TW201824724A - 電力電路以及驅動電路 - Google Patents

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Abstract

一種電力電路包括根據驅動節點之電壓產生功率電流之功率電晶體以及包括第一自舉電路、第二自舉電路、前置驅動電路以及遲滯電路之驅動電路。第一自舉電路包括根據上橋電壓將供應電壓提供至驅動節點之上橋電晶體、根據第一內部信號將驅動節點耦接至接地端之下橋電晶體以及電荷泵。電荷泵耦接至上橋電壓以及驅動節點，且根據第一內部信號以及第二內部信號產生超過供應電壓之上橋電壓。第二自舉電路根據第二內部信號，產生第一內部信號。前置驅動電路根據第三內部信號，產生第二內部信號。遲滯電路根據控制信號，產生第三內部信號。

Description

電力電路以及驅動電路
本發明係有關於整合氮化鎵(GaN)功率元件之驅動電路。
在一個電力電路中，往往需要利用電荷泵將供應電壓升壓至更高的電壓來驅動功率電晶體。第1圖係顯示一般的電力電路。如第1圖所示之電力電路100中，上橋驅動電路DRV1用以驅動第一功率電晶體110A，下橋驅動電路DRV2用以驅動第二功率電晶體110B。此外，升壓電容CB以及升壓二極體DB用以將供應電壓VDD升壓至升壓電壓VB，使得第一功率電晶體110A能夠完全導通。因此，第一功率電晶體110A由輸入電壓VIN所供應，第二功率電晶體110B能夠透過電感L以及電容C來驅動負載裝置RL。
因為電感L會在切換節點SW上產生顯著的寄生效應，如藉由第二功率電晶體110B之導通的內接二極體(body diode)而在切換節點SW上產生負電壓突波，這些寄生效應會在升壓電容CB經由功率電晶體充電時干擾升壓電壓VB。因此，需要降低驅動電路的寄生效應。
本發明提出一種電力電路，包括：一功率電晶體以及一驅動電路。上述功率電晶體根據一驅動節點之一驅動電壓，而將一功率電流流至一接地端。上述驅動電路，包括：一第一自舉電路、一第二自舉電路、一前置驅動電路以及一遲滯電路。上述第一自舉電路，包括：一上橋電晶體、一下橋電晶體以及一電荷泵。上述上橋電晶體根據一上橋節點之一上橋電壓，將一供應電壓提供至上述驅動節點。上述下橋電晶體根據一第一內部信號，將上述驅動節點耦接至上述接地端。上述電荷泵耦接至上述上橋節點以及上述驅動節點，其中上述電荷泵用以根據上述第一內部信號以及第二內部信號而產生上述上橋電壓，其中上述上橋電壓超過上述供應電壓。上述第二自舉電路接收上述第二內部信號而於一第一內部節點產生上述第一內部信號。上述前置驅動電路接收一第三內部信號而於一第二內部節點產生上述第二內部信號，其中上述第二自舉電路以及上述前置驅動電路用以增進上述控制信號之驅動能力。上述遲滯電路接收一控制信號而於一第三內部節點產生上述第三內部信號，並且用以提供一遲滯功能給上述控制信號。
根據本發明之一實施例，上述上橋電晶體以及上述下橋電晶體係為常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，上述功率電晶體係為一氮化鎵電晶體。
根據本發明之一實施例，上述電荷泵包括：一第一常開電晶體、一回授常閉電晶體、一第一開關、一第一常閉 電晶體、一第二常閉電晶體、一第一電容、一第三常閉電晶體以及一第四常閉電晶體。上述第一常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至一回授節點，汲極端接收上述供應電壓之供電。上述回授常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述回授節點。上述第一開關用以根據上述回授節點之電壓而將一第一節點耦接至上述接地端。上述第一常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一節點，閘極端耦接至上述上橋節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第二常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，上述汲極端耦接至上述第一節點。上述第一電容耦接於上述第一節點以及上述上橋節點之間。上述第三常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述上橋節點，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端由上述供應電壓供電。上述第四常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，汲極端耦接至上橋節點。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述內部信號係位於一低電壓位準，上述驅動電壓係位於上述低電壓位準上述回授節點之電壓係由上述第一常開電晶體拉高而將上述第一開關導通，使得上述第一電容由上述供應電壓經由上述第三常閉電晶體以及上述第一開關充電以及上述第一節點經由上述第一常閉電晶體充 電，其中當上述上橋電壓被拉高而導通上述第一常閉電晶體時，上述第一節點之電壓被拉高而生呀上述上橋電壓，使得上述上橋電晶體完全導通，其中當上述驅動電壓被拉高而導通上述回授常閉電晶體時，上述第一開關不導通使得上述第一節點之電壓被拉高至上述供應電壓。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體、一第六常閉電晶體、一第二電容、一第一單向導通裝置、一第一電阻以及一第二開關。上述第五常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第六常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點。上述第二電容耦接於一第三節點以及上述第一內部節點之間。上述第一單向導通裝置單方向地將上述供應電壓提供至上述第三節點。上述第一電阻耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間。上述第二開關用以根據上述第二內部信號而將上述第二節點耦接至上述接地端。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關皆導通，上述供應電壓透過上述第一單向導通裝置以及上述第六常閉電晶體而對第二電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關係為不導通，上述第一電阻將上述第三節點之電壓提供至上述 第二節點而導通上述第五常閉電晶體，其中當上述第五常閉電晶體導通而將上述第一內部信號拉高時，上述第三節點之電壓係為上述第二電容之跨壓以及上述第一內部信號之和，用以完全導通上述第五常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路更包括：一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，集集端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
根據本發明之另一實施例，上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體、一第六常閉電晶體、一第二單向導通裝置、一第三電容、一放電電阻、一第三單向導通裝置、一第四單方向導通裝置以及一第三開關。上述第五常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第六常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點。上述第二單向導通裝置單方向地將上述供應電壓提供至一第三節點。上述第三電容耦接於一第三節點以及一充電節點之間。上述放電電阻耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間。當上述充電節點之電壓超過上述第二節點之電壓時，上述第三單向導通裝置單方向地將上述充電節點耦接至上述第二節點。當上述第一內部信號超過上述 充電節點之電壓時，上述第四單向導通裝置單方向地將上述第一內部信號提供至上述充電節點。上述第三開關接收上述控制信號且用以根據上述控制信號而將上述上橋節點耦接至上述接地端。
根據本發明之一實施例，上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第四單向導通裝置係為一二極體或耦接為二極體形式之一常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第三開關皆導通且上述供應電壓透過上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第三開關而對上述第三電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述三開關係為不導通，上述第四單向導通裝置將上述第一內部信號提供至上述充電節點，上述第三節點透過上述放電電阻而放電至上述第二節點。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路更包括一第二常開電晶體。上述第二常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，汲極端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
根據本發明之另一實施例，上述第二自舉電路更包括一上橋常開電晶體。上述上橋常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述驅動節點，汲極端由上述供應電壓供應，其中上述上橋常開電晶體用以增進上述上橋電晶體之驅動能力。
根據本發明之一實施例，前置驅動電路包括：一驅動常開電晶體以及一第七常閉電晶體。上述驅動常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第二內部節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第七常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第三內部信號，汲極端耦接至上述第二內部節點。
根據本發明之一實施例，上述遲滯電路包括：一第二電阻、一第八常閉電晶體、一第九常閉電晶體、一第十常閉電晶體以及一第三電阻。上述第二電阻耦接於上述供應電壓以及上述第三內部節點之間。上述第八常閉電晶體包括耦接至一第四節點之閘極端、耦接至一第五節點之源極端以及耦接至上述第二電阻之汲極端。上述第九常閉電晶體包括耦接至上述第四節點之閘極端、耦接至上述接地端之源極端以及耦接至上述第五節點之汲極端。上述第十常閉電晶體包括耦接至上述第八常閉電晶體之汲極端之閘極端、耦接至上述第五節點之源極端以及由上述供應電壓供電之極端。上述第三電阻將上述控制信號提供至上述第四節點。
本發明更提出一種驅動電路，用以驅動一功率電晶體，其中上述功率電晶體根據一驅動節點之電壓而產生一功率電流流至一接地端，其中上述驅動電路包括：一第一自舉電路、一第二自舉電路、一前置驅動電路以及一遲滯電路。上述第一自舉電路，包括：一上橋電晶體、一下橋電晶體以及一電荷泵。上述上橋電晶體根據一上橋節點之一上橋電壓，將一供 應電壓提供至上述驅動節點。上述下橋電晶體根據一第一內部信號，將上述驅動節點耦接至上述接地端。上述電荷泵耦接至上述上橋節點以及上述驅動節點，其中上述電荷泵用以根據上述第一內部信號以及第二內部信號而產生上述上橋電壓，其中上述上橋電壓超過上述供應電壓。上述第二自舉電路接收上述第二內部信號而於一第一內部節點產生上述第一內部信號。上述前置驅動電路接收一第三內部信號而於一第二內部節點產生上述第二內部信號，其中上述第二自舉電路以及上述前置驅動電路用以增進上述控制信號之驅動能力。上述遲滯電路接收一控制信號而於一第三內部節點產生上述第三內部信號，並且用以提供一遲滯功能給上述控制信號。
根據本發明之一實施例，上述上橋電晶體以及上述下橋電晶體係為常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，上述功率電晶體係為一氮化鎵電晶體。
根據本發明之一實施例，上述電荷泵包括：一第一常開電晶體、一回授常閉電晶體、一第一開關、一第一常閉電晶體、一第二常閉電晶體、一第一電容、一第三常閉電晶體以及一第四常閉電晶體。上述第一常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至一回授節點，汲極端接收上述供應電壓之供電。上述回授常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述回授節點。上述第一開關用以根據上述回授節點之電壓而將一第一節點耦接 至上述接地端。上述第一常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一節點，閘極端耦接至上述上橋節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第二常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，上述汲極端耦接至上述第一節點。上述第一電容耦接於上述第一節點以及上述上橋節點之間。上述第三常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述上橋節點，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端由上述供應電壓供電。上述第四常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，汲極端耦接至上橋節點。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述內部信號係位於一低電壓位準，上述驅動電壓係位於上述低電壓位準上述回授節點之電壓係由上述第一常開電晶體拉高而將上述第一開關導通，使得上述第一電容由上述供應電壓經由上述第三常閉電晶體以及上述第一開關充電以及上述第一節點經由上述第一常閉電晶體充電，其中當上述上橋電壓被拉高而導通上述第一常閉電晶體時，上述第一節點之電壓被拉高而生呀上述上橋電壓，使得上述上橋電晶體完全導通，其中當上述驅動電壓被拉高而導通上述回授常閉電晶體時，上述第一開關不導通使得上述第一節點之電壓被拉高至上述供應電壓。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體、一第六常閉電晶體、一第二電容、一 第一單向導通裝置、一第一電阻以及一第二開關。上述第五常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第六常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點。上述第二電容耦接於一第三節點以及上述第一內部節點之間。上述第一單向導通裝置單方向地將上述供應電壓提供至上述第三節點。上述第一電阻耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間。上述第二開關用以根據上述第二內部信號而將上述第二節點耦接至上述接地端。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關皆導通，上述供應電壓透過上述第一單向導通裝置以及上述第六常閉電晶體而對第二電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關係為不導通，上述第一電阻將上述第三節點之電壓提供至上述第二節點而導通上述第五常閉電晶體，其中當上述第五常閉電晶體導通而將上述第一內部信號拉高時，上述第三節點之電壓係為上述第二電容之跨壓以及上述第一內部信號之和，用以完全導通上述第五常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路更包括： 一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲 極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，集集端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
根據本發明之另一實施例，上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體、一第六常閉電晶體、一第二單向導通裝置、一第三電容、一放電電阻、一第三單向導通裝置、一第四單方向導通裝置以及一第三開關。上述第五常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第六常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點。上述第二單向導通裝置單方向地將上述供應電壓提供至一第三節點。上述第三電容耦接於一第三節點以及一充電節點之間。上述放電電阻耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間。當上述充電節點之電壓超過上述第二節點之電壓時，上述第三單向導通裝置單方向地將上述充電節點耦接至上述第二節點。當上述第一內部信號超過上述充電節點之電壓時，上述第四單向導通裝置單方向地將上述第一內部信號提供至上述充電節點。上述第三開關接收上述控制信號且用以根據上述控制信號而將上述上橋節點耦接至上述接地端。
根據本發明之一實施例，上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第四單向導通裝置係為一二極體或耦接為二極體形式之一常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第三開關皆導通且上述供應電壓透過上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第三開關而對上述第三電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述三開關係為不導通，上述第四單向導通裝置將上述第一內部信號提供至上述充電節點，上述第三節點透過上述放電電阻而放電至上述第二節點。
根據本發明之一實施例，上述第二自舉電路更包括一第二常開電晶體。上述第二常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，汲極端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
根據本發明之另一實施例，上述第二自舉電路更包括一上橋常開電晶體。上述上橋常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述驅動節點，汲極端由上述供應電壓供應，其中上述上橋常開電晶體用以增進上述上橋電晶體之驅動能力。
根據本發明之一實施例，前置驅動電路包括：一驅動常開電晶體以及一第七常閉電晶體。上述驅動常開電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第二內部節點，汲極端由上述供應電壓供電。上述第七常閉電晶體包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第三內部信號，汲極端耦接至上述第二內部節點。
根據本發明之一實施例，上述遲滯電路包括：一第二電阻、一第八常閉電晶體、一第九常閉電晶體、一第十常閉電晶體以及一第三電阻。上述第二電阻耦接於上述供應電壓以及上述第三內部節點之間。上述第八常閉電晶體包括耦接至一第四節點之閘極端、耦接至一第五節點之源極端以及耦接至上述第二電阻之汲極端。上述第九常閉電晶體包括耦接至上述第四節點之閘極端、耦接至上述接地端之源極端以及耦接至上述第五節點之汲極端。上述第十常閉電晶體包括耦接至上述第八常閉電晶體之汲極端之閘極端、耦接至上述第五節點之源極端以及由上述供應電壓供電之極端。上述第三電阻將上述控制信號提供至上述第四節點。
100、200、400、500、700、800‧‧‧電力電路
110A‧‧‧第一功率電晶體
110B‧‧‧第二功率電晶體
410、510、610、710、810‧‧‧功率電晶體
220、420、520、720、820‧‧‧第一自舉電路
20‧‧‧反相器
221、421、521、721、821‧‧‧上橋電晶體
222、422、522、722、822‧‧‧下橋電晶體
223、300、423、523、723、823‧‧‧電荷泵
424‧‧‧上橋常開電晶體
530、730、830‧‧‧第二自舉電路
531‧‧‧第一單向導通裝置
600‧‧‧自舉電路
610‧‧‧第二單向導通裝置
620‧‧‧第三單向導通裝置
630‧‧‧第四單向導通裝置
740、840‧‧‧前置驅動電路
850‧‧‧遲滯電路
CB‧‧‧升壓電容
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
C3‧‧‧第三電容
DRV1‧‧‧上橋驅動電路
DRV2‧‧‧下橋驅動電路
DB‧‧‧升壓二極體
L‧‧‧電感
IP‧‧‧功率電流
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
R3‧‧‧第三電阻
RL‧‧‧負載裝置
RD‧‧‧放電電阻
SC‧‧‧控制信號
SCB‧‧‧反相控制信號
SI1‧‧‧第一內部信號
SI2‧‧‧第二內部信號
SI3‧‧‧第三內部信號
SW‧‧‧切換節點
SW1‧‧‧第一開關
SW2‧‧‧第二開關
SW3‧‧‧第三開關
MD1‧‧‧第一常開電晶體
MFB‧‧‧回授常閉電晶體
MD1‧‧‧第一常開電晶體
MD2‧‧‧第二常開電晶體
MDR‧‧‧驅動常開電晶體
ME1‧‧‧第一常閉電晶體
ME2‧‧‧第二常閉電晶體
ME3‧‧‧第三常閉電晶體
ME4‧‧‧第四常閉電晶體
ME5‧‧‧第五常閉電晶體
ME6‧‧‧第六常閉電晶體
ME7‧‧‧第七常閉電晶體
ME8‧‧‧第八常閉電晶體
ME9‧‧‧第九常閉電晶體
ME10‧‧‧第十常閉電晶體
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
N3‧‧‧第三節點
N4‧‧‧第四節點
N5‧‧‧第五節點
NCH‧‧‧充電節點
ND‧‧‧驅動節點
NFB‧‧‧回授節點
NI1‧‧‧第一內部節點
NI2‧‧‧第二內部節點
NI3‧‧‧第三內部節點
NH‧‧‧上橋節點
VB‧‧‧升壓電壓
VD‧‧‧驅動電壓
VDD‧‧‧供應電壓
VH‧‧‧上橋電壓
VIN‧‧‧輸入電壓
第1圖係顯示一般的電力電路；第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之電力電路之方塊圖；第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第2圖之電荷泵之223電路圖；第4圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖；第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖；第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之 示意圖；第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖；以及第8圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖。
以下說明為本發明的實施例。其目的是要舉例說明本發明一般性的原則，不應視為本發明之限制，本發明之範 圍當以申請專利範圍所界定者為準。
值得注意的是，以下所揭露的內容可提供多個用以實踐本發明之不同特點的實施例或範例。以下所述之特殊的元件範例與安排僅用以簡單扼要地闡述本發明之精神，並非用以限定本發明之範圍。此外，以下說明書可能在多個範例中重複使用相同的元件符號或文字。然而，重複使用的目的僅為了提供簡化並清楚的說明，並非用以限定多個以下所討論之實施例以及/或配置之間的關係。此外，以下說明書所述之一個特徵連接至、耦接至以及/或形成於另一特徵之上等的描述，實際可包含多個不同的實施例，包括該等特徵直接接觸，或者包含其它額外的特徵形成於該等特徵之間等等，使得該等特徵並非直接接觸。
第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之電力電路之方塊圖。如第2圖所示，電力電路200包括功率電晶體210以及第一自舉電路220。功率電晶體210根據驅動節點ND之驅 動電壓VD，而將功率電流IP流至接地端。根據本發明之一實施例，功率電晶體210係為氮化鎵(GaN)電晶體。
第一自舉電路220以及反相器20作為驅動電路，用以驅動功率電晶體210。第一自舉電路220包括上橋電晶體221、下橋電晶體222以及電荷泵223。上橋電晶體221根據上橋節點NH之上橋電壓VH，將供應電壓VDD供應至驅動節點ND。下橋電晶體222係耦接於驅動節點ND以及接地端之間，並且根據控制信號SC而將驅動電壓VD拉至接地位準。根據本發明之一實施例，上橋電晶體221以及下橋電晶體222係為常閉電晶體。
電荷泵223係由供應電壓VDD以及接地端所供應，並且電荷泵223耦接至上橋節點NH以及驅動節點ND。為了完全導通上橋電晶體221，電荷泵223用以根據控制信號SC以及反相器20所產生之反相控制信號SCB，產生超過供應電壓VDD之上橋電壓VH，使得上橋電晶體221之閘極-源極電壓至少超過臨限電壓而將供應電壓VDD施加至驅動節點ND。根據本發明之一實施例，第一自舉電路220係為滿擺幅(rail-to-rail)驅動電路，使得驅動電壓VD之範圍從供應電壓VDD至接地位準。
第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第2圖之電荷泵223之電路圖。如第3圖所示，耦接至驅動節點ND以及上橋節點NH且接收控制信號SC以及反相控制信號SCB之電荷泵300包括第一常開電晶體MD1、回授常閉電晶體MFB、第一開關SW1、第一常閉電晶體ME1、第二常閉電晶體ME2、第一電容C1、第三常閉電晶體ME3以及第四常閉電晶體ME4。
第一常開電晶體MD1之源極端以及閘極端係耦接至回授節點NFB，第一常開電晶體MD1之汲極端係接收供應電壓VDD之供應。回授常閉電晶體MFB之源極端係耦接至接地端，回授常閉電晶體MFB之閘極端係耦接至驅動節點ND，回授常閉電晶體MFB之汲極端係耦接至回授節點NFB。
第一開關SW1係用以根據回授節點NFB之電壓，將第一節點N1耦接至接地端。第一常閉電晶體ME1之源極端係耦接至第一節點N1，第一常閉電晶體ME1之閘極端係耦接至上橋節點NH，第一常閉電晶體ME1之汲極端係接收供應電壓VDD之供應。
第二常閉電晶體ME2之源極端係耦接至接地端，第二常閉電晶體ME2之閘極端係接收控制信號SC，第二常閉電晶體ME2之汲極端係耦接至第一節點N1。
第一電容C1係耦接於第一節點N1以及上橋節點NH之間。第三常閉電晶體ME3之源極端係耦接至上橋節點NH，第三常閉電晶體ME3之閘極端接收反相控制信號SCB，第三常閉電晶體ME3之汲極端接受供應電壓VDD之供應。
第四常閉電晶體ME4之源極端係耦接至接地端，第四常閉電晶體ME4之閘極端係接收控制信號SC，第四常閉電晶體ME4之汲極端係耦接至上橋節點NH。
根據本發明之一實施例，當控制信號SC位於低電壓位準時，反相控制信號SCB係位於高電壓位準，驅動電壓VD仍位於低電壓位準，回授節點NFB之電壓經第一常開電晶體MD1拉昇而導通第一開關SW1，使得供應電壓VDD經由第三常 閉電晶體ME3以及第一開關SW1而對第一電容C1充電。
隨著上橋電壓VH上升，第一常閉電晶體ME1逐漸的導通，使得第一節點N1隨之上升，並透過第一電容C1而升高上橋電壓VH，使得上橋電晶體221以及第一常閉電晶體ME1完全導通，第一節點N1之電壓以及驅動電壓VD最終達到供應電壓VDD。
當驅動電壓VD夠高而導通回授常閉電晶體MFB時，第一開關SW1係為不導通，使得第一節點N1之電壓藉由第一常閉電晶體ME1上升至供應電壓VDD。因此，在第一開關SW1不導通後，等於第一節點N1之電壓以及第一電容C1之跨壓之和的上橋電壓VH被升壓至高於供應電壓VDD。
根據本發明之一實施例，因為第一電容C1並未經由下橋電晶體222充電，寄生效應不會影響上橋電壓VH。
第4圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖。如第4圖所示，電力電路400包括功率電晶體410以及第一自舉電路420，其中功率電晶體410以及第一自舉電路420分別對應至第2圖之功率電晶體210以及第一自舉電路220。
第一自舉電路420以及反相器20作為驅動功率電晶體410之驅動電路。第一自舉電路420包括上橋電晶體421、下橋電晶體422以及電荷泵423，其中上橋電晶體421、下橋電晶體422以及電荷泵423分別對應至第2圖之上橋電晶體221、下橋電晶體222以及電荷泵223，並且第一自舉電路420更包括上橋常開電晶體424。上橋常開電晶體424之源極端以及閘極端皆 耦接至驅動節點ND，上橋常開電晶體424之汲極端接收供應電壓VDD之供應。上橋常開電晶體423係為持續導通，用以增進上橋電晶體421之驅動能力。
第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖。如第5圖所示，電力電路500包括功率電晶體510、第一自舉電路520以及第二自舉電路530，其中功率電晶體510以及對應至第2圖之功率電晶體210。
第一自舉電路520以及第二自舉電路530係為作為驅動功率電晶體510之驅動電路。第一自舉電路520包括上橋電晶體521、下橋電晶體522以及電荷泵523，其中由於第一內部信號SI1係為控制信號SC之反相，電荷泵523接收控制信號SC以及第一內部信號SI1。
第二自舉電路530包括第五常閉電晶體ME5、第六常閉電晶體ME6、第二電容C2、第一單向導通裝置531、第一電阻R1以及第二開關SW2。
第五常閉電晶體ME5之源極端耦接至第一內部節點NI1，第五常閉電晶體ME5之閘極端耦接至第二節點N2，第五常閉電晶體ME5之汲極端係由供應電壓VDD供電。第六常閉電晶體ME6之源極端耦接至接地端，第六常閉電晶體ME6之閘極端接收控制信號SC，第六常閉電晶體ME6之汲極端耦接至第一內部節點NI1。
第二電容C2係耦接於上述第三節點N3以及第一內部節點NI1之間，第一單向導通裝置531單方向的提供供應電壓VDD至第三節點N3。根據本發明之一實施例，第一單向導通裝 置531係為二極體。根據本發明之另一實施例，第一單向導通裝置531係為耦接為二極體形式之常閉電晶體。
第一電阻R1係耦接於第二節點N2以及第三節點N3之間，第二開關SW2用以根據控制信號SC，將第二節點N2耦接至接地端。為了方便說明解釋，第二開關SW2在此係以N型電晶體為例。根據本發明之一實施例，當控制信號SC係為高電壓位準時，第六常閉電晶體ME6以及第二開關SW2係為導通，使得第一內部節點NI1以及第二節點N2皆耦接至接地端。
根據本發明之一實施例，當控制信號SC係位於高電壓未準時，供應電壓VDD經由第一單向導通裝置531以及第六常閉電晶體ME6而對第二電容C2充電，供應電壓VDD經由第一單向導通裝置531以及第一電阻R1而對第五常閉電晶體ME5之閘極端供電。
當第五常閉電晶體ME5逐漸導通時，第一內部信號SI1被抬高，使得第三節點N3之電壓(也就是，第五常閉電晶體ME5之閘極端)升壓至第二電容C2之跨壓以及第一內部信號SI1之和。第三節點N3之電壓因而透過第一電阻R1而提供至第二節點N2(也就是，第五常閉電晶體ME5之閘極端)，造成第五常閉電晶體ME5完全導通，並且使得第一內部信號SI1等於供應電壓VDD。
根據本發明之一實施例，第二自舉電路530更包括永遠導通之第二常開電晶體MD2，用以增進第五常閉電晶體ME5之驅動能力。第二常開電晶體MD2之源極端以及閘極端耦接至第一內部節點NI1，第二常開電晶體MD2之汲極端係由供 應電壓VDD供電。
根據本發明之一實施例，由於第二自舉電路530產生之第一內部信號SI1係為控制信號SC之反相，第2圖以及第4圖之反相器20之功能可由第二自舉電路530取代。
第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之示意圖。根據本發明之一實施例，第5圖之第二自舉電路530可以第6圖之自舉電路600取代。如第6圖所示，自舉電路600包括第五常閉電晶體ME5、第六常閉電晶體ME6、第二單向導通裝置610、第三單向導通裝置620、第四單向導通裝置630、第三電容C3、放電電阻RD以及第三開關SW3。
第五常閉電晶體ME5以及第六常閉電晶體ME6係等同於第5圖之第五常閉電晶體ME5以及第六常閉電晶體ME6。第二單向導通裝置610單方向的將供應電壓VDD提供至第三節點N3。當供應電壓VDD超過第三節點N3之電壓時，第二單向導通裝置610係為導通。當供應電壓VDD不超過第三節點N3之電壓時，第二單向導通裝置610係為不導通。
第三電容C3耦接於第三節點N3以及充電節點NCH之間，放電電阻RD係耦接於第二節點N2以及第三節點N3之間。第三單向導通裝置620係耦接於充電節點NCH以及第二節點N2之間。當充電節點NCH之電壓超過第二節點N2之電壓時，第三單向導通裝置620單方向的將充電節點NCH耦接至第二節點N2。
第四單向導通裝置630係耦接於第一內部節點NI1以及充電節點NCH之間。當第一內部節點SI1超過充電節點 NCH之電壓時，第四單向導通裝置630係為導通。當第一內部節點SI1不超過充電節點NCH之電壓時，第四單向導通裝置630係為不導通。
第三開關SW3接收控制信號SC，且耦接於第二節點N2以及接地端之間。此外，第三開關SW3用以根據控制信號SC，將第二節點N2耦接至接地端。
為了簡化說明解釋，第三開關SW3在此係以N行電晶體舉例說明。根據本發明之一實施例，當控制信號SC係為高電壓位準(即，供應電壓VDD)時，第三開關SW3係為導通且供應電壓VDD經由第二單向導通裝置610、第三單向導通裝置620以及第三開關SW3，對第三電容C3充電。
根據本發明之另一實施例，當控制信號SC係為低電壓位準(即，供應電壓VDD)時，第三開關SW3係為不導通。第四單向導通裝置630將第一內部信號SI1提供至充電節點NCH，使得第三電容C3經由放電電阻RD而放電至第二節點N2(即，第五常閉電晶體ME5之閘極端)。
根據本發明之一實施例，放電電阻RD之電阻值係決定第三電容C3所能充電之最高電壓，也決定了第二節點N2所能到達的最高電壓。此外，放電電阻RD之電阻值越大，就會造成上橋電壓VD的上升時間越慢。因此，放電電阻RD之電阻值存在著權衡取捨(trade-off)。
根據本發明之一實施例，第二單向導通裝置610、第三單向導通裝置620以及第四單向導通裝置630之每一者係為二極體。根據本發明之其他實施例，第二單向導通裝置610、 第三單向導通裝置620以及第四單向導通裝置630之每一者係為耦接成二極體形式之常閉電晶體。
根據本發明之一實施例，自舉電路600更包括常開的第二常開電晶體MD2，用以增進第五常閉電晶體ME5之驅動能力。第二常開電晶體MD2之源極端以及閘極端係耦接至第一內部節點NI1，第二常開電晶體MD2之汲極端係由供應電壓VDD供電。
第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖。如第7圖所示，電力電路700包括功率電晶體710、第一自舉電路720、第二自舉電路730以及前置驅動電路740，其中第一自舉電路720包括上橋電晶體721、下橋電晶體722以及電荷泵723。第一自舉電路720、第二自舉電路730以及前置驅動電路740作為驅動功率電晶體710之驅動電路。
功率電晶體710、上橋電晶體721、下橋電晶體722以及電荷泵723分別對應至第2圖之功率電晶體210、上橋電晶體221、下橋電晶體222以及電荷泵223。第二自舉電路730對應至第5圖之第二自舉電路530或第6圖之第二自舉電路600。根據本發明之一實施例，第4圖之上橋常開電晶體424可用以增加上橋電晶體721之驅動能力。
第一自舉電路720、第二自舉電路730以及前置驅動電路740係作為驅動功率電晶體710之驅動電路。前置驅動電路740接收控制信號SC而產生第二內部信號SI2至第二自舉電路730，用以增進控制信號SC之驅動能力。前置驅動電路740包括驅動常開電晶體MDR以及第七常閉電晶體ME7。
驅動常開電晶體MDR之閘極端以及源極端耦接至第二內部節點NI2，驅動常開電晶體MDR之汲極端係由供應電壓VDD供電。第七常閉電晶體ME7之閘極端接收控制信號SC，第七常閉電晶體ME7之源極端耦接至接地端，第七常閉電晶體ME7之汲極端耦接至第二內部節點NI2。
第8圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之電力電路之方塊圖。如第8圖所示，電力電路800包括功率電晶體810、第一自舉電路820、第二自舉電路830、前置驅動電路840以及遲滯電路850，其中第一自舉電路820包括上橋電晶體821、下橋電晶體822以及電荷泵823。第一自舉電路820、第二自舉電路830、前置驅動電路840以及遲滯電路850用以驅動功率電晶體810。
功率電晶體810、上橋電晶體821、下橋電晶體822以及電荷泵823、第二自舉電路830以及前置驅動電路840分別對應至第7圖之功率電晶體710、上橋電晶體721、下橋電晶體722以及電荷泵723、第二自舉電路730以及前置驅動電路740。第二自舉電路830對應至第5圖之第二自舉電路530或第6圖之自舉電路600。根據本發明之一實施例，上橋常開電晶體424可用以增加上橋電晶體821之驅動能力。
遲滯電路850接收控制信號SC而於第三內部節點NI3產生第三內部信號SI3，並提供給前置驅動電路840，用以進一步提供遲滯功能給控制信號SC。遲滯電路850包括第二電阻R2、第八常閉電晶體ME8、第九常閉電晶體ME9、第十常閉電晶體ME10以及第三電阻R3。
第二電阻R2係耦接於供應電壓VDD以及第三內部節點NI3之間。第八常閉電晶體ME8之閘極端係耦接至第四節點N4，第八常閉電晶體ME8之源極端係耦接至第四節點N4，第八常閉電晶體ME8之汲極端係於第三內部節點NI3耦接至第二電阻R2。第九常閉電晶體ME9之閘極端係耦接至第四節點N4，第九常閉電晶體ME9之源極端係耦接至接地端，第九常閉電晶體ME9之汲極端係耦接至第五節點N5。
第十常閉電晶體ME10之閘極端係耦接至三內部節點NI3，第十常閉電晶體ME10之源極端係耦接至第五節點N5，第十常閉電晶體ME10之汲極端係由供應電壓VDD所供電。第三電阻R3係耦接至第四節點N4，並且接收控制信號SC。
如第3圖所示，由於電荷泵300之第一電容C1並未經由功率電晶體210充電，上橋電壓VH可保持穩定且免於干擾。第5圖之第二自舉電路530、第6圖之自舉電路600、第7圖之前置驅動電路740以及第8圖之遲滯電路850係用以增進控制信號SC之驅動能力。
以上所述為實施例的概述特徵。所屬技術領域中具有通常知識者應可以輕而易舉地利用本發明為基礎設計或調整以實行相同的目的和/或達成此處介紹的實施例的相同優點。所屬技術領域中具有通常知識者也應了解相同的配置不應背離本創作的精神與範圍，在不背離本創作的精神與範圍下他們可做出各種改變、取代和交替。說明性的方法僅表示示範性的步驟，但這些步驟並不一定要以所表示的順序執行。可另外加入、取代、改變順序和/或消除步驟以視情況而作調整，並 與所揭露的實施例精神和範圍一致。

Claims (30)

  1. 一種電力電路，包括：一功率電晶體，根據一驅動節點之一驅動電壓而將一功率電流流至一接地端；以及一驅動電路，包括：一第一自舉電路，包括：一上橋電晶體，根據一上橋節點之一上橋電壓，將一供應電壓提供至上述驅動節點；一下橋電晶體，根據一第一內部信號，將上述驅動節點耦接至上述接地端；以及一電荷泵，耦接至上述上橋節點以及上述驅動節點，其中上述電荷泵用以根據上述第一內部信號以及第二內部信號而產生上述上橋電壓，其中上述上橋電壓超過上述供應電壓；一第二自舉電路，接收上述第二內部信號而於一第一內部節點產生上述第一內部信號；一前置驅動電路，接收一第三內部信號而於一第二內部節點產生上述第二內部信號，其中上述第二自舉電路以及上述前置驅動電路用以增進上述控制信號之驅動能力；以及一遲滯電路，接收一控制信號而於一第三內部節點產生上述第三內部信號，並且用以提供一遲滯功能給上述控制信號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述上橋 電晶體以及上述下橋電晶體係為常閉電晶體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述功率電晶體係為一氮化鎵電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述電荷泵包括：一第一常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至一回授節點，汲極端接收上述供應電壓之供電；一回授常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述回授節點；一第一開關，用以根據上述回授節點之電壓而將一第一節點耦接至上述接地端；一第一常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一節點，閘極端耦接至上述上橋節點，汲極端由上述供應電壓供電；一第二常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，上述汲極端耦接至上述第一節點；一第一電容，耦接於上述第一節點以及上述上橋節點之間；一第三常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述上橋節點，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端由上述供應電壓供電；以及 一第四常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，汲極端耦接至上橋節點。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電力電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述內部信號係位於一低電壓位準，上述驅動電壓係位於上述低電壓位準上述回授節點之電壓係由上述第一常開電晶體拉高而將上述第一開關導通，使得上述第一電容由上述供應電壓經由上述第三常閉電晶體以及上述第一開關充電以及上述第一節點經由上述第一常閉電晶體充電，其中當上述上橋電壓被拉高而導通上述第一常閉電晶體時，上述第一節點之電壓被拉高而生呀上述上橋電壓，使得上述上橋電晶體完全導通，其中當上述驅動電壓被拉高而導通上述回授常閉電晶體時，上述第一開關不導通使得上述第一節點之電壓被拉高至上述供應電壓。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電；一第六常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點； 一第二電容，耦接於一第三節點以及上述第一內部節點之間；一第一單向導通裝置，單方向地將上述供應電壓提供至上述第三節點；一第一電阻，耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間；以及一第二開關，用以根據上述第二內部信號而將上述第二節點耦接至上述接地端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電力電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關皆導通，上述供應電壓透過上述第一單向導通裝置以及上述第六常閉電晶體而對第二電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關係為不導通，上述第一電阻將上述第三節點之電壓提供至上述第二節點而導通上述第五常閉電晶體，其中當上述第五常閉電晶體導通而將上述第一內部信號拉高時，上述第三節點之電壓係為上述第二電容之跨壓以及上述第一內部信號之和，用以完全導通上述第五常閉電晶體。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電力電路，其中上述第二自舉電路更包括：一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，集集 端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電；一第六常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點；一第二單向導通裝置，單方向地將上述供應電壓提供至一第三節點；一第三電容，耦接於一第三節點以及一充電節點之間；一放電電阻，耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間；一第三單向導通裝置，其中當上述充電節點之電壓超過上述第二節點之電壓時，上述第三單向導通裝置單方向地將上述充電節點耦接至上述第二節點；一第四單方向導通裝置，其中當上述第一內部信號超過上述充電節點之電壓時，上述第四單向導通裝置單方向地將上述第一內部信號提供至上述充電節點；以及一第三開關，接收上述控制信號且用以根據上述控制信號而將上述上橋節點耦接至上述接地端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電力電路，其中上述第 二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第四單向導通裝置係為一二極體或耦接為二極體形式之一常閉電晶體。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之電力電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第三開關皆導通且上述供應電壓透過上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第三開關而對上述第三電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述三開關係為不導通，上述第四單向導通裝置將上述第一內部信號提供至上述充電節點，上述第三節點透過上述放電電阻而放電至上述第二節點。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之電力電路，其中上述第二自舉電路更包括：一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，汲極端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述第二自舉電路更包括：一上橋常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述驅動節點，汲極端由上述供應電壓供應，其中上述上橋常開電晶體用以增進上述上橋電晶體之驅動能力。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中前置驅 動電路包括：一驅動常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第二內部節點，汲極端由上述供應電壓供電；以及一第七常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第三內部信號，汲極端耦接至上述第二內部節點。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之電力電路，其中上述遲滯電路包括：一第二電阻，耦接於上述供應電壓以及上述第三內部節點之間；一第八常閉電晶體，包括耦接至一第四節點之閘極端、耦接至一第五節點之源極端以及耦接至上述第二電阻之汲極端；一第九常閉電晶體，包括耦接至上述第四節點之閘極端、耦接至上述接地端之源極端以及耦接至上述第五節點之汲極端；一第十常閉電晶體，包括耦接至上述第八常閉電晶體之汲極端之閘極端、耦接至上述第五節點之源極端以及由上述供應電壓供電之極端；以及一第三電阻，將上述控制信號提供至上述第四節點。
  16. 一種驅動電路，用以驅動一功率電晶體，其中上述功率電晶體根據一驅動節點之電壓而產生一功率電流流至一接地端，其中上述驅動電路包括： 一第一自舉電路，包括：一上橋電晶體，根據一上橋節點之一上橋電壓，將一供應電壓提供至上述驅動節點；一下橋電晶體，根據一第一內部信號，將上述驅動節點耦接至上述接地端；以及一電荷泵，耦接至上述上橋節點以及上述驅動節點，其中上述電荷泵用以根據上述第一內部信號以及第二內部信號而產生上述上橋電壓，其中上述上橋電壓超過上述供應電壓；一第二自舉電路，接收上述第二內部信號而於一第一內部節點產生上述第一內部信號；一前置驅動電路，接收一第三內部信號而於一第二內部節點產生上述第二內部信號，其中上述第二自舉電路以及上述前置驅動電路用以增進上述控制信號之驅動能力；以及一遲滯電路，接收一控制信號而於一第三內部節點產生上述第三內部信號，並且用以提供一遲滯功能給上述控制信號。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述上橋電晶體以及上述下橋電晶體係為常閉電晶體。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述功率電晶體係為一氮化鎵電晶體。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述電荷泵包括： 一第一常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至一回授節點，汲極端接收上述供應電壓之供電；一回授常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述回授節點；一第一開關，用以根據上述回授節點之電壓而將一第一節點耦接至上述接地端；一第一常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一節點，閘極端耦接至上述上橋節點，汲極端由上述供應電壓供電；一第二常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，上述汲極端耦接至上述第一節點；一第一電容，耦接於上述第一節點以及上述上橋節點之間；一第三常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述上橋節點，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端由上述供應電壓供電；以及一第四常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第一內部信號，汲極端耦接至上橋節點。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之驅動電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述內部信號係 位於一低電壓位準，上述驅動電壓係位於上述低電壓位準上述回授節點之電壓係由上述第一常開電晶體拉高而將上述第一開關導通，使得上述第一電容由上述供應電壓經由上述第三常閉電晶體以及上述第一開關充電以及上述第一節點經由上述第一常閉電晶體充電，其中當上述上橋電壓被拉高而導通上述第一常閉電晶體時，上述第一節點之電壓被拉高而生呀上述上橋電壓，使得上述上橋電晶體完全導通，其中當上述驅動電壓被拉高而導通上述回授常閉電晶體時，上述第一開關不導通使得上述第一節點之電壓被拉高至上述供應電壓。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電；一第六常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點；一第二電容，耦接於一第三節點以及上述第一內部節點之間；一第一單向導通裝置，單方向地將上述供應電壓提供至上述第三節點；一第一電阻，耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間；以及 一第二開關，用以根據上述第二內部信號而將上述第二節點耦接至上述接地端。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之驅動電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關皆導通，上述供應電壓透過上述第一單向導通裝置以及上述第六常閉電晶體而對第二電容充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述第六常閉電晶體以及上述第二開關係為不導通，上述第一電阻將上述第三節點之電壓提供至上述第二節點而導通上述第五常閉電晶體，其中當上述第五常閉電晶體導通而將上述第一內部信號拉高時，上述第三節點之電壓係為上述第二電容之跨壓以及上述第一內部信號之和，用以完全導通上述第五常閉電晶體。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之驅動電路，其中上述第二自舉電路更包括：一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，集集端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述第二自舉電路包括：一第五常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述第一內部節點，閘極端耦接至一第二節點，汲極端由上述供應電壓供電； 一第六常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第二內部信號，汲極端耦接至上述第一內部節點；一第二單向導通裝置，單方向地將上述供應電壓提供至一第三節點；一第三電容，耦接於一第三節點以及一充電節點之間；一放電電阻，耦接於上述第二節點以及上述第三節點之間；一第三單向導通裝置，其中當上述充電節點之電壓超過上述第二節點之電壓時，上述第三單向導通裝置單方向地將上述充電節點耦接至上述第二節點；一第四單方向導通裝置，其中當上述第一內部信號超過上述充電節點之電壓時，上述第四單向導通裝置單方向地將上述第一內部信號提供至上述充電節點；以及一第三開關，接收上述控制信號且用以根據上述控制信號而將上述上橋節點耦接至上述接地端。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之驅動電路，其中上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第四單向導通裝置係為一二極體或耦接為二極體形式之一常閉電晶體。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之驅動電路，其中當上述第二內部信號係位於一高電壓位準時，上述第三開關皆導通且上述供應電壓透過上述第二單向導通裝置、上述第三單向導通裝置以及上述第三開關而對上述第三電容 充電，其中當上述第二內部信號係位於一低電壓位準時，上述三開關係為不導通，上述第四單向導通裝置將上述第一內部信號提供至上述充電節點，上述第三節點透過上述放電電阻而放電至上述第二節點。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之驅動電路，其中上述第二自舉電路更包括：一第二常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第一內部節點，汲極端由上述供應電壓所供電，其中上述第二常開電晶體用以增進上述第五常閉電晶體之驅動能力。
  28. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中第一自舉電路更包括：一上橋常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述驅動節點，汲極端耦接至上述驅動節點，汲極端由上述供應電壓供應，其中上述上橋常開電晶體用以增進上述上橋電晶體之驅動能力。
  29. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中前置驅動電路包括：一驅動常開電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端以及閘極端耦接至上述第二內部節點，汲極端由上述供應電壓供電；以及一第七常閉電晶體，包括源極端、閘極端以及汲極端，其中源極端耦接至上述接地端，閘極端接收上述第三內部信號，汲極端耦接至上述第二內部節點。
  30. 如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中上述遲滯電路包括：一第二電阻，耦接於上述供應電壓以及上述第三內部節點之間；一第八常閉電晶體，包括耦接至一第四節點之閘極端、耦接至一第五節點之源極端以及耦接至上述第二電阻之汲極端；一第九常閉電晶體，包括耦接至上述第四節點之閘極端、耦接至上述接地端之源極端以及耦接至上述第五節點之汲極端；一第十常閉電晶體，包括耦接至上述第八常閉電晶體之汲極端之閘極端、耦接至上述第五節點之源極端以及由上述供應電壓供電之極端；以及一第三電阻，將上述控制信號提供至上述第四節點。
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