TW201726642A - 新穎的化合物及含有其的有機發光元件 - Google Patents

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Abstract

本說明書提供由化學式1表示之化合物及包含其的有機發光元件。

Description

新穎的化合物及含有其的有機發光元件
本發明主張2015年10月7日在韓國智慧財產局（Korean Intellectual Property Office）提申之韓國專利申請案第10-2015-0141230號的優先權及權益，所述申請案的整個內容均併入本案供參考。
本說明書是關於一種新穎化合物及含有其的有機發光元件。
一般而言，有機發光現象是指一種藉由使用有機材料將電能轉換成光能的現象。利用有機發光現象的有機發光元件通常具有包含正電極、負電極以及插入於其間之有機材料層的結構。在此，有機材料層可具有由不同材料組成之多層結構，以改良有機發光元件在許多情況下的效率及穩定性，且例如可由電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及其類似層組成。在有機發光元件之結構中，若在兩個電極之間施加電壓，則電洞自正電極注入有機材料層中且電子自負電極注入有機材料層中，且當所注入之電洞與電子彼此相遇時，形成激子，且在激子再次降低至基態時發出光。
不斷地需要開發供前述有機發光元件用的新穎材料。 [引用清單] [專利文獻]
韓國專利申請案早期公開第10-2013-048307號
[技術問題] 本發明已致力於提供具有低驅動電壓及長壽命的化合物。
另外，本發明已致力於提供包含所述化合物的有機發光元件。 [技術方案]
本說明書中的一個例示性實施例可提供由以下化學式1表示之化合物。 [化學式1]
R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；鹵基；腈基；硝基；羥基；羰基；酯基；醯亞胺基；胺基；經取代或未經取代之矽烷基；經取代或未經取代之硼基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之芳氧基；經取代或未經取代之烷基硫醇基；經取代或未經取代之芳基硫醇基；經取代或未經取代之烷基硫氧基；經取代或未經取代之芳基硫氧基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之芳烷基；經取代或未經取代之芳烯基；經取代或未經取代之烷基芳基；經取代或未經取代之芳烷基胺基；經取代或未經取代之芳基胺基；經取代或未經取代之芳基膦基；經取代或未經取代之氧化膦基團；經取代或未經取代之芳基；以及經取代或未經取代之雜環基， L1至L3為直接鍵；或二價鍵聯基團， Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；鹵基；腈基；硝基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基， L1至L3、Ar1及Ar2可與相鄰基團組合而形成經取代或未經取代之環， n及m各自為整數0至6， o+s為整數1至4，以及 s、p以及q為整數1至4。
另外，本說明書中的一個例示性實施例可提供一種有機發光元件，其包含：第一電極；面向第一電極設置之第二電極；以及設置於第一電極與第二電極之間的一或多個有機材料層，其中有機材料層中之一或多個層包含以化學式1表示之化合物。 [有利效果]
根據本說明書中之一個例示性實施例的化合物可用作有機發光元件之有機材料層之材料，且因此可使得有機發光元件達成改良的效率、達成低驅動電壓以及改良的壽命特徵的效果。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例的化合物可用作電洞注入材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料以及電子注入材料或發光材料。
在本說明書中，當一個部件「包含」一個組成元件時，除非另有具體描述，否則此不意謂排除另一組成元件，而是意謂可更包含另一組成元件。
本說明書將在下文中更詳細地進行描述。
本說明書中之一個例示性實施例提供由化學式1表示之化合物。
下文將描述取代基之實例，但不限於此。
在本說明書中，術語「經取代或未經取代」意謂未經取代或經一或多個由以下各者所構成的族群中選出之取代基取代：氘；鹵基；腈基；硝基；羥基；羰基；酯基；醯亞胺基；胺基；氧化膦基團；烷氧基；芳氧基；烷基硫醇基；芳基硫醇基；烷基硫氧基；芳基硫氧基；矽烷基；硼基；烷基；環烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷胺基；芳烷基胺基；芳基胺基；以及芳基膦基；或未經取代或經與上文所列之取代基中之兩個或超過兩個取代基連接的取代基取代。舉例而言，「與兩個或超過兩個取代基連接之取代基」可為聯苯基。亦即，聯苯基亦可為芳基，且可解釋為與兩個苯基連接之取代基。
在本說明書中，“相鄰”基團可意謂經與所取代之相應取代基中之原子直接連接的原子取代的取代基、在空間上最靠近相應取代基安置的取代基或經所取代之相應取代基中之原子取代的其他取代基。舉例而言，苯環中之鄰位的經取代之兩個取代基及脂族環中經同一碳取代之兩個取代基可解釋為彼此「相鄰」的基團。
在本說明書中，鹵基之實例包含氟、氯、溴或碘。
在本說明書中，羰基之碳原子數不受特定限制，但較佳為1至40。特定言之，羰基可為具有以下結構之化合物，但不限於此。
在本說明書中，就酯基而言，酯基中之氧可經具有1至25個碳原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基或具有6至25個碳原子之芳基取代。特定言之，酯基可為具有以下結構式之化合物，但不限於此。
在本說明書中，醯亞胺基之碳原子數不受特定限制，但較佳為1至25個。特定言之，醯亞胺基可以是具有以下結構之化合物，但不限於此。
在本說明書中，矽烷基之特定實例包含三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、三苯基矽烷基、二苯基矽烷基、苯基矽烷基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，硼基之特定實例包含三甲基硼基、三乙基硼基、第三丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，烷基可為直鏈或分支鏈，且其碳原子數不受特定限制，但較佳為1至40。根據一個例示性實施例，烷基之碳原子數為1至20。根據另一個例示性實施例，烷基之碳原子數為1至10。根據又一個例示性實施例，烷基之碳原子數為1至6。烷基之特定實例包含甲基、乙基、丙基、正丙基、異丙基、丁基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、環戊基甲基、環己基甲基、辛基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、異己基、4-甲基己基、5-甲基己基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，烯基可為直鏈或分支鏈的，且其碳原子數不受特定限制，但較佳為2至40。根據一個例示性實施例，烯基之碳原子數為2至20。根據另一個例示性實施例，烯基之碳原子數為2至10。根據又一個例示性實施例，烯基之碳原子數為2至6個。其特定實例含有乙烯基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-雙(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、芪基（stilbenyl group）、苯乙烯基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，環烷基不受特定限制，但較佳具有3至60個碳原子，且根據一個例示性實施例，環烷基之碳原子數為3至30。根據另一例示性實施例，環烷基之碳原子數為3至20。根據又一個例示性實施例，環烷基之碳原子數為3至6。其特定實例含有環丙基、環丁基、環戊基、3-甲基環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、3-甲基環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲基環已基、4-第三丁基環己基、環庚基、環辛基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，芳基胺基之實例意謂經取代或未經取代之單環二芳基胺基、經取代或未經取代之多環二芳基胺基或經取代或未經取代之單環以及多環二芳基胺基。
在本說明書中，芳基不受特定限制，但較佳具有6至60個碳原子，且可為單環芳基或多環芳基。根據一個例示性實施例，芳基之碳原子數為6至30。根據一個例示性實施例，芳基之碳原子數為6至20。單環芳基之實例包含苯基、聯苯基、聯三苯基以及其類似基團，但不限於此。多環芳基之實例包含萘基（naphthyl group）、蒽基（anthracenyl group）、菲基（phenanthryl）、芘基（pyrenyl group）、苝基（perylenyl group）、屈基（chrysenyl group）、茀基（fluorenyl group）以及其類似基團，但不限於此。
在本發明書中，茀基可經取代，且兩個取代基可彼此組合形成螺環接結構。
當茀基經取代時，所述基團可為、、、及其類似基團。然而，茀基不限於此。
在本說明書中，雜環基為包含N、O、S、Si以及Se中之一或多者作為雜原子之雜環基，且其碳原子數不受特定限制，但較佳為2至60。雜環基之實例包含噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、聯吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、噠嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪並吡嗪基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、啡啉基、噻唑基、異噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、啡噻嗪基、二苯并呋喃基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，關於芳基的上述說明可應用於除二價芳族烴環之外的芳族烴環。
在本發明書中，關於雜環基之上述說明可應用於除二價雜環之外的雜環。
在本說明書中，關於雜環基之上述說明可應用於除芳族雜芳基之外的雜芳基。
在本說明書中，關於芳基的上述說明可應用於芳氧基、芳基硫醇基、芳基硫氧基、芳基膦基、芳烷基、芳烷基胺基、芳烯基以及芳基胺基中的芳基。
在本說明書中，關於烷基的上述說明可應用於烷基硫醇基、烷基硫氧基、芳烷基、芳烷基胺基以及烷胺基中的烷基。
在本說明書中，關於雜環基之上述說明可應用於雜芳基以及雜芳基胺基中的雜芳基。
在本說明書中，關於烯基之上述說明可應用於芳烯基中之烯基。
在本說明書中，關於芳基之上述說明可應用於除二價伸芳基之外的伸芳基。
在本說明書中，關於雜環基之上述說明可應用於除二價伸雜芳基之外的伸雜芳基。
在本說明書中，與相鄰基團組合形成環意謂與相鄰基團組合形成經取代或未經取代之脂族烴環；經取代或未經取代之芳族烴環；經取代或未經取代之脂族雜環；或經取代或未經取代之芳族雜環。
在本說明書中，脂族烴環意謂僅由碳及氫原子組成之環形式的環，其不為芳族基團。
在本說明書中，芳族烴環之實例包含苯基、萘基、蒽基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，脂族雜環意謂包含一或多個雜原子之脂族環。
在本說明書中，芳族雜環意謂包含一或多個雜原子之芳族環。
在本發明書中，脂族烴環、芳族烴環、脂族雜環以及芳族雜環可為單環或多環。
根據本說明書中之一個例示性實施例，R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之芳烷基；經取代或未經取代之芳烯基；經取代或未經取代之烷基芳基；經取代或未經取代之芳烷基胺基；經取代或未經取代之芳基胺基；經取代或未經取代之芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳烷基；經取代或未經取代之烷基芳基；經取代或未經取代之芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；烷基；芳基；以及雜環基。
根據本說明書中之一個例示性實施例，L為直接鍵；或二價鍵聯基團。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，L為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：直接鍵；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸環烷基；經取代或未經取代之伸烯基；經取代或未經取代之伸芳烷基；經取代或未經取代之伸芳烯基；經取代或未經取代之烷基伸芳基；經取代或未經取代之二價胺基；經取代或未經取代之二價芳烷基胺基；經取代或未經取代之二價芳基胺基；經取代或未經取代之伸芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，L為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：直接鍵；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸芳烷基；經取代或未經取代之伸芳烯基；經取代或未經取代之烷基伸芳基；經取代或未經取代之二價胺基；經取代或未經取代之二價芳烷基胺基；經取代或未經取代之二價芳基胺基；經取代或未經取代之伸芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，L為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：直接鍵；經取代或未經取代之二價胺基；經取代或未經取代之二價芳基胺基；經取代或未經取代之伸芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，L為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：直接鍵；經芳基取代之二價胺基；二價芳基胺基；經胺基或烷基取代之伸芳基；以及雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，L為以下化學式中的任一者。
根據本說明書中之一個例示性實施例，Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；鹵基；腈基；硝基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；經芳基取代之胺基；芳基；經芳基取代之茀基；以及經芳基取代之雜環基。
根據本說明書中之一個例示性實施例，L、Ar1以及Ar2可與相鄰基團組合而形成經取代或未經取代之環。
更特定言之，Ar1與Ar2可彼此組合而形成經取代或未經取代之環。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，Ar1與Ar2彼此組合而形成的經取代或未經取代之環為以下化學式中的任一者。
R4至R9各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基。
a為整數1至10，以及 b至e各自為整數1至8。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R4至R9各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；以及經取代或未經取代之芳基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R4至R9各自獨立地由烷基以及芳基所構成的族群中選出。
另外，L與Ar1或Ar2可彼此組合而形成經取代或未經取代之環。在此情況下，L與Ar1或Ar2彼此組合而形成的經取代或未經取代之環為以下化學式中的任一者。
R10至R15各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基， Ar3為Ar1或Ar2， f為整數1至9，以及 g至j各自為整數1至7。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R10至R15各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；以及經取代或未經取代之芳基。
另外，根據本說明書中之一個例示性實施例，R10至R15各自獨立地由烷基以及芳基所構成的族群中選出。
根據本說明書中之一個例示性實施例，化學式1中的n及m各自為整數0至6，o+s為整數1至4，且s為整數1至4。
當n或m為0時，R1或R2的取代基不存在，且其中n或m為0的情況意謂僅經氫取代。另外，在核心結構之右底部苯環中，R3及L可以經取代，且其取代基之數目可不超過4。另外，L意謂至少一或多個取代基經取代，且其中s為4或大於4的情況意謂L在取代基可位於的所有位置經取代，且R3不存在。
根據本說明書中之一個例示性實施例，本發明化合物為以下化學式中的任一者。
本說明書中的一個例示性實施例提供一種有機發光元件，其包含：第一電極；面向第一電極設置之第二電極；以及設置於第一電極與第二電極之間的一或多個有機材料層，其中有機材料層中之一或多個層包含以化學式1表示之化合物。
本說明書中之有機發光元件的有機材料層亦可由單層結構組成，但可由兩個或超過兩個有機材料層堆疊之多層結構組成。舉例而言，本發明的有機發光元件可具有包含電洞產生層、電洞傳輸層、電洞緩衝層、發光層及其類似層作為有機材料層的結構。然而，有機發光元件之結構不限於此，且可包含較少數目個有機層。
根據本說明書中之一個例示性實施例，有機材料層包括電洞產生層、電洞傳輸層、電洞緩衝層或同時產生且傳輸電洞的層，且電洞產生層、電洞傳輸層、電洞緩衝層或同時產生且傳輸電洞的層可包含以化學式1表示之化合物。
根據另一例示性實施例，有機材料層可包含發光層，且發光層可包含以化學式1表示之化合物。
根據另一個例示性實施例，有機發光元件可為具有以下結構（普通型）之有機發光元件：正電極、一或多個有機材料層以及負電極依序堆疊在基板上。
根據另一個例示性實施例，有機發光元件可為具有逆向結構（顛倒型）之有機發光元件，負電極、一或多個有機材料層以及正電極依序堆疊在基板上。
本說明書中的有機發光元件可具有如下文所述的堆疊結構，但不限於此。 （1）第一電極/電洞傳輸層/發光層/第二電極 （2）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/第二電極 （3）第一電極/電洞注入層/電洞緩衝層/電洞傳輸層/發光層/第二電極 （4）第一電極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第二電極 （5）第一電極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （6）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第二電極 （7）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （8）第一電極/電洞注入層/電洞緩衝層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第二電極 （9）第一電極/電洞注入層/電洞緩衝層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （10）第一電極/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電子傳輸層/第二電極 （11）第一電極/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （12）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電子傳輸層/第二電極 （13）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （14）第一電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/第二電極 （15）第一電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極 （16）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/第二電極 （17）第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極
第一電極為注入電洞的電極，且第一電極所用的材料通常可以是具有較大功以便使電洞順利注入有機材料層中的材料。可用於本發明中的正電極材料之特定實例包含：金屬，諸如釩、鉻、銅、鋅以及金或其合金；金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（ITO）以及氧化銦鋅（IZO）；金屬與氧化物之組合，諸如ZnO:Al或SnO2 :Sb；導電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩]（PEDOT）、聚吡咯及聚苯胺以及其類似物，但不限於此。
電洞注入層可用於使電洞自第一電極順利注入發光層中。電洞注入層可包含以化學式1表示之化合物。在此情況下，電洞注入層亦可以僅由以化學式1表示之化合物組成，但以化學式1表示之化合物可以混合態或摻雜態存在於所屬領域中已知之用於電洞注入層的其他材料中。以化學式1表示之化合物亦可以佔電洞注入層之100%，但亦可以0.1 wt%至50 wt%之量摻雜。以化學式1表示之化合物為具有茚並茀結構的衍生物且具有極佳的電子接受能力，且因此可以改善功耗且降低驅動電壓。電洞注入層可以具有1 nm至150 nm的厚度。在此，當電洞注入層具有1 nm或大於1 nm的厚度時，優點在於可以防止電洞注入特徵退化，且當電洞注入層具有150 nm或小於150 nm的厚度時，優點在於電洞注入層厚度夠厚以致可以防止驅動電壓增大，從而改善電洞的移動。作為用於電洞注入層的其他材料，可使用所屬領域中已知的電洞注入材料。舉例而言，作為電洞注入層材料，可使用由以下各者所構成的族群中選出之任一者或多者：銅酞菁（CuPc）、聚(3,4)-伸乙二氧基噻吩（PEDOT）、聚苯胺（PANI）以及N,N-二萘基-N,N'-二苯基聯苯胺（NPD），但材料不限於此。
電洞傳輸層可以用於順利地傳輸電洞。電洞傳輸層可包含以化學式1表示之化合物。在此情況下，電洞傳輸層亦可以僅由以化學式1表示之化合物組成，但以化學式1表示之化合物可以混合態或摻雜態存在於所屬領域中已知之用於電洞傳輸層的其他材料中。以化學式1表示之化合物亦可以佔電洞傳輸層之100%，但亦可以0.1 wt%至50 wt%之量摻雜。作為用於電洞傳輸層的其他材料，可以使用所屬領域中已知的電洞傳輸材料。舉例而言，電洞傳輸層可以由選自由以下各者所構成的族群中之一或多者組成：N,N-二萘基-N,N'-二苯基聯苯胺（NPD）、N,N'-雙-(3-甲基苯基)-N,N'-雙-(苯基)-聯苯胺（TPD）、s-TAD以及4,4',4"-參(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺基)-三苯胺（MTDATA），但所述材料不限於此。電洞傳輸層材料之實例包含三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷衍生物、吡唑啉衍生物及二氫吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、經胺基取代之查耳酮（chalcone）衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、矽氮烷衍生物、聚矽烷類共聚物、苯胺類共聚物、導電高分子寡聚物（特別指噻吩寡聚物）及其類似物。
電洞緩衝層可以另外設置於電洞注入層與電洞傳輸層之間。電洞緩衝層可包含以化學式1表示之化合物，且可包含所屬領域中已知的其他電洞注入或傳輸材料。即使當電洞緩衝層包含以化學式1表示之化合物時，電洞緩衝層亦可以僅由以化學式1表示之化合物組成，但可以在混有或摻有另一種主體材料與以化學式1表示之化合物的狀態下形成。
電子阻擋層可以設置於電洞傳輸層與發光層之間，且可以使用以化學式1表示之化合物或所屬領域中已知的材料。
發光層可以發射紅光、綠光和/或藍光，且可以由磷光材料或螢光材料組成。作為發光層材料，可以使用所屬領域中公開已知的彼等物。作為發光主體材料，可以使用哢唑聯苯（CBP）或1,3-雙(哢唑-9-基)（mCP），但所述材料不限於此。
當發光層發射紅光時，作為發光摻雜劑，可使用磷光材料，諸如雙(1-苯基異喹啉)乙醯基丙酮酸銥（PIQIr(acac)）、雙(1-苯基喹啉)乙醯基丙酮酸銥（PQIr(acac)）、參(1-苯基喹啉)銥（PQIr），或八乙基卟啉鉑（PtOEP）；或螢光材料，諸如參(8-羥基喹啉)鋁（Alq3 ），但所述發光摻雜劑不限於此。當發光層發射綠光時，作為發光摻雜劑可使用磷光材料，諸如面式三(2-苯基吡啶)銥（Ir(ppy)3 ），或螢光材料，諸如參(8-羥基喹啉)鋁（Alq3 ），但發光摻雜劑不限於此。當發光層發射藍光時，作為發光摻雜劑，可使用磷光材料，諸如(4,6-F2 ppy)2 Irpic；或螢光材料，諸如螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯（DSB）、二苯乙烯基伸芳基（DSA）、PFO類聚合物或PPV類聚合物，但發光摻雜劑不限於此。
電洞阻擋層可以設置於電子傳輸層與發光層之間，且可以使用所屬領域中已知的材料。
電子傳輸層可以用於順利地傳輸電子。可以使用所屬領域中已知的材料，諸如參(8-羥基喹啉)鋁（Alq3 ）、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq以及SAlq。電子傳輸層可以具有1 nm至50 nm的厚度。在此，當電子傳輸層具有1 nm或大於1 nm的厚度時，優點在於可以防止電子傳輸特徵退化，且當電子傳輸層具有50 nm或小於50 nm的厚度時，優點在於電子傳輸層厚度夠厚以致可以防止驅動電壓增大，從而改善電子的移動。
電子注入層可以用於順利地注入電子。電子注入層可以由所屬領域中已知的有機材料組成，諸如參(8-羥基喹啉)鋁（Alq3 ）、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq或者錯合物或金屬化合物。作為金屬化合物，可以使用金屬鹵化物，且例如可以使用LiQ、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2 、MgF2 、CaF2 、SrF2 、BaF2 以及RaF2 及其類似物。電子注入層可以具有1 nm至50 nm的厚度。在此，當電子注入層具有1 nm或大於1 nm的厚度時，優點在於可以防止電子注入特徵退化，且當電子注入層具有50 nm或小於50 nm的厚度時，優點在於電子注入層厚度夠厚以致可以防止驅動電壓增大，從而改善電子的移動。
第二電極為電子注入電極，且通常可以是具有較小功函數的材料，以便順利地將電子注入有機材料層中。負電極材料之特定實例包含：金屬，諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛或其合金；多層結構材料，諸如LiF/Al或LiO2 /Al，及其類似物，但不限於此。
本說明書中之有機發光元件可以藉由所屬領域中已知的材料及方法製造，但有機材料層中之一或多個層包含本說明書中之化合物，亦即以化學式1表示之化合物。
當有機發光元件包含多個有機材料層時，有機材料層可由相同材料或不同材料形成。
本發明之有機發光元件可藉由所屬領域中已知之材料及方法製造，但有機材料層中之一或多個層包含化學式1之化合物，亦即由化學式1表示之化合物。
舉例而言，本說明書中的有機發光元件可藉由將第一電極、有機材料層以及第二電極依次堆疊於基板上來製造。在此情況下，有機發光元件可以藉由使用物理氣相沉積（physical vapor deposition；PVD）方法（諸如濺鍍或電子束蒸發）以下述方法製造：將具有導電性之金屬或金屬氧化物或其合金沉積於基板上以形成正電極，在所述基板上形成包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層的有機材料層，且接著將可用作負電極之材料沉積於其上。除如上所述之方法以外，有機發光元件可藉由在基板上依序沉積負電極材料、有機材料層以及正電極材料來製造。
另外，製造有機發光元件時，以化學式1表示之化合物不僅可藉由真空沉積法，且亦可藉由溶液塗覆法形成有機材料層。在此，溶液塗覆方法意謂旋塗、浸塗、刀片刮抹、噴墨印刷、絲網印刷、噴霧方法、滾塗法以及其類似方法，但不限於此。
除上述方法以外，有機發光元件亦可藉由在基板上依序沉積負電極材料、有機材料層以及正電極材料製造（國際公開案第2003/012890號）。然而，製造方法不限於此。
根據本說明書中之一個例示性實施例，第一電極可以是正電極，且第二電極可以是負電極。
根據另一個例示性實施例，第一電極可以是負電極，且第二電極可以是正電極。
電洞注入材料為自電極注入電洞之層，且較佳為具有傳輸電洞之能力的化合物，且因此具有在正電極注入電洞之作用以及將電洞注入發光層或發光材料的極佳作用，防止由發光層產生之激子移動至電子注入層或電子注入材料，且形成薄膜之能力亦極佳。電洞注入材料之特定實例包含金屬卟啉、寡聚噻吩、芳胺類有機材料、己腈六氮雜聯伸三苯類有機材料、喹吖啶酮類有機材料、苝類有機材料、蒽醌、聚苯胺以及聚噻吩類導電聚合物以及其類似物，但不限於此。
電洞傳輸層為接收來自電洞注入層之電洞且將電洞傳輸至發光層之層，且電洞傳輸材料宜為可接收自正電極或電洞注入層傳輸之電洞以將電洞轉移至發光層之材料，且所述材料具有較大的電洞遷移率。其特定實例包含芳基胺類有機材料、導電聚合物、共軛部分與非共軛部分共同存在之嵌段共聚物以及其類似物，但不限於此。
發光材料較佳為可以接收分別自電洞傳輸層及電子傳輸層傳輸之電洞及電子且供電洞與電子結合以在可見光線區域中發光的材料，且所述材料對螢光或磷光具有良好的量子效率。其特定實例包含：8-羥基-喹啉鋁錯合物（Alq3 ）；哢唑類化合物；二聚苯乙烯基化合物；BAlq；10-羥基苯並喹啉-金屬化合物；苯並噁唑、苯並噻唑以及苯並咪唑類化合物；聚(對伸苯基伸乙烯基（poly(p-phenylenevinylene)；PPV）類聚合物；螺環接化合物；聚茀、紅螢烯（lubrene）以及其類似物，但不限於此。
發光層可包含主體材料及摻雜材料。主體材料之實例包含稠合芳族環衍生物或含雜環化合物以及其類似物。稠合芳族環衍生物之特定實例包含蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、稠五苯（pentacene）衍生物、菲化合物、丙二烯合茀（fluoranthene）化合物以及其類似物，且含雜環化合物之特定實例包含哢唑衍生物、二苯並呋喃衍生物、梯型呋喃（ladder-type furan）化合物、嘧啶衍生物以及其類似物，但其實例不限於此。
摻雜材料之實例含有芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼複合物、丙二烯合茀化合物、金屬錯合物以及其類似物。特定言之，芳族胺衍生物為具有經取代或未經取代之芳基胺基之稠合芳族環衍生物，且其實例包含芘、蒽、屈、二茚並芘（periflanthene）以及具有芳基胺基之類似物，且苯乙烯基胺化合物為經取代或未經取代之芳胺經至少一個芳基乙烯基取代之化合物；以及一或兩個或超過兩個由以下所構成之族群中選出的經取代或未經取代的取代基：芳基、矽烷基、烷基、環烷基以及芳胺基。其特定實例包含苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺以及其類似物，但不限於此。此外，金屬錯合物之實例包含銥錯合物、鉑錯合物以及其類似物，但不限於此。
電子傳輸材料為接收來自電子注入層之電子且將電子傳輸至發光層之材料，且電子傳輸材料宜為可良好地注入來自負電極之電子且可將電子轉移至發光層且具有較大電子遷移率的材料。其特定實例包含：8-羥基喹啉之Al錯合物；包含Alq3 之錯合物；有機基團化合物；羥基黃酮-金屬錯合物以及其類似物，但不限於此。電子傳輸層可與任何所需陰極材料一起使用，如根據相關技術所用。特定而言，適當的陰極材料實例為具有低功函數之典型材料，繼之為鋁層或銀層。其特定實例包含銫、鋇、鈣、鐿以及釤，在每種情況下，繼之為鋁層或銀層。
電子注入層為自電極注入電子之層，且較佳為具有傳輸電子之能力的化合物，且具有自負電極注入電子之作用及將電子注入發光層或發光材料中之極佳作用，防止由發光層產生之激子移動至電洞注入層，且形成薄膜的能力亦極佳。其特定實例包含茀酮、蒽醌二甲烷、聯苯醌、硫代呱喃二氧化物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、苝四甲酸、亞茀基甲烷、蒽酮以及其類似物及其衍生物、金屬錯合物化合物、含氮之5員環衍生物以及其類似物，但不限於此。
金屬錯合物化合物之實例含有8-羥基喹啉根基鋰、雙(8-羥基喹啉根基)鋅、雙(8-羥基喹啉根基)銅、雙(8-羥基喹啉根基)錳、三(8-羥基喹啉根基)鋁、三(2-甲基-8-羥基喹啉根基)鋁、三(8-羥基喹啉根基)鎵、雙(10-羥基苯並[h]喹啉根基)鈹、雙(10-羥基苯並[h]喹啉根基)鋅、雙(2-甲基-8-喹啉根基)氯鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(鄰甲酚根基)鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(1-萘酚根基)鋁、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(2-萘酚根基)鎵以及其類似化合物，但不限於此。
根據待使用之材料，根據本說明書之有機發光元件可為頂部發射型、底部發射型或雙重發射型。
下文中，本說明書中所述的例示性實施例將舉例說明。然而，提供以下實例僅舉例說明本發明，而非旨在限制本發明之範疇。製備實例 1 （化合物 1 至 3 的 合成 ） A1的合成
將1-萘酚（22.26 g，154.4 mmol）以及2-溴茀（20 g，77.2 mmol）添加至1,2-二氯苯（300 ml）中，且接著向其中添加甲烷磺酸（10 ml），且加熱所得混合物且在160℃攪拌24小時。將溫度降至常溫，終止反應，且接著所得產物用氯仿以及水萃取，且接著用四氫呋喃以及乙酸乙酯再結晶，製得化合物A1（31.6 g，產率80%）。 MS[M+H]+ = 512.42製備實例 1-1 （化合物 1 的合成）
將A1（10 g，19.55 mmol）、二([1,1'-聯苯]-4-基)胺（6.47 g，20.14 mmol）以及第三丁醇鈉（2.6 g，27.4 mmol）投入甲苯中，且加熱所得混合物且攪拌且接著回流，且向其中投入[雙(三-第三丁基膦)]鈀（200 mg，2 mmol%）。將溫度降低至常溫，終止反應，且所得產物接著藉由使用氯仿及乙酸乙酯再結晶，製得化合物1。 MS[M+H]+ = 752.94製備實例 1-2 （化合物 2 的合成）
藉由以與化合物1之合成相同之方式進行合成來製備化合物2，但使用N-([1,1'-二苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺替代二([1,1'-聯苯]-4-基)胺。 MS[M+H]+ = 793.00製備實例 1-3 （化合物 3 的合成）
藉由以與化合物1之合成相同之方式進行合成來製備化合物3，但使用N-([1,1'-二苯基]-4-基)-[1,1':2',1"-聯三苯]-4-胺替代二([1,1'-聯苯]-4-基)胺。 MS[M+H]+ = 824.03製備實例 2 （化合物 4 及化合物 5 的 合成） A2的合成
藉由以與A1之合成相同之方式進行合成來製備化合物A2，但使用3-溴茀替代化合物2-溴茀。 MS[M+H]+ = 512.42製備實例 2-1 （化合物 4 的合成）
將A2（10 g，19.55 mmol）、N-([1,1'-二苯基]-4-基)二苯并[b,d]呋喃-2-胺（6.75 g，20.14 mmol）以及第三丁醇鈉（2.6 g，27.4 mmol）投入甲苯中，且加熱所得混合物且攪拌且接著回流，且向其中投入[雙(三-第三丁基膦)]鈀（200 mg，2 mmol%）。將溫度降低至常溫，終止反應，且所得產物接著藉由使用氯仿及乙酸乙酯再結晶，製得化合物4。 MS[M+H]+ = 766.91製備實例 2-2 （化合物 5 的合成）
藉由以與化合物4之合成相同之方式進行合成來製備化合物5，但使用N-苯基-[1,1,4',1"-聯三苯]-4-胺替代N -([1,1'-二苯基]-4-基)二苯并[b,d]呋喃-2-胺。 MS[M+H]+ = 752.93製備實例 3 （化合物 6 至 8 的合成） A3的合成
藉由以與A1之合成相同之方式進行合成來製備化合物A3，但使用4-溴茀替代化合物2-溴茀。 MS[M+H]+ = 512.42製備實例 3-1 （化合物 6 的合成）
將A3（10 g，19.55 mmol）、二([1,1'-聯苯]-4-基)胺（6.47 g，20.14 mmol）以及第三丁醇鈉（2.6 g，27.4 mmol）投入甲苯中，且加熱所得混合物且攪拌且接著回流，且向其中投入[雙(三-第三丁基膦)]鈀（200 mg，2 mmol%）。將溫度降低至常溫，終止反應，且所得產物接著藉由使用氯仿及乙酸乙酯再結晶，製得化合物6。 MS[M+H]+ = 752.94製備實例 3-2 （化合物 7 的合成）
藉由以與化合物5之合成相同之方式進行合成來製備化合物7，但使用N-([1,1'-二苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺替代二([1,1'-聯苯]-4-基)胺。 MS[M+H]+ = 793.00製備實例 3-3 （化合物 8 的合成）
藉由以與化合物5之合成相同之方式進行合成來製備化合物8，但使用N-([1,1'-二苯基]-4-基)萘-2-胺替代二([1,1'-聯苯]-4-基)胺。 MS[M+H]+ = 726.89實例 1
將具有1,000 Å厚度之氧化銦錫（ITO）薄塗層的玻璃基板（康寧7059（Corning 7059）玻璃）投入溶解有分散劑之蒸餾水中，且進行超音波洗滌。使用費歇爾公司（Fischer Co.）製造之產品作為清潔劑，且使用密理博公司（Millipore Co.）製造之過濾器過濾兩次之蒸餾水用作蒸餾水。在洗滌ITO 30分鐘之後，使用蒸餾水，重複執行超音波洗滌兩次，歷時10分鐘。使用蒸餾水洗滌完成之後，使用異丙醇、丙酮以及甲醇溶劑以此順序進行超音波洗滌，且接著進行乾燥。
使己腈六氮雜聯伸三苯熱真空沉積於上述方法製備之透明ITO電極上直至具有500 Å之厚度，從而形成電洞注入層。製備實例1-1中所合成之化合物1（300 Å）（其為電洞傳輸材料）在其上真空沉積，且接著在電洞傳輸層上依序真空沉積HT2直至具有100 Å的膜厚度，從而形成電洞調節層。作為化合物發光層，真空沉積主體H1與摻雜劑D1（25:1）之化合物直至具有300 Å的厚度。且接著熱真空沉積E1化合物（300 Å）作為電子注入及傳輸層。負電極是藉由在電子注入及傳輸層上依序沉積氟化鋰（LiF）及鋁直至分別具有12 Å及2,000 Å的厚度而形成，從而製成有機發光元件。
在前述程序中，有機材料、氟化鋰以及鋁之沉積速率分別維持在1 Å/sec、0.2 Å/sec以及3至7 Å/sec。 [己腈六氮雜聯伸三苯]    [HT1] [HT1]                  [HT2] [E1]                   [D1] 實例 2
以與實例1相同之方式進行實驗，但使用化合物2替代化合物1作為電洞傳輸層。實例 3
以與實例1相同之方式進行實驗，但使用化合物3替代化合物1作為電洞傳輸層。實例 4
以與實例1相同之方式進行實驗，但使用化合物4替代化合物1作為電洞傳輸層。實例 5
以與實例1相同之方式進行實驗，但使用化合物5替代化合物1作為電洞傳輸層。比較例 1
以與實例1相同之方式進行實驗，但使用HT1替代化合物1作為電洞傳輸層。
使用各種化合物作為電洞傳輸層材料（如實例1至實例5以及比較例1）所製造之有機發光裝置的實驗結果顯示於表1中。 [表1]
如表1中可見實例1至實例5中所用的化合物在有機發光元件中用作電洞傳輸層，且與為聯苯胺型材料的比較例1相比，其展現較低的電壓以及較高的效率特徵。實例 6
將具有1,000 Å厚度之氧化銦錫（ITO）薄塗層的玻璃基板（康寧7059玻璃）投入其中溶解有分散劑之蒸餾水中，且進行超音波洗滌。使用費歇爾公司製造之產品作為清潔劑，且使用密理博公司製造之過濾器過濾兩次之蒸餾水用作蒸餾水。在洗滌ITO 30分鐘之後，使用蒸餾水，重複執行超音波洗滌兩次，歷時10分鐘。使用蒸餾水洗滌完成之後，使用異丙醇、丙酮以及甲醇溶劑以此順序進行超音波洗滌，且接著進行乾燥。
使己腈六氮雜聯伸三苯熱真空沉積於以上述方法製備之透明ITO電極上直至具有500 Å之厚度，從而形成電洞注入層。在其上真空沉積製備實例2-1中所合成的HT1（300 Å）（其為電洞傳輸材料），且接著在電洞傳輸層上依序真空沉積化合物6直至具有100 Å之薄膜厚度，從而形成電洞調節層。作為化合物發光層，真空沉積主體H1與摻雜劑D1（25:1）之化合物直至具有300 Å的厚度。且接著熱真空沉積E1化合物（300 Å）作為電子注入及傳輸層。負電極是藉由在電子注入及傳輸層上依序沉積氟化鋰（LiF）及鋁直至分別具有12 Å及2,000 Å的厚度而形成，從而製成有機發光元件。
在前述程序中，有機材料、氟化鋰以及鋁之沉積速率分別維持在1 Å/sec、0.2 Å/sec以及3至7 Å/sec。 [己腈六氮雜聯伸三苯]       [HT1] [HT1]                    [HT2] [E1]                     [D1] 實例 7
以與實例6相同之方式進行實驗，但使用化合物7替代化合物6作為電洞調節層。實例 8
以與實例6相同之方式進行實驗，但使用化合物8替代化合物6作為電洞調節層。比較例 2
以與實例6相同之方式進行實驗，但使用[HT2]替代化合物6作為電洞調節層。 [表2]
如表2中可見實例6至實例8中所用的化合物在有機發光元件中用作電洞調節層，且與比較例2相比，其展現較低的電壓以及較高的效率特徵。
根據本發明之化學式的化合物衍生物可以用於在有機電子元件（包含有機發光元件）中傳輸以及調節電洞，且根據本發明之元件在效率、驅動電壓以及穩定性方面展現極佳特徵。
無
無
無

Claims (13)

  1. 一種化合物，其由以下化學式1表示： [化學式1]R1至R3各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；鹵基；腈基；硝基；羥基；羰基；酯基；醯亞胺基；胺基；經取代或未經取代之矽烷基；經取代或未經取代之硼基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之芳氧基；經取代或未經取代之烷基硫醇基；經取代或未經取代之芳基硫醇基；經取代或未經取代之烷基硫氧基；經取代或未經取代之芳基硫氧基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之芳烷基；經取代或未經取代之芳烯基；經取代或未經取代之烷基芳基；經取代或未經取代之芳烷基胺基；經取代或未經取代之芳基胺基；經取代或未經取代之芳基膦基；經取代或未經取代之氧化膦基團；經取代或未經取代之芳基；以及經取代或未經取代之雜環基， L1至L3為直接鍵；或二價鍵聯基團， Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：氫；氘；鹵基；腈基；硝基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基， L1至L3、Ar1及Ar2視情況可與相鄰基團組合而形成經取代或未經取代之環， n及m各自為整數0至6， o+s為整數1至4，以及 s、p以及q為整數1至4。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中L1至L3為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：直接鍵；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸環烷基；經取代或未經取代之伸烯基；經取代或未經取代之伸芳烷基；經取代或未經取代之伸芳烯基；經取代或未經取代之烷基伸芳基；經取代或未經取代之二價胺基；經取代或未經取代之二價芳烷基胺基；經取代或未經取代之二價芳基胺基；經取代或未經取代之伸芳基；以及經取代或未經取代之雜環基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中L1至L3為以下化學式中的任一者：。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中Ar1及Ar2各自獨立地為由以下各者所構成的族群中選出之任一者：經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中Ar1與Ar2彼此組合而形成的所述經取代或未經取代之環為以下化學式中的任一者：R4至R9各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基， a為整數1至10，以及 b至e各自為整數1至8。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中L1至L3與Ar1或Ar2彼此組合而形成的所述經取代或未經取代之環為以下化學式中的任一者：R10至R15各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之芳基；經取代或未經取代之茀基；以及經取代或未經取代之雜環基， Ar3為Ar1或Ar2， f為整數1至9，以及 g至j各自為整數1至7。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中所述化合物為以下化學式中的任一者： 。
  8. 一種有機發光元件，含有： 第一電極； 第二電極，面向所述第一電極設置；以及 一或多個有機材料層，設置於所述第一電極與所述第二電極之間， 其中所述一或多個有機材料層中的一或多個層含有如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的化合物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光元件，其中所述一或多個有機材料層是由單獨的所述化合物組成或由經摻雜的所述化合物組成。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光元件，其中所述一或多個有機材料層為電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層或電子注入層。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光元件，其中所述一或多個有機材料層為同時注入電洞且傳輸電洞的層。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光元件，其中所述一或多個有機材料層為同時傳輸電子且注入電子的層。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光元件，其中所述一或多個有機材料層為發光層。
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