JP2023152822A - メタルマスク及びその製造方法 - Google Patents

メタルマスク及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023152822A
JP2023152822A JP2023041559A JP2023041559A JP2023152822A JP 2023152822 A JP2023152822 A JP 2023152822A JP 2023041559 A JP2023041559 A JP 2023041559A JP 2023041559 A JP2023041559 A JP 2023041559A JP 2023152822 A JP2023152822 A JP 2023152822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
height
metal mask
recess
area
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023041559A
Other languages
English (en)
Inventor
祐二 安在
Yuji Anzai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of JP2023152822A publication Critical patent/JP2023152822A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】境界部分において、変形や破断が生じにくいメタルマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有するメタルマスクであって、前記有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、前記第1トップ部は、高さH1を有し、前記周囲領域は、前記有効領域の周囲に位置し、前記ダミー領域は、前記有効領域と前記周囲領域との間に位置し、前記ダミー領域は、第2トップ部を備え、前記第2トップ部は、高さH2を有し、前記高さH2が、前記高さH1よりも高い、メタルマスク。【選択図】図3

Description

本開示は、メタルマスク及びその製造方法に関する。
有機EL表示装置の画素はメタルマスクを用いて基板上に画素を形成する材料を蒸着により付着させることにより形成される。そのため、メタルマスクの性能向上は有機EL表示装置の画質の向上にとって重要である。
例えば、特許文献1には、精度よく貫通孔を形成することのできるメタルマスクの製造方法が開示されている。
特開2015-163734号公報
メタルマスクは、例えば、貫通孔が配置された有効領域と、有効領域の周囲に位置する周囲領域とを有する。このようなメタルマスクは、フレームに設置されて、画素の蒸着に用いられる。
ところで、エッチングにより有効領域を形成する際に、有効領域と周囲領域の境界部分において過度にエッチングが進行し得ることが分かった。このように過度にエッチングが進行すると、有効領域と周囲領域の間の境界部分の厚さが薄くなる。そうすると、その境界部分が変形したり、破断したりする。
本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、変形や破断が生じにくいメタルマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一実施形態によるメタルマスクは、有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有し、有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、第1トップ部は、高さH1を有し、周囲領域は、有効領域の周囲に位置し、ダミー領域は、有効領域と周囲領域との間に位置し、ダミー領域は、第2トップ部を備え、第2トップ部は、高さH2を有し、高さH2が、高さH1よりも高い。
本開示の一実施形態による上記メタルマスクの製造方法は、第1面と、第1面の反対側に位置する第2面と、を有する金属板を準備する工程と、金属板をエッチングすることによってメタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、メタルマスクは、有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有し、有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、第1トップ部は、高さH1を有し、周囲領域は、有効領域の周囲に位置し、ダミー領域は、有効領域と周囲領域との間に位置し、ダミー領域は、第2トップ部を備え、第2トップ部は、高さH2を有し、高さH2が、高さH1よりも高い。
本開示の少なくとも一つの実施形態では、境界部分において、変形や破断が生じにくいメタルマスク及びその製造方法を提供する。
本開示の一実施形態によるメタルマスクを備えたメタルマスク装置を示す図である。 本開示の一実施形態による蒸着装置を示す断面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクを示す平面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクの有効領域を第2面側から見た斜視図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクのダミー領域を第2面側から見た斜視図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクのダミー領域の態様を示す平面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクのダミー領域の態様を示す平面図である。 本開示の一実施形態によるメタルマスクの有効領域とダミー領域を第2面側から見た平面図である。 図6のIV-IV線に沿った断面図である。 図6のV-V線に沿った断面図である。 図6のVI-VI線に沿った断面図である。 メタルマスクの製造方法の一例を説明するための模式図である。 金属板上にレジスト膜を形成する工程の一例を示す図である。 レジスト膜をパターニングする工程の一例を示す図である。 第1面エッチング工程の一例を示す図である。 第2面エッチング工程の一例を示す図である。 第2面エッチング工程の一例を示す図である。 第2面エッチング工程の一例を示す図である。 非貫通の凹部を有するダミー領域の斜視図である。 有機EL表示装置の蒸着層のパターンの一例を示す平面図である。
以下、図面を参照して本開示の一実施形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある場合がある。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態において、有機EL表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられるメタルマスクやその製造方法に関した例をあげて記載する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられるメタルマスクに対し、本開示を適用できる。例えば、仮想現実いわゆるVRや拡張現実いわゆるARを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置を製造するために、本開示のメタルマスクを用いてもよい。
本明細書及び/又は本図面において、特別な記載が無い限りは、次のように解釈する。
ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによって区別されなくてもよい。例えば、「基板」、「基材」、「板」、「シート」、又は「フィルム」等の用語が、上記記載に該当する。
形状及び/又は幾何学的条件を意味する用語及び/又は数値は、厳密な意味に縛られる必要はなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含むものと解釈してもよい。例えば、「平行」及び/又は「直交」等が上記の用語に該当する。また、「長さの値」及び/又は「角度の値」等が上記の数値に該当する。
ある構成が他の構成の「上に」、「下に」、「上側に」、「下側に」、「上方に」、又は「下方に」あると表現する場合には、ある構成が他の構成に直接的に接している態様と、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様が含まれてもよい。ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様とは、言い換えると、ある構成が他の構成に間接的に接していると表現してもよい。また、「上」、「上側」、又は「上方」という表現は、「下」、「下側」、又は「下方」という表現と交換可能である。言い換えると、上下方向が逆転してもよい。
同一部分及び/又は同様な機能を有する部分に、同一の符号又は類似の符号を付す際に、繰り返しの記載は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また、実施形態の構成の一部が、図面から省略される場合がある。
矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態と変形例の一つ以上の形態とを組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、変形例の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。
製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、工程の順序は、限定されない。
「~」及び/又は「-」という記号によって表現される数値範囲は、「~」及び/又は「-」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「34~38質量%」と表現される数値範囲は、「34質量%以上且つ38質量%以下」と表現される数値範囲と同一である。
本開示において記載する数値については、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つとを組み合わせることによって、数値範囲を画定してもよい。このほか、特に言及しなくとも、複数の上限の候補値のうちの任意の2つを組み合わせることによって数値範囲を画定してもよいし、複数の下限の候補値のうちの任意の2つを組み合わせることによって数値範囲を画定してもよい。
本開示の一実施形態について、次の段落以降に記載する。本開示の一実施形態は、本開示の実施形態の一例である。本開示は、本開示の一実施形態のみに限定して解釈されない。
本開示の第1の態様は、
有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有するメタルマスクであって、
前記有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、
前記第1トップ部は、高さH1を有し、
前記周囲領域は、前記有効領域の周囲に位置し、
前記ダミー領域は、前記有効領域と前記周囲領域との間に位置し、
前記ダミー領域は、第2トップ部を備え、
前記第2トップ部は、高さH2を有し、
前記高さH2が、前記高さH1よりも高い、メタルマスクである。
本開示の第2の態様は、上述した第1の態様によるメタルマスクにおいて、
ダミー領域が、2列以上5列以下の第2トップ部を有する範囲と等しい領域であってもよい。
本開示の第3の態様は、上述した第1の態様又は第2の態様によるメタルマスクにおいて、
有効領域から前記周囲領域へと前記ダミー領域を横断する同一直線状において、前記周囲領域に近い高さH2が、前記有効領域に近い高さH2よりも高くてもよい。
本開示の第4の態様は、上述した第1の態様~第3の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、
前記高さH2が、前記高さH1に対して、1.05倍以上4.00倍以下であってもよい。
本開示の第5の態様は、上述した第1の態様~第4の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、前記メタルマスクが、第1面と、該第1面の反対側に位置する第2面と、を有し、
前記ダミー領域が、第2貫通孔を有し、
前記第1貫通孔が、前記第1面側に第1凹部と、前記第2面側に第2凹部と、第1接続部と、第1角度θ1と、を有し、
前記第1接続部が、前記第1凹部と前記第2凹部とが接続される稜部であり、
前記第1角度θ1は、前記第1接続部のうち前記第1トップ部に最も近い部分P1aと、前記第1トップ部のうち前記第1接続部に最も近い部分P2aと、を通過する直線K1が前記メタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度であり、
前記第2貫通孔が、前記第1面側に第3凹部と、前記第2面側に第4凹部と、第2接続部と、第2角度θ2と、を有し、
前記第2接続部が、前記第3凹部と前記第4凹部とが接続される稜部であり、
前記第2角度θ2は、前記第2接続部のうち前記第2トップ部に最も近い部分P1bと、前記第2トップ部のうち前記第2接続部に最も近い部分P2bと、を通過する直線K2が前記メタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度であり、
前記第2角度θ2が、前記第1角度θ1よりも小さくてもよい。
本開示の第6の態様は、上述した第1の態様~第5の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、
前記メタルマスクが、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有し、
前記ダミー領域が、第2貫通孔を有し、
前記第1貫通孔が、前記第1面側に第1凹部と、前記第2面側に第2凹部と、第1接続部と、高さH3と、を有し、
前記第1接続部が、前記第1凹部と前記第2凹部とが接続される稜部であり、
前記高さH3が、前記第1面から前記第1接続部までの高さであり、
前記第2貫通孔が、前記第1面側に第3凹部と、前記第2面側に第4凹部と、第2接続部と、高さH5と、を有し、
前記第2接続部が、前記第3凹部と前記第4凹部とが接続される稜部であり、
前記高さH5が、前記第1面から前記第2接続部までの高さであり、
前記高さH5が、前記高さH3よりも大きくてもよい。
本開示の第7の態様は、上述した第1の態様~第6の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、
前記第1貫通孔が、高さH3と高さH4とを有し、
前記高さH3が、前記第1面から前記第1接続部までの高さであり、
前記高さH4が、前記第2面から前記第1接続部までの高さであり、
前記高さH3が、高さH4よりも浅くてもよい。
本開示の第8の態様は、上述した第1の態様~第7の態様のいずれかによるメタルマスクにおいて、
ダミー領域が、エッチングされずに残ったトップ部を有してもよい。
本開示の第9の態様は、メタルマスクの製造方法であって、
第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有する金属板を準備する工程と、
前記金属板をエッチングすることによって前記メタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、
前記メタルマスクは、有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有し、
前記有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、
前記第1トップ部は、高さH1を有し、
前記周囲領域は、前記有効領域の周囲に位置し、
前記ダミー領域は、前記有効領域と前記周囲領域との間に位置し、
前記ダミー領域は、第2トップ部を備え、
前記第2トップ部は、高さH2を有し、
前記高さH2が、前記高さH1よりも高い、メタルマスクの製造方法である。
初めに、メタルマスクを備える蒸着装置の一例について、図1及び図2を参照して説明する。ここで、図1は、本開示の一実施形態によるメタルマスク20を備えたメタルマスク装置10をメタルマスク20の第1面20a側から見た平面図であり、図2は、蒸着装置を示す断面図である。
図1に示すように、各メタルマスク20は一方向に延びる略矩形状の形状を有してもよい。また、メタルマスク装置10は、略矩形状の金属板からなる複数のメタルマスク20と、複数のメタルマスク20の周縁部に取り付けられたフレーム15と、を備えてもよい。そして、複数のメタルマスク20は、メタルマスク20の長さ方向に交差する幅方向に並んでもよい。また、各メタルマスク20は、メタルマスク20の長さ方向の両端部において、例えば溶接によってフレーム15に固定されてもよい。
メタルマスク装置10は、フレーム15に固定され、メタルマスク20の厚さ方向においてメタルマスク20に部分的に重なる部材を備えてもよい。そのような部材の例としては、特に限定されないが、例えば、メタルマスク20の長さ方向に交差する方向に延び、メタルマスク20を支持する部材、隣り合う2つのメタルマスクの間の隙間に重なる部材などが挙げられる。
このメタルマスク装置10は、図2に示すように、基板92に対面するようにして蒸着装置90内に支持される。ここで、基板92は、ガラス基板などのメタルマスク20が蒸着対象物である。図2に示すようにしてメタルマスク装置10が蒸着装置90に収容された場合、基板92に対面するメタルマスク20の面を第1面20aといい、蒸着材料98を保持したるつぼ94側に位置するメタルマスク20の面を第2面20bという。
蒸着装置90内では、基板92のるつぼ94側の面にメタルマスク20が配される。ここで、メタルマスク20と基板92とは、磁力によって密着してもよい。
蒸着装置90内には、メタルマスク装置10の下方に、蒸着材料98を収容するるつぼ94と、るつぼ94を加熱するヒータ96とが配置されてもよい。ここで、蒸着材料98は、一例として、有機発光材料であってもよい。るつぼ94内の蒸着材料98は、ヒータ96からの加熱により気化または昇華する。気化または昇華した蒸着材料98は、メタルマスク20の第1貫通孔25aを経て基板92に付着する。これにより、メタルマスク20の第1貫通孔25aの位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料98が基板92の表面に成膜される。
RGBなどの画素に応じて異なる種類の蒸着材料を蒸着したい場合には、有機発光材料の色に応じて異なるメタルマスク20を用いて、蒸着材料98を基板92の表面に成膜してもよい。例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に基板92に蒸着してもよい。また、第1貫通孔25aの配列方向(前述の一方向)に沿ってメタルマスク20(メタルマスク装置10)と基板92とを少しずつ相対移動させ、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に蒸着してもよい。
なお、メタルマスク装置10のフレーム15は、矩形状のメタルマスク20の周縁部に取り付けられてもよい。フレーム15は、メタルマスク20を張った状態に保持する。メタルマスク20とフレーム15とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されてもよい。
図1には、複数の長尺なメタルマスク20がフレーム15に設置された例を示す。また、フレーム15と略同形の大判の一枚のメタルマスク20がフレーム15に設置されてもよい。
以下、有機EL表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられるメタルマスクを例として、本開示のメタルマスクについて詳説する。しかし、本開示のメタルマスクの用途は、有機EL表示装置用の有機発光材料の蒸着に限定されず、その他、仮想現実いわゆるVRや拡張現実いわゆるARを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置を製造するために用いることもできる。
本開示のメタルマスクは、有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有し、有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、第1トップ部は、第1高さR1を有し、周囲領域は、有効領域の周囲に位置し、ダミー領域は、有効領域と周囲領域との間に位置し、ダミー領域は、第2トップ部を備え、第2トップ部は、第2高さR1を有し、第2高さR1が、第1高さR1よりも高い。
図3に、本開示の一実施形態のメタルマスク20の平面図を示す。メタルマスク20は、エッチングにより金属板51に第1貫通孔25aを形成して得られてもよい。図3に示されるように、メタルマスク20は、第1貫通孔25aが配置された有効領域22と、有効領域22の周囲に位置する周囲領域23と、有効領域22と周囲領域23の境界の少なくとも一部に位置するダミー領域24と、を有する。メタルマスク20は、平面視において略矩形状の輪郭を有してもよい。
第1面から第2面までの高さTは、好ましくは50μm以下であってもよく、40μm以下であってもよく、35μm以下であってもよく、30μm以下であってもよく、25μm以下であってもよく、20μm以下であってもよく、18μm以下であってもよく、15μm以下であってもよく、13μm以下であってもよい。高さTを小さくすることにより、蒸着工程において蒸着材料98が第2凹部35aの第2壁面36aに付着することを抑制できる。なお、このような、基板への蒸着材料の付着が貫通孔の壁面によって阻害される現象のことを、シャドーとも称する。
また、高さTは、好ましくは2μm以上であってもよく、5μm以上であってもよく、10μm以上であってもよく、15μm以上であってもよい。高さTを大きくすることにより、メタルマスク20の強度がより向上する傾向にある。このことにより、例えば有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる。
なお、高さTの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。また、高さTは、メタルマスク20のうち第1凹部30aおよび第2凹部35aが形成されていない部分の厚さである。言い換えれば、高さTは、周囲領域23の厚さや、メタルマスク20の金属板51の厚さと等しい厚さであってもよい。
メタルマスク20の熱膨張係数は、フレーム15の熱膨張係数や基板92の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。これにより、高温雰囲気下で実施される蒸着処理の間に、メタルマスク20、フレーム15および基板92の寸法変化の差異に起因した位置ずれの発生を抑制できる。そのため、位置ずれに起因する、基板92上に付着する蒸着材料98の寸法精度や位置精度の低下を抑制できる。
例えば、基板92としてガラス基板が用いられる場合、メタルマスク20およびフレーム15の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いてもよい。ニッケルを含む鉄合金としては、例えば、30質量%以上54質量%以下のニッケルを含む鉄合金が挙げられる。このような鉄合金としては、より具体的には、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材、30質量%以上34質量%以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、48質量%以上54質量%以下のニッケルを含む低熱膨張Fe-Ni系めっき合金などが挙げられる。
なお、蒸着処理の際に、メタルマスク20、フレーム15、及び基板92の温度が高温に達しない場合は、メタルマスク20及びフレーム15の熱膨張係数を基板92の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、メタルマスク20を構成する後述する金属板51の材料として、上述のニッケルを含む鉄合金に加えて、ステンレスなどのクロムを含む鉄合金、ニッケルやニッケル-コバルト合金などが挙げられる。
メタルマスク20は、複数の有効領域22を有してもよい。例えば、図3に示すように、メタルマスク20は、長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔をあけて一列に配置された複数の有効領域22を有してもよい。このようなメタルマスク20は、いわゆるスティック状のメタルマスクと呼ばれることもある。この場合、図1に示すように、メタルマスク装置10は、その長手方向に直交する幅方向に配置されてフレーム15に取り付けられた複数のメタルマスク20を有してもよい。
また、別の例として、メタルマスク20は、メタルマスク20の一辺と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて配置される複数の有効領域22を有し、かつ前記一方向と直交する他方向に沿って所定の間隔を空けて配置されている複数の有効領域22を有してもよい。言い換えると、メタルマスク20は、有効領域22の列を複数有してもよい。この場合、メタルマスク装置10は、フレーム15に近い大きさのメタルマスク20が、フレーム15に対して一枚取り付けられてもよい。
有効領域22は、第1貫通孔25aと第1トップ部32aとを備える。有効領域22は、複数の第1貫通孔25aと複数の第1トップ部32aとを有してもよい。ここで、第1トップ部32aとは、平面上において高さの極大値となる部分をいう。第1トップ部32aは、第2面20b側に形成されていてもよい。有効領域22は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる基板92上の区域に対面し、蒸着時にマスクとして機能する領域であってもよい。
一つの有効領域22は、一つの有機EL表示装置100の表示領域に対応するように構成されてもよい。このようなメタルマスク装置10を用いることにより、有機EL表示装置の多面付蒸着が可能となる。また、一つの有効領域22は、複数の有機EL表示装置の表示領域に対応するように構成されてもよい。
有効領域22は、平面視において略矩形状の輪郭を有してもよい。また、有効領域22は、基板92の表示領域の形状に応じて、円形状などの様々な形状の輪郭を有してもよい。
図4Aに、本開示の一実施態様として、有効領域22を第2面20b側からみた斜視図を示す。有効領域22は、エッチングにより形成された第1貫通孔25aを有してもよい。図4Aに示すように、各有効領域22に形成された複数の第1貫通孔25aは、所定のパターンで配置されている。例えば、第2面20b側から見たときに、第1貫通孔25aは、互いに交差する第1方向D1及び第2方向D2に沿ってそれぞれ所定のピッチで配置されていてもよい。また、第1貫通孔25aは、複数の第1トップ部32aを含む複数の稜線33aによって囲まれてもよい。隣り合う第2凹部35aは、稜線33aによって接続されてもよい。
図4Aに示すように、稜線33aは、隣接する第2凹部35aの第2壁面36aが合流して形成される境界をいう。この稜線33aの高さは一定ではなく、波を打つように変動してもよい。なお、稜線33aの高さは、メタルマスク20の厚さ方向における稜線33aの位置ともいえる。一般的な傾向として、稜線33aの高さは、第1貫通孔25aの中心からの距離に応じて変化し、距離が長くなるほど高くなる。
また、第1トップ部32aは、稜線33aのなかでも高さの極大値となる部分をいう。図4Aの場合には、第1トップ部32aは4つの第1貫通孔25aにより囲まれている。第1トップ部32aは、稜線の中でも、第1貫通孔25aの中心からの比較的遠い位置に位置する。
第1トップ部32aの高さH1が低いほど、後述する第1角度θ1が大きくなりやすい。第1角度θ1が大きいと、蒸着材料98の利用効率や蒸着精度がより向上しやすい。このような観点から、有効領域22の高さH1は、比較的低いことが好ましい。
周囲領域23は、有効領域22の周囲に位置する領域であり、有効領域22を取り囲むように位置してもよい。周囲領域23は、有効領域22の周囲に位置することで有効領域22を支持する領域である。周囲領域23は、蒸着材料が通過するための第1貫通孔25aを有しない。ただし、種々の目的から、周囲領域23には、蒸着材料が通過することを目的としない貫通孔や、ハーフエッチング等により構成された凹部が形成されてもよい。
周囲領域は、メタルマスクのうちフレームに固定される端部を有してもよい。図1に示すように、長尺のスティック状であるメタルマスク20の場合には、端部17は長さ方向における両端に位置してもよい。また、端部17は、U字状の切り欠きなどを有してもよい。一方、メタルマスクがフレームと略同形の大判である場合には、端部はメタルマスクの周縁に位置してもよい。また、端部は、メタルマスクをフレームに固定した後、その一部が切断されるものであってもよい。
本開示の一実施形態において、端部17は、図3に示すように、他の周囲領域23と一体的に構成されてもよいし、他の周囲領域とは別の部材によって構成されてもよい。この場合、端部は、例えば溶接によって周囲領域の他の部分に接合されてもよい。
ダミー領域24は、有効領域22と周囲領域23との間に位置する領域である。ダミー領域24は、図3に示すように、有効領域22と周囲領域23との間のすべてに位置してもよい。また、ダミー領域24は、図5Aや図5Bに示すように、略矩形状の有効領域22と周囲領域23との間のうち少なくとも一つの辺に位置してもよい。例えば、ダミー領域24は、図5Aに示すように、略矩形状の有効領域22と周囲領域23との境界のうち対向する2つの辺に位置してもよい。また、図5Bに示すように、略矩形状の有効領域22と周囲領域23との境界の一つの辺の中で一又は複数のダミー領域24が形成されてもよい。
また、図3に示すようにメタルマスク20がスティック形状である場合、ダミー領域24は、有効領域22と周囲領域23との境界のうち、長さ方向に平行な辺に位置してもよいし、図5Aに示すように長さ方向と直交する方向に平行な辺に位置してもよい。ダミー領域24が長さ方向と直交する方向に平行な辺に位置することにより、メタルマスク20がフレーム15に設置された時においても、変形や破断が抑制されやすい。
ダミー領域24は、第2トップ部32bを有する。ここで、第2トップ部32bとは、平面上において高さの極大値となる部分をいう。この極大値には、エッチングされずに残っている部分が含まれてもよい。第2トップ部32bは、第2面20b側に形成されていてもよい。なお、ダミー領域24は、第2貫通孔25bを有していてもよい。
本開示の一実施形態においては、第2トップ部32bの高さH2は、高さH1よりも高い。これにより、有効領域22と周囲領域23との間の領域において、メタルマスク20の強度を担保し、変形や破断を抑制する。
エッチングによって金属板51に有効領域22を形成しようとする場合には、有効領域22と周囲領域23との間において、エッチングが過剰に進行しやすい傾向にある。有効領域22と周囲領域23との間とは、レジストパターンの孔のある領域と孔のない領域の境ともいえる。エッチングが過剰に進行すると、有効領域22と周囲領域23との間の領域において、メタルマスク20が部分的に薄くなり、接続強度が低下し得る。そうすると、メタルマスク20が変形しやすくなったり、周囲領域23から有効領域22が破断しやすくなったりする。
そこで、本開示の一実施形態においては、ダミー領域24が有する第2トップ部32bの高さH2が、有効領域22の第1トップ部32aの高さH1よりも大きくなるように構成する。これにより、有効領域22と周囲領域23との間の領域において、メタルマスク20の強度を担保し、変形や破断を抑制する。
有効領域22と周囲領域23との間に位置するダミー領域24の範囲は、第2トップ部32bの列数で示してもよい。例えば、ダミー領域24は、周囲領域23側から数えて1列以上の第2トップ部32bを有する範囲と等しい領域であってもよく、2列以上の第2トップ部を有する範囲と等しい領域であってもよく、3列以上の第2トップ部32bを有する範囲と等しい領域であってもよい。また、ダミー領域24は、周囲領域23側から数えて100列以下の第2トップ部32bを有する範囲と等しい領域であってもよく、50列以下の第2トップ部32bを有する範囲と等しい領域であってもよく、10列以下の第2トップ部を有する範囲と等しい領域であってもよく、5列以下の第2トップ部を有する範囲と等しい領域であってもよい。ダミー領域の範囲は、上述の第2トップ部32bの列数について、複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。この複数列の第2トップ部32bの列は、有効領域22と周囲領域23との境界と略平行に延びてもよい。
例えば、図6では、方向D1において、第2トップ部32bが2列並び、方向D2において、第2トップ部32bが1列並んでいる態様が示されている。また、ダミー領域24の範囲は、上記のように、1列以上の第2トップ部32bを有する範囲と等しい領域などであってもよい。ここで、「等しい領域」とは、例えば図6において、方向D2において第2トップ部32bが1列並んでいる範囲と同等の範囲を有する領域をいう。
ダミー領域24は第2貫通孔25bを有してもよい。なお、ダミー領域24は有効領域22とは異なり、ダミー領域24に存在する第2貫通孔25bを通過して蒸着物質が基板92に付着したとしても、その蒸着物質は表示装置の発光素子としては使用されなくてもよい。
図4Bに、本開示の一実施態様として、ダミー領域24を第2面20b側からみた斜視図を示す。図4Bに示すように、ダミー領域24には、有効領域22と類似するパターンで複数の第2貫通孔25bが配列されてもよい。ダミー領域24においても、第2貫通孔25bは複数の第2トップ部32bと複数の稜線33bとによって囲まれてもよい。また、第2貫通孔25bは、隣り合う第2トップ部32bは稜線33bによって接続されてもよい。
第2トップ部32bは、図4Bに示すように、平面視において、高さの極大値となる部分、又は、エッチングされずに残っている部分をいう。図4Bの場合には、第2トップ部32bは、4つの第2貫通孔25bにより囲まれており、それぞれの第2貫通孔25bの中心からの比較的遠い位置に第2トップ部32bが位置する。
また、図4Bに示すように、稜線33bは、隣接する第4凹部35bの第4壁面36bが合流して形成される境界をいう。この稜線33bの高さは、一定ではなく、波を打つように変動してもよい。なお、稜線33bの高さは、メタルマスクの厚さ方向における稜線33bの位置ともいえる。一般的な傾向として、稜線33bの高さは、第2貫通孔25bの中心からの距離に応じて変化し、距離が長くなるほど高くなる。
第2トップ部32bの高さH2が高いほど、有効領域22と周囲領域23との間の接続強度がより向上するため、変形や破断を抑制できる。
有効領域22及びダミー領域24が有する第2貫通孔25bの一例について、図6~図9を主に参照して更に詳述する。図6は、メタルマスク20の有効領域22、周囲領域23及びダミー領域24を第2面20b側から見た部分平面図である。また、図7は、図6のIV-IV線に沿った断面図であり、図8は、図6のV-V線に沿った断面図であり、図9は、図6のVI-VI線に沿った断面図である。
具体的には、図7~図8は、第1貫通孔25aの間の稜線33a及び第2貫通孔25bの間の稜線33b及びを通る方向にメタルマスク20の有効領域22、周囲領域23及びダミー領域24を切断した場合の断面図である。また、図9は、第1貫通孔25aの間の第1トップ部32a及び第2貫通孔25bの間の第2トップ部32bを通る方向にメタルマスク20の有効領域22、周囲領域23及びダミー領域24を切断した場合の断面図である。
図6に示すように、第1貫通孔25a及び第2貫通孔25bのうちの少なくとも一部は、互いに交差する第1方向D1及び第2方向D2に沿ってそれぞれ所定のピッチで配置されている。第1方向D1及び第2方向D2は、それぞれ、メタルマスク20の長さ方向又は幅方向に一致してもよいし、メタルマスク20の長さ方向又は幅方向に対して傾斜してもよい。例えば、第1方向D1は、メタルマスク20の長さ方向に対して45度で傾斜してもよい。
有効領域22における第1貫通孔25a及びダミー領域24における第2貫通孔25bのピッチは、特に限定されない。例えば、メタルマスク20が携帯電話やデジタルカメラ等のディスプレイ(2インチ以上5インチ以下程度)を作製するために用いられる場合、第1貫通孔25a及び第2貫通孔25bのピッチは、第1方向D1及び第2方向D2のそれぞれにおいて、28μm以上254μm以下程度であってもよい。
第1貫通孔25aは、メタルマスク20の厚さ方向に貫通している。図6~図9に示すように、第1貫通孔25aは、第1面20a側に形成された第1凹部30aと、第2面20b側に形成された第2凹部35aと、が連通して形成されてもよい。金属板51のエッチングはレジストパターンの穴から様々な方向に向けて等方的に進行し得る。そのため、メタルマスク20の厚さ方向に沿った各位置における第1凹部30aや第2凹部35aの断面積は、表面から厚さ方向に進行するにしたがって次第に小さくなっていくような形状となる。
第1貫通孔25aは、第1接続部41aと、第1角度θ1と、高さH3と、を有してもよい。ここで、第1接続部41aは、第1凹部30aと第2凹部35aとが接続される稜部である。第1接続部41aでは、第1貫通孔25aの壁面が広がる方向が不連続に変化する。本開示の一実施形態においては、第1接続部41aにおいて、平面視における第1貫通孔25aの開口面積が最小になってもよい。また、第1接続部41a以外の、メタルマスク20の厚さ方向の位置において、第1貫通孔25aの開口面積が最小になってもよい。
また、第1角度θ1は、直線K1がメタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度である。ここで、直線K1は、第1接続部41aのうち第1トップ部32aに最も近い部分P1aと、第1トップ部32aのうち第1接続部41aに最も近い部分P2aと、を通過する直線である。さらに、高さH3は、第1面20aから第1接続部41aまでの高さである。
なお、ここで、第1凹部30aと第2凹部35aは、その深さによって区別してもよい。例えば、図7に示すように、第1貫通孔25aは、高さH3の第1凹部30aと高さH4の第2凹部35aとを有してもよい。ここで、高さH3は、第1面20aから第1接続部41aまでの高さである。また、高さH4は、第2面20bから第1接続部41aまでの高さである。このとき、高さH3は、高さH4よりも低いことが好ましい。このような深さ関係にある第1凹部30aを有する面が第1面20aであり、第2凹部35aを有する面が第2面20bであるとしてもよい。
高さH3と高さH4の比(H4/H3)は、好ましくは1.5以上であってもよく、2.0以上であってもよく、2.5以上であってもよく、3.0以上であってもよい。
上記のように比(H4/H3)を大きくすることにより、蒸着物質の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。また、比(H4/H3)を小さくすることにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる傾向にある。なお、比(H4/H3)の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
第1凹部30aと第2凹部35aの深さの関係は、第1凹部30aと第2凹部35aの開口の寸法に置きかえてもよい。例えば、第1凹部30aの開口寸法は、第2凹部35aの開口寸法よりも小さくてもよい。
有効領域22の第1面20a側において、隣り合う二つの第1貫通孔25aは、第1面20aの面方向に沿って離間してもよい。言い換えると、隣り合う二つの第1凹部30aの間に金属板51の第1面51aが残ってもよい。このような第1貫通孔25aは、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第1凹部30aの間に金属板51の第1面51aが残存するように金属板51をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板51の第1面51aは、メタルマスク20の第1面20aに対応する。
有効領域22の第2面20b側において、隣り合う二つの第1貫通孔25aの第2凹部35aが接続されてもよい。言い換えると、隣り合う二つの第2凹部35aの間に、メタルマスク20を構成する金属板51の第2面51bが残っていなくてもよい。このような第1貫通孔25aは、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第2凹部35aの間に金属板51の第2面51bが残存しないように金属板51をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板51の第2面51bは、メタルマスク20の第2面20bに対応する。
有効領域22における第2面20bでは、隣り合う二つの第2凹部35aの間に金属板51の第2面51bが残存していなくてもよい。また、有効領域22における第2面20bの全般的に、金属板51の第1面51aが残存していなくてもよい。言い換えれば、有効領域22における第1面20aでは、金属板21の厚さと同じ厚さを有するトップ部が存在しなくてもよい。
第2貫通孔25bは、メタルマスク20の厚さ方向に貫通している。図6~図9に示すように、第2貫通孔25bは、第1面20a側に形成された第3凹部30bと、第2面20b側に形成された第4凹部35bと、が連通して形成されてもよい。金属板51のエッチングはレジストパターンの穴から様々な方向に向けて等方的に進行し得る。そのため、メタルマスク20の厚さ方向に沿った各位置における第3凹部30bや第4凹部35bの断面積は、表面から厚さ方向に進行するにしたがって次第に小さくなっていくような形状となる。
第2貫通孔25bは、第2接続部41bと、第2角度θ2と、を有してもよい。ここで、第2接続部41bは、第3凹部30bと第4凹部35bとが接続される稜部である。第2接続部41bでは、第2貫通孔25bの壁面が広がる方向が不連続に変化する。本開示の一実施形態においては、第2接続部41bにおいて、平面視における第2貫通孔25bの開口面積が最小になってもよい。また、第2接続部41b以外の、メタルマスク20の厚さ方向の位置において、第2貫通孔25bの開口面積が最小になってもよい。
また、第2角度θ2は、直線K2がメタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度である。ここで、直線K2は、第2接続部41bのうち第2トップ部32bに最も近い部分P1bと、第2トップ部32bのうち第2接続部41bに最も近い部分P2bと、を通過する直線である。さらに、高さH5は、第1面20aから第2接続部41bまでの高さである。
なお、ここで、第3凹部30bと第4凹部35bは、その深さによって区別してもよい。例えば、図7に示すように、第2貫通孔25bが、高さH5の第3凹部30bと高さH6の第4凹部35bとを有する。ここで、高さH5は、第1面20aから第2接続部41bまでの高さである。また、高さH6は、第2面20bから第2接続部41bまでの高さである。このとき、高さH5は、高さH6よりも低いことが好ましい。このような深さ関係にある第3凹部30bを有する面が第1面20aであり、第4凹部35bを有する面が第2面20bであるとしてもよい。
高さH5と高さH6の比(H6/H5)は、好ましくは1.5以上であってもよく、2.0以上であってもよく、2.5以上であってもよく、3.0以上であってもよい。
上記のように比(H6/H5)を小さくすることにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる傾向にある。なお、比(H6/H5)の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
第3凹部30bと第4凹部35bの深さの関係は、第3凹部30bと第4凹部35bの開口の寸法に置きかえてもよい。例えば、第3凹部30bの開口寸法は、第4凹部35bの開口寸法よりも小さくてもよい。
ダミー領域24の第1面20a側において、隣り合う二つの第2貫通孔25bは、第1面20aの面方向に沿って離間してもよい。言い換えると、隣り合う二つの第3凹部30bの間に金属板51の第1面51aが残ってもよい。このような第2貫通孔25bは、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第3凹部30bの間に金属板51の第1面51aが残存するように金属板51をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板51の第1面51aは、メタルマスク20の第1面20aに対応する。
ダミー領域24の第2面20b側において、隣り合う二つの第2貫通孔25bの第4凹部35bが接続されてもよい。言い換えると、隣り合う二つの第4凹部35bの間に、メタルマスク20を構成する金属板51の第2面51bが残っていなくてもよい。このような第2貫通孔25bは、後述する製造方法のように、隣り合う二つの第4凹部35bの間に金属板51の第2面51bが残存しないように金属板51をエッチングすることによって形成されてもよい。なお、金属板51の第2面51bは、メタルマスク20の第2面20bに対応する。
ダミー領域24における第2面20bでは、隣り合う二つの第4凹部35bの間に金属板51の第2面51bが残存してもよく、有効領域22における第2面20bの全般的に、金属板51の第2面51bが残存してもよい。言い換えれば、有効領域22における第2面20bでは、金属板21の厚さと同じ厚さを有するトップ部が存在してもよい。
メタルマスク20を用いる蒸着工程において、蒸着材料98は、次第に開口面積が小さくなっていく第2凹部35aを通過して基板92に付着する。蒸着材料98の一部は、るつぼ94から基板92に向けて基板92の厚さ方向Nに沿って移動する。この際、図9において矢印Fで示すように、蒸着材料98の一部は、基板92の厚さ方向Nに対して傾斜した方向に移動することもある。傾斜した方向に移動する蒸着材料98の一部は、貫通孔25を通って基板92に到達するよりも前に、第2壁面36aに到達して付着し得る。第2壁面36aに付着する蒸着材料98の比率が高いほど、蒸着工程における蒸着材料98の利用効率が低下する。
蒸着材料98の利用効率の点からは、図7等に示すように、隣り合う二つの第2凹部35aの第2壁面36が第2面20b側において合流するように構成することが好ましい。これにより、第1貫通孔25aの大部分をなす第2壁面36aがメタルマスクの厚さ方向に対して効果的に傾斜する。これにより、蒸着材料98の利用効率を効果的に改善しながら所望のパターンでの蒸着を安定して高精度に実施できる。
このような観点から、有効領域22の第1トップ部32aの高さH1は以下のように構成することが好ましい。ここで、第1トップ部32aとは、有効領域22の第2面20b側において高さが極大値となる部分をいう。
第1トップ部32aは、図3や図5に示されるように、有効領域22の中央領域22’に位置することが好ましい。ここで、中央領域22’とは、有効領域22の中央部分を意味する。中央領域22’は、有効領域22のなかで、周囲領域23から所定の距離離れた領域ということもできる。このような中央領域22’は、特に限定されないが、例えば、周囲領域23から有効領域22の中心に向けて、第1貫通孔25aの数が150列以上内側の範囲であってもよく、200列以上内側の範囲であってもよく、300列以上内側の範囲であってもよく、500列以上内側の範囲であってもよい。貫通孔の数の上限は特に制限されず、周囲領域23から有効領域22の中心に向けて所定以上離れた距離であればよい。
高さH1は、高さTに対して、好ましくは0.15倍以上であってもよく、0.20倍以上であってもよく、0.25倍以上であってもよく、0.30倍以上であってもよく、0.35倍以上であってもよく、0.40倍以上であってもよく、0.45倍以上であってもよい。
高さH1は、好ましくは6μm以上であってもよく、7μm以上であってもよく、8μm以上であってもよく、9μm以上であってもよく、10μm以上であってもよい。また、高さH1は、好ましくは16μm以下であってもよく、15μm以下であってもよく、14μm以下であってもよく、13μm以下であってもよく、12μm以下であってもよい。
高さH1を上記下限値以上にすることにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる。また、高さH1を上記上限値以下にすることにより、蒸着材料98の利用効率がより向上したり、蒸着精度がより向上したりする傾向にある。なお、高さH1の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
ダミー領域24が有する第2トップ部32bの高さH2は、有効領域22の第1トップ部32aの高さH1よりも高い。これにより、ダミー領域24における強度がより向上し、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる。
また、ダミー領域24に配置されてもよい第2トップ部32bは、図16に示すようにエッチングされずに残ったトップ部であってもよい。言い換えれば、ダミー領域24における第2面20bでは、隣り合う二つの第4凹部35bの間に金属板51の第2面51bが残存してもよい。第2トップ部32bが残るようにメタルマスク20を作製することにより、ダミー領域24における強度がより向上し、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる。
高さH2は、高さH1に対して、好ましくは1.05倍以上であってもよく、1.15倍以上であってもよく、1.25倍以上であってもよく、1.35倍以上であってもよく、1.45倍以上であってもよい。また、高さH2は、高さH1に対して、好ましくは4.25倍以下であってもよく、4.00倍以下であってもよく、3.75倍以下であってもよく、3.50倍以下であってもよく、3.25倍以下であってもよい。また、高さH1に対する高さH2の範囲は、上記上限値下限値の任意の組み合わせであってもよく、例えば、1.05倍以上4.25倍以下であってもよく、1.05倍以上4.00倍以下であってもよく、1.15倍以上3.75倍以下であってもよく、1.25倍以上3.50倍以下であってもよく、1.35倍以上3.25倍以下であってもよく、1.45倍以上3.25倍以下であってもよい。高さH2が高さH1に対して1.05倍以上であることにより、破断やヘコの発生がより抑制される傾向にある。また、高さH2が高さH1に対して4.00倍以下であることにより、シワの発生がより抑制される傾向にある。
高さH2は、高さTに対して、好ましくは0.40倍以上であってもよく、0.45倍以上であってもよく、0.50倍以上であってもよく、0.55倍以上であってもよく、0.60倍以上であってもよい。また、高さH2は、高さTに対して、好ましくは1.00倍以下であってもよく、0.95倍以下であってもよく、0.90倍以下であってもよく、0.85倍以下であってもよく、0.80倍以下であってもよい。
高さH2は、好ましくは8.0μm以上であってもよく、10.0μm以上であってもよく、11.0μm以上であってもよく、12.0μm以上であってもよく、13.0μm以上であってもよい。また、高さH2は、好ましくは32.5μm以下であってもよく、30.0μm以下であってもよく、27.5μm以下であってもよく、25.0μm以下であってもよく、22.5μm以下であってもよい。
上記のように高さH2を大きくすることにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制できる。なお、高さH2の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
さらに、有効領域22から周囲領域23へとダミー領域24を横断する同一直線状において、周囲領域23に近い高さH2が有効領域22に近い高さH2よりも高いことが好ましい。有効領域22における第1トップ部とダミー領域24における第2トップ部の高さ変化が大きいと、その高さ変化の大きい部分に局所的に応力が集中する可能性がある。しかしながら、このようにダミー領域24における高さH2が周囲領域23に向けて徐々に高くなるように構成することにより、局所的な応力集中をより緩和できる。そのため、有効領域22の変形や破断がより抑制される。
高さH1及び高さH2の測定方法について説明する。まず、メタルマスク20の有効領域22とダミー領域24から、高さH1及び高さH2を測定するためのサンプル20sを採取する。次いで、第1面20a側から走査型電子顕微鏡などで観察することによって、高さH1及び高さH2を測定ができる。なおここで、高さH1及び高さH2は第1面20aを起点としてメタルマスクの厚さ方向に測定した高さである。そして、複数のサンプル20sについて、上述の方法に基づいて高さH1及び高さH2を測定し、平均値を算出する。この平均値を、高さH1及び高さH2として用いる。
第2角度θ2は、第1角度θ1よりも小さいことが好ましい。これにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制でき、また、蒸着物質の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。第1角度θ1は、例えば、第2面からエッチングなどにより第2凹部35aを形成する際にそのエッチング量により、調整してもよい。
第2角度θ2は、第1角度θ1に対して、好ましくは1.60倍以下であってもよく、1.30倍以下であってもよく、1.00倍以下であってもよく、0.95倍以下であってもよく、0.90倍以下であってもよく、0.85倍以下であってもよい。また、第2角度θ2は、第1角度θ1に対して、好ましくは0.30倍以上であってもよく、0.35倍以上であってもよく、0.40倍以上であってもよく、0.45倍以上であってもよく、0.50倍以上であってもよい。
第1角度θ1は、好ましくは30度以上であってもよく、35度以上であってもよく、40度以上であってもよく、45度以上であってもよく、50度以上であってもよい。また、第1角度θ1は、好ましくは80度以下であってもよく、75度以下であってもよく、70度以下であってもよく、65度以下であってもよく、60度以下であってもよい。
第2角度θ2は、好ましくは10度以上であってもよく、15度以上であってもよく、20度以上であってもよく、25度以上であってもよく、30度以上であってもよく、35度以上であってもよい。また、第2角度θ2は、好ましくは70度以下であってもよく、60度以下であってもよく、55度以下であってもよく、50度以下であってもよい。
上記のように第1角度θ1及び第2角度θ2を設定することにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制でき、また、蒸着物質の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。なお、第1角度θ1及び第2角度θ2に関する上記数値範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
高さH5は、高さH3よりも高いことが好ましい。これにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制でき、また、蒸着物質の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。高さH5は、例えば、第1面20a及び第2面20bのエッチング量により、調整してもよい。
高さH5は、高さH3に対して、好ましくは0.90倍以上であってもよく、1.00倍以上であってもよく、1.10倍以上であってもよく、1.20倍以上であってもよく、1.30倍以上であってもよい。
高さH3は、高さH5に対して、好ましくは0.01倍以上であってもよく、0.05倍以上であってもよく、0.10倍以上であってもよく、0.15倍以上であってもよい。また、高さH3は、高さH5に対して、好ましくは1.10倍以下であってもよく、1.00倍以下であってもよく、0.95倍以下であってもよく、0.90倍以下であってもよく、0.85倍以下であってもよく、0.80倍以下であってもよく、0.75倍以下であってもよく、0.70倍以下であってもよく、0.65倍以下であってもよく、0.60倍以下であってもよい。また、高さH5に対する高さH3の範囲は、上記上限値下限値の任意の組み合わせであってもよく、例えば、0.01倍以上0.95倍以下であってもよく、0.05倍以上0.90倍以下であってもよく、0.10倍以上0.85倍以下であってもよく、0.10倍以上0.80倍以下であってもよく、0.10倍以上0.75倍以下であってもよい。高さH5が高さH3に対して大きいことにより、破断やヘコの発生がより抑制される傾向にある。
高さH3は、高さH1に対して、好ましくは0.10倍以上であってもよく、0.15倍以上であってもよく、0.20倍以上であってもよく、0.25倍以上であってもよい。また、高さH3は、高さH1に対して、好ましくは0.70倍以下であってもよく、0.60倍以下であってもよく、0.50倍以下であってもよく、0.45倍以下であってもよく、0.40倍以下であってもよい。
高さH3は、好ましくは0.1μm以上であってもよく、0.3μm以上であってもよく、0.5μm以上であってもよく、0.7μm以上であってもよく、1.0μm以上であってもよい。また、高さH3は、好ましくは5.0μm以下であってもよく、4.7μm以下であってもよく、4.4μm以下であってもよく、4.1μm以下であってもよく、3.8μm以下であってもよく、3.5μm以下であってもよい。
高さH5は、高さH2に対して、好ましくは0.05倍以上であってもよく、0.10倍以上であってもよく、0.15倍以上であってもよい。また、高さH5は、高さH2に対して、好ましくは0.70倍以下であってもよく、0.60倍以下であってもよく、0.50倍以下であってもよく、0.45倍以下であってもよく、0.40倍以下であってもよく、0.35倍以下であってもよい。
高さH5は、好ましくは0.1μm以上であってもよく、0.5μm以上であってもよく、1.0μm以上であってもよく、1.5μm以上であってもよく、2.0μm以上であってもよい。また、高さH5は、好ましくは12μm以下であってもよく、10μm以下であってもよく、8.0μm以下であってもよく、6.0μm以下であってもよい。
上記のように高さH3及び高さH5を設定することにより、有効領域22が変形したり破断したりすることを抑制でき、また、蒸着物質の利用効率や蒸着精度がより向上する傾向にある。なお、高さH3及び高さH5に関する上記数値範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
本開示の一実施形態に係るメタルマスクの製造方法は、第1面51aと、第1面51aの反対側に位置する第2面51bと、を有する金属板51を準備する工程と、金属板51をエッチングすることによってメタルマスク20を形成するエッチング工程と、を備え、メタルマスク20は、有効領域22と、周囲領域23と、ダミー領域24と、を有し、有効領域22は、第1貫通孔25aと第1トップ部32aとを備え、第1トップ部32aは、高さH1を有し、周囲領域23は、有効領域22の周囲に位置し、ダミー領域24は、有効領域22と周囲領域23との間に位置し、ダミー領域24は、第2トップ部32bを備え、第2トップ部32bは、高さH2を有し、高さH2が、高さH1よりも高い。
本開示の一実施形態に係るメタルマスク20の製造方法について、主に図10~図16を参照して説明する。図10は、金属板51を用いてメタルマスク20を製造する製造装置70を示す図である。まず、軸部材52に巻き付けられた金属板51を含む巻回体50を準備する。続いて、巻回体50の金属板51を軸部材52から巻き出して、金属板51を図10に示すレジスト膜形成装置71、露光・現像装置72、エッチング装置73、剥膜装置74及び分離装置75へ順次搬送する。その過程において金属板51に貫通孔25が形成され、さらに長尺の金属板を断裁することによって枚葉状の金属板からなるメタルマスク20を得ることができる。
なお、図10においては、金属板51がその長さ方向に搬送されることによって装置の間を移動する例が示されているが、これに限られることはない。例えば、レジスト膜形成装置71においてレジスト膜が設けられた金属板51を軸部材52に再び巻き取った後、巻回体の状態の金属板51を露光・現像装置72に供給してもよい。また、露光・現像装置72において露光・現像処理されたレジスト膜が設けられた状態の金属板51を軸部材52に再び巻き取った後、巻回体の状態の金属板51をエッチング装置73に供給してもよい。また、エッチング装置73においてエッチングされた金属板51を軸部材52に再び巻き取った後、巻回体の状態の金属板51を剥膜装置74に供給してもよい。また、剥膜装置74において後述する樹脂54などが除去された金属板51を軸部材52に再び巻き取った後、巻回体の状態の金属板51を分離装置75に供給してもよい。
レジスト膜形成装置71は、金属板51の表面にレジスト膜を形成する。また、露光・現像装置72は、レジスト膜に露光処理及び現像処理を施すことにより、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する。エッチング装置73は、レジストパターンをマスクとして金属板51をエッチングして、金属板51に第1貫通孔25a及び第2貫通孔25bを形成する。剥膜装置74は、レジストパターンや後述する樹脂54などの、金属板51のうちエッチングされない部分をエッチング液から保護するために設けられた構成要素を剥離させる。分離装置75は、金属板51のうち1枚分のメタルマスク20に対応する第1貫通孔25a及び第2貫通孔25bが形成された部分を金属板51から分離する分離工程を実施する。このようにして、メタルマスク20を得ることができる。
本開示の一実施形態においては、金属板51から複数枚のメタルマスク20を作製できるように、多数の有効領域22を形成する。言い換えると、金属板51に複数枚のメタルマスク20を割り付ける。例えば、金属板51の幅方向に複数の有効領域22が並び、且つ、金属板51の長さ方向に複数のメタルマスク20用の有効領域22が並ぶよう、金属板51に多数の貫通孔25を形成してもよい。
以下、メタルマスク20の製造方法の各工程について詳細に説明する。
まず、軸部材52に巻き付けられた金属板51を含む巻回体50を準備する。所望の厚さを有する金属板51を作製する方法としては、圧延法、めっき成膜法などを採用できる。
続いて、レジスト膜形成装置71を用いて、巻出装置から巻き出された金属板51の第1面51a上および第2面51b上に、図11に示すようにレジスト膜53a、53bを形成する。レジスト膜53a、53bは、例えば、アクリル系光硬化性樹脂などの感光性レジスト材料を含むドライフィルムを金属板51の第1面51a上および第2面51b上に貼り付けることによって形成してもよい。また、レジスト膜53a、53bは、例えば、感光性レジスト材料を含む塗布液を金属板51の第1面51a上および第2面51b上に塗布し、塗布液を乾燥させることによって形成してもよい。
レジスト膜53a、53bはネガ型であってもポジ型であってもよいが、ネガ型が好ましく用いられる。
レジスト膜53a、53bの厚さは、例えば15μm以下であり、10μm以下であってもよく、6μm以下であってもよく、4μm以下であってもよい。また、レジスト膜53a、53bの厚さは、例えば1μm以上であり、3μm以上であってもよく、5μm以上であってもよく、7μm以上であってもよい。レジスト膜53a、53bの厚さの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。
続いて、露光・現像装置72を用いて、レジスト膜53a、53bを露光及び現像する。これにより、図12に示すように、金属板51の第1面51a上に第1レジストパターン53cを形成し、金属板51の第2面51b上に第2レジストパターン53dを形成できる。例えば、ネガ型のレジスト膜を用いた場合には、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させないようにしたガラス乾板をレジスト膜上に配置し、レジスト膜をガラス乾板越しに露光し、さらにレジスト膜を現像するようにしてもよい。
続いて、エッチング装置73を用いて、第1レジストパターン53c、第2レジストパターン53dをマスクとして金属板51をエッチングすることによってメタルマスク20を形成するエッチング工程を実施する。エッチング工程は、第1面エッチング工程及び第2面エッチング工程を含んでもよい。
まず、図13に示すように、第1面エッチング工程を実施する。第1面エッチング工程においては、金属板51の第1面51aのうち第1レジストパターン53cによって覆われていない領域を、第1エッチング液を用いてエッチングする。例えば、第1エッチング液を、搬送される金属板51の第1面51aに対面する側に配置されたノズルから、第1レジストパターン53c越しに金属板51の第1面51aに向けて噴射する。この際、金属板51の第2面51bは、第1エッチング液に対する耐性を有するフィルムなどによって覆われてもよい。
第1面エッチング工程の結果、図13に示すように、金属板51のうちの第1レジストパターン53cによって覆われていない領域で、第1エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板51の第1面51aに多数の第1凹部30a及び第3凹部30bが形成される。第1エッチング液としては、例えば塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いてもよい。
次に、図14に示すように、第2面エッチング工程を実施する。第2面エッチング工程においては、金属板51の第2面51bのうち第2レジストパターン53dによって覆われていない領域を、第2エッチング液を用いてエッチングする。これによって、金属板51の第2面51bに第2凹部35a及び第4凹部35bを形成する。第2面51bのエッチングは、第1凹部30aと第2凹部35aとが互いに通じ合い、これによって第1貫通孔25aが形成されるようになるまで実施される。また、この際に、第3凹部30bと第4凹部35bとが互いに通じ合い、これによって第2貫通孔25bが形成されてもよい。第2エッチング液としては、上述の第1エッチング液と同様に、例えば塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いてもよい。なお、第2面51bのエッチングの際、図14に示すように、第2エッチング液に対する耐性を有した樹脂54によって第1凹部30が被覆されてもよい。
第2面エッチング工程においては、図15に示すように、隣り合う二つの第2凹部35が接続されるまでエッチングが進行してもよい。隣り合う二つの第2凹部35aが接続された箇所においては、隣り合う二つの第2凹部35aが合流して稜線33が第1レジストパターン53cから離間して、稜線33aにおいてエッチングによる浸食が金属板51の厚さ方向にも進む。これにより、第2レジストパターン53dが金属板51から剥離する。なお、隣り合う二つの第2凹部35の間に第2面51bが部分的に残ってもよい。
本開示においては、第2面エッチング工程において、有効領域22においては、図15に示すように、隣り合う二つの第2凹部35aが接続されるようにエッチングが進行するようにしてもよい。また、ダミー領域24においては、図14に示すように、隣り合う二つの第2凹部35aが接続されないようにエッチングが進行するようにしてもよく、図15に示すように、隣り合う二つの第2凹部35aが接続されるようにエッチングが進行するようにしてもよい。
これにより、容易にダミー領域24が有する第2トップ部32bの高さH2を、有効領域22が有する第1トップ部32aの高さH1よりも大きくできる。また、図16に示すように、第2レジストパターン53dにおける孔の大きさや形状を調整することにより、第2面エッチング工程において、有効領域22とダミー領域24を同時に形成してもよい。
次に、本実施の形態に係るメタルマスク20を用いて有機EL表示装置を製造する方法について、図2を参照しつつ説明する。有機EL表示装置は、基板92と、パターン状に設けられた蒸着材料98を含む蒸着層と、を積層した状態で備えてもよい。有機EL表示装置の製造方法は、メタルマスク20を用いて基板92などの基板上に蒸着材料98を蒸着させる蒸着工程を備える。
蒸着工程においては、まず、メタルマスク20が基板に対向するようメタルマスク装置10を配置する。また、磁石を用いてメタルマスク20を基板92に密着させてもよい。また、蒸着装置90の内部を真空雰囲気にしてもよい。この状態で、蒸着材料98を蒸発させてメタルマスク20を介して基板92へ飛来させることにより、メタルマスク20の貫通孔25に対応したパターンで蒸着材料98を基板92に付着させることができる。
また、有機EL表示装置の製造方法は、メタルマスク20を用いて基板92などの基板上に蒸着材料98を蒸着させる蒸着工程以外にも、様々な工程を備えてもよい。例えば、有機EL表示装置の製造方法は、基板に第1電極を形成する工程を備えてもよい。蒸着層は、第1電極の上に形成される。また、有機EL表示装置の製造方法は、蒸着層の上に第2電極を形成する工程を備えてもよい。また、有機EL表示装置の製造方法は、基板92に設けられている第1電極、蒸着層、第2電極を封止する封止工程を備えてもよい。
メタルマスク20を用いて基板92などの基板上に形成される蒸着層は、上述の発光層には限られず、その他の層を含んでいてもよい。例えば、蒸着層は、第1電極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含んでいてもよい。この場合、各層に対応するメタルマスク20を用いた蒸着工程がそれぞれ実施されてもよい。
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
(変形例)
第1の変形例として、ダミー領域24は、第2貫通孔25bに代えて、ハーフエッチングなどによって形成された非貫通の凹部を有してもよい。図17に、非貫通の凹部25b’を有するダミー領域24の斜視図を示す。
第2の変形例として、第1凹部30を形成する工程の前に第2凹部35を形成する工程を行ってもよいし、第1凹部30を形成する工程および第2凹部35を形成する工程を並行して行ってもよい。
第3の変形例として、レーザー照射機を用いて第1凹部30又は第2凹部35内にレーザー光を照射することにより、第1凹部30又は第2凹部35の内部から金属板51の他の面まで到達させて貫通孔を形成してもよい。
第4の変形例として、第1貫通孔25aの形状は円や楕円であってもよいし、その他多角形であってもよい。また、第1貫通孔25aの配列も格子状であってもよいし、ダイヤモンド型配列であってもよいし、その他の任意の配列であってもよい。
図18に、第1貫通孔25aの配列の他の例を示す。図18に示す配列は、方向D1と平行な長軸26を有する第1貫通孔25aと、方向D2と平行な長軸26を有する第1貫通孔25aとを有する。
以下、本開示を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本開示は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
(実施例)
上述のメタルマスクの製造方法にて、金属板に第1凹部及び第2凹部を形成して、第1凹部及び第2凹部からなる貫通孔を有するメタルマスクを製造した。
このメタルマスクにおいて、図3に示すように、有効領域の周囲にダミー領域を形成した。その際、ダミー領域が有する第2トップ部の高さH2は、有効領域の第1トップ部の高さH1よりも大きくなるようにした。メタルマスクの原材料となる金属板は、インバー材とした。
(比較例)
ダミー領域が有する第2トップ部の高さH2を、有効領域の第1トップ部の高さH1よりも小さくしたこと以外は、実施例と同様にして、メタルマスクを得た。
(評価)
メタルマスク製造工程から、メタルマスクをフレームに架張溶接するまでに、メタルマスクに変形や破断が発生したか否かを目視にて確認し、その結果を表1に記載した。なお、メタルマスクに生じる変形としては、シワやヘコが認められた。ここで、「ヘコ」とは、メタルマスク製造工程からメタルマスクをフレームに架張溶接するまでに、部分的に生じる軽微な凹みや折れ曲がりをいう。また、「破断」とは、メタルマスク製造工程からメタルマスクをフレームに架張溶接するまでに、有効領域内、又は有効領域と周囲領域との境などにおいて、メタルマスクが部分的に切れてしまうことを言う。これら変形や破断は、いずれもメタルマスクの強度が不足している場合や、強度が弱い箇所に応力が集中した際に生じ得る。
表1に示すように、実施例のメタルマスクは所定のダミー領域を有することにより有効領域と周囲領域の境界部分の強度がより向上した。その結果、メタルマスク製造工程から、メタルマスクをフレームに架張溶接するまでにおいて、メタルマスクに変形や破断などは確認されなかった。
他方、所定のダミー領域を有しない比較例においては、メタルマスクにヘコやしわなどの変形のほか、破断などが発生することが分かった。その理由としては、所定のダミー領域を有しない比較例においては、有効領域と周囲領域に強度の差があるため、有効領域と周囲領域の境界部分に応力が集中した結果、変形や破断が生じたものと考えられる。但し理由はこれに限定されない。
また、高さH1に対する高さH2が1.05倍以上であることにより、ダミー領域における強度がより向上し、有効領域が変形したり破断したりすることを抑制できる。さらに、高さH1に対する高さH2が4.00倍以下であることにより、極端に強度が低い箇所に応力が集中することを抑制でき、シワの発生がより抑制される傾向にある。
さらに、高さH5が、高さH3よりも高いことにより、ダミー領域における強度がより向上し、有効領域が変形したり破断したりすることを抑制できる。また、高さH3に対して、高さH5を所定値以下とすることにより、極端に強度が低い箇所に応力が集中することを抑制でき、シワの発生がより抑制される傾向にある。
本発明のメタルマスクは、有機EL表示装置の製造に使用するメタルマスクなどとして、産業上の利用可能性を有する。
10…メタルマスク装置、15…フレーム、17…端部、20…メタルマスク、20a…第1面、20b…第2面、21…金属板、22…有効領域、22’…中央領域、23…周囲領域、24…ダミー領域、25…貫通孔、25a…第1貫通孔、25b…第2貫通孔、25b’…凹部、26…長軸、30…第1凹部、30a…第1凹部、30b…第3凹部、32a…第1トップ部、32b…第2トップ部、33…稜線、33a…稜線、33b…稜線、35…第2凹部、35a…第2凹部、35b…第4凹部、36…第2壁面、36a…第2壁面、36b…第4壁面、41a…第1接続部、41b…第2接続部、50…巻回体、51…金属板、51a…第1面、51b…第2面、52…軸部材、53a…レジスト膜、53b…レジスト膜、53c…第1レジストパターン、53d…第2レジストパターン、54…樹脂、70…製造装置、71…レジスト膜形成装置、72…露光・現像装置、73…エッチング装置、74…剥膜装置、75…分離装置、90…蒸着装置、92…基板、96…ヒータ、98…蒸着材料、100…有機EL表示装置、D1…第1方向、D2…第2方向、K1…直線、K2…直線、N…方向、θ1…第1角度、θ2…第2角度

Claims (9)

  1. 有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有するメタルマスクであって、
    前記有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、
    前記第1トップ部は、高さH1を有し、
    前記周囲領域は、前記有効領域の周囲に位置し、
    前記ダミー領域は、前記有効領域と前記周囲領域との間に位置し、
    前記ダミー領域は、第2トップ部を備え、
    前記第2トップ部は、高さH2を有し、
    前記高さH2が、前記高さH1よりも高い、
    メタルマスク。
  2. 前記ダミー領域が、2列以上5列以下の前記第2トップ部を有する範囲と等しい領域である、
    請求項1に記載のメタルマスク。
  3. 前記有効領域から前記周囲領域へと前記ダミー領域を横断する同一直線状において、
    前記有効領域に近い前記高さH2よりも、前記周囲領域に近い前記高さH2のほうが高い、
    請求項1又は2に記載のメタルマスク。
  4. 前記高さH2が、前記高さH1に対して、1.05倍以上4.00倍以下である。
    請求項1~3のいずれか一項に記載のメタルマスク。
  5. 前記メタルマスクが、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有し、
    前記ダミー領域が、第2貫通孔を有し、
    前記第1貫通孔が、前記第1面側に第1凹部と、前記第2面側に第2凹部と、第1接続部と、第1角度θ1と、を有し、
    前記第1接続部が、前記第1凹部と前記第2凹部とが接続される稜部であり、
    前記第1角度θ1は、前記第1接続部のうち前記第1トップ部に最も近い部分P1aと、前記第1トップ部のうち前記第1接続部に最も近い部分P2aと、を通過する直線K1が前記メタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度であり、
    前記第2貫通孔が、前記第1面側に第3凹部と、前記第2面側に第4凹部と、第2接続部と、第2角度θ2と、を有し、
    前記第2接続部が、前記第3凹部と前記第4凹部とが接続される稜部であり、
    前記第2角度θ2は、前記第2接続部のうち前記第2トップ部に最も近い部分P1bと、前記第2トップ部のうち前記第2接続部に最も近い部分P2bと、を通過する直線K2が前記メタルマスクの厚さ方向Nに対してなす角度であり、
    前記第2角度θ2が、前記第1角度θ1よりも小さい、
    請求項1~4のいずれか一項に記載のメタルマスク。
  6. 前記メタルマスクが、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有し、
    前記ダミー領域が、第2貫通孔を有し、
    前記第1貫通孔が、前記第1面側に第1凹部と、前記第2面側に第2凹部と、第1接続部と、高さH3と、を有し、
    前記第1接続部が、前記第1凹部と前記第2凹部とが接続される稜部であり、
    前記高さH3が、前記第1面から前記第1接続部までの高さであり、
    前記第2貫通孔が、前記第1面側に第3凹部と、前記第2面側に第4凹部と、第2接続部と、高さH5と、を有し、
    前記第2接続部が、前記第3凹部と前記第4凹部とが接続される稜部であり、
    前記高さH5が、前記第1面から前記第2接続部までの高さであり、
    前記高さH5が、前記高さH3よりも高い、
    請求項1~5のいずれか一項に記載のメタルマスク。
  7. 前記第1貫通孔が、高さH3と高さH4とを有し、
    前記高さH3が、前記第1面から前記第1接続部までの高さであり、
    前記高さH4が、前記第2面から前記第1接続部までの高さであり、
    前記高さH3が、前記高さH4よりも低い、
    請求項5又は6に記載のメタルマスク。
  8. 前記ダミー領域が、エッチングされずに残ったトップ部を有する、
    請求項1~7のいずれか一項に記載のメタルマスク。
  9. メタルマスクの製造方法であって、
    第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、を有する金属板を準備する工程と、
    前記金属板をエッチングすることによって前記メタルマスクを形成するエッチング工程と、を備え、
    前記メタルマスクは、有効領域と、周囲領域と、ダミー領域と、を有し、
    前記有効領域は、第1貫通孔と第1トップ部とを備え、
    前記第1トップ部は、高さH1を有し、
    前記周囲領域は、前記有効領域の周囲に位置し、
    前記ダミー領域は、前記有効領域と前記周囲領域との間に位置し、
    前記ダミー領域は、第2トップ部を備え、
    前記第2トップ部は、高さH2を有し、
    前記高さH2が、前記高さH1よりも高い、
    メタルマスクの製造方法。
JP2023041559A 2022-03-31 2023-03-16 メタルマスク及びその製造方法 Pending JP2023152822A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022058423 2022-03-31
JP2022058423 2022-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023152822A true JP2023152822A (ja) 2023-10-17

Family

ID=88292115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023041559A Pending JP2023152822A (ja) 2022-03-31 2023-03-16 メタルマスク及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230349037A1 (ja)
JP (1) JP2023152822A (ja)
KR (1) KR20230141559A (ja)
CN (1) CN116891994A (ja)
TW (1) TW202346619A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6468480B2 (ja) 2014-01-31 2019-02-13 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク

Also Published As

Publication number Publication date
US20230349037A1 (en) 2023-11-02
CN116891994A (zh) 2023-10-17
TW202346619A (zh) 2023-12-01
KR20230141559A (ko) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7449485B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
TWI778977B (zh) 蒸鍍遮罩之製造方法、分割附加有蒸鍍遮罩之中間製品、以及蒸鍍遮罩
CN108070823B (zh) 蒸镀掩模
JP7487481B2 (ja) 蒸着マスク装置、マスク支持機構及び蒸着マスク装置の製造方法
CN113684445B (zh) 中间制品、蒸镀掩模的制造方法以及对位方法
TW202024366A (zh) 蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法
CN111500980A (zh) 蒸镀掩模以及蒸镀掩模的制造方法
JP2023152822A (ja) メタルマスク及びその製造方法
JP2023152823A (ja) メタルマスク及びその製造方法
JP2023152824A (ja) メタルマスク及びその製造方法
JP7413713B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク
WO2024024658A1 (ja) メタルマスク及びその製造方法
JP2019081962A (ja) 蒸着マスク
WO2024075703A1 (ja) メタルマスク及びその製造方法
JP2024069290A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
TW202409314A (zh) 金屬遮罩及其製造方法
JP2024003780A (ja) マスクの製造方法、マスク及びマスク装置の製造方法
JP7196717B2 (ja) マスクの製造方法
JP7402426B2 (ja) 蒸着マスク
JP3082805U (ja) 蒸着用マスク
JP2023001889A (ja) マスクの製造方法及びマスク
JP2024005085A (ja) マスクの模型、マスクの模型の製造方法及びマスクの模型の使用方法
TW202344700A (zh) 蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AA64 Notification of invalidation of claim of internal priority (with term)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764

Effective date: 20230413

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230525