TW201714933A

TW201714933A - 聚酯薄膜

Info

Publication number: TW201714933A
Application number: TW105126889A
Authority: TW
Inventors: Noriyuki Tatsumi; Tadamasa Suzuki; Takuji Higashioji
Original assignee: Toray Industries
Priority date: 2015-08-28
Filing date: 2016-08-23
Publication date: 2017-05-01
Also published as: WO2017038472A1; JP6115688B1; JPWO2017038472A1; KR20180048671A; CN107922648B; TWI710587B; KR102559867B1; CN107922648A

Abstract

本發明所提供的聚酯薄膜，係光學濃度與厚度(μm)的比(光學濃度(OD)/厚度(T))為0.22以上且2.0以下，微分掃描熱量測定(DSC)時，依熔融狀態保持5分鐘後，再依10℃/分的降溫速度冷卻時，降溫結晶化溫度Tmc在180℃以上且210℃以下範圍內具有尖峰，藉此本發明的聚酯薄膜係隱藏性與製膜性均優異、碰觸到光時的收縮性亦優異，適用作為電子機器的遮光基材。

Description

聚酯薄膜

本發明係關於隱藏性與製膜性均優異、碰觸到光時的收縮性亦優異之聚酯薄膜。

聚酯(特別係聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二羧酸乙二酯等)樹脂，係機械特性、熱特性、耐藥性、電氣特性、成形性均優異，而被使用於各種用途。該聚酯經薄膜化的聚酯薄膜，其中雙軸配向聚酯薄膜，從其機械特性、電氣特性等觀點，被使用於太陽電池背板用材料或熱水器馬達用電絕緣材料、油電混合車等所使用的汽車空調用馬達或驅動馬達用等電絕緣材料；貼帶材料或電容器用材料、包裝材料、建築材料、照片用途、繪圖用途、熱感轉印用途等各種用途。

該等用途之中，太陽電池背板用材料、或電子機器內部所使用的貼帶材料係要求隱藏性。例如太陽電池背板用材料中，從設計性的觀點，較佳係從外側不會看到發電元件的配線等。太陽電池背板用材料中，針對提升隱藏性進行檢討，係採取使用含有碳黑等黑色顏料之聚酯薄膜的方法(專利文獻1、2)。又，貼帶材料中，隨著近年智慧手機的普及，電子機器內部所使用的貼帶，為了遮蔽內部的光，而要求高隱藏性。隨著電子機器的小型化、薄型化，貼帶材料不僅要求隱藏性，尚亦要求屬於薄膜。貼帶材料中，作為提升隱藏性的方法，有針對在薄膜厚度較薄的薄物聚酯薄膜上，設置含有較多黑色顏料之印刷層的方法(專利文獻3)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2008-56871號公報

專利文獻2：日本專利特開2011-119651號公報

專利文獻3：日本專利第5651012號公報

然而，如專利文獻1、2所記載的方法，若為了對聚酯賦予隱藏性而添加碳黑，則碳黑會成為結晶化的核而加速聚酯的結晶化速度，因而若大量含有碳黑便會發生製膜性降低的問題。所以，專利文獻1、2中記載的方法，由於對薄膜中含有的碳黑濃度有所限制，因而會有無法獲得充分隱藏性的課題。此種課題在薄膜厚度較薄的薄物薄膜中特別顯著。另一方面，專利文獻3中記載的方法，雖即便在薄物薄膜中仍能獲得充分隱藏性，但會有因印刷油墨所導致之環境污染的問題；或由於機械特性優異的聚酯薄膜厚度比率較小，因而在吸收光時所產生的熱所導致之薄膜收縮的問題。

本發明的課題係有鑑於該等習知技術，而提供：隱藏性(以下有時稱遮光性)與製膜性均優異、碰觸到光時的收縮性(以下有時稱耐光收縮性)亦優異的聚酯薄膜。

為了解決上述課題，本發明係具有以下構成。即，

[I]一種聚酯薄膜，係光學濃度與厚度的比(光學濃度(OD)/厚度(T))為0.22以上且2.0以下，微分掃描熱量測定(以下稱DSC)的降溫結晶化溫度Tmc為180℃以上且210℃以下。

[II]如[I]記載的聚酯薄膜，其中，黑色顏料係含有4質量%以上且25質量%以下。

[III]如[I]或[II]記載的聚酯薄膜，其中，至少一表面的十點平均粗糙度Rz(μm)係Rz(μm)與厚度(μm)的比(十點平均粗糙度(Rz)/厚度(T))為0.30以下。

[IV]如[I]~[III]中任一項記載的聚酯薄膜，其中，構成薄膜的聚酯樹脂係含有作為聚酯構成成分之間苯二甲酸成分及/或環己烷二甲醇成分。

[V]如[IV]記載的聚酯薄膜，其中，構成薄膜的聚酯係相對於總二羧酸成分含有間苯二甲酸成分0.5mol%以上且20mol%以下，或相對於總二醇成分含有環己烷二甲醇成分0.5mol%以上且20mol%以下。

[VI]如[I]~[V]中任一項記載的聚酯薄膜，其中，薄膜厚度係28μm以下。

[VII]如[I]~[VI]中任一項記載的聚酯薄膜，係使用作為電子機器的遮光基材。

[VIII]一種遮光帶，係使用[I]~[VI]中任一項記載的聚酯薄膜。

根據本發明，可提供隱藏性與製膜性均優異、耐光收縮性亦優異的聚酯薄膜。又，該薄膜可適用作為電子機器內部所使用的遮光基材。

本發明的聚酯薄膜係以聚酯樹脂為主要的構成成分。此處所謂以聚酯樹脂為主要的構成成分，係指相對於構成該薄膜的成分，聚酯樹脂含有60質量%以上。

構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂，係藉由1)二羧酸或其酯形成性衍生物(以下統稱「二羧酸成分」)與二醇成分或其酯形成性衍生物(以下統稱「二醇成分」)的縮聚；2)一分子內具有羧酸或羧酸衍生物與羥基之化合物的縮聚；以及1)、2)的組合便可獲得。又，聚酯樹脂的聚合係可利用常法實施。

1)中，二羧酸成分的代表例係可舉例如：丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸、二聚酸、二十烷二酸、庚二酸、壬二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸等脂肪族二羧酸類；金剛烷二羧酸、降烯二羧酸、環己烷二羧酸、十氫萘二羧酸等脂環族二羧酸；對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、1,8-萘二羧酸、4,4'-二苯基二羧酸、4,4'-二苯醚二羧酸、4,4'-二苯碸二羧酸、5-磺酸鈉間苯二甲酸、苯基二氫茚二羧酸、蒽二羧酸、菲二羧酸、9,9'-雙(4-羧苯基)茀酸等芳香族二羧酸；或其酯衍生物等。又，該等係可單獨使用，亦可使用複數種。

再者，亦可採用在上述二羧酸成分的至少一羧基末端，使例如I-交酯、d-交酯、羥苯甲酸等含氧酸類及其衍生物、或由該含氧酸類複數個連接而成者等縮合而形成的二羧基化合物。

其次，二醇成分的代表例係可舉例如：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇等脂肪族二醇；環己烷二甲醇、螺二醇、異山梨醇等脂環式二醇；雙酚A、1,3-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、9,9'-雙(4-羥苯基)茀等芳香族二醇。又，該等係可單獨使用，視需要亦可使用複數種。又，亦可採用在上述二醇成分的至少一羥基末端，使二醇類縮合而形成的二羥基化合物。

再者，2)中，一分子內具有羧酸或羧酸衍生物與羥基的化合物例，係可舉例如：I-交酯、d-交酯、羥苯甲酸等含氧酸及其衍生物；含氧酸類的寡聚物；二羧酸的一羧基上縮合著含氧酸者等。

再者，構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂，在不致損及本發明特性之範圍內，亦可含有三官能成分(三元以上的羧酸、三元以上的二醇、三元以上的含氧酸及該等的酯形成性衍生物)。

聚酯樹脂具體而言係可舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸等的均聚物、及該等的共聚合體，構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂亦可從上述均聚物及共聚合體之中選擇1種使用，亦可將均聚物彼此間、或均聚物與共聚合體摻合使用。

此處，聚酯樹脂的均聚物從製膜性的觀點，較佳係聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸，其中，從加工性容易的觀點，更佳係聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯，從製膜性更優異的觀點，特佳係聚對苯二甲酸乙二酯。

再者，所謂聚酯樹脂的共聚合體，係指由未滿聚酯樹脂全體50mol%的不同二羧酸成分與二醇成分中之任一者、或雙方所構成的共聚合體，假設係與均聚物摻合之情況，較佳係使用與對象均聚物具相同分子構造佔全體50mol%以上所構成的共聚合體。

此處聚酯樹脂的共聚合體，從聚合適性或熱安定性、以及與均聚物間之相溶性優異的觀點，較佳係使用含有作為共聚成分的二羧酸成分之脂環族二羧酸、間苯二甲酸、萘二羧酸，且二醇成分之丁二醇、乙二醇、螺二醇、環己烷二甲醇者，該等係可單獨使用，視需要亦可組合使用。其中，從提升製膜性的觀點，更佳係使用含有作為共聚合體成分的二羧酸成分之間苯二甲酸，或者含有作為共聚合體成分的二醇成分之環己烷二甲醇。

構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂中，共聚合成分的比率較佳係相對於總聚酯樹脂成分，依成為0.5mol%以上且20mol%以下的方式，調整上述共聚合體、及均聚物彼此間、或均聚物與共聚合體的摻合比。藉由在聚酯樹脂中導入共聚合成分，而降低聚酯的結晶性，即便大量含有後述著色顏料，仍可成為製膜性與耐光收縮性均優異的聚酯薄膜。共聚合成分比率更佳係1.0mol%以上且15mol%以下、進而更佳係2.0mol%以上且10mol%以下、特佳係2.5mol%以上且7.5mol%以下。

此處所謂共聚合成分，係指當以超過聚酯樹脂全體50mol%所構成之聚合體的二羧酸成分、及二醇成分為第一成分時，在聚酯樹脂所含未滿50mol%的第一成分以外之二羧酸成分及二醇成分。又，聚酯薄膜的共聚合成分係聚酯薄膜經溶劑萃取後，利用質子核磁共振分光法(¹H-NMR)或碳核磁共振分光法(¹³C-NMR)便可進行分析。

若聚酯樹脂的共聚合成分比率未滿0.5mol%時，便有不會抑制結晶性導致製膜性不足、或延伸時過度配向造成耐光收縮性亦降低的情況。另一方面，若聚酯樹脂的共聚合成分比率超過20mol%時，聚酯樹脂的結晶性過於降低，反倒會有造成製膜性降低的情況，或因未施加配向而導致機械強度不足，造成因照射光時所產生的熱而導致薄膜過度收縮，致使會有耐光收縮性不足的情況。即，構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂中，藉由共聚合成分比率相對於總聚酯樹脂成分設定為0.5mol%以上且20mol%以下，便可形成兼顧更優異製膜性與光收縮性的聚酯薄膜。又，藉由上述共聚合成分相對於總二羧酸成分含有間苯二甲酸成分0.5mol%以上且20mol%以下、或相對於總二醇成分含有環己烷二甲醇成分0.5mol%以上且20mol%以下，便可更加提升聚酯薄膜的製膜性與耐光收縮性，故更佳。

又，構成本發明聚酯薄膜的聚酯樹脂從雙軸延伸性的觀點，較佳係結晶性聚酯樹脂。此處所謂結晶性，係指聚酯薄膜根據JIS K7122(1987)，利用微分掃描熱量測定依升溫速度10℃/分，從固體狀態加熱至熔融狀態時所獲得圖中，有觀測到因熱結晶化造成的吸熱尖峰。

本發明的聚酯薄膜為了賦予隱藏性，較佳係含有著色顏料的形態。著色顏料從遮光性優異的觀點，較佳係黑色顏料。黑色顏料具體而言係可舉例如：碳黑、石墨、富勒烯(fullerene)、碳纖維等碳系化合物；或鈦黑等氧化物系無機粒子。又，從可兼顧隱藏性與製膜性的觀點，較佳係使用碳黑，其中，從廉價且隱藏性優異的觀點，更佳係使用利用爐法製造的碳黑。

上述著色顏料的粒子徑依一次粒徑計較佳係5nm以上且100nm以下、更佳係10nm以上且50nm以下、進而更佳係15nm以上且30nm以下。若著色顏料的一次粒徑未滿5nm，則有因凝聚而發生缺點、或因過度促進聚酯樹脂結晶化而製膜性降低的情況。另一方面，若著色顏料的一次粒徑超過100nm，則會有隱藏性降低的情況、或在製膜時容易引發薄膜破裂的情況。

再者，上述著色顏料的含有量較佳係0.5質量%以上且40質量%以下。當本發明的著色顏料係含有黑色顏料的情況，較佳係3.5質量%以上且30質量%以下、更佳係4.0質量%以上且25質量%以下、特佳係5.0質量%以上且15質量%以下、最佳係6.0質量%以上且10質量%以下。若本發明的黑色顏料含有量未滿3.5質量%，則因隱藏性不足會有無法滿足遮光性的情況。另一方面，若黑色顏料的含有量超過30質量%，則會有製膜性降低的情況。即，藉由使本發明聚酯薄膜含有黑色顏料3.5質量%以上且未滿30質量%，即便薄膜厚度在28μm以下的較薄薄膜，仍可兼顧優異的隱藏性與製膜性。

再者，本發明的聚酯薄膜中，在不致損及本發明效果之範圍內，亦可含有其他添加劑(例如：耐熱安定劑、紫外線吸收劑、耐候安定劑、有機的易滑劑、填充劑、抗靜電劑、難燃劑等)。例如當在要求難燃性的用途上使用本發明聚酯薄膜時，藉由含有鹵系或磷系等有機系難燃劑、或者銻系或氫氧化金屬系等無機系難燃劑，便可提升聚酯薄膜的難燃性。又，即便難燃劑併用著色顏料，從維持製膜性的觀點，較佳係使用有機系難燃劑，從減輕環境負荷的觀點，在有機系難燃劑中更佳係使用磷系難燃劑。

本發明的聚酯薄膜必需微分掃描熱量測定(DSC)的降溫結晶化溫度Tmc係180℃以上且210℃以下。更佳係186℃以上且206℃以下、特佳係192℃以上且203℃以下、最佳係197℃以上且201℃以下。此處所謂微分掃描熱量測定的降溫結晶化溫度Tmc，係指聚酯薄膜根據JIS K7122(1987)，依升溫速度10℃/分從25℃加熱至聚酯樹脂的熔點Tm+50℃後，於熔點Tm+50℃下，將聚酯樹脂依熔融狀態保持5分鐘，然後依降溫速度10℃/分冷卻至25℃時所獲得發熱尖峰的峰頂溫度。又，當複數具有發熱尖峰的情況，便指位於最高溫側的峰頂溫度。此處的聚酯樹脂之熔點Tm係在聚酯薄膜利用微分掃描熱量測定，依升溫速度10℃/分從固體狀態加熱至熔融狀態時所獲得的圖中，在最高溫側所獲得吸熱尖峰的溫度。上述降溫結晶化溫度Tmc係使用作為表示聚酯樹脂結晶性的指標，若降溫結晶化溫度Tmc的溫度越高，則表示結晶性越高，若降溫結晶化溫度Tmc的溫度越低、或未檢測出降溫結晶化溫度Tmc，則表示結晶性偏低。

本發明的聚酯薄膜中，當上述降溫結晶化溫度Tmc未滿180℃時，由於結晶性過低，因而當含有高濃度黑色顏料時，會有在光照射時出現薄膜收縮、或在延伸時薄膜翹曲而延伸性降低的問題產生。特別係此種問題在薄膜厚度28μm以下的較薄薄膜將更為明顯。另一方面，若降溫結晶化溫度Tmc超過210℃時，由於結晶性過高，因而製膜趨於困難。又，容易施加配向，因延伸後的殘留應力導致耐光收縮性降低。即，本發明藉由將降溫結晶化溫度Tmc設定在180℃以上且210℃以下的範圍，便可成為兼顧優異製膜性與光收縮性的聚酯薄膜。

再者，本發明的降溫結晶化溫度Tmc，當構成聚酯薄膜的聚酯樹脂中含有著色顏料時，藉由著色顏料的種類或含有量、聚酯樹脂中的共聚合成分比率便可調整。又，為能兼顧隱藏性，最佳係利用聚酯樹脂中的共聚合成分比率進行調整之方法。

本發明的聚酯薄膜係即便薄膜，仍是高隱藏性、以及製膜性、光收縮性均優異，因而可適用作為智慧手機等要求薄度的電子機器內部所使用之貼帶基材。

本發明聚酯薄膜的厚度(T)較佳係28μm以下、更佳係25μm以下、特佳係20μm以下、最佳係16μm以下。又，關於厚度的下限並無特別的限定，從顧慮製膜性降低、或光收縮性惡化的觀點，現實上係3.0μm以上。

再者，本發明聚酯薄膜的光學濃度(OD)較佳係3.5以上、更佳係4.0以上、特佳係5.0以上、最佳係6.0以上。藉由將本發明聚酯薄膜的光學濃度(OD)設定為3.5以上，便可適用作為內部會產生光的電子機器所使用要求遮光性之貼帶基材。又，當使作用為遮光帶的基材薄膜時，可減少黑色油墨層的印刷次數。又，關於光學濃度的上限並無特別的限定，從薄膜中可含有粒子量的觀點，現實上係9.0以下。

本發明聚酯薄膜的光學濃度與厚度(μm)比(光學濃度(OD)/厚度(T))必需係0.22以上且2.0以下。代表薄膜隱藏性指標的光學濃度亦可從朗伯-比爾定律(Lambert-Beer law)理解，薄膜厚度越厚(光的穿透光程越長)，便有越高值的傾向。所以，若僅提高光學濃度，從製膜性或光收縮性的觀點，即便薄膜中可含有著色顏料量有所限制的習知聚酯薄膜，若增加薄膜厚度仍可達成。然而，從製膜性或光收縮性的觀點，薄膜中可含有著色顏料量有所限制的習知聚酯薄膜，難以將光學濃度與厚度(μm)的比(OD/T)設為0.22以上。本發明的聚酯薄膜如上述，藉由將結晶性控制於適當範圍，便可獲得能高濃度含有著色顏料的結果，能達成習知所無法臻至光學濃度與厚度(μm)之比(OD/T)0.22以上，較佳係0.25以上且1.5以下、更佳係0.30以上且1.0以下、特佳係0.35以上且0.5以下。

本發明中，光學濃度與厚度(μm)比(OD/T)未滿0.22的聚酯薄膜，表示雖厚度較厚但隱藏性卻嫌不足。另一方面，若光學濃度與厚度(μm)的比(OD/T)超過2.0，則較薄而隱藏性優異，可是另一方面會降低製膜性，在光照射時會因吸收光而生成的熱導致薄膜過度收縮，故而不適用作為電子機器內部所使用的基材。

即，本發明的聚酯薄膜藉由將光學濃度與厚度(μm)比(OD/T)設在0.22以上且2.0以下的範圍內，即便薄膜但仍可成為遮光性優異、且製膜性、光收縮性均優異的薄膜。所以，可適用作為例如智慧手機之類要求薄度、亦要求遮光性的電子機器內部之貼帶基材。

本發明聚酯薄膜至少一表面的十點平均粗糙度Rz(μm)較佳係3.0μm以下、更佳係2.5μm以下、特佳係2.0μm以下。此處所謂十點平均粗糙度Rz，係指後述測定方法中，利用接觸式三次元表面粗糙度計所測定聚酯薄膜至少一表面的十點平均粗糙度Rz值。若十點平均粗糙度Rz超過3.0μm，則表面的凹凸過大，會有為遮光而增加必需之薄膜厚度的情況。又，關於十點平均粗糙度Rz的下限並無特別的限定，從顧慮捲取性降低的觀點，較佳係0.1μm以上。又，更佳係薄膜二表面的十點平均粗糙度Rz(μm)均滿足上述範圍。

本發明聚酯薄膜至少一表面的十點平均粗糙度Rz(nm)，較佳係滿足Rz(μm)與厚度(μm)的比(十點平均粗糙度(Rz)/厚度(T))在0.30以下、更佳係滿足在0.25以下、特佳係滿足在0.20以下。若(Rz/T)超過0.30，則表面的凹凸過大，導致為遮光所必需的薄膜厚度不足，會有遮光性降低的情況。又，表面凹凸相對於薄膜厚度變為過大，會有製膜性降低的情況。又，關於(Rz/T)的下限並無特別的限定，從利用薄膜表面上的光擴散而提升遮光性的觀點，較佳係0.07以上、更佳係0.10以上、特佳係0.12以上。

在將本發明聚酯薄膜的十點平均粗糙度Rz(μm)與厚度(μm)比(Rz/T)設為0.30以下時，當構成聚酯薄膜的聚酯樹脂中含有著色顏料的情況，可利用聚酯薄膜的製膜條件調整十點平均粗糙度Rz(μm)。詳細容後述。

本發明聚酯薄膜係可為單膜薄膜，亦可選擇包含2層以上積層薄膜的任一構成。藉由將本發明聚酯薄膜設為單膜薄膜，便可簡化製造步驟。又，設為2層以上積層薄膜的情況，藉由使用P2層/P1層/P2層的2種3層構成，藉由例如P2層設為未含著色顏料的層、而P1層設為含有著色顏料的層，採行機能分離，便可創造出兼顧隱藏性與新機能的薄膜。又，藉由使上述P2層含有著色顏料，且使P1層含有具光擴散性空洞，便可更加提高遮光性。

(聚酯薄膜之製造方法)

其次，針對本發明聚酯薄膜的製造方法，舉具體例進行說明。本發明不能解釋為僅侷限於利用該例所獲得物。

首先，構成聚酯薄膜的聚酯樹脂之製造方法，可利用以下方法製造。

聚酯樹脂係藉由使二羧酸或其酯衍生物、與二醇，利用周知方法進行酯交換反應或酯化反應便可獲得。習知公知之反應觸媒係可舉例如：鹼金屬化合物、鹼土族金屬化合物、鋅化合物、鉛化合物、錳化合物、鈷化合物、鋁化合物、銻化合物、鈦化合物、磷化合物等。較佳係在上述聚酯樹脂的製造方法完成前的任意階段，添加作為聚合觸媒之銻化合物、或鍺化合物、鈦化合物。此種方法係例如若以鍺化合物為例，則較佳係直接添加鍺化合物粉體。

其次，聚酯薄膜的製造方法較佳係採取將構成聚酯薄膜的原料在擠出機內進行加熱熔融，再從噴絲嘴擠出於冷卻的澆鑄滾筒上，而加工呈片狀的方法(熔融澆鑄法)。又，當聚酯薄膜係積層構成的情況，較佳可採取將所積層的各層原料投入於二台擠出機並熔融後使合流，再從噴絲嘴共擠出於冷卻的澆鑄滾筒上，而加工呈片狀的方法(共擠出法)。又，藉由使熔融擠出片利用靜電密接於澆鑄滾筒上而冷卻固化，便可製作經抑制結晶化的未延伸片。又，使密接於澆鑄滾筒的方法係可選擇從窄溝中朝熔融擠出片噴出空氣而使密接的方法、或利用真空室拉近熔融擠出片而密接的方法。

其次，本發明的聚酯薄膜較佳係至少單軸延伸、更佳係雙軸延伸。藉由延伸而獲得本發明的聚酯薄膜，便可形成能薄膜化、且機械特性亦優異的聚酯薄膜。

該延伸方法係將未延伸片導引於經加熱至70~140℃溫度的輥組，朝長邊方向(縱方向、即片材前進方向)延伸，再利用20~50℃溫度的輥組冷卻，便可獲得單軸延伸片。

施行雙軸延伸時，接著一邊將依上述獲得的單軸延伸片二端利用夾具把持，一邊導引於拉幅機，在經加熱至70~150℃溫度的環境中，朝長邊方向的直角方向(寬度方向)施行橫延伸，便可獲得雙軸延伸的聚酯薄膜。

此時，延伸倍率係分別將長邊方向與寬度方向設為2~5倍，其面積倍率(縱延伸倍率×橫延伸倍率)較佳係8倍以上、更佳係9倍以上、特佳係10倍以上。面積倍率的下限並無特別的限定，但若未滿6倍則會有薄膜機械特性不足的情況、或有導致薄膜化困難的情況。

施行雙軸延伸的方法，係除了上述長邊方向與寬度方向的延伸為分開施行的逐次雙軸延伸方法之外，亦可為長邊方向與寬度方向的延伸為同時實施的同步雙軸延伸方法、或吹脹製膜。

此處，為將聚酯薄膜的十點平均粗糙度Rz(μm)調整於較佳範圍，較佳係選擇雙軸延伸，更佳係將剛要施行單軸延伸前(同步雙軸的情況便為剛要開始同步延伸之前)的薄膜溫度，調整於80℃以上且100℃以下的範圍，並在將第一軸的延伸倍率設為2.8倍以上且3.6倍以下、或者將第二軸延伸的預熱溫度設為70℃以上且125℃以下範圍進行製膜。

為了減小聚酯薄膜的十點平均粗糙度Rz，延伸時抑制粗大結晶生成便屬重要，故未延伸片或單軸延伸片的Rz變大。又，第一軸延伸時的延伸溫度超過100℃的情況、或延伸倍率未滿2.8倍的情況，會有過度促進聚酯的熱結晶化，反有造成十點平均粗糙度Rz變大的情況。又，延伸溫度未滿80℃的情況、或延伸倍率超過3.6倍的情況，會過度促進第一軸的配向結晶化。又，若第二軸延伸的預熱溫度超過125℃，則第一軸所形成聚酯的結晶會因熱而成長，以粗大結晶的形式殘留於聚酯薄膜上，造成表面的凹凸變大。另一方面，若第二軸延伸的預熱溫度未滿70℃，則會有熱量不足而發生延伸破裂的情況。

即，當利用雙軸延伸製造本發明聚酯薄膜的情況，藉由依上述條件進行製膜，便可抑制聚酯結晶化與結晶成長，俾可將聚酯薄膜的十點平均粗糙度Rz調整於較佳範圍，故可更加提升聚酯薄膜的遮光性。

使本發明聚酯薄膜含有著色顏料的方法，較佳係採取將著色顏料依高濃度製作母料化原料，在投入於擠出機時，利用未含著色顏料的聚酯樹脂稀釋為所需濃度的方法(母料法)。

再者，本發明更佳係使用共聚合於母料化基礎原料的聚酯樹脂，依照該方法所獲得母料可更加提高著色顏料的分散性，能提高遮光性與製膜性。

本發明的聚酯薄膜係依照上述製造方法便可製造。所獲得聚酯薄膜係具有隱藏性與製膜性均優異、且碰觸到光時的收縮性亦優異之性能。所以，當然適用為電子機器內部所使用的遮光基材，亦能適用於：覆蓋膜、太陽電池背板用薄膜、馬達用絕緣膜等工業材料；鋰離子電池用外裝薄膜、設計性薄膜、保護薄膜等包裝材料；色帶用薄膜、建築材料用薄膜、熱感轉印薄膜等各種用途。

再者，能適用本發明聚酯薄膜的電子機器遮光基材，係可舉例如：行動電話、智慧手機、桌上型PC、筆記型PC、平板型PC、電子字典、汽車導航、GPS導航、數位相機、攝影機等電子機器內部組裝使用的遮光片或遮光帶的基材。藉由使用本發明的聚酯薄膜，便可在防止內部的光洩漏出於電子機器外部的情況下，達更小型化或薄型化。

因為本發明的聚酯薄膜係具有隱藏性與製膜性均優異、且碰觸到光時的收縮性亦優異之性能，故可適用於遮光帶。本發明聚酯薄膜可使用的遮光帶構成，係可舉例如在本發明聚酯薄膜的單面或雙面設有黏著劑層者。黏著劑層所使用的黏著劑並無特別的限定，較佳係使用丙烯酸系黏著劑、胺酯系黏著劑等。

當本發明遮光帶的遮光性不足時，便可將黑色油墨層設置於聚酯薄膜未設有黏著劑層之面上，或當雙面均設有黏著劑層的構成時設置於聚酯薄膜與黏著劑層之間。又，亦可在黏著劑中混合黑色顏料而設為黑色黏著劑層。黑色油墨成分並無特別的限定，較佳係使由丙烯酸系樹脂或胺酯系樹脂構成的黏結劑中含有前述黑色顏料的成分。

再者，在不致損及本發明效果之範圍內，亦可新設置含有其他添加劑的機能層，亦可組合於上述黏著劑層或黑色油墨層。例如藉由在黏著劑層的對向側之面上，於聚酯薄膜上設置含有大粒徑粒子的層，便可成為具消光性的遮光帶。又，藉由在黑色油墨層中添加散熱性粒子，便可成為散熱性優異的遮光帶。

其次，在聚酯薄膜上設置上述層的方法，係可在對表面施行：電暈放電處理、電漿處理、紫外線照射處理、酸處理、鹼處理、底塗劑塗敷等表面處理後，再選擇施行輥塗佈法、浸塗法、棒塗法、模具塗佈法及凹版輥塗佈法等塗佈方法；或平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、絹印印刷、噴墨印刷等印刷方法。又，聚酯薄膜的製膜中，就步驟簡化的觀點，較佳方法亦有依線內使用公知塗佈手法的方法。

依如上述，使用薄且遮光性優異之本發明聚酯薄膜的遮光帶，因為可沒有習知為賦予遮光性而使用的黑色油墨層、或減少層數，故可達減輕因溶劑所使用有機溶劑造成的環境負荷、或製造步驟的簡化。

〔特性之測定方法及評價方法〕 (1)微分掃描熱量測定(DSC)

根據JIS K7122(1987)，使用精工電子工業(股)製微分掃描熱量測定裝置「機器人DSC-RDC220」，且數據解析係使用Disk Session「SSC/5200」，在樣品盤中秤取聚酯薄膜5mg，依升溫速度10℃/分從室溫加熱至300℃(稱1stRUN)，在此狀態下保持5分鐘，接著依降溫速度10℃/分冷卻至25℃，便獲得升溫過程與降溫過程的測定圖。

(1-1)降溫結晶化溫度Tmc之測定

針對在(1)所獲得降溫過程中出現的發熱尖峰，將峰頂溫度設為聚酯薄膜的降溫結晶化溫度Tmc。又，當出現複數發熱尖峰的情況，便將最高溫側的尖峰設為降溫結晶化溫度Tmc。

(2)光學濃度測定

聚酯薄膜的光學濃度係使用X-lite公司製的分光濃度測定器施行光學濃度測定。測定係在長邊方向與寬度方向的直線上，選擇距離5cm以上的地方各測定5次，將合計10次的平均值設為光學濃度。又，當方向性不明的情況、或沒有概念的情況，便實施任意直線上、與垂直方向之直線上的測定。

(3)三次元表面粗糙度Rz之測定

聚酯薄膜的十點平均粗糙度Rz係使用小坂研究所製三次元表面粗糙度計(型式ET-4000A)、與小坂研究所製三次元表面粗糙度解析系統(型式TDA-31)，且觸針係設為前端半徑0.5μmR、直徑2μm、鑽石製、針壓100μN，並將測定條件設定為X間距(測定方向)：1.00μm、Y間距(測定方向的垂直方向)：5μm、X饋進速度：0.1mm/s、低點截取值：0.25mm、高點截取值：R+W、測定力：100、Z測定倍率：20000、遲滯：0.006μm，將測定方向設為薄膜長邊方向與寬度方向，施行2次測定的平均值設為三次元表面粗糙度Rz。又，測定係針對二表面實施，表中記載較小值的三次元表面粗糙度。又，方向性不明的情況、或沒有概念的情況，便實施任意直線上、及其垂直方向之直線上的測定。

(4)製膜性

聚酯薄膜的製膜性係從連續1小時製膜時沒有發生薄膜破裂的延伸面倍率，依如下述判定。又，縱延伸、橫延伸倍率均設為最低2.5倍以上，此處的橫延伸倍率係表示拉幅機入口寬度與最大寬度比的機械倍率。又，延伸倍率以外的條件亦可自由變更。

面倍率為10倍以上：A

面倍率為9倍以上：B

面倍率為8倍以上：C

面倍率為6倍以上：D

面倍率未滿6倍、或無法製膜：E

製膜性係A~D為良好，其中，A最優異。

(5)遮光性評價 (5-1)遮光性評價用模擬LED照明台之製作

在林時計工業(股)製光纖光導件用LED光源(型式：LA-HDF108AS、額定電壓AC100~240V、額定消耗功率20W、額定頻率50/60Hz)上，連接同公司製的集束徑4mm 光纖光導件，將LED光源本體的控制器刻度設為8，而準備LED照明。其次，從開設有光導件前端直徑尺寸孔的樣品台下部插入光導件(light guide)，固定成在距離樣品台平面部5mm位置處位於LED照明前端的狀態，而製作模擬LED照明台。

(5-2)模擬光遮光性評價

在(5-1)所獲得模擬LED照明台上覆蓋聚酯薄膜，目視確認調整輸入電壓時有無穿透聚酯薄膜的LED光源，並依如下判定聚酯薄膜的遮光性。又，上述評價係在長邊方向與寬度方向的直線上，選擇距離5cm以上的地方各施行5次，設定為合計10次的平均值。又，當穿透光形狀並非圓形的情況，便測定最長徑地方的長度。

即便輸入電壓5V仍看不見穿透光：A

輸入電壓3V以上且未滿5V，看不見穿透光：B

輸入電壓2V以上且未滿3V，看不見穿透光：C

輸入電壓1V以上且未滿2V，看不見穿透光：D

即便輸入電壓未滿1V，仍看得見穿透光：E

遮光性係A~D為良好，其中，A最優異。

(6)耐光收縮性評價

在聚酯薄膜的單面上劃入一邊長1cm的正方形，使用TECHNO NEEDS(股)製萬能投影器(AMM-1號機)測定2條對角線的長度，並將2條的長度平均值設為L0。接著，在(4)所使用的模擬LED照明台上，依正方形中心成為LED照明中心的方式被覆聚酯薄膜，將輸入電壓設定為5V，經照射30秒鐘燈光後，將同樣測定正方形2條對角線長度時的平均值設為L，並從下式計算出光收縮率。又，上述評價係在長邊方向及寬度方向的直線上，選擇距離5cm以上的地方施行5次，設定為合計10次的平均值。

光收縮率(%)=(L0-L)/L0×100

從所獲得光收縮率，依如下述判定聚酯薄膜的耐光收縮性。

光收縮率未滿2%：A

光收縮率2%以上且未滿3%：B

光收縮率3%以上且未滿5%：C

光收縮率5%以上且未滿10%：D

光收縮率10%以上、或無法測定：E

耐光收縮性係A~D為良好，其中，A最優異。

(7)電子機器用遮光基材要求特性

由聚酯薄膜厚度、以及(5)項的遮光性、(6)項的耐光收縮性評價，依如下述判定。

厚度16μm以下、且遮光性與耐光收縮性評價均判定為A：A

厚度20μm以下、且遮光性與耐光收縮性評價均判定為B以上：B

厚度25μm以下、且遮光性與耐光收縮性評價均判定為C以上：C

厚度28μm以下、且遮光性與耐光收縮性評價均判定為D以上：D

厚度超越28μm、或遮光性與耐光收縮性評價之任一者判定為E：E

電子機器用遮光基材係A~D為良好，其中，A最優異。

(8)黑色油墨層之印刷次數

使用聚酯薄膜的遮光帶，由於在(5)遮光性評價的(5-1)模擬光遮光性評價中達成A，因而從聚酯薄膜上印刷黑色油墨層的次數，依如下述判定遮光帶評價。評價係施行5次，並依其平均值判定。

不需印刷：A

印刷次數未滿2次：B

印制次數2次以上且未滿4次：C

印刷次數4次以上且未滿6次：D

印刷次數為6次以上：E

遮光帶評價從減輕環境負荷或製造步驟簡化的觀點，A~D為良好，其中，A最優異。

[實施例]

以下，針對本發明舉實施例進行說明，惟本發明未必侷限於該等。

(聚酯樹脂之製造方法) 1. 聚對苯二甲酸乙二酯(PET)

將對苯二甲酸二甲酯100質量份、乙二醇57.5質量份、醋酸鎂二水合物0.03質量份、三氧化銻0.03質量份，在150℃、氮氣體環境下熔融。一邊攪拌該熔融物，一邊歷時3小時升溫至230℃，餾出甲醇，而結束酯交換反應。待酯交換反應結束後，添加磷酸0.005質量份溶解於乙二醇0.5質量份中的乙二醇溶液(pH5.0)。此時聚酯組成物的固有黏度未滿0.2。然後，依最終到達溫度285℃、真空度0.1Torr施行聚合反應，而獲得固有黏度0.65、末端羧基量34當量/噸的聚對苯二甲酸乙二酯。

2. 聚萘二甲酸乙二酯(PEN)

除了二羧酸成分係使用2,6-萘二羧酸之外，其餘均依照與上述1.項的聚對苯二甲酸乙二酯同樣地施行聚合，獲得固有黏度0.61、末端羧基量36當量/噸的聚萘二甲酸乙二酯。

3. 聚對苯二甲酸乙二酯-IPA共聚合體1(PET/I-1)

除了二羧酸成分係由對苯二甲酸二甲酯82.5質量份與間苯二甲酸二甲酯25質量份混合之外，其餘均依照與上述1.項的聚對苯二甲酸乙二酯同樣地施行聚合，獲得間苯二甲酸(IPA)17.5mol%共聚合的聚對苯二甲酸乙二酯。

4. 聚對苯二甲酸乙二酯-IPA共聚合體2(PET/I-2)

除了二羧酸成分係由對苯二甲酸二甲酯75質量份與間苯二甲酸二甲酯25質量份混合之外，其餘均與聚對苯二甲酸乙二酯同樣地聚合，獲得間苯二甲酸(IPA)25mol%共聚合的聚對苯二甲酸乙二酯。

5. 聚對苯二甲酸乙二酯-NDC共聚合體(PET/N)

除了二羧酸成分係使用2,6-萘二羧酸之外，其餘均依照與上述3.項的聚對苯二甲酸乙二酯共聚合體同樣地，獲得萘二羧酸(NDC)17.5mol%共聚合的聚對苯二甲酸乙二酯。

6. 聚對苯二甲酸乙二酯-CHDM共聚合體(PET-G)

環己烷二甲醇(CHDM)30mol%共聚合的聚對苯二甲酸乙二酯，係使用EASTMAN化學公司製聚酯樹脂「Eastar^TMCopolyester6763」。

7. 聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)

二醇成分為丁二醇(BDO)之聚對苯二甲酸丁二酯，係使用東麗(股)公司製「TORAYCON 1200S」。

8. CB母料1(CB-MB1)

將上述1.項所獲得聚對苯二甲酸乙二酯80質量份、與一次粒徑18nm依爐法所製得碳黑(CB-1)20質量份，在經排氣的280℃擠出機內施行熔融混練，而製作CB母料1。

9. CB母料2(CB-MB2)

除了使用一次粒徑23nm依乙炔法製造的碳黑(CB-2)之外，其餘均依照與CB母料1同樣的方法製作CB母料2。

10. CB母料3(CB-MB3)

除了基礎的聚酯樹脂係使用上述3.項所獲得聚對苯二甲酸乙二酯-IPA共聚合體1之外，其餘均依照與CB母料1同樣的方法製作CB母料3。

11. 氧化鈦母料(TiO₂-MB)

將上述1.項所獲得聚對苯二甲酸乙二酯50質量份、與一次粒徑200nm的金紅石型二氧化鈦粒子50質量份，在經排氣的280℃擠出機內施行熔融混練，而製作TiO₂母料。

(遮光帶之製作方法) 1. 黏著劑層

將丙烯酸異壬酯98.9重量份、丙烯酸0.1重量份、N-乙烯基己內醯胺1.0重量份、作為鏈轉移劑之正十二烷基巰0.05重量份、及作為溶劑之醋酸乙酯80重量份，裝填入具備攪拌機、回流冷卻管、溫度計、點滴漏斗及氮氣導入口的五口燒瓶中，經攪拌後，利用氮氣施行約30分鐘沖洗，而除去單體溶液中殘存的氧。然後，利用氮氣置換燒瓶內的空氣，於攪拌下升溫並保持於70℃，從點滴漏斗滴下由作為熱聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.03重量份溶解於1重量份醋酸乙酯中的溶液。開始反應後，在此狀態的溫度下進行反應10小時，獲得丙烯酸系共聚合體溶液。

接著，在聚酯薄膜的單面上，利用模具塗佈方法塗佈上述丙烯酸系共聚合體溶液，而設置厚度8μm的黏著劑層。

2. 黑色油墨層

在CB母料1(CB-MB1)所使用的碳黑(CB-1)中，添加市售油墨用介質(聚胺酯系/氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)、與溶劑(酮/芳香族烴/醇)，經混合、攪拌，而製備經溶劑乾燥後的碳含有率成為50重量%的黑色油墨。

接著，在聚酯薄膜上使用上述黑色油墨，配合遮光性所要求特性的次數，利用平版印刷設置經乾燥後的厚度為2μm之黑色油墨層。

(實施例1)

依成為表所示組成的方式，摻合作為聚酯原料之前項所製作的聚對苯二甲酸乙二酯34質量份、聚對苯二甲酸乙二酯-間苯二甲酸(IPA)共聚合體1：26質量份、及CB母料1：40質量份，於180℃下施行2小時真空乾燥。接著，在經升溫至280℃的擠出機內熔融並吐出，使從T字模擠出的熔融片，利用靜電施加法，密接冷卻固化於表面溫度保持25℃的澆鑄滾筒上，便獲得未延伸片。

接著，所獲得未延伸片利用經加熱至80℃溫度的輥組施行預熱後，再於經加熱至85℃溫度的輥、與調整為25℃溫度的輥間，依3倍速度差朝長邊方向(縱方向)延伸3倍後，利用25℃溫度的輥組施行冷卻而獲得單軸延伸片。又，一邊利用夾具把持著所獲得單軸延伸片的二端，一邊導引於拉幅機內的80℃溫度預熱區，接著連續地在保持90℃的加熱區，朝長邊方向的直角方向(寬度方向)延伸3.6 倍。又，接著在拉幅機內的熱處理區中依230℃施行20秒鐘熱處理，且一邊朝6%寬度方向施行鬆弛處理，一邊均勻漸冷，而製得聚酯薄膜。接著，依製膜後的聚酯薄膜厚度成為16μm的方式，調整擠出機的吐出量、與澆鑄滾筒以後的線速度，便獲得實施例1所記載的聚酯薄膜。製膜性非常優異，即便依上述條件實施1小時連續製膜，仍連1次都沒有發生薄膜破裂情形。經實施所獲得聚酯薄膜的遮光性評價與光收縮性評價，結果得知均具有非常優異的遮光性與耐光收縮性。又，由於屬於非常薄的膜，且滿足上述特性，因而得知屬於可適用作為電子機器所使用遮光基材的聚酯薄膜。

又，在聚酯薄膜單片上設置黏著劑層而製作遮光帶。由於所獲得遮光帶的遮光性非常優異，並無需要設置黑色油墨層，因而就減輕環境負荷或製造步驟簡化的觀點，得知屬於非常優異的遮光帶。

(實施例2~7)

除了依成為表所記載著色顏料濃度的方式調整CB母料1的量，以及依成為表所記載厚度的方式調整製膜條件之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜。關於實施例4、5，由於在製膜時有發生薄膜破裂，因而依較實施例1降低的延伸倍率施行製膜。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知雖較實施例1差，但仍呈良好特性，且即便作為電子機器用遮光基材亦呈現良好特性。

再者，經依照與實施例1同樣地製作遮光帶，結果得知雖較實施例1差，但作為遮光帶仍呈良好特性。

(實施例8~13)

除了依成為表所記載共聚合成分比率的方式調整聚對苯二甲酸乙二酯-間苯二甲酸(IPA)共聚合體1的量之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜。關於除了實施例8之外，由於在製膜時有發生薄膜破裂，因而依較實施例1降低的延伸倍率施行製膜，其中，實施例13雖製膜性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知雖較實施例1差，但仍呈良好特性，且即便作為電子機器用遮光基材亦呈現良好特性，其中，實施例9的特性最優異。又，實施例12雖耐光收縮性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

再者，經依照與實施例1同樣地製作遮光帶，結果得知屬於非常優異的遮光帶。

(實施例14~18)

除了依成為表所記載共聚合成分種類與比率的方式，調整前項所記載聚對苯二甲酸乙二酯-萘二羧酸(NDC)共聚合體、聚對苯二甲酸乙二酯-環己烷二甲醇(CHDM)共聚合體、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)的量之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜。關於除了實施例17之外，由於在製膜時有發生薄膜破裂，因而依較實施例1降低的延伸倍率施行製膜，其中，實施例14雖製膜性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知於作為共聚合成分的二醇成分中使用CHDM、且共聚合成分比率9mol%的實施例17，係與實施例1同樣地具有非常優異的遮光性與耐光收縮性。又，關於其他實施例，雖較實施例1或17差，但仍呈良好特性，得知即便作為電子機器用遮光帶亦呈現良好特性。

(實施例19~21)

如表所示，除了使用前項所記載的CB母料2、CB母料3、氧化鈦母料，變更著色顏料的種類與含有量之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜。實施例20雖製膜性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知實施例19雖遮光性與耐光收縮性較實施例1差，但仍屬優異特性，實施例20雖著色顏料濃度較少於實施例1，但仍能獲得與實施例1同等的遮光性。又，實施例21雖遮光性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

再者，經依照與實施例1同樣地製作遮光帶，結果得知雖較實施例1差，但作為遮光帶而呈良好特性。

(實施例22)

除了依成為表所記載比率的方式，製備構成成分設為前項所記載聚萘二甲酸乙二酯、以及作為共聚合成分之二羧酸成分為對苯二甲酸(TPA)的前項所記載聚對苯二甲酸乙二酯之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜，結果雖製膜性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知雖耐光收縮性較實施例1差，但仍屬優異特性。

(實施例23)

除了將薄膜厚度設為10μm之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得聚酯薄膜。所獲得薄膜的特性如表所示，得知雖遮光性較實施例1差，但仍屬優異特性。

再者，經依照與實施例1同樣地製作遮光帶，結果得知屬於優異的遮光帶。

(實施例24~35)

除了如表所記載，變更製膜條件之外，其餘均依照與實施例23同樣地獲得聚酯薄膜。又，實施例25~35係當施行縱延伸時，在從預熱輥起至延伸輥之間，設置薄膜間距離400mm、加熱器容量6.6kW、發熱長800mm的紅外線加熱器(RH)，施行製膜。得知所獲得聚酯薄膜藉由改變製膜條件的縱延伸時之薄膜溫度與延伸倍率、以及橫延伸時的預熱溫度，便使光學濃度、及十點平均粗糙度Rz(μm)與薄膜厚度(μm)的比(Rz/T)出現變化。又，實施例35雖製膜性差，但仍屬不致構成問題的範圍。

所獲得聚酯薄膜的特性如表所示，得知實施例25、34、35的遮光性較優於實施例23。

再者，經依照與實施例1同樣地製作遮光帶，結果得知實施例25、34、35較優於實施例23的遮光帶。

(比較例1)

如表所示，除了單獨使用聚對苯二甲酸乙二酯的均聚物之外，其餘均與實施例1同樣，雖遮光性與耐光收縮性非常優異，但製膜性差。

(比較例2)

如表所示，除了單獨使用聚對苯二甲酸乙二酯-間苯二甲酸(IPA)共聚合體2之外，其餘均與實施例1同樣，雖遮光性非常優異、製膜性良好，但耐光收縮性差。

(比較例3)

如表所示，除了將著色顏料設為高濃度化之外，其餘均與實施例12同樣，雖遮光性優異，但製膜性與耐光收縮性較差。

(比較例4)

如表所示，除了將著色顏料設為低濃度化之外，其餘均與實施例1同樣，雖製膜性與耐光收縮性非常優異，但遮光性較差。

(產業上之可利用性)

本發明的聚酯薄膜係屬於薄膜，且具有隱藏性與製膜性均優異、碰觸到光時的收縮性亦優異之性能，當然適用為電子機器內部所使用的遮光基材，亦能適用於例如：覆蓋膜、太陽電池背板用薄膜、馬達用絕緣膜等工業材料；鋰離子電池用外裝薄膜、設計性薄膜、保護薄膜等包裝材料；色帶用薄膜、建築材料用薄膜、熱感轉印薄膜等各種用途。

Claims

一種聚酯薄膜，係光學濃度與厚度(μm)的比(光學濃度(OD)/厚度(T))為0.22以上且2.0以下，微分掃描熱量測定(DSC)時，依熔融狀態保持5分鐘後，再依10℃/分的降溫速度冷卻時，降溫結晶化溫度Tmc係180℃以上且210℃以下。
如請求項1之聚酯薄膜，其中，黑色顏料係含有3.5質量%以上且30質量%以下。
如請求項1或2之聚酯薄膜，其中，至少一表面的十點平均粗糙度Rz(μm)係滿足Rz(μm)與厚度(μm)的比(十點平均粗糙度(Rz)/厚度(T))在0.30以下。
如請求項1至3中任一項之聚酯薄膜，其中，構成薄膜的聚酯樹脂係含有作為聚酯構成成分之間苯二甲酸成分及/或環己烷二甲醇成分。
如請求項4之聚酯薄膜，其中，構成薄膜的聚酯係相對於總二羧酸成分含有間苯二甲酸成分0.5mol%以上且20mol%以下，或相對於總二醇成分含有環己烷二甲醇成分0.5mol%以上且20mol%以下。
如請求項1至5中任一項之聚酯薄膜，其中，薄膜厚度係28μm以下。
如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜，其係使用作為電子機器的遮光基材。
一種遮光帶，係使用請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。