TW201901919A - 電子模組、連接體的製造方法以及電子模組的製造方法 - Google Patents

電子模組、連接體的製造方法以及電子模組的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201901919A
TW201901919A TW107114881A TW107114881A TW201901919A TW 201901919 A TW201901919 A TW 201901919A TW 107114881 A TW107114881 A TW 107114881A TW 107114881 A TW107114881 A TW 107114881A TW 201901919 A TW201901919 A TW 201901919A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
groove portion
electronic component
disposed
edge
inclined surface
Prior art date
Application number
TW107114881A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI669804B (zh
Inventor
池田康亮
松嵜理
Original Assignee
日商新電元工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新電元工業股份有限公司 filed Critical 日商新電元工業股份有限公司
Publication of TW201901919A publication Critical patent/TW201901919A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI669804B publication Critical patent/TWI669804B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/35—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/744—Apparatus for manufacturing strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/77—Apparatus for connecting with strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29139—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/35—Manufacturing methods
    • H01L2224/358—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/3583—Reworking
    • H01L2224/35847—Reworking with a mechanical process, e.g. with flattening of the connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/3701—Shape
    • H01L2224/37012—Cross-sectional shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/3701—Shape
    • H01L2224/37012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/37013—Cross-sectional shape being non uniform along the connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4007—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/40227—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404—Connecting portions
    • H01L2224/40475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas
    • H01L2224/40499—Material of the auxiliary connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73263—Layer and strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75754—Guiding structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75754—Guiding structures
    • H01L2224/75755—Guiding structures in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/77—Apparatus for connecting with strap connectors
    • H01L2224/777—Means for aligning
    • H01L2224/77754—Guiding structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/77—Apparatus for connecting with strap connectors
    • H01L2224/777—Means for aligning
    • H01L2224/77754—Guiding structures
    • H01L2224/77755—Guiding structures in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H01L2224/84815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92252—Sequential connecting processes the first connecting process involving a strap connector
    • H01L2224/92255—Sequential connecting processes the first connecting process involving a strap connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

本發明的電子模組，包括：第一電子元件13；第一連接體60，配置在所述第一電子元件13的一側，並且具有向另一側延伸的第一柱部62、以及配置在一側的面上的第一溝槽部64；以及第二電子元件23，通過配置在所述第一溝槽部64的邊緣內側的導電性黏合劑配置在所述第一連接體60的一側，其中，所述第一連接體60在與一側的所述第一柱部62相對應的位置上具有第一凹部67。

Description

電子模組、連接體的製造方法以及電子模組的製造方法
本發明有關於電子模組、連接體的製造方法以及電子模組的製造方法。
以往，在封裝樹脂內配置有多個電子元件的電子模組已被普遍認知（例如，參照日本專利特開2014-45157號）。這種電子模組被要求實現小型化。
作為實現小型化的手段之一，可以考慮採用將電子元件疊層。當疊層時，可以考慮在電子元件（第一電子元件）的一側（例如正面側）配置連接體，並在該連接體的一側通過焊錫等導電性黏合劑配置別的電子元件（第二電子元件）。
由於在第一電子元件的一側配置有這樣的連接體，因此可能出現重量失衡。而一旦連接體引發這種重量失衡，就可能會導致導電性黏合劑流出至連接體的一側的面。
另外，當在配置在第一電子元件上的連接體上進一步配置第二電子元件時，由於熱量容易聚集，因此使電子元件之間相互隔開是比較有益的。
本發明的目的，是提供一種電子模組，其能夠防止導電性黏合劑流出，並且，能夠通過使電子元件之間相互隔開來防止電子元件之間產生的熱量相互聚集。
本發明涉及的電子模組，可以包括：第一電子元件；第一連接體，配置在所述第一電子元件的一側，並且具有向另一側延伸的第一柱部、以及配置在一側的面上的第一溝槽部；以及第二電子元件，通過配置在所述第一溝槽部的邊緣內側的導電性黏合劑配置在所述第一連接體的一側，其中，所述第一連接體在與一側的所述第一柱部相對應的位置上具有第一凹部。
在本發明涉及的電子模組中，可以是：所述第一連接體的所述一側的面具有第一傾斜面、以及配置在所述第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，所述第一溝槽部配置在所述第一傾斜面與所述第一平坦面之間的邊界上。
在本發明涉及的電子模組中，可以是：所述第一連接體的所述一側的面具有第一傾斜面、以及配置在所述第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，所述第一溝槽部配置在所述第一平坦面上。
在本發明涉及的電子模組中，可以是：所述第一連接體的所述一側的面具有第一傾斜面、以及配置在所述第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，所述第一溝槽部配置在所述第一傾斜面上。
在本發明涉及的電子模組中，可以是：在以縱截面觀看時，所述第一傾斜面與所述第一溝槽部的內周側的面所形成的角度小於所述第一傾斜面與所述第一溝槽部的外周側的面所形成的角度。
本發明涉及的連接體的製造方法，可以包括：將導體板載置在具有模具凹部的模具上的步驟；在將所述導體板向所述模具按壓後，將對應所述模具凹部的第一柱部形成在所述導體板的另一側，並且在所述導體板的一側的與所述第一柱部相對應的位置上形成第一凹部的步驟；以及通過將具有突出部的構件向所述導體板的一側按壓，從而在所述導體板的一側的面上形成第一溝槽部的步驟。
本發明涉及的電子模組的製造方法，可以包括：將前述的連接體載置在第一電子元件上的步驟；以及將第二電子元件通過導電性黏合劑載置在所述連接體上的步驟，其中，所述導電性黏合劑被配置在所述第一溝槽部的邊緣內側。
作為本發明的一種形態，當採用第一連接體具有第一柱部的形態時，能夠使第一電子元件與第二電子元件在一定程度上相互隔開，從而使熱量逃散。另外，當採用在第一頭部的一側配置有第一溝槽部的形態時，能夠在導電性黏合劑溶融後放置其從第一溝槽部擴散至外部。
第一實施方式
《構成》
在本實施方式中，“一側”指的是第1圖中的上方側，“另一側”指的是第1圖中的下方側。另外，將第1圖中的上下方向稱為“第一方向”、 左右方向稱為“第二方向”、紙面的表裡方向稱為“第三方向”。將包含第二方向以及第三方向的面內方向稱為“面方向”，將從一側進行觀看稱為“從平面看”。
本實施方式中的電子模組，可以具有第一電子單元、以及第二電子單元。
如第1圖所示，第一電子單元可以具有：第一基板11、配置在第一基板11的一側的多個第一導體層12、以及配置在第一導體層12的一側的第一電子元件13。第一電子元件13可以是開關元件，也可以是控制元件。當第一電子元件13是開關元件時，可以為MOSFET或IGBT等。第一電子元件13以及後述的第二電子元件23可以分別由各自的半導體元件構成，作為半導體材料，可以是矽、碳化矽、氮化鎵等。第一電子元件13的另一側的面可以通過焊錫等導電性黏合劑與第一導體層12相連接。
第一電子元件13的一側可以配置有第一連接體60。第一連接體60可以通過焊錫等導電性黏合劑與第一電子元件13的一側的面相連接。
如第1圖所示，在第一連接體60的一側可以配置有第二電子單元。第二電子單元可以具有配置在第一連接體60的一側的第二電子元件23。另外，第二電子單元還可以具有第二基板21、以及配置在第二基板21的另一側的第二導體層22。第二導體層22的另一側可以配置有第二連接體70。當配置有第二導體層22的時，與第1圖中所示的形態不同，第二導體層22上可以配置有第二電子元件23。第二連接體70可以通過焊錫等導電性黏合劑與第二電子元件23的一側的面以及第二導體層22的另一側的面相連接。
第二電子元件23可以是開關元件，也可以是控制元件。當第二電子元件23是開關元件時，可以為MOSFET或IGBT等。
第一連接體60可以具有第一頭部61、以及從第一頭部61向另一側延伸的第一柱部62。第二連接體70可以具有第二頭部71、以及從第二頭部71向另一側延伸的第二柱部72。第一連接體60的截面可以大致呈T字形，第二連接體70的截面也可以大致呈T字形。
如第2圖所示，可以在第一頭部61的一側的面上配置第一溝槽部64。第一溝槽部64從平面看(在面方向上)可以配置在第一柱部62邊緣外側，其可以配置在邊緣外側的一部分上，也可以配置在整個邊緣外側上。可以在第一頭部61的一側的面上的第一溝槽部64的邊緣內側配置有焊錫等導電性黏合劑，也可以通過導電性黏合劑配置有第二電子元件。第一溝槽部64的截面可以如第3圖（b）所示呈矩形，也可以如第3圖（a）所示呈矩形呈三角形。當呈三角形時，可以是直角三角形，也可以是等邊三角形。
如第4圖所示，可以在第二頭部71的一側的面上配置第二溝槽部74。第二溝槽部74從平面看可以配置在第二柱部72邊緣外側的一部分上，也可以配置在第二柱部72的整個邊緣外側上。可以在第二頭部71的一側的面上的第二溝槽部74的邊緣內側配置有焊錫等導電性黏合劑，第二頭部71的一側的面也可以通過導電性黏合劑與第二導體層22連接。第二溝槽部74的截面可以如第4圖（b）所示呈矩形，也可以如第4圖（a）所示呈矩形呈三角形。當呈三角形時，可以是直角三角形，也可以是等邊三角形。
如第5圖所示，在第一頭部61的一側的面上的與第一柱部62相對應的位置上可以具有第一凹部67，第一溝槽部64可以配置在第一凹部67的邊緣部。另外，也不僅限於此形態，也可以如後述的第二實施方式般，第一溝槽部64配置在第一凹部67的邊緣內側。這裡所說的“在與第一柱部62相對應的位置上配置有第一凹部67”是指在沿第一方向觀看時，在配置有第一柱部62的位置上配置有第一凹部67。
第一連接體60的一側的面可以具有第一傾斜面68、以及配合在第一傾斜面68的邊緣外側的第一平坦面69。第一溝槽部64可以配置在第一傾斜面68與第一平坦面69的邊界上。第一平坦面69不必完全在面方向上延伸。本實施方式中的第一平坦面69指的是比第一傾斜面68更靠近邊緣外側的，並且與包含第二方向以及第三方向的面之間的傾斜角度比第一傾斜面68更小的面。另外，第一傾斜面68包含在第一凹部67中，第一凹部67的邊緣部屬於第一傾斜面68與第一平坦面69的邊界。第一溝槽部64配置在第一傾斜面68與第一平坦面69的“邊界”上可以是第一溝槽部64的一部分位於該邊界上，也可以如第5圖所示，第一溝槽部64的大部分位於第一傾斜面68上，也可以如第8圖（c）所示，第一溝槽部64的大部分位於第一平坦面69上。
如第6圖所示，在第二頭部71的一側的面上的與第二柱部72相對應的位置上可以具有第二凹部77，第二溝槽部74可以配置在第二凹部77的邊緣部。另外，也不僅限於此形態，也可以如後述的第二實施方式般，第二溝槽部74配置在第二凹部77的邊緣外側。也可以如後述的第三實施方式般，第二溝槽部74配置在第二凹部77的邊緣內側。這裡所說的“在與第二柱部72相對應的位置上配置有第二凹部77”是指在沿第一方向觀看時，在配置有第二柱部72的位置上配置有第二凹部77。
第二連接體70的一側的面可以具有第二傾斜面78、以及配合在第二傾斜面78的邊緣外側的第二平坦面79。第二溝槽部74可以配置在第二傾斜面78與第二平坦面79的邊界上。第二平坦面79不必完全在面方向上延伸。本實施方式中的第二平坦面79指的是比第二傾斜面78更靠近邊緣外側的，並且與包含第二方向以及第三方向的面之間的傾斜角度比第二傾斜面78更小的面。另外，第二傾斜面78包含在第二凹部77中，第二凹部77的邊緣部屬於第二傾斜面78與第二平坦面79的邊界。第二溝槽部74配置在第二傾斜面78與第二平坦面79的“邊界”上可以是第二溝槽部74的一部分位於該邊界上，也可以如第6圖所示，第二溝槽部74的大部分位於第二傾斜面78上，也可以如第8圖（c）所示，第二溝槽部74的大部分位於第二平坦面79上。
如第7圖所示，可以在第二電子元件23的一側配置第三連接體80。第三連接體80可以具有第三頭部81、以及從第三頭部81向另一側延伸的第三柱部82。第三連接體80可以通過焊錫等導電性黏合劑與第二導體層22的另一側的面以及第二電子元件23的一側的面相連接。作為第三連接體80，可以不使用具有第三柱部82且縱截面呈大致T字形的部件，而可以使用一般的連接件85（參照第18圖）。
如第2圖所示，從平面看，第一電子元件13可以採用從第一頭部61向外部露出的形態。當第一電子元件13為MOSFET等開關元件的情況下，可以在露出至於外部的部分上配置第一閘極端子13g等。同時，當第二電子元件23為MOSFET等開關元件的情況下，可以一側的面上配置第二閘極端子23g等。如第2圖所示，在第一電子元件13的一側的面上具有第一閘極端子13g與第一源極端子13s，在第二電子元件23的一側的面上具有第二閘極端子23g與第二源極端子23s。此情況下，第二連接體70可以通過焊錫等導電性黏合劑與第二電子元件23的第二源極端子23s相連接，第三連接體80可以通過焊錫等導電性黏合劑與第二電子元件23的第二閘極端子23g相連接。另外，第一連接體60可以通過焊錫等導電性黏合劑將第一電子元件13的第一源極端子13s與配置在第二電子元件23的另一側的第二汲極端子連接。配置第一電子元件13的另一側的第一汲極端子可以通過焊錫等導電性黏合劑與第一導體層12相連接。第一電子元件13的第一閘極端子13g可以通過導電性黏合劑與第四連接體95（例如連接件，參照第19圖）相連接，該第四連接體95可以通過導電性黏合劑與第一導體層12相連接。
當第一電子元件13以及第二電子元件23中僅任意一方為開關元件時，可以考慮將載置在第一連接體60上的第二電子元件23作為發熱量較低的控制元件，而將第一電子元件13設為開關元件。反之，也可以考慮將載置在第一連接體60上的第二電子元件23作為開關元件，而將第一電子元件13設為發熱量較低的控制元件。
電子模組可以具有由用於封裝第一電子元件13、第二電子元件23、第一連接體60、第二連接體70、第三連接體80、第四連接體95、第一導體層12以及第二導體層22的封裝樹脂等所構成的封裝部90（參照第1圖）。
第一導體層12可以與端子部（未圖示）相連接，端子部的前端側向封裝部90 的外部露出並可與外部裝置相連接。
另外，也可以通過第一電子元件13、第二電子元件23、第一連接體60、第二連接體70、第三連接體80以及第四連接體95來構成芯片模組。此情況下，可以將具有第一電子元件13、第二電子元件23、第一連接體60、第二連接體70、第三連接體80以及第四連接體95的芯片模組，在配置在配置有第一導體層12的第一基板11以及配置有第二導體層22的第二基板21之間後，在通過利用封裝部90來進行封裝，從而來製造電子模組。
作為第一基板11以及第二基板21，可以採用陶瓷基板、絕緣樹脂層等材料。作為導電性黏合劑，除了焊錫以外，還可以使用以Ag和Cu為主要成分的材料。作為第一連接體60以及第二連接體70的材料，可以使用Cu等金屬。作為基板11、21，例如可以使用經過將電路圖案化後的金屬基板，此情況下，基板11、21可以兼做導體層12、21來使用。
端子部與導體層12、22之間的接合，不僅可以通過使用焊錫等導電性黏合劑來完成，還可以利用激光焊接、以及超聲波焊接來完成。
《製造方法》
下面將對本實施方式涉及的第一連接體60的製造方法的一例進行說明。
首先，將導體板300載置在具有模具凹部410的模具400上（第一載置步驟，參照第8圖（a））。
接著，通過按壓構件等將導體板300向模具400按壓後，將對應模具凹部410的第一柱部62形成在導體板300的另一側上（第一柱部形成步驟，參照第8圖（b））。此時，導體板300被朝模具凹部410一側折彎，並在導體板300的一側上的與第一柱部62相對應的位置上形成第一凹部67。另外，在第8圖（b）、（c）中對導體板300的折彎情況作了誇張處理。
接著，通過將具有突出部460的按壓構件450向導體板300的一側按壓，從而在導體板300的一側的面上形成第一溝槽部64（第一溝槽部形成步驟，參照第8圖（c））。通過上述按壓，導體板300邊緣部向模具凹部410一側的折彎就得以被矯正，從而變為接近平坦的形狀，形成第一平坦面69。
另外，形成第一平坦面69的步驟和形成第一溝槽部64的步驟可以分別來進行。例如，可以在通過按壓構件形成第一平坦面69後，再通過對突出部460這樣的構件進行按壓來形成第一溝槽部64，也可以在第一溝槽部64形成後，再形成第一平坦面69。
接下來，對本實施方式涉及的第二連接體70的製造方法的一例進行說明。與第一連接體60的製造方法一樣，將使用第8圖來進行說明。
首先，將導體板300載置在具有模具凹部410的模具上（第二載置步驟，參照第8圖（a））。
接著，在將導體板300向模具按壓後，將對應模具凹部410的第二柱部72形成在導體板300的另一側上（第二柱部形成步驟，參照第8圖（b））。此時，導體板300被朝模具凹部410一側折彎，並在導體板300的一側上的與第二柱部72相對應的位置上形成第二凹部77。另外，在第8圖（b）、（c）中對導體板300的折彎情況作了誇張處理。
接著，通過將具有突出部460的按壓構件450向導體板300的一側按壓，從而在導體板300的一側的面上形成第二溝槽部74（第二溝槽部形成步驟，參照第8圖（c））。通過上述按壓，導體板300邊緣部向模具凹部410一側的折彎就得以被矯正，從而變為接近平坦的形狀，形成第二平坦面79。
另外，形成第二平坦面79的步驟和形成第二溝槽部74的步驟可以分別來進行。例如，可以在通過按壓構件形成第二平坦面79後，再通過對突出部460這樣的構件進行按壓來形成第二溝槽部74，也可以在第二溝槽部74形成後，再形成第二平坦面79。
接著，對本實施方式涉及的電子模組的製造方法的一例進行說明。該製造方法中使用的第一連接體60以及第二連接體70可以使用上述製造步驟中製造的第一連接體以及第二連接體。
首先，在第一夾具500上配置第一電子元件13（第一電子元件配置步驟，參照第9圖（a））。
接著，在第一電子元件13上通過焊錫等導電性黏合劑配置第一連接體60（第一連接體配置步驟，參照第9圖（b））。第9圖中未圖示有焊錫等導電性黏合劑。
接著，在第一連接體60上通過導電性黏合劑配置第二電子元件23（第二電子元件配置步驟，參照第9圖（c））。第一連接體60上的導電性黏合劑被配置在第一電子元件13的第一溝槽部64的邊緣內側。
在第二夾具550上配置第二連接體70（第二電子元件配置步驟，參照第9圖（d））。第二夾具550可以在配置有第二連接體70的位置上具有多個第二夾具凹部560。第二夾具凹部560的高度可以與芯片模組的高度相對應。這裡所說的第二夾具凹部560的高度與芯片模組的高度相對應，指的是第二夾具凹部560具有大於等於包含導電性黏合劑的厚度在內的芯片模組的整體設計上的厚度的高度。
接著，在利用吸引構件將第二連接體70吸附並固定在第二夾具550上後使第二夾具550翻轉，然後，在第二電子元件23上通過導電性黏合劑配置第二連接體70（翻轉載置步驟，參照第9圖（e））。
接著，對導電性黏合劑硬化（硬化步驟）。這樣，具有第一電子元件13以及第二電子元件23的芯片模組便得以被製造。
當第一電子元件13以及第二電子元件23被封裝入由封裝樹脂等構成的封裝部90中時，將芯片模組載置在第一基板11與第二基板21之間，並通過在第一基板11與第二基板21之間注入由封裝樹脂等構成的封裝部90後，本實施方式的電子模組便得以被製造。
《作用・效果》
接下來，將對由上述結構構成的本實施方式的作用以及效果進行說明。另外，可以將在《作用・效果》中說明的任何形態適用於上述結構。
如第3圖所示，在採用在第一頭部61的一側的面上配置有第一溝槽部64的形態的情況下，就能夠防止導電性黏合劑溶融後擴散至第一溝槽部64的外部。
另外，如上述製造步驟中的說明般，在形成第一柱部62時導體板300會被折彎，如第8圖（c）所示，在對該折彎進行校正時會形成第一溝槽部64。在本實施方式中是以第一溝槽部64作為邊界來形成第一凹部67與第一平坦面69的。當採用此形態時，有益於在導電性黏合劑溶融後一邊使導電性黏合劑留在第一凹部67內，一般將第一平坦面69切實地配置在邊緣外側。通過使導電性黏合劑留在第一凹部67內，有益於確保導電性黏合劑的厚度。而通過配置第一平坦面69，就能夠將第二電子元件23沿第一平坦面69在面方向上進行配置，這樣就有益於使來自於第一連接體60的應力不易被施加至第二電子元件23。
當採用第一溝槽部64從平面上看（在面方向上）被配置在第一柱部62的整個邊緣外側的形態時，就能夠更加切實地防止導電性黏合劑溶融後流出至邊緣外側。
當採用第一連接體60具有第一柱部62的形態時，就能夠使第一電子元件13與第二電子元件23在一定程度上相互隔開，這樣就有益於熱量的逃散。在本實施方式中，通過形成這樣的第一柱部62，就能夠進一步形成第一凹部67。其結果就是，能夠使溶融後的導電性黏合劑留在第一凹部67內，從而有益於防止溶融後的導電性黏合劑流出至邊緣外側。
另外，第二連接體70也與第一連接體60一樣，如上述製造步驟中的說明般，在形成第二柱部72時導體板300會被折彎，如第8圖（c）所示，在對該折彎進行校正時會形成第二溝槽部74。在本實施方式中是以第二溝槽部74作為邊界來形成第二凹部77與第二平坦面79的。當採用此形態時，有益於在導電性黏合劑溶融後一邊使導電性黏合劑留在第二凹部77內，一般將第二平坦面79切實地配置在邊緣外側。
當採用第二連接體70具有從第二頭部71向另一側延伸的第二柱部72的形態時，就能夠在第二電子元件23的一側設置空間，從而防止來自於第二電子元件23的熱量產生聚集。在本實施方式中，通過形成這樣的第二柱部72，就能夠進一步形成第二凹部77。其結果就是，能夠使溶融後的導電性黏合劑留在第二凹部77內，從而有益於防止溶融後的導電性黏合劑流出至邊緣外側。
當採用第二溝槽部74從平面上看（在面方向上）被配置在第二柱部72的整個邊緣外側的形態時，就能夠更加切實地防止導電性黏合劑溶融後流出至邊緣外側。
如第3圖（b）所示，當第一溝槽部64的截面呈矩形時，就能夠將第一溝槽部64的表面與第一凹部67的表面所形成的角度設置為90的程度。由於這樣能夠加強導電性黏合劑的表面張力，因此就能夠使導電性黏合劑不易在第一凹部67內流動。同樣的，如第4圖（b）所示，當第第二溝槽部74的截面呈矩形時，就能夠將第二溝槽部74的表面與第二凹部77的表面所形成的角度設置為90的程度。由於這樣能夠加強導電性黏合劑的表面張力，因此就能夠使導電性黏合劑不易在第二凹部77內流動。
如第3圖（a）所示，當第一溝槽部64的截面呈三角形時，就能夠較容易地來形成第一溝槽部64，並且有益於較容易地來形成第一平坦面69。同樣的，如第4圖（a）所示，當第二溝槽部74的截面呈三角形時，就能夠較容易地來形成第二溝槽部74，並且有益於較容易地來形成第二平坦面79。
當第一平坦面69傾斜，使其越向邊緣外側越遠離包含第二方向以及第三方向的面時，通過第一平坦面69的傾斜也有益於能夠防止溶融後的導電性黏合劑流向第一連接體60的邊緣外側。同樣的，當第二平坦面79傾斜，使其越向邊緣外側越遠離包含第二方向以及第三方向的面時，通過第二平坦面79的傾斜也有益於能夠防止溶融後的導電性黏合劑流向第二連接體70的邊緣外側。
第二實施方式
接下來，對本發明的第二實施方式進行說明。
在第一實施方式中，第一溝槽部64被配置在第一傾斜面68與第一平坦面69的邊界上，並且第二溝槽部74被配置在第二傾斜面78與第二平坦面79的邊界上。而在本實施方式中，如第10圖至第12圖所示，第一溝槽部64被配置在第一凹部67的邊緣外側，並且第一溝槽部64被配置在第一平坦面69上，第二溝槽部74被配置在第二凹部77的邊緣外側，並且第二溝槽部74被配置在第二平坦面79上。關於本實施方式中的其他結構，由於與第一實施方式相同，因此能夠採用第一實施方式中已進行過說明的的任何一種形態。另外，已在第一實施方式中說明的構件在本實施方式中將使用同一符號來進行說明。
在本實施方式中，為了將第一溝槽部64配置在第一平坦面69上，將第二溝槽部74配置在第二平坦面79上，與第一實施方式中的形態相比，突出部460相對於模具凹部410的邊緣部，位於更邊緣外側的位置上（參照第12圖（c））。
如本實施方式般，當採用第一溝槽部64被配置在第一凹部67的邊緣外側，並且第一溝槽部64被配置在第一平坦面69上的形態的情況下，通過第一凹部67來防止溶融後的導電性黏合劑擴散至邊緣外側的同時，即便是導電性黏合劑流出至第一凹部67的邊緣外側的情況下，也能夠通過第一溝槽部64來防止該導電性黏合劑擴散至邊緣外側。
同樣的，當採用第二溝槽部74被配置在第二凹部77的邊緣外側，並且第二溝槽部74被配置在第二平坦面79上的形態的情況下，通過第二凹部77來防止溶融後的導電性黏合劑擴散至邊緣外側的同時，即便是導電性黏合劑流出至第二凹部77的邊緣外側的情況下，也能夠通過第二溝槽部74來防止該導電性黏合劑擴散至邊緣外側。
第三實施方式
接下來，對本發明的第三實施方式進行說明。
與第一實施方式以及第二實施方式不同，在本實施方式中，第一溝槽部64被配置在第一傾斜面68上，第二溝槽部74被配置在第二傾斜面78上。關於本實施方式中的其他結構，由於與上述各實施方式相同，因此能夠採用上述各實施方式中已進行過說明的的任何一種形態。另外，已在上述各實施方式中說明的構件在本實施方式中將使用同一符號來進行說明。
如實施方式所示，通過第一溝槽部64被配置在第一傾斜面68上，就有益於抑制導電性黏合劑從第一凹部67中流出。同樣的，通過第二溝槽部74被配置在第二傾斜面78上，就有益於抑制導電性黏合劑從第二凹部77中流出。
在以縱截面觀看時，如第13圖所示，第一傾斜面68與第一溝槽部64的內周側的面所形成的角度α1可以小於第一傾斜面68與第一溝槽部64的外周側的面所形成的角度β1。此情況下，由於能夠將第一傾斜面68與第一溝槽部64的內周側的面所形成的角度設置得更小，並加強導電性黏合劑所具有的表面張力，因此就能夠使導電性黏合劑不易在第一溝槽部64內流動，進而有益於防止導電性黏合劑向邊緣外側擴散。
同樣的，如第14圖所示，第二傾斜面78與第二溝槽部74的內周側的面所形成的角度α2可以小於第一傾斜面68與第二溝槽部74的外周側的面所形成的角度β2。此情況下，由於能夠將第二傾斜面78與第二溝槽部74的內周側的面所形成的角度設置得更小，並加強導電性黏合劑所具有的表面張力，因此就能夠使導電性黏合劑不易在第二溝槽部74內流動，進而有益於防止導電性黏合劑向邊緣外側擴散。
另外，在第一實施方式以及第二實施方式中，也可以是第一頭部61的一側面（第一平坦面69或第一傾斜面68）與第一溝槽部64的內周側的面所形成角度小於第一頭部61的一側面與第一溝槽部64的外周側的面所形成角度。同樣的，也可以是第二頭部71的一側面（第二平坦面79或第二傾斜面78）與第二溝槽部74的內周側的面所形成角度小於第二頭部71的一側面與第二溝槽部74的外周側的面所形成角度。
在上述各實施方式中，雖然使用了同一種形態對第一連接體60中第一溝槽部64與第一傾斜面68以及第一平坦面69之間的關係、以及第二連接體70中第二溝槽部74與第二傾斜面78以及第二平坦面79之間的關係進行了說明，但並不僅限於此。例如，也可以是第一連接體60為第一實施方式中的形態，而第二連接體70為第二實施方式或第三實施方式中的形態。也可以是第二連接體70為第一實施方式中的形態，而第一連接體60為第二實施方式或第三實施方式中的形態。還可以將這樣形態任意組合。
第四實施方式
接下來，對本發明的第四實施方式進行說明。
雖然在上述各本實施方式中，使用的是截面呈T字形的第一連接體60，但在本實施方式中，如第16圖所示，具有從第一頭部61向另一側延伸的四個支撐部65（65a-65d）。支撐部65與第一導體層12或第一基板11抵接。關於本實施方式中的其他結構，由於與上述各實施方式相同，因此能夠採用上述各實施方式中已進行過說明的的任何一種形態。另外，已在上述各實施方式中說明的構件在本實施方式中將使用同一符號來進行說明。
雖然在本實施方式是以使用四個支撐部65的形態來進行說明的，但並不僅限於此，也可以使用一個、兩個、三個或五個以上的支撐部65。
在如本實施方式般配置有從第一頭部61延伸的支撐部65的情況下，就能夠防止在第二電子元件23安裝時或安裝後因第二電子元件23的重量導致第一連接體60發生傾斜。另外，通過這樣的支撐部65與第一導體層12或第一基板11抵接，還能夠提高散熱性。特別是當支撐部65與第一導體層12抵接的情況下，有益於進一步提升散熱效果。
在如本實施方式般配置有多個支撐部65的情況下，就能夠更加穩定地來配置第一連接體60，並且有益於實現更高的散熱效果。
支撐部65可以各自在面方向上延伸，並具有與第一基板11或第一導體層12抵接的支撐基端部169（169a-169d）。另外，可以不必在每個支撐部65上都配置支撐基端部169，而是僅在多個支撐部65中的一部分支撐部65上配置支撐基端部169，而其餘的支撐部65上不配置支撐基端部169。
在像這樣配置有支撐基端部169的情況下，就能夠將第一連接體60更穩定得配置在第一基板11或第一導體層12上，並且還能夠通過支撐基端部169來增加與第一基板11或第一導體層12的接觸面積，從而提高散熱效果。
支撐部65可以各自與第一導體層12抵接。當個與支撐部65相連接的第一導體層12不與別的第一導體層12、第二導體層22、第一電子元件13以及第二電子元件23電氣連接從而不發揮電氣功能時，有益於防止第一電子元件13以及第二電子元件23顯示支撐部65導通後出現預料外的運作。
當如本實施方式般使用支撐部65時，如第5圖、第10圖以及第13圖所示，第一頭部61在其邊緣外側具有第一平坦面69是有益的。當第一頭部61的邊緣外側沿第一方向傾斜時，可能無法切實地使支撐部65與第一導體層12或第一基板11抵接。而當第一頭部61在其邊緣外側具有第一平坦面69時，就能夠切實地使支撐部65與第一導體層12或第一基板11抵接，這樣有益於通過支撐部65來實現提升穩定性的效果以及實現提升散熱性的效果。從此觀點來看，第一平坦面69在面方向上的傾斜角度較小則比較理想，第一平坦面69在面方向上的傾斜角度的理想狀態例如小於等於3度。
另外，通過配置第一溝槽部64，有益於使第一平坦面69切實地沿面方向延伸。特別是如第一實施方式般當第一溝槽部64位於第一平坦面69與第一傾斜面68的邊界上時，有益於進一步減小第一平坦面69在面方向上的傾斜角度。另外，如第二實施方式般當第一溝槽部64被配置在第一平坦面69上時，有益於進一步切實的使第一平坦面69在邊緣外側的面方向上的角度比第一溝槽部64更小。
支撐部65可以各自具有從第一頭部61向面方向延伸的面方向支撐部166（166a-166d）、以及從面方向支撐部166向高度方向（第一方向）延伸的高度方向支撐部165（165a-165d）（參照後述的第六實施方式）。另外，面方向支撐部166指的是在寬度方向上的長度比第一頭部61更短的部分。
支撐部65可以不具有面方向支撐部166，而僅具有從第一頭部61向高度方向（第一方向）延伸的高度方向支撐部165。
第五實施方式
接下來，對本發明的第五實施方式進行說明。
雖然在上述各實施方式中，使用了具有第二柱部72且截面呈T字形的第二連接體70，但在本實施方式中，如第17圖所示，第二連接體70具有從第二頭部71向另一側延伸的延伸部75（75a、75b）。關於本實施方式中的其他結構，由於與上述各實施方式相同，因此能夠採用上述各實施方式中已進行過說明的的任何一種形態。另外，已在上述各實施方式中說明的構件在本實施方式中將使用同一符號來進行說明。
雖然在本實施方式中對使用了兩個延伸部75的形態進行說明，但並不僅限於此，也可以使用一個或三個以上的延伸部75。
根據本實施方式，由於配置有延伸部75，因此能夠有效地將來自於第二電子元件23的熱量進行散熱，並通過第二連接體70實現高散熱性。當如本實施方式般配置有多個延伸部75時，有益於實現更高的散熱性。
延伸部75可以各自與第一導體層12抵接。與延伸部75相連接的第一導體層12可以不與別的第一導體層12、第二導體層22、第一電子元件13以及第二電子元件23電氣連接。
延伸部75可以各自在面方向上延伸，並具有與第一基板11或第一導體層12抵接的延伸基端部179（179a、179b）。另外，可以不必在每個延伸部75上都配置延伸基端部179，而是僅在多個延伸部75中的一部分延伸部75上配置延伸基端部179，而其餘的延伸部75上不配置延伸基端部179。
在像這樣配置有延伸基端部179的情況下，就能夠將第二連接體70更平衡地配置在第一基板11或第一導體層12上，並且還能夠通過延伸基端部179來增加與第一基板11或第一導體層12的接觸面積，從而提高散熱效果。
在如本實施方式般採用具有延伸部75的情況下，如第6圖、第11圖以及第14圖所示，第二頭部71在其邊緣外側具有第二平坦面79是有益的。當第二頭部71的邊緣外側沿第一方向傾斜時，可能無法切實地使延伸部75與第一導體層12或第一基板11抵接。而當第二頭部71在其邊緣外側具有第二平坦面79時，就能夠切實地使延伸部75與第一導體層12或第一基板11抵接，這樣有益於通過延伸部75來實現提升穩定性的效果以及實現提升散熱性的效果。從此觀點來看，第二平坦面79在面方向上的傾斜角度較小則比較理想，第二平坦面79在面方向上的傾斜角度的理想狀態例如小於等於3度。
另外，通過配置第二溝槽部74，有益於使第二平坦面79切實地沿面方向延伸。特別是如第一實施方式般當第二溝槽部74位於第二平坦面79與第二傾斜面78的邊界上時，有益於進一步減小第二平坦面79在面方向上的傾斜角度。另外，如第二實施方式般當第二溝槽部74被配置在第二平坦面79上時，有益於進一步切實的使第二平坦面79在邊緣外側的面方向上的角度比第二溝槽部74更小。
通過採用本實施方式，就能夠通過延伸部75來施加將第二基板21推回一側的排斥力。雖然因加熱會對第一基板11以及第二基板21施加產生翹曲變形的力，但通過使用具有多伸部75（特別是多個延伸部75）的第二連接體70，就有益於防止第一基板11以及第二基板21產生翹曲變形。
另外，本實施方式中的延伸部75還具有從第二頭部71向高度方向（第一方向）延伸的高度方向延伸部175（175a、175b）。
第六實施方式
接下來，對本發明的第六實施方式進行說明。
雖然在第四實施方式中配置有支撐部65，在第五實施方式中配置有延伸部75，但也可以同時採用支撐部65以及延伸部75。在本實施方式中，如第18圖至第20圖所示，採用了具有三個支撐部65以及三個延伸部75的形態。關於本實施方式中的其他結構，由於與上述各實施方式相同，因此能夠採用上述各實施方式中已進行過說明的的任何一種形態。另外，已在上述各實施方式中說明的構件在本實施方式中將使用同一符號來進行說明。
如本實施方式所示，延伸部75可以具有從第二頭部71向面方向延伸的面方向延伸部176（176a-176c）、以及從面方向延伸部176向高度方向（第一方向）延伸的高度方向延伸部175（175a-175c）。另外，面方向延伸部176指的是在寬度方向上的大小比第二頭部71更小的部分。
在本實施方式中，在第一連接體60 的一側的面上配置有第一溝槽部64，而在第二連接體70上則未配置有第二溝槽部74。但也不僅限於此形態，也可以是在第二連接體70的一側的面上配置有第二溝槽部74，而在第一連接體60上則未配置有第一溝槽部64。
最後，上述各實施方式、變形例中的記載以及圖式中公開的圖示僅為用於說明申請專利範圍中記載的發明的一例，因此申請專利範圍中記載的發明不受上述實施方式或圖式中公開的內容所限定。本申請最初的申請專利範圍中的記載僅僅是一個示例，可以根據說明書、圖式等的記載對申請專利範圍中的記載進行適宜的變更。
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第一導體層
13‧‧‧第一電子元件
13g‧‧‧第一閘極端子
13s‧‧‧第一源極端子
165、165a、165b、165c、165d‧‧‧高度方向支撐部
166、166a、166b、166c、166d‧‧‧面方向支撐部
169、169a、169b、169c、169d‧‧‧支撐基端部
175、175a、175b‧‧‧高度方向延伸部
176、176a、176b、176c‧‧‧面方向延伸部
179、179a、179b‧‧‧延伸基端部
21‧‧‧第二基板
22‧‧‧第二導體層
23‧‧‧第二電子元件
23g‧‧‧第二閘極端子
23s‧‧‧第二源極端子
300‧‧‧導體板
400‧‧‧模具
410‧‧‧模具凹部
450‧‧‧按壓構件
460‧‧‧突出部
500‧‧‧第一夾具
550‧‧‧第二夾具
560‧‧‧第二夾具凹部
60‧‧‧第一連接體
61‧‧‧第一頭部
62‧‧‧第一柱部
64‧‧‧第一溝槽部
65、65a、65b、65c、65d‧‧‧支撐部
67‧‧‧第一凹部
68‧‧‧第一傾斜面
69‧‧‧第一平坦面
70‧‧‧第二連接體
71‧‧‧第二頭部
72‧‧‧第二柱部
74‧‧‧第二溝槽部
75、75a、75b‧‧‧延伸部
77‧‧‧第二凹部
78‧‧‧第二傾斜面
79‧‧‧第二平坦面
80‧‧‧第三連接體
81‧‧‧第三頭部
82‧‧‧第三柱部
85‧‧‧連接件
90‧‧‧封裝部
95‧‧‧第四連接體
第1圖是可在本發明第一實施方式中使用的電子模組的縱截面圖。 第2圖是可在本發明第一實施方式中使用的電子模組的平面圖。 第3圖（a）是可在本發明第一實施方式中使用的第一連接體的縱截面圖，第3圖（b）是可在本發明第一實施方式中使用的別的第一連接體的縱截面圖。 第4圖（a）是可在本發明第一實施方式中使用的第二連接體的縱截面圖，第4圖（b）是可在本發明第一實施方式中使用的別的第二連接體的縱截面圖。 第5圖是可在本發明第一實施方式中使用的第一連接體的縱截面圖，圖中對第一凹部進行了誇張地展示。 第6圖是可在本發明第一實施方式中使用的第二連接體的縱截面圖，圖中對第二凹部進行了誇張地展示。 第7圖是可在本發明第一實施方式中使用的電子模組的縱截面圖，圖中展示的是與第1圖不同的截面。 第8圖（a）-（c）是可在本發明第一實施方式中使用的第一連接體以及第二連接體的製造步驟的縱截面圖，圖中對第一柱部、第一凹部、第二柱部、第二凹部等進行了誇張的展示。 第9圖（a）-（e）是可在本發明第一實施方式中使用的芯片模組的製造步驟的縱截面圖。 第10圖是可在本發明第二實施方式中使用的第一連接體的縱截面圖，圖中對第一凹部進行了誇張地展示。 第11圖是可在本發明第二實施方式中使用的第二連接體的縱截面圖，圖中對第二凹部進行了誇張地展示。 第12圖（a）-（c）是可在本發明第二實施方式中使用的第一連接體以及第二連接體的製造步驟的縱截面圖，圖中對第一柱部、第一凹部、第二柱部、第二凹部等進行了誇張的展示。 第13圖是可在本發明第三實施方式中使用的第一連接體的縱截面圖，圖中對第一凹部進行了誇張地展示。 第14圖是可在本發明第三實施方式中使用的第二連接體的縱截面圖，圖中對第二凹部進行了誇張地展示。 第15圖（a）-（c）是可在本發明第三實施方式中使用的第一連接體以及第二連接體的製造步驟的縱截面圖，圖中對第一柱部、第一凹部、第二柱部、第二凹部等進行了誇張的展示。 第16圖是可在本發明第四實施方式中使用的電子模組的平面圖。 第17圖是可在本發明第五實施方式中使用的電子模組的縱截面圖。 第18圖是可在本發明第六實施方式中使用的電子模組的斜視圖。 第19圖是可在本發明第六實施方式中使用的電子模組的平面圖。 第20圖是可在本發明第六實施方式中使用的電子模組的側面圖。

Claims (7)

  1. 一種電子模組，其包括： 第一電子元件； 第一連接體，配置在該第一電子元件的一側，並且具有向另一側延伸的第一柱部、以及配置在一側的面上的第一溝槽部；以及 第二電子元件，通過配置在該第一溝槽部的邊緣內側的導電性黏合劑配置在該第一連接體的一側，其中，該第一連接體在與一側的該第一柱部相對應的位置上具有第一凹部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中該第一連接體的該一側的面具有第一傾斜面、以及配置在該第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，該第一溝槽部配置在該第一傾斜面與該第一平坦面之間的邊界上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中該第一連接體的該一側的面具有第一傾斜面、以及配置在該第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，該第一溝槽部配置在該第一平坦面上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中該第一連接體的該一側的面具有第一傾斜面、以及配置在該第一傾斜面的邊緣外側的第一平坦面，該第一溝槽部配置在該第一傾斜面上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電子模組，其中在以縱截面觀看時，該第一傾斜面與該第一溝槽部的內周側的面所形成的角度小於該第一傾斜面與該第一溝槽部的外周側的面所形成的角度。
  6. 一種連接體的製造方法，其包括： 將導體板載置在具有模具凹部的模具上的步驟； 在將該導體板向該模具按壓後，將對應該模具凹部的第一柱部形成在該導體板的另一側，並且在該導體板的一側的與該第一柱部相對應的位置上形成第一凹部的步驟；以及 通過將具有突出部的構件向該導體板的一側按壓，從而在該導體板的一側的面上形成第一溝槽部的步驟。
  7. 一種電子模組的製造方法，其包括： 將申請專利範圍第6項所述之連接體載置在第一電子元件上的步驟；以及 將第二電子元件通過導電性黏合劑載置在該連接體上的步驟，其中，該導電性黏合劑被配置在該第一溝槽部的邊緣內側。
TW107114881A 2017-05-19 2018-05-02 電子模組以及電子模組的製造方法 TWI669804B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/018823 WO2018211683A1 (ja) 2017-05-19 2017-05-19 電子モジュール、接続体の製造方法及び電子モジュールの製造方法
??PCT/JP2017/018823 2017-05-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201901919A true TW201901919A (zh) 2019-01-01
TWI669804B TWI669804B (zh) 2019-08-21

Family

ID=63207816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107114881A TWI669804B (zh) 2017-05-19 2018-05-02 電子模組以及電子模組的製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11437340B2 (zh)
JP (1) JP6402281B1 (zh)
CN (1) CN109314087B (zh)
NL (1) NL2020928B1 (zh)
TW (1) TWI669804B (zh)
WO (1) WO2018211683A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110246835B (zh) * 2019-05-22 2020-08-18 西安交通大学 一种三维集成高压碳化硅模块封装结构
JP7438071B2 (ja) 2020-09-15 2024-02-26 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3902189A (en) 1974-04-10 1975-08-26 Hunt Electronics Prefabricated article and methods of maintaining the orientation of parts being bonded thereto
JPH02249257A (ja) 1989-03-22 1990-10-05 Nec Corp 半導体装置用パッケージ
JPH04142042A (ja) 1990-10-02 1992-05-15 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04196574A (ja) 1990-11-28 1992-07-16 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム
JPH0536842U (ja) 1991-08-27 1993-05-18 京セラ株式会社 電子部品収納用パツケージ
JPH0637122A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Hitachi Ltd 半導体装置
KR100543836B1 (ko) 1997-08-19 2006-01-23 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 멀티칩 모듈 구조체 및 그 제작 방법
JP2000124384A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びそれに用いるリードフレーム並びに半導体装置の製造方法
US6401765B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Texas Instruments Incorporated Lead frame tooling design for exposed pad features
KR20040093384A (ko) 2002-02-28 2004-11-05 로무 가부시키가이샤 발광다이오드 램프
US6841858B2 (en) * 2002-09-27 2005-01-11 St Assembly Test Services Pte Ltd. Leadframe for die stacking applications and related die stacking concepts
JP2004296886A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレームのダウンセット加工装置およびダウンセット加工方法、ならびにリードフレーム
US7795053B2 (en) * 2004-03-24 2010-09-14 Hitachi Cable Precision Co., Ltd Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device
JP2006032774A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Denso Corp 電子装置
JP4590961B2 (ja) 2004-07-20 2010-12-01 株式会社デンソー 電子装置
JP2010062365A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP5388661B2 (ja) 2009-04-03 2014-01-15 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
US8513784B2 (en) * 2010-03-18 2013-08-20 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Multi-layer lead frame package and method of fabrication
US8492884B2 (en) 2010-06-07 2013-07-23 Linear Technology Corporation Stacked interposer leadframes
US20130093072A1 (en) 2011-10-13 2013-04-18 Stmicroelectronics Pte Ltd. Leadframe pad design with enhanced robustness to die crack failure
JP2014045157A (ja) 2012-08-29 2014-03-13 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体モジュール
US9437520B2 (en) * 2013-03-13 2016-09-06 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device including a semiconductor element and a fixed member to which the semiconductor element is fixed
JP6086055B2 (ja) 2013-11-26 2017-03-01 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2016067383A1 (ja) 2014-10-29 2016-05-06 新電元工業株式会社 放熱構造
KR101631232B1 (ko) 2014-12-15 2016-06-27 제엠제코(주) 클립을 이용한 적층 패키지
EP3104411A4 (en) 2015-04-28 2017-12-06 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module
JP6485398B2 (ja) * 2016-04-13 2019-03-20 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109314087B (zh) 2022-08-02
US11437340B2 (en) 2022-09-06
US20200273833A1 (en) 2020-08-27
JPWO2018211683A1 (ja) 2019-06-27
TWI669804B (zh) 2019-08-21
WO2018211683A1 (ja) 2018-11-22
JP6402281B1 (ja) 2018-10-10
CN109314087A (zh) 2019-02-05
NL2020928B1 (en) 2019-03-14
NL2020928A (en) 2018-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6732118B2 (ja) 電子モジュール及び電子モジュールの製造方法
JP5928485B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012164763A (ja) ヒートシンク付き半導体パッケージの製造方法及び当該ヒートシンク
TWI430717B (zh) 基板結構、半導體裝置陣列及其半導體裝置
TWI669804B (zh) 電子模組以及電子模組的製造方法
JP2018113359A (ja) 半導体装置
TWI683373B (zh) 電子模組
JP6834815B2 (ja) 半導体モジュール
TWI667949B (zh) 晶片模組的製造方法
JP2006210566A (ja) 半導体装置
TWI690954B (zh) 電子模組、引線框以及電子模組的製造方法
TWI680561B (zh) 電子模組
JP2020092229A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法及びクリップリード
TW200945629A (en) Reflective light-emitting diode
TWI706703B (zh) 電子模組
TW201911529A (zh) 電子模組
JP7222998B2 (ja) 電子モジュール
JP2007043098A (ja) パワー半導体モジュール
JP2004319692A (ja) 電子回路基板