TW201707948A - 粗化處理銅箔、附載體銅箔、敷銅積層板及印刷配線板 - Google Patents

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Abstract

提供使用於SAP法之時，能夠對積層體賦予不僅鍍敷電路密接性，就連對無電解銅鍍敷之蝕刻性及乾膜解像性也優良之表面輪廓的粗化處理銅箔。本發明之粗化處理銅箔，其係在至少一方側具有粗化處理面的粗化處理銅箔，粗化處理面具備銅粒子所構成之複數略球狀突起而構成，略球狀突起之平均高度為2.60μm以下，並且略球狀突起之平均最大徑bave對略球狀突起之平均頸徑aave之比bave/aave為1.2以上。

Description

粗化處理銅箔、附載體銅箔、敷銅積層板及印刷配線板
本發明係關於粗化處理銅箔、附載體銅箔、敷銅積層板及印刷配線板。
近年來，作為適用於電路之微細化之印刷配線板之製造工法，廣泛採用SAP(半加成製程)法。SAP法係適合形成極微細之電路的方法，就以一例而言，使用附載體粗化處理銅箔而進行。例如，圖1及圖2所示般，使用預浸材12和底漆層13將具備粗化表面之極薄銅箔10沖壓且密接於在底層基材11a具備下層電路11b之絕緣樹脂基板11上(工程(a))，於撕離載體箔(無圖示)之後，因應所需，藉由雷射穿孔形成導孔14(工程(b))。接著，藉由蝕刻除去極薄銅箔，使被賦予粗化表面輪廓之底塗層13露出(工程(c))。對該粗化表面施予無電解銅鍍敷15(工程(d))後，藉由使用乾膜16之曝光及顯像，以規定之圖案予以遮蔽(工程(e))，施予電鍍銅17(工程(f))。除去乾膜16而形成有配線部分17a(工程(g)之後，藉由蝕刻除去相鄰之配線部 分17a、17a間之不需要的無電解銅鍍敷15(工程(h))，取得以規定之圖案所形成之配線18。
如此使用粗化處理銅箔之SAP法係粗化處理銅箔本身於雷射穿孔後藉由蝕刻而被除去(工程(c))。而且，在粗化處理銅箔被除去之積層體表面被轉印粗化處理銅箔之粗化處理面之凹凸形狀，可以在之後的工程中，確保絕緣層(例如，底塗層13或無底塗層13時為預浸材12)與鍍敷電路(例如，配線18)的密接性。另外，雖然也廣泛採用不進行相當於工程(c)之銅箔除去工程的MSAP(改良型半加成製程)法，但是由於必須在顯像後之蝕刻工程(相當於工程(h))以蝕刻除去銅箔層和無電解銅鍍敷層之兩層，故比起以無電解銅鍍敷層1層之蝕刻除去即可的SAP法，必須更深地進行蝕刻。因此，由於考量更多的蝕刻量而產生了需要將電路空間縮小一些之情形，故MSAP法在微細電路形成性上可以說較SAP法略差一些。即是，以形成更微細之電路為目的，SAP法為有效。
另外，所知的有控制粗化粒子之形狀的附載體粗化處理銅箔。例如，在專利文獻1(日本特開2013-199082號公報)揭示在極薄銅層表面，粒子長度之10%之位置之粒子根部之平均直徑D1為0.2μm~1.0μm，具有粒子長度L1和粒子根部之平均直徑D1之比L1/D1為15以下之粗化處理層為特徵之附載體銅箔。在該專利文獻1中，在極薄銅表面設為粒子長度之50%之位置之粒子中央 之平均直徑D2和粒子根部之平均直徑D1之比D2/D1為1~4，並且粒子中央之平均直徑D2和粒子長度之90%之粒子前端D3之比D2/D3為0.8~1.0為佳。再者，在專利文獻1之實施例中，揭示有粗化粒子之長度為2.68μm以上。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2013-199082號公報
如上述般，使用粗化處理銅箔之SAP法係粗化處理銅箔本身於雷射穿孔後藉由蝕刻而被除去(工程(c))。而且，在粗化處理銅箔被除去之積層體表面被轉印粗化處理銅箔之粗化處理面之凹凸形狀，可以在之後的工程中，確保絕緣層(例如，底塗層13或無底塗層13時為預浸材12)與鍍敷電路(例如，配線18)的密接性。但是，由於適合於提升與鍍敷電路之密接性的表面輪廓一般來說具有成為粗的凹凸之傾向，故在工程(h)中，對無電解銅鍍敷的蝕刻性容易下降。即是，針對無電解銅鍍敷陷入粗的凹凸之部分，為了削除殘留銅，需要更多的蝕刻。
本發明者這次取得下述見解：可以提供一種粗化處理銅箔，其屬於具備由銅粒子所構成之複數略球狀 突起之粗化處理面的粗化處理銅箔，藉由將略球狀突起之平均高度設為2.60μm以下，並且將略球狀突起之平均最大徑bave對略球狀突起之平均頸徑aave之比bave/aave設為1.2以上，取得在使用於SAP法時，能夠對積層體賦予不僅有優良的鍍敷電路密接性，就連且能對無電解銅鍍敷的蝕刻性也優良的表面輪廓。再者，藉由使用上述粗化處理銅箔，在SAP法中之乾膜顯像工程中，也取得可以實現極微細之乾膜解像性。
因此，本發明之目的係提供使用於SAP之時，能夠對積層體賦予不僅鍍敷電路密接性，就連對無電解銅鍍敷之蝕刻性及乾膜解像性也優良之表面輪廓的粗化處理銅箔。再者，本發明之其他目的在於提供具備如此之粗化處理銅箔的附載體銅箔。
若藉由本發明之一態樣時，提供一種粗化處理銅箔，其係在至少一方側具有粗化處理面的粗化處理銅箔，上述粗化處理面具備銅粒子所構成之複數略球狀突起，上述略球狀突起之平均高度為2.60μm以下，並且上述略球狀突起之平均最大徑bave對上述略球狀突起之平均頸徑aave之比bave/aave為1.2以上。
若藉由本發明之其他一態樣時，提供一種附載體銅箔，其具備：載體箔、被設置在該載體箔上之剝離層、使上述粗化處理面成為外側而設置在該剝離層上的上述態樣之粗化處理銅箔。
若藉由本發明之其他之態樣時，提供一種敷 銅積層板，其係使用上述態樣之粗化處理銅箔或上述態樣的附載體銅箔而取得。
若藉由本發明之其他之態樣時，提供一種印刷配線板，其係使用上述態樣之粗化處理銅箔或上述態樣之附載體銅箔而取得。
10‧‧‧極薄銅箔
11‧‧‧絕緣樹脂基板
11a‧‧‧底層基材
11b‧‧‧下層電路
12‧‧‧預浸材
13‧‧‧底塗層
14‧‧‧導孔
15‧‧‧無電解銅鍍敷
16‧‧‧乾膜
17‧‧‧電鍍銅
17a‧‧‧配線部分
18‧‧‧配線
30‧‧‧銅箔表面
32‧‧‧略球狀突起
34‧‧‧縮頸根部
圖1為用以說明SAP法之工程流程圖，表示前半之工程(工程(a)~(d))之圖示。
圖2為用以說明SAP法之工程流程圖，表示後半之工程(工程(e)~(h))之圖示。
圖3為表示本發明之粗化處理銅箔中之略球狀粒子的示意剖面圖。
圖4A為具有包含高傾斜略球狀粒子之擁有起伏表面的粗化處理銅箔之示意剖面圖。
圖4B為在圖4A中以框包圍之部分的放大剖面圖，用以說明高傾斜略球狀粒子之定義的圖示。
圖5為表示在SAP法中良好地進行解像之乾膜圖案之一例的照片。
圖6為表示在SAP法中無良好地進行解像之乾膜圖案之一例的照片。
定義
以下表示用以特定本發明之用語乃至參數的定義。
在本說明書中，「略球狀突起」係略圓狀之具有帶圓角之概形的突起，與針狀、柱狀、細長形狀等之異向形狀之突起乃至粒子做出區別。如圖32示意性表示般，略球狀突起32由於在與銅箔表面30連結之縮頸根部34與銅箔表面30連結，雖然無法成為完全的球體，但是若根部32為大概的球狀即可。因此，略球狀突起只要保持略球狀之帶圓角的概形，就容許存在多少凹凸或變形等。另外，雖然將上述突起單稱為球狀突起亦可，但是如上述般由於無法成為完全的球體，故應解釋成意味著上述略球狀突起之意。
在本說明書中，「略球狀突起之頸徑a」如圖3示意性表示般，意味著在略球狀突起32中與銅箔表面30連結之縮頸根部34之直徑，即是相向的縮頸間之最短距離。再者，「略球狀突起之平均頸徑aave」係以樹脂製作具備粗化處理銅箔之略球狀突起之表面輪廓之複製片形狀，且在所取得之樹脂製的複製片之表面(例如435μm2之區域)所測量出的N個略球狀突起之頸徑a1、a2、．．．、aN之平均值(即是，(a1+a2+．．．+aN)/N之值)。針對樹脂製複製片之製作，若依照本說明書之實施例所記載之諸條件而進行即可。
在本說明書中，「略球狀突起之最大徑b」如 圖3示意性表示般，在銅箔表面30和平行方向所測量的略球狀突起32之最大徑。再者，「略球狀突起之平均最大徑bave」係在粗化處理銅箔之表面(例如，435μm2之區域)中所測量出之N個略球狀突起之最大徑b1、b2、．．．、bN之平均值(即是，(b1+b2+．．．+bN)/N之值)。
在本說明書中，「略球狀突起之高度c」係如圖3示意性表示般，以對銅箔表面30在垂直表面所測量出之略球狀突起32之根部34為基準之高度。再者，「略球狀突起之平均高度cave」係在粗化處理銅箔之剖面表面(例如，25μm之基準長度)中所測量出之N個略球狀突起之高度c1、c2、．．．、cN之平均值(即是，(c1+c2+．．．+cN)/N之值)。
在本說明書中，「略球狀突起之根部間隔距離d」係如圖3示意性表示般，為相鄰之略粒狀粒子30之根部水平之間隔距離，即是略粒狀粒子30之根部34之縮頸與相鄰的略球狀粒子32之根部34之縮頸的最短距離。再者，「略球狀突起之平均根部間隔距離dave」係以樹脂製作具備粗化處理銅箔之略球狀突起之表面輪廓之複製片形狀，且在所取得之樹脂製的複製片之表面(例如435μm2之區域)所測量出的N個略球狀突起之間的根部間隔距離d1、d2、．．．、dN-1之平均值(即是，(d1+d2+．．．+dN-1)/(N-1)之值)。針對樹脂製複製片之製作，若依照本說明書之實施例所記載之諸條件而進行即可。
在本說明書中，「高傾斜略球狀突起」係如 圖4A及4B示意表示般，指略球狀突起32中，連結略球狀突起32之根部邊界線(根部34之邊界線)之中點C和略球狀突起32之頂點V的線LVC，和與粗化處理銅箔之粗化處理面相反側之面呈平行之基準線LB所構成之銳角θ為85°以下。再者，「高傾斜略球狀突起佔略球狀突起之總數的比例」係在粗化處理銅箔之剖面輪廓(例如，10μm之基準長度)中所測量出的高傾斜略球狀突起之數量NH對略球狀突起之總數NA之比例，即是100×NH/NA(%)。
略球狀突起之頸徑a、最大徑b及根部間隔距離d可以藉由使用市售之畫像解析裝置和軟體對藉由SEM觀察所取得之畫像施予二值化處理等的畫像處理，而進行測量。作為如此之畫像解析裝置之例，可舉出尼利可(NIRECO)股份有限公司製造的LUZEX AP。針對畫像處理，若依照本說明書之實施例所記載之諸條件而進行即可。
在本說明書中，「表面峰值間之平均距離(Peak spacing)」係指從使用三次元表面構造解析顯微鏡而取得之試料表面之凹凸的資訊，除去高頻之起伏成分後，對與峰值有關之波形資料進行濾波而抽出的資料中之峰值間的平均距離。
在本說明書中，「起伏之最大高低差(Wmax)」係指從使用三次元表面構造解析顯微鏡而取得之試料表面之關於凹凸的資料，使用濾波器抽出與起伏 有關之波形資料之時的波形資料之高低差之最大值(波形之最大峰值高度和最大谷值深度之和)。
表面峰值間之平均距離(Peak spacing)及起伏之最大高低差(Wmax)中之任一者皆可以使用市售之三次元表面構造解析顯微鏡(例如，zygo New View 5032(Zygo公司製造)和市售之解析軟體(例如，Metro Pro Ver.8.0.2)，可以將低頻濾波器設定成11μm之條件而進行測量。此時，使箔之被測量面密接且固定於試料台，且在試料片之1cm見方之範圍內之中選擇6點測量108μm×144μm之視野，且採用從6個測量點所取得之測量值之平均值以作為代表值。
在本說明書中，載體箔之「電極面」係指載體箔製作時與陰極相接之側的面。
在本說明書中，載體箔之「析出面」係指於載體箔製作時電解銅被析出之側的面，即是不與陰極相接之側的面。
粗化處理銅箔
藉由本發明之銅箔係粗化處理銅箔。該粗化處理銅箔在至少一方之側具有粗化處理面。粗化處理面係如圖3示意性表示般，具備由銅粒子所構成之複數略球狀突起32。該些略球狀突起32之平均高度cave為2.60μm以下。再者，略球狀突起之平均最大徑bave對略球狀突起之平均頸徑ave之比bave/aave為1.2以上。如此一來，藉由具有粗 化處理面之粗化處理銅箔，且該粗化處理面具備由銅粒子所構成之複數略球狀突起，其中將略球狀突起之平均高度cave設為2.60μm以下，並且將略球狀突起之平均最大徑bave對略球狀突起之平均頸徑aave之比bave/aave設為1.2以上，可以提供使用於SAP法時，可能夠對積層體賦予不僅優良的鍍敷電路密接性，就連對無電解銅鍍敷的蝕刻性也優良的表面輪廓。再者，藉由使用上述粗化處理銅箔，在SAP法中之乾膜顯像工程中，也取得可以實現極微細之乾膜解像性。
鍍敷電路密接性和對無電解鍍銅之蝕刻性原本難以兼顧，但是若藉由本發明出人意料地能夠兼顧該些。即是，如上述般，適合提升與鍍敷電路之密接性的表面輪廓一般來說具有成為粗的凹凸之傾向，故在圖2之工程(h)中，無電解銅鍍敷之蝕刻性容易下降。即是，針對無電解銅鍍敷陷入粗的凹凸之部分，為了削除殘留銅，需要更多的蝕刻。但是，若藉由本發明之粗化處理銅箔時，可以一面實現降低如此的蝕刻量，一面確保優良的鍍敷電路密接性。此係應該係因為將略球狀突起之平均高度cave設定成2.60μm以下之略低，回避由於上述粗的凹凸所引起的上述蝕刻性之下降，另外，將上述比bave/aave設為1.2以上可以提升隨著略球狀突起之平均高度cave的下降所擔心的與鍍敷電路之密接性之故。此從圖3可理解，認為由於上述比bave/aave越大，在略球狀突起32與銅箔表面30連結之根部34縮頸變得更大，故在如此之形狀被 轉印之絕緣層(例如，底漆層13或無底漆層13之時則係預浸材12)中，可以發揮根據來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，能夠實現與優良之鍍敷電路的密接性。而且，認為藉由如此地可以兼顧優良密接性和對無電解電路的優良蝕刻性，在SAP法中之乾膜顯像工程中，可以實現極微細之乾膜解像性。因此，本發明之粗化處理銅箔以被使用於藉由半加成法(SAP)之印刷配線板之製作為佳。若以另外的表現時，本發明之粗化處理銅箔也可以說被使用於在印刷配線板用之絕緣樹脂層轉印凹凸形狀為佳。
本發明之粗化處理銅箔在至少一方之側具有粗化處理面。即是，粗化處理銅箔即使在兩側具有粗化處理面亦可，即使僅在一方側具有粗化處理面亦可。在兩側具有粗化處理之時，因在使用於SAP法之時，雷射照射側之面(與密接於絕緣樹脂之面相反側之面)也被粗化，故雷射吸收性變高之結果，也可以提升雷射穿孔性。
粗化處理面具備複數略球狀突起32，該些複數略球狀突起32係由銅粒子所構成。即是，各個略球狀突起32基本上係由一個銅粒子所構成。銅粒子即使為由金屬銅所構成亦可，即使為銅合金所構成亦可。但是，於銅粒子為銅合金之時，由於有對銅蝕刻液的溶解性下降，或由於合金成分混入銅蝕刻液使得蝕刻液之壽命下降之情形，故銅粒子以金屬銅為佳。
略球狀突起32之平均高度cave為2.60μm以 下，以1.5μm以下為佳，以1.0μm以下為較佳，以0.6μm以下為更佳。當在該些範圍內時，有意提升對無電解銅鍍敷的蝕刻性。雖然平均高度cave之下限值並不特別限定，但平均高度cave以0.2μm以上為佳，較佳為0.4μm以上。
略球狀突起32之平均最大徑bave對略球狀突起32之平均頸徑aave之比bave/aave為1.2以上，以1.2~5.0為佳，較佳為1.3~3.0，更佳為1.3~2.0，特佳為1.4~1.7。當在該些範圍內時，可充分發揮來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
略球狀突起32之平均頸徑aave以0.1~2.0μm為佳，較佳為0.2~1.0μm，更佳為0.3~0.6μm。當平均頸徑aave為2.0μm以下時，由於即使在線/空間(L/S)=5μm/5μm之微細電路圖案，也可以在線寬內存在兩個以上之略球狀突起，故提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
略球狀突起32之平均最大徑bave以2.5μm以下為佳，較佳為0.2~2.5μm，更佳為0.3~1.5μm，特佳為0.4~1.2μm，最佳為0.4~0.8μm。當在該些範圍內時，可充分發揮來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
佔存在於粗化處理面之略球狀突起32的略球狀突起32之最大徑b對略球狀突起32之頸徑a之比b/a為1.2以上之略球狀突起32之比例在個數基準上以60%以上為佳，較佳為70%以上，更佳為80%以上，特佳為 90%以上。當在該些範圍內時，可充分發揮來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
略球狀突起32之平均根部間隔距離d以0.10~0.30μm為佳，較佳為0.15~0.25μm。當在該些範圍內時，可充分發揮來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
以1~10個/μm2之面密度存在略球狀突起32為佳，較佳為2~5個/μm2，更佳為3~5個/μm2。當在該些範圍內時，可充分發揮來自略球狀突起32之縮頸形狀的定錨效果，提升鍍敷電路密接性及乾膜解像性。
粗化處理面一般來說具有起伏，由於該起伏使得略球狀突起32有可能傾斜。尤其，於粗化處理銅箔僅在一方側具有粗化處理面之時，佔略球狀突起32之總數的高傾斜略球狀突起之比例以30~60%為佳，較佳為35~57%，更佳為40~57%。高傾斜略球狀突起如上述般，係以連結略球狀突起32之根部邊界線之中點C和略球狀突起32之頂點V之線LVC，和與粗化處理銅箔之粗化處理面相反側之面呈平行之基準線LB所構成之銳角θ為85°以下的略球狀突起。當高傾斜略球狀突起之比例為60%以下時，在SAP法蝕刻除去粗化處理銅箔而被賦予粗化處理由來的凹凸形狀之基材表面，可以降低曝光時由於凹凸所引起之光之亂反射而更有利地進行乾膜之硬化，其結果，更改善乾膜光阻之解像性。再者，高傾斜略球狀突起 之比例為30%以上時，更改善對基材的密接性。因此，藉由將高傾斜略球狀之比例設為30~60%，由於兼顧乾膜解像性和與基材之密接性，故可以提供更優良的粗化處理銅箔。
本發明之粗化處理銅箔之厚度並不特限定，以0.1~18μm為佳，較佳為0.5~10μm，更佳為0.5~7μm，特佳為0.5~5μm，最佳為0.5~3μm。另外，本發明之粗化處理銅箔不限定於對通常之銅箔之表面進行粗化處理，即使進行附載體銅箔之銅箔表面的粗化處理亦可。
粗化處理銅箔之製造方法
雖然說明藉由本發明之粗化處理銅箔之較佳製造方法之一例，但是藉由本發明之粗化處理銅箔並不限定於以下說明之方法，只要可以實現本發明之粗化處理銅箔之表面輪廓，藉由所有方法製造出即可。
(1)銅箔之準備
作為粗化處理銅箔之製造所使用之銅箔，能夠使用電解銅箔及壓延銅箔之雙方。銅箔之厚度並不特限定，以0.1~18μm為佳，較佳為0.5~10μm，更佳為0.5~7μm，特佳為0.5~5μm，最佳為0.5~3μm。於以附載體銅箔之形態準備銅箔之時，銅箔藉由無電解銅鍍敷法及電解銅鍍敷法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法或是該些組合來形成即可。
成為被施予粗化處理前之銅箔之粗化處理的 面，雖然不特別限定，但以起伏之最大高低差(Wmax)為6.0μm以下為佳，較佳為0.1~2.0μm，更佳為0.2~1.3μm，並且以表面峰值間之平均距離(Peak spacing)為100μm以下為佳，較佳為3~70μm，更佳為5~30μm。當為如此之範圍內的Wmax及Peak spacing時，經過後續之粗化處理，可以順利地形成佔略球狀突起之總數的高傾斜略球狀突起之比例以30~60%為佳，較佳為35~57%，更佳為40~57%的粗化處理面。例如，於以附載體銅箔之型態準備銅箔之時，上述範圍內之低的Peak spacing和Wmax之實現可以藉由以規定之磨料粒度之拋光研磨於對載體箔進行電解製箔之時所使用之旋轉陰極之表面而調整表面粗度來進行。即是，如此被調整之旋轉陰極之表面輪廓被轉印至載體箔之電極面，在如此被賦予理想的表面輪廓之載體箔之電極面上隔著剝離層而形成銅箔，依此可以在被施予銅箔之粗化處理之側(即是，與剝離層相反側)之面賦予上述表面輪廓。理想拋光之磨料粒度係大於#1000且未滿#3000，較佳為#1500~#2500，特佳為#2000。如此一來，藉由在上述範圍內適當選擇拋光之磨料粒度，控制銅箔表面之起伏，可以如同目標控制高傾斜略球狀粒子之比例。
(2)粗化處理
使用銅粒子使銅箔之至少一方之表面粗化。該粗化藉由使用粗化處理用銅電解溶液之電解來進行。該電解經由 2階段之鍍敷工程來進行為佳。在第1階段之鍍敷工程中，使用包含銅濃度8~12g/L及硫酸濃度200~280g/L之硫酸銅溶液，以液溫20~40℃、電流密度15~35A/dm2、時間5~25秒之鍍敷條件進行電沉積為佳。在第2階段之鍍敷工程中，使用包含銅濃度65~80g/L及硫酸濃度200~280g/L之硫酸銅溶液，以液溫45~55℃及電流密度5~30A/dm2、時間5~25秒之鍍敷條件進行電沉積為佳。在各階段的電量係以設定成第1階段之鍍敷工程中之電量Q1對在第2階段之鍍敷工程之電量Q2之比(Q1/Q2)成為1.5~2.5為佳。比Q1/Q2低於1.5時，可能導致略球狀突起之縮頸變小(即是，比b/a變小)鍍敷電路密接性的下降。另外，於比Q1/Q2超過2.5時，略球狀突起之縮頸變大(即是，比b/a變大)粗化粒子容易脫落。
(3)防鏽處理
即使依期望，對粗化處理後之銅箔施予防鏽處理亦可。防鏽處理以包含使用鋅之鍍敷處理為佳。使用鋅之鍍敷處理即使鋅鍍敷處理及鋅合金鍍敷處理中之任一者亦可，鋅合金鍍敷處理以鋅-鎳合金處理特佳。鋅-鎳合金處理若至少包含Ni及Zn之鍍敷處理即可，即使更包含Sn、Cr、Co等之其他元素亦可。鋅-鎳合金鍍敷中之Ni/Zn附著比率以質量比為1.2~10為佳，較佳為2~7，更佳為2.7~4。再者，防鏽處理以更包含鉻酸鹽處理為佳，該鉻酸鹽處理係於使用鋅之鍍敷處理之後，對包含鋅之鍍 敷表面進行為佳。如此一來，可以更提升防鏽性。特佳的防鏽處理係鋅-鎳合金鍍敷處理和之後的鉻酸鹽處理的組合。
(4)矽烷耦合劑處理
即使依期望，對銅箔施予矽烷耦合劑處理，且形成矽烷耦合劑層亦可。依此，可以提升耐濕性、耐藥品性及接著劑等之密接性等。矽烷耦合劑層可以藉由適當稀釋矽烷耦合劑，並使予以乾燥而形成。作為矽烷耦合劑之例，可以舉出4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷耦合劑，或是γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基官能性矽烷耦合劑，或是γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰基官能性矽烷耦合劑或乙烯基三甲基矽烷、乙烯基苯基三甲基矽烷等之烯烴官能性矽烷耦合劑、或γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基矽烷等之丙烯酸官能性矽烷耦合劑，或咪唑矽烷等之咪唑官能性矽烷耦合劑或是三嗪矽烷等之三嗪官能性矽烷耦合劑等。
附載體銅箔
本發明之粗化處理銅箔可以以附載體銅箔之型態提供。此時，附載體銅箔具備載體箔、被設置在該載體箔之 剝離層，和使粗化處理面成為外側而被設置在該剝離層上之本發明之粗化處理銅箔而構成。但附載體銅箔除使用本發明之粗化處理銅箔之外，亦能夠採用眾知的層構成。
載體箔係用以支撐粗化處理銅箔而使其操作性提升之箔。作為載體箔之例，可舉出鋁箔、銅箔、表面金屬塗覆的樹脂膜等，以銅箔為佳。銅箔即使為壓延銅箔及電解銅箔中之任一者亦可。載體箔之厚度典型上為200μm以下，以12μm~35μm為佳。
載體箔之剝離層側之面以具有0.5~1.5μm之十點表面粗度Rzjis為佳，較佳為0.6~1.0μm。Rzjis可以依據JIS B 0601：2001而決定。藉由對載體箔之剝離層側之面賦予如此之十點表面粗度Rzjis，可以容易使在其上隔著剝離層而製作的本發明之粗化處理銅箔賦予期望的表面輪廓。
剝離層具有減弱載體箔之撕離強度，擔保該強度之安定性，還有抑制於在高溫進行沖壓成形時在載體箔和銅箔之間可能引起的互相擴散之功能。剝離層雖然一般被形成在載體箔之一方的面，但是即使形成在兩面亦可。剝離層即使為有機剝離層及無機剝離層中之任一者亦可。作為有機剝離層所使用之有機成分之例，可舉出含氮有機化合物、含硫磺有機化合物、羧酸等。作為含氮有機化合物之例，可舉出三唑化合物、咪唑化合物等，其中以三唑化合物之剝離性容易安定之點為佳。作為三唑化合物之例，可舉出1,2,3-苯並三唑、羧基苯併三唑、N’,N’-雙 (苯並三唑基甲基)尿素、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。作為含硫磺有機化合物之例，可舉出巰基苯並噻唑、三聚硫氰酸、2-氫硫苯並咪唑等。作為羧酸之例，可舉出單羧酸、二羧酸等。另外，作為被使用於無機剝離層之無機成分的例，可舉出Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、鉻酸鹽處理膜等。另外，剝離層之形成若藉由使含剝離層成分溶液接觸於載體箔之至少一方的表面，且使剝離層成分固定於載體箔之表面等即可。載體箔接觸於含剝離層成分溶液若藉由浸漬於含剝離層成分溶液、含剝離層成分溶液之噴霧、含剝離層成分溶液之流下等進行即可。再者，剝離層成分朝載體箔表面之固定若藉由含剝離層成分溶液之吸附或乾燥、含剝離層成分溶液中之剝離層成分之電沉積等來進行即可。剝離層之厚度典型上為1nm~1μm，以5nm~500nm為佳。
作為粗化處理銅箔使用上述本發明之粗化處理銅箔。本發明之粗化處理雖然係被施予使用銅粒子的粗化，就以順序而言，若首先在剝離層之表面形成銅層以作為銅箔，之後至少進行粗化即可。針對粗化之詳細如同上述般。另外，銅箔應活用作為附載體銅箔之優點，以極薄銅箔之型態構成為佳。作為極薄銅箔的理想厚度為0.1μm~7μm、較佳為0.5μm~5μm、更佳為0.5μm~3μm。
即使在剝離層和銅箔之間設置其他功能層亦可。作為其他之功能層之例可以舉出輔助金屬層。輔助金屬層以由鎳及/或鈷所構成為佳。輔助金屬層之厚度以 0.001~3μm為佳。
敷銅積層板
本發明之粗化處理銅箔乃至附載體銅箔以用於製作印刷配線板用敷銅積層板為佳。即是，若藉由本發明之較佳態樣，提供使用上述粗化處理銅箔或上述附載體銅箔而取得的敷銅積層板。藉由使用本發明之粗化處理銅箔乃至附載體銅箔，提供特別適合於SAP法的敷銅積層板。該敷銅積層板具備本發明之附載體銅箔和密接於該粗化處理面而設置的樹脂層。即使附載體銅箔被設置在樹脂層之單面亦可，即使被設置在兩面亦可。樹脂層包含樹脂，較佳為絕緣性樹脂而構成。樹脂層以預浸材及/或樹脂薄片為佳。預浸材係使合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等之基材浸漬合成樹脂的複合材料之總稱。作為絕緣性樹脂之較佳例，可舉出環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、苯酚樹脂等。再者，作為構成樹脂薄片之絕緣性樹脂之例而言，可舉出環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等之絕緣樹脂。再者，樹脂層從提升絕緣性等之觀點來看即使含有由二氧化矽、氧化鋁等之各種無機粒子所構成之填料粒子等亦可。樹脂層之厚度並不特別限定，以1~1000μm為佳，較佳為2~400μm，更佳為3~200μm。樹脂層以複數層構成即可。預浸材及/或樹脂薄片等之樹脂層即使隔著事先被塗佈在銅箔表面之底漆樹脂層而被設置在附載體極薄 銅箔亦可。
印刷配線板
本發明之粗化處理銅箔乃至附載體銅箔被使用於製作印刷配線板為佳，特佳為被使用於藉由半加成法(SAP)的印刷配線板之製作。即是，若藉由本發明之較佳態樣，提供使用上述粗化處理銅箔或上述附載體銅箔而取得的印刷配線板。藉由使用本發明之粗化處理銅箔乃至附載體銅箔，在印刷配線板之製造中，可以提供能夠對積層體賦予不僅優良的鍍敷電路密接性，就連對無電解銅鍍敷的蝕刻性也優良之表面輪廓之粗化處理銅箔。再者，藉由使用上述粗化處理銅箔，在SAP法中之乾膜顯像工程中，也取得可以實現極微細之乾膜解像性。因此，可以提供被施予極微細之電路形成的印刷配線板。藉由本態樣之印刷配線板包含依照樹脂層和銅層之順序而被積層的層構成。於SAP法之時，由於本發明之粗化處理銅箔在圖1之工程(c)中被除去，故藉由SPA法所製作出之印刷配線板已經不含本發明之粗化處理銅箔，僅殘存從粗化處理銅箔之粗化處理面被轉印之表面輪廓。再者，針對樹脂層關於敷銅積層板如同上述。在任合情況下，印刷配線板能夠採用眾知之層構成。作為與印刷配線板有關之具體例，可舉出成為使本發明之極薄銅箔接著於預浸材之單片或雙面且使硬化的疊層體之後進行電路形成的單面或雙面印刷配線板，或使該些多層化之多層印刷配線板等。再者，作為其 他具體例，亦可以舉出在樹脂膜上形成本發明之極薄銅箔而形成電路之撓性印刷配線板、COF、TAB膠帶等。作為又一其他具體例，可舉出在本發明之極薄銅箔形成塗佈上述樹脂層之附樹脂銅箔(RCC)，且在上述印刷基板積層樹脂層以作為絕緣接著材層之後，將極薄銅箔當作配線層之全部或一部分以改良型半加成(MSAP)法、減去法等之方法形成電路的疊合配線板，或除去極薄銅箔而以半加成(SAP)法形成電路的疊合配線板、在半導體電路積體上交互重覆進行附樹脂銅箔之積層和電路形成的晶圓上直接疊合(Direct Built Up On Wafer)等。作為更發展之具體例，也可以舉出在基材積層上述附樹脂銅箔且進行電路形成的天線元件、隔著接著劑層而積層在玻璃或樹脂膜且形成有圖案之面板顯示用電子材料或窗玻璃用電子材料、在本發明之極薄銅箔上塗佈導電性接著劑之電磁波屏蔽膜等。尤其，本發明之附載體極薄銅箔適用於SAP法。例如，於藉由SAP法進行電路形成之時，能夠採用圖1及2所示般之構成。
〔實施例〕
藉由以下之例進一步具體性說明本發明。
例1~6
如下述般進行附載體箔粗化處理銅箔之製作及評估。
(1)載體箔之製作
作為銅電解液，使用以下所示之組成的硫酸銅溶液，陰極使用算數平均表面粗度Ra(依據JIS B 0601：2001)為0.20μm之鈦製之旋轉電極，陽極使用DSA(尺寸定性陽極)，以溶液溫度45℃、電流密度55A/dm2進行電解，取得厚度12μm之電解銅箔以作為載體箔。此時，作為旋轉陰極，使用以#1000之拋光研磨表面而修整了表面粗度的電極。依據JIS B 0601：2001測量所取得之載體箔之電極側之面的十點平均粗度Rzjis時，則為0.9μm。再者，所取得之載體箔之析出側之面的十點平均粗度Rzjis為0.6μm。
[硫酸銅溶液之組成]
銅濃度：80g/L
硫酸濃度：260g/L
雙(3-磺丙基)二硫化物濃度：30mg/L
二烯丙基二甲基氯化胺聚合物濃度：50mg/L
氯濃度：40mg/L
(2)剝離層之形成
將被酸洗處理之載體用銅箔之電極面側以液溫30℃且時間30秒浸漬在CBTA(羧基苯併三唑)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L及銅濃度10g/L之CBTA水溶液，且使CBTA成分吸附於載體箔之電極面。如此一來，在載體用 銅箔之電極面之表面形成CBTA層以作為有機剝離層。
(3)輔助金屬層之形成
將形成有機剝離層之載體用銅箔浸漬於使用硫酸鎳所製作出之鎳濃度20g/L之溶液，在液溫45℃、pH3、電流密度5A/dm2之條件下，使厚度0.001μm相當的附著量之鎳附著於有機剝離層上。如此一來，在有機剝離層上形成鎳層以作為輔助金屬層。
(4)極薄銅箔形成
將形成有輔助金屬層之載體用銅箔浸漬於以下所示之組成的硫酸銅溶液，以溶液溫度50℃、電流密度5~30A/dm2進行電解，且在輔助金屬層上形成厚度3μm之極薄銅箔。
[溶液之組成]
銅濃度：60g/L
硫酸濃度：200g/L
在例1中，測量機器使用zygo New View 5032(Zygo公司製作)，解析軟體使用Metro Pro Ver.8.0.2，低頻濾波器採用11μm之條件，針對極薄銅箔之析出面(輔助金屬層及與剝離層相反側之面)，進行起伏之最大高低差(Wmax)及表面峰值間之平均距離(Peak spacing)之測量。此時，使極薄銅箔密接且固定 於試料台，且在試料片之1cm見方之範圍內之中選擇6點測量108μm×144μm之視野，且採用從6個測量點所取得之測量值之平均值以作為代表值。其結果，極薄銅箔之析出面(與剝離層相反側之面)係Wmax為1.38μm，Peak spacing為21.37μm。
(5)粗化處理
對上述極薄銅箔之析出面進行粗化處理。該粗化處理係藉由以下之2階段鍍敷而進行。在第1階段之鍍敷工程中，使用包含銅濃度10.0~11.5g/L及硫酸濃度230~250g/L之硫酸銅溶液，以液溫20~40℃、電流密度10~25A/dm2之鍍敷條件進行電沉積。在第2階段之鍍敷工程中，使用包含銅濃度65~75g/L及硫酸濃度230~250g/L之硫酸銅溶液，以液溫50~55℃、電流密度5~15A/dm2之鍍敷條件進行電沉積。在各階段中之電量設定成第1階段之鍍敷工程中之電量Q1對第2階段之鍍敷工程中之電量Q2得比(Q1/Q2)為2.1(例1)、1.8(例2)、2.4(例3)、1.9(例4)、1.7(例5)、1.6(例6)或是1.2(例7)。藉由在上述條件之範圍內適當變動，製作出例1~6之6種類之粗化處理銅箔。
(6)防鏽處理
對粗化處理後之附載體箔極薄銅箔之兩面，進行由無機防鏽處理及鉻酸鹽處理所構成之防鏽處理。首先，作為 無機防鏽處理，使用焦磷酸浴，以焦磷酸鉀濃度80g/L、鋅濃度0.2g/L、鎳濃度2g/L、液溫40℃、電流密度0.5A/dm2之條件進行鋅-鎳合金防鏽處理。接著，作為鉻酸鹽處理，在鋅-鎳合金防鏽處理上進一步形成鉻酸鹽層。該鉻酸鹽處理係在鉻酸濃度為1g/L、pH11、溶液溫度25℃、電流密度1A/dm2之條件下進行。
(7)矽烷耦合劑處理
對被施予上述防鏽處理之銅箔進行水洗，之後立即進行矽烷耦合劑處理，且在粗化處理面之防鏽處理層上吸附矽烷耦合劑。該矽烷耦合劑處理係以純水為溶媒，使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷濃度為3g/L之溶液，且利用噴淋將該溶液噴吹至粗化處理面施予吸附處理而進行。於矽烷耦合劑之吸附後，最終藉由電熱器使水分氣散，取得具備有厚度3μm之粗化處理銅箔的附載體銅箔。
(8)粗化處理銅箔之評估
針對所取得之粗化處理銅箔，如下述般進行包含略球狀突起的表面輪廓之諸特性。
[頸徑a和根部間隔距離d之測量]
以樹脂製作具備粗化處理銅箔之略球狀突起之表面輪廓之複製片形狀，且對所取得之樹脂製複製片之表面輪廓進行SEM觀察，且藉由進行畫像解析，進行略球狀突起 之頸徑a和平均根部間隔距離d之測量。具體順序如同下述。首先，對附載體銅箔和預浸材(三菱瓦斯化學股份有限公司製造，GHPL-830NSF，厚度0.1mm)進行熱壓接而製造出敷銅積層板。之後，於撕開該附載體銅箔之載體之後，對粗化處理銅箔進行蝕刻除去。對如此殘留的硬化後之預浸材(即是，樹脂製複製片)之表面輪廓被轉印之表面進行SEM觀察(5000倍)，藉由畫像解析裝置(尼利可股份有限公司製造，LUZEX AP)進行畫像觀察。針對435μm2之區域，測量頸徑a和根部間隔距離d，求出該些平均值(即是，平均頸徑aave和平均根部間隔距離dave)。
具體之畫像解析程序如同下述。首先，藉由畫像處理軟體對藉由SEM攝影到的畫像進行二值化處理(臨界值0~110)。由於使在如此所取得之二值化畫像中結合的粒子彼此分離，故藉由邏輯濾波器進行圓形切出處理。接著，藉由平滑化處理除去輪廓之雜波之後，藉由邏輯濾波器除去屬於雜訊的微小粒子。之後，針對被檢測出之各個粒子算出頸徑a和根部間隔距離d。在各處理中所採用之條件如下述般。
二值化處理：在臨界值0~110(畫像處理軟體中能夠設定之二值化之臨界值為0~255。0對應於完全的黑色，255對應於完全的白色)。
邏輯濾波器圓形切出：6(程度)
邏輯濾波器指定尺寸粒子之切割：切割0.03μm2以下 之粒子
[最大徑b之測量]
對具備粗化處理銅箔之略球狀突起的表面輪廓進行SEM觀察(5000倍)而藉由畫像解析裝置(尼利可股份有限公司製造，LUZEX_AP)進行畫像解析。針對435μm2之區域測量略球狀突起之最大徑b，求出該些平均值(即是，平均最大徑bave)。
具體之畫像解析程序如同下述。首先，藉由畫像處理軟體對利用SEM攝影到的畫像進行空間濾波處理。該空間濾波處理係於藉由平均化降低原畫像之雜波之後，藉由拉普拉斯濾波器強調輪廓線而進行。接著，對畫像進行二值化處理(臨界值64~165)。擴充如此所取得之二值化畫像之輪廓線，略球狀突起一個以一個粒子被辨識。而且，為了分離粒彼此，藉由邏輯濾波器實施圓形切出處理。接著，藉由平滑化處理除去輪廓之雜波之後，藉由邏輯濾波器除去屬於雜訊的微小粒子。之後，對被檢測出之各個粒子算出平均最大徑b。在各處理中所採用之條件如下述般。
二值化處理：在臨界值64~145(畫像處理軟體中能夠設定之二值化之臨界值為0~255。0對應於完全的黑色，255對應於完全的白色。)
邏輯濾波器指定尺寸粒子除去：0.05μm2
邏輯濾波器圓形切出：10(程度)
邏輯濾波器指定尺寸粒子除去：0.05μm2
[高度c之測量]
利用FIB(Focused Ion Beam)加工從粗化處理銅箔之表面製作剖面，對其剖面進行SEM觀察(5000倍)，在箔面方向(相對於厚度方向垂直的方向)測量位於基準長度25μm之範圍的每個略球狀突起之高度。
[略球狀粒子之傾斜角之測量]
在例1中，在粗化處理面側將粗化處理銅箔沖壓且貼合於預浸材(三菱瓦斯化學股份有限公司製造，GHPL-830NSF，厚度0.1mm)。利用CP(截面拋光機)加工從粗化處理銅箔之表面製作剖面，對其剖面進行SEM觀察，在箔面方向(相對於厚度方向垂直的方向)測量位於基準長度10μm之範圍的每個略球狀突起之傾斜角。具體而言，首先如圖4A所示般，以銅箔全體進入視野之方式利用低倍率(例如，5000倍)進行SEM觀察的剖面SEM像中，與銅箔之粗化處理面相反側之面平行地畫上基準線LB。由於與粗化處理面相反側之面係不被粗化處理的比較平坦的面，故在上述低倍率中，基準線LB可以繪製為直線。接著，如圖4B所示般，將SEM之倍率放大至10000倍，在放大的剖面SEM像之基準線LB之基準長度10μm之範圍，繪製連結略球狀突起之根部邊界線之中點C和略球狀突起之頂點V之線LVC，算出線LVC和基準線LB構 成之銳角為85°以下的略球狀突起之佔略球狀突起之總數的比例A。即使同樣在粗化處理面之其他的兩個視野也算出上述比例A，採用合計3視野所算出的比例A之平均值。
(9)敷銅積層板之製作
使用附載體極薄銅箔而製作出敷銅積層板。首先，在內層基板之表面，經預浸材(三菱瓦斯化學股份有限公司製作，GHPL-830NSF，厚度0.1mm)而積層附載體極薄銅箔之極薄銅箔，於在壓力4.0MPa、溫度220℃之條件下熱壓接90分鐘之後，剝離載體箔，製作出敷銅積層板。
(10)SAP評估用積層體之製作
接著，以硫酸、過氧化氫系蝕刻液除去所有敷銅積層板表面之銅箔之後，進行脫脂、Pd系觸媒賦予及活性化處理。對如此被活性化之表面，進行無電解銅鍍敷(厚度：1μm)，取得在SAP法中乾膜被貼合之前的積層體(以下，稱為SAP評估用積層體)。該些工程依照SAP法之眾知條件而進行。
(11)SAP評估用積層體之評估
在上述所取得知SAP評估用積層體，如下述般進行各種特性的評估。
[鍍敷電路密接性(剝離強度)]
在SAP評估用積層體貼合乾膜，進行曝光及顯像。使被顯像的乾膜遮蔽的積層體以圖案鍍敷析出厚度19μm之銅層後，剝離乾膜。以硫酸、過氧化氫系蝕刻液除去表露出的無電解銅鍍敷，作成高度20μm，寬度10mm之剝離強度測量用樣本。依據JIS C 6481(1996)，從評估用樣本測量剝離銅箔之時的剝離強度。
[蝕刻性]
以硫酸、過氧化氫系蝕刻液對SAP評估用積層體進行每次0.1μm的蝕刻，測量到表面之銅完全不見的量(深度)。測量方法以光學顯微鏡(500倍)來確認。更詳細而言，重覆每蝕刻0.1μm時以光學顯微鏡確認有無銅之作業，將藉由(蝕刻次數)×0.1μm所取得之值(μm)當作蝕刻性之指標而使用。例如，蝕刻性為1.2μm係指進行12次0.1μm之蝕刻時，以光學顯微鏡無檢測出殘存銅之意(即是，0.1μm×12次=1.2μm)。即是，係指該值越小越可以較少次數的蝕刻除去表面之銅之意。即是，該值越小蝕刻性越良好之意。
[乾膜解像性(最小L/S)]
在SAP評估用積層體之表面貼合厚度25μm之乾膜，且使用形成有線/間隔(L/S)從2μm/2μm至15μm/15μm的圖案的遮罩而進行曝光及顯像。此時之曝光量設為 125mJ。以光學顯鏡(500倍)觀察顯像後之取樣之表面，且採用無問題能夠進行顯像之L/S中之最小的(即是，最微細的)L/S以作為乾膜解像性之指標。例如，作為乾膜解像性評估之指標的最小L/S=10μm/10μm係指從L/S=15μm/15μm至10μm/10μm無問題可以解像之意。例如，於無問題可以解像之時，如圖5所示般，在乾膜圖案間觀察到鮮明的對比，對此於無良好地進行解像之時，如圖6所示般，在乾膜圖案間觀察到稍暗色之部分，無觀察到鮮明的對比。
例7(比較)
除粗化處理中，除了將第1階段之鍍敷工程中的電量Q1對第2階段的鍍敷工程中之電量Q2的比(Q1/Q2)設定成1.5未滿之外，其他與例1~6所敘述之順序相同，進行附載體粗化處理銅箔之製作及評估。
例8(比較)
除依照專利文獻1(日本特開2013-199082號)之實施例2之記載以下述順序進行粗化處理之外，其他與例1~6敘述之順序相同進行附載體粗化處理銅箔之製作及評估。
(粗化處理)
藉由使用以下之液組成之鍍敷液而施予粗化鍍敷進行 粗化處理。此時，粗化粒子形成時之對限界電流密度比設為3.10，電鍍溫度設為50℃。
[粗化處理用鍍敷液之組成]
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
W：3mg/L
十二基硫酸鈉添加量：10ppm
例9
作為旋轉陰極，除使用以#2000之拋光研磨表面而修整了表面粗度的電極之外，其他與例1相同，進行附載體粗化處理銅箔之製作及評估。另外，粗化處理前之極薄銅箔之析出面係Wmax為1.00μm、Peak spacing為20.28μm。
例10
除在載體用銅箔之析出面側進行有機剝離層之形成之外，其他與例1相同，進行附載體粗化處理銅箔之製作及評估。粗化處理前之極薄銅箔之析出面係Wmax為0.71μm、Peak spacing為52.13μm。
結果
在例1~10中所取得之評估結果如同表1及2所示般。
如表1所示般，即使在例1~6中之任一者中，鍍敷電路密接性、蝕刻性及乾膜解像性之任一者皆良好。另外，如表2所示般，由於aave/bave比低，故在本發明之範圍外的例7(比較)中，鍍敷電路密接性差，乾膜解像性也差。再者，由於平均高度cave高，故在本發明之範圍外的例8(比較)中蝕刻性也差。再者，高傾斜略球狀突起之比例為30~60%之範圍內之例9比起上述範圍外之例1及10，由於兼顧乾膜解像性和鍍敷電路密接性為優良者。
30‧‧‧銅箔表面
32‧‧‧略球狀突起
34‧‧‧縮頸根部

Claims (14)

  1. 一種粗化處理銅箔，其係在至少一方側具有粗化處理面的粗化處理銅箔，其特徵在於：上述粗化處理面具備銅粒子所構成之複數略球狀突起，上述略球狀突起之平均高度為2.60μm以下，並且上述略球狀突起之平均最大徑bave對上述略球狀突起之平均頸徑aave之比bave/aave為1.2以上。
  2. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述比bave/aave為5.0以下。
  3. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述比bave/aave為1.3~2.0。
  4. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述略球狀突起之平均最大徑bave為2.5μm以下。
  5. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中佔存在於上述粗化處理面之略球狀突起的上述略球狀突起之最大徑b對略球狀突起之頸徑a之比b/a為1.2以上之略球狀突起之比例為60%以上。
  6. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述略球狀突起之平均根部間隔距離為0.1~0.3μm。
  7. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述略球狀突起以1~10個/μm2之面密度存在。
  8. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理銅箔僅在一方側具有上述粗化處理面，並且，佔上述略球狀突起之總數的高傾斜略球狀突起之比 例為30~60%，上述高傾斜略球狀突起係連結略球狀突起之根部邊界線之中點和上述略球狀突起之頂點之線，和與上述粗化處理銅箔之上述粗化處理面相反側之面呈平行之基準線所構成之銳角為85°以下的略球狀突起。
  9. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理銅箔具有0.5~5μm的厚度。
  10. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中被使用於在印刷配線板用之絕緣樹脂層轉印凹凸形狀。
  11. 如請求項1所記載之粗化處理銅箔，其中被使用於藉由半加成法(SAP)的印刷配線板之製作。
  12. 一種附載體銅箔，其特徵在於具備：載體箔、被設置在該載體箔上之剝離層、使上述粗化處理面成為外側而被設置在該剝離層上的請求項1~11中之任一項所記載之粗化處理銅箔。
  13. 一種敷銅積層板，其特徵在於：使用如請求項1~11中之任一項所記載之粗化處理銅箔或如請求項12所記載之附載體銅箔而取得。
  14. 一種印刷配線板，其特徵在於具備：使用如請求項1~11中之任一項所記載之粗化處理銅箔或如請求項12所記載之附載體銅箔而取得。
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