TW201840415A - 阻氣性薄膜及密封體 - Google Patents

Abstract

本發明之阻氣性薄膜係具有以剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層順序層合而成之層合體之阻氣性薄膜，前述接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物所形成之層。

Description

阻氣性薄膜及密封體

本發明係關於阻氣性薄膜及被密封物以該阻氣性薄膜密封而成之密封體。

近年來，有機EL元件作為藉由低電壓直流驅動可高亮度發光之發光元件而受到注目。惟，有機EL元件中，隨著時間的經過的同時，容易有發光亮度、發光效率、發光均一性等之發光特性降低的問題。 　　有機EL元件所代表之隨著時間之性能劣化的問題，這是一般適用於近年來引起關注的電子構件或光學構件的問題。作為此原因，認為是於電子構件或光學構件的內部浸入氧或水分等，而引起性能劣化。 　　而且，作為對此原因之解決方法，提案幾個以具有層構成之阻氣性的密封材料，來密封作為被密封物之電子構件或光學構件等之方法。

例如專利文獻1中，揭示有具有剝離薄片/保護層/阻氣層/黏著劑層/剝離薄片之層構成的阻氣性黏著薄片作為密封材料。這般構成之阻氣性黏著薄片的發明係根據提供具有阻氣層之轉印用層合體的思想者(專利文獻1之段落0004)。亦即，若為轉印用層合體，由於將黏著劑層貼合在被密封物，然後去除剝離薄片，至阻氣性構件適用在被密封物為止，剝離薄片作為該支持體進行機能，由於保護層不需要具有作為支持體之機能，故保護層之材質的選擇幅度廣大。這般轉印用層合體中，雖黏著劑層或接著劑層不可欠缺，但專利文獻1中作為形成黏著劑層之黏著劑，記載有丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚矽氧系黏著劑。

又，專利文獻2中，揭示具有硬化樹脂層/阻氣層/接著劑層之層構成的阻氣薄膜有作為密封材料。有關專利文獻2之發明，亦揭示於硬化樹脂層層合步驟薄片之形態(參照專利文獻2之段落0138)，此時之阻氣薄膜與專利文獻1相同可作為轉印用層合體使用。使用有關專利文獻2之發明的硬化樹脂層之阻氣薄膜，係耐熱性、耐溶劑性、層間密著性、阻氣性優異，且雙折射率低，光學各向同性優異(專利文獻2之段落0007)。專利文獻2中，作為形成接著劑層之材料，記載有丙烯酸系、聚矽氧系、橡膠系等之接著劑或黏著劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] WO2013/018602號 　　[專利文獻2] WO2013/065812號

[發明欲解決之課題]

藉由專利文獻1及專利文獻2所揭示之密封材料，雖認為採用所謂轉印用層合體之形態的優勢，但長期來看，針對保持對於被密封物之優異密封性能(防止因來自外界之作用導致對於被密封物之損害的性能)，尚有改善的餘地。

因此，本發明為解決上述課題而完成者，針對轉印用層合體的形態之阻氣性薄膜，提供一種長期來看，適當保持被密封物所具有之最初性能，對於被密封物之密封性能優異之阻氣性薄膜，同時提供一種被密封物以該阻氣性薄膜密封而成之密封體作為目的。 [用以解決課題之手段]

本發明者鑑於上述課題經努力研究的結果，發現藉由將接著劑層由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物形成，長期來看，適當保持被密封物所具有之最初性能，對於被密封物之密封性能優異，而終至完成本發明。 　　亦即，本發明係如以下。

[1] 一種阻氣性薄膜，其係具有依剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合而成之層合體的阻氣性薄膜，其特徵為前述接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物所形成之層。 　　[2] 如前述[1]所記載之阻氣性薄膜，其中，前述聚烯烴系樹脂(A)包含改質聚烯烴系樹脂(A1)。 　　[3] 如前述[1]或[2]所記載之阻氣性薄膜，其中，前述熱硬化性成分(B)包含熱硬化性環氧樹脂(B1)。 　　[4] 如前述[1]～[3]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述接著劑層係直接層合在前述阻氣層而成。 　　[5] 如前述[1]～[4]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述接著劑層係透過密著性增強層層合在前述阻氣層而成。 　　[6] 如前述[1]～[5]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層係由含有能量線硬化性成分之基底層用組成物所形成之層。 　　[7] 如前述[1]～[6]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層係由進一步含有熱塑性樹脂之基底層用組成物所形成之層。 　　[8] 如前述[7]所記載之阻氣性薄膜，其中，前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上。 　　[9] 如前述[1]～[8]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層的厚度為0.1～10μm。 　　[10] 如[1]～[9]中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述阻氣層係含有聚矽氮烷系化合物，且進行改質處理所形成之層。 　　[11] 一種密封體，其係被密封物以如前述[1]～[10]中任一項之阻氣性薄膜密封而成，該被密封物係選自由有機EL元件、有機EL顯示器元件、無機EL元件、無機EL顯示器元件、電子紙元件、液晶顯示器元件及太陽能電池元件所構成之群組中之至少1種。 　　[12] 一種密封體之製造方法，其係具備使如請求項1～10中任一項之阻氣性薄膜所具有之接著劑層接著在被密封物之步驟、與從前述阻氣性薄膜剝離前述剝離薄片之步驟。 [發明的效果]

根據本發明，針對轉印用層合體的形態即阻氣性薄膜，可提供一種長期來看，適當保持被密封物所具有之最初性能，對於被密封物之密封性能優異之阻氣性薄膜，同時可提供一種被密封物以該阻氣性薄膜密封而成之密封體。

[阻氣性薄膜] 　　本發明之阻氣性薄膜係具有依剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合而成之層合體，前述接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物所形成之層。 　　尚，於此所謂「阻氣性」，係指防止氧或水蒸氣等之氣體的透過之特性。

本發明之阻氣性薄膜若為依剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合所構成者，雖並未特別限定，但接著劑層可直接層合在阻氣層上，亦可於阻氣層上透過密著性增強層進行層合。

作為本發明之阻氣性薄膜所具有之層構成，例如可列舉具有以任意層合在接著劑層之第2剝離薄片，以下所示之態樣。 　　‧第1剝離薄片/基底層/阻氣層/接著劑層/第2剝離薄片 　　‧第1剝離薄片/基底層/阻氣層/密著性增強層/接著劑層/第2剝離薄片 　　在前述之層構成的態樣，所謂第1剝離薄片與第2剝離薄片，可為相同亦可為相異者。 　　前述之層構成之態樣，以表示將阻氣性薄膜作為密封材料使用之前的狀態者使用時，通常剝離去除第2剝離薄片，使露出之接著劑層的面、與被密封物接著，而得到密封體。 　　又，使密封材料之接著劑層的面與被密封物的面接著後，通常剝離去除第1剝離薄片，使樹脂層露出，可成為以下所示之層構成。 　　‧基底層/阻氣層/接著劑層 　　‧基底層/阻氣層/密著性增強層/接著劑層 　　本發明之阻氣性薄膜即使不具有基材，第1剝離薄片至剝離去除為止之間，作為阻氣性薄膜之支持體或保護構件進行機能。

[層合體] 　　本發明之層合體係以剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合而構成，將接著劑層由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物形成。 　　構成本發明之阻氣性薄膜之層合體的水蒸氣透過率較佳為5.0g/m² /day以下，更佳為0.5g/m² /day以下，再更佳為5×10^-2 (g/m² /day)以下，又再更佳為5×10^-3 (g/m² /day)以下。 　　在本發明，藉由上述層合體之水蒸氣透過率為上述範圍，得到防止氧或水蒸氣等之氣體的透過之效果高且具有優異之阻氣性的阻氣性薄膜。 　　於此所謂「水蒸氣透過率」，雖係指使用水蒸氣透過率測定裝置，以40℃、相對濕度90%的高溫高濕環境下所測定之值，但更具體之測定方法係根據後述之實施例的方法。尚，本發明之阻氣性薄膜雖較佳為適用在被密封物後，剝離去除第1剝離薄片，但通常由於剝離薄片之水蒸氣透過率與阻氣層之水蒸氣透過率相比較非常高，故認為直接殘留第1剝離薄片所測定之層合體的水蒸氣透過率，是反映從層合體去除第1剝離薄片，形成在被密封物上之膜狀體的阻氣性能。因此，在本發明之阻氣性薄膜的水蒸氣透過率如後述之實施例所示，為了維持阻氣性薄膜的自主性，成為直接殘留第1剝離薄片所測定之數值。

[接著劑層] 　　本發明者們將具有通常之接著劑層之阻氣性薄膜作為密封材料使用，作為促進試驗，將以該密封材料密封被密封物而成之密封體於高溫高濕的環境下長時間曝露時，得到使被密封物所具有之最初性能劣化的卓見。 　　該理由被認為係起因於密封材料之接著劑層與被密封物的接著面之接著性低落，於密封材料之接著劑層與被密封物之間產生部分性剝離，從此部分性剝離之間隙侵入氧或水蒸氣等之氣體，對被密封物帶來不良影響。 　　因此，本發明者們，針對長期來看、密封材料之接著劑層與被密封物的接著面之接著性的降低少，且接著強度優異之接著劑層的形成材料進行研究。 　　本發明者們重複研究的結果發現，藉由將接著劑層由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物形成，長期來看在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面維持優異之接著性。

接著劑層的厚度較佳為0.5～300μm，更佳為3～200μm，再更佳為5～150μm，又再更佳為5～80μm。 　　藉由上述接著劑層的厚度為上述範圍，將阻氣性薄膜作為密封材料使用時，變成容易適合使用。

(接著劑組成物) 　　本發明之接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物形成。 　　藉此，可提高接著劑層之水蒸氣遮斷性，提昇密封性能的同時，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面得到優異之接著強度，進而在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面長期間維持優異之接著性。因此，適合保持被密封物所具有之最初性能，得到對於被密封物之密封性能優異之阻氣性薄膜。 　　以下，針對適合作為接著劑層之形成材料之接著劑組成物所包含之各成分進行描述。

＜聚烯烴系樹脂(A)＞ 　　本發明之接著劑組成物包含聚烯烴系樹脂(A)。 　　藉此，接著劑層之水蒸氣透過率降低，阻氣性薄膜係水分遮斷性優異。 　　於此所謂「聚烯烴系樹脂」，係指具有源自烯烴系單體之重複單位之聚合物。

作為烯烴系單體，較佳為碳數2～8之α-烯烴，其中，較佳為乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯。 　　尚，聚烯烴系樹脂可具有2種以上源自α-烯烴之單位。又，聚烯烴系樹脂可為僅由源自烯烴系單體之重複單位所構成之聚合物，亦可為由源自烯烴系單體之重複單位、和源自可與烯烴系單體共聚合之單體之重複單位所構成之聚合物。作為可與烯烴系單體共聚合之單體，例如可列舉乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯等。

作為聚烯烴系樹脂(A)，例如可列舉超低密度聚乙烯(VLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚異丁烯、聚異戊二烯等。

作為前述之聚烯烴系樹脂(A)，較佳為包含改質聚烯烴系樹脂(A1)。藉此，接著劑層進而成為接著強度優異者。 　　於此所謂「改質聚烯烴系樹脂(A1)」，係指作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)與改質劑進行反應，於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入改質劑所具有之官能基的聚合物。 　　尚，改質劑可於分子內具有2種以上之官能基。

作為改質劑所具有之官能基，且可於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入之官能基，例如可列舉羧基、源自羧酸酐之基、羧酸酯基、羥基、環氧基、醯胺基、銨基、腈基、胺基、醯亞胺基、異氰酸酯基、乙醯基、硫醇基、醚基、硫醚基、碸基、膦醯基(Phosphono)、硝基、胺基甲酸酯基、鹵素原子、烷氧基矽烷基等。 　　此等之官能基當中，較佳為羧基、源自羧酸酐之基、羧酸酯基、羥基、銨基、胺基、醯亞胺基、異氰酸酯、烷氧基矽烷基，其中，較佳為源自羧酸酐之基。

(酸改質聚烯烴系樹脂) 　　作為改質聚烯烴系樹脂，可列舉酸改質聚烯烴系樹脂、矽烷改質聚烯烴系樹脂。 　　此等當中，從與熱硬化性成分(B)之反應性高的觀點來看，較佳為酸改質聚烯烴系樹脂。

於此所謂「酸改質聚烯烴系樹脂」，係指作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)與具有酸基之化合物進行反應，於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入酸基的聚合物。 　　尚，於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入具有酸基之化合物的酸基之方法及條件，可採用周知之側鏈的導入手法。

作為具有酸基之化合物，若為可於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)導入側鏈者，雖並未特別限定，但較佳可列舉不飽和羧酸及其酸酐。 　　作為不飽和羧酸及其酸酐，例如可列舉馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、戊二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降莰烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。此等之不飽和羧酸及其酸酐可1種單獨，或組合2種以上使用。 　　此等之不飽和羧酸及其酸酐當中，由於容易得到接著強度更為優異之接著劑組成物，故較佳為馬來酸酐。

作為酸改質聚烯烴系樹脂，亦可使用市售品。 　　作為市售品之酸改質聚烯烴系樹脂，例如可列舉ADMER(註冊商標)(三井化學公司製)、UNISTOLE(註冊商標)(三井化學公司製)、BondyRam(Polyram公司製)、orevac(註冊商標)(ARKEMA公司製)、Modic(註冊商標)(三菱化學公司製)等。

具有與作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)進行反應之酸基之化合物的摻合量，相同於作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)100質量份，較佳為0.1～5質量份，更佳為0.2～3質量份，再更佳為0.2～1.0質量份。 　　藉由具有上述酸基之化合物的摻合量為上述範圍，接著劑組成物係接著強度更優異。

(矽烷改質聚烯烴系樹脂) 　　於此所謂「矽烷改質聚烯烴系樹脂」，係指作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)與具有矽烷基之化合物進行反應，於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入矽烷基的聚合物。 　　尚，於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入具有矽烷基之化合物的矽烷基之方法及條件，可採用周知之側鏈的導入手法。

作為具有矽烷基之化合物，若為可於作為主鏈之聚烯烴系樹脂(A)作為側鏈導入者，雖並未特別限定，但較佳可列舉不飽和矽烷化合物。 　　作為不飽和矽烷化合物，較佳為乙烯矽烷化合物，例如可列舉乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙氧基矽烷、乙烯三丙氧基矽烷、乙烯三異丙氧基矽烷、乙烯三丁氧基矽烷、乙烯三戊氧基矽烷、乙烯三苯氧基矽烷、乙烯三苄基氧基矽烷、乙烯三亞甲基二氧基矽烷、乙烯三乙烯二氧基矽烷、乙烯丙醯基氧基矽烷、乙烯三乙醯氧基矽烷、乙烯三羧基矽烷等。此等之不飽和矽烷化合物可1種單獨，或組合2種以上使用。

作為具體之矽烷改質聚烯烴系樹脂，例如可列舉矽烷改質聚乙烯樹脂、矽烷改質乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，其中，較佳為矽烷改質低密度聚乙烯、矽烷改質超低密度聚乙烯、矽烷改質直鏈狀低密度聚乙烯等之矽烷改質聚乙烯樹脂。

作為矽烷改質聚烯烴系樹脂，亦可使用市售品。 　　作為市售品之矽烷改質聚烯烴系樹脂，例如雖可列舉LINKLON(註冊商標)(三菱化學公司製)等，但LINKLON當中，較佳為低密度聚乙烯系之LINKLON、直鏈狀低密度聚乙烯系之LINKLON、超低密度聚乙烯系之LINKLON、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系之LINKLON。

與作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)反應之具有矽烷基之化合物的摻合量，相同於作為前驅物之聚烯烴系樹脂(A)100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.3～7質量份，再更佳為0.5～5質量份。 　　藉由上述具有矽烷基之化合物的摻合量為上述範圍，含有所得之矽烷改質聚烯烴系樹脂的接著劑組成物係接著強度更優異。

聚烯烴系樹脂(A)的重量平均分子量(Mw)較佳為10,000～2,000,000，更佳為20,000～1,500,000，再更佳為25,000～250,000，又再更佳為30,000～150,000。 　　藉由上述重量平均分子量(Mw)為上述範圍，即使接著劑組成物中之聚烯烴系樹脂(A)的含量多時，亦容易維持由接著劑組成物所形成之薄片的形狀。 　　於此所謂「重量平均分子量(Mw)」，係指將四氫呋喃作為溶劑，使用凝膠滲透層析進行標準聚乙烯換算所求得之值。

聚烯烴系樹脂(A)可僅由改質聚烯烴系樹脂(A1)所構成，亦可由改質聚烯烴系樹脂(A1)與非改質之聚烯烴系樹脂所構成。 　　改質聚烯烴系樹脂(A1)的含量，相對於前述之聚烯烴系樹脂(A)的全量(100質量%)，較佳為50～100質量%，更佳為65～100質量%，再更佳為80～100質量%，又再更佳為90～100質量%。 　　藉由上述改質聚烯烴系樹脂(A1)的含量為上述範圍，接著劑組成物係接著強度更優異。

聚烯烴系樹脂(A)的含量相對於前述之接著劑組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為30～95質量%，更佳為45～90質量%，再更佳為50～85質量%。 　　於此所謂「接著劑組成物之有效成分」，係指去除接著劑組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述聚烯烴系樹脂(A)的含量為上述範圍，使接著劑組成物接著強度更優異。

＜熱硬化性成分(B)＞ 　　本發明之接著劑組成物含有熱硬化性成分(B)。 　　藉此，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面容易得到優異之接著強度。 　　於此所謂「熱硬化性成分(B)」，係指加熱時成為網狀構造，硬化成不溶不熔的狀態之成分。

作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉熱硬化性環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、馬來醯亞胺樹脂等。 　　作為前述之熱硬化性成分(B)，較佳為包含熱硬化性環氧樹脂(B1)。 　　於此所謂「熱硬化性環氧樹脂(B1)」，係指加熱時成為網狀構造，硬化成不溶不熔的狀態之環氧化合物。 　　進而，作為前述之熱硬化性環氧樹脂(B1)，較佳為包含多官能環氧樹脂(B2)。 　　於此所謂「多官能環氧樹脂(B2)」，係指於分子內至少具有2個以上環氧基之化合物。

作為多官能環氧樹脂(B2)，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面，由於變成更容易得到優異之接著強度，故較佳為於分子內具有2個環氧基之2官能環氧樹脂。 　　作為2官能環氧樹脂，例如可列舉雙酚A二環氧丙基醚、雙酚F二環氧丙基醚、雙酚S二環氧丙基醚、溴化雙酚A二環氧丙基醚、溴化雙酚F二環氧丙基醚、溴化雙酚S二環氧丙基醚、酚醛清漆型環氧樹脂(例如酚‧酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚‧酚醛清漆型環氧樹脂、溴化酚‧酚醛清漆型環氧樹脂)等之芳香族環氧化合物；氫化雙酚A二環氧丙基醚、氫化雙酚F二環氧丙基醚、氫化雙酚S二環氧丙基醚等之脂環式環氧化合物；季戊四醇聚環氧丙基醚、1,6-己烷二醇二環氧丙基醚、六氫鄰苯二甲酸二環氧丙基酯、新戊二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷聚環氧丙基醚、2,2-雙(3-環氧丙基-4-環氧丙氧基苯基)丙烷、二羥甲基三環癸烷二環氧丙基醚等之脂肪族環氧化合物；等。此等之2官能環氧樹脂可1種單獨，或組合2種以上使用。

熱硬化性成分(B)的含量相對於前述之接著劑組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為5～50質量%，更佳為5～40質量%，再更佳為10～30質量%。 　　於此所謂「接著劑組成物之有效成分」，係指去除接著劑組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述熱硬化性成分(B)的含量為上述範圍，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面，變容易維持優異之接著性。

在前述接著劑組成物中之熱硬化性成分(B)的含量，相對於聚烯烴系樹脂(A)100質量份，較佳為5～110質量份，更佳為10～100質量份。熱硬化性成分(B)的含量為此範圍內時，由接著劑組成物所形成之接著劑層係水蒸氣遮斷性更為優異。

＜硬化觸媒(C)＞ 　　本發明之接著劑組成物從變容易得到接著強度更高之接著劑層的觀點來看，較佳為進一步含有硬化觸媒(C)。 　　於此所謂「硬化觸媒(C)」，係指使熱硬化性成分(B)硬化之觸媒。

作為硬化觸媒(C)，從適合進行熱硬化性成分(B)之硬化的觀點來看，較佳為咪唑系硬化觸媒。 　　作為咪唑系硬化觸媒，例如可列舉2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等。此等之咪唑系硬化觸媒可1種單獨，或組合2種以上使用。 　　此等之咪唑系硬化觸媒當中，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑。

接著劑組成物所含有之硬化觸媒(C)的含量，相對於熱硬化性成分(B)100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.5～5質量份。 　　藉由上述硬化觸媒(C)的含量為上述範圍，接著劑層即使在高溫時亦具有優異之接著性。

＜矽烷偶合劑(D)＞ 　　本發明之接著劑組成物可進一步含有矽烷偶合劑(D)。 　　藉此，在常溫及高溫環境下之接著強度成為更為優異者。 　　於此所謂「矽烷偶合劑(D)」，係指於分子內具有2種以上不同之反應基的有機矽化合物。

作為矽烷偶合劑(D)，從得到優異接著強度的觀點來看，較佳為於分子內至少具有1個烷氧基矽烷基之有機矽化合物。 　　作為如此之矽烷偶合劑，例如可列舉乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等之含有聚合性不飽和基之矽化合物；3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、8-環氧丙氧基辛基三甲氧基矽烷等之具有環氧構造之矽化合物；3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等之含有胺基之矽化合物；3-氯丙基三甲氧基矽烷；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷；等。此等之矽烷偶合劑可1種單獨，或組合2種以上使用。

接著劑組成物所含有之矽烷偶合劑(D)的含量，相對於聚烯烴系樹脂(A)100質量份，較佳為0.01～5.0質量份，更佳為0.05～1.0質量份。 　　藉由上述矽烷偶合劑(D)的含量為上述範圍，即使被長時間曝露於高溫高濕的環境下的情況，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面，亦變容易維持優異之接著性。

(溶劑) 　　接著劑組成物加入溶劑成為溶液的形態，將接著劑層藉由塗佈形成時，從容易將接著劑組成物調整成適合塗佈之性狀的觀點來看較佳。 　　作為溶劑，例如可列舉苯、甲苯等之芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等之酮系溶劑；n-戊烷、n-己烷、n-庚烷等之脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環己烷等之脂環式烴系溶劑；等。 　　此等當中，較佳為酮系溶劑，其中，較佳為二甲基乙基酮。

接著劑組成物的調製所使用之溶劑的使用量，固形分濃度以成為較佳為8～48質量%，更佳為8～38質量%，再更佳為8～28質量%的方式使用即可。

(其他成分) 　　接著劑組成物除了前述之聚烯烴系樹脂(A)、前述之熱硬化性成分(B)、前述之硬化觸媒(C)、前述之矽烷偶合劑(D)、前述之溶劑之外，於不損害本發明之硬化得範圍，可進一步含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉紫外線吸收劑、防靜電劑、光安定劑、抗氧化劑、樹脂安定劑、填充劑、顏料、增量劑、軟化劑、黏著賦予劑等。

[基底層] 　　本發明之阻氣性薄膜藉由具有基底層，可抑制阻氣層的損傷或劣化的同時，可效率良好地剝離去除剝離薄片。 　　基底層較佳為直接層合在剝離薄片上。 　　又，基底層為介在剝離薄片與阻氣層之間者。

基底層的厚度較佳為0.1～10μm，更佳為0.5～5μm。 　　藉由上述基底層的厚度為上述範圍，容易抑制阻氣層的損傷或劣化，同時可輕易效率良好地剝離去除剝離薄片。基底層為薄至0.1～10μm左右者時，阻氣性薄膜全體得厚度亦變容易調整在較小得範圍，適合在有機EL元件等之電子裝置等之要求小型化之用途。將阻氣性薄膜由基材與阻氣層構成時，將基材成為這般薄的厚度時，有阻氣性薄膜的操作變困難的情況。於本發明，由於在與基底層之阻氣層層合之側相反側存在剝離薄片，消除操作性的問題。而且，由於剝離薄片通常於被密封物適用阻氣性薄膜後去除，故可將源自殘留在密封體之阻氣性薄膜之構件成為較薄者。 　　將基底層成為較薄者時，亦有因其用途，將基底層的厚度成為1～20μm為較佳的情況，又，此情況，更佳為基底層的厚度為3～15μm。

與基底層之剝離薄片接觸側之基底層，或是在與基底層之剝離薄片接觸側相反側之基底層在個別的表面之粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)，較佳為1～300nm，更佳為1～200nm，再更佳為2～150nm。 　　基底層之最大剖面高度(Rt)可藉由使用光干涉顯微鏡，觀察基底層的表面進行測定。例如於阻氣性薄膜之製造步驟，於剝離薄片上形成基底層時，可將露出之基底層的表面作為測定對象。 　　藉由上述最大剖面高度(Rt)為上述範圍，可一邊適當地保護阻氣層，可一邊效率良好地輕易剝離去除剝離薄片。 　　尚，上述最大剖面高度(Rt)可藉由調整後述之無機填料的平均粒徑或含量，成為上述範圍。

(基底層用組成物) 　　本發明之基底層較佳為由含有能量線硬化性成分之基底層用組成物形成。又，基底層用組成物為包含熱塑性樹脂亦佳。 　　藉此，變成容易抑制阻氣層的損傷或劣化，同時可效率良好地輕易剝離去除剝離薄片。 　　以下，針對適合作為基底層之形成材料的基底層用組成物中所包含之各成分進行描述。

＜熱塑性樹脂＞ 　　基底層用組成物藉由含有熱塑性樹脂，變成容易得到具有適度柔軟性之基底層。 　　於此所謂「熱塑性樹脂」，係指藉由加熱進行熔融或軟化，將此冷卻時具有固化之性質的樹脂。

作為熱塑性樹脂，例如雖可列舉具有芳香族環構造之樹脂、具有脂環式構造等之環構造之樹脂，但較佳為具有芳香族環構造之樹脂。 　　作為具有芳香族環構造之樹脂，例如較佳為聚碸系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、脂環式烴系樹脂，其中，較佳為聚碸系樹脂。尚，聚碸系樹脂可為改質聚碸系樹脂。 　　於此所謂「聚碸系樹脂」，係指由於主鏈中具有碸基(-SO₂ -)之高分子化合物所構成之樹脂。 　　作為聚碸系樹脂，可列舉由具有下述之(a)～(h)表示之重複單位之高分子化合物所構成之樹脂。 　　此等當中，作為聚碸系樹脂，較佳為聚醚碸樹脂、聚碸樹脂，其中，更佳為聚碸樹脂。

熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為140℃以上，更佳為160℃以上，再更佳為180℃以上。 　　於此所謂「玻璃轉移溫度(Tg)」，係指藉由黏彈性測定(以頻率11Hz、昇溫速度3℃/分鐘於0～250℃的範圍藉由拉伸模式測定)所得之tanδ(損失彈性率/儲藏彈性率)之最大點的溫度。 　　藉由上述玻璃轉移溫度(Tg)為上述範圍，變成容易形成耐熱性優異之基底層。

熱塑性樹脂的重量平均分子量(Mw)通常為100,000～3,000,000，較佳為200,000～2,000,000，更佳為500,000～2,000,000。 　　又，熱塑性樹脂之分子量分布(Mw/Mn)較佳為1.0～5.0，更佳為2.0～4.5。 　　於此所謂「重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)」，係指藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算之值。

熱塑性樹脂的含量，相對於前述之基底層用組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為30～90質量%，更佳為40～80質量%，再更佳為50～70質量%。 　　尚，於此所謂「基底層用組成物之有效成分」，係指去除基底層用組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述熱塑性樹脂的含量為上述範圍，變成容易得到具備適度之柔軟性與強度的阻氣性薄膜。

(能量線硬化性成分) 　　藉由基底層為由包含能量線硬化性成分之基底層用組成物所形成，尤其是有得到透明性高，且雙折射率低，光學各向同性高之阻氣性薄膜的優勢。得到阻氣性薄膜時，使用一般之聚酯系基材等時，光學各向異性高，適用在顯示器等時之光提取性劣化。另外，雖亦存在環烯烴聚合物等之光學各向同性高之基材，但亦有操作困難，難以改善製造適性的情況。藉由由包含能量線硬化性成分之基底層用組成物形成基底層，可簡便地得到光學各向同性高之阻氣性薄膜。此外，基底層用組成物，亦可列舉藉由含有能量線硬化性成分，變成容易得到耐溶劑性優異之基底層的優勢。

所謂能量線硬化性成分，係指藉由照射電子束、紫外線等之能量線，或加熱，開始硬化反應，而變化成硬化物之樹脂。該能量線硬化性成分通常為將聚合性化合物作為主成分之混合物。 　　又，所謂該聚合性化合物，為具有能量線聚合性官能基之化合物。作為該能量線聚合性官能基，例示有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、苯乙烯基等之乙烯性不飽和基。

作為聚合性化合物，例如可列舉(甲基)丙烯酸酯衍生物，作為(甲基)丙烯酸酯衍生物之具體例，例如可列舉三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-丙烯醯基氧基乙氧基)苯基]茀等。

(甲基)丙烯酸酯衍生物的分子量通常為3000以下，較佳為200～2000，更佳為200～1000。

能量線硬化性成分作為聚合性化合物，可包含寡聚物。作為該寡聚物，可列舉聚酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧丙烯酸酯系寡聚物、胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物、多元醇丙烯酸酯系寡聚物等。又，能量線硬化性成分可包含光聚合起始劑、熱聚合起始劑等之聚合起始劑。

作為能量線硬化性成分，較佳為藉由紫外線照射硬化之成分(紫外線硬化性成分)。藉由使用紫外線硬化性成分，可效率良好地形成由能量線硬化性成分的硬化物所構成之層。

作為聚合起始劑，較佳為光聚合起始劑，具體而言，較佳為烷基苯酮系光聚合起始劑、磷系光聚合起始劑、肟酯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、噻噸酮系光聚合起始劑，其中，更佳為磷系光聚合起始劑。

作為磷系光聚合起始劑，例如可列舉2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基次膦酸鹽、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物等。

能量線硬化性成分所含有之聚合起始劑的含量，相對於前述之聚合性化合物100質量份，較佳為0.5～6.5質量份，更佳為0.5～5.5質量份，再更佳為0.5～4.5質量份。

能量線硬化性成分的含量，相對於前述之基底層用組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為30～90質量%，更佳為50～70質量%。 　　尚，於此所謂「基底層用組成物之有效成分」，係指去除基底層用組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述能量線硬化性成分的含量為上述範圍，變成容易得到耐溶劑性優異之基底層。

＜無機填料＞ 　　基底層用組成物可包含無機填料。作為構成無機填料之無機物，可列舉二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鍺、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物(ITO)、氧化銻、氧化鈰等之金屬氧化物；氟化鎂、氟化鈉等之金屬氟化物；等。無機填料可為其表面以有機化合物修飾者。

無機填料的平均粒徑雖並未特別限定，但較佳為5～100nm。無機填料的平均粒徑過小時，有充分提高剝離薄膜的剝離性變困難之虞。另一方面，無機填料的平均粒徑若為如此小的範圍，易於基底層上高度維持形成之阻氣層的阻氣性。 　　無機填料的平均粒徑可使用粒度分布測定裝置，藉由動態光散射法測定。

無機填料的含量，相對於前述之基底層用組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為10～70質量%，更佳為50～70質量%。 　　尚，於此所謂「基底層用組成物之有效成分」，係指去除基底層用組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述無機填料的含量為上述範圍，可一邊適當地保護阻氣層，一邊效率良好地輕易剝離去除剝離薄片。

本發明之一態樣使用之基底層用組成物含有熱塑性樹脂，能量線硬化性成分含有聚合性化合物及聚合起始劑，且基底用組成物未含有無機填料時，熱塑性樹脂、聚合性化合物及聚合起始劑的合計含量，相對於前述之基底層用組成物之有效成分的全量(質量%)，較佳為70～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%。 　　尚，於此所謂「基底層用組成物之有效成分」，係指去除基底層用組成物中所包含之溶劑的成分。

(溶劑) 　　基底層用組成物加入溶劑成為溶液的形態，於藉由塗佈形成基底層之步驟，從容易將基底層用組成物調整成適合塗佈之性狀的觀點來看較佳。 　　作為溶劑，例如可列舉n-己烷、n-庚烷等之脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯等之芳香族烴系溶劑；二氯甲烷、氯化乙烯、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、單氯苯等之鹵素化烴系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙二醇單甲基醚等之醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等之酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯系溶劑；乙基溶纖劑等之溶纖劑系溶劑；1,3-二噁烷等之醚系溶劑；等。 　　此等當中，較佳為鹵素化烴系溶劑，其中，較佳為二氯甲烷。

基底層用組成物的調製所使用之溶劑的使用量，係以熱塑性樹脂的固形分濃度較佳為5～45質量%，更佳為5～35質量%，再更佳為成為5～25質量%的方式使用即可。

(其他成分) 　　基底層用組成物除了熱塑性樹脂、能量線硬化性成分、無機填料、溶劑之外，於不損害本發明的效果的範圍，可進一步含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉可塑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等。

[剝離薄片] 　　層合在基底層之剝離薄片(第1剝離薄片)可使用以往周知者。 　　作為剝離薄膜，可利用以往周知者。例如可列舉於剝離薄片用之基材上，具有藉由剝離劑進行剝離處理之剝離層者。作為前述剝離薄片用基材，可列舉透明紙、塗層紙、上質紙等之紙基材；於此等之紙基材層合聚乙烯等之熱塑性樹脂之層合紙；聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之塑膠薄膜；等。作為前述剝離劑，可列舉聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。又，可將作為剝離薄片用之基材列舉之紙基材或塑膠薄膜未設置剝離層直接使用。

使用第2剝離薄片時，第1剝離薄片與第2剝離薄片之2枚剝離薄膜可分別使用相同者，亦可使用不同者。使用彼此不同之2枚剝離薄膜時，較佳為使用分別具有不同剝離力者。藉由2枚剝離薄膜之剝離力不同，於阻氣性薄膜的使用時難以發生問題。亦即，藉由使2枚剝離薄膜之剝離力變成不同的方式，可更效率良好地進行從阻氣性薄膜，最初剝離剝離薄膜之步驟。 　　第2剝離薄片從與接著劑層的剝離性變良好的觀點來看，較佳為具有剝離層。 　　剝離薄片的厚度較佳為10～300μm，更佳為20～125μm，再更佳為30～100μm。

[阻氣層] 　　本發明之阻氣性薄膜藉由具有阻氣層，可發揮防止氧或水蒸氣等之氣體的透過的效果高之優異阻氣性。 　　又，阻氣層係介在基底層與接著劑層之間者。

阻氣層雖即使1層，亦得到滿足一定水準之阻氣性，但藉由層合2層以上之阻氣層，可提高阻氣性的效果。 　　2層以上之阻氣層可為相同厚度，亦可為不同厚度。 　　阻氣層1層的厚度通常為20nm至50μm，較佳為30nm至1μm，更佳為40nm至500nm的範圍。 　　藉由上述阻氣層1層的厚度為上述範圍，變容易得到防止氧或水蒸氣等之氣體的透過的效果高之具有滿足一定水準之阻氣性的阻氣性薄膜。 　　作為2層以上之阻氣層時，每個阻氣層較佳為全部由相同組成物形成之層。 　　藉此，可提昇2層以上之阻氣層間彼此之層間密著性。

作為阻氣層之較佳態樣，係選自由(i)由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層、(ii)包含阻氣性樹脂之阻氣層及(iii)改質包含高分子化合物之層(以下，亦稱為「高分子層」)的表面而成之阻氣層[此情況下，所謂阻氣層，並非僅意指經改質之區域，而且意指「包含經改質之區域的高分子層」]所構成之群組中之至少1種。 　　此等當中，作為阻氣層之更佳態樣，係選自由(i)由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層及(iii)改質高分子層的表面而成之阻氣層所構成之群組中之至少1種。

(i)由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層 　　作為無機蒸鍍膜，可列舉無機化合物或金屬之蒸鍍膜。 　　作為無機化合物之蒸鍍膜的原料，可列舉氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鋅錫等之無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等之無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧化氮化矽等之無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。 　　作為金屬之蒸鍍膜的原料，可列舉鋁、鎂、鋅及錫等。 　　此等之無機化合物及金屬之蒸鍍膜的原料可1種單獨，或組合2種以上使用。

作為無機蒸鍍膜，從阻氣性的觀點來看，較佳為將選自由無機氧化物、無機氮化物及金屬所構成之群組中之至少1種作為原料之無機蒸鍍膜。 　　此等之無機蒸鍍膜當中，從透明性的觀點來看，更佳為將選自由無機氧化物及無機氮化物所構成之群組中之至少1種作為原料之無機蒸鍍膜。 　　又，無機蒸鍍膜可為單層亦可為多層。

無機蒸鍍膜的厚度從阻氣性與操作性的觀點來看，較佳為1～2,000nm，更佳為3～1,000nm，再更佳為5～500nm，又再更佳為40～200nm。

形成無機蒸鍍膜之方法並未特別限制，採用周知之方法。 　　作為形成無機蒸鍍膜之方法，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等之PVD法；熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等之CVD法；原子層堆積法(ALD法)；等。

(ii)包含阻氣性樹脂之阻氣層 　　作為阻氣性樹脂，例如可列舉聚乙烯醇、聚乙烯醇之部分皂化物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯及聚氯三氟乙烯等之難以透過氧或水蒸氣等之氣體的樹脂。

包含阻氣性樹脂之阻氣層的厚度，從阻氣性的觀點來看，較佳為1～2,000nm，更佳為3～1,000nm，再更佳為5～500nm，又再更佳為40～200nm。

作為形成包含阻氣性樹脂之阻氣層之方法，例如可列舉將包含阻氣性樹脂之溶液，塗佈在剝離薄膜或基材上，適當乾燥所得之塗膜之方法。 　　包含阻氣性樹脂之溶液的塗佈方法並未特別限定，可列舉旋塗法、噴塗法、棒塗法、刀塗佈法、輥塗法、刮刀塗佈法、模塗法、凹版塗佈法等周知之塗佈方法。 　　作為塗膜之乾燥方法，可列舉熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等之周知之乾燥方法。

(iii)改質高分子層的表面而成之阻氣層 　　作為在改質高分子層的表面而成之阻氣層所使用之高分子化合物，可列舉含有矽之高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯基醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚伸苯基硫化物、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、脂環式烴系樹脂、芳香族系聚合物等。此等之高分子化合物可1種單獨，或組合2種以上使用。

高分子層除了前述之高分子化合物之外，於不損害本發明的效果的範圍，可進一步含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉硬化劑、抗老化劑、光安定劑、難燃劑等。 　　高分子化合物的含量，相對於前述之高分子層用組成物之有效成分的全量(100質量%)，較佳為50質量%以上，更佳為70質量%以上。 　　尚，於此所謂「高分子層用組成物之有效成分」，係指去除高分子層用組成物中所包含之溶劑的成分。 　　藉由上述高分子化合物的含量為上述範圍，可輕易形成阻氣性優異之阻氣層。

高分子層的厚度雖並未特別限制，但較佳為20nm～50μm，更佳為30nm～1μm，再更佳為40nm～500nm。

高分子層例如可藉由將高分子化合物溶解或分散在有機溶劑之液，藉由周知之塗佈方法，塗佈在剝離薄膜或基材層上，乾燥所得之塗膜來形成。

作為有機溶劑，可列舉苯、甲苯等之芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等之酮系溶劑；n-戊烷、n-己烷、n-庚烷等之脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等之脂環式烴系溶劑；等。此等之有機溶劑可1種單獨，或組合2種以上使用。

將高分子化合物溶解或分散在有機溶劑之液的塗佈方法並未特別限定，可列舉棒塗法、旋塗法、浸漬法、輥塗法、凹版塗佈法、刀塗佈法、氣刀塗佈法、輥刀塗佈法、模塗法、絲網印刷法、噴塗法、凹版膠印法等。

作為用以形成高分子層之塗膜的乾燥方法，可列舉熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等之周知之乾燥方法。加熱溫度較佳為80～150℃，加熱時間通常為數十秒至數十分鐘。

作為在改質高分子層的表面而成之阻氣層，改質高分子層的表面之方法，可列舉離子注入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。 　　離子注入處理如後述，為將經加速之離子注入高分子層，改質高分子層之方法。 　　電漿處理係將高分子層曝曬在電漿中，來改質高分子層之方法。例如，可依日本特開2012-106421號公報所記載之方法，來進行電漿處理。 　　紫外線照射處理係於高分子層照射紫外線，來改質高分子層之方法。例如，依照日本特開2013-226757號公報所記載之方法，來進行紫外線改質處理。

作為改質高分子層的表面而成之阻氣層，由於阻氣性更為優異，故較佳為於包含含有矽之高分子化合物之層實施離子注入處理所得者。 　　作為含有矽之高分子化合物，可列舉聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷(Polycarbosilane)系化合物、聚矽烷系化合物、聚有機矽氧烷系化合物、聚(伸二矽烷基伸苯基)系化合物及聚(伸二矽烷基伸乙炔基)系化合物等，此等當中，較佳為聚矽氮烷系化合物。

聚矽氮烷系化合物係於分子內具有包含-Si-N-鍵結(矽氮烷鍵)之重複單位的化合物。具體而言，較佳為具有以下一般式(1)表示之重複單位的化合物。

一般式(1)中，n表示重複單位，表示1以上之整數。又，Rx、Ry、Rz分別獨立表示氫原子、具有無取代或取代基之烷基、具有無取代或取代基之環烷基、具有無取代或取代基之烯基、具有無取代或取代基之芳基或烷基矽烷基等之非水解性基。

作為具有無取代或取代基之烷基的烷基，例如可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基等之碳數1～10之烷基。 　　作為具有無取代或取代基之環烷基的環烷基，例如可列舉環丁基、環戊基、環己基及環庚基等之碳數3～10之環烷基。 　　作為具有無取代或取代基之烯基的烯基，例如可列舉乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基及3-丁烯基等之碳數2～10之烯基。

作為前述之烷基、前述之環烷基及前述之烯基具有取代基時之取代基，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之具有無取代或取代基之芳基；等。 　　尚，在本說明書，「(甲基)丙烯醯基」的記載係意指「丙烯醯基」及/或「甲基丙烯醯基」。同樣，「(甲基)丙烯醯基」的記載亦意指「丙烯醯基」及/或「甲基丙烯醯基」。

作為具有無取代或取代基之芳基的芳基，例如可列舉苯基、1-萘基、2-萘基等之碳數6～15之芳基。

作為前述之芳基具有取代基時之取代基，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；甲基、乙基等之碳數1～6之烷基；甲氧基、乙氧基等之碳數1～6之烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之具有無取代或取代基之芳基；等。

作為烷基矽烷基，可列舉三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三異丙基矽烷基、三-tert-丁基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷基、甲基矽烷基、乙基矽烷基等。

此等當中，作為Rx、Ry、Rz，較佳為氫原子、碳數1～6之烷基、或苯基，其中，更佳為氫原子。 　　作為具有一般式(1)表示之重複單位之聚矽氮烷系化合物，可為Rx、Ry、Rz全部為氫原子之無機聚矽氮烷、Rx、Ry、Rz之至少1個並非氫原子之有機聚矽氮烷的任一種。

又，在本發明，作為前述聚矽氮烷系化合物，亦可使用聚矽氮烷改質物。作為該聚矽氮烷改質物，例如可列舉日本特開昭62-195024號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108號公報等、日本特開平2-175726號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平6-299118號公報、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報等所記載者。 　　此等當中，作為前述聚矽氮烷系化合物，從取得容易性及可形成具有優異阻氣性之離子注入層的觀點來看，較佳為一般式(1)中，Rx、Ry、Rz全部為氫原子之全氫聚矽氮烷。 　　又，作為前述聚矽氮烷系化合物，亦可直接使用作為玻璃塗佈材等市售之市售品。 　　前述聚矽氮烷系化合物可單獨使用，或併用2種以上。

又，前述聚矽氮烷系化合物的數平均分子量(Mn)雖並未特別限定，但可適合使用100～50,000之化合物。 　　當該數平均分子量(Mn)可進行凝膠滲透層析，作為標準聚苯乙烯換算值求得。

作為注入在前述高分子層之離子，可列舉氬、氦、氖、氪、氙等之稀有氣體之離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等之離子；甲烷、乙烷等之烷烴系氣體類之離子；乙烯、丙烯等之烯烴系氣體類之離子；戊二烯、丁二烯等之二烯烴系氣體類之離子；乙炔等之炔烴系氣體類之離子；苯、甲苯等之芳香族烴系氣體類之離子；環丙烷等之環烷烴系氣體類之離子；環戊烯等之環烯烴系氣體類之離子；金屬之離子；有機矽化合物之離子；等。 　　此等之離子可單獨使用，或併用2種以上。 　　此等當中，由於可更簡便注入離子，可形成具有更優異阻氣性之阻氣層，故較佳為氬、氦、氖、氪、氙等之稀有氣體的離子。

作為注入離子之方法，可列舉照射藉由電場加速之離子(離子束)之方法、注入電漿中之離子之方法等。 　　此等之方法當中，由於可簡便形成目的之阻氣層，故較佳為後者之注入電漿離子之方法(電漿離子注入法)。

電漿離子注入法，例如可藉由於包含稀有氣體等之電漿生成氣體的環境下使其產生電漿，於高分子層施加負的高電壓脈衝，將該電漿中之離子(陽離子)注入在高分子層的表面部來進行。電漿離子注入法更具體而言，可藉由WO2010/107018號小冊等所記載之方法實施。

離子的注入量可配合阻氣性薄膜之使用目的(必要之阻氣性、透明性等)等適當決定。 　　藉由離子注入，被注入離子之區域的厚度可藉由離子的種類或施加電壓、處理時間等之注入條件調控，雖可因應高分子層的厚度或阻氣性薄膜的使用目的等調整，但較佳為10～400nm。

被注入離子可藉由使用X光光電子分光分析(XPS)，從聚矽氮烷層的表面進行10nm附近之元素分析測定來確認。

阻氣層可為單層，或亦可為複層。例如可併用(i)由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層與(iii)改質高分子層的表面而成之阻氣層。 　　前述之接著劑層於阻氣層上透過密著性增強層層合時，較佳為與密著性增強層相鄰之層為由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層。

[密著性增強層] 　　本發明之阻氣性薄膜若為依基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合所構成者，雖並未特別限定，但接著劑層可透過密著性增強層層合在阻氣層上而構成。 　　本發明之阻氣性薄膜可藉由具有密著性增強層，提昇阻氣層與接著劑層的密著性。

密著性增強層的厚度較佳為700nm以下，更佳為50～700nm，再更佳為100～500nm，又再更佳為150～400nm。 　　藉由上述密著性增強層的厚度為上述範圍，可適當發揮提昇阻氣層與接著劑層的密著性的效果。

密著性增強層較佳為含有有機物之層。具體而言，可列舉包含聚酯樹脂之層；包含丙烯醯基樹脂之層；多官能丙烯酸酯化合物、多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯化合物等之由含有能量線硬化性化合物之硬化性組成物的硬化物所構成之層；熱硬化性環氧樹脂、三聚氰胺樹脂等之由含有熱硬化性樹脂之硬化性組成物的硬化物所構成之層；等。 　　密著性增強層較佳為由含有熱硬化性環氧樹脂之硬化性組成物的硬化物所構成之層。藉由使用含有熱硬化性環氧樹脂之硬化性組成物，可藉由阻氣層與接著劑層的密著性、尤其是於高溫高濕條件下保管後之該密著性，形成優異之密著性增強層。

熱硬化性環氧樹脂係於分子內至少具有2個以上環氧基之化合物(以下，亦稱為「多官能環氧化合物」)。 　　作為可使用在密著性增強層之熱硬化性環氧樹脂，可列舉具有衍生自間苯二甲胺二胺之環氧丙基胺基的環氧樹脂、具有衍生自1,3-雙(胺基甲基)環己烷之環氧丙基胺基的環氧樹脂、具有衍生自二胺基二苯基甲烷之環氧丙基胺基的環氧樹脂、具有衍生自對胺基酚之環氧丙基胺基或環氧丙氧基的環氧樹脂、具有衍生自雙酚A之環氧丙氧基的環氧樹脂、具有衍生自雙酚F之環氧丙氧基的環氧樹脂、具有衍生自酚酚醛清漆之環氧丙氧基的環氧樹脂、具有衍生自間苯二酚之環氧丙氧基的環氧樹脂等。 　　此等之熱硬化性環氧樹脂當中，較佳為於分子內包含芳香環之環氧樹脂。 　　此等之熱硬化性環氧樹脂可單獨使用，或併用2種以上。

硬化性組成物中之熱硬化性環氧樹脂的含量，相對於硬化性組成物之固形分全量，較佳為10～60質量%，更佳為20～50質量%。 　　尚，於此所謂「硬化性組成物之固形分」，係指去除硬化性組成物中所包含之溶劑的成分。

硬化性組成物較佳為含有多官能胺化合物。含有多官能胺化合物之硬化性組成物，由於更有效率地進行硬化反應，故可效率良好地形成密著性增強層。 　　作為多官能胺化合物，可列舉乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、間苯二甲胺二胺、對二甲苯二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、二胺基二苯基甲烷、間伸苯基二胺等。 　　此等之多官能胺化合物可單獨使用，或併用2種以上。 　　硬化性組成物中之多官能胺化合物的含量，相對於硬化性組成物之固形分全量，較佳為25～80質量%，更佳為35～75質量%。

硬化性組成物可含有矽烷偶合劑。硬化性組成物含有矽烷偶合劑時，藉由與阻氣層的密著性可形成優異之密著性增強層。

作為矽烷偶合劑，可列舉3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二乙氧基矽烷等之胺基矽烷偶合劑；3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷等之環氧矽烷偶合劑；3-巰基丙基三甲氧基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷；日本特開2000-239447號公報、日本特開2001-40037號公報等所記載之高分子矽烷偶合劑；等。此等之矽烷偶合劑可單獨使用，或併用2種以上。

硬化性組成物含有矽烷偶合劑時，矽烷偶合劑的含量相對於熱硬化性環氧樹脂100質量份，較佳為0.01～5質量份，更佳為0.01～3質量份。

硬化性組成物可含有溶劑。 　　作為溶劑，可列舉n-己烷、n-庚烷等之脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯等之芳香族烴系溶劑；二氯甲烷、氯化乙烯、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、單氯苯等之鹵素化烴系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙二醇單甲基醚等之醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等之酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯系溶劑；乙基溶纖劑等之溶纖劑系溶劑；1,3-二噁烷等之醚系溶劑；等。 　　此等之溶劑可單獨使用，或併用2種以上。

硬化性組成物中之溶劑的含量雖並未特別限定，但相對於硬化性組成物全量，較佳為85～99質量%，更佳為90～97質量%。

硬化性組成物在不妨礙本發明的效果的範圍，可含有各種添加劑。作為該添加劑，可列舉紫外線吸收劑、防靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、潤滑劑、著色顏料等。此等之添加劑的含量可配合目的適當調整。

硬化性組成物可藉由將前述熱硬化性環氧樹脂及如有必要之其他成分，依照常法進行適當混合‧攪拌來調製。

密著性增強層依照常法，例如可藉由將硬化性組成物等之用以形成密著性增強層之樹脂組成物塗佈在阻氣層上，硬化或乾燥所得之塗膜而形成。 　　作為塗附方法，可使用通常之濕式塗佈方法。例如可列舉棒塗法、浸漬法、輥塗法、凹版塗佈法、刀塗佈法、氣刀塗佈法、輥刀塗佈法、模塗法、絲網印刷法、噴塗法、凹版膠印法、旋塗法、刮刀塗佈法等。

硬化或乾燥塗膜時，依照常法加熱塗膜即可。 　　加熱溫度較佳為70～180℃，更佳為80～150℃。 　　加熱時間較佳為30秒～10分鐘，更佳為1～7分鐘。

接著劑層所包含之聚烯烴系樹脂(A)為改質聚烯烴系樹脂(A1)，阻氣層含有聚矽氮烷系化合物，為進行改質處理所形成之層時，接著劑層較佳為直接層合在阻氣層而成。如上述之阻氣層中，包含聚烯烴系樹脂(A)之接著劑層雖有難以實現密著的傾向，但聚烯烴系樹脂(A)為包含改質聚烯烴系樹脂(A1)時，由於即使對於如上述之阻氣層亦顯示良好之密著性，故可以是省略密著性增強層的一種手段。

[密封體] 　　本發明之密封體係將本發明之阻氣性薄膜作為密封材料，密封被密封物而成，成為難以發生起因於因層間剝離等導致之缺損及/或水蒸氣等之浸入的問題者。因此，密封體長期來看，適合使用在要求被密封物之性能維持的用途。亦即，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面維持優異之接著性，可適當保持被密封物所具有之最初性能。 　　作為被密封物，可列舉選自由有機EL元件、有機EL顯示器元件、無機EL元件、無機EL顯示器元件、電子紙元件、液晶顯示器元件及太陽能電池元件所構成之群組中之至少1種。

(密封體之製造方法) 　　本發明之密封體之製造方法雖並未特別限定，但較佳為具備使具有阻氣性薄膜之接著劑層接著在被密封物之步驟、與從本發明之阻氣性薄膜剝離剝離薄片之步驟。 　　例如，作為密封材料之本發明之阻氣性薄膜為以下所示之態樣時，首先剝離去除第2剝離薄片。 　　其次，重疊露出之接著劑層的面與被密封物的面，如有必要進行加壓，以所期望的加熱條件加熱，而得到使接著劑層硬化，被密封物以作為密封材料之阻氣性薄膜密封而成之密封體。 　　‧第1剝離薄片/基底層/阻氣層/接著劑層/第2剝離薄片 　　尚，通常第1剝離薄片為形成接著劑層的面與被密封物後，經剝離去除者。第1剝離薄片之剝離去除可為於加熱阻氣性薄膜的步驟之前，亦可為之後。 　　根據這般密封體之製作方法，阻氣性薄膜即使不具有基材，至剝離去除第1剝離薄片為止之間，由於第1剝離薄片作為阻氣性薄膜之支持體進行機能，防止阻氣性薄膜的破裂或變形，操作性優異。 [實施例]

以下列舉實施例，更詳細說明本發明。惟，本發明並非被限定於以下之實施例者。尚，以下所記載之「份」及「%」除非另有說明為「質量基準」。

(實施例1) [阻氣性薄膜之製作] (1)基底層之形成步驟 　　作為熱塑性樹脂，係將聚碸系樹脂(PSF)之顆粒(BASF公司製、「ULTRASON S3010」、Tg=180℃)60份溶解在二氯甲烷，調製PSF之15%溶液。 　　於此溶液添加三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製、ADCP)40份作為能量線硬化性成分及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF公司製、「Irgacure 819」)1份作為聚合起始劑並進行混合，來調製基底層用組成物。

作為第1剝離薄片，係於易接著處理聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東洋紡公司製、「PET50A-4100」、厚度50μm)的非處理面上，將於前述調製之基底層用組成物藉由模塗法進行塗佈，而形成塗膜。藉由將此塗膜於50℃加熱2分鐘，接著於140℃加熱2分鐘，使塗膜乾燥。 　　其次，於此乾燥塗膜上，作為步驟薄片，係貼合易接著處理聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東洋紡公司製、「PET50A-4100」、厚度50μm)的非處理面進行層合。

其次，藉由使用帶式輸送機式紫外線照射裝置(EYE GRAPHICS公司製、製品名：ECS-401GX)，藉由下述所示之條件，藉由高壓水銀燈(EYE GRAPHICS公司製、「H04-L41」)及紫外線光量計(Orc製作所公司製、「UV-351」)，透過步驟薄片照射紫外線，進行硬化反應，於前述之第1剝離薄片上形成厚度10μm之基底層。 ＜藉由高壓水銀燈之條件＞ 　　‧紫外線燈高度：100mm 　　‧紫外線燈輸出：3kW ＜藉由紫外線光量計之條件＞ 　　‧光線波長365nm之照度：400mW/cm² ‧光量：800mJ/cm²

(2)阻氣層之形成步驟 ＜第1層＞ 　　然後，剝離去除作為步驟薄片使用之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。 　　而且，於前述形成之基底層上，將作為阻氣層用組成物之無機聚矽氮烷系塗佈劑藉由溶液法即旋塗法進行塗佈，形成塗膜。 　　於此，前述之「無機聚矽氮烷系塗佈劑」係將默克性能材料公司製之「AQUAMICA NL110-20(主成分：全氫聚矽氮烷)」在二甲苯濃度調整成20%溶液者。 　　而且，藉由將所得之塗膜於120℃加熱1分鐘，使塗膜乾燥，於前述之基底層上形成厚度100nm之聚矽氮烷系化合物層。 　　進而，於前述形成之聚矽氮烷系化合物層的表面，使用電漿離子注入裝置(RF電源：日本電子公司製「RF56000」、高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製「PV-3-HSHV-0835」)，藉由下述所示之條件，實施藉由電漿離子注入之改質處理，形成第1層之阻氣層。 ＜電漿離子注入條件＞ 　　‧腔內壓：0.2Pa 　　‧電漿生成氣體：氬 　　‧氣體流量：100sccm 　　‧RF輸出：1000W 　　‧RF頻率：1000Hz 　　‧RF脈衝寬度：50μ秒 　　‧RF delay：25n秒 　　‧DC電壓：-10kV 　　‧DC頻率：1000Hz 　　‧DC脈衝寬度：5μ秒 　　‧DC delay：50μ秒 　　‧Duty比：0.5% 　　‧處理時間(離子注入時間)：200秒 ＜第2層＞ 　　其次，於實施前述改質處理之第1層之阻氣層上，以與前述之第1層之阻氣層的形成相同之方法，形成厚度100nm之聚矽氮烷系化合物層。 　　進而，於前述形成聚矽氮烷系化合物層的表面，以與前述之第1層之阻氣層的改質處理相同之方法，實施藉由電漿離子注入之改質處理，形成第2層之阻氣層。

(3)接著劑層之形成步驟 　　將作為聚烯烴系樹脂(A)之酸改質聚烯烴系樹脂(三井化學公司製、「UNISTOLE H-200」、α-烯烴聚合物、重量平均分子量(Mw)：52,000)100份、作為熱硬化性成分(B)之多官能環氧樹脂(三菱化學公司製、「YX8034」、氫化雙酚A二環氧丙基醚)25份及作為硬化觸媒(C)之咪唑系硬化觸媒(四國化成公司製、「Curezol 2E4MZ」、2-乙基-4-甲基咪唑)0.25份，溶解在甲基乙基酮，以固形分濃度成為18%溶液的方式調製接著劑組成物。

作為第2剝離薄片，係於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Lintec公司製、「SP-PET382150」)之剝離處理面上，將前述調製之接著劑組成物以乾燥後的厚度成為25μm的方式藉由刮刀塗佈機進行塗佈，形成塗膜。藉由將此塗膜於100℃加熱2分鐘，使塗膜乾燥，於前述之第2剝離薄片上形成厚度25μm之接著劑層。 　　其次，於此接著劑層上，作為第3剝離薄片，係貼合聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Lintec公司製、「SP-PET381031」)的剝離處理面進行層合。 　　然後，剝離去除作為第3剝離薄片使用之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。 　　而且，藉由重疊露出之接著劑層的面、與前述形成之第2層之阻氣層的面，使用熱層壓機加熱至60℃，以於接著劑層殘留第2剝離薄片的狀態，於第2層之阻氣層上形成厚度25μm之接著劑層，製作具有第1剝離薄片/基底層/第1層之阻氣層(有改質)/第2層之阻氣層(有改質)/接著劑層/第2剝離薄片之層構成的實施例1之阻氣性薄膜。

[有機EL元件之製作] 　　藉由於玻璃基板的表面，將氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm、薄片電阻：30Ω/□)藉由濺鍍法形成，其次，進行溶劑洗淨與UV/臭氧處理，形成陽極。 　　於前述形成之陽極(ITO膜)上，作為發光層之形成材料，係將N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-苯亞基) (Luminescence Technology公司製)60nm、參(8-羥基-喹啉酸鹽)鋁(Luminescence Technology公司製)40nm、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Luminescence Technology公司製)10nm及(8-羥基-羥基喹啉)鋰(Luminescence Technology公司製)10nm，以0.1～0.2nm/s的速度依序蒸鍍，形成發光層。 　　於前述形成之發光層上，將鋁(Al)(高純度化學研究所公司製)以0.1nm/s的速度蒸鍍100nm，形成陰極，製作具有玻璃基板/陽極/發光層/陰極之層構成的有機EL元件。 　　尚，在有機EL元件之製作步驟，於陽極(ITO膜)上，依序蒸鍍前述之發光層的形成材料時之真空度定為1×10^-4 Pa以下。

[密封體之製作] 　　其次，從於前述之實施例1製作之阻氣性薄膜剝離去除第2剝離薄片，使作為密封材料之阻氣性薄膜之接著劑層的面露出。 　　其次，重疊露出之接著劑層的面、與成為前述製作之被密封物之有機EL元件的面，於氮環境下使用熱層壓機加熱至60℃，邊加壓接著劑層的面、與作為被密封物之有機EL元件的面邊進行接著，製作作為被密封物之有機EL元件以作為密封材料之阻氣性薄膜密封而成之密封體。 　　進而，藉由將前述製作之密封體於100℃加熱2小時，使接著劑層硬化，製作實施例1之密封體。

(比較例1) 　　除了在實施例1之接著劑層的形成步驟，將橡膠系接著劑(日本Butyl公司製、「Exxon Butyl 268」、數平均分子量：260,000、異丁烯與異戊二烯之共聚物、異戊二烯之含有率：1.7莫耳%)100份及黏著賦予劑(日本Zeon公司製、「QuintonA100」)20份溶解在甲苯，以固形分濃度成為20%的方式調製接著劑組成物之外，其他與實施例1同樣進行，製作比較例1之阻氣性薄膜。 　　進而，在實施例1之密封體的製作，除了未進行接著劑層的硬化之外，其他與實施例1同樣進行，製作比較例1之密封體。

[評估方法] (1)阻氣性的評估 　　針對於前述之實施例1及比較例1製作之各阻氣性薄膜，將剝離去除第2剝離薄片，殘留第1剝離薄片者作為測定用試料。 　　將測定用試料作為對象，使用水蒸氣透過率測定裝置(MOCON公司製、「AQUATRAN」)，測定在40℃、相對濕度90%之高溫高濕環境下層合體之水蒸氣透過率(g/m² /day)。尚，水蒸氣透過率測定裝置之檢出下限值為0.0005(g/m² /day)。 　　從如此測定之水蒸氣透過率(g/m² /day)的結果，以下述所示之2階段的基準，評估阻氣性薄膜之阻氣性。 　　A：水蒸氣透過率為5×10^-3 (g/m² /day)以下 　　B：水蒸氣透過率超過5×10^-3 (g/m² /day)

(2)對於被密封物之密封性能的評估 　　從前述之實施例1及比較例1製作之各密封體剝離去除第1剝離薄片，將露出阻氣性薄膜之基底層的面者作為測定用試料。 　　將測定用試料作為對象，於40℃、相對濕度90%之高溫高濕環境下放置100小時後，使有機EL元件起動，測定非發光處(暗點)的面積，算出非發光處之面積相對於放置前初期之發光面積(100%)的比例(%)。 　　而且，用下述所示之4階段的基準，評估密封作為被密封物之有機EL元件之對於作為密封材料之阻氣性薄膜的被密封物之密封性能。 　　A：非發光處之面積的比例未滿5% 　　B：非發光處之面積的比例為5%以上未滿10% 　　C：非發光處之面積的比例為10%以上未滿90% 　　D：非發光處之面積的比例為90%以上

[表1]

(結果概要) 　　藉由表1所示之評估結果瞭解以下之事。 　　在比較例1之阻氣性薄膜的製作，瞭解到起因於將接著劑層由含有橡膠系接著劑及黏著賦予劑之接著劑組成物形成，使比較例1之密封體長時間曝露在高溫高濕的環境下時，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面無法維持接著性，比較例1之阻氣性薄膜對於被密封物之密封性能劣化。

對此，在實施例1之阻氣性薄膜的製作，瞭解到起因於將接著劑層由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物形成，即使使實施例1之密封體長時間曝露在高溫高濕的環境下時，在密封材料之接著劑層與被密封物的接著面亦能維持優異之接著性，實施例1之阻氣性薄膜對於被密封物之密封性能優異。

Claims (12)

1. 一種阻氣性薄膜，其係具有依剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層的順序層合而成之層合體的阻氣性薄膜，其特徵為前述接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物所形成之層。
2. 如請求項1之阻氣性薄膜，其中，前述聚烯烴系樹脂(A)包含改質聚烯烴系樹脂(A1)。
3. 如請求項1或2之阻氣性薄膜，其中，前述熱硬化性成分(B)包含熱硬化性環氧樹脂(B1)。
4. 如請求項1～3中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述接著劑層係直接層合在前述阻氣層而成。
5. 如請求項1～4中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述接著劑層係透過密著性增強層層合在前述阻氣層而成。
6. 如請求項1～5中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層係由含有能量線硬化性成分之基底層用組成物所形成之層。
7. 如請求項1～6中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層係由進一步含有熱塑性樹脂之基底層用組成物所形成之層。
8. 如請求項7之阻氣性薄膜，其中，前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上。
9. 如請求項1～8中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述基底層的厚度為0.1～10μm。
10. 如請求項1～9中任一項之阻氣性薄膜，其中，前述阻氣層係含有聚矽氮烷系化合物，且進行改質處理所形成之層。
11. 一種密封體，其係被密封物以如請求項1～10中任一項之阻氣性薄膜密封而成，該被密封物係選自由有機EL元件、有機EL顯示器元件、無機EL元件、無機EL顯示器元件、電子紙元件、液晶顯示器元件及太陽能電池元件所構成之群組中之至少1種。
12. 一種密封體之製造方法，其係具備使如請求項1～10中任一項之阻氣性薄膜所具有之接著劑層接著在被密封物之步驟、與從前述阻氣性薄膜剝離前述剝離薄片之步驟。