JP2024069290A - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024069290A JP2024069290A JP2024032543A JP2024032543A JP2024069290A JP 2024069290 A JP2024069290 A JP 2024069290A JP 2024032543 A JP2024032543 A JP 2024032543A JP 2024032543 A JP2024032543 A JP 2024032543A JP 2024069290 A JP2024069290 A JP 2024069290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposition mask
- deposition
- wall surface
- height
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】蒸着マスク20の貫通孔25の壁面は、第1端から第2面に向かって広がる第1壁面と、第2端から第1面に向かって広がる第2壁面と、接続部41において第1壁面に接続される第2壁面と、第1壁面と第2壁面とが接続される接続部と、を含む。第1面の法線方向に沿って第1面側から貫通孔を見た場合、貫通孔の第1端は、第1方向に延び、第1寸法を有する第1部分32aと、第1方向に交差する第2方向に延び、第1寸法よりも短い第2寸法L2を有する第2部分と、を含む。第1壁面は、第1部分から接続部に向かって広がる第1壁面区画31aと、第2部分から接続部に向かって広がる第2壁面区画と、を含む。第1壁面区画31aの高さが、第2壁面区画の高さよりも小さい。
【選択図】図9
Description
第1面と、
前記第1面の反対側に位置する第2面と、
前記第1面に位置する端である第1端と前記第2面に位置する端である第2端とを含む壁面と、を備え、
前記壁面が、前記貫通孔を画成しており、
前記壁面は、前記第1端から前記第2面に向かって広がる第1壁面と、前記第2端から前記第1面に向かって広がる第2壁面と、前記第1壁面と前記第2壁面とが接続される接続部と、を含み、
前記第1面の法線方向に沿って前記第1面側から前記貫通孔を見た場合、前記貫通孔の前記第1端は、第1方向に延び、第1寸法を有する第1部分と、前記第1方向に交差する第2方向に延び、第1寸法よりも短い第2寸法を有する第2部分と、を含み、
前記第1壁面は、前記第1部分から前記接続部に向かって広がる第1壁面区画と、前記第2部分から前記接続部に向かって広がる第2壁面区画と、を含み、
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも小さい。
第1面と、
前記第1面の反対側に位置する第2面と、
前記第1面に位置する端である第1端と前記第2面に位置する端である第2端とを含む壁面と、を備え、
前記壁面が、前記貫通孔を画成しており、
前記壁面は、前記第1端から前記第2面に向かって広がる第1壁面と、前記第2端から前記第1面に向かって広がる第2壁面と、前記第1壁面と前記第2壁面とが接続される接続部と、を含み、
前記第1面の法線方向に沿って前記第1面側から前記貫通孔を見た場合、前記貫通孔の前記第1端は、第1方向に延び、第1寸法を有する第1部分と、前記第1方向に交差する第2方向に延び、第1寸法よりも短い第2寸法を有する第2部分と、を含み、
前記第1壁面は、前記第1部分から前記接続部に向かって広がる第1壁面区画と、前記第2部分から前記接続部に向かって広がる第2壁面区画と、を含み、
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも小さい、蒸着マスクである。
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも1μm以上小さくてもよい。
第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有する金属板を準備する工程と、
前記金属板をエッチングすることによって前記金属板に前記貫通孔を形成するエッチング工程と、を備え、
前記貫通孔は、前記第1面側に位置する端である第1端と前記第2面側に位置する端である第2端とを含む壁面を備え、
前記壁面は、前記第1端から前記第2面に向かって広がる第1壁面と、前記第2端から前記第1面に向かって広がる第2壁面と、前記第1壁面と前記第2壁面とが接続される接続部と、を含み、
前記エッチング工程は、エッチング液を用いて前記第1面をエッチングすることによって前記第1壁面を形成する第1面エッチング工程と、エッチング液を用いて前記第2面をエッチングすることによって前記第2壁面を形成する第2面エッチング工程と、を含み、
前記第1面の法線方向に沿って前記第1面側から前記貫通孔を見た場合、前記貫通孔の前記第1端は、第1方向に延び、第1寸法を有する第1部分と、前記第1方向に交差する第2方向に延び、第1寸法よりも短い第2寸法を有する第2部分と、を含み、
前記第1壁面は、前記第1部分から前記接続部に向かって広がる第1壁面区画と、前記第2部分から前記接続部に向かって広がる第2壁面区画と、を含み、
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも小さい、蒸着マスクの製造方法である。
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも1μm以上小さくてもよい。
前記第2レジストパターンは、前記第1端の前記第1部分に沿って延び、第1幅を有するレジスト第1部分と、前記第1端の前記第2部分に沿って延び、第2幅を有するレジスト第2部分と、を含み、
前記第1幅は、前記第2幅よりも大きくてもよい。
まず、図18に示すように、第1面エッチング工程を実施する。第1面エッチング工程においては、金属板51の第1面51aのうち第1レジストパターン53cによって覆われていない領域を、第1エッチング液を用いてエッチングする。例えば、第1エッチング液を、搬送される金属板51の第1面51aに対面する側に配置されたノズルから、第1レジストパターン53c越しに金属板51の第1面51aに向けて噴射する。この際、金属板51の第2面51bは、第1エッチング液に対する耐性を有するフィルムなどによって覆われていてもよい。
第1面エッチング工程の結果、図18に示すように、金属板51のうちの第1レジストパターン53cによって覆われていない領域で、第1エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板51の第1面51aに多数の第1凹部30が形成される。第1エッチング液としては、例えば塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。
複数のサンプルは、上述のように、1つの蒸着マスク20の複数の検査箇所Pにおいて採取されてもよい。若しくは、複数のサンプルは、複数の蒸着マスク20の検査箇所Pにおいて採取されてもよい。例えば図26に示すように、複数のサンプルは、金属板51の長さ方向F1における前端51e側において金属板51の幅方向F2に並ぶ複数の蒸着マスク20の複数の検査箇所Pにおいて採取されてもよい。また、複数のサンプルは、金属板51の長さ方向F1における後端51f側において金属板51の幅方向F2に並ぶ複数の蒸着マスク20の複数の検査箇所Pにおいて採取されてもよい。また、複数のサンプルは、金属板51の前端51eと後端51fとの間の中間部において金属板51の幅方向F2に並ぶ複数の蒸着マスク20の複数の検査箇所Pにおいて採取されてもよい。このように採取された複数のサンプルにおいて測定された高さの値の平均値を、貫通孔25の第1凹部30の第1壁面31の上述の高さH1及び高さH2として用いることができる。
上述の実施の形態の図13においては、第2の蒸着層99B及び第3の蒸着層99Cが、第1の蒸着層99Aの長辺が延びる方向に沿って並ぶ例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図27に示すように、第2の蒸着層99B及び第3の蒸着層99Cが、第1の蒸着層99Aの長辺が延びる方向に直交する方向において並んでいてもよい。この場合、図27に示すように、第2の蒸着層99B及び第3の蒸着層99Cも、第1の蒸着層99Aと同様に、一対の長辺及び一対の短辺を有していてもよい。このような第2の蒸着層99B及び第3の蒸着層99Cは、第1の蒸着層99Aと同様に、異なる長さを有する第1部分32a及び第2部分32bを含む第1端32を備えるように構成された蒸着マスク20を用いることによって形成されてもよい。
上述の実施の形態の図13においては、第1の蒸着層99Aの一対の辺の長さを、その他の一対の辺の長さに比べて大きくすることによって、第1の蒸着層99Aの面積がその他の蒸着層99B,99Cの面積に比べて拡大される例を示した。しかしながら、第1の蒸着層99Aの面積をその他の蒸着層99B,99Cの面積よりも大きくするための具体的な方法は特には限られない。例えば、図28Aに示すように、第1の蒸着層99Aが、寸法M1を有する4つの辺を含み、第3の蒸着層99Cが、寸法M1よりも小さい寸法M2を有する4つの辺を含んでいてもよい。第2の蒸着層99Bが、寸法M3を有する一対の辺と、寸法M3よりも小さい寸法M4を有する一対の辺と、を含んでいてもよい。寸法M3を有する第2の蒸着層99Bの辺は、第1方向D1又は第2方向D1において第1の蒸着層99Aの辺に対向していてもよい。寸法M4を有する第2の蒸着層99Bの辺は、第1方向D1又は第2方向D1において第3の蒸着層99Cの辺に対向していてもよい。寸法M3は、寸法M1と同一であってもよい。寸法M4は、寸法M2と同一であってもよい。第2の蒸着層99Bは、図29に示すように、異なる長さを有する第1部分32a及び第2部分32bを含む第1端32を備える蒸着マスク20を用いることによって形成されてもよい。
上述の実施の形態及び変形例においては、蒸着層99の輪郭の形状、及び蒸着マスク20の貫通孔25の第1端32の形状が四角形である例を示した。しかしながら、異なる長さを有する第1部分32a及び第2部分32bを含む第1端32を貫通孔25が備える限りにおいて、蒸着層99の輪郭及び貫通孔25の形状やパターンは特には限定されない。例えば、図30に示すように、蒸着層99A,99B,99Cは、六角形の輪郭を有していてもよい。
また、高さH1が高さH2よりも小さくなることを、第2間隔C2が第1間隔C1よりも小さいことに基づいて以下のように説明することもできる。ここでは、隣り合う2つの貫通孔25の間には少なくとも部分的にトップ部43が存在していると仮定する。この場合、第2間隔C2が第1間隔C1よりも小さいので、貫通孔25の第2部分32bからトップ部43までの距離は、貫通孔25の第1部分32aからトップ部43までの距離よりも短い。この結果、貫通孔25のうち第2部分32bに対応する部分では、第1部分32aに対応する部分に比べて、接続部41の位置が第2面51b側になる。すなわち、高さH1が高さH2よりも小さくなる。
上述の実施の形態及び変形例においては、蒸着マスク20の貫通孔25の第1端32の第1部分32a及び第2部分32bがそれぞれ、第1方向D1及び第2方向D2に延びる例を示した。しかしながら、第1方向D1における第1部分32aの第1寸法L1が、第2方向D2における第2部分32bの第2寸法L2よりも大きい限りにおいて、第1部分32a及び第2部分32bの具体的な形状は特には限られない。例えば、図35に示すように、第1端32は、平面視において楕円形を有していてもよい。この場合、第1部分32aの第1寸法L1は、第1方向D1に延びる一対の辺及び第2方向D2に延びる一対の辺を含むとともに第1端32に外接する四角形32pの、第1方向D1に延びる辺の長さである。また、第2部分32bの第2寸法L2は、第1端32に外接する上述の四角形32pの、第2方向D2に延びる辺の長さである。
上述の実施の形態及び変形例においては、貫通孔25の第1壁面31の第1壁面区画31aの高さH1が、第1壁面31の第2壁面区画31bの高さH2よりも小さい例を示した。また、平面視において第2部分53d2を挟んで隣り合う二つの第2凹部35は、平面視において第1部分53d1を挟んで隣り合う二つの第2凹部35に比べて、より早い段階で接続される例を示した。このため、第2部分53d2と金属板51との間の隙間は、第1部分53d1と金属板51との間の隙間よりも早く形成される例を示した。この場合、図9に示す第1高さH11は、図10に示す第2高さH12よりも大きくてもよい。なぜなら、第2レジストパターン53dと金属板51との間に隙間が形成されるタイミングが遅いほど、壁面全体の高さが大きく維持されるからである。第1高さH11と第2高さH12との差は、例えば0μm以上であり、0.1×T以上であってもよく、0.2×T以上であってもよく、0.3×T以上であってもよい。Tは、蒸着マスク20の厚みである。また、第1高さH11と第2高さH12との差は、例えば0.7×T以下であり、0.5×T以下であってもよく、0.4×T以下であってもよい。これにより、蒸着マスク20の強度が低下することを抑制しながら、有機EL基板92に形成される蒸着層99の有効面積を増加させることができる。
図8乃至図10に示す構造を有する蒸着マスク20を準備した。蒸着マスク20の各部分の寸法は下記の通りである。
・第1壁面区画31aの高さH1:3μm
・第2壁面区画31bの高さH2:4μm
・第1部分32aの第1寸法L1:48μm
・第2部分32bの第2寸法L2:46μm
図8乃至図10に示す構造を有する蒸着マスク20を準備した。蒸着マスク20の各部分の寸法は下記の通りである。
・第1壁面区画31aの高さH1:2μm
・第2壁面区画31bの高さH2:4μm
・第1部分32aの第1寸法L1:48μm
・第2部分32bの第2寸法L2:46μm
図8乃至図10に示す構造を有する蒸着マスク20を準備した。蒸着マスク20の各部分の寸法は下記の通りである。
・第1壁面区画31aの高さH1:2μm
・第2壁面区画31bの高さH2:3μm
・第1部分32aの第1寸法L1:48μm
・第2部分32bの第2寸法L2:46μm
図8乃至図10に示す構造を有する蒸着マスク20を準備した。蒸着マスク20の各部分の寸法は下記の通りである。
・第1壁面区画31aの高さH1:4μm
・第2壁面区画31bの高さH2:4μm
・第1部分32aの第1寸法L1:48μm
・第2部分32bの第2寸法L2:46μm
図8乃至図10に示す構造を有する蒸着マスク20を準備した。蒸着マスク20の各部分の寸法は下記の通りである。
・第1壁面区画31aの高さH1:2μm
・第2壁面区画31bの高さH2:2μm
・第1部分32aの第1寸法L1:48μm
・第2部分32bの第2寸法L2:46μm
Claims (1)
- 貫通孔を有する蒸着マスクであって、
第1面と、
前記第1面の反対側に位置する第2面と、
前記第1面に位置する端である第1端と前記第2面に位置する端である第2端とを含む壁面と、を備え、
前記壁面が、前記貫通孔を画成しており、
前記壁面は、前記第1端から前記第2面に向かって広がる第1壁面と、前記第2端から前記第1面に向かって広がる第2壁面と、前記第1壁面と前記第2壁面とが接続される接続部と、を含み、
前記第1面の法線方向に沿って前記第1面側から前記貫通孔を見た場合、前記貫通孔の前記第1端は、第1方向に延び、第1寸法を有する第1部分と、前記第1方向に交差する第2方向に延び、第1寸法よりも短い第2寸法を有する第2部分と、を含み、
前記第1壁面は、前記第1部分から前記接続部に向かって広がる第1壁面区画と、前記第2部分から前記接続部に向かって広がる第2壁面区画と、を含み、
前記第1壁面区画の高さが、前記第2壁面区画の高さよりも小さい、蒸着マスク。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019064890 | 2019-03-28 | ||
JP2019064890 | 2019-03-28 | ||
JP2020048245A JP7449485B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-18 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020048245A Division JP7449485B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-18 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024069290A true JP2024069290A (ja) | 2024-05-21 |
Family
ID=70779415
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020048245A Active JP7449485B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-18 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
JP2024032543A Pending JP2024069290A (ja) | 2019-03-28 | 2024-03-04 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020048245A Active JP7449485B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-18 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11739412B2 (ja) |
EP (1) | EP3715495A1 (ja) |
JP (2) | JP7449485B2 (ja) |
KR (2) | KR102795164B1 (ja) |
CN (3) | CN213172534U (ja) |
TW (1) | TWI826677B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7487481B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2024-05-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置、マスク支持機構及び蒸着マスク装置の製造方法 |
JP7449485B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2024-03-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
KR102787867B1 (ko) * | 2020-07-03 | 2025-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN115627443A (zh) * | 2020-11-18 | 2023-01-20 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 蒸镀掩模、组件、装置、显示装置及其制造方法和装置 |
CN112501551B (zh) * | 2020-11-18 | 2025-03-28 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模组件、蒸镀掩模装置及显示装置 |
CN115627442B (zh) * | 2020-11-18 | 2023-09-19 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 蒸镀掩模、组件、装置、显示装置及其制造方法和装置 |
CN112323020B (zh) * | 2020-11-18 | 2025-03-28 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模组件、蒸镀掩模装置及显示装置 |
CN112458462A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-09 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 蒸镀掩模制造方法、蒸镀掩模、组件、装置及显示装置 |
TWI828015B (zh) * | 2021-12-01 | 2024-01-01 | 達運精密工業股份有限公司 | 精密金屬遮罩的製造方法 |
CN115305439B (zh) * | 2022-07-21 | 2024-06-21 | 浙江众凌科技有限公司 | 一种高强度金属遮罩 |
WO2024024658A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 大日本印刷株式会社 | メタルマスク及びその製造方法 |
CN118422119A (zh) * | 2024-05-23 | 2024-08-02 | 浙江众凌科技有限公司 | 一种用于oled的金属掩膜版及加工方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5262226B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-08-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 |
JP2012059631A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス用マスク |
JP5382259B1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法 |
US9142779B2 (en) * | 2013-08-06 | 2015-09-22 | University Of Rochester | Patterning of OLED materials |
JP5641462B1 (ja) * | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法 |
CN106795618B (zh) * | 2014-10-15 | 2019-08-27 | 夏普株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀装置、蒸镀方法以及蒸镀掩模的制造方法 |
KR102115724B1 (ko) * | 2016-04-14 | 2020-05-27 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크용 기재, 증착 마스크용 기재의 제조 방법, 및, 증착 마스크의 제조 방법 |
JP6548085B2 (ja) | 2016-04-26 | 2019-07-24 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
TWI661063B (zh) | 2016-08-05 | 2019-06-01 | 日商凸版印刷股份有限公司 | 蒸鍍用金屬遮罩、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、及顯示裝置的製造方法 |
JP6851820B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-03-31 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着用マスク並びにその設置方法及び製造方法 |
JP6376483B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法 |
JP6428903B2 (ja) | 2017-01-17 | 2018-11-28 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
KR20240113987A (ko) * | 2017-01-17 | 2024-07-23 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법 |
JP7008288B2 (ja) * | 2017-07-05 | 2022-01-25 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク装置の製造方法 |
JP7067889B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2022-05-16 | マクセル株式会社 | 蒸着マスク |
CN114883514A (zh) | 2017-09-07 | 2022-08-09 | Lg伊诺特有限公司 | 沉积掩模 |
JP7449485B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2024-03-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
-
2020
- 2020-03-18 JP JP2020048245A patent/JP7449485B2/ja active Active
- 2020-03-24 US US16/828,287 patent/US11739412B2/en active Active
- 2020-03-25 KR KR1020200036148A patent/KR102795164B1/ko active Active
- 2020-03-27 CN CN202020426942.7U patent/CN213172534U/zh active Active
- 2020-03-27 CN CN202310454051.0A patent/CN116463585A/zh active Pending
- 2020-03-27 CN CN202010227944.8A patent/CN111748765B/zh active Active
- 2020-03-27 TW TW109110526A patent/TWI826677B/zh active
- 2020-03-27 EP EP20166143.6A patent/EP3715495A1/en active Pending
-
2024
- 2024-03-04 JP JP2024032543A patent/JP2024069290A/ja active Pending
-
2025
- 2025-04-08 KR KR1020250045539A patent/KR20250050844A/ko active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3715495A1 (en) | 2020-09-30 |
TW202043509A (zh) | 2020-12-01 |
KR20250050844A (ko) | 2025-04-15 |
TWI826677B (zh) | 2023-12-21 |
US11739412B2 (en) | 2023-08-29 |
KR102795164B1 (ko) | 2025-04-15 |
CN111748765B (zh) | 2023-11-17 |
JP2020164988A (ja) | 2020-10-08 |
CN213172534U (zh) | 2021-05-11 |
US20200308688A1 (en) | 2020-10-01 |
KR20200115279A (ko) | 2020-10-07 |
CN111748765A (zh) | 2020-10-09 |
JP7449485B2 (ja) | 2024-03-14 |
CN116463585A (zh) | 2023-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2024069290A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP7545671B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクが割り付けられた中間製品及び蒸着マスク | |
EP3556899B1 (en) | Vapor deposition mask device and method for manufacturing vapor deposition mask device | |
EP4148161B1 (en) | Method of manufacturing vapor deposition mask device | |
CN104854254B (zh) | 金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造蒸镀掩模的方法 | |
JP7406717B2 (ja) | 蒸着マスク | |
US20230272517A1 (en) | Deposition mask and method for manufacturing deposition mask | |
CN116891994A (zh) | 金属掩模及其制造方法 | |
JP2019081962A (ja) | 蒸着マスク | |
JP7413713B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク | |
JP7517491B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着装置 | |
CN116891993A (zh) | 金属掩模及其制造方法 | |
CN116891995A (zh) | 金属掩模及其制造方法 | |
JP2025071806A (ja) | マスク及びマスクの製造方法 | |
KR20250085720A (ko) | 메탈 마스크 및 그 제조 방법 | |
JP2025036083A (ja) | メタルマスク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240913 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20241107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20250204 |