TW202420965A - 遮罩之製造方法、遮罩及遮罩裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之遮罩可具備包含至少1個第1貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與第1貫通孔群相鄰之至少1個第2貫通孔群之第2部分。本發明之遮罩之製造方法可包含：準備具有原始基材及抗蝕劑層之積層體之步驟；使用第1曝光光罩將與第1部分對應之抗蝕劑層曝光之第1曝光程序；使用第2曝光光罩將與第2部分對應之抗蝕劑層曝光之第2曝光程序；使與第1部分對應之抗蝕劑層、及與第2部分對應之抗蝕劑層顯影之程序；以及隔著與第1部分對應之抗蝕劑層及與第2部分對應之抗蝕劑層來蝕刻原始基材之程序。

Description

遮罩之製造方法、遮罩及遮罩裝置之製造方法

本發明之實施方式係關於一種遮罩之製造方法、遮罩及遮罩裝置之製造方法。

有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等有機裝置備受關注。作為形成有機裝置之元件之方法，已知藉由蒸鍍使構成元件之材料附著於基板之方法。例如，首先準備以與元件對應之圖案形成有第1電極之基板。繼而，經由遮罩之貫通孔使有機材料附著於第1電極之上，於第1電極之上形成有機層。然後，於有機層之上形成第2電極。

作為遮罩之製造方法，已知蝕刻金屬板等基材而形成貫通孔之方法。製造方法包含如下步驟：使用曝光光罩將基材上之抗蝕劑層曝光；以及隔著經曝光及顯影後之抗蝕劑層來蝕刻基材。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3539597號公報

[發明所欲解決之問題]

作為降低有機裝置之製造成本之手段之一，可考慮基板之大型化。若基板大型化，則遮罩亦大型化，用以製造遮罩之製造設備亦大型化。例如，為了製造支持第8代基板之遮罩，需要支持第8代基板之曝光光罩。但使曝光光罩大型化需進行巨額投資。

本發明之實施方式提供一種能有效解決上述問題之遮罩之製造方法。 [解決問題之技術手段]

根據本發明之一實施方式，於遮罩之製造方法中，上述遮罩可具備包含至少1個第1貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與上述第1貫通孔群相鄰之至少1個第2貫通孔群之第2部分。上述製造方法可包含：準備具有原始基材及抗蝕劑層之積層體之步驟；使用第1曝光光罩將與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第1曝光程序；使用第2曝光光罩將與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第2曝光程序；使與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層顯影之程序；以及隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層來蝕刻上述原始基材之程序。上述第1曝光光罩可包含將位於上述原始基材之第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第1曝光光罩、及將位於上述原始基材之第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第1曝光光罩。於上述第1曝光程序中，可為位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第1曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第1曝光光罩而曝光。上述第2曝光光罩可包含將位於上述第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第2曝光光罩、及將位於上述第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第2曝光光罩。於上述第2曝光程序中，可為位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第2曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第2曝光光罩而曝光。可藉由隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第1部分之外緣及上述第1貫通孔群。可藉由隔著與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第2部分之外緣及上述第2貫通孔群。 [發明之效果]

根據本發明之一實施方式，能削減用於遮罩之大型化之投資。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，對於「基板」、「基材」、「板」、「片材」、「膜」等表示作為某構成之基礎之物質之詞語，不可僅基於叫法之不同來相互區分。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，對於形狀、幾何學條件、規定其等之程度之詞語(例如「平行」、「正交」等)、長度及角度之值等，應理解為其包括足可期待相同功能之範圍，而不拘泥於嚴格含義。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，提及某構件或某區域等之某構成位於另一構件或另一區域等之另一構成之「上」、「下」、「上側」、「下側」、或「上方」、「下方」時，包括某構成與另一構成直接相接之情形。進而，亦包括某構成與另一構成之間包含其他構成之情形，即間接相接之情形。又，只要未特意說明，對於包含「上」、「上側」、「上方」或「下」、「下側」、「下方」之語句，亦可使上下方向顛倒過來。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，便對相同部分或具有相同功能之部分標註相同符號或類似符號，相應之重複說明有時會被省略。又，圖式之尺寸比例有時與實際比例不同以便說明，且圖式上有時會省略一部分構成。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，本說明書之一實施方式便可於不矛盾之範圍內與其他實施方式組合。又，其他實施方式彼此亦可於不矛盾之範圍內組合。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，相關於製造方法等方法而揭示2個以上步驟或程序之情形時，亦可於所揭示之步驟或程序之間實施未予揭示之其他步驟或程序。又，所揭示之步驟或程序之順序可於不矛盾之範圍內任意設定。

本說明書及本圖式中，只要未特意說明，以符號「～」表示之數值範圍包含符號「～」前後出現之數值。例如，藉由表述為「34～38質量%」而劃定之數值範圍與藉由表述為「34質量%以上且38質量%以下」而劃定之數值範圍相同。

本說明書之一實施方式中，對遮罩係用以在製造有機EL顯示裝置時將有機材料或電極形成於基板上之例進行說明。但遮罩之用途並不特別決定，可對用作各種用途之遮罩應用本實施方式。例如，為了形成用以顯示或投影表現虛擬實鏡即所謂之VR(Virtual Reality)、或擴增實鏡即所謂之AR(Augmented Reality)之圖像或者影像的裝置之電極，可使用本實施方式之遮罩。又，為了形成液晶顯示裝置之電極等有機EL顯示裝置以外之顯示裝置之電極，亦可使用本實施方式之遮罩。又，為了形成壓力感測器之電極等顯示裝置以外之有機裝置之電極，亦可使用本實施方式之遮罩。

本發明之第1態樣係一種遮罩之製造方法，其中 上述遮罩具備包含至少1個第1貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與上述第1貫通孔群相鄰之至少1個第2貫通孔群之第2部分，且 上述製造方法包含： 準備具有原始基材及抗蝕劑層之積層體之步驟； 使用第1曝光光罩將與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第1曝光程序； 使用第2曝光光罩將與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第2曝光程序； 使與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層顯影之程序；以及 隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層來蝕刻上述原始基材之程序； 上述第1曝光光罩包含將位於上述原始基材之第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第1曝光光罩、及將位於上述原始基材之第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第1曝光光罩， 於上述第1曝光程序中，位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第1曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第1曝光光罩而曝光， 上述第2曝光光罩包含將位於上述第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第2曝光光罩、及將位於上述第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第2曝光光罩， 於上述第2曝光程序中，位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第2曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第2曝光光罩而曝光， 藉由隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第1部分之外緣及上述第1貫通孔群， 藉由隔著與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第2部分之外緣及上述第2貫通孔群。

本發明之第2態樣如上述第1態樣之遮罩之製造方法，其中上述第1曝光光罩可具有包含第1邊及第2邊之矩形。上述第1邊可為1090 mm以上。上述第2邊可為810 mm以上。

本發明之第3態樣如上述第1態樣或第2態樣之遮罩之製造方法，其中上述原始基材之厚度可為30 μm以上。

本發明之第4態樣如上述第1態樣～第3態樣中任一者之遮罩之製造方法，其中上述第2曝光程序可包含以實施上述第1曝光程序後之與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層為基準，來調整上述第2曝光光罩之位置之程序。

本發明之第5態樣如上述第1態樣～第4態樣中任一者之遮罩之製造方法，其中上述第2曝光程序可包含以於上述第1曝光程序中所使用之上述第1曝光光罩之位置為基準，來調整上述第2曝光光罩之位置之程序。

本發明之第6態樣如上述第1態樣～第5態樣中任一者之遮罩之製造方法，其中上述第1曝光程序可包含調整上述第1面第1曝光光罩與上述第2面第1曝光光罩之間之相對位置之程序，上述第2曝光程序可包含調整上述第1面第2曝光光罩與上述第2面第2曝光光罩之間之相對位置之程序。

本發明之第7態樣係一種遮罩，其具備： 基材，其包含沿著第1方向延伸之第1側緣及第2側緣，且包含第1面及第2面；以及 複數個貫通孔群，其等貫通上述基材；且 於俯視下，上述遮罩具備包含至少1個第1上述貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與上述第1貫通孔群相鄰之至少1個第2上述貫通孔群之第2部分， 上述第1貫通孔群之第1排列方向與上述第2貫通孔群之第2排列方向所形成之第1角度θ1為0.00042°以上， 上述第1排列方向係屬於上述第1貫通孔群且沿著上述第1側緣排列之貫通孔之排列方向，上述第2排列方向係屬於上述第2貫通孔群且沿著上述第1側緣排列之貫通孔之排列方向。

本發明之第8態樣如上述第7態樣之遮罩，其中於俯視下，上述遮罩具備可包含於上述第1方向上排列之複數個上述貫通孔群之中間部。上述第1方向上之上述中間部之尺寸可為1000 mm以上2200 mm以下。

本發明之第9態樣如上述第7態樣或第8態樣之遮罩，其中上述第1側緣可包含第1階部，該第1階部位於上述第1部分與上述第2部分之交界處，於與上述第1方向正交之第2方向上位移。

本發明之第10態樣如上述第9態樣之遮罩，其中上述第1階部之尺寸S1可為3.0 μm以下。

本發明之第11態樣如上述第7態樣～第10態樣中任一者之遮罩，其中上述第1角度θ1可為0.00125°以下。

本發明之第12態樣如上述第9態樣之遮罩，其中於上述第1階部之尺寸S1與上述第1角度θ1之間，下述關係式可成立。 4820[μm/°]×θ1[°]＋S1[μm]≦6.0[μm]

本發明之第13態樣如上述第7態樣～第12態樣中任一者之遮罩，其中上述第1方向上之上述第1部分之尺寸可為900 mm以上，上述第1方向上之上述第2部分之尺寸可為900 mm以上。

本發明之第14態樣如上述第7態樣～第13態樣中任一者之遮罩，其中上述第1部分可包含第1端，該第1端構成上述第1方向上之上述遮罩之端；上述第2部分可包含第2端，該第2端構成上述第1方向上之上述遮罩之端。

本發明之第15態樣如上述第14態樣之遮罩，其中於俯視下，上述第1端及上述第2端可分別包含於與上述第1方向正交之第2方向上排列之2個以上凹部。

本發明之第16態樣如上述第15態樣之遮罩，其中上述凹部可於上述第1方向上具有5 mm以上之尺寸。

本發明之第17態樣係一種遮罩裝置之製造方法，其包含： 對準工序，其係一面對如上述第7態樣～第16態樣中任一者之遮罩施加張力，一面決定上述遮罩相對於框之位置；及 固定工序，其係將上述遮罩固定於上述框；且 上述第1部分包含：第1內側基準孔，其由在上述第1方向上與上述第2貫通孔群相鄰之上述第1貫通孔群之貫通孔構成；及第1外側基準孔，其由在上述第1方向上離上述第2貫通孔群最遠之上述第1貫通孔群之貫通孔構成； 上述第2部分包含第2外側基準孔，該第2外側基準孔由在上述第1方向上離上述第1貫通孔群最遠之上述第2貫通孔群之貫通孔構成； 上述對準工序包含： 調整工序，其係基於上述第1外側基準孔及上述第2外側基準孔，調整上述張力；及 移位工序，其係於上述調整工序之後，基於上述第1內側基準孔，使上述遮罩於與上述第1方向正交之第2方向上移動。

本發明之第18態樣如上述第17態樣之遮罩裝置之製造方法，其中上述調整工序可調整上述張力，以於上述第2方向上，使上述第1外側基準孔之偏離距離及上述第2外側基準孔之偏離距離均成為第1調整閾值。

本發明之第19態樣如上述第17態樣或第18態樣之遮罩裝置之製造方法，其中上述移位工序可使上述遮罩於上述第2方向上移動，以於上述第2方向上，使上述第1外側基準孔之偏離距離、上述第1內側基準孔之偏離距離及上述第2外側基準孔之偏離距離均成為第2調整閾值以下。

本發明之第20態樣如上述第19態樣之遮罩裝置之製造方法，其中上述移位工序可使上述遮罩於上述第2方向上移動，以使上述第1外側基準孔之偏離距離與上述第1內側基準孔之偏離距離之差成為第3調整閾值以下。

本發明之第21態樣如上述第17態樣～第20態樣中任一者之遮罩裝置之製造方法，其中上述第2方向上之上述框之尺寸可為1200 mm以上。

參照圖式，對本發明之一實施方式詳細地進行說明。再者，以下所示之實施方式係本發明之實施方式之一例，不可理解為本發明僅決定於該等實施方式。

對具備藉由使用遮罩而形成之要素之有機裝置100進行說明。圖1係表示有機裝置100之一例之剖視圖。

有機裝置100包含具有第1面111及第2面112之基板110、以及位於基板110之第1面111之複數個元件115。元件115例如為像素。元件115亦可沿著第1面111之面內方向排列。基板110亦可包含2種以上元件115。例如，基板110亦可包含第1元件115A及第2元件115B。雖未圖示，但基板110亦可包含第3元件。第1元件115A、第2元件115B及第3元件例如為紅色像素、藍色像素及綠色像素。

元件115亦可包含第1電極120、位於第1電極120上之有機層130、及位於有機層130上之第2電極140。藉由使用遮罩而形成之要素可為有機層130，亦可為第2電極140。將藉由使用遮罩而形成之要素亦稱為蒸鍍層。

有機裝置100亦可具備位於俯視下相鄰之2個第1電極120之間之絕緣層160。絕緣層160例如包含聚醯亞胺。絕緣層160亦可於俯視下與第1電極120之端重疊。

有機裝置100亦可為主動矩陣型。例如，雖未圖示，但有機裝置100亦可具備與複數個元件115分別電性連接之開關。開關例如為電晶體。開關能控制向對應之元件115供給之電壓或電流之流通/阻斷。

基板110亦可為具有絕緣性之板狀之構件。基板110較佳為具有使光透過之透明性。作為基板110之材料，例如可使用石英玻璃、Pyrex(註冊商標)玻璃、合成石英板等不具有可撓性之剛性材、或樹脂膜、光學用樹脂板、薄玻璃等具有可撓性之柔性材等。又，基材亦可為於樹脂膜之單面或雙面具有阻隔層之積層體。

元件115係以藉由向第1電極120與第2電極140之間施加電壓，或藉由向第1電極120與第2電極140之間通入電流，而實現某些功能之方式構成。例如，元件115為有機EL顯示裝置之像素之情形時，元件115能釋放構成影像之光。

第1電極120包含具有導電性之材料。例如，第1電極120包含金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他具有導電性之無機材料等。第1電極120亦可包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等具有透明性及導電性之金屬氧化物。

有機層130包含有機材料。若向有機層130通電，則有機層130能發揮某些功能。所謂通電係指向有機層130施加電壓，或向有機層130通入電流。作為有機層130，可使用通電後釋放光之發光層等。有機層130亦可包含有機半導體材料。有機層130之透過率、折射率等特性亦可適當加以調整。

如圖1所示，有機層130亦可包含第1有機層130A及第2有機層130B。第1有機層130A包含於第1元件115A。第2有機層130B包含於第2元件115B。雖未圖示，但有機層130亦可包含第3有機層，該第3有機層包含於第3元件。第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層例如為紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。

若向第1電極120與第2電極140之間施加電壓，則位於兩者之間之有機層130被驅動。有機層130為發光層之情形時，自有機層130釋放出光，且自第2電極140側或第1電極120側向外部提取光。

有機層130亦可進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷產生層等。

第2電極140包含金屬等具有導電性之材料。第2電極140藉由使用遮罩之蒸鍍法而形成於有機層130之上。作為構成第2電極140之材料，可使用鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、碳等。該等材料可單獨使用，亦可2種以上組合使用。使用2種以上之情形時，亦可將由各材料構成之層積層。又，亦可使用包含2種以上材料之合金。例如，可使用MgAg等鎂合金、AlLi、AlCa、AlMg等鋁合金。將MgAg亦稱為鎂銀。鎂銀作為第2電極140之材料使用較佳。亦可使用鹼金屬類及鹼土族金屬類之合金等。例如，亦可使用氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀等。

第2電極140亦可為共通電極。例如，1個元件115之第2電極140亦可電性連接於另一元件115之第2電極140。

第2電極140可由1個層構成。例如，第2電極140可為藉由使用1個遮罩之蒸鍍工序而形成之層。

或者，如圖1所示，第2電極140亦可包含第1層140A及第2層140B。第1層140A可為藉由使用第1遮罩之蒸鍍工序而形成之層。第2層140B可為藉由使用第2遮罩之蒸鍍工序而形成之層。如此，亦可使用2個以上遮罩而形成第2電極140。藉此，俯視下之第2電極140之圖案之自由度提高。例如，有機裝置100可包含俯視下不存在第2電極140之區域。不存在第2電極140之區域相較於存在第2電極140之區域而言，可具有更高之透過率。

如圖1所示，第1層140A之端部與第2層140B之端部亦可部分重疊。藉此，能將第1層140A與第2層140B電性連接。

雖未圖示，但第2電極140亦可包含第3層等其他層。第3層等其他層亦可電性連接於第1層140A及第2層140B。

以下說明中，對第2電極140之構成中於第1層140A、第2層140B、第3層等之間共通之構成進行說明時，使用「第2電極140」這樣的詞語及符號。

有機裝置100之製造方法中，亦可製作出如圖2所示之有機裝置群102。有機裝置群102包含2個以上有機裝置100。例如，有機裝置群102亦可包含於第1方向D1及第2方向D2上排列之有機裝置100。第2方向D2係與第1方向D1正交之方向。2個以上有機裝置100亦可具備共通之1片基板110。例如，有機裝置群102亦可包含位於1片基板110之上，且構成2個以上有機裝置100之第1電極120、有機層130、第2電極140等層。藉由將有機裝置群102分割，能獲得有機裝置100。

第1方向D1如下所述，亦可為用以製造有機裝置100之遮罩50延伸之方向。

第1方向D1上之有機裝置100之尺寸A1例如可為10 mm以上，亦可為30 mm以上，亦可為100 mm以上。尺寸A1例如可為200 mm以下，亦可為500 mm以下，亦可為1000 mm以下。尺寸A1之範圍可由包含10 mm、30 mm及100 mm之第1組、以及/或者包含200 mm、500 mm及1000 mm之第2組決定。尺寸A1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸A1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸A1之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，尺寸A1可為10 mm以上1000 mm以下，亦可為10 mm以上500 mm以下，亦可為10 mm以上200 mm以下，亦可為10 mm以上100 mm以下，亦可為10 mm以上30 mm以下，亦可為30 mm以上1000 mm以下，亦可為30 mm以上500 mm以下，亦可為30 mm以上200 mm以下，亦可為30 mm以上100 mm以下，亦可為100 mm以上1000 mm以下，亦可為100 mm以上500 mm以下，亦可為100 mm以上200 mm以下，亦可為200 mm以上1000 mm以下，亦可為200 mm以上500 mm以下，亦可為500 mm以上1000 mm以下。

第2方向D2上之有機裝置100之尺寸A2例如可為10 mm以上，亦可為20 mm以上，亦可為50 mm以上。尺寸A2例如可為100 mm以下，亦可為200 mm以下，亦可為500 mm以下。尺寸A2之範圍可由包含10 mm、20 mm及50 mm之第1組、以及/或者包含100 mm、200 mm及500 mm之第2組決定。尺寸A2之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸A2之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸A2之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，尺寸A2可為10 mm以上500 mm以下，亦可為10 mm以上200 mm以下，亦可為10 mm以上100 mm以下，亦可為10 mm以上50 mm以下，亦可為10 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上500 mm以下，亦可為20 mm以上200 mm以下，亦可為20 mm以上100 mm以下，亦可為20 mm以上50 mm以下，亦可為50 mm以上500 mm以下，亦可為50 mm以上200 mm以下，亦可為50 mm以上100 mm以下，亦可為100 mm以上500 mm以下，亦可為100 mm以上200 mm以下，亦可為200 mm以上500 mm以下。

有機裝置群102包含配置有複數個有機裝置100之裝置區域103。裝置區域103於第1方向D1上具有尺寸G12，於第2方向D2上具有尺寸G22。

藉由使基板110大型化，能擴大裝置區域103之尺寸G12及G22。藉此，形成於1片基板110之上之有機裝置100之數量增加。藉此，能降低有機裝置100之製造成本。

第1方向D1上之基板110之尺寸G11例如可為1000 mm以上，亦可為1200 mm以上，亦可為1300 mm以上，亦可為2100 mm以上。尺寸G11例如可為1200 mm以下，亦可為1300 mm以下，亦可為1900 mm以下，亦可為2100 mm以下，亦可為2300 mm以下。尺寸G11之範圍可由包含1000 mm、1200 mm、1300 mm及2100 mm之第1組、以及/或者包含1200 mm、1300 mm、1900 mm、2100 mm及2300 mm之第2組決定。尺寸G11之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸G11之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸G11之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，尺寸G11可為1000 mm以上2300 mm以下，亦可為1000 mm以上2100 mm以下，亦可為1000 mm以上1900 mm以下，亦可為1000 mm以上1300 mm以下，亦可為1000 mm以上1200 mm以下，亦可為1200 mm以上2300 mm以下，亦可為1200 mm以上2100 mm以下，亦可為1200 mm以上1900 mm以下，亦可為1200 mm以上1300 mm以下，亦可為1300 mm以上2300 mm以下，亦可為1300 mm以上2100 mm以下，亦可為1300 mm以上1900 mm以下，亦可為1900 mm以上2300 mm以下，亦可為1900 mm以上2100 mm以下，亦可為2100 mm以上2300 mm以下。

第2方向D2上之基板110之尺寸G21例如可為1200 mm以上，亦可為1300 mm以上，亦可為1500 mm以上，亦可為2000 mm以上，亦可為2400 mm以上。尺寸G21例如可為1300 mm以下，亦可為2300 mm以下，亦可為2400 mm以下，亦可為2600 mm以下。尺寸G21之範圍可由包含1200 mm、1300 mm、1500 mm、2000 mm及2400 mm之第1組、以及/或者包含1300 mm、2300 mm、2400 mm及2600 mm之第2組決定。尺寸G21之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸G21之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸G21之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，尺寸G21可為1200 mm以上2600 mm以下，亦可為1200 mm以上2400 mm以下，亦可為1200 mm以上2300 mm以下，亦可為1200 mm以上1500 mm以下，亦可為1200 mm以上1300 mm以下，亦可為1300 mm以上2600 mm以下，亦可為1300 mm以上2400 mm以下，亦可為1300 mm以上2300 mm以下，亦可為1300 mm以上1500 mm以下，亦可為1500 mm以上2600 mm以下，亦可為1500 mm以上2400 mm以下，亦可為1500 mm以上2300 mm以下，亦可為2000 mm以上2300 mm以下，亦可為2300 mm以上2600 mm以下，亦可為2300 mm以上2400 mm以下，亦可為2400 mm以上2600 mm以下。

尺寸G11之特定之數值範圍與尺寸G21之特定之數值範圍亦可組合。例如，可使尺寸G11為1000 mm以上1200 mm以下，尺寸G21為1200 mm以上1300 mm以下。例如，亦可使尺寸G11為1200 mm以上1300 mm以下，尺寸G21為2000 mm以上2300 mm以下。例如，亦可使尺寸G11為2100 mm以上2300 mm以下，尺寸G21為2400 mm以上2600 mm以下。

其次，對藉由蒸鍍法形成有機層130、第2電極140等要素之方法進行說明。圖3係表示蒸鍍裝置10之圖。蒸鍍裝置10實施使蒸鍍材料蒸鍍於基板110之蒸鍍處理。

如圖3所示，蒸鍍裝置10可於其內部具備蒸鍍源6、加熱器8及遮罩裝置15。又，蒸鍍裝置10亦可進而具備用以使蒸鍍裝置10之內部成為真空環境之排氣機構。蒸鍍源6例如為坩堝，收容有機材料、金屬材料等蒸鍍材料7。加熱器8加熱蒸鍍源6，於真空環境之下使蒸鍍材料7蒸發。遮罩裝置15係以與坩堝6對向之方式配置。

如圖3所示，遮罩裝置15具備至少1個遮罩50。遮罩裝置15亦可具備支持遮罩50之遮罩支持體40。遮罩支持體40亦可具備包含開口43之框41。遮罩50亦能以於俯視下橫穿開口43之方式固定於框41。框41亦可將遮罩50以向其面方向拉伸之狀態支持，以抑制遮罩50撓曲。

遮罩裝置15如圖3所示，以遮罩50面對基板110之第1面111之方式配置於蒸鍍裝置10內。遮罩50包含使自蒸鍍源6飛來之蒸鍍材料7通過之複數個貫通孔56。以下說明中，將面向基板110之遮罩50之面稱為第1面551。將位於第1面551之相反側之遮罩50之面稱為第2面552。

蒸鍍裝置10如圖3所示，亦可具備保持基板110之基板固持器2。基板固持器2可於基板110之厚度方向上能夠移動。基板固持器2亦可於基板110之面方向上能夠移動。基板固持器2亦能以控制基板110之傾斜之方式構成。例如，基板固持器2亦可包含安裝於基板110之外緣之複數個吸盤。各吸盤可於基板110之厚度方向或面方向上能夠獨立地移動。

藉由使基板固持器2或遮罩固持器3中之至少任一者移動，能調整遮罩50相對於基板110之位置。

蒸鍍裝置10如圖3所示，亦可具備配置於基板110之第2面112側之冷卻板4。冷卻板4亦可具有用以使冷媒於冷卻板4之內部循環之流路。冷卻板4能抑制於蒸鍍工序時基板110之溫度上升。

蒸鍍裝置10如圖3所示，亦可具備配置於基板110之第2面112側之磁鐵5。磁鐵5亦可配置於遠離基板110之冷卻板4之面。磁鐵5能藉由磁力將遮罩50向基板110側牽引。藉此，能縮小遮罩50與基板110之間之間隙，或消除間隙。藉此，能抑制於蒸鍍工序中產生暗影。所謂暗影係指蒸鍍材料7進入遮罩50與基板110之間之間隙內，因此蒸鍍層之形狀變得不均勻之現象。蒸鍍層之形狀為蒸鍍層之厚度、俯視下之蒸鍍層之尺寸等。亦可使用利用靜電力之靜電吸盤將遮罩50向基板110側牽引。

圖4係表示自第1面551側觀察遮罩裝置15時之俯視圖。遮罩裝置15可具備包含框41之遮罩支持體40、及固定於框41之遮罩50。遮罩裝置15可具備於第2方向D2上排列之2個以上遮罩50。框41為了抑制遮罩50撓曲，而以對遮罩50施加張力之狀態支持遮罩50。

框41可包含沿著第1方向D1延伸之一對第1邊411、沿著第2方向D2延伸之一對第2邊412、及開口43。第2邊412可較第1邊411長。開口43位於一對第1邊411之間、及一對第2邊412之間。

遮罩50可包含沿著第1方向D1延伸之第1側緣501及第2側緣502、第1端503及第2端504。第1端503及第2端504係第1方向D1上之遮罩50之端。

於俯視下，遮罩50包含第1端部51a、第2端部51b及中間部52。第1端部51a與第2端部51b於第1方向D1上對向。中間部52位於第1端部51a與第2端部51b之間。中間部52包含於第1方向D1上排列之複數個貫通孔群53。

第1端部51a具有寬度W01。寬度W01係第2方向D2上之第1端部51a之尺寸。寬度W01係於第1端部51a與中間部52之間之交界處測定。第2端部51b具有寬度W02。寬度W02係第2方向D2上之第2端部51b之尺寸。寬度W02係於第2端部51b與中間部52之間之交界處測定。

第1端部51a之寬度W01可與第2端部51b之寬度W02相同，亦可大於寬度W02，亦可小於寬度W02。

所謂「俯視」係指沿著遮罩50之厚度方向觀察對象物。

遮罩50固定於第2邊412。具體而言，第1端部51a固定於一第2邊412，第2端部51b固定於另一第2邊412。第1端部51a及第2端部51b亦可藉由熔接而固定於第2邊412。中間部52於俯視下與框41之開口43重疊。

框41於第2方向D2上具有尺寸M17。作為尺寸M17之數值之範圍，可採用上述基板110之尺寸G21之數值之範圍。框41之開口43於第2方向D2上具有尺寸M18。藉由擴大框41之尺寸M17，能擴大開口43之尺寸M18。藉此，能擴大有機裝置群102之裝置區域103之尺寸G22。從而，能降低有機裝置100之製造成本。

圖5係表示遮罩50之一例之俯視圖。中間部52之貫通孔群53包含於俯視下規則地排列之複數個貫通孔56。貫通孔56亦可於2個方向上週期性地排列。例如，貫通孔56亦可於第1方向D1及第2方向D2上週期性地排列。

1個貫通孔群53對應於1個有機裝置100。例如，1個有機裝置100中所包含之複數個第1有機層130A由通過1個貫通孔群53之複數個貫通孔56之蒸鍍材料構成。遮罩50包含至少1個貫通孔群53。遮罩50亦可包含於第1方向D1上排列之2個以上貫通孔群53。

遮罩50於第1方向D1上具有尺寸M11。中間部52於第1方向D1上具有尺寸M12。中間部52與第1端部51a之間之交界係基於與第1端503最近接之貫通孔群53而決定。表示交界之交界線BL1如圖5所示，係以與最近接於第1端503之複數個貫通孔56相接之方式，沿著第2方向D2延伸。同樣地，中間部52與第2端部51b之間之交界係基於與第2端504最近接之貫通孔群53而決定。表示交界之交界線BL2如圖5所示，係以與最近接於第2端504之複數個貫通孔56相接之方式，沿著第2方向D2延伸。

圖6係表示遮罩50之第1端部51a之一例之俯視圖。如圖6所示，第1端503亦可包含於第2方向D2上排列之2個以上凹部505。凹部505於第1方向D1上向內側凹陷。「內側」表示靠近遮罩50之中心之側。「於第1方向D1上向內側」表示向於第1方向D1上靠近遮罩50之中心之側。凹部505亦可相對於角部507而於第1方向D1上向內側凹陷。角部507係第1側緣501與第1端503連接之部分。

如下所述，於決定遮罩50相對於框41之位置之對準工序中，經由夾具對遮罩50施加張力。夾具安裝於未形成凹部505之第1端503之部分。藉由使第1端503包含2個以上凹部505，能將3個以上夾具安裝於第1端503。藉此，能抑制張力根據於第2方向D2上之位置而變動。

凹部505於第2方向D2上具有尺寸K1。尺寸K1例如可為5 mm以上，亦可為15 mm以上，亦可為20 mm以上。尺寸K1例如可為30 mm以下，亦可為40 mm以下，亦可為50 mm以下。尺寸K1之範圍可由包含5 mm、15 mm及20 mm之第1組、以及/或者包含30 mm、40 mm及50 mm之第2組決定。尺寸K1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸K1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸K1之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸K1例如可為5 mm以上50 mm以下，亦可為5 mm以上40 mm以下，亦可為5 mm以上30 mm以下，亦可為5 mm以上20 mm以下，亦可為5 mm以上15 mm以下，亦可為15 mm以上50 mm以下，亦可為15 mm以上40 mm以下，亦可為15 mm以上30 mm以下，亦可為15 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上50 mm以下，亦可為20 mm以上40 mm以下，亦可為20 mm以上30 mm以下，亦可為30 mm以上50 mm以下，亦可為30 mm以上40 mm以下，亦可為40 mm以上50 mm以下。

於圖6中，符號K2表示於第2方向D2上相鄰之2個凹部505之間的間隔。間隔K2例如可為10 mm以上，亦可為20 mm以上，亦可為30 mm以上。間隔K2例如可為40 mm以下，亦可為50 mm以下，亦可為60 mm以下。間隔K2之範圍可由包含10 mm、20 mm及30 mm之第1組、以及/或者包含40 mm、50 mm及60 mm之第2組決定。間隔K2之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。間隔K2之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。間隔K2之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。間隔K2例如可為10 mm以上60 mm以下，亦可為10 mm以上50 mm以下，亦可為10 mm以上40 mm以下，亦可為10 mm以上30 mm以下，亦可為10 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上60 mm以下，亦可為20 mm以上50 mm以下，亦可為20 mm以上40 mm以下，亦可為20 mm以上30 mm以下，亦可為30 mm以上60 mm以下，亦可為30 mm以上50 mm以下，亦可為30 mm以上40 mm以下，亦可為40 mm以上60 mm以下，亦可為40 mm以上50 mm以下，亦可為50 mm以上60 mm以下。

凹部505於第1方向D1上具有尺寸K3。尺寸K3例如可為15 mm以上，亦可為20 mm以上，亦可為25 mm以上。尺寸K3例如可為30 mm以下，亦可為40 mm以下，亦可為50 mm以下。尺寸K3之範圍可由包含15 mm、20 mm及25 mm之第1組、以及/或者包含30 mm、40 mm及50 mm之第2組決定。尺寸K3之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸K3之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸K3之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸K3例如可為15 mm以上50 mm以下，亦可為15 mm以上40 mm以下，亦可為15 mm以上30 mm以下，亦可為15 mm以上25 mm以下，亦可為15 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上50 mm以下，亦可為20 mm以上40 mm以下，亦可為20 mm以上30 mm以下，亦可為20 mm以上25 mm以下，亦可為25 mm以上50 mm以下，亦可為25 mm以上40 mm以下，亦可為25 mm以上30 mm以下，亦可為30 mm以上50 mm以下，亦可為30 mm以上40 mm以下，亦可為40 mm以上50 mm以下。

為了使圖2所示之有機裝置群102之基板110大型化，要求擴大遮罩50之尺寸M11。若遮罩50大型化，則用以製造遮罩之製造設備亦大型化。例如，為了製造支持第8代基板之遮罩，需要支持第8代基板之曝光光罩。但使曝光光罩大型化需進行巨額投資。

本實施方式中，提出藉由實施2次以上曝光工序而製造1片遮罩50之方案。藉由該方法，能製造出具有較曝光光罩大之尺寸之遮罩50。因此，使用現有之曝光光罩能製造出大型之遮罩50。

本實施方式中，提出使用第1曝光光罩形成第1部分50A，使用第2曝光光罩形成第2部分50B之方案。第2部分50B於第1方向D1上與第1部分50A相接。即，本實施方式中，於第1方向D1上之不同位置實施2次曝光工序。藉此，能擴大第1方向D1上之遮罩50之尺寸。

第1部分50A至少包含第1中間部52a。第2部分50B至少包含第2中間部52b。如圖5所示，第1中間部52a係於第1方向D1上與第1端部51a相接之中間部52之一部分。第2中間部52b係於第1方向D1上與第2端部51b相接之中間部52之一部分。中間部52由第1中間部52a及第2中間部52b構成。第1中間部52a與第2中間部52b於第1方向D1上相接。如此，本實施方式中，藉由實施2次以上曝光工序而形成中間部52。藉此，能有效地擴大第1方向D1上之中間部52之尺寸。

如圖5所示，第1部分50A亦可包含第1中間部52a及第1端部51a。即，亦可使用第1曝光光罩形成第1中間部52a及第1端部51a。該情形時，第1部分50A包含第1端503。如圖5所示，第2部分50B亦可包含第2中間部52b及第2端部51b。即，亦可使用第2曝光光罩形成第2中間部52b及第2端部51b。該情形時，第2部分50B包含第2端504。

例如，使用G6半代曝光光罩形成遮罩50整體之情形時，遮罩50之尺寸M11為約1200 mm，中間部52之尺寸M12為約900 mm。藉由使用G6半代之2片曝光光罩形成第1部分50A及第2部分50B，能使遮罩50之尺寸M11為約2400 mm，能使中間部52之尺寸M12為約2100 mm。

第1方向D1上之中間部52之尺寸M12與圖2所示之裝置區域103之尺寸G12相同。因此，藉由使用1片遮罩50之蒸鍍法，能形成圖2所示之於第1方向D1上排列之2個以上有機裝置100之例如第1有機層130A。換言之，藉由擴大第1方向D1上之中間部52之尺寸M12，能擴大裝置區域103之尺寸G12。藉此，能降低有機裝置100之製造成本。

中間部52之尺寸M12例如可為1000 mm以上，亦可為1200 mm以上，亦可為1400 mm以上，亦可為1700 mm以上。尺寸M12例如可為2000 mm以下，亦可為2300 mm以下，亦可為2600 mm以下，亦可為3000 mm以下。尺寸M12之範圍可由包含1000 mm、1200 mm、1400 mm及1700 mm之第1組、以及/或者包含2000 mm、2300 mm、2600 mm及3000 mm之第2組決定。尺寸M12之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸M12之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸M12之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸M12例如可為1000 mm以上3000 mm以下，亦可為1000 mm以上2600 mm以下，亦可為1000 mm以上2300 mm以下，亦可為1000 mm以上2000 mm以下，亦可為1000 mm以上1700 mm以下，亦可為1000 mm以上1400 mm以下，亦可為1000 mm以上1200 mm以下，亦可為1200 mm以上3000 mm以下，亦可為1200 mm以上2600 mm以下，亦可為1200 mm以上2300 mm以下，亦可為1200 mm以上2000 mm以下，亦可為1200 mm以上1700 mm以下，亦可為1200 mm以上1400 mm以下，亦可為1400 mm以上3000 mm以下，亦可為1400 mm以上2600 mm以下，亦可為1400 mm以上2300 mm以下，亦可為1400 mm以上2000 mm以下，亦可為1400 mm以上1700 mm以下，亦可為1700 mm以上3000 mm以下，亦可為1700 mm以上2600 mm以下，亦可為1700 mm以上2300 mm以下，亦可為1700 mm以上2000 mm以下，亦可為2000 mm以上3000 mm以下，亦可為2000 mm以上2600 mm以下，亦可為2000 mm以上2300 mm以下，亦可為2300 mm以上3000 mm以下，亦可為2300 mm以上2600 mm以下，亦可為2600 mm以上3000 mm以下。

第1部分50A於第1方向D1上具有尺寸M15。尺寸M15可為900 mm以上，亦可為1090 mm以上，亦可為1200 mm以上，亦可為2000 mm以上。尺寸M15例如可為1100 mm以下，亦可為1200 mm以下，亦可為1800 mm以下，亦可為2000 mm以下，亦可為2200 mm以下。尺寸M15之範圍可由包含900 mm、1090 mm、1200 mm及2000 mm之第1組、以及/或者包含1100 mm、1200 mm、1800 mm、2000 mm及2200 mm之第2組決定。尺寸M15之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸M15之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸M15之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，尺寸M15可為900 mm以上2200 mm以下，亦可為900 mm以上2000 mm以下，亦可為900 mm以上1800 mm以下，亦可為900 mm以上1200 mm以下，亦可為900 mm以上1100 mm以下，亦可為1090 mm以上2200 mm以下，亦可為1090 mm以上2000 mm以下，亦可為1090 mm以上1800 mm以下，亦可為1090 mm以上1200 mm以下，亦可為1200 mm以上2200 mm以下，亦可為1200 mm以上2000 mm以下，亦可為1200 mm以上1800 mm以下，亦可為1800 mm以上2200 mm以下，亦可為1800 mm以上2000 mm以下，亦可為2000 mm以上2200 mm以下。

第2部分50B於第1方向D1上具有尺寸M16。作為尺寸M16之範圍，可採用上述尺寸M15之數值之範圍。

第2部分50B之尺寸M16相對於第1部分50A之尺寸M15之比即M16/M15例如可為0.5以上，亦可為0.7以上，亦可為0.9以上。M16/M15例如可為1.1以下，亦可為1.3以下，亦可為1.5以下。M16/M15之範圍可由包含0.5、0.7及0.9之第1組、以及/或者包含1.1、1.3及1.5之第2組決定。M16/M15之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。M16/M15之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。M16/M15之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，M16/M15可為0.5以上1.5以下，亦可為0.5以上1.3以下，亦可為0.5以上1.1以下，亦可為0.5以上0.9以下，亦可為0.5以上0.7以下，亦可為0.7以上1.5以下，亦可為0.7以上1.3以下，亦可為0.7以上1.1以下，亦可為0.7以上0.9以下，亦可為0.9以上1.5以下，亦可為0.9以上1.3以下，亦可為0.9以上1.1以下，亦可為1.1以上1.5以下，亦可為1.1以上1.3以下，亦可為1.3以上1.5以下。

參照圖5及圖7A，對藉由本實施方式之方法而製作之遮罩50上所呈現之構造特徵詳細地進行說明。圖7A係表示第1中間部52a及第2中間部52b之一例之俯視圖。

第1部分50A包含至少1個貫通孔群53。第2部分50B亦包含至少1個貫通孔群53。以下說明中，將第1部分50A之貫通孔群53亦稱為第1貫通孔群，並以符號53a來表示。以下說明中，將第2部分50B之貫通孔群53亦稱為第2貫通孔群，並以符號53b來表示。

於圖7A中，第1部分50A與第2部分50B之間之交界線BL以沿著第2方向D2延伸之單點鏈線來表示。第2部分50B包含於第1方向D1上與第1部分50A之第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b。第1部分50A與第2部分50B之間之交界位於第1貫通孔群53a與第2貫通孔群53b之間。

如圖7A所示，第1側緣501亦可包含位於第1部分50A與第2部分50B之間之交界處之第1階部501a。換言之，第1部分50A與第2部分50B亦可將第1階部501a作為交界來相互區分。第1方向D1上之第1階部501a之位置較佳為於第1方向D1上相鄰之2個貫通孔群53之間。換言之，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第1階部501a不與貫通孔群53重疊為佳。 雖未圖示，但第1方向D1上之第1階部501a之位置亦可為1個貫通孔群53之範圍內。即，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第1階部501a亦可與貫通孔群53重疊。該情形時，第1方向D1上之第1階部501a之位置為1個貫通孔群53中所包含之相鄰2個貫通孔56之間。即，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第1階部501a不與貫通孔56重疊。

第1階部501a於第2方向D2上位移。圖7A所示之例中，第1階部501a若於第1方向D1上向第1端503靠近，則於第2方向D2上向外側位移。即，第1部分50A之第1側緣501位於較第2部分50B之第1側緣501於第2方向D2上更靠外側之位置。「於第2方向D2上更靠外側」表示於第2方向D2上遠離遮罩50之中心C1之側。雖未圖示，但第1階部501a亦可為若於第1方向D1上向第1端503靠近，則於第2方向D2上向內側位移。即，第1部分50A之第1側緣501位於較第2部分50B之第1側緣501於第2方向D2上更靠內側之位置。「於第2方向D2上更靠內側」表示於第2方向D2上靠近遮罩50之中心C1之側。遮罩50之中心C1位於交界線BL1與交界線BL2之中間。

第1階部501a係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。例如，第1階部501a係因用以形成第1部分50A之第1曝光光罩與用以形成第2部分50B之第2曝光光罩不同而產生的。若第2曝光光罩相對於第1曝光光罩之相對位置於第2方向D2上與理想有所偏差，則對應於偏差之量而產生第1階部501a。

第1階部501a於第2方向D2上具有尺寸S1。尺寸S1例如可為0.1 μm以上，亦可為0.2 μm以上，亦可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上。尺寸S1例如可為1.5 μm以下，亦可為2.0 μm以下，亦可為2.5 μm以下，亦可為3.0 μm以下。尺寸S1之範圍可由包含0.1 μm、0.2 μm、0.5 μm及1.0 μm之第1組、以及/或者包含1.5 μm、2.0 μm、2.5 μm及3.0 μm之第2組決定。尺寸S1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。尺寸S1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸S1之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。尺寸S1例如可為0.1 μm以上3.0 μm以下，亦可為0.1 μm以上2.5 μm以下，亦可為0.1 μm以上2.0 μm以下，亦可為0.1 μm以上1.5 μm以下，亦可為0.1 μm以上1.0 μm以下，亦可為0.1 μm以上0.5 μm以下，亦可為0.1 μm以上0.2 μm以下，亦可為0.2 μm以上3.0 μm以下，亦可為0.2 μm以上2.5 μm以下，亦可為0.2 μm以上2.0 μm以下，亦可為0.2 μm以上1.5 μm以下，亦可為0.2 μm以上1.0 μm以下，亦可為0.2 μm以上0.5 μm以下，亦可為0.5 μm以上3.0 μm以下，亦可為0.5 μm以上2.5 μm以下，亦可為0.5 μm以上2.0 μm以下，亦可為0.5 μm以上1.5 μm以下，亦可為0.5 μm以上1.0 μm以下，亦可為1.0 μm以上3.0 μm以下，亦可為1.0 μm以上2.5 μm以下，亦可為1.0 μm以上2.0 μm以下，亦可為1.0 μm以上1.5 μm以下，亦可為1.5 μm以上3.0 μm以下，亦可為1.5 μm以上2.5 μm以下，亦可為1.5 μm以上2.0 μm以下，亦可為2.0 μm以上3.0 μm以下，亦可為2.0 μm以上2.5 μm以下，亦可為2.5 μm以上3.0 μm以下。

如圖7A所示，第2側緣502亦可包含第2階部502a。第2階部502a亦可位於第1部分50A與第2部分50B之間之交界處。第1方向D1上之第2階部502a之位置較佳為於第1方向D1上相鄰之2個貫通孔群53之間。換言之，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第2階部502a不與貫通孔群53重疊為佳。 雖未圖示，但第1方向D1上之第2階部502a之位置亦可為1個貫通孔群53之範圍內。即，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第2階部502a亦可與貫通孔群53重疊。該情形時，第1方向D1上之第2階部502a之位置為1個貫通孔群53中所包含之相鄰2個貫通孔56之間。即，沿著第2方向D2觀察遮罩50之情形時，第2階部502a不與貫通孔56重疊。 雖未圖示，但第2側緣502亦可不包含第2階部502a。

第2階部502a於第2方向D2上具有尺寸S2。作為尺寸S2之數值之範圍，可採用上述第1階部501a之尺寸S1之數值之範圍。

如圖7A所示，第2部分50B之長度方向相較於第1部分50A之長度方向略有不同。例如，第1貫通孔群53a之第1排列方向與第2貫通孔群53b之第2排列方向形成第1角度。換言之，第1排列方向與第2排列方向不平行。

第1排列方向係屬於與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a且沿著第1側緣501排列之貫通孔56之排列方向。第1排列方向由圖7A所示之直線L1來表示。直線L1通過第1貫通孔群53a之沿著第1側緣501排列之複數個貫通孔56。例如，直線L1通過貫通孔56A1及貫通孔56A2。貫通孔56A1係與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a之貫通孔56中，靠第1側緣501最近且靠第2部分50B最近之貫通孔56。貫通孔56A2係與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a之貫通孔56中，靠第1側緣501最近且距第2部分50B最遠之貫通孔56。

第2排列方向係屬於與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b且沿著第1側緣501排列之貫通孔56之排列方向。第2排列方向由圖7A所示之直線L2來表示。直線L2通過第2貫通孔群53b之沿著第1側緣501排列之複數個貫通孔56。例如，直線L2通過貫通孔56B1及貫通孔56B2。貫通孔56B1係與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b之貫通孔56中，靠第1側緣501最近且靠第1部分50A最近之貫通孔56。貫通孔56B2係與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b之貫通孔56中，靠第1側緣501最近且距第1部分50A最遠之貫通孔56。

如圖7B所示，第1排列方向與第2排列方向所形成之第1角度θ1係直線L1與直線L2所形成之角度。

圖7A及圖7B所示之例中，由直線L1表示之第1排列方向相對於由直線L2表示之第2排列方向在順時針方向上有所偏離。如圖7C所示，由直線L1表示之第1排列方向相對於由直線L2表示之第2排列方向亦可在逆時針方向上有所偏離。

第1角度θ1係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。例如，第1角度θ1係因用以形成第1部分50A之第1曝光光罩與用以形成第2部分50B之第2曝光光罩不同而產生的。若第2曝光光罩之邊之方向相對於第1曝光光罩之邊之方向與理想有所偏差，則對應於偏差之量而產生第1角度θ1。

第1角度θ1例如可為0.00021°以上，亦可為0.00042°以上，亦可為0.00063°以上，亦可為0.00084°以上。第1角度θ1例如可為0.00105°以下，亦可為0.00125°以下，亦可為0.00167°以下，亦可為0.00209°以下。第1角度θ1之範圍可由包含0.00021°、0.00042°、0.00063°及0.00084°之第1組、以及/或者包含0.00105°、0.00125°、0.00167°及0.00209°之第2組決定。第1角度θ1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。第1角度θ1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。第1角度θ1之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。第1角度θ1例如可為0.00021°以上0.00209°以下，亦可為0.00021°以上0.00167°以下，亦可為0.00021°以上0.00125°以下，亦可為0.00021°以上0.00105°以下，亦可為0.00021°以上0.00084°以下，亦可為0.00021°以上0.00063°以下，亦可為0.00021°以上0.00042°以下，亦可為0.00042°以上0.00209°以下，亦可為0.00042°以上0.00167°以下，亦可為0.00042°以上0.00125°以下，亦可為0.00042°以上0.00105°以下，亦可為0.00042°以上0.00084°以下，亦可為0.00042°以上0.00063°以下，亦可為0.00063°以上0.00209°以下，亦可為0.00063°以上0.00167°以下，亦可為0.00063°以上0.00125°以下，亦可為0.00063°以上0.00105°以下，亦可為0.00063°以上0.00084°以下，亦可為0.00084°以上0.00209°以下，亦可為0.00084°以上0.00167°以下，亦可為0.00084°以上0.00125°以下，亦可為0.00084°以上0.00105°以下，亦可為0.00105°以上0.00209°以下，亦可為0.00105°以上0.00167°以下，亦可為0.00105°以上0.00125°以下，亦可為0.00125°以上0.00209°以下，亦可為0.00125°以上0.00167°以下，亦可為0.00167°以上0.00209°以下。

即便於第1方向D1上對遮罩50施加張力，第1部分50A與第2部分50B之間之角度之偏差如第1角度θ1雖然有可能一定程度上得到消除，但並無法被完全消除。根據本實施方式，由於第1角度θ1處在上述數值之範圍內，因此即便遮罩50上發生了角度之偏差，亦能將PPA抑制於閾值以下。PPA表示像素位置精度(Pixel Position Accuracy)。PPA對應於實際之貫通孔56之座標與理想之貫通孔56之座標之間的距離。

第1角度θ1越小，PPA越小。藉由提高第1曝光光罩之位置及第2曝光光罩之位置之調整精度，能縮小第1角度θ1。例如，藉由並使用驅動裝置來調整第1曝光光罩及第2曝光光罩之位置之情形時，藉由縮小驅動裝置所能移動之最小距離，能提高位置之調整精度。但移動之最小距離越小，一項調整所需之時間越長，遮罩50之生產性越低。

如下述實施例所示，第1角度θ1處在上述數值之範圍內之情形時，PPA被抑制於閾值以下。根據本實施方式，藉由不追求過度縮小第1角度θ1，能提高遮罩50之生產性。

PPA之閾值係根據貫通孔56之分佈密度而決定。PPA之閾值例如為5.0 μm，亦可為4.0 μm，亦可為3.0 μm，亦可為2.0 μm，亦可為1.0 μm。

第1角度θ1越大，PPA越差。上述第1階部501a之尺寸S1亦有可能對PPA造成影響。第1角度θ1亦可基於PPA及尺寸S1而決定。例如，於第1角度θ1與尺寸S1之間，下述關係式亦可成立。 4820[μm/°]×θ1[°]＋S1[μm]≦閾值×2[μm] 例如，PPA之閾值為6.0 μm之情形時，下述關係式亦可成立。 4820[μm/°]×θ1[°]＋S1[μm]≦6.0[μm] 該等關係式亦可用於第1方向D1上之中間部52之尺寸M12為2200 mm以下之情形時。

第1貫通孔群53a之第3排列方向與第2貫通孔群53b之第4排列方向亦可形成第2角度。

第3排列方向係屬於與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a且沿著第2側緣502排列之貫通孔56之排列方向。第3排列方向由圖7A所示之直線L3來表示。直線L3通過第1貫通孔群53a之沿著第2側緣502排列之複數個貫通孔56。例如，直線L3通過貫通孔56A3及貫通孔56A4。貫通孔56A3係與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a之貫通孔56中，靠第2側緣502最近且靠第2部分50B最近之貫通孔56。貫通孔56A4係與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群53a之貫通孔56中，靠第2側緣502最近且距第2部分50B最遠之貫通孔56。

第4排列方向係屬於與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b且沿著第2側緣502排列之貫通孔56之排列方向。第4排列方向由圖7A所示之直線L4來表示。直線L4通過第2貫通孔群53b之沿著第2側緣502排列之複數個貫通孔56。例如，直線L4通過貫通孔56B3及貫通孔56B4。貫通孔56B3係與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b之貫通孔56中，靠第2側緣502最近且靠第1部分50A最近之貫通孔56。貫通孔56B4係與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群53b之貫通孔56中，靠第2側緣502最近且距第1部分50A最遠之貫通孔56。

第3排列方向與第4排列方向所形成之第2角度係直線L3與直線L4所形成之角度。作為第2角度之數值之範圍，可採用上述第1角度θ1之數值之範圍。

圖8係表示第1中間部52a及第2中間部52b之一例之俯視圖。符號G1表示第1貫通孔群53a之貫通孔56A1與第2貫通孔群53b之貫通孔56B1之間的第2方向D2上之距離。與第1階部501a同樣地，距離G1係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。距離G1例如可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上。

可基於距離G1而決定第1部分50A與第2部分50B之間之交界。即，可基於距離G1而特定出第1貫通孔群53a及第2貫通孔群53b。作為距離G1之數值之範圍，可採用上述第1階部501a之尺寸S1之數值之範圍。

符號G2表示第1貫通孔群53a之貫通孔56A3與第2貫通孔群53b之貫通孔56B3之間的第2方向D2上之距離。與第2階部502a同樣地，距離G2係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。距離G2例如可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上。作為距離G2之數值之範圍，可採用上述第1階部501a之尺寸S1之數值之範圍。

如圖5所示，中間部52亦可包含沿著第1側緣501排列之2個以上第1中間標記58a。於遮罩50之製造方法中，第1中間標記58a之位置與中間部52之外緣之位置同時決定。例如，位於第1部分50A之第1中間標記58a之位置與第1中間部52a之外緣之位置同時決定。例如，位於第2部分50B之第1中間標記58a之位置與第2中間部52b之外緣之位置同時決定。「2個構成要素之位置同時決定」意味著與2個構成要素對應之抗蝕劑層藉由同一個曝光光罩而同時曝光。

第1中間標記58a例如為形成於第1面551之凹部、或形成於第2面552之凹部。凹部之深度例如可為2 μm以上，亦可為3 μm以上，亦可為5 μm以上。凹部之深度例如可為10 μm以下，亦可為20 μm以下，亦可為30 μm以下。凹部之深度之範圍可由包含2 μm、3 μm及5 μm之第1組、以及/或者包含10 μm、20 μm及30 μm之第2組決定。凹部之深度之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。凹部之深度之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。凹部之深度之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，凹部之深度可為2 μm以上30 μm以下，亦可為2 μm以上20 μm以下，亦可為2 μm以上10 μm以下，亦可為2 μm以上5 μm以下，亦可為2 μm以上3 μm以下，亦可為3 μm以上30 μm以下，亦可為3 μm以上20 μm以下，亦可為3 μm以上10 μm以下，亦可為3 μm以上5 μm以下，亦可為5 μm以上30 μm以下，亦可為5 μm以上20 μm以下，亦可為5 μm以上10 μm以下，亦可為10 μm以上30 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上30 μm以下。 第1中間標記58a亦可為自第1面551向第2面552貫通之貫通孔。

俯視下之第1中間標記58a之尺寸亦可大於貫通孔56之貫通部564之尺寸r。俯視下之第1標記58c之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率例如可為1.03以上，亦可為2.0以上，亦可為5.0以上。俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率例如可為5.0以下，亦可為10以下，亦可為50以下。俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率之範圍可由包含1.03、2.0及5.0之第1組、以及/或者包含5.0、10及50之第2組決定。俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，俯視下之第1中間標記58a之尺寸相對於貫通部564之尺寸r之比率可為1.03以上50以下，亦可為1.03以上10以下，亦可為1.03以上5.0以下，亦可為1.03以上5.0以下，亦可為1.03以上2.0以下，亦可為2.0以上50以下，亦可為2.0以上10以下，亦可為2.0以上5.0以下，亦可為2.0以上5.0以下，亦可為5.0以上50以下，亦可為5.0以上10以下，亦可為5.0以上50以下，亦可為5.0以上10以下，亦可為10以上50以下。

如圖5所示，第1端部51a亦可包含第1標記58c。沿著第1方向D1觀察遮罩50之情形時，第1端部51a之第1標記58c亦可與第1部分50A之第1中間標記58a重疊。

如圖5所示，第2端部51b亦可包含第1標記58c。沿著第1方向D1觀察遮罩50之情形時，第2端部51b之第1標記58c亦可與第2部分50B之第1中間標記58a重疊。

第1標記58c與第1中間標記58a同樣地，可為形成於第1面551之凹部，或亦可為形成於第2面552之凹部，亦可為貫通孔。

如圖5所示，中間部52亦可包含沿著第2側緣502排列之2個以上第2中間標記58b。於遮罩50之製造方法中，第2中間標記58b之位置與中間部52之外緣之位置同時決定。例如，位於第1部分50A之第2中間標記58b之位置與第1中間部52a之外緣之位置同時決定。例如，位於第2部分50B之第2中間標記58b之位置與第2中間部52b之外緣之位置同時決定。

如圖5所示，第1端部51a亦可包含第2標記58d。沿著第1方向D1觀察遮罩50之情形時，第1端部51a之第2標記58d亦可與第1部分50A之第2中間標記58b重疊。

如圖5所示，第2端部51b亦可包含第2標記58d。沿著第1方向D1觀察遮罩50之情形時，第2端部51b之第2標記58d亦可與第2部分50B之第2中間標記58b重疊。

第2中間標記58b及第2標記58d與第1中間標記58a同樣地，可為形成於第1面551之凹部，或亦可為形成於第2面552之凹部，亦可為貫通孔。

圖9係表示第1中間部52a及第2中間部52b之一例之俯視圖。符號G3表示第5基準點P5與第7基準點P7之間之第2方向D2上之距離。第5基準點P5由位於第1部分50A之第1中間標記58a中最近接於第2部分50B之第1中間標記58a構成。第7基準點P7由位於第2部分50B之第1中間標記58a中最近接於第1部分50A之第1中間標記58a構成。與第1階部501a同樣地，距離G3係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。距離G3例如可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上。

亦可基於距離G3而決定第1部分50A與第2部分50B之間之交界。即，亦可於產生距離G3之2個第1中間標記58a之間決定第1部分50A與第2部分50B之間之交界。作為距離G3之數值之範圍，可採用上述第1階部501a之尺寸S1之數值之範圍。

符號G4表示第6基準點P6與第8基準點P8之間之第2方向D2上之距離。第6基準點P6由位於第1部分50A之第2中間標記58b中最近接於第2部分50B之第2中間標記58b構成。第8基準點P8由位於第2部分50B之第2中間標記58b中最近接於第1部分50A之第2中間標記58b構成。與第2階部502a同樣地，距離G4係因第1部分50A之形成步驟與第2部分50B之形成步驟不同而產生的。距離G4例如可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上。作為距離G4之數值之範圍，可採用上述第1階部501a之尺寸S1之數值之範圍。

貫通孔56、第1側緣501、第2側緣502、第1端503、第2端504等之位置係藉由拍攝出俯視下之遮罩50之圖像並解析圖像而測定。拍攝係沿著第1面551之法線方向，利用通過貫通孔56之光、及通過遮罩50之外緣之周圍之光而實施。作為測定器，使用新東S Precision公司製造之AMIC-2500。 標記58a～58d為貫通孔之情形時，標記58a～58d之位置係基於利用通過標記58a～58d之光所拍攝出之圖像而測定。作為測定器，使用新東S Precision公司製造之AMIC-2500。 標記58a～58d為不貫通基材55之凹部之情形時，標記58a～58d之位置係基於利用被遮罩50反射之光所拍攝出之圖像而測定。

其次，對遮罩50之剖面構造進行說明。圖10係自A-A方向觀察圖5之遮罩50之剖視圖。

遮罩50具備基材55、及貫通基材55之貫通孔56。基材55包含第1面551及第2面552。貫通孔56自第1面551向第2面552貫通基材55。

貫通孔56亦可包含第1凹部561、第2凹部562、及將第1凹部561與第2凹部562連接之連接部563。第1凹部561係位於第1面551且朝向第2面552而凹陷之凹部。第2凹部562係位於第2面552且朝向第1面551而凹陷之凹部。藉由將第1凹部561與第2凹部562連接，而構成貫通基材55之貫通孔56。第1凹部561係藉由利用蝕刻或雷射等自第1面551側加工基材55而形成。第2凹部562係藉由利用蝕刻或雷射等自第2面552側加工基材55而形成。

第1凹部561於俯視下具有尺寸r1。第2凹部562於俯視下具有尺寸r2。尺寸r2亦可大於尺寸r1。例如，於俯視下，第2凹部562之輪廓亦可包圍第1凹部561之輪廓。

連接部563亦可具有遍及一周而連續之輪廓。連接部563亦可位於第1面551與第2面552之間。連接部563亦可劃分形成於遮罩50之俯視下貫通孔56之開口面積最小之貫通部564。

貫通部564之尺寸r例如可為10 μm以上，亦可為15 μm以上，亦可為20 μm以上，亦可為25 μm以上。又，貫通部564之尺寸r例如可為40 μm以下，亦可為45 μm以下，亦可為50 μm以下，亦可為55 μm以下。貫通部564之尺寸r之範圍可由包含10 μm、15 μm、20 μm及25 μm之第1組、以及/或者包含40 μm、45 μm、50 μm及55 μm之第2組決定。貫通部564之尺寸r之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。貫通部564之尺寸r之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。貫通部564之尺寸r之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，貫通部564之尺寸r可為10 μm以上55 μm以下，亦可為10 μm以上50 μm以下，亦可為10 μm以上45 μm以下，亦可為10 μm以上40 μm以下，亦可為10 μm以上25 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為10 μm以上15 μm以下，亦可為15 μm以上55 μm以下，亦可為15 μm以上50 μm以下，亦可為15 μm以上45 μm以下，亦可為15 μm以上40 μm以下，亦可為15 μm以上25 μm以下，亦可為15 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上55 μm以下，亦可為20 μm以上50 μm以下，亦可為20 μm以上45 μm以下，亦可為20 μm以上40 μm以下，亦可為20 μm以上25 μm以下，亦可為25 μm以上55 μm以下，亦可為25 μm以上50 μm以下，亦可為25 μm以上45 μm以下，亦可為25 μm以上40 μm以下，亦可為40 μm以上55 μm以下，亦可為40 μm以上50 μm以下，亦可為40 μm以上45 μm以下，亦可為45 μm以上55 μm以下，45 μm以上50 μm以下，亦可為50 μm以上55 μm以下。

貫通部564之尺寸r可由透過貫通孔56之光劃定。具體而言，使平行光沿著遮罩50之法線方向入射至遮罩50之第1面551或第2面552中之一者，讓其透過貫通孔56而自第1面551或第2面552中之另一者出射。採用出射之光於遮罩50之面方向上所佔據之區域之尺寸作為貫通部564之尺寸r。

圖10中示出了相鄰兩個第2凹部562之間殘存有基材55之第2面552之例，但並不限於此。雖未圖示，但亦可實施蝕刻以使相鄰2個第2凹部562連接。即，相鄰2個第2凹部562之間亦可存在未殘存基材55之第2面552之部位。

如圖10所示，第1端503與貫通孔56同樣地，可包含形成於基材55之面之凹部。圖10所示之例中，第1端503包含位於第1面551之第3凹部571、及位於第2面552之第4凹部572。第3凹部571及第4凹部572與第1凹部561及第2凹部562同樣地，係藉由利用蝕刻或雷射等加工基材55而形成。

雖未圖示，但第1端503亦可包含位於第2面552之第4凹部572，而不包含位於第1面551之第3凹部571。該情形時，第1端503係藉由利用蝕刻等以第4凹部572到達第1面551之方式自第2面552側加工基材55而形成。

雖未圖示，但第1側緣501、第2側緣502、第2端504等外緣亦與第1端503同樣地，可包含形成於基材55之面之凹部。

對遮罩50及框41之材料進行說明。作為遮罩50及框41之主要材料，可使用含有鎳之鐵合金。例如，作為遮罩50之基材55之材料，可使用鎳之含量合計為28質量%以上且54質量%以下之鐵合金。藉此，能縮小遮罩50及框41之熱膨脹係數與包含玻璃之基板110之熱膨脹係數之差。因此，能抑制形成於基板110上之蒸鍍層之尺寸精度及位置精度因遮罩50、框41、基板110等之熱膨脹而降低。 鐵合金亦可除了鎳以外，進而含有鈷。例如，作為遮罩50之基材55之材料，可使用鎳及鈷之含量合計為28質量%以上且54質量%以下，而且鈷之含量為0質量%以上且6質量%以下之鐵合金。

基材55中鎳之含量亦可為28質量%以上且38質量%以下。基材55中鎳及鈷之含量亦可合計為28質量%以上且38質量%以下。該情形時，作為含有鎳或鎳及鈷之鐵合金之具體例，可例舉因瓦材、超級因瓦材(super inver)、特級因瓦材(ultra inver)等。因瓦材係含有34質量%以上且38質量%以下之鎳、剩餘部分之鐵及不可避免之雜質之鐵合金。超級因瓦材係含有30質量%以上且34質量%以下之鎳、鈷、剩餘部分之鐵及不可避免之雜質之鐵合金。特級因瓦材係含有28質量%以上且34質量%以下之鎳、2質量%以上且7質量%以下之鈷、0.1質量%以上且1.0質量%以下之錳、0.10質量%以下之矽、0.01質量%以下之碳、剩餘部分之鐵及不可避免之雜質之鐵合金。

遮罩50中鎳及鈷之含量亦可合計為38質量%以上且54質量%以下。例如，遮罩50亦可由含有38質量%以上且54質量%以下之鎳、剩餘部分之鐵及不可避免之雜質之鐵合金構成。此種遮罩50可藉由鍍敷法來製造。

再者，進行蒸鍍處理時，遮罩50、框41及基板110之溫度未達高溫之情形時，無需使遮罩50及框41之熱膨脹係數成為與基板110之熱膨脹係數相等之值。該情形時，作為構成遮罩50之材料，亦可使用上述鐵合金以外之材料。例如，亦可使用含有鉻之鐵合金等上述含有鎳之鐵合金以外之鐵合金。作為含有鉻之鐵合金，例如可使用被稱為不鏽鋼之鐵合金。又，亦可使用鎳或鎳-鈷合金等鐵合金以外之合金。

遮罩50之厚度T例如可為10 μm以上，亦可為15 μm以上，亦可為20 μm以上，亦可為30 μm以上。厚度T例如可為35 μm以下，亦可為50 μm以下，亦可為80 μm以下，亦可為100 μm以下。厚度T之範圍可由包含10 μm、15 μm、20 μm及30 μm之第1組、以及/或者包含35 μm、50 μm、80 μm及100 μm之第2組決定。厚度T之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。厚度T之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。厚度T之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。厚度T例如可為10 μm以上100 μm以下，亦可為10 μm以上80 μm以下，亦可為10 μm以上50 μm以下，亦可為10 μm以上35 μm以下，亦可為10 μm以上30 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為10 μm以上15 μm以下，亦可為15 μm以上100 μm以下，亦可為15 μm以上80 μm以下，亦可為15 μm以上50 μm以下，亦可為15 μm以上35 μm以下，亦可為15 μm以上30 μm以下，亦可為15 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上100 μm以下，亦可為20 μm以上80 μm以下，亦可為20 μm以上50 μm以下，亦可為20 μm以上35 μm以下，亦可為20 μm以上30 μm以下，亦可為30 μm以上100 μm以下，亦可為30 μm以上80 μm以下，亦可為30 μm以上50 μm以下，亦可為30 μm以上35 μm以下，亦可為35 μm以上100 μm以下，亦可為35 μm以上80 μm以下，亦可為35 μm以上50 μm以下，亦可為50 μm以上100 μm以下，亦可為50 μm以上80 μm以下，亦可為80 μm以上100 μm以下。

遮罩50之厚度T越大，遮罩50之剛性越高。藉由使遮罩50具有較高之剛性，能抑制於第1方向D1上對遮罩50施加張力時，於第1階部501a或第2階部502a之周圍遮罩50局部地大幅度變形。藉此，能抑制與第1階部501a或第2階部502a近接之貫通孔群53之貫通孔56之位置與理想有所偏差。

遮罩50之厚度T越小，通過貫通孔56之前沾附於貫通孔56之壁面之蒸鍍材料7之比率越小。藉此，能提高蒸鍍材料7之利用效率。

作為測定厚度T之方法，採用接觸式之測定方法。作為接觸式之測定方法，使用具備滾珠襯套導引(ball bush guide)式柱塞之HEIDENHAIN公司製造之長度計HEIDENHAIM-METRO「MT1271」。

其次，對製造遮罩50之方法進行說明。首先，準備基材。基材能以使沿著第1方向D1延伸之基材捲繞於捲筒上之形態來準備。該情形時，自捲筒抽出之基材朝向曝光裝置、顯影裝置、蝕刻裝置等搬送。每當於曝光裝置、顯影裝置、蝕刻裝置等中之處理完成，便間歇地搬送基材。

繼而，藉由加工基材而製造遮罩50。由1個基材製造出複數個遮罩50。例如，由基材卷製造出複數個遮罩50。以下說明中，將用以製造遮罩50之基材稱為原始基材，並以符號55A來表示。

遮罩50之製造方法包含第1部分形成步驟及第2部分形成步驟。第1部分形成步驟係於原始基材55A形成第1貫通孔群53a、第1中間部52a之外緣及第1端部51a之外緣。第1部分形成步驟亦可為於原始基材55A形成第1中間部52a之中間標記58a、58b及第1端部51a之標記58c、58d。第2部分形成步驟係於原始基材55A形成第2貫通孔群53b、第2中間部52b之外緣及第2端部51b之外緣。第2部分形成步驟亦可為於原始基材55A形成第2中間部52b之中間標記58a、58b及第2端部51b之標記58c、58d。

第1部分形成步驟包含抗蝕劑層形成程序、第1曝光程序、顯影程序、蝕刻程序及抗蝕劑去除程序。 第2部分形成步驟包含抗蝕劑層形成程序、第2曝光程序、顯影程序、蝕刻程序及抗蝕劑去除程序。 抗蝕劑層形成程序、顯影程序、蝕刻程序及抗蝕劑去除程序亦可為於第1部分步驟與第2部分形成步驟之間共通之程序。例如，抗蝕劑層形成程序亦可為於與第1部分50A及第2部分50B對應之原始基材55A之區域同時設置抗蝕劑層。即，第1部分形成步驟之抗蝕劑層形成程序與第2部分形成步驟之抗蝕劑層形成程序亦可同時實施。顯影程序、蝕刻程序及抗蝕劑去除程序亦可為對位於與第1部分50A及第2部分50B對應之原始基材55A之區域之抗蝕劑層同時進行處理。即，第1部分形成步驟之顯影程序與第2部分形成步驟之顯影程序亦可同時實施。又，第1部分形成步驟之蝕刻程序與第2部分形成步驟之蝕刻程序亦可同時實施。又，第1部分形成步驟之抗蝕劑去除程序與第2部分形成步驟之抗蝕劑去除程序亦可同時實施。 第2部分形成步驟之第2曝光程序於與第1部分形成步驟之第1曝光程序不同之時序實施。

準備好原始基材55A後，實施抗蝕劑層形成程序。抗蝕劑層形成程序如圖11所示，於原始基材55之表面設置抗蝕劑層。藉此，獲得包含原始基材55及抗蝕劑層之積層體。抗蝕劑層亦可包含位於第1面551之第1抗蝕劑層61、及位於第2面552之第2抗蝕劑層62。

抗蝕劑層可為藉由將包含抗蝕劑材料之溶液塗佈於原始基材55A之表面並使之固化而形成之層。或者，抗蝕劑層亦可為藉由將乾式膜等膜貼附於原始基材55A之表面而形成之層。

塗佈型之抗蝕劑層係藉由將包含感光材之溶液塗佈於原始基材55A之表面並使之固化而形成。此時，亦可實施煅燒抗蝕劑層之抗蝕劑層煅燒程序。感光材可為光溶解型，即所謂正型，或亦可為光硬化型，即所謂負型。

作為正型之感光材之例，可例舉SC500等酚醛系正型抗蝕劑等。作為負型之感光材之例，可例舉酪蛋白抗蝕劑等。

抗蝕劑層之厚度例如可為1 μm以上，亦可為2 μm以上，亦可為3 μm以上。抗蝕劑層之厚度例如可為5 μm以下，亦可為7 μm以下，亦可為10 μm以下。抗蝕劑層之厚度之範圍可由包含1 μm、2 μm及3 μm之第1組、以及/或者包含5 μm、7 μm及10 μm之第2組決定。抗蝕劑層之厚度之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。抗蝕劑層之厚度之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。抗蝕劑層之厚度之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，抗蝕劑層之厚度可為1 μm以上10 μm以下，亦可為1 μm以上7 μm以下，亦可為1 μm以上5 μm以下，亦可為1 μm以上3 μm以下，亦可為1 μm以上2 μm以下，亦可為2 μm以上10 μm以下，亦可為2 μm以上7 μm以下，亦可為2 μm以上5 μm以下，亦可為2 μm以上3 μm以下，亦可為3 μm以上10 μm以下，亦可為3 μm以上7 μm以下，亦可為3 μm以上5 μm以下，亦可為5 μm以上10 μm以下，亦可為5 μm以上7 μm以下，亦可為7 μm以上10 μm以下。

繼而，實施第1曝光程序。第1曝光程序如圖12A及圖12B所示，使用第1曝光光罩將原始基材55A上之抗蝕劑層曝光。第1曝光光罩將位於與第1中間部52a及第1端部51a對應之區域之抗蝕劑層曝光。即，第1曝光光罩將與第1部分50A對應之抗蝕劑層曝光。第1曝光光罩亦可包含將第1抗蝕劑層61曝光之第1面第1曝光光罩711、及將第2抗蝕劑層62曝光之第2面第1曝光光罩712。

如圖12A所示，第1曝光光罩亦可具有包含第1邊及第2邊之矩形。第1邊可沿著搬送原始基材55A之方向延伸。第2邊可沿著與搬送原始基材55A之方向正交之方向延伸。將第1邊之尺寸亦稱為長度，並以符號Y1來表示。將第2邊之尺寸亦稱為寬度，並以符號W1來表示。原始基材55A之搬送方向可與遮罩50之第1方向D1平行。

第1曝光光罩之寬度W1可大於原始基材55A之寬度W0。寬度W0係與搬送原始基材55A之方向正交之方向上的原始基材55A之尺寸。

寬度W0例如可為100 mm以上，亦可為200 mm以上，亦可為400 mm以上。寬度W0例如可為600 mm以下，亦可為800 mm以下，亦可為1000 mm以下。寬度W0之範圍可由包含100 mm、200 mm及400 mm之第1組、以及/或者包含600 mm、800 mm及1000 mm之第2組決定。寬度W0之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。寬度W0之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。寬度W0之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，寬度W0可為100 mm以上1000 mm以下，亦可為100 mm以上800 mm以下，亦可為100 mm以上600 mm以下，亦可為100 mm以上400 mm以下，亦可為100 mm以上200 mm以下，亦可為200 mm以上1000 mm以下，亦可為200 mm以上800 mm以下，亦可為200 mm以上600 mm以下，亦可為200 mm以上400 mm以下，亦可為400 mm以上1000 mm以下，亦可為400 mm以上800 mm以下，亦可為400 mm以上600 mm以下，亦可為600 mm以上1000 mm以下，亦可為600 mm以上800 mm以下，亦可為800 mm以上1000 mm以下。

第1曝光光罩之寬度W1例如可為400 mm以上，亦可為600 mm以上，亦可為810 mm以上，亦可為1100 mm以上。寬度W1例如可為600 mm以下，亦可為1000 mm以下，亦可為1100 mm以下，亦可為1400 mm以下。寬度W1之範圍可由包含400 mm、600 mm、810 mm及1100 mm之第1組、以及/或者包含600 mm、1000 mm、1100 mm及1400 mm之第2組決定。寬度W1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意一者與上述第2組內所包含之值中之任意一者之組合決定。寬度W1之範圍亦可由上述第1組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。寬度W1之範圍亦可由上述第2組內所包含之值中之任意兩者之組合決定。例如，寬度W1可為400 mm以上1400 mm以下，亦可為400 mm以上1100 mm以下，亦可為400 mm以上1000 mm以下，亦可為400 mm以上810 mm以下，亦可為400 mm以上600 mm以下，亦可為600 mm以上1400 mm以下，亦可為600 mm以上1100 mm以下，亦可為600 mm以上1000 mm以下，亦可為600 mm以上810 mm以下，亦可為810 mm以上1400 mm以下，亦可為810 mm以上1100 mm以下，亦可為810 mm以上1000 mm以下，亦可為1000 mm以上1400 mm以下，亦可為1000 mm以上1100 mm以下，亦可為1100 mm以上1400 mm以下。

第1曝光光罩具有長度Y1。長度Y1係搬送原始基材55A之方向上之第1曝光光罩之尺寸。長度Y1可大於亦可小於寬度W1。長度Y1可小於遮罩50之尺寸M11。長度Y1與第1部分50A之尺寸M15對應。作為長度Y1之數值之範圍，可採用上述尺寸M15之數值之範圍。

如圖12B所示，於第1曝光程序中，亦可為第1面第1曝光光罩711係以面向第1抗蝕劑層61之方式配置，同時第2面第1曝光光罩712係以面向第2抗蝕劑層62之方式配置。第1曝光程序亦可包含調整第1面第1曝光光罩711與第2面第1曝光光罩712之間之相對位置之第1位置調整程序。於第1位置調整程序中，能以第1面第1曝光光罩711之對準標記與第2面第1曝光光罩712之對準標記重疊之方式實施位置之調整。藉由第1位置調整程序，能抑制俯視下之第1凹部561之中心之位置與第2凹部562之中心之位置有所偏差。

如圖12A所示，第1面第1曝光光罩711之對準標記ALM亦可配置於俯視下不與原始基材55A重疊之位置。第2面第1曝光光罩712之對準標記亦同樣地，亦可配置於俯視下不與原始基材55A重疊之位置。雖未圖示，但亦可基於對準標記以外之元素，實施第1位置調整程序。例如，亦可基於第1面第1曝光光罩711及第2面第1曝光光罩712之外緣之位置，實施第1位置調整程序。

於第1位置調整程序中，可調整第1面第1曝光光罩711及第2面第1曝光光罩712中之任一者之位置。於第1位置調整程序中，亦可調整第1面第1曝光光罩711及第2面第1曝光光罩712兩者之位置。於第1位置調整程序中，可藉由利用驅動裝置使第1面第1曝光光罩711及/或第2面第1曝光光罩712移動而實施位置之調整。

第1曝光程序亦可包含記錄第1面第1曝光光罩711之位置及第2面第1曝光光罩712之位置之第1位置記錄程序。例如，可記錄藉由第1位置調整程序加以調整後之第1面第1曝光光罩711之位置及第2面第1曝光光罩712之位置。藉由第1位置記錄程序而記錄之位置亦稱為第1記錄位置。例如，可記錄第1記錄位置作為於驅動裝置所動作之座標系中之座標。

圖13A及圖13B係表示藉由第1曝光光罩加以曝光後之抗蝕劑層之一例之俯視圖及剖視圖。經曝光後之第1抗蝕劑層61包含第1去除預定部分61a。第1去除預定部分61a係於下述顯影程序中藉由顯影而被去除之第1抗蝕劑層61之部分。於圖13A及圖13B之狀態下，第1抗蝕劑層61尚未顯影。第1抗蝕劑層61包含正型之感光材之情形時，被照射曝光之光之部分成為第1去除預定部分61a。第1抗蝕劑層61包含負型之感光材之情形時，未被照射曝光之光之部分成為第1去除預定部分61a，將於下述顯影程序中被去除。

與第1抗蝕劑層61同樣地，第2抗蝕劑層62包含第2去除預定部分62a。第2去除預定部分62a係將藉由顯影而被去除之第2抗蝕劑層62之部分。第2抗蝕劑層62包含正型之感光材之情形時，被照射曝光之光之部分成為第2去除預定部分62a。第2抗蝕劑層62包含負型之感光材之情形時，未被照射曝光之光之部分成為第2去除預定部分62a，將於顯影程序中被去除。

如圖13A所示，藉由第1曝光程序而產生之第1去除預定部分61a位於與第1中間部52a之外緣、第1端部51a之外緣、貫通孔56、中間標記58a、58b及標記58c、58d對應之第1抗蝕劑層61之區域。雖未圖示，但藉由第1曝光程序而產生之第2去除預定部分62a亦位於與第1中間部52a之外緣、第1端部51a之外緣、貫通孔56、中間標記58a、58b及標記58c、58d對應之第2抗蝕劑層62之區域。

繼而，實施第2曝光程序。第2曝光程序如圖14A及圖14B所示，使用第2曝光光罩將原始基材55A上之抗蝕劑層曝光。第2曝光光罩將位於與第2中間部52b及第2端部51b對應之區域之抗蝕劑層曝光。即，第2曝光光罩將與第2部分50B對應之抗蝕劑層曝光。第2曝光光罩亦可包含將第1抗蝕劑層61曝光之第1面第2曝光光罩721、及將第2抗蝕劑層62曝光之第2面第2曝光光罩722。

於第2曝光程序中，亦可藉由利用驅動裝置使第2曝光光罩移動，而進行第2曝光光罩相對於原始基材55A之位置對準。於第2曝光程序中調整第2曝光光罩之位置之程序亦稱為第2位置調整程序。驅動裝置係以能精密地調整曝光光罩之位置之方式構成。例如，驅動裝置可包含微致動器。微致動器可包含靜電致動器、電磁致動器、壓電致動器、熱膨脹致動器等。

於第2位置調整程序中，能以於第1曝光程序中所使用之第1曝光光罩之位置為基準，來調整第2曝光光罩之位置。例如，能以於第1位置記錄程序中所記錄之第1曝光光罩之第1記錄位置為基準，來調整第2曝光光罩之位置。例如，亦可將作為於驅動裝置所動作之座標系中之座標之第1記錄位置設為基準，而利用驅動裝置使第1面第2曝光光罩721及/或第2面第2曝光光罩722移動。

藉由使用第1曝光光罩之位置作為基準，能抑制第2曝光光罩相對於第1曝光光罩之相對位置與理想有所偏差。藉由第2位置調整程序，例如能縮小上述第1階部501a之尺寸S1。藉由第2位置調整程序，例如能縮小上述第1角度θ1。

以第1曝光光罩之位置為基準的第2曝光光罩之位置之調整亦稱為第一種調整。

於第2位置調整程序中，亦能以實施第1曝光程序後之與第1部分50A對應之抗蝕劑層61、62為基準，來調整第2曝光光罩之位置。該情形時，實施第1曝光程序後之與第1部分50A對應之抗蝕劑層61、62包含可作為基準之部分。可作為基準之部分亦稱為基準部分。基準部分可為於第1曝光程序中被照射曝光之光之抗蝕劑層61、62之一部分。基準部分亦可為於第1曝光程序中未被照射曝光之光之抗蝕劑層61、62之一部分。

第1曝光程序中之第1曝光光罩之位置反映於抗蝕劑層61、62之基準部分之位置。藉由使用抗蝕劑層61、62之基準部分作為基準，與上述第一種調整之情形時同樣地，能抑制第2曝光光罩相對於第1曝光光罩之相對位置與理想有所偏差。

以抗蝕劑層61、62之基準部分為基準的第2曝光光罩之位置之調整亦稱為第二種調整。於第二種調整中，能以第1抗蝕劑層61之基準部分為基準，來調整第1面第2曝光光罩721之位置。於第二種調整中，亦能以第2抗蝕劑層62之基準部分為基準，來調整第2面第2曝光光罩722之位置。

抗蝕劑層61、62之基準部分可形成於俯視下不與遮罩50重疊之抗蝕劑層61、62之區域。

抗蝕劑層61、62之基準部分可藉由在第1曝光程序中使第1曝光光罩之一部分與抗蝕劑層61、62接觸，而形成於抗蝕劑層61、62。例如，第1曝光光罩亦可包含於厚度方向上朝向抗蝕劑層61、62突出之突起。該情形時，藉由在第1曝光程序中使第1曝光光罩之突起與抗蝕劑層61、62接觸，致抗蝕劑層61、62之一部分變形，而於抗蝕劑層61、62形成基準部分。

抗蝕劑層61、62之基準部分亦可藉由在第1曝光程序中利用雷射光對抗蝕劑層61、62之一部分進行加工，而形成於抗蝕劑層61、62。例如，第1曝光光罩亦可包含使雷射光部分透過之透過部。例如，第1曝光光罩亦可包含位於俯視下不與遮罩50重疊之區域且遮蔽雷射光之遮蔽層、及形成於遮蔽層之開口。該情形時，於第1曝光程序中，可朝向第1曝光光罩之透過部照射雷射光。藉由在第1曝光程序中使通過第1曝光光罩之透過部之開口之雷射光到達抗蝕劑層61、62，並對抗蝕劑層61、62之一部分進行加工，而於抗蝕劑層61、62形成基準部分。

於第2位置調整程序中，可調整第1面第2曝光光罩721與第2面第2曝光光罩722之間之相對位置。例如，於第2位置調整程序中，能以第1面第2曝光光罩721之對準標記與第2面第2曝光光罩722之對準標記重疊之方式實施位置之調整。第1面第2曝光光罩721與第2面第2曝光光罩722之間之相對位置亦稱為第三種調整。

於第2位置調整程序中，上述第一種調整、第二種調整及第三種調整亦可任意組合而實施。例如，亦可為實施第一種調整或第二種調整，進而實施第三種調整。

例如，可藉由第一種調整或第二種調整來調整第1面第2曝光光罩721之位置，其後藉由第三種調整來調整第2面第2曝光光罩722相對於第1面第2曝光光罩721之相對位置。

例如，亦可藉由第一種調整或第二種調整來調整第2面第2曝光光罩722之位置，其後藉由第三種調整來調整第1面第2曝光光罩721相對於第2面第2曝光光罩722之相對位置。

圖15A及圖15B係表示藉由第2曝光光罩加以曝光後之抗蝕劑層之一例之俯視圖及剖視圖。 如圖15A所示，藉由第2曝光程序而產生之第1去除預定部分61a位於與第2中間部52b之外緣、第2端部51b之外緣、貫通孔56、中間標記58a、58b及標記58c、58d對應之第1抗蝕劑層61之區域。雖未圖示，但藉由第2曝光程序而產生之第2去除預定部分62a位於與第2中間部52b之外緣、第2端部51b之外緣、貫通孔56、中間標記58a、58b及標記58c、58d對應之第2抗蝕劑層62之區域。

繼而，實施顯影程序。藉此，將第1去除預定部分61a及第2去除預定部分62a去除。

繼而，實施蝕刻程序。蝕刻程序係使用經曝光及顯影後之第1抗蝕劑層61及第2抗蝕劑層62蝕刻原始基材55。蝕刻程序亦可包含蝕刻第1面551之第1面蝕刻程序、及蝕刻第2面552之第2面蝕刻程序。作為蝕刻液，例如可使用氯化鐵溶液及包含鹽酸之液體。

圖16係表示經蝕刻後之原始基材55之一例之剖視圖。藉由第1面蝕刻程序，於第1面551形成第1凹部561及未圖示之第3凹部571。藉由第2面蝕刻程序，於第2面552形成第2凹部562及未圖示之第4凹部572。藉由將第1凹部561與第2凹部562連接，而構成貫通孔56。藉由將第3凹部571與第4凹部572連接，而構成貫通孔。將由第3凹部571及第4凹部572構成且劃分形成遮罩50之外緣之貫通孔亦稱為外緣孔。雖未圖示，但第1中間標記58a、第2中間標記58b、第1標記58c及第2標記58d亦係藉由蝕刻程序而形成。

如圖16所示，亦可於第1面蝕刻程序之後且第2面蝕刻程序之前，向第1凹部561及未圖示之第3凹部571中填充樹脂65。

繼而，實施抗蝕劑層去除程序。藉此，將第1抗蝕劑層61及第2抗蝕劑層62去除。又，實施將樹脂65去除之程序。樹脂65亦可與第1抗蝕劑層61及第2抗蝕劑層62同時去除。

圖17A及圖17B係表示被去除第1抗蝕劑層61及第2抗蝕劑層62後之原始基材55A之俯視圖及剖視圖。原始基材55A具備包含貫通孔56之貫通孔群53、劃分形成遮罩50之外緣之外緣孔、及標記58a、58b、58c、58d。將劃分形成第1端部51a之外緣之外緣孔亦稱為第2外緣孔，並以符號592來表示。將劃分形成中間部52之外緣之外緣孔亦稱為第1外緣孔，並以符號591來表示。將劃分形成第2端部51b之外緣之外緣孔亦稱為第3外緣孔，並以符號593來表示。

如圖17A所示，亦可於遮罩50之外緣連接有搭橋595。圖17A所示之例中，搭橋595連接於第1端503及第2端504。

搭橋595係橫穿外緣孔之原始基材55A之部分。搭橋595將遮罩50之外緣連接於周圍之原始基材55A。藉由設置搭橋595，能抑制遮罩50自原始基材55A脫落。藉由使搭橋595斷裂，能將遮罩50自原始基材55A拔出。

本實施方式中，如上所述，使用第1曝光光罩將與中間部52之第1中間部52a對應之抗蝕劑層曝光。又，使用與第1曝光光罩不同之第2曝光光罩將與中間部52之第2中間部52b對應之抗蝕劑層曝光。因此，與使用1片曝光光罩形成整個遮罩50之情形時相比，能擴大中間部52之尺寸M12。故而，既使用了容易到手之曝光光罩，又能擴大遮罩50之尺寸M11。即，既抑制了於遮罩50之製造設備上之投資，又能擴大遮罩50之尺寸M11。

但有時第2曝光光罩相對於第1曝光光罩之相對位置會與理想有所偏差。因此，第1貫通孔群53a之貫通孔56之第1排列方向相對於第2貫通孔群53b之貫通孔56之第2排列方向會有所偏離。

遮罩50之製造方法亦可包含基於上述第1角度θ1而篩選遮罩50之篩選步驟。第1角度θ1表示第1排列方向相對於第2排列方向之偏離。篩選步驟例如為篩選出具有閾值以下之第1角度θ1之遮罩50作為良品。閾值例如可為0.00042°，亦可為0.00063°，亦可為0.00084°，亦可為0.00105°，亦可為0.00125°，亦可為0.00167°，亦可為0.00209°。

遮罩50之製造方法亦可包含基於第1側緣501之第1階部501a之尺寸S1而篩選遮罩50之篩選步驟。遮罩50之製造方法亦可包含基於上述距離G1而篩選遮罩50之篩選步驟。遮罩50之製造方法亦可包含基於上述距離G3而篩選遮罩50之篩選步驟。篩選步驟例如為篩選出具有閾值以下之尺寸S1、距離G1或距離G3之遮罩50作為良品。尺寸S1、距離G1及距離G3之閾值例如可為0.1 μm，亦可為0.2 μm，亦可為0.5 μm，亦可為1.0 μm，亦可為1.5 μm，亦可為2.0 μm，亦可為2.5 μm，亦可為3.0 μm。

其次，對製造遮罩裝置15之方法進行說明。首先，準備框41。繼而，實施決定遮罩50相對於框41之位置之對準工序。於對準工序中，可一面對遮罩50施加張力一面決定遮罩50之位置。例如，如圖18所示，可使用夾具對遮罩50施加張力。夾具例如包含安裝於第1端部51a之第1夾具81、及安裝於第2端部51b之第2夾具82。第1夾具81安裝於未形成凹部505之第1端503之部分。例如，如圖18所示，於第1端503形成有1個凹部505之情形時，可將2個第1夾具81安裝於未形成凹部505之第1端503之部分。於第1端503形成有2個以上凹部505之情形時，可將3個以上第1夾具81安裝於未形成凹部505之第1端503之部分。

形成於第2端504之凹部506之數量可與形成於第1端503之凹部505之數量相同。安裝於第2端部51b之第2夾具82之數量可與安裝於第1端部51a之第1夾具81之數量相同。

於對準工序中，亦可使用相機等拍攝被施加張力之遮罩50。基於藉由拍攝所得之圖像，檢測遮罩50相對於框41之位置。

圖19係表示被施加張力T之遮罩50之一例之俯視圖。遮罩50亦可包含複數個基準孔。基準孔於對準工序中作為遮罩50之位置之指標來使用。基準孔可由貫通孔群53之貫通孔56構成。基準孔之位置係基於藉由拍攝所得之圖像而檢測。

複數個基準孔可設置於第1方向D1及第2方向D2上之遮罩50之各位置。

例如，第1部分50A可包含至少1個第1外側基準孔。第1外側基準孔由在第1方向D1上離第2貫通孔群53b最遠之第1貫通孔群之貫通孔構成。圖19所示之例中，在第1方向D1上離第2貫通孔群53b最遠之第1貫通孔群以符號53a2來表示。圖19所示之例中，標有符號A01、B01、C01之貫通孔等構成了第1外側基準孔。

例如，第1部分50A可包含至少1個第1內側基準孔。第1內側基準孔由在第1方向D1上與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群之貫通孔構成。圖19所示之例中，在第1方向D1上與第2貫通孔群53b相鄰之第1貫通孔群以符號53a1來表示。圖19所示之例中，標有符號B18之貫通孔等構成了第1內側基準孔。

例如，第2部分50B可包含至少1個第2外側基準孔。第2外側基準孔由在第1方向D1上離第1貫通孔群53a最遠之第2貫通孔群之貫通孔構成。圖19所示之例中，在第1方向D1上離第1貫通孔群53a最遠之第2貫通孔群以符號53b2來表示。圖19所示之例中，標有符號A36、B36、C36之貫通孔等構成了第2外側基準孔。

例如，第2部分50B可包含至少1個第2內側基準孔。第2內側基準孔由在第1方向D1上與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群之貫通孔構成。圖19所示之例中，在第1方向D1上與第1貫通孔群53a相鄰之第2貫通孔群以符號53b1來表示。圖19所示之例中，標有符號B19之貫通孔等構成了第2內側基準孔。

圖19所示之例中，遮罩50包含基準孔A01～A36、B01～B36、C01～C36。基準孔A01～A36由自第1端503朝向第2端504沿著第1側緣501排列之複數個貫通孔56之一部分構成。基準孔C01～C36由自第1端503朝向第2端504沿著第2側緣502排列之複數個貫通孔56之一部分構成。基準孔B01～B36由在第2方向D2上位於基準孔A01～A36與基準孔C01～C36之中間之貫通孔56構成。

基準孔A01由屬於第1貫通孔群53a2，靠第1側緣501最近且靠第1端503最近之貫通孔56構成。基準孔C01由屬於第1貫通孔群53a2，靠第2側緣502最近且靠第1端503最近之貫通孔56構成。基準孔B01由位於基準孔A01與基準孔C01之中間之貫通孔56構成。基準孔B18由屬於第1貫通孔群53a1，靠第2部分50B最近且沿著第1排列方向觀察時與基準孔B01重疊之貫通孔56構成。

基準孔A36由屬於第2貫通孔群53b2，靠第1側緣501最近且靠第2端504最近之貫通孔56構成。基準孔C36由屬於第2貫通孔群53b2，靠第2側緣502最近且靠第2端504最近之貫通孔56構成。基準孔B36由位於基準孔A36與基準孔C36之中間之貫通孔56構成。基準孔B19由屬於第2貫通孔群53b1，靠第1部分50A最近且沿著第2排列方向觀察時與基準孔B36重疊之貫通孔56構成。

圖19所示之例中，基準線LA表示第2方向D2上之基準孔A01～A36之理想位置。基準線LB表示第2方向D2上之基準孔B01～B36之理想位置。基準線LC表示第2方向D2上之基準孔C01～C36之理想位置。基準線LA～LC係基於框41之基準座標系及遮罩50之貫通孔56之設計位置而決定。

本實施方式中，如上所述，第1貫通孔群53a之第1排列方向相對於第2貫通孔群53b之第2排列方向有所偏離。該情形時，若對遮罩50施加張力T，則第1外側基準孔或第2外側基準孔之偏離距離擴大。所謂偏離距離係指第2方向D2上之基準孔與基準線之間之距離。圖19所示之例中，構成第2外側基準孔之基準孔A36、B36、C36之偏離距離Δ2-2大於其他基準孔A01～A35、B01～B35、C01～C35之偏離距離。

對準工序亦可包含調整對遮罩50所施加之張力T之調整工序。調整工序例如為調整張力之大小。調整工序例如為調整張力之方向。圖20係表示被施加經調整後之張力T之遮罩50的一例之俯視圖。圖20所示之例中，張力T係於第2方向D2上得到調整，以使第1外側基準孔之偏離距離及第2外側基準孔之偏離距離均成為第1調整閾值以下。第1調整閾值例如為1.0 μm，亦可為0.5 μm，亦可為0.3 μm，亦可為0.2 μm，亦可為0.1 μm。

若著眼於第1外側基準孔及第2外側基準孔來調整張力T，則第1外側基準孔及第2外側基準孔之偏離距離將變得較其他基準孔之偏離距離小。該情形時，第1內側基準孔及第2內側基準孔之偏離距離將變得較其他基準孔之偏離距離大。圖19所示之例中，構成第1內側基準孔之基準孔B18之偏離距離Δ1-1較位於第1部分50A之其他基準孔B01～B17等之偏離距離大。又，構成第2內側基準孔之基準孔B19之偏離距離Δ2-1較位於第2部分50B之其他基準孔B20～B36等之偏離距離大。

對準工序亦可包含使遮罩50於第2方向D2上移動之移位工序。移位工序係使遮罩50於第2方向D2上移動，以使第1外側基準孔之偏離距離、第1內側基準孔之偏離距離及第2外側基準孔之偏離距離均成為第2調整閾值以下。移位工序亦可為使遮罩50於第2方向D2上移動，以使第1外側基準孔之偏離距離、第1內側基準孔之偏離距離、第2內側基準孔之偏離距離及第2外側基準孔之偏離距離均成為第2調整閾值以下。移位工序可於調整工序之後實施。

圖21係表示實施移位工序後之遮罩50之一例之俯視圖。圖21所示之例中，移位工序係使遮罩50於第2方向D2上移動，以使第1外側基準孔之偏離距離Δ1-2、第1內側基準孔之偏離距離Δ1-1、第2內側基準孔之偏離距離Δ2-2及第2外側基準孔之偏離距離Δ2-1均成為第2調整閾值以下。藉此，能使所有基準孔之偏離距離皆平均地縮小。故而，能改善藉由使用遮罩50而製作之有機裝置之PPA。第2調整閾值例如為5.0 μm，亦可為4.0 μm，亦可為3.0 μm，亦可為2.0 μm，亦可為1.0 μm。

移位工序亦可為使遮罩50於第2方向D2上移動，以使第1外側基準孔之偏離距離Δ1-2與第1內側基準孔之偏離距離Δ1-1之差成為第3調整閾值以下。藉此，能使所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax皆進一步縮小。第3調整閾值例如為1.0 μm，亦可為0.5 μm，亦可為0.3 μm，亦可為0.2 μm，亦可為0.1 μm。

可對上述一實施方式進行各種變更。以下，根據需要，參照圖式對其他實施方式進行說明。於以下說明及以下說明所使用之圖式中，對可與上述一實施方式同樣地構成之部分使用與對上述一實施方式中之對應部分所使用之符號相同之符號。省略重複說明。又，明確可知上述一實施方式中所獲得之作用效果於其他實施方式中亦可獲得之情形時，亦會省略其說明。

對第2實施方式進行說明。上述實施方式中，示出了第1部分50A與第2部分50B之間之交界線BL係基於第1階部501a、距離G1或距離G3而決定之例。即，示出了交界線BL係基於第2方向D2上之第1部分50A之位置與第2部分50B之位置之間的偏差而決定之例。第2實施方式中，對基於遮罩50之中心C1來決定交界線BL之例進行說明。遮罩50之中心C1位於交界線BL1與交界線BL2之中間。

中心C1處在於第1方向D1上相鄰之2個貫通孔群53之間之情形時，交界線BL亦可定為通過中心C1且沿著第2方向D2延伸之直線。與中心C1鄰接之2個貫通孔群53被規定為第1貫通孔群53a1及第2貫通孔群53b1。

中心C1與1個貫通孔群53(亦稱為中心貫通孔群53)重疊之情形時，中心貫通孔群53被規定為第1貫通孔群53a1或第2貫通孔群53b1。繼中心貫通孔群53之後距中心C1第二近之貫通孔群53相對於中心貫通孔群53位於第1端503側之情形時，該貫通孔群53被規定為第1貫通孔群53a1，中心貫通孔群53被規定為第2貫通孔群53b1。繼中心貫通孔群53之後距中心C1第二近之貫通孔群53相對於中心貫通孔群53位於第2端504側之情形時，該貫通孔群53被規定為第2貫通孔群53b1，中心貫通孔群53被規定為第1貫通孔群53a1。 [實施例]

其次，藉由實施例更具體地對本發明之實施方式進行說明，但本發明之實施方式只要不超出其主旨，便不決定於以下實施例之記載。

(例1) 如圖22A所示，設計具備第1部分50A及第2部分50B之遮罩50。遮罩50之尺寸之設計值如下所示。 ・第1方向D1上之遮罩50之尺寸M11：2580 mm ・第1方向D1上之中間部52之尺寸M12：2085 mm ・第2方向D2上之中間部52之尺寸：227 mm ・第2方向D2上之第1端部51a之尺寸：230 mm ・第2方向D2上之第2端部51b之尺寸：230 mm ・第1角度：0.00125° ・第2方向D2上之第1階部501a之尺寸：0.0 μm ・遮罩50之厚度：20 μm

藉由模擬算出未被施加張力之狀態下的遮罩50之基準孔A01～A36、B01～B36、C01～C36之位置。結果如圖22B所示。橫軸表示第1方向D1上之位置，縱軸表示第2方向D2上之位置。基準孔B01等第1外側基準孔之偏離距離為0.0 μm。基準孔B36等第2外側基準孔之偏離距離為22.5 μm μm。

繼而，藉由模擬算出被施加25 N張力之狀態下的遮罩50之基準孔A01～A36、B01～B36、C01～C36之位置。結果如圖23所示。基準孔B36等第2外側基準孔之偏離距離為22.6 μm。

繼而，藉由模擬實施調整張力以使第1外側基準孔之位置與第2外側基準孔之位置一致之調整工序。又，藉由模擬算出調整工序後之基準孔A01～A36、B01～B36、C01～C36之位置。結果如圖24所示。第1外側基準孔之偏離距離及第2外側基準孔之偏離距離均為0.0 μm。第1內側基準孔之偏離距離及第2內側基準孔之偏離距離均為6.0 μm。

繼而，藉由模擬實施使遮罩50於第2方向D2上移動之移位工序。又，藉由模擬算出移位工序後之基準孔B01～B36之位置。結果如圖25所示。於圖25中，實施移位工序後之基準孔以符號B01'～B36'來表示。第1外側基準孔之偏離距離Δ1-2、第1內側基準孔之偏離距離Δ1-1、第2內側基準孔之偏離距離Δ2-2及第2外側基準孔之偏離距離Δ2-1均為3.0 μm。故而，如圖26所示，所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax均為3.0 μm。

(例2) 除了第1角度為0.00084°以外，其他與例1之情形時同樣地，設計具備第1部分50A及第2部分50B之遮罩50。繼而，與例1之情形時同樣地，藉由模擬算出實施調整工序及移位工序後之基準孔B01～B36之位置。如圖26所示，所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax為2.0 μm。

(例3) 除了第1角度為0.00042°以外，其他與例1之情形時同樣地，設計具備第1部分50A及第2部分50B之遮罩50。繼而，與例1之情形時同樣地，藉由模擬算出實施調整工序及移位工序後之基準孔B01～B36之位置。如圖26所示，所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax為1.0 μm。

(例4) 除了第1角度為0.00167°以外，其他與例1之情形時同樣地，設計具備第1部分50A及第2部分50B之遮罩50。繼而，與例1之情形時同樣地，藉由模擬算出實施調整工序及移位工序後之基準孔B01～B36之位置。如圖26所示，所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax為4.0 μm。

(例5) 除了第1角度為0.00209°以外，其他與例1之情形時同樣地，設計具備第1部分50A及第2部分50B之遮罩50。繼而，與例1之情形時同樣地，藉由模擬算出實施調整工序及移位工序後之基準孔B01～B36之位置。如圖26所示，所有基準孔之偏離距離之最大值Δmax為5.0 μm。

基於例1～例5而算出之Δmax相對於第1角度θ1之斜率為4820[μm/°]。

2:基板固持器 3:遮罩固持器 4:冷卻板 5:磁鐵 6:蒸鍍源 7:蒸鍍材料 8:加熱器 10:蒸鍍裝置 15:遮罩裝置 40:遮罩支持體 41:框 43:開口 50:遮罩 50A:第1部分 50B:第2部分 51a:第1端部 51b:第2端部 52:中間部 52a:第1中間部 52b:第2中間部 53:貫通孔群 53a:第1貫通孔群 53a1:第1貫通孔群 53a2:第1貫通孔群 53b:第2貫通孔群 53b1:第2貫通孔群 53b2:第2貫通孔群 55A:原始基材 56:貫通孔 58a:第1中間標記 58b:第2中間標記 58c:第1標記 58d:第2標記 61:第1抗蝕劑層 61a:第1去除預定部分 62:第2抗蝕劑層 62a:第2去除預定部分 81:第1夾具 82:第2夾具 100:有機裝置 102:有機裝置群 103:裝置區域 110:基板 111:第1面 112:第2面 115:元件 115A:第1元件 115B:第2元件 120:第1電極 130:有機層 130A:第1有機層 130B:第2有機層 140:第2電極 140A:第1層 140B:第2層 160:絕緣層 411:第1邊 412:第2邊 501:第1側緣 502:第2側緣 503:第1端 504:第2端 505:凹部 506:凹部 507:角部 551:第1面 552:第2面 561:第1凹部 562:第2凹部 563:連接部 571:第3凹部 572:第4凹部 591:第1外緣孔 592:第2外緣孔 593:第3外緣孔 595:搭橋 A1:有機裝置之尺寸 A2:有機裝置之尺寸 A01～A36:基準孔 BL1:交界線 BL2:交界線 B01～B36:基準孔 C1:遮罩之中心 C01～C36:基準孔 D1:第1方向 D2:第2方向 G11:基板之尺寸 G12:裝置區域之尺寸 G21:基板之尺寸 G22:裝置區域之尺寸 LA:基準線 LB:基準線 LC:基準線 M11:遮罩之尺寸 M12:中間部之尺寸 Δ1-1:第1內側基準孔之偏離距離 Δ1-2:第1外側基準孔之偏離距離 Δ2-1:第2外側基準孔之偏離距離 Δ2-2:第2內側基準孔之偏離距離

圖1係表示有機裝置之一例之剖視圖。 圖2係表示有機裝置群之一例之俯視圖。 圖3係表示蒸鍍裝置之一例之剖視圖。 圖4係表示遮罩裝置之一例之俯視圖。 圖5係表示遮罩之一例之俯視圖。 圖6係表示遮罩之第1端部之一例之俯視圖。 圖7A係表示第1中間部及第2中間部之一例之俯視圖。 圖7B係表示第1排列方向與第2排列方向之關係之一例之圖。 圖7C係表示第1排列方向與第2排列方向之關係之一例之圖。 圖8係表示第1中間部及第2中間部之一例之俯視圖。 圖9係表示第1中間部及第2中間部之一例之俯視圖。 圖10係自A-A方向觀察圖5之遮罩之剖視圖。 圖11係表示用以製造遮罩之基材之剖視圖。 圖12A係表示使用第1曝光光罩將抗蝕劑層曝光之程序之一例之俯視圖。 圖12B係自B-B方向觀察圖12A之基材之剖視圖。 圖13A係表示藉由第1曝光光罩加以曝光後之抗蝕劑層之一例之俯視圖。 圖13B係自C-C方向觀察圖13A之基材之剖視圖。 圖14A係表示使用第2曝光光罩將抗蝕劑層曝光之程序之一例之俯視圖。 圖14B係自D-D方向觀察圖14A之基材之剖視圖。 圖15A係表示藉由第2曝光光罩加以曝光後之抗蝕劑層之一例之俯視圖。 圖15B係自E-E方向觀察圖15A之基材之剖視圖。 圖16係表示經蝕刻後之基材之一例之剖視圖。 圖17A係表示形成於基材之遮罩之一例之俯視圖。 圖17B係自F-F方向觀察圖17A之基材之剖視圖。 圖18係表示決定遮罩相對於遮罩支持體之位置的對準工序之一例之俯視圖。 圖19係表示被施加張力之遮罩之一例之俯視圖。 圖20係表示調整工序之一例之俯視圖。 圖21係表示移位工序之一例之俯視圖。 圖22A係表示例1之遮罩之俯視圖。 圖22B係表示例1之遮罩的貫通孔之偏離距離之曲線圖。 圖23係表示施加張力之狀態下之例1之遮罩的偏離距離之曲線圖。 圖24係表示實施調整工序後之狀態下之例1之遮罩的貫通孔之偏離距離之曲線圖。 圖25係表示實施移位工序後之狀態下之例1之遮罩的貫通孔之偏離距離之曲線圖。 圖26係表示例1～例5中之偏離距離之最大值之表。

50A:第1部分

50B:第2部分

51a:第1端部

51b:第2端部

52a:第1中間部

52b:第2中間部

55A:原始基材

61:第1抗蝕劑層

61a:第1去除預定部分

D1:第1方向

D2:第2方向

Claims (21)

1. 一種遮罩之製造方法，其中 上述遮罩具備包含至少1個第1貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與上述第1貫通孔群相鄰之至少1個第2貫通孔群之第2部分，且 上述製造方法包含： 準備具有原始基材及抗蝕劑層之積層體之步驟； 使用第1曝光光罩將與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第1曝光程序； 使用第2曝光光罩將與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層曝光之第2曝光程序； 使與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層顯影之程序；以及 隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層、及與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層來蝕刻上述原始基材之程序； 上述第1曝光光罩包含將位於上述原始基材之第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第1曝光光罩、及將位於上述原始基材之第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第1曝光光罩， 於上述第1曝光程序中，位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第1曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第1曝光光罩而曝光， 上述第2曝光光罩包含將位於上述第1面之上述抗蝕劑層曝光之第1面第2曝光光罩、及將位於上述第2面之上述抗蝕劑層曝光之第2面第2曝光光罩， 於上述第2曝光程序中，位於上述第1面之上述抗蝕劑層藉由上述第1面第2曝光光罩而曝光，且位於上述第2面之上述抗蝕劑層藉由上述第2面第2曝光光罩而曝光， 藉由隔著與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第1部分之外緣及上述第1貫通孔群， 藉由隔著與上述第2部分對應之上述抗蝕劑層而實施之蝕刻，於上述原始基材形成上述第2部分之外緣及上述第2貫通孔群。
2. 如請求項1之遮罩之製造方法，其中上述第1曝光光罩具有包含第1邊及第2邊之矩形，且 上述第1邊為1090 mm以上， 上述第2邊為810 mm以上。
3. 如請求項1之遮罩之製造方法，其中上述原始基材之厚度為30 μm以上。
4. 如請求項1至3中任一項之遮罩之製造方法，其中上述第2曝光程序包含以實施上述第1曝光程序後之與上述第1部分對應之上述抗蝕劑層為基準，來調整上述第2曝光光罩之位置之程序。
5. 如請求項1至3中任一項之遮罩之製造方法，其中上述第2曝光程序包含以於上述第1曝光程序中所使用之上述第1曝光光罩之位置為基準，來調整上述第2曝光光罩之位置之程序。
6. 如請求項1至3中任一項之遮罩之製造方法，其中上述第1曝光程序包含調整上述第1面第1曝光光罩與上述第2面第1曝光光罩之間之相對位置之程序， 上述第2曝光程序包含調整上述第1面第2曝光光罩與上述第2面第2曝光光罩之間之相對位置之程序。
7. 一種遮罩，其具備： 基材，其包含沿著第1方向延伸之第1側緣及第2側緣，且包含第1面及第2面；以及 複數個貫通孔群，其等貫通上述基材；且 於俯視下，上述遮罩具備包含至少1個第1上述貫通孔群之第1部分、及包含於第1方向上與上述第1貫通孔群相鄰之至少1個第2上述貫通孔群之第2部分， 上述第1貫通孔群之第1排列方向與上述第2貫通孔群之第2排列方向所形成之第1角度θ1為0.00042°以上， 上述第1排列方向係屬於上述第1貫通孔群且沿著上述第1側緣排列之貫通孔之排列方向， 上述第2排列方向係屬於上述第2貫通孔群且沿著上述第1側緣排列之貫通孔之排列方向。
8. 如請求項7之遮罩，其中於俯視下，上述遮罩具備包含於上述第1方向上排列之複數個上述貫通孔群之中間部，且 上述第1方向上之上述中間部之尺寸為1000 mm以上2200 mm以下。
9. 如請求項7或8之遮罩，其中上述第1側緣包含第1階部，該第1階部位於上述第1部分與上述第2部分之交界處，於與上述第1方向正交之第2方向上位移。
10. 如請求項9之遮罩，其中上述第1階部之尺寸S1為3.0 μm以下。
11. 如請求項10之遮罩，其中上述第1角度θ1為0.00125°以下。
12. 如請求項9之遮罩，其中於上述第1階部之尺寸S1與上述第1角度θ1之間，下述關係式成立： 4820[μm/°]×θ1[°]＋S1[μm]≦6.0[μm]。
13. 如請求項7或8之遮罩，其中上述第1方向上之上述第1部分之尺寸為900 mm以上， 上述第1方向上之上述第2部分之尺寸為900 mm以上。
14. 如請求項7或8之遮罩，其中上述第1部分包含第1端，該第1端構成上述第1方向上之上述遮罩之端； 上述第2部分包含第2端，該第2端構成上述第1方向上之上述遮罩之端。
15. 如請求項14之遮罩，其中於俯視下，上述第1端及上述第2端分別包含於與上述第1方向正交之第2方向上排列之2個以上凹部。
16. 如請求項15之遮罩，其中上述凹部於上述第1方向上具有5 mm以上之尺寸。
17. 一種遮罩裝置之製造方法，其包含： 對準工序，其係一面對如請求項7之遮罩施加張力，一面決定上述遮罩相對於框之位置；及 固定工序，其係將上述遮罩固定於上述框；且 上述第1部分包含：第1內側基準孔，其由在上述第1方向上與上述第2貫通孔群相鄰之上述第1貫通孔群之貫通孔構成；及第1外側基準孔，其由在上述第1方向上離上述第2貫通孔群最遠之上述第1貫通孔群之貫通孔構成； 上述第2部分包含第2外側基準孔，該第2外側基準孔由在上述第1方向上離上述第1貫通孔群最遠之上述第2貫通孔群之貫通孔構成； 上述對準工序包含： 調整工序，其係基於上述第1外側基準孔及上述第2外側基準孔，調整上述張力；及 移位工序，其係於上述調整工序之後，基於上述第1內側基準孔，使上述遮罩於與上述第1方向正交之第2方向上移動。
18. 如請求項17之遮罩裝置之製造方法，其中上述調整工序係調整上述張力，以於上述第2方向上，使上述第1外側基準孔之偏離距離及上述第2外側基準孔之偏離距離均成為第1調整閾值。
19. 如請求項18之遮罩裝置之製造方法，其中上述移位工序係使上述遮罩於上述第2方向上移動，以於上述第2方向上，使上述第1外側基準孔之偏離距離、上述第1內側基準孔之偏離距離及上述第2外側基準孔之偏離距離均成為第2調整閾值以下。
20. 如請求項19之遮罩裝置之製造方法，其中上述移位工序係使上述遮罩於上述第2方向上移動，以使上述第1外側基準孔之偏離距離與上述第1內側基準孔之偏離距離之差成為第3調整閾值以下。
21. 如請求項17至20中任一項之遮罩裝置之製造方法，其中上述第2方向上之上述框之尺寸為1200 mm以上。