TWI767974B - 感光性轉印材料以及電路配線之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種感光性轉印材料以及使用了感光性轉印材料之電路配線之製造方法，前述感光性轉印材料具有偽支撐體以及感光性樹脂組成物層，前述感光性樹脂組成物層含有包含聚合物之聚合物成分和光酸產生劑，前述聚合物包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1）、或具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2），聚合物成分包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）中之至少一者，在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-1）的比例和構成單元（b-2）的比例的總計為1莫耳%以上且18莫耳%以下。

Description

感光性轉印材料以及電路配線之製造方法

本公開係有關一種感光性轉印材料以及電路配線之製造方法。

在靜電電容型輸入裝置等具備觸控面板之顯示裝置（有機電發光顯示裝置以及液晶顯示裝置等）中，在觸控面板內部設置有相當於可見部的感測器之電極圖案、邊緣配線部分以及引出配線部分的配線等導電性層圖案。 通常在已圖案化之層的形成中，用於獲得所需之圖案形狀之製程數量少，因此廣泛使用對使用感光性轉印材料在任意基板上設置之感光性樹脂組成物的層，經由具有所希望的圖案之遮罩進行曝光後顯影之方法。

例如在日本特開2010-008972號公報中，公開有一種鍍覆造形物製造用正型感放射線性樹脂組成物，其含有具有酚性羥基之構成單元以及酸解離性官能基之聚合物、感放射線性酸產生劑以及有機溶劑，且相對於聚合物100重量份含有感放射線性酸產生劑1～20重量份。

例如在日本特開2016-057612號公報中，公開有一種化學增幅正型阻劑乾膜，其含有藉由酸的作用而在鹼水溶液中成為可溶之含酚樹脂、以及藉由放射線或光化射線的作用而產生酸之光酸產生劑。

例如在日本特開2015-180957號公報中，公開有一種化學增幅正型光刻膠組成物，其含有具有酚性羥基之樹脂以及感光性酸產生劑化合物。

例如在日本特開2015-118202號公報中，公開有一種感光性轉印材料，其具有支撐體和感光性樹脂組成物層，感光性樹脂組成物層含有聚合物和光酸產生劑，前述聚合物包含具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元，感光性樹脂組成物不具有乙烯性交聯結構。

例如在日本特開2006-003861號公報中，公開有一種正型感光性阻劑組成物，其含有在一個分子中至少具有1個4,6-雙（三氯甲基）-均三嗪基之化合物、有機胺化合物以及酸感應性共聚物。

本發明的一實施形態欲解決之課題在於提供一種相對於顯影液之未曝光部的溶解性低，且所獲得之圖案形狀的變形少的正型的感光性轉印材料。 本發明的另一實施形態欲解決之課題在於提供一種使用了正型的感光性轉印材料之電路配線之製造方法。

用於解決上述課題之手段包含以下態樣。 ＜1＞一種感光性轉印材料，具有偽支撐體以及感光性樹脂組成物層，前述感光性樹脂組成物層含有包含聚合物之聚合物成分、以及光酸產生劑，前述聚合物包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1）或具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2），聚合物成分包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）中之至少一者，在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-1）的比例和構成單元（b-2）的比例的總計為1莫耳%以上且18莫耳%以下。其中，當聚合物成分不包含具有構成單元（a-1）之聚合物時，不將構成單元（b-1）的比例包含在總計之內。 ＜2＞如＜1＞所述之感光性轉印材料，其中聚合物成分的酸值為60mgKOH/g以下。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之感光性轉印材料，其中聚合物成分的玻璃轉移溫度為90℃以下。 ＜4＞如＜1＞或＜2＞所述之感光性轉印材料，其中聚合物成分的玻璃轉移溫度為60℃以下。 ＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一項所述之感光性轉印材料，其中構成單元（a-1）係以下述式A1表示之構成單元。 [化學式1]

式A1中，R³¹ 以及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R³¹ 以及R³² 中之至少一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或伸芳基。 ＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一項所述之感光性轉印材料，其中構成單元（a-2）係以下述式A3表示之構成單元。 [化學式2]

式A3中，R⁵¹ 以及R⁵² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R⁵¹ 以及R⁵² 中之至少一者係烷基或芳基，R⁵³ 表示烷基或芳基，R⁵¹ 或R⁵² 可與R⁵³ 連結而形成環狀醚，R⁵⁴ 表示氫原子或甲基，X¹ 表示單鍵或二價的連接基團，R⁶² 表示取代基，n表示0～4的整數。 ＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一項所述之感光性轉印材料，其中構成單元（b-1）係以下述式B1表示之構成單元。 [化學式3]

式B1中，R⁷⁰ 表示氫原子或甲基，R⁷¹ 表示單鍵或二價的連接基團，R⁷² 分別獨立地表示鹵素原子或烷基，a表示1～5的整數，b表示0～4的整數，a+b為5以下。 ＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一項所述之感光性轉印材料，其中構成單元（b-2）係以下述式B2表示之構成單元。 [化學式4]

式B2中，R⁸⁰ 表示氫原子或甲基，R⁸¹ 表示單鍵或伸芳基，R⁸² 表示伸烷基。 ＜9＞如＜1＞～＜8＞中任一項所述之感光性轉印材料，其中聚合物成分進一步具有來自於具有環狀烷基之（甲基）丙烯酸烷酯之構成單元。 ＜10＞一種電路配線之製造方法，依次包含以下製程：對於基板，使＜1＞～＜9＞中任一項所述之感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層與基板接觸並貼合之製程；對貼合製程後的感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層進行圖案曝光之製程；對進行圖案曝光後的感光性樹脂組成物層進行顯影並形成圖案之製程；以及對未配置有圖案之區域中之基板進行蝕刻處理之製程。 [發明效果]

依本發明的一實施形態，能夠提供一種相對於顯影液之未曝光部的溶解性低，且所獲得之圖案形狀的變形少的正型的感光性轉印材料。 依本發明的另一實施形態，能夠提供一種使用了正型的感光性轉印材料之電路配線之製造方法。

以下，對發明的實施形態進行說明。該等說明以及實施例為例示出實施形態者，並非限定發明範圍者。

在本說明書中使用“～”表示之數值範圍表示將記載於“～”的前後之數值作為下限值以及上限值而包含在內之範圍。

在本說明書中提及組成物中的各成分的量時，若在組成物中存在複數種相當於各成分之物質時，只要沒有特別的說明，則表示在組成物中存在之該複數種物質的總計量。

在本說明書中“製程”一詞不僅表示獨立之製程，即使在無法與其他製程明確區分的情況下，只要能夠達成製程的預期目的，則包含於本用語。

在本說明書中之基團（原子團）的標記中，未標有取代以及未取代之標記包含具有取代基者和不具有取代基者。例如“烷基”為不僅包含不具有取代基之烷基（未取代烷基），亦包含具有取代基之烷基（取代烷基）者。

本說明書中之化學結構式有時會記載成省略了氫原子之簡略結構式。

在本說明書中，“（甲基）丙烯酸”表示丙烯酸以及甲基丙烯酸兩者或任一者，“（甲基）丙烯酸酯”表示丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯兩者或任一者。

在本公開中，“質量%”與“重量%”的含義相同，“質量份”與“重量份”的含義相同。

在本公開中，2個以上的較佳態樣的組合係更佳的態樣。

本公開中之重量平均分子量（Mw）以及數量平均分子量（Mn）只要沒有特別的說明則係藉由使用了TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL（均為TOSOH CORPORATION製的產品名）的管柱之凝膠滲透層析法（GPC）分析裝置，作為溶劑使用四氫呋喃（THF），並藉由差示折射計進行檢測，將聚苯乙烯作為標準物質進行換算之分子量。

在本公開中，將“構成單元”的含量以莫耳%進行特定時，將“構成單元”設為與“單體單元”的含義相同者。在本公開中，“單體單元”可在聚合後被修飾。

在本公開中參閱實施形態來說明圖式時，該實施形態的構成並不限定於圖式所示之構成。並且，各圖中之構件的大小係概念性大小，構件之間的大小的相對關係並不限定於此。

＜感光性轉印材料＞ 本公開之感光性轉印材料具有偽支撐體、以及含有聚合物成分和光酸產生劑之感光性樹脂組成物層。在本公開中“聚合物成分”表示在感光性樹脂組成物層中所含之聚合物總體。本實施形態的感光性樹脂組成物層係正型的感光性樹脂組成物層，有時稱作“正型感光性樹脂組成物層”。

在本公開之感光性轉印材料中，感光性樹脂組成物層的聚合物成分包含聚合物，前述聚合物包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1）、或具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2）。 以下，有時將上述聚合物稱作“聚合物A”，且有時將以縮醛的形態保護酸基之保護基稱作“縮醛型保護基”。

在本公開之感光性轉印材料中，感光性樹脂組成物層的聚合物成分包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）中之至少一者，在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-1）的比例和構成單元（b-2）的比例的總計為1莫耳%以上且18莫耳%以下。 其中，當聚合物成分不包含具有構成單元（a-1）之聚合物時，不將構成單元（b-1）的比例包含在上述總計之內。換言之，當聚合物成分不包含具有構成單元（a-1）之聚合物而包含具有構成單元（a-2）之聚合物時，聚合物成分一定具有構成單元（b-2），且在總構成單元中所佔之構成單元（b-2）的比例為1莫耳%以上且18莫耳%以下。當聚合物成分不包含具有構成單元（a-1）之聚合物時，聚合物成分可具有構成單元（b-1）亦可以不具有，但從將相對於顯影液之未曝光部的溶解性抑制為較低之觀點來看，聚合物成分不具有構成單元（b-1）為較佳。 以下，有時將在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-1）的比例稱作“M^b-1 ”。M^b-1 的單位係“莫耳%”。 以下，有時將在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-2）的比例稱作“M^b-2 ”。M^b-2 的單位係“莫耳%”。

本公開之感光性轉印材料中，感光性樹脂組成物層的聚合物成分所具有之構成單元（b-1）或構成單元（b-2）可以係聚合物A所具有之構成單元，亦可以係與聚合物A不同之其他聚合物所具有之構成單元。以下，有時將作為與聚合物A不同之其他聚合物，且具有構成單元（b-1）以及構成單元（b-2）中之至少一者之聚合物稱作“聚合物B”。

本公開之感光性轉印材料的相對於顯影液之未曝光部的溶解性低，且所獲得之圖案形狀的變形少。該理由可如下推斷。

輥對輥（roll-to-roll）製程可考慮在被傳送之基材上連續地實施轉印製程-曝光製程-顯影製程後捲取到輥上之製程，但本發明人發現存在以下問題，亦即實際在實施生產時，當在任意製程中發生故障時，不得不停止基材的傳送，此時，在轉印製程、顯影製程中停止之部分的性能明顯劣化而不得不廢棄。 並且，在曝光製程中，技術上還無法實現一邊以恆定速度傳送基材一邊經由遮罩進行曝光，需要組裝局部性地停止基材的傳送之裝置等複雜的裝置。並且，本發明人等推斷，分別獨立地配置轉印、曝光以及顯影的各製程，並在各製程的前後嵌入了開捲以及捲取之製程在現有技術的範圍內是比較理想的。 然而，本發明人等發現在包含該種轉印、曝光以及顯影的各製程之方法中，若圖像形成使用了化學增幅正型感光性樹脂組成物之層，則有時產生所獲得之圖案的變形。當使用除了化學增幅正型感光性樹脂組成物以外的以往的阻劑時，未發現上述現象。 本發明人等進行深入研究之結果，發現該現象係使用化學增幅正型樹脂組成物時的特徵性現象，發現藉由設為上述構成的感光性轉印材料，所獲得之圖案形狀的變形減少。 雖然詳細的發現機構不明確，但所獲得之圖案形狀的變形尤其在使用化學增幅正型樹脂組成物時顯現，藉此本發明人等推斷係起因於基於已產生之酸之縮醛型保護基的脫離反應、以及來自於之後脫離之縮醛型保護基之化合物的擴散之現象。本發明人等推斷，若感光性樹脂組成物層含有酚性羥基或醇性羥基，則酚性羥基或醇性羥基會捕捉來自於已脫離之縮醛型保護基之化合物，因此相對地減少來自於已脫離之縮醛型保護基之化合物向相近畫素擴散，抑制基於伴隨上述擴散之體積變化之膜中的內部應力的產生，藉此抑制所獲得之圖案形狀的變形。

本公開之感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層中，當推斷為構成單元（b-1）所具有之酚性羥基以及構成單元（b-2）所具有之醇性羥基中之至少一者有助於捕捉來自於已脫離之縮醛型保護基之化合物時，推測若M^b-1 和M^b-2 的總計小於1莫耳%，則無法充分捕捉來自於已脫離之縮醛型保護基之化合物，而無法抑制所獲得之圖案形狀的變形。從該觀點來看，M^b-1 和M^b-2 的總計為1莫耳%以上，5莫耳%以上為更佳，10莫耳%以上為進一步較佳。 另一方面，若M^b-1 和M^b-2 的總計超過18莫耳%，則未曝光部相對於顯影液變得易溶解。從將相對於顯影液之未曝光部的溶解性抑制為較低之觀點來看，M^b-1 和M^b-2 的總計為18莫耳%以下，15莫耳%以下為更佳。

本公開之感光性轉印材料中，作為感光性樹脂組成物層中所含之聚合物成分的態樣，例如可舉出下述第1實施形態～第5實施形態。

-第1實施形態- 聚合物成分至少包含聚合物A-I，前述聚合物A-I包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1）、以及具有酚性羥基之構成單元（b-1）和具有醇性羥基之構成單元（b-2）中之至少一者。

-第2實施形態- 聚合物成分至少包含聚合物A-II，前述聚合物A-II包含具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2）、以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）。

-第3實施形態- 聚合物成分至少包含以下聚合物： 聚合物A-III，包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1），且不包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）；以及 聚合物B-I，包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）。

-第4實施形態- 聚合物成分至少包含以下聚合物： 聚合物A-III，包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1），且不包含具有酚性羥基之構成單元（b-1）以及具有醇性羥基之構成單元（b-2）；以及 聚合物B-II，包含具有醇性羥基之構成單元（b-2）。

-第5實施形態- 聚合物成分至少包含以下聚合物： 聚合物A-IV，包含具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2），且不包含具有醇性羥基之構成單元（b-2）；以及 聚合物B-II，包含具有醇性羥基之構成單元（b-2）。

在第1實施形態～第5實施形態中的任一個中，聚合物成分中所含之聚合物A-I～A-IV以及聚合物B-I～B-II分別可僅為1種亦可為2種以上，聚合物成分均可包含除了聚合物A-I～A-IV以及聚合物B-I～B-II以外的其他聚合物。另外，將後述之相當於交聯劑以及分散劑之化合物設為雖然係高分子化合物但不包含於聚合物成分者。 在第1實施形態～第5實施形態中的任一個中，在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（b-1）的比例和構成單元（b-2）的比例的總計均為1莫耳%以上且18莫耳%以下。其中，當聚合物成分不包含具有構成單元（a-1）之聚合物時，不將構成單元（b-1）的比例包含在上述總計之內。

以下，對本公開之感光性轉印材料的層結構、各層的構成材料等進行說明。

圖1概略性地表示本公開之感光性轉印材料的層結構的一例。圖1所示之感光性轉印材料100中依次積層有偽支撐體10、感光性樹脂組成物層14以及覆蓋膜16。感光性樹脂組成物層14含有聚合物成分和光酸產生劑。

[偽支撐體] 偽支撐體係支撐感光性樹脂組成物層，且能夠從感光性樹脂組成物層剝離之支撐體。

在本公開中使用之偽支撐體從在對感光性樹脂組成物層進行圖案曝光時能夠經由偽支撐體對感光性樹脂組成物層進行曝光之觀點來看，具有透光性為較佳。 具有透光性表示在圖案曝光中使用之光的主波長的透過率為50%以上，在圖案曝光中使用之光的主波長的透過率從提高曝光靈敏度之觀點來看，60%以上為較佳，70%以上為更佳。作為透過率的測量方法，可舉出利用Otsuka Electronics Co.,Ltd.製MCPD Series進行測量之方法。

作為偽支撐體，可舉出玻璃基板、樹脂薄膜、紙等，從強度以及撓性等觀點來看，樹脂薄膜為特佳。作為樹脂薄膜，可舉出聚對酞酸乙二酯薄膜、三乙酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等。其中，雙軸拉伸聚對酞酸乙二酯薄膜為特佳。

偽支撐體的厚度沒有特別的限定，5μm～200μm的範圍為較佳，從操作容易性、通用性等觀點來看，10μm～150μm的範圍為更佳。偽支撐體的厚度從作為支撐體之強度、與電路配線形成用基板的貼合所要求之撓性、最初的曝光製程中所要求之透光性等觀點來看，根據材質選擇即可。

關於偽支撐體的較佳態樣例如在日本特開2014-85643號公報的0017段～0018段中有記載，該公報的內容編入於本說明書中。

[感光性樹脂組成物層] 感光性樹脂組成物層含有聚合物成分和光酸產生劑。本公開中之感光性轉印材料所具備之感光性樹脂組成物層係正型感光性樹脂組成物層，但化學增幅正型感光性樹脂組成物層為較佳。 後述之鎓鹽或肟磺酸鹽化合物等光酸產生劑中，感應光化射線而生成之酸對聚合物成分中的被保護之酸基的脫保護作為觸媒發揮作用，因此以1個光量子的作用生成之酸有助於多數的脫保護反應，量子產率超過1成為例如10的數次方那樣大的值，作為所謂化學增幅的結果，可獲得高靈敏度。 另一方面，作為感應光化射線之光酸產生劑而使用了醌二疊氮化合物時，藉由逐次型光化學反應而生成羧基，其量子產率一定為1以下，但在化學增幅型中並非如此。

聚合物A藉由以曝光產生之觸媒量的酸性物質的作用，構成單元（a-1）所具有之羧基以縮醛的形態被保護之基團、或構成單元（a-2）所具有之酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團受到脫保護反應而成為酸基。藉由該酸基，能夠溶解於顯影液中。

聚合物A、以及聚合物B中具有構成單元（b-2）之聚合物為加成聚合型的聚合物為較佳。該等聚合物為具有來自於（甲基）丙烯酸或其酯之構成單元之聚合物為更佳。該等聚合物亦可以具有除了來自於（甲基）丙烯酸或其酯之構成單元以外的構成單元，例如來自於苯乙烯之構成單元或來自於乙烯基化合物之構成單元等。 聚合物B中具有構成單元（b-1）之聚合物B為乙烯酚類的加成聚合物或酚醛清漆型酚樹脂為較佳。 以下，對構成在聚合物成分中所含之聚合物之構成單元進行詳細的說明。

-具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-1）- 作為構成單元（a-1），從圖案形成時的靈敏度以及解析度優異之觀點以及抑制圖案形狀的變形之觀點來看，以下述式A1表示之構成單元A1為較佳。聚合物A所具有之構成單元A1可為1種，亦可為2種以上。

[化學式5]

在式A1中，R³¹ 以及R³² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R³¹ 以及R³² 中之至少一者係烷基或芳基，R³³ 表示烷基或芳基，R³¹ 或R³² 可與R³³ 連結而形成環狀醚，R³⁴ 表示氫原子或甲基，X⁰ 表示單鍵或伸芳基。

在式A1中，當R³¹ 或R³² 為烷基時，碳原子數為1～10的烷基為較佳。當R³¹ 或R³² 為芳基時，苯基為較佳。R³¹ 以及R³² 分別為氫原子或碳原子數1～4的烷基為較佳。 在式A1中，R³³ 表示烷基或芳基，碳原子數1～10的烷基為較佳，碳原子數1～6的烷基為更佳。 R³¹ ～R³³ 中之烷基以及芳基可具有取代基。 在式A1中，R³¹ 或R³² 可與R³³ 連結而形成環狀醚，R³¹ 或R³² 與R³³ 連結而形成環狀醚為較佳。環狀醚的環元數沒有特別的限定，5或6為較佳，5為更佳。 在式A1中，X⁰ 表示單鍵或伸芳基，單鍵為較佳。作為伸芳基，亞聯苯基為較佳，伸芳基可具有取代基。

在式A1中，R³⁴ 表示氫原子或甲基，從能夠更加降低聚合物A的Tg之觀點來看，氫原子為較佳。相對於在聚合物A中所含之構成單元A1的總量，式A1中之R³⁴ 為氫原子之構成單元為20質量%以上為較佳。相對於構成單元A1的總量之式A1中之R³⁴ 為氫原子之構成單元的質量比例能夠藉由依據¹³ C-核磁共振（NMR）測量並以常規方法算出之峰值強度的強度比來確認。

以式A1表示之構成單元A1中，從進一步提高圖案形成時的靈敏度之觀點來看，以下述式A2表示之構成單元A2亦為更佳。聚合物A所具有之構成單元A2可為1種，亦可為2種以上。

[化學式6]

在式A2中，R³⁴ 表示氫原子或甲基，R³⁵ ～R⁴¹ 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4的烷基。 在式A2中，R³⁴ 為氫原子為較佳。 在式A2中，R³⁵ ～R⁴¹ 為氫原子為較佳。

作為構成單元（a-1）的具體例，能夠例示下述構成單元。R³⁴ 表示氫原子或甲基。

[化學式7]

在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（a-1）的比例為10莫耳%以上且70莫耳%以下為較佳，20莫耳%以上且60莫耳%以下為更佳，30莫耳%以上且50莫耳%以下為進一步較佳。

-具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元（a-2）- 作為構成單元（a-2），從圖案形成時的靈敏度以及解析度優異之觀點以及抑制圖案形狀的變形之觀點來看，以下述式A3表示之構成單元A3為較佳。聚合物A所具有之構成單元A3可為1種，亦可為2種以上。

[化學式8]

在式A3中，R⁵¹ 以及R⁵² 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R⁵¹ 以及R⁵² 中之至少一者係烷基或芳基，R⁵³ 表示烷基或芳基，R⁵¹ 或R⁵² 可與R⁵³ 連結而形成環狀醚，R⁵⁴ 表示氫原子或甲基，X¹ 表示單鍵或二價的連接基團，R⁶² 表示取代基，n表示0～4的整數。

在式A3中，當R⁵¹ 以及R⁵² 為烷基時，碳原子數為1～10的烷基為較佳。當R⁵¹ 以及R⁵² 為芳基時，苯基為較佳。R⁵¹ 以及R⁵² 分別為氫原子或碳原子數1～4的烷基為較佳。 在式A3中，R⁵³ 表示烷基或芳基，碳原子數1～10的烷基為較佳，碳原子數1～6的烷基為更佳。 R⁵¹ ～R⁵³ 中之烷基以及芳基可具有取代基。 在式A3中，R⁵¹ 或R⁵² 可與R⁵³ 連結而形成環狀醚，R⁵¹ 或R⁵² 與R⁵³ 連結而形成環狀醚為較佳。環狀醚的環元數沒有特別的限定，5或6為較佳，5為更佳。 在式A3中，X¹ 表示單鍵或二價的連接基團，單鍵或伸烷基、-C（=O）O-、-C（=O）NR^N -、-O-或該等的組合為較佳，單鍵為更佳。伸烷基可以係直鏈狀且可具有分支亦可具有環狀結構，亦可具有取代基。伸烷基的碳原子數為1～10為較佳，1～4為更佳。當X¹ 包含-C（=O）O-時，在-C（=O）O-中所含之碳原子和與R⁵⁴ 鍵結之碳原子直接鍵結之態樣為較佳。當X¹ 包含-C（=O）NR^N -時，-C（=O）NR^N -中所含之碳原子和與R⁵⁴ 鍵結之碳原子直接鍵結之態樣為較佳。R^N 表示烷基或氫原子，碳原子數1～4的烷基或氫原子為較佳，氫原子為更佳。 在式A3中，包含R⁵¹ ～R⁵³ 之基團和X¹ 以亙相對位地與苯環鍵結為較佳。 在式A3中，R⁶² 表示取代基、烷基或鹵素原子為較佳。烷基的碳原子數為1～10為較佳，1～4為更佳。 在式A3中，n表示0～4的整數，0或1為較佳，0為更佳。

在式A3中，R⁵⁴ 表示氫原子或甲基，從能夠更加降低聚合物A的Tg之觀點來看，氫原子為較佳。相對於聚合物A中所含之構成單元A3的總含量，式A3中之R⁵⁴ 為氫原子之構成單元為20質量%以上為較佳。相對於構成單元A3的總量之式A3中之R⁵⁴ 為氫原子之構成單元的質量比例能夠藉由依據¹³ C-核磁共振（NMR）測量並以常規方法算出之峰值強度的強度比來確認。

以式A3表示之構成單元中，從抑制圖案形狀的變形之觀點來看，以下述式A4表示之構成單元A4為更佳。聚合物A所具有之構成單元A4可為1種，亦可為2種以上。

[化學式9]

在式A4中，R⁵⁴ 表示氫原子或甲基，R⁵⁵ ～R⁶¹ 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4的烷基，R⁶² 表示取代基，n表示0～4的整數。 在式A4中，R⁵⁴ 為氫原子為較佳。 在式A4中，R⁵⁵ ～R⁶¹ 為氫原子為較佳。 在式A4中，R⁶² 表示取代基，烷基或鹵素原子為較佳。烷基的碳原子數為1～10為較佳，1～4為更佳。 在式A4中，n表示0～4的整數，0或1為較佳，0為更佳。

作為構成單元（a-2）的具體例，能夠例示下述構成單元。R⁵⁴ 表示氫原子或甲基。

[化學式10]

在聚合物成分的總構成單元中所佔之構成單元（a-2）的比例為10莫耳%以上且70莫耳%以下為較佳，20莫耳%以上且60莫耳%以下為更佳，30莫耳%以上且50莫耳%以下為進一步較佳。

-具有酚性羥基之構成單元（b-1）- 作為構成單元（b-1），例如可舉出來自於羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物之構成單元、酚醛清漆型酚樹脂中之構成單元。

作為構成單元（b-1），從抑制圖案形狀的變形之觀點來看，以式B1表示之構成單元B1為較佳。聚合物A或聚合物B所具有之構成單元B1可為1種，亦可為2種以上。

[化學式11]

式B1中，R⁷⁰ 表示氫原子或甲基，R⁷¹ 表示單鍵或二價的連接基團，R⁷² 分別獨立地表示鹵素原子或烷基，a表示1～5的整數，b表示0～4的整數，a+b為5以下。

作為R⁷¹ 的二價的連接基團，可舉出碳原子與主鏈鍵結之酯鍵（-COO-）、伸烷基。作為伸烷基，具有直鏈或分支之碳原子數1～6的伸烷基為較佳。R⁷¹ 為單鍵、酯鍵為較佳，單鍵為更佳。二價的連接基團可具有取代基，作為取代基，可舉出鹵素原子、羥基、烷氧基等。

a表示1～5的整數，從容易製造之觀點來看，a為1或2為較佳，1為更佳。關於苯環中之羥基的鍵結位置，在將與R⁷¹ 鍵結之碳原子設為基準（1位）時，在4位鍵結為較佳。 R⁷² 表示鹵素原子或烷基，作為烷基，碳原子數1～4的具有直鏈或分支之烷基為較佳。R⁷² 從容易製造之觀點來看，氯原子、溴原子、甲基或乙基為較佳。 b表示0～4的整數，從容易製造之觀點來看，b為0或1為較佳，0為更佳。

作為以式B1表示之構成單元B1的較佳的具體例，可舉出來自於m-羥基苯乙烯之構成單元、來自於p-羥基苯乙烯之構成單元。亦即，作為較佳例可舉出聚合物A或聚合物B具有來自於m-羥基苯乙烯之構成單元以及來自於p-羥基苯乙烯之構成單元中之至少一者之形態。作為聚合物B的較佳例，可舉出聚（m-羥基苯乙烯）、聚（p-羥基苯乙烯）、聚（m-/p-混合羥基苯乙烯）。

作為構成單元（b-1），還可舉出酚醛清漆型酚樹脂中之酚醛類和甲醛縮聚而成之構成單元。作為酚醛類，酚醛、m-甲酚、p-甲酚為較佳。亦即，聚合物B係例如酚醛甲醛樹脂、m-甲酚甲醛樹脂、p-甲酚甲醛樹脂、m-/p-混合甲酚甲醛樹脂、酚醛/甲酚（可以係m-、p-或m-/p-混合中的任一種）混合甲醛樹脂等酚醛清漆型酚樹脂。

-具有醇性羥基之構成單元（b-2）- 作為構成單元（b-2），從抑制圖案形狀的變形之觀點來看，以下述式B2表示之構成單元B2為較佳。聚合物A或聚合物B所具有之構成單元B2可為1種，亦可為2種以上。

[化學式12]

式B2中，R⁸⁰ 表示氫原子或甲基，R⁸¹ 表示單鍵或伸芳基，R⁸² 表示伸烷基。

R⁸¹ 表示單鍵或伸芳基，單鍵為較佳。作為伸芳基，伸苯基為較佳，伸芳基可具有取代基。

R⁸² 表示伸烷基，碳原子數1～6的具有直鏈或分支之伸烷基為較佳，碳原子數2～4的具有直鏈或分支之伸烷基為更佳。

作為以式B2表示之構成單元B2的較佳的具體例，可舉出來自於伸烷基的碳原子數為1～6（2～4為較佳）之（甲基）丙烯酸羥烷基酯之構成單元。作為伸烷基的碳原子數為1～6（2～4為較佳）之（甲基）丙烯酸羥烷基酯，可舉出（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-1-甲基己基、（甲基）丙烯酸3-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-羥丁酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯等。

-其他構成單元- 當聚合物A以及聚合物B為加成聚合物時，從解析度以及密合性的觀點來看，在聚合成分中包含（甲基）丙烯酸以及（甲基）丙烯酸烷酯中之至少任一種為較佳。因此，聚合物成分具有來自於（甲基）丙烯酸構成單元以及來自於（甲基）丙烯酸烷酯之構成單元中之至少任一種為較佳。作為（甲基）丙烯酸烷酯，具有碳原子數4～12（碳原子數4～8為更佳）的直鏈狀、分支狀或環狀烷基之（甲基）丙烯酸烷酯為較佳，具有碳原子數4～12（碳原子數4～8為更佳）的環狀烷基之（甲基）丙烯酸烷酯為更佳，（甲基）丙烯酸環己基為進一步較佳。 藉由調整上述構成單元的種類以及含量，能夠調整聚合物成分的諸特性，例如能夠將玻璃轉移溫度調整為90℃以下。

在聚合物成分的總構成單元中所佔之來自於（甲基）丙烯酸之構成單元以及來自於（甲基）丙烯酸烷酯之構成單元的總計比例為10莫耳%以上且90莫耳%以下為較佳，20莫耳%以上且70莫耳%以下為更佳，30莫耳%以上且50莫耳%以下為進一步較佳。

聚合物成分包含來自於具有環狀烷基之（甲基）丙烯酸烷酯之構成單元為較佳，包含來自於具有碳原子數4～12（碳原子數4～8為更佳）的環狀烷基之（甲基）丙烯酸烷酯之構成單元為更佳，具有來自於（甲基）丙烯酸環己基之構成單元為進一步較佳。上述構成單元作為聚合物A或聚合物B的構成單元而包含在聚合物成分中為較佳。 在聚合物成分的總構成單元中所佔之上述構成單元的比例為10莫耳%以上且70莫耳%以下為較佳，20莫耳%以上且60莫耳%以下為更佳，30莫耳%以上且50莫耳%以下為進一步較佳。

聚合物成分可進一步具有來自於苯乙烯類、（甲基）丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物、馬來醯亞胺化合物、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物等不飽和化合物之構成單元。

其他構成單元構成並非聚合物A以及聚合物B中的任一個的其他聚合物，其他聚合物可包含於聚合物成分。其中，在聚合物成分中所佔之其他聚合物的質量比例為20質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，5質量%以下為更佳，實質上不包含為進一步較佳。

-聚合物成分的諸特性- 聚合物成分的酸值為60mgKOH/g以下為較佳。藉由酸值為60mgKOH/g以下，感光性樹脂組成物層具有高密合性，轉印性更優異。酸值為40mgKOH/g以下為更佳，20mgKOH/g以下為進一步較佳。酸值的下限值為0mgKOH/g以上為較佳，5mgKOH/g以上為更佳，10mgKOH/g以上為進一步較佳。 聚合物成分的酸值係測量聚合物成分中所含之各聚合物的酸值，並以各聚合物的質量百分比進行了加權之平均值（亦即加權平均）。其中，當無法將聚合物成分中所含之各聚合物按照種類進行分離時或在聚合物成分中所含之聚合物為1種時，從聚合物成分總體中獲得試樣並測量酸值來求出。 聚合物的酸值依據JIS K0070（1992年）藉由中和滴定法進行測量。

聚合物成分的酸值能夠藉由調整構成單元（b-1）、構成單元（b-2）以及其他構成單元的種類以及含量來控制在已述的較佳範圍內。

聚合物成分的玻璃轉移溫度（Tg）為90℃以下為較佳。藉由Tg為90℃以下，感光性樹脂組成物層具有高密合性，轉印性更優異。Tg為60℃以下為更佳，40℃以下為進一步較佳。Tg的下限值沒有特別的限定，-20℃以上為較佳，0℃以上為更佳，20℃以上為進一步較佳。藉由Tg為-20℃以上，可維持良好的圖案形成性，並且在使用覆蓋膜時，可抑制剝離覆蓋膜時的剥離性的下降。 聚合物成分的玻璃轉移溫度係從聚合物成分總體獲得試樣並測量玻璃轉移溫度來求出。當判明了聚合物成分中所含之各聚合物時，可測量各聚合物的玻璃轉移溫度，並作為藉由以各聚合物的質量百分比進行加權之下述式算出之值來求出。

[數式1]

Tg係聚合物成分的玻璃轉移溫度(絶對溫度)，r_n係聚合物n的質量百分比，Tg_n係聚合物n的玻璃轉移溫度(絶對溫度)。

聚合物成分或各聚合物的玻璃轉移溫度利用示差掃描量熱(DSC)來進行測量。具體的測量方法遵造JIS K7121(1987年)中記載的方法來進行。本說明書中之玻璃轉移溫度係外推玻璃轉移起始溫度(Extrapolated Glass Transition Onset Temperature，以下有時稱作Tig。)。

對玻璃轉移溫度的測量方法進行具體的說明。

求玻璃轉移溫度時，以比預想之Tg低約50℃的溫度保持至裝置穩定為止後，以加熱速度20℃/分鐘加熱至比玻璃轉移結束之溫度高約30℃的溫度為止，並描畫出示差熱分析(differential thermal analysis：DTA)曲線或示差掃描量熱(differential scanning calorimetry：DSC)曲線。外推玻璃轉移起始溫度(Tig)作為DTA曲線或DSC曲線中之低溫側的基線延長至高溫側之直線與在玻璃轉移的階梯狀變化部分的曲線的梯度成為最大之點上畫出之切線的交點的溫度而求出。

作為將聚合物成分的Tg控制成已述的較佳範圍之方法，例如可舉出根據聚合物成分所具有之各構成單元的單獨聚合物的Tg和各構成單元的質量比，將FOX式作為指南來進行控制之方法。

關於FOX式

將第1構成單元的單獨聚合物的Tg設為Tg1，將第1構成單元的聚合物成分中之質量分率設為W1，將第2構成單元的單獨聚合物的Tg設為Tg2，將第2構成單元的聚合物成分中之質量分率設為W2時，聚合物成分的Tg0（K）能夠依據以下FOX式來進行推斷。

FOX式：1/Tg0=（W1/Tg1）+（W2/Tg2）

此外，藉由調整聚合物成分的重量平均分子量，亦能夠調整聚合物成分的Tg。

聚合物成分中，作為成分總體之分子量為以聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw），60,000以下為較佳。藉由聚合物成分的Mw為60,000以下，將感光性樹脂組成物層的熔融黏度抑制為較低，在與基板貼合時能夠實現低溫（例如130℃以下）下的貼合。聚合物成分的Mw為2,000～60,000為較佳，3,000～50,000為更佳。

聚合物成分的數量平均分子量和重量平均分子量之比（分散度）為1.0～5.0為較佳，1.05～3.5為更佳。

聚合物成分的Mw能夠藉由GPC（凝膠滲透層析法）來測量，作為測量裝置，能夠使用各種市售的裝置，裝置的詳細內容以及測量技術係同行業人員公知的。藉由凝膠滲透層析法（GPC）之Mw的測量中，作為測量裝置能夠使用HLC（註冊商標）-8220GPC（TOSOH CORPORATION製），作為管柱能夠使用將TSKgel（註冊商標）Super HZM-M（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ4000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ3000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）、Super HZ2000（4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION製）的各一個串聯連接者，作為溶析液能夠使用THF（四氫呋喃）。作為測量條件，能夠將試樣濃度設為0.2質量%，將流速設為0.35ml/min，將樣品注入量設為10μL，且將測量溫度設為40℃，並利用示差折射率（RI）檢測器來進行。校準曲線能夠利用TOSOH CORPORATION製的“標準試樣TSK standard，polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”以及“A-1000”該7個樣品中之任一個來製作。

聚合物成分中所含之各聚合物之製造方法（合成法）沒有特別的限定，舉一例，能夠在包含聚合性單體之有機溶劑中使用聚合引發劑來進行聚合從而進行合成。並且，亦能夠以所謂高分子反應來進行合成。聚合物成分中所含之各聚合物亦可以係市售品。

感光性樹脂組成物層從相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，相對於感光性樹脂組成物層的總質量以50質量%～99.9質量%的比例包含聚合物成分為較佳，以70質量%～98質量%的比例包含為更佳。

在第1實施形態中，從感光性樹脂組成物層相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，聚合物A-I的量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為50質量%～99.9質量%為較佳，70質量%～98質量%為更佳。 在第2實施形態中，從感光性樹脂組成物層相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，聚合物A-II的量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為50質量%～99.9質量%為較佳，70質量%～98質量%為更佳。 在第3實施形態中，從感光性樹脂組成物層相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，聚合物A-III和聚合物B-I的總計量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為50質量%～99.9質量%為較佳，70質量%～98質量%為更佳。 在第4實施形態中，從感光性樹脂組成物層相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，聚合物A-III和聚合物B-II的總計量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為50質量%～99.9質量%為較佳，70質量%～98質量%為更佳。 在第5實施形態中，從感光性樹脂組成物層相對於基板顯現良好的密合性之觀點來看，聚合物A-IV和聚合物B-II的總計量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為50質量%～99.9質量%為較佳，70質量%～98質量%為更佳。

-光酸產生劑- 感光性樹脂組成物層含有光酸產生劑。作為在本公開中使用之光酸產生劑，可舉出能夠藉由照射紫外線、遠紫外線、X射線以及帶電粒子束等光化射線來產生酸之化合物。

作為在本公開中使用之光酸產生劑，感應波長300nm以上、較佳為波長300nm～450nm的光化射線，且產生酸之化合物為較佳，但其化學結構沒有限定。並且，即便係不直接感應波長300nm以上的光化射線之光酸產生劑，只要係藉由併用增感劑來感應波長300nm以上的光化射線並產生酸之化合物，則能夠與增感劑組合來較佳地使用。 作為在本公開中使用之光酸產生劑，產生pKa為4以下的酸之光酸產生劑為較佳，產生pKa為3以下的酸之光酸產生劑為更佳，產生pKa為2以下的酸之光酸產生劑為特佳。pKa的下限值沒有特別的限定，但例如為-10.0以上為較佳。

作為光酸產生劑，能夠舉出離子性光酸產生劑和非離子性光酸產生劑。 作為光酸產生劑，從靈敏度以及解析度的觀點來看，包含選自由後述之鎓鹽化合物以及後述之肟磺酸鹽化合物組合的群之至少1種化合物為較佳，包含肟磺酸鹽化合物為更佳。

作為非離子性光酸產生劑的例子，能夠舉出三氯甲基均三嗪類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺酸酯化合物以及肟磺酸鹽化合物等。在該等之中，從靈敏度、解析度以及密合性的觀點來看，光酸產生劑為肟磺酸鹽化合物為較佳。該等光酸產生劑能夠單獨使用1種或組合2種以上來使用。作為三氯甲基均三嗪類以及重氮甲烷衍生物的具體例，能夠例示在日本特開2011-221494號公報的0083段～0088段中記載的化合物。

作為肟磺酸鹽化合物亦即具有肟磺酸鹽結構之化合物，具有以下述式表示之肟磺酸鹽結構之化合物為較佳。

[化學式13]

在上述式中，R²¹ 表示烷基或芳基，*表示與其他原子或其他基團的鍵結部位。

具有以上述式表示之肟磺酸鹽結構之化合物的任一基團均可被取代，R²¹ 中之烷基可為直鏈狀，亦可具有分支結構，亦可具有環結構。被允許之取代基在以下進行說明。 作為R²¹ 的烷基，碳原子數1～10的直鏈狀或分支狀烷基為較佳。R²¹ 的烷基可以被碳原子數6～11的芳基、碳原子數1～10的烷氧基、環烷基（包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋接式脂環基，雙環烷基等為較佳）或鹵素原子取代。 作為R²¹ 的芳基，碳原子數6～18的芳基為較佳，苯基或萘基為更佳。R²¹ 的芳基可被選自由碳原子數1～4的烷基、烷氧基以及鹵素原子組成的群之1種以上的基團取代。

具有以上述式表示之肟磺酸鹽結構之化合物，在日本特開2014-85643號公報的0078段～0111段中記載之肟磺酸鹽化合物亦較佳。

作為離子性光酸產生劑的例子，能夠舉出二芳基錪鎓鹽類以及三芳基鋶鹽化合物類等鎓鹽化合物、四級銨鹽類等。在該等之中，鎓鹽化合物為較佳，三芳基鋶鹽類以及二芳基錪鎓鹽類為特佳。

作為離子性光酸產生劑，亦能夠較佳地使用日本特開2014-85643號公報的0114段～0133段中記載的離子性光酸產生劑。

光酸產生劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 感光性樹脂組成物層中之光酸產生劑的含量從靈敏度、解析度的觀點來看，相對於感光性樹脂組成物層的總質量為0.1質量%～10質量%為較佳，0.5質量%～5質量%為更佳。

-溶劑- 感光性樹脂組成物層可包含溶劑。 形成感光性樹脂組成物層之感光性樹脂組成物為了容易地形成感光性樹脂組成物層，先含有溶劑來調節感光性樹脂組成物的黏度，再將包含溶劑之感光性樹脂組成物進行塗佈以及乾燥，藉此能夠較佳地形成感光性樹脂組成物層。

作為在本公開中使用之溶劑，能夠使用公知的溶劑。作為溶劑，能夠例示乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二甘醇二烷基醚類、二甘醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、酯類、酮類、醯胺類、以及內酯類等。並且，作為溶劑的具體例亦可舉出在日本特開2011-221494號公報的0174段～0178段中記載的溶劑，將該等內容編入於本說明書中。溶劑可僅使用1種，亦可使用2種以上。

在上述溶劑中，能夠進一步根據需要添加苄基乙醚、二己醚、乙二醇單苯醚乙酸酯、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、苯甲醚、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、碳酸乙二酯或碳酸丙二酯等溶劑。

能夠在本公開中使用之溶劑可單獨使用1種，併用2種為更佳。當使用2種以上的溶劑時，例如丙二醇單烷基醚乙酸酯類和二烷基醚類的併用、二乙酸酯類和二甘醇二烷基醚類的併用、或酯類和丁二醇烷基醚乙酸酯類的併用為較佳。

作為溶劑，沸點130℃以上且小於160℃的溶劑、沸點160℃以上的溶劑或該等的混合物為較佳。作為沸點130℃以上且小於160℃的溶劑，能夠例示丙二醇單甲醚乙酸酯（沸點146℃）、丙二醇單乙醚乙酸酯（沸點158℃）、丙二醇甲基-正丁醚（沸點155℃）以及丙二醇甲基-正丙醚（沸點131℃）。作為沸點160℃以上的溶劑，能夠例示乙氧基丙烯酸酯（沸點170℃）、二甘醇甲基乙醚（沸點176℃）、丙二醇單甲醚丙酸酯（沸點160℃）、二丙二醇甲醚乙酸酯（沸點213℃）、3-甲氧基丁醚乙酸酯（沸點171℃）、二甘醇二乙醚（沸點189℃）、二甘醇二甲醚（沸點162℃）、丙二醇二乙酸酯（沸點190℃）、二甘醇單乙醚乙酸酯（沸點220℃）、二丙二醇二甲醚（沸點175℃）以及1,3-丁二醇二乙酸酯（沸點232℃）。

作為塗佈感光性樹脂組成物時之溶劑的含量，感光性樹脂組成物中的總固體成分的每100質量份為50質量份～1,900質量份為較佳，100質量份～900質量份為更佳。 感光性樹脂組成物層中之溶劑的含量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為2質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.5質量%以下為進一步較佳。

-其他添加劑- 本公開中之感光性樹脂組成物層中除了聚合物成分以及光酸產生劑以外，能夠根據需要包含公知的添加劑。

-塑化劑- 感光性樹脂組成物層可以以改良塑性為目的而含有塑化劑。 塑化劑的重量平均分子量小於構成聚合物成分之聚合物為較佳。塑化劑的重量平均分子量從賦予塑性的觀點來看500以上且小於10,000為較佳，700以上且小於5,000為更佳，800以上且小於4,000為進一步較佳。 塑化劑只要為與聚合物成分相容而顯現塑性之化合物則沒有特別的限定，從賦予塑性之觀點來看，塑化劑在分子中具有伸烷氧基為較佳。在塑化劑中所含之伸烷氧基具有下述結構為較佳。

[化學式14]

在上述式中，R係碳原子數2～8的伸烷基，n表示1～50的整數，*表示與其他原子的鍵結部位。

例如即使為具有上述結構的伸烷氧基之化合物（設為“化合物X”。），當混合了化合物X、聚合物成分以及光酸產生劑而獲得之化學增幅正型感光性樹脂組成物與不包含化合物X而形成之化學增幅正型感光性樹脂組成物相比塑性未提高時，不符合本公開中之塑化劑。例如，任意添加之界面活性劑通常不會以使感光性樹脂組成物帶有塑性之量使用，因此不符合本說明書中之塑化劑。

作為塑化劑，例如可舉出具有下述結構之化合物，但並非限定於該等者。

[化學式15]

塑化劑的含量從密合性的觀點來看，相對於感光性樹脂組成物層的總質量為1質量%～50質量%為較佳，2質量%～20質量%為更佳。感光性樹脂組成物層可僅包含1種塑化劑，亦可包含2種以上。

-增感劑- 感光性樹脂組成物層還能夠包含增感劑。 增感劑吸收光化射線而成為電子激發狀態。成為電子激發狀態之增感劑與光酸產生劑接觸而產生電子移動、能量移動以及發熱等作用。藉此光酸產生劑產生化學變化而分解並生成酸。 藉由含有增感劑，能夠提高曝光靈敏度。

作為增感劑，選自由蒽衍生物、吖啶酮衍生物、氧硫𠮿口星衍生物、香豆素衍生物、鹼性苯乙烯衍生物以及二苯乙烯基苯衍生物組成的群之化合物為較佳，蒽衍生物為更佳。 作為蒽衍生物，蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二氯蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、9-羥甲基蒽、9-溴蒽、9-氯蒽、9,10-二溴蒽、2-乙基蒽或9,10-二甲氧基蒽為較佳。

作為增感劑，能夠舉出在國際公開第2015/093271號的0139段～0141段中記載的化合物。

增感劑的含量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為0質量%～10質量%為較佳，0.1質量%～10質量%為更佳。

-鹼性化合物- 感光性樹脂組成物層進一步包含鹼性化合物為較佳。 作為鹼性化合物，能夠從在化學增幅阻劑中使用之鹼性化合物中任意地選用。例如可舉出脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、四級氫氧化銨以及羧酸的四級銨鹽等。作為該等的具體例，可舉出在日本特開2011-221494號公報的0204段～0207段中記載的化合物，該等內容編入於本說明書中。

具體而言，作為脂肪族胺，例如可舉出三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二正丙基胺、三正丙基胺、二正戊基胺、三正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺基以及二環己基甲胺等。 作為芳香族胺，例如可舉出苯胺、苄胺、N,N-二甲基苯胺以及二苯胺等。 作為雜環式胺，例如可舉出吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-己基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、煙鹼、煙酸、煙醯胺、喹啉、8-氧喹啉、吡嗪、吡唑、噠嗪、嘌呤、吡咯烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯以及1,8-二氮雜雙環[5.3.0]-7-十一碳烯等。 作為四級氫氧化銨，例如可舉出氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四正丁基銨以及氫氧化四正己基銨等。 作為羧酸的四級銨鹽，例如可舉出四甲基乙酸銨、四甲基苯甲酸銨、四正丁基乙酸銨以及四正丁基苯甲酸銨等。

鹼性化合物可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。鹼性化合物的含量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為0.001質量%～5質量%為較佳，0.005質量%～3質量%為更佳。

-雜環狀化合物- 本公開中之感光性樹脂組成物層能夠包含雜環狀化合物。 對本公開中之雜環狀化合物沒有特別的限定。例如能夠在以下所述之分子內添加具有環氧基或氧雜環丁基之化合物、含烷氧基甲基之雜環狀化合物、其他各種環狀醚、環狀酯（內酯）等含酸素單體、環狀胺、噁唑啉基這種含氮單體，進一步能夠添加矽、硫、膦等具有帶有d電子之原子之含雜原子環單體等。

當添加雜環狀化合物時，感光性樹脂組成物層中之雜環狀化合物的添加量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為0.01質量%～50質量%為較佳，0.1質量%～10質量%為更佳，1質量%～5質量%為進一步較佳。若為上述範圍，則從密合性以及蝕刻耐性的觀點來看為較佳。雜環狀化合物可僅使用1種，亦能夠併用2種以上。

作為在分子內具有環氧基之化合物的具體例，能夠舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。

在分子內具有環氧基之化合物能夠作為市售品來購入。例如可舉出JER828、JER1007、JER157S70（Mitsubishi Chemical Corporation製）、JER157S65（Mitsubishi Chemical Holdings Co., Ltd.製）等、以及在日本特開2011-221494號公報的0189段中記載的市售品等。 作為其他市售品，可舉出ADEKA RESIN EP-4000S、ADEKA RESIN EP-4003S、ADEKA RESIN EP-4010S、ADEKA RESIN EP-4011S（以上，ADEKA Corporation製）、NC-2000、NC-3000、NC-7300、XD-1000、EPPN-501、EPPN-502（以上，ADEKA Corporation製）、DENACOL EX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402、EX-111、EX-121、EX-141、EX-145、EX-146、EX-147、EX-171、EX-192（以上Nagase ChemteX Corporation製）、YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325（以上，NIPPON STEEL & SUMIKIN CHEMICAL CO., LTD.製）、CELLOXIDE 2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、Epolead GT400、CELVENUS B0134、B0177（Daicel Corporation製）等。 在分子內具有環氧基之化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

在分子內具有環氧基之化合物之中，可更佳地舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂以及脂肪族環氧樹脂，可尤為佳地舉出脂肪族環氧樹脂。

作為在分子內具有氧雜環丁基之化合物的具體例，能夠使用Aron Oxetane OXT-201、OXT-211、OXT-212、OXT-213、OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX（以上，TOAGOSEI CO., LTD.製）。

並且，包含氧雜環丁基之化合物單獨或與包含環氧基之化合物混合使用為較佳。

在本公開中之感光性樹脂組成物層中，雜環狀化合物係具有環氧基之化合物，從蝕刻耐性以及線寬穩定性的觀點來看為較佳。

-烷氧基矽烷化合物- 上述感光性樹脂組成物層可含有烷氧基矽烷化合物。作為烷氧基矽烷化合物，可較佳地舉出三烷氧基矽烷化合物。 作為烷氧基矽烷化合物，例如可舉出γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-胺丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基烷氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基烷基二烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基烷基二烷氧基矽烷、γ-氯丙基三烷氧基矽烷、γ-巰丙基三烷氧基矽烷、β-（3,4-環氧基環己基）乙基三烷氧基矽烷、乙烯三烷氧基矽烷。在該等之中，γ-環氧丙氧基丙基烷氧基矽烷或γ-甲基丙烯醯氧基丙基三烷氧基矽烷為更佳，γ-環氧丙氧基丙基烷氧基矽烷為進一步較佳，3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷為特佳。該等能夠單獨使用1種或組合2種以上來使用。

-界面活性劑- 感光性樹脂組成物層從膜厚均勻性的觀點來看，含有界面活性劑為較佳。作為界面活性劑，能夠使用陰離子系、陽離子系、非離子系（nonionic）或兩性中之任一種，但較佳的界面活性劑係非離子界面活性劑。 作為非離子系界面活性劑的例子，能夠舉出聚氧乙烯高級烷基醚類、聚氧乙烯高級烷基苯基醚類、聚氧乙二醇的高級脂肪酸二酯類、聚矽氧系、氟系界面活性劑。並且，能夠舉出以下KP（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.製）、Polyflow（Kyoeisha Chemical Co., Ltd.製）、EFTOP（Japan Electronic Monetary Claim Organization製）、Megaface（註冊商標，DIC Corporation製）、Fluorad（Sumitomo 3M Limited製）、AsahiGuard、Surflon（註冊商標，Asahi Glass Co., Ltd.製）、PolyFox（OMNOVA SOLUTIONS INC.製）以及SH-8400（Dow Corning Toray Co.,Ltd.製）等產品名之各系列。 並且，作為界面活性劑，能夠將具有以下述式I-1表示之構成單元（I-a）以及構成單元（I-b），且將四氫呋喃（THF）作為溶劑時以凝膠滲透層析法測量之聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）為1,000以上且10,000以下之共聚物作為較佳例來舉出。

[化學式16]

在式I-1中，R⁴⁰¹ 以及R⁴⁰³ 分別獨立地表示氫原子或甲基，R⁴⁰² 表示碳原子數1以上且4以下的直鏈伸烷基，R⁴⁰⁴ 表示氫原子或碳原子數1以上且4以下的烷基，L表示碳原子數3以上且6以下的伸烷基，p以及q係表示聚合比之質量百分率，p表示10質量%以上且80質量%以下的數值，q表示20質量%以上且90質量%以下的數值，r表示1以上且18以下的整數，s表示1以上且10以下的整數，*表示與其他構成單元的鍵結部位。

p與q之和（p+q）為p+q=100亦即100質量%為較佳。 L為以下述式（I-2）表示之分支伸烷基為較佳。式（I-2）中之R⁴⁰⁵ 表示碳原子數1以上且4以下的烷基，從相容性和相對於被塗佈面之潤濕性的觀點來看，碳原子數1以上且3以下的烷基為較佳，碳原子數2或3的烷基為更佳。

[化學式17]

上述共聚物的重量平均分子量（Mw）為1,500以上且5,000以下為更佳。

此外，還能夠使用日本專利第4502784號公報的0017段、日本特開2009-237362號公報的0060段～0071段中記載的界面活性劑。

界面活性劑可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 界面活性劑的添加量相對於感光性樹脂組成物層的總質量為10質量%以下為較佳，0.001質量%～10質量%為更佳，0.01質量%～3質量%為進一步較佳。

-其他成分- 在本公開中之感光性樹脂組成物層中，能夠進一步添加金屬氧化物粒子、抗氧化劑、分散劑、酸增殖劑、顯影促進劑、導電性纖維、著色劑、熱自由基聚合引發劑、熱酸產生劑、紫外線吸收劑、增黏劑、交聯劑以及有機或無機的沉淀防止劑等公知的添加劑。 其他成分的較佳態樣分別記載於日本特開2014-85643號公報的0165段～0184段，該公報的內容編入於本說明書中。

-感光性樹脂組成物層的形成方法- 能夠將各成分以及溶劑以任意比例且以任意方法進行混合，並進行攪拌溶解來製備用於形成感光性樹脂組成物層之感光性樹脂組成物。例如，亦能夠將各成分分別預先溶解於溶劑中來製成溶液後，將所獲得之溶液以特定的比例進行混合來製備組成物。如上製備之組成物亦能夠以孔徑0.2μm的過濾器等進行過濾後提供於使用。

藉由將感光性樹脂組成物塗佈在偽支撐體上並使其乾燥，能夠獲得在偽支撐體上具有感光性樹脂組成物層之感光性轉印材料。感光性樹脂組成物的塗佈方法沒有特別的限定，能夠以狹縫塗佈、旋塗、簾塗、噴墨塗佈等公知的方法進行塗佈。亦可在偽支撐體上形成後述的其他層後，在之上塗佈感光性樹脂組成物層。

[其他層] 本公開之感光性轉印材料可具有除了感光性樹脂組成物層以外的層（有時稱作“其他層”。）。作為其他層，能夠舉出熱塑性樹脂層、對比度增強層、中間層、覆蓋膜等。

本公開之感光性轉印材料從轉印性的觀點來看，可以在偽支撐體和感光性樹脂組成物層之間具有熱塑性樹脂層。關於熱塑性樹脂層的較佳態樣在日本特開2014-85643號公報的0189段～0193段中有記載，該公報的內容編入於本說明書中。當本公開之感光性轉印材料具有熱塑性樹脂層等其他層時，能夠遵照在日本特開2006-259138號公報的0094段～0098段中記載的感光性轉印材料的製作方法來製作。

本公開之感光性轉印材料除了上述感光性樹脂組成物層以外，還能夠具備對比度增強層。對比度增強層（Contrast Enhancement Layer；CEL）在曝光前對曝光波長之吸收大，但隨著被曝光而吸收逐漸變小，亦即係含有光的透過率變高之材料（有時稱作“光消色性色素成分”。）之層。作為光消色性色素成分，已知有重氮鹽、苯乙烯基吡啶鎓（stilbazolium）鹽、芳基亞硝基鹽類等。作為覆膜形成成分，使用酚系樹脂等。此外，作為對比度增強層，能夠使用在日本特開平6-97065號公報的0004段～0051段、日本特開平6-332167號公報的0012段～0055段、《光聚合物手冊》（光聚合座談會編、工業調査會、1989年）、《光聚合・技術（Technology）》（山崗・永松編、THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN,LTD.、1988年）中記載的材料。

本公開之感光性轉印材料可以在感光性樹脂組成物層上具有中間層，並在中間層上具有CEL。中間層為了防止CEL和正型感光性樹脂組成物層的混合而設置。

本公開之感光性轉印材料可以以保護感光性樹脂組成物層為目的而具有覆蓋膜。

＜電路配線之製造方法＞ 本公開之電路配線之製造方法只要係使用了本公開之感光性轉印材料之製造方法則沒有特別的限定，依次包含以下製程為較佳：相對於基板，使本公開之感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層與基板接觸並貼合之製程；對貼合製程後的感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層進行圖案曝光之製程；對進行曝光之製程後的感光性樹脂組成物層進行顯影來形成圖案之製程、以及對未配置有圖案之區域中之基板進行蝕刻處理之製程。

以往，感光性樹脂組成物根據感光系統的不同而分成將照射光化射線之部分作為圖像而殘留之負型、以及將未照射光化射線之部分作為圖像而殘留之正型。在正型中藉由照射光化射線，例如使用照射光化射線來產生酸之感光劑等來提高曝光部的溶解性，因此當在圖案曝光時刻曝光部以及未曝光部均未固化，所獲得之圖案形狀為不良時，能夠藉由全面曝光等來對基板進行再利用（再加工）。因此，從所謂再加工性優異之觀點來看，正型為較佳。並且，對殘留之感光性樹脂組成物層進行再度曝光來製作不同之圖案之技術如果不是正型感光性樹脂組成物層則無法實現。在本公開之電路配線之製造方法中，可較佳地舉出進行2次以上的曝光之態樣。

[貼合製程] 本公開之電路配線之製造方法包含相對於基板，使本公開之感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層與基板接觸並貼合之製程（貼合製程）為較佳。 在貼合製程中，在具備導電性層之基材使感光性轉印材料接觸並貼合為較佳。 並且，在貼合製程中，使導電性層和感光性樹脂組成物層接觸之方式壓接為較佳。若為上述態樣，則能夠將曝光以及顯影後的圖案形成之感光性樹脂組成物層較佳地用作對導電性層進行蝕刻時的蝕刻阻劑。

作為將基材和感光性轉印材料進行壓接之方法沒有特別的限定，能夠使用公知的轉印方法以及積層方法。

具體而言，例如將感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層側重疊在導電性層上並藉由基於輥等之加壓、或加壓以及加熱來進行為較佳。在貼合中，能夠使用積層、真空積層以及能夠更加提高生產性之自動切割積層(Auto-Cut laminator)等公知的積層。

貼合製程中之壓接壓力以及溫度沒有特別的限定，能夠依據導電性層以及感光性樹脂組成物層的材質、傳送速度以及所使用之壓接機等來適當地設定。並且，在感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層上具有覆蓋膜時，從感光性樹脂組成物層除去覆蓋膜後進行壓接即可。

當基材為樹脂薄膜時，可進行輥對輥方式的壓接。

-基材-

在基材上積層有複數個導電性層之基板中，基材為玻璃基材或薄膜基材為較佳，薄膜基材為更佳。本公開之電路配線之製造方法中，當為觸控面板用電路配線時，基材為片狀樹脂組成物為特佳。

並且，基材為透明為較佳。

基材的折射率為1.50~1.52為較佳。

基材可由玻璃基材等透光性基材構成，能夠使用以Corning Incorporat ed Co.,Ltd.的大猩猩玻璃(Gorilla Glass)為代表之強化玻璃等。並且，作為前述透明基材，能夠較佳地使用在日本特開2010-86684號公報、日本特開2010-152809號公報以及日本特開2010-257492號公報中使用之材料。

作為基材使用薄膜基材時，使用沒有光學應變之基材、以及透明度高的基材為更佳，具體的素材能夠舉出聚對酞酸乙二酯（polyethyleneterephthalate；PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、三乙醯纖維素、環烯烴聚合物。

-導電性層- 作為在基材上形成之複數個導電性層，能夠舉出在一般的電路配線或觸控面板配線中使用之任意的導電性層。 作為導電性層的材料，能夠舉出金屬以及金屬氧化物等。 作為金屬氧化物，能夠舉出ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）、IZO（Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅）、SiO₂ 等。作為金屬，能夠舉出Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等。

本公開之電路配線之製造方法中，複數個導電性層中之至少一個導電性層包含金屬氧化物為較佳。 作為導電性層，相當於在靜電電容型觸控面板中使用之可見部的感測器之電極圖案或邊緣引出部的配線為較佳。

-電路配線形成用基板- 係在基材的表面上具有導電性層之基板。藉由對導電性層進行圖案形成來設為電路配線。在本例子中，在PET等薄膜基材上設置有金屬氧化物或金屬等複數個導電性層者為較佳。

〔曝光製程〕 本公開之電路配線之製造方法中，包含對貼合製程後的感光性轉印材料的感光性樹脂組成物層進行圖案曝光之製程（曝光製程）為較佳。 在曝光製程中，在設置有塗膜之基板上，經由具有特定圖案之遮罩來照射光化射線為較佳。在該製程中，光酸產生劑分解而產生酸。藉由所產生之酸的觸媒作用，在塗膜成分中所含之酸分解性基進行加水分解，生成酸基例如羧基或酚性羥基。 在本公開中，圖案的詳細配置以及具體尺寸沒有特別的限定。為了提高具備具有在本公開中製造之電路基板之輸入裝置之顯示裝置（例如觸控面板）的顯示品質，並且盡可能縮小引出配線所佔之面積，圖案的至少一部分（尤其觸控面板的電極圖案以及引出配線的部分）為100μm以下的細線為較佳，70μm以下的細線為更佳。 並且，曝光製程中之曝光可為經由遮罩之曝光，亦可為利用了雷射等之數碼曝光，但經由曝光用遮罩之曝光為較佳。 本公開的附圖案之基材之製造方法在貼合製程和曝光製程之間包含使感光性轉印材料和曝光用遮罩接觸之製程為較佳。若為上述態樣，則所獲得之圖案的解析度更優異。

作為光化射線，可舉出可見光、紫外光以及電子束，但可見光或紫外光為較佳，紫外線為特佳。 作為基於光化射線之曝光光源，能夠使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、熒光燈、發光二極體（LED）光源、準分子雷射發生裝置等，能夠較佳地使用g射線（436nm）、i射線（365nm）、h射線（405nm）等具有波長300nm以上且450nm以下的波長之光化射線。並且，根據需要，亦能夠通過長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器之類的分光濾波器來調整照射光。 作為曝光裝置，能夠使用鏡面投影對準曝光器（mirror projection aligner）、步進機、掃描儀、近接式（proximity）、接觸式（contact）、微透鏡陣列、雷射曝光等各種方式的曝光機。 曝光量依據所使用之感光性樹脂組成物層來適當選擇即可，但5mJ/cm² ～200mJ/cm² 為較佳，10mJ/cm² ～100mJ/cm² 為更佳。 並且，在曝光後以提高圖案的矩形性、直線性為目的而在顯影前進行熱處理亦較佳。藉由所謂被稱作PEB（Post Exposure Bake，曝光後烘烤）之製程，能夠降低由曝光時在感光性樹脂組成物層中產生之駐波導致之圖案邊緣的粗糙。

圖案曝光可在將偽支撐體從感光性樹脂組成物層剝離後進行，亦可在剝離偽支撐體之前經由偽支撐體進行曝光，之後剝離偽支撐體。為了防止基於感光性樹脂組成物層和遮罩的接觸之遮罩污染、以及避免附著於遮罩之異物對曝光產生之影響，不剝離偽支撐體而進行曝光為較佳。圖案曝光可以係經由遮罩之曝光，亦可以係利用了雷射等之數碼曝光。

〔顯影製程〕 本公開之電路配線之製造方法包含對進行曝光之製程後的感光性樹脂組成物層進行顯影來形成圖案之製程（顯影製程）為較佳。顯影製程中之被曝光之感光性樹脂組成物層的顯影能夠使用顯影液來進行。

作為顯影液，只要能夠去除感光性樹脂組成物層的曝光部分則沒有特別的限定，例如能夠使用在日本特開平5-72724號公報中記載的顯影液等公知的顯影液。顯影液為使感光性樹脂組成物層的曝光部分進行溶解型顯影行為之顯影液為較佳。作為顯影液，鹼水溶液為較佳，例如將pKa=7～13的化合物以0.05mol/L（升）～5mol/L的濃度包含之鹼水溶液為更佳。顯影液可進一步含有與水具有混合性之有機溶劑、界面活性劑等。作為在本公開中較佳地使用之顯影液，例如可舉出國際公開第2015/093271號的0194段中記載的顯影液。

作為顯影方式沒有特別的限定，可為旋覆浸沒顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影、浸漬顯影等的任一種。在此，對噴淋顯影進行說明，藉由噴淋將顯影液噴吹到曝光後的感光性樹脂組成物層，能夠去除曝光部分。並且，在顯影後，將清潔劑等藉由噴淋來進行噴吹，一邊用刷子等進行擦拭一邊去除顯影殘渣為較佳。顯影液的液溫為20℃～40℃為較佳。

可在曝光後立即進行顯影，但若從曝光至顯影為止的時間長則可更加發揮抑制圖案形狀的變形之效果。在從曝光至顯影為止的時間較佳為從曝光起經過0.5小時以上，更佳為經過1小時以上，進一步較佳為經過6小時以上後進行顯影之態樣中，更加發揮抑制本公開中之圖案形狀的變形之效果。

本公開的附圖案之基材之製造方法可包含在顯影後藉由水等進行清洗之製程、或將所獲得之附圖案之基材進行乾燥之製程等公知的製程。

而且，可具有對進行顯影而獲得之圖案進行加熱處理之後烘烤製程。後烘烤的加熱在8.1kPa～121.6kPa的環境下進行為較佳，在50.66kPa以上的環境下進行為更佳。另一方面，在111.46kPa以下的環境下進行為更佳，在101.3kPa以下的環境下進行為特佳。後烘烤的溫度為80℃～250℃為較佳，110℃～170℃為更佳，130℃～150℃為特佳。後烘烤的時間為1分鐘～30分鐘為較佳，2分鐘～10分鐘為更佳，2分鐘～4分鐘為特佳。後烘烤可在空氣環境下進行，亦可在氮取代環境下進行。

本公開之電路配線之製造方法中之各製程時之基材的傳送速度沒有特別的限定，除去曝光時為0.5m/min～10m/min為較佳，除去曝光時為2.0m/min～8.0m/min為更佳。

[蝕刻製程] 本公開之電路配線之製造方法包含對未配置有圖案之區域中之基板進行蝕刻處理之製程（蝕刻製程）為較佳。 在蝕刻製程中，將藉由顯影製程由感光性樹脂組成物層形成之圖案用作蝕刻阻劑來進行基板的蝕刻處理。 基板的蝕刻能夠以在日本特開2010-152155號公報的0048段～0054段等中記載的方法、基於公知的等離子體蝕刻等乾式蝕刻之方法等公知的方法來應用蝕刻。 例如，作為蝕刻方法，可舉出通常進行之在蝕刻液中浸漬之濕式蝕刻法。在濕式蝕刻中使用之蝕刻液依據蝕刻對象來適當地選擇酸性類型或鹼性類型的蝕刻液即可。

作為酸性類型的蝕刻液，可例示出鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、氟酸、草酸或磷酸等單獨的酸性成分的水溶液、酸性成分和氯化鐵、氟化銨或過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。酸性成分可使用組合了複數種酸性成分之成分。 作為鹼性類型的蝕刻液，可例示出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺或氫氧化四甲基銨之類的有機胺的鹽等單獨的鹼成分的水溶液、鹼成分和過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。鹼成分可使用組合了複數種鹼成分之成分。

蝕刻液的溫度沒有特別的限定，但45℃以下為較佳。在本公開中，用作蝕刻遮罩（蝕刻圖案）之圖案尤其對45℃以下的溫度區域中之酸性以及鹼性的蝕刻液發揮優異之耐性為較佳。因此，防止圖案在蝕刻製程中剝離，不存在圖案之部分選擇性地被蝕刻。

在蝕刻製程後，為防止製程線的污染，可根據需要進行清洗基板之製程（清洗製程）以及對基板進行乾燥之製程（乾燥製程）。關於清洗製程，例如可舉出在常溫（10℃～35℃）中以純水對基板進行10秒～300秒之清洗。關於乾燥製程，例如使用鼓風機並適當調整鼓風機壓力（0.1kg/cm² ～5kg/cm² 程度）來進行乾燥即可。

[剝離製程] 本公開的電路配線之製造方法在蝕刻製程之後，包含將感光性樹脂組成物層使用剝離液進行剝離之製程（剝離製程）為較佳。在蝕刻製程結束後，殘留有已圖案形成之感光性樹脂組成物層。若不需要感光性樹脂組成物層，則去除殘留之全部感光性樹脂組成物層即可。

作為使用剝離液進行剝離之方法，例如可舉出以較佳為30℃～80℃，更佳為50℃～80℃在攪拌中的剝離液中將具有感光性樹脂組成物層等之基材浸漬5分鐘～30分鐘之方法。

作為剝離液，例如可舉出將氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼成分、或叔胺或四級銨鹽等有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮或該等混合溶液中之剝離液。可使用剝離液，藉由噴霧法、噴淋法或旋覆浸沒法等進行剝離。

本公開之電路配線之製造方法可根據需要將曝光製程、顯影製程以及蝕刻製程重複2次以上。 作為本公開中之曝光製程、顯影製程以及其他製程的例子，在日本特開2006-23696號公報的0035段～0051段中記載的方法在本公開中亦能夠較佳地使用。

本公開之電路配線之製造方法可包含其他任意製程。例如，可舉出如下製程，但並不限定於該等製程。

[降低可見光線反射率之製程] 本公開之電路配線之製造方法能夠包含進行降低基材例如基材所具有之導電性層的一部分或全部的可見光線反射率之處理之製程。 作為降低可見光線反射率之處理，能夠舉出氧化處理等。例如，對銅進行氧化處理來製成氧化銅，從而進行黑化，藉此能夠降低可見光線反射率。關於降低可見光線反射率之處理的較佳態樣，在日本特開2014-150118號公報的0017段～0025段、以及日本特開2013-206315號公報0041段、0042段、0048段以及0058段中有記載，該公報的內容編入於本說明書中。

[在被蝕刻之基板上形成絶緣膜之製程、以及在絶緣膜上形成新的導電性層之製程] 本公開的電路配線之製造方法包含在基板上例如在已形成之電路配線（被蝕刻之導電性層）上形成絶緣膜之製程、以及在絶緣膜上形成新的導電性層之製程亦較佳。 形成絶緣膜之製程沒有特別的限定，能夠舉出公知的形成永久膜之方法。並且，亦可使用具有絶緣性之感光性材料，藉由光微影法來形成所希望的圖案的絶緣膜。 在絶緣膜上形成新的導電性層之製程沒有特別的限定。可使用具有導電性之感光性材料，藉由光微影法來形成所希望的圖案的新的導電性層。

本公開的電路配線之製造方法可以對新的導電性層藉由與上述相同的方法形成蝕刻阻劑並進行蝕刻，亦可另外藉由公知的方法來進行蝕刻。

藉由本公開的電路配線之製造方法獲得之電路基板可在基板上僅具有1層電路配線，亦可具有2層以上的電路配線。

本公開的電路配線之製造方法中，基材在兩側的表面上分別具有複數個導電性層，對在基材的兩側的表面上形成之導電性層逐次或同時形成電路亦較佳。藉由該種構成，能夠形成在基材的一側的表面上形成有第一導電圖案（第一電路配線）且在另一側的表面上形成有第二導電圖案（第二電路配線）之電路配線，較佳為形成觸控面板用電路配線。

＜電路配線以及電路基板＞ 本公開之電路配線係藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線。 本公開之電路基板係具有藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線之基板。 本公開之電路基板的用途沒有特別的限定，例如觸控面板用電路基板為較佳。

[輸入裝置以及顯示裝置] 作為具備藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線之裝置，可舉出輸入裝置。 本公開之輸入裝置只要為至少具有藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線之輸入裝置即可，靜電電容型觸控面板為較佳。 本公開之顯示裝置具備本公開之輸入裝置為較佳。本公開之顯示裝置為有機電發光顯示裝置以及液晶顯示裝置等圖像顯示裝置為較佳。

[觸控面板、以及觸控面板顯示裝置] 本公開之觸控面板係至少具有藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線之觸控面板。本公開之觸控面板至少具有透明基板、電極、以及絶緣層或保護層為較佳。 本公開之觸控面板顯示裝置係至少具有藉由本公開之電路配線之製造方法製造之電路配線之觸控面板顯示裝置，具有本公開之觸控面板之觸控面板顯示裝置為較佳。 作為本公開之觸控面板以及本公開之觸控面板顯示裝置中之檢測方法，可為電阻膜方式、靜電電容方式、超音波方式、電磁感應方式以及光學方式等公知的方式中的任一種。其中，靜電電容方式為較佳。

作為觸控面板型，能夠舉出所謂內嵌型（例如在日本特表2012-517051號公報的圖5、圖6、圖7、圖8中記載者）、所謂外嵌型（例如在特開2013-168125號公報的圖19中記載者、在日本特開2012-89102號公報的圖1和圖5中記載者）、OGS（One Glass Solution，單片玻璃觸控）型、TOL（Touch-on-Lens，鏡片觸控）型（例如在日本特開2013-54727號公報的圖2中記載者）、其他構成（例如在日本特開2013-164871號公報的圖6中記載者）、各種外掛型（所謂GG、G1・G2、GFF、GF2、GF1、G1F等）。

作為本公開之觸控面板以及本公開之觸控面板顯示裝置，能夠應用在《最新觸控面板技術》（2009年7月6日，Techno Times Co.,Ltd.）、《觸控面板的技術和開發》（三谷雄二主編，2004年12月，CMC出版）、FPD International 2009 Forum T-11講演教科書、Cypress Semiconductor Corporation應用註釋（application note）AN2292等中公開之構成。 [實施例]

以下舉出實施例對本公開的實施形態進行更具體的說明。以下實施例中所示之材料、使用量、比例、處理內容以及處理順序等只要不脫離本公開的實施形態的主旨則能夠適當進行改變。因此，本公開的實施形態的範圍並不限定於以下所示之具體例。只要沒有特別的說明，則“份”以及“%”為質量基準。

在以下例子中，以下略語分別表示以下化合物。 ATHF：2-四氫呋喃基丙烯酸酯（合成品） MATHF：2-四氫呋喃基甲基丙烯酸酯（合成品） MAEVE：1-甲基丙烯酸乙氧基乙酯（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製） PHSTHF：4-（2-四氫呋喃基氧基）苯乙烯（合成品） PHSEVE：1-乙氧基乙基氧基苯乙烯（合成品） PHS：對羥基苯乙烯（合成品） CrNv：甲醛酚醛清漆（結構為以下所示之聚合物B-3） HEMA：2-甲基丙烯酸羥基乙酯（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） HPMA：甲基丙烯酸羥基丙酯（2-甲基丙烯酸羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基-1-甲基乙酯混合物）（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） AA：丙烯酸（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） CHA：丙烯酸環己基（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製） PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯（SHOWA DENKO K.K. 製） V-601：二甲基2,2’-偶氮雙（2-甲基丙酸酯）（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製）

[ATHF的合成] 在3口燒瓶中加入丙烯酸（72.1份，1.0莫耳當量）、己烷（72.1份）並冷卻至20℃。滴落樟腦磺酸（0.0070份，0.03毫莫耳當量）、2-二氫呋喃（70.1份，1.0莫耳當量）並在20℃±2℃中攪拌1.5小時後，升溫至35℃並進行了2小時攪拌。在吸濾器中依次舖滿Kyoward 200（氫氧化鋁吸附劑，Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.製）、Kyoward 1000（水滑石系吸附劑，Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.製）後，藉由將反應液進行過濾而獲得了過濾液。在所獲得之過濾液中加入氫醌單甲醚（MEHQ，0.0012份）後，藉由在40℃中進行減壓濃縮，獲得了作為無色油狀之丙烯酸四氫呋喃-2-基（ATHF）140.8份（收率99.0%）。

[MATHF的合成] 在3口燒瓶中加入甲基丙烯酸（86.1份，1.0莫耳當量）、己烷（86.1份）並冷卻至20℃。滴落樟腦磺酸（0.0070份，0.03毫莫耳當量）、2-二氫呋喃（70.1份，1.0莫耳當量）並在20℃±2℃中攪拌1.5小時後，升溫至35℃並進行了2小時攪拌。在吸濾器中依次舖滿Kyoward 200、Kyoward 1000後，藉由將反應液進行過濾而獲得了過濾液。在所獲得之過濾液中加入MEHQ（0.0012份）後，藉由在40℃中進行減壓濃縮，獲得了作為無色油狀物之甲基丙烯酸四氫呋喃-2-基（MATHF）156.2份（收率98.0%）。

[PHS的合成] 在3口燒瓶中加入乙酸4-乙烯基苯酯（25.0份，0.154莫耳當量）、乙酸乙酯（34.2份）並冷却至5℃。滴落28%甲醇鈉甲醇溶液（59.5份）後進行了2小時攪拌。加入乙酸乙酯（100份）、水（200份）、氯化銨（33.0份），進行分液操作來提取了有機層。將所獲得之有機層依序以飽和氯化銨水溶液、飽和食鹽水進行清洗，藉由在40℃中進行減壓濃縮，獲得了作為黄色油狀物之對羥基苯乙烯（PHS）17.0份（收率91.9%）。

[PHSTHF的合成] 在3口燒瓶中加入對羥基苯乙烯（120.0份，1.0莫耳當量）、己烷（86.1份）並冷卻至20℃。滴落樟腦磺酸（0.0070份，0.03毫莫耳當量）、2-二氫呋喃（70.1份，1.0莫耳當量）並在20℃±2℃中攪拌1.5小時後，升溫至35℃並進行了2小時攪拌。在吸濾器中依次舖滿Kyoward 200、Kyoward 1000後，藉由將反應液進行過濾而獲得了過濾液。在所獲得之過濾液中加入MEHQ（0.0012份）後，藉由在40℃中進行減壓濃縮，獲得了作為無色油狀物之4-（2-四氫呋喃基氧基）苯乙烯（PHSTHF）186.3份（收率98.0%）。

[PHSEVE的合成] 在3口燒瓶中加入對羥基苯乙烯（120.0份，1.0莫耳當量）、己烷（86.1份）並冷卻至20℃。滴落樟腦磺酸（0.0070份，0.03毫莫耳當量）、乙基乙烯基醚（72.1份，1.0莫耳當量）並在20℃±2℃中攪拌1.5小時後，升溫至35℃並進行了2小時攪拌。在吸濾器中依次舖滿Kyoward 200、Kyoward 1000後，藉由將反應液進行過濾而獲得了過濾液。在所獲得之過濾液中加入MEHQ（0.0012份）後，藉由在40℃中進行減壓濃縮，獲得了作為無色油狀物之1-乙氧基乙基氧基苯乙烯（PHSEVE）188.2份（收率98.0%）。

[聚合物A-1的合成] 在3口燒瓶中加入PGMEA（75.0份），在氮環境下升溫至90℃。將混合了ATHF（39.02份）、HEMA（4.47份）、AA（1.48份）、CHA（55.03份）、V-601（4.1份）、PGMEA（75.0份）之溶液花費2小時滴落到了維持在90℃±2℃之3口燒瓶溶液中。滴落結束後，藉由在90℃±2℃中攪拌2小時而獲得了聚合物A-1（固體成分濃度40.0質量%）。

[聚合物A-2～A-18以及聚合物B-1的合成] 將單體的種類等如表1中所示那樣進行變更，其他條件則以與聚合物A-1相同的方法進行了合成。將聚合物的固體成分濃度設為了40質量%。表1的構成單元（將單體聚合而成之單體單元）的含量單位為mol%。

[聚合物B-2～B-3] 聚合物B-2：聚對羥基苯乙烯、Maruka Lyncur M S-1（MARUZEN PETROCHEMICAL製）、固體成分濃度40質量%的PGMEA溶液。

聚合物B-3：以下所示之結構的甲醛酚醛清漆樹脂（Meiwa Plastic Industries, Ltd.製）、固體成分濃度40質量%的PGMEA溶液。

[化學式18]

[光酸產生劑] 光酸產生劑C-1：以下所示之結構的化合物（BASF JAPAN LTD.製，Irgacure PAG-103）

[化學式19]

光酸產生劑C-2：以下所示之結構的化合物（係在日本特開2013-47765號公報的0227段中記載的化合物，且依照在0204段中記載的方法進行了合成。）

[化學式20]

光酸產生劑C-3：以下所示之結構的化合物（係在國際公開第2014/020984號的0090段中記載的化合物，且依照在0161段中記載的方法進行了合成。）

[化學式21]

光酸產生劑C-4：以下所示之結構的化合物（係在日本特開2012-163937號公報的0208段中記載的化合物，且依照在0212段中記載的方法進行了合成。）

[化學式22]

[增感劑] 增感劑E-1：以下所示之結構的化合物（Kawasaki Kasei Chemicals Ltd.製，ANTHRACURE（註冊商標）UVS-1331），在下述結構中“Bu”表示丁基。

[化學式23]

[界面活性劑] 界面活性劑F-1：以下所示之結構的化合物

[化學式24]

[鹼性化合物] 鹼性化合物D-1：以下所示之結構的化合物（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製，CMTU）

[化學式25]

＜實施例1＞ [感光性樹脂組成物的製備] 按照以下組成進行調配，並以孔徑0.2μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，藉此獲得了感光性樹脂組成物。 PGMEA 424.5份 聚合物A-1 237.0份 光酸產生劑C-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

[感光性轉印材料的製作] 在成為偽支撐體之厚度50μm的聚對酞酸乙二酯薄膜（以下亦稱作“PET（A）”。）上，將感光性樹脂組成物利用狹縫狀噴嘴以乾燥膜厚成為3.0μm之方式進行了塗佈。之後，在100℃的對流烘箱（convection oven）中乾燥了2分鐘，最後作為覆蓋膜而對聚乙烯薄膜（Tredegar Co., Ltd.製，OSM-N）進行壓接，從而製作了感光性轉印材料。

＜實施例2～10、12以及13＞ 如表1的記載，將聚合物A-1變更為聚合物A-2～A-10中的任一個，並使用光酸產生劑C-1～C-3中的任一種，除此以外以與實施例1相同的方式製作了實施例2～10、12以及13的感光性轉印材料。

＜實施例11＞ 將感光性樹脂組成物的組成變更為以下所示那樣，除此以外以與實施例1相同的方式製作了實施例11的感光性轉印材料。 PGMEA 432.0份 聚合物A-8 224.5份 光酸產生劑C-4 5.0份 增感劑E-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

＜實施例14＞ 將感光性樹脂組成物的組成變更為以下所示那樣，除此以外以與實施例1相同的方式製作了實施例14的感光性轉印材料。 PGMEA 424.5份 聚合物A-11 189.6份 聚合物B-1 47.4份 光酸產生劑C-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

＜實施例15＞ 將感光性樹脂組成物的組成變更為以下所示那樣，除此以外以與實施例1相同的方式製作了實施例15的感光性轉印材料。 PGMEA 424.5份 聚合物A-11 213.3份 聚合物B-2 23.7份 光酸產生劑C-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

＜實施例16＞ 將光酸產生劑C-1變更為光酸產生劑C-3，除此以外以與實施例15相同的方式製作了實施例16的感光性轉印材料。

＜實施例17＞ 將聚合物B-2變更為聚合物B-3，除此以外以與實施例15相同的方式製作了實施例17的感光性轉印材料。

＜實施例18＞ 將聚合物A-11變更為聚合物A-18，除此以外以與實施例14相同的方式製作了實施例18的感光性轉印材料。

＜比較例1～7＞ 將聚合物A-1變更為如表1中所記載的聚合物A-11～A-17中的任一個，除此以外以與實施例1相同的方式製作了比較例1～7的感光性轉印材料。

＜比較例8＞ 將感光性樹脂組成物的組成變更為以下所示那樣，除此以外以與實施例1相同的方式製作了比較例8的感光性轉印材料。 PGMEA 424.5份 聚合物A-11 142.2份 聚合物B-1 94.8份 光酸產生劑C-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

＜比較例9＞ 將感光性樹脂組成物的組成變更為以下所示那樣，除此以外以與實施例1相同的方式製作了比較例9的感光性轉印材料。 PGMEA 424.5份 聚合物A-11 189.6份 聚合物B-2 47.4份 光酸產生劑C-1 5.0份 界面活性劑F-1 0.1份 鹼性化合物D-1 0.1份

＜比較例10＞ 將聚合物B-2變更為聚合物B-3，除此以外以與比較例9相同的方式製作了比較例10的感光性轉印材料。

＜性能評價＞ 使用在厚度188μm的聚對酞酸乙二酯（PET）薄膜上以厚度500nm藉由濺射法製作有銅層之附銅層之PET基板，進行了以下評價。

[轉印性評價] 將已製作之感光性轉印材料切割成50cm見方，剝掉覆蓋膜，以輥溫度90℃、線壓0.6MPa、線速度3.6m/min的積層條件在附銅層之PET基板上進行了積層。測量感光性樹脂組成物層與銅層密合之面積，藉由感光性樹脂組成物層所密合之面積/切割之轉印材料的面積求出了密合之面積比例（%）。 5：95%以上 4：90%以上且小於95% 3：85%以上且小於90% 2：80%以上且小於85% 1：小於80%

[畫素變形評價] 將已製作之感光性轉印材料以線壓0.6MPa、線速度（積層速度）3.6m/min的積層條件在附銅層之PET基板上進行了積層。當在輥溫度90℃下轉印性評價為4以下時，直到轉印性評價成為判定5為止，提高輥溫度來製作了試樣。 不剝離偽支撐體而經由線寬3μm～20μm的線與空間圖案（line-and-space pattern）（佔空比（duty ratio）1:1）遮罩以超高壓水銀燈進行曝光後，在23℃下放置6小時後剝離偽支撐體來進行了顯影。顯影使用28℃的1.0質量%碳酸鈉水溶液，以噴淋顯影進行了40秒鐘。藉由上述方法形成10μm的線與空間圖案，求出線寬和空間寬度之比成為1:1之曝光量，藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察其曝光量中之5μm的線與空間圖案的前端的變形量，進行了畫素變形的評價。3以上為能夠實際使用之等級。 5：未觀察到畫素變形 4：畫素變形小於0.5μm 3：畫素變形為0.5μm以上且小於1.0μm 2：畫素變形為1.0μm以上且小於3.0μm 1：畫素變形為3.0μm以上或無畫素的殘留

[殘膜率評價] 將已製作之感光性轉印材料以線壓0.6MPa、線速度（積層速度）3.6m/min的積層條件在附銅層之PET基板上進行了積層。另外當在輥溫度90℃下轉印性評價為4以下時，直到轉印性評價成為判定5為止，提高輥溫度來製作了試樣。 剝離偽支撐體，使用28℃的1.0質量%碳酸鈉水溶液，以40秒鐘的顯影時間進行了噴啉顯影。求出相對於顯影前的膜厚之顯影後的膜厚的比率，並進行了殘膜率的評價。殘膜率越高，則表示未曝光部相對於顯影液越難以溶解。 5：98%以上 4：90%以上且小於98% 3：80%以上且小於90% 2：50%以上且小於80% 1：小於50%

[表1]

＜實施例101＞ 在100μm厚PET基材上，作為第2層的導電性層而將氧化銦錫（ITO）藉由濺射以150nm厚進行了成膜，在之上作為第1層的導電性層而將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚進行了成膜，藉此製成了電路形成基板。 在銅層上積層了在實施例1中獲得之感光性轉印材料（線壓0.8MPa，線速度3.0m/min，輥溫度90℃）。不剝離偽支撐體而使用設置有具有沿單向連結有導電性層襯墊之構成之圖2所示之圖案（以下稱作“圖案A”。）之光罩進行了接觸圖案曝光。圖2所示之圖案A中，實線部SL以及灰色部G係遮光部，虛線部DL為假設性地表示對準的框者。 之後將偽支撐體進行剝離、顯影、水洗來獲得了圖案A。接著使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行了蝕刻後，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）對ITO層進行了蝕刻，藉此獲得了由銅（實線部SL）和ITO（灰色部G）一同描繪出圖案A之基板。

接著，使用以對準之狀態設置有圖3所示之圖案（以下稱作“圖案B”。）的開口部之光罩進行了圖案曝光、顯影、水洗。圖3所示之圖案B中，灰色部G係遮光部，虛線部DL為假設性地表示對準的框者。 之後，使用Cu-02對銅層進行蝕刻，並使用剝離液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製KP-301）來剝離剩餘之感光性樹脂組成物層而獲得了電路配線基板。 藉此獲得了電路配線基板。以顯微鏡進行觀察時，無剝落和缺失等，係完美的圖案。

10‧‧‧偽支撐體14‧‧‧感光性樹脂組成物層16‧‧‧覆蓋膜100‧‧‧感光性轉印材料SL‧‧‧實線部G‧‧‧灰色部DL‧‧‧虛線部

圖1係表示本公開之感光性轉印材料的層結構的一例之概要圖。 圖2係表示圖案A之概要圖。 圖3係表示圖案B之概要圖。

10‧‧‧偽支撐體

14‧‧‧感光性樹脂組成物層

16‧‧‧覆蓋膜

100‧‧‧感光性轉印材料

Claims (11)

1. 一種感光性轉印材料，具有：偽支撐體；以及感光性樹脂組成物層，含有包含聚合物之聚合物成分和光酸產生劑，前述聚合物包含具有羧基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元(a-1)或具有酚性羥基以縮醛的形態被保護之基團之構成單元(a-2)，前述聚合物成分包含具有酚性羥基之構成單元(b-1)以及具有醇性羥基之構成單元(b-2)中之至少一者，且不包含具有交聯性基團的構成單元，在前述聚合物成分的總構成單元中所佔之前述構成單元(b-1)的比例和前述構成單元(b-2)的比例的總計為1莫耳%以上且18莫耳%以下，其中，當前述聚合物成分不包含具有前述構成單元(a-1)之聚合物時，不將前述構成單元(b-1)的比例包含在前述總計之內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之感光性轉印材料，其中前述聚合物成分的酸值為0mgKOH/g以上且60mgKOH/g以下。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述聚合物成分的玻璃轉移溫度為-20℃以上且90℃以下。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述聚合物成分的玻璃轉移溫度為-20℃以上且60℃以下。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述構成單元(a-1)係以下述式A1表示之構成單元，

   

   式A1中，R³¹以及R³²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R³¹以及R³²中之至少一者係烷基或芳基，R³³表示烷基或芳基，R³¹或R³²可與R³³連結而形成環狀醚，R³⁴表示氫原子或甲基，X⁰表示單鍵或伸芳基。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述構成單元(a-2)係以下述式A3表示之構成單元，

   

   式A3中，R⁵¹以及R⁵²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R⁵¹以及R⁵²中之至少一者係烷基或芳基，R⁵³表示烷基或芳基，R⁵¹或R⁵²可與R⁵³連結而形成環狀醚，R⁵⁴表示氫原子或甲基，X¹表示單鍵或二價的連接基團，R⁶²表示取代基，n表示0~4的整數。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述構成單元(b-1)係以下述式B1表示之構成單元，

   

   式B1中，R⁷⁰表示氫原子或甲基，R⁷¹表示單鍵或二價的連接基團，R⁷²分別獨立地表示鹵素原子或烷基，a表示1~5的整數，b表示0~4的整數，a+b為5以下。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述構成單元(b-2)係以下述式B2表示之構成單元，

   

   式B2中，R⁸⁰表示氫原子或甲基，R⁸¹表示單鍵或伸芳基，R⁸²表示伸烷基。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中前述聚合物成分進一步包含來自於具有環狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之構成單元。
10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光性轉印材料，其中在前述聚合物成分的總構成單元中所佔之前述構成單元(b-1)的比例和前述構成單元(b-2)的比例的總計為12莫耳%以上且18莫耳%以下。
11. 一種電路配線之製造方法，依次包含以下製程：相對於基板，使申請專利範圍第1項~第10項中任一項所述之感光性轉印材料的前述感光性樹脂組成物層與前述基板接觸並進行貼合之製程；將前述貼合製程後的前述感光性轉印材料的前述感光性樹脂組成物層進行圖案曝光之製程； 將進行前述圖案曝光後的前述感光性樹脂組成物層進行顯影並形成圖案之製程；以及對未配置有前述圖案之區域中之前述基板進行蝕刻處理之製程。

Images