JP2024003780A - マスクの製造方法、マスク及びマスク装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクの大型化のための投資を削減できる、マスクの製造方法、マスク及びマスク装置の製造方法を提供する。【解決手段】マスクは、少なくとも１つの第１の貫通孔群を含む第１部分５０Ａと、第１方向において第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の貫通孔群を含む第２部分５０Ｂと、を備えてもよい。マスクの製造方法は、オリジナル基材５５Ａ及びレジスト層を含む積層体を準備するステップと、第１露光マスクを用いて、第１部分に対応するレジスト層を露光する第１露光プロセスと、第２露光マスクを用いて、第２部分に対応するレジスト層を露光する第２露光プロセスと、第１部分に対応するレジスト層、及び第２部分に対応するレジスト層を現像するプロセスと、第１部分に対応するレジスト層、及び第２部分に対応するレジスト層を介してオリジナル基材をエッチングするプロセスと、を備えてもよい。【選択図】図１３Ａ

Description

本開示の実施形態は、マスクの製造方法、マスク及びマスク装置の製造方法に関する。

有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスが注目されている。有機デバイスの素子を形成する方法として、素子を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで第１電極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を第１電極の上に付着させ、第１電極の上に有機層を形成する。続いて、有機層の上に第２電極を形成する。

マスクの製造方法として、金属板などの基材をエッチングして貫通孔を形成する方法が知られている。製造方法は、露光マスクを用いて基材上のレジスト層を露光するステップと、露光及び現像されたレジスト層を介して基材をエッチングするステップと、を備える。

特許第３５３９５９７号公報

有機デバイスの製造コストを低減する手段の１つとして、基板の大型化が考えられる。基板が大型化すると、マスクも大型化し、マスクを製造するための製造設備も大型化する。例えば、第８世代の基板に対応するマスクを製造するためには、第８世代の基板に対応する露光マスクが求められる。しかしながら、露光マスクを大型化するためには、多大な投資が必要になる。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得るマスクの製造方法を提供する。

本開示の一実施形態による、マスクの製造方法において、前記マスクは、少なくとも１つの第１の貫通孔群を含む第１部分と、第１方向において前記第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の貫通孔群を含む第２部分と、を備えてもよい。前記製造方法は、オリジナル基材及びレジスト層を含む積層体を準備するステップと、第１露光マスクを用いて、前記第１部分に対応する前記レジスト層を露光する第１露光プロセスと、第２露光マスクを用いて、前記第２部分に対応する前記レジスト層を露光する第２露光プロセスと、前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を現像するプロセスと、前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を介して前記オリジナル基材をエッチングするプロセスと、を備えてもよい。前記第１露光マスクは、前記オリジナル基材の第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第１露光マスクと、前記オリジナル基材の第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第１露光マスクと、を含んでもよい。前記第１露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第１露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第１露光マスクによって露光されてもよい。前記第２露光マスクは、前記第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第２露光マスクと、前記第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第２露光マスクと、を含んでもよい。前記第２露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第２露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第２露光マスクによって露光されてもよい。前記第１部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第１部分の外縁及び前記第１の貫通孔群が形成されてもよい。前記第２部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第２部分の外縁及び前記第２の貫通孔群が形成されてもよい。

本開示の一実施形態によれば、マスクの大型化のための投資を削減できる。

有機デバイスの一例を示す断面図である。 有機デバイス群の一例を示す平面図である。 蒸着装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 マスクの一例を示す平面図である。 マスクの第１端部の一例を示す平面図である。 第１中間部及び第２中間部の一例を示す平面図である。 第１配列方向と第２配列方向の関係の一例を示す図である。 第１配列方向と第２配列方向の関係の一例を示す図である。 第１中間部及び第２中間部の一例を示す平面図である。 第１中間部及び第２中間部の一例を示す平面図である。 図５のマスクをＡ－Ａ方向から見た断面図である。 マスクを製造するために用いられる基材を示す断面図である。 第１露光マスクを用いてレジスト層を露光するプロセスの一例を示す平面図である。 図１２Ａの基材をＢ－Ｂ方向から見た断面図である。 第１露光マスクによって露光されたレジスト層の一例を示す平面図である。 図１３Ａの基材をＣ－Ｃ方向から見た断面図である。 第２露光マスクを用いてレジスト層を露光するプロセスの一例を示す平面図である。 図１４Ａの基材をＤ－Ｄ方向から見た断面図である。 第２露光マスクによって露光されたレジスト層の一例を示す平面図である。 図１５Ａの基材をＥ－Ｅ方向から見た断面図である。 エッチングされた基材の一例を示す断面図である。 基材に形成されたマスクの一例を示す平面図である。 図１７Ａの基材をＦ－Ｆ方向から見た断面図である。 マスク支持体に対するマスクの位置を定めるアライメント工程の一例を示す平面図である。 張力が加えられているマスクの一例を示す平面図である。 調整工程の一例を示す平面図である。 シフト工程の一例を示す平面図である。 例１のマスクを示す平面図である。 例１のマスクの貫通孔の逸脱距離を示すグラフである。 張力が加えられた状態における例１のマスクの逸脱距離を示すグラフである。 調整工程が実施された状態における例１のマスクの貫通孔の逸脱距離を示すグラフである。 シフト工程が実施された状態における例１のマスクの貫通孔の逸脱距離を示すグラフである。 例１～例５における逸脱距離の最大値を示す表である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して２つ以上のステップ又はプロセスを開示する場合に、開示されているステップ又はプロセスの間に、開示されていないその他のステップ又はプロセスが実施されてもよい。また、開示されているステップ又はプロセスの順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。

本開示の第１の態様は、マスクの製造方法であって、
前記マスクは、少なくとも１つの第１の貫通孔群を含む第１部分と、第１方向において前記第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の貫通孔群を含む第２部分と、を備え、
前記製造方法は、
オリジナル基材及びレジスト層を含む積層体を準備するステップと、
第１露光マスクを用いて、前記第１部分に対応する前記レジスト層を露光する第１露光プロセスと、
第２露光マスクを用いて、前記第２部分に対応する前記レジスト層を露光する第２露光プロセスと、
前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を現像するプロセスと、
前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を介して前記オリジナル基材をエッチングするプロセスと、を備え、
前記第１露光マスクは、前記オリジナル基材の第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第１露光マスクと、前記オリジナル基材の第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第１露光マスクと、を含み、
前記第１露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第１露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第１露光マスクによって露光され、
前記第２露光マスクは、前記第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第２露光マスクと、前記第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第２露光マスクと、を含み、
前記第２露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第２露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第２露光マスクによって露光され、
前記第１部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第１部分の外縁及び前記第１の貫通孔群が形成され、
前記第２部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第２部分の外縁及び前記第２の貫通孔群が形成される、
マスクの製造方法である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスクの製造方法において、前記第１露光マスクは、第１辺及び第２辺を含む矩形を有してもよい。前記第１辺は、１０９０ｍｍ以上であってもよい。前記第２辺は、８１０ｍｍ以上であってもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は第２の態様によるマスクの製造方法において、前記オリジナル基材の厚みが３０μｍ以上であってもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様～第３の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記第２露光プロセスは、前記第１露光プロセスが実施された後の、前記第１部分に対応する前記レジスト層を基準として、前記第２露光マスクの位置を調整するプロセスを含んでもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様～第４の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記第２露光プロセスは、前記第１露光プロセスにおいて用いられた前記第１露光マスクの位置を基準として、前記第２露光マスクの位置を調整するプロセスを含んでもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第１の態様～第５の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記第１露光プロセスは、前記第１面第１露光マスクと前記第２面第１露光マスクとの間の相対的な位置を調整するプロセスを含んでもよく、前記第２露光プロセスは、前記第１面第２露光マスクと前記第２面第２露光マスクとの間の相対的な位置を調整するプロセスを含んでもよい。

本開示の第７の態様は、マスクであって、
第１方向に延びる第１側縁及び第２側縁を含み、第１面及び第２面を含む基材と、
前記基材を貫通する複数の貫通孔群と、を備え、
平面視において、前記マスクは、少なくとも１つの第１の前記貫通孔群を含む第１部分と、第１方向において前記第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の前記貫通孔群を含む第２部分と、を備え、
前記第１の貫通孔群の第１配列方向と前記第２の貫通孔群の第２配列方向とが成す第１角度θ１が、０．０００４２°以上であり、
前記第１配列方向は、前記第１の貫通孔群に属し、前記第１側縁に沿って並ぶ貫通孔の配列方向であり、
前記第２配列方向は、前記第２の貫通孔群に属し、前記第１側縁に沿って並ぶ貫通孔の配列方向である、マスクである。

本開示の第８の態様は、上述した第７の態様によるマスクにおいて、平面視において、前記マスクは、前記第１方向に並ぶ複数の前記貫通孔群を含む中間部を備えてもよい。前記第１方向における前記中間部の寸法が、１０００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下であってもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第７の態様又は第８の態様によるマスクにおいて、前記第１側縁は、前記第１部分と前記第２部分の境界に位置し、前記第１方向に直交する第２方向において変位する第１段部を含んでもよい。

本開示の第１０の態様は、上述した第９の態様によるマスクにおいて、前記第１段部の寸法Ｓ１が、３．０μｍ以下であってもよい。

本開示の第１１の態様は、上述した第７の態様～第１０の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記第１角度θ１が、０．００１２５°以下であってもよい。

本開示の第１２の態様は、上述した第９の態様によるマスクにおいて、前記第１段部の寸法Ｓ１と、前記第１角度θ１との間に、下記の関係式が成立していてもよい。
４８２０[μｍ／°]×θ１[°]＋Ｓ１[μｍ]≦６．０[μｍ]

本開示の第１３の態様は、上述した第７の態様～第１２の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記第１方向における前記第１部分の寸法が、９００ｍｍ以上であってもよく、前記第１方向における前記第２部分の寸法が、９００ｍｍ以上であってもよい。

本開示の第１４の態様は、上述した第７の態様～第１３の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記第１部分は、前記第１方向における前記マスクの端を構成する第１端を含んでもよく、前記第２部分は、前記第１方向における前記マスクの端を構成する第２端を含んでもよい。

本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様によるマスクにおいて、平面視において、前記第１端及び前記第２端はそれぞれ、前記第１方向に直交する第２方向に並ぶ２つ以上の凹部を含んでもよい。

本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様によるマスクにおいて、前記凹部は、前記第１方向において５ｍｍ以上の寸法を有してもよい。

本開示の第１７の態様は、マスク装置の製造方法であって、
上述した第７の態様～第１６の態様のいずれか１つによるマスクに張力を加えながら枠に対する前記マスクの位置を定めるアライメント工程と、
前記マスクを前記枠に固定する固定工程と、を備え、
前記第１部分は、前記第１方向において前記第２の貫通孔群と隣り合う前記第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される第１内側基準孔と、前記第１方向において前記第２の貫通孔群から最も離れた前記第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される第１外側基準孔と、を含み、
前記第２部分は、前記第１方向において前記第１の貫通孔群から最も離れた前記第２の貫通孔群の貫通孔によって構成される第２外側基準孔を含み、
前記アライメント工程は、
前記第１外側基準孔及び前記第２外側基準孔に基づいて前記張力を調整する調整工程と、
前記調整工程の後、前記第１内側基準孔に基づいて、前記第１方向に直交する第２方向において前記マスクを移動させるシフト工程と、を含む、マスク装置の製造方法である。

本開示の第１８の態様は、上述した第１７の態様によるマスク装置の製造方法において、前記調整工程は、前記第２方向において、前記第１外側基準孔の逸脱距離及び前記第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第１調整閾値するよう前記張力を調整してもよい。

本開示の第１９の態様は、上述した第１７の態様又は第１８の態様によるマスク装置の製造方法において、前記シフト工程は、前記第２方向において、前記第１外側基準孔の逸脱距離、前記第１内側基準孔の逸脱距離、及び前記第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも閾値以下になるよう、前記第２方向において前記マスクを移動させてもよい。

本開示の第２０の態様は、上述した第１９の態様によるマスク装置の製造方法において、前記シフト工程は、前記第１外側基準孔の逸脱距離と前記第１内側基準孔の逸脱距離との差が第３調整閾値以下になるよう、前記第２方向において前記マスクを移動させてもよい。

本開示の第２１の態様は、上述した第１７の態様～第２０の態様のいずれか１つによるマスク装置の製造方法において、前記第２方向における前記枠の寸法が、１２００ｍｍ以上であってもよい。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

マスクを用いることにより形成される要素を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。

有機デバイス１００は、第１面１１１及び第２面１１２を含む基板１１０と、基板１１０の第１面１１１に位置する複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。素子１１５は、第１面１１１の面内方向に沿って並んでいてもよい。基板１１０は、２以上の種類の素子１１５を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂを含んでいてもよい。図示はしないが、基板１１０は、第３素子を含んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子は、例えば、赤色画素、青色画素及び緑色画素である。

素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を含んでもよい。マスクを用いることにより形成される要素は、有機層１３０であってもよく、第２電極１４０であってもよい。マスクを用いることにより形成される要素のことを、蒸着層とも称する。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、平面視において第１電極１２０の端に重なっていてもよい。

有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出することができる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。有機層１３０の透過率、屈折率などの特性は、適宜調整されていてもよい。

図１に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａは、第１素子１１５Ａに含まれる。第２有機層１３０Ｂは、第２素子１１５Ｂに含まれる。図示はしないが、有機層１３０は、第３素子に含まれる第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを更に含んでいてもよい。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、マスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金を用いることができる。ＭｇＡｇのことを、マグネシウム銀とも称する。マグネシウム銀は、第２電極１４０の材料として好ましく用いられる。アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いてもよい。例えば、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等を用いてもよい。

第２電極１４０は、共通電極であってもよい。例えば、１つの素子１１５の第２電極１４０が、その他の素子１１５の第２電極１４０に電気的に接続されていてもよい。

第２電極１４０は、１つの層から構成されていてもよい。例えば、第２電極１４０は、１つのマスクを用いる蒸着工程によって形成される層であってもよい。

若しくは、図１に示すように、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａは、第１のマスクを用いる蒸着工程によって形成される層であってもよい。第２層１４０Ｂは、第２のマスクを用いる蒸着工程によって形成される層であってもよい。このように、２つ以上のマスクを用いて第２電極１４０を形成してもよい。これにより、平面視における第２電極１４０のパターンの自由度が高くなる。例えば、有機デバイス１００は、平面視において第２電極１４０が存在しない領域を含むことができる。第２電極１４０が存在しない領域は、第２電極１４０が存在する領域に比べて高い透過率を有することができる。

図１に示すように、第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続できる。

図示はしないが、第２電極１４０は、第３層などのその他の層を含んでいてもよい。第３層などのその他の層は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂに電気的に接続されていてもよい。

以下の説明において、第２電極１４０の構成のうち、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ、第３層などに共通する構成を説明する場合には、「第２電極１４０」という用語及び符号を用いる。

有機デバイス１００の製造方法においては、図２に示すような有機デバイス群１０２が作製されてもよい。有機デバイス群１０２は、２つ以上の有機デバイス１００を含む。例えば、有機デバイス群１０２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並ぶ有機デバイス１００を含んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交する方向である。２つ以上の有機デバイス１００は、共通の１枚の基板１１０を備えていてもよい。例えば、有機デバイス群１０２は、１枚の基板１１０の上に位置し、２つ以上の有機デバイス１００を構成する第１電極１２０、有機層１３０、第２電極１４０などの層を含んでいてもよい。有機デバイス群１０２を分割することにより、有機デバイス１００が得られる。

第１方向Ｄ１は、後述するように、有機デバイス１００を製造するために用いられるマスク５０が延びる方向であってもよい。

第１方向Ｄ１における有機デバイス１００の寸法Ａ１は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、３０ｍｍ以上でもよく、１００ｍｍ以上でもよい。寸法Ａ１は、例えば、２００ｍｍ以下でもよく、５００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以下でもよい。寸法Ａ１の範囲は、１０ｍｍ、３０ｍｍ及び１００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｍｍ、５００ｍｍ及び１０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ａ１は、１０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、５００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよい。

第２方向Ｄ２における有機デバイス１００の寸法Ａ２は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、２０ｍｍ以上でもよく、５０ｍｍ以上でもよい。寸法Ａ２は、例えば、１００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以下でもよく、５００ｍｍ以下でもよい。寸法Ａ２の範囲は、１０ｍｍ、２０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１００ｍｍ、２００ｍｍ及び５００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ａ２は、１０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよい。

有機デバイス群１０２は、複数の有機デバイス１００が位置するデバイス領域１０３を含む。デバイス領域１０３は、第１方向Ｄ１において寸法Ｇ１２を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｇ２２を有する。

基板１１０を大型化することにより、デバイス領域１０３の寸法Ｇ１２及びＧ２２を大きくできる。これにより、１枚の基板１１０の上に形成される有機デバイス１００の数が増加する。これにより、有機デバイス１００の製造コストを低減できる。

第１方向Ｄ１における基板１１０の寸法Ｇ１１は、例えば、１０００ｍｍ以上でもよく、１２００ｍｍ以上でもよく、１３００ｍｍ以上でもよく、２１００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｇ１１は、例えば、１２００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以下でもよく、１９００ｍｍ以下でもよく、２１００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｇ１１の範囲は、１０００ｍｍ、１２００ｍｍ、１３００ｍｍ及び２１００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１２００ｍｍ、１３００ｍｍ、１９００ｍｍ、２１００ｍｍ及び２３００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｇ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｇ１１は、１０００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上２１００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１９００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１３００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２１００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１９００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１３００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上２１００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上１９００ｍｍ以下でもよく、１９００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１９００ｍｍ以上２１００ｍｍ以下でもよく、２１００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよい。

第２方向Ｄ２における基板１１０の寸法Ｇ２１は、例えば、１２００ｍｍ以上でもよく、１３００ｍｍ以上でもよく、１５００ｍｍ以上でもよく、２０００ｍｍ以上でもよく、２４００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｇ２１は、例えば、１３００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以下でもよく、２４００ｍｍ以下でもよく、２６００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｇ２１の範囲は、１２００ｍｍ、１３００ｍｍ、１５００ｍｍ、２０００ｍｍ及び２４００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１３００ｍｍ、２３００ｍｍ、２４００ｍｍ及び２６００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｇ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｇ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｇ２１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｇ２１は、１２００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２４００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１３００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上２４００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１３００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下でもよく、１５００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１５００ｍｍ以上２４００ｍｍ以下でもよく、１５００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以上２４００ｍｍ以下でもよく、２４００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよい。

寸法Ｇ１１の特定の数値範囲と、寸法Ｇ２１の特定の数値範囲とが組み合わされてもよい。例えば、寸法Ｇ１１が１０００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であり、寸法Ｇ２１が１２００ｍｍ以上１３００ｍｍ以下であってもよい。例えば、寸法Ｇ１１が１２００ｍｍ以上１３００ｍｍ以下であり、寸法Ｇ２１が２０００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下であってもよい。例えば、寸法Ｇ１１が２１００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下であり、寸法Ｇ２１が２４００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下であってもよい。

次に、有機層１３０、第２電極１４０などの要素を蒸着法によって形成する方法について説明する。図３は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、基板１１０に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。

図３に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置１５を備えてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置１５は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図３に示すように、マスク装置１５は、少なくとも１つのマスク５０を備える。マスク装置１５は、マスク５０を支持するマスク支持体４０を備えてもよい。マスク支持体４０は、開口４３を含む枠４１を備えてもよい。マスク５０は、平面視において開口４３を横切るように枠４１に固定されていてもよい。枠４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。

マスク装置１５は、図３に示すように、基板１１０の第１面１１１にマスク５０が対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク５０は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる複数の貫通孔５６を含む。以下の説明において、基板１１０に面するマスク５０の面を第１面５５１と称する。第１面５５１の反対側に位置するマスク５０の面を第２面５５２と称する。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御するよう構成されていてもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク５０の位置を調整できる。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０の第２面１１２側に配置されている冷却板４を備えてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有してもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。

蒸着装置１０は、図３に示すように、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えてもよい。磁石５は、基板１１０から遠い冷却板４の面に配置されていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができる。シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって蒸着層の形状が不均一になる現象のことである。蒸着層の形状は、蒸着層の厚み、平面視における蒸着層の寸法などである。静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。

図４は、マスク装置１５を第１面５５１側から見た場合を示す平面図である。マスク装置１５は、枠４１を含むマスク支持体４０と、枠４１に固定されたマスク５０と、を備えてもよい。マスク装置１５は、第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上のマスク５０を備えてもよい。枠４１は、マスク５０が撓んでしまうことを抑制するために、マスク５０に張力を加えた状態でマスク５０を支持する。

枠４１は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺４１１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺４１２と、開口４３と、を含んでもよい。第２辺４１２が、第１辺４１１よりも長くてもよい。開口４３は、一対の第１辺４１１の間、及び一対の第２辺４１２の間に位置している。

マスク５０は、第１方向Ｄ１に延びる第１側縁５０１及び第２側縁５０２と、第１端５０３及び第２端５０４と、を含んでもよい。第１端５０３及び第２端５０４は、第１方向Ｄ１におけるマスク５０の端である。

平面視において、マスク５０は、第１端部５１ａ、第２端部５１ｂ及び中間部５２を含む。第１端部５１ａと第２端部５１ｂは、第１方向Ｄ１において対向している。中間部５２は、第１端部５１ａと第２端部５１ｂの間に位置している。中間部５２は、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の貫通孔群５３を含んでいる。

第１端部５１ａは、幅Ｗ０１を有する。幅Ｗ０１は、第２方向Ｄ２における第１端部５１ａの寸法である。幅Ｗ０１は、第１端部５１ａと中間部５２との間の境界で測定される。第２端部５１ｂは、幅Ｗ０２を有する。幅Ｗ０２は、第２方向Ｄ２における第２端部５１ｂの寸法である。幅Ｗ０２は、第２端部５１ｂと中間部５２との間の境界で測定される。

第１端部５１ａの幅Ｗ０１は、第２端部５１ｂの幅Ｗ０２と同一であってもよく、幅Ｗ０２よりも大きくてもよく、幅Ｗ０２よりも小さくてもよい。

「平面視」とは、マスク５０の厚み方向に沿って対象物を見ることを意味する。

マスク５０は、第２辺４１２に固定されている。具体的には、第１端部５１ａが一方の第２辺４１２に固定され、第２端部５１ｂが他方の第２辺４１２に固定されている。第１端部５１ａ及び第２端部５１ｂは、溶接によって第２辺４１２に固定されていてもよい。中間部５２は、平面視において枠４１の開口４３に重なっている。

枠４１は、第２方向Ｄ２において寸法Ｍ１７を有する。寸法Ｍ１７の数値の範囲としては、上述の基板１１０の寸法Ｇ２１の数値の範囲を採用できる。枠４１の開口４３は、第２方向Ｄ２において寸法Ｍ１８を有する。枠４１の寸法Ｍ１７を大きくすることにより、開口４３の寸法Ｍ１８を大きくできる。これにより、有機デバイス群１０２のデバイス領域１０３の寸法Ｇ２２を大きくできる。これにより、有機デバイス１００の製造コストを低減できる。

図５は、マスク５０の一例を示す平面図である。中間部５２の貫通孔群５３は、平面視において規則的に並ぶ複数の貫通孔５６を含む。貫通孔５６は、２つの方向において周期的に並んでいてもよい。例えば、貫通孔５６は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２において周期的に並んでいてもよい。

１つの貫通孔群５３は、１つの有機デバイス１００に対応する。例えば、１つの有機デバイス１００に含まれる複数の第１有機層１３０Ａは、１つの貫通孔群５３の複数の貫通孔５６を通った蒸着材料によって構成される。マスク５０は、少なくとも１つの貫通孔群５３を含む。マスク５０は、第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の貫通孔群５３を含んでもよい。

マスク５０は、第１方向Ｄ１において寸法Ｍ１１を有する。中間部５２は、第１方向Ｄ１において寸法Ｍ１２を有する。中間部５２と第１端部５１ａとの間の境界は、第１端５０３に最も近接する貫通孔群５３に基づいて定められる。境界を示す境界線ＢＬ１は、図５に示すように、第１端５０３に最も近接する複数の貫通孔５６に接するように第２方向Ｄ２に延びている。同様に、中間部５２と第２端部５１ｂとの間の境界は、第２端５０４に最も近接する貫通孔群５３に基づいて定められる。境界を示す境界線ＢＬ２は、図５に示すように、第２端５０４に最も近接する複数の貫通孔５６に接するように第２方向Ｄ２に延びている。

図６は、マスク５０の第１端部５１ａの一例を示す平面図である。図６に示すように、第１端５０３は、第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上の凹部５０５を含んでもよい。凹部５０５は、第１方向Ｄ１において内側に凹んでいる。「内側」は、マスク５０の中心に近づく側を意味する。「第１方向Ｄ１において内側」は、第１方向Ｄ１におけるマスク５０の中心に近づく側を意味する。凹部５０５は、コーナー５０７に対して第１方向Ｄ１において内側に凹んでいてもよい。コーナー５０７は、第１側縁５０１と第１端５０３とが接続される部分である。

後述するように、枠４１に対するマスク５０の位置を定めるアライメント工程においては、クランプを介してマスク５０に張力が加えられる。クランプは、凹部５０５が形成されていない第１端５０３の部分に取り付けられる。第１端５０３が２つ以上の凹部５０５を含むことにより、３つ以上のクランプを第１端５０３に取り付けることができる。これにより、第２方向Ｄ２における位置に応じて張力が変動することを抑制できる。

凹部５０５は、第２方向Ｄ２において寸法Ｋ１を有する。寸法Ｋ１は、例えば、５ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよく、２０ｍｍ以上でもよい。寸法Ｋ１は、例えば、３０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよい。寸法Ｋ１の範囲は、５ｍｍ、１５ｍｍ及び２０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３０ｍｍ、４０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｋ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ１は、例えば、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよい。

図６において、符号Ｋ２は、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの凹部５０５の間の間隔を表す。間隔Ｋ２は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、２０ｍｍ以上でもよく、３０ｍｍ以上でもよい。間隔Ｋ２は、例えば、４０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよく、６０ｍｍ以下でもよい。間隔Ｋ２の範囲は、１０ｍｍ、２０ｍｍ及び３０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、４０ｍｍ、５０ｍｍ及び６０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｋ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｋ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｋ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｋ２は、例えば、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよい。

凹部５０５は、第１方向Ｄ１において寸法Ｋ３を有する。寸法Ｋ３は、例えば、１５ｍｍ以上でもよく、２０ｍｍ以上でもよく、２５ｍｍ以上でもよい。寸法Ｋ３は、例えば、３０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよい。寸法Ｋ３の範囲は、１５ｍｍ、２０ｍｍ及び２５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３０ｍｍ、４０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｋ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ３は、例えば、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下でもよく、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよい。

図２に示す有機デバイス群１０２の基板１１０を大型化するためには、マスク５０の寸法Ｍ１１を大きくすることが求められる。マスク５０が大型化すると、マスクを製造するための製造設備も大型化する。例えば、第８世代の基板に対応するマスクを製造するためには、第８世代の基板に対応する露光マスクが求められる。しかしながら、露光マスクを大型化するためには、多大な投資が必要になる。

本実施の形態においては、２回以上の露光工程を実施することにより、１枚のマスク５０を製造することを提案する。この方法により、露光マスクよりも大きい寸法を有するマスク５０を製造できる。このため、既存の露光マスクを用いて、大型のマスク５０を製造できる。

本実施の形態においては、第１露光マスクを用いて第１部分５０Ａを形成し、第２露光マスクを用いて第２部分５０Ｂを形成することを提案する。第２部分５０Ｂは、第１方向Ｄ１において第１部分５０Ａに接している。すなわち、本実施の形態においては、第１方向Ｄ１における異なる位置で２回の露光工程が実施される。これにより、第１方向Ｄ１におけるマスク５０の寸法を拡大できる。

第１部分５０Ａは、少なくとも第１中間部５２ａを含む。第２部分５０Ｂは、少なくとも第２中間部５２ｂを含む。図５に示すように、第１中間部５２ａは、第１方向Ｄ１において第１端部５１ａに接する中間部５２の一部である。第２中間部５２ｂは、第１方向Ｄ１において第２端部５１ｂに接する中間部５２の一部である。中間部５２は、第１中間部５２ａ及び第２中間部５２ｂによって構成されている。第１中間部５２ａと第２中間部５２ｂとは、第１方向Ｄ１において接している。このように、本実施の形態においては、２回以上の露光工程を実施することによって中間部５２を形成する。これにより、第１方向Ｄ１における中間部５２の寸法を効果的に拡大できる。

図５に示すように、第１部分５０Ａは、第１中間部５２ａ及び第１端部５１ａを含んでいてもよい。すなわち、第１露光マスクを用いて第１中間部５２ａ及び第１端部５１ａを形成してもよい。この場合、第１部分５０Ａは、第１端５０３を含む。図５に示すように、第２部分５０Ｂは、第２中間部５２ｂ及び第２端部５１ｂを含んでいてもよい。すなわち、第２露光マスクを用いて第２中間部５２ｂ及び第２端部５１ｂを形成してもよい。この場合、第２部分５０Ｂは、第２端５０４を含む。

例えば、Ｇ６ハーフ世代の露光マスクを用いてマスク５０全体を形成する場合、マスク５０の寸法Ｍ１１は約１２００ｍｍであり、中間部５２の寸法Ｍ１２は約９００ｍｍである。Ｇ６ハーフ世代の２枚の露光マスクを用いて第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを形成することにより、マスク５０の寸法Ｍ１１を約２４００ｍｍにでき、中間部５２の寸法Ｍ１２を約２１００ｍｍにできる。

第１方向Ｄ１における中間部５２の寸法Ｍ１２は、図２に示すデバイス領域１０３の寸法Ｇ１２と同一である。これにより、図２に示す、第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の有機デバイス１００の例えば第１有機層１３０Ａを、１枚のマスク５０を用いた蒸着法によって形成できる。言い換えると、第１方向Ｄ１における中間部５２の寸法Ｍ１２を大きくすることにより、デバイス領域１０３の寸法Ｇ１２を大きくできる。これにより、有機デバイス１００の製造コストを低減できる。

中間部５２の寸法Ｍ１２は、例えば、１０００ｍｍ以上でもよく、１２００ｍｍ以上でもよく、１４００ｍｍ以上でもよく、１７００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｍ１２は、例えば、２０００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以下でもよく、２６００ｍｍ以下でもよく、３０００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｍ１２の範囲は、１０００ｍｍ、１２００ｍｍ、１４００ｍｍ及び１７００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２０００ｍｍ、２３００ｍｍ、２６００ｍｍ及び３０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｍ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｍ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｍ１２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｍ１２は、例えば、１０００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以上２３００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよく、２３００ｍｍ以上２６００ｍｍ以下でもよく、２６００ｍｍ以上３０００ｍｍ以下でもよい。

第１部分５０Ａは、第１方向Ｄ１において寸法Ｍ１５を有する。寸法Ｍ１５は、９００ｍｍ以上でもよく、１０９０ｍｍ以上でもよく、１２００ｍｍ以上でもよく、２０００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｍ１５は、例えば、１１００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以下でもよく、１８００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以下でもよく、２２００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｍ１５の範囲は、９００ｍｍ、１０９０ｍｍ、１２００ｍｍ及び２０００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１１００ｍｍ、１２００ｍｍ、１８００ｍｍ、２０００ｍｍ及び２２００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｍ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｍ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｍ１５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｍ１５は、９００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下でもよく、９００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、９００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下でもよく、９００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下でもよく、９００ｍｍ以上１１００ｍｍ以下でもよく、１０９０ｍｍ以上２２００ｍｍ以下でもよく、１０９０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、１０９０ｍｍ以上１８００ｍｍ以下でもよく、１０９０ｍｍ以上１２００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、１２００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下でもよく、１８００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下でもよく、１８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下でもよく、２０００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下でもよい。

第２部分５０Ｂは、第１方向Ｄ１において寸法Ｍ１６を有する。寸法Ｍ１６の範囲としては、上述の寸法Ｍ１５の数値の範囲を採用できる。

第１部分５０Ａの寸法Ｍ１５に対する第２部分５０Ｂの寸法Ｍ１６の比であるＭ１６／Ｍ１５は、例えば、０．５以上でもよく、０．７以上でもよく、０．９以上でもよい。Ｍ１６／Ｍ１５は、例えば、１，１以下でもよく、１．３以下でもよく、１．５以下でもよい。Ｍ１６／Ｍ１５の範囲は、０．５、０．７及び０．９からなる第１グループ、及び／又は、１，１、１．３及び１．５からなる第２グループによって定められてもよい。Ｍ１６／Ｍ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｍ１６／Ｍ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｍ１６／Ｍ１５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、Ｍ１６／Ｍ１５は、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．３以下でもよく、０．５以上１，１以下でもよく、０．５以上０．９以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．７以上１．５以下でもよく、０．７以上１．３以下でもよく、０．７以上１，１以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．９以上１．５以下でもよく、０．９以上１．３以下でもよく、０．９以上１，１以下でもよく、１，１以上１．５以下でもよく、１，１以上１．３以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよい。

本実施の形態の方法によって作製されるマスク５０に表れる構造的な特徴について、図５及び図７Ａを参照して詳細に説明する。図７Ａは、第１中間部５２ａ及び第２中間部５２ｂの一例を示す平面図である。

第１部分５０Ａは、少なくとも１つの貫通孔群５３を含む。第２部分５０Ｂも、少なくとも１つの貫通孔群５３を含む。以下の説明において、第１部分５０Ａの貫通孔群５３のことを、第１の貫通孔群とも称し、符号５３ａで表す。以下の説明において、第２部分５０Ｂの貫通孔群５３のことを、第２の貫通孔群とも称し、符号５３ｂで表す。

図７Ａにおいて、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界線ＢＬが、第２方向Ｄ２に延びる一点鎖線で示されている。第２部分５０Ｂは、第１方向Ｄ１において第１部分５０Ａの第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂを含む。第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界は、第１の貫通孔群５３ａと第２の貫通孔群５３ｂとの間に位置する。

図７Ａに示すように、第１側縁５０１は、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界に位置する第１段部５０１ａを含んでもよい。言い換えると、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂは、第１段部５０１ａを境界として区別されてもよい。第１方向Ｄ１における第１段部５０１ａの位置は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの貫通孔群５３の間であることが好ましい。言い換えると、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第１段部５０１ａが貫通孔群５３に重なっていないことが好ましい。
図示はしないが、第１方向Ｄ１における第１段部５０１ａの位置は、１つの貫通孔群５３の範囲内であってもよい。すなわち、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第１段部５０１ａが貫通孔群５３に重なっていてもよい。この場合、第１方向Ｄ１における第１段部５０１ａの位置は、１つの貫通孔群５３に含まれる、隣り合う２つの貫通孔５６の間である。すなわち、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第１段部５０１ａは、貫通孔５６には重ならない。

第１段部５０１ａは、第２方向Ｄ２において変位している。図７Ａに示す例において、第１段部５０１ａは、第１方向Ｄ１において第１端５０３に向かうと第２方向Ｄ２において外側に変位している。すなわち、第１部分５０Ａの第１側縁５０１は、第２部分５０Ｂの第１側縁５０１よりも第２方向Ｄ２において外側に位置している。「第２方向Ｄ２において外側」は、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の中心Ｃ１から遠ざかる側を意味する。図示はしないが、第１段部５０１ａは、第１方向Ｄ１において第１端５０３に向かうと第２方向Ｄ２において内側に変位してもよい。すなわち、第１部分５０Ａの第１側縁５０１は、第２部分５０Ｂの第１側縁５０１よりも第２方向Ｄ２において内側に位置している。「第２方向Ｄ２において内側」は、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の中心Ｃ１に近づく側を意味する。マスク５０の中心Ｃ１は、境界線ＢＬ１と境界線ＢＬ２の中間に位置する。

第１段部５０１ａは、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。例えば、第１段部５０１ａは、第１部分５０Ａを形成するために用いられる第１露光マスクと、第２部分５０Ｂを形成するために用いられる第２露光マスクとが異なることに起因して生じる。第１露光マスクに対する第２露光マスクの相対的な位置が第２方向Ｄ２において理想からずれると、ずれの量に対応して第１段部５０１ａが生じる。

第１段部５０１ａは、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ１を有する。寸法Ｓ１は、例えば、０．１μｍ以上でもよく、０．２μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよい。寸法Ｓ１は、例えば、１．５μｍ以下でもよく、２．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以下でもよく、３．０μｍ以下でもよい。寸法Ｓ１の範囲は、０．１μｍ、０．２μｍ、０．５μｍ及び１．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ及び３．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１は、例えば、０．１μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．２μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよい。

図７Ａに示すように、第２側縁５０２は、第２段部５０２ａを含んでもよい。第２段部５０２ａは、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界に位置してもよい。第１方向Ｄ１における第２段部５０２ａの位置は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの貫通孔群５３の間であることが好ましい。言い換えると、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第２段部５０２ａが貫通孔群５３に重なっていないことが好ましい。
図示はしないが、第１方向Ｄ１における第２段部５０２ａの位置は、１つの貫通孔群５３の範囲内であってもよい。すなわち、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第２段部５０２ａが貫通孔群５３に重なっていてもよい。この場合、第１方向Ｄ１における第２段部５０２ａの位置は、１つの貫通孔群５３に含まれる、隣り合う２つの貫通孔５６の間である。すなわち、第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０を見た場合に、第２段部５０２ａは、貫通孔５６には重ならない。
図示はしないが、第２側縁５０２は、第２段部５０２ａを含んでいなくてもよい。

第２段部５０２ａは、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ２を有する。寸法Ｓ２の数値の範囲としては、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１の数値の範囲を採用できる。

図７Ａに示すように、第２部分５０Ｂの長さ方向は、第１部分５０Ａの長さ方向に対してわずかに異なる。例えば、第１の貫通孔群５３ａの第１配列方向と第２の貫通孔群５３ｂの第２配列方向とは、第１角度を成す。言い換えると、第１配列方向と第２配列方向とは、平行ではない。

第１配列方向は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａに属し、第１側縁５０１に沿って並ぶ貫通孔５６の配列方向である。第１配列方向は、図７Ａに示す直線Ｌ１によって表される。直線Ｌ１は、第１の貫通孔群５３ａの、第１側縁５０１に沿って並ぶ複数の貫通孔５６を通る。例えば、直線Ｌ１は、貫通孔５６Ａ１及び貫通孔５６Ａ２を通る。貫通孔５６Ａ１は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６のうち、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第２部分５０Ｂに近い貫通孔５６である。貫通孔５６Ａ２は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６のうち、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第２部分５０Ｂから遠い貫通孔５６である。

第２配列方向は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂに属し、第１側縁５０１に沿って並ぶ貫通孔５６の配列方向である。第２配列方向は、図７Ａに示す直線Ｌ２によって表される。直線Ｌ２は、第２の貫通孔群５３ｂの、第１側縁５０１に沿って並ぶ複数の貫通孔５６を通る。例えば、直線Ｌ２は、貫通孔５６Ｂ１及び貫通孔５６Ｂ２を通る。貫通孔５６Ｂ１は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６のうち、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第１部分５０Ａに近い貫通孔５６である。貫通孔５６Ｂ２は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６のうち、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第１部分５０Ａから遠い貫通孔５６である。

図７Ｂに示すように、第１配列方向と第２配列方向とが成す第１角度θ１は、直線Ｌ１と直線Ｌ２とが成す角度である。

図７Ａ及び図７Ｂに示す例において、直線Ｌ１によって表される第１配列方向は、直線Ｌ２によって表される第２配列方向に対して、時計回りの方向にずれている。図７Ｃに示すように、直線Ｌ１によって表される第１配列方向は、直線Ｌ２によって表される第２配列方向に対して、反時計回りの方向にずれていてもよい。

第１角度θ１は、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。例えば、第１角度θ１は、第１部分５０Ａを形成するために用いられる第１露光マスクと、第２部分５０Ｂを形成するために用いられる第２露光マスクとが異なることに起因して生じる。第１露光マスクの辺の方向に対する第２露光マスクの辺の方向が理想からずれると、ずれの量に対応して第１角度θ１が生じる。

第１角度θ１は、例えば、０．０００２１°以上でもよく、０．０００４２°以上でもよく、０．０００６３°以上でもよく、０．０００８４°以上でもよい。第１角度θ１は、例えば、０．００１０５°以下でもよく、０．００１２５°以下でもよく、０．００１６７°以下でもよく、０．００２０９°以下でもよい。第１角度θ１の範囲は、０．０００２１°、０．０００４２°、０．０００６３°及び０．０００８４°からなる第１グループ、及び／又は、０．００１０５°、０．００１２５°、０．００１６７°及び０．００２０９°からなる第２グループによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１は、例えば、０．０００２１°以上０．００２０９°以下でもよく、０．０００２１°以上０．００１６７°以下でもよく、０．０００２１°以上０．００１２５°以下でもよく、０．０００２１°以上０．００１０５°以下でもよく、０．０００２１°以上０．０００８４°以下でもよく、０．０００２１°以上０．０００６３°以下でもよく、０．０００２１°以上０．０００４２°以下でもよく、０．０００４２°以上０．００２０９°以下でもよく、０．０００４２°以上０．００１６７°以下でもよく、０．０００４２°以上０．００１２５°以下でもよく、０．０００４２°以上０．００１０５°以下でもよく、０．０００４２°以上０．０００８４°以下でもよく、０．０００４２°以上０．０００６３°以下でもよく、０．０００６３°以上０．００２０９°以下でもよく、０．０００６３°以上０．００１６７°以下でもよく、０．０００６３°以上０．００１２５°以下でもよく、０．０００６３°以上０．００１０５°以下でもよく、０．０００６３°以上０．０００８４°以下でもよく、０．０００８４°以上０．００２０９°以下でもよく、０．０００８４°以上０．００１６７°以下でもよく、０．０００８４°以上０．００１２５°以下でもよく、０．０００８４°以上０．００１０５°以下でもよく、０．００１０５°以上０．００２０９°以下でもよく、０．００１０５°以上０．００１６７°以下でもよく、０．００１０５°以上０．００１２５°以下でもよく、０．００１２５°以上０．００２０９°以下でもよく、０．００１２５°以上０．００１６７°以下でもよく、０．００１６７°以上０．００２０９°以下でもよい。

第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力を加えたとしても、第１角度θ１のような、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間における角度のずれは、ある程度は解消される可能性があるが、完全には解消されない。本実施の形態によれば、第１角度θ１が上述の数値の範囲内であることにより、マスク５０に角度のずれが生じている場合であっても、ＰＰＡを閾値以下に抑制できる。ＰＰＡは、Pixel Position Accuracyを意味する。ＰＰＡは、実際の貫通孔５６の座標と、理想的な貫通孔５６の座標との間の距離に対応する。

第１角度θ１が小さいほど、ＰＰＡが小さくなる。第１露光マスクの位置及び、第２露光マスクの位置の調整の精度を高めることにより、第１角度θ１は低減され得る。例えば、駆動装置によって用いて第１露光マスク及び第２露光マスクの位置が調整される場合、駆動装置による移動の最小距離を小さくすることにより、位置の調整の精度は高められる。しかしながら、移動の最小距離が小さくなるほど、一の調整に要する時間が増加し、マスク５０の生産性が低下する。

後述する実施例に示されるように、第１角度θ１が上述の数値の範囲内である場合、ＰＰＡが閾値以下に抑制される。本実施の形態によれば、第１角度θ１を過剰に小さくすることを目指さないことにより、マスク５０の生産性を高めることができる。

ＰＰＡの閾値は、貫通孔５６の分布密度に応じて定められる。ＰＰＡの閾値は、例えば５．０μｍであり、４．０μｍであってもよく、３．０μｍであってもよく、２．０μｍであってもよく、１．０μｍであってもよい。

第１角度θ１が大きくなるほど、ＰＰＡが劣化する。上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１も、ＰＰＡに影響を及ぼす可能性がある。第１角度θ１は、ＰＰＡ及び寸法Ｓ１に基づいて定められてもよい。例えば、第１角度θ１と寸法Ｓ１との間に、下記の関係式が成立していてもよい。
４８２０[μｍ／°]×θ１[°]＋Ｓ１[μｍ]≦閾値×２[μｍ]
例えば、ＰＰＡの閾値が６．０μｍである場合、下記の関係式が成立していてもよい。
４８２０[μｍ／°]×θ１[°]＋Ｓ１[μｍ]≦６．０[μｍ]
これらの関係式は、第１方向Ｄ１における中間部５２の寸法Ｍ１２が２２００ｍｍ以下である場合に用いられてもよい。

第１の貫通孔群５３ａの第３配列方向と第２の貫通孔群５３ｂの第４配列方向とが、第２角度を成していてもよい。

第３配列方向は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａに属し、第２側縁５０２に沿って並ぶ貫通孔５６の配列方向である。第３配列方向は、図７Ａに示す直線Ｌ３によって表される。直線Ｌ３は、第１の貫通孔群５３ａの、第２側縁５０２に沿って並ぶ複数の貫通孔５６を通る。例えば、直線Ｌ３は、貫通孔５６Ａ３及び貫通孔５６Ａ４を通る。貫通孔５６Ａ３は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６のうち、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第２部分５０Ｂに近い貫通孔５６である。貫通孔５６Ａ４は、第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６のうち、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第２部分５０Ｂから遠い貫通孔５６である。

第４配列方向は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂに属し、第２側縁５０２に沿って並ぶ貫通孔５６の配列方向である。第４配列方向は、図７Ａに示す直線Ｌ４によって表される。直線Ｌ４は、第２の貫通孔群５３ｂの、第２側縁５０２に沿って並ぶ複数の貫通孔５６を通る。例えば、直線Ｌ４は、貫通孔５６Ｂ３及び貫通孔５６Ｂ４を通る。貫通孔５６Ｂ３は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６のうち、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第１部分５０Ａに近い貫通孔５６である。貫通孔５６Ｂ４は、第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６のうち、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第１部分５０Ａから遠い貫通孔５６である。

第３配列方向と第４配列方向とが成す第２角度は、直線Ｌ３と直線Ｌ４とが成す角度である。第２角度の数値の範囲としては、上述の第１角度θ１の数値の範囲を採用できる。

図８は、第１中間部５２ａ及び第２中間部５２ｂの一例を示す平面図である。符号Ｇ１は、第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６Ａ１と第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６Ｂ１との間の、第２方向Ｄ２における距離を表す。距離Ｇ１は、第１段部５０１ａと同様に、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。距離Ｇ１は、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、２．０μｍ以上でもよい。

距離Ｇ１に基づいて、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界が定められてもよい。すなわち、距離Ｇ１に基づいて、第１の貫通孔群５３ａと第２の貫通孔群５３ｂとが特定されてもよい。距離Ｇ１の数値の範囲としては、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１の数値の範囲を採用できる。

符号Ｇ２は、第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６Ａ３と第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６Ｂ３との間の、第２方向Ｄ２における距離を表す。距離Ｇ２は、第２段部５０２ａと同様に、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。距離Ｇ２は、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、２．０μｍ以上でもよい。距離Ｇ２の数値の範囲としては、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１の数値の範囲を採用できる。

図５に示すように、中間部５２は、第１側縁５０１に沿って並ぶ２つ以上の第１中間マーク５８ａを含んでもよい。マスク５０の製造方法において、第１中間マーク５８ａの位置は、中間部５２の外縁の位置と同時に決定される。例えば、第１部分５０Ａに位置する第１中間マーク５８ａの位置は、第１中間部５２ａの外縁の位置と同時に決定される。例えば、第２部分５０Ｂに位置する第１中間マーク５８ａの位置は、第２中間部５２ｂの外縁の位置と同時に決定される。「２つの構成要素の位置が同時に決定される」は、２つの構成要素に対応するレジスト層が、同一の露光マスクによって同時に露光されることを意味する。

第１中間マーク５８ａは、例えば、第１面５５１に形成されている凹部、又は第２面５５２に形成されている凹部である。凹部の深さは、例えば、２μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。凹部の深さは、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよい。凹部の深さの範囲は、２μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び３０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。凹部の深さの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。凹部の深さの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。凹部の深さの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、凹部の深さは、２μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２μｍ以上５μｍ以下でもよく、２μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３μｍ以上２０μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよい。
第１中間マーク５８ａは、第１面５５１から第２面５５２へ貫通する貫通孔であってもよい。

平面視における第１中間マーク５８ａの寸法は、貫通孔５６の貫通部５６４の寸法ｒよりも大きくてもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１マーク５８ｃの寸法の比率は、例えば、１．０３以上でもよく、２．０以上でもよく、５．０以上でもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａの寸法の比率は、例えば、５．０以下でもよく、１０以下でもよく、５０以下でもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａの寸法の比率の範囲は、１．０３、２．０及び５．０からなる第１グループ、及び／又は、５．０、１０及び５０からなる第２グループによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａの寸法の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａ第１中間マーク５８ａの寸法の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａの寸法の比率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部５６４の寸法ｒに対する、平面視における第１中間マーク５８ａの寸法の比率は、１．０３以上５０以下でもよく、１．０３以上１０以下でもよく、１．０３以上５．０以下でもよく、１．０３以上５．０以下でもよく、１．０３以上２．０以下でもよく、２．０以上５０以下でもよく、２．０以上１０以下でもよく、２．０以上５．０以下でもよく、２．０以上５．０以下でもよく、５．０以上５０以下でもよく、５．０以上１０以下でもよく、５．０以上５０以下でもよく、５．０以上１０以下でもよく、１０以上５０以下でもよい。

図５に示すように、第１端部５１ａは、第１マーク５８ｃを含んでもよい。第１端部５１ａの第１マーク５８ｃは、第１方向Ｄ１に沿ってマスク５０を見た場合に、第１部分５０Ａの第１中間マーク５８ａに重なっていてもよい。

図５に示すように、第２端部５１ｂは、第１マーク５８ｃを含んでもよい。第２端部５１ｂの第１マーク５８ｃは、第１方向Ｄ１に沿ってマスク５０を見た場合に、第２部分５０Ｂの第１中間マーク５８ａに重なっていてもよい。

第１マーク５８ｃは、第１中間マーク５８ａと同様に、第１面５５１に形成されている凹部であってもよく、又は第２面５５２に形成されている凹部であってもよく、貫通孔であってもよい。

図５に示すように、中間部５２は、第２側縁５０２に沿って並ぶ２つ以上の第２中間マーク５８ｂを含んでもよい。マスク５０の製造方法において、第２中間マーク５８ｂの位置は、中間部５２の外縁の位置と同時に決定される。例えば、第１部分５０Ａに位置する第２中間マーク５８ｂの位置は、第１中間部５２ａの外縁の位置と同時に決定される。例えば、第２部分５０Ｂに位置する第２中間マーク５８ｂの位置は、第２中間部５２ｂの外縁の位置と同時に決定される。

図５に示すように、第１端部５１ａは、第２マーク５８ｄを含んでもよい。第１端部５１ａの第２マーク５８ｄは、第１方向Ｄ１に沿ってマスク５０を見た場合に、第１部分５０Ａの第２中間マーク５８ｂに重なっていてもよい。

図５に示すように、第２端部５１ｂは、第２マーク５８ｄを含んでもよい。第２端部５１ｂの第２マーク５８ｄは、第１方向Ｄ１に沿ってマスク５０を見た場合に、第２部分５０Ｂの第２中間マーク５８ｂに重なっていてもよい。

第２中間マーク５８ｂ及び第２マーク５８ｄは、第１中間マーク５８ａと同様に、第１面５５１に形成されている凹部であってもよく、又は第２面５５２に形成されている凹部であってもよく、貫通孔であってもよい。

図９は、第１中間部５２ａ及び第２中間部５２ｂの一例を示す平面図である。符号Ｇ３は、第５基準点Ｐ５と第７基準点Ｐ７との間の、第２方向Ｄ２における距離を表す。第５基準点Ｐ５は、第１部分５０Ａに位置する第１中間マーク５８ａのうち、最も第２部分５０Ｂに近接する第１中間マーク５８ａによって構成される。第７基準点Ｐ７は、第２部分５０Ｂに位置する第１中間マーク５８ａのうち、最も第１部分５０Ａに近接する第１中間マーク５８ａによって構成される。距離Ｇ３は、第１段部５０１ａと同様に、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。距離Ｇ３は、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、２．０μｍ以上でもよい。

距離Ｇ３に基づいて、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界が定められてもよい。すなわち、距離Ｇ３が生じている２つの第１中間マーク５８ａの間に、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界が定められてもよい。距離Ｇ３の数値の範囲としては、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１の数値の範囲を採用できる。

符号Ｇ４は、第６基準点Ｐ６と第８基準点Ｐ８との間の、第２方向Ｄ２における距離を表す。第６基準点Ｐ６は、第１部分５０Ａに位置する第２中間マーク５８ｂのうち、最も第２部分５０Ｂに近接する第２中間マーク５８ｂによって構成される。第８基準点Ｐ８は、第２部分５０Ｂに位置する第２中間マーク５８ｂのうち、最も第１部分５０Ａに近接する第２中間マーク５８ｂによって構成される。距離Ｇ４は、第２段部５０２ａと同様に、第１部分５０Ａの形成ステップと第２部分５０Ｂの形成ステップが異なることに起因して生じる。距離Ｇ４は、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、２．０μｍ以上でもよい。距離Ｇ４の数値の範囲としては、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１の数値の範囲を採用できる。

貫通孔５６、第１側縁５０１、第２側縁５０２、第１端５０３、第２端５０４などの位置は、平面視におけるマスク５０の画像を撮影し、画像を解析することにより測定される。撮影は、第１面５５１の法線方向に沿って、貫通孔５６を通過する光、及び、マスク５０の外縁の周囲を通過する光を利用して実施される。測定器としては、新東Ｓプレシジョン社製ＡＭＩＣ－２５００を用いる。
マーク５８ａ～５８ｄが貫通孔である場合、マーク５８ａ～５８ｄの位置は、マーク５８ａ～５８ｄを通過する光を利用して撮影された画像に基づいて測定される。測定器としては、新東Ｓプレシジョン社製ＡＭＩＣ－２５００を用いる。
マーク５８ａ～５８ｄが、基材５５を貫通しない凹部である場合、マーク５８ａ～５８ｄの位置は、マスク５０によって反射された光を利用して撮影された画像に基づいて測定される。

次に、マスク５０の断面構造を説明する。図１０は、図５のマスク５０をＡ－Ａ方向から見た断面図である。

マスク５０は、基材５５と、基材５５を貫通する貫通孔５６と、を備える。基材５５は、第１面５５１及び第２面５５２を含む。貫通孔５６は、第１面５５１から第２面５５２へ基材５５を貫通している。

貫通孔５６は、第１凹部５６１と、第２凹部５６２と、第１凹部５６１と第２凹部５６２とを接続する接続部５６３と、を含んでもよい。第１凹部５６１は、第１面５５１に位置し、第２面５５２に向かって凹んだ凹部である。第２凹部５６２は、第２面５５２に位置し第１面５５１に向かって凹んだ凹部である。第１凹部５６１と第２凹部５６２が接続されることにより、基材５５を貫通する貫通孔５６が構成される。第１凹部５６１は、基材５５を第１面５５１側からエッチングやレーザーなどによって加工することによって形成される。第２凹部５６２は、基材５５を第２面５５２側からエッチングやレーザーなどによって加工することによって形成される。

第１凹部５６１は、平面視において寸法ｒ１を有する。第２凹部５６２は、平面視において寸法ｒ２を有する。寸法ｒ２は、寸法ｒ１よりも大きくてもよい。例えば、平面視において第２凹部５６２の輪郭が第１凹部５６１の輪郭を囲んでいてもよい。

接続部５６３は、一周にわたって連続した輪郭を有してもよい。接続部５６３は、第１面５５１と第２面５５２の間に位置していてもよい。接続部５６３は、マスク５０の平面視において貫通孔５６の開口面積が最小になる貫通部５６４を画成していてもよい。

貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよい。また、貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、４０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、５５μｍ以下であってもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第１グループ、及び／又は、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ及び５５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部５６４の寸法ｒは、１０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上５５μｍ以下であってもよい。

貫通部５６４の寸法ｒは、貫通孔５６を透過する光によって画定され得る。具体的には、マスク５０の法線方向に沿って平行光をマスク５０の第１面５５１又は第２面５５２の一方に入射させ、貫通孔５６を透過させて第１面５５１又は第２面５５２の他方から出射させる。出射した光がマスク５０の面方向において占める領域の寸法を、貫通部５６４の寸法ｒとして採用する。

図１０においては、隣り合う二つの第２凹部５６２の間に基材５５の第２面５５２が残存している例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、隣り合う２つの第２凹部５６２が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う２つの第２凹部５６２の間に、基材５５の第２面５５２が残存していない場所が存在していてもよい。

図１０に示すように、第１端５０３は、貫通孔５６と同様に、基材５５の面に形成された凹部を含んでもよい。図１０に示す例において、第１端５０３は、第１面５５１に位置する第３凹部５７１と、第２面５５２に位置する第４凹部５７２と、を含む。第３凹部５７１及び第４凹部５７２は、第１凹部５６１及び第２凹部５６２と同様に、基材５５をエッチングやレーザーなどによって加工することによって形成される。

図示はしないが、第１端５０３は、第２面５５２に位置する第４凹部５７２を含むが、第１面５５１に位置する第３凹部５７１を含んでいなくてもよい。この場合、第１端５０３は、第４凹部５７２が第１面５５１に達するように基材５５を第２面５５２側からエッチングなどによって加工することによって形成される。

図示はしないが、第１側縁５０１、第２側縁５０２、第２端５０４などの外縁も、第１端５０３と同様に、基材５５の面に形成された凹部を含んでもよい。

マスク５０及び枠４１の材料について説明する。マスク５０および枠４１の主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、マスク５０の基材５５の材料として、ニッケルの含有量が合計で２８質量％以上且つ５４質量％以下である鉄合金を用いることができる。これにより、マスク５０及び枠４１の熱膨張係数と、ガラスを含む基板１１０の熱膨張係数との差を小さくできる。このため、基板１１０上に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度が、マスク５０、枠４１、基板１１０などの熱膨張に起因して低下することを抑制できる。
鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の基材５５の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で２８質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。

基材５５におけるニッケルの含有量は、２８質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。基材５５におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で２８質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。この場合、ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、インバー材、スーパーインバー材、ウルトラインバー材などを挙げることができる。インバー材は、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。スーパーインバー材は、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、コバルトと、残部の鉄及び不可避の不純物と含む鉄合金である。ウルトラインバー材は、２８質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、２質量％以上且つ７質量％以下のコバルトと、０．１質量％以上且つ１．０質量％以下のマンガンと、０．１０質量％以下のシリコンと、０．０１質量％以下の炭素と、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。

マスク５０におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下であってもよい。例えば、マスク５０は、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金によって構成されていてもよい。このようなマスク５０は、めっき法によって製造されてもよい。

なお蒸着処理の際に、マスク５０、枠４１および基板１１０の温度が高温には達しない場合は、マスク５０および枠４１の熱膨張係数を、基板１１０の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、マスク５０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。

マスク５０の厚みＴは、例えば、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよく、３０μｍ以上でもよい。厚みＴは、例えば、３５μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、８０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。厚みＴの範囲は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び３０μｍからなる第１グループ、及び／又は、３５μｍ、５０μｍ、８０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上８０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、３５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３５μｍ以上８０μｍ以下でもよく、３５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴが大きくなるほど、マスク５０の剛性が高くなる。マスク５０が高い剛性を有することにより、第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力が加えられたときに、第１段部５０１ａ又は第２段部５０２ａの周囲においてマスク５０が局所的に大きく歪むことを抑制できる。これにより、第１段部５０１ａ又は第２段部５０２ａに近接する貫通孔群５３の貫通孔５６の位置が理想からずれることを抑制できる。

マスク５０の厚みＴが小さくなるほど、貫通孔５６を通過する前に貫通孔５６の壁面に引っ掛かる蒸着材料７の比率が小さくなる。これにより、蒸着材料７の利用効率を高めることができる。

厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いる。

次に、マスク５０を製造する方法について説明する。まず、基材を準備する。基材は、第１方向Ｄ１に延びる基材がロールに巻き取られた形態で準備されてもよい。この場合、ロールから巻き出された基材が、露光装置、現像装置、エッチング装置などに向けて搬送される。基材は、露光装置、現像装置、エッチング装置などにおける処理が完了するごとに間欠的に搬送される。

続いて、基材を加工することによってマスク５０を製造する。１つの基材から複数のマスク５０が製造される。例えば、基材のロールから複数のマスク５０が製造される。以下の説明において、マスク５０を製造するために用いられる基材のことを、オリジナル基材と称し、符号５５Ａで表す。

マスク５０の製造方法は、第１部分形成ステップ及び第２部分形成ステップを備える。第１部分形成ステップは、第１の貫通孔群５３ａ、第１中間部５２ａの外縁及び第１端部５１ａの外縁をオリジナル基材５５Ａに形成する。第１部分形成ステップは、第１中間部５２ａの中間マーク５８ａ，５８ｂ及び第１端部５１ａのマーク５８ｃ，５８ｄをオリジナル基材５５Ａに形成してもよい。第２部分形成ステップは、第２の貫通孔群５３ｂ、第２中間部５２ｂの外縁及び第２端部５１ｂの外縁をオリジナル基材５５Ａに形成する。第２部分形成ステップは、第２中間部５２ｂの中間マーク５８ａ，５８ｂ及び第２端部５１ｂのマーク５８ｃ，５８ｄをオリジナル基材５５Ａに形成してもよい。

第１部分形成ステップは、レジスト層形成プロセス、第１露光プロセス、現像プロセス、エッチングプロセス及びレジスト除去プロセスを備える。
第２部分形成ステップは、レジスト層形成プロセス、第２露光プロセス、現像プロセス、エッチングプロセス及びレジスト除去プロセスを備える。
レジスト層形成プロセス、現像プロセス、エッチングプロセス及びレジスト除去プロセスは、第１部分ステップ及び第２部分形成ステップに共通するプロセスであってもよい。例えば、レジスト層形成プロセスは、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂに対応するオリジナル基材５５Ａの領域に同時にレジスト層を設けてもよい。すなわち、第１部分形成ステップのレジスト層形成プロセスと、第２部分形成ステップのレジスト層形成プロセスとは、同時に実施されてもよい。現像プロセス、エッチングプロセス及びレジスト除去プロセスは、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂに対応するオリジナル基材５５Ａの領域に位置するレジスト層を同時に処理してもよい。すなわち、第１部分形成ステップの現像プロセスと、第２部分形成ステップの現像プロセスとは、同時に実施されてもよい。また、第１部分形成ステップのエッチングプロセスと、第２部分形成ステップのエッチングプロセスとは、同時に実施されてもよい。また、第１部分形成ステップのレジスト除去プロセスと、第２部分形成ステップのレジスト除去プロセスとは、同時に実施されてもよい。
第２部分形成ステップの第２露光プロセスは、第１部分形成ステップの第１露光プロセスとは異なるタイミングで実施される。

オリジナル基材５５Ａを準備した後、レジスト層形成プロセスを実施する。レジスト層形成プロセスは、図１１に示すように、オリジナル基材５５の表面にレジスト層を設ける。これにより、オリジナル基材５５及びレジスト層を含む積層体が得られる。レジスト層は、第１面５５１に位置する第１レジスト層６１と、第２面５５２に位置する第２レジスト層６２と、を含んでもよい。

レジスト層は、レジストの材料を含む溶液をオリジナル基材５５Ａの表面に塗布し、固化させることにより形成される層であってもよい。若しくは、レジスト層は、ドライフィルムなどのフィルムをオリジナル基材５５Ａの表面に貼り付けることにより形成される層であってもよい。

塗布型のレジスト層は、感光材を含む溶液をオリジナル基材５５Ａの表面に塗布し、固化させることにより形成される。この際、レジスト層を焼成するレジスト層焼成プロセスを実施してもよい。感光材は、光溶解型、いわゆるポジ型であってもよく、若しくは、光硬化型、いわゆるネガ型であってもよい。

ポジ型の感光材の例としては、ＳＣ５００などのノボラック系ポジレジストなどを挙げることができる。ネガ型の感光材の例としては、カゼインレジストなどを挙げることができる。

レジスト層の厚みは、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよい。レジスト層の厚みは、例えば、５μｍ以下でもよく、７μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよい。レジスト層の厚みの範囲は、１μｍ、２μｍ及び３μｍからなる第１グループ、及び／又は、５μｍ、７μｍ及び１０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。レジスト層の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。レジスト層の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。レジスト層の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上７μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、１μｍ以上２μｍ以下でもよく、２μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２μｍ以上７μｍ以下でもよく、２μｍ以上５μｍ以下でもよく、２μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上７μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、５μｍ以上７μｍ以下でもよく、７μｍ以上１０μｍ以下でもよい。

続いて、第１露光プロセスを実施する。第１露光プロセスは、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、第１露光マスクを用いてオリジナル基材５５Ａ上のレジスト層を露光する。第１露光マスクは、第１中間部５２ａ及び第１端部５１ａに対応する領域に位置するレジスト層を露光する。すなわち、第１露光マスクは、第１部分５０Ａに対応するレジスト層を露光する。第１露光マスクは、第１レジスト層６１を露光する第１面第１露光マスク７１１と、第２レジスト層６２を露光する第２面第１露光マスク７１２と、を含んでもよい。

図１２Ａに示すように、第１露光マスクは、第１辺及び第２辺を含む矩形を有してもよい。第１辺は、オリジナル基材５５Ａが搬送される方向に延びてもよい。第２辺は、オリジナル基材５５Ａが搬送される方向に直交する方向に延びてもよい。第１辺の寸法のことを長さとも称し、符号Ｙ１で表す。第２辺の寸法のことを幅とも称し、符号Ｗ１で表す。オリジナル基材５５Ａの搬送方向は、マスク５０の第１方向Ｄ１に平行であってもよい。

第１露光マスクの幅Ｗ１は、オリジナル基材５５Ａの幅Ｗ０より大きくてもよい。幅Ｗ０は、オリジナル基材５５Ａが搬送される方向に直交する方向における、オリジナル基材５５Ａの寸法である。

幅Ｗ０は、例えば、１００ｍｍ以上でもよく、２００ｍｍ以上でもよく、４００ｍｍ以上でもよい。幅Ｗ０は、例えば、６００ｍｍ以下でもよく、８００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以下でもよい。幅Ｗ０の範囲は、１００ｍｍ、２００ｍｍ及び４００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、６００ｍｍ、８００ｍｍ及び１０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｗ０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、幅Ｗ０は、１００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上８００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上８００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上８００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上８００ｍｍ以下でもよく、８００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよい。

第１露光マスクの幅Ｗ１は、例えば、４００ｍｍ以上でもよく、６００ｍｍ以上でもよく、８１０ｍｍ以上でもよく、１１００ｍｍ以上でもよい。幅Ｗ１は、例えば、６００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以下でもよく、１１００ｍｍ以下でもよく、１４００ｍｍ以下でもよい。幅Ｗ１の範囲は、４００ｍｍ、６００ｍｍ、８１０ｍｍ及び１１００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、６００ｍｍ、１０００ｍｍ、１１００ｍｍ及び１４００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、幅Ｗ１は、４００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上１１００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上８１０ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１１００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上８１０ｍｍ以下でもよく、８１０ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、８１０ｍｍ以上１１００ｍｍ以下でもよく、８１０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１１００ｍｍ以下でもよく、１１００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下でもよい。

第１露光マスクは、長さＹ１を有する。長さＹ１は、オリジナル基材５５Ａが搬送される方向における第１露光マスクの寸法である。長さＹ１は、幅Ｗ１よりも大きくてもよく、小さくてもよい。長さＹ１は、マスク５０の寸法Ｍ１１よりも小さくてもよい。長さＹ１は、第１部分５０Ａの寸法Ｍ１５に対応する。長さＹ１の数値の範囲としては、上述の寸法Ｍ１５の数値の範囲を採用できる。

図１２Ｂに示すように、第１露光プロセスにおいては、第１面第１露光マスク７１１が第１レジスト層６１に面するように配置され、同時に、第２面第１露光マスク７１２が第２レジスト層６２に面するように配置されてもよい。第１露光プロセスは、第１面第１露光マスク７１１と第２面第１露光マスク７１２との間の相対的な位置を調整する第１位置調整プロセスを含んでもよい。第１位置調整プロセスにおいては、第１面第１露光マスク７１１のアライメントマークと第２面第１露光マスク７１２のアライメントマークとが重なるように、位置の調整が実施されてもよい。第１位置調整プロセスにより、平面視における第１凹部５６１の中心の位置と第２凹部５６２の中心の位置とがずれることが抑制される。

図１２Ａに示されるように、第１面第１露光マスク７１１のアライメントマークＡＬＭは、平面視においてオリジナル基材５５Ａに重ならない位置に配置されてもよい。第２面第１露光マスク７１２のアライメントマークも同様に、平面視においてオリジナル基材５５Ａに重ならない位置に配置されてもよい。図示はしないが、アライメントマーク以外に基づいて、第１位置調整プロセスが実施されてもよい。例えば、第１面第１露光マスク７１１及び第２面第１露光マスク７１２の外縁の位置に基づいて、第１位置調整プロセスが実施されてもよい。

第１位置調整プロセスにおいては、第１面第１露光マスク７１１及び第２面第１露光マスク７１２のうちのいずれか一方の位置が調整されてもよい。第１位置調整プロセスにおいては、第１面第１露光マスク７１１及び第２面第１露光マスク７１２の両方の位置が調整されてもよい。第１位置調整プロセスにおいては、駆動装置を用いて第１面第１露光マスク７１１及び／又は第２面第１露光マスク７１２を移動させることにより、位置の調整が実施されてもよい。

第１露光プロセスは、第１面第１露光マスク７１１の位置及び第２面第１露光マスク７１２の位置を記録する第１位置記録プロセスを含んでもよい。例えば、第１位置調整プロセスによって調整された後の第１面第１露光マスク７１１の位置及び第２面第１露光マスク７１２の位置が記録されてもよい。第１位置記録プロセスによって記録された位置は、第１記録位置とも称される。例えば、駆動装置が動作する座標系における座標として、第１記録位置が記録されてもよい。

図１３Ａ及び図１３Ｂは、第１露光マスクによって露光されたレジスト層の一例を示す平面図及び断面図である。露光された第１レジスト層６１は、第１除去予定部分６１ａを含む。第１除去予定部分６１ａは、後述する現像プロセスにおいて現像されることによって除去される第１レジスト層６１の部分である。図１３Ａ及び図１３Ｂの状態において、第１レジスト層６１は未だ現像されていない。第１レジスト層６１がポジ型の感光材を含む場合、露光光が照射された部分が第１除去予定部分６１ａになる。第１レジスト層６１がネガ型の感光材を含む場合、露光光が照射されなかった部分が第１除去予定部分６１ａになり、後述する現像プロセスにおいて除去される。

第１レジスト層６１と同様に、第２レジスト層６２は、第２除去予定部分６２ａを含む。第２除去予定部分６２ａは、現像されることによって除去される第２レジスト層６２の部分である。第２レジスト層６２がポジ型の感光材を含む場合、露光光が照射された部分が第２除去予定部分６２ａになる。第２レジスト層６２がネガ型の感光材を含む場合、露光光が照射されなかった部分が第２除去予定部分６２ａになり、現像プロセスにおいて除去される。

図１３Ａに示すように、第１露光プロセスによって生じる第１除去予定部分６１ａは、第１中間部５２ａの外縁、第１端部５１ａの外縁、貫通孔５６、中間マーク５８ａ，５８ｂ及びマーク５８ｃ、５８ｄに対応する第１レジスト層６１の領域に位置する。図示はしないが、第１露光プロセスによって生じる第２除去予定部分６２ａも、第１中間部５２ａの外縁、第１端部５１ａの外縁、貫通孔５６、中間マーク５８ａ，５８ｂ及びマーク５８ｃ、５８ｄに対応する第２レジスト層６２の領域に位置する。

続いて、第２露光プロセスを実施する。第２露光プロセスは、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、第２露光マスクを用いてオリジナル基材５５Ａ上のレジスト層を露光する。第２露光マスクは、第２中間部５２ｂ及び第２端部５１ｂに対応する領域に位置するレジスト層を露光する。すなわち、第２露光マスクは、第２部分５０Ｂに対応するレジスト層を露光する。第２露光マスクは、第１レジスト層６１を露光する第１面第２露光マスク７２１と、第２レジスト層６２を露光する第２面第２露光マスク７２２と、を含んでもよい。

第２露光プロセスにおいては、駆動装置を用いて第２露光マスクを移動させることにより、オリジナル基材５５Ａに対する第２露光マスクの位置合わせを行ってもよい。第２露光プロセスにおいて第２露光マスクの位置を調整するプロセスは、第２位置調整プロセスとも称される。駆動装置は、露光マスクの位置を精密に調整できるよう構成されている。例えば、駆動装置は、マイクロアクチュエータを含んでもよい。マイクロアクチュエータは、静電アクチュエータ、電磁アクチュエータ、圧電アクチュエータ、熱膨張アクチュエータなどを含んでもよい。

第２位置調整プロセスにおいては、第１露光プロセスにおいて用いられた第１露光マスクの位置を基準として第２露光マスクの位置が調整されてもよい。例えば、第１位置記録プロセスにおいて記録された第１露光マスクの第１記録位置を基準として、第２露光マスクの位置が調整されてもよい。例えば、駆動装置が動作する座標系における座標としての第１記録位置を基準として、駆動装置を用いて第１面第２露光マスク７２１及び／又は第２面第２露光マスク７２２が移動されてもよい。

第１露光マスクの位置を基準として用いることにより、第１露光マスクに対する第２露光マスクの相対的な位置が理想からずれることを抑制できる。第２位置調整プロセスにより、例えば、上述の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１が低減される。第２位置調整プロセスにより、例えば、上述の第１角度θ１が低減される。

第１露光マスクの位置を基準とする第２露光マスクの位置の調整は、第一種調整とも称される。

第２位置調整プロセスにおいては、第１露光プロセスが実施された後の、第１部分５０Ａに対応するレジスト層６１、６２を基準として、第２露光マスクの位置が調整されてもよい。この場合、第１露光プロセスが実施された後の、第１部分５０Ａに対応するレジスト層６１、６２は、基準となり得る部分を含む。基準となり得る部分は、基準部分とも称される。基準部分は、第１露光プロセスにおいて露光光が照射されたレジスト層６１、６２の一部分であってもよい。基準部分は、第１露光プロセスにおいて露光光が照射されていないレジスト層６１、６２の一部分であってもよい。

レジスト層６１、６２の基準部分の位置には、第１露光プロセスにおける第１露光マスクの位置が反映されている。レジスト層６１、６２の基準部分を基準として用いることにより、上述の第一種調整の場合と同様に、第１露光マスクに対する第２露光マスクの相対的な位置が理想からずれることを抑制できる。

レジスト層６１、６２の基準部分を基準とする第２露光マスクの位置の調整は、第二種調整とも称される。第二種調整においては、第１レジスト層６１の基準部分を基準として、第１面第２露光マスク７２１の位置が調整されてもよい。第二種調整においては、第２レジスト層６２の基準部分を基準として、第２面第２露光マスク７２２の位置が調整されてもよい。

レジスト層６１、６２の基準部分は、平面視においてマスク５０に重ならないレジスト層６１、６２の領域に形成されてもよい。

レジスト層６１、６２の基準部分は、第１露光プロセスにおいて第１露光マスクの一部がレジスト層６１、６２に接触することにより、レジスト層６１、６２に形成されてもよい。例えば、第１露光マスクが、厚み方向においてレジスト層６１、６２に向かって突出した突起を含んでもよい。この場合、第１露光プロセスにおいて第１露光マスクの突起がレジスト層６１、６２に接触し、レジスト層６１、６２の一部が変形されることにより、レジスト層６１、６２に基準部分が形成される。

レジスト層６１、６２の基準部分は、第１露光プロセスにおいてレジスト層６１、６２の一部がレーザー光によって加工されることにより、レジスト層６１、６２に形成されてもよい。例えば、第１露光マスクが、レーザー光を部分的に透過させる透過部を含んでもよい。例えば、第１露光マスクが、平面視においてマスク５０に重ならない領域に位置し、レーザー光を遮蔽する遮蔽層と、遮蔽層に形成された開口と、を含んでもよい。この場合、第１露光プロセスにおいて、第１露光マスクの透過部に向けてレーザー光が照射されてもよい。第１露光プロセスにおいて第１露光マスクの透過部の開口を通過したレーザー光がレジスト層６１、６２に到達し、レジスト層６１、６２の一部が加工されることにより、レジスト層６１、６２に基準部分が形成される。

第２位置調整プロセスにおいては、第１面第２露光マスク７２１と第２面第２露光マスク７２２との間の相対的な位置が調整されてもよい。例えば、第２位置調整プロセスにおいては、第１面第２露光マスク７２１のアライメントマークと第２面第２露光マスク７２２のアライメントマークとが重なるように、位置の調整が実施されてもよい。第１面第２露光マスク７２１と第２面第２露光マスク７２２との間の相対的な位置は、第三種調整とも称される。

第２位置調整プロセスにおいては、上述の第一種調整、第二種調整及び第三種調整が任意に組み合わされて実施されてもよい。例えば、第一種調整又は第二種調整が実施され、更に第三種調整が実施されてもよい。

例えば、第一種調整又は第二種調整によって第１面第２露光マスク７２１の位置が調整され、その後、第三種調整によって第１面第２露光マスク７２１に対する第２面第２露光マスク７２２の相対的な位置が調整されてもよい。

例えば、第一種調整又は第二種調整によって第２面第２露光マスク７２２の位置が調整され、その後、第三種調整によって第２面第２露光マスク７２２に対する第１面第２露光マスク７２１の相対的な位置が調整されてもよい。

図１５Ａ及び図１５Ｂは、第２露光マスクによって露光されたレジスト層の一例を示す平面図及び断面図である。
図１５Ａに示すように、第２露光プロセスによって生じる第１除去予定部分６１ａは、第２中間部５２ｂの外縁、第２端部５１ｂの外縁、貫通孔５６、中間マーク５８ａ，５８ｂ及びマーク５８ｃ、５８ｄに対応する第１レジスト層６１の領域に位置する。図示はしないが、第２露光プロセスによって生じる第２除去予定部分６２ａは、第２中間部５２ｂの外縁、第２端部５１ｂの外縁、貫通孔５６、中間マーク５８ａ，５８ｂ及びマーク５８ｃ、５８ｄに対応する第２レジスト層６２の領域に位置する。

続いて、現像プロセスを実施する。これにより、第１除去予定部分６１ａ及び第２除去予定部分６２ａが除去される。

続いて、エッチングプロセスを実施する。エッチングプロセスは、露光及び現像された第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２を用いてオリジナル基材５５をエッチングする。エッチングプロセスは、第１面５５１をエッチングする第１面エッチングプロセスと、第２面５５２をエッチングする第２面エッチングプロセスと、を含んでもよい。エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含む液を用いることができる。

図１６は、エッチングされたオリジナル基材５５の一例を示す断面図である。第１面エッチングプロセスにより、第１面５５１に第１凹部５６１及び図示しない第３凹部５７１が形成される。第２面エッチングプロセスにより、第２面５５２に第２凹部５６２及び図示しない第４凹部５７２が形成される。第１凹部５６１と第２凹部５６２が接続されることにより、貫通孔５６が構成される。第３凹部５７１と第４凹部５７２が接続されることにより、貫通孔が構成される。第３凹部５７１及び第４凹部５７２から構成される、マスク５０の外縁を画成する貫通孔のことを、外縁孔とも称する。図示はしないが、第１中間マーク５８ａ、第２中間マーク５８ｂ、第１マーク５８ｃ及び第２マーク５８ｄもエッチングプロセスによって形成される。

図１６に示すように、第１面エッチングプロセスの後、第２面エッチングプロセスの前に、第１凹部５６１及び図示しない第３凹部５７１に樹脂６５が充填されていてもよい。

続いて、レジスト層除去プロセスを実施する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が除去される。また、樹脂６５を除去するプロセスを実施する。樹脂６５は、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２と同時に除去されてもよい。

図１７Ａ及び図１７Ｂは、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が除去された後のオリジナル基材５５Ａを示す平面図及び断面図である。オリジナル基材５５Ａは、貫通孔５６を含む貫通孔群５３と、マスク５０の外縁を画成する外縁孔と、マーク５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄと、を含む。第１端部５１ａの外縁を画成する外縁孔のことを、第２外縁孔とも称し、符号５９２で表す。中間部５２の外縁を画成する外縁孔のことを、第１外縁孔とも称し、符号５９１で表す。第２端部５１ｂの外縁を画成する外縁孔のことを、第３外縁孔とも称し、符号５９３で表す。

図１７Ａに示すように、マスク５０の外縁にはブリッジ５９５が接続されていてもよい。図１７Ａに示す例において、ブリッジ５９５は、第１端５０３及び第２端５０４に接続されている。

ブリッジ５９５は、外縁孔を横切るオリジナル基材５５Ａの部分である。ブリッジ５９５は、マスク５０の外縁を周囲のオリジナル基材５５Ａに接続する。ブリッジ５９５を設けることにより、マスク５０がオリジナル基材５５Ａから脱落することを抑制できる。ブリッジ５９５を破断させることにより、マスク５０をオリジナル基材５５Ａから抜き出すことができる。

本実施の形態においては、上述のように、第１露光マスクを用いて中間部５２の第１中間部５２ａに対応するレジスト層を露光する。また、第１露光マスクとは異なる第２露光マスクを用いて中間部５２の第２中間部５２ｂに対応するレジスト層を露光する。このため、１枚の露光マスクを用いてマスク５０全体を形成する場合に比べて、中間部５２の寸法Ｍ１２を大きくできる。このため、入手しやすい露光マスクを用いながら、マスク５０の寸法Ｍ１１を大きくできる。すなわち、マスク５０の製造設備への投資を抑制しながら、マスク５０の寸法Ｍ１１を大きくできる。

しかしながら、第１露光マスクに対する第２露光マスクの相対的な位置が理想からずれることがある。これにより、第１の貫通孔群５３ａの貫通孔５６の第１配列方向が、第２の貫通孔群５３ｂの貫通孔５６の第２配列方向に対してずれることがある。

マスク５０の製造方法は、上述の第１角度θ１に基づいてマスク５０を選別する選別ステップを備えていてもよい。第１角度θ１は、第２配列方向に対する第１配列方向のずれを表す。選別ステップは、例えば、閾値以下の第１角度θ１を有するマスク５０を良品として選別する。閾値は、例えば０．０００４２°でもよく、０．０００６３°でもよく、０．０００８４°でもよく、０．００１０５°でもよく、０．００１２５°でもよく、０．００１６７°でもよく、０．００２０９°でもよい。

マスク５０の製造方法は、第１側縁５０１の第１段部５０１ａの寸法Ｓ１に基づいてマスク５０を選別する選別ステップを備えていてもよい。マスク５０の製造方法は、上述の距離Ｇ１に基づいてマスク５０を選別する選別ステップを備えていてもよい。マスク５０の製造方法は、上述の距離Ｇ３に基づいてマスク５０を選別する選別ステップを備えていてもよい。選別ステップは、例えば、閾値以下の寸法Ｓ１、距離Ｇ１又は距離Ｇ３を有するマスク５０を良品として選別する。寸法Ｓ１、距離Ｇ１及び距離Ｇ３の閾値は、例えば０．１μｍでもよく、０．２μｍでもよく、０．５μｍでもよく、１．０μｍでもよく、１．５μｍでもよく、２．０μｍでもよく、２．５μｍでもよく、３．０μｍでもよい。

次に、マスク装置１５を製造する方法について説明する。まず、枠４１を準備する。続いて、枠４１に対するマスク５０の位置を定めるアライメント工程を実施する。アライメント工程においては、マスク５０に張力を加えながらマスク５０の位置を定めてもよい。例えば、図１８に示すように、クランプを用いてマスク５０に張力を加えてもよい。クランプは、例えば、第１端部５１ａに取り付けられる第１クランプ８１と、第２端部５１ｂに取り付けられる第２クランプ８２と、を含む。第１クランプ８１は、凹部５０５が形成されていない第１端５０３の部分に取り付けられる。例えば図１８に示すように、第１端５０３に１つの凹部５０５が形成されている場合、２つの第１クランプ８１が、凹部５０５が形成されていない第１端５０３の部分に取り付けられてもよい。第１端５０３に２つ以上の凹部５０５が形成されている場合、３つ以上の第１クランプ８１が、凹部５０５が形成されていない第１端５０３の部分に取り付けられてもよい。

第２端５０４に形成されている凹部５０６の数は、第１端５０３に形成されている凹部５０５の数と同一であってもよい。第２端部５１ｂに取り付けられる第２クランプ８２の数は、第１端部５１ａに取り付けられる第１クランプ８１の数と同一であってもよい。

アライメント工程においては、張力が加えられているマスク５０を、カメラなどを用いて撮影してもよい。撮影によって得られた画像に基づいて、枠４１に対するマスク５０の位置が検出される。

図１９は、張力Ｔが加えられているマスク５０の一例を示す平面図である。マスク５０は、複数の基準孔を含んでいてもよい。基準孔は、アライメント工程において、マスク５０の位置の指標として用いられる。基準孔は、貫通孔群５３の貫通孔５６によって構成されてもよい。基準孔の位置は、撮影によって得られた画像に基づいて検出される。

複数の基準孔は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２におけるマスク５０の各位置に設けられていてもよい。

例えば、第１部分５０Ａは、少なくとも１つの第１外側基準孔を含んでもよい。第１外側基準孔は、第１方向Ｄ１において第２の貫通孔群５３ｂから最も離れた第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される。図１９に示す例においては、第１方向Ｄ１において第２の貫通孔群５３ｂから最も離れた第１の貫通孔群が、符号５３ａ２で表されている。図１９に示す例においては、符号Ａ０１，Ｂ０１，Ｃ０１が付された貫通孔などが、第１外側基準孔を構成している。

例えば、第１部分５０Ａは、少なくとも１つの第１内側基準孔を含んでもよい。第１内側基準孔は、第１方向Ｄ１において第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される。図１９に示す例においては、第１方向Ｄ１において第２の貫通孔群５３ｂと隣り合う第１の貫通孔群が、符号５３ａ１で表されている。図１９に示す例においては、符号Ｂ１８が付された貫通孔などが、第１内側基準孔を構成している。

例えば、第２部分５０Ｂは、少なくとも１つの第２外側基準孔を含んでもよい。第２外側基準孔は、第１方向Ｄ１において第１の貫通孔群５３ａから最も離れた第２の貫通孔群の貫通孔によって構成される。図１９に示す例においては、第１方向Ｄ１において第１の貫通孔群５３ａから最も離れた第２の貫通孔群が、符号５３ｂ２で表されている。図１９に示す例においては、符号Ａ３６，Ｂ３６，Ｃ３６が付された貫通孔などが、第２外側基準孔を構成している。

例えば、第２部分５０Ｂは、少なくとも１つの第２内側基準孔を含んでもよい。第２内側基準孔は、第１方向Ｄ１において第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群の貫通孔によって構成される。図１９に示す例においては、第１方向Ｄ１において第１の貫通孔群５３ａと隣り合う第２の貫通孔群が、符号５３ｂ１で表されている。図１９に示す例においては、符号Ｂ１９が付された貫通孔などが、第２内側基準孔を構成している。

図１９に示す例において、マスク５０は、基準孔Ａ０１～Ａ３６，Ｂ０１～Ｂ３６，Ｃ０１～Ｃ３６を含む。基準孔Ａ０１～Ａ３６は、第１端５０３から第２端５０４に向かって第１側縁５０１に沿って並ぶ複数の貫通孔５６の一部によって構成されている。基準孔Ｃ０１～Ｃ３６は、第１端５０３から第２端５０４に向かって第２側縁５０２に沿って並ぶ複数の貫通孔５６の一部によって構成されている。基準孔Ｂ０１～Ｂ３６は、第２方向Ｄ２において基準孔Ａ０１～Ａ３６と基準孔Ｃ０１～Ｃ３６の中間に位置する貫通孔５６によって構成されている。

基準孔Ａ０１は、第１の貫通孔群５３ａ２に属し、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第１端５０３に近い貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｃ０１は、第１の貫通孔群５３ａ２に属し、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第１端５０３に近い貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｂ０１は、基準孔Ａ０１と基準孔Ｃ０１の中間に位置する貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｂ１８は、第１の貫通孔群５３ａ１に属し、最も第２部分５０Ｂに近く、第１配列方向に沿って見た場合に基準孔Ｂ０１と重なる貫通孔５６によって構成されている。

基準孔Ａ３６は、第２の貫通孔群５３ｂ２に属し、最も第１側縁５０１に近く、且つ最も第２端５０４に近い貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｃ３６は、第２の貫通孔群５３ｂ２に属し、最も第２側縁５０２に近く、且つ最も第２端５０４に近い貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｂ３６は、基準孔Ａ３６と基準孔Ｃ３６の中間に位置する貫通孔５６によって構成されている。基準孔Ｂ１９は、第２の貫通孔群５３ｂ１に属し、最も第１部分５０Ａに近く、第２配列方向に沿って見た場合に基準孔Ｂ３６と重なる貫通孔５６によって構成されている。

図１９に示す例において、基準線ＬＡは、第２方向Ｄ２における基準孔Ａ０１～Ａ３６の理想的な位置を示す。基準線ＬＢは、第２方向Ｄ２における基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の理想的な位置を示す。基準線ＬＣは、第２方向Ｄ２における基準孔Ｃ０１～Ｃ３６の理想的な位置を示す。基準線ＬＡ～ＬＣは、枠４１の基準座標系及びマスク５０の貫通孔５６の設計位置に基づいて定められる。

本実施の形態においては、上述のように、第１の貫通孔群５３ａの第１配列方向が、第２の貫通孔群５３ｂの第２配列方向に対してずれている。この場合、マスク５０に張力Ｔを加えると、第１外側基準孔又は第２外側基準孔の逸脱距離が大きくなる。逸脱距離とは、第２方向Ｄ２における、基準孔と基準線との間の距離である。図１９に示す例においては、第２外側基準孔を構成する基準孔Ａ３６，Ｂ３６，Ｃ３６の逸脱距離Δ２－２が、その他の基準孔Ａ０１～Ａ３５，Ｂ０１～Ｂ３５，Ｃ０１～Ｃ３５の逸脱距離よりも大きい。

アライメント工程は、マスク５０に加えられる張力Ｔを調整する調整工程を含んでもよい。調整工程は、例えば、張力の大きさを調整する。調整工程は、例えば、張力の向きを調整する。図２０は、調整された張力Ｔが加えられているマスク５０の一例を示す平面図である。図２０に示す例において、張力Ｔは、第２方向Ｄ２において、第１外側基準孔の逸脱距離及び第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第１調整閾値以下になるよう調整される。第１調整閾値は、例えば１．０μｍであり、０．５μｍでもよく、０．３μｍでもよく、０．２μｍでもよく、０．１μｍでもよい。

第１外側基準孔及び第２外側基準孔に着目して張力Ｔを調整すると、第１外側基準孔及び第２外側基準孔の逸脱距離が、その他の基準孔の逸脱距離に比べて小さくなる。この場合、第１内側基準孔及び第２内側基準孔の逸脱距離が、その他の基準孔の逸脱距離に比べて大きくなる。図１９に示す例においては、第１内側基準孔を構成する基準孔Ｂ１８の逸脱距離Δ１－１が、第１部分５０Ａに位置するその他の基準孔Ｂ０１～Ｂ１７などの逸脱距離よりも大きい。また、第２内側基準孔を構成する基準孔Ｂ１９の逸脱距離Δ２－１が、第２部分５０Ｂに位置するその他の基準孔Ｂ２０～Ｂ３６などの逸脱距離よりも大きい。

アライメント工程は、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させるシフト工程を含んでもよい。シフト工程は、第１外側基準孔の逸脱距離、第１内側基準孔の逸脱距離、及び第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第２調整閾値以下になるよう、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させる。シフト工程は、第１外側基準孔の逸脱距離、第１内側基準孔の逸脱距離、第２内側基準孔の逸脱距離、及び第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第２調整閾値以下になるよう、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させてもよい。シフト工程は、調整工程の後に実施されてもよい。

図２１は、シフト工程が実施された後のマスク５０の一例を示す平面図である。図２１に示す例において、シフト工程は、第１外側基準孔の逸脱距離Δ１－２、第１内側基準孔の逸脱距離Δ１－１、第２内側基準孔の逸脱距離Δ２－２、及び第２外側基準孔の逸脱距離Δ２－１がいずれも第２調整閾値以下になるよう、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させる。これにより、全ての基準孔の逸脱距離を平均的に小さくできる。従って、マスク５０を用いることによって作製される有機デバイスのＰＰＡを改善できる。第２調整閾値は、例えば５．０μｍであり、４．０μｍであってもよく、３．０μｍであってもよく、２．０μｍであってもよく、１．０μｍであってもよい。

シフト工程は、第１外側基準孔の逸脱距離Δ１－２と第１内側基準孔の逸脱距離Δ１－１との差が第３調整閾値以下になるよう、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させてもよい。これにより、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘをより低減できる。第３調整閾値は、例えば１．０μｍであり、０．５μｍでもよく、０．３μｍでもよく、０．２μｍでもよく、０．１μｍでもよい。

上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。

第２の実施の形態を説明する。上述の実施の形態においては、第１部分５０Ａと第２部分５０Ｂとの間の境界線ＢＬが、第１段部５０１ａ、距離Ｇ１又は距離Ｇ３に基づいて定められる例を示した。すなわち、境界線ＢＬが、第２方向Ｄ２における第１部分５０Ａの位置と第２部分５０Ｂの位置との間のずれに基づいて定められる例を示した。第２の実施の形態においては、マスク５０の中心Ｃ１に基づいて境界線ＢＬが定められる例を説明する。マスク５０の中心Ｃ１は、境界線ＢＬ１と境界線ＢＬ２の中間に位置する。

第１方向Ｄ１において隣り合う２つの貫通孔群５３の間に中心Ｃ１が位置する場合、境界線ＢＬは、中心Ｃ１を通り第２方向Ｄ２に延びる直線として定められてもよい。中心Ｃ１に隣接する２つの貫通孔群５３が、第１の貫通孔群５３ａ１及び第２の貫通孔群５３ｂ１として定められる。

中心Ｃ１が１つの貫通孔群５３（中心貫通孔群５３とも称する）に重なる場合、中心貫通孔群５３が、第１の貫通孔群５３ａ１又は第２の貫通孔群５３ｂ１として定められる。中心貫通孔群５３の次に中心Ｃ１に近い貫通孔群５３が、中心貫通孔群５３に対して第１端５０３側に位置する場合、その貫通孔群５３が第１の貫通孔群５３ａ１として定められ、中心貫通孔群５３が第２の貫通孔群５３ｂ１として定められる。中心貫通孔群５３の次に中心Ｃ１に近い貫通孔群５３が、中心貫通孔群５３に対して第２端５０４側に位置する場合、その貫通孔群５３が第２の貫通孔群５３ｂ１として定められ、中心貫通孔群５３が第１の貫通孔群５３ａ１として定められる。

次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（例１）
図２２Ａに示すように、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを備えるマスク５０を設計した。マスク５０の寸法の設計値は下記の通りである。
・第１方向Ｄ１におけるマスク５０の寸法Ｍ１１：２５８０ｍｍ
・第１方向Ｄ１における中間部５２の寸法Ｍ１２：２０８５ｍｍ
・第２方向Ｄ２における中間部５２の寸法：２２７ｍｍ
・第２方向Ｄ２における第１端部５１ａの寸法：２３０ｍｍ
・第２方向Ｄ２における第２端部５１ｂの寸法：２３０ｍｍ
・第１角度：０．００１２５°
・第２方向Ｄ２における第１段部５０１ａの寸法：０．０μｍ
・マスク５０の厚み：２０μｍ

張力が加えられていない状態におけるマスク５０の基準孔Ａ０１～Ａ３６，Ｂ０１～Ｂ３６，Ｃ０１～Ｃ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。結果を図２２Ｂに示す。横軸は、第１方向Ｄ１における位置を表し、縦軸は、第２方向Ｄ２における位置を表す。基準孔Ｂ０１などの第１外側基準孔の逸脱距離は、０．０μｍであった。基準孔Ｂ３６などの第２外側基準孔の逸脱距離は、２２．５μｍμｍであった。

続いて、２５Ｎの張力が加えられている状態におけるマスク５０の基準孔Ａ０１～Ａ３６，Ｂ０１～Ｂ３６，Ｃ０１～Ｃ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。結果を図２３に示す。基準孔Ｂ３６などの第２外側基準孔の逸脱距離は、２２．６μｍであった。

続いて、第１外側基準孔の位置と第２外側基準孔の位置とが一致するよう張力を調整する調整工程を、シミュレーションによって実施した。また、調整工程後の基準孔Ａ０１～Ａ３６，Ｂ０１～Ｂ３６，Ｃ０１～Ｃ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。結果を図２４に示す。第１外側基準孔の逸脱距離及び第２外側基準孔の逸脱距離は、いずれも０．０μｍであった。第１内側基準孔の逸脱距離及び第２内側基準孔の逸脱距離は、いずれも６．０μｍであった。

続いて、第２方向Ｄ２においてマスク５０を移動させるシフト工程を、シミュレーションによって実施した。また、シフト工程後の基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。結果を図２５に示す。図２５においては、シフト工程が実施された後の基準孔が、符号Ｂ０１’～Ｂ３６’で表されている。第１外側基準孔の逸脱距離Δ１－２、第１内側基準孔の逸脱距離Δ１－１、第２内側基準孔の逸脱距離Δ２－２、及び第２外側基準孔の逸脱距離Δ２－１はいずれも、３．０μｍであった。従って、図２６に示すように、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘは、３．０μｍである。

（例２）
第１角度が０．０００８４°であること以外は、例１の場合と同様に、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを備えるマスク５０を設計した。続いて、例１の場合と同様に、調整工程及びシフト工程を実施した後の基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。図２６に示すように、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘは、２．０μｍであった。

（例３）
第１角度が０．０００４２°であること以外は、例１の場合と同様に、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを備えるマスク５０を設計した。続いて、例１の場合と同様に、調整工程及びシフト工程を実施した後の基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。図２６に示すように、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘは、１．０μｍであった。

（例４）
第１角度が０．００１６７°であること以外は、例１の場合と同様に、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを備えるマスク５０を設計した。続いて、例１の場合と同様に、調整工程及びシフト工程を実施した後の基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。図２６に示すように、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘは、４．０μｍであった。

（例５）
第１角度が０．００２０９°であること以外は、例１の場合と同様に、第１部分５０Ａ及び第２部分５０Ｂを備えるマスク５０を設計した。続いて、例１の場合と同様に、調整工程及びシフト工程を実施した後の基準孔Ｂ０１～Ｂ３６の位置を、シミュレーションによって算出した。図２６に示すように、全ての基準孔の逸脱距離の最大値Δｍａｘは、５．０μｍであった。

例１～例５に基づいて算出される、第１角度θ１に対するΔｍａｘの傾きは、４８２０[μｍ／°]である。

Claims (21)

1. マスクの製造方法であって、
   前記マスクは、少なくとも１つの第１の貫通孔群を含む第１部分と、第１方向において前記第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の貫通孔群を含む第２部分と、を備え、
   前記製造方法は、
   オリジナル基材及びレジスト層を含む積層体を準備するステップと、
   第１露光マスクを用いて、前記第１部分に対応する前記レジスト層を露光する第１露光プロセスと、
   第２露光マスクを用いて、前記第２部分に対応する前記レジスト層を露光する第２露光プロセスと、
   前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を現像するプロセスと、
   前記第１部分に対応する前記レジスト層、及び前記第２部分に対応する前記レジスト層を介して前記オリジナル基材をエッチングするプロセスと、を備え、
   前記第１露光マスクは、前記オリジナル基材の第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第１露光マスクと、前記オリジナル基材の第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第１露光マスクと、を含み、
   前記第１露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第１露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第１露光マスクによって露光され、
   前記第２露光マスクは、前記第１面に位置する前記レジスト層を露光する第１面第２露光マスクと、前記第２面に位置する前記レジスト層を露光する第２面第２露光マスクと、を含み、
   前記第２露光プロセスにおいては、前記第１面に位置する前記レジスト層が前記第１面第２露光マスクによって露光され、且つ、前記第２面に位置する前記レジスト層が前記第２面第２露光マスクによって露光され、
   前記第１部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第１部分の外縁及び前記第１の貫通孔群が形成され、
   前記第２部分に対応する前記レジスト層を介したエッチングにより、前記オリジナル基材に、前記第２部分の外縁及び前記第２の貫通孔群が形成される、
   マスクの製造方法。
2. 前記第１露光マスクは、第１辺及び第２辺を含む矩形を有し、
   前記第１辺は、１０９０ｍｍ以上であり、
   前記第２辺は、８１０ｍｍ以上である、請求項１に記載のマスクの製造方法。
3. 前記オリジナル基材の厚みが３０μｍ以上である、請求項１に記載のマスクの製造方法。
4. 前記第２露光プロセスは、前記第１露光プロセスが実施された後の、前記第１部分に対応する前記レジスト層を基準として、前記第２露光マスクの位置を調整するプロセスを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のマスクの製造方法。
5. 前記第２露光プロセスは、前記第１露光プロセスにおいて用いられた前記第１露光マスクの位置を基準として、前記第２露光マスクの位置を調整するプロセスを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のマスクの製造方法。
6. 前記第１露光プロセスは、前記第１面第１露光マスクと前記第２面第１露光マスクとの間の相対的な位置を調整するプロセスを含み、
   前記第２露光プロセスは、前記第１面第２露光マスクと前記第２面第２露光マスクとの間の相対的な位置を調整するプロセスを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のマスクの製造方法。
7. マスクであって、
   第１方向に延びる第１側縁及び第２側縁を含み、第１面及び第２面を含む基材と、
   前記基材を貫通する複数の貫通孔群と、を備え、
   平面視において、前記マスクは、少なくとも１つの第１の前記貫通孔群を含む第１部分と、第１方向において前記第１の貫通孔群と隣り合う少なくとも１つの第２の前記貫通孔群を含む第２部分と、を備え、
   前記第１の貫通孔群の第１配列方向と前記第２の貫通孔群の第２配列方向とが成す第１角度θ１が、０．０００４２°以上であり、
   前記第１配列方向は、前記第１の貫通孔群に属し、前記第１側縁に沿って並ぶ貫通孔の配列方向であり、
   前記第２配列方向は、前記第２の貫通孔群に属し、前記第１側縁に沿って並ぶ貫通孔の配列方向である、マスク。
8. 平面視において、前記マスクは、前記第１方向に並ぶ複数の前記貫通孔群を含む中間部を備え、
   前記第１方向における前記中間部の寸法が、１０００ｍｍ以上２２００ｍｍ以下である、請求項７に記載のマスク。
9. 前記第１側縁は、前記第１部分と前記第２部分の境界に位置し、前記第１方向に直交する第２方向において変位する第１段部を含む、請求項７又は８に記載のマスク。
10. 前記第１段部の寸法Ｓ１が、３．０μｍ以下である、請求項９に記載のマスク。
11. 前記第１角度θ１が、０．００１２５°以下である、請求項１０に記載のマスク。
12. 前記第１段部の寸法Ｓ１と、前記第１角度θ１との間に、下記の関係式が成立している、
    ４８２０[μｍ／°]×θ１[°]＋Ｓ１[μｍ]≦６．０[μｍ]
    請求項９に記載のマスク。
13. 前記第１方向における前記第１部分の寸法が、９００ｍｍ以上であり、
    前記第１方向における前記第２部分の寸法が、９００ｍｍ以上である、請求項７又は８に記載のマスク。
14. 前記第１部分は、前記第１方向における前記マスクの端を構成する第１端を含み、
    前記第２部分は、前記第１方向における前記マスクの端を構成する第２端を含む、請求項７又は８に記載のマスク。
15. 平面視において、前記第１端及び前記第２端はそれぞれ、前記第１方向に直交する第２方向に並ぶ２つ以上の凹部を含む、請求項１４に記載のマスク。
16. 前記凹部は、前記第１方向において５ｍｍ以上の寸法を有する、請求項１５に記載のマスク。
17. マスク装置の製造方法であって、
    請求項７に記載のマスクに張力を加えながら枠に対する前記マスクの位置を定めるアライメント工程と、
    前記マスクを前記枠に固定する固定工程と、を備え、
    前記第１部分は、前記第１方向において前記第２の貫通孔群と隣り合う前記第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される第１内側基準孔と、前記第１方向において前記第２の貫通孔群から最も離れた前記第１の貫通孔群の貫通孔によって構成される第１外側基準孔と、を含み、
    前記第２部分は、前記第１方向において前記第１の貫通孔群から最も離れた前記第２の貫通孔群の貫通孔によって構成される第２外側基準孔を含み、
    前記アライメント工程は、
    前記第１外側基準孔及び前記第２外側基準孔に基づいて前記張力を調整する調整工程と、
    前記調整工程の後、前記第１内側基準孔に基づいて、前記第１方向に直交する第２方向において前記マスクを移動させるシフト工程と、を含む、マスク装置の製造方法。
18. 前記調整工程は、前記第２方向において、前記第１外側基準孔の逸脱距離及び前記第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第１調整閾値するよう前記張力を調整する、請求項１７に記載のマスク装置の製造方法。
19. 前記シフト工程は、前記第２方向において、前記第１外側基準孔の逸脱距離、前記第１内側基準孔の逸脱距離、及び前記第２外側基準孔の逸脱距離がいずれも第２調整閾値以下になるよう、前記第２方向において前記マスクを移動させる、請求項１８に記載のマスク装置の製造方法。
20. 前記シフト工程は、前記第１外側基準孔の逸脱距離と前記第１内側基準孔の逸脱距離との差が第３調整閾値以下になるよう、前記第２方向において前記マスクを移動させる、請求項１９に記載のマスク装置の製造方法。
21. 前記第２方向における前記枠の寸法が、１２００ｍｍ以上である、請求項１７～２０のいずれか一項に記載のマスク装置の製造方法。