且0.63以下為更佳。 又，本揭示中所使用之特定聚合物的I/O值以上述I/O值的平均值包含在上述範圍內之方式適當設定即可，0.55以上且0.65以下為較佳，0.57以上且0.63以下為更佳。 關於上述I/O值，在有機概念圖（甲田善生著、三共出版（1984））；KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN，第1號、第1～16項（1954年）；化學領域、第11卷、第10號、719～725項（1957年）；FRAGRANCE JOURNAL、第34號、第97～111項（1979年）；FRAGRANCE JOURNAL、第50號、第79～82項（1981年）；等文獻中具有詳細的說明。I/O值的概念係將化合物的性質分成顯示共價鍵結性之有機性基和顯示離子鍵結性之無機性基，並將所有的有機化合物定位在命名為有機軸、無機軸之直角座標上的每1點而示出者。

關於聚合物成分含有2種以上的聚合物之情形的I/O值，能夠認為是如下。例如，在聚合物成分含有3種聚合物（聚合物1～聚合物3）之情形下，將聚合物1的I/O值設為A1、將質量分率設為M1、將聚合物2的I/O值設為A2、將質量分率設為M2、將聚合物3的I/O值設為A3、將質量分率設為M3時，混合成分的I/O值Am能夠推斷成如下所述。 Am=A1×M1+A2×M2+A3×M3 另外，在聚合物成分單獨含有僅1種聚合物之情形下，所含之僅1種聚合物的I/O值成為聚合物成分中的I/O值的平均值。

-聚合物A1的玻璃轉移溫度：Tg- 從轉印性的觀點及調節上述加熱步驟中的加熱溫度之觀點而言，本揭示中的聚合物A1的玻璃轉移溫度（Tg）係90℃以下為較佳，20℃以上且60℃以下為更佳，30℃以上且50℃以下為進一步較佳。

作為將聚合物的Tg調節成既述的較佳之範圍之方法，例如依據作為目標之聚合物的各構成單元的單獨聚合物的Tg和各構成單元的質量比，以FOX式為指導，能夠控制作為目標之聚合物A1的Tg。 關於FOX式， 將聚合物中所包含之第1構成單元的單獨聚合物的Tg設為Tg1，將第1構成單元的共聚物中的質量分率設為W1，將第2構成單元的單獨聚合物的Tg設為Tg2，將第2構成單元的共聚物中的質量分率設為W2時，包含第1構成單元及第2構成單元之共聚物的Tg0（K）能夠依據以下的式進行推斷。 FOX式：1/Tg0=（W1/Tg1）+（W2/Tg2） 利用既述的FOX式，調節共聚物中所包含之各構成單元的種類和質量分率，能夠獲得具有所期望的Tg之共聚物。 又，藉由調整聚合物的重量平均分子量，亦能夠調整聚合物的Tg。

-聚合物A1的酸值- 從顯影性及轉印性的觀點而言，聚合物A1的酸值係0mgKOH/g以上且200mgKOH/g以下為較佳，5mgKOH/g以上且100mgKOH/g以下為更佳。

本揭示中的聚合物的酸值係表示中和每1g聚合物的酸性成分時所需之氫氧化鉀的質量者。具體而言，將測量樣品溶解於四氫呋喃/水=9/1混合溶劑中，並使用電位差滴定裝置（商品名稱：AT-510，KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO., LTD.製），在25℃下用0.1M氫氧化鈉水溶液中和滴定所獲得之溶液。將滴定pH曲線的拐點作為滴定終點，依據下式算出酸值。 A=56.11×Vs×0.1×f/w A：酸值（mgKOH/g） Vs：滴定時所需之0.1mol/l氫氧化鈉水溶液的使用量（mL） f：0.1mol/l氫氧化鈉水溶液的滴定量 w：測量樣品的質量（g）（固體成分換算）

-聚合物A1的分子量：Mw- 聚合物A1的分子量以聚苯乙烯換算重量平均分子量計係60,000以下為較佳。聚合物A1的重量平均分子量為60,000以下，藉此將感光性組成物層的熔融黏度抑制為較低，在與上述基板貼合時能夠實現低溫（例如130℃以下）下的貼合。 又，聚合物A1的重量平均分子量係2,000～60,000為較佳，3,000～50,000為更佳。 另外，聚合物的重量平均分子量能夠藉由GPC（凝膠滲透層析法）來進行測量，作為測量裝置，能夠使用各種市售的裝置，裝置的內容及測量技術係本領域技術人員公知的。 基於凝膠滲透層析法（GPC）之重量平均分子量的測量中，作為測量裝置能夠使用HLC（註冊商標）-8220GPC（TOSOH CORPORATION製），作為管柱能夠使用將TSKgel（註冊商標）Super HZM-M（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ4000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ3000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ2000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）的各一根串聯連結而成者，作為溶析液能夠使用THF（四氫呋喃）。 又，作為測量條件，能夠將試樣濃度設為0.2質量%，將流速設為0.35ml/min，將樣品注入量設為10μL，且將測量溫度設為40℃，並利用示差折射率（RI）檢測器來進行。 校準曲線能夠利用TOSOH CORPORATION製的“標準試樣TSK standard，polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”以及“A-1000”這7個樣品中之任一個來製作。

聚合物A1的數平均分子量與重量平均分子量之比（分散度）係1.0～5.0為較佳，1.05～3.5為更佳。

-聚合物A1的製造方法- 聚合物A1的製造方法（合成法）無特別限定，但是若舉出一例，則能夠在包含用於形成由式A表示之構成單元A之聚合性單體、用於形成具有酸基之構成單元B之聚合物單體、進而依需要用於形成其他構成單元C之聚合性單體之有機溶劑中，藉由使用聚合起始劑聚合來進行合成。又，亦能夠以所謂高分子反應來進行合成。。

關於本揭示中的上述感光性組成物層，從相對於上述基板顯現良好的密接性之觀點而言，相對於感光性組成物層的的總固體成分，以50質量%～99.9質量%的比例包含上述聚合物成分為較佳，以70質量%～98質量%的比例包含為更佳。 又，關於上述感光性組成物層，從相對於上述基板顯現良好的密接性之觀點而言，相對於感光性組成物層的總固體成分，以50質量%～99.9質量%的比例包含上述聚合物A1為較佳，以70質量%～98質量%的比例包含為更佳。

〔其他聚合物〕 在不損害本揭示之感光性轉印材料的效果之範圍內，上述感光性組成物層除包含聚合物A1以外，還可以包含不含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元之聚合物（有時稱為“其他聚合物”。）來作為聚合物成分。上述感光性組成物層包含其他聚合物之情形下，在總聚合物成分中，其他聚合物的摻合量係50質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，20質量%以下為進一步較佳。

上述感光性組成物層除了包含聚合物A1以外，亦可以僅包含1種其他聚合物，還可以包含2種以上。 作為其他聚合物，例如能夠使用聚羥基苯乙烯，亦能夠使用市售之SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P及SMA 3840F（以上，Sartomer Company, Inc製）、ARUFON UC-3000、ARUFON UC-3510、ARUFON UC-3900、ARUFON UC-3910、ARUFON UC-3920及ARUFON UC-3080（以上，TOAGOSEI CO.,LTD.製）以及Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67及Joncryl 586（以上，BASF公司製）等。

〔光酸產生劑〕 上述感光性組成物層包含光酸產生劑為較佳。 作為在本揭示中使用之光酸產生劑係能夠藉由照射紫外線、遠紫外線、X射線及帶電粒子束等放射線產生酸之化合物。 作為在本揭示中使用之光酸產生劑，感應波長300nm以上，較佳為波長300nm～450nm的光化射線而產生酸之化合物為較佳，但其化學結構並不受限制。又，即便係不直接感應波長300nm以上的光化射線之光酸產生劑，只要係藉由同時使用增感劑來感應波長300nm以上的光化射線而產生酸之化合物，則能夠與增感劑組合來較佳地使用。 作為在本揭示中使用之光酸產生劑，產生pKa為4以下的酸之光酸產生劑為較佳，產生pKa為3以下的酸之光酸產生劑為更佳，產生pKa為2以下的酸之光酸產生劑為特佳。pKa的下限值沒有特別的限定，但例如為-10.0以上為較佳。

作為光酸產生劑，能夠舉出離子性光酸產生劑和非離子性光酸產生劑。 又，作為光酸產生劑，從靈敏度以及解析度的觀點而言，包含選自包含後述之鎓鹽化合物以及後述之肟磺酸鹽化合物之群組中之至少1種化合物為較佳，包含肟磺酸鹽化合物為更佳。

作為非離子性光酸產生劑的例子，能夠舉出三氯甲基均三口井類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺酸酯化合物以及肟磺酸鹽化合物等。在該等之中，從靈敏度、解析度以及密接性的觀點而言，光酸產生劑為肟磺酸鹽化合物為較佳。該等光酸產生劑能夠單獨使用1種或組合2種以上來使用。作為三氯甲基均三口井類以及重氮甲烷衍生物的具體例，能夠例示在日本特開2011-221494號公報的0083段～0088段中記載之化合物。

作為肟磺酸鹽化合物亦即具有肟磺酸鹽結構之化合物，具有由下述式（B1）表示之肟磺酸鹽結構之化合物為較佳。

[化學式11]

在式（B1）中，R²¹ 表示烷基或芳基，*表示與其他原子或其他基團的鍵結部位。

具有由式（B1）表示之肟磺酸鹽結構之化合物的任一基團均可被取代，R²¹ 中之烷基可為直鏈狀，亦可具有分支結構，亦可具有環結構。被允許之取代基在以下進行說明。 作為R²¹ 的烷基，碳數1～10的直鏈狀或分支狀烷基為較佳。R²¹ 的烷基可以被碳數6～11的芳基、碳數1～10的烷氧基、環烷基（包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋接式脂環基，雙環烷基等為較佳）或鹵素原子取代。 作為R²¹ 的芳基，碳數6～18的芳基為較佳，苯基或萘基為更佳。R²¹ 的芳基可被選自包含碳數1～4的烷基、烷氧基以及鹵素原子之群組中之1種以上的基團取代。

具有由上式（B1）表示之肟磺酸鹽結構之化合物，在日本特開2014-085643號公報的0078段～0111段中記載之肟磺酸鹽化合物亦較佳。

作為離子性光酸產生劑的例子，能夠舉出二芳基錪鎓鹽類以及三芳基鋶鹽化合物類等鎓鹽化合物、四級銨鹽類等。在該等之中，鎓鹽化合物為較佳，三芳基鋶鹽類以及二芳基錪鎓鹽類為特佳。

作為離子性光酸產生劑，亦能夠較佳地使用日本特開2014-085643號公報的0114段～0133段中記載之離子性光酸產生劑。

光酸產生劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。 從靈敏度、解析度的觀點而言，相對於上述感光性組成物層的總質量，上述感光性組成物層中的光酸產生劑的含量係0.1質量%～10質量%為較佳，0.5質量%～5質量%為更佳。

〔溶劑〕 上述感光性組成物層可以包含溶劑。 又，為了容易形成上述感光性組成物層，形成上述感光性組成物層之感光性組成物能夠藉由暫且含有溶劑並調節感光性組成物的黏度，且塗佈並乾燥包含溶劑之感光性組成物而較佳地形成上述感光性組成物層。 作為本揭示中所使用之溶劑，能夠使用公知的溶劑。作為溶劑，能夠例示乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、酯類、酮類、醯胺類、以及內酯類等。又，作為溶劑的具體例亦可舉出在日本特開2011-221494號公報的0174段～0178段中記載之溶劑，將該等內容編入於本說明書中。

又，在上述溶劑中，能夠進一步依需要添加苄基乙醚、二己醚、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、苯甲醚、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、順丁烯二酸二乙酯、碳酸乙二酯或碳酸丙二酯等溶劑。 溶劑可僅使用1種，亦可使用2種以上。 本揭示中能夠使用之溶劑可以單獨使用1種，同時使用2種為更佳。當使用2種以上的溶劑時，例如丙二醇單烷基醚乙酸酯類和二烷基醚類的同時使用、二乙酸酯類和二乙二醇二烷基醚類的同時使用、或酯類和丁二醇烷基醚乙酸酯類的同時使用為較佳。

又，作為溶劑，沸點130℃以上且小於160℃的溶劑、沸點160℃以上的溶劑或該等的混合物為較佳。 作為沸點130℃以上且小於160℃的溶劑，能夠例示丙二醇單甲醚乙酸酯（沸點146℃）、丙二醇單乙醚乙酸酯（沸點158℃）、丙二醇甲基-正丁醚（沸點155℃）以及丙二醇甲基-正丙醚（沸點131℃）。 作為沸點160℃以上的溶劑，能夠例示3-乙氧基丙酸乙酯（沸點170℃）、二乙二醇甲基乙醚（沸點176℃）、丙二醇單甲醚丙酸酯（沸點160℃）、二丙二醇甲醚乙酸酯（沸點213℃）、3-甲氧基丁醚乙酸酯（沸點171℃）、二乙二醇二乙醚（沸點189℃）、二乙二醇二甲醚（沸點162℃）、丙二醇二乙酸酯（沸點190℃）、二乙二醇單乙醚乙酸酯（沸點220℃）、二丙二醇二甲醚（沸點175℃）以及1,3-丁二醇二乙酸酯（沸點232℃）。

又，作為溶劑，亦可較佳地舉出以下所記載之酯類、醚類、酮類等。 作為酯類，可舉出乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸異丁酯、乙酸二級丁酯、乙酸三級丁酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯等。 作為醚類，可舉出二異丙酯醚、1,4-二㗁烷、1,2-二甲氧基乙烷、1,3-二氧戊環、丙二醇二甲醚、丙二醇單乙醚等。 作為酮類，可舉出甲基正丁酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二乙基酮、甲基正丙酮、甲基異丙酮等。 又，作為其他溶劑，可舉出甲苯、乙腈、異丙醇、2-丁醇、異丁醇等。

相對於感光性組成物中的總固體成分每100質量份，塗佈感光性組成物時之溶劑的含量係50質量份～1,900質量份為較佳，100質量份～900質量份為更佳。 又，上述感光性組成物層中之溶劑的含量相對於上述感光性組成物層的總質量為2質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.5質量%以下為進一步較佳。

〔其他添加劑〕 在本揭示中的上述感光性組成物層中除了包含聚合物A1及光酸產生劑以外，還能夠依需要包含公知的添加劑。

-塑化劑- 上述感光性組成物層以改良塑性為目的，亦可以含有塑化劑。 上述塑化劑的重量平均分子量小於聚合物A1的重量平均分子量為較佳。 從賦予塑性的觀點而言，塑化劑的重量平均分子量係500以上且小於10,000為較佳，700以上且小於5,000為更佳，800以上且小於4,000為進一步較佳。 塑化劑只要為與聚合物A1相容而顯現塑性之化合物則沒有特別的限定，從賦予塑性之觀點而言，塑化劑在分子中具有伸烷氧基為較佳。在塑化劑中所包含之伸烷氧基具有下述結構為較佳。

[化學式12]

在上述式中，R係碳數2～8的烷基，n表示1～50的整數，*表示與其他原子的鍵結部位。

另外，例如，即使是具有上述結構的伸烷氧基之化合物（設為“化合物X”。），在混合化合物X、聚合物A1及光酸產生劑而獲得之化學增幅型正型感光性組成物與不含化合物X而形成之化學增幅型正型感光性組成物相比塑性未得到提高之情形下，亦不符合本揭示中的塑化劑。例如，任意添加之界面活性劑通常不會以對感光性組成物賦予塑性之量使用，因此不符合本說明書中之塑化劑。

作為塑化劑，例如可舉出具有下述結構之化合物，但並非限定於該等者。

[化學式13]

從密接性的觀點而言，塑化劑的含量相對於上述感光性組成物層的總質量係1質量%～50質量%為較佳，2質量%～20質量%為更佳。 上述感光性組成物層可僅包含1種塑化劑，亦可包含2種以上。

-增感劑- 上述感光性組成物層還能夠包含增感劑。 增感劑吸收光化射線而成為電子激發狀態。成為電子激發狀態之增感劑與光酸產生劑接觸而產生電子移動、能量移動以及發熱等作用。藉此光酸產生劑產生化學變化而分解並生成酸。 藉由含有增感劑，能夠提高曝光靈敏度。

作為增感劑，選自包含蒽衍生物、吖啶酮衍生物、氧硫𠮿口星衍生物、香豆素衍生物、鹼性苯乙烯衍生物以及二苯乙烯基苯衍生物之群組中之化合物為較佳，蒽衍生物為更佳。 作為蒽衍生物，蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二氯蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、9-羥甲基蒽、9-溴蒽、9-氯蒽、9,10-二溴蒽、2-乙基蒽或9,10-二甲氧基蒽為較佳。

作為上述增感劑，能夠舉出在國際公開第2015/093271號的0139段～0141段中記載之化合物。

增感劑的含量相對於上述感光性組成物層的總質量係0質量%～10質量%為較佳，0.1質量%～10質量%為更佳。

-鹼性化合物- 上述感光性組成物層還含有鹼性化合物為較佳。 作為鹼性化合物，能夠從在化學增幅阻劑中使用之鹼性化合物中任意地選用。例如可舉出脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、四級氫氧化銨以及羧酸的四級銨鹽等。作為該等的具體例，可舉出在日本特開2011-221494號公報的0204段～0207段中記載之化合物，該等內容編入於本說明書中。

具體而言，作為脂肪族胺，例如可舉出三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二正丙基胺、三正丙基胺、二正戊基胺、三正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺基以及二環己基甲胺等。 作為芳香族胺，例如可舉出苯胺、苄胺、N，N-二甲基苯胺以及二苯胺等。 作為雜環式胺，例如可舉出吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、煙鹼、煙酸、煙醯胺、喹啉、8-氧喹啉、吡𠯤、吡唑、噠𠯤、嘌呤、吡咯啶、哌啶、哌口井、嗎啉、4-甲基嗎啉、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯以及1,8-二氮雜雙環[5.3.0]-7-十一烯等。 作為四級氫氧化銨，例如可舉出氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四正丁基銨以及氫氧化四正己基銨等。 作為羧酸的四級銨鹽，例如可舉出四甲基乙酸銨、四甲基苯甲酸銨、四正丁基乙酸銨以及四正丁基苯甲酸銨等。

上述鹼性化合物可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。 鹼性化合物的含量相對於上述感光性組成物層的總質量係0.001質量%～5質量%為較佳，0.005質量%～3質量%為更佳。

-雜環狀化合物- 本揭示中的感光性組成物層能夠包含雜環狀化合物。 本揭示中的雜環狀化合物並不特別限制。例如能夠添加在以下所述之分子內具有環氧基或氧雜環丁基之化合物、含烷氧基甲基之雜環狀化合物、其他各種環狀醚、環狀酯（內酯）等含氧單體、環狀胺、㗁唑啉基這種含氮單體，還能夠添加矽、硫、磷等具有d電子之雜環單體等。

當添加雜環狀化合物時，感光性組成物層中之雜環狀化合物的添加量相對於上述感光性組成物層的總質量係0.01質量%～50質量%為較佳，0.1質量%～10質量%為更佳，1質量%～5質量%為進一步較佳。若為上述範圍，則從密接性以及耐蝕刻性的觀點而言為較佳。雜環狀化合物可僅使用1種，亦能夠同時使用2種以上。

作為在分子內具有環氧基之化合物的具體例，能夠舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。

在分子內具有環氧基之化合物能夠作為市售品來購入。例如可舉出JER828、JER1007、JER157S70（Mitsubishi Chemical Corporation製）、JER157S65（Mitsubishi Chemical Holdings Co., Ltd.製）等、以及在日本特開2011-221494號公報的0189段中記載之市售品等。 作為其他市售品，可舉出ADEKA RESIN EP-4000S、ADEKA RESIN EP-4003S、ADEKA RESIN EP-4010S、ADEKA RESIN EP-4011S（以上，ADEKA Corporation製）、NC-2000、NC-3000、NC-7300、XD-1000、EPPN-501、EPPN-502（以上，ADEKA Corporation製）、DENACOL EX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402、EX-111、EX-121、EX-141、EX-145、EX-146、EX-147、EX-171、EX-192（以上，Nagase ChemteX Corporation製）、YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325（以上，NIPPON STEEL & SUMIKIN CHEMICAL CO., LTD.製）CELLOXIDE 2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、Epolead GT400、CELVENUS B0134、B0177（Daicel Corporation製）等。 在分子內具有環氧基之化合物可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。

在分子內具有環氧基之化合物中，可更佳地舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂以及脂肪族環氧樹脂，可特佳地舉出脂肪族環氧樹脂。

作為在分子內具有氧雜環丁基之化合物的具體例，能夠使用Aron Oxetane OXT-201、OXT-211、OXT-212、OXT-213、OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX（以上，TOAGOSEI CO., LTD.製）。

又，包含氧雜環丁基之化合物單獨或與包含環氧基之化合物混合使用為較佳。

本揭示中的感光性組成物層中，從耐蝕刻性及線寬穩定性的觀點而言，雜環狀化合物係具有環氧基之化合物為較佳。

-烷氧基矽烷化合物- 上述感光性組成物層可以含有烷氧基矽烷化合物。作為烷氧基矽烷化合物，可較佳地舉出三烷氧基矽烷化合物。 作為烷氧基矽烷化合物，例如可舉出γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-胺丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基烷基二烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基烷基二烷氧基矽烷、γ-氯丙基三烷氧基矽烷、γ-巰丙基三烷氧基矽烷、β-（3,4-環氧基環己基）乙基三烷氧基矽烷、乙烯三烷氧基矽烷。在該等之中，γ-環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷或γ-甲基丙烯醯氧基丙基三烷氧基矽烷為更佳，γ-環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷為進一步較佳，3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷為特佳。該等能夠單獨使用1種或組合2種以上來使用。

-界面活性劑- 從膜厚均勻性的觀點而言，上述感光性組成物層含有界面活性劑為較佳。作為界面活性劑，能夠使用陰離子系、陽離子系、非離子系（Nonionic）或兩性中的任一種，但較佳的界面活性劑係非離子界面活性劑。 作為非離子系界面活性劑的例子，能夠舉出聚氧乙烯高級烷基醚類、聚氧乙烯高級烷基苯基醚類、聚氧乙二醇的高級脂肪酸二酯類、聚矽氧系、氟系界面活性劑。又，能夠舉出以下商品名稱之各系列：KP（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.製）、Polyflow（Kyoeisha Chemical Co., Ltd.製）、EFTOP（Japan Electronic Monetary Claim Organization製）、Megaface（DIC Corporation製）、Fluorad（Sumitomo 3M Limited製）、AsahiGuard、Surflon（Asahi Glass Co., Ltd.製）、PolyFox（OMNOVA SOLUTIONS INC.製）以及SH-8400（Dow Corning Toray Co.,Ltd.製）等。 又，作為界面活性劑，能夠將包含由下述式I-1表示之構成單元SA以及構成單元SB，且將四氫呋喃（THF）作為溶劑時以凝膠滲透層析法測量之聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）為1,000以上且10,000以下之共聚物作為較佳例來舉出。

[化學式14]

在式（I-1）中，R⁴⁰¹ 以及R⁴⁰³ 分別獨立地表示氫原子或甲基，R⁴⁰² 表示碳數1以上且4以下的直鏈伸烷基，R⁴⁰⁴ 表示氫原子或碳數1以上且4以下的烷基，L表示碳數3以上且6以下的伸烷基，p以及q係表示聚合比之質量百分率，p表示10質量%以上且80質量%以下的數值，q表示20質量%以上且90質量%以下的數值，r表示1以上且18以下的整數，s表示1以上且10以下的整數，*表示與其他結構的鍵結部位。

L為由下述式（I-2）表示之分支伸烷基為較佳。式（I-2）中之R⁴⁰⁵ 表示碳數1以上且4以下的烷基，從相容性和相對於被塗佈面之潤濕性的觀點而言，碳數1以上且3以下的烷基為較佳，碳數2或3的烷基為更佳。p與q之和（p+q）為p+q=100亦即100質量%為較佳。

[化學式15]

共聚物的重量平均分子量（Mw）為1,500以上且5,000以下為更佳。

此外，還能夠使用日本專利第4502784號公報的0017段、日本特開2009-237362號公報的0060段～0071段中記載之界面活性劑。

界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。 界面活性劑的添加量相對於上述感光性組成物層的總質量為10質量%以下為較佳，0.001質量%～10質量%為更佳，0.01質量%～3質量%為進一步較佳。

-其他成分- 本揭示中的感光性組成物層還能夠添加金屬氧化物粒子、抗氧化劑、分散劑、酸增殖劑、顯影促進劑、導電性纖維、著色劑、熱自由基聚合起始劑、熱酸產生劑、紫外線吸收劑、增黏劑、交聯劑及有機或無機的沉澱防止劑等公知的添加劑。 其他成分的較佳態樣分別記載於日本特開2014-085643號公報的0165段～0184段，該公報的內容編入於本說明書中。

〔感光性組成物層的形成方法〕 能夠以任意的比例並且以任意的方法混合各成分及溶劑，進行攪拌溶解而製備用於形成感光性組成物層之感光性組成物。例如，亦能夠製成將各成分分別預先溶解於溶劑中而成之溶液後，將所獲得之溶液以特定的比例進行混合來製備組成物。如上製備之組成物亦能夠使用孔徑0.2μm的過濾器等進行過濾後供使用。 為了提高感光性組成物層的膜厚均勻性、表面狀態不均等，本揭示中所使用之感光性組成物中的固體成分（例如，聚合物成分、光酸產生劑、鹼性化合物及界面活性劑）溶解於上述溶劑中來調節為較佳。

藉由將感光性組成物塗佈於臨時支撐體上並使其乾燥，能夠形成感光性組成物層。 塗佈方法並無特別限定，能夠藉由狹縫塗佈、旋塗、簾塗、噴墨塗佈等公知的方法進行塗佈。 另外，還能夠在臨時支撐體上形成後述其他層之後，塗佈感光性組成物層。

＜正型感光性轉印材料＞ 以下，對本揭示中所使用之正型感光性轉印材料（以下，還簡稱為“感光性轉印材料”。）進行詳細說明。

圖2示意性地示出本揭示中所使用之感光性轉印材料的層構成的一例。圖2所示之感光性轉印材料100依次積層有臨時支撐體12、正型感光性組成物層14及覆蓋膜16。 正型感光性組成物層14含有聚合物及光酸產生劑，該聚合物包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元。 以下，對本揭示中所使用之感光性轉印材料的構成材料等進行說明。另外，關於本揭示中的上述構成，在本說明書中有時稱為如下。

-臨時支撐體- 臨時支撐體為支撐正型感光性組成物層且能夠自正型感光性組成物層剝離之支撐體。 從在對感光性組成物層進行圖案曝光時能夠經由臨時支撐體對感光性組成物層進行曝光之觀點而言，本揭示中所使用之臨時支撐體具有透光性為較佳。 所謂具有透光性，係指在圖案曝光中使用之光的主波長的透射率為50%以上，從提高曝光靈敏度之觀點而言，在圖案曝光中使用之光的主波長的透射率係60%以上為較佳，70%以上為更佳。作為透射率的測量方法，可舉出利用Otsuka Electronics Co.,Ltd.製MCPD Series進行測量之方法。 作為臨時支撐體，可舉出玻璃基板、樹脂薄膜、紙等，從強度以及撓性等觀點而言，樹脂薄膜為特佳。作為樹脂薄膜，可舉出環烯烴聚合物薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜、三醋酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等。其中，從光學特性及低透濕性的觀點而言，包含環烯烴聚合物之薄膜為較佳，環烯烴聚合物薄膜為特佳。

臨時支撐體的厚度並無特別限定，5μm～200μm的範圍為較佳，就容易處理、通用性等的觀點而言，10μm～150μm的範圍為更佳。 從作為支撐體之強度、與電路配線形成用基板的貼合所要求之撓性、最初的曝光步驟中所要求之透光性等觀點而言，臨時支撐體的厚度依據材質選擇即可。

關於臨時支撐體的較佳態樣例如在日本特開2014-085643號公報的0017段～0018段中有記載，該公報的內容編入於本說明書中。

-其他層- 本揭示中所使用之感光性轉印材料亦可以具有除了上述感光性組成物層以外的層（以下，有時稱為“其他層”）。作為其他層，能夠舉出對比增強層、中間層、覆蓋膜、熱塑性樹脂層等。

〔對比增強層〕 本揭示中所使用之感光性轉印材料除了上述感光性組成物層以外，還能夠具有對比增強層。 對比增強層（Contrast Enhancement Layer；CEL）係在曝光前對曝光波長之吸收大，但隨著被曝光而吸收逐漸變小，亦即含有光的透射率變高之材料（稱作光消色性色素成分。）之層。作為光消色性色素成分，已知有重氮鹽、苯乙烯基吡啶鎓（stilbazolium）鹽、芳基亞硝基鹽類等。作為覆膜形成成分，使用酚系樹脂等。 此外，作為對比增強層，能夠使用在日本特開平6-097065號公報的0004段～0051段、日本特開平6-332167號公報的0012段～0055段、光聚合物手冊、光聚合座談會編、工業調查會（1989年）、光聚合•技術（Technology）、山岡•永松編、THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN,LTD.（1988年）中記載之材料。

〔中間層〕 在上述感光性組成物層上，以塗佈複數個層及防止塗佈後保存時的成分的混合為目的，能夠設置中間層。 作為中間層，能夠使用日本特開2005-259138號公報的0084～0087段中記載之中間層。作為中間層，分散或溶解於水或鹼水溶液中者為較佳。 作為用於中間層之材料，例如可舉出聚乙烯醇系樹脂、聚乙烯吡咯啶酮系樹脂、纖維素系樹脂、丙烯醯胺系樹脂、聚環氧乙烷系樹脂、明膠、乙烯醚系樹脂、聚醯胺樹脂及該等的共聚物等樹脂。其中，特佳為聚乙烯醇與聚乙烯吡咯啶酮的組合。

〔熱塑性樹脂層、覆蓋膜等〕 從轉印性的觀點而言，本揭示中所使用之感光性轉印材料可以在上述臨時支撐體與上述感光性組成物層之間具有熱塑性樹脂層。 又，以保護上述感光性組成物層為目的，本揭示之感光性轉印材料可以具有覆蓋膜。 關於熱塑性樹脂層的較佳之態樣，記載在日本特開2014-085643號公報的0189段～0193段，關於其他層的較佳之態樣，記載在日本特開2014-085643號公報的0194段～0196段，該公報的內容編入本說明書中。 其中，從轉印性的觀點而言，熱塑性樹脂層包含選自包含丙烯酸樹脂及苯乙烯/丙烯酸共聚物之群組中之至少1種熱塑性樹脂為較佳。

當本揭示中所使用之感光性轉印材料具有熱塑性樹脂層等其他層時，能夠遵照在日本特開2006-259138號公報的0094段～0098段中記載之感光性轉印材料的製作方法來製作。 例如，製作具有熱塑性樹脂層及中間層之本揭示之感光性轉印材料之情形下，將溶解熱塑性的有機高分子及添加劑而成之溶解液（熱塑性樹脂層用塗佈液）塗佈於臨時支撐體上，並使其乾燥而設置熱塑性樹脂層之後，將在不溶解熱塑性樹脂層之溶劑中添加樹脂及添加劑而製備之製備液（中間層用塗佈液）塗佈於所獲得之熱塑性樹脂層上，並使其乾燥而積層中間層。還將使用不溶解中間層之溶劑製備之感光性組成物塗佈於所形成之中間層上，使其乾燥而積層感光性組成物層，藉此能夠較佳地製作本揭示之感光性轉印材料。

（輸入裝置及顯示裝置） 作為具備藉由本揭示之電路基板的製造方法製造之電路基板之裝置，可舉出輸入裝置。 本揭示中的輸入裝置係靜電電容型觸控面板為較佳。 本揭示中的顯示裝置具備本揭示中的輸入裝置為較佳。 又，本揭示中的顯示裝置係有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置等圖像顯示裝置為較佳。

（觸控面板及觸控面板顯示裝置以及該等的製造方法） 本揭示之觸控面板係至少具有藉由本揭示之電路基板的製造方法製造之電路基板之觸控面板。又，本揭示之觸控面板至少具有透明基板、電極、以及絕緣層或保護層為較佳。 本揭示之觸控面板顯示裝置係至少具有藉由本揭示之電路基板的製造方法製造之電路基板之觸控面板顯示裝置，具有本揭示之觸控面板之觸控面板顯示裝置為較佳。 本揭示之觸控面板或觸控面板顯示裝置的製造方法包含本揭示之電路基板的製造方法為較佳。 本揭示之觸控面板或觸控面板顯示裝置的製造方法包含如下步驟為較佳，該步驟為：使藉由感光性轉印材料的製造方法獲得之感光性轉印材料的上述感光性組成物層與上述基板接觸而貼合之步驟；對上述貼合之步驟後的上述感光性轉印材料的上述感光性組成物層進行圖案曝光之步驟；對上述曝光之步驟後的感光性組成物層進行顯影而形成圖案之步驟；及對未配置上述圖案之區域中的基板進行蝕刻處理之步驟。各步驟的詳細內容與上述電路基板的製造方法中的各步驟的詳細內容相同，較佳的態樣亦相同。 作為本揭示之觸控面板以及本揭示之觸控面板顯示裝置中之檢測方法，可為電阻膜方式、靜電電容方式、超音波方式、電磁感應方式以及光學方式等公知的方式中的任一種。其中，靜電電容方式為較佳。 作為觸控面板型，能夠舉出所謂內嵌型（例如在日本特表2012-517051號公報的圖5、圖6、圖7、圖8中記載者）、所謂外嵌型（例如在日本特開2013-168125號公報的圖19中記載者、在日本特開2012-089102號公報的圖1和圖5中記載者）、OGS（One Glass Solution，單片玻璃觸控）型、TOL（Touch-on-Lens，鏡片觸控）型（例如在日本特開2013-054727號公報的圖2中記載者）、其他構成（例如在日本特開2013-164871號公報的圖6中記載者）、各種外掛型（所謂GG、G1•G2、GFF、GF2、GF1、G1F等）。 作為本揭示之觸控面板及本揭示之觸控面板顯示裝置，能夠適用在『最新觸控面板技術』（2009年7月6日、Techno Times Co.,Ltd.發行）、三谷雄二監修、“觸控面板的技術與開發”、CMC出版（2004，12）、FPD International 2009 Forum T-11演講教科書、Cypress Semiconductor Corporation應用筆記AN2292等中揭示之構成。 [實施例]

以下舉出實施例對本發明的實施態樣進行更具體的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理順序等，只要不脫離本發明的實施態樣的趣旨，則能夠適當變更。因此，本發明的實施態樣的範圍並不限定於以下所示之具體例。另外，只要沒有特別的限定，“份”、“%”為質量基準。

[（A）聚合物成分] 在以下合成例中，以下縮寫分別表示以下化合物。 ATHF：2-四氫呋喃基丙烯酸酯（合成品） AA：丙烯酸（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） MAA：甲基丙烯酸（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） EA：丙烯酸乙酯（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） MMA：甲基丙烯酸甲酯（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） CHA：丙烯酸環己酯（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） MATHF：2-四氫呋喃基甲基丙烯酸酯（合成品） ATHP：2-四氫呋喃基丙烯酸酯（Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製） MAEVE：甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯（合成品） PMPMA：甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯（SHOWA DENKO K.K.製） V-601：二甲基 2,2’-偶氮雙（2-甲基丙酸酯）（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製）

＜ATHF的合成＞ 向3口燒瓶中添加丙烯酸（72.1g，1.0mol）、己烷（72.1g）並冷卻至20℃。滴加樟腦磺酸（7.0mg，0.03mmol）、2-二氫呋喃（77.9g，1.0mol）之後，在20℃±2℃下攪拌1.5小時之後，升溫至35℃並進行了2小時攪拌。在Nutsche吸濾器依序鋪滿KYOWARD 200（過濾材料，氫氧化鋁粉末，Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.製）、KYOWARD 1000（過濾材料，水滑石系粉末，Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.製）之後，過濾反應液，藉此獲得了過濾液。向所獲得之過濾液中添加氫醌單甲醚（MEHQ，1.2mg）之後，在40℃下進行減壓濃縮，藉此獲得了作為無色油狀物的丙烯酸四氫呋喃-2-基（ATHF）140.8g（產率為99.0%）。

＜MATHF的合成＞ 將丙烯酸變更為甲基丙烯酸，除此之外，以與ATHF的合成相同的方式進行了合成。

＜MAEVE的合成＞ 依照日本特開2007-163772號公報的0139段中所記載之方法進行了合成。

＜聚合物A-1的合成例＞ 向3口燒瓶中放入PGMEA（75.0g），在氮環境下升溫至90℃。經2小時將添加有ATHF（40.0g）、AA（2.0g）、丙烯酸乙酯（EA、20.0g）、甲基丙烯酸甲酯（MMA、22.0g）、丙烯酸環己酯（CHA、16.0g）、V-601（4.0g）、PGMEA（75.0g）之溶液滴加到保持為90℃±2℃之3口燒瓶溶液中。滴加結束後，在90℃±2℃下攪拌2小時，藉此獲得了聚合物A-1（固體成分濃度為40.0%）。

[表1]

＜聚合物A2～A10的合成＞ 將單體的種類等變更為如下述表2所示，關於其他條件，以與聚合物A1相同的方法進行了合成。將聚合物A的固體成分濃度設為40質量%。表2中的各單體的使用量的單位為質量%。

[表2]

＜聚合物A-11（PHS-EVE）的合成＞ 依照日本特開2014-085643號公報的0232段中所記載之方法，獲得了聚合物A-11。

[化學式16]

＜聚合物A-12（酚醛清漆-EVE）的合成＞ 依照日本特開2014-085643號公報的0234段中所記載之方法，獲得了聚合物A-12。

[化學式17]

[（B）光酸產生劑] B-1：下述所示之結構（依照日本特開2013-47765號公報的0227段中所記載之化合物、0227段中所記載之方法，進行了合成。）

[化學式18]

B-2：PAG-103（商品名稱，BASF公司製，下述化合物）

[化學式19]

B-3：下述所示之結構的化合物（依照日本特開2014-197155號公報的0210段中所記載之方法進行了合成。）

[化學式20]

上述化合物中，Ts表示甲苯磺醯基。

B-4：GSID-26-1、三芳基鋶鹽（BASF公司製、下述化合物）

[化學式21]

[（C）界面活性劑] C-1：下述所示之結構的化合物

[化學式22]

[（D）鹼性化合物] D-1：下述所示之結構的化合物

[化學式23]

＜萘醌雙疊氮化物＞ TS-200TF（TOYO Gosei Co.,Ltd.製，下述結構的化合物）

[化學式24]

＜感光性轉印材料的製備＞ 實施例1及比較例1中，以成為下述表3所示之固體成分比之方式，將聚合物成分、光酸產生劑、鹼性化合物及界面活性劑溶解混合於PGMEA中，以使固體成分濃度成為10質量%，藉由孔徑為0.2μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，從而獲得了感光性組成物。 使用狹縫狀噴嘴，將該感光性組成物塗佈於成為臨時支撐體之厚度為30μm的聚對酞酸乙二酯薄膜（以下，設為PET（A）。）上，以使乾燥膜厚成為3.0μm，塗佈寬度成為1.0m。然後，經40秒鐘通過80℃的乾燥區，最後作為覆蓋膜而壓接對聚乙烯薄膜（Tredegar Co., Ltd.製，OSM-N）而製作了感光性轉印材料1。 另外，PET（A）的總光霧度係0.19%。關於薄膜霧度，使用Suga Test Instruments Co., Ltd.製霧度試驗機HZ-2，遵照JIS-K-7136測量了基礎片的總光霧度值（%）。

＜性能評價＞ 使用了在100μm厚度的PET基材上將ITO藉由濺射以150nm厚度成膜，並在其之上藉由真空蒸鍍法將銅以200nm厚度成膜而成之PET基板。

＜靈敏度評價＞ 在輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.的層合條件下，將所製作之感光性轉印材料層合於依次成膜ITO、銅而成之PET基板，而製作了試樣。 不剝離臨時支撐體，經由線寬3μm～20μm的線與空間圖案遮罩（Duty比1:1）並使用超高壓水銀燈進行曝光之後，放置1小時之後剝離臨時支撐體來進行了顯影。顯影使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，以噴淋顯影進行了30秒鐘。藉由上述方法形成了20μm的線與空間圖案時，藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察空間部的殘渣並進行了評價，求出了完全沒有殘渣之曝光量。曝光量小於200mJ/cm² 為能夠實用之級別。 5：小於80mJ/cm² 4：80mJ/cm² 以上且小於150mJ/cm² 3：150mJ/cm² 以上且小於200mJ/cm² 2：200mJ/cm² 以上且小於300mJ/cm² 1：300mJ/cm² 以上

＜解析度評價＞ 在輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.的層合條件下，將所製作之感光性轉印材料層合於依次成膜ITO、銅而成之PET基板，而製作了試樣。 不剝離臨時支撐體，經由線寬為3μm～20μm的線與空間圖案遮罩（Duty比1:1）並使用超高壓水銀燈進行曝光之後，放置1小時之後剝離臨時支撐體而進行了顯影。顯影使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，以噴淋顯影進行了30秒鐘。如此獲得之線與空間圖案中，將最高解析度之圖案設為到達解析度。又，判斷到達解析度時，在圖案的側壁部產生大粗糙度之情形下，設為未能解析。 5：小於6μm 4.5：小於8μm且6μm以上 4：小於10μm且8μm以上 3：小於15μm且10μm以上 2：小於20μm且15μm以上 1：20μm以上

＜去除性評價＞ 在輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.的層合條件下，將所製作之感光性轉印材料層合於依次成膜ITO、銅而成之PET基板，而製作了試樣。 不剝離臨時支撐體，經由線寬3μm～20μm的線與空間圖案遮罩（Duty比1:1）並使用超高壓水銀燈進行曝光之後，放置1小時之後剝離臨時支撐體來進行了顯影。顯影使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，以噴淋顯影進行了30秒鐘。接著，使用25℃的銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）藉由浸漬法對銅層進行60秒鐘的蝕刻之後，使用25℃的ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）藉由浸漬法對ITO層進行了60秒鐘的蝕刻。對於在上述解析度評價中未解析之（評價係1之）材料，亦使用銅及ITO蝕刻液進行了相同的操作。 使用去除液來去除了所殘留之感光性組成物層。去除使用50℃的水系去除液（Henkel Japan Ltd.製BONDERITE C-AK P123的水稀釋液：有機鹼10%、水90%）及MIKASA CO., LTD製ED-1200來進行了噴淋去除。此時，將1天的裝置運轉時間設為6小時，在去除液的使用開始日（0天）或自使用開始日3天、7天、14天後、21天後或者28天後分別進行了相同的實驗。 在去除之前進行整個面曝光之情形下，不經由圖案遮罩並使用超高壓水銀燈以表3中所記載之剝離前曝光量進行曝光，曝光之後放置10秒鐘之後，進行了上述去除試驗。 藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察感光性組成物層，並求出了能夠完全去除銅層上的感光性組成物層之時間。判斷去除性時，去除時間小於70秒鐘為實用級別，去除時間短為較佳。

〔評價基準〕 4：去除時間為20秒鐘以下 3：去除時間為20秒鐘以上且小於70秒鐘 2：去除時間為70秒鐘以上且小於300秒鐘 1：無法去除

以下，將評價結果匯總示於表3。

[表3]

如表3所示，關於實施例的電路基板的製造方法，即使在長時間使用去除液之情形下去除性亦優異。

（實施例101） 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層導電層而將ITO藉由濺射以150nm厚度成膜，在其之上作為第1層導電層而將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度成膜，藉此製成了電路形成基板。 在銅層上層合了在實施例1中獲得之感光性轉印材料1（輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）。不剝離臨時支撐體並使用設置有具有沿一個方向連結有導電層襯墊之構成之圖3所示之圖案A之光罩進行了接觸圖案曝光。然後剝離臨時支撐體，進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行了蝕刻後，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）對ITO層進行了蝕刻，藉此獲得了銅和ITO均以圖案A描繪出之基板。 接著，使用以對準之狀態設置有圖4所示之圖案B的開口部之光罩進行了圖案曝光、顯影、水洗。 然後，使用Cu-02蝕刻銅層，藉由超高壓水銀燈對所殘留之感光性組成物層進行整個面曝光（300mJ/cm² ），曝光之後放置10秒鐘之後，使用去除液（Henkel Japan Ltd.製BONDERITE C-AK P123）來去除，從而獲得了電路基板。 藉由顯微鏡觀察所獲得之電路基板之結果，無剝落或缺失等，係精緻的圖案。

（實施例102） 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層導電層而將ITO藉由濺射以150nm厚度成膜，在其之上作為第1層導電層而將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度成膜，藉此製成了電路形成基板。 在銅層上層合了在實施例1中獲得之感光性轉印材料1（輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）。 不剝離臨時支撐體並使用設置有具有沿一個方向連結有導電層襯墊之構成之圖3所示之圖案A之光罩進行了圖案曝光。然後剝離臨時支撐體，進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行了蝕刻後，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）對ITO層進行了蝕刻，藉此獲得了銅和ITO均以圖案A描繪出之基板。 接著，在殘留之阻劑上層合了PET（A）作為保護層。在該狀態下，使用以對準之狀態設置有圖4所示之圖案B的開口部之光罩進行了圖案曝光，剝離PET（A）之後進行了顯影、水洗。 然後，使用Cu-02蝕刻銅層，藉由超高壓水銀燈對所殘留之感光性組成物層進行整個面曝光（300mJ/cm² ），曝光之後放置10秒鐘之後，使用去除液（Henkel Japan Ltd.製BONDERITE C-AK P123）來去除，從而獲得了電路基板。 藉由顯微鏡觀察所獲得之電路基板之結果，無剝落或缺失等，係精緻的圖案。

（實施例2） 關於實施例1中獲得之感光性轉印材料1，藉由0199段中所記載之方法進行了基板的圖案化。去除感光性組成物時，在剝離之前的整個面曝光之後使用IR加熱器在基板溫度60℃下加熱5秒鐘並放置，除此之外，藉由與實施例1相同的方法進行了去除性評價。將評價結果示於表4。

（實施例3） 將加熱步驟中的基板溫度變更為25℃並放置，除此之外，藉由與實施例2相同的方法進行了去除性評價。將評價結果示於表4。

[表4]

結果，藉由進行加熱步驟，即使曝光後的放置時間短，亦獲得了與實施例1同等以上的去除性能。 又，如表4所示，關於實施例2的電路基板的製造方法，即使在長時間、例如21天或28天使用去除液之情形下，去除性亦優異。

（實施例4） 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層導電層而將ITO藉由濺射以150nm厚度成膜，在其之上作為第1層導電層而將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度成膜，藉此製成了電路形成基板。 在銅層上層合了在實施例1中獲得之感光性轉印材料1（輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）。 不剝離臨時支撐體並使用設置有具有沿一個方向連結有導電層襯墊之構成之圖3所示之圖案A之光罩進行了圖案曝光。然後剝離臨時支撐體，進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行蝕刻、水洗，獲得了以圖案A描繪出之銅配線。而且，對於銅蝕刻之後的基板，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）蝕刻ITO層，最後用沖洗液（界面活性劑的0.1重量%水溶液、界面活性劑：Megaface F-444（DIC CORPORATION製））進行清洗，藉此獲得了銅和ITO均以圖案A描繪出之基板。 藉由超高壓水銀燈對該基板進行整個面曝光（300mJ/cm² ），曝光之後使用IR加熱器在基板溫度60℃下加熱5秒鐘並放置之後，藉由與實施例1相同的方法進行了感光性樹脂層的去除性能評價。關於去除液，使用了（Henkel Japan Ltd.製BONDERITE C-AK P123）。本實施例的製程中，如下述表5所示，亦能夠獲得良好的去除性能。

[表5]

（實施例5） 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層導電層而將ITO藉由濺射以150nm厚度成膜，在其之上作為第1層導電層而將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度成膜，藉此製成了電路形成基板。 在銅層上層合了在實施例1中獲得之感光性轉印材料1（輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）。 不剝離臨時支撐體並使用設置有具有沿一個方向連結有導電層襯墊之構成之圖3所示之圖案A之光罩進行了圖案曝光。然後剝離臨時支撐體，進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行蝕刻、水洗，獲得了以圖案A描繪出之銅配線。而且，對於銅蝕刻之後的基板，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）蝕刻ITO層，使用下述組成的沖洗液1進行清洗之後，藉由鼓風機將水分完全吹散，藉此獲得了銅和ITO均以圖案A描繪出之基板。 藉由超高壓水銀燈對該基板進行整個面曝光（300mJ/cm² ），曝光之後使用IR加熱器在基板溫度60℃下加熱5秒鐘並放置之後，進行了感光性樹脂層的去除性能評價。關於去除液，使用了（Henkel Japan Ltd.製BONDERITE C-AK P123）。將評價結果示於表6及表7。

＜沖洗液1＞ •離子交換水：9,990份 •聚氧乙烯（10）辛基苯基醚（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）：5份 •聚氧乙烯聚氧丙二醇（160環氧乙烷（E.O.））（30環氧丙烷（P.O.））（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）：5份

（實施例6） 將ITO蝕刻後的沖洗液變更為下述沖洗液2，除此之外，以與實施例5相同的方式進行了感光性樹脂層的去除性能評價。將評價結果示於表6及表7。

＜沖洗液2＞ •離子交換水：9,985份 •聚氧乙烯（10）辛基苯基醚：5份 •聚氧乙烯聚氧丙二醇（160E.O.）（30P.O.）：5份 •3-甲氧基-3-甲基丁醇：5份

[表6]

[表7]

結果，即使在使用沖洗液1或沖洗液2來作為ITO蝕刻後的沖洗液，進行加熱步驟之情形下，亦能夠獲得良好的去除性能。

（實施例7～實施例19） 設為下述表8所示之感光性組成物的組成，除此之外，藉由與實施例1相同的方法製備了感光性轉印材料。關於靈敏度評價及解析度評價，藉由與實施例1相同的方法進行，關於去除性的評價，變更剝離前曝光量及加熱步驟中的加熱時間以及加熱溫度，除此之外，藉由與實施例2相同的方法進行。將評價結果示於表8。

[表8]

如表8所示，關於實施例的電路基板的製造方法，即使在長時間使用去除液之情形下，去除性亦優異。

12‧‧‧臨時支撐體

14‧‧‧正型感光性組成物層

14A‧‧‧第1圖案

14B‧‧‧第2圖案

16‧‧‧覆蓋膜

20‧‧‧電路配線形成用基板

22‧‧‧基材

24‧‧‧第1導電層

24A‧‧‧第1導電層（第1蝕刻步驟後）

24B‧‧‧第1導電層（第2蝕刻步驟後）

26‧‧‧第2導電層

26A‧‧‧第2導電層（第1蝕刻步驟及第2蝕刻步驟後）

30‧‧‧遮罩

40‧‧‧遮罩

100‧‧‧感光性轉印材料

S、SL‧‧‧實線部

G‧‧‧灰色部

DL‧‧‧虛線部

圖1係表示使用了正型感光性轉印材料之本揭示之電路基板的製造方法的一例之概要圖。 圖2係表示本揭示中較佳地使用之正型感光性轉印材料的層構成的一例之概要圖。 圖3係表示圖案A之概要圖。 圖4係表示圖案B之概要圖。

Claims (12)

1. 一種電路基板的製造方法，其依次包含： 在導電層上形成正型感光性組成物層之步驟； 對該正型感光性組成物層進行圖案曝光之步驟； 對該經圖案曝光之正型感光性組成物層進行顯影之步驟； 將該經顯影之正型感光性組成物層用作遮罩，並蝕刻導電層之步驟； 對該經顯影之正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟；及 去除該經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電路基板的製造方法，其中， 在對該正型感光性組成物層進行整個面曝光之步驟與去除該經整個面曝光之正型感光性組成物層之步驟之間，包含對該經整個面曝光之正型感光性組成物層進行加熱之步驟。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路基板的製造方法，其中 在去除該正型感光性組成物層之步驟中，使用含有30質量%以上的水之去除液。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路基板的製造方法，其中 該正型感光性組成物層含有聚合物及光酸產生劑，該聚合物包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電路基板的製造方法，其中 該具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元為由下述式A1～式A3中的任一個表示之構成單元，式A1中，R¹¹ 及R¹² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R¹¹ 及R¹² 中的任一者係烷基或芳基，R¹³ 表示烷基或芳基，R¹¹ 或R¹² 可以與R¹³ 連結而形成環狀醚，R¹⁴ 表示氫原子或甲基，X¹ 表示單鍵或2價的連結基，R¹⁵ 表示取代基，n表示0～4的整數， 式A2中，R²¹ 及R²² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R²¹ 及R²² 中的任一者係烷基或芳基，R²³ 表示烷基或芳基，R²¹ 或R²² 可以與R²³ 連結而形成環狀醚，R²⁴ 分別獨立地表示羥基、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羥烷基、芳基羰基、芳氧基羰基或環烷基，m表示0～3的整數， 式A3中，R³¹ 及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹ 及R³² 中的任一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可以與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或2價的連結基。
6. 如申請專利範圍第5項所述之電路基板的製造方法，其中 該具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元為由該式A3表示之構成單元。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路基板的製造方法，其中 該導電層為選自包含金屬層及導電性金屬氧化物層之群組中之至少1種層。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路基板的製造方法，其中 該導電層為銅層。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路基板的製造方法，其中 在形成該正型感光性組成物層之步驟中，使用具有臨時支撐體和正型感光性組成物層之感光性轉印材料。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電路基板的製造方法，其中 該臨時支撐體為樹脂薄膜。
11. 如申請專利範圍第9項所述之電路基板的製造方法，其中 該臨時支撐體包含環烯烴聚合物。
12. 一種觸控面板的製造方法，其包含申請專利範圍第1至11中任一項所述之電路基板的製造方法。