JPH0922122A - レジストの剥離液及び剥離方法 - Google Patents
レジストの剥離液及び剥離方法Info
- Publication number
- JPH0922122A JPH0922122A JP17319195A JP17319195A JPH0922122A JP H0922122 A JPH0922122 A JP H0922122A JP 17319195 A JP17319195 A JP 17319195A JP 17319195 A JP17319195 A JP 17319195A JP H0922122 A JPH0922122 A JP H0922122A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- stripping
- soln
- solution
- stripping solution
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】フォトレジストを一種類以上の非ハロゲン系有
機溶剤を含有する剥離液を用いて剥離する方法におい
て、剥離液がぎ酸，酢酸，プロピオン酸，ジメチルホル
ムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，フルフリルア
ルコールの内少なくとも一種類を含むレジスト剥離液を
用いる剥離法。 【効果】従来から用いられている塩化メチレンと同等又
はそれ以上のレジストの剥離能力を有する。
機溶剤を含有する剥離液を用いて剥離する方法におい
て、剥離液がぎ酸，酢酸，プロピオン酸，ジメチルホル
ムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，フルフリルア
ルコールの内少なくとも一種類を含むレジスト剥離液を
用いる剥離法。 【効果】従来から用いられている塩化メチレンと同等又
はそれ以上のレジストの剥離能力を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストを用いて金属配
線を形成する多層薄膜基板，プリント基板等を製造する
際のレジスト剥離に用いるレジスト剥離液及び該レジス
ト剥離を用いたレジスト剥離方法に関する。
線を形成する多層薄膜基板，プリント基板等を製造する
際のレジスト剥離に用いるレジスト剥離液及び該レジス
ト剥離を用いたレジスト剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】耐薬品性が必要とされるレジスト、特
に、めっき用のレジストでは金属配線形成後に不要とな
ったレジストを剥離する際に、従来は塩化メチレンなど
の引火性のない有機溶剤が用いられていた。しかし、今
後は環境汚染及びオゾン層の破壊等の環境問題の観点か
ら、それらの溶剤は使用規制を受ける。そこで、非ハロ
ゲン系でかつ従来の剥離液と同等の剥離性を有し、配線
金属に対するダメージが小さく、また、可能な限り低引
火性の剥離液が必要となる。
に、めっき用のレジストでは金属配線形成後に不要とな
ったレジストを剥離する際に、従来は塩化メチレンなど
の引火性のない有機溶剤が用いられていた。しかし、今
後は環境汚染及びオゾン層の破壊等の環境問題の観点か
ら、それらの溶剤は使用規制を受ける。そこで、非ハロ
ゲン系でかつ従来の剥離液と同等の剥離性を有し、配線
金属に対するダメージが小さく、また、可能な限り低引
火性の剥離液が必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レジストを剥離する方
法は、レジストを溶かす、レジストをプラズマ等により
飛ばすか灰化する、レジストが直接密着している基板表
面を腐食又は溶解する、レジスト−基板界面で応力が発
生するように加熱処理又はレジストに溶剤を膨潤させる
等の方法がある。更に、これらの複合処理も存在する。
一般に、耐薬品性が高く、膜厚が１０μｍ以上のレジス
トを剥離するには、レジストに溶剤を膨潤させレジスト
−基板界面で発生する応力により、レジストを剥離する
方法が主流である。塩化メチレンはレジストに対する膨
潤性が高く、レジスト−基板界面で発生する応力による
レジスト剥離に効果が高かった。しかし、現在のところ
塩化メチレンに代わり、同等の性能を有する剥離液は現
在のところ、見出されていない。
法は、レジストを溶かす、レジストをプラズマ等により
飛ばすか灰化する、レジストが直接密着している基板表
面を腐食又は溶解する、レジスト−基板界面で応力が発
生するように加熱処理又はレジストに溶剤を膨潤させる
等の方法がある。更に、これらの複合処理も存在する。
一般に、耐薬品性が高く、膜厚が１０μｍ以上のレジス
トを剥離するには、レジストに溶剤を膨潤させレジスト
−基板界面で発生する応力により、レジストを剥離する
方法が主流である。塩化メチレンはレジストに対する膨
潤性が高く、レジスト−基板界面で発生する応力による
レジスト剥離に効果が高かった。しかし、現在のところ
塩化メチレンに代わり、同等の性能を有する剥離液は現
在のところ、見出されていない。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決する剥離
液及び剥離法を提供することにある。
液及び剥離法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【０００６】（１）非ハロゲン系有機溶剤を含有するレ
ジストの剥離液において、剥離液がぎ酸，酢酸，プロピ
オン酸，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，フルフリルアルコールの少なくとも一種類を含
むレジスト剥離液及び剥離法。
ジストの剥離液において、剥離液がぎ酸，酢酸，プロピ
オン酸，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，フルフリルアルコールの少なくとも一種類を含
むレジスト剥離液及び剥離法。
【０００７】（２）（１）の剥離液を用いるレジスト剥
離方法。
離方法。
【０００８】（３）前記レジストがめっき用レジストで
あるレジスト剥離液。
あるレジスト剥離液。
【０００９】（４）前記レジストがめっき用レジストで
あるレジスト剥離方法。
あるレジスト剥離方法。
【００１０】（５）前記剥離液が、３０％以下の水を含
む溶液であり、かつ引火点が４０℃以上であるレジスト
剥離液。
む溶液であり、かつ引火点が４０℃以上であるレジスト
剥離液。
【００１１】（６）前記剥離液が、３０％以下の水を含
む溶液であり、引火点が４０℃以上である剥離液を用い
るレジスト剥離方法。
む溶液であり、引火点が４０℃以上である剥離液を用い
るレジスト剥離方法。
【００１２】
【作用】一般に、耐薬品性の高いレジストはネガ型のも
のがほとんどであり、レジストを剥離する段階では、光
反応性のモノマの架橋が進んでいるため、溶剤に対する
溶解性はもちろんのこと、浸透性も乏しい。
のがほとんどであり、レジストを剥離する段階では、光
反応性のモノマの架橋が進んでいるため、溶剤に対する
溶解性はもちろんのこと、浸透性も乏しい。
【００１３】分子容が小さく、かつ、レジストとの相溶
性の高い溶剤はレジスト中への浸透速度及び浸透量が通
常大きい。しかし、分子容が小さい溶剤は低沸点，低引
火点の溶剤が多く、使用する際の危険性が高い。
性の高い溶剤はレジスト中への浸透速度及び浸透量が通
常大きい。しかし、分子容が小さい溶剤は低沸点，低引
火点の溶剤が多く、使用する際の危険性が高い。
【００１４】上記条件を満足する溶剤として、ぎ酸，酢
酸，プロピオン酸，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル
−２−ピロリドン，フルフリルアルコールがある。これ
ら溶剤は一般のネガ型のレジストとの相溶性が高く、分
子容も１００cm3 以下と小さく、また、溶剤分子間の相
互作用が大きいため、分子容が小さいわりには引火点が
高く、剥離性，安全性において、良好な剥離液である。
更に、該剥離液に水を５〜３０体積％添加することによ
り、剥離性能を損なうことなく、引火性が消失する。
酸，プロピオン酸，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル
−２−ピロリドン，フルフリルアルコールがある。これ
ら溶剤は一般のネガ型のレジストとの相溶性が高く、分
子容も１００cm3 以下と小さく、また、溶剤分子間の相
互作用が大きいため、分子容が小さいわりには引火点が
高く、剥離性，安全性において、良好な剥離液である。
更に、該剥離液に水を５〜３０体積％添加することによ
り、剥離性能を損なうことなく、引火性が消失する。
【００１５】
〔実施例１〕図１は本発明のセミアディティブ法による
プリント配線基板の製法のフローチャートを示す。ま
た、それに対応するプリント基板の断面図を図２に示
す。
プリント配線基板の製法のフローチャートを示す。ま
た、それに対応するプリント基板の断面図を図２に示
す。
【００１６】銅貼り積層板に日立化成社製の化学めっき
用レジスト（膜厚７５μｍ）をラミネートする（１０
１）。次にフォトマスクを用いて露光（１０２）後、現
像を行いネガティブパターンを形成する（１０３）。次
にネガティブパターンを形成した銅貼り積層板に化学銅
めっき（１０４）を７２℃，３２〜３５時間条件で施
す。なお、めっき液組成は、硫酸銅１０ｇ／ｌ，ＥＤＴ
Ａ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏ３０ｇ／ｌ，水酸化ナトリウム(ｐＨ
１２.６になる量），ホルマリン３ｍｌ／ｌ，ポリエチ
レングリコール１０ｇ／ｌ，２，２′−ビピリジル３０
ｍｇ／ｌの混合溶液である。銅めっきのレジスト膨れ及
び剥離はなかった。次に、銅めっき上に半田めっきを施
した後、ぎ酸に浸漬してめっきレジストを除去した。条
件は４０℃，１０分である。剥離残渣量は初期のレジス
トに対して１〜２％であり、３０℃，５分処理の塩化メ
チレンの２〜３％と比較して、剥離性が高かった。その
後、Ｏ2＋ＣＦ4混合ガスプラズマにより、レジストを完
全に除去した。
用レジスト（膜厚７５μｍ）をラミネートする（１０
１）。次にフォトマスクを用いて露光（１０２）後、現
像を行いネガティブパターンを形成する（１０３）。次
にネガティブパターンを形成した銅貼り積層板に化学銅
めっき（１０４）を７２℃，３２〜３５時間条件で施
す。なお、めっき液組成は、硫酸銅１０ｇ／ｌ，ＥＤＴ
Ａ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏ３０ｇ／ｌ，水酸化ナトリウム(ｐＨ
１２.６になる量），ホルマリン３ｍｌ／ｌ，ポリエチ
レングリコール１０ｇ／ｌ，２，２′−ビピリジル３０
ｍｇ／ｌの混合溶液である。銅めっきのレジスト膨れ及
び剥離はなかった。次に、銅めっき上に半田めっきを施
した後、ぎ酸に浸漬してめっきレジストを除去した。条
件は４０℃，１０分である。剥離残渣量は初期のレジス
トに対して１〜２％であり、３０℃，５分処理の塩化メ
チレンの２〜３％と比較して、剥離性が高かった。その
後、Ｏ2＋ＣＦ4混合ガスプラズマにより、レジストを完
全に除去した。
【００１７】〔実施例２〕実施例１と同様なサンプルを
作製後、酢酸に浸漬してめっきレジストを除去した。条
件は６０℃，１０分である。剥離残渣量は初期のレジス
トに対して１〜２％であり、３０℃，５分処理の塩化メ
チレンの２〜３％と比較して、剥離性が高かった。
作製後、酢酸に浸漬してめっきレジストを除去した。条
件は６０℃，１０分である。剥離残渣量は初期のレジス
トに対して１〜２％であり、３０℃，５分処理の塩化メ
チレンの２〜３％と比較して、剥離性が高かった。
【００１８】〔実施例３〕実施例１同様なサンプルを作
成後、ぎ酸−水の体積の割合を変えた混合溶液に浸漬し
てめっきレジストを除去した。条件及び結果は表１に示
す通りである。
成後、ぎ酸−水の体積の割合を変えた混合溶液に浸漬し
てめっきレジストを除去した。条件及び結果は表１に示
す通りである。
【００１９】
【表１】
【００２０】剥離残渣量についてはぎ酸１００〜８０％
の処理では初期のレジストに対して１〜３％で、３０
℃，５分処理の塩化メチレンの２〜３％と比較して、同
等またはそれ以上の剥離性であった。また、ぎ酸７０％
の処理では剥離残渣量は４〜５％と塩化メチレンより劣
るもののレジストは剥離した。しかし、ぎ酸含有量が６
０％以下になるとレジストに膨潤は認められるが剥離は
生じなかった。
の処理では初期のレジストに対して１〜３％で、３０
℃，５分処理の塩化メチレンの２〜３％と比較して、同
等またはそれ以上の剥離性であった。また、ぎ酸７０％
の処理では剥離残渣量は４〜５％と塩化メチレンより劣
るもののレジストは剥離した。しかし、ぎ酸含有量が６
０％以下になるとレジストに膨潤は認められるが剥離は
生じなかった。
【００２１】〔実施例４〕実施例１同様なサンプルを作
成後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液に浸漬してめっ
きレジストを除去した。条件は８０℃，２０分である。
剥離残渣量は初期のレジストに対して２〜３％であり、
３０℃，５分処理の塩化メチレンの２〜３％と比較し
て、同等の剥離性であった。
成後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液に浸漬してめっ
きレジストを除去した。条件は８０℃，２０分である。
剥離残渣量は初期のレジストに対して２〜３％であり、
３０℃，５分処理の塩化メチレンの２〜３％と比較し
て、同等の剥離性であった。
【００２２】〔比較例１〕実施例１同様なサンプルを作
成後、塩化メチレン溶液に浸漬してめっきレジストを除
去した。条件は３０℃，５分である。剥離残渣量は初期
のレジストに対して２〜３％であった。
成後、塩化メチレン溶液に浸漬してめっきレジストを除
去した。条件は３０℃，５分である。剥離残渣量は初期
のレジストに対して２〜３％であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明では耐薬品性の高いフォトレジス
トの剥離液にぎ酸，酢酸，プロピオン酸，ジメチルホル
ムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，フルフリルア
ルコール又は水を含む混合溶液を用いることにより、従
来から用いられている環境汚染性の高い塩化メチレンと
同等又はそれ以上のレジストの剥離が可能となった。
トの剥離液にぎ酸，酢酸，プロピオン酸，ジメチルホル
ムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，フルフリルア
ルコール又は水を含む混合溶液を用いることにより、従
来から用いられている環境汚染性の高い塩化メチレンと
同等又はそれ以上のレジストの剥離が可能となった。
【図１】セミアディティブによる配線形成工程のフロー
チャート。
チャート。
【図２】セミアディティブによる配線形成工程における
配線板の断面図。
配線板の断面図。
１…絶縁層、２…銅薄膜、３，３′…レジスト、４…マ
スク、５…活性光、６…現像液、７…めっき銅、８…半
田、９…剥離液。
スク、５…活性光、６…現像液、７…めっき銅、８…半
田、９…剥離液。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 豊房 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 宮崎 政志 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 富田 俊成 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】非ハロゲン系有機溶剤を含有するレジスト
の剥離液において、前記剥離液が、ぎ酸，酢酸，プロピ
オン酸，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，フルフリルアルコールの少なくとも一種類を含
むことを特徴とするレジスト剥離液。 - 【請求項２】基板上に形成されたレジストを剥離液を用
いて前記基板から剥離する方法に、請求項１に記載され
た前記レジスト剥離液を用いるレジスト剥離方法。 - 【請求項３】請求項１に記載された前記レジストがめっ
き用レジストであるレジスト剥離液。 - 【請求項４】請求項２に記載された前記レジストがめっ
き用レジストであるレジスト剥離法。 - 【請求項５】請求項１または３に記載された剥離液が、
体積分率で３０％以下の水を含む溶液であり、かつ引火
点が４０℃以上であるレジスト剥離液。 - 【請求項６】請求項５に記載されたレジスト剥離液を用
いるレジスト剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17319195A JPH0922122A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | レジストの剥離液及び剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17319195A JPH0922122A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | レジストの剥離液及び剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922122A true JPH0922122A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15955788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17319195A Pending JPH0922122A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | レジストの剥離液及び剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045842A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Pyuarekkusu:Kk | 表面付着異質物質の除去方法及び除去装置 |
| KR100595024B1 (ko) * | 2001-08-03 | 2006-07-03 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 박리제 조성물 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17319195A patent/JPH0922122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045842A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Pyuarekkusu:Kk | 表面付着異質物質の除去方法及び除去装置 |
| KR100595024B1 (ko) * | 2001-08-03 | 2006-07-03 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 박리제 조성물 |
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