TW201628115A - 基板液處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提升來自液處理部之排氣的氣液分離性。 實施形態之基板液處理裝置，係具備有 液處理部、第1排氣管、第2排氣管。液處理部，係使用處理液來處理基板。第1排氣管，係至少一部分配置於比液處理部更上方。第2排氣管，係一端側被連接於液處理部，藉由排氣機構，經由第1排氣管，對液處理部進行排氣。又，第2排氣管，係另一端側與配置於比第1排氣管之液處理部更上方的部分連接。

Description

基板液處理裝置
所揭示之實施形態，係關於基板液處理裝置。
以往，已知一種對矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板進行液處理的基板液處理裝置。
例如，已知一種基板液處理裝置，其係在液處理部之下方設置有用以使來自液處理部的排氣流動之排氣管的收容空間(參閱專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2008-34490號公報
然而，在上述的習知技術中，係在所謂提升來自液處理部之排氣的氣液分離性該點上，仍有進一步改 善的空間。
例如，在上述的習知技術中，係在液處理部設置排液罩杯與排氣罩杯，藉由使來自排液罩杯之排液與來自排氣罩杯之排氣獨立方式，提高氣液分離性。然而，排氣路徑中例如有霧氣流入之虞。霧氣流入排氣路徑，雖係例如可在排氣路徑設置霧氣捕集器的方式中得到某種程度的抑制，但抑制到更小為較佳。
實施形態之一態樣，係以提供一種可提升來自液處理部之排氣之氣液分離性的基板液處理裝置為目的。
實施形態之一態樣之基板液處理裝置，係具備有液處理部、第1排氣管、第2排氣管。液處理部，係使用處理液來處理基板。第1排氣管，係至少一部分配置於比液處理部更上方。第2排氣管，係一端側被連接於液處理部，藉由排氣機構，經由第1排氣管，對液處理部進行排氣。又，第2排氣管，係另一端側與配置於比第1排氣管之液處理部更上方的部分連接。
根據實施形態之一態樣，可提升來自液處理部之排氣的氣液分離性。
1‧‧‧基板處理系統
3‧‧‧處理站
15‧‧‧搬送部
16‧‧‧處理單元
18‧‧‧控制部
52‧‧‧排氣口
71‧‧‧鹼系處理液供給源
72‧‧‧酸系處理液供給源
73‧‧‧有機系處理液供給源
74‧‧‧DIW供給源
100‧‧‧第1排氣管
101~103‧‧‧個別排氣管
151~153‧‧‧排氣機構
200‧‧‧第2排氣管
201‧‧‧水平部
202‧‧‧上升部
250‧‧‧排液部
300‧‧‧排氣切換單元
310‧‧‧排氣導入部
320_1~320_3‧‧‧切換機構
321‧‧‧本體部
322‧‧‧排氣吸入口
323‧‧‧外氣吸入口
324‧‧‧流出口
325‧‧‧閥體
326‧‧‧驅動部
330‧‧‧外氣導入部
331‧‧‧本體部
332~334‧‧‧連通口
335‧‧‧開口部
340‧‧‧流出部
350‧‧‧外氣吸入管
360‧‧‧差壓埠
370‧‧‧排氣流量調整部
371‧‧‧驅動部
400‧‧‧框架構造體
401‧‧‧柱部
402‧‧‧樑部
[圖1]圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。
[圖2]圖2，係表示處理單元之概略構成的圖。
[圖3]圖3，係表示處理單元之排氣路徑的圖。
[圖4]圖4，係表示處理站的示意立體圖。
[圖5]圖5，係表示處理站的示意側視圖。
[圖6]圖6，係表示處理站的示意平面圖。
[圖7]圖7，係表示排氣切換單元的示意立體圖。
[圖8]圖8，係表示排氣切換單元的示意立體圖。
[圖9]圖9，係表示排氣切換單元之構成的圖。
[圖10]圖10，係表示外氣導入部之構成的圖。
[圖11]圖11，係表示排氣切換中之狀態的圖。
[圖12]圖12，係流量調整處理的說明圖。
[圖13]圖13，係流量調整處理的說明圖。
[圖14]圖14，係表示在基板處理系統中所執行之基板處理之處理步驟之一例的流程圖。
[圖15]圖15，係表示第1變形例之處理站的示意側視圖。
[圖16]圖16，係表示第2變形例之處理站的示意平面圖。
以下，參閱添附圖面，詳細說明本申請案所揭示之基板液處理裝置的實施形態。另外，該發明並不受下述所示的實施形態限定。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在下述中，係為了明確位置關係，而規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C(該載體，係以水平狀態收容複數片基板，在本實施形態中為半導體晶圓(以下稱晶圓W))。
搬送部12，係相鄰於載體載置部11而設置，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W之晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W之搬送。
處理站3，係相鄰於搬送部12而設置。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係並排設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置 17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W之晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W之搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送的晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係亦可為記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從其記憶媒體安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述所構成的基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13，係從載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，將所取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出，搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16的晶圓W，係在藉由處理 單元16予以處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出，載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13返回到載體載置部11之載體C。
其次，參閱圖2說明處理單元16的構成。圖2，係表示處理單元16之概略構成的圖。
如圖2所示，處理單元16，係具備有腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40及回收杯體50。
腔室20，係收容有基板保持機構30、處理流體供給部40及回收杯體50。在腔室20之頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成降流。
基板保持機構30，係具備有保持部31、支柱部32及驅動部33。保持部31，係水平地保持晶圓W。支柱部32，係延伸於垂直方向的構件，基端部，係藉由驅動部33可旋轉地支撐，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33，係使支柱部32繞垂直軸旋轉。該基板保持機構30，係藉由使用驅動部33來使支柱部32旋轉的方式，使支撐於支柱部32之保持部31旋轉，藉此，使保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40，係對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40，係連接於處理流體供給源70。
回收杯體50，係配置為包圍保持部31，捕捉 因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收杯體50的底部，係形成有排液口51，由回收杯體50所捕捉的處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收杯體50的底部，係形成有排氣口52(該排氣口，係使從FFU21所供給的氣體排出至處理單元16的外部)。
其次，參閱圖3說明處理單元16的排氣路徑。圖3，係表示處理單元16之排氣路徑的圖。另外，在圖3中，係主要表示用於說明處理單元16之排氣路徑的必要構成要素，適當地省略一般構成要素的記載。
首先，說明本實施形態之處理單元16的構成。如圖3所示，處理單元16所具備之處理流體供給部40(相當於「處理液供給部」之一例)，係具備有噴嘴41與一端連接於該噴嘴41的配管42。配管42之另一端，係分歧成複數個，在所分歧的各端部，係分別連接有鹼系處理液供給源71、酸系處理液供給源72、有機系處理液供給源73及DIW供給源74。又，在各供給源71~74與噴嘴41之間，係設置有閥75~78。
該處理流體供給部40，係從噴嘴41對晶圓W之表面(被處理面)供給從各供給源71~74所供給的鹼系處理液、酸系處理液、有機系處理液及DIW(常溫之純水)。
在本實施形態中，係使用SC1(氨、過氧化氫及水的混合液)作為鹼系處理液，使用HF(氫氟酸) 作為酸系處理液，使用IPA(異丙醇)作為有機系處理液者。另外，酸系處理液、鹼系處理液及有機系處理液，係並不限定該些。
另外，在本實施形態中，雖係從1個噴嘴41供給鹼系處理液、酸系處理液、有機系處理液及DIW，但處理流體供給部40，係亦可具備有對應於各處理液的複數個噴嘴。
在此，使用SC1時從處理單元16所排出的鹼系排氣與使用HF時從處理單元16所排出的酸系排氣與使用IPA時從處理單元16所排出的有機系排氣，係例如從安全性或排氣管的污染防止等方面來看，個別地進行排出為較佳。因此，在本實施形態之基板處理系統1中，係對於鹼系排氣、酸系排氣及有機系排氣逐一設置有排氣路徑。
接著，說明處理單元16之排氣路徑的構成。基板處理系統1之處理站3，係具備有第1排氣管100、第2排氣管200及排氣切換單元300作為處理單元16的排氣路徑。
第1排氣管100，係具備有複數個個別排氣管101~103。個別排氣管101，係鹼系排氣所流動的排氣管；個別排氣管102，係酸系排氣所流動的排氣管；個別排氣管103，係有機系排氣所流動的排氣管。在該些個別排氣管101~103，係分別設置有排氣機構151~153。作為排氣機構151~153，係可使用泵的吸氣裝置。
本實施形態之個別排氣管101~103，係至少一部分配置於比處理單元16更上方。個別排氣管101~103的具體配置，係在後面進行敍述。
第2排氣管200，係將來自處理單元16之排氣引導到第1排氣管100的配管。該第2排氣管200，係一端側被連接於處理單元16的排氣口52，另一端，經由後述之排氣切換單元300，與配置於比第1排氣管100之處理單元16更上方的部分連接。
第2排氣管200，係具備有：水平部201，從處理單元16之排氣口52水平地延伸；及上升部202，設置於水平部201的下游側，朝向上方垂直地延伸。又，在上升部202的最下位置，係設置有將第2排氣管200內之液體排出至外部的排液部250。
排氣切換單元300，係連接於第2排氣管200的上升部202，將來自處理單元16之排氣的流出對象切換為個別排氣管101~103之任一。與第1排氣管100相同地，該排氣切換單元300亦配置於比處理單元16更上方。
處理單元16之排氣路徑，係如上述所構成，來自處理單元16的排氣，係經由第2排氣管200及排氣切換單元300，流出至個別排氣管101~103之任一。
在此，本實施形態之基板處理系統1，係如上述，第1排氣管100的至少一部分與排氣切換單元300，係配置於比處理單元16更上方，第2排氣管200之另一 端側，係經由排氣切換單元300，與配置於比第1排氣管100之處理單元16更上方的部分連接。藉此，來自處理單元16的排氣，係在使第2排氣管200之上升部202上升後，從排氣切換單元300流出至第1排氣管100。
對來自處理單元16的排氣而言，係存在有含有霧氣的情形。但是，由於霧氣比氣體重，因此，相較於排氣，難以使上升部202上升。因此，含有霧氣之排氣，係在上升部202流動的期間，分離成易使上升部202上升的排氣與難以使上升部202上升的霧氣。該結果，排氣，係經由設置於上升部202之上方的排氣切換單元300，從第1排氣管100排出到外部，霧氣，係在藉由溫度下降而液化後，從設置於上升部202之最下位置的排液部250排出至外部。
如此一來，本實施形態之基板處理系統1中，由於是在處理單元16的排氣路徑設置上升部202，將來自處理單元16之排氣引導至上方，因此，可提升來自處理單元16之排氣的氣液分離性。又，由於是在上升部202進行氣液分離，因此，可防止因霧氣所引起的髒污或雜質等附著於配置於比上升部202更下游側(上方)的排氣切換單元300。
又，由於當霧氣液化時，會於上升部202落下而積存於上升部202的最下位置，因此，以在上升部202之最下位置設置排液部250的方式，可使第2排氣管200內的液體效率良好地排出至外部。
在此，在本實施形態中，上升部202之最下位置，係相當於水平部201與上升部202的角部。在第2排氣管200流動的霧氣，係在從水平部201往上升部202移動時，有因與上述角部發生衝撞而液化的情形。因此，以在水平部201與上升部202之間設置角部，在該角部配置排液部250的方式，可更有效率地回收第2排氣管200內的液體。
另外，基板處理系統1，係亦可具備有：冷卻水噴出部，從上升部202之上部，將冷卻水噴出至上升部202內。藉此，藉由冷卻水，可使上升部202內的霧氣冷卻而積極地液化。
由於所有的鹼系排氣、酸系排氣及有機系排氣會在第2排氣管200流動，因此，例如有產生鹽等而污染第2排氣管200內的可能性。因此，基板處理系統1，係亦可具備有：洗淨水噴出部，將洗淨水噴出至第2排氣管200內。藉此，藉由洗淨水，可去除第2排氣管200內的髒污。
在本實施形態中，雖係表示在上升部202之最下位置(水平部201與上升部202的角部)配置有排液部250時的例子，但排液部250，係亦可配置於水平部201。又，在此，雖係表示第2排氣管200具有水平部201時的例子，但第2排氣管200，係並非必需具有水平部201。
又，在本實施形態中，雖係表示上升部202 垂直延伸時的例子，但上升部202，係例如亦可為斜向延伸的形狀或蜿蜒而延伸的形狀或螺旋狀延伸的形狀等。以設成為像這樣之形狀的方式，與垂直延伸時相比，可更使上升部202之流路長度拉長。由於上升部202之流路長度越長，在上升部202中較多的霧氣會更因溫度下降而液化，因此，可進一步提升氣液分離性。
其次，參閱圖4~圖7，說明上述之第1排氣管100、第2排氣管200及排氣切換單元300的配置。圖4，係處理站3的示意立體圖。又，圖5，係同示意側視圖，圖6，係同示意平面圖。另外，在此所述的側視圖，係指在Y軸正方向觀看處理站3時的圖，平面圖，係指在Z軸負方向觀看處理站3時的圖。又，在圖4中，係省略處理站3中之比搬送部15(參閱圖1)更往Y軸正方向側的構成。
如圖4及圖5所示，處理站3，係具備有：框架構造體400，具有複數個柱部401與複數個樑部402，在由柱部401與樑部402所形成的收容空間，收容有複數個處理單元16與複數個閥箱60。
複數個處理單元16，係沿著搬送部15並列配置，且層積成上下2層。複數個閥箱60，係例如收容有閥75~78(參閱圖3)等的容器，配置於各處理單元16的下部。
在下述中，係有時將層積成上下2層的處理單元16中之配置於上層的處理單元16記載為「處理單元 16U」，將配置於下層的處理單元16記載為「處理單元16L」。另外，在本實施形態中，雖係表示處理單元16層積成上下2層時的例子，但處理單元16之層積數並不限定於2層。又，在圖4~圖6中，雖係表示並列配置有5台處理單元16時的例子，但所並列配置之處理單元16的台數並不限定於5台。
第1排氣管100所具有之個別排氣管101~103，係載置於框架構造體400的上部。又，在個別排氣管101~103的上部，係載置有對應於各處理單元16的複數個排氣切換單元300。
如此一來，在本實施形態之基板處理系統1中，係設成為在框架構造體400的外部配置個別排氣管101~103與排氣切換單元300。藉此，可分別搬送框架構造體400的部分與個別排氣管101~103及排氣切換單元300的部分。又，可簡化搬送作業或設置作業。
又，根據本實施形態之基板處理系統1，由於第1排氣管100及排氣切換單元300是配置於框架構造體400的外部，因此，亦可因應基板處理的內容而輕易改變第1排氣管100及排氣切換單元300的構造。
例如，在僅使用鹼系處理液及酸系處理液2種類時，在框架構造體400上，係可輕易設置不具有個別排氣管103的第1排氣管100及對應於該第1排氣管100的排氣切換單元300。如此一來，根據本實施形態之基板處理系統1，可提高設計自由度。
又，根據本實施形態之基板處理系統1，與在框架構造體400的內部配置第1排氣管100及排氣切換單元300時相比，可輕易在框架構造體400的內部設置剩餘空間410(參閱圖5)。剩餘空間410，係可設置於框架構造體400的最下層，例如可利用來作為鹼系處理液供給源71或酸系處理液供給源72等之各種供給源的收納空間。
又，本實施形態之排氣切換單元300，係配置於個別排氣管101~103的上部。換言之，排氣切換單元300，係配置於處理站3的最上部。藉此，作業員，係可輕易地進行排氣切換單元300的更換或維修。另外，排氣切換單元300，係只要配置於至少比處理單元16更上方即可，例如亦可配置於個別排氣管101~103的下部。
如圖4及圖5所示，第1排氣管100，係配置於比配置於最上層之處理單元16U更上方，且經由排氣切換單元300U，300L，連接有分別對應於上層側之處理單元16U及下層側之處理單元16L的第2排氣管200U，200L。
如此一來，在本實施形態之基板處理系統1中，係設成為在上層側的處理單元16U與下層側的處理單元16L共用第1排氣管100。因此，與在上層側的處理單元16U與下層側的處理單元16L分別設置第1排氣管100時相比，可使基板處理系統1的製造成本更降低。
另外，如圖6所示，基板處理系統1，係具備 有：第1排氣管100，與配置於比搬送部15更往Y軸負方向側的處理單元16對應；及第1排氣管100，與配置於比搬送部15更往Y軸正方向側的處理單元16對應。各第1排氣管100，係分別配置於配置有所對應之處理單元16之區域的上方。
在此，複數個第2排氣管200中之連接於上層之處理單元16U的第2排氣管200U與連接於下層之處理單元16L的第2排氣管200L，係配置於處理單元16U，16L的同一側。例如如圖5所示，第2排氣管200U，200L，係表示在Y軸正方向觀看處理站3時之配置於處理單元16U，16L之右側時的例子。
又，複數個排氣切換單元300中之對應於上層之處理單元16U的排氣切換單元300U與對應於下層之處理單元16L的排氣切換單元300L，係沿著處理單元16的並排方向交替配置。
而且，排氣切換單元300U與排氣切換單元300L，係具有同一構造，且配置為彼此相向。具體而言，如圖5所示，在Y軸正方向觀看處理站3時，對應於上層之處理單元16U的排氣切換單元300U與對應於下層之處理單元16L的排氣切換單元300L，係將連接於該些處理單元16U，16L的第2排氣管200U，200L作為中心線X，線對稱地配置。
如此一來，在基板處理系統1中，連接於上層之處理單元16U的第2排氣管200U與連接於下層之處 理單元16L的第2排氣管200L，係配置於處理單元16U，16L的同一側。又，對應於上層之處理單元16U的排氣切換單元300U與對應於下層之處理單元16L的排氣切換單元300L，係將該些第2排氣管200U，200L作為中心線X，以線對稱的方式相向配置。藉由設成為像這樣之配置的方式，可輕易在上層與下層，使第2排氣管200U，200L或排氣切換單元300U，300L共通化。
另外，排氣切換單元300U與排氣切換單元300L，係並非必需相向配置。例如，排氣切換單元300U與排氣切換單元300L，係亦可朝向同方向配置。在該情況下，例如只要使連接於下層之處理單元16L的第2排氣管200L垂直地延伸而與排氣切換單元300L連接、使連接於上層之處理單元16U的第2排氣管200U斜向地延伸而與排氣切換單元300U連接即可。
其次，參閱圖7及圖8，說明排氣切換單元300的構成。圖7及圖8，係排氣切換單元300的示意立體圖。
如圖7及圖8所示，排氣切換單元300U，300L，係具備有排氣導入部310、複數個切換機構320_1~320_3、外氣導入部330及複數個流出部340。又，排氣切換單元300U，300L，係具備有外氣吸入管350、差壓埠360及排氣流量調整部370。
各排氣切換單元300U，300L，係在第2排氣管200U，200L連接有外氣吸入管350(參閱圖8)，並 且在個別排氣管101~103連接有流出部340(參閱圖7)。而且，來自第2排氣管200U，200L的排氣，係經由差壓埠360、排氣流量調整部370及排氣導入部310，流入切換機構320_1~320_3之任一(參閱圖8)，從切換機構320_1~320_3，經由流出部340排出至個別排氣管101~103之任一。
另外，排氣切換單元300U，300L，係具有將排氣導入部310、切換機構320_1~320_3、外氣導入部330、流出部340、外氣吸入管350、差壓埠360及排氣流量調整部370單元化的構成。因此，排氣切換單元300U，300L，係可輕易對個別排氣管101~103或第2排氣管200進行安裝、拆卸。
排氣導入部310，係具有作為中空狀之箱體的本體部311，在與本體部311中之與切換機構320_1~320_3相對向的側面，形成有連通於切換機構320_1~320_3之各排氣吸入口322的複數個連通口(未圖示)。又，在本體部311的下面，係形成有連通於排氣流量調整部370的連通口(未圖示)。該排氣導入部310，係使從第2排氣管200，經由後述之外氣吸入管350、差壓埠360及排氣流量調整部370所導入的排氣流入切換機構320_1~320_3。
在此，從排氣流量調整部370導入至排氣導入部310的排氣，係在與排氣導入部310的上面碰撞後，流入切換機構320_1~320_3之任一。因此，假如導入至排 氣導入部310的排氣中即便含有霧氣，亦可使該霧氣與排氣導入部310的上面碰撞而液化，從而可抑制霧氣流入切換機構320_1~320_3。
另外，在本實施形態中，雖係表示排氣導入部310為長方體狀之箱體時的例子，但排氣導入部310，係不限定於長方體狀。例如，排氣導入部310，係亦可為圓柱狀的箱體。以將排氣導入部310設成為圓柱狀的方式，例如可使由管等所形成的配管與構件共通化。又，即便為將排氣導入部310設成為圓柱狀時，導入至排氣導入部310的排氣，係亦在與排氣導入部310的內面碰撞後，流入切換機構320_1~320_3之任一。因此，與將排氣導入部310設成為長方體狀時同樣地，可使霧氣與排氣導入部310的內面碰撞而液化。
又，在本實施形態中，雖係將排氣導入部310設成為箱體，但排氣導入部310，係並非必需為箱體。例如，排氣導入部310，係亦可為一端連接於排氣流量調整部370，另一端分歧成複數片而分別連接於切換機構320_1~320_3的配管。
切換機構320_1~320_3，係各別對應於個別排氣管101~103，沿著與個別排氣管101~103之並排方向相同的方向(Y軸方向)並排配置。在各切換機構320_1~320_3，係連接有排氣導入部310、外氣導入部330、流出部340。排氣導入部310與外氣導入部330，係上下隔著預定間隔而連接於切換機構320_1~320_3的一側 面。又，流出部340，係連接於與連接有切換機構320_1~320_3之排氣導入部310及外氣導入部330的側面相反之一側的側面。
該切換機構320_1~320_3，係構成為以使設置於內部之閥體動作的方式，切換連通有排氣導入部310與流出部340的狀態及連通有外氣導入部330與流出部340的狀態。在此，參閱圖9，說明切換機構320_1~320_3的內部構成。圖9，係表示排氣切換單元300之構成的圖。
如圖9所示，切換機構320_1~320_3，係具備有本體部321。本體部321，係具有兩端被封閉的圓筒狀內部空間，在其內周面，係形成有：排氣吸入口322，連通於排氣導入部310；外氣吸入口323，連通於外氣導入部330；及流出口324，連通於流出部340。
在本體部321的內部空間，係設置有可沿著本體部321之內周面滑動的閥體325。閥體325，係藉由設置於切換機構320_1~320_3之外部的驅動部326(參閱圖7)來驅動。驅動部326，係藉由控制部18來控制。
形成於本體部321之內周面的排氣吸入口322、外氣吸入口323及流出口324中之排氣吸入口322及外氣吸入口323的任一方，係形成為被閥體325堵塞的狀態。換言之，形成為僅排氣吸入口322及外氣吸入口323之任一方連通於流出口324的狀態。切換機構320_1~320_3，係藉由使閥體325沿著本體部321之內周面滑動的方式，將與流出口324連通的開口從排氣吸入口 322切換到外氣吸入口323，或從外氣吸入口323切換到排氣吸入口322。亦即，切換連通有排氣導入部310與流出部340的狀態及連通有外氣導入部330與流出部340的狀態。
外氣導入部330，係連接於切換機構320_1~320_3，將外氣吸入至內部而供給至切換機構320_1~320_3。在此，參閱圖10，說明外氣導入部330的構成。圖10，係表示外氣導入部330之構成的圖。另外，在圖10中，係示意地表示外氣導入部330之平剖面的形狀。
如圖10所示，外氣導入部330，係具備有本體部331。本體部331，係中空狀之箱體，在與切換機構320_1~320_3相對向的側面，形成有連通於切換機構320_1~320_3之各外氣吸入口323的複數個連通口332~334。又，在與設置有本體部331之複數個連通口332~334的側相反之一側的側面，係形成有狹縫狀之開口部335，該開口部335，係沿著連通口332~334的並排方向形成開口。
外氣，係在從開口部335流入本體部331的內部後，通過本體部331，從連通口332~334之任一流入切換機構320_1~320_3之任一。
在此，開口部335，係沿著連通口332~334的並排方向而形成。藉此，可使壓力損失在本體部331內儘可能均等地產生，關於該點，係在後面進行敍述。另外， 在本實施形態中，雖係將開口部335設成為狹縫狀，但開口部335之形狀並不限定於狹縫狀。例如，開口部335，係亦可為複數個小孔沿著複數個連通口332~334的並排方向而設置者。
另外，外氣導入部330，係亦可具備有使開口部335之開口程度改變的開口調整部。作為開口調整部，係例如可使用擋板，該擋板，係安裝於形成有開口部335之本體部331的側面，堵塞開口部335。如此一來，藉由設置開口調整部的方式，可調整本體部331內所產生的壓力損失。
在此，雖表示在與設置有本體部331中之複數個連通口332~334的面相反之一側的面，設置有開口部335時的例子，但開口部335，係至少只要設置於與設置有連通口332~334之面不同的面即可。例如，在本體部331的側面設置有複數個連通口332~334時，開口部335，係亦可設置於本體部331的上面。
外氣吸入管350，係一端側連接於第2排氣管200，並且另一端側開放於大氣的配管(參閱圖7~圖9)。在外氣吸入管350的中途部，係設置有外氣流量調整部351。外氣流量調整部351，係例如擋板，以使用驅動部352(參閱圖7)改變擋板之開合度的方式，調整流向外氣吸入管350之一端側之外氣的流量。另外，驅動部352，係藉由控制部18來控制。該外氣吸入管350及外氣流量調整部351，係被使用於切換進入處理單元16的供 氣量之際。
另外，在本實施形態中，雖係表示外氣吸入管350之一端側連接於第2排氣管200時的例子，但連接有外氣吸入管350之一端側的位置，係只要是至少比切換機構320_1~320_3更往上游側即可。例如，外氣吸入管350之一端側，係亦可連接於排氣導入部310。
差壓埠360，係上游側之端部連接於外氣吸入管350的一端側，下游側之端部連接於排氣流量調整部370。該差壓埠360，係檢測上游側與下游側的壓力差，將檢測結果輸出至控制部18。控制部18，係根據從差壓埠360所取得的檢測結果，控制後述之排氣流量調整部370，藉此可將流向排氣導入部310的排氣流量保持為預定值。另外，差壓埠360，係亦可為在中途部具有節流部，檢測該節流部之上游側與下游側之壓力差的構成。
排氣流量調整部370，係上游側之端部連接於差壓埠360，下游側之端部連接於排氣導入部310。在排氣流量調整部370的內部，係例如配置有擋板。該排氣流量調整部370，係以使用驅動部371(參閱圖8)改變擋板之開合度的方式，調整從差壓埠360流向排氣導入部310之排氣的流量。另外，驅動部371，係藉由控制部18來控制。
在此，如上述，在本實施形態之基板處理系統1中，係設成為在上層側的處理單元16U與下層側的處理單元16L，共用配置於框架構造體400上的第1排氣管 100。在設成為該構成時，連接於處理單元16L之第2排氣管200L的長度，係比連接於處理單元16U的第2排氣管200U更長。藉此，排氣流路的流路電阻會產生差異，而有使排氣量在處理單元16U與處理單元16L成為不均等之虞。
對此，本實施形態之排氣切換單元300，係具備有差壓埠360與排氣流量調整部370。因此，控制部18，係根據上層側及下層側之差壓埠360的檢測結果，控制上層側及下層側之排氣流量調整部370，藉此可使上層側的排氣流量與下層側的排氣流量構成為均等。
其次，說明將來自處理單元16之排氣的流出對象在個別排氣管101~103之間切換時的動作。
例如，在圖9中，係表示使鹼系排氣流向個別排氣管101時的例子。在該情況下，排氣切換單元300，係成為切換機構320_1之排氣吸入口322與排氣導入部310連通，剩餘之切換機構320_2，320_3之外氣吸入口323與外氣導入部330連通的狀態。
如此一來，在切換機構320_1連通於排氣導入部310的期間，剩餘之切換機構320_2，320_3，係成為連通於外氣導入部330的狀態。藉此，鹼系排氣流入個別排氣管101，外氣流入剩餘的個別排氣管102、103。
接著，考慮將排氣流之流出對象從個別排氣管101切換到個別排氣管102的情形。在該情況下，控制部18，係藉由控制切換機構320_1，320_2之驅動部326 的方式，使切換機構320_2之排氣吸入口322連通於排氣導入部310，使剩餘的切換機構320_1，320_3之外氣吸入口323連通於外氣導入部330。藉此，酸系排氣流入個別排氣管102，外氣流入剩餘的個別排氣管101、103。
如此一來，在本實施形態之基板處理系統1中，係在來自處理單元16的排氣流入個別排氣管101~103之任一的期間，外氣會流入剩餘的個別排氣管101~103。因此，在排氣切換的前後，流入各個別排氣管101~103之氣體的流量，係不會有太大的變動。因此，可抑制伴隨著流量之變動之處理單元16的壓力變動。
又，在本實施形態之基板處理系統1中，係在切換機構320_1~320_3所具備之外氣吸入口323的前段，設置連通於各外氣吸入口323的外氣導入部330，藉此亦可抑制排氣切換中之處理單元16的壓力變動。
參照圖11說明該點。圖11，係表示排氣切換中之狀態的圖。
例如，在排氣之流出對象從個別排氣管101切換到個別排氣管102時，切換機構320_1之閥體325，係從堵塞外氣吸入口323的位置往堵塞排氣吸入口322的位置移動，並且切換機構320_2之閥體325，係從堵塞排氣吸入口322的位置往堵塞外氣吸入口323的位置移動。在其中途，係如圖11所示，切換機構320_1，320_2之排氣吸入口322與外氣吸入口323，係皆成為連通於流出口324的狀態。
在此，假如在各切換機構320_1~320_3的外氣吸入口323直接開放於大氣時，與在排氣吸入口322之前段設置有排氣導入部310之排氣的流入路徑相比，外氣之流入路徑的壓力損失更小。該結果，從壓力損失少的外氣吸入口323流入之外氣的流量，係多於從排氣吸入口322流入之排氣的流量。
當流入切換機構320_1，320_2之本體部321之外氣的流量增加時，從排氣吸入口322流入本體部321之排氣的流量則相對地減少。亦即，排氣切換中的排氣流量，係與排氣切換之前後的排氣流量相比更少。如此一來，處理單元16內會供氣過多，而有產生來自處理單元16的環境洩漏等之虞。
對此，在本實施形態之基板處理系統1中，係設成為在各切換機構320_1~320_3所具備之外氣吸入口323的前段設置外氣導入部330。藉此，由於外氣的流入路徑與排氣的流入路徑之壓力損失的差減少，因此，可抑制排氣切換中之外氣之流量的增加。換言之，由於可抑制排氣切換中之排氣流量的減少，因此，可抑制伴隨著排氣流量之減少之處理單元16的壓力變動。
又，切換機構320_1~320_3的各排氣吸入口322，係可經由排氣導入部310相互連通。又，切換機構320_1~320_3的各排外氣吸入口323，亦同樣地構成為可經由外氣導入部330相互連通。因此，在排氣切換中，係成為排氣導入部310與外氣導入部330經由切換機構 320_1~320_3相互連通的狀態。
藉由設成為該構成的方式，可在排氣切換中，藉由外氣之流入路徑側所產生的壓力變動，使排氣之流入路徑側所產生的壓力變動抵消。因此，可有效果地抑制排氣切換中之處理單元16的壓力變動。
其次，考慮將排氣的流出對象從酸系排氣所流動之個別排氣管102切換為有機系排氣所流動之個別排氣管103的情形。在該情況下，控制部18，係藉由控制切換機構320_2，320_3之驅動部326的方式，使切換機構320_3之排氣吸入口322連通於排氣導入部310，使剩餘的切換機構320_1，320_2之外氣吸入口323連通於外氣導入部330。藉此，有機系排氣流入個別排氣管103的期間，外氣會流入剩餘的個別排氣管101，102。
在此，在將處理單元16所使用之處理液的種類切換為作為有機系處理液的IPA時，控制部18，係藉由控制FFU21的方式，將進入處理單元16的供氣量從其他處理液使用時的第1流量變更為比第1流量少的第2流量。
當進入處理單元16的供氣量減少時，則所需的排氣量亦減少。本實施形態之基板處理系統1，係在將進入處理單元16的供氣量從第1流量變更為第2流量時，設成為不變更排氣機構151~153所致之排氣量，即可藉由來自外氣吸入管350之外氣的吸入，修正排氣機構151~153所致之排氣量與所需之排氣量的差。參閱圖12 及圖13，說明該處理(以下，記載為「流量調整處理」)。圖12及圖13，係流量調整處理的說明圖。
另外，在圖12中，係表示進入處理單元16之供氣量為第1流量時的例子，在圖13中，係表示進入處理單元16之供氣量為第2流量時的例子。又，在圖12及圖13中，係表示排氣機構151~153所致之排氣量分別設定為1m3/min時的例子。又，在此，從外氣吸入管350流入差壓埠306之外氣之流量的初始值，係設成為0m3/min。
例如，在處理單元16中使用作為鹼系處理液的SC1或作為酸系處理液的HF時，進入處理單元16的供氣量，係如圖12所示，設定為第1流量(例如1m3/min)。在該情況下，所需的排氣量，係1m3/min，排氣機構151~153所致之排氣量的差，係0m3/min。因此，從外氣吸入管350流入差壓埠306之外氣的流量，係維持於0m3/min。另外，在圖12中，係表示在處理單元16中使用作為鹼系處理液的SC1的情形作為一例。
另一方面，在處理單元16中使用作為有機系處理液的IPA時，進入處理單元16的供氣量，係如圖13所示，從第1流量切換為第2流量(例如0.5m3/min)。在該情況下，所需的排氣量，係0.5m3/min，排氣機構151~153所致之排氣量的差，係0.5m3/min。因此，控制部18，係控制外氣流量調整部351，將從外氣吸入管350流入差壓埠360之外氣的流量調整為0.5m3/min。
如此一來，本實施形態之基板處理系統1，係設成為在將進入處理單元16內的供氣量從第1流量切換為比第1流量少的第2流量時，控制外氣流量調整部351，進行使流向外氣吸入管350之一端側之外氣之流量增加的流量調整處理。藉此，即便在一邊維持排氣機構151~153所致之排氣流量，一邊變更進入處理單元16的供氣量時，亦可抑制處理單元16之壓力變動。
另外，在本實施形態中，雖係表示將從FFU21進入處理單元16的供氣量從第1流量變更為第2流量時的例子，但將供氣量從第1流量變更為第2流量的處理，係不限定於上述的例子。例如，亦可為將被供給至處理單元16之氣體的種類從藉由FFU21所供給之氣體(例如，潔淨空氣)切換為藉由其他供氣部(例如，配置於FFU21內的頂板噴嘴)所供給之氣體(例如，乾燥氣體)的處理。
其次，參閱圖14，說明在本實施形態之基板處理系統1所執行之基板處理的一例。圖14，係表示在基板處理系統1中所執行之基板處理之處理步驟之一例的流程圖。
另外，圖14所示的一連串基板處理，係藉由控制部18控制處理單元16及排氣切換單元300等的方式來執行。控制部18，係例如CPU(Central Processing Unit)，根據記憶於記憶部19之未圖示的程式，控制處理單元16及排氣切換單元300等。
如圖14所示，在處理單元16中，係首先進行第1藥液處理(步驟S101)。在該第1藥液處理中，係首先藉由驅動部33來使保持部31旋轉的方式，以預定旋轉數使保持於保持部31的晶圓W旋轉。接著，處理流體供給部40之噴嘴41，係位於晶圓W的中央上方。其後，藉由開放閥75預定時間的方式，從鹼系處理液供給源71所供給的SC1，係從噴嘴41供給至晶圓W的被處理面。供給至晶圓W的SC1，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴散至晶圓W之被處理面的全面。藉此，晶圓W之被處理面，係藉由SC1來予以處理。
在進行該第1藥液處理的期間，在處理單元16中，係從FFU21以第1流量進行供氣。第1流量中之供氣，係維持直至步驟S104之第2沖洗處理結束為止。又，在進行第1藥液處理的期間，作為來自處理單元16之排氣的鹼系排氣，係從第2排氣管200，通過排氣切換單元300的切換機構320_1被排出至個別排氣管101。
接著，在處理單元16中，係進行以DIW沖洗晶圓W之被處理面的第1沖洗處理(步驟S102)。在該第1沖洗處理中，係藉由開放閥78預定時間的方式，將從DIW供給源74所供給的DIW從噴嘴41供給至晶圓W的被處理面，從而沖洗殘存於晶圓W的SC1。在進行該第1沖洗處理的期間，來自處理單元16的排氣，係例如被排出至個別排氣管101。
接著，在處理單元16中，係進行第2藥液處 理(步驟S103)。在該第2藥液處理中，係藉由開放閥76預定時間的方式，將從酸系處理液供給源72所供給的HF從噴嘴41供給至晶圓W的被處理面。供給至晶圓W的HF，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴散至晶圓W之被處理面的全面。藉此，晶圓W之被處理面，係藉由HF來予以處理。
控制部18，係在開始該第2藥液處理之前，藉由控制排氣切換單元300的方式，將排氣之流出對象從個別排氣管101切換為個別排氣管102。藉此，在進行第2藥液處理的期間，作為來自處理單元16之排氣的酸系排氣，係從第2排氣管200，通過排氣切換單元300的切換機構320_2被排出至個別排氣管102。
接著，在處理單元16中，係進行以DIW沖洗晶圓W之被處理面的第2沖洗處理(步驟S104)。在該第2沖洗處理中，係藉由開放閥78預定時間的方式，將從DIW供給源74所供給的DIW從噴嘴41供給至晶圓W的被處理面，從而沖洗殘存於晶圓W的HF。在進行該第2沖洗處理的期間，來自處理單元16的排氣，係例如被排出至個別排氣管102。
接著，在處理單元16中，係進行乾燥處理(步驟S105)。在該乾燥處理中，係藉由開放閥77預定時間的方式，將從有機系處理液供給源73所供給的IPA從噴嘴41供給至晶圓W的被處理面。供給至晶圓W的IPA，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴散至晶圓 W之被處理面的全面。藉此，殘存於晶圓W之被處理面的DIW，係被置換為揮發性高於DIW的IPA。其後，在處理單元16中，係藉由使晶圓W之旋轉速度增快的方式，甩掉晶圓W上的IPA，使晶圓W乾燥。
控制部18，係在開始乾燥處理之前，藉由控制排氣切換單元300的方式，將排氣之流出對象從個別排氣管102切換為個別排氣管103。藉此，在進行乾燥處理的期間，作為來自處理單元106之排氣的有機排氣，係從第2排氣管200，通過排氣切換單元300的切換機構320_3被排出至個別排氣管103。
又，控制部18，係在開始乾燥處理之前，將來自FFU21的供氣量從第1流量切換為比第1流量少的第2流量。又，控制部18，係藉由控制外氣流量調整部351的方式，使從外氣吸入管350流入差壓埠360之外氣的流量增加。藉此，即便在一邊維持排氣機構151~153所致之排氣流量，一邊變更進入處理單元16的供氣量時，亦可抑制處理單元16之壓力變動。
其後，在處理單元16中，係在驅動部33所致之晶圓W的旋轉停止後，藉由基板搬送裝置17(參閱圖1)，從處理單元16搬出晶圓W。藉此，關於1片晶圓W之一連串的基板處理便結束。
如上述，本實施形態之基板處理系統1(相當於「基板液處理裝置」之一例)，係具備有處理單元16(相當於「液處理部」之一例)、第1排氣管100及第2 排氣管200。處理單元16，係使用處理液來處理晶圓W。第1排氣管100，係至少一部分配置於比處理單元16更上方。第2排氣管200，係一端側被連接於處理單元16，藉由排氣機構151~153，經由第1排氣管100，對處理單元16進行排氣。又，第2排氣管200，係另一端側與配置於比第1排氣管100之處理單元16更上方的部分連接。
因此，根據本實施形態之基板處理系統1，可提升來自處理單元16之排氣的氣液分離性。
(變形例)
其次，參閱圖15及圖16，說明本實施形態之基板處理系統1的變形例。圖15，係第1變形例之處理站的示意側視圖，圖16，係第2變形例之處理站的示意平面圖。另外，在以下的說明中，係針對與已說明之部份相同的部份賦予與已說明之部份相同的符號，並省略重複的說明。
在上述的本實施形態中，雖係表示在配置於上層側之處理單元16U與配置於下層側之處理單元16L共用第1排氣管100時的例子，但基板處理系統，係亦可為分別具備有上層用之第1排氣管100與下層用之第1排氣管100的構成。
例如，如圖15所示，第1變形例之處理站3A，係具備有：第1排氣管100U，與配置於上層的處理 單元16U對應；及第1排氣管100L，與配置於下層的處理單元16L對應。在第1排氣管100U，係設置有排氣切換單元300U，在第1排氣管100L，係設置有排氣切換單元300L。
第1排氣管100U，係配置於框架構造體400A的上部。又，第1排氣管100L，係配置於框架構造體400A的內部。具體而言，框架構造體400A，係在配置有上層側之閥箱60的空間與配置有下層側之處理單元16L的空間之間，具有第1排氣管100L及排氣切換單元300L的收容空間。而且，第1排氣管100L及排氣切換單元300L，係配置於該收容空間。
如此一來，在第1變形例之處理站3A中，與配置於上層之處理單元16U對應的第1排氣管100U，係配置於處理單元16U的上方，與配置於下層之處理單元16L對應的第1排氣管100L，係配置於處理單元16L的上方且處理單元16U的下方。換言之，各第1排氣管100U，100L，係配置於比配置於所對應之層的處理單元16U，16L更上方，且比配置於所對應之層之一個上層的處理單元16U，16L更下方。
藉由設成為該構成的方式，可使第2排氣管200U，200L的長度在上層側與下層側一致。藉此，在處理單元16U與處理單元16L中，可使排氣流路的流路電阻難以產生變化。因此，在處理單元16U與處理單元16L中，可使排氣量難以產生差異。
又，在上述的本實施形態中，係表示如下述之情形的例子：與配置於比搬送部15更往Y軸負方向側之複數個處理單元16對應的第1排氣管100、及與配置於比搬送部15更往Y軸正方向側之複數個處理單元16對應的第1排氣管100，係分別配置於配置有所對應之處理單元16之區域的上方(參閱圖6)。但是，第1排氣管100之配置，係不限定於上述的例子。例如，如圖16所示之第2變形例的處理站3B所示，第1排氣管100，係亦可配置於搬送部15的上方。
更進一步之效果或變形例，係可由具有該發明技術領域之通常知識者輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，係並不限定於上述所表示且記述之特定的詳細內容及代表性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍下，可進行各種變更。
3‧‧‧處理站
16‧‧‧處理單元
40‧‧‧處理流體供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧配管
52‧‧‧排氣口
71‧‧‧鹼系處理液供給源
72‧‧‧酸系處理液供給源
73‧‧‧有機系處理液供給源
74‧‧‧DIW供給源
75‧‧‧閥
76‧‧‧閥
77‧‧‧閥
78‧‧‧閥
100‧‧‧第1排氣管
101‧‧‧個別排氣管
102‧‧‧個別排氣管
103‧‧‧個別排氣管
151‧‧‧排氣機構
152‧‧‧排氣機構
153‧‧‧排氣機構
200‧‧‧第2排氣管
201‧‧‧水平部
202‧‧‧上升部
250‧‧‧排液部
300‧‧‧排氣切換單元

Claims (13)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵係，具備有：液處理部，使用處理液來處理基板；第1排氣管，至少一部分配置於比前述液處理部更上方；及第2排氣管，一端側被連接於前述液處理部，藉由排氣機構，經由前述第1排氣管，對前述液處理部進行排氣，前述第2排氣管，係另一端側與配置於比前述第1排氣管之前述液處理部更上方的部分連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，更具備有：排液部，設置於前述第2排氣管的下部，將前述第2排氣管內的液體排出至外部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板液處理裝置，其中，前述第2排氣管，係具有向上方延伸的上升部，前述排液部，係設置於前述上升部的最下位置。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理裝置，其中，前述液處理部，係具有：處理液供給部，供給複數個種類的處理液，前述第1排氣管，係具有：複數個個別排氣管，對應於前述複數個種類之處理液 的至少1個，更具備有：排氣切換單元，將在前述第2排氣管內流動之排氣的流出對象切換為前述個別排氣管之任一，前述排氣切換單元，係配置於比前述液處理部更上方。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板液處理裝置，其中，前述排氣切換單元，係配置於前述個別排氣管的上部。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理裝置，其中，具備有：複數個前述液處理部，多層地予以層積，前述第1排氣管，係配置於比配置於複數個前述液處理部中之最上層的前述液處理部更上方，且連接於分別與複數個前述液處理部對應的複數個前述第2排氣管。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板液處理裝置，其中，前述液處理部，係具有：處理液供給部，供給複數個種類的處理液，前述第1排氣管，係具有：複數個個別排氣管，分別對應於前述複數個種類的處理液， 更具備有：複數個排氣切換單元，對於前述液處理部逐一設置，將在前述第2排氣管內流動之排氣的流出對象切換為前述個別排氣管之任一，前述排氣切換單元，係具備有：排氣流量調整部，調整從前述第2排氣管流入之排氣的流量。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板液處理裝置，其中，前述複數個排氣切換單元中的一個前述排氣切換單元與另一前述排氣切換單元，係以相向的方式來予以配置。
  9. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理裝置，其中，具備有：複數個前述液處理部，多段地予以配置；及複數個前述第1排氣管，設置為對應於複數個前述液處理部的各層，前述第1排氣管，係配置於比配置於所對應之層的前述液處理部更上方，且比配置於所對應之層之一個上層的前述液處理部更下方。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板液處理裝置，其中，分別對應於複數個前述液處理部的複數個前述第2排氣管，係配置於複數個前述液處理部的同一側。
  11. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理 裝置，其中，具備有：搬送部，搬送前述基板；及複數個前述液處理部，沿著前述搬送部並列配置，前述第1排氣管，係配置於並列配置有複數個前述液處理部之區域的上方。
  12. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理裝置，其中，具備有：搬送部，搬送前述基板；及複數個前述液處理部，沿著前述搬送部並列配置，前述第1排氣管，係配置於前述搬送部的上方。
  13. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板液處理裝置，其中，具備有：框架構造體，具有複數個柱部及複數個樑部，在由前述柱部與前述樑部所形成的收容空間內收容前述液處理部，前述第1排氣管，係配置於前述框架構造體的上部。
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