JP7478354B2 - マスク装置の製造方法、マスク装置、有機デバイスの製造方法、有機デバイス - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、マスク装置の製造方法、マスク装置、有機デバイスの製造方法、有機デバイスに関する。

スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置の分野において、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置などの有機半導体デバイスの製造方法及び製造装置として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成されたマスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法及び装置が知られている。例えば、まず、有機ＥＬ表示装置用の基板に、フレームに固定された状態のマスクを組み合わせる。続いて、有機材料を含む蒸着材料を、マスクの貫通孔を介して基板に付着させる。このような蒸着工程を実施することにより、マスクの貫通孔のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層を有する画素を基板上に形成することができる。

特許第５３８２２５９号公報

フレーム及びマスクを備えるマスク装置においては、マスクの撓みに起因してマスクの貫通孔の位置精度が低くなることを抑制することが求められる。

本開示の一実施形態による、マスク装置の製造方法は、開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、第１辺領域とは異なる方向に延び、開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、フレームの第１フレーム面の側において一対の第１辺領域に固定されている第１桟部材と、を備える支持構造体を準備する準備工程と、貫通孔を含むマスクに、第１方向において張力を加えた状態で、第１フレーム面の側においてマスクを一対の前記第２辺領域に固定する固定工程と、を備える。第１方向に直交するマスクの断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する、マスクに加えられる張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が、１３．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以上５０．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以下である。

本開示によれば、マスクの撓みに起因してマスクの貫通孔の位置精度が低くなることを抑制することができる。

有機デバイスの一例を示す断面図である。 図１の有機デバイスを拡大して示す断面図である。 蒸着装置の一例を示す断面図である。 蒸着装置のマスク装置の一例を示す平面図である。 マスク装置のマスクの中間部の一例を示す平面図である。 マスクの貫通孔の断面形状の一例を示す断面図である。 図４のマスク装置のVII－VII線に沿った断面図である。 図４のマスク装置のVIII－VIII線に沿った断面図である。 図４において符号IXが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク装置の一例を拡大して示す平面図。 図４において符号Xが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク装置の一例を拡大して示す平面図。 マスク装置を用いて形成した蒸着層の一例を示す断面図である。 マスクに加える張力とマスクに生じるシワとの関係の一例を示す断面図である。 マスクに加える張力とマスクに生じるシワとの関係の一例を示す断面図である。 マスクに加える張力とマスクに生じるシワとの関係の一例を示す断面図である。 マスクに加える張力とマスクに生じるシワとの関係の一例を示す断面図である。 マスクの断面積の算出方法を説明するための図である。 マスク装置の製造方法の一例を示す平面図である。 マスク装置の製造方法の一例を示す平面図である。 マスク装置と基板とを組み合わせる工程の一例を示す断面図である。 マスク装置を用いて形成した蒸着層の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 図２２のマスク装置からマスクを取り除いた状態を示す平面図である。 Ｔ／Ｓとピクセル位置精度との関係の評価結果を示す図である。 Ｔ／Ｓとシワの高さとの関係の評価結果を示す図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上現実の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

本開示の第１の態様は、マスク装置の製造方法であって、
開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、前記第１辺領域とは異なる方向に延び、前記開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第１辺領域に固定されている第１桟部材と、を備える支持構造体を準備する準備工程と、
貫通孔を含むマスクに、前記第１方向において張力を加えた状態で、前記第１フレーム面の側において前記マスクを一対の前記第２辺領域に固定する固定工程と、を備え、
前記第１方向に直交する前記マスクの断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する、前記マスクに加えられる前記張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が、１３．０以上５０．０以下である、製造方法である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による製造方法において、前記固定工程は、前記第１方向に直交する第２方向に沿って並ぶ３以上のマスクを一対の前記第２辺領域に固定する工程を含んでいてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第２の態様による製造方法において、前記固定工程において、前記第２方向において前記フレームの前記第１辺領域に隣接する前記マスクに加えられる前記張力が、前記第２方向の中央に位置する前記マスクに加えられる前記張力よりも大きくてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる製造方法において、前記支持構造体は、前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されている第２桟部材を備えていてもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる製造方法において、前記マスクの厚みが５０μｍ以下であってもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによる製造方法において、前記第１桟部材の厚みが５０μｍ以上１ｍｍ以下であってもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる製造方法において、前記第１桟部材の長さが１４００ｍｍ以上であってもよい。

本開示の第８の態様は、マスク装置であって、
開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、前記第１辺領域とは異なる方向に延び、前記開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、
前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第１辺領域に固定されている第１桟部材と、
貫通孔を含み、前記第１方向において張力を加えられた状態で前記第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されているマスクと、を備え、
前記第１方向に直交する前記マスクの断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する、前記マスクに加えられている前記張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が、１３．０以上５０．０以下である、マスク装置である。

本開示の第９の態様は、上述した第８の態様によるマスク装置において、前記第１方向に直交する第２方向に沿って並ぶ３以上の前記マスクを備えていてもよい。

本開示の第１０の態様は、上述した第９の態様によるマスク装置において、前記第２方向において前記フレームの前記第１辺領域に隣接する前記マスクに加えられている前記張力が、前記第２方向の中央に位置する前記マスクに加えられている前記張力よりも大きくてもよい。

本開示の第１１の態様は、マスク装置であって、
開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、前記第１辺領域とは異なる方向に延び、前記開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、
前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第１辺領域に固定されている第１桟部材と、
貫通孔を含み、前記第１方向において張力を加えられた状態で前記第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されており、前記第１方向に直交する第２方向に沿って並ぶ３以上のマスクと、を備え、
前記第２方向において前記フレームの前記第１辺領域に隣接する前記マスクに生じているシワの高さが、前記第２方向の中央に位置する前記マスクに生じているシワの高さよりも大きい、マスク装置である。

本開示の第１２の態様は、上述した第８の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによるマスク装置において、前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されている第２桟部材を備えていてもよい。

本開示の第１３の態様は、上述した第８の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによるマスク装置において、前記マスクの厚みが５０μｍ以下であってもよい。

本開示の第１４の態様は、上述した第８の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによるマスク装置において、前記第１桟部材の厚みが５０μｍ以上１ｍｍ以下であってもよい。

本開示の第１５の態様は、上述した第８の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによるマスク装置において、前記第１桟部材の長さが１４００ｍｍ以上であってもよい。

本開示の第１６の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
上述した第８の態様から上述した第１５の態様のいずれかによるマスク装置の前記マスクの前記貫通孔を介して有機材料を基板に蒸着させて前記基板に蒸着層を形成する蒸着工程を備える、有機デバイスの製造方法である。

本開示の第１７の態様は、有機デバイスであって、
上述した第１６の態様による有機デバイスの製造方法の前記蒸着工程によって前記基板に形成された前記蒸着層を備える、有機デバイスである。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。有機デバイス１００は、第１面１１１及び第１面１１１の反対側に位置する第２面１１２を含む基板１１０と、基板１１０の第１面１１１の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１０５と、を備えていてもよい。図示はしないが、素子１０５は、図１の奥行方向にも並んでいてもよい。例えば、素子１０５は、第１面１１１の面内方向における２つの配列方向において周期的に並んでいてもよい。素子１０５は、第１電極層１２０と、第１電極層１２０上に位置する蒸着層１３０と、蒸着層１３０上に位置する第２電極層１４０と、を含んでいてもよい。

図２は、図１の有機デバイスを拡大して示す断面図である。蒸着層１３０は、第１電極層１２０上に位置する第１蒸着層１３１と、第１電極層１２０上に位置する第２蒸着層１３２と、を含んでいてもよい。第１蒸着層１３１と第２蒸着層１３２とは、平面視において、素子１０５の配列方向において隣接していてもよい。例えば、平面視において、第１蒸着層１３１に重なる第１電極層１２０と、第２蒸着層１３２に重なる第１電極層１２０とが、素子１０５の配列方向において隣接していてもよい。

図示はしないが、蒸着層１３０は、素子１０５の配列方向において第１蒸着層１３１または第２蒸着層１３２と隣接する第３蒸着層などのその他の蒸着層を含んでいてもよい。

図２に示すように、有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極層１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極層１２０の端部に重なっていてもよい。

基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、光を透過させる透明性を有していてもよい。基板１１０は、ガラスを含んでいてもよい。

基板１１０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上であってもよく、０．３ｍｍ以上であってもよく、０．４ｍｍ以上であってもよく、０．５ｍｍ以上であってもよい。また、基板１１０の厚みは、例えば、０．６ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよい。基板１１０の厚みの範囲は、０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ及び０．５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、０．６ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍ及び２．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよい。

第１電極層１２０は、導電性を有する材料を含んでいてもよい。例えば、第１電極層１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の無機材料などを含んでいてもよい。第１電極層１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

第１蒸着層１３１、第２蒸着層１３２及び第３蒸着層は、有機材料を含む有機層であってもよい。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１蒸着層１３１、第２蒸着層１３２及び第３蒸着層はそれぞれ、発光層であってもよい。例えば、第１蒸着層１３１、第２蒸着層１３２及び第３蒸着層はそれぞれ、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層であってもよい。

第１蒸着層１３１、第２蒸着層１３２及び第３蒸着層はそれぞれ、対応するマスクが設置されている蒸着装置において、マスクの貫通孔を介して有機材料を基板１１０に蒸着させることによって形成されてもよい。

図示はしないが、素子１０５は、第１電極層１２０と蒸着層１３０との間、または蒸着層１３０と第２電極層１４０との間に位置する、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを含んでいてもよい。

第２電極層１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。第２電極層１４０を構成する材料の例としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マ
グネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を挙げることができる。

図２に示すように、第２電極層１４０は、平面視において隣り合う２つの蒸着層１３０に跨るように広がっていてもよい。図示はしないが、第２電極層１４０は、隣り合う２つの蒸着層１３０の上に位置する第２電極層１４０の間に隙間があるように形成されていてもよい。

次に、基板１１０の第１面１１１に蒸着層１３０を形成するための蒸着装置１０について説明する。図３は、蒸着装置１０の一例を示す縦断面図である。

図３に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機発光材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図３に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、マスク５０が固定されている第１フレーム面４１ａと、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する第２フレーム面４１ｂと、を含んでいてもよい。また、フレーム４１は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通する開口４２を含んでいてもよい。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１の第１フレーム面４１ａに固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。

１つの蒸着装置１０のマスク装置４０のマスク５０は、１種類の蒸着層１３０に、例えば第１蒸着層１３１に対応していてもよい。この場合、有機デバイス１００の製造装置は、複数の蒸着装置１０を備えていてもよい。例えば、有機デバイス１００の製造装置は、第１蒸着層１３１に対応する蒸着装置１０と、第２蒸着層１３２に対応する蒸着装置１０と、第３蒸着層に対応する蒸着装置１０と、を備えていてもよい。基板１１０を複数の蒸着装置１０に順に投入して蒸着工程を実施することにより、基板１１０に第１蒸着層１３１、第２蒸着層１３２及び第３蒸着層を形成することができる。

マスク装置４０は、図３に示すように、蒸着材料７を付着させる対象物である基板１１０にマスク５０が対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク５０は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる複数の貫通孔５６を含む。以下の説明において、マスク５０の面のうち、基板１１０の側に位置する面を第１面５５ａと称し、第１面５５ａの反対側に位置する面を第２面５５ｂと称する。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御するよう構成されていてもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

蒸着装置１０は、図３に示すように、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整することができる。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置４０とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制することができる。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置４０とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、図３に示すように、冷却板４の面のうちマスク装置４０とは反対の側の面に配置されていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク装置４０のマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、蒸着層１３０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって蒸着層１３０の厚みが不均一になる現象のことである。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。

次に、マスク装置４０について詳細に説明する。図４は、マスク装置４０をマスク５０の第１面５５ａ側から見た場合を示す平面図である。図４に示すように、マスク装置４０は、複数のマスク５０を備えていてもよい。本実施の形態において、各マスク５０の形状は、第１方向Ｄ１に延びる矩形であってもよい。マスク装置４０において、複数のマスク５０は、マスク５０の長手方向である第１方向Ｄ１に交差する方向に並んでいる。図４に示すように、複数のマスク５０は、マスク５０の長手方向に直交するマスク５０の幅方向である第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。各マスク５０は、マスク５０の長手方向の両端部において、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。

図４において、符号Ｌ１は、第１方向Ｄ１におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の長さを表す。寸法Ｌ１は、例えば、１５０ｍｍ以上であってもよく、４００ｍｍ以上であってもよく、６００ｍｍ以上であってもよく、８００ｍｍ以上であってもよい。また、寸法Ｌ１は、例えば、１０００ｍｍ以下であってもよく、１２５０ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｌ１の範囲は、１５０ｍｍ、４００ｍｍ、６００ｍｍ及び８００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０００ｍｍ、１２５０ｍｍ、１５００ｍｍ及び２０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１２５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上８００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上１２５０ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上８００ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１２５０ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上８００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１２５０ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１２５０ｍｍ以下であってもよく、１２５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１２５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよい。

図４において、符号Ｗ１は、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の幅を表す。寸法Ｗ１は、例えば、５０ｍｍ以上であってもよく、１００ｍｍ以上であってもよく、１５０ｍｍ以上であってもよく、２００ｍｍ以上であってもよい。また、寸法Ｗ１は、例えば、２５０ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以下であってもよく、３５０ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｗ１の範囲は、５０ｍｍ、１００ｍｍ、１５０ｍｍ及び２００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２５０ｍｍ、３００ｍｍ、３５０ｍｍ及び４００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、３５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよい。

図４に示すように、マスク５０は、フレーム４１に重なっている一対の耳部５１と、耳部５１の間に位置する中間部５２と、を有していてもよい。中間部５２は、少なくとも１つの有効領域５３と、有効領域５３の周囲に位置する周囲領域５４と、を有していてもよい。図４に示す例において、中間部５２は、第１方向Ｄ１に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域５３を含む。周囲領域５４は、複数の有効領域５３を囲んでいる。

図５は、マスク５０の中間部５２の一例を示す平面図である。中間部５２の有効領域５３は、複数の貫通孔５６を含んでいてもよい。中間部５２の各貫通孔５６を透過して基板１１０に付着した蒸着材料が、基板１１０上の蒸着層１３０を構成してもよい。

マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つの有効領域５３は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に対応する。このため、図４に示すマスク装置４０によれば、有機ＥＬ表示装置の多面付蒸着が可能である。なお、１つの有効領域５３が複数の表示領域に対応する場合もある。また、図示はしないが、マスク５０の幅方向においても所定の間隔を空けて複数の有効領域５３が配列されていてもよい。

有効領域５３は、平面視において矩形の輪郭を有してもよい。また、有効領域５３は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば、有効領域５３は、円形の輪郭を有していてもよい。

図６は、マスク５０の一例を示す断面図である。図６に示すように、マスク５０は、金属板５５と、金属板５５の第１面５５ａから第２面５５ｂへ貫通する貫通孔５６と、を備える。貫通孔５６は、金属板５５の第１面５５ａ側に位置する第１凹部５６１と、第２面５５ｂ側に位置し、第１凹部５６１に接続されている第２凹部５６２と、を含んでいてもよい。平面視において、第２凹部５６２の寸法ｒ２は、第１凹部５６１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５６１及び第２凹部５６２は、金属板５５を第１面５５ａ側及び第２面５５ｂ側からエッチングやレーザーなどによって加工することによって形成され得る。

第１凹部５６１と第２凹部５６２とは、周状の接続部５６３を介して接続されている。接続部５６３は、マスク５０の平面視において貫通孔５６の開口面積が最小になる貫通部５６４を画成していてもよい。

貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよい。また、貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、４０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、５５μｍ以下であってもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第１グループ、及び／又は、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ及び５５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上５５μｍ以下であってもよい。貫通部５６４の寸法ｒを測定する測定器としては、新東Ｓプレシジョン製ＡＭＩＣ－１７１０を用いることができる。

なお、図６においては、隣り合う二つの第２凹部５６２の間に金属板５５の第２面５５ｂが残存している例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、隣り合う２つの第２凹部５６２が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う２つの第２凹部５６２の間に、金属板５５の第２面５５ｂが残存していない場所が存在していてもよい。

次に、フレーム４１について説明する。フレーム４１は、開口４２を隔てて向かい合う一対の第１辺領域４１１と、開口４２を隔てて第１方向Ｄ１において向かい合う一対の第２辺領域４１２と、を含んでいてもよい。第１辺領域４１１と第２辺領域４１２とは、異なる方向に延びている。例えば、図４に示すように、第１辺領域４１１が、マスク５０の長手方向である第１方向Ｄ１に延び、第２辺領域４１２が、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に延びていてもよい。図４に示すように、マスク５０は第２辺領域４１２に固定されていてもよい。また、マスク５０が固定されている第２辺領域４１２が、第１辺領域４１１よりも長くてもよい。フレーム４１の開口４２は、一対の第１辺領域４１１及び一対の第２辺領域４１２によって囲まれていてもよい。

図４に示すように、マスク装置４０は、フレーム４１の第１フレーム面４１ａの側において一対の第１辺領域４１１に固定されている第１桟部材４３を備えていてもよい。第１桟部材４３は、第２方向Ｄ２に延びていてもよい。また、第１方向Ｄ１に沿って複数の第１桟部材４３が並んでいてもよい。第１桟部材４３は、第２方向Ｄ２において張力を加えられた状態で第１辺領域４１１に固定されていてもよい。第１桟部材４３は、蒸着工程の際にマスク５０を下方から支持してもよい。これにより、マスク５０が自重によって撓むことを抑制することができる。

図４において、符号Ｌ３は、第２方向Ｄ２における第１桟部材４３の寸法を、すなわち第１桟部材４３の長さを表す。寸法Ｌ３は、例えば、８００ｍｍ以上であってもよく、１０００ｍｍ以上であってもよく、１２００ｍｍ以上であってもよく、１４００ｍｍ以上であってもよい。また、寸法Ｌ３は、例えば、１６００ｍｍ以下であってもよく、１８００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以下であってもよく、２５００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｌ３の範囲は、８００ｍｍ、１０００ｍｍ、１２００ｍｍ及び１４００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１６００ｍｍ、１８００ｍｍ、２０００ｍｍ及び２５００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、８００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１８００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよく、１８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下であってもよい。

図４において、符号Ｗ３は、第１方向Ｄ１における第１桟部材４３の寸法を、すなわち第１桟部材４３の幅を表す。寸法Ｗ３は、例えば、１ｍｍ以上であってもよく、３ｍｍ以上であってもよく、５ｍｍ以上であってもよく、７ｍｍ以上であってもよい。また、寸法Ｗ３は、例えば、１０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｗ３の範囲は、１ｍｍ、３ｍｍ、５ｍｍ及び７ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０ｍｍ、１５ｍｍ、２０ｍｍ及び３０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｗ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上７ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上７ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上７ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよい。

図７は、図４のマスク装置４０のVII－VII線に沿った断面図である。図７に示すように、マスク５０は、第１方向Ｄ１において張力Ｔを加えられた状態で、第１フレーム面４１ａの側において第２辺領域４１２に固定されていてもよい。マスク５０に張力を加えることにより、マスク５０の自重などに起因してマスク５０に生じる下方への撓みの量を低減することができる。

マスク５０を下方から支持する第１桟部材４３は、図７に示すようにマスク５０の第２面５５ｂに接していてもよい。若しくは、第１桟部材４３は、その他の部材を介してマスク５０を間接的に下方から支持していてもよい。

図８は、図４のマスク装置４０のVIII－VIII線に沿った断面図である。図８に示すように、第１桟部材４３は、下方に撓んでいてもよい。撓みは、第２方向Ｄ２における第１桟部材４３の中央において最も大きくなっていてもよい。第１桟部材４３のこのような撓みは、第１桟部材４３の自重、第１桟部材４３がマスク５０から受ける力などに起因して生じ得る。

次に、マスク装置４０のマスク５０、フレーム４１及び第１桟部材４３の材料について説明する。マスク５０、フレーム４１及び第１桟部材４３の主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の金属板５５の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で２８質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。これにより、マスク５０、フレーム４１及び第１桟部材４３の熱膨張係数と、ガラスを含む基板１１０の熱膨張係数との差を小さくすることができる。このため、基板１１０上に形成される蒸着層１３０の寸法精度や位置精度が、マスク５０、フレーム４１、第１桟部材４３、基板１１０などの熱膨張に起因して低下することを抑制することができる。

金属板５５におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で２８質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。この場合、ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、インバー材、スーパーインバー材、ウルトラインバー材などを挙げることができる。インバー材は、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。スーパーインバー材は、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、コバルトと、残部の鉄及び不可避の不純物と含む鉄合金である。ウルトラインバー材は、２８質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、２質量％以上且つ７質量％以下のコバルトと、０．１質量％以上且つ１．０質量％以下のマンガンと、０．１０質量％以下のシリコンと、０．０１質量％以下の炭素と、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。

金属板５５におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下であってもよい。この場合、ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金は、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。

なお蒸着処理の際に、マスク５０、フレーム４１、第１桟部材４３および基板１１０の温度が高温には達しない場合は、マスク５０、フレーム４１及び第１桟部材４３の熱膨張係数を、基板１１０の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、マスク５０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。

マスク５０の金属板５５の厚みＴ１は、例えば、８μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１３μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。また、金属板５５の厚みＴ１は、例えば、２０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。金属板５５の厚みＴ１の範囲は、８μｍ、１０μｍ、１３μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、８μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

金属板５５の厚みＴ１を５０μｍ以下にすることにより、蒸着材料７のうち、貫通孔５６を通過する前に貫通孔５６の壁面に引っ掛かる蒸着材料７の比率を小さくすることができる。これにより、蒸着材料７の利用効率を高めることができる。また、金属板５５の厚みＴ１を８μｍ以上にすることにより、マスク５０の強度を確保し、マスク５０に損傷や変形が生じることを抑制することができる。

フレーム４１の厚みＴ２は、例えば、５ｍｍ以上であってもよく、１０ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよく、２０ｍｍ以上であってもよい。また、フレーム４１の厚みＴ２は、例えば、２５ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以下であってもよく、４０ｍｍ以下であってもよい。フレーム４１の厚みＴ２の範囲は、５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２５ｍｍ、３０ｍｍ、３５ｍｍ及び４０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。フレーム４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。フレーム４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。フレーム４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよい。

フレーム４１の厚みＴ２を５ｍｍ以上にすることにより、フレーム４１に撓みなどの変形が生じることを抑制することができる。また、フレーム４１の厚みＴ２を４０ｍｍ以下にすることにより、フレーム４１の重量が過剰に大きくなることを抑制することができる。これにより、フレーム４１のハンドリング性を高めることができる。例えば、小型のリフターを用いてフレーム４１を搬送することができる。

第１桟部材４３の厚みＴ３は、例えば、５０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、２００μｍ以上であってもよく、３００μｍ以上であってもよい。また、第１桟部材４３の厚みＴ３は、例えば、５００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以下であってもよく、１ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよい。第１桟部材４３の厚みＴ３の範囲は、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ及び３００μｍからなる第１グループ、及び／又は、５００μｍ、７００μｍ、１ｍｍ及び１０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１桟部材４３の厚みＴ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１桟部材４３の厚みＴ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１桟部材４３の厚みＴ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、５０μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、２００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、２００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、３００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、３００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、５００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、７００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。

金属板５５の厚みＴ１、フレーム４１の厚みＴ２及び第１桟部材４３の厚みＴ３を測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いる。

ところで、図８のように第１桟部材４３が下方に撓んでいる場合、第１桟部材４３の各領域には、水平方向に対する傾斜が生じ得る。水平方向に対する第１桟部材４３の傾斜角度θは、図８に示すように、第１辺領域４１１に近づくにつれて大きくなり易い。

第１桟部材４３が水平方向に対して傾斜している場合、第１桟部材４３によって下方から支持されているマスク５０には、マスク５０の自重及び第１桟部材４３の傾斜に起因する力が生じ得る。例えば図８において符号Ｆ１で示すように、第２方向Ｄ２において中央に位置するマスク５０と第１辺領域４１１との間に位置するマスク５０には、第１桟部材４３に沿って中央の側に向かう力Ｆ１が生じ得る。このような力Ｆ１は、第１桟部材４３の傾斜角度θが大きいほど大きくなり得る。このため、複数のマスク５０のうち第２方向Ｄ２においてフレーム４１の第１辺領域４１１に隣接するマスク５０は、第１桟部材４３に沿って中央の側に向かう力Ｆ１の影響を受けやすい。

以下の説明において、第２方向Ｄ２において一方の第１辺領域４１１に隣接するマスク５０のことを第１マスク５０Ａとも称する。また、第２方向Ｄ２において他方の第１辺領域４１１に隣接するマスク５０のことを第２マスク５０Ｂとも称する。また、第２方向Ｄ２において中央に位置するマスク５０のことを第３マスク５０Ｃとも称する。

第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂは、第３マスク５０Ｃに比べて、第１桟部材４３の傾斜に起因する上述の力Ｆ１の影響を受けやすい。例えば、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂは、力Ｆ１に起因して第１桟部材４３に沿って変位し得る。このような変位は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのうち、フレーム４１に固定されている耳部５１から離れている領域において生じ易い。例えば、変位は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのうち、第１方向Ｄ１における中央に位置する領域において生じ易い。

図９は、図４において符号IXが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク装置の一例を拡大して示す平面図である。図９には、第１マスク５０Ａのうち第１方向Ｄ１における中央に位置する領域が拡大して示されている。図９において符号Ｍ１で示すように、第１マスク５０Ａには、第２方向Ｄ２における第１桟部材４３の中央に向かう方向において、第１桟部材４３に沿った変位が生じ得る。変位が生じると、第１マスク５０Ａの貫通孔５６の位置が、蒸着工程の際の貫通孔５６の理想的な位置からずれることがある。以下の説明において、貫通孔５６の理想的な位置のことを設計位置とも称する。

図１０は、図４において符号Xが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク装置の一例を拡大して示す平面図である。図１０には、第２マスク５０Ｂのうち第１方向Ｄ１における中央に位置する領域が拡大して示されている。図１０において符号Ｍ２で示すように、第２マスク５０Ｂには、第２方向Ｄ２における第１桟部材４３の中央に向かう方向において、第１桟部材４３に沿った変位が生じ得る。このため、第１マスク５０Ａの場合と同様に、第２マスク５０Ｂの貫通孔５６の位置が設計位置からずれることがある。

図１１は、図９に示す第１マスク５０Ａ及び図１０に示す第２マスク５０Ｂを含むマスク装置４０を用いて形成した蒸着層１３０の一例を示す断面図である。図１１において右側に位置する蒸着層１３０は、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通って基板１１０に付着した蒸着材料によって形成されている。図１１において左側に位置する蒸着層１３０は、第２マスク５０Ｂの貫通孔５６を通って基板１１０に付着した蒸着材料によって形成されている。図１１において中央に位置する蒸着層１３０は、第３マスク５０Ｃの貫通孔５６を通って基板１１０に付着した蒸着材料によって形成されている。

図１１において、符号ＰＡ、ＰＢ及びＰＣが付された点線はそれぞれ、理想的な位置にある場合の第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃの貫通孔５６の中心を表している。また、符号ＣＡ、ＣＢ及びＣＣが付された一点鎖線は、図９及び図１０に示すような変位が生じている場合の、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃの貫通孔５６の中心を表している。また、符号ΔＡ、ΔＢ及びΔＣは、中心ＰＡ、ＰＢ及びＰＣと中心ＣＡ、ＣＢ及びＣＣとの間の第２方向Ｄ２における距離を表している。

図９に示す変位Ｍ１が第１マスク５０Ａに生じると、図１１に示すように、第１マスク５０Ａの貫通孔５６の中心ＣＡが、理想的な中心ＰＡよりも第３マスク５０Ｃ側にずれる。この結果、第１マスク５０Ａの貫通孔５６に基づいて形成される蒸着層１３０の位置が、基板１１０上の第１電極層１２０や絶縁層１６０の位置に対してずれることがある。このような蒸着層１３０の位置のずれのことを、ピクセル位置精度とも称する。第１マスク５０Ａの貫通孔５６の位置が理想からΔＡずれると、ピクセル位置精度もΔＡだけ低下し得る。

図１０に示す変位Ｍ２が第２マスク５０Ｂに生じると、図１１に示すように、第２マスク５０Ｂの貫通孔５６の中心ＣＢが、理想的な中心ＰＢよりも第３マスク５０Ｃ側にずれる。この結果、第２マスク５０Ｂの貫通孔５６に基づいて形成される蒸着層１３０の位置が、基板１１０上の第１電極層１２０や絶縁層１６０の位置に対してずれることがある。第２マスク５０Ｂの貫通孔５６の位置が理想からΔＢずれると、ピクセル位置精度もΔＢだけ低下し得る。

このような課題を考慮し、本開示の形態においては、図９及び図１０に示すような第１桟部材４３に沿った変位がマスク５０に生じることを抑制するように、第１方向Ｄ１においてマスク５０に加える張力Ｔを調整することを提案する。鋭意研究を行ったところ、後述する実施例によってサポートされるように、比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を適切に調整することが有効であることを見出した。具体的には、比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を１３．０以上にすることにより、第１桟部材４３に沿った１．０μｍ以上の変位がマスク５０に生じることを効果的に抑制できることを見出した。Ｓは、第１方向Ｄ１に直交するマスク５０の断面の断面積〔ｍｍ^２〕である。Ｔは、第１方向Ｄ１においてマスク５０に加えられている張力〔Ｎ〕である。一般に、架張溶接機の位置精度は１．０μｍである。架張溶接機とは、マスク５０に張力を加えた状態でマスク５０をフレーム４１に溶接する装置である。架張溶接機の位置精度とは、架張溶接機に起因してマスク５０の特定の貫通孔５６に生じる位置の誤差の最大値である。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を１３．０以上にすることにより、第１桟部材４３に沿ってマスク５０に生じる変位が架張溶接機の位置精度を超えることを抑制できる。

上述のように、第１桟部材４３に沿ったマスク５０の変位は、第２方向Ｄ２において中央に位置する第３マスク５０Ｃに比べて、第２方向Ｄ２において第１辺領域４１１に隣接する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂにおいて生じ易い。この点を考慮し、マスク装置４０において、第１方向Ｄ１において第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに加えられている張力は、第１方向Ｄ１において第３マスク５０Ｃに加えられている張力よりも大きくてもよい。また、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂにおける上述の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は、第３マスク５０Ｃにおける比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕よりも大きくてもよい。

一方、マスク５０に加えられている張力Ｔが大きくなり過ぎると、基板１１０と組み合わされていない状態のマスク５０において、平面視において第１方向Ｄ１に沿って延びるシワが生じることがある。図１２～図１５は、第１方向Ｄ１においてマスク５０に加える張力Ｔと、マスク５０に生じるシワ５７との関係の一例を示す断面図である。

図１２は、第１方向Ｄ１において張力Ｔが加えられていない状態のマスク５０の、第２方向Ｄ２に沿った断面図の一例である。マスク５０の第２面５５ｂ側の第２凹部５６２の寸法ｒ２が第１面５５ａ側の第１凹部５６１の寸法ｒ１よりも大きい場合、図１２に示すように、第２方向Ｄ２の全域にわたって第１面５５ａ側に凸となるような変形がマスク５０に生じ易い。

図１３～図１５は、第１方向Ｄ１において張力Ｔが加えられている状態のマスク５０の、第２方向Ｄ２に沿った断面図の一例である。図１４に示すマスク５０に加えられている張力Ｔは、図１３に示すマスク５０に加えられている張力Ｔよりも大きい。また、図１５に示すマスク５０に加えられている張力Ｔは、図１４に示すマスク５０に加えられている張力Ｔよりも大きい。図１３～図１５に示すように、第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力Ｔが加えられると、マスク５０の第１面５５ａ側に凸となっているシワ５７が生じることがある。また、第１方向Ｄ１においてマスク５０に加えられる張力が増加するにつれて、シワ５７の高さＨが増加することがある。

張力Ｔとシワ５７の高さＨとの関係を考慮すると、後述する実施例によってサポートされるように、比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を５０．０以下にすることが好ましい。これにより、マスク５０のシワ５７の高さを１５０μｍ以下に低減できる。このため、基板１１０からの押圧力によってシワ５７が変形する場合に、マスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制することができる。また、シワ５７に起因してマスク５０と基板１１０との間に隙間が形成されることを抑制できるので、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制できる。

第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに加えられている張力が第３マスク５０Ｃに加えられている張力よりも大きい場合、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに生じているシワ５７の高さが、第３マスク５０Ｃに生じているシワ５７の高さよりも大きくなり得る。基板１１０と組み合わされていない状態のマスク５０のシワ５７の高さは、マスク５０の第１面５５ａの法線方向における第１面５５ａの各領域の位置を、レーザー変位計を用いて測定することによって算出することができる。レーザー変位計としては、キーエンス社製のＬＫ－Ｇ８５を用いることができる。

比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は、例えば、１３．０以上であってもよく、１６．０以上であってもよく、１９．０以上であってもよく、２０．０以上であってもよい。また、比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は、例えば、５０．０以下であってもよく、４５．０以下であってもよく、２５．０以下であってもよく、２１．０以下であってもよい。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕の範囲は、１３．０、１６．０、１９．０及び２０．０からなる第１グループ、及び／又は、５０．０、４５．０、２５．０及び２１．０からなる第２グループによって定められてもよい。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１３．０以上２１．０以下であってもよく、１３．０以上２５．０以下であってもよく、１３．０以上４５．０以下であってもよく、１３．０以上５０．０以下であってもよく、１３．０以上２０．０以下であってもよく、１３．０以上１９．０以下であってもよく、１３．０以上１６．０以下であってもよく、１６．０以上２１．０以下であってもよく、１６．０以上２５．０以下であってもよく、１６．０以上４５．０以下であってもよく、１６．０以上５０．０以下であってもよく、１６．０以上２０．０以下であってもよく、１６．０以上１９．０以下であってもよく、１９．０以上２１．０以下であってもよく、１９．０以上２５．０以下であってもよく、１９．０以上４５．０以下であってもよく、１９．０以上５０．０以下であってもよく、１９．０以上２０．０以下であってもよく、２０．０以上２１．０以下であってもよく、２０．０以上２５．０以下であってもよく、２０．０以上４５．０以下であってもよく、２０．０以上５０．０以下であってもよく、５０．０以上２１．０以下であってもよく、５０．０以上２５．０以下であってもよく、５０．０以上４５．０以下であってもよく、４５．０以上２１．０以下であってもよく、４５．０以上２５．０以下であってもよく、２５．０以上２１．０以下であってもよい。

第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比は、例えば、１．０１以上であってもよく、１．０２以上であってもよく、１．０３以上であってもよく、１．０５以上であってもよい。また、第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比は、例えば、１．１０以下であってもよく、１．２０以下であってもよく、１．３０以下であってもよく、１．５０以下であってもよい。第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比の範囲は、１．０１、１．０２、１．０３及び１．０５からなる第１グループ、及び／又は、１．１０、１．２０、１．３０及び１．５０からなる第２グループによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃの張力に対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの張力の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０１以上１．５０以下であってもよく、１．０１以上１．３０以下であってもよく、１．０１以上１．２０以下であってもよく、１．０１以上１．１０以下であってもよく、１．０１以上１．０５以下であってもよく、１．０１以上１．０３以下であってもよく、１．０１以上１．０２以下であってもよく、１．０２以上１．５０以下であってもよく、１．０２以上１．３０以下であってもよく、１．０２以上１．２０以下であってもよく、１．０２以上１．１０以下であってもよく、１．０２以上１．０５以下であってもよく、１．０２以上１．０３以下であってもよく、１．０３以上１．５０以下であってもよく、１．０３以上１．３０以下であってもよく、１．０３以上１．２０以下であってもよく、１．０３以上１．１０以下であってもよく、１．０３以上１．０５以下であってもよく、１．０５以上１．５０以下であってもよく、１．０５以上１．３０以下であってもよく、１．０５以上１．２０以下であってもよく、１．０５以上１．１０以下であってもよく、１．１０以上１．５０以下であってもよく、１．１０以上１．３０以下であってもよく、１．１０以上１．２０以下であってもよく、１．２０以上１．５０以下であってもよく、１．２０以上１．３０以下であってもよく、１．３０以上１．５０以下であってもよい。

第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比は、例えば、１．０１以上であってもよく、１．０２以上であってもよく、１．０３以上であってもよく、１．０５以上であってもよい。また、第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比は、例えば、１．１０以下であってもよく、１．２０以下であってもよく、１．３０以下であってもよく、１．５０以下であってもよい。第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比の範囲は、１．０１、１．０２、１．０３及び１．０５からなる第１グループ、及び／又は、１．１０、１．２０、１．３０及び１．５０からなる第２グループによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３マスク５０Ｃのシワ５７の高さに対する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのシワ５７の高さの比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０１以上１．５０以下であってもよく、１．０１以上１．３０以下であってもよく、１．０１以上１．２０以下であってもよく、１．０１以上１．１０以下であってもよく、１．０１以上１．０５以下であってもよく、１．０１以上１．０３以下であってもよく、１．０１以上１．０２以下であってもよく、１．０２以上１．５０以下であってもよく、１．０２以上１．３０以下であってもよく、１．０２以上１．２０以下であってもよく、１．０２以上１．１０以下であってもよく、１．０２以上１．０５以下であってもよく、１．０２以上１．０３以下であってもよく、１．０３以上１．５０以下であってもよく、１．０３以上１．３０以下であってもよく、１．０３以上１．２０以下であってもよく、１．０３以上１．１０以下であってもよく、１．０３以上１．０５以下であってもよく、１．０５以上１．５０以下であってもよく、１．０５以上１．３０以下であってもよく、１．０５以上１．２０以下であってもよく、１．０５以上１．１０以下であってもよく、１．１０以上１．５０以下であってもよく、１．１０以上１．３０以下であってもよく、１．１０以上１．２０以下であってもよく、１．２０以上１．５０以下であってもよく、１．２０以上１．３０以下であってもよく、１．３０以上１．５０以下であってもよい。

フレーム４１の第２辺領域４１２に固定されている状態のマスク５０に第１方向Ｄ１において加えられている張力Ｔを算出する方法について説明する。第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力Ｔが加えられている場合、第２辺領域４１２は、張力Ｔとは反対の方向において反力を受けている。これにより、図４に示すように、第２辺領域４１２は、開口４２に向かって凸となるように弾性的に変形することがある。第２辺領域４１２が弾性的に変形すると、第２辺領域４１２には、第１方向Ｄ１において開口４２から遠ざかる向きにおいて復元力が生じる。第２辺領域４１２が静止している状態において、第２辺領域４１２に生じる復元力は、第２辺領域４１２からマスク５０に加えられている張力Ｔと釣り合うことができる。また、第２辺領域４１２に生じる復元力は、第２辺領域４１２に生じている変形に対応している。従って、第２辺領域４１２に生じている変形に基づいて復元力を算出することにより、第２辺領域４１２からマスク５０に加えられている張力Ｔを算出することができる。

第２辺領域４１２に生じている変形に基づいて復元力を算出する方法としては、例えば有限要素法を用いることができる。有限要素法は、フレーム４１を複数の小領域に分割し、各領域において応力と変位の関係を近似的に求める方法である。有限要素法を実行するためのソフトウェアとしては、例えばＡＤＩＮＡ Ｒ＆Ｄ社 （米）製のＡＤＩＮＡを用いることができる。

第１方向Ｄ１に直交するマスク５０の断面の断面積Ｓを算出する方法について、図１６を参照して説明する。断面積Ｓにおいては、マスク５０の断面積が、貫通孔５６の分だけ金属板５５の断面積よりも小さくなっていることが考慮されている。図１６は、マスク５０からサンプルを取り出す様子を示す平面図である。

まず、図１６に示すように、マスク５０の一部を打ち抜くことにより、第１サンプル６１及び第２サンプル６２を作製する。第１サンプル６１は、マスク５０のうち貫通孔５６が形成されている領域を、例えば有効領域５３を打ち抜くことによって作製される。第２サンプル６２は、マスク５０のうち貫通孔５６が形成されていない領域を、例えば耳部５１を打ち抜くことによって作製される。第１サンプル６１及び第２サンプル６２はいずれも、平面視において、２０ｍｍの直径を有する円形である。

続いて、第１サンプル６１の重量Ｙ１及び第２サンプル６２の重量Ｙ２を測定する。また、第２サンプル６２の厚みＺ２を測定する。また、マスク５０の幅Ｗ３を測定する。第２サンプル６２の厚みＺ２を測定する測定器としては、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いることができる。マスク５０の幅Ｗ３を測定する測定器としては、新東Ｓプレシジョン株式会社製のＡＭＩＣ－１１００を用いることができる。

図１６に示すように、複数の第１サンプル６１をマスク５０から取り出してもよい。この場合、複数の第１サンプル６１の重量を測定し、それらの平均値を重量Ｙ１として採用してもよい。第２サンプル６２についても同様である。すなわち、複数の第２サンプル６２の測定結果の平均値を、重量Ｙ２、厚みＺ２などとして採用してもよい。マスク５０の幅Ｗ３についても同様である。

第１方向Ｄ１に直交するマスク５０の断面の断面積Ｓは、下記の式により算出される。
Ｓ＝（Ｙ１／Ｙ２）×Ｚ２×Ｗ１

次に、上述のマスク装置４０を製造する方法について説明する。図１７は、マスク装置４０を製造する方法の一例を示す平面図である。

まず、フレーム４１を準備する。続いて、第２方向Ｄ２において第１桟部材４３に張力を加えた状態で、第１桟部材４３をフレーム４１の第１辺領域４１１に固定してもよい。例えば、第１桟部材４３の端部を第１辺領域４１１に溶接してもよい。これによって、図１７に示すように、フレーム４１及び第１桟部材４３を備える支持構造体４８を準備することができる。

続いて、クランプ７１によって第１マスク５０Ａなどのマスク５０の耳部５１を掴み、クランプ７１が第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力Ｔを加えた状態で、マスク５０をフレーム４１の第１フレーム面４１ａ上に位置付けてもよい。この時、マスク５０は、フレーム４１の第１フレーム面４１ａに接していてもよく、接していなくてもよい。

１つの耳部５１に固定されるクランプ７１の数は、１であってもよく、２以上であってもよい。例えば図１７に示すように、一方の耳部５１の第１端５０１側の領域及び第２端５０２側の領域にそれぞれクランプ７１が固定されていてもよい。第１端５０１及び第２端５０２は、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の一方の端及び他方の端である。複数のクランプ７１が１つの耳部５１に固定されている場合、マスク５０に加えられる張力Ｔは、複数のクランプ７１がマスク５０に加える張力の合計である。

続いて、フレーム４１に対するマスク５０の位置を調整する調整工程を実施してもよい。調整工程は、フレーム４１の例えばアライメントマーク４５に対するマスク５０の位置を検出する検出工程を含んでいてもよい。また、調整工程は、マスク５０の現実の位置とマスク５０の理想的な位置との差が小さくなるようにクランプ７１の位置や張力Ｔを制御する制御工程を含んでいてもよい。

続いて、第１方向Ｄ１に張力Ｔを加えた状態で、第１フレーム面４１ａの側においてマスク５０を第２辺領域４１２に固定する固定工程を実施してもよい。この際、マスク５０の断面積Ｓに対する、マスク５０に加えられる張力Ｔとの比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は、４．０以上１２．０以下であってもよい。クランプ７１がマスク５０に加える張力Ｔは、ＫＰＳ社製の架張溶接機によって設定される。

固定工程においては、耳部５１にレーザー光を照射して耳部５１の一部を溶融させることにより、耳部５１をフレーム４１に溶接してもよい。図１７において、符号５９は、耳部５１のうちフレーム４１に溶接されている溶接領域を表している。

固定工程においては、図１７において符号Ｇで示すように、第１方向Ｄ１において開口４２の側に向かう調整力Ｇを第２辺領域４１２に加えてもよい。調整力Ｇを第２辺領域４１２に加えることにより、第２辺領域４１２を第１方向Ｄ１において開口４２側に変形させることができる。これにより、マスク５０が固定される前の状態の第２辺領域４１２に上述の復元力を生じさせることができる。好ましくは、調整力Ｇは、第２辺領域４１２に生じる復元力と、マスク５０が第２辺領域４１２に固定された後に第２辺領域４１２がマスク５０に加える張力Ｔとが釣り合うように調整される。これにより、マスク５０が固定されて調整力Ｇが取り除かれた後に第２辺領域４１２が変位することを抑制することができる。

複数のマスク５０をフレーム４１に固定する順序は任意である。例えば図１７に示すように、はじめに、第２方向Ｄ２において第１辺領域４１１に隣接する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂをフレーム４１に固定してもよい。その後、第２方向Ｄ２において第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂよりも中央側に位置するマスク５０を順にフレーム４１に固定してもよい。最後に、第２方向Ｄ２において中央に位置する第３マスク５０Ｃをフレーム４１に固定してもよい。

若しくは、はじめに、第２方向Ｄ２において中央に位置する第３マスク５０Ｃをフレーム４１に固定してもよい。次に、第２方向Ｄ２において第３マスク５０Ｃの近くに位置するマスク５０を順にフレーム４１に固定してもよい。図１８に示すように、最後に、第２方向Ｄ２において第１辺領域４１１に隣接する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂをフレーム４１に固定してもよい。

固定工程において、第１方向Ｄ１において第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに加えられる張力が、第１方向Ｄ１において第３マスク５０Ｃに加えられる張力よりも大きくてもよい。これにより、マスク５０がフレーム４１の第２辺領域４１２に固定されている状態において、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに加えられている張力を、第３マスク５０Ｃに加えられている張力よりも大きくすることができる。

マスク５０の耳部５１をフレーム４１の第２辺領域４１２の第１フレーム面４１ａに固定した後、耳部５１のうち溶接領域５９よりも外側に位置する領域を部分的に除去してもよい。「外側」とは、フレーム４１の開口４２から遠ざかる側である。

本開示のマスク装置４０の製造方法においては、上述のとおり、固定工程において、マスク５０の断面積Ｓに対する、マスク５０に加えられる張力Ｔとの比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を１３．０以上５０．０以下にする。比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を１３．０以上にすることにより、第１桟部材４３に沿った変位に起因してマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制することができる。また、比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕を５０．０以下にすることにより、シワ５７に起因してマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制することができる。

固定工程において、上述の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は、全てのマスク５０において１３．０以上５０．０以下になっていてもよく、一部のマスク５０において１３．０以上５０．０以下になっていてもよい。例えば、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂにおいては比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．０以上５０．０以下の範囲内であり、第３マスク５０Ｃにおいては比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．０以上５０．０以下の範囲外であってもよい。

次に、マスク装置４０を備える蒸着装置１０を利用して有機デバイス１００を製造する方法について説明する。

まず、第１電極層１２０及び絶縁層１６０などの層が形成されている基板１１０を準備する。また、基板１１０を蒸着装置１０の内部に搬入する。基板１１０を蒸着装置１０の内部に搬入する前に、基板１１０に洗浄などの前処理が施されてもよい。

続いて、マスク装置４０のマスク５０の貫通孔５６を介して有機材料を基板１１０に蒸着させる蒸着工程を実施する。これにより、基板１１０上に蒸着層１３０を形成することができる。

蒸着工程においては、マスク装置４０と基板１１０とを組み合わせる工程を実施してもよい。例えば図１９に示すように、基板１１０をマスク装置４０のマスク５０に向けて移動させて、基板１１０の第１面１１１を部分的にマスク５０の第１面５５ａに接触させてもよい。

マスク５０が、第１面５５ａ側に凸となるシワ５７を含んでいる場合、シワ５７が基板１１０の第１面１１１に接触することがある。マスク５０のシワ５７は、基板１１０からの押圧力を受ける。この結果、シワ５７の高さが減少するようにシワ５７が変形することができる。また、蒸着装置１０が磁石５を備える場合、磁石５が磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せることにより、シワ５７の高さが減少するようにシワ５７が変形することもできる。シワ５７の高さが減少することにより、シワ５７に起因してマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制することができる。

図２０は、基板１１０と組み合わされている状態のマスク装置４０の第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃの一部を示す断面図である。本開示の形態によれば、上述の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．０以上５０．０以下であることにより、マスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制することができる。すなわち、図２０に示すように、ΔＡ、ΔＢ及びΔＣを低減することができる。これにより、貫通孔５６を介して基板１１０に蒸着される蒸着材料によって構成される蒸着層１３０の位置精度を高くすることができる。

蒸着層１３０の位置精度が高いことによる利点の例について説明する。図２０に示すように有機デバイス１００が絶縁層１６０を備える場合、基板１１０の面方向における絶縁層１６０の寸法は、蒸着工程における蒸着層１３０の位置精度に基づいて設定されてもよい。例えば、蒸着層１３０の位置精度が高いほど、絶縁層１６０の寸法が小さく設定されてもよい。有機デバイス１００の画素密度が一定である場合、絶縁層１６０の寸法が小さいほど、第１電極層１２０や蒸着層１３０の面積を大きくすることができる。これにより、有機デバイス１００の駆動効率を高くすることができ、有機デバイス１００の寿命を長くすることができる。

なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

上述の実施の形態においては、マスク５０の有効領域５３を囲む周囲領域５４が貫通孔５６を含まない例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２１に示すように、周囲領域５４が貫通孔５６を含んでいてもよい。この場合、有効領域５３は、図２１に示すように、第１方向Ｄ１においてマスク装置４０の第１桟部材４３の間に位置する貫通孔５６を含む領域として画定されてもよい。

図２２は、マスク装置４０の一例を示す平面図である。図２２に示すように、マスク装置４０の支持構造体４８は、フレーム４１の第１フレーム面４１ａの側において一対の第２辺領域４１２に固定されている第２桟部材４４を備えていてもよい。第２桟部材４４は、開口４２を横切るように第１方向Ｄ１に延びていてもよい。また、第２桟部材４４は、平面視において、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのマスク５０の隙間に重なっていてもよい。第２桟部材４４を設けることにより、２つのマスク５０の間の隙間を通った蒸着材料が基板１１０に付着することを抑制することができる。

図２３は、図２２のマスク装置４０からマスク５０を取り除いた状態を示す平面図である。図２３に示すように、第２桟部材４４は、フレーム４１の厚み方向において、フレーム４１と第１桟部材４３との間に位置していてもよい。図示はしないが、フレーム４１の厚み方向において、第１桟部材４３がフレーム４１と第２桟部材４４との間に位置していてもよい。

次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（例１）
第１方向Ｄ１において張力Ｔを加えた状態でマスク５０をフレーム４１の一対の第２辺領域４１２に固定する固定工程を実施して、図４に示すマスク装置４０を作製した。マスク装置４０の構成要素の寸法は下記の通りである。
・マスク５０の厚みＴ１：３０μｍ
・マスク５０の長さＬ１：１２００ｍｍ
・マスク５０の幅Ｗ１：７２ｍｍ
・フレーム４１の厚みＴ２：３０ｍｍ
・第１桟部材４３の厚みＴ３：１００μｍ
・第１桟部材４３の長さＬ３：１８００ｍｍ
・第１桟部材４３の幅Ｗ３：５．５ｍｍ

固定工程において、第１方向Ｄ１に直交するマスク５０の断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕は１２．０であった。

マスク装置４０を用いて基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程を実施した。続いて、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通った蒸着材料によって形成された蒸着層１３０について、蒸着層１３０の現実の位置と設計位置との間の第２方向Ｄ２における差であるピクセル位置精度を測定した。測定器としては、新東Ｓプレシジョン株式会社製のＡＭＩＣ－１１００を用いた。結果、ピクセル位置精度は２．５μｍであった。

（例２）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１２．６であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０を用いて基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程を実施した。続いて、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通った蒸着材料によって形成された蒸着層１３０について、ピクセル位置精度を測定した。結果、ピクセル位置精度は３．１μｍであった。

（例３）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．８であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０を用いて基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程を実施した。続いて、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通った蒸着材料によって形成された蒸着層１３０について、ピクセル位置精度を測定した。結果、ピクセル位置精度は０．３μｍであった。

（例４）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１９．５であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０を用いて基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程を実施した。続いて、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通った蒸着材料によって形成された蒸着層１３０について、ピクセル位置精度を測定した。結果、ピクセル位置精度は０．６μｍであった。

（例５）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が２０．２であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０を用いて基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程を実施した。続いて、第１マスク５０Ａの貫通孔５６を通った蒸着材料によって形成された蒸着層１３０について、ピクセル位置精度を測定した。結果、ピクセル位置精度は０．５μｍであった。

例１～例５におけるＴ／Ｓとピクセル位置精度との関係を図２４に示す。図２４に示すように、固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．０以上である例３～例５においては、ピクセル位置精度が１．０μｍ以下であった。一方、固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１３．０未満である例１及び例２においては、ピクセル位置精度が２．０μｍ以上であった。

（例６）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が２０．６であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０の第１マスク５０Ａに生じているシワの高さを測定した。結果、シワの高さは１２６μｍであった。

（例７）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が２４．７であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０の第１マスク５０Ａに生じているシワの高さを測定した。結果、シワの高さは１４１μｍであった。

（例８）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が４３．９であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０の第１マスク５０Ａに生じているシワの高さを測定した。結果、シワの高さは１４８μｍであった。

（例９）
固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が１２１．３であること以外は、例１の場合と同様にして、マスク装置４０を作製した。また、マスク装置４０の第１マスク５０Ａに生じているシワの高さを測定した。結果、シワの高さは２３７μｍであった。

例６～例９におけるＴ／Ｓとシワの高さとの関係を図２５に示す。図２５に示すように、固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が５０．０以上である例６～例８においては、シワの高さが１５０μｍ以下であった。一方、固定工程における比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が５０．０を超える例９においては、シワの高さが２００μｍ以上であった。

Claims (15)

1. マスク装置の製造方法であって、
   開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、前記第１辺領域とは異なる方向に延び、前記開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第１辺領域に固定されている第１桟部材と、を備える支持構造体を準備する準備工程と、
   貫通孔を含むマスクに、前記第１方向において張力を加えた状態で、前記第１フレーム面の側において前記マスクを一対の前記第２辺領域に固定する固定工程と、を備え、
   前記マスクは、ニッケルを含む鉄合金からなる金属板と、前記金属板の面からなる第１面と、前記金属板の面からなる第２面と、前記第１面から前記第２面へ前記金属板を貫通する複数の貫通孔と、を含み、
   前記マスクは、前記フレームの前記一対の第２辺領域に重なっている一対の耳部と、前記一対の耳部の間に位置する中間部と、を含み、
   前記中間部は、前記複数の貫通孔を含み、
   前記中間部は、平面視において前記フレームの前記開口に重なり、
   前記第１方向に直交する前記マスクの断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する、前記第１方向において前記マスクに加えられる前記張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が、１３．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以上５０．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以下である、製造方法。
2. 前記固定工程は、前記第１方向に直交する第２方向に沿って並ぶ３以上のマスクを一対の前記第２辺領域に固定する工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記固定工程において、前記第２方向において前記フレームの前記第１辺領域に隣接する前記マスクに加えられる前記張力が、前記第２方向の中央に位置する前記マスクに加えられる前記張力よりも大きい、請求項２に記載の製造方法。
4. 前記支持構造体は、前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されている第２桟部材を備える、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法。
5. 前記マスクの厚みが５０μｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 前記第１桟部材の厚みが５０μｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の製造方法。
7. 前記第１桟部材の長さが１４００ｍｍ以上である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の製造方法。
8. マスク装置であって、
   開口を隔てて向かい合う一対の第１辺領域と、前記第１辺領域とは異なる方向に延び、前記開口を隔てて第１方向において向かい合う一対の第２辺領域と、を含むフレームと、
   前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第１辺領域に固定されている第１桟部材と、
   貫通孔を含み、前記第１方向において張力を加えられた状態で前記第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されているマスクと、を備え、
   前記マスクは、ニッケルを含む鉄合金からなる金属板と、前記金属板の面からなる第１面と、前記金属板の面からなる第２面と、前記第１面から前記第２面へ前記金属板を貫通する複数の貫通孔と、を含み、
   前記マスクは、前記フレームの前記一対の第２辺領域に重なっている一対の耳部と、前記一対の耳部の間に位置する中間部と、を含み、
   前記中間部は、前記複数の貫通孔を含み、
   前記中間部は、平面視において前記フレームの前記開口に重なり、
   前記第１方向に直交する前記マスクの断面の断面積Ｓ〔ｍｍ^２〕に対する、前記第１方向において前記マスクに加えられている前記張力Ｔ〔Ｎ〕の比Ｔ／Ｓ〔Ｎ／ｍｍ^２〕が、１３．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以上５０．０〔Ｎ／ｍｍ^２〕以下である、マスク装置。
9. 前記第１方向に直交する第２方向に沿って並ぶ３以上の前記マスクを備える、請求項８に記載のマスク装置。
10. 前記第２方向において前記フレームの前記第１辺領域に隣接する前記マスクに加えられている前記張力が、前記第２方向の中央に位置する前記マスクに加えられている前記張力よりも大きい、請求項９に記載のマスク装置。
11. 前記フレームの第１フレーム面の側において一対の前記第２辺領域に固定されている第２桟部材を備える、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のマスク装置。
12. 前記マスクの厚みが５０μｍ以下である、請求項８乃至１１のいずれか一項に記載のマスク装置。
13. 前記第１桟部材の厚みが５０μｍ以上１ｍｍ以下である、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載のマスク装置。
14. 前記第１桟部材の長さが１４００ｍｍ以上である、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載のマスク装置。
15. 有機デバイスの製造方法であって、
    請求項８乃至１４のいずれか一項に記載のマスク装置の前記マスクの前記貫通孔を介して有機材料を基板に蒸着させて前記基板に蒸着層を形成する蒸着工程を備える、有機デバイスの製造方法。