JPH0770590A - レジスト用剥離液 - Google Patents
レジスト用剥離液Info
- Publication number
- JPH0770590A JPH0770590A JP24621893A JP24621893A JPH0770590A JP H0770590 A JPH0770590 A JP H0770590A JP 24621893 A JP24621893 A JP 24621893A JP 24621893 A JP24621893 A JP 24621893A JP H0770590 A JPH0770590 A JP H0770590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- alkali metal
- copper
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- pref
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式化１で表されるアルキルジフェニ
−ルエ−テルジスルフォン酸塩、下記一般式化２で表さ
れるポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テル、アル
カリ金属水酸化物と水からなることを特徴とするレジス
ト用剥離液。 【化１】 （ただし、Ｒは炭素数が９〜１５のアルキル基、Ｘはア
ルカリ金属を表す。） 【化２】 （ただし、ｎは１５〜１９の整数を表す。） 【効果】 本発明のアルカリ可溶型レジスト用剥離液
は、作業環境及び排水処理上の問題がなく、ポジ型フォ
トレジストそして裏止め剤等のレジストを同時に溶解で
きると共に銅の表面変色を防止でき、かつ溶解速度も有
機溶剤系と同等以上である等の効果を有する。
−ルエ−テルジスルフォン酸塩、下記一般式化２で表さ
れるポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テル、アル
カリ金属水酸化物と水からなることを特徴とするレジス
ト用剥離液。 【化１】 （ただし、Ｒは炭素数が９〜１５のアルキル基、Ｘはア
ルカリ金属を表す。） 【化２】 （ただし、ｎは１５〜１９の整数を表す。） 【効果】 本発明のアルカリ可溶型レジスト用剥離液
は、作業環境及び排水処理上の問題がなく、ポジ型フォ
トレジストそして裏止め剤等のレジストを同時に溶解で
きると共に銅の表面変色を防止でき、かつ溶解速度も有
機溶剤系と同等以上である等の効果を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路、ＴＡＢ
用テ−プキャリヤ等の製造の際に、基体に塗布されたレ
ジストを剥離するためのレジスト用剥離液に関する。
用テ−プキャリヤ等の製造の際に、基体に塗布されたレ
ジストを剥離するためのレジスト用剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路、ＴＡＢ用テ−プキャリヤ
等の製造の際し、回路パタ−ンを形成するためにフォト
レジストに代表される各種のレジストが使用されてい
る。例えば、ベースフィルム、接着剤、導電層（銅箔
層）の３層構造からなるＴＡＢ用テ−プキャリヤは、銅
箔をラミネ−トするため接着剤を塗布したベースフィル
ムにデバイスホール及びスプロケットホール等の所要の
ホールを形成した後、銅箔をラミネートし、この銅箔上
にポジ型又はネガ型のフォトレジストを塗布し、露光
し、現像してレジストパターンを形成し、露出した銅箔
をエッチングすることによりリードパターンを形成した
後、リード表面に半田めっき等を施すことにより作製さ
れる。そして、最後にレジストが除去（剥離）される。
等の製造の際し、回路パタ−ンを形成するためにフォト
レジストに代表される各種のレジストが使用されてい
る。例えば、ベースフィルム、接着剤、導電層（銅箔
層）の３層構造からなるＴＡＢ用テ−プキャリヤは、銅
箔をラミネ−トするため接着剤を塗布したベースフィル
ムにデバイスホール及びスプロケットホール等の所要の
ホールを形成した後、銅箔をラミネートし、この銅箔上
にポジ型又はネガ型のフォトレジストを塗布し、露光
し、現像してレジストパターンを形成し、露出した銅箔
をエッチングすることによりリードパターンを形成した
後、リード表面に半田めっき等を施すことにより作製さ
れる。そして、最後にレジストが除去（剥離）される。
【０００３】このうち、銅箔をエッチングして導体パタ
ーンを形成する工程では、エッチングの際、エッチング
液のデバイスホール側からの浸入とエッチング液のスプ
レー圧によるリードの変形を防止する目的で、デバイス
ホール内に裏止め剤と呼ばれるレジストが用いられてお
り、通常この裏止め剤は、上記フォトレジストを最終的
に除去する際に同時に剥離されている。この様なレジス
ト用の剥離液としては、大別して有機溶剤系と水系の２
種類のものがある。
ーンを形成する工程では、エッチングの際、エッチング
液のデバイスホール側からの浸入とエッチング液のスプ
レー圧によるリードの変形を防止する目的で、デバイス
ホール内に裏止め剤と呼ばれるレジストが用いられてお
り、通常この裏止め剤は、上記フォトレジストを最終的
に除去する際に同時に剥離されている。この様なレジス
ト用の剥離液としては、大別して有機溶剤系と水系の２
種類のものがある。
【０００４】しかしながら、有機溶剤系を用いた場合、
レジストの溶解スピ−ドは早いものの有機溶剤を用いて
いるため、作業環境の維持、管理及び排水処理が難しい
という問題点の外に、特に溶解スピ−ドは早いアミン系
のものを用いた場合には、銅が一部溶解するという問題
点が指摘されている。
レジストの溶解スピ−ドは早いものの有機溶剤を用いて
いるため、作業環境の維持、管理及び排水処理が難しい
という問題点の外に、特に溶解スピ−ドは早いアミン系
のものを用いた場合には、銅が一部溶解するという問題
点が指摘されている。
【０００５】一方、水系の場合は、有機溶剤系と比較し
て若干レジストの溶解スピ−ドが遅いものの、作業環境
の維持管理及び排水処理が楽であるというメリットがあ
る。しかし、溶解スピ−ドを早くするため水溶液のアル
カリ濃度を上昇させたり、レジストとの親水性を改善す
るため、界面活性剤を添加する試みが行われているが、
この場合銅の表面が変色（酸化）するという問題点があ
ることが判るようになってきた。
て若干レジストの溶解スピ−ドが遅いものの、作業環境
の維持管理及び排水処理が楽であるというメリットがあ
る。しかし、溶解スピ−ドを早くするため水溶液のアル
カリ濃度を上昇させたり、レジストとの親水性を改善す
るため、界面活性剤を添加する試みが行われているが、
この場合銅の表面が変色（酸化）するという問題点があ
ることが判るようになってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決したもので、本発明の目的は、ポジ型レジスト用の
剥離液で溶解スピ−ドも有機溶剤系と同等以上で、かつ
銅の表面を変色させることのないレジスト用剥離液を開
発することにある。
解決したもので、本発明の目的は、ポジ型レジスト用の
剥離液で溶解スピ−ドも有機溶剤系と同等以上で、かつ
銅の表面を変色させることのないレジスト用剥離液を開
発することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を進
めた結果、特定の界面活性剤をアルカリ金属水酸化物水
溶液に添加することにより上述の課題を達成することを
見い出した。
めた結果、特定の界面活性剤をアルカリ金属水酸化物水
溶液に添加することにより上述の課題を達成することを
見い出した。
【０００８】すなわち、本発明は、下記一般式化１で表
されるアルキルジフェニ−ルエ−テルジスルフォン酸
塩、下記一般式化２で表されるポリオキシエチレンノニ
ルフェニルエ−テル、アルカリ金属水酸化物と水からな
ることを特徴とするレジスト用剥離液を提供するもので
ある。
されるアルキルジフェニ−ルエ−テルジスルフォン酸
塩、下記一般式化２で表されるポリオキシエチレンノニ
ルフェニルエ−テル、アルカリ金属水酸化物と水からな
ることを特徴とするレジスト用剥離液を提供するもので
ある。
【化１】 （ただし、Ｒは炭素数が９〜１５のアルキル基、Ｘはア
ルカリ金属を表す。）
ルカリ金属を表す。）
【化２】 （ただし、ｎは１５〜１９の整数を表す。）
【０００９】
【作用】まず本発明に用いる、一般式化１で表されるア
ルキルジフェニ−ルエ−テルジスルフォン酸塩は、レジ
スト界面を濡らしかつ膨潤させることにより、水分子を
レジスト内に入りやすくする作用があり、炭素数が９未
満では親水性でありレジストとの濡れ性が悪くなり、、
炭素数が１５を超えると親油性となり水への溶解性が低
下し界面活性を示しにくくなるため、いずれもレジスト
の溶解性が悪くなる。一方、アルカリ金属としてはＮ
ａ、Ｋ等が例示されるが、通常はＮａ塩である。
ルキルジフェニ−ルエ−テルジスルフォン酸塩は、レジ
スト界面を濡らしかつ膨潤させることにより、水分子を
レジスト内に入りやすくする作用があり、炭素数が９未
満では親水性でありレジストとの濡れ性が悪くなり、、
炭素数が１５を超えると親油性となり水への溶解性が低
下し界面活性を示しにくくなるため、いずれもレジスト
の溶解性が悪くなる。一方、アルカリ金属としてはＮ
ａ、Ｋ等が例示されるが、通常はＮａ塩である。
【００１０】また、一般式化１で表されるアルキルジフ
ェニ−ルエ−テルジスルフォン酸塩の濃度は、４〜６重
量％が好ましい。４重量％未満ではレジストの溶解速度
が遅くなり好ましくない。一方、６重量％を超えるとそ
の効果が飽和する。
ェニ−ルエ−テルジスルフォン酸塩の濃度は、４〜６重
量％が好ましい。４重量％未満ではレジストの溶解速度
が遅くなり好ましくない。一方、６重量％を超えるとそ
の効果が飽和する。
【００１１】次に一般式化２で表されるポリオキシエチ
レンノニルフェニルエ−テルは、銅の表面に吸着し、銅
の変色を押さえる作用がある。しかし、ｎが１５未満で
は水への溶解性が低下し銅の変色防止効果がなくなり、
ｎが１９を超えると親水性が強くなり銅表面への作用が
低下し、変色防止効果が低下するので好ましくない。
レンノニルフェニルエ−テルは、銅の表面に吸着し、銅
の変色を押さえる作用がある。しかし、ｎが１５未満で
は水への溶解性が低下し銅の変色防止効果がなくなり、
ｎが１９を超えると親水性が強くなり銅表面への作用が
低下し、変色防止効果が低下するので好ましくない。
【００１２】また、一般式化２で表されるポリオキシエ
チレンノニルフェニルエ−テルの濃度は、０．１〜２重
量％が好ましく、０．１重量％未満では銅の変色防止効
果がなく、２重量％を超えて添加しても、銅の変色防止
効果が飽和してしまっているので添加のメリットがな
い。
チレンノニルフェニルエ−テルの濃度は、０．１〜２重
量％が好ましく、０．１重量％未満では銅の変色防止効
果がなく、２重量％を超えて添加しても、銅の変色防止
効果が飽和してしまっているので添加のメリットがな
い。
【００１３】そして、アルカリ金属水酸化物としては、
ＮａＯＨ、ＫＯＨ等が例示されるが、通常はＮａＯＨが
用いられる。その濃度は、１〜３重量％が好ましい。１
重量％未満では、レジストの溶解速度が遅く、３重量％
を超えると銅の変色の原因となるので好ましくない。
ＮａＯＨ、ＫＯＨ等が例示されるが、通常はＮａＯＨが
用いられる。その濃度は、１〜３重量％が好ましい。１
重量％未満では、レジストの溶解速度が遅く、３重量％
を超えると銅の変色の原因となるので好ましくない。
【００１４】なお、本発明のレジスト用剥離液の対象と
なるレジストとしては、アルカリ剥離型のものであれば
特に制限されるものではないが、ポジ型フォトレジスト
としては、アルカリ可溶性樹脂と感光性溶解抑制剤（具
体的には、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノ−ル誘
導体とナフトキノンジアジド化合物とからなるもの等）
又はアルカリ可溶性樹脂と感光性酸発生剤と溶解抑制剤
とからなるもの、裏止め剤としては、（１）活性水素基
を２個有する有機化合物に、エチレンオキサイド含有率
が７０重量％以上のアルキレンオキサイドを付加重合せ
しめた平均分子量が１０００以上でエチレンオキサイド
含有率が６８重量％以上のポリヒドロキシル化合物と、
二価カルボン酸との反応物であって、重合度が４．５〜
２１、平均分子量が２００００よりも大きく、水溶性で
かつ成形可能なエステル化合物（詳細は、特開平４−３
５６５２６、特開平５−５０３１を参照）と（２）クレ
ゾ−ルノボラック型樹脂を含有するもの等が例示され
る。
なるレジストとしては、アルカリ剥離型のものであれば
特に制限されるものではないが、ポジ型フォトレジスト
としては、アルカリ可溶性樹脂と感光性溶解抑制剤（具
体的には、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノ−ル誘
導体とナフトキノンジアジド化合物とからなるもの等）
又はアルカリ可溶性樹脂と感光性酸発生剤と溶解抑制剤
とからなるもの、裏止め剤としては、（１）活性水素基
を２個有する有機化合物に、エチレンオキサイド含有率
が７０重量％以上のアルキレンオキサイドを付加重合せ
しめた平均分子量が１０００以上でエチレンオキサイド
含有率が６８重量％以上のポリヒドロキシル化合物と、
二価カルボン酸との反応物であって、重合度が４．５〜
２１、平均分子量が２００００よりも大きく、水溶性で
かつ成形可能なエステル化合物（詳細は、特開平４−３
５６５２６、特開平５−５０３１を参照）と（２）クレ
ゾ−ルノボラック型樹脂を含有するもの等が例示され
る。
【００１５】
【実施例】以下本発明を実施例について説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。
発明はこれらによって限定されるものではない。
【００１６】（実施例および比較例）巾３５mm、厚さ
０.１mmのポリイミドフィルムにエポキシ系接着剤を塗
布し、面積５０mm2のデバイスホールを形成した。本テ
ープに厚さ０.０２５mmの圧延銅箔をラミネートした。
銅箔表面上にノボラック樹脂とナフトキノンアジド化合
物とからなるポジ型フォトレジスト（ＭＩＣＲＯＰＯＳ
ＩＴ（登録商標）１１１Ｓ−１９，シプレイ・ファ−イ
−スト（株）製）を３μｍ塗布し、デバイスホール上に
長さ０.６mm、巾０.０８mm、本数４０のリードパターン
を露光現像した。
０.１mmのポリイミドフィルムにエポキシ系接着剤を塗
布し、面積５０mm2のデバイスホールを形成した。本テ
ープに厚さ０.０２５mmの圧延銅箔をラミネートした。
銅箔表面上にノボラック樹脂とナフトキノンアジド化合
物とからなるポジ型フォトレジスト（ＭＩＣＲＯＰＯＳ
ＩＴ（登録商標）１１１Ｓ−１９，シプレイ・ファ−イ
−スト（株）製）を３μｍ塗布し、デバイスホール上に
長さ０.６mm、巾０.０８mm、本数４０のリードパターン
を露光現像した。
【００１７】そして、メタクレゾ−ル：パラクレゾ−ル
＝６：４を原料として製造されたクレゾールノボラック
型樹脂（スミライトレジンＰＲ−５１７６７，住友ベ−
クライト（株）製）とエステル化合物（パオゲン（ＰＰ
−１５）、第一工業製薬（株）製）を７：３の割合で混
合し、これを混合割合がエチルカルビト−ル：アセト
ン：水＝６：３：１の溶剤に溶かした裏止め剤をデバイ
スホール内に７０μｍ塗布した後乾燥した。これらをさ
らに塩化第２銅水溶液からなるエッチング液に浸漬して
エッチングを行い、リードパターンを形成した後、リー
ド表面に半田めっき施した。
＝６：４を原料として製造されたクレゾールノボラック
型樹脂（スミライトレジンＰＲ−５１７６７，住友ベ−
クライト（株）製）とエステル化合物（パオゲン（ＰＰ
−１５）、第一工業製薬（株）製）を７：３の割合で混
合し、これを混合割合がエチルカルビト−ル：アセト
ン：水＝６：３：１の溶剤に溶かした裏止め剤をデバイ
スホール内に７０μｍ塗布した後乾燥した。これらをさ
らに塩化第２銅水溶液からなるエッチング液に浸漬して
エッチングを行い、リードパターンを形成した後、リー
ド表面に半田めっき施した。
【００１８】次に、残存するポジ型フォトレジストに再
度露光(３００mＪ／ｃm2)し、表１に示す組成の剥離液
に４０℃で、４．５分浸漬し、ポジ型フォトレジスト及
び裏止め剤を溶解除去した後、ポジ型フォトレジスト及
び裏止め剤の残存の有無を光学顕微鏡(５０倍)で確認す
ると共に銅の変色の有無を目視で観察した。その結果を
表１に示す。なお、実施例１及び２における溶解速度
は、Ｎ−メチルピロリドンとアミン誘導体とからなる有
機溶剤系剥離液と同等以上であった。
度露光(３００mＪ／ｃm2)し、表１に示す組成の剥離液
に４０℃で、４．５分浸漬し、ポジ型フォトレジスト及
び裏止め剤を溶解除去した後、ポジ型フォトレジスト及
び裏止め剤の残存の有無を光学顕微鏡(５０倍)で確認す
ると共に銅の変色の有無を目視で観察した。その結果を
表１に示す。なお、実施例１及び２における溶解速度
は、Ｎ−メチルピロリドンとアミン誘導体とからなる有
機溶剤系剥離液と同等以上であった。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１より、本発明のレジスト用剥離液は、
ポジ型フォトレジスト及び裏止め剤を同時に溶解できる
と共に銅の表面変色を防止できることが判る。
ポジ型フォトレジスト及び裏止め剤を同時に溶解できる
と共に銅の表面変色を防止できることが判る。
【００２１】
【発明の効果】本発明のアルカリ可溶型レジスト用剥離
液は、作業環境及び排水処理上の問題がなく、ポジ型フ
ォトレジストそして裏止め剤等のレジストを同時に溶解
できると共に銅の表面変色を防止でき、かつ溶解速度も
有機溶剤系と同等以上であり、斯界において好適に用い
られる。
液は、作業環境及び排水処理上の問題がなく、ポジ型フ
ォトレジストそして裏止め剤等のレジストを同時に溶解
できると共に銅の表面変色を防止でき、かつ溶解速度も
有機溶剤系と同等以上であり、斯界において好適に用い
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｌ
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式化１で表されるアルキルジフ
ェニ−ルエ−テルジスルフォン酸塩、下記一般式化２で
表されるポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テル、
アルカリ金属水酸化物と水からなることを特徴とするレ
ジスト用剥離液。 【化１】 （ただし、Ｒは炭素数が９〜１５のアルキル基、Ｘはア
ルカリ金属を表す。） 【化２】 （ただし、ｎは１５〜１９の整数を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24621893A JPH0770590A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | レジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24621893A JPH0770590A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | レジスト用剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770590A true JPH0770590A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=17145273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24621893A Pending JPH0770590A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | レジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483372B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2005-04-15 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 박리액 |
| WO2019077924A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 富士フイルム株式会社 | 回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP24621893A patent/JPH0770590A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483372B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2005-04-15 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 박리액 |
| WO2019077924A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 富士フイルム株式会社 | 回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法 |
| CN111247486A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-06-05 | 富士胶片株式会社 | 电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法 |
| JPWO2019077924A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2020-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法 |
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