WO2024024658A1 - メタルマスク及びその製造方法 - Google Patents

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WO2024024658A1
WO2024024658A1 PCT/JP2023/026732 JP2023026732W WO2024024658A1 WO 2024024658 A1 WO2024024658 A1 WO 2024024658A1 JP 2023026732 W JP2023026732 W JP 2023026732W WO 2024024658 A1 WO2024024658 A1 WO 2024024658A1
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WO
WIPO (PCT)
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hole
height
ridgeline
region
metal mask
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/026732
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English (en)
French (fr)
Inventor
祐二 安在
真邦 井上
Original Assignee
大日本印刷株式会社
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks

Definitions

  • the present disclosure relates to a metal mask and a method for manufacturing the same.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a metal mask that can form through holes with high precision.
  • a metal mask is installed on a frame and used to pattern an organic material onto a substrate in a desired pattern in the manufacture of an organic EL display device.
  • a metal mask has, for example, a perforated region, a surrounding region, and an alignment mark.
  • the perforated region is a region having through holes through which the vapor deposition material passes.
  • the surrounding region is a region located around the perforated region and supporting the perforated region.
  • the alignment mark may be, for example, a through hole formed in a non-porous area.
  • Such an alignment mark can be used, for example, for positioning and position correction when installing a metal mask on a frame, or for positioning and position correction between a metal mask device and a substrate.
  • the present disclosure has been made in view of the above problems, and aims to provide a metal mask that is less likely to deform or break at the boundary between a non-porous area and a perforated area that have alignment marks, and a method for manufacturing the same. do.
  • a metal mask includes: having a perforated region, a surrounding region, and an alignment region;
  • the surrounding area is an area located around the perforated area, the surrounding region has a non-porous surface;
  • the alignment area is an area surrounded by the perforated area,
  • the alignment region has a non-porous surface and an alignment mark,
  • the perforated region includes a plurality of through holes and a plurality of ridge lines, The ridge line separates the adjacent through holes,
  • the through hole has a first through hole, a second through hole, a third through hole, and a fourth through hole,
  • the ridgeline has a first ridgeline, a second ridgeline, and a third ridgeline,
  • the first through hole is located adjacent to the boundary between the alignment region and the perforated region,
  • the second through hole is located adjacent to the first through hole via the first ridgeline,
  • the third through hole is located adjacent to the second through hole via the second ridgeline,
  • the method for manufacturing the metal mask according to an embodiment of the present disclosure includes: preparing a metal plate having a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface; an etching step of forming the metal mask by etching the metal plate,
  • the metal mask has a perforated region, a surrounding region, and an alignment region,
  • the surrounding area is an area located around the perforated area, the surrounding region has a non-porous surface;
  • the alignment area is an area surrounded by the perforated area,
  • the alignment region has a non-porous surface and an alignment mark
  • the perforated region includes a plurality of through holes and a plurality of ridge lines, The ridge line separates the adjacent through holes,
  • the through hole has a first through hole, a second through hole, a third through hole, and a fourth through hole,
  • the ridgeline has a first ridgeline, a second ridgeline, and a third ridgeline, The first through hole is located adjacent to the
  • At least one embodiment of the present disclosure provides a metal mask that is less likely to deform or break at the boundary between a non-porous region and a perforated region that have alignment marks, and a method for manufacturing the same.
  • FIG. 2 is a plan view showing a metal mask according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing a metal mask according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing a metal mask according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1B is a plan view of region S1 shown in FIG. 1B viewed from the second surface side. 1B is another plan view of the region S1 shown in FIG. 1B viewed from the second surface side.
  • FIG. FIG. 2B is a plan view of region S3 shown in FIG. 2A viewed from the second surface side.
  • 3A is a cross-sectional view taken along line I-I' shown in FIG. 3A.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line II-II' shown in FIG. 3A.
  • 3A is a cross-sectional view taken along line III-III' shown in FIG. 3A.
  • FIG. 3A is a perspective view of region S4 shown in FIG. 3A viewed from the second surface side.
  • FIG. 1B is a plan view of region S2 shown in FIG. 1B viewed from the second surface side.
  • FIG. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an example of a method for manufacturing a metal mask. It is a figure which shows an example of the process of forming a resist film on a metal plate. It is a figure which shows an example of the process of patterning a resist film.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a metal mask device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • a configuration When a configuration is referred to as being “above,” “below,” “above,” “below,” “above,” or “below” another configuration, it means that one configuration is It may include an aspect that is directly in contact with a configuration, and an aspect where another configuration is included between a certain configuration and another configuration. In other words, an aspect in which another configuration is included between a certain configuration and another configuration may be expressed as a certain configuration being indirectly in contact with the other configuration. Also, the expressions “above”, “above”, or “upper” are interchangeable with the expressions “lower”, “lower”, or “lower”. In other words, the vertical direction may be reversed.
  • One or more aspects of the embodiment and one or more aspects of the modification may be combined to the extent that no contradiction occurs. Further, one or more of the embodiments may be combined with each other as long as no contradiction occurs. Further, one or more of the modified examples may be combined with each other within a range that does not cause any contradiction.
  • the numerical range expressed by the symbols " ⁇ " and/or “-” includes the numbers placed before and after the symbols “ ⁇ ” and/or “-”.
  • the numerical range expressed as “34 to 38 mass%” is the same as the numerical range expressed as "34 mass% or more and 38 mass% or less.”
  • a numerical range may be defined by combining any one of a plurality of upper limit candidate values and any one of a plurality of lower limit candidate values.
  • a numerical range may be defined by combining any two of multiple upper limit candidate values, or by combining any two of multiple lower limit candidate values.
  • Numerical ranges may be defined by combinations.
  • An embodiment of the present disclosure will be described in the following paragraphs.
  • An embodiment of the present disclosure is an example of an embodiment of the present disclosure. This disclosure is not to be construed as limited to only one embodiment of the disclosure.
  • the metal mask of the present disclosure can be used for various purposes. Although not particularly limited, for example, the metal mask of the present invention can be used as a metal mask used for patterning an organic material in a desired pattern on a substrate in manufacturing an organic EL display device.
  • the metal mask of the present disclosure can enable patterning with high pixel density.
  • Manufacturable organic EL display devices include displays for smartphones, televisions, and the like, as well as devices for displaying or projecting images and videos for expressing virtual reality (VR) and augmented reality (AR).
  • VR virtual reality
  • AR augmented reality
  • a first aspect of the present disclosure includes: having a perforated region, a surrounding region, and an alignment region;
  • the surrounding area is an area located around the perforated area, the surrounding region has a non-porous surface;
  • the alignment area is an area surrounded by the perforated area,
  • the alignment region has a non-porous surface and an alignment mark,
  • the perforated region includes a plurality of through holes and a plurality of ridge lines, The ridge line separates the adjacent through holes,
  • the through hole has a first through hole, a second through hole, a third through hole, and a fourth through hole,
  • the ridgeline has a first ridgeline, a second ridgeline, and a third ridgeline,
  • the first through hole is located adjacent to the boundary between the alignment region and the perforated region,
  • the second through hole is located adjacent to the first through hole via the first ridgeline,
  • the third through hole is located adjacent to the second through hole via the second ridgeline,
  • a second aspect of the present disclosure is a metal mask according to the first aspect described above, which includes:
  • the ratio of the height H0 to the height H1 (H0/H1) may be 1.20 or more
  • the ratio of the height H1 to the height H2 (H1/H2) may be 1.10 or more
  • a ratio (H2/H3) of the height H2 to the height H3 may be 1.00 or more.
  • a third aspect of the present disclosure is a metal mask according to the above-described first aspect or second aspect,
  • the through hole has a fifth through hole
  • the ridgeline has a fourth ridgeline
  • the fifth through hole is located adjacent to the fourth through hole via a fourth ridgeline
  • the boundary, the center of gravity of the first through hole, the center of gravity of the second through hole, the center of gravity of the third through hole, the center of gravity of the fourth through hole, and the center of gravity of the fifth through hole are arranged in this order on the straight line.
  • the fourth ridgeline has a height H4, A ratio (H0/H4) of the height H4 to the height H0 may be 1.25 or more.
  • a fourth aspect of the present disclosure is a metal mask according to any one of the first to third aspects described above,
  • the perforated region has a first perforated region and a second perforated region,
  • the density of the through holes in the first perforated region may be higher than the density of the through holes in the second perforated region.
  • a fifth aspect of the present disclosure is a metal mask according to the fourth aspect described above,
  • the second perforated region may be located so as to divide the first perforated region adjacent to each other.
  • a sixth aspect of the present disclosure includes: A method for manufacturing a metal mask, preparing a metal plate having a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface; an etching step of forming the metal mask by etching the metal plate,
  • the metal mask has a perforated region, a surrounding region, and an alignment region,
  • the surrounding area is an area located around the perforated area, the surrounding region has a non-porous surface;
  • the alignment area is an area surrounded by the perforated area,
  • the alignment region has a non-porous surface and an alignment mark,
  • the perforated region includes a plurality of through holes and a plurality of ridge lines, The ridge line separates the adjacent through holes,
  • the through hole has a first through hole, a second through hole, a third through hole, and a fourth through hole,
  • the ridgeline has a first ridgeline, a second ridgeline, and a third ridgeline, The first through hole is located adjacent
  • the metal mask 20 of the present disclosure includes a perforated region 22, a surrounding region 23, and an alignment region 24.
  • the perforated region 22 is a region in which a plurality of through holes 25 are formed.
  • the surrounding area 23 is an area located around the perforated area 22.
  • the alignment region 24 is a region surrounded by the perforated region 22 .
  • FIGS. 1A to 1C show plan views of the second surface 20b side of the metal mask 20 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the metal mask 20 may have a substantially rectangular outline in plan view.
  • planar view refers to viewing the metal mask 20 from a surface along the plate surface of the metal mask 20.
  • one perforated region 22 may be configured to correspond to one organic EL display device.
  • the metal mask 20 may have a plurality of perforated regions 22 arranged in a line at predetermined intervals along a direction D2 parallel to the longitudinal direction.
  • the metal mask 20 may have a plurality of rows of a plurality of perforated regions 22.
  • the plurality of perforated regions 22 may be arranged in a grid pattern.
  • a peripheral region 23 is located around each perforated region 22. In FIGS.
  • one perforated region 22 may be configured to correspond to a plurality of organic EL display devices.
  • the perforated region 22 may include a first perforated region 22a and a second perforated region 22b.
  • one first perforated region 22a may be configured to correspond to one organic EL display device.
  • the second perforated regions 22b may be located so as to divide the adjacent first perforated regions 22a.
  • the first perforated region 22a may be surrounded by the second perforated region 22b and the surrounding region 23.
  • the first perforated regions 22a may be surrounded only by the second perforated regions 22b.
  • the first perforated region 22a and the second perforated region 22b may have different through-hole densities. More specifically, the density of through holes in the first perforated region 22a may be higher than the density of through holes in the second perforated region 22b.
  • the density of through holes refers to the total area of through holes per unit area.
  • the area of one through-hole refers to the area at the opening of the through-hole that is the smallest in plan view.
  • the opening of the through hole that is the smallest in plan view may be, for example, an opening surrounded by the connecting portion 41 shown in FIG. 3C.
  • the material constituting the metal mask 20 is not particularly limited, and examples thereof include iron alloys containing nickel, iron alloys containing chromium such as stainless steel, nickel and nickel-cobalt alloys, and the like.
  • the thermal expansion coefficient of the metal mask 20 can be set to a value equivalent to the thermal expansion coefficient of the frame 15 and the thermal expansion coefficient of the substrate 92. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of positional shift due to differences in dimensional changes of the metal mask 20, frame 15, and substrate 92 during the vapor deposition process. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the dimensional accuracy and positional accuracy of the vapor deposition material 98 deposited on the substrate 92 due to positional deviation.
  • Iron alloys containing nickel are not particularly limited, but for example, in addition to 30% by mass to 34% by mass of nickel, a super invar material further contains cobalt, and an invar material containing 34% by mass to 38% by mass of nickel. , low thermal expansion Fe--Ni plating alloys containing 48% by mass or more and 54% by mass or less of nickel, and iron alloys containing 0% by mass or more and 54% by mass or less of nickel.
  • the metal mask 20 of the present disclosure has a first surface 20a and a second surface 20b as front and back surfaces.
  • the first surface 20a and the second surface 20b of the metal mask 20 are distinguished by the diameters of the through holes 25 on the front and back surfaces of the perforated region 22.
  • the first surface 20a refers to a surface in which the opening area of the through holes 25 is large in the perforated region 22
  • the second surface 20b refers to a surface in which the opening area of the through holes 25 is small.
  • the area closed by the ridgeline 33 surrounding one through hole 25 is defined as the opening of the through hole 25. It may be considered. In this case, the range closed by the ridgeline 33 becomes the opening area.
  • the first surface 20a may be the surface of the metal mask 20 that faces the substrate 92 when the metal mask device 10 is accommodated in the vapor deposition device 90 (see FIG. 7).
  • the second surface 20b is the surface of the metal mask 20 located on the side of the crucible 94 holding the vapor deposition material 98 when the metal mask device 10 is housed in the vapor deposition device 90 as shown in FIG. (See Figure 7).
  • FIGS. 2A and 2B are plan views of the region S1 shown in FIG. 1B viewed from the second surface 20b side.
  • each perforated region 22 of metal mask 20 has a plurality of through holes 25.
  • the through holes 25 may be formed in a desired pattern.
  • the through holes 25 may be arranged at a predetermined pitch along two directions (D1, D2) that intersect with each other.
  • the through holes 25 may be arranged in a staggered manner at predetermined pitches along two directions (D1, D2) that intersect with each other.
  • the first direction D1 and the second direction D2 may correspond to the length direction or width direction of the metal mask 20, respectively.
  • the pitch of the through holes in the perforated region 22 is not particularly limited.
  • the metal mask 20 is used to manufacture a display (approximately 0.5 inches or more and 32 inches or less) for a mobile phone or a digital camera
  • the pitch of the through holes 25 is set in the first direction D1 and the second direction D2.
  • Each of these may be approximately 28 ⁇ m or more and 254 ⁇ m or less.
  • the through hole 25 penetrates from the first surface 20a of the metal mask 20 to the second surface 20b in the thickness direction N.
  • vapor deposition material 98 passes through through hole 25 and adheres onto substrate 92 .
  • each through hole 25 defines a location on the substrate 92 where the vapor deposition material adheres.
  • the pattern of through holes 25 in perforated region 22 corresponds to the pattern to which vapor deposition material 98 is deposited.
  • a metal mask 20 with a different pattern of the through holes 25 depending on the type of the evaporation material 98 can also be used.
  • the pattern for depositing the vapor deposition material 98 is the same regardless of the color, the same metal mask 20 may be used. In this case, by relatively moving the metal mask 20 and the substrate 92, vapor deposition materials 98 of different colors can be deposited in the same pattern.
  • the perforated region 22 includes a plurality of through holes 25 and a plurality of ridgelines 33.
  • the through hole 25 has a first through hole 25a, a second through hole 25b, a third through hole 25c, and a fourth through hole 25d.
  • the through hole 25 may have a fifth through hole 25e.
  • the ridge line 33 may be positioned so as to separate adjacent through holes 25.
  • the ridgeline 33 has a first ridgeline 33a, a second ridgeline 33b, and a third ridgeline 33c.
  • the ridgeline 33 may have a fourth ridgeline 33d.
  • the first through hole 25a is located adjacent to the boundary between the alignment region 24 and the perforated region 22.
  • the second through hole 25b is located adjacent to the first through hole 25a via the first ridgeline 33a.
  • the third through hole 25c is located adjacent to the second through hole 25b via the second ridgeline 33b.
  • the fourth through hole 25d is located adjacent to the third through hole 25c via the third ridgeline 33c.
  • the fifth through hole 25e is located adjacent to the fourth through hole 25d via the fourth ridge line 33d.
  • the straight line L1 includes the boundary 24b, the center of gravity of the first through hole 25a, the center of gravity of the second through hole 25b, the center of gravity of the third through hole 25c, and the center of gravity of the fourth through hole 25d. , are straight lines that pass in this order. Note that the fifth through hole 25e is also located on the straight line L1.
  • the straight line L1 is the straight line in which the distance between the center of gravity of the first through hole and the center of gravity of the fourth through hole is the shortest.
  • a plurality of straight lines passing through the plurality of through holes can be drawn, such as the straight line L1 and the straight line L1'.
  • the straight line L1' does not correspond to the straight line L1 targeted by the present disclosure because the distance between the center of gravity of the first through hole and the center of gravity of the fourth through hole is long.
  • center of gravity means the geometric center of the opening of the through hole 25, which is the smallest in plan view.
  • FIGS. 2A and 2B the intersections of the ridgeline 33 and the straight line L1 are represented by dots. Therefore, the points shown in FIGS. 2A and 2B do not mean that the first ridge line 33a, the second ridge line 33b, the third ridge line 33c, and the fourth ridge line 33d are points instead of lines. This also applies to FIGS. 3A and 3E, which will be described later.
  • FIG. 3A shows a plan view of region S3 shown in FIG. 2A viewed from the second surface side.
  • FIG. 3B shows a cross-sectional view taken along line II' shown in FIG. 3A.
  • line II' is a line that coincides with line L1.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 3B is a drawing showing an example of a cross section passing through the straight line L1.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 3B is also a cross-sectional view when the perforated region 22 and the alignment region 24 are cut along the straight line L1.
  • FIG. 3E shows a perspective view of the region S4 shown in FIG. 3A viewed from the second surface 20b side.
  • the ridgeline 33 separates adjacent through holes 25.
  • each through hole 25 may be surrounded by a plurality of ridgelines 33 on the second surface 20b side of the perforated region 22.
  • the straight line L1 may pass through a particularly low part of the ridge line 33.
  • the lower height portions of the ridgeline 33 tend to have weaker mechanical strength and are more likely to wrinkle or fold.
  • the heights of the first ridgeline 33a, the second ridgeline 33b, and the third ridgeline 33c in a cross section passing through the straight line L1 defined as above are defined.
  • the height of the ridgeline 33 tends to increase as it approaches the alignment region 24.
  • the height of the ridgeline 33 may gradually decrease at a predetermined rate as the distance from the alignment region 24 increases. This height relationship will be explained in detail below.
  • the boundary 24b has a height H0.
  • the height H0 is the height from the first surface 20a to the second surface 20b in the alignment region 24.
  • the height H0 may preferably be 50 ⁇ m or less, 45 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less It may be 20 ⁇ m or less. Further, the height H0 may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or 15 ⁇ m or more.
  • the height H0 may be equal to the thickness of the portion of the metal mask 20 where the first recess 30 and the second recess 35 are not formed. In other words, the height H0 may be equal to the thickness of the surrounding region 23 or the thickness of the metal plate 51 of the metal mask 20.
  • the first ridge line 33a has a height H1.
  • the height H1 is the height from the first surface 20a to the top of the first ridgeline 33a.
  • the height H1 may preferably be 45 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less It may be. Further, the height H1 may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 12.5 ⁇ m or more, or 15 ⁇ m or more. It may be 17.5 ⁇ m or more.
  • the second ridge line 33b has a height H2.
  • the height H2 is the height from the first surface 20a to the top of the second ridgeline 33b.
  • the height H2 may preferably be 40 ⁇ m or less, 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, 17.
  • the thickness may be 5 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less.
  • the height H2 may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7.5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, and 12.5 ⁇ m or more. It may be.
  • the third ridge line 33c has a height H3.
  • the height H3 is the height from the first surface 20a to the top of the third ridgeline 33c.
  • the height H3 may preferably be 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, 17.5 ⁇ m or less, It may be 15 ⁇ m or less, or 12.5 ⁇ m or less. Further, the height H3 may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7.5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, and 12.5 ⁇ m or more. It may be.
  • the fourth ridge line 33d has a height H4.
  • the height H4 is the height from the first surface 20a to the top of the fourth ridgeline 33d.
  • the height H4 may preferably be 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, 17.5 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less, It may be 12.5 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less. Further, the height H4 may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, or 7.5 ⁇ m or more.
  • the perforated region 22 can be made thinner by etching or the like, and the vapor deposition material 98 can be formed into the second recessed portion in the vapor deposition process. There is a tendency that adhesion to the second wall surface 36 of 35 can be suppressed. Therefore, the utilization efficiency and vapor deposition accuracy of the vapor deposition material 98 tend to be further improved.
  • range of heights H0, H1, H2, H3, and H4 is a combination of any one of the above-mentioned plurality of lower limit candidate values and any one of the above-mentioned plurality of upper limit candidate values. may be determined by
  • the ratio of height H0 to height H1 is 2.10 or less, preferably 2.00 or less, 1.90 or less, 1.80 or less It may be 1.70 or less, or it may be 1.60 or less.
  • the ratio of height H0 to height H1 (H0/H1) may be preferably 0.90 or more, 1.00 or more, 1.05 or more, and 1 .10 or more, 1.15 or more, 1.20 or more, 1.25 or more, 1.30 or more, 1 It may be .35 or more, or it may be 1.40 or more.
  • the ratio of height H1 to height H2 is 2.10 or less, preferably 2.00 or less, 1.90 or less, 1.80 or less may be 1.70 or less, 1.60 or less, 1.50 or less, 1.40 or less, 1.30 or less It may be.
  • the ratio of height H1 to height H2 (H1/H2) may be preferably 0.90 or more, 1.00 or more, 1.05 or more, and 1 .10 or more, 1.15 or more, 1.20 or more, 1.25 or more, 1.30 or more.
  • the ratio of height H2 to height H3 is 2.10 or less, preferably 2.00 or less, 1.90 or less, 1.80 or less may be 1.70 or less, 1.60 or less, 1.50 or less, 1.40 or less, 1.30 or less It may be.
  • the ratio of height H2 to height H3 (H2/H3) may be preferably 0.90 or more, 1.00 or more, 1.05 or more, and 1 It may be .10 or more, or it may be 1.15 or more.
  • the ratio of height H3 to height H4 is preferably 2.10 or less, may be 2.00 or less, may be 1.90 or less, and may be 1.80 or less. may be 1.70 or less, 1.60 or less, 1.50 or less, 1.40 or less, 1.30 or less It may be.
  • the ratio of height H3 to height H4 may be preferably 0.90 or more, 1.00 or more, 1.05 or more, and 1 It may be .10 or more, or it may be 1.15 or more.
  • the ratio of height H0 to height H3 may be preferably 5.50 or less, 5.00 or less, 4.50 or less, 4 It may be .00 or less, or it may be 3.50 or less.
  • the ratio of height H0 to height H3 (H0/H3) may preferably be 1.25 or more, 1.50 or more, 1.75 or more, and 2 It may be .00 or more, or it may be 2.25 or more.
  • the ratio of height H0 to height H4 may preferably be 6.00 or less, 5.50 or less, 5.00 or less, 4 It may be .50 or less, 4.00 or less, or 3.50 or less.
  • the ratio of height H0 to height H4 may preferably be 1.25 or more, 1.50 or more, 1.75 or more, and 2 It may be .00 or more, 2.25 or more, 2.50 or more, 2.75 or more, or 3.00 or more.
  • the perforated region 22 can be made thinner by etching or the like. This tends to prevent the vapor deposition material 98 from adhering to the second wall surface 36 of the second recess 35 during the vapor deposition process. Therefore, the utilization efficiency and vapor deposition accuracy of the vapor deposition material 98 tend to be further improved.
  • the ratio (H0/H1), ratio (H1/H2), ratio (H2/H3), and ratio (H3/H4) to the above upper limit values or less, the perforated region 22 is prevented from deforming or breaking. There is a tendency to be able to further suppress the occurrence of
  • the above lower limit value is 1.05 or more. It may be.
  • the ratio (H0/H1), the ratio (H1/H2), the ratio (H2/H3), and the ratio (H3/H4) are any one of the plurality of lower limit candidate values mentioned above and the above-mentioned lower limit candidate value. It may be determined by any combination of a plurality of upper limit candidate values.
  • the heights H0, H1, H2, H3, and H4 can be measured by observing the cross section of the portion whose height is to be measured using a scanning electron microscope or the like. Then, the heights H0, H1, H2, H3, and H4 of the plurality of samples 20s are measured based on the above-described method, and the average value is calculated. This average value can be used as the heights H0, H1, H2, H3, and H4.
  • the magnification of the scanning electron microscope may be 500 to 2000 times. Further, as the scanning electron microscope, for example, FlexSEM1000 manufactured by Hitachi High-Technology Co., Ltd. may be used.
  • the height of the ridgeline 33 may be a constant height from the first surface 20a to the second surface 20b.
  • a ridge line 33 is formed by the merged second wall surfaces 36, as shown in FIG. 3E.
  • the height of the ridgeline 33 formed by the joined second wall surfaces 36 is not constant and may vary depending on the distance from the center of the through hole 25. For example, as shown in FIG. 3E, the longer the distance from the center of the through hole 25 to the ridgeline 33, the higher the height of the ridgeline 33.
  • FIG. 3C is a cross-sectional view taken along the line II-II' shown in FIG. 3A.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 3C is a cross-sectional view when the perforated region 22 is cut in a direction crossing the through hole 25 and the ridge line 33.
  • the II-II' line may be approximately parallel to the boundary on the side showing the cross-sectional view among the rectangular boundaries around the alignment region 24.
  • the heights of the ridge lines 33 may be approximately the same.
  • FIG. 3D is a cross-sectional view taken along line III-III' shown in FIG. 3A.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 3D is a cross-sectional view when the perforated region 22 is cut in a direction passing through the through hole 25 and the top portions 32a, 32b, 32c, and 32d.
  • the top portions 32a, 32b, 32c, and 32d are portions that have the maximum height in the perforated region 22.
  • the top portions 32a, 32b, 32c, and 32d may be the portions of the ridgeline 33 that have the maximum height.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 3D is also a cross-sectional view passing through a plurality of through holes. However, in the line III-III', the distance between the through holes is not the shortest. Therefore, the III-III' line is not a straight line L1.
  • the through hole 25 may be such that the first recess 30 on the first surface 20a side and the second recess 35 on the second surface 20b side communicate with each other.
  • the area of the first recess 30 in plan view may gradually become smaller from the first surface 20a toward the second surface 20b.
  • the area of the second recess 35 in plan view may gradually become smaller from the second surface 20b toward the first surface 20a.
  • the first recess 30 may be configured as a recess having a smaller diameter than the second recess 35.
  • the first surface 20a becomes a surface where the area of the metal plate 51 that is not etched in the perforated region 22 is small.
  • two adjacent through holes 25 may be spaced apart along the surface direction of the first surface 20a.
  • the first surface 51a of the metal plate 51 may remain between two adjacent first recesses 30.
  • Such a through hole 25 is formed by etching the metal plate 51 so that the first surface 51a of the metal plate 51 remains between two adjacent first recesses 30, as in a manufacturing method described later. It's okay. Note that the first surface 51a of the metal plate 51 corresponds to the first surface 20a of the metal mask 20.
  • the second recess 35 may be configured as a recess having a larger diameter than the first recess 30.
  • the second surface 20b becomes a surface where the area of the metal plate 51 that is not etched in the perforated region 22 is large.
  • the second recesses 35 of two adjacent through holes 25 may be connected.
  • the second surface 51b of the metal plate 51 constituting the metal mask 20 does not need to remain between two adjacent second recesses 35.
  • Such a through hole 25 is formed by etching the metal plate 51 so that the second surface 51b of the metal plate 51 does not remain between two adjacent second recesses 35, as in a manufacturing method described later. It's okay.
  • the second surface 51b of the metal plate 51 corresponds to the second surface 20b of the metal mask 20.
  • the first surface 51a of the metal plate 51 does not need to remain on the second surface 20b in the perforated region 22 in general.
  • the second surface 20b of the metal plate 51 may be etched over the entire perforated region 22. This tends to further improve the utilization efficiency of the vapor deposition material 98.
  • the first wall surface 31 of the first recess 30 and the second wall surface 36 of the second recess 35 may be connected via a circumferential connecting portion 41.
  • the connecting portion 41 is a ridge portion where the first recess 30 and the second recess 35 are connected.
  • the direction in which the wall surface of the through hole 25 expands discontinuously changes.
  • the opening area of the through hole 25 in the connecting portion 41 in plan view may be minimized. Further, the opening area of the through hole 25 in a plan view may be minimized in areas other than the connecting portion 41.
  • the vapor deposition material 98 passes through the second recess 35 and adheres to the substrate 92. At this time, a part of the vapor deposition material 98 may adhere to the second wall surface 36 without reaching the substrate 92.
  • the minimum angle ⁇ min is large, as shown in FIG. 3E.
  • the minimum angle ⁇ min is the minimum angle ⁇ formed between the straight line K1 and the thickness direction N in a certain through hole 25.
  • the straight line K1 is a straight line that passes through an arbitrary position P2 on the second wall surface 36 and an arbitrary position P1 on the connecting portion 41 in a certain through hole 25.
  • the straight line K1 can be determined for each through hole 25.
  • the minimum angle ⁇ min can also be determined for each through hole 25.
  • the first through hole 25a has an angle ⁇ 1.
  • the angle ⁇ 1 is the minimum angle ⁇ min in the first through hole 25a.
  • the angle ⁇ 1 may preferably be 17.5 degrees or more, 20.0 degrees or more, 22.5 degrees or more, or 25.0 degrees or more. , 30.0 degrees or more.
  • the angle ⁇ 1 may preferably be 50.0 degrees or less, 47.5 degrees or less, 45.0 degrees or less, or 42.5 degrees or less. , 40.0 degrees or less, or 37.5 degrees or less.
  • the second through hole 25b has an angle ⁇ 2.
  • the angle ⁇ 2 is the minimum angle ⁇ min at the second through hole 25b.
  • the angle ⁇ 2 may preferably be 20.0 degrees or more, 25.0 degrees or more, 35.0 degrees or more, or 40.0 degrees or more.
  • the angle ⁇ 2 may preferably be 60.0 degrees or less, 57.5 degrees or less, 55.0 degrees or less, or 52.5 degrees or less. , 50.0 degrees or less, 47.5 degrees or less, or 45.0 degrees or less.
  • the third through hole 25c has an angle ⁇ 3.
  • the angle ⁇ 3 is the minimum angle ⁇ min at the third through hole 25c.
  • the angle ⁇ 3 may preferably be 20.0 degrees or more, 25.0 degrees or more, 35.0 degrees or more, or 40.0 degrees or more.
  • the angle ⁇ 3 may preferably be 65.0 degrees or less, 62.5 degrees or less, 60.0 degrees or less, or 57.5 degrees or less. , may be 55.0 degrees or less, may be 52.5 degrees or less, may be 50.0 degrees or less, may be 47.5 degrees or less, may be 45.0 degrees or less It may be.
  • the fourth through hole 25d has an angle ⁇ 4.
  • the angle ⁇ 4 is the minimum angle ⁇ min at the fourth through hole 25d.
  • the angle ⁇ 4 may preferably be 20.0 degrees or more, 25.0 degrees or more, 35.0 degrees or more, or 40.0 degrees or more. , 45.0 degrees or more, or 50.0 degrees or more.
  • the angle ⁇ 4 may preferably be 70.0 degrees or less, 67.5 degrees or less, 65.0 degrees or less, or 62.5 degrees or less. , 60.0 degrees or less, 57.5 degrees or less, or 55.0 degrees or less.
  • angles ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, and ⁇ 4 By setting the angles ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, and ⁇ 4 to be equal to or greater than the above lower limit values, the utilization efficiency and vapor deposition accuracy of the vapor deposition material 98 in the vapor deposition process tend to be further improved. Moreover, by making the angles ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, and ⁇ 4 below the above upper limit values, deformation or breakage of the perforated region 22 tends to be more suppressed. Note that the range of angles ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, and ⁇ 4 is determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values described above and any one of the plurality of upper limit candidate values described above. Good too.
  • the ratio of angle ⁇ 4 to angle ⁇ 1 ( ⁇ 4/ ⁇ 1) may preferably be 1.00 or more, 1.05 or more, 1.10 or more, 1.15 or more, may be 1.20 or more, may be 1.25 or more, may be 1.30 or more, may be 1.40 or more, and may be 1.50 or more. It may be more than that. Further, the ratio of the angle ⁇ 4 to the angle ⁇ 1 ( ⁇ 4/ ⁇ 1) may preferably be 3.50 or less, 3.00 or less, 2.75 or less, or 2. It may be .50 or less, 2.25 or less, or 2.00 or less.
  • the ratio ( ⁇ 4/ ⁇ 1) By setting the ratio ( ⁇ 4/ ⁇ 1) to the above lower limit value or more, the utilization efficiency and vapor deposition accuracy of the vapor deposition material 98 tend to be further improved. Further, by setting the ratio ( ⁇ 4/ ⁇ 1) to be equal to or less than the above upper limit value, deformation or breakage of the perforated region 22 tends to be more suppressed.
  • Methods for increasing the minimum angle ⁇ min include, but are not particularly limited to, reducing the thickness of the metal mask 20 and lowering the ridgeline 33, for example. Thereby, the height of the second wall surface 36 of the second recess 35 becomes smaller. Therefore, the minimum angle ⁇ min tends to increase.
  • a method for lowering the ridgeline 33 is not particularly limited, but for example, the etching amount may be adjusted so that the second wall surfaces 36 of two adjacent second recesses 35 merge.
  • the surrounding area 23 is an area located around the perforated area 22.
  • the surrounding region 23 may be located to surround the perforated region 22 .
  • the surrounding region 23 may be a region that supports the perforated region 22 by being located around the perforated region 22 .
  • the surrounding region 23 may be a region through which the vapor deposition material 98 is not intended to pass.
  • the surrounding region 23 mainly has a non-porous surface in which no through holes are formed.
  • the surrounding region 23 may have through holes locally other than the non-porous surface that are not intended for the vapor deposition material to pass through. .
  • a recessed portion formed by half etching or the like may be formed on the non-porous surface.
  • a "non-porous surface" refers to a surface that does not have through holes.
  • the metal mask 20 is fixed to the frame 15 to constitute the metal mask device 10.
  • the peripheral region 23 may have an end 23 a fixed to the frame 15 .
  • the end portions 23a may be located at both ends in the length direction D2. Further, the end portion 23a may have a U-shaped cutout or the like.
  • FIG. 1C when the metal mask 20 has a plurality of rows of a plurality of perforated regions 22, one metal mask 20 may be attached to one frame 15. In this case, the end portion 23a may be located at the periphery of the metal mask 20.
  • the end portion 23a may be configured so that a portion thereof can be cut after the metal mask 20 is fixed to the frame 15. Furthermore, as shown in FIGS. 1A to 1C, the end portion 23a may be formed integrally with the other surrounding area 23, or may be formed of a separate member from the other surrounding area. In this case, the ends may be joined to other parts of the surrounding area, for example by welding.
  • the height from the first surface 20a to the second surface 20b in the surrounding area may preferably be 45 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, 35 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less. It may be 25 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or less.
  • the perforated area 22 can be made thinner by etching or the like, and it is possible to suppress the deposition material 98 from adhering to the second wall surface 36 of the second recess 35 during the evaporation process. There is a tendency.
  • the height from the first surface 20a to the second surface 20b in the surrounding area may preferably be 2.5 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or 15 ⁇ m or more. There may be.
  • the strength of the metal mask 20 tends to be further improved. This tends to further suppress deformation and breakage of the perforated region 22, for example.
  • the alignment area 24 is an area in which alignment marks 24a are formed.
  • Alignment region 24 has a non-porous surface and alignment marks 24a.
  • the alignment mark 24a can be any pattern that can be detected by various conventionally known detectors such as an image detector, and is not limited thereto.
  • the use of the alignment mark 24a is not limited, and can be exemplified by conventionally known uses such as facilitating positioning.
  • An example of the alignment mark 24a is an arbitrary pattern formed of through holes, recesses, protrusions, etc.
  • alignment marks 24a are formed on a non-porous surface.
  • the through hole is not intended for the vapor deposition material to pass through. That is, although the alignment region 24 has a non-porous surface, it may locally have through-holes that are not intended for the vapor deposition material to pass through. Further, a recessed portion formed by half etching or the like may be formed on the non-porous surface.
  • the alignment region 24 is a region surrounded by the perforated region 22.
  • the peripheral region 23 is relatively narrow. Therefore, it is conceivable to form a non-porous surface within the perforated region 22 and form the alignment mark 24a there. That is, in the case of having a continuous and elongated perforated region 22 as shown in FIG. 1B, it is preferable to form an alignment region 24 surrounded by the perforated region 22.
  • the height of the ridge line 33 is configured to gradually decrease at a predetermined rate as the distance from the alignment region 24 increases.
  • a method for manufacturing a metal mask according to an embodiment of the present disclosure includes a preparation step of preparing a metal plate 51 having a first surface 51a and a second surface 51b located on the opposite side of the first surface 51a; and an etching step of forming the metal mask 20 by etching the plate 51.
  • the metal mask 20 may be formed by etching or laser processing.
  • FIG. 5A is a schematic diagram showing a manufacturing apparatus 70 for manufacturing the metal mask 20 using the metal plate 51, together with the processing order thereof.
  • FIG. 5A shows an example in which the metal plate 51 is continuously supplied from the resist film forming device 71 to the stripping device 74.
  • the method for manufacturing the metal mask 20 of the present disclosure is not limited to this, and for example, the metal plate 51 may be wound up into a rolled body each time it is processed by each device. Further, when supplying the metal plate 51 to each device, the metal plate 51 may be unwound from a rolled body and supplied.
  • a metal plate 51 having a desired thickness is prepared (preparation step).
  • the metal plate 51 may be in the form of a wound body 50 wound around a core 52.
  • Methods for producing the metal plate 51 having a desired thickness are not particularly limited, and include, for example, a rolling method, a plating method, and the like.
  • resist films 53a and 53b are formed on the first surface 51a and second surface 51b of the metal plate 51 using the resist film forming apparatus 71 (FIG. 5B).
  • the resist films 53a and 53b may be formed by attaching a dry film resist to the first surface 51a and the second surface 51b.
  • the resist films 53a and 53b may be formed by applying a coating liquid containing a photosensitive resist material to the first surface 51a and the second surface 51b and drying the coating liquid.
  • the dry film resist and coating liquid are not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Further, the resist films 53a and 53b formed in this manner may be a negative type resist or a positive type resist. Among these, negative types are preferably used.
  • the thickness of the resist films 53a and 53b may be 15 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or less, or 4 ⁇ m or less. Further, the thickness of the resist films 53a and 53b may be 1 ⁇ m or more, 3 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, or 7 ⁇ m or more. The range of the thickness of the resist films 53a and 53b may be determined by a combination of any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above. .
  • a first resist pattern 53c can be formed on the first surface 51a
  • a second resist pattern 53d can be formed on the second surface 51b.
  • a glass substrate that does not allow light to pass through the area of the resist film to be removed is placed on the resist film, and the resist film is exposed through the glass substrate.
  • the resist film may be developed.
  • the metal plate 51 is etched using the first resist pattern 53c and the second resist pattern 53d as masks (etching step).
  • the etching process may include a first side etching process and a second side etching process.
  • FIG. 5D shows a schematic diagram illustrating an example of the first surface etching process.
  • a region of the first surface 51a that is not covered by the first resist pattern 53c is etched using an etching solution.
  • the second surface 51b may be covered with a resin or the like that is resistant to etching liquid.
  • the etching solution Due to the etching solution, erosion progresses on the first surface 51a that is not covered by the first resist pattern 53c (FIG. 5D). As a result, a large number of first recesses 30 are formed on the first surface 51a. Note that the etching of the metal plate 51 can proceed isotropically from the holes in the resist pattern in various directions. Therefore, the cross-sectional area of the first recess 30 and the second recess 35 at each position along the thickness direction of the metal mask 20 has a shape that gradually becomes smaller as it progresses from the surface in the thickness direction.
  • FIG. 5E shows a schematic diagram illustrating an example of the second surface etching process.
  • a region of the second surface 51b that is not covered by the second resist pattern 53d is etched using an etching solution.
  • the film that covered the second surface 51b in the first surface etching process may be peeled off in advance.
  • the first surface 51a may be covered with a resin 54 or the like having resistance to etching liquid.
  • the etching solution is not particularly limited as long as it is a conventionally known etching solution, but examples thereof include those containing a ferric chloride solution and hydrochloric acid.
  • the etching may proceed until the two adjacent second recesses 35 are connected. At a location where the two adjacent second recesses 35 are connected, the two adjacent second recesses 35 merge to form a ridgeline 33. Furthermore, the ridge line 33 is separated from the second resist pattern 53d, and erosion due to etching progresses in the thickness direction of the metal plate 51 at the top of the ridge line 33. As a result, the second resist pattern 53d is peeled off from the metal plate 51. Note that the second surface 51b may partially remain between two adjacent second recesses 35.
  • the resist pattern and the resin that is resistant to the etching solution are peeled off from the metal plate 51 using the peeling device 74. Then, by cutting the long metal plate 51 using the separation device 75, a separation process is performed in which the metal mask 20 made of a sheet metal plate is separated from the metal plate 51. In this way, the metal mask 20 can be obtained.
  • a metal mask device 10 includes a frame 15 and the metal mask 20 installed on the frame 15.
  • the metal mask 20 may be installed on the frame 15 with the second surface 20b in contact with the frame 15.
  • FIG. 6 shows a plan view of the metal mask device 10 viewed from the first surface 20a side of the metal mask 20.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view of the vapor deposition apparatus.
  • a plurality of metal masks 20 may be attached to one frame (FIG. 6).
  • the plurality of metal masks 20 may be lined up in the width direction (first direction D1) that intersects the length direction (second direction D2) of the metal mask 20.
  • each metal mask 20 may be fixed to the frame 15 at both ends 23a of the metal mask 20 in the length direction D2.
  • one metal mask 20 as shown in FIG. 1C may be attached to one frame 15. At this time, the metal mask 20 may be fixed to the frame 15 at the end 23a of the peripheral region 23.
  • the method of fixing to the frame 15 is not particularly limited, and examples include welding.
  • the metal mask device 10 may include a member that is fixed to the frame 15 and partially overlaps the metal mask 20 in the thickness direction of the metal mask 20.
  • Examples of such members include, but are not particularly limited to, members that extend in a direction intersecting the length direction of the metal mask 20 and support the metal mask 20, and a member that overlaps the gap between two adjacent metal masks. Examples include parts.
  • the organic EL display device may include a substrate 92 and a vapor deposition layer including a patterned vapor deposition material 98, which are laminated together.
  • the method for manufacturing an organic EL display device is not particularly limited, but includes, for example, a vapor deposition step of vapor depositing a vapor deposition material 98 onto a substrate such as the substrate 92 using a metal mask 20.
  • the metal mask device 10 is arranged so that the metal mask 20 faces the substrate 92.
  • the first surface 20a of the metal mask 20 may face the substrate 92.
  • the substrate 92 is a metal mask 20 such as a glass substrate, which is an object to be vapor-deposited.
  • the surface of the metal mask 20 facing the substrate 92 is the first surface 20a, and is located on the side of the crucible 94 holding the vapor deposition material 98.
  • the surface of the metal mask 20 that is used is the second surface 20b.
  • a metal mask 20 is arranged on the surface of the substrate 92 on the crucible 94 side.
  • the metal mask 20 and the substrate 92 may be brought into close contact with each other by magnetic force.
  • a crucible 94 that accommodates the vapor deposition material 98 and a heater 96 that heats the crucible 94 may be arranged below the metal mask apparatus 10.
  • the vapor deposition material 98 may be an organic light-emitting material, for example.
  • the vapor deposition material 98 in the crucible 94 is vaporized or sublimated by heating from the heater 96 .
  • the vaporized or sublimated deposition material 98 adheres to the substrate 92 through the through hole 25 of the metal mask 20 .
  • the vapor deposition material 98 is deposited on the surface of the substrate 92 in a desired pattern corresponding to the positions of the through holes 25 of the metal mask 20.
  • the inside of the vapor deposition apparatus 90 may be made into a vacuum atmosphere.
  • the evaporation material 98 may be deposited on the surface of the substrate 92 using different metal masks 20 depending on the type of the evaporation material 98. .
  • a red vapor deposition material 98, a green vapor deposition material 98, and a blue vapor deposition material 98 may be sequentially vapor deposited on the substrate 92.
  • the metal mask 20 metal mask device 10
  • the substrate 92 are moved relative to each other little by little along the arrangement direction of the through holes 25 (the above-mentioned one direction), and the vapor deposition material 98 for red color and the vapor deposition material 98 for green color are moved relative to each other little by little. and blue vapor deposition material 98 may be sequentially vapor deposited.
  • the method for manufacturing an organic EL display device may include various steps in addition to the vapor deposition step of vapor depositing the vapor deposition material 98 onto a substrate such as the substrate 92 using the metal mask 20.
  • a method for manufacturing an organic EL display device may include a step of forming a first electrode on a substrate. A deposited layer is formed on the first electrode.
  • the method for manufacturing an organic EL display device may include a step of forming a second electrode on the vapor deposition layer.
  • the method for manufacturing an organic EL display device may include a sealing step of sealing the first electrode, the vapor deposition layer, and the second electrode provided on the substrate 92.
  • the vapor deposited layer formed on the substrate such as the substrate 92 using the metal mask 20 is not limited to the light emitting layer formed by vapor depositing the above-mentioned organic light emitting material, and may include other layers.
  • the vapor deposition layer may include, in order from the first electrode side, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In this case, a vapor deposition process using metal masks 20 corresponding to each layer may be performed.
  • the step of forming the second recess 35 may be performed before the step of forming the first recess 30, or the step of forming the first recess 30 and the step of forming the second recess 35. may be performed in parallel.
  • a through hole may be formed by reaching the surface.
  • the shape of the through hole 25 may be a circle, an ellipse, or another polygon.
  • the arrangement of the through holes 25 may be a grid pattern as shown in FIG. 2A, a staggered pattern as shown in FIG. 2B, or a conventionally known arrangement such as a diamond pattern arrangement.
  • a first recess and a second recess were formed in a metal plate using the method for manufacturing a metal mask described above, thereby manufacturing a metal mask having a through hole consisting of the first recess and the second recess.
  • the height H0 of the boundary, the height H1 of the first ridgeline, the height H2 of the second ridgeline, the height H3 of the third ridgeline, and the height H4 of the fourth ridgeline in the cross section passing through the straight line L1 are as follows: The predetermined height relationship shown in Table 1 was established.
  • the perforated region has a first perforated region and a second perforated region having different through hole densities. Moreover, the second perforated area was positioned so as to divide the adjacent first perforated area.
  • the metal plate which is the raw material for the metal mask, was made of Invar material.
  • predetermined process refers to manufacturing a metal mask, stretching and welding the manufactured metal mask to a frame to manufacture a metal mask device, performing vapor deposition using the obtained metal mask device, and manufacturing a metal mask. Refers to a series of steps from cleaning the equipment to using it again for vapor deposition.
  • the ridge lines of the perforated region near the alignment region have a predetermined height relationship. Therefore, it is considered that the strength of the boundary between the perforated region and the alignment region was further improved. As a result, as shown in Table 1, no deformation or breakage was observed in the metal mask from the metal mask manufacturing process until the metal mask was stretched and welded to the frame.
  • the metal mask of the present invention has industrial applicability as a metal mask used in manufacturing organic EL display devices.

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Abstract

有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、　前記周囲領域は、無孔面を有し、　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、　所定の直線Ｌ１を通る断面において、各稜線の高さが所定の関係を有する、　メタルマスク。

Description

メタルマスク及びその製造方法
　本開示は、メタルマスク及びその製造方法に関する。
　有機ＥＬ表示装置の画素はメタルマスクを用いて基板上に画素を形成する材料を蒸着により付着させることにより形成される。そのため、メタルマスクの性能向上は有機ＥＬ表示装置の画質の向上にとって重要である。例えば、特許文献１には、精度よく貫通孔を形成することのできるメタルマスクの製造方法が開示されている。
特開2015-163734号公報
　メタルマスクはフレームに設置されて、有機ＥＬ表示装置の製造において有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる。このようなメタルマスクは、例えば、有孔領域と、周囲領域と、アライメントマークと、を有する。有孔領域は、蒸着物質が通過する貫通孔を有する領域である。また、周囲領域は、有孔領域の周囲に位置し、有孔領域を支持する領域である。アライメントマークは、例えば、無孔領域に形成された貫通孔であってもよい。
　このようなアライメントマークは、例えば、メタルマスクをフレームに設置する際の位置決めや位置補正、又は、メタルマスク装置と基板との間の位置決めや位置補正に使用できる。
　ところで、アライメントマークを有する無孔領域と有孔領域とが隣接すると、その境界において強度差が大きくなる。強度差が大きくなると、メタルマスクをフレームへ設置する際や蒸着の際に局所的に力が加わりやすくなる。そして、そのような局所的な力は、メタルマスクの変形や破断の要因となる。
　本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、アライメントマークを有する無孔領域と有孔領域の境界において、変形や破断が生じにくいメタルマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一実施形態によるメタルマスクは、
　有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、及び前記第３貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である。
　本開示の一実施形態による上記メタルマスクの製造方法は、
　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を有する金属板を準備する工程と、
　前記金属板をエッチングすることによって前記メタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、
　前記メタルマスクは、有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、前記第３貫通孔の重心、及び前記第４貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である。
　本開示の少なくとも一つの実施形態では、アライメントマークを有する無孔領域と有孔領域の境界において、変形や破断が生じにくいメタルマスク及びその製造方法を提供する。
本開示の一実施形態によるメタルマスクを示す平面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクを示す平面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクを示す平面図である。 図１Ｂに示す領域Ｓ１を第２面側から見た平面図である。 図１Ｂに示す領域Ｓ１を第２面側から見た別の平面図である。 図２Ａに示す領域Ｓ３を第２面側から見た平面図である。 図３Ａに示すＩ－Ｉ’線に沿った断面図である。 図３Ａに示すＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図である。 図３Ａに示すＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 図３Ａに示す領域Ｓ４を第２面側から見た斜視図である。 図１Ｂに示す領域Ｓ２を第２面側から見た平面図である。 メタルマスクの製造方法の一例を説明するための模式図である。 金属板上にレジスト膜を形成する工程の一例を示す図である。 レジスト膜をパターニングする工程の一例を示す図である。 第１面エッチング工程の一例を示す図である。 第２面エッチング工程の一例を示す図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスク装置を示す図である。 本開示の一実施形態による蒸着装置を示す断面図である。
　以下、図面を参照して本開示の一実施形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある場合がある。
　本明細書及び／又は本図面において、特別な記載が無い限りは、次のように解釈する。
　ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによって区別されなくてもよい。例えば、「基板」、「基材」、「板」、「シート」、又は「フィルム」等の用語が、上記記載に該当する。
　形状及び／又は幾何学的条件を意味する用語及び／又は数値は、厳密な意味に縛られる必要はなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含むものと解釈してもよい。例えば、「平行」及び／又は「直交」等が上記の用語に該当する。また、「長さの値」及び／又は「角度の値」等が上記の数値に該当する。
　ある構成が他の構成の「上に」、「下に」、「上側に」、「下側に」、「上方に」、又は「下方に」あると表現する場合には、ある構成が他の構成に直接的に接している態様と、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様が含まれてもよい。ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様とは、言い換えると、ある構成が他の構成に間接的に接していると表現してもよい。また、「上」、「上側」、又は「上方」という表現は、「下」、「下側」、又は「下方」という表現と交換可能である。言い換えると、上下方向が逆転してもよい。
　同一部分及び／又は同様な機能を有する部分に、同一の符号又は類似の符号を付す際に、繰り返しの記載は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また、実施形態の構成の一部が、図面から省略される場合がある。
　矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態と変形例の一つ以上の形態とを組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、変形例の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。
　製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、工程の順序は、限定されない。
　「～」及び／又は「－」という記号によって表現される数値範囲は、「～」及び／又は「－」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」と表現される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」と表現される数値範囲と同一である。
　本開示において記載する数値については、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つとを組み合わせることによって、数値範囲を画定してもよい。このほか、特に言及しなくとも、複数の上限の候補値のうちの任意の２つを組み合わせることによって数値範囲を画定してもよいし、複数の下限の候補値のうちの任意の２つを組み合わせることによって数値範囲を画定してもよい。
　本開示の一実施形態について、次の段落以降に記載する。本開示の一実施形態は、本開示の実施形態の一例である。本開示は、本開示の一実施形態のみに限定して解釈されない。
　本開示のメタルマスクは、種々の用途に用いることができる。特に限定されないが、例えば、本発明のメタルマスクは、有機ＥＬ表示装置の製造において有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられるメタルマスクとして用いることができる。本開示のメタルマスクは、高画素密度のパターニングを可能とすることができる。製造可能な有機ＥＬ表示装置には、スマートフォンやテレビなどのディスプレイのほか、仮想現実（ＶＲ）や拡張現実（ＡＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置が含まれる。
　なお、本明細書及び本図面において特別な説明が無い限りは、本発明の一実施形態として、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられるメタルマスクとその製造方法の例を記載する。
　本開示の第１の態様は、
　有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、及び前記第３貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である、
　メタルマスクである。
　本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるメタルマスクにおいて、
　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）は、１．２０以上であってもよく、
　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）は、１．１０以上であってもよく、
　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）は、１．００以上であってもよい。
　本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は第２の態様によるメタルマスクにおいて、
　前記貫通孔は、第５貫通孔を有し、
　前記稜線は、第４稜線を有し、
　前記第５貫通孔は、第４稜線を介して、前記第４貫通孔に隣接して位置し、
　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、前記第３貫通孔の重心、前記第４貫通孔の重心、及び前記第５貫通孔の重心は、この順に、前記直線Ｌ１上に位置し、
　前記直線Ｌ１を通る断面において、
　前記第４稜線は、高さＨ４を有し、
　前記高さＨ０に対する前記高さＨ４の比（Ｈ０／Ｈ４）が、１．２５以上であってもよい。
　本開示の第４の態様は、上述した第１の態様～第３の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、
　前記有孔領域は、第１有孔領域と第２有孔領域とを有し、
　前記第１有孔領域における前記貫通孔の密度は、前記第２有孔領域における前記貫通孔の密度よりも高くてもよい。
　本開示の第５の態様は、上述した第４の態様によるメタルマスクにおいて、
　前記第２有孔領域は、隣り合う前記第１有孔領域を分割するように位置してもよい。
　本開示の第６の態様は、
　メタルマスクの製造方法であって、
　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を有する金属板を準備する工程と、
　前記金属板をエッチングすることによって前記メタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、
　前記メタルマスクは、有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、前記第３貫通孔の重心、及び前記第４貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である、メタルマスクの製造方法である。
　本開示のメタルマスク２０は、有孔領域２２と、周囲領域２３と、アライメント領域２４と、を有する。有孔領域２２は、複数の貫通孔２５が形成された領域である。また、周囲領域２３は、有孔領域２２の周囲に位置する領域である。さらに、アライメント領域２４は有孔領域２２によって周囲を囲われた領域である。
　図１Ａ～１Ｃに、本開示の一実施形態のメタルマスク２０の第２面２０ｂ側の平面図を示す。図１Ａ～１Ｃに示されるように、メタルマスク２０は、平面視において略矩形状の輪郭を有してもよい。なお、本開示において、「平面視」とは、メタルマスク２０の板面に沿った面からメタルマスク２０を見ることをいう。
　本開示のメタルマスク２０において、一つの有孔領域２２は、一つの有機ＥＬ表示装置に対応するように構成されてもよい。例えば、図１Ａに示すように、メタルマスク２０は、長手方向と平行な方向Ｄ２に沿って、所定の間隔をあけて一列に配置された複数の有孔領域２２を有してもよい。また、図１Ｃに示すように、メタルマスク２０は、複数の有孔領域２２の列を複数有してもよい。言い換えると、複数の有孔領域２２は、格子状に配列されてもよい。図１Ａ及び図１Ｃでは周囲領域２３が各有孔領域２２の周囲に位置する。このようなメタルマスク２０を用いることにより、基板９２に対して、複数の有機ＥＬ表示装置を蒸着することが可能となる。
　また、一つの有孔領域２２は、複数の有機ＥＬ表示装置に対応するように構成されてもよい。例えば、図１Ｂに示すように、有孔領域２２は、第１有孔領域２２ａと第２有孔領域２２ｂとを有してもよい。この例では一つの第１有孔領域２２ａが一つの有機ＥＬ表示装置に対応するように構成されてもよい。また、第２有孔領域２２ｂが隣り合う第１有孔領域２２ａを分割するように位置してもよい。言い換えると、第１有孔領域２２ａは、第２有孔領域２２ｂと周囲領域２３により囲われてもよい。
　また、複数の第１有孔領域２２ａを格子状に配列する場合には、第１有孔領域２２ａは、第２有孔領域２２ｂのみによって囲われてもよい。
　図４に示すように、第１有孔領域２２ａと第２有孔領域２２ｂは、貫通孔の密度が異なってもよい。より具体的には、第１有孔領域２２ａにおける貫通孔の密度は、第２有孔領域２２ｂにおける貫通孔の密度よりも高くてもよい。ここで、貫通孔の密度とは、単位面積当たりの貫通孔の総面積をいう。また、一つの貫通孔の面積とは、平面視にて最小となる貫通孔の開口における面積をいう。ここで、平面視にて最小となる貫通孔の開口とは、例えば図３Ｃに示す接続部４１で囲われた開口であってもよい。
　図１Ｂに示すように、複数の第１有孔領域２２ａの間を、周囲領域に代えて第２有孔領域２２ｂとすることにより、蒸着時にメタルマスク２０にシワが生じることを抑制できる。そのため、シワの発生に起因する蒸着精度の低下を抑制することができる。
　メタルマスク２０を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、ニッケルを含む鉄合金、ステンレスなどのクロムを含む鉄合金、ニッケルやニッケル－コバルト合金などが挙げられる。
　このなかでも、ニッケルを含む鉄合金が好ましい。ニッケルを含む鉄合金を用いることにより、メタルマスク２０の熱膨張係数を、フレーム１５の熱膨張係数や基板９２の熱膨張係数と同等の値とすることができる。これにより、蒸着処理の間に、メタルマスク２０、フレーム１５および基板９２の寸法変化の差異に起因した位置ずれの発生を抑制できる。そのため、位置ずれに起因する、基板９２上に付着する蒸着材料９８の寸法精度や位置精度の低下を抑制できる。
　ニッケルを含む鉄合金としては、特に限定されないが、例えば、３０質量％以上３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、４８質量％以上５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金など、０質量％以上５４質量％以下のニッケルを含む鉄合金が挙げられる。
　次いで、有孔領域２２の詳細について説明する。初めに、有孔領域２２の詳細に先立ち、本開示のメタルマスク２０の有する面について説明する。本開示のメタルマスク２０は、表裏面として、第１面２０ａと第２面２０ｂとを有する。
　本開示においては、有孔領域２２の表裏面における貫通孔２５の口径によって、メタルマスク２０の第１面２０ａと第２面２０ｂとを区別する。具体的には、第１面２０ａは、有孔領域２２において貫通孔２５の開口面積が大きい面をいい、第２面２０ｂは、貫通孔２５の開口面積が小さい面をいう。また、図３Ｅなどに示すように、第２面２０ｂにおいて隣り合う貫通孔の凹面が合流している場合には、１つの貫通孔２５を囲う稜線３３で閉じた範囲を貫通孔２５の開口とみなしてもよい。この場合、稜線３３で閉じた範囲が開口面積となる。
　また、蒸着工程の観点からは、第１面２０ａは、メタルマスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合に、基板９２に対面するメタルマスク２０の面であってもよい（図７参照）。また、第２面２０ｂは、図７に示すようにしてメタルマスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合に、蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置するメタルマスク２０の面であってもよい（図７参照）。
　図２Ａ及び図２Ｂに、図１Ｂに示す領域Ｓ１を第２面２０ｂ側から見た平面図を示す。図２Ａに示されるように、メタルマスク２０の各有孔領域２２は、複数の貫通孔２５を有する。貫通孔２５は、所望のパターンで形成されてもよい。例えば、貫通孔２５は、互いに交差する二方向（Ｄ１，Ｄ２）に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されてもよい。また、図２Ｂに示されるように、貫通孔２５は、互いに交差する二方向（Ｄ１，Ｄ２）に沿ってそれぞれ所定のピッチで千鳥状に配列されてもよい。
　第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、それぞれ、メタルマスク２０の長さ方向又は幅方向に一致してもよい。有孔領域２２における貫通孔のピッチは、特に限定されない。例えば、メタルマスク２０が携帯電話やデジタルカメラ等のディスプレイ（０．５インチ以上３２インチ以下程度）を作製するために用いられる場合、貫通孔２５のピッチは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のそれぞれにおいて、２８μｍ以上２５４μｍ以下程度であってもよい。
　貫通孔２５は、メタルマスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂへ厚さ方向Ｎに貫通している。蒸着工程において、蒸着材料９８は貫通孔２５を通過して、基板９２上に付着する。つまり、各貫通孔２５は、基板９２上に蒸着材料が付着する場所を画する。有孔領域２２の貫通孔２５のパターンは、蒸着材料９８を付着させるパターンに対応する。
　蒸着材料９８の種類によって蒸着材料９８を付着させるパターンが異なる場合には、蒸着材料９８の種類によって貫通孔２５のパターンの異なるメタルマスク２０を用いることもできる。また、色にかかわらず蒸着材料９８を付着させるパターンが同じ場合には、同じメタルマスク２０を用いてもよい。この場合には、メタルマスク２０と基板９２とを相対移動させることで、異なる色の蒸着材料９８を同じパターンで付着することができる。
　本開示において、有孔領域２２は、複数の貫通孔２５と複数の稜線３３とを備える。図２Ａ及び図２Ｂに示すように、貫通孔２５は、第１貫通孔２５ａ、第２貫通孔２５ｂ、第３貫通孔２５ｃ、及び第４貫通孔２５ｄを有する。また、貫通孔２５は、第５貫通孔２５ｅを有してもよい。また、稜線３３は隣り合う貫通孔２５を区切るように位置してもよい。稜線３３は、第１稜線３３ａ、第２稜線３３ｂ、及び第３稜線３３ｃを有する。また、稜線３３は、第４稜線３３ｄを有してもよい。
　第１貫通孔２５ａは、アライメント領域２４と有孔領域２２の境界に、隣接して位置する。第２貫通孔２５ｂは、第１稜線３３ａを介して第１貫通孔２５ａに隣接して位置する。第３貫通孔２５ｃは、第２稜線３３ｂを介して、第２貫通孔２５ｂに隣接して位置する。第４貫通孔２５ｄは、第３稜線３３ｃを介して、第３貫通孔２５ｃに隣接して位置する。第５貫通孔２５ｅは、第４稜線３３ｄを介して、第４貫通孔２５ｄに隣接して位置する。
　図２Ａ及び図２Ｂに示すように、直線Ｌ１は、境界２４ｂ、第１貫通孔２５ａの重心、第２貫通孔２５ｂの重心、第３貫通孔２５ｃの重心、及び第４貫通孔２５ｄの重心を、この順で通過する直線である。なお、第５貫通孔２５ｅも直線Ｌ１上に位置する。
　直線Ｌ１は、第１貫通孔の重心と第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線である。例えば、図２Ａに示すように、複数の貫通孔を通過する直線は、直線Ｌ１や直線Ｌ１’のように複数引くことができる。しかし、直線Ｌ１’は、第１貫通孔の重心と第４貫通孔の重心の間の距離が長いため、本開示が対象とする直線Ｌ１には相当しない。
　なお、本開示において「重心」とは、平面視において最小となる貫通孔２５の開口における、幾何中心を意味する。
　なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、稜線３３と直線Ｌ１が交差するところを点で表している。したがって、図２Ａ及び図２Ｂに示す点は、第１稜線３３ａ、第２稜線３３ｂ、第３稜線３３ｃ、及び第４稜線３３ｄが、線ではなく点である、という意味ではない。このことは、後述する図３Ａ，図３Ｅにおいても同様である。
　次に、図２Ａの拡大図により、貫通孔、稜線、及び直線Ｌ１についてさらに詳説する。図３Ａに、図２Ａに示す領域Ｓ３を第２面側から見た平面図を示す。図３Ｂに、図３Ａに示すＩ－Ｉ’線に沿った断面図を示す。図３Ａ及び図３Ｂにおいて、Ｉ－Ｉ’線はＬ１線と一致する線である。また、図３Ｂに示す断面図は、直線Ｌ１を通る断面の一例を示す図面である。さらに、図３Ｂに示す断面図は、直線Ｌ１で有孔領域２２及びアライメント領域２４を切断した場合の断面図でもある。
　また、図３Ｅに、図３Ａに示す領域Ｓ４を第２面２０ｂ側から見た斜視図を示す。図３Ｅに示すように、稜線３３は、隣り合う貫通孔２５を区切る。例えば、図３Ｅに示すように、有孔領域２２の第２面２０ｂ側において、各貫通孔２５は、複数の稜線３３によって囲まれてもよい。また、図３Ｅに示すように、直線Ｌ１は稜線３３の特に高さの低い部分を通過していてもよい。稜線３３のうち高さの低い部分は、機械強度が弱い傾向にあり、シワや折れを生じさせやすい。
　本開示においては、上記のように定義される直線Ｌ１を通る断面における、第１稜線３３ａ、第２稜線３３ｂ、及び第３稜線３３ｃの高さを規定する。具体的には、図３Ｂに示すように、本開示においては、稜線３３の高さは、アライメント領域２４に近いほど高くなる傾向にある。言い換えると、本開示においては、アライメント領域２４から遠ざかるにつれて、稜線３３の高さは所定の割合で漸減してもよい。以下、この高さ関係について詳説する。
　直線Ｌ１を通る断面において、境界２４ｂは、高さＨ０を有する。高さＨ０は、アライメント領域２４における第１面２０ａから第２面２０ｂまでの高さである。高さＨ０は、好ましくは、５０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。また、高さＨ０は、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。高さＨ０を大きくすることにより、メタルマスク２０の強度がより向上する傾向にある。これにより、例えば有孔領域２２の変形や破断がより抑制される傾向にある。
　また、高さＨ０は、メタルマスク２０のうち第１凹部３０及び第２凹部３５が形成されていない部分の厚さと等しくてもよい。言い換えれば、高さＨ０は、周囲領域２３の厚さや、メタルマスク２０の金属板５１の厚さと等しい厚さであってもよい。
　直線Ｌ１を通る断面において、第１稜線３３ａは、高さＨ１を有する。高さＨ１は、第１面２０ａから第１稜線３３ａの頂部までの高さである。高さＨ１は、好ましくは、４５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。また、高さＨ１は、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１２．５μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、１７．５μｍ以上であってもよい。
　直線Ｌ１を通る断面において、第２稜線３３ｂは、高さＨ２を有する。高さＨ２は、第１面２０ａから第２稜線３３ｂの頂部までの高さである。高さＨ２は、好ましくは、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１７．５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。また、高さＨ２は、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７．５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１２．５μｍ以上であってもよい。
　直線Ｌ１を通る断面において、第３稜線３３ｃは、高さＨ３を有する。高さＨ３は、第１面２０ａから第３稜線３３ｃの頂部までの高さである。高さＨ３は、好ましくは、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１７．５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、１２．５μｍ以下であってもよい。また、高さＨ３は、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７．５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１２．５μｍ以上であってもよい。
　直線Ｌ１を通る断面において、第４稜線３３ｄは、高さＨ４を有する。高さＨ４は、第１面２０ａから第４稜線３３ｄの頂部までの高さである。高さＨ４は、好ましくは、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１７．５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、１２．５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。また、高さＨ４は、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７．５μｍ以上であってもよい。
　高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４を上記下限値以上にすることにより、有孔領域２２が変形したり破断したりすることをより抑制できる傾向にある。また、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４を上記上限値以下にすることにより、エッチングなどにより有孔領域２２をより薄く構成することができ、蒸着工程において蒸着材料９８が第２凹部３５の第２壁面３６に付着することを抑制できる傾向にある。そのため、蒸着材料９８の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。
　なお、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。
　高さＨ１に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）は、２．１０以下であり、好ましくは、２．００以下であってもよく、１．９０以下であってもよく、１．８０以下であってもよく、１．７０以下であってもよく、１．６０以下であってもよい。高さＨ１に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）は、好ましくは、０．９０以上であってもよく、１．００以上であってもよく、１．０５以上であってもよく、１．１０以上であってもよく、１．１５以上であってもよく、１．２０以上であってもよく、１．２５以上であってもよく、１．３０以上であってもよく、１．３５以上であってもよく、１．４０以上であってもよい。
　高さＨ２に対する高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）は、２．１０以下であり、好ましくは、２．００以下であってもよく、１．９０以下であってもよく、１．８０以下であってもよく、１．７０以下であってもよく、１．６０以下であってもよく、１．５０以下であってもよく、１．４０以下であってもよく、１．３０以下であってもよい。高さＨ２に対する高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）は、好ましくは、０．９０以上であってもよく、１．００以上であってもよく、１．０５以上であってもよく、１．１０以上であってもよく、１．１５以上であってもよく、１．２０以上であってもよく、１．２５以上であってもよく、１．３０以上であってもよい。
　高さＨ３に対する高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）は、２．１０以下であり、好ましくは、２．００以下であってもよく、１．９０以下であってもよく、１．８０以下であってもよく、１．７０以下であってもよく、１．６０以下であってもよく、１．５０以下であってもよく、１．４０以下であってもよく、１．３０以下であってもよい。高さＨ３に対する高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）は、好ましくは、０．９０以上であってもよく、１．００以上であってもよく、１．０５以上であってもよく、１．１０以上であってもよく、１．１５以上であってもよい。
　高さＨ４に対する高さＨ３の比（Ｈ３／Ｈ４）は、好ましくは、２．１０以下であり、２．００以下であってもよく、１．９０以下であってもよく、１．８０以下であってもよく、１．７０以下であってもよく、１．６０以下であってもよく、１．５０以下であってもよく、１．４０以下であってもよく、１．３０以下であってもよい。高さＨ４に対する高さＨ３の比（Ｈ３／Ｈ４）は、好ましくは、０．９０以上であってもよく、１．００以上であってもよく、１．０５以上であってもよく、１．１０以上であってもよく、１．１５以上であってもよい。
　高さＨ３に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ３）が、好ましくは、５．５０以下であってもよく、５．００以下であってもよく、４．５０以下であってもよく、４．００以下であってもよく、３．５０以下であってもよい。高さＨ３に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ３）は、好ましくは、１．２５以上であってもよく、１．５０以上であってもよく、１．７５以上であってもよく、２．００以上であってもよく、２．２５以上であってもよい。
　高さＨ４に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ４）が、好ましくは、６．００以下であってもよい、５．５０以下であってもよく、５．００以下であってもよく、４．５０以下であってもよく、４．００以下であってもよく、３．５０以下であってもよい。高さＨ４に対する高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ４）は、好ましくは、１．２５以上であってもよく、１．５０以上であってもよく、１．７５以上であってもよく、２．００以上であってもよく、２．２５以上であってもよく、２．５０以上であってもよく、２．７５以上であってもよく、３．００以上であってもよい。
　高さ比（Ｈ０／Ｈ１）、比（Ｈ１／Ｈ２）、比（Ｈ２／Ｈ３）、及び比（Ｈ３／Ｈ４）を上記下限値以上にすることにより、エッチングなどにより有孔領域２２をより薄く構成することができ、蒸着工程において蒸着材料９８が第２凹部３５の第２壁面３６に付着することを抑制できる傾向にある。そのため、蒸着材料９８の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。また、比（Ｈ０／Ｈ１）、比（Ｈ１／Ｈ２）、比（Ｈ２／Ｈ３）、及び比（Ｈ３／Ｈ４）を上記上限値以下にすることにより、有孔領域２２が変形したり破断したりすることをより抑制できる傾向にある。
　また、比（Ｈ０／Ｈ１）、比（Ｈ１／Ｈ２）、比（Ｈ２／Ｈ３）、及び比（Ｈ３／Ｈ４）のうち、１つ又は２つ以上は、上記下限値が、１．０５以上であってもよい。
　なお、比（Ｈ０／Ｈ１）、比（Ｈ１／Ｈ２）、比（Ｈ２／Ｈ３）、及び比（Ｈ３／Ｈ４）は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。
　次いで、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４の測定方法について説明する。まず、メタルマスク２０から、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４を測定するためのサンプル２０ｓを採取する。次いで、高さを測定したい部分の断面を走査型電子顕微鏡などで観察することによって、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４を測定できる。そして、複数のサンプル２０ｓについて、上述の方法に基づいて高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４を測定し、平均値を算出する。この平均値を、高さＨ０，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，及びＨ４として用いることができる。なお、走査型電子顕微鏡の拡大倍率は５００～２０００倍であってもよい。また、走査型電子顕微鏡としては、例えば、日立ハイテク（株）社のＦｌｅｘＳＥＭ１０００を使用してもよい。
　例えば、隣り合う第２凹部３５の第２壁面３６が合流しない場合には、隣り合う第２凹部３５の間で第２面２０ｂとして残る部分が隣り合う貫通孔２５を区切る稜線３３となる。この場合、稜線３３の高さは、第１面２０ａから第２面２０ｂまでの一定の高さであってもよい。
　他方で、隣り合う第２凹部３５の第２壁面３６が合流する場合には、図３Ｅに示すように、合流した第２壁面３６により稜線３３が形成される。図３Ｅに示すように、合流した第２壁面３６により形成される稜線３３の高さは一定ではなく、貫通孔２５の中心からの距離に応じて変化してもよい。例えば、図３Ｅに示すように、貫通孔２５の中心から稜線３３までの距離が長いほど、稜線３３の高さは高くなってもよい。
　図３Ｃは、図３Ａに示すＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図である。図３Ｃに示す断面図は、貫通孔２５と稜線３３を横断する方向に、有孔領域２２を切断した場合の断面図である。ＩＩ－ＩＩ’線は、アライメント領域２４の周りに矩形で存在する境界のうち、断面図を示す側の境界と略平行であってもよい。ＩＩ－ＩＩ’線においては、稜線３３の高さはおよそ同じであってもよい。
　図３Ｄは、図３Ａに示すＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った断面図である。図３Ｄに示す断面図は、貫通孔２５とトップ部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを通過する方向に、有孔領域２２を切断した場合の断面図である。ここで、トップ部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、有孔領域２２において高さが極大となる部分である。また、トップ部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、稜線３３のなかで、高さが極大となる部分であってもよい。図３Ｄに示す断面図は、複数の貫通孔を通過する断面図でもある。しかし、ＩＩＩ－ＩＩＩ’線は貫通孔の間の距離が最短とはならない。そのため、ＩＩＩ－ＩＩＩ’線は直線Ｌ１ではない。
　図３Ｂ～図３Ｄに示すように、貫通孔２５は、第１面２０ａ側の第１凹部３０と第２面２０ｂ側の第２凹部３５とが連通したものであってもよい。この際、第１凹部３０の平面視における面積は、第１面２０ａから第２面２０ｂへ向けて、次第に小さくなってもよい。また、第２凹部３５の平面視における面積は、第２面２０ｂから第１面２０ａへ向けて、次第に小さくなってもよい。
　また、第１凹部３０は、第２凹部３５よりも小径の凹部として構成してもよい。これにより、第１面２０ａにおいて、有孔領域２２においてエッチングされていない金属板５１の面積が小さい面となる。
　有孔領域２２の第１面２０ａ側において、隣り合う二つの貫通孔２５は、第１面２０ａの面方向に沿って離間してもよい。言い換えると、隣り合う二つの第１凹部３０の間に金属板５１の第１面５１ａが残ってもよい。このような貫通孔２５は、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第１凹部３０の間に金属板５１の第１面５１ａが残存するように金属板５１をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板５１の第１面５１ａは、メタルマスク２０の第１面２０ａに対応する。
　また、第２凹部３５は、第１凹部３０よりも大径の凹部として構成してもよい。これにより、第２面２０ｂにおいて、有孔領域２２においてエッチングされていない金属板５１の面積が大きい面となる。
　有孔領域２２の第２面２０ｂ側において、隣り合う二つの貫通孔２５の第２凹部３５が接続されてもよい。言い換えると、隣り合う二つの第２凹部３５の間に、メタルマスク２０を構成する金属板５１の第２面５１ｂが残っていなくてもよい。このような貫通孔２５は、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板５１の第２面５１ｂが残存しないように金属板５１をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板５１の第２面５１ｂは、メタルマスク２０の第２面２０ｂに対応する。
　また、有孔領域２２における第２面２０ｂの全般的に、金属板５１の第１面５１ａが残存していなくてもよい。言い換えれば、金属板５１の第２面２０ｂは、有孔領域２２の全域にわたってエッチングされてもよい。これにより、蒸着材料９８の利用効率がより向上する傾向にある。
　図３Ｂ～図３Ｅに示すように、第１凹部３０の第１壁面３１と、第２凹部３５の第２壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されていてもよい。接続部４１は、第１凹部３０と第２凹部３５とが接続される稜部である。接続部４１では、貫通孔２５の壁面の広がる方向が不連続に変化する。本開示の一実施形態においては、接続部４１において、平面視における貫通孔２５の開口面積が最小になってもよい。また、接続部４１以外において、平面視における貫通孔２５の開口面積が最小になってもよい。
　蒸着工程において、蒸着材料９８は第２凹部３５を通過して基板９２に付着する。この際に、蒸着材料９８の一部は、基板９２に到達せずに、第２壁面３６に付着することがある。第２壁面３６に付着する蒸着材料９８の比率が高いほど、蒸着工程における蒸着材料９８の利用効率が低下したり、蒸着精度が低下したりし得る。
　これを抑制するために、図３Ｅに示すように、最小角度θｍｉｎは大きいことが好ましい。ここで、最小角度θｍｉｎは、ある貫通孔２５において、直線Ｋ１と厚さ方向Ｎのなす角度θのうち、最小となる角度である。また、直線Ｋ１は、ある貫通孔２５において、第２壁面３６の任意の位置Ｐ２と接続部４１の任意の位置Ｐ１とを通過する直線である。直線Ｋ１は貫通孔２５ごとに決定することができる。また、最小角度θｍｉｎも貫通孔２５ごとに決定することができる。
　第１貫通孔２５ａは、角度θ１を有する。角度θ１は、第１貫通孔２５ａにおける最小角度θｍｉｎである。角度θ１は、好ましくは、１７．５度以上であってもよく、２０．０度以上であってもよく、２２．５度以上であってもよく、２５．０度以上であってもよく、３０．０度以上であってもよい。角度θ１は、好ましくは、５０．０度以下であってもよく、４７．５度以下であってもよく、４５．０度以下であってもよく、４２．５度以下であってもよく、４０．０度以下であってもよく、３７．５度以下であってもよい。
　第２貫通孔２５ｂは、角度θ２を有する。角度θ２は、第２貫通孔２５ｂにおける最小角度θｍｉｎである。角度θ２は、好ましくは、２０．０度以上であってもよく、２５．０度以上であってもよく、３５．０度以上であってもよく、４０．０度以上であってもよい。角度θ２は、好ましくは、６０．０度以下であってもよく、５７．５度以下であってもよく、５５．０度以下であってもよく、５２．５度以下であってもよく、５０．０度以下であってもよく、４７．５度以下であってもよく、４５．０度以下であってもよい。
　第３貫通孔２５ｃは、角度θ３を有する。角度θ３は、第３貫通孔２５ｃにおける最小角度θｍｉｎである。角度θ３は、好ましくは、２０．０度以上であってもよく、２５．０度以上であってもよく、３５．０度以上であってもよく、４０．０度以上であってもよい。角度θ３は、好ましくは、６５．０度以下であってもよく、６２．５度以下であってもよく、６０．０度以下であってもよく、５７．５度以下であってもよく、５５．０度以下であってもよく、５２．５度以下であってもよく、５０．０度以下であってもよく、４７．５度以下であってもよく、４５．０度以下であってもよい。
　第４貫通孔２５ｄは、角度θ４を有する。角度θ４は、第４貫通孔２５ｄにおける最小角度θｍｉｎである。角度θ４は、好ましくは、２０．０度以上であってもよく、２５．０度以上であってもよく、３５．０度以上であってもよく、４０．０度以上であってもよく、４５．０度以上であってもよく、５０．０度以上であってもよい。角度θ４は、好ましくは、７０．０度以下であってもよく、６７．５度以下であってもよく、６５．０度以下であってもよく、６２．５度以下であってもよく、６０．０度以下であってもよく、５７．５度以下であってもよく、５５．０度以下であってもよい。
　角度θ１，θ２，θ３，θ４を上記下限値以上にすることにより、蒸着工程において蒸着材料９８の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。また、角度θ１，θ２，θ３，θ４を上記上限値以下にすることにより、有孔領域２２が変形したり破断したりすることをより抑制できる傾向にある。なお、角度θ１，θ２，θ３，θ４の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。
　角度θ１に対する角度θ４の比（θ４／θ１）は、好ましくは、１．００以上であってもよく、１．０５以上であってもよく、１．１０以上であってもよく、１．１５以上であってもよく、１．２０以上であってもよく、１．２５以上であってもよく、１．３０以上であってもよく、１．４０以上であってもよく、１．５０以上であってもよい。また、角度θ１に対する角度θ４の比（θ４／θ１）は、好ましくは、３．５０以下であってもよく、３．００以下であってもよく、２．７５以下であってもよく、２．５０以下であってもよく、２．２５以下であってもよく、２．００以下であってもよい。
　比（θ４／θ１）を上記下限値以上にすることにより、蒸着材料９８の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。また、比（θ４／θ１）を上記上限値以下にすることにより、有孔領域２２が変形したり破断したりすることをより抑制できる傾向にある。
　最小角度θｍｉｎを大きくする方法としては、特に限定されないが、例えば、メタルマスク２０の厚みを小さくすることや、稜線３３を低くすることが挙げられる。これにより、第２凹部３５の第２壁面３６の高さは小さくなる。そのため、最小角度θｍｉｎは大きくなる傾向にある。稜線３３を低くする方法としては、特に限定されないが、例えば、隣り合う二つの第２凹部３５の第２壁面３６が合流するようにエッチング量を調整することが挙げられる。
　周囲領域２３は、有孔領域２２の周囲に位置する領域である。周囲領域２３は、有孔領域２２を取り囲むように位置してもよい。周囲領域２３は、有孔領域２２の周囲に位置することで有孔領域２２を支持する領域であってもよい。また、周囲領域２３は、蒸着材料９８が通過することを意図しない領域であってもよい。この観点から、周囲領域２３は、主には貫通孔が形成されていない無孔面を有する。ただし、種々の目的から、周囲領域２３は、無孔面を有しつつも、無孔面以外の部分に局所的に、蒸着材料が通過することを目的としない貫通孔を有してもよい。また、無孔面には、ハーフエッチング等により構成された凹部が形成されてもよい。本開示において、「無孔面」とは、貫通孔を有しない面を言う。
　後述するように、メタルマスク２０は、フレーム１５に固定されてメタルマスク装置１０を構成する。周囲領域２３は、フレーム１５に固定される端部２３ａを有してもよい。図１Ａに示すように、メタルマスク２０が長尺のスティック状である場合には、端部２３ａは長さ方向Ｄ２における両端に位置してもよい。また、端部２３ａは、Ｕ字状の切り欠きなどを有してもよい。一方、図１Ｃに示すように、メタルマスク２０が複数の有孔領域２２の列を複数有してするときは、一つのフレーム１５に対して一枚のメタルマスク２０が取り付けられてもよい。この場合には、端部２３ａはメタルマスク２０の周縁に位置してもよい。
　端部２３ａは、メタルマスク２０をフレーム１５に固定した後、その一部が切断可能に構成されてもよい。さらに、端部２３ａは、図１Ａ～１Ｃに示すように、他の周囲領域２３と一体的に構成されてもよいし、他の周囲領域とは別の部材によって構成されてもよい。この場合、端部は、例えば溶接によって周囲領域の他の部分に接合されてもよい。
　周囲領域における第１面２０ａから第２面２０ｂまでの高さは、好ましくは、４５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。周囲領域の高さを小さくすることにより、エッチングなどにより有孔領域２２をより薄く構成することができ、蒸着工程において蒸着材料９８が第２凹部３５の第２壁面３６に付着することを抑制できる傾向にある。
　周囲領域における第１面２０ａから第２面２０ｂまでの高さは、好ましくは、２．５μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。周囲領域の高さを大きくすることにより、メタルマスク２０の強度がより向上する傾向にある。これにより、例えば有孔領域２２の変形や破断がより抑制される傾向にある。
　アライメント領域２４は、アライメントマーク２４ａが形成された領域である。アライメント領域２４は無孔面とアライメントマーク２４ａとを有する。アライメントマーク２４ａは画像検出器など従来公知の各種検出器で検出可能な任意のパターンが例示でき、制限されない。アライメントマーク２４ａの用途も位置合わせを容易とするなど、従来公知の用途が例示でき、制限されない。アライメントマーク２４ａは、一例として、貫通孔、凹部、凸部などで形成される任意のパターンが挙げられる。
　なお、アライメント領域２４は、無孔面にアライメントマーク２４ａが形成される。アライメントマーク２４ａが貫通孔を有する場合、その貫通孔は蒸着材料が通過することを目的としない貫通孔である。つまり、アライメント領域２４は、無孔面を有しつつも、局所的に、蒸着材料が通過することを目的としない貫通孔を有してもよい。また、無孔面には、ハーフエッチング等により構成された凹部が形成されてもよい。
　本開示において、アライメント領域２４は、有孔領域２２によって周囲を囲われた領域である。とりわけ、図１Ｂのように、連続した長尺な有孔領域２２を有する場合には、周囲領域２３が比較的狭い。そのため、有孔領域２２内に無孔面を形成し、そこにアライメントマーク２４ａを形成することが考えられる。つまり、図１Ｂのように、連続した長尺な有孔領域２２を有する場合には、有孔領域２２によって周囲を囲われたアライメント領域２４を形成することが好ましい。しかし、そのように形成することで、有孔領域２２と無孔面を有するアライメント領域２４の境界付近において、強度差による変形が生じやすい。そのため、本開示のように、アライメント領域２４から遠ざかるにつれて稜線３３の高さは所定の割合で漸減するよう構成することが好ましい。
　本開示の一実施形態に係るメタルマスクの製造方法は、第１面５１ａと、第１面５１ａの反対側に位置する第２面５１ｂと、を有する金属板５１を準備する準備工程と、金属板５１をエッチングすることによって上記メタルマスク２０を形成するエッチング工程と、を備える。
　なお、以下においては、エッチングによりメタルマスク２０を製造する方法について説明するが、メタルマスク２０は、エッチングにより形成されたものであっても、レーザー加工により形成されたものであってもよい。
　本開示の一実施形態に係るメタルマスク２０の製造方法について、主に図５Ａ～図５Ｅを参照して説明する。図５Ａは、金属板５１を用いてメタルマスク２０を製造する製造装置７０を、その処理順序とともに示す概略図である。図５Ａには、レジスト膜形成装置７１から剥離装置７４まで、金属板５１が連続して供給される例が示されている。しかしながら、本開示のメタルマスク２０の製造方法は、これに限定されず、例えば、各装置による処理を経るごとに金属板５１を巻き取って巻回体の状態としてもよい。また、各装置に金属板５１を供給するときには、巻回体から金属板５１を巻きだして供給してもよい。
　以下、メタルマスク２０の製造方法の各工程について詳細に説明する。
　まず、所望の厚さを有する金属板５１を準備する（準備工程）。金属板５１はコア５２に巻かれた巻回体５０の状態であってもよい。所望の厚さを有する金属板５１を作製する方法としては、特に限定されないが、例えば、圧延法、めっき成膜法などが挙げられる。
　続いて、レジスト膜形成装置７１を用いて、金属板５１の第１面５１ａ及び第２面５１ｂに、レジスト膜５３ａ、５３ｂを形成する（図５Ｂ）。具体的には、レジスト膜５３ａ、５３ｂは、ドライフィルムレジストを第１面５１ａ及び第２面５１ｂに貼り付けることによって形成してもよい。また、レジスト膜５３ａ、５３ｂは、感光性レジスト材料を含む塗布液を第１面５１ａ及び第２面５１ｂに塗布し、乾燥して形成してもよい。
　ドライフィルムレジストや塗布液としては、特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。また、このようにして形成されるレジスト膜５３ａ、５３ｂはネガ型レジストであってもポジ型レジストであってもよい。なかでも、ネガ型が好ましく用いられる。
　レジスト膜５３ａ、５３ｂの厚さは、１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、６μｍ以下であってもよく、４μｍ以下であってもよい。また、レジスト膜５３ａ、５３ｂの厚さは、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよい。レジスト膜５３ａ、５３ｂの厚さの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。
　続いて、露光・現像装置７２を用いて、レジスト膜５３ａ、５３ｂを露光及び現像する。これにより、図５Ｃに示すように、第１面５１ａ上に第１レジストパターン５３ｃを形成し、第２面５１ｂ上に第２レジストパターン５３ｄを形成できる。例えば、ネガ型のレジスト膜を用いた場合には、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させないようにしたガラス基板をレジスト膜上に配置し、レジスト膜をガラス基板越しに露光し、さらにレジスト膜を現像するようにしてもよい。
　続いて、エッチング装置７３を用いて、第１レジストパターン５３ｃ、第２レジストパターン５３ｄをマスクとして金属板５１をエッチングする（エッチング工程）。エッチング工程は、第１面エッチング工程及び第２面エッチング工程を含んでもよい。
　図５Ｄに、第１面エッチング工程の一例を表す概略図を示す。第１面エッチング工程においては、第１面５１ａのうち第１レジストパターン５３ｃによって覆われていない領域を、エッチング液を用いてエッチングする。この際、第２面５１ｂは、エッチング液に対する耐性を有する樹脂などによって覆われてもよい。
　エッチング液により、第１レジストパターン５３ｃによって覆われていない第１面５１ａにおいて、浸食が進む（図５Ｄ）。これによって、第１面５１ａに多数の第１凹部３０が形成される。なお、金属板５１のエッチングはレジストパターンの穴から様々な方向に向けて等方的に進行し得る。そのため、メタルマスク２０の厚さ方向に沿った各位置における第１凹部３０や第２凹部３５の断面積は、表面から厚さ方向に進行するにしたがって次第に小さくなっていくような形状となる。
　図５Ｅに、第２面エッチング工程の一例を表す概略図を示す。第２面エッチング工程においては、第２面５１ｂのうち第２レジストパターン５３ｄによって覆われていない領域を、エッチング液を用いてエッチングする。この際、第１面エッチング工程において第２面５１ｂを覆っていたフィルムなどは予め剥離してもよい。また、第１面５１ａは、エッチング液に対する耐性を有する樹脂５４などによって覆われてもよい。
　エッチング液により、第１レジストパターン５３ｃによって覆われていない第１面５１ａにおいて、浸食が進む（図５Ｅ）。これによって、第２面５１ｂに第２凹部３５が形成される。そして、第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成される。
　エッチング液としては、従来公知のものであれば特に限定されないが、例えば、塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものが挙げられる。
　第２面エッチング工程においては、図５Ｅに示すように、隣り合う二つの第２凹部３５が接続されるまでエッチングを進行してもよい。隣り合う二つの第２凹部３５が接続された箇所においては、隣り合う二つの第２凹部３５が合流して稜線３３が形成される。また、稜線３３は第２レジストパターン５３ｄから離間して、稜線３３の頂部においてエッチングによる浸食が金属板５１の厚さ方向にも進む。これにより、第２レジストパターン５３ｄが金属板５１から剥離する。なお、隣り合う二つの第２凹部３５の間に第２面５１ｂが部分的に残ってもよい。
　さらに、剥離装置７４を用いて、レジストパターンやエッチング液に耐性を有する樹脂などを金属板５１から剥離する。そして、分離装置７５を用いて、長尺の金属板５１を裁断することによって、枚葉状の金属板からなるメタルマスク２０を金属板５１から分離する分離工程を実施する。このようにして、メタルマスク２０を得ることができる。
　本開示の一実施形態によるメタルマスク装置１０は、フレーム１５と、フレーム１５に設置された上記メタルマスク２０と、を有する。メタルマスク２０は、第２面２０ｂがフレーム１５と接触して、フレーム１５に設置されてもよい。図６に、メタルマスク装置１０をメタルマスク２０の第１面２０ａ側から見た平面図を示す。また、図７に、蒸着装置を表す断面図を示す。
　本開示のメタルマスク装置１０は、一つのフレームに対して複数のメタルマスク２０が取り付けられてもよい（図６）。この場合、複数のメタルマスク２０は、メタルマスク２０の長さ方向（第２方向Ｄ２）に交差する幅方向（第１方向Ｄ１）に並んでもよい。また、各メタルマスク２０は、メタルマスク２０の長さ方向Ｄ２の両端部２３ａにおいて、フレーム１５に固定されてもよい。
　また、一つのフレーム１５に対して図１Ｃに示すような一枚のメタルマスク２０が取り付けられてもよい。このとき、メタルマスク２０は、周囲領域２３の端部２３ａにおいて、フレーム１５に固定されてもよい。
　フレーム１５への固定方法は、特に限定されないが、例えば、溶接などが挙げられる。
　メタルマスク装置１０は、フレーム１５に固定され、メタルマスク２０の厚さ方向においてメタルマスク２０に部分的に重なる部材を備えてもよい。そのような部材の例としては、特に限定されないが、例えば、メタルマスク２０の長さ方向に交差する方向に延び、メタルマスク２０を支持する部材、隣り合う２つのメタルマスクの間の隙間に重なる部材などが挙げられる。
　次に、本開示に係るメタルマスク２０を用いて有機ＥＬ表示装置を製造する方法について、図７を参照しつつ説明する。有機ＥＬ表示装置は、基板９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む蒸着層と、を積層した状態で備えてもよい。
　本開示の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、特に限定されないが、例えば、メタルマスク２０を用いて基板９２などの基板上に蒸着材料９８を蒸着させる蒸着工程を備える。
　蒸着工程においては、まず、メタルマスク２０が基板９２に対向するようメタルマスク装置１０を配置する。この際、図７に示すように、メタルマスク２０の第１面２０ａが基板９２に対向するようにしてもよい。ここで、基板９２は、ガラス基板などのメタルマスク２０が蒸着対象物である。
　図７に示すようにしてメタルマスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、基板９２に対面するメタルマスク２０の面が第１面２０ａであり、蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置するメタルマスク２０の面が第２面２０ｂである。蒸着装置９０内では、基板９２のるつぼ９４側の面にメタルマスク２０が配される。ここで、メタルマスク２０と基板９２とは、磁力によって密着してもよい。
　蒸着装置９０内には、メタルマスク装置１０の下方に、蒸着材料９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されてもよい。ここで、蒸着材料９８は、一例として、有機発光材料であってもよい。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により気化または昇華する。気化または昇華した蒸着材料９８は、メタルマスク２０の貫通孔２５を経て基板９２に付着する。これにより、メタルマスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が基板９２の表面に成膜される。なお、蒸着工程において、蒸着装置９０の内部は真空雰囲気にしてもよい。
　ＲＧＢなどの画素に応じて異なる種類の蒸着材料を蒸着したい場合には、蒸着材料９８の種類に応じて異なるメタルマスク２０を用いて、蒸着材料９８を基板９２の表面に成膜してもよい。例えば、赤色用の蒸着材料９８、緑色用の蒸着材料９８および青色用の蒸着材料９８を順に基板９２に蒸着してもよい。また、貫通孔２５の配列方向（前述の一方向）に沿ってメタルマスク２０（メタルマスク装置１０）と基板９２とを少しずつ相対移動させ、赤色用の蒸着材料９８、緑色用の蒸着材料９８および青色用の蒸着材料９８を順に蒸着してもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、メタルマスク２０を用いて基板９２などの基板上に蒸着材料９８を蒸着させる蒸着工程以外にも、様々な工程を備えてもよい。例えば、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板に第１電極を形成する工程を備えてもよい。蒸着層は、第１電極の上に形成される。また、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、蒸着層の上に第２電極を形成する工程を備えてもよい。また、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板９２に設けられている第１電極、蒸着層、第２電極を封止する封止工程を備えてもよい。
　メタルマスク２０を用いて基板９２などの基板上に形成される蒸着層は、上述の有機発光材料が蒸着して形成した発光層には限られず、その他の層を含んでもよい。例えば、蒸着層は、第１電極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含んでもよい。この場合、各層に対応するメタルマスク２０を用いた蒸着工程がそれぞれ実施されてもよい。
　なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
（変形例）
　第１の変形例として、第１凹部３０を形成する工程の前に第２凹部３５を形成する工程を行ってもよいし、第１凹部３０を形成する工程および第２凹部３５を形成する工程を並行して行ってもよい。
　第２の変形例として、レーザー照射機を用いて第１凹部３０又は第２凹部３５内にレーザー光を照射することにより、第１凹部３０又は第２凹部３５の内部から金属板５１の他の面まで到達させて貫通孔を形成してもよい。
　第３の変形例として、貫通孔２５の形状は円や楕円であってもよいし、その他多角形であってもよい。また、貫通孔２５の配列も図２Ａに示すような格子状や図２Ｂに示すような千鳥状のほか、ダイヤモンド型配列など従来公知の配列であってもよい。
　以下、本開示を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本開示は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
（実施例）
　上述のメタルマスクの製造方法にて、金属板に第１凹部及び第２凹部を形成して、第１凹部及び第２凹部からなる貫通孔を有するメタルマスクを製造した。この際、直線Ｌ１を通る断面における、境界の高さＨ０、第１稜線の高さＨ１、第２稜線の高さＨ２、第３稜線の高さＨ３、及び第４稜線の高さＨ４は、表１に記載する所定の高さ関係を有するようにした。
　このメタルマスクにおいて、図１Ｂに示すように、有孔領域は、貫通孔密度の異なる第１有孔領域と第２有孔領域とを有するようにした。また、第２有孔領域は隣り合う前記第１有孔領域を分割するように位置させた。メタルマスクの原材料となる金属板は、インバー材とした。
（比較例）
　直線Ｌ１を通る断面における、境界の高さＨ０、第１稜線の高さＨ１、第２稜線の高さＨ２、第３稜線の高さＨ３、及び第４稜線の高さＨ４が、表１に記載する所定の高さ関係を有するようにしたこと以外は、実施例と同様にして、メタルマスクを得た。
（評価）
　メタルマスク製造工程から、メタルマスクをフレームに架張溶接するまでに、メタルマスクに変形や破断が発生したか否かを目視にて確認し、その結果を表１に記載した。なお、メタルマスクに生じる変形としては、オレやシワが認められた。
　ここで、「オレ」とは、所定の工程において、部分的に生じる軽微な凹みや折れ曲がりをいう。また、「シワ」とは、所定の工程において、部分的に生じる筋目を言う。これらオレやシワは、いずれもメタルマスクの強度が不足している場合や、強度が弱い箇所に応力が集中した際に生じ得る。なお、上記「所定の工程」とは、メタルマスクを製造し、製造したメタルマスクをフレームに架張溶接してメタルマスク装置を製造し、得られたメタルマスク装置用いて蒸着を行い、メタルマスク装置を洗浄してから再び蒸着に使用するまでの一連の工程を言う。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例のメタルマスクは、アライメント領域近傍における有孔領域の稜線が所定の高さ関係を有する。そのため有孔領域とアライメント領域の境界部分の強度がより向上したものと考えられる。その結果、表１に示すように、メタルマスク製造工程から、メタルマスクをフレームに架張溶接するまでにおいて、メタルマスクに変形や破断などは確認されなかった。
　他方、稜線が所定の高さ関係を有しない比較例においては、メタルマスクにオレやシワなどの変形が発生することが分かった。その理由としては、稜線が所定の高さ関係を有しない比較例においては、有孔領域とアライメント領域に強度の差があるため、有孔領域とアライメント領域の境界部分に応力が集中した結果、オレやシワが生じたものと考えられる。但し理由はこれに限定されない。
　本発明のメタルマスクは、有機ＥＬ表示装置の製造に使用するメタルマスクなどとして、産業上の利用可能性を有する。
１０…メタルマスク装置、１５…フレーム、２０…メタルマスク、２０ａ…第１面、２０ｂ…第２面、２０ｓ…サンプル、２２…有孔領域、２２ａ…第１有孔領域、２２ｂ…第２有孔領域、２３…周囲領域、２３ａ…端部、２４…アライメント領域、２４ａ…アライメントマーク、２４ｂ…境界、２５…貫通孔、２５ａ…第１貫通孔、２５ｂ…第２貫通孔、２５ｃ…第３貫通孔、２５ｄ…第４貫通孔、２５ｅ…第５貫通孔、３０…第１凹部、３１…第１壁面、３２ａ…トップ部、３２ｂ…トップ部、３２ｃ…トップ部、３２ｄ…トップ部、３３…稜線、３３ａ…第１稜線、３３ｂ…第２稜線、３３ｃ…第３稜線、３３ｄ…第４稜線、３５…第２凹部、３６…第２壁面、４１…接続部、５０…巻回体、５１…金属板、５１ａ…第１面、５１ｂ…第２面、５２…コア、５３ａ…レジスト膜、５３ｂ…レジスト膜、５３ｃ…第１レジストパターン、５３ｄ…第２レジストパターン、５４…樹脂、７０…製造装置、７１…レジスト膜形成装置、７２…露光・現像装置、７３…エッチング装置、７４…剥離装置、７５…分離装置、９０…蒸着装置、９２…基板、９４…るつぼ、９６…ヒータ、９８…蒸着材料
 
 

Claims (6)

  1. 　有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
    　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
    　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
    　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
    　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
    　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
    　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
    　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
    　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
    　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
    　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
    　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
    　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
    　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、及び前記第３貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
    　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
    　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
    　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
    　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
    　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
    　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
    　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
    　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
    　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である、
    　メタルマスク。
  2. 　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、１．２０以上であり、
    　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、１．１０以上であり、
    　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、１．００以上である、
    　請求項１に記載のメタルマスク。
  3. 　前記貫通孔は、第５貫通孔を有し、
    　前記稜線は、第４稜線を有し、
    　前記第５貫通孔は、第４稜線を介して、前記第４貫通孔に隣接して位置し、
    　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、前記第３貫通孔の重心、前記第４貫通孔の重心、及び前記第５貫通孔の重心は、この順に、前記直線Ｌ１上に位置し、
    　　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
    　前記第４稜線は、高さＨ４を有し、
    　前記高さＨ０に対する前記高さＨ４の比（Ｈ０／Ｈ４）が、１．２５以上である、
    　請求項１に記載のメタルマスク。
  4. 　前記有孔領域は、第１有孔領域と第２有孔領域とを有し、
    　前記第１有孔領域における前記貫通孔の密度は、前記第２有孔領域における前記貫通孔の密度よりも高い、
    　請求項１に記載のメタルマスク。
  5. 　前記第２有孔領域は、隣り合う前記第１有孔領域を分割するように位置する、
    　請求項４に記載のメタルマスク。
  6. 　メタルマスクの製造方法であって、
    　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を有する金属板を準備する工程と、
    　前記金属板をエッチングすることによって前記メタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、
    　前記メタルマスクは、有孔領域と、周囲領域と、アライメント領域と、を有し、
    　　前記周囲領域は、前記有孔領域の周囲に位置する領域であり、
    　　　前記周囲領域は、無孔面を有し、
    　　前記アライメント領域は、前記有孔領域によって周囲を囲われた領域であり、
    　　　前記アライメント領域は、無孔面と、アライメントマークと、を有し、
    　　前記有孔領域は、複数の貫通孔と複数の稜線とを備え、
    　　　前記稜線は、隣り合う前記貫通孔を区切り、
    　　　前記貫通孔は、第１貫通孔、第２貫通孔、第３貫通孔、及び第４貫通孔を有し、
    　　　前記稜線は、第１稜線、第２稜線、及び第３稜線を有し、
    　　　　前記第１貫通孔は、前記アライメント領域と前記有孔領域の境界に、隣接して位置し、
    　　　　前記第２貫通孔は、前記第１稜線を介して、前記第１貫通孔に隣接して位置し、
    　　　　前記第３貫通孔は、前記第２稜線を介して、前記第２貫通孔に隣接して位置し、
    　　　　前記第４貫通孔は、第３稜線を介して、前記第３貫通孔に隣接して位置し、
    　　　前記境界、前記第１貫通孔の重心、前記第２貫通孔の重心、前記第３貫通孔の重心、及び前記第４貫通孔の重心は、この順に、直線Ｌ１上に位置し、
    　　　　前記直線Ｌ１は、前記第１貫通孔の重心と前記第４貫通孔の重心の間の距離が最短となる直線であり、
    　　前記直線Ｌ１を通る断面において、
    　　　前記境界は、高さＨ０を有し、
    　　　前記第１稜線は、高さＨ１を有し、
    　　　前記第２稜線は、高さＨ２を有し、
    　　　前記第３稜線は、高さＨ３を有し、
    　　　前記高さＨ１に対する前記高さＨ０の比（Ｈ０／Ｈ１）が、２．１０以下であり、
    　　　前記高さＨ２に対する前記高さＨ１の比（Ｈ１／Ｈ２）が、２．１０以下であり、
    　　　前記高さＨ３に対する前記高さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ３）が、２．１０以下である、
    　メタルマスクの製造方法。
     
     
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