TW201834868A - 光學薄膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種光學薄膜的製造方法，係包含對於具有樹脂層和設置在前述樹脂層之單面之雷射吸收層之層積體照射雷射光、而切斷前述樹脂層之切斷製程之光學薄膜的製造方法，由前述雷射吸收層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域光之平均吸收率AA，係大於由前述樹脂層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域光之平均吸收率AR，前述雷射吸收層之厚度TA相對於前述樹脂層之厚度TR之比率TA/TR係0.8以上。

Description

光學薄膜的製造方法
本發明係關於一種光學薄膜的製造方法。
在液晶顯示裝置和有機電致發光顯示裝置等顯示裝置，設置有由樹脂而形成之光學薄膜。此種光學薄膜係通常被形成為比作為最終製品之薄膜片之尺寸更大尺寸之薄膜。接著，此種薄膜係切斷成為適合於顯示裝置形狀之所期望形狀，使用於作為顯示裝置之光學薄膜。
作為切出薄膜而成為所期望形狀之方法，係可列舉例如使用刀具之機械切斷方法以及使用雷射光之雷射切斷方法。其中，由於不容易產生切斷殘渣，因此，以雷射切斷方法為佳。
藉由雷射而切斷樹脂薄膜、在多數情況下，係將樹脂薄膜固定於支持體之上而進行。例如調製具有玻璃製之支持體和設置於該支持體上之樹脂層等之層積體，藉由雷射光而切斷此種層積體之樹脂層，進行成為所期望形狀之光學薄膜(例如專利文獻1)。此外，作為使用在此種切斷之雷射光，係已知有各種之態樣(例如專利文獻2及3)。支持體也能夠由光學薄膜剝離，再度利用於下次之製造，也能夠和光學薄膜一起作為顯示裝置之構成要素之一部分而組裝於顯示裝置。
先前技術文獻
專利文獻
【專利文獻1】日本特開2011-53673號公報
【專利文獻2】日本特開2004-42140號公報
【專利文獻3】日本特表2012-521890號公報(對應外國公報：美國專利第8350187號說明書)
將樹脂層以被支持體所支持的狀態下，用雷射切斷方法切斷的情況，要求不伴隨著支持體之破損的樹脂層的切斷方法。在雷射光之輸出呈過大之時，支持體有破損的可能性，因此，要求雷射光的輸出為小。
在樹脂層中，係有對於雷射之感受性為低之物。例如包含環狀烯烴聚合物之樹脂，其具有良好之透明性、尺寸安定性、相位差發現性、低吸濕性以及在低溫之延伸性等之性能，適合作為光學構件。相反地，包含環狀烯烴聚合物之樹脂，對於許多用於切斷樹脂層之雷射光的感受性低。在企圖使用雷射光切斷此種樹脂層之情況下，低輸出之雷射光，有成為切斷不充分之可能性，另一方面，在提高雷射光之輸出而使得切斷成為充分之時，容易導致支持體之破損。
因此，本發明之目的在於提供一種即使樹脂層是對於雷射之感受性低之物的情況時，也能夠不會對支持體造成損傷，圓滑地進行切斷之光學薄膜的製造方法。
本發明人為了解決前述之課題而進行檢討之結果，發現在雷射切斷方法，藉由將樹脂層和特定之雷射吸收層組合，能夠不會對支持體造成損傷，能夠呈良好地切斷樹脂層，而完成本發明。
也就是說，藉由本發明，提供下列之[1]~[8]。
[1]一種光學薄膜的製造方法，係包含對於具有樹脂層和設置在前述樹脂層之單面之雷射吸收層之層積體照射雷射光、而切斷前述樹脂層之切斷製程之光學薄膜的製造方法，由前述雷射吸收層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域之光的平均吸收率AA，係大於由前述樹脂層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域之光的平均吸收率AR，前述雷射吸收層之厚度TA相對於前述樹脂層之厚度TR之比率TA/TR係0.8以上。
[2]如[1]所記載之光學薄膜的製造方法，由前述之雷射吸收層而造成之前述平均吸收率AA係0.07以上。
[3]如[1]或[2]所記載之光學薄膜的製造方法，以使前述雷射光的光束之能量分布成為平坦狀之方式進行前述雷射光之照射。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之光學薄膜的製造方法，前述之樹脂層係包含環狀烯烴聚合物之熱塑性樹脂層。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載之光學薄膜的製造方法，前述之雷射吸收層係包含酯化合物之樹脂層。
[6]如[5]所記載之光學薄膜的製造方法，前述之包含酯化合物之樹脂係丙烯酸系接著劑。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載之光學薄膜的製造方法，前述雷射光之波長係9μm以上、11μm以下。
[8]如[1]至[7]中任一項所記載之光學薄膜的製造方法，前述之切斷製程係包含形成依照順序具備支持體、前述雷射吸收層和前述樹脂層之支持體-層積體複合物， 前述雷射光之照射係包含在前述支持體-層積體複合物之前述樹脂層側照射前述雷射光。
藉由本發明之光學薄膜的製造方法，即使是樹脂層是對於雷射之感受性低之物，也能夠不會對支持體造成損傷，圓滑地進行樹脂層之切斷，能夠藉此而有效率地製造高品質之光學薄膜。
100‧‧‧支持體-層積體複合物
110‧‧‧層積體
111‧‧‧樹脂層(R)
112‧‧‧雷射吸收層
120‧‧‧支持體
200‧‧‧雷射光照射裝置
[圖1]圖1係顯示在本發明之光學薄膜的製造方法之切斷製程之支持體-層積體複合物和雷射光之位置關係之一例之側視圖。
[圖2]圖2係顯示關於具有平坦狀之能量分布之雷射光束之能量分布之一例之圖形。
[圖3]圖3係顯示關於向來一般使用之高斯模式(Gaussian mode)之雷射光束之能量分布之一例之圖形。
在以下，關於本發明，顯示實施形態和例示物等而詳細地進行說明，但是，本發明係並非受限於以下顯示之實施形態和例示物等，能夠在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍內，任意地進行變更及實施。
在本案，所謂使用在製程之束或構件之方向為「垂直」或「水平」係只要是無特別限定，則能夠包含在無損害本發明之效果之範圍內之誤差。此種誤差係可以成為例如通常±5°、較佳是±2°、更佳是±1°之範圍內之誤差。
在本案，所謂「(甲基)丙烯酸」、「(甲基)丙烯酸酯」之表現，係表示丙烯酸、甲基丙烯酸或者是此等之組合。例如所謂(甲基)丙烯酸酯係表示丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯以及此等之組合之任何一種。此外，例如所謂(甲基)丙烯醯胺係表示丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺以及此等之組合之任何一種。
[1.光學薄膜的製造方法：概要]
本發明之光學薄膜的製造方法，係包含對於特定之層積體照射雷射光而切斷層積體之樹脂層之切斷製程。
[2.層積體以及支持體-層積體複合物]
使用於本發明之光學薄膜的製造方法之層積體，係具有樹脂層和設置在樹脂層之單面之雷射吸收層。在以下之說明，為了區別該特定之樹脂層和一般之樹脂層之全般，因此，有特別謂為「樹脂層(R)」之情形。
較佳之例子，層積體係與支持體作為複合物而供應於切斷製程。具體地說，可以依照順序設置支持體、雷射吸 收層和樹脂層(R)之支持體-層積體複合物，供應於切斷製程。
[2.1.支持體]
作為構成支持體材料之例子，係可列舉玻璃、樹脂和金屬。作為玻璃之具體例，係可列舉鈉玻璃、鉛玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃以及化學強化玻璃。此外，作為樹脂之例子，係可列舉聚醯亞胺樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等具有耐熱性之樹脂。作為金屬之例子，係可列舉鋁或不銹鋼等。
支持體之厚度係並無特別限定，能夠適度地選擇適合於實施本發明之方法之厚度。例如在玻璃支持體之情況下，具體而言，以0.05mm以上為佳、更佳是0.3mm以上，另一方面，以1.3mm以下為佳、更佳是1.1mm以下。在樹脂支持體之情況下，具體而言，以0.005mm以上為佳、更佳是0.01mm以上，另一方面，以0.2mm以下為佳、更佳是0.1mm以下。在金屬支持體之情況下，具體而言，以0.005mm以上為佳、更佳是0.01mm以上，另一方面，以2.0mm以下為佳、更佳是1.0mm以下。
[2.2.樹脂層(R)]
樹脂層(R)係以樹脂作為主成分，在本發明之光學薄膜的製造方法之切斷製程，成為切斷對象之層。樹脂層(R)係能夠由單獨之層而形成，也能夠由複數之層而形成。在較佳之態樣，樹脂層(R)係能夠為僅由透明之樹脂形成之透明樹脂層而形成，或者是由包含此種透明樹脂層和任意層之複數層而形成。
[2.2.1.透明樹脂層]
作為構成透明樹脂層之樹脂，係能夠使用能採用作為光學薄膜材料之任意樹脂。作為此種樹脂，係可以適度地選擇具有良好之透明性、機械強度、熱安定性、水分屏蔽性等之所期望性能之樹脂。作為此種樹脂之例子，係可列舉三乙醯基纖維素等之乙酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂等。其中，由於雙折射小之觀點，以乙酸酯樹脂、環狀烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂為佳，由透明性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等之觀點來看的話，則特別是以環狀烯烴樹脂為佳。
[2.2.2.烯烴樹脂層]
在較佳之態樣，樹脂層(R)所具有之透明樹脂層中之1層以上係烯烴樹脂層。構成烯烴樹脂層之烯烴樹脂，係包含環狀烯烴聚合物之熱塑性樹脂。由透明性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等各種觀點來看的話，則烯烴樹脂層對於偏光片保護層等之光學用途而言是有用的。但是，烯烴樹脂係雷射光之吸收少，因此，不對支持體造成損傷，而藉由雷射光對烯烴樹脂層進行良好切斷是困難的。於是，能夠藉由將具有烯烴樹脂層之樹脂層(R)供應於本發明之製造方法，而享受烯烴樹脂層之有用之性能，同時，圓滑地進行藉由良好之雷射光而造成之切斷。
[2.2.3.環狀烯烴聚合物]
環狀烯烴聚合物係其聚合物之結構單位為具有脂環式結構之聚合物。包含此種環狀烯烴聚合物之樹脂，係通常具有良 好之透明性、尺寸安定性、相位差發現性以及在低溫之成形容易性等之性能。
環狀烯烴聚合物係可以是在主鏈具有脂環式結構之聚合物、在側鏈具有脂環式結構之聚合物、在主鏈及側鏈具有脂環式結構之聚合物、以及此等之2種以上之任意比率之混合物。其中，由機械強度和耐熱性之觀點來看的話，以在主鏈具有脂環式結構之聚合物為佳。
作為脂環式結構之例子，係可列舉飽和脂環式烴(環烷)結構以及不飽和脂環式烴(環烯、環烴)結構。其中，由機械強度和耐熱性之觀點來看的話，以環烷結構及環烯結構為佳，其中，特別以環烷結構為佳。
構成脂環式結構之碳原子數，係每一個脂環式結構以4個以上為佳、更佳是5個以上，以30個以下為佳、更佳是20個以下、特別以15個以下為佳。在構成脂環式結構之碳原子數為該範圍時，環狀烯烴樹脂之機械強度、耐熱性和成形性，能夠高度地平衡。
在環狀烯烴聚合物，具有脂環式結構之結構單位之比例，係能夠配合得到之製品之使用目的而選擇。環狀烯烴聚合物之具有脂環式結構之結構單位之比例，以55重量%以上為佳、更佳是70重量%以上、特別以90重量%以上為佳。在環狀烯烴聚合物之具有脂環式結構之結構單位之比例為該範圍之時，環狀烯烴樹脂之透明性及耐熱性呈良好。
在環狀烯烴聚合物中，以環烯烴聚合物為佳。所謂環烯烴聚合物，係具有由環烯烴單體聚合而得到之結構之聚 合物。此外，環烯烴單體係具有由碳原子形成之環結構，並且在該環結構中具有聚合性之碳-碳雙鍵之化合物。作為聚合性之碳-碳雙鍵之例子，係可列舉能夠進行開環聚合等之聚合之碳-碳雙鍵。此外，作為環烯烴單體之環結構之例子，係可列舉單環、多環、縮合多環、交聯環以及組合此等之多環等。其中，由得到之聚合物之介電特性和耐熱性等之特性可高度地平衡之觀點來看的話，以多環之環烯烴單體為佳。
在上述之環烯烴聚合物中較佳之物可列舉降莰烯系聚合物、單環之環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物以及此等之氫化物等。其中，由於降莰烯系聚合物係成形性呈良好，因此，特別適合。
作為降莰烯系聚合物之例子，係可列舉具有降莰烯結構之單體之開環聚合物及其氫化物；具有降莰烯結構之單體之加成聚合物及其氫化物。此外，作為具有降莰烯結構之單體之開環聚合物之例子，係可列舉具有降莰烯結構之1種單體之開環均聚物、具有降莰烯結構之2種以上之單體之開環共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠共聚合於該單體之其他單體之開環共聚物。此外，作為具有降莰烯結構之單體之加成聚合物之例子，係可列舉具有降莰烯結構之1種單體之加成均聚物、具有降莰烯結構之2種以上之單體之加成共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠共聚合於該單體之其他單體之加成共聚物。其中，由成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等之觀點來看的話，以具有降莰烯結構之單體之開環聚合物之氫化物特別適合。
作為具有降莰烯結構之單體之例子，係可以列舉二環[2.2.1.]庚-2-烯(慣用名稱：降莰烯)、三環[4.3.0.12,5]十-3,7-二烯(慣用名稱：雙環戊二烯)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]十-3-烯(慣用名稱：亞甲基四氫芴)、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二-3-烯(慣用名稱：四環十二碳烯)、以及此等之化合物之衍生物(例如在環具有取代基)。在此，作為取代基之例子係能夠列舉烷基、伸烷基和極性基。此外，此等取代基係可以相同或不同，亦可複數個之取代基鍵結於環。具有降莰烯結構之單體係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率，組合使用2種以上。
作為極性基之例子，係可列舉雜原子(hetero atom)以及具有雜原子之原子團。作為雜原子之例子，係可列舉氧原子、氮原子、硫原子、矽原子和鹵素原子。作為極性基之具體例，係可列舉羧基、羰基氧基羰基、環氧基、羥基、氧化基、酯基、矽烷醇基、矽基、胺基、醯胺基、醯亞胺基、腈基和磺酸基。
作為能夠與具有降莰烯結構之單體開環共聚合之單體之例子，係可列舉環己烯、環庚烯、環辛烯等之單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等之環狀共軛二烯及其衍生物。能夠與具有降莰烯結構之單體之開環共聚合單體係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率，組合使用2種以上。
具有降莰烯結構之單體之開環聚合物，係例如能夠藉由在開環聚合觸媒之存在下，聚合或共聚合單體而製造。
作為能夠與具有降莰烯結構之單體加成共聚合之 單體例子，係可列舉乙烯、丙烯、1-丁烯等之碳原子數2~20之α-烯烴以及此等之衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等之環烯烴以及此等之衍生物；以及1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等之非共軛二烯。其中，以α-烯烴為佳，更佳是乙烯。此外，能夠與具有降莰烯結構之單體加成共聚合之單體係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
具有降莰烯結構之單體之加成聚合物，係例如能夠藉由在加成聚合觸媒之存在下，聚合或共聚合單體而製造。
上述之開環聚合物和加成聚合物之氫化物，係例如能夠藉由在此等之開環聚合物和加成聚合物之溶液，將碳-碳不飽和鍵結，藉由添加90%以上之氫製造為佳。氫化係可以於包含鎳、鈀等之過鍍金屬之氫化觸媒之存在下而進行。
在降莰烯系聚合物中，作為結構單位係具有X：二環[3.3.0]辛烷-2,4-二基-乙烯結構和Y：三環[4.3.0.12,5]癸烷-7,9-二基-乙烯結構，此等之結構單位的量係相對於降莰烯系聚合物之結構單位整體為90重量%以上，並且，X的比例和Y的比例之比值係以X：Y之重量比為100：0~40：60為佳。藉由使用此種聚合物，而使得包含該降莰烯系聚合物之烯烴樹脂層，能夠在長時期，無尺寸變化，具有良好之光學特性之安定性。
作為單環之環狀烯烴系聚合物之例子，係可以列舉環己烯、環庚烯、環辛烯等具有單環之環狀烯烴系單體之加成聚合物。
作為環狀共軛二烯系聚合物之例子，係可以列舉將1,3-丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之共軛二烯系單體之加成聚合物進行環化反應而得到之聚合物；環戊二烯、環己二烯等之環狀共軛二烯烴系單體之1,2-或1,4-加成聚合物；以及此等之氫化物。
此外，上述之環狀烯烴聚合物，係以該環狀烯烴聚合物之分子不包含極性基為佳。在分子中不包含極性基之環狀烯烴聚合物，一般有特別地難以吸收二氧化碳氣體雷射光之傾向。但是，如果是藉由本發明之製造方法的話，則包含在此種分子中不包含極性基之環狀烯烴聚合物之樹脂層(R)也能夠藉由雷射光而也容易地切斷。此外，藉由使用在分子中不包含極性基之環狀烯烴聚合物，而能夠減低得到之偏光板之透明樹脂層之吸水性。
環狀烯烴聚合物之重量平均分子量(Mw)，係能夠配合得到之製品之使用目地而適度地選定，以10,000以上為佳，更佳是15,000以上，特別佳是20,000以上，以100,000以下為佳，更佳是80,000以下，特別佳是50,000以下。在重量平均分子量為此種範圍之時，所得到之製品中之透明樹脂層之機械強度和成型加工性呈高度地平衡。在此，前述之重量平均分子量係使用環己烷作為溶媒(但是，在試料不溶解於環己烷之狀態下，能夠使用甲苯。)而藉由凝膠滲透層析法來測定之聚異戊二烯換算或聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
環狀烯烴聚合物之分子量分布(重量平均分子量(Mw)/數平均分子量(Mn))以1.2以上為佳，更佳是1.5 以上，特別佳是1.8以上，以3.5以下為佳，更佳是3.0以下，特別佳是2.7以下。藉由分子量分布成為前述之下限值以上，而能夠提高聚合物之生產性，抑制製造成本。此外，藉由成為上限值以下，而減少低分子成分的量，因此，能夠抑制在高溫曝露時之緩和，提高透明樹脂層之安定性。
烯烴樹脂層之環狀烯烴聚合物之比例係以90重量%以上為佳，更佳是92重量%以上，特別佳是95重量%以上，以99.9重量%以下為佳，更佳是99重量%以下，特別佳是98重量%以下。藉由環狀烯烴聚合物之比例成為前述範圍之下限值以上，而能夠減低透明樹脂層之吸水性。此外，藉由成為上限值以下，而能夠提高9μm~11μm之波長之光之吸收率，能夠容易藉由二氧化碳氣體雷射光而進行切斷。
烯烴樹脂層係除了環狀烯烴聚合物以外，還能夠包含任意成分。作為任意成分，係可列舉例如用以提高對於雷射光之感受性之酯化合物、顏料、染料等之著色劑；螢光增白劑；分散劑；熱安定劑；光安定劑；紫外線吸收劑；抗靜電劑；抗氧化劑；微粒；界面活性劑等添加劑。此等成分係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
形成烯烴樹脂層之環狀烯烴樹脂之玻璃轉移溫度，係以100℃以上為佳，更佳是110℃以上，特別佳是120℃以上，以190℃以下為佳，更佳是180℃以下，特別佳是170℃以下。藉由玻璃轉移溫度為前述之範圍內，而能夠容易製造耐久性呈良好之透明樹脂層。此外，藉由成為上限值以下而能夠容易進行成形。
[2.2.4.透明樹脂層之厚度、性質等]
透明樹脂層之厚度TR係以1μm以上為佳，更佳是5μm以上，特別佳為10μm以上，並且，以100μm以下為佳，更佳是50μm以下，特別佳為30μm以下。藉由透明樹脂層之厚度成為前述範圍之下限值以上，而能夠在透明樹脂層，賦予能夠效率良好地吸收二氧化碳氣體雷射光之性質。此外，藉由成為上限值以下，而能夠降低透明樹脂層之霧度，因此，能夠使得透明樹脂層之透明性呈良好。
所謂透明樹脂層為「透明」，係表示具有適合作為偏光板使用之程度的透光率。在本發明，樹脂層(R)中1層以上之透明樹脂層整體，具有80%以上之總透光率。
[2.3.雷射吸收層]
雷射吸收層係特定波長光之吸收率大於樹脂層之吸收率之層。也就是說，藉由雷射吸收層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域光之平均吸收率AA係大於藉由樹脂層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域光之平均吸收率AR。平均吸收率AA和AR之差異AA-AR以0.02以上為佳，更佳是0.03以上。
在本案，所謂某層之光吸收率係藉由在入射至該層之光、通過該層而射出之狀態下，相對於入射光的強度，因通過該層而衰減之強度之比例。在本案，該比例係以入射光強度作為1之相對值而表示。平均吸收率係例如使用NICOLET iS5(Thermo Fisher Scientific公司)作為測定裝置，藉由透過法，以檢測器DTGS KBr、分解能4cm-1、累計次數16次而進行測定，求出9μm以上、11μm以下之波長區域之吸收率之平 均值而求得。
雷射吸收層之平均吸收率AA，以高於某種程度以上之值為佳。具體地說，平均吸收率以0.07以上為佳，更佳是0.1以上。雷射吸收層之平均吸收率AA之上限係並無特別限定，例如成為4.0以下。另一方面，樹脂層(R)之平均吸收率AR成為例如0.02~0.05。在本發明之製造方法，即使是樹脂層(R)之平均吸收率AR為如此的低值，也能夠進行圓滑之切斷。
藉由使雷射吸收層具有上面敘述之吸收率，而能夠在切斷製程，圓滑地進行樹脂層(R)之切斷。具體地說，藉由以雷射吸收層吸收雷射之能量而產生熱能，藉由將此種熱能傳達至樹脂層(R)而促進樹脂層(R)之切斷。
雷射吸收層對於樹脂層之厚度，具有特定比率之厚度。也就是說，雷射吸收層之厚度TA、相對於樹脂層之厚度TR之比率TA/TR係0.8以上。比率TA/TR以0.9以上為佳，更佳是1.0以上。另一方面，比率TA/TR之上限係並無特別限定，可以為50以下。藉由比率TA/TR成為前述之下限以上，而使得雷射吸收層產生充分之熱能，能夠充分地促進樹脂層(R)之切斷。另一方面，藉由比率TA/TR成為前述之上限以下，而能夠圓滑地進行樹脂層(R)之貼合及剝離。
此外，由賦予良好之接著力和促進切斷之能力之觀點來看的話，則雷射吸收層之厚度TA以特定之範圍內為佳。具體地說，TA係以10μm以上為佳，更佳是20μm以上，另一方面，以50μm以下為佳，更佳是40μm以下。
雷射吸收層係以包含酯化合物之樹脂層為佳。所謂酯化合物係在分子中具有酯鍵之化合物。藉由包含酯化合物，而使得雷射吸收層，能夠有效率地吸收9μm以上、11μm以下之波長區域之雷射光之能量。
雷射吸收層係接著劑層為佳。藉由雷射吸收層為接著劑層，而能夠容易形成支持體-層積體複合物。
較佳為雷射吸收層中之包含酯化合物之樹脂，係丙烯酸系接著劑。丙烯酸系接著劑係包含丙烯酸系聚合物之接著劑。作為丙烯酸系聚合物之例子，係可列舉丙烯酸系單體之聚合物、以及丙烯酸系單體和其他之任意單體之共聚物。
作為丙烯酸系單體之例子，係可列舉烷基(甲基)丙烯酸酯類、烷氧基烷基(甲基)丙烯酸酯類、(甲基)丙烯醯胺類、以及此等之組合。作為烷基(甲基)丙烯酸酯類之例子，係可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、異丁基(甲基)丙烯酸酯、己基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、硬脂醯(甲基)丙烯酸酯、以及此等之組合。
作為烷氧基烷基(甲基)丙烯酸酯類之例子，係可列舉甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、丁氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、以及此等之組合。
作為(甲基)丙烯醯胺類之例子，係可列舉環己基(甲基)丙烯酸酯、苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、 以及此等之組合。
丙烯酸系聚合物，亦可為上面敘述之丙烯酸系單體和具有官能基之丙烯酸系單體之共聚物。作為具有官能基之丙烯酸系單體之例子，係可列舉順丁烯二酸、富馬酸、(甲基)丙烯酸等之不飽和酸類；2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥己基(甲基)丙烯酸酯、二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、環氧丙基(甲基)丙烯酸酯、順丁烯二酸酐等。具有官能基之丙烯酸系單體係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
丙烯酸系接著劑係能夠配合需要而包含交聯劑。交聯劑係用以和存在於共聚物之官能基發生熱交聯反應，最終形成具有三維網狀結構之層之化合物。能夠藉由包含交聯劑，而在保護薄膜，提高和接合於丙烯酸系接著劑之其他層之間之密合性、保護薄膜之強韌性、耐溶劑性、耐水性等。作為交聯劑之例子係列舉異氰酸酯系化合物、三聚氰胺系化合物、尿素系化合物、環氧系化合物、胺基系化合物、醯胺系化合物、氮丙啶化合物、噁唑啉化合物、矽烷偶合劑、以及此等之變性體。交聯劑係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
由接著劑層之交聯性和強韌性等之觀點來看的話，則交聯劑係以使用異氰酸酯系化合物及其變性體為佳。所謂異氰酸酯系化合物，係在1分子中具有2個以上之異氰酸酯基之化合物，大致區分成芳香族系和脂肪族系之化合物。作為 芳香族系之異氰酸酯系化合物，係可列舉例如甲伸苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、聚亞甲基聚苯基聚異氰酸酯、萘二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、對伸苯二異氰酸酯等。此外，作為脂肪族系之異氰酸酯系化合物，係可列舉例如六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、氫化二甲苯撐基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸酯、二甲苯撐基二異氰酸酯等。此外，作為此等異氰酸酯系化合物之變性體，係可列舉例如異氰酸酯系化合物之雙脲、異氰脲酸酯體、三羥甲基丙烷加成物等。
在丙烯酸系接著劑包含交聯劑之狀態下，丙烯酸系接著劑可為了促進交聯反應，進一步例如能夠包含二丁基錫月桂酸酯等之交聯觸媒。
丙烯酸系接著劑係能夠配合需要而包含黏著賦予性聚合物。作為黏著賦予性聚合物之例子，係可列舉芳香族烴聚合物、脂肪族烴聚合物、萜烯聚合物、萜烯酚聚合物、芳香族烴變性萜烯聚合物、香豆酮‧茚聚合物、苯乙烯系聚合物、松香系聚合物、酚系聚合物、二甲苯聚合物等，其中，以低密度聚乙烯等之脂肪族烴聚合物為佳。但是，具體之黏著賦予性聚合物之種類係由和其他之聚合物之間之相溶性、樹脂之熔點和丙烯酸系接著劑之黏著力之方面而適度地選擇。此外，黏著賦予性聚合物係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
黏著賦予性聚合物之量，係相對於丙烯酸系接著劑100重量份、以5重量份以上為佳，以200重量份以下為佳， 更佳是100重量份以下。藉由黏著賦予性聚合物之量成為前述範圍之下限值以上，而能夠在貼合於環狀聚烯烴薄膜之狀態下，保護薄膜無浮起或者是剝離。此外，藉由成為上限值以下，而抑制保護薄膜之重複張力，能夠防止在貼合於環狀聚烯烴薄膜時之皺紋和傷痕，或者是防止黏著賦予性聚合物之流出，呈高度地維持丙烯酸系接著劑之黏著力。
丙烯酸系接著劑係能夠配合需要而包含例如軟化劑、老化防止劑、填充劑、著色劑(染料或顏料等)等之添加劑。添加劑係能夠單獨使用1種，也能夠以任意之比率組合使用2種以上。
[2.4.層積體及支持體-層積體複合物之調製方法]
調製層積體及支持體-層積體複合物之方法係並無特別限定，能夠採用任意之方法。在較佳之例子，藉由準備能夠形成雷射吸收層之接著劑，使用該接著劑貼合樹脂層(R)和支持體，藉此而容易調製在支持體上設置層積體之支持體-層積體複合物。
[3.切斷製程]
本發明之光學薄膜的製造方法，係包含對於層積體照射雷射光而切斷層積體之樹脂層(R)之切斷製程。
參考圖式而說明本發明之切斷製程。圖1係顯示在本發明之光學薄膜的製造方法之切斷製程之支持體-層積體複合物和雷射光之位置關係之一例之側視圖。在該例子，支持體-層積體複合物100係包含層積體110和支持體120，層積體110係包含樹脂層(R)111和雷射吸收層112。雷射吸收層112係 發揮作為接著劑層之機能，貼合樹脂層(R)111和支持體120。
在該例子，支持體-層積體複合物100係以該樹脂層(R)111側之面作為上側，而呈水平地進行載置。雷射光照射裝置200係設置於支持體-層積體複合物100之上方，由雷射光照射裝置200向箭號A20所示之垂直下方之方向射出雷射光，藉此而在支持體-層積體複合物100之樹脂層(R)111側之面照射雷射光。但是，實際之切斷製程係並非受限於此，能夠在任意之方向載置層積體，相對於此，由適當之任意方向照射雷射光而實施。
在切斷製程，正如圖1之例子所示，以在支持體-層積體複合物之樹脂層(R)側照射雷射光為佳。藉此而使得入射至樹脂層(R)之雷射光，依序地穿透過樹脂層(R)和雷射吸收層，如果支持體為光透過性之物的話，則進一步穿透過支持體。此時，雷射光之能量係被樹脂層(R)和雷射吸收層依序地吸收。在此，即使是被吸收於樹脂層(R)之能量為小，然而，被吸收於雷射吸收層之能量為大，因此在雷射吸收層產生許多之熱，其中一部分係傳導至樹脂層(R)。藉此，即使樹脂層(R)是對於雷射之感受性為低之物的情況下，也能夠藉由比較低之雷射光之輸出達成樹脂層(R)之切斷。此外，即使是在相對於樹脂層(R)在兩面配置雷射吸收層之狀態下，也能夠達成樹脂層(R)之切斷。因此，並不對於支持體造成損傷，能夠圓滑地進行樹脂層(R)之切斷。
切斷製程之雷射光束之能量分布，係並無特別限定，能夠是由一般之雷射光照射裝置射出高斯模式(Gaussian mode)之能量分布者即可，也能夠是平坦狀之能量分布，以平坦狀之能量分布為佳。具有平坦狀之能量分布之光束，係也稱為「頂帽(top hat)」形狀之光束。
光束之能量分布，係能夠藉由以來自光束之光軸之距離作為橫軸，並且以該距離之位置的能量作為縱軸之圖形而表示。參考圖2而說明平坦狀之能量分布之例子。圖2係顯示關於具有平坦狀之能量分布之雷射光束之能量分布之一例之圖形。圖2之橫軸係以某方位角為正、並且其相反之方位角為負，而表示由雷射光之光束之光軸開始之距離，圖2之縱軸係表示該距離位置之雷射光之能量。在圖2所示之例子，能量分布係在箭號A11所示之幅寬，成為平坦狀。在至少一個方位顯示此種平坦狀之能量分布之雷射光，即能夠使用於切斷製程。例如也能夠使用在垂直於光束之光軸之橫剖面，在全部之方位角具有平坦狀之能量分布之光束，並且，也能夠使用在光束之橫剖面之長軸方向、能量分布係成為頂狀，在短軸方向成為高斯分布之光束。
另一方面，圖3係顯示關於向來一般使用之高斯模式(Gaussian mode)之雷射光之光束之能量分布之一例之圖形。在圖3所示之例子，能量分布係成為不具有平坦部分之形狀。
在較佳之例子，平坦區域之能量之偏差(對應於圖2之箭號A12)，係相對於平坦區域之平均能量以±10%為佳，更佳是±7%，進而較佳是±6%之範圍內。藉由使用具有此種能量分布之雷射光，而能夠更加地減低對於支持體之損傷，同時，能夠更加確實地切斷樹脂層(R)。此外，即使是在雷 射吸收層比較薄之狀態下，也能夠更加地減低對於支持體之損傷，並且，進一步圓滑地進行切斷。
此種具有平坦狀之能量分布之光束，係能夠藉由在高斯模式或者是接近於該模式射出之一般光束之通路內，配置光束整形器，變換能量分布而得到。作為光束整形器之例子，係可列舉藉由將入射之光束進行折射、繞射和反射以及此等之組合而進行整形，將光束內之能量分布進行再分配之整形器。作為光束整形器之更加具體之例子，係可列舉習知者、例如專利文獻2及3所記載者。作為光束整形器之其他之例子，係可列舉將高斯光束變換成為在至少一個方位具有平坦之能量分布之光束之市面販賣之整形器(例如大興製作所股份有限公司製之頂帽模組)。
作為使用於切斷製程之雷射裝置，係可使用能夠使用在薄膜加工之各種形式者。作為可使用之雷射裝置之例子，係可列舉二氧化碳氣體雷射裝置。二氧化碳氣體雷射裝置係即使是在各種之雷射裝置中比較便宜，並且有效率地得到適合於薄膜加工之波長和輸出，因此較佳。
在切斷製程，由雷射裝置射出之雷射光之波長係為9μm以上、11μm以下之波長。特别是9.4μm附近(9.1~9.7μm)以及10.6μm附近(10.1~11.0μm)之波長之雷射光，係能夠在使用二氧化碳氣體雷射裝置作為雷射裝置之狀態下，安定地進行輸出。因此，在採用此種波長之雷射光之狀態下，能夠非常特別良好地進行本發明之製造方法。
雷射光之輸出P以1W以上為佳，更佳是5W以 上，進而較佳是15W以上，以400W以下為佳，更佳是350W以下，進而較佳是300W以下，進而更佳是250W以下，特別佳是120W以下。藉由雷射光之輸出P成為前述範圍之下限值以上，而能夠防止雷射光之照射量不足、安定地進行切斷製程。此外，藉由雷射光之輸出P成為前述範圍之上限值以下，而能夠抑制薄膜之不希望之變形和對於支持體之損傷。
雷射光係可以是連續雷射光，也可以是脈衝雷射光。其中，以脈衝雷射光為佳。藉由使用脈衝雷射光而能夠抑制熱能之產生進行加工。
在使用脈衝雷射光之狀態下，雷射光之頻率係以10kHz以上為佳，更佳是15kHz以上，特別佳是20kHz以上，以300kHz以下為佳，更佳是200kHz以下，進而較佳是150kHz以下，特別佳是80kHz以下。藉由脈衝雷射光之頻率成為前述範圍之下限值以上，而能夠加速加工速度。此外，藉由成為上限值以下，而能夠更加地抑制熱影響而進行加工。
在使用脈衝雷射光之狀態下，脈寬之範圍係以10奈秒以上為佳，更佳是12奈秒以上，特別佳是15奈秒以上，以30奈秒以下為佳，更佳是28奈秒以下，特別佳是25奈秒以下。藉由脈衝雷射光之脈寬為前述範圍之下限值以上，而能夠加速加工速度。此外，藉由成為上限值以下，而能夠更加地抑制熱影響而進行加工。
在切斷製程，通常以使雷射光沿著所期望之線掃描樹脂層(R)之表面的方式，在樹脂層(R)照射雷射光。藉此而使得在樹脂層(R)遭受雷射光之點、在樹脂層(R)之表 面沿著所期望之線移動，因此，能夠切斷樹脂層(R)而成為所期望切斷之形狀。在此時，為了使雷射光掃描樹脂層(R)之表面，因此，可以移動雷射光之照射裝置，也可以移動樹脂層(R)，也可以移動雷射光和樹脂層(R)兩者。
掃描速度、也就是在樹脂層(R)遭受雷射光之點在樹脂層(R)之表面移動時的移動速度，係能夠配合雷射光之輸出P和樹脂層(R)之厚度等之條件而適度地設定。掃描速度V之具體範圍係以5mm/s以上為佳，更佳是10mm/s以上，特別佳是20mm/s以上，以4000mm/s以下為佳，更佳是3000mm/s以下，進而較佳是2000mm/s以下，特別佳是1500mm/s以下。藉由掃描速度V成為前述範圍之下限值以上，而能夠抑制產生之熱能，得到良好之切斷面。此外，藉由成為上限值以下，而能夠減少雷射光之掃描次數，進行有效率之切斷。
雷射光之照射係以使得雷射光之輸出P(單位：W)和掃描速度V(單位：mm/s)之比值P/V，成為特定之範圍之方式進行為佳。
P/V值係0.10以上、以0.15以上為佳，另一方面，為0.25以下，以0.20以下為佳。藉由在切斷製程，進行此種雷射光之照射，而能夠更加地減低對於支持體之損傷，並且，更加圓滑地進行樹脂層之切斷。
在為了沿著某線切斷樹脂層(R)而照射雷射光之際，沿著該線之雷射光之掃描次數係可以是1次，也可以是2次以上。藉由以1次之掃描進行切斷，而能夠縮短在切斷製程 之所需要之時間。此外，藉由成為2次以上，而能夠減少因每1次之雷射光之照射樹脂層(R)所產生之熱能，因此，能夠更加地降低雷射處理的影響部之幅寬。
使用僅在一方位顯示平坦狀之能量分布之雷射光作為雷射光之情況，在切斷製程之際，在垂直於該方位之方向掃描雷射光係能夠得到精密地控制之切斷面，因此較佳。
[4.切斷製程後之製程]
在本發明之光學薄膜的製造方法，可以在切斷製程後，進行任意之製程。例如、進行將切斷製程的結果、成為複數個之薄膜片之樹脂層(R)中之一部分或全部、由支持體剝離之製程。在剝離之際，可將樹脂層(R)之全部層從支持體剝離，也可以由殘餘僅剝離一部分的層。剝離而得到之樹脂層(R)之薄膜片，係可以直接地或經由配合需要和其他之任意層之貼合等之任意製程，成為製品之光學薄膜。或者能夠將切斷之樹脂層(R)之薄膜片和支持體之層積體，直接地作為製品之偏光板和支持體組合成之層積體，組裝於顯示裝置。
藉由本發明之製造方法而得到之光學薄膜之用途，並無限制，能夠成為偏光板等之任意之光學構件。此外，該光學薄膜係能夠單獨地使用，也能夠組合於其他之任意構件而使用。例如能夠組裝於液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置、電漿顯示裝置、FED(電場釋出)顯示裝置、SED(表面電場)顯示裝置等之顯示裝置。
此外，例如可將使用藉由本發明之光學薄膜的製造方法而得到之薄膜片之光學薄膜，作為偏光片之保護薄膜使用，並 且，進一步貼合於其他之偏光片層而構成偏光板。
此外，例如能夠將得到之薄膜片作為相位差薄膜，組合於圓偏光薄膜而得到亮度提升薄膜。
【實施例】
在以下，顯示實施例而具體地進行說明關於本發明。但是，本發明係並非受限於以下之實施例，能夠在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍，任意地進行變更及實施。
在以下之說明，表示數量之「%」及「份」係只要是無特別限定的話，則為重量基準。此外，在以下說明之操作係只要是無特別限定的話，則於常溫及常壓之條件進行。
[評價方法]
(平均吸收率之測定)
分別準備由實施例及比較例之個自得到之樹脂薄膜作為樣本1。此外，準備在樣本1之一面之表面、設置與使用在實施例及比較例之各個之接著劑層之相同材料和厚度之接著劑層者，作為樣本2。關於此等樣本1~2，測定平均吸收率。作為測定裝置係使用NICOLET iS5(Thermo Fisher Scientific公司)，藉由透過法，以檢測器DTGS KBr、分解能4cm-1、累計次數16次，而進行測定，求出9μm以上、11μm以下之波長區域之吸收率之平均值，得到平均吸收率。以樣本1之平均吸收率作為平均吸收率AR。以樣本2之平均吸收率和樣本1之平均吸收率之差，作為平均吸收率AA。各實施例和比較例之平均吸收率AR係如下列之表1及表2所示。另一方面，確認任 一個平均吸收率AA係更加地大於0.07。
[實施例1]
(1-1.環狀烯烴樹脂薄膜)
在氮取代之反應器，加入三環[4.3.0.12,5]十-3-烯(在以下，稱為「DCP」)和四環[4.4.0.12,5.17,10]十二-3-烯(在以下，稱為「TCD」)及四環[9.2.1.02,10.03,8]十四-3,5,7,12-四烯(在以下，稱為「MTF」)之混合物(重量比60/35/5)之7重量份(相對於使用在聚合之單體全量而成為重量1%)以及環己烷1600重量份，添加三-i-丁基鋁之0.55重量份、異丁醇之0.21重量份、作為反應調整劑之二異丙基醚之0.84重量份以及作為分子量調整劑之1-己烯之3.24重量份。在此，添加溶解於環己烷之0.65%之六氯化鎢溶液之24.1重量份，在55℃，進行10分鐘之攪拌。接著，反應系統保持於55℃，同時在系統內，以150分鐘，分別地連續地滴下DCP、TCD和MTF(重量比60/35/5)之混合物之693重量份以及溶解於環己烷之0.65%之六氯化鎢溶液之48.9重量份。然後，持續地進行30分鐘之反應，結束聚合，得到開環聚合反應液。
在結束聚合後，藉由氣相層析儀而測定之單體之聚合轉化率係在結束聚合時，成為100%。
將得到之開環聚合反應液，移送至耐壓性之氫化反應器，加入矽藻土載持之鎳觸媒(日揮化學公司製、製品名稱：「T8400RL」、鎳載持率57%)之1.4重量份和環己烷167重量份，在180℃、氫壓力4.6MPa，進行6小時之反應。對於該反應溶液，以矽藻土# 500(Radio light # 500)，作為過濾 床，藉由壓力0.25MPa進行加壓過濾(石川島播磨重工公司製、製品名稱：「FUNDABAC FILTER」)，除去氫化觸媒，得到無色透明之溶液。接著，在得到之溶液，添加在前述之氫化物之每100重量份之0.5重量份之氧化防止劑：季戊四醇四[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](Ciba Specialty Chemicals公司製、製品名稱：「IRGANOX 1010」)，進行溶解。接著，藉由Zeta Plus Filter 30H(CUNOFILTER公司製、孔徑0.5~1μm)而依序地進行過濾，並且藉由其他之金屬纖維製之過濾器(孔徑0.4μm、NICHIDAI公司製)而進行過濾，除去微小之固態成分。在過濾後之溶液中，開環聚合物氫化物之氫化率係99.9%。
接著，對於前述之溶液，使用圓筒型濃縮乾燥器(日立製作所公司製)，在溫度270℃、壓力1kPa以下，由溶液除去作為溶媒之環己烷和其他揮發性成分。將除去揮發性成分後之殘渣由直接結合於濃縮機之模具，以熔融狀態，呈條狀地擠壓、冷卻後，得到開環聚合物氫化物之初始材料之顆粒。顆粒之玻璃轉移溫度係123℃，熔體流動速率係15.0。
準備具備螺旋直徑20mm 、壓縮比3.1、L/D=30之螺旋之吊架-歧管式之T字模式之薄膜熔融擠壓成形機(安裝型、GSI Creos公司製)。
使用前述之薄膜熔融擠壓成形機，對於前述之顆粒，進行加熱、熔融，成形為薄膜狀，得到厚度13μm之環狀烯烴樹脂薄膜。
(1-2.支持體-層積體複合物)
在作為支持體之玻璃板(厚度0.7mm)之一方之面上，使用接著劑而貼合(1-1)所得到之樹脂薄膜。作為接著劑係使用丙烯酸系接著劑(商品名稱：「CS9621」、日東電工股份有限公司製)。該製品係具有設置在2片之離模薄片之間之厚度25μm之接著劑層之雙面黏著薄片，藉由適度地將離模薄片剝離，將接著劑層轉印於支持體上，而使用該製品。藉此而得到具有(樹脂薄膜層)/(接著劑層)/(玻璃板)之層結構之支持體-層積體複合物。在此等層中，樹脂薄膜層係相當於樹脂層(R)，接著劑層係相當於雷射吸收層，樹脂薄膜層和接著劑層係相當於層積體。接著劑層之厚度TA係25μm，結果，厚度比率TA/TR成為1.9。
(1-3.切斷製程)
在(1-3)所得到之支持體-層積體複合物之樹脂薄膜側之面，藉由雷射光照射裝置(DIAMOND E-250i(Coherent公司製))而呈垂直地照射波長9.4μm之二氧化碳氣體雷射光，切斷樹脂層(R)，得到包含切斷之樹脂層(R)和接著劑層之光學薄膜。雷射光之輸出P之調整係100W。在照射之際，雷射光係藉由頻率20kHz之週期而重複地進行照射和停止之脈衝雷射光。藉由具備DOE(繞射光學元件)之光束整形器，對於由照射裝置所照射之高斯分布之平行光線之雷射光進行整形，藉此而使得雷射光束之能量分布，在垂直於光軸之面方向，成為概略均一之平坦狀。藉由在樹脂層(R)之面上、移動雷射光之照射位置，進行掃描之樹脂層(R)之切斷。掃描速度V係500mm/s，掃描次數係1次。
(1-4.評價)
觀察藉由切斷製程而造成之切斷狀態，進行評價。其結果觀察到完全地切斷樹脂層(R)，在支持體不造成傷痕。
[實施例2~4及比較例1~4]
改變(1-1)之薄膜之熔融擠壓成形之條件，將環狀烯烴樹脂薄膜之厚度，變更成為表1及表2所示之值。此外，接著劑層之厚度，變更成為表1所示之值。厚度50μm之接著劑層係藉由設置重疊2層之使用在實施例1之接著劑層而形成。除了此等事項以外，其餘係相同於實施例1，進行切斷製程，得到光學薄膜，觀察藉由切斷製程而造成之切斷狀態，進行評價。
[實施例5]
(5-1.丙烯酸系樹脂溶液之調製)
在具備溫度計、攪拌機、滴下漏斗和回流冷卻器之反應器內，裝入甲基乙基甲酮28重量份和甲苯8重量份，進行攪拌，同時進行升溫，在成為90℃之後，以2小時滴下溶解在苄基丙烯酸酯70重量份、2-羥乙基丙烯酸酯15重量份和丙烯酸丁酯15重量份之作為聚合起始劑之偶氮基雙異丁腈(AIBN)0.16重量份之混合物。此外，在聚合途中，逐次地追加在乙酸乙酯2重量份來溶解AIBN之0.06重量份之聚合觸媒液，同時，進行7小時之聚合，得到丙烯酸系樹脂溶液(固體成分濃度65.1%、黏度1300mPa‧s(25℃)、重量平均分子量105,000、數平均分子量36,000、分散度2.92、玻璃轉移溫度-8.3℃)。
(5-2.接著劑之調製)
在(5-1)所得到之丙烯酸系樹脂溶液100重量份(固體 成分相當量)，調配三羥甲基丙烷之甲伸苯基二異氰酸酯加成物之55%乙酸乙酯溶液(日本聚胺基甲酸乙酯公司製、「Coronate L-55E」)之0.3重量份，成為黏著劑組成物。在聚酯系離模薄片，塗佈該黏著劑組成物，而使得在乾燥後之膜厚，成為10μm，在100℃，進行4分鐘之乾燥，形成接著劑層。藉此而得到具有(離模薄片)/(接著劑層)之層結構之2層之複數層物。然後，在該複數層物之接著劑層側之面，貼合聚酯系離模薄片，得到具有(離模薄片)/(接著劑層)/(離模薄片)之層結構之3層之複數層物。在40℃之條件下，進行10日之熟成，得到雙面黏著薄片。
(5-3.切斷製程)
除了使用在(5-2)所得到之接著劑來作為接著劑以外，其餘係相同於實施例1，進行切斷製程得到光學薄膜，觀察藉由切斷製程而造成之切斷狀態，進行評價。
[實施例6]
改變(1-1)之薄膜之熔融擠壓成形之條件，將環狀烯烴樹脂薄膜之厚度，變更成為表1所示之值。此外，將使用在切斷製程之雷射光，變更成為波長10.6μm之二氧化碳氣體雷射光。除了此等事項以外，其餘係相同於實施例1，進行切斷製程得到光學薄膜，觀察藉由切斷製程而造成之切斷狀態，進行評價。
[比較例5]
改變(1-1)之薄膜之熔融擠壓成形之條件，將環狀烯烴樹脂薄膜之厚度，變更成為表1所示之值。此外，作為接著劑係使用在(5-2)所得到之接著劑。此外，藉由雷射光照射裝置 (DIAMOND E-250(Coherent公司製))，而將使用在切斷製程之雷射光，變更成為波長10.6μm之二氧化碳氣體雷射光。除了此等事項以外，其餘係相同於實施例1，進行切斷製程得到光學薄膜，觀察藉由切斷製程而造成之切斷狀態，進行評價。
將實施例及比較例之概要和評價結果，整理於下列之表1和表2。
1)良：觀察到樹脂層(R)被完全地切斷，在支持體並不存在損傷。不良：殘留有樹脂層(R)未被切斷之部位。
由以上之結果而得知，在比率TA/TR等之各條件 滿足本發明之要件之實施例之製造方法，比起比率TA/TR成為本發明之要件範圍外之比較例，更能夠達成樹脂層(R)之圓滑切斷。

Claims (8)

  1. 一種光學薄膜的製造方法，係包含對具有樹脂層及設置在前述樹脂層之單面之雷射吸收層的層積體照射雷射光、而切斷前述樹脂層之切斷製程之光學薄膜的製造方法，其特徵為：由前述雷射吸收層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域之光的平均吸收率A A，係大於由前述樹脂層而造成之9μm以上、11μm以下之波長區域之光的平均吸收率A R，前述雷射吸收層之厚度T A相對於前述樹脂層之厚度T R之比率T A/T R係0.8以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學薄膜的製造方法，其中，由前述雷射吸收層而造成之前述平均吸收率A A係0.07以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜的製造方法，其中，以使得前述雷射光的光束之能量分布成為平坦狀之方式進行前述雷射光之照射。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜的製造方法，其中，前述樹脂層係包含環狀烯烴聚合物之熱塑性樹脂層。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜的製造方法，其中，前述雷射吸收層係包含酯化合物之樹脂層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之光學薄膜的製造方法，其中，前述包含酯化合物之樹脂係丙烯酸系接著劑。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜的製造方法，其中，前述雷射光之波長係9μm以上、11μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜的製造方法，其中，前述切斷製程係包含形成依照順序具備支持體、前述雷射吸收層和前述樹脂層之支持體-層積體複合物，前述雷射光照射係包含在前述支持體-層積體複合物之前述樹脂層側照射前述雷射光。
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