TW201805325A

TW201805325A - 熱硬化性樹脂組成物

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Publication number: TW201805325A
Application number: TW106109571A
Authority: TW
Inventors: 中村茂雄
Original assignee: 味之素股份有限公司
Priority date: 2016-03-29
Filing date: 2017-03-22
Publication date: 2018-02-16
Also published as: KR20170113297A; JP2017179055A; KR102314255B1; TWI796291B; JP6690356B2

Abstract

本發明係提供製造具備埋入型之配線層的配線板時，可形成尺寸精度或回焊耐性佳，且可折彎之絕緣層之熱硬化性熱硬化性樹脂、接著薄膜、使用其之配線板之製造方法、配線板、及半導體裝置。

本發明之熱硬化性樹脂組成物，其係包含(a)環氧樹脂、(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物、(c)苯氧基樹脂、及(d)無機填充材的熱硬化性樹脂組成物，(a)成分及(c)成分之至少一方之一部分或全部為具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物，當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(d)成分為30質量%以上，使熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物在23℃下之彈性率、斷裂強度、斷裂拉伸分別為1GPa以上6GPa以下、10MPa以上、6%以上。

Description

熱硬化性樹脂組成物

本發明係有關熱硬化性樹脂組成物。進一步係有關具有熱硬化性樹脂組成物層之接著薄膜、使用接著薄膜之配線板之製造方法、配線板及半導體裝置。

配線板(印刷電路板)之製造方法，例如廣為使用將形成有電路之導體層與絕緣層交互堆疊之增層方式，已知使樹脂組成物硬化而形成絕緣層(例如參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2015-82535號公報

[發明之概要]

近年，電子機器之輕薄短小化，伴隨著而要求可折彎收納於電子機器中之撓性配線板。為了使配線板進一步薄型化，因此需要具備埋入型之配線層的配線板。

具備埋入型之配線層的配線板所使用的絕緣層，為了降低與配線層或零件之間的平均線熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion：CTE、也稱為熱膨脹率)之不一致(inconsistency)，因此，使無機填充材高填充之硬的材料。但是由於硬的材料，故無法折彎。另外，為了折彎而使用柔軟的材料時，有尺寸精度或回焊耐性的課題。

本發明之課題係為了解決上述問題而完成者，提供製造具有埋入型之配線層的配線板時，尺寸精度或回焊耐性佳，可形成可折彎之絕緣層的熱硬化性樹脂組成物、接著薄膜、使用其之配線板之製造方法、配線板及半導體裝置。

亦即，本發明包含以下的內容。

[1]一種熱硬化性樹脂組成物，其係包含(a)環氧樹脂、(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物、(c)苯氧基樹脂、及(d)無機填充材的熱硬化性樹脂組成物，(a)成分及(c)成分之至少一方的一部分或全部為具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物，當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分為100質量% 時，(d)成分為30質量%以上，使熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物在23℃下之彈性率、斷裂強度、斷裂拉伸分別為1GPa以上6GPa以下、10MPa以上、6%以上。

[2]如[1]之熱硬化性樹脂組成物，其中柔軟構造為具有碳原子數3~15之醚鍵的伸烷基構造。

[3]如[1]或[2]之熱硬化性樹脂組成物，其中當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，具有柔軟構造之化合物之含量為2質量%~50質量%。

[4]如[1]~[3]中任一項之熱硬化性樹脂組成物，其中當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(b)成分之含量為8質量%~50質量%。

[5]一種接著薄膜，其係含有支撐體與[1]~[4]中任一項之熱硬化性樹脂組成物層。

[6]如[5]之接著薄膜，其係使用於含有以下步驟之配線板之製造方法，(1)準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟，(2)使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將含有熱硬化性樹脂組成物層之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟，(3)層間連接配線層的步驟及(4)除去基材的步驟。

[7]如[6]之接著薄膜，其中步驟(3)為在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟、及研磨或研削絕緣層，使配線層露出之步驟之至少任一的步驟。

[8]如[5]之接著薄膜，其係使用於製造具備絕緣層及埋入於絕緣層之埋入型配線層之配線板。

[9]一種配線板之製造方法，其係包含以下步驟：(1)準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟，(2)使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將[5]~[8]中任一項之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟，(3)層間連接配線層的步驟及(4)除去基材的步驟。

[10]如[9]之方法，其中步驟(3)為在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟、及研磨或研削絕緣層，使配線層露出之步驟之至少任一的步驟。

[11]如[9]或[10]之方法，其中步驟(3)為在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟，且藉由雷射照射來進行。

[12]如[11]之方法，其係包含在形成導體層之前，進行粗化處理的步驟。

[13]如[9]~[12]中任一項之方法，其中配線板為撓性配線板。

[14]如[9]~[13]中任一項之方法，其中配線圖型之最小間距為40μm以下。

[15]一種配線板，其係具備[5]~[8]中任一項之之接著薄膜之熱硬化性樹脂組成物層之硬化物的絕緣層，及埋入於絕緣層之埋入型配線層。

[16]如[15]之配線板，其係撓性配線板。

[17]如[15]或[16]之配線板，其中絕緣層之厚度為2μm以上。

[18]一種半導體裝置，其係具備[15]~[17]中任一項之配線板。

依據本發明時，可提供製造具備埋入型之配線層的配線板時，尺寸精度或回焊耐性佳，可形成可折彎之絕緣層的熱硬化性樹脂組成物、接著薄膜、使用其之配線板之製造方法、配線板、及半導體裝置。

1‧‧‧配線板

10‧‧‧附配線層之基材

11‧‧‧基材(核基板)

12‧‧‧第1金屬層

13‧‧‧第2金屬層

14‧‧‧配線層(埋入型配線層)

20‧‧‧接著薄膜

21‧‧‧熱硬化性樹脂組成物層

21’‧‧‧絕緣層

22‧‧‧支撐體

23‧‧‧保護薄膜

31‧‧‧導通孔

40‧‧‧導體層

41‧‧‧鍍敷防護層

42‧‧‧電鍍層

50‧‧‧遮罩圖型

61‧‧‧填孔

[圖1]圖1為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖2]圖2為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖3]圖3為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖4]圖4為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖5]圖5為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖6]圖6為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖7]圖7為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖8]圖8為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖9]圖9為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖10]圖10為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖11]圖11為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖12]圖12為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖13]圖13為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖14]圖14為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖15]圖15為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖16]圖16為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖17]圖17為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖18]圖18為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖19]圖19為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖20]圖20為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖21]圖21為說明配線板之製造步驟用之示意的剖面圖。

[圖22]圖22為說明配線板用之示意的剖面圖。

[圖23]圖23為說明配線板用之示意的剖面圖。

以下詳細說明本發明之熱硬化性樹脂組成物、接著薄膜、配線板之製造方法、配線板、及半導體裝置。

[熱硬化性樹脂組成物]

本發明之熱硬化性樹脂組成物，其係包含(a)環氧樹脂、(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物、(c)苯氧基樹脂、及(d)無機填充材。必要時可進一步含有(e)硬化劑、(f)硬化促進劑、(g)難燃劑及(h)有機填充材等之添加劑。詳細如後述，但是製造配線板時，配線層被埋入於熱硬化性樹脂組成物層中，藉此，形成埋入型之配線層。因此，(a)成分及(c)成分之至少一方之一部分或全部為具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物，當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(d)成分為30質量%以上，使熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物在23℃下之彈性率、斷裂強度、斷裂拉伸分別為1GPa以上6GPa以下、10MPa以上、6%以上。

-(a)環氧樹脂-

本發明之熱硬化性樹脂組成物可使用之環氧樹脂，只要是分子中具有環氧基之化合物時即可，無特別限定。可列舉例如後述之具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物(以下有時稱為「含有柔軟構造之化合物」)、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有芳香族構造之環氧丙基胺型環氧樹脂、具有芳香族構造之環氧丙基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、具有芳香族構造之線狀脂肪族環氧樹脂、具有芳香族構造與丁二烯構造之環氧樹脂、具有芳香族構造之脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、具有芳香族構造之含螺環之環氧樹脂、具有芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂、具有芳香族構造之三羥甲基型環氧樹脂、具有芳香族構造之四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂

可1種單獨使用或組合2種以上使用。

環氧樹脂係含有1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂為佳。環氧樹脂之不揮發成分為100質量%的情形時，至少50質量%以上係1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂為佳。其中，單獨包含1分子中具有3個以上之環氧基，溫度20℃下為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)，或組合含有1分子中具有2個以上之環氧基，溫度20℃下為液狀的環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)與固體狀環氧樹脂為佳。藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂，可得到具有優異可撓性的樹脂組成物。又，也可提高樹脂組成物之硬化物的斷裂強度。

液狀環氧樹脂較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有芳香族構造之環氧丙基酯型環氧樹脂、具有芳香族構造之環氧丙基胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造與酯骨架之脂環式環氧樹脂、具有芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂及具有芳香族構造與丁二烯構造之環氧樹脂，更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂，又更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。液狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC(股)製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(環氧丙基胺型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、nagasechemtex(股)製之「EX-721」(環氧丙基酯型環氧樹脂)、(股)DAICEL製之「CELLOXID2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、新日鐵化學(股)製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-環氧丙基環己烷)。此等可1種單獨使用或組合2種以上使用。

固體狀環氧樹脂較佳為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造之二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、及聯苯型環氧樹脂，更佳為萘醚型環氧樹脂，又更佳為萘型4官能環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂。固體狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC(股)製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」 (甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(伸萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三苯酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯基型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯基型環氧樹脂)、「YX4000HK」(雙二甲苯酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。

液狀環氧樹脂較佳為1分子中具有2個以上之環氧基，且於溫度20℃下為液狀之芳香族系環氧樹脂，固體狀環氧樹脂較佳為1分子中具有3個以上之環氧基，且於溫度20℃下為固體狀之芳香族系環氧樹脂。又，本發明所稱之芳香族系環氧樹脂係指其分子內具有芳香環構造的環氧樹脂。

環氧樹脂為併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的情形，彼等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)係以質量比表示，較佳為1：0.1~1：20之範圍。藉由將液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比設在此範圍，可得到i)在接著薄膜的形態使用時，可帶來適度的黏著性，ii)在接著薄膜的形態使用的情形，可得到充分的可撓性，提高操作性，及iii)可得到具有充分的斷裂強度的硬化物等的效果。自上述i)~iii)之效果的觀點，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)係以質量比表示，更佳為1：0.3~1：10之範圍，又更佳為1：0.6~1：9之範圍。

熱硬化性樹脂組成物中之環氧樹脂之含量，從得到顯示良好的機械強度、絕緣信賴性之絕緣層的觀點，較佳為4質量%以上，更佳為5質量%以上，又更佳為6質量%以上。環氧樹脂之含量之上限，只要可發揮本發明效果的範圍內，無特別限定，較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下。

又，本發明中，熱硬化性樹脂組成物中之各成分之含量，無另外聲明的情形時，表示熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之值。

環氧樹脂之環氧當量，較佳為50~5000，更佳為50~3000，又更佳為80~2000，又更佳為110~1000。藉由在此範圍內，可帶來硬化物之交聯密度充分，表面粗糙度小的絕緣層。又，環氧當量可依據JIS K7236測量，為含有1當量之環氧基之樹脂的質量。

環氧樹脂之重量平均分子量，較佳為100~5000，更佳為250~3000，又更佳為400~1500。在此，環氧樹脂之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測量之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

-具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物-

本發明之熱硬化性樹脂組成物中，(a)成分及(c)成分之至少一方之一部分或全部、即(a)成分及/或(c)成分之一部分或全部為具有選自具有碳原子數2~20之伸烷基構造及碳原子數2~20之醚鍵之伸烷基構造之柔軟構造的化合物。

碳原子數2~20之伸烷基構造，較佳為碳原子數4~15之伸烷基構造，更佳為碳原子數4~10之伸烷基構造。伸烷基構造可為直鏈、分枝、環狀之任一，但是較佳為直鏈或分枝之伸烷基構造。這種伸烷基構造可列舉例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基、十三碳烯基、十四碳烯基、十五碳烯基、環伸丙基、環伸丁基、伸環戊基、環伸己基、十氫化萘基、伸降莰烷基、伸金剛烷基等，較佳為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基，也可具有鹵素原子、烷基、烷氧基、亞烷基、胺基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、羧基、磺基、氰基、硝基、羥基、巰基、側氧基等之取代基。在此，上述碳原子數不含取代基之碳原子數。

碳原子數2~20之具有醚鍵的伸烷基構造，只要是其構造中具有至少1個醚鍵之碳原子數2~20之伸烷基構造時，即無特別限定，可列舉例如氧伸烷基構造、伸烷氧基構造、氧伸烷氧基構造、伸烷氧基伸烷基構造、伸烷氧基伸烷氧基伸烷基構造等。碳原子數2~20之具有醚鍵之伸烷基構造，較佳為碳原子數2~15之具有醚鍵的伸烷基構造，更佳為碳原子數3~15之具有醚鍵之伸烷基構造。該伸烷基構造可為直鏈、分枝、環狀之任一，較佳為直鏈或分枝之伸烷基構造。具有這種醚鍵之伸烷基構造，可列舉氧亞甲基、氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基、氧伸庚基、氧伸辛基、氧伸壬基、氧癸烯基、氧十一碳烯基、氧十二碳烯基、氧十三碳烯基、氧十四碳烯基、氧十五碳烯基、氧環伸丙基、氧環伸丁基、氧伸環戊基、氧環伸己基、氧十氫化萘基、氧伸降莰烷基、氧伸金剛烷基等，也可具有氧亞甲基、氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基為佳，鹵素原子、烷基、烷氧基、亞烷基、胺基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、羧基、磺基、氰基、硝基、羥基、巰基、側氧基等之取代基。在此，上述碳原子數不包含取代基之碳原子數。

本發明可使用之具體的含有柔軟構造的化合物，可列舉例如以下構造的環氧樹脂(k為1~20之整數、較佳為1~5之整數)或其聚合物的苯氧基樹脂。

此外，可列舉例如以下構造之樹脂(h各自為0~20之整數、較佳為0~5之整數，i、j各自為1~20之整數、較佳為1~5之整數，較佳為i+j=2~10之整數)。

及

此外，可列舉例如DIC Corporation公司製EXA-4850-150、EXA-4816、及EXA-4822(含有具有醚鍵之伸烷基構造的環氧樹脂)；ADEKA公司製EP-4000S、EP-4000SS、EP-4003S、EP-4010S、及EP-4011S(含有具有醚鍵之伸烷基構造的環氧樹脂)；新日本理化公司製BEO-60E及BPO-20E(含有具有醚鍵之伸烷基構造的環氧樹脂)；三菱化學公司製YX7105、YX7110、及YX7400(含有具有醚鍵之伸烷基構造的環氧樹脂)及YX7180(含有具有醚鍵之伸烷基構造的苯氧基樹脂)等。

當熱硬化性樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，含有柔軟構造之化合物之含量較佳為2質量%~50質量%。更佳為5質量%以上，又更佳為10質量%以上或15質量%以上，更佳為40質量%以下。

-(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物-

本發明之熱硬化性樹脂組成物包含(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物。藉由含有如丁二烯構造之柔軟的構造，可降低熱硬化性樹脂組成物之硬化物之彈性率，且可折彎使用本發明之接著薄膜所製造的配線板。丁二烯構造之一部或全部可被氫化。

(b)成分為了與(a)成分反應，而具有酚性羥基。又，酚性羥基係指芳香環構造之氫原子經羥基(羥基)取代之形態存在的羥基。(b)成分之羥基當量，較佳為100~30000，更佳為250~20000。又，官能基當量係指含有1g當量之官能基之樹脂的g數。

(b)成分選自由玻璃轉移溫度為25℃以下的樹脂及25℃下為液狀的樹脂之1種以上的樹脂為佳。

玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下之樹脂的玻璃轉移溫度，較佳為20℃以下，更佳為15℃以下。玻璃轉移溫度之下限無特別限定，通常可為-15℃以上。又，25℃下為液狀的樹脂，較佳為20℃下為液狀的樹脂，更佳為15℃下為液狀的樹脂。

(b)成分之數平均分子量(Mn)，較佳為500~100,000，更佳為1000~50,000。在此，樹脂之數平均分子量(Mn)係使用GPC(凝膠滲透層析)測量之聚苯乙烯換算的數平均分子量。

本發明之(b)成分也可使用以羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物、四元酸酐及多官能苯酚化合物作為原料的化合物。

羥基末端聚丁二烯較佳為數平均分子量為300~5,000者。具體例可列舉例如G-1000、G-2000、G-3000、GI-1000、GI-2000(以上、日本曹達(股)公司製)、R-45EPI(出光石油化學(股)公司製)等。丁二烯構造之一部或全部可被氫化。

二異氰酸酯化合物係分子內具有2個異氰酸酯基的化合物，可列舉例如甲苯-2,4-二異氰酸酯、甲苯-2,6-二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等之二異氰酸酯等。

四元酸二酐係分子內具有2個酸酐基的化合物，可列舉例如均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯基四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、5-(2,5-二側氧四氫呋喃基)-3- 甲基-環己烯-1,2-二羧酸酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫化-5-(四氫-2,5-二側氧-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮等。

多官能苯酚化合物可列舉例如雙酚A、雙酚F、雙酚S、雙酚AF、聯苯二酚、苯酚酚醛清漆樹脂、烷基苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、含有二環戊二烯構造之苯酚酚醛清漆樹脂、含有三嗪構造之苯酚酚醛清漆樹脂、含有聯苯骨架之苯酚酚醛清漆樹脂、含有苯基之苯酚酚醛清漆樹脂、萜烯改質酚樹脂、聚乙烯基酚類等。特別是以烷基苯酚酚醛清漆樹脂為佳。

該化合物之詳細可參酌國際公開2008/153208號之記載，此內容被納入本說明書中。

熱硬化性樹脂組成物中之(b)成分之含量無特別限定，較佳為50質量%以下，更佳為20質量%以下，又更佳為15質量%以下或11質量%以下。又，下限較佳為2質量%以上，更佳為3質量%以上，又更佳為4質量%以上。

-(c)苯氧基樹脂-

本發明之熱硬化性樹脂組成物含有(c)苯氧基樹脂。

苯氧基樹脂可列舉例如具有選自由前述含有柔軟骨架之化合物、雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚AF骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所成群組之1種以上之骨架的苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之末端，可為酚性羥基、環氧基等之任一的官能基。苯氧基樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。苯氧基樹脂之具體例，可列舉三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(均為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)、及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)，其他可列舉新日鐵住金化學(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」、「YX7180」等。

苯氧基樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，較佳為8,000~200,000之範圍，更佳為10,000~100,000之範圍，又更佳為20,000~60,000之範圍。苯氧基樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測量。具體而言，苯氧基樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量可使用作為測量裝置之(股)島津製作所LC-9A/RID-6A，使用作為管柱之昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L，使用氯仿等作為移動相，於管柱溫度40℃進行測量，使用標準聚苯乙烯檢量線來算出。

苯氧基樹脂之環氧當量，較佳為 6000~30000，更佳為7000~20000，又更佳為9000~15000。又，環氧當量可依照JIS K7236測量，且為含有1當量之環氧基之樹脂的質量。

苯氧基樹脂之含量，較佳為0.5質量%~60質量%，更佳為3質量%~50質量%，又更佳為5質量%~40質量%。

-(d)無機填充材-

無機填充材之材料無特別限定，可列舉例如二氧化矽、氧化鋁、玻璃、菫藍石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯等。此等之中，特佳為二氧化矽。又，二氧化矽較佳為球狀二氧化矽。無機填充材可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

無機填充材之平均粒徑從良好之埋入性的觀點，較佳為2μm以下，更佳為1μm以下，又更佳為0.8μm以下，更佳為0.6μm以下。該平均粒徑之下限無特別限定，較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，又更佳為0.1μm以上。具有這種平均粒徑之無機填充材的市售品，可列舉例如(股)admatechs製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電化學工業(股)製「UFP-30」、(股)德山製「SilFile NSS-3N」、「SilFile NSS-4N」、「SilFile NSS-5N」、(股)admatechs製「SOC4」、「SOC2」、「SOC1」等。

無機填充材之平均粒徑可藉由依據米氏(Mie)散射理論之雷射繞射．散射法來測量。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒度分布測量裝置，以體積基準製作無機填充材之粒度分布，以其中值粒徑作為平均粒徑來測量。測量樣品較佳為使用將無機填充材藉由超音波分散於水中者。雷射繞射散射式粒度分布測量裝置可使用(股)堀場製作所製「LA-500」等。

無機填充材從提高耐濕性及分散性的觀點，較佳為以胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上之表面處理劑處理者。表面處理劑之市售品，可列舉例如信越化學工業(股)製「KBM-403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM-803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE-903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM-573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業(股)製「KBM-103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM-4803」(長鏈環氧基型矽烷偶合劑)等。

藉由表面處理劑之表面處理的程度可以無機填充材之每單位表面積之碳量來評價。無機填充材之每單位表面積之碳量，從提高無機填充材之分散性的觀點，較佳為0.02mg/m²以上，更佳為0.1mg/m²以上，又更佳為0.2mg/m²以上。此外，從防止樹脂清漆之熔融黏度或薄片形態下之熔融黏度之上昇的觀點，較佳為1mg/m²以下，更佳為0.8mg/m²以下，又更佳為0.5mg/m²以下。

無機填充材之每單位表面積之碳量，可藉由將表面處理後之無機填充材以溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後來測量。具體而言，將作為溶劑之充分量之MEK添加於經表面處理劑表面處理的無機填充材中，於25℃下進行超音波洗淨5分鐘。去除上澄液，使固體成分乾燥後，使用碳分析計測量無機填充材之每單位表面積的碳量。碳分析計可使用(股)堀場製作所製之「EMIA-320V」等。

熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量，從得到熱膨脹率低之絕緣層的觀點，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上，又更佳為50質量%以上。熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量的上限，從絕緣層之機械強度、特別是拉伸的觀點，較佳為90質量%以下，更佳為75質量%以下。

-(e)硬化劑-

硬化劑只要是具有使環氧樹脂硬化的功能時，即無特別限定，可列舉例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯並噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二亞胺系硬化劑等。硬化劑可1種單獨使用或併用2種以上。(e)成分係選自酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑之1種以上為佳。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，從耐熱性及耐水性的觀點，較佳為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑、或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑。又，從與配線層之密著性的觀點，較佳為含氮酚系硬化劑，更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。其中，從高度滿足耐熱性、耐水性、及與配線層之密著性的觀點，較佳為含有三嗪骨架之苯酚酚醛清漆硬化劑。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，可列舉例如明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金(股)製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495V」、「SN375」、「SN395」、DIC(股)製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」等。

從得到與配線層之密著性優異之絕緣層的觀點，較佳為活性酯系硬化劑。活性酯系硬化劑無特別限制，一般較佳為使用酚酯類、苯硫酚(Thiophenol)酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之1分子中具有 2個以上之反應活性高之酯基的化合物。該活性酯系硬化劑係藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應所得者。特別是從提高耐熱性的觀點，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，更佳為由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。羧酸化合物可列舉例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。苯酚化合物或萘酚化合物，可列舉例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、苯酚酚醛清漆等。在此，「二環戊二烯型二酚化合物」係指對於二環戊二烯1分子，有苯酚2分子產生縮合所得之二酚化合物。

具體而言，含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含有萘構造之活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物為佳，其中更佳為含有萘構造之活性酯化合物、含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物。「二環戊二烯型二酚構造」係表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基所成之2價的結構單位。

活性酯系硬化劑之市售品，其中含有二環戊二烯型二酚結構之活性酯化合物，可列舉「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC(股)製)，含有萘構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9416-70BK」(DIC(股)製)，包含苯酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物，可列舉「DC808」(三菱化學(股)製)，包含苯酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物，可列舉「YLH1026」(三菱化學(股)製)、苯酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑，可列舉「DC808」(三菱化學(股)製)、苯酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯系硬化劑，可列舉「YLH1026」(三菱化學(股)製)、「YLH1030」(三菱化學(股)製)、「YLH1048」(三菱化學(股)製)等。

苯並噁嗪系硬化劑之具體例，可列舉昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。

氰酸酯系硬化劑，可列舉例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、由苯酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸酯樹脂、此等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化的預聚物等。氰酸酯酯系硬化劑之具體例，可列舉Lonza Japan(股)製之「PT30」及「PT60」(均為苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯一部分或全部經三嗪化之三聚物的預聚物)等。

碳二亞胺系硬化劑之具體例，可列舉Nisshinbo Chemical(股)製之「V-03」、「V-07」等。

環氧樹脂與硬化劑之量比係[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基之合計數]之比率表示，較佳為1：0.01~1：2之範圍，更佳為1：0.015~1：1.5，又更佳為1：0.02~1：1。在此，硬化劑之反應基係指活性羥基、活性酯基等，因硬化劑之種類而異。又，環氧樹脂之環氧基之合計數係指對於全部之環氧樹脂將各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值合計之值，硬化劑之反應基的合計數係指對於全部之硬化劑將各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值合計之值。藉由將環氧樹脂與硬化劑之量比設為此範圍，而更提高樹脂組成物之硬化物的耐熱性。

一實施形態中，熱硬化性樹脂組成物包含前述(a)環氧樹脂、(b)具有可經氫化之丁二烯構造及酚性羥基的化合物、(c)苯氧基樹脂及(d)無機填充材及(e)硬化劑。熱硬化性樹脂組成物係含有作為(a)環氧樹脂之固體狀環氧樹脂以單獨或液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂之質量比，較佳為1：0.1~1：20，更佳為1：0.3~1：10，又更佳為1：0.6~1：9)，及含有作為(e)硬化劑之選自由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯酯系硬化劑所成群之1種以上為佳。此時，(b)成分、(c)成分、(d)成分之較佳例也如前述。

熱硬化性樹脂組成物中之硬化劑之含量無特別限定，較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，又更佳為20質量%以下。又，下限無特別限制，較佳為2質量%以上。

-(f)硬化促進劑-

硬化促進劑可列舉例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較佳為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑，更佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑。硬化促進劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

磷系硬化促進劑可列舉例如三苯基膦、鏻硼酸鹽化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。

胺系硬化促進劑可列舉例如三乙胺、三丁胺等之三烷胺；4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯。

咪唑系硬化促進劑，可列舉例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加合物，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。

咪唑系硬化促進劑，亦可使用市售品，可列舉例如三菱化學(股)製之「P200-H50」等。

胍系硬化促進劑，可列舉例如雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，較佳為雙氰胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯。

金屬系硬化促進劑，可列舉例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例，可列舉乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等之有機鈷錯合物、乙醯丙酮銅(II)等之有機銅錯合物、乙醯丙酮鋅(II)等之有機鋅錯合物、乙醯丙酮鐵(III)等之有機鐵錯合物、乙醯丙酮鎳(II)等之有機鎳錯合物、乙醯丙酮錳(II)等之有機錳錯合物等。有機金屬鹽可列舉例如辛酸鋅(Zinc octoate)、辛酸錫、萘烷酸鋅、萘烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

熱硬化性樹脂組成物中之硬化促進劑之含量，無特別限定，當環氧樹脂與硬化劑之不揮發成分合計量為100質量%時，較佳為0.01質量%~3質量%。

-(g)難燃劑-

難燃劑可列舉例如有機磷系難燃劑、含有有機系氮之磷化合物、氮化合物、矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可1種單獨使用、或可併用2種以上。

難燃劑亦可使用市售品，可列舉例如三光(股)製之「HCA-HQ-HST」等。

熱硬化性樹脂組成物含有難燃劑時，難燃劑的含量並無特別限定，較佳為0.5質量%~20質量%，更佳為0.5質量%~15質量%，又更佳為0.5質量%~10質量%。

-(h)有機填充材-

有機填充材可使用形成印刷電路板之絕緣層時可使用之任意的有機填充材，可列舉例如橡膠粒子、聚醯胺微粒子、矽氧粒子等。

橡膠粒子亦可使用市售品，可列舉例如陶氏化學日本(股)製之「EXL-2655」、aica工業(股)製之「AC3816N」等。

熱硬化性樹脂組成物含有有機填充材的情形，有機填充材之含量，較佳為0.1質量%~20質量%，更佳為0.2質量%~10質量%，又更佳為0.3質量%~5質量%，或0.5質量%~3質量%。

-其他的成分-

熱硬化性樹脂組成物必要時可再含有其他的添加劑，此其他的添加劑，可列舉例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物、及黏結劑、增黏劑、消泡劑、平坦劑、密著性賦予劑、及著色劑等之樹脂添加劑等。

使本發明之熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物(例如以190℃使硬化90分鐘所得之硬化物(熱硬化後之熱硬化性樹脂組成物))顯示良好的彈性率(23℃)。亦即，帶來顯示良好之彈性率的絕緣層。硬化後之熱硬化性樹脂組成物在23℃下的彈性率為1GPa以上6GPa以下，較佳為5GPa以下。彈性率之測量方法可依據後述之<<彈性率、斷裂強度及斷裂拉伸之測量>所記載的方法來測量。

使本發明之熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物(例如以190℃使硬化90分鐘所得之硬化物(熱硬化後之熱硬化性樹脂組成物))顯示良好的斷裂強度(23℃)。亦即，帶來顯示良好之斷裂強度的絕緣層。硬化後之熱硬化性樹脂組成物在23℃下的斷裂強度為10MPa以上，較佳為20MPa以上。對於上限無特別限定為500MPa以下。斷裂強度之測量方法可依據後述之<<彈性率、斷裂強度及斷裂拉伸之測量>所記載的方法測量。

使本發明之熱硬化性樹脂組成物熱硬化所得之硬化物(例如以190℃使硬化90分鐘所得之硬化物(熱硬化後之熱硬化性樹脂組成物))顯示良好的斷裂拉伸(23℃)。亦即，帶來顯示良好之斷裂拉伸的絕緣層。硬化後之熱硬化性樹脂組成物在23℃下的斷裂拉伸為6%以上，較佳為6.5%以上。上限無特別限定為30%質量以下。斷裂拉伸之測量方法可依據後述之<<彈性率、斷裂強度及斷裂拉伸之測量>所記載的方法測量。

[接著薄膜]

本發明之接著薄膜含有支撐體及熱硬化性樹脂組成物之層(僅稱為「熱硬化性樹脂組成物層」)，一實施形態中，接著薄膜係含有支撐體及與該支撐體接合之熱硬化性樹脂組成物層所成，熱硬化性樹脂組成物層係由本發明之熱硬化性樹脂組成物所構成。以下，詳細說明構成接著薄膜之各層。

<支撐體>

本發明之接著薄膜含有支撐體。支撐體可舉例例如由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔、脫模紙，較佳為由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔。

使用由塑膠材料所成之薄膜作為支撐體時，塑膠材料可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱「PEN」)等之聚酯、聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴、聚碳酸酯(以下有時簡稱「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯，特佳為廉價之聚對苯二甲酸乙二酯。

使用金屬箔作為支撐體時，金屬箔可列舉例如銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。銅箔也可使用由銅之單金屬所成之箔，亦可使用銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所成之箔。又，金屬箔也可使用層合複數之金屬箔者。

支撐體可對於與熱硬化性樹脂組成物層接合之面施予霧面處理、電暈處理、抗靜電處理。

又，支撐體也可使用在與熱硬化性樹脂組成物層接合之面具有脫模層之附脫模層的支撐體。附脫模層之支撐體的脫模層所使用的脫模劑，可列舉例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及矽氧樹脂所成群組之1種以上的脫模劑。附脫模層之支撐體可使用市售品，可列舉例如具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分之脫模層的PET薄膜，即Lintec(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東麗(股)製「Lumirror T6AM」等。

支撐體的厚度雖並未特別限定，但較佳為5μm~75μm的範圍，更佳為10μm~60μm的範圍。又，使用附脫模層之支撐體的情形，附脫模層之支撐體全體的厚度為上述範圍為佳。

熱硬化性樹脂組成物層之厚度，從配線板之薄型化的觀點，較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，又更佳為60μm以下，又更佳為40μm以下或20μm以下。熱硬化性樹脂組成物層之厚度的下限，無特別限定，較佳為2μm以上，更佳為5μm以上。

接著薄膜除了支撐體及熱硬化性樹脂組成物層外，也可含有其他的層。例如接著薄膜在最表面也可具有後述的保護薄膜層。

本發明之接著薄膜，其係使用於含有以下步驟之配線板之製造方法，(1)準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟，(2)使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將含有熱硬化性樹脂組成物層之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟，(3)層間連接配線層的步驟、及(4)除去基材的步驟。

又，他之態樣為本發明之接著薄膜係使用於製造具備絕緣層及埋入於絕緣層之埋入型配線層的配線板。

<接著薄膜之製造方法>

接著薄膜之製造方法為可製造含有支撐體與熱硬化性樹脂組成物層之接著薄膜時，即無特別限定。接著薄膜例如調製將熱硬化性樹脂組成物溶解於有機溶劑的樹脂清漆，可藉由將此樹脂清漆使用模塗佈機等塗佈於支撐體上，使其乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層來製造。

有機溶劑可列舉例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯及二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

乾燥可藉由加熱、吹送熱風等之習知的方法來實施。乾燥條件無特別限定，但熱硬化性樹脂組成物層中之有機溶劑的含量成為10質量%以下，較佳為成為5質量%以下進行乾燥。因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而異，但例如使用包含30質量%~60質量%之有機溶劑的樹脂清漆時，藉由在50℃~150℃下乾燥3分鐘~15分鐘，可形成熱硬化性樹脂組成物層。

在接著薄膜中，在未與熱硬化性樹脂組成物層之支撐體接合的面(亦即，與支撐體相反側的面)中，可進一步層合依照支撐體的保護薄膜。保護薄膜的厚度無特別限定者，例如為1μm~40μm。藉由層合保護薄膜，可防止對熱硬化性樹脂組成物層之表面之塵埃等之附著或傷痕。接著薄膜可捲繞成捲筒狀來保存。接著薄膜具有保護薄膜的情形，可藉由剝離保護薄膜來使用。

保護薄膜較佳為由塑膠材料所成之薄膜。

又，保護薄膜也可使用在與熱硬化性樹脂組成物層接合之面具有脫模層之附脫模層的支撐體。附脫模層之支撐體的脫模層所使用的脫模劑，可列舉例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及矽氧樹脂所成群組之1種以上的脫模劑。

附脫模層之支撐體可使用市售品，可列舉例如具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分之脫模層的PET薄膜，即Lintec(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東麗(股)製「Lumirror T6AM」等。

保護薄膜的厚度雖並未特別限定，但較佳為5μm~75μm的範圍，更佳為10μm~60μm的範圍。又，使用附脫模層之支撐體的情形，附脫模層之支撐體全體的厚度在上述範圍為佳。

[配線板之製造方法]

本發明之配線板之製造方法，其係包含以下步驟：(1)準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟，(2)使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將本發明之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟，(3)層間連接配線層的步驟、及(4)除去基材的步驟。

其中步驟(3)只要是可層間連接配線層時，即無特別限定，較佳為在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟、及研磨或研削絕緣層，使配線層露出之步驟之至少任一的步驟。

以下，步驟(3)為在絕緣層形成導通孔，形成導體層之步驟的情形作為第1實施形態來說明，步驟(3)為研磨或研削絕緣層，使配線層露出之步驟的情形作為第 2實施形態來說明。

1.第1實施形態 <步驟(1)>

步驟(1)係準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟。如圖1所示一例，附配線層之基材10係在基材11之兩面分別具有基材11之一部分的第1金屬層12、第2金屬層13，在其中之一的第2金屬層13的露出表面(與基材11側之面相反側之面)具有配線層14。

步驟(1)之詳細係將乾薄膜(感光性阻劑薄膜)層合於基材上，使用光罩在特定條件下進行曝光、顯影，形成圖型乾薄膜。將顯影後之圖型乾薄膜作為鍍敷遮罩，藉由電鍍法形成配線層後，將圖型乾薄膜剝離。

第1及第2金屬層所使用的材料無特別限定。較佳的實施形態中，第1及第2金屬層從成本、蝕刻、剝離之容易性等的觀點，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅，更佳為銅。

作為基材可實施步驟(1)~(4)時，即無特別限定。基材可列舉例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板，也可在基板表面形成銅箔等之金屬層。

乾薄膜只要是由光阻組成物所成之感光性的乾薄膜時，即無特別限定，例如可使用酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等之乾薄膜。乾薄膜可使用市售品，可使用例如附PET薄膜之乾薄膜的nikko-materials(股)製「ALPHO 20A263」。乾薄膜可層合於基材之一面，也可如後述第2實施形態，層合於基材之兩面。

基材與乾薄膜之層合條件係與將後述步驟(2)之接著薄膜埋入於配線層進行層合時之條件同樣，較佳的範圍也同樣。

乾薄膜層合於基材上後，對於乾薄膜，為了形成所期望之圖型，而使用光罩，在特定之條件下進行曝光、顯影。

配線層之線寬(電路寬)/間距(電路間之寬)比，無特別限定，較佳為20/20μm以下(亦即間距為40μm以下)，更佳為18/18μm以下(間距36μm以下)，又更佳為15/15μm以下(間距30μm以下)。配線層之線寬/間距比之下限無特別限定，較佳為0.5/0.5μm以上，更佳為1/1μm以上。間距在配線層之全體不需要相同。

配線層之最小間距可為40μm以下、36μm以下、或30μm以下。

形成乾薄膜之圖型後，形成配線層，將乾薄膜剝離。在此，配線層之形成可將形成了所期望之圖型的乾薄膜作為鍍敷遮罩使用，藉由鍍敷法實施。

配線層所使用的導體材料無特別限定。較佳的實施形態中，配線層含有選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成群之1種以上的金屬。配線層可為單金屬層，也可為合金層，而合金層可列舉例如選自上述群之2種以上之金屬的合金(例如鎳．鉻合金、銅．鎳合金及銅．鈦合金)形成者。其中，從配線層形成之泛用性、成本、圖型化之容易性等的觀點，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層、或鎳．鉻合金、銅．鎳合金、銅．鈦合金之合金層，更佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層、或鎳．鉻合金之合金層，又更佳為銅之單金屬層。

配線層之厚度係依據所期望之配線板的設計而異，較佳為3μm~35μm，更佳為5μm~30μm，又更佳為10~20μm、或15μm。

形成配線層後，將乾薄膜剝離。乾薄膜之剝離，例如可使用氫氧化鈉溶液等之鹼性剝離液來實施。必要時，藉由蝕刻等除去不要的配線圖型，也可形成所期望的配線圖型。形成之配線層的間距如前述。

<步驟(2)>

步驟(2)係使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將本發明之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟。本發明中之熱硬化性樹脂組成物層顯示良好的埋入性，故層合於附配線層之基材上時，可以無空隙的狀態進行層合。如圖2所示一例，使前述步驟(1)所得之附配線層之基材的配線層14被埋入於接著薄膜20之熱硬化性樹脂組成物層21的狀態予以層合，使接著薄膜20之熱硬化性樹脂組成物層21熱硬化。接著薄膜20係以熱硬化性樹脂組成物層21及支撐體22的順序被層合。

首先，如圖2所示一例，以配線層14被埋入的狀態，將接著薄膜20之熱硬化性樹脂組成物層21層合於附配線層之基材上。

配線層與接著薄膜之層合係除去接著薄膜之保護薄膜後，例如可藉由自支撐體側將接著薄膜加熱壓接於配線層來進行。將接著薄膜加熱壓接於配線層的構件(以下亦稱為「加熱壓接構件」)，可列舉例如經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬滾筒(SUS滾筒)等。又，並非將加熱壓接構件直接壓製(press)於接著薄膜上，而是經由耐熱橡膠等之彈性材，使接著薄膜充分追隨於配線層之表面凹凸來進行壓製為佳。

配線層與接著薄膜之層合係除去接著薄膜之保護薄膜後，可藉由真空層合法實施。真空層合法中，加熱壓接溫度，較佳為60℃~160℃，更佳為80℃~140℃之範圍，加熱壓接壓力，較佳為0.098MPa~1.77MPa，更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓接時間，較佳為20秒鐘~400秒鐘，更佳為30秒鐘~300秒鐘之範圍。層合較佳為在壓力13hPa以下的減壓條件下實施。

層合可藉由市售之真空層合機來進行。市售之真空層合機，可列舉例如nikko-materials(股)製之真空加壓式層合機、(股)名機製作所製之真空加壓式層合機、 nichigo-morton(股)製之真空塗佈機等。

層合後，亦可藉由於常壓下(大氣壓下)，例如將加熱壓接構件自支撐體側進行壓製，經層合後之接著薄膜進行平滑化處理。平滑化處理之壓製條件，可為與上述層合之加熱壓接條件相同的條件。平滑化處理可藉由市售之層合機進行。又，層合與平滑化處理，亦可使用上述市售之真空層合機連續地進行。

以配線層被埋入的狀態，將熱硬化性樹脂組成物層層合於附配線層之基材上後，使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化形成絕緣層。熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化條件無特別限定，可使用形成配線板之絕緣層時通常採用的條件。

例如熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化條件係因熱硬化性樹脂組成物的種類等而異，但是硬化溫度可為120℃~240℃之範圍(較佳為150℃~220℃之範圍，更佳為170℃~200℃之範圍)，硬化時間可為5分鐘~120分鐘之範圍(較佳為10分鐘~100分鐘，更佳為15分鐘~90分鐘)。

使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化之前，可將熱硬化性樹脂組成物層以低於硬化溫度的溫度進行預備加熱。例如，使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化之前，可以50℃以上未達120℃(較佳為60℃以上110℃以下，更佳為70℃以上100℃以下)的溫度，將熱硬化性樹脂組成物層預備加熱5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘，更佳為15分鐘~120分鐘)。

接著薄膜之支撐體可在接著薄膜層合於附配線層之基材上後進行剝離，也可在接著薄膜層合於附配線層之基材上前剝離支撐體。在接著薄膜層合於附配線層之基材上後進行剝離的情形，可在將熱硬化性樹脂組成物層熱硬化之前進行剝離，也可在將熱硬化性樹脂組成物層熱硬化後進行剝離。又，也可在後述粗化處理步驟之前，剝離支撐體。

絕緣層之厚度係與熱硬化性樹脂組成物層之厚度同樣，較佳的範圍也同樣。

<步驟(3)>

第1實施形態中之步驟(3)係在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟。以下分開說明在絕緣層形成導通孔的階段(以下也稱為「步驟(3-1)」)，及形成導體層的階段(以下也稱為「步驟(3-2)」)。

-步驟(3-1)-

導通孔之形成無特別限定，可列舉雷射照射、蝕刻、機械打孔(Mechanical Drilling)等，但是以雷射照射來進行較佳。詳細如圖3所示一例，步驟(3)係在剝離支撐體22之前(支撐體22附著的狀態下)，由接著薄膜20之面側照射雷射，貫通支撐體22、絕緣層21’，形成使配線層14露出的導通孔31。

此雷射照射可利用使用作為光源之碳酸氣體雷射、YAG雷射、準分子雷射等之任意較佳的雷射加工機。可使用之雷射加工機，可列舉例如viamechanics(股)製CO₂雷射加工機「LC-2k212/2C」、三菱電機(股)製之605GTWIII(-P)、panasonic焊接系統(股)製之雷射加工機。

雷射照射的條件無特別限定，雷射照射可藉由依照被選擇之手段之常用方法的任意較佳的步驟來實施。

導通孔之形狀，即從延伸方向(extending direction)觀看時之開口輪郭的形狀，無特別限定，一般為圓形(略圓形)。以下，導通孔之「徑」的情形時，係指從延伸方向觀看時之開口輪郭之徑(直徑)。本說明書中，頂(top)徑r1係指導通孔之絕緣層21’側之輪郭之徑，而底部徑r2係指導通孔之配線層14側之輪郭之徑(參照圖3、圖4)。

導通孔之頂徑r1為120μm以下，較佳為90μm以下來形成導通孔為佳。

如圖4所示一例，可為r1大於r2來形成導通孔31，如圖3所示一例，也可為導通孔之頂徑r1與導通孔31之底部徑r2相同來形成導通孔31。

如此，導通孔之埋入性變得良好，可抑制空隙之發生，結果可藉由後述填孔提高電連接的信賴性。

導通孔形成後，也可進行導通孔內之殘渣除去步驟，所謂的除膠渣步驟。後述步驟(3-2)為藉由鍍敷步驟進行的情形時，對於導通孔，例如可進行濕式之除膠渣處理，步驟(3-2)為藉由濺鍍步驟進行的情形時，例如可進行電漿處理步驟等之乾式除膠渣步驟。又，除膠渣步驟可兼具粗化處理步驟。

步驟(3-2)之前，也可含有進行粗化處理的步驟。粗化處理係對導通孔、絕緣層進行，粗化處理之手順、條件無特別限定，例如可採用形成多層印刷電路板之絕緣層時通常所使用的公知順序、條件。乾式之粗化處理例，可列舉電漿處理等，而濕式粗化處理例，可列舉依序進行利用膨潤液之膨潤處理、以氧化劑之粗化處理及以中和液之中和處理的方法。

濕式粗化處理，例如可依序實施利用膨潤液之膨潤處理、以氧化劑之粗化處理及以中和液之中和處理，將絕緣層21’進行粗化處理。膨潤液無特別限定，可列舉鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，該鹼溶液更佳為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。市售之膨潤液，可列舉例如Atotech Japan(股)製之「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip Securiganth SBU」等。

藉由膨潤液之膨潤處理，並無特別限定，例如可藉由將絕緣層21’於30℃~90℃之膨潤液中浸漬1分鐘~20分鐘來進行。從將絕緣層21’之樹脂的膨潤抑制在適度水準的觀點，較佳為使絕緣層21’於40℃~80℃之膨潤液中浸漬5秒鐘~15分鐘。氧化劑並無特別限定，可列舉例如於氫氧化鈉之水溶液中溶解有過錳酸鉀或過錳酸鈉的鹼性過錳酸溶液。藉由鹼性過錳酸溶液等之氧化劑的粗化處理，較佳為將絕緣層21’於加熱至60℃~80℃之氧化劑溶液中浸漬10分鐘~30分鐘來進行。又，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽的濃度較佳為5質量%~10質量%。市售之氧化劑可列舉例如Atotech Japan(股)製之「Concentrate Compact P」、「Dosing Solution Securiganth P」等之鹼性過錳酸溶液。又，中和液較佳為酸性之水溶液，市售品可列舉例如Atotech Japan(股)製之「Reduction solution Securiganth P」。

以中和液之處理，可藉由將以氧化劑溶液進行了粗化處理的處理面於30℃~80℃之中和液中浸漬5分鐘~30分鐘來進行。由作業性等之觀點，較佳為將以氧化劑溶液進行了粗化處理的對象物，於40℃~70℃之中和液中浸漬5分鐘~20分鐘的方法。

-步驟(3-2)-

構成導體層的導體材料無特別限定。較佳的實施形態中，可藉由與配線圖型所使用之導體材料相同材料來形成，較佳為以銅為材料。

導體層可為單層構造、亦可為由不同種類之金屬或合金所成之單金屬層或層合有2層以上之合金層的複層構造。導體層為複層構造時，與絕緣層鄰接之層，較佳為鉻、鋅或鈦之單金屬層，或鎳．鉻合金之合金層。

導體層之厚度，雖亦依所期望之印刷電路板之設計而異，但一般為3μm~35μm，較佳為5μm~30μm。

導體層可藉由鍍敷、濺鍍、蒸鍍等以往公知之任意較佳的方法來形成，藉由鍍敷形成為佳。較佳之一實施形態係例如可藉由半加成法、全加成法等之以往公知的技術，對絕緣層之表面鍍敷，形成具有所期望之配線圖型的導體層。又，接著薄膜中之支撐體為金屬箔時，可藉由減去性製程等之以往公知的技術，形成具有所期望之配線圖型的導體層。

更詳細為於絕緣層21’之表面，藉由無電電鍍(Electroless plating)形成鍍敷防護層(shield layer)。接著，於形成之鍍敷防護層上，形成對應於所期望之配線圖型，使鍍敷防護層之一部分露出的遮罩圖型。露出之鍍敷防護層上，藉由電鍍形成金屬層後，去除遮罩圖型。然後，藉由蝕刻等而去除不要的鍍敷防護層，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。

如圖5所示一例，形成與露出之絕緣層21’之表面接合的鍍敷防護層41。首先，進行絕緣層21’之表面洗淨及電荷調整用之鹼清洗。其次，為了導通孔31內之洗淨，而進行軟蝕刻步驟。具體而言，使用硫酸酸性過硫酸鈉水溶液等之蝕刻劑，以任意較佳的條件處理即可。接著，為了將Pd(鈀)賦予絕緣層21’之表面，而進行調整絕緣層21’之表面電荷的預浸漬步驟。其次，將活化劑(Activator)的Pd賦予該表面，使被賦予絕緣層21’的Pd還原。其次，使銅(Cu)析出於絕緣層21’之表面，形成鍍敷防護層41。此時，覆蓋自導通孔31內，即側壁及導通孔31露出的配線層14，以形成鍍敷防護層41。

如圖6所示一例，形成鍍敷防護層41後，形成使鍍敷防護層41之一部分露出的遮罩圖型50。遮罩圖型50之形成，例如可藉由使乾薄膜與鍍敷防護層41接合，以特定條件進行曝光、顯影及洗淨來形成。

步驟(3-2)可使用的乾薄膜，例如與上述乾薄膜同樣，較佳的範圍也同樣。

如圖7所示一例，在露出之鍍敷防護層41上，以填充有導通孔31之條件，藉由電鍍處理形成電鍍層42，同時藉由電鍍處理埋入導通孔，形成填孔61。

如圖8所示一例，接著，將遮罩圖型剝離除去，以僅除去露出之鍍敷防護層41之任意較佳的條件進行閃蝕刻(Flash etching)，形成圖型導體層40。

導體層不僅是線狀的配線，也可包含例如可搭載外部端子之電極極板(electrode pad)(焊片(land))等。又，導體層可僅由電極極板所構成。

又，導體層係在形成鍍敷防護層後，不使用遮罩圖型，而形成電鍍層及填孔，然後，可藉由以蝕刻進行圖型化來形成。

<步驟(4)>

步驟(4)係如圖9所示一例，除去基材，形成本發明之配線板的步驟。基材之除去方法無特別限定。較佳之一實施形態係在第1及第2金屬層之界面，自配線板剝離基材，例如以氯化銅水溶液等蝕刻除去第2金屬層。

必要時，可以保護薄膜保護導體層40的狀態剝離基材。該保護薄膜與接著薄膜使用的保護薄膜同樣，較佳的範圍也同樣。

依據這種本發明之製造方法，可製造配線層14被埋入於絕緣層21’之態樣的配線板。又，因含有至少1層的絕緣層21’，可形成可撓性的配線板。又，必要時，步驟(2)~(3)之絕緣層及導體層之形成可重複實施，形成多層配線板。製造多層配線板時，本發明之接著薄膜使用至少1個即可。又，重複進行步驟(3)時，在絕緣層形成導通孔，而形成導體層的步驟外，也可進行將絕緣層研磨或研削，使配線層露出的步驟。可撓性係指不會產生龜裂或電阻值變化，可將配線板至少折彎1次。

2.第2實施形態

第1實施形態係步驟(3)在絕緣層形成導通孔，而形成導體層之步驟的情形，但是第2實施形態係在步驟(3)研磨或研削絕緣層，使配線層露出的步驟外，與第1實施形態同樣。以下說明所使用之各圖中，對於同樣的構成要素附上相同的符號，有省略重複說明的情形。

步驟(1)準備具有基材及設置於該基材之兩面之配線層之附配線層之基材的步驟。配線層14之形成方法與第1實施形態同樣。第2實施形態中之各配線層14 之厚度可相同或相異。如圖10所示一例，第2實施形態中之各配線層14的厚度相異為佳。

各配線層之中，具有最厚之厚度的配線層(導電性柱(Pillar))的厚度，因所期望之配線板之設計而異，但是較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，又更佳為60μm以下、又更佳為40μm以下或20μm以下。下限無特別限定，較佳為2μm以上，更佳為5μm以上。具有最厚之配線層以外之配線層的厚度，與第1實施形態中之配線層的厚度同樣，較佳之範圍也同樣。

步驟(2)如圖11所示一例，配線層被埋入於熱硬化性樹脂組成物層，使本發明之接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟，與第1實施形態同樣，較佳之範圍也同樣。

步驟(3)係將絕緣層進行研磨或研削，使配線層露出的步驟。與第1實施形態中之步驟(3)不同，未形成導通孔，故可大幅削減形成導通孔的成本。

如上述，第2實施形態中之配線層如圖1所示一例，也可為各配線層為均勻厚度的情形，如圖10所示一例，也可為各配線層14為不同厚度。步驟(3)中，不需要使全部的配線層露出，例如圖12所示一例，也可使配線層14之一部分露出。

絕緣層之研磨方法或研削方法，只要是可使配線層露出，研磨或研削面為水平時，即無特別限定，可使用以往習知的研磨方法或研削方法，可列舉例如利用化學機械研磨裝置的化學機械研磨方法等。

步驟(3)之後，必要時，也可與第1實施形態同樣進行殘渣除去步驟、粗化處理的步驟。又，必要時，如上述步驟(3-2)，可形成導體層。

步驟(4)如圖13所示一例，除去基材形成本發明之配線板的步驟。基材之除去方法無特別限定。較佳之一實施形態係在第1及第2金屬層的界面，自配線板剝離基材，例如以氯化銅水溶液等蝕刻除去第2金屬層。

3.第3實施形態

第1實施形態係由一面具有配線層之附配線層之基材製造配線板，但是第3實施形態除了由在基材之兩面具有配線層之附配線層之基材製造配線板外，與第1實施形態同樣。以下說明所使用之各圖中，對於同樣的構成要素附上相同的符號，有省略重複說明的情形。

步驟(1)如圖14所示一例，準備具有基材及設置於該基材之兩面之配線層之附配線層之基材的步驟。配線層14之形成方法與第1實施形態同樣，設置於基材之兩面的配線層可同時形成，準備附配線層之基材，也可形成其一的配線層後，再形成另一方的配線層，準備附配線層之基材。又，各配線層可為相同的圖型，也可為不同的圖型。又，各配線層之厚度如圖10可不相同。

步驟(2)如圖15所示一例，對於附配線層之基材之兩面，使配線層被埋入於熱硬化性樹脂組成物層中，將接著薄膜分別層合於附配線層之基材上，使熱硬化的步驟。使用之2種接著薄膜可為相同的接著薄膜，也可為相異的接著薄膜。

步驟(3)如圖16所示一例，對於附配線層之基材之兩面，由使熱硬化之接著薄膜側照射雷射，在使熱硬化之接著薄膜形成導通孔較佳。導通孔之形成，可同時形成，也可形成其一的導通孔後，再形成另一方的導通孔。

形成導體層之前，也可含有對於附配線層之基材之兩面，進行粗化處理的步驟，也可將2層絕緣層21’之表面進行粗化處理。粗化處理可同時進行，也可其一的粗化處理後，進行另一方的粗化處理。

導通孔形成後，對於附配線層之基材之兩面，形成導體層。如圖17所示一例，在粗化處理後之絕緣層21’上形成鍍敷防護層41。形成鍍敷防護層41後，如圖18所示一例，形成使鍍敷防護層41之一部分露出的遮罩圖型50，如圖19所示一例，在露出之鍍敷防護層41上形成電鍍層42，同時藉由電鍍處理埋入導通孔形成填孔61。如圖20所示一例，除去遮罩圖型形成導體層40。導體層40之形成之詳細可與第1實施形態同樣進行說明。又，可同時形成設置於基材之兩面的2層導體層，也可形成其一方的導體層後，再形成另一方的導體層。

對於第3實施形態中之步驟(3)為在絕緣層形成導通孔，形成導體層之步驟的情形進行說明，但是也可進行將絕緣層研磨或研削，使配線層露出的步驟。又，對於附配線層之基材之一面，可進行在絕緣層形成導通孔，形成導體層的步驟，對於另一面，也可進行將絕緣層研磨或研削，使配線層露出的步驟。

步驟(4)如圖21所示一例，除去基材，形成本發明之配線板的步驟。第3實施形態可同時製造2種類的配線板。

[配線板]

本發明之配線板，其特徵係具備本發明之接著薄膜之熱硬化性樹脂組成物層之硬化物的絕緣層，及被埋入於絕緣層的埋入型配線層。又，有省略與上述內容重複的說明的情形。

本發明之配線板，例如包含上述(1)~(4)的步驟，可藉由本發明之配線板之製造方法來製造。本發明之配線板1如圖9所示一例，依序層合埋入型配線層14、及絕緣層21’。在未與絕緣層21’之埋入型配線層14接合之面上(亦即，與埋入型配線層14相反側之面上)，具備導體層40。埋入型配線層14係經由填孔61，與導體層40接合。

埋入型配線層係指可與半導體晶片等之零件之導體連接時，被埋入於絕緣層21’的配線層(配線層14)。埋入型配線層通常與層合有接著薄膜之側相反側之面，以其突出高度實質為0(zero)，通常為-1μm~+1μm，而被埋入於絕緣層中。

本發明之配線板也可為如圖22及圖23所示一例的多層配線板。構成形成如圖22、及圖23所示一例之配線板中之各絕緣層之熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化性樹脂組成物，可為相同的組成，也可為相異的組成。又，如圖22所示一例，填孔61之頂徑與底部徑可略相同，如圖23所示一例，填孔61之頂徑可大於底部徑。

[半導體裝置]

本發明之半導體裝置，其特徵為包含本發明之配線板。本發明之半導體裝置可使用本發明之配線板來製造。

半導體裝置可列舉供於電氣製品(例如電腦、手機、數位相機及電視等)及交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。

本發明之半導體裝置可藉由於印刷電路板之導通處實裝零件(半導體晶片)來製造。「導通處」係指「傳達在印刷電路板之電氣信號之處」，該場所可為表面，亦可為被埋入之處皆無妨。又，半導體晶片若為以半導體作為材料之電氣電路元件則無特別限定。

製造本發明之半導體裝置時之半導體晶片的實裝方法，只要是半導體晶片能有效地發揮功能時，即無特別限定，具體而言，可列舉引線接合實裝方法、覆晶實裝方法、以無凸塊增層(BBUL)之實裝方法、以各向異性導電薄膜(ACF)之實裝方法、以非導電性薄膜(NCF)之實裝方法等。在此，「以無凸塊增層(BBUL)之實裝方法」係指「將半導體晶片直接埋入於印刷電路板的凹部，使半導體晶片與印刷電路板上之配線連接的實裝方法」。

[實施例]

以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於此等之實施例。又，在以下記載中，「份」及「%」在無另外明示時，分別表示「質量份」及「質量%」。

<評價基板之調製> (1)準備具有基材及設置於該基材之至少一面之配線層之附配線層之基材的步驟 (1-1)對基材(核基板)之乾薄膜之層合

準備作為核基板之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅層合板(層構成：三井金屬礦業(股)製MicroThin MT-Ex銅箔(厚度3μm之銅箔/厚度18μm之載體箔)/panasonic(股)製「R1515A」基板(厚度0.2mm)/三井金屬礦業(股)製MicroThinMT-Ex銅箔(厚度18μm之載體箔/厚度3μm之銅箔))170×125mm。使用分批式真空加壓層合機(nikko-materials(股)製2階段增層層合機「CVP700」)，在乾薄膜與銅箔接合的狀態，使附PET薄膜之乾薄膜(nikko-materials(股)製「ALPHO 20A263」、乾薄膜之厚度20μm)層合於該層合板之3μm銅箔之無光澤面(mat surface)側兩面。乾薄膜之層合係藉由減壓30秒鐘，氣壓為13hPa以下後，以溫度70℃、壓力0.1MPa下壓接20秒鐘來進行。

(1-2)圖型之形成

將形成有以下所示之配線圖型的玻璃遮罩(光罩)配置於乾薄膜之保護層的PET薄膜上，藉由UV燈以照射強度150mJ/cm²照射UV。UV照射後，將乾薄膜之PET薄膜剝離，將30℃之1%碳酸鈉水溶液以噴射壓0.15MPa噴霧處理30秒鐘。然後，經水洗進行乾薄膜之顯影(圖型形成)。

玻璃遮罩之配線圖型：

以10mm間隔形成L/S=15μm/15μm、即配線間距30μm之櫛齒圖型(配線長15mm、16線、10mm正方之導體引出)。

(1-3)配線層之形成

乾薄膜之顯影後，將電鍍銅以15μm之厚度進行，形成配線層。接著，將50℃之3%氫氧化鈉溶液以噴射壓0.2MPa進行噴霧處理，剝離乾薄膜後，進行水洗，以150℃乾燥30分鐘。

(2)使配線層埋入於熱硬化性樹脂組成物層，而將接著薄膜層合於附配線層之基材上，使熱硬化形成絕緣層的步驟 (2-1)接著薄膜之層合

將使用實施例及比較例製作的樹脂清漆，以如<接著薄膜之製作>所記載製作的各接著薄膜(167mm×122mm)之保護薄膜予以剝離，使用分批式真空加壓層合機(nikko-materials(股)製2階段增層層合機「CVP700」)，使熱硬化性樹脂組成物層與配線層接合的狀態，埋入於配線層兩面進行層合。層合係藉由減壓30秒鐘，使氣壓為13hPa以下後，以100℃、壓力0.74MPa壓接30秒鐘來實施。接著，將被層合之接著薄膜在大氣壓下、100℃、壓力0.5MPa下，熱壓製60秒鐘進行平滑化。

(2-2)熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化

接著薄膜之層合後，將支撐體(PET薄膜)剝離，於190℃、90分鐘的條件下，使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化，在配線層之兩面形成絕緣層。冷卻至室溫後，藉由熱硬化緩和應力，而在130℃、30分鐘的條件進行熱處理。

(3)在基板上形成測長用之沖孔洞的步驟

所得之基板(170×125mm)之自4角的15mm之部分，藉由沖孔形成4個貫通孔(直徑約6mm)(孔洞依順時針暫時稱為A、B、C、D)，將接著薄膜之支撐體剝離後，以非接觸型圖像測量器((股)Mitutoyo製、Quick Vision型式：QVH1X606-PRO III_BHU2G)測量形成之各孔洞之中央間的對角線長度L(L_AC、L_BD)。

(4)除去基材的步驟

然後，將切割刀之刀片插入核基板之MicroThin MT-Ex銅箔之厚度3μm的銅箔與厚度18μm之載體箔的界面，剝離核基板，予以分離。接著，以氯化銅水溶液蝕刻除去3μm銅箔，經水洗後，以110℃乾燥30分鐘。如此所得之L/S=15/15μm的櫛齒圖型被埋入於單面的配線板稱為「評價基板A」。

<尺寸精度之評價>

關於所得之2片的評價基板A，與L相同以非接觸型圖像測量器測量在(3)所形成之各孔之中央間之硬化後的長度L’(L’_AC、L’_BD)。該尺寸變化(L’_AC-L_AC)、及(L’_BD-L_BD)之任一超過2mm者評價為×，1~2mm者評價為△，全部為1mm以下者評價為○。

<回焊耐性之評價>

關於尺寸精度評價後之2片的評價基板A，3次通過再現波峰溫度260℃之焊接回焊溫度的回焊裝置(日本antom(股)製「HAS-6116」)(回焊溫度圖形係依據IPC/JEDEC J-STD-020C)。然後，以目視觀察，即使在導體圖型之一部分有剝離等異常者，評價為×，全部無異常者評價為○。

<彈性率、斷裂強度及斷裂拉伸之測量>

使脫模PET薄膜(Lintec(股)製「501010」、厚度38μm、240mm角)之未處理面接觸玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅層合板(松下電工(股)製「R5715ES」、厚度0.7mm、250mm角)的狀態，設置於玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅層合板上，以聚醯亞胺接著膠帶(寬10mm)固定該脫模薄膜之四邊。

將使用實施例及比較例製作的樹脂清漆，以如<接著薄膜之製作>所記載製作的各接著薄膜(230mm正方)，使用分批式真空加壓層合機(nikko-materials(股)製2階段增層層合機「CVP700」)，使熱硬化性樹脂組成物層與脫模PET薄膜之脫模面接觸的狀態，於中央部進行層合處理。層合處理係藉由減壓30秒鐘，使氣壓為13hPa以下後，以100℃、壓力0.74MPa壓接30秒鐘來實施。

接著，剝離支撐體，以190℃、90分鐘之硬化條件，使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化。

熱硬化後，剝離聚醯亞胺接著膠帶，將熱硬化性樹脂組成物層自玻璃布基材環氧樹脂兩面貼張層合板上剝離。此外，自熱硬化性樹脂組成物層上剝離脫模PET薄膜，得到薄片狀的硬化物。薄片狀之硬化物稱為評價用硬化物。將所得之評價用硬化物切成啞鈴狀1號形，得到試驗片。使用ORIENTEC公司製拉伸試驗機「RTC-1250A」，對該試驗片進行拉伸強度測量，求23℃時之彈性率、斷裂強度及斷裂拉伸。測量係依據JIS K7127實施。此操作進行5次，上位3點之平均值如表所示。

<接縫摺疊(seam folding)耐性之評價>

在與上述相同啞鈴狀1號形之中央部進行接縫摺疊，載置1kg之荷種5秒。然後，使接縫摺疊部回復，載置1kg之荷種5秒。上述操作重複5次，目視觀察接縫摺疊部分之有無切斷。關於3個評價用硬化物，全部接縫摺疊部分無切斷者，評價為有耐性(○)，即使硬化物中之1個，在接縫摺疊部分之一部分或全部被切斷者，評價為無耐性(×)。

<樹脂層熔融黏度之測量>

自使用實施例及比較例製作的樹脂清漆，以如<接著薄膜之製作>所記載製作的各接著薄膜之脫模PET(支撐體)中，僅剝離樹脂組成物層，藉由以模具壓縮，製作測量用顆粒(直徑18mm、1.2~1.3g)。然後，使用動態黏彈性測量裝置((股)UBM製「Rheosol-G3000」)，對於試料樹脂組成物1g，使用直徑18mm之平行板，自開始溫度60℃至200℃，以昇溫速度5℃/分鐘昇溫，測量溫度間隔2.5℃、振動數1Hz、變形1deg之測量條件下，測量動態黏彈性率，算出最低熔融黏度(poise)，如表1所示。

〔具有丁二烯構造與酚性羥基之硬化劑A之製造〕

反應容器中，混合G-1000(2官能性羥基末端聚丁二烯、數平均分子量=1400、羥基當量=770g/eq.、日本曹達(股)製)45g與Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)40g、月桂酸二丁基錫0.005g，使均勻溶解。成為均勻的時點，昇溫至50℃，進一步，邊攪拌邊添加異佛爾酮二異氰酸酯(異氰酸酯基當量=113g/eq.、Evonik Degussa Japan(股)製IPDI)15g，進行反應約3小時間。接著，將此反應物冷卻至室溫，然後，在此中添加甲酚酚醛清漆樹脂KA-1160(羥基當量=117g/eq.、DIC(股)製)40g與乙基二乙二醇乙酸酯((股)DAICEL製)60g，邊攪拌邊昇溫至80℃，進行約4小時反應。藉由FT-IR確認2250cm^-1之NCO波峰之消失。以確認NCO波峰消失視為反應終點，將反應物降溫至室溫後，以100mesh的濾布過濾，得到具有丁二烯構造及酚性羥基之硬化劑A(不揮發分50質量%)。

數平均分子量：2900

〔具有氫化丁二烯構造與酚性羥基之硬化劑B之製造〕

反應容器中，混合GI-1000(2官能性羥基末端氫化聚丁二烯、數平均分子量=1500、羥基當量=830g/eq.、日本曹達(股)製)46g與Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)40g、月桂酸二丁基錫0.005g，使均勻溶解。成為均勻的時點，昇溫至50℃，進一步，在邊攪拌邊添加異佛爾酮二異氰酸酯(異氰酸酯基當量=113g/eq.、Evonik Degussa Japan(股)製IPDI)14g，進行反應約3小時間。接著，將此反應物冷卻至室溫，然後，在此中添加甲酚酚醛清漆樹脂KA-1160(羥基當量=117g/eq.、DIC(股)製)40g與乙基二乙二醇乙酸酯((股)DAICEL製)60g，邊攪拌邊昇溫至80℃，進行約4小時反應。藉由FT-IR確認2250cm^-1之NCO波峰之消失。以確認NCO波峰消失視為反應終點，將反應物降溫至室溫後，以100mesh的濾布過濾，得到具有氫化丁二烯構造及酚性羥基之硬化劑B(不揮發分50質量%)。

數平均分子量：3000

〔具有丁二烯構造與酚性羥基之硬化劑C之製造〕

在反應容器中，混合G-3000(2官能性羥基末端聚丁二烯、數平均分子量=3000、羥基當量=1800g/eq.、日本曹達(股)製)69g與Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)40g、月桂酸二丁基錫0.005g，使均勻溶解。成為均勻的時點，昇溫至50℃，進一步，在邊攪拌邊添加異佛爾酮二異氰酸酯(異氰酸酯基當量=113g/eq.、Evonik Degussa Japan(股)製IPDI)8g，進行反應約3小時間。接著，將此反應物冷卻至室溫，然後，在此中添加甲酚酚醛清漆樹脂KA-1160(羥基當量=117g/eq.、DIC(股)製)23g與乙基二乙二醇乙酸酯((股)DAICEL製)60g，邊攪拌邊昇溫至80℃，進行約4小時反應。藉由FT-IR確認2250cm^-1之NCO波峰之消失。以確認NCO波峰消失視為反應終點，將反應物降溫至室溫後，以100mesh的濾布過濾，得到具有丁二烯構造及酚性羥基之硬化劑C(不揮發分50質量%)。

數平均分子量：5500

<實施例1>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)5.1份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3100」、環氧當量258)1.5份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX6954BH30」、固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)6份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1份邊攪拌邊加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑A溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)1份、及羥苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM103」)表面處理的球狀二氧化矽(平均粒徑0.1μm、電化學工業(股)製「UFP-30」、每單位表面積之碳量0.19mg/m²)8份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP020」)過濾製作樹脂清漆1。

<實施例2>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)8.5份、雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」、環氧當量238)3份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)8份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)10份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1.5份邊攪拌邊加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑B溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)0.8份、難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)2.5份、及經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)20份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆2。

<實施例3>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX7400」、環氧當量440)1份、含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)6.8份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)12份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1.5份邊攪拌邊加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑B溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)1份、及經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)24份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆3。

<實施例4>

將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」、環氧當量238)6份、二環戊二烯型環氧樹脂DIC(股)製「HP-7200」、環氧當量258)2份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)8份、MEK4份邊攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑C溶液20份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)1份、難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10- 氧化物、平均粒徑1.5μm)2.5份、及經苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM103」)表面處理的球狀二氧化矽(平均粒徑0.1μm、電化學工業(股)製「UFP-30」、每單位表面積之碳量0.19mg/m²)8份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)8份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆4。

<實施例5>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX7400」、環氧當量440)2份、含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)10.2份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)8份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX6954BH30」、固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)8份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1.8份邊攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑A溶液12份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)2份及經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)15份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆5。

<比較例1>

將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」、環氧當量238)8份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)10份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1.5份邊攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑B溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)0.8份、難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)2.5份及經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)20份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆6。

<比較例2>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA- 4816」、環氧當量406)5.1份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3100」、環氧當量258)1.5份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1.5份，邊進行攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑A溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)2份及經苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM103」)表面處理的球狀二氧化矽(平均粒徑0.1μm、電化學工業(股)製「UFP-30」、每單位表面積之碳量0.19mg/m²)8份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP020」)過濾製作樹脂清漆7。

<比較例3>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)5.1份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3100」、環氧當量258)1.5份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)15份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)1份，邊攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑A溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)1.5份及經苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM103」)表面處理的球狀二氧化矽(平均粒徑0.1μm、電化學工業(股)製「UFP-30」、每單位表面積之碳量0.19mg/m²)4份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP020」)過濾製作樹脂清漆8。

<比較例4>

將含有柔軟性構造之環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-4816」、環氧當量406)6.8份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固體成分40質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)6份、Ipsol150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學(股)製)10份，邊攪拌邊使加熱溶解。將加熱溶解物冷卻至室溫，然後混合硬化劑B溶液10份、硬化促進劑(四國化成工業(股)製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分10質量%之MEK溶液)0.8份及經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽((股)admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.38mg/m²)50份，使用高速旋轉混合機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾製作樹脂清漆9。

<接著薄膜之製作>

準備作為支撐體之以醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)進行脫模處理的PET薄膜(東麗(股)製「lumirrorR80」、厚度38μm、軟化點130℃、「脫模PET」)。在該脫模面上均勻塗佈樹脂清漆1~9，將各樹脂清漆以80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘後，使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層的厚度成為40μm，將作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(Oji F-Tex(股)製「alphan MA-411」、厚度15μm)之粗面與熱硬化性樹脂組成物層接合進行貼合製作接著薄膜。