TW201728770A - 蒸鍍遮罩之製造方法、蒸鍍遮罩及有機半導體元件之製造方法 - Google Patents

蒸鍍遮罩之製造方法、蒸鍍遮罩及有機半導體元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

一種蒸鍍遮罩(100)之製造方法，其係具備樹脂層(10)、及形成於樹脂層(10)上之磁性金屬層(20)之蒸鍍遮罩(100)的製造方法，且包含如下步驟：(A)準備基板的步驟；(B)將包含樹脂材料之溶液或樹脂材料之前驅物溶液賦予至基板之表面，然後進行熱處理，藉此形成樹脂層的步驟；(C)於樹脂層(10)上形成磁性金屬層(20)的步驟，該磁性金屬層(20)具有包含存在金屬膜之實心部(20a(1))與不存在金屬膜之非實心部(20a(2))的遮罩部(20a)、及以包圍遮罩部(20a)之方式配置之周邊部(20b)；(D)於樹脂層(10)中之位於遮罩部(20a)之非實心部之區域形成數個開口部(13)的步驟；及(E)於步驟(D)之後，將樹脂層(10)自基板剝離的步驟。

Description

蒸鍍遮罩之製造方法、蒸鍍遮罩及有機半導體元件之製造方法
本發明係關於一種蒸鍍遮罩之製造方法，尤其係關於一種具有樹脂層與金屬層積層而成之構造的蒸鍍遮罩之製造方法。又，本發明亦關於一種蒸鍍遮罩、及使用蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。
近年來，作為下一代顯示器，有機電致發光(EL，Electro Luminescence)顯示裝置正吸引人們重視。目前，於量產之有機EL顯示裝置，有機EL層之形成主要使用真空蒸鍍法而進行。
作為蒸鍍遮罩，一般為金屬製之遮罩(金屬遮罩)。然而，隨著有機EL顯示裝置之高精細化發展，使用金屬遮罩精度良好地形成蒸鍍圖案正逐漸變得困難。其原因在於，利用目前之金屬加工技術，難以於成為金屬遮罩之金屬板(例如厚度100μm左右)高精度地形成與較短之像素間距(例如10~20μm左右)對應之較小之開口部。
因此，作為用以形成精細度較高之蒸鍍圖案之蒸鍍遮罩，提出有具有樹脂層與金屬層積層而成之構造的蒸鍍遮罩(以下，亦稱為「積層型遮罩」)。
例如專利文獻1中揭示有樹脂薄膜與作為金屬磁體之保持構件積層而成之積層型遮罩。於樹脂薄膜形成有與所期望之蒸鍍圖案對應之數個開口部。於保持構件形成有尺寸較樹脂薄膜之開口部大之狹縫。樹脂薄膜之開口部配置於狹縫內。因此，於使用專利文獻1之積層型遮罩之情況下，蒸鍍圖案係對應於樹脂薄膜之數個開口部而形成。即便為較小之開口部，亦可高精度地形成於較一般之金屬遮罩用之金屬板薄之樹脂薄膜。
於樹脂薄膜形成如上所述之較小之開口部時，較佳地使用雷射剝蝕法。於專利文獻1中記載有對載置於支持材(玻璃基板等)之樹脂薄膜照射雷射而形成所期望之尺寸之開口部的方法。
圖26(a)~(d)分別為用以對專利文獻1中揭示之習知之蒸鍍遮罩之製造方法進行說明的模式性步驟剖面圖。
於專利文獻1中，首先，如圖26(a)所示，於樹脂薄膜81上形成具有開口部(狹縫)85之金屬層82，而獲得積層膜80。繼而，如圖26(b)所示，以對積層膜80於既定之面內方向賦予張力之狀態將積層膜80安裝至框架87。然後，將積層膜80如圖26(c)所示般地載置至玻璃基板90上。此時，使樹脂薄膜81中之與金屬層82為相反側之面經由乙醇等液體88密接於玻璃基板90。然後，如圖26(d)所示，對樹脂薄膜81中藉由金屬層82之狹縫85而露出之部分照射雷射光L，藉此，於樹脂薄膜81形成數個開口部89。以此方式製造積層型之蒸鍍遮罩900。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2014-205870號公報
然而，圖26中例示之習知之製造方法有難以高精度地對樹脂薄膜進行加工或者於樹脂薄膜之開口部之周緣產生毛邊的問題。
若於樹脂薄膜產生毛邊，則難以使已完成之蒸鍍遮罩密接於成為蒸鍍對象之基板(以下，亦稱為「蒸鍍對象基板」)，而會於蒸鍍遮罩與蒸鍍對象基板之間產生間隙。因此，若使用習知之蒸鍍遮罩，則有可能無法獲得與蒸鍍遮罩之開口部對應之高精細之蒸鍍圖案。詳細情況將於下文進行敍述。
再者，雖然嘗試於樹脂薄膜之加工後藉由擦除等將毛邊去除，但未提出可抑制毛邊之產生本身之方法。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種可較佳地用於形成高精細之蒸鍍圖案之積層型之蒸鍍遮罩、及其製造方法。又，本發明之另一目的在於提供一種使用如上所述之蒸鍍遮罩的有機半導體元件之製造方法。
本發明之一實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層之蒸鍍遮罩之製造方法，其包含如下步驟：(A)準備基板的步驟；(B)將包含樹脂材料之溶液或樹脂材料之前驅物溶液賦予至上述基板之表面，然後進行熱處理，藉此形成樹脂層的步驟；(C)於上述樹脂層上形成磁性金屬層的步驟，該磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金 屬膜之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部；(D)於上述樹脂層中之位於上述遮罩部之上述非實心部之區域形成數個開口部的步驟；及(E)於上述步驟(D)之後，自上述基板剝離上述樹脂層的步驟。
於某一實施形態中，於上述步驟(C)與上述步驟(E)之間進而包含將框架固定於上述磁性金屬層之上述周邊部之步驟(F)。
於某一實施形態中，上述步驟(F)於上述步驟(D)之後進行。
於某一實施形態中，於上述步驟(F)中，以不對上述磁性金屬層及上述樹脂層自外部對層面內方向賦予張力的狀態，將上述框架固定於上述磁性金屬層。
於某一實施形態中，於上述步驟(E)之後進而包含將框架固定於上述磁性金屬層之上述周邊部之步驟(F)。
於某一實施形態中，於上述步驟(C)中，上述遮罩部之上述實心部包含離散地配置之數個島狀部。
本發明之一實施形態之蒸鍍遮罩係使用上述之任一方法而製造。
本發明之另一實施形態之蒸鍍遮罩係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金屬膜之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部，上述蒸鍍遮罩進而包括固定於上述磁性金屬層之上述周邊部之框架，上述樹脂層具有配置於上述遮罩部之上述非實心部之數個開口部，且未自上述框架受到層面內方向之張力。
於某一實施形態中，上述磁性金屬層之上述實心部包含離散地配置之數個島狀部。
於某一實施形態中，上述磁性金屬層之上述非實心部包含數個狹縫。
於某一實施形態中，上述框架由金屬或塑膠形成。
於某一實施形態中，上述樹脂層係藉由對賦予至基板表面之包含樹脂材料之溶液或樹脂材料之前驅物溶液進行熱處理而形成的層。
於某一實施形態中，上述磁性金屬層為鍍敷層或金屬箔。
本發明之又一實施形態之蒸鍍遮罩係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金屬膜之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部，且上述樹脂層係藉由對賦予至基板表面之包含樹脂材料之溶液進行熱處理而形成的層，具有配置於上述遮罩部之上述非實心部之數個開口部。
本發明之又一蒸鍍遮罩係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有離散地配置之數個島狀部、及以包圍上述數個島狀部之方式配置之周邊部，且上述樹脂層具有配置於上述數個島狀部之間之數個開口部。
於某一實施形態中，若將自法線方向觀察上述磁性金屬層時上述周邊部內之上述數個島狀部所占之面積之比例設為Sm(%)，將形成上述磁性金屬層之金屬材料之線熱膨脹係數設為αM(ppm/℃)，將形成上述樹脂層之樹脂膜之線熱膨脹係數設為 αR(ppm/℃)，則αM大於αR，αM‧SM/αR之值為0.90以上且1.10以下。
於某一實施形態中，上述SM為50%以下。
本發明之一實施形態之有機半導體元件之製造方法包含使用上述之任一蒸鍍遮罩於工件上蒸鍍有機半導體材料的步驟。
根據本發明之實施形態，提供一種可較佳地用於形成高精細之蒸鍍圖案之積層型之蒸鍍遮罩及其製造方法。
10‧‧‧樹脂層
13、13B、13G、13R、89‧‧‧開口部
20、82‧‧‧金屬層
20a‧‧‧遮罩部
20a(1)‧‧‧實心部
20a(2)‧‧‧非實心部
20b‧‧‧周邊部
20'‧‧‧金屬箔
21‧‧‧導電性金屬膜
22‧‧‧主金屬膜
23、85‧‧‧狹縫
24‧‧‧島狀部
25‧‧‧開口
27‧‧‧貫通孔
28‧‧‧實心部
28'‧‧‧虛線
30‧‧‧積層遮罩
40、87‧‧‧框架
40a‧‧‧面
41‧‧‧第1方向
50‧‧‧基板
51‧‧‧蒸鍍膜
52‧‧‧蒸鍍源
55、56‧‧‧假想直線
57‧‧‧區域
60‧‧‧支持基板
70‧‧‧抗蝕劑層
71‧‧‧開口
80‧‧‧積層膜
81‧‧‧樹脂薄膜
88‧‧‧液體
90‧‧‧玻璃基板
92‧‧‧雷射照射區域
94‧‧‧氣泡
98‧‧‧毛邊
L、L1、L2‧‧‧雷射光
100、101、101B、101R、101G、200、201、201R、300、301、400、401、900‧‧‧蒸鍍遮罩
500‧‧‧有機EL顯示裝置
510‧‧‧TFT基板
511‧‧‧平坦化膜
512B、512G、512R‧‧‧下部電極
513‧‧‧觸排
514B、514G、514R‧‧‧有機EL層
515‧‧‧上部電極
516‧‧‧保護層
517‧‧‧透明樹脂層
520‧‧‧密封基板
d‧‧‧厚度
D1、D2、D3‧‧‧方向
P1、P2‧‧‧到達點
Pb‧‧‧藍像素
Pg‧‧‧綠像素
Pr‧‧‧紅像素
Px、Py‧‧‧像素間距
t0、t1‧‧‧時刻
U‧‧‧單位區域
w、28w‧‧‧寬度
X、Y‧‧‧方向
θ‧‧‧擴散角
圖1(a)係模式性地表示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩100之俯視圖，(b)係沿著圖1(a)中之A-A線之剖面圖。
圖2(a)係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩200之俯視圖，(b)係沿著圖2(a)中之A-A線之剖面圖。
圖3(a)係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩300之俯視圖，(b)係沿著圖3(a)中之A-A線之剖面圖。
圖4(a)係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩400之俯視圖，(b)係沿著圖4(a)中之A-A線之剖面圖。
圖5(a)及(b)分別為表示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之變形例的俯視圖。
圖6係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩101之俯視圖。
圖7係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩 201之俯視圖。
圖8係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩301之俯視圖。
圖9係模式性地表示本發明之第1實施形態之另一蒸鍍遮罩401之俯視圖。
圖10(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖11(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖12(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖13(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖14(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖15(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖16(a)及(b)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟俯視圖及步驟剖面圖。
圖17(a)至(f)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之其他製造方法的步驟剖面圖。
圖18(a)至(e)分別為例示本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩之其他製造方法的步驟剖面圖。
圖19(a)係用以說明對成為蒸鍍對象之基板蒸鍍有機半導體材 料之步驟的放大剖面圖，(b)係表示蒸鍍步驟中使用之蒸鍍遮罩之一部分的放大俯視圖。
圖20(a)至(e)分別為例示本發明之第2實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的步驟剖面圖。
圖21(a)至(c)分別為例示本發明之第2實施形態之蒸鍍遮罩之其他製造方法的步驟剖面圖。
圖22係模式性地表示頂部發光方式之有機EL顯示裝置500的剖面圖。
圖23(a)至(d)係表示有機EL顯示裝置500之製造步驟之步驟剖面圖。
圖24(a)至(d)係表示有機EL顯示裝置500之製造步驟之步驟剖面圖。
圖25(a)至(d)係用以對因雷射剝蝕法而於樹脂薄膜產生毛邊之情況進行說明的模式性剖面圖。
圖26(a)至(d)分別為用以對專利文獻1中揭示之習知之蒸鍍遮罩之製造方法進行說明的模式性步驟剖面圖。
如上所述，根據製造積層型之蒸鍍遮罩之習知之方法，有於樹脂薄膜之開口部之周緣產生毛邊之情況。本發明者對產生毛邊之主要原因反覆進行討論研究，獲得如下知識見解。
於習知之方法中，如一面參照圖26(c)及(d)一面進行說明般，於藉由乙醇等液體88之表面張力使樹脂薄膜81密接於玻璃基板90之狀態下，對樹脂薄膜81之既定區域(以下，略記作「雷射照射區域」)照射雷射光L，而形成開口部89。本發明者進行了 討論研究，結果瞭解到如下內容，即，於該方法中，當使樹脂薄膜81密接於玻璃基板90時，有於玻璃基板90與樹脂薄膜81之界面局部產生氣泡而導致密接性局部變低之虞。進而，本發明者發現如下內容，即，若於樹脂薄膜81之某一雷射照射區域之下方存在氣泡，則難以高精度地形成開口部89，不僅如此，而且容易於該雷射照射區域產生毛邊。參照圖25詳細進行說明。
圖25(a)~(d)係用以對因玻璃基板90與樹脂薄膜81之間之氣泡而產生毛邊之情況進行說明的模式性剖面圖。於圖25中省略了金屬層及液體之圖示。
如圖25(a)所示，(例如經由液體)使樹脂薄膜81密接於玻璃基板90等支持材上之情況下，會於玻璃基板90與樹脂薄膜81之間局部地產生間隙(氣泡)94。若於該狀態下利用雷射剝蝕法進行樹脂薄膜81之加工(以下，有時簡稱為「雷射加工」)，則有如圖25(b)所示地於樹脂薄膜81中位於氣泡94上之部分，配置用以形成開口部之雷射照射區域92的可能性。針對雷射照射區域92，例如使焦點對準樹脂薄膜81之表面而進行數次照射。
雷射剝蝕係指對固體之表面照射雷射光時因雷射光之能量而固體表面之構成物質驟然釋放的現象。此處，將釋放之速度稱為剝蝕速度。於雷射加工時，於雷射照射區域92，依據能量之分佈而剝蝕速度產生分佈，而有可能僅於樹脂薄膜81之一部分先形成貫通孔。如此一來，如圖25(c)所示，樹脂薄膜81中薄膜化之其他部分98折回至樹脂薄膜81之背側(即，位於樹脂薄膜81與玻璃基板90之間之氣泡94內)，而無法繼續由雷射光L照射。其結果，以薄膜化之部分98未被去除而殘留之狀態形成開口部89。於 本說明書中，將樹脂薄膜81中以薄膜化之狀態殘留之部分98稱為「毛邊」。
若毛邊98突出至樹脂薄膜81之背面側，則有如下情況，即，當對蒸鍍對象基板設置蒸鍍遮罩時，蒸鍍遮罩之一部分自蒸鍍對象基板隆起。因此，有無法獲得與開口部89對應之形狀之蒸鍍圖案之可能性。
再者，亦有於雷射加工後進行將樹脂薄膜81之毛邊98去除之處理(毛邊去除步驟)的情況。例如嘗試對樹脂薄膜81之背面進行擦拭(擦除)。然而，難以藉由毛邊去除步驟將樹脂薄膜81中產生之毛邊98全部去除。又，亦有如下可能性，即，如圖25(d)中例示般，因擦除而一部分毛邊98以朝開口部89之內部突出之方式退回，而於蒸鍍步驟中引起遮蔽。
本發明者基於上述知識見解，發現了可於支持於支持材之樹脂層抑制毛邊之產生並且高精度地形成所期望之尺寸之開口部的新方法，從而想到了本案發明。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。再者，本發明並不限定於以下實施形態。
(第1實施形態) <蒸鍍遮罩之構造>
一面參照圖1(a)及(b)，一面對本發明之第1實施形態之蒸鍍遮罩100進行說明。圖1(a)及(b)分別為模式性地表示蒸鍍遮罩100之俯視圖及剖面圖。圖1(b)表示沿著圖1(a)中之A-A線之剖面。再者，圖1係模式性地表示蒸鍍遮罩100之一例之圖，當然，各構成要素 之尺寸、個數、配置關係、長度之比率等並不限定於圖示之例。下述之其他圖式亦相同。
如圖1(a)及(b)所示，蒸鍍遮罩100具備樹脂層10、及設置於樹脂層10之主面上之磁性金屬層(以下，簡略為「金屬層」)20。即，蒸鍍遮罩100具有樹脂層10與金屬層20積層而成之構造。
金屬層20具有遮罩部20a、及以包圍遮罩部20a之方式配置之周邊部20b。遮罩部20a包含存在金屬膜之實心部20a(1)、及不存在金屬膜之非實心部20a(2)。樹脂層10具有配置於遮罩部20a之非實心部20a(2)之數個開口部13。以下，有時將包含樹脂層10及金屬層20之積層體30稱為「遮罩體」。於遮罩體30之周緣部設置有框架40。
如下所述，於使用蒸鍍遮罩100進行蒸鍍步驟時，蒸鍍遮罩100係以金屬層20位於蒸鍍源側且樹脂層10位於工件(蒸鍍對象物)側的方式配置。金屬層20由於為磁體，故而可藉由使用磁性吸盤而於蒸鍍步驟中簡便地將蒸鍍遮罩100保持及固定於工件上。
以下，對樹脂層10、金屬層20及框架40之各者更詳細地進行說明。
於樹脂層10形成有數個開口部13。數個開口部13形成為與應形成於工件之蒸鍍圖案對應之尺寸、形狀及位置。於圖1所示之例中，數個開口部13呈矩陣狀配置於樹脂層10中不與框架40重疊之區域。
如下所述，樹脂層10係藉由將包含樹脂材料之溶液 (例如可溶型聚醯亞胺溶液)或包含樹脂材料之前驅物之溶液(例如聚醯亞胺前驅物溶液)賦予至玻璃基板等支持基板上並進行熱處理而形成的層。此處所謂熱處理係於使用可溶型聚醯亞胺溶液之情況下包含用於進行乾燥步驟(例如100℃以上)之熱處理，於使用聚醯亞胺前驅物溶液之情況下包含用於進行乾燥及煅燒步驟(例如300℃以上)之熱處理。
又，於本實施形態中，數個開口部13係藉由在支持基板上對樹脂層10進行雷射加工而形成。支持基板與樹脂層10密接，於兩者之間不存在(或者幾乎不存在)氣泡，因此，於樹脂層10之雷射加工步驟中毛邊之產生得到抑制。因此，本實施形態之樹脂層10幾乎不具有毛邊。或者，即便具有毛邊，其數量(每單位面積之個數)與習知相比亦大幅度減少。
進而，於本實施形態中，樹脂層10未自框架40受到層面內方向之張力。於習知之製造方法中，藉由架張機等將樹脂薄膜(或樹脂薄膜與金屬膜之積層膜)以於特定之層面內方向拉伸之狀態固定於框架(以下，稱為「架張步驟」)。於該情況下，固定於框架之樹脂薄膜係於室溫下自框架受到架張步驟中賦予之張力。相對於此，於本實施形態中，如下所述，以不自外部對樹脂層10賦予層面內方向之張力之狀態進行框架40之安裝步驟。因此，樹脂層10未自框架40受到層面內方向之張力。再者，於本說明書中，「自框架40受到層面內方向之張力」係指受到架張步驟中賦予之張力(例如10N以上且200N以下，每單位截面面積之張力0.1N/mm2以上且30N/mm2以下)。即，不包含如下情況：於未進行架張步驟而製造之蒸鍍遮罩中，因框架與樹脂層之線熱膨脹率之差異而(由 熱應力所致)使張力施加至樹脂層。
作為樹脂層10之材料，可較佳地使用例如聚醯亞胺。聚醯亞胺係強度、耐化學品性及耐熱性優異。作為樹脂層10之材料，亦可使用聚對二甲苯、雙馬來醯亞胺、混合有二氧化矽之聚醯亞胺等其他樹脂材料。形成樹脂層10之樹脂膜之線熱膨脹係數αR(ppm/℃)較佳為與成為蒸鍍對象之基板之線熱膨脹係數為相同程度。此種樹脂層10可藉由樹脂材料、煅燒條件等形成條件等形成。關於樹脂層10之形成方法，將於下文進行敍述。
樹脂層10之厚度並無特別限定。但是，若樹脂層10過厚，則有蒸鍍膜之一部分形成得較所期望之厚度薄之情況(稱為「遮蔽」)。就抑制遮蔽之產生之觀點而言，樹脂層10之厚度較佳為25μm以下。又，若為3μm以上，則藉由對賦予至支持基板上之包含樹脂材料(或其前驅物)之溶液進行熱處理，可形成厚度更均勻之樹脂層10。又，就樹脂層10本身之強度及耐清洗性之觀點而言，樹脂層10之厚度亦較佳為3μm以上。
如上所述，金屬層20具有遮罩部20a、及以包圍遮罩部20a之方式配置之周邊部20b。於本實施形態中，周邊部20b係與框架40重疊之部分，遮罩部20a係不與框架40重疊(位於框架40之內部)之部分。於周邊部20b，藉由例如點焊等而固定有框架40。
於圖1所示之例中，遮罩部20a之實心部(存在金屬膜之部分)20a(1)包含離散地配置之數個島狀部24。於數個島狀部24之間、及島狀部24與周邊部20b之間不存在金屬膜，而成為非實心部20a(2)。於金屬層20之非實心部20a(2)露出有樹脂層10。於樹 脂層10之露出之部分配置有數個開口部13。
於該例中，自蒸鍍遮罩100之法線方向觀察時，各開口部13配置於數個島狀部24之間。即，島狀部24與開口部13不重疊。數個島狀部24之個數、配置方法等並無特別限定，例如，亦可以包圍1個或數個開口部13之方式以既定之間距配置。開口部13之排列間距與島狀部24之排列間距亦可為相同程度。
作為金屬層20之材料，可使用各種磁性金屬材料。可使用例如Ni、Cr、肥粒鐵系不鏽鋼、麻田散鐵系不鏽鋼等線熱膨脹係數αM相對較大之材料，亦可使用例如Fe-Ni系合金(鎳鋼)、Fe-Ni-Co系合金等線熱膨脹係數αM相對較小之材料。
再者，於如專利文獻1揭示之習知之蒸鍍遮罩，金屬層之狹縫之尺寸以儘可能小之方式設計，且實心部於遮罩部中所占之面積率相對較高(專利文獻1之圖1中超過70%)。因此，作為金屬層之材料，使用線熱膨脹係數αM較小之材料(例如αM：未滿6ppm/℃)。其係為了確保蒸鍍步驟中之蒸鍍遮罩之形狀穩定性。相對於此，於本實施形態中，亦能夠使用習知無法使用之線熱膨脹係數αM較高之金屬。圖1所示之金屬層20具有包含離散地配置之島狀部24之島狀構造，因此，即便於使用線熱膨脹係數αM較高之金屬材料之情況下，亦能夠減少樹脂層10與金屬層20之間產生之熱應力。又，藉由限制島狀部24之面積率，可使如上所述之熱應力進一步減小。因此，可不管線熱膨脹係數αM而使用各種金屬材料，從而可提高金屬材料之選擇之自由度。
於金屬材料之線熱膨脹係數αM較成為蒸鍍對象之基板之線熱膨脹係數αW及樹脂層10之樹脂膜之線熱膨脹係數αR(αR 以與αW大致相等之方式設定)大的情況下，有如下可能性，即，根據蒸鍍溫度，由因該等熱膨脹係數之差而產生之熱應力導致樹脂層10變形，而產生位置偏移之虞。再者，此處言及之「位置偏移」係指因由熱應力引起之樹脂層10之變形導致開口部13之形狀變形或者開口部13之位置自應形成蒸鍍圖案之位置偏移。因此，較佳為以不產生因樹脂層10之變形引起之位置偏移的方式調整實心部(此處為島狀部24)20a(1)於遮罩部20a中所占之面積率SM。即，若將自法線方向觀察金屬層20時遮罩部20a內之數個島狀部24所占之面積之比例設為SM(%)，則較佳為以αM×SM之值與αR大致相等之方式調整SM。具體而言，以αM‧SM/αR成為例如0.90以上且1.10以下的方式進行調整。於例如成為蒸鍍對象之基板及樹脂層10之線熱膨脹係數αR為4ppm/℃且使用線熱膨脹係數αM為14ppm/℃之Ni作為金屬材料的情況下，SM可設定為30%左右。
實心部20a(1)之面積率SM亦可為50%以下。藉此，可於蒸鍍步驟中使因金屬層20與樹脂層10之熱膨脹之差而對樹脂層10施加之熱應力減小，因此，可更有效地抑制開口部13之位置偏移。再者，即便SM為50%以下，藉由調整島狀部24之尺寸、個數及配置方法，亦能夠充分確保於蒸鍍步驟中將蒸鍍遮罩100保持及固定於工件上之功能。
金屬層20可為形成於樹脂層10上之鍍敷層，亦可為金屬箔。
金屬層20之厚度d並無特別限定。但是，若金屬層20過薄，則有如下情況，即，自磁性吸盤之磁場受到之被吸附力變小，而難以於蒸鍍步驟中將蒸鍍遮罩100保持於工件上。因此，金 屬層20之厚度較佳為5μm以上。另一方面，為了更容易地形成包含島狀部24之金屬層20，金屬層20亦可為例如20μm以下，較佳為10μm以下。就抑制蒸鍍步驟中之遮蔽之觀點而言，金屬層20之厚度d亦較佳為20μm以下。
島狀部24之寬度w與島狀部24之高度(即金屬層20之厚度d)之比w/d較佳為未滿1，更佳為1/2以下。尤其是於αM>αR之情況下，藉由將島狀部24之寬度w限制為未滿島狀部24之高度d，可確保用以保持蒸鍍遮罩100之被吸附力，並且可更有效地抑制因金屬材料與蒸鍍對象基板之熱膨脹之差異引起之開口部13之位置偏移。就該觀點而言，島狀部24之寬度w亦可為例如5μm以上且10μm以下。
島狀部24可為角柱、圓柱等柱狀。或者，島狀部24亦可具有錐形狀，亦可為例如圓錐台。數個島狀部24亦可包含形狀、尺寸等不同之數種島狀部。例如，亦可使島狀部24之寬度於開口部13附近較小而於框架40附近較大。
框架40由例如磁性金屬形成。或者，亦可利用金屬以外之材料、例如樹脂(塑膠)形成。於習知之蒸鍍遮罩，對框架要求適度之剛性，以使框架不因來自藉由架張步驟固定於框架之積層膜(樹脂膜及金屬膜)之張力而變形、斷裂。因此，使用例如厚度20mm之由鎳鋼構成之框架。相對於此，於本實施形態中，不對樹脂層10及金屬層20施加張力(不進行架張步驟)而進行框架40之安裝，因此，不會對框架40施加因架張步驟引起之張力。因此，亦可使用剛性較習知小之框架40，而框架40之材料之選擇之自由度較高。又，亦可使框架40較習知薄。若使用較習知薄之框架或樹 脂製之框架，則獲得重量較輕且操作性優異之蒸鍍遮罩100。
<蒸鍍遮罩之其他構造例>
本實施形態之金屬層20只要具有包含實心部20a(1)及非實心部20a(2)之遮罩部20a、及以包圍遮罩部20a之方式配置之周邊部20b即可，亦可不具有如圖1所示般之島狀構造。
以下，一面參照圖2~圖9，一面對本實施形態之蒸鍍遮罩之其他例進行說明。於圖2~圖9中，對與圖1相同之構成要素標註相同之參照符號。於以下之說明中，僅對與蒸鍍遮罩100不同之方面進行說明。
圖2(a)及(b)分別為模式性地表示本實施形態之另一蒸鍍遮罩200之剖面圖及俯視圖。圖2(b)表示沿著圖2(a)中之A-A線之剖面。
於蒸鍍遮罩200，金屬層20具有供固定框架40之周邊部20b、及具有數個狹縫(開口部)23之遮罩部20a。即，遮罩部20a之非實心部20a(2)為數個狹縫23。遮罩部20a之實心部20a(1)與周邊部20b未分離而一體地形成。於圖2所示之例中，沿行方向延伸之狹縫23於列方向排列有數個。自蒸鍍遮罩200之法線方向觀察時，各狹縫23具有較樹脂層10之各開口部13大之尺寸，於各狹縫23內存在2個以上之開口部13(當然，不限定於圖2中例示之個數)。
圖3(a)及(b)分別為模式性地表示本實施形態之另一蒸鍍遮罩300之剖面圖及俯視圖。圖3(b)表示沿著圖3(a)中之A-A線之剖面。
於蒸鍍遮罩300，金屬層20具有供固定框架40之周邊部20b、及形成有開口25之遮罩部20a。即，遮罩部20a之非實心部20a(2)為開口25。於開口25內存在用於形成例如1個器件(例如有機EL顯示器)之數個開口部13。實心部20a(1)僅呈邊框狀形成於數個開口部13之周圍。又，實心部20a(1)與周邊部20b一體地形成。
圖4(a)及(b)分別為模式性地表示本實施形態之另一蒸鍍遮罩400之剖面圖及俯視圖。圖4(b)表示沿著圖4(a)中之A-A線之剖面。
於蒸鍍遮罩400，金屬層20具有供固定框架40之周邊部20b、及具有數個貫通孔(開口部)27之遮罩部20a。即，遮罩部20a之非實心部20a(2)為數個貫通孔27。於圖4所示之例中，貫通孔27排列成矩陣狀，各貫通孔27具有較樹脂層10之各開口部13大之尺寸。於各貫通孔27內各存在1個開口部13。遮罩部20a之實心部20a(1)為格子狀，且與周邊部20b一體地形成。
於蒸鍍遮罩200、300、400，金屬層20之實心部20a(1)係遍及遮罩部20a之整個寬度延伸，且連接於周邊部20b。因此，就於蒸鍍步驟中抑制因金屬層20之熱膨脹引起之開口部13之位置偏移之觀點而言，較佳為使用線熱膨脹係數αM相對較小之材料(例如αM：未滿6ppm/℃)作為金屬層20之材料。於使用線熱膨脹係數αM較小之金屬材料之情況下，金屬層20之實心部20a(1)亦可佔據超過遮罩部20a之整個面積之1/2(SM>50%)。線熱膨脹係數αM亦可與例如蒸鍍對象基板之線熱膨脹係數或樹脂層10之樹脂膜之線熱膨脹係數αR為相同程度。再者，於蒸鍍步驟中之溫度上升較 小(未滿例如3℃)之情況下及/或考慮蒸鍍步驟中產生之位置偏移量而進行金屬層20及樹脂層10之設計的情況下，亦可使用Ni等上述線熱膨脹係數αM相對較大之材料。
又，於蒸鍍遮罩200中，金屬層20之實心部20a(1)中位於鄰接之2個狹縫23之間之部分之寬度(面積)較佳為設定於可抑制蒸鍍步驟中之遮蔽之範圍內。詳細情況將於下文進行敍述。
本實施形態之蒸鍍遮罩中之金屬層20之構造並不限定於圖1~圖4所示之例。圖5(a)及(b)分別為表示金屬層20之其他例之俯視圖。如圖所示，金屬層20之遮罩部20a亦可具有狹縫23或開口25、及配置於狹縫23或開口25之內側之島狀部24此兩者。
本實施形態之蒸鍍遮罩亦可具有與1個元件(例如有機EL顯示器)對應之單位區域U以二維地排列而成之構造。具有此種構造之蒸鍍遮罩可較佳地用於在1個蒸鍍對象基板上形成數個元件。
圖6~圖9分別為例示本實施形態之又一蒸鍍遮罩101、201、301、401之俯視圖。該等蒸鍍遮罩具有當自法線方向觀察時隔開間隔排列之數個(此處為6個)單位區域U。於各單位區域U中，樹脂層10具有數個開口部13，且金屬層20之遮罩部20a分別具有與蒸鍍遮罩100、200、300、400(圖1~圖4)之遮罩部20a相同之形狀。雖未圖示，但於金屬層之周邊部20b上，以包圍該等單位區域U之方式設置有框架。再者，單位區域U之數量及排列方法、各單位區域U內之開口部13之個數及排列方法等係根據欲製造之器件之構成而決定，並不限定於圖示之例。
<蒸鍍遮罩之製造方法>
一面參照圖10~圖16，一面以蒸鍍遮罩101之製造方法為例對本實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法進行說明。圖10~圖16(a)及(b)分別為表示蒸鍍遮罩101之製造方法之一例之步驟俯視圖及步驟剖面圖。
首先，如圖10所示，準備支持基板60，並於支持基板60上形成樹脂層10。作為支持基板60，可較佳地使用例如玻璃基板。玻璃基板之尺寸及厚度並無特別限定。此處，使用具有620mm×375mm之尺寸且厚度為0.5mm之玻璃基板。
樹脂層10以如下方式形成。首先，將包含樹脂材料之前驅物之溶液(例如聚醯亞胺前驅物溶液)或包含樹脂材料之溶液(例如可溶型聚醯亞胺溶液)賦予至支持基板60上。作為溶液之賦予方法，可使用旋轉塗佈法、狹縫式塗佈法等公知之方法。此處，使用聚醯亞胺作為樹脂材料，將包含作為聚醯亞胺之前驅物之聚醯胺酸之溶液(聚醯亞胺前驅物溶液)利用旋轉塗佈法塗佈至支持基板60上。繼而，藉由進行乾燥及煅燒，而形成聚醯亞胺層作為樹脂層10。煅燒溫度可設定為300℃以上，例如400℃以上且500℃以下。煅燒條件較佳為以樹脂膜之線熱膨脹係數αR與成為蒸鍍對象之基板之線熱膨脹係數αW(例如3~5ppm/℃)為相同程度之方式進行調整。
於煅燒溫度為450℃之情況下，用於將樹脂膜之線熱膨脹係數αR限制為與成為蒸鍍對象之基板之線熱膨脹係數αW相同程度地小的溫度分佈亦可以滿足例如下述(1)~(3)之至少1個之 方式設定。
(1)最初使溫度上升至500℃左右並放置約10~60分鐘，其後，以450℃進行煅燒。
(2)以450℃左右進行煅燒之後，進而維持該溫度30分鐘以上。
(3)使用包含溫度上升較大之步驟(使溫度大幅度上升並長時間維持該溫度之步驟)之溫度分佈。作為該溫度分佈之一例，可列舉使設置有支持基板60之腔室內之溫度每隔5~120分鐘每次以10~200℃階段性地上升至既定之煅燒溫度的分佈。
亦可代替聚醯亞胺前驅物溶液而將包含溶劑可溶型之聚醯亞胺(聚合體)之溶液(可溶型聚醯亞胺溶液)塗佈至支持基板60上，並使其乾燥，藉此形成樹脂層10。乾燥溫度根據溶劑之沸點適當進行選擇，並無特別限定，為例如100℃~320℃，較佳為120℃~250℃。乾燥時間為1秒鐘~360分鐘左右。
繼而，於樹脂層10上形成導電性金屬膜21。導電性金屬膜21利用蒸鍍、濺鍍法、無電解鍍敷等公知之方法形成。導電性金屬膜21只要為具有導電性之膜即可，可使用Cu膜、Al膜、Ti膜等。導電性金屬膜21只要作為利用電解鍍敷法形成下述金屬層時之晶種層發揮功能即可，可充分地較金屬層薄(例如為金屬層之厚度之1/10以下)。此處，形成Cu膜(厚度0.1μm)作為導電性金屬膜21。
繼而，如圖11所示，於導電性金屬膜21上形成光阻膜，並藉由進行曝光及顯影而進行光阻膜之圖案化，而獲得具有與遮罩部20a(圖1)之非實心部對應之形狀之抗蝕劑層70。於本實施形態中，抗蝕劑層70具有與數個島狀部24(圖1)對應之數個開口 71。藉此，導電性金屬膜21之一部分(位於抗蝕劑層70之周圍及開口71內之部分)藉由抗蝕劑層70而露出。
繼而，如圖12所示，於抗蝕劑層70之周圍及開口71內，利用將導電性金屬膜21作為電極之電解鍍敷法，形成主金屬膜22。主金屬膜22之材料及厚度亦可與上述金屬層20之材料及厚度相同。此處，形成Ni層(厚度10μm)作為主金屬膜22。
再者，亦可不形成導電性金屬膜21。於該情況下，可於樹脂層10上形成抗蝕劑層70之後，於樹脂層10中藉由抗蝕劑層70而露出之部分上利用無電解鍍敷法形成金屬層20(此處為Ni層)。
繼而，如圖13所示，將抗蝕劑層70剝離，其後，藉由蝕刻將導電性金屬膜21中未由主金屬膜22覆蓋之部分去除。導電性金屬膜21之蝕刻係使用將導電性金屬膜21之金屬腐蝕但不將主金屬膜22之金屬腐蝕(例如蝕刻速率比為100：1以上)之蝕刻液而進行。此處，使用和光純藥工業之CuE-3000M作為蝕刻液。藉此，形成包含導電性金屬膜21及主金屬膜22且使樹脂層10之一部分露出的金屬層20。金屬層20具有周邊部20b與數個島狀部24。樹脂層10中位於周邊部20b之內部且不與島狀部24相接之部分露出。
再者，於該例中，金屬層20具有主金屬膜22與導電性金屬膜21之積層構造。然而，導電性金屬膜21充分地較主金屬膜22薄，因此，計算島狀部24之面積率SM時，只要使用主金屬膜22之材料之線熱膨脹係數作為金屬材料之線熱膨脹係數αM即可。
繼而，如圖14所示，利用例如雷射剝蝕法，於樹脂層10中自金屬層20露出之部分形成數個開口部13(雷射加工步驟)。以此方式獲得包含金屬層20及樹脂層10之遮罩體30。
樹脂層10之雷射加工係使用脈衝雷射。此處，使用釔鋁石榴石(YAG，Yttrium Aluminum Garnet)雷射，對樹脂層10之既定區域照射波長為355nm(3倍波)之雷射光L1。雷射光L1之能量密度設定為例如0.36J/cm2。如上所述，樹脂層10之雷射加工係藉由使雷射光L1之焦點對準樹脂層10之表面進行數次照射而進行。照射頻率設定為例如60Hz。再者，雷射加工之條件(雷射光之波長、照射條件等)並不限定於上述，以可對樹脂層10進行加工之方式適當進行選擇。
於本實施形態中，對藉由進行煅燒(或乾燥)而形成於支持基板60上之樹脂層10進行雷射加工。由於在支持基板60與樹脂層10之間不存在氣泡，故而能以較習知高之精度形成所期望之尺寸之開口部13，且毛邊(參照圖25)之產生亦得到抑制。
繼而，如圖15所示，將框架40固定於遮罩體30(框架安裝步驟)。此處，將框架40載置至金屬層20之周邊部20b上，並將周邊部20b與框架40接合。框架40由例如鎳鋼等磁性金屬形成。此處，藉由自支持基板60側照射雷射光L2，而將金屬層20之周邊部20b與框架40焊接(點焊)。點焊之間距可適當進行選擇。於該例中，自支持基板60之法線方向觀察時，框架40之內緣部與金屬層20之周邊部20b之內緣部大致對準，但周邊部20b之一部分亦可露出至框架40之內側。或者，框架40亦可覆蓋周邊部20b整體及樹脂層10之一部分。
如上所述，於本實施形態中，不進行將樹脂層10及金屬層20於既定之層面內方向拉伸而固定於框架40的步驟(架張步驟)，因此，可使用剛性較習知小之框架40。因此，框架40亦可利用丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，Acrylonitrile Butadiene Styrene)、聚醚醚酮(PEEK，Polyetheretherketone)等樹脂形成。又，遮罩體30與框架40之接合方法並不限定於雷射焊接。亦可使用例如接著劑而將金屬層20之周邊部20b與框架40接合。
繼而，如圖16所示，將樹脂層10自支持基板60剝離。樹脂層10之剝離可利用例如雷射剝離法進行。於樹脂層10與支持基板60之密接力相對較弱之情況下，亦可使用刀口等機械地進行剝離。
此處，使用例如XeCl準分子雷射，自支持基板60側照射雷射光(波長：308nm)，藉此，將樹脂層10自支持基板60剝離。再者，雷射光只要為穿透支持基板60且由樹脂層10吸收之波長之光即可，亦可使用其他準分子雷射或YAG雷射等高輸出雷射。以此方式製造蒸鍍遮罩101。
之後，視需要進行利用電磁線圈使金屬層20磁化之著磁步驟，並將金屬層20之剩餘磁通密度調整為例如10mT以上且1000mT以下。再者，亦可不進行著磁步驟。即便不進行著磁步驟，由於金屬層20為磁體，故而亦可藉由使用磁性吸盤而於蒸鍍步驟中將蒸鍍遮罩101保持於工件上。
上述以形成蒸鍍遮罩101之方法為例進行了說明，關於其他蒸鍍遮罩100、200、201、300、301，亦可利用與上述相同之方法製造。但是，必須將抗蝕劑層70之形狀改變為與該等蒸鍍 遮罩之遮罩部20a中之非實心部對應之形狀。具體而言，製造蒸鍍遮罩200、201時，只要形成具有與數個狹縫23對應之數個島狀圖案之抗蝕劑層70即可。製造蒸鍍遮罩300、301時，只要形成具有與1個或數個開口25對應之島狀圖案之抗蝕劑層70即可。
<蒸鍍遮罩之其他製造方法>
一面參照圖17及圖18，一面對本實施形態之蒸鍍遮罩之其他製造方法進行說明。於圖17及圖18中，對與圖10~圖16相同之構成要素標註相同之參照符號。又，於以下之說明中，以與上文一面參照圖10~圖16一面敍述之方法不同之方面為中心進行說明，各層之形成方法、材料、厚度等於與上述方法相同之情況下省略說明。
於上文一面參照圖10~圖16一面敍述之方法中，利用鍍敷法形成金屬層20，但亦可藉由將金屬箔圖案化而形成金屬層20。
圖17(a)~(f)係例示蒸鍍遮罩之其他製造方法之步驟剖面圖。此處，以製造蒸鍍遮罩101之方法為例進行說明，其他蒸鍍遮罩100、200、201、300、301、400、401亦利用相同之方法製造。
首先，如圖17(a)所示，於支持基板60上形成樹脂層10。樹脂層10之形成方法係與上文一面參照圖10一面敍述之方法相同。此處，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈至支持基板60上，並進行煅燒，藉此形成樹脂層10。繼而，利用接著劑將金屬箔20'貼合(乾式層壓或熱層壓)於樹脂層10之上表面。作為金屬箔20'，可使用 厚度為例如5μm以上且10μm以下之Ni膜、Cr膜等。
繼而，如圖17(b)所示，於金屬箔20'上形成光阻膜，並藉由進行曝光及顯影而進行光阻膜之圖案化。以此方式獲得具有與遮罩部之非實心部對應之形狀之抗蝕劑層70。抗蝕劑層70之平面形狀與圖11(a)所示之形狀相同。
繼而，如圖17(c)所示，將抗蝕劑層70作為遮罩而進行金屬箔20'之圖案化。其後，將抗蝕劑層70剝離。以此方式獲得包含周邊部20b及島狀部24之金屬層20。
繼而，如圖17(d)所示，藉由雷射加工，於樹脂層10形成數個開口部13。繼而，如圖17(e)所示，藉由進行例如點焊，而將框架40固定於金屬層20之周邊部20b。其後，如圖17(f)所示，利用例如雷射剝離法，將遮罩體30自支持基板60剝離。以此方式獲得蒸鍍遮罩101。
參照圖10~圖16或圖17所說明之方法均於在樹脂層10形成開口部13之步驟(雷射加工步驟)之後進行框架40之安裝步驟，但框架40之安裝步驟亦可於樹脂層10之雷射加工步驟之前進行。
圖18(a)~(e)係用以對本實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法之又一例進行說明的步驟剖面圖。此處，以蒸鍍遮罩100之製造方法為例進行說明，其他蒸鍍遮罩101、200、201、300、301、400、401亦利用相同之方法製造。
首先，如圖18(a)所示，於支持基板60上形成樹脂層10。樹脂層10係與上述方法同樣地，藉由可溶型聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前驅物溶液之塗佈及熱處理而形成。
繼而，如圖18(b)所示，於樹脂層10上形成具有既定圖案之金屬層20。金屬層20可藉由電解鍍敷或無電解鍍敷而形成(參照圖12)，亦可藉由金屬箔之圖案化而形成(參照圖17)。
繼而，如圖18(c)所示，藉由例如點焊，而將框架40固定於金屬層20之周邊部20b。
繼而，如圖18(d)所示，進行樹脂層10之雷射加工，於樹脂層10形成開口部13。之後，如圖18(e)所示，利用例如雷射剝離法，將樹脂層10自支持基板60剝離。以此方式製造蒸鍍遮罩100。
<利用本實施形態之製造方法獲得之效果>
根據本實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法，將包含樹脂材料之溶液或包含樹脂材料之前驅物之溶液賦予至支持基板60之表面，並進行熱處理，藉此形成樹脂層10。以此方式形成之樹脂層10密接於支持基板60，於樹脂層10與支持基板60之界面不產生氣泡。因此，藉由在支持基板60上於樹脂層10形成數個開口部13，而能以較習知高之精度形成所期望之尺寸之開口部13，且可抑制毛邊98(參照圖25)之產生。
又，於本實施形態中，於支持基板60上形成樹脂層10及金屬層20，並將框架40安裝至支持於支持基板60之狀態之金屬層20。因此，不進行將樹脂層10及金屬層20拉伸而接合於框架之架張步驟。由於無需使用大規模之架張機之架張步驟，故而有可減少製造成本之優點。又，由於不進行架張步驟，故而不自框架40對樹脂層10及金屬層20賦予既定之層面內方向之張力。因此， 可使框架40之剛性比習知小，而框架40之材料選擇之自由度、及框架寬度、厚度等之設計之自由度變大。
進而，於專利文獻1等記載之習知方法中，藉由架張步驟將樹脂薄膜固定於框架之後，對樹脂薄膜進行雷射加工。相對於此，於本實施形態中，框架40之安裝步驟可於樹脂層10之雷射加工前進行，亦可於雷射加工後進行。於雷射加工後進行框架40之安裝步驟之情況下，有如下優點。安裝框架40之前之由支持基板60支持之遮罩體30(包含雷射加工前之遮罩體)係重量較安裝框架40之後之遮罩體30輕而容易操作，因此，向雷射加工機之設置、搬送等作業變得容易。又，由於未安裝框架40，故而容易對樹脂層10照射雷射光L1，而容易對樹脂層10進行加工。進而，於專利文獻1之方法中，當樹脂層之雷射加工未順利地進行時，必須自框架剝離積層遮罩，但於安裝框架40之前進行雷射加工之情況下無需如上所述之剝離步驟。
又，習知係於架張步驟中將金屬層與樹脂薄膜一同拉伸，因此，不存在使用無法賦予張力般之島狀構造之金屬層等想法。相對於此，本實施形態之方法不進行架張步驟，因此，亦能夠較佳地應用於具有島狀構造之金屬層20之蒸鍍遮罩之製造。藉由採用島狀構造，可實現實心部之面積率SM極小之金屬層20，亦能夠使用線熱膨脹係數αM較大之金屬材料。因此，可相較習知提高金屬層20之形狀及金屬材料之選擇之自由度。
且說，蒸鍍步驟中之蒸鍍遮罩之溫度上升之大小、即製造時之蒸鍍遮罩之溫度T1與蒸鍍步驟中之蒸鍍遮罩之溫度T2之差ΔT(℃)(=T2-T1)係根據蒸鍍方法、蒸鍍裝置等改變。於將溫 度差ΔT限制得相對較小之情況下，ΔT未滿3℃，為例如1℃左右。另一方面，亦有ΔT成為3℃~15℃左右之情況。再者，本實施形態中之製造時之溫度T1係設置有製造裝置(例如樹脂層10之加工時使用之雷射加工機、框架安裝步驟時使用之焊接機等)之環境溫度，例如為室溫。蒸鍍步驟中之溫度T2係指於一面使蒸鍍源之位置相對於工件相對地移動(一面進行掃描)一面進行蒸鍍之情況下，蒸鍍遮罩中正進行蒸鍍之部分之溫度。於本實施形態中，於ΔT相對較大之情況(例如超過3℃)下，可視需要利用以下方法抑制位置偏移。首先，預先測定蒸鍍遮罩之溫度上升(ΔT)。繼而，基於ΔT之測定結果，計算因熱膨脹而產生之位置偏移量。位置偏移量包含開口部13之位置與蒸鍍位置之偏移、及因開口部13本身之變形引起之開口部13之形狀與所期望之蒸鍍圖案之偏移。以抵消該位置偏移量之方式，將樹脂層10之開口部13與金屬層20之島狀部24(或狹縫23、開口25)錯開地形成，進而，將開口部13之尺寸形成為較所期望之蒸鍍圖案小既定量。再者，亦可實際進行蒸鍍而測定位置偏移量來代替計算位置偏移量。於本實施形態中，金屬層20之形狀(包含實心部之形狀及面積率)之選擇之自由度較高，因此，可更有效地應用此種位置偏移抑制方法，而可確保充分之位置精度。
<蒸鍍步驟中之遮蔽之抑制>
如蒸鍍遮罩200、201(圖2、圖6)中例示般，金屬層20具有狹縫構造之情況下，位於鄰接之2個狹縫23之間之部分之寬度(面積)較佳為設定於能夠抑制蒸鍍步驟中之遮蔽之範圍內。以下，一面參照圖式一面進行說明。
圖19(a)係用以對在成為蒸鍍對象之基板50上蒸鍍有機半導體材料之步驟進行說明的放大剖面圖。例示於有機EL顯示器之紅像素之像素電極(未圖示)上形成發出紅色光之發光層的情況。圖19(b)係表示形成紅像素之發光層時使用之蒸鍍遮罩201R之一部分的俯視圖。
如圖19(b)所示，蒸鍍遮罩201R具有用以形成紅像素之發光層之數個開口部13R。開口部13R沿X方向、及與X方向正交之Y方向排列。開口部13R之X方向及Y方向之排列間距分別與有機EL顯示器中之X方向及Y方向之像素間距Px、Py對應。將由該等像素間距規定之單位區域稱為「像素區域」。又，於鄰接之2個開口部13之間配置有金屬層20之實心部28。於該例中，實心部28係以沿一方向(此處為Y方向)橫穿像素區域之方式延伸。
於蒸鍍步驟中，如圖19(a)所示，將蒸鍍遮罩201R載置於成為蒸鍍對象之基板50上而進行蒸鍍，向各開口部13R內蒸鍍有機半導體材料。於該例中，蒸鍍源52一面相對於基板50相對地自左往右移動(即掃描方向為自左往右)一面進行蒸鍍。蒸鍍材料自蒸鍍源52不僅沿蒸鍍遮罩201R之法線方向釋放，亦沿斜向(相對於法線方向傾斜之方向)釋放。此處，將蒸鍍材料之擴散角設為θ。又，將蒸鍍遮罩201R之法線方向設為D1，將相對於方向D1朝掃描方向(即右側)傾斜θ之方向設為D2，將相對於方向D1朝與掃描方向相反之方向(即左側)傾斜θ之方向設為D3。θ為例如45度。
於圖19(a)中表示於樹脂層10之某開口部13R內堆積蒸鍍膜51之期間之始期(時刻t0)之蒸鍍源52之位置、及終期(時刻 t1)之蒸鍍源52之位置。時刻t0係自蒸鍍源52釋放之蒸鍍材料開始到達至開口部13內之時刻，此時，自蒸鍍源52沿方向D2延伸之假想直線55恰好通過開口部13R之蒸鍍源52側之邊緣。又，時刻t1係自蒸鍍源52釋放之蒸鍍材料變得不再到達開口部13內之時刻，此時，自蒸鍍源52沿方向D3延伸之假想直線56恰好通過開口部13之蒸鍍源52側之邊緣。
於自時刻t0中蒸鍍材料之到達點(假想直線55與基板50之表面之交點)P1至時刻t1中蒸鍍材料之到達點(假想直線56與基板50之表面之交點)P2之間之區域，蒸鍍膜51以所期望之厚度形成。然而，若如虛線28'所示，實心部之一部分存在於由假想直線55、56與基板50規定之區域(自蒸鍍源52蒸發之蒸鍍原料飛散之區域)57內，則蒸鍍原料之一部分被實心部28'阻擋而無法到達至基板50上。其結果，形成於開口部13R內之蒸鍍膜51局部變薄。該部分(形成得較所期望之厚度薄之部分)稱為遮蔽部。相對於此，若如利用實線28所示般，實心部配置於區域57之外側，則可抑制遮蔽部之產生，而可遍及開口部13R內之整個區域形成所期望之厚度之發光層。為了如此般抑制遮蔽部之產生，較佳為調整實心部28之位置及寬度(X方向之寬度)28w。寬度28w之上限值根據像素間距、開口部13R之大小等改變。本發明者以有機EL顯示器之面板尺寸：對角4.1英吋、解像度：400ppi(每英吋之像素)、蒸鍍材料之擴散角θ：45度的條件，藉由模擬進行了研究，結果可知如下內容，即，若以實心部28之面積於整個像素區域中所占之比例成為10.0%以下之方式設定實心部28之寬度28w，則可抑制遮蔽部之產生。又，藉由以面板尺寸：對角4.3英吋、解像度：257ppi、蒸鍍 材料之擴散角θ：45度之條件進行相同之模擬，可知如下內容，即，若以實心部28之面積之比例成為30.0%以下之方式設定實心部28之寬度28w，則可抑制遮蔽部之產生。另一方面，若上述比例過小，則有蒸鍍遮罩201R與基板50之密接性變低之可能性。因此，上述比例較佳為1.0%以上。
再者，此處，利用蒸鍍遮罩201R進行了說明，但具有用以形成發出藍色或綠色之光之發光層之開口部(與上述開口部13R相比尺寸不同但排列間距相同)之其他蒸鍍遮罩亦相同。
(第2實施形態)
以下，對本發明之第2實施形態之蒸鍍遮罩進行說明。
本實施形態之蒸鍍遮罩具有與上文一面參照圖1~圖9一面敍述之第1實施形態之蒸鍍遮罩相同之剖面構造及平面構造(省略圖示)。但是，本實施形態與第1實施形態之不同之處在於，樹脂層10自框架40受到層面內方向之張力。
圖20(a)~(e)係用以對本實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法進行說明之步驟剖面圖。於圖20中，對與圖10~圖17相同之構成要素標註相同之參照符號。於以下之說明中，基本上僅對與第1實施形態不同之方面進行說明，各層之形成方法、材料、厚度等於與上述方法相同之情況下省略說明。
首先，如圖20(a)所示，於支持基板60上形成樹脂層10。樹脂層10係與上述方法同樣地，藉由可溶型聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前驅物溶液之塗佈及熱處理而形成。
繼而，如圖20(b)所示，於樹脂層10上形成具有既定 之圖案之金屬層20。金屬層20可藉由電解鍍敷或無電解鍍敷而形成(參照圖12)，亦可藉由金屬箔之圖案化而形成(參照圖17)。於圖示之例中，形成包含具有數個狹縫23之遮罩部20a、及位於其周圍之周邊部20b的金屬層20。再者，金屬層20之形狀並無特別限定，亦可具有圖1、圖3或圖4中例示之其他形狀。
繼而，如圖20(c)所示，對支持於支持基板60之樹脂層10進行雷射加工，於樹脂層10形成開口部13。開口部13之尺寸及位置係考慮因樹脂膜之熱膨脹及下述架張步驟中賦予之張力引起之變形而設定。以此方式獲得遮罩體30。繼而，如圖20(d)所示，利用例如雷射剝離法，將樹脂層10自支持基板60剝離。
繼而，如圖20(e)所示，以將包含樹脂層10及金屬層20之遮罩體30於既定之層面內方向拉伸之狀態，於金屬層20之周邊部20b固定框架40。具體而言，首先，以使框架40之一面40a(接合於遮罩體30之面)朝向上方之狀態，將框架40固定於架張焊接機。繼而，使金屬層20位於下方而將遮罩體30載置至框架40之面40a上。繼而，利用架張焊接機之保持部(夾具)保持遮罩體30之對向之2個緣部(此處為與第1方向41對向之緣部)，並與第1方向41平行地賦予固定之張力。同時，亦利用夾具保持於與第1方向41正交之第2方向對向之2個緣部，並與第2方向平行地賦予固定之張力。作為一例，於遮罩體30之第1方向之寬度：400mm、第2方向之寬度：700mm、厚度(樹脂層10及金屬層20之合計厚度)：20μm時，於第1方向及第2方向分別賦予100N之張力。
此時，於金屬層20具有島狀構造之情況下，對樹脂層10賦予張力，但不對金屬層20之遮罩部20a賦予張力。其原因 在於，遮罩部20a之實心部與周邊部20b分離。另一方面，如圖20所示之例般，金屬層20之實心部遍及遮罩部20a之整個寬度形成且與周邊部20b一體地形成(例如金屬層20具有狹縫構造)的情況下，對樹脂層10及金屬層20之兩者賦予張力。張力之大小係以因張力引起之遮罩體30之彈性變形量(金屬層20具有島狀構造之情況下為樹脂層10之彈性變形量)成為蒸鍍溫度下之遮罩體30(或樹脂層10)之熱膨脹量以上的方式設定。再者，形成於支持基板60上之遮罩體30之尺寸係以於被賦予張力之狀態下金屬層20之周邊部20b與框架40重疊的方式預先設計。繼而，自遮罩體30之樹脂層10側照射雷射光L2，將金屬層20與框架40接合。此處，隔開間隔於數個部位進行點焊。以此方式獲得蒸鍍遮罩。
於利用上述方法製造之蒸鍍遮罩，當未於蒸鍍步驟中使用時，樹脂層10(或樹脂層10及金屬層20)自框架40受到層面內方向之張力。因此，即便於蒸鍍步驟中樹脂層10(及金屬層20)產生熱膨脹，亦能夠抑制因熱膨脹而導致開口部13之位置偏移產生。
於本實施形態中，作為金屬層20之材料，較佳地使用線熱膨脹係數αM相對較小之材料。又，框架40較佳為利用金屬形成。但是，於金屬層20具有島狀構造之情況下，於已完成之蒸鍍遮罩，框架40不因來自樹脂層10之張力而變形即可，因此，框架40之剛性亦可較小。因此，與上述實施形態同樣地，不僅能夠使用由金屬形成之框架40，亦能夠使用由樹脂形成之框架40。
根據本實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法，與第1實施形態同樣地，對密接於支持基板60之樹脂層10進行雷射加工，因此，能以較習知高之精度形成所期望之尺寸之開口部13，且可抑制 毛邊98(參照圖25)之產生。
又，於本實施形態中，可考慮蒸鍍步驟中之溫度上升、樹脂層10及金屬層20之熱膨脹係數等而對樹脂層10賦予既定之張力。因此，可於蒸鍍步驟中抑制因蒸鍍遮罩之熱膨脹引起之開口部13之位置偏移。
本實施形態之製造方法可應用於圖1~圖9中例示之各種蒸鍍遮罩之製造。於圖20中，表示具備具有狹縫構造之金屬層20之蒸鍍遮罩之製造方法，但具備具有島狀構造及開口之金屬層20之蒸鍍遮罩亦能夠利用相同之方法製造。
再者，於圖20所示之方法中，於支持基板60上形成金屬層20，但亦可將樹脂層10自支持基板60剝離之後形成金屬層20。
圖21(a)~(c)係表示本實施形態之其他製造方法之步驟剖面圖。首先，如圖21(a)所示，於支持基板60上形成樹脂層10。繼而，如圖21(b)所示，進行樹脂層10之雷射加工，形成開口部13。之後，如圖21(c)所示，將樹脂層10自支持基板60剝離，而獲得樹脂薄膜10'。繼而，雖未圖示，但於樹脂薄膜10'上形成金屬層，並使其與框架接合，藉此，製造蒸鍍遮罩。
(有機半導體元件之製造方法)
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩較佳地用於有機半導體元件之製造方法中之蒸鍍步驟。
以下，以有機EL顯示裝置之製造方法為例進行說明。
圖22係模式性地表示頂部發光方式之有機EL顯示裝 置500之剖面圖。
如圖22所示，有機EL顯示裝置500具備主動矩陣基板(薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)基板)510及密封基板520，且具有紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb。
TFT基板510包含絕緣基板、及形成於絕緣基板上之TFT電路(均未圖示)。以覆蓋TFT電路之方式設置有平坦化膜511。平坦化膜511由有機絕緣材料形成。
於平坦化膜511上設置有下部電極512R、512G及512B。下部電極512R、512G及512B分別形成於紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb。下部電極512R、512G及512B連接於TFT電路，且作為陽極而發揮功能。於鄰接之像素間，設置有覆蓋下部電極512R、512G及512B之端部之觸排513。觸排513由絕緣材料形成。
於紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb之下部電極512R、512G及512B上，分別設置有有機EL層514R、514G及514B。有機EL層514R、514G及514B各自具有包含利用有機半導體材料形成之數個層之積層構造。該積層構造例如自下部電極512R、512G及512B側起依次包含電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層。紅像素Pr之有機EL層514R包含發出紅色光之發光層。綠像素Pg之有機EL層514G包含發出綠色光之發光層。藍像素Pb之有機EL層514B包含發出藍色光之發光層。
於有機EL層514R、514G及514B上設置有上部電極515。上部電極515係使用透明導電材料遍及整個顯示區域連續(即，於紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb共通)地形成，且作為陰 極而發揮功能。於上部電極515上設置有保護層516。保護層516由有機絕緣材料形成。
TFT基板510之上述構造係由藉由透明樹脂層517接著於TFT基板510之密封基板520而密封。
有機EL顯示裝置500可使用本發明之實施形態之蒸鍍遮罩以如下方式製造。圖23(a)~(d)及圖24(a)~(d)係表示有機EL顯示裝置500之製造步驟之步驟剖面圖。再者，以下係以依次使用紅像素用之蒸鍍遮罩101R、綠像素用之蒸鍍遮罩101G、藍像素用之蒸鍍遮罩101B而於工件上蒸鍍有機半導體材料(於TFT基板510上形成有機EL層514R、514G及514B)的步驟為中心進行說明。
首先，如圖23(a)所示，準備於絕緣基板上形成有TFT電路、平坦化膜511、下部電極512R、512G、512B及觸排513的TFT基板510。形成TFT電路、平坦化膜511、下部電極512R、512G、512B及觸排513之步驟可利用公知之各種方法執行。
繼而，如圖23(b)所示，藉由搬送裝置使TFT基板510接近於保持在真空蒸鍍裝置內之蒸鍍遮罩101R而配置。此時，以樹脂層10之開口部13R與紅像素Pr之下部電極512R重疊之方式，將蒸鍍遮罩101R與TFT基板510之位置對準。又，藉由相對於TFT基板510配置於與蒸鍍遮罩101R為相反側之未圖示之磁性吸盤，使蒸鍍遮罩101R密接於TFT基板510。
繼而，如圖23(c)所示，藉由真空蒸鍍，於紅像素Pr之下部電極512R上，依次堆積有機半導體材料，而形成包含發出紅色光之發光層之有機EL層514R。
繼而，如圖23(d)所示，代替蒸鍍遮罩101R而將蒸鍍 遮罩101G設置於真空蒸鍍裝置內。以樹脂層10之開口部13G與綠像素Pg之下部電極512G重疊之方式，進行蒸鍍遮罩101G與TFT基板510之位置對準。又，藉由磁性吸盤，使蒸鍍遮罩101G密接於TFT基板510。
繼而，如圖24(a)所示，藉由真空蒸鍍，於綠像素Pg之下部電極512G上，依次堆積有機半導體材料，而形成包含發出綠色光之發光層之有機EL層514G。
繼而，如圖24(b)所示，代替蒸鍍遮罩101G而將蒸鍍遮罩101B設置於真空蒸鍍裝置內。以樹脂層10之開口部13B與藍像素Pb之下部電極512B重疊之方式，進行蒸鍍遮罩101B與TFT基板510之位置對準。又，藉由磁性吸盤，使蒸鍍遮罩101B密接於TFT基板510。
繼而，如圖24(c)所示，藉由真空蒸鍍，於藍像素Pb之下部電極512B上，依次堆積有機半導體材料，而形成包含發出藍色光之發光層之有機EL層514B。
繼而，如圖24(d)所示，於有機EL層514R、514G及514B上依次形成上部電極515及保護層516。上部電極515及保護層516之形成可利用公知之各種方法執行。以此方式獲得TFT基板510。
之後，藉由透明樹脂層517將密封基板520接著於TFT基板510，藉此，完成圖22所示之有機EL顯示裝置500。
再者，此處，使用與紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb之有機EL層514R、514G及514B分別對應之3塊蒸鍍遮罩101R、101G、101B，但亦可藉由對1塊蒸鍍遮罩依次進行挪動而 形成與紅像素Pr、綠像素Pg及藍像素Pb對應之有機EL層514R、514G及514B。又，亦可於有機EL顯示裝置500中使用密封薄膜而代替密封基板520。或者，亦可不使用密封基板(或密封薄膜)而於TFT基板510設置薄膜密封(TFE：Thin Film Encapsulation)構造。薄膜密封構造例如包含氮化矽膜等數個無機絕緣膜。薄膜密封構造亦可進而包含有機絕緣膜。
再者，於上述說明中，例示出頂部發光方式之有機EL顯示裝置500，當然，本實施形態之蒸鍍遮罩亦用於底部發光方式之有機EL顯示裝置之製造。
又，使用本實施形態之蒸鍍遮罩而製造之有機EL顯示裝置亦可不必為剛性器件。本實施形態之蒸鍍遮罩亦較佳地用於軟性有機EL顯示裝置之製造。於軟性有機EL顯示裝置之製造方法中，於形成於支持基板(例如玻璃基板)上之聚合物層(例如聚醯亞胺層)上形成TFT電路等，形成保護層之後將聚合物層連同其上之積層構造自支持基板剝離(使用例如雷射剝離法)。
又，本實施形態之蒸鍍遮罩亦用於有機EL顯示裝置以外之有機半導體元件之製造，尤佳地用於必須形成高精細之蒸鍍圖案之有機半導體元件之製造。
(產業上之可利用性)
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩較佳地用於以有機EL顯示裝置為首之有機半導體元件之製造，尤佳地用於必須形成高精細之蒸鍍圖案之有機半導體元件之製造。
10‧‧‧樹脂層
13‧‧‧開口部
20‧‧‧金屬層
20a‧‧‧遮罩部
20a(1)‧‧‧實心部
20a(2)‧‧‧非實心部
20b‧‧‧周邊部
24‧‧‧島狀部
30‧‧‧積層遮罩
40‧‧‧框架
100‧‧‧蒸鍍遮罩
d‧‧‧厚度
w‧‧‧寬度

Claims (18)

  1. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層之蒸鍍遮罩之製造方法，且包含如下步驟：(A)準備基板的步驟；(B)將包含樹脂材料之溶液或樹脂材料之前驅物溶液賦予至上述基板之表面後，進行熱處理，藉此形成樹脂層的步驟；(C)於上述樹脂層上形成磁性金屬層的步驟，該磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金屬膜之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部；(D)於上述樹脂層中之位於上述遮罩部之上述非實心部之區域形成數個開口部的步驟；及(E)於上述步驟(D)之後，將上述樹脂層自上述基板剝離的步驟。
  2. 如請求項1之蒸鍍遮罩之製造方法，其於上述步驟(C)與上述步驟(E)之間進而包含將框架固定於上述磁性金屬層之上述周邊部之步驟(F)。
  3. 如請求項2之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，上述步驟(F)於上述步驟(D)之後進行。
  4. 如請求項2或3之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，於上述步驟(F)中，以不對上述磁性金屬層及上述樹脂層自外部對層面內方向賦予張力的狀態，將上述框架固定於上述磁性金屬層。
  5. 如請求項1之蒸鍍遮罩之製造方法，其於上述步驟(E)之後進而包含將框架固定於上述磁性金屬層之上述周邊部之步驟(F)。
  6. 如請求項1至5中任一項之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，於上述步驟(C)中，上述遮罩部之上述實心部包含離散地配置之 數個島狀部。
  7. 一種蒸鍍遮罩，其係使用請求項1至6中任一項之方法而製造。
  8. 一種蒸鍍遮罩，其係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金屬膜之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部，上述蒸鍍遮罩進而包括固定於上述磁性金屬層之上述周邊部的框架，且上述樹脂層具有配置於上述遮罩部之上述非實心部之數個開口部，且未自上述框架受到層面內方向之張力。
  9. 如請求項8之蒸鍍遮罩，其中，上述磁性金屬層之上述實心部包含離散地配置之數個島狀部。
  10. 如請求項8之蒸鍍遮罩，其中，上述磁性金屬層之上述非實心部包含數個狹縫。
  11. 如請求項8至10中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述框架利用金屬或塑膠形成。
  12. 如請求項8至11中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述樹脂層係藉由對賦予至基板表面之包含樹脂材料之溶液或樹脂材料之前驅物溶液進行熱處理而形成的層。
  13. 如請求項8至12中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述磁性金屬層為鍍敷層或金屬箔。
  14. 一種蒸鍍遮罩，其係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有包含存在金屬膜之實心部與不存在金屬膜 之非實心部的遮罩部、及以包圍上述遮罩部之方式配置之周邊部，且上述樹脂層係藉由對賦予至基板表面之包含樹脂材料之溶液進行熱處理而形成的層，且具有配置於上述遮罩部之上述非實心部之數個開口部。
  15. 一種蒸鍍遮罩，其係具備樹脂層、及形成於上述樹脂層上之磁性金屬層者，上述磁性金屬層具有離散地配置之數個島狀部、及以包圍上述數個島狀部之方式配置之周邊部，且上述樹脂層具有配置於上述數個島狀部之間之數個開口部。
  16. 如請求項15之蒸鍍遮罩，其中，若將自法線方向觀察上述磁性金屬層時上述周邊部內之上述數個島狀部所占之面積之比例設為SM(%)，將形成上述磁性金屬層之金屬材料之線熱膨脹係數設為αM(ppm/℃)，將形成上述樹脂層之樹脂膜之線熱膨脹係數設為αR(ppm/℃)，則αM大於αR，αM‧SM/αR之值為0.90以上且1.10以下。
  17. 如請求項16之蒸鍍遮罩，其中，上述SM為50%以下。
  18. 一種有機半導體元件之製造方法，其包含如下步驟：使用請求項8至17中任一項之蒸鍍遮罩，於工件上蒸鍍有機半導體材料的步驟。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108546914A (zh) * 2018-05-07 2018-09-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置
TWI777055B (zh) * 2018-04-19 2022-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、有機半導體元件之製造方法、有機ｅｌ顯示器之製造方法及圖案之形成方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102084712B1 (ko) * 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
CN109315043B (zh) * 2016-03-28 2020-10-30 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法及制造装置
CN113737128A (zh) 2017-01-31 2021-12-03 堺显示器制品株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
CN109585695B (zh) 2017-09-29 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 蒸镀掩膜板、oled面板及系统及蒸镀监控方法
WO2019092829A1 (ja) * 2017-11-09 2019-05-16 シャープ株式会社 マスクの製造方法
WO2019130388A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスク、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP7187883B2 (ja) * 2018-08-09 2022-12-13 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
JP6838693B2 (ja) * 2019-01-31 2021-03-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク群、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP7332301B2 (ja) * 2019-01-31 2023-08-23 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP6822615B1 (ja) * 2019-03-15 2021-01-27 凸版印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、表示装置の製造方法、および、蒸着マスク中間体
CN113874539A (zh) * 2019-03-27 2021-12-31 堺显示器制品株式会社 具有微细图案的树脂薄膜的制造方法和有机el显示装置的制造方法以及微细图案形成用基材膜及带有支撑构件的树脂薄膜
JP7232699B2 (ja) * 2019-04-25 2023-03-03 マクセル株式会社 蒸着マスク
JP7500946B2 (ja) * 2019-10-17 2024-06-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
KR20210091382A (ko) * 2020-01-13 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법
JP7120262B2 (ja) * 2020-02-06 2022-08-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスク準備体の製造方法、フレーム付き蒸着マスク準備体の製造方法、及びフレーム付き蒸着マスク準備体
JP6876172B2 (ja) * 2020-03-03 2021-05-26 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
KR20210113526A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크의 제조 방법, 이에 따라 제조된 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP7478354B2 (ja) 2020-03-25 2024-05-07 大日本印刷株式会社 マスク装置の製造方法、マスク装置、有機デバイスの製造方法、有機デバイス
US11613802B2 (en) 2020-04-17 2023-03-28 Rockwell Collins, Inc. Additively manufactured shadow masks for material deposition control
CN111826608A (zh) * 2020-07-30 2020-10-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置
KR102435235B1 (ko) * 2020-10-07 2022-08-24 주식회사 효산 마스크의 제조 방법 및 마스크
KR20220091647A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리의 제작 방법
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크
CN115074664A (zh) * 2022-07-18 2022-09-20 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 一种使用复合材料制作的精细掩模版
JP2024050156A (ja) * 2022-09-29 2024-04-10 大日本印刷株式会社 マスクの製造方法、マスク、蒸着層の形成方法及び有機半導体素子の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302457A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP5297046B2 (ja) 2008-01-16 2013-09-25 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP5958804B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2013173968A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR102078888B1 (ko) 2011-09-16 2020-02-19 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법
KR102354233B1 (ko) * 2012-01-12 2022-01-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 스텝 앤드 리피트 증착 마스크의 제조 방법, 이것에 의해 얻어지는 스텝 앤드 리피트 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP5895539B2 (ja) 2012-01-12 2016-03-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスク
CN105779935A (zh) * 2012-01-12 2016-07-20 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
JP5288072B2 (ja) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP5935628B2 (ja) * 2012-09-24 2016-06-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
JP5976527B2 (ja) * 2012-12-27 2016-08-23 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク及びその製造方法
JP6123301B2 (ja) 2013-01-11 2017-05-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法
JP6167526B2 (ja) * 2013-01-11 2017-07-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6035548B2 (ja) 2013-04-11 2016-11-30 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク
JP6078818B2 (ja) * 2013-07-02 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法
JP2015074826A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク及びその製造方法
JP6240960B2 (ja) * 2014-02-03 2017-12-06 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP6594615B2 (ja) * 2014-10-06 2019-10-23 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着用マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法
JP6163586B2 (ja) * 2015-04-17 2017-07-12 大日本印刷株式会社 蒸着パターンの形成方法、押さえ板一体型の押し込み部材、蒸着装置及び有機半導体素子の製造方法
CN108779549B (zh) * 2016-03-18 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法
US10934614B2 (en) * 2016-03-23 2021-03-02 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask production method, and organic semiconductor element production method
JP6465075B2 (ja) * 2016-05-26 2019-02-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びに有機ｅｌディスプレイの製造方法
CN113737128A (zh) * 2017-01-31 2021-12-03 堺显示器制品株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
WO2019043866A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜マスクの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI777055B (zh) * 2018-04-19 2022-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、有機半導體元件之製造方法、有機ｅｌ顯示器之製造方法及圖案之形成方法
CN108546914A (zh) * 2018-05-07 2018-09-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置

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