TWI648279B - 具有螺環結構之化合物與包含其之有機發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種具有螺環結構之化合物與包含其之有機發光裝置。
Description
本發明主張2015年11月17日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)申請之韓國專利申請案第10-2015-0161415號之優先權及權益,所述申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明是關於一種具有螺環結構之化合物及包括其之有機發光裝置。
一般而言,有機發光現象是指藉由使用有機材料將電能轉化成光能之現象。使用有機發光現象之有機發光裝置通常具有包含正電極、負電極以及插入於其間之有機材料層的結構。此處,有機材料層可具有由不同材料組成之多層結構以在許多情況下改良有機發光裝置之功效及穩定性,且例如可由電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及其類似物組成。在有機發光裝置之結構中,若在兩個電極之間施加電壓,則電洞自正電極注入有機材料層中且電子自負電極注入有機材料層中,且當所注入之電洞與電子彼此相遇時,形成激子,且在激子再次降低至基態時發光。
不斷地需要研發用於前述有機發光裝置之新穎材料。 [引用清單] [專利文獻]
韓國專利申請案特許公開第2000-0051826號之官方公報
本發明描述一種具有螺環結構之化合物與包含其之有機發光裝置。
本發明之一例示性實施例提供由以下化學式1表示之化合物: [化學式1]在化學式1中, Y為O、S或SiR11
R12
, X為NAr、O或S,且 R1
至R8
以及Ar彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;氘;鹵基;腈基;硝基;羥基;羰基;酯基;醯亞胺基;胺基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之硼基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之環烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳氧基;經取代或未經取代之烷基硫醇基;經取代或未經取代之芳基硫醇基;經取代或未經取代之烷基硫氧基;經取代或未經取代之芳基硫氧基;經取代或未經取代之烯基;經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基,且或者可鍵結於相鄰基團以形成環,R11與R12彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;氘;經取代或未經取代之烷基;或經取代或未經取代之芳基,p、s、r以及u各自為0至4之整數,q為0至3之整數,t為0至2之整數,且當p、q、r、s、t以及u各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的R3、R4、R5、R6、R7及R8中的每一者彼此相同或不同。
此外,本發明之一例示性實施例提供一種有機發光裝置,包含:第一電極;經安置以面向第一電極之第二電極;以及安置於第一電極與第二電極之間的具有一或多個層的有機材料層,其中有機材料層之一或多個層包含化學式1之化合物。
本發明中所述之化合物可用作有機發光裝置之有機材料層的材料。根據本發明之至少一個例示性實施例的化合物可在有機發光裝置中改良效率,達成低驅動電壓及/或改良使用壽命特徵。詳言之,本發明中所述之化合物可用作用於電洞注入、電洞傳輸、光發射、電子傳輸、電子阻擋或電子注入之材料。另外,除有機發光裝置以外,本發明中所述之化合物可用作用於有機太陽能電池或有機電晶體之材料。
[本發明之模式]在下文中,將更詳細地描述本發明。
下文將描述取代基之實例,但不限於此。
在本發明中,術語「經取代或未經取代」意謂未經取代或經一或多個由以下基團組成之族群中選出的取代基取代:氘;鹵基;腈基;硝基;羥基;羰基;酯基;醯亞胺基;胺基;氧化膦基團;烷氧基;芳氧基;烷基硫醇基;芳基硫醇基;烷基硫氧基;芳基硫氧基;矽烷基;硼基;烷基;環烷基;烯基;芳基;芳烷基;芳烯基;烷芳基;烷基胺基;芳烷基胺基;雜芳基胺基;芳胺基;芳基膦基;以及雜環基,且或者未經取代或經以上例示之取代基中之兩個或多於兩個取代基所連接的取代基取代。舉例而言,「兩個或多於兩個取代基所連接的取代基」可為經雜芳基取代之芳基。
在本發明中,羰基之碳原子數目不受特別限制,但較佳為1至40。特定言之,羰基可為具有以下結構之化合物,但不限於此。
在本發明中,對於酯基,酯基之氧可經具有1個至25個碳原子之直鏈基團、分支鏈基團或環烷基或具有6個至25個碳原子之芳基取代。特定言之,酯基可為具有以下結構式之化合物,但不限於此。
在本發明中,醯亞胺基之碳原子數目不受特別限制,但較佳為1至25。特定言之,醯亞胺基可為具有以下結構之化合物,但不限於此。
在本發明中,矽烷基可由化學式-SiRR'R"表示,且R、R'以及R"可各自為氫;經取代或未經取代之烷基;或經取代或未經取代之芳基。矽烷基之特定實例包含(但不限於)三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、三苯基矽烷基、二苯基矽烷基、苯基矽烷基以及其類似基團。
在本發明中,硼基可由式-BRR'表示,且R及R'可各自為氫;經取代或未經取代之烷基;或經取代或未經取代之芳基。硼基之特定實例包含(但不限於)三甲基硼基、三乙基硼基、第三丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基以及其類似基團。
在本發明中,鹵基之實例包含氟、氯、溴或碘。
在本發明中,烷基可為直鏈或分支鏈,且其碳原子數不受特別限制,但較佳為1至40。根據一例示性實施例,烷基之碳原子數為1至20。根據另一例示性實施例,烷基之碳原子數為1至10。根據又一例示性實施例,烷基之碳原子數為1至6。烷基之特定實例包含(但不限於)甲基、乙基、丙基、正丙基、異丙基、丁基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、環戊基甲基、環己基甲基、辛基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、異己基、4-甲基己基、5-甲基己基以及其類似基團。
在本發明中,烯基可為直鏈或分支鏈,且其碳原子數不受特別限制,但較佳為2至40。根據一例示性實施例,烯基之碳原子數為2至20。根據另一例示性實施例,烯基之碳原子數為2至10。根據又一例示性實施例,烯基之碳原子數為2至6。其特定實例包含(但不限於)乙烯基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-雙(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、芪基(stilbenyl group)、苯乙烯基以及其類似基團。
在本發明中,環烷基不受特別限制,但較佳具有3個至60個碳原子,且根據一例示性實施例,環烷基之碳原子數為3至30。根據另一例示性實施例,環烷基之碳原子數為3至20。根據又一例示性實施例,環烷基之碳原子數為3至6。其特定實例包含(但不限於)環丙基、環丁基、環戊基、3-甲基環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、3-甲基環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲環已基、4-第三丁基環己基、環庚基、環辛基以及其類似基團。
在本發明中,烷氧基不受特別限制,但較佳具有1個至40個碳原子。根據一例示性實施例,烷氧基之碳原子數為1至10。根據另一例示性實施例,烷氧基之碳原子數為1至6。烷氧基之特定實例包含(但不限於)甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基、戊氧基、異戊氧基、己氧基以及其類似基團。
在本發明中,胺基之碳原子數不受特別限制,但較佳為1至30。胺基之特定實例包含(但不限於)甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、苯胺基、萘胺基、聯苯胺基、蒽胺基、9-甲基-蒽胺基、二苯胺基、苯基萘胺基、二甲苯胺基、苯基甲苯胺基、三苯胺基以及其類似基團。
在本發明中,芳胺基之實例包含經取代或未經取代之單芳基胺基、經取代或未經取代之二芳基胺基或經取代或未經取代之三芳基胺基。芳胺基中之芳基可為單環芳基,且可為多環芳基。包含兩個或多於兩個芳基之芳胺基可包含單環芳基、多環芳基或單環芳基及多環芳基兩者。芳胺基之特定實例包含(但不限於)苯胺、萘胺、聯苯胺、蒽胺、3-甲基-苯胺、4-甲基-萘胺、2-甲基-聯苯胺、9-甲基-蒽胺、二苯胺基、苯基萘胺基、二甲苯胺基、苯基甲苯胺基、咔唑、三苯胺基以及其類似基團。
在本發明中,雜芳基胺基之實例包含經取代或未經取代之單雜芳基胺基、經取代或未經取代之二雜芳基胺基或經取代或未經取代之三雜芳基胺基。雜芳基胺基中之雜芳基可為單環雜環基,且可為多環雜環基。包含兩個或多於兩個雜環基之雜芳基胺基可包含單環雜環基、多環雜環基或單環雜環基及多環雜環基兩者。
在本發明中,芳基雜芳基胺基意謂經芳基及雜環基取代之胺基。
在本發明中,芳基膦基之實例包含經取代或未經取代之單芳基膦基、經取代或未經取代之二芳基膦基或經取代或未經取代之三芳基膦基。芳基膦基中之芳基可為單環芳基,且可為多環芳基。包含兩個或多於兩個芳基之芳基膦基可包含單環芳基、多環芳基或單環芳基及多環芳基兩者。
在本發明中,芳基不受特別限制,但較佳具有6個至60個碳原子,且可為單環芳基或多環芳基。根據一例示性實施例,芳基之碳原子數為6至30。根據一例示性實施例,芳基之碳原子數為6至20。單環芳基之實例包含(但不限於)苯基、聯苯基、聯三苯基以及其類似基團。多環芳基之實例包含(但不限於)萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、屈基(chrysenyl group)、茀基、聯伸三苯基以及其類似基團。
在本發明中,茀基可經取代,且兩個取代基可彼此鍵結以形成螺環結構。
當茀基經取代時,茀基可為、、、
、、、、,以及其類似基團。然而,茀基不限於此。
在本發明中,雜環基為包含N、O、S、Si以及Se中之一或多者作為雜原子之雜環基,且其碳原子數不受特別限制,但較佳為2至60。雜環基之實例包含(但不限於)噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、聯吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、噠嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、啡啉基、異噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、啡噻嗪基、二苯并呋喃基以及其類似基團。
在本發明中,關於雜環基之上述描述可適用於除芳族雜芳基以外之雜芳基。
在本發明中,關於芳基之上述描述可適用於芳氧基、芳基硫醇基、芳基硫氧基、芳基膦基、芳烷基、芳烷基胺基、芳烯基、烷芳基、芳胺基以及芳基雜芳基胺基中之芳基。
在本發明中,關於烷基之上述描述可適用於烷基硫醇基、烷基硫氧基、芳烷基、芳烷基胺基、烷芳基以及烷基胺基中之烷基。
在本發明中,關於雜環基之上述描述可適用於雜芳基、雜芳基胺基以及芳基雜芳基胺基中之雜芳基。
在本發明中,關於烯基之上述描述可適用於芳烯基中之烯基。
在本發明中,關於芳基之上述描述可適用於除二價伸芳基以外之伸芳基。
在本發明中,關於雜環基之上述描述可適用於除二價伸雜芳基以外之伸雜芳基。
在本發明中,鍵結於相鄰基團以形成環意謂鍵結於相鄰基團以形成經取代或未經取代之脂族烴環;經取代或未經取代之芳族烴環;經取代或未經取代之脂族雜環;經取代或未經取代之芳族雜環;或其稠環。脂族烴環為不為芳族環之環,且為僅由碳原子及氫原子組成之環。芳族烴環之實例包含(但不限於)苯、萘、蒽以及其類似基團。脂族雜環為包含一或多個雜原子之脂族環。芳族雜環為包含一或多個雜原子之芳族環。雜環可包含O、S、Se、N或Si作為雜原子。脂族烴環、芳族烴環、脂族雜環以及芳族雜環可為單環或多環。
根據本發明之一例示性實施例,化學式1可由以下化學式2或化學式3表示。
在化學式2中,Y、X、R5至R8、r、s、t以及u與化學式1中定義之彼等者相同,R9及R10彼此相同或不同,且與化學式1之R1至R8之定義相同,v為0至5之整數,w為0至4之整數,且當v及w各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的R9及R10中的每一者彼此相同或不同。
在化學式3中,Y、X、R3
至R8
、p、q、r、s、t以及u與化學式1中定義之彼等者相同。根據本發明之一例示性實施例,化學式1可由以下化學式4至化學式7中之任一者表示。 [化學式4][化學式5][化學式6][化學式7]
在化學式4及化學式7中,取代基之定義與化學式2中之取代基的定義相同。
根據本發明之一例示性實施例,化學式1可由以下化學式8至化學式11中之任一者表示。 [化學式8][化學式9][化學式10][化學式11]
在化學式8至化學式11中,取代基之定義與化學式1中之取代基的定義相同。
根據本發明之一例示性實施例,X為NAr且Ar由-(L1
)n-Ar1
表示,L1
為直接鍵;經取代或未經取代之伸芳基;或經取代或未經取代之伸雜芳基,n為0至2之整數,且當n為2時,L1
彼此相同或不同,且Ar1
為氫;氘;鹵基;腈基;硝基;羥基;羰基;酯基;醯亞胺基;胺基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之硼基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之環烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳氧基;經取代或未經取代之烷基硫醇基;經取代或未經取代之芳基硫醇基;經取代或未經取代之烷基硫氧基;經取代或未經取代之芳基硫氧基;經取代或未經取代之烯基;經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
為經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基,或鍵結於相鄰基團以形成環,且其他基團為氫或氘。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
為經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基,或鍵結於相鄰基團以形成環,且當這些基團經取代時,取代基為氘、鹵基、腈基、矽烷基、烷基、烷基胺基、芳烷基胺基、雜芳基胺基、芳胺基、芳基雜芳基胺基、芳基膦基、氧化膦基團、芳基或雜環基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
為經取代或未經取代之芳基;經取代或未經取代之雜環基;經取代或未經取代之芳胺基;或經取代或未經取代之芳基膦基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
為芳基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;雜環基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;芳胺基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;或芳基膦基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代。兩個或多於兩個基團所鍵結之基團可為兩個或多於兩個以上所例示之取代基所鍵結之基團,例如經芳基取代之雜芳基、經雜芳基取代之芳基、經芳胺基取代之芳基、經芳基膦基取代之芳基以及其類似基團,且不限於這些實例。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
為芳基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;雜環基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;芳胺基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代;或芳基膦基,其未經取代或經鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團取代,此處鹵基為氟基,烷基為具有1個至20個碳原子(例如1個至6個碳原子)之直鏈烷基或分支鏈烷基,矽烷基為三烷基矽烷基(例如三甲基矽烷基)或三苯基矽烷基,芳基及芳基為苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、菲基、聯伸三苯基、茀基以及螺二茀基,且雜芳基可為吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、喹唑啉基、喹啉基、異喹啉基、噻吩基、苯并喹啉基、啡啉基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、啡噁嗪基、啡噻嗪基或基團A之取代基。 [基團A]
在所述結構式中,任一個碳為用於形成單價基團之鍵聯部分,且其他碳為氫或例如鹵基、腈基、烷基、矽烷基、芳胺基、芳基膦基、芳基以及雜芳基之取代基中之一個或兩個或多於兩個基團所鍵結的基團。
根據本發明之一例示性實施例,Ar1
由以下結構式中選出。
根據本發明之一例示性實施例,L1
為直接鍵;或經取代或未經取代之伸芳基。
根據本發明之一例示性實施例,L1
為直接鍵、經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸聯苯基、經取代或未經取代之伸聯三苯基、經取代或未經取代之伸聯四苯基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之茀、經取代或未經取代之菲、經取代或未經取代之芘或經取代或未經取代之聯伸三苯。
根據本發明之一例示性實施例,L1
為直接鍵、伸苯基、聯伸苯基、伸聯三苯基、伸聯四苯基、伸萘基、伸蒽基、茀、菲、芘或聯伸三苯。
根據本發明之一例示性實施例,L1
可為直接鍵,或可由以下結構式中選出。
根據本發明之一例示性實施例,L1為直接鍵;或伸苯基。
根據本發明之一例示性實施例,n為0或1。
根據本發明之一例示性實施例,R1
至R8
為氫或氘。
根據本發明之一例示性實施例,R11
及R12
各自獨立地為氫;氘;經取代或未經取代之烷基;或經取代或未經取代之芳基。
根據本發明之一例示性實施例,R11
及R12
各自獨立地為經取代或未經取代之烷基。
根據本發明之一例示性實施例,R11
及R12
各自獨立地為具有1個至6個碳原子之烷基。
R11
及R12
各自獨立地為甲基。
根據本發明之一例示性實施例,化學式1之化合物可為由以下化合物中選出之任一者。
由化學式1表示之化合物可基於待於下文描述之製備實例製備。
作為一實例,中間體如在以下反應式1及反應式2中製備。 [反應式1][反應式2]
隨後,化學式1之核心結構可以如在以下反應式3至反應式6中相同之方式製備。 [反應式3][反應式4][反應式5][反應式6]
作為另一實例,中間體如在以下反應式7及反應式8中製備。 [反應式7][反應式8]
隨後,化學式1之核心結構可以如在以下反應式9至反應式12中相同之方式製備。 [反應式9][反應式10][反應式11][反應式12]
隨後,可藉由使用所屬領域中已知之技術另外引入取代基。反應式是關於用於製備其中X為NAr之化合物的方法,但所屬領域中具通常知識者可藉由使用所屬領域中已知之技術或必要時可引入取代基來製備其中X為O或S之化合物,且亦可藉由改變取代基之種類或數目製備各種化合物。此外,所屬領域中具通常知識者可藉由使用所屬領域中已知之技術改變反應式之樣品、反應條件或起始物質進行引入。
此外,本發明提供一種包含由化學式1表示之化合物的有機發光裝置。
本發明之一例示性實施例提供一種有機發光裝置,包含:第一電極;經安置以面向第一電極之第二電極;以及安置於第一電極與第二電極之間的具有一或多個層的有機材料層,其中有機材料層之一或多個層包含化學式1之化合物。
本發明中之有機發光裝置的有機材料層亦可由單層結構組成,但可由其中兩個或超過兩個有機材料層堆疊之多層結構組成。舉例而言,本發明之有機發光裝置可具有包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及其類似層作為有機材料層之結構。然而,有機發光裝置之結構不限於此,且可包含較少數目之有機層。
在本發明之一例示性實施例中,有機材料層包含電洞注入層、電洞傳輸層或同時注入及傳輸電洞之層,且電洞注入層、電洞傳輸層或同時注入及傳輸電洞之層包含化學式1之化合物。
在另一例示性實施例中,有機材料層包含發光層,且發光層包含化學式1之化合物。
在本發明之一例示性實施例中,發光層包含化學式1之化合物且更包含發光摻雜劑。
在另一例示性實施例中,發光摻雜劑包含螢光摻雜劑或磷光摻雜劑。
在又一例示性實施例中,磷光摻雜劑包含銥類磷光摻雜劑。
在又一例示性實施例中,磷光摻雜劑材料包含Ir(ppy)3
或(piq)2
Ir(acac)。
在本發明之一例示性實施例中,有機材料層包含電子傳輸層或電子注入層,且電子傳輸層或電子注入層包含化學式1之化合物。
在本發明之一例示性實施例中,有機材料層包含電子阻擋層,且電子阻擋層包含化學式1之化合物。
在本發明之一例示性實施例中,電子傳輸層、電子注入層或同時傳輸及注入電子之層包含化學式1之化合物。
在另一例示性實施例中,有機材料層包含發光層及電子傳輸層,且電子傳輸層包含化學式1之化合物。
本發明之一個例示性實施例提供一種有機發光裝置,包含:第一電極;經安置以面向第一電極之第二電極;安置於第一電極與第二電極之間的發光層;以及安置於發光層與第一電極之間或發光層與第二電極之間的具有兩個或多於兩個層的有機材料層,其中具有兩個或多於兩個層之有機材料層中之至少一者包含雜環化合物。在一個例示性實施例中,作為具有兩個或多於兩個層之有機材料層,兩者或多於兩者可由以下組成之族群中選出:電子傳輸層、電子注入層、同時傳輸及注入電子之層以及電洞阻擋層。
在本發明之一例示性實施例中,有機材料層包含兩個或多於兩個電子傳輸層,且具有兩個或多於兩個層之電子傳輸層中之至少一者包含雜環化合物。特定言之,在本發明之一例示性實施例中,雜環化合物亦可包含於具有兩個或多於兩個層之電子傳輸層之一個層中,且可包含於具有兩個或多於兩個層之電子傳輸層中之各者中。
此外,在本發明之一例示性實施例中,當雜環化合物包含於具有兩個或多於兩個層之電子傳輸層中之各者中時,除雜環化合物以外之其他材料可彼此相同或不同。
在另一例示性實施例中,有機發光裝置可為具有其中正電極、具有一或多個層的有機材料層以及負電極依序堆疊於基板上之結構(正常類型)的有機發光裝置。
在又一例示性實施例中,有機發光裝置可為具有其中負電極、具有一或多個層的有機材料層以及正電極依序堆疊於基板上之逆向結構(倒置類型)的有機發光裝置。
舉例而言,根據本發明之一例示性實施例之有機發光裝置的結構例示於圖1及圖2中。
圖1說明有機發光裝置之一實例,其由基板1、正電極2、發光層3以及負電極4構成。在如上文所述之結構中,化合物可包含於發光層中。
圖2說明有機發光裝置之一實例,其由基板1、正電極2、電洞注入層5、電洞傳輸層6、發光層3、電子傳輸層7以及負電極4組成。在如上文所述之結構中,化合物可包含於電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層之一或多個層中。
根據本發明之一例示性實施例,有機材料層包含發光層,且發光層包含由以下化學式1-A表示之化合物。 [化學式1-A]
在化學式1-A中, n1為1或大於1之整數, Ar7為經取代或未經取代之單價苯并茀基或多價苯并茀基;經取代或未經取代之單價丙二烯合茀基或多價丙二烯合茀基;經取代或未經取代之單價芘基或多價芘基;或經取代或未經取代之單價屈基或多價屈基,L4為直接鍵;經取代或未經取代之伸芳基;或經取代或未經取代之伸雜芳基,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為經取代或未經取代之芳基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之鍺基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之芳烷基;或經取代或未經取代之雜芳基,或可彼此鍵結以形成經取代或未經取代之環,且
當n1為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的彼此相同或不同。
根據本發明之一例示性實施例,有機材料層包含發光層,且發光層包含由化學式1-A表示之化合物作為發光層之摻雜劑。
根據本發明之一例示性實施例,L4為直接鍵。
根據本發明之一例示性實施例,n1為2。
在本發明之一例示性實施例中,Ar7為二價芘基,其未經取代或經氘、甲基、乙基或第三丁基取代。
根據本發明之一例示性實施例,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為具有6個至30個碳原子之經取代或未經取代之芳基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為未經取代或經鍺基取代之芳基,所述鍺基經烷基取代。
根據本發明之一例示性實施例,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為未經取代或經三甲基鍺基取代之芳基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為經取代或未經取代之苯基。
根據本發明之一例示性實施例,Ar8及Ar9為未經取代或經三甲基鍺基取代之苯基。
根據本發明之一例示性實施例,化學式1-A由以下化合物表示。
根據本發明之一例示性實施例,有機材料層包含發光層,且發光層包含由以下化學式2-A表示之化合物。 [化學式2-A]
在化學式2-A中, G11為1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基或以下化學式, G12為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、間聯三苯-4-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4'-甲基聯苯基、4"-第三丁基-對聯三苯-4-基或3-茀蒽基,G13及G14彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜芳基,g12為1至5之整數,g13及g14各自為1至4之整數,且當g12至g14各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的G12、G13及G14中的每一者彼此相同或不同。
根據本發明之一例示性實施例,有機材料層包含發光層,且發光層包含由化學式2-A表示之化合物作為發光層之主體。
根據本發明之一例示性實施例,G11為1-萘基。
根據本發明之一例示性實施例,G12為2-萘基。
根據本發明之一例示性實施例,G13及G14為氫。
根據本發明之一例示性實施例,化學式2-A由以下化合物表示。
除有機材料層之一或多個層包含本發明之化合物,亦即化學式1之化合物以外,可藉由所屬領域中已知之材料及方法製造本發明之有機發光裝置。
當有機發光裝置包含多個有機材料層時,有機材料層可由相同材料或不同材料形成。
除有機材料層之一或多個層包含化學式1之化合物,亦即由化學式1表示之化合物以外,本發明之有機發光裝置可藉由所屬領域中已知之材料及方法製造。
舉例而言,本發明之有機發光裝置可藉由將第一電極、有機材料層以及第二電極依序堆疊於基板上來製造。在此情況下,可藉由使用物理氣相沈積(PVD)方法(諸如濺鍍或電子束蒸發)在基板上沈積具有導電性之金屬或金屬氧化物或其合金以形成正電極,在其上形成包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層之有機材料層,且隨後在其上沈積可用作負電極之材料來製造有機發光裝置。除如上文所述之方法以外,可藉由在基板上依序沈積負電極材料、有機材料層以及正電極材料來製造有機發光裝置。
此外,當製造有機發光裝置時,化學式1之化合物不僅可藉由真空沈積方法,而且可藉由溶液塗覆方法形成有機材料層。此處,溶液塗覆方法意謂旋塗、浸塗、刀片刮抹、噴墨印刷、網版印刷、噴霧方法、滾塗法以及其類似方法,但不限於此。
除如上文所述之方法以外,有機發光裝置亦可藉由在基板上依序沈積負電極材料、有機材料層以及正電極材料來製造(國際公開案第2003/012890號)。然而,製造方法不限於此。
在本發明之一例示性實施例中,第一電極為正電極,且第二電極為負電極。
在另一例示性實施例中,第一電極為負電極,且第二電極為正電極。
作為正電極材料,具有大功函數之材料通常為較佳的,以有助於將電洞注入有機材料層中。可用於本發明之正電極材料之特定實例包含(但不限於):金屬,諸如釩、鉻、銅、鋅以及金或其合金;金屬氧化物,諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide;ITO)以及氧化銦鋅(indium zinc oxide;IZO);金屬與氧化物之組合,諸如ZnO:Al或SnO2
:Sb;導電聚合物,諸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯以及聚苯胺,以及其類似物。
作為負電極材料,具有小功函數之材料通常為較佳的,以有助於將電子注入有機材料層中。負電極材料之特定實例包含(但不限於):金屬,諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛,或其合金;多層構造材料,諸如LiF/Al或LiO2
/Al;以及其類似物。
電洞注入層為自電極注入電洞之層,且電洞注入材料較佳為具有傳輸電洞之能力的化合物,且因此具有在正電極注入電洞之作用以及注入電洞用於發光層或發光材料的極佳作用,防止由發光層產生之激子移動至電子注入層或電子注入材料,且形成薄膜之能力亦極佳。較佳地,電洞注入材料之最高佔用分子軌域(highest occupied molecular orbital;HOMO)為在正電極材料之功函數與鄰近有機材料層之HOMO之間的值。電洞注入材料之特定實例包含(但不限於)金屬卟啉、寡聚噻吩、芳胺類有機材料、己腈六氮雜聯伸三苯類有機材料、喹吖啶酮類有機材料、苝類有機材料、蒽醌、聚苯胺類以及聚噻吩類導電聚合物,以及其類似物。
電洞傳輸層為接收來自電洞注入層之電洞且將電洞傳輸至發光層之層,且電洞傳輸材料宜為可接收來自正電極或電洞注入層之電洞且將電洞轉移至發光層之具有高電洞遷移率的材料。其特定實例包含(但不限於)芳胺類有機材料、導電聚合物、具有共軛部分與非共軛部分兩者之嵌段共聚物以及其類似物。
發光材料較佳為可接收分別自電洞傳輸層及電子傳輸層傳輸之電洞及電子且將電洞及電子組合以發射可見光線區域中之光的材料,且對螢光或磷光具有良好量子效率。其特定實例包含(但不限於):8-羥基-喹啉鋁錯合物(Alq3
);咔唑類化合物;二聚苯乙烯基化合物;BAlq;10-羥基苯并喹啉-金屬化合物;苯并噁唑類化合物、苯并噻唑類化合物以及苯并咪唑類化合物;聚(對伸苯基伸乙烯基)(poly(p-phenylenevinylene);PPV)類聚合物;螺環化合物;聚茀、紅螢烯(lubrene)以及其類似物。
發光層可包含主體材料及摻雜劑材料。主體材料之實例包含稠合芳環衍生物或含雜環化合物以及其類似物。稠合芳環衍生物之特定實例包含蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、稠五苯衍生物、菲化合物、丙二烯合茀化合物以及其類似物,且含雜環化合物之特定實例包含咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃(ladder-type furan)化合物、嘧啶衍生物以及其類似物,但其實例不限於此。
摻雜劑材料之實例包含芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼錯合物、丙二烯合茀化合物、金屬錯合物以及其類似物。特定言之,芳族胺衍生物為具有經取代或未經取代之芳胺基之稠合芳環衍生物,且其實例包含芘、蒽、屈、二茚并芘以及具有芳胺基之類似物,且苯乙烯基胺化合物為如下化合物,其中經取代或未經取代之芳基胺經至少一個芳基乙烯基取代,且一個或兩個或多於兩個由下列各者所組成的族群中選出之取代基經取代或未經取代:芳基、矽烷基、烷基、環烷基以及芳胺基。其特定實例包含(但不限於)苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺以及其類似物。此外,金屬錯合物之實例包含(但不限於)銥錯合物、鉑錯合物以及其類似物。
電子傳輸層為自電子注入層接收電子且將電子傳輸至發光層之材料,且電子傳輸材料宜為可自負電極有效接收電子且將電子轉移至發光層之具有高電子遷移率的材料。其特定實例包含(但不限於):8-羥基喹啉之Al錯合物;包含Alq3
之錯合物;有機基團化合物;羥基黃酮-金屬錯合物以及其類似物。電子傳輸層可與任何所需陰極材料一起使用,如根據先前技術所使用。特定言之,陰極材料之適當實例為具有低功函數之典型材料,繼之為鋁層或銀層。其特定實例包含銫、鋇、鈣、鐿以及釤,在各種情況下,繼之為鋁層或銀層。
電子注入層為自電極注入電子之層,且較佳為具有傳輸電子之能力的化合物,具有自負電極注入電子之作用及將電子注入發光層或發光材料中之極佳作用,防止由發光層產生之激子移動至電洞注入層,且形成薄膜之能力亦極佳。其特定實例包含(但不限於)茀酮、蒽醌二甲烷、聯苯醌、硫代哌喃二氧化物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、苝四甲酸、亞茀基甲烷、蒽酮以及其類似物,以及其衍生物,金屬錯合物化合物、含氮5員環衍生物,以及其類似物。
金屬錯合物化合物之實例包含(但不限於)8-羥基喹啉根基鋰、雙(8-羥基喹啉根基)鋅、雙(8-羥基喹啉根基)銅、雙(8-羥基喹啉根基)錳、三(8-羥基喹啉根基)鋁、三(2-甲基-8-羥基喹啉根基)鋁、三(8-羥基喹啉根基)鎵、雙(10-羥基苯并[h]喹啉根基)鈹、雙(10-羥基苯并[h]喹啉根基)鋅、雙(2-甲基-8-喹啉根基)氯鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(鄰甲酚根基)鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(1-萘根基)鋁、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(2-萘根基)鎵以及其類似物。
根據待使用之材料,根據本發明之有機發光裝置可為頂部發射類型、底部發射類型或雙重發射類型。
在本發明之一例示性實施例中,除有機發光裝置以外,化學式1之化合物可包含於有機太陽能電池或有機電晶體中。
由化學式1表示之化合物及包含其的有機發光裝置的製備將在以下實例中專門描述。然而,提供以下實例用於說明本發明,且本發明之範疇不限於此。< 合成 實例 1> < 製備 實例 1>
合成以下化合物1之化合物 [化合物A] [化合物1]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及3-溴-9-苯基-9H-咔唑(6.92公克,21.57毫莫耳)完全溶解於240毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌3小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用300毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物1(12.45公克,產率:85%)。
MS[M+H]+
= 752< 製備 實例 2>
合成以下化合物2之化合物 [化合物A] [化合物2]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及4-溴-N,N-二苯基苯胺(6.97公克,21.57毫莫耳)完全溶解於210毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌2小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用210毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物2(9.95公克,產率:67%)。
MS[M+H]+
= 754< 製備 實例 3>
合成以下化合物3之化合物 [化合物A] [化合物3]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及N-(4-溴苯基)-9,9-二甲基-N-苯基-9H-茀-2-胺(9.49公克,21.57毫莫耳)完全溶解於260毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌6小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用310毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物3(14.33公克,產率:84%)。
MS[M+H]+
= 871< 製備 實例 4>
合成以下化合物4之化合物 [化合物A] [化合物4]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(5.76公克,29.97毫莫耳)完全溶解於320毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌5小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用450毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物4(12.98公克,產率:89%)。
MS[M+H]+
= 742< 製備 實例 5>
合成以下化合物5之化合物 [化合物A] [化合物5]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-氯-4,6-二苯基嘧啶(5.71公克,29.97毫莫耳)完全溶解於320毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌3小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用380毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物5(10.44公克,產率:72%)。
MS[M+H]+
= 741< 製備 實例 6>
合成以下化合物6之化合物 [化合物A] [化合物6]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及4-氯-2,6-二苯基嘧啶(5.71公克,29.97毫莫耳)完全溶解於280毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌4小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用380毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物6(9.66公克,產率:66%)。
MS[M+H]+
= 741< 製備 實例 7>
合成以下化合物7之化合物 [化合物A] [化合物7]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-氯-4,6-二苯基吡啶(5.66公克,29.97毫莫耳)完全溶解於280毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌8小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用310毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物7(11.35公克,產率:78%)。
MS[M+H]+
= 740< 製備 實例 8>
合成以下化合物8之化合物 [化合物A] [化合物8]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-氯-4-苯基喹唑啉(5.18公克,29.97毫莫耳)完全溶解於250毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌2小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用310毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物8(11.35公克,產率:78%)。
MS[M+H]+
= 715< 製備 實例 9>
合成以下化合物9之化合物 [化合物A] [化合物9]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-(4-氯苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(8.37公克,29.97毫莫耳)完全溶解於420毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌4小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用250毫升四氫呋喃使殘餘物再結晶,以製備化合物9(14.88公克,產率:92%)。
MS[M+H]+
= 818< 製備 實例 10>
合成以下化合物10之化合物 [化合物A] [化合物10]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,27.25毫莫耳)及2-(3-氯苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(8.37公克,29.97毫莫耳)完全溶解於420毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(3.41公克,35.43莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.14公克,0.27毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌5小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用210毫升四氫呋喃使殘餘物再結晶,以製備化合物10(13.11公克,產率:82%)。
MS[M+H]+
= 818< 製備 實例 11>
合成以下化合物11之化合物 [化合物A] [化合物11]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及氧化(4-溴苯基)二苯基膦(7.70公克,21.57毫莫耳)完全溶解於230毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌3小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用210毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物11(12.85公克,產率:83%)。
MS[M+H]+
= 787< 製備 實例 12>
合成以下化合物12之化合物 [化合物A] [化合物12]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及2-溴二苯并[b,d]呋喃(5.33公克,21.57毫莫耳)完全溶解於240毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌3小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用300毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物12(8.76公克,產率:66%)。
MS[M+H]+
= 677< 製備 實例 13>
合成以下化合物13之化合物 [化合物A] [化合物13]
在氮氣氛圍下在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及2-溴二苯并[b,d]噻吩(5.67公克,21.57毫莫耳)完全溶解於220毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌5小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,且隨後在減壓下濃縮二甲苯且用300毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物13(9.06公克,產率:67%)。
MS[M+H]+
= 693< 製備 實例 14>
合成以下化合物14之化合物 [化合物A] [化合物14]
在氮氣氛圍下,在500毫升圓底燒瓶中,將化合物A(10.0公克,19.61毫莫耳)及2-(4-溴苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(7.53公克,21.57毫莫耳)完全溶解於290毫升二甲苯中,且隨後向其中添加第三丁醇鈉(2.26公克,23.53莫耳),向其中置放雙(三-第三丁基膦)鈀(0)(0.10公克,0.20毫莫耳),且隨後加熱所得混合物且攪拌4小時。將溫度降至常溫,過濾混合物以移除鹼,隨後在減壓下濃縮二甲苯且用280毫升乙酸乙酯使殘餘物再結晶,以製備化合物14(12.23公克,產率:80%)。< 製備 實例 15>
合成以下化合物15至化合物28之化合物
除使用為化合物B之物質代替製備實例1至製備實例14中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物14之方法相同之方式製備化合物15至化合物28。化合物15至化合物28之MS[M+H]+
值展示於下表1中。 [表1] < 製備 實例 16>
合成以下化合物29至化合物42之化合物
除使用為化合物C之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物29至化合物42。化合物29至化合物42之MS[M+H]+
值展示於下表2中。 [表2] < 製備 實例 17>
合成以下化合物43至化合物56之化合物
除使用為化合物D之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物43至化合物56。化合物43至化合物56之MS[M+H]+
值展示於下表3中。 [表3] < 製備 實例 18>
合成以下化合物57至化合物70之化合物
除使用為化合物E之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物57至化合物70。化合物57至化合物70之MS[M+H]+
值展示於下表4中。 [表4] < 製備 實例 19>
合成以下化合物71至化合物84之化合物
除使用為化合物F之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物71至化合物84。The 化合物71至化合物84之MS[M+H]+
值展示於下表5中。 [表5] < 製備 實例 20>
合成以下化合物85至化合物98之化合物
除使用為化合物G之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物85至化合物98。化合物85至化合物98之MS[M+H]+
值展示於下表6中。 [表6] < 製備 實例 21>
合成以下化合物99至化合物112之化合物
除使用為化合物H之物質代替製備實例1至製備實例16中之化合物A作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物16之方法相同之方式製備化合物99至化合物112。化合物99至化合物112之MS[M+H]+
值展示於下表7中。 [表7] < 製備 實例 22>
合成以下化合物113至化合物224之化合物
除使用為化合物I至化合物P之物質代替製備實例1至製備實例21中之化合物A至化合物H作為起始物質以外,以與製備化合物1至化合物112之方法相同之方式製備化合物113至化合物224。化合物113至化合物224之MS[M+H]+
值展示於下表8中。 [表8] < 實驗 實例 1 -1>
將上面塗佈氧化銦錫(ITO)之薄膜以具有1,000埃(Å)之厚度的玻璃基板置放於溶解有清潔劑之蒸餾水中,且使用超音波洗滌。在此情況下,使用由費歇爾公司(Fischer Co.)製造之產品作為清潔劑,且將使用由密理博公司(Millipore Co.)製造之過濾器過濾兩次之蒸餾水用作蒸餾水。在洗滌ITO 30分鐘後,使用蒸餾水歷時10分鐘重複超音波洗滌兩次。在完成使用蒸餾水之洗滌後,使用異丙醇、丙酮以及甲醇之溶劑進行超音波洗滌,且乾燥所得產物,且隨後轉移至電漿洗滌器。此外,藉由使用氧氣電漿洗滌基板5分鐘,隨後轉移至真空沈積機。
將以下化學式之己腈六氮雜聯伸三苯(hexanitrile hexaazatriphenylene;HAT)熱真空沈積在由此製得之透明ITO電極上以具有500埃之厚度,藉此形成電洞注入層。 [HAT]
在電洞注入層上真空沈積作為用於傳輸電洞之材料的以下化合物4-4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4-4'-bis[N-(1- naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl;NPB)(300埃),藉此形成電洞傳輸層。 [NPB]
隨後,在電洞傳輸層上真空沈積以下化合物1以具有100埃之膜厚度,藉此形成電子阻擋層。 [化合物1]
隨後,在電子阻擋層上以25:1之重量比真空沈積以下BH及BD以具有300埃之膜厚度,藉此形成發光層。 [BH] [BD] [ET1] [LiQ]
以1:1之重量比在發光層上真空沈積化合物ET1及化合物LiQ(喹啉鋰),藉此形成具有300埃之厚度的電子注入及傳輸層。在電子注入及傳輸層上依序沈積氟化鋰(LiF)及鋁以分別具有12埃及2,000埃之厚度,藉此形成負電極。
在前述程序中,有機材料之沈積速率維持在0.4埃/秒至0.7埃/秒,負電極之氟化鋰及鋁之沈積速率分別維持在0.3埃/秒及2埃/秒,且沈積期間之真空度維持在2 × 10-7
托(torr)至5 × 10-6
托,藉此製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -2>
除使用化合物2代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -3>
除使用化合物3代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -4>
除使用化合物15代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -5>
除使用化合物16代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -6>
除使用化合物17代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -7>
除使用化合物29代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -8>
除使用化合物30代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -9>
除使用化合物31代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -10>
除使用化合物43代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -11>
除使用化合物58代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -12>
除使用化合物73代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -13>
除使用化合物85代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -14>
除使用化合物100代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -15>
除使用化合物115代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -16>
除使用化合物127代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -17>
除使用化合物142代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -18>
除使用化合物157代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -19>
除使用化合物169代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -20>
除使用化合物184代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -21>
除使用化合物199代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 1 -22>
除使用化合物211代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 比較 例 1 -1>
除使用EB 1代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。 [EB 1] < 比較 例 1 -2>
除使用EB 2代替實驗實例1-1中之化合物1以外,以在實驗實例1-1中相同之方式製造有機發光裝置。 [EB 2]
當對實驗實例1-1至實驗實例1-22以及比較例1-1至比較例1-2中所製造之有機發光裝置施加電流時,獲得表1之結果。 [表9]
如在表1中所觀測,可看出實驗實例1-1至實驗實例1-22中之化合物相較於比較例1-1及比較例1-2中之化合物(其中在作為有機發光裝置中之電子阻擋層的本發明之化學式1的核心處不存在稠合咔唑環)呈現更低電壓及更高效率特徵。
可證實根據本發明之化學式之化合物衍生物具有極佳電子阻擋能力,且因此展現低電壓及高效率特徵,且可用於有機發光裝置。< 實驗 實例 2-1>
藉由通常已知之方法對合成實例中所合成之化合物進行高純度昇華純化,且隨後藉由以下方法製造綠色有機發光裝置。
將上面塗佈氧化銦錫(ITO)之薄膜以具有1,000埃之厚度的玻璃基板置放於溶解有清潔劑之蒸餾水中,且使用超音波洗滌。在此情況下,使用由費歇爾公司製造之產品作為清潔劑,且將使用由密理博公司製造之過濾器過濾兩次之蒸餾水用作蒸餾水。在洗滌ITO 30分鐘後,使用蒸餾水歷時10分鐘重複超音波洗滌兩次。在完成使用蒸餾水之洗滌後,使用異丙醇、丙酮以及甲醇之溶劑進行超音波洗滌,且乾燥所得產物,且隨後轉移至電漿洗滌器。此外,藉由使用氧氣電漿洗滌基板5分鐘,隨後轉移至真空沈積機。
藉由使用化合物4作為主體,在如此製備的ITO透明電極上按如下次序組態發光裝置來製造有機發光裝置:m-MTDATA(60奈米)/TCTA(80奈米)/化合物4 + 10% Ir(ppy)3
(300奈米)/BCP(10奈米)/Alq3
(30奈米)/LiF(1奈米)/Al(200奈米)。
m-MTDATA、TCTA、Ir(ppy)3
及BCP之結構如下。 [m-MTDATA] [TCTA][Ir(ppy)3
] [BCP][化合物4] < 實驗 實例 2-2>
除使用化合物5代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-3>
除使用化合物6代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-4>
除使用化合物7代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-5>
除使用化合物9代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-6>
除使用化合物10代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-7>
除使用化合物18代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-8>
除使用化合物19代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-9>
除使用化合物20代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-10>
除使用化合物21代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-11>
除使用化合物23代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-12>
除使用化合物24代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 2-13>
除使用化合物32代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 比較 例 2-1>
除使用GH 1代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。 [GH 1] < 比較 例 2-2>
除使用GH 2代替實驗實例2-1中之化合物4以外,以在實驗實例2-1中相同之方式製造有機發光裝置。 [GH 2]
對實驗實例2-1至實驗實例2-13及比較例2-1及比較例2-2中所製造之有機發光裝置施加電流時,獲得表2之結果。 [表10]
作為實驗結果,可證實,相較於比較例2-1至比較例2-2(其中使用在本發明之化學式1之核心處無稠合咔唑環的材料)之綠色有機發光裝置,使用根據本發明之由化學式1表示之化合物作為發綠光層之主體材料的實驗實例2-1至實驗實例2-13之綠色有機發光裝置在電流效率及驅動電壓方面展現較佳效能。< 實驗 實例 3-1>
在通常已知之方法中對合成實例中所合成之化合物進行高純度昇華純化,且隨後藉由以下方法製造紅色有機發光裝置。
使ITO玻璃圖案化且隨後洗滌,使得ITO玻璃之發光區域變成2毫米×2毫米。將基板安裝於真空腔室中之後,基礎壓力設定為 1×10-6
托,且隨後藉由使用DNTPD(700埃)及α-NPB(300埃)依序於ITO上形成層。隨後,藉由使用化合物8作為主體(90重量%)且共沈積以下(piq)2
Ir(acac)(10重量%)(300埃)作為摻雜劑形成發光層,以Alq3
(350埃)、LiF(5埃)以及Al(1,000埃)之次序另外形成膜,且在0.4毫安下進行量測。
DNTPD、α-NPB、(piq)2
Ir(acac)以及Alq3
之結構如下。 < 實驗 實例 3-2>
除使用化合物22代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-3>
除使用化合物36代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-4>
除使用化合物50代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-5>
除使用化合物64代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-6>
除使用化合物78代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-7>
除使用化合物92代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-8>
除使用化合物106代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-9>
除使用化合物120代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-10>
除使用化合物134代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-11>
除使用化合物148代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-12>
除使用化合物162代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-13>
除使用化合物176代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-14>
除使用化合物190代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 實驗 實例 3-15>
除使用化合物204代替實驗實例3-1中之化合物8以外,以在實驗實例3-1中相同之方式製造有機發光裝置。< 比較 例 3-1>
同樣製造比較例3-1之有機發光裝置,例外為使用經常用作通用磷光主體材料之以下化合物CBP而非藉由本發明製備之有機發光化合物作為實例裝置結構中發光層之主體。 [CBP]
對於根據實驗實例3-1至實驗實例3-15及比較例3-1製造之有機發光裝置,量測電壓、電流密度、亮度、色彩座標以及使用壽命,且結果展示於以下[表3]中。T95意謂亮度降低至初始亮度(5,000尼特)之95%所消耗之時間。 [表11]
作為實驗結果,可證實,與比較例3-1之紅色有機發光裝置(其中使用先前技術中之CBP)相比,實驗實例3-1至實驗實例3-15之紅色有機發光裝置(其中根據本發明製備之化合物8、化合物22、化合物36、化合物50、化合物64、化合物78、化合物92、化合物106、化合物120、化合物134、化合物148、化合物162、化合物176、化合物190以及化合物204用作發光層之主體材料)在電流效率、驅動電壓以及使用壽命方面展現更佳效能。可看出具有喹唑啉作為取代基之化合物適合用作紅色有機發光裝置。
儘管上文已描述本發明之較佳例示性實施例(電子阻擋層、發綠光層以及發紅光層),但本發明不限於此,且可在本發明的申請專利範圍及實施方式之範疇內作出並進行各種修改,且亦處於本發明之範疇內。
1‧‧‧基板
2‧‧‧正電極
3‧‧‧發光層
4‧‧‧負電極
5‧‧‧電洞注入層
6‧‧‧電洞傳輸層
7‧‧‧電子傳輸層
圖1說明有機發光裝置之一實例,所述有機發光裝置由基板1、正電極2、發光層3以及負電極4組成。 圖2說明有機發光裝置之一實例,其由基板1、正電極2、電洞注入層5、電洞傳輸層6、發光層3、電子傳輸層7以及負電極4組成。
Claims (20)
- 一種化合物,其由以下化學式1表示:在化學式1中,Y為O、S或SiR11R12,X為NAr、O或S,且R1及R2彼此相同或不同,且各自獨立地為氫或氘,或者視情況可鍵結於相鄰基團以形成環,R3至R8彼此相同或不同,且各自獨立地為氫或氘,Ar為氫;氘;鹵基;腈基;硝基;羥基;羰基;酯基;醯亞胺基;胺基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之硼基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之環烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳氧基;經取代或未經取代之烷基硫醇基;經取代或未經取代之芳基硫醇基;經取代或未經取代之烷基硫氧基;經取代或未經取代之芳基硫氧基;經取代或未經取代之烯基;經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基,R11與R12彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;經取代或未經取代之烷基;或經取代或未經取代之芳基,p、s、r以及u各自為0至4之整數,q為0至3之整數,t為0至2之整數,且當p、q、r、s、t以及u各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的R3、R4、R5、R6、R7及R8中的每一者彼此相同或不同。
- 如申請專利範圍第1項所述的化合物,其中X為NAr且Ar由-(L1)n-Ar1表示,L1為直接鍵;經取代或未經取代之伸芳基;或經取代或未經取代之伸雜芳基;n為0至2之整數,且當n為2時,L1彼此相同或不同,且Ar1為氫;氘;鹵基;腈基;硝基;羥基;羰基;酯基;醯亞胺基;胺基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之硼基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之環烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳氧基;經取代或未經取代之烷基硫醇基;經取代或未經取代之芳基硫醇基;經取代或未經取代之烷基硫氧基;經取代或未經取代之芳基硫氧基;經取代或未經取代之烯基;經取代或未經取代之芳烷基;經取代或未經取代之芳烯基;經取代或未經取代之烷芳基;經取代或未經取代之烷基胺基;經取代或未經取代之芳烷基胺基;經取代或未經取代之雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳胺基;經取代或未經取代之芳基雜芳基胺基;經取代或未經取代之芳基膦基;經取代或未經取代之氧化膦基團;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜環基。
- 如申請專利範圍第5項所述的化合物,其中Ar1為經取代或未經取代之芳基;經取代或未經取代之雜環基;經取代或未經取代之芳胺基;或經取代或未經取代之芳基膦基。
- 如申請專利範圍第5項所述的化合物,其中L1為直接鍵或經取代或未經取代之伸芳基。
- 如申請專利範圍第5項所述的化合物,其中L1為直接鍵、伸苯基、伸聯苯基、伸聯三苯基、伸聯四苯基、伸萘基、伸蒽基、茀、菲、芘或聯伸三苯。
- 一種有機發光裝置,包括:第一電極;第二電極,經安置以面向所述第一電極;以及具有一或多個層的有機材料層,安置於所述第一電極與所述第二電極之間,其中所述有機材料層中之所述一或多個層包括如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括電洞傳輸層,且所述電洞傳輸層包括所述化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括電洞注入層,且所述電洞注入層包括所述化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括發光層,且所述發光層包括所述化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括電子阻擋層,且所述電子阻擋層包括所述化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括同時注入及傳輸電洞之層,且所述同時注入及傳輸電洞之層包括所述化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括由以下化學式1-A表示之化合物:在化學式1-A中,n1為1或大於1之整數,Ar7為經取代或未經取代之單價苯并茀基或多價苯并茀基;經取代或未經取代之單價丙二烯合茀基或多價丙二烯合茀基;經取代或未經取代之單價芘基或多價芘基;或經取代或未經取代之單價屈基或多價屈基,L4為直接鍵;經取代或未經取代之伸芳基;或經取代或未經取代之伸雜芳基,Ar8及Ar9彼此相同或不同,且各自獨立地為經取代或未經取代之芳基;經取代或未經取代之矽烷基;經取代或未經取代之鍺基;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之芳烷基;或經取代或未經取代之雜芳基,且或者視情況可彼此鍵結以形成經取代或未經取代之環,且當n1為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的彼此相同或不同。
- 如申請專利範圍第16項所述的有機發光裝置,其中L4為直接鍵,Ar7為二價芘基,Ar8及Ar9彼此相同或不同且各自獨立地為具有6個至30個碳原子之芳基或經取代或未經取代之具有2個至30個碳原子之雜芳基,所述芳基未經取代或經具有1個至30個碳原子之烷基取代,且n1為2。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括由以下化學式2-A表示之化合物:在化學式2-A中,G11為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基或以下化學式,G12為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、間聯三苯-4-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4'-甲基聯苯基、4"-第三丁基-對聯三苯-4-基或3-茀蒽基,G13及G14彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜芳基,g12為1至5之整數,g13及g14各自為1至4之整數,且當g12至g14各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的G12、G13及G14中的每一者彼此相同或不同。
- 如申請專利範圍第18項所述的有機發光裝置,其中G11為1-萘基,且G12為2-萘基。
- 如申請專利範圍第16項所述的有機發光裝置,其中所述有機材料層包括由以下化學式2-A表示之化合物:在化學式2-A中,G11為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基或以下化學式,G12為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、間聯三苯-4-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4'-甲基聯苯基、4"-第三丁基-對聯三苯-4-基或3-茀蒽基,G13及G14彼此相同或不同,且各自獨立地為氫;經取代或未經取代之烷基;經取代或未經取代之烷氧基;經取代或未經取代之芳基;或經取代或未經取代之雜芳基,g12為1至5之整數,g13及g14各自為1至4之整數,且當g12至g14各自為2或大於2時,兩個或多於兩個結構的G12、G13及G14中的每一者彼此相同或不同。
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