TW201601209A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種可以防止晶圓的破損，並且能夠充分地確保元件的產出數量之晶圓的加工方法。解決手段為做成包括包括磨削步驟與切斷溝形成步驟，且切斷溝是以乾式蝕刻所形成之構成。其中，該磨削步驟是磨削晶圓背面而形成對應於元件區域的凹部，並且在晶圓的背面側形成與外周剩餘區域對應之環狀凸部。該切斷溝形成步驟是在已實施磨削步驟之後，在凹部與環狀凸部的分界處形成從晶圓表面到背面切斷元件區域與外周剩餘區域的切斷溝。

Description

晶圓的加工方法 發明領域
本發明是一種有關於將晶圓薄化加工的加工方法。
發明背景
近年來，為了實現小型輕量的元件，因此一直在尋求將以矽等材料製成之晶圓作薄化加工之技術。晶圓是在例如，藉表面之分割預定線(切割道)所劃分的各個區域中形成了IC等元件之後，再藉由磨削背面側而被薄化。
然而，以磨削方式薄化晶圓時，剛性會大幅降低，而使在後續步驟的操作處理變困難。因此，提出了以下的加工方法：藉由在磨削對應於中央之元件區域的晶圓背面側時，維持外周部分之厚度，以在磨削後的晶圓上保留預定之剛性(參照例如，專利文獻1)。
在這個加工方法中，是使用例如外徑比晶圓還要小的磨削輪磨削晶圓的背面側，以形成與元件區域對應之凹部。晶圓之剛性，是藉由殘留在包圍元件區域之外周剩餘區域的背面側上的環狀補強部(環狀凸部)而被保持。再者，環狀凸部是利用之後的切削等方法而被去除(參照例如，專 利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-19461號公報
專利文獻2：日本專利特開2011-61137號公報
發明概要
與上述元件區域對應之凹部，大多是形成為以曲面連接底面與側面的形狀。會形成這種形狀之凹部，是因為被裝設在磨削輪上的磨削研磨石的角部會隨著磨削的進行而磨損成圓角形。亦即，會將因磨損而在磨削研磨石的角部形成的圓度轉移到晶圓上，而使凹部之底面與側面的連接部分產生曲面形狀(R形狀)。
環狀的補強部通常是藉由使切削刀片切入凹部之底面與側面之連接部分而被去除。但是，當使切削刀片切入如上述之R形狀的連接部分時，起因於R形狀之彎曲方向的作用力會增大，致使切削刀片彎曲。因此，有時會使晶圓破損。
在凹部底面，如果使切削刀片切入避開了R形狀的平坦區域，便可防止起因於切削刀片之彎曲的晶圓的破損等。但是，此時，元件區域會變窄小而變得無法充分確保元件的產出數量。
本發明是有鑒於所述之問題點而所作成的發明， 其目的在於提供一種可以防止晶圓的破損，並且能夠充分地確保元件的產出數量的晶圓的加工方法。
根據本發明，可提供一種晶圓的加工方法，該晶圓具有元件區域和圍繞該元件區域的外周剩餘區域，其中該元件區域在以交叉之複數條分割預定線所劃分出的表面的各個區域中分別形成有元件，該晶圓的加工方法的特徵在於，其包括：磨削步驟，磨削晶圓的背面而形成與該元件區域對應之凹部，並且於晶圓的背面側形成與該外周剩餘區域對應之環狀凸部；以及切斷溝形成步驟，在已實施該磨削步驟後，在該凹部與該環狀凸部的分界處形成從晶圓表面到背面切斷該元件區域與該外周剩餘區域的切斷溝，且該切斷溝是以乾式蝕刻所形成。
在本發明中，較理想的是，還具備分割步驟，該分割步驟是沿著該分割預定線以乾式蝕刻形成從晶圓的表面到背面的分割溝，以沿著該分割預定線分割晶圓，且該分割步驟是與該切斷溝形成步驟同時地實施。
又，在本發明中，較理想的是，還具備表面保護構件配置步驟與遮罩形成步驟，該表面保護構件配置步驟是在實施該磨削步驟之前，在晶圓的表面配置表面保護構件，該遮罩形成步驟是在已實施該磨削步驟之後，且在實施該切斷溝形成步驟與該分割步驟之前，在晶圓的背面形 成使對應於形成在該凹部與該環狀凸部的分界處的該切斷溝的區域和對應於該分割預定線的區域露出的遮罩。
在本發明之晶圓的加工方法中，因為在磨削晶圓之背面側而形成凹部與環狀凸部的磨削步驟之後，實施在凹部與環狀凸部的交界處以乾式蝕刻形成切斷溝的切斷溝形成步驟，所以可以在不讓切削刀片切入的情形下形成切斷溝以去除環狀凸部。
據此，可以防止起因於切削刀片的彎曲所導致之晶圓的破損等。又，因為不需要避開凹部與環狀凸部的分界處來形成切斷溝，因此可以充分地確保元件的產出數量。像這樣，根據本發明，可提供一種可以防止晶圓的破損且還能充分地確保元件的產出數量的晶圓的加工方法。
2‧‧‧磨削裝置
4‧‧‧保持台
6‧‧‧磨削機構
8、28‧‧‧主軸殼體
10、26‧‧‧主軸
11、51‧‧‧晶圓
11a、21a‧‧‧表面
11b、21b‧‧‧背面
11c‧‧‧外周
12‧‧‧磨削輪
12a‧‧‧輪基台
12b‧‧‧磨削研磨石
13‧‧‧元件區域
15‧‧‧外周剩餘區域
17‧‧‧分割預定線(切割道)
19‧‧‧元件
21‧‧‧保護構件
22‧‧‧切削裝置
23‧‧‧凹部
24‧‧‧切削刀片
25‧‧‧環狀凸部
31、45‧‧‧遮罩
33、47‧‧‧切斷溝
35、53‧‧‧分割溝
41‧‧‧切割膠帶
43‧‧‧框架
圖1(A)是模式地表示晶圓之例的立體圖，圖1(B)是模式地表示表面保護構件配置步驟之立體圖，圖1(C)是模式地表示表面保護構件配置步驟之剖面圖。
圖2(A)是模式地表示磨削步驟的立體圖，圖2(B)是模式地表示已實施了磨削步驟後之晶圓等的剖面圖。
圖3(A)是模式地表示遮罩形成步驟的剖面圖，圖3(B)是模式地表示切斷溝形成步驟以及分割步驟的剖面圖。
圖4(A)是模式地表示轉移步驟之剖面圖，圖4(B)是模式地表示遮罩形成步驟之剖面圖，圖4(C)是模式地表示切斷溝形成步驟之剖面圖，圖4(D)是模式地表示環狀凸部去除 步驟之剖面圖。
圖5是模式地表示分割步驟之立體圖。
用以實施發明之形態
參照附加圖式，針對本發明之實施形態進行說明。再者，在以下之第1實施形態中，針對同時實施切斷溝形成步驟與分割步驟之晶圓的加工方法進行說明，該切斷溝形成步驟是在晶圓上形成用以切斷元件區域與外周剩餘區域的切斷溝，該分割步驟是沿著分割預定線分割晶圓。在第2實施形態中，是針對在不同時間點實施切斷溝形成步驟與分割步驟之晶圓的加工方法進行說明。
(第1實施形態)
在本實施形態中，針對同時實施切斷溝形成步驟與分割步驟之晶圓的加工方法進行說明。本實施形態之晶圓的加工方法包含：表面保護構件配置步驟(參照圖1(B)及圖1(C))、磨削步驟(參照圖2(A)及圖2(B))、遮罩形成步驟(參照圖3(A))、切斷溝形成步驟(參照圖3(B))，以及分割步驟(參照圖3(B))。
在表面保護構件配置步驟中，是在晶圓的表面側配置保護構件。在磨削步驟中，是磨削晶圓的背面側，以形成對應於元件區域的凹部及對應於外周剩餘區域的環狀凸部。在遮罩形成步驟中，是在晶圓的背面側形成使對應於凹部與環狀凸部之分界處以及分割預定線的區域露出的遮罩。
在切斷溝形成步驟中，是從背面側對晶圓進行乾式蝕刻，以在凹部與環狀凸部之分界處形成切斷溝。在分割步驟中，是從背面側對晶圓進行乾式蝕刻，以形成與分割預定線對應之分割溝。再者，在本實施形態中，是同時實施切斷溝形成步驟與分割步驟。以下，針對本實施形態之晶圓的加工方法加以詳述。
圖1(A)是模式地表示以本實施形態之晶圓的加工方法所加工的晶圓之例的立體圖。如圖1(A)所示，晶圓11是以例如矽等材料形成之圓盤狀的半導體晶圓，且將表面11a分成中央的元件區域13與包圍元件區域13之外周剩餘區域15。
元件區域13被排列成格子狀的分割預定線(切割道)17進一步劃分成複數個區域，且在各個區域中形成有IC等之元件19。晶圓11之外周11c被施予倒角加工，且剖面形狀呈略圓弧狀。
在本實施形態之晶圓的加工方法中，首先是實施在上述晶圓11之表面11a側配置保護構件的表面保護構件配置步驟。圖1(B)是模式地表示表面保護構件配置步驟之立體圖，圖1(C)是模式地表示表面保護構件配置步驟之剖面圖。
如圖1(B)及圖1(C)所示，是將保護構件21形成為與晶圓11大致相同形狀之圓盤狀。可使用例如樹脂基板、黏接膠帶、與晶圓11相同的晶圓等作為保護構件21。
在表面保護構件配置步驟中，是使晶圓11之表面 11a側面對保護構件21之表面21a側，而使晶圓11與保護構件21疊合。此時，有黏著劑等介在晶圓11之表面11a與保護構件21之表面21a之間。藉此，保護構件21會透過黏著劑等而被固定於晶圓11之表面11a側。
在實施過表面保護構件配置步驟後，可實施磨削晶圓11之背面11b側，以形成凹部以及環狀凸部的磨削步驟。圖2(A)是模式地表示磨削步驟的立體圖，圖2(B)是模式地表示已實施過磨削步驟後之晶圓等的剖面圖。
如圖2(A)所示，磨削步驟是以磨削裝置2來實施。磨削裝置2具備有可吸引保持晶圓11之保持台4。將保持台4與馬達等旋轉機構(圖未示)連結，且以繞著於鉛直方向上延伸的旋轉軸的形式旋轉。又，在保持台4的下方設有移動機構(圖未示)，且保持台4是藉由這個移動機構而在水平方向上移動。
保持台4的表面(上表面)是作為可吸引保持晶圓11之保持面。在這個保持面上，是通過形成於保持台4內部之管道(圖未示)使吸引源(圖未示)的負壓發揮作用，而產生吸引晶圓11之吸引力。
在保持台4的上方配置有磨削機構6。磨削機構6具備有受到升降機構(圖未示)所支撐之主軸殼體8。在主軸殼體8中，是將與馬達等旋轉機構(圖未示)連結的主軸10支撐成可旋轉。主軸10是利用從旋轉機構傳遞出的旋轉力而以繞著於鉛直方向上延伸之旋轉軸的形式旋轉，且藉由升降機構而與主軸殼體8一起升降。
在主軸10的下端側裝設有外徑比晶圓11還要小的磨削輪12。磨削輪12具備有以鋁、不鏽鋼等金屬材料所形成之輪基台12a。在輪基台12a之圓環狀的下表面，於整個周圍固定有複數個磨削研磨石12b。
在磨削步驟中，首先是使被固定於晶圓11之保護構件21的背面21b接觸於保持台4之保持面，而使吸引源之負壓發揮作用。藉此，晶圓11可在使背面11b側露出於上方的狀態下被吸引保持在保持台4上。
接著，使保持台4移動，且將磨削研磨石12b的外周緣定位在對應於元件區域13與外周剩餘區域15之分界處的區域中。在此狀態下，使保持台4與磨削輪12旋轉，使主軸10下降。將主軸10的下降量設定為使磨削研磨石12b的下表面被按壓於晶圓11的背面11b側的程度。
藉此，可以做到以磨削研磨石12b磨削對應於元件區域13的晶圓11之背面11b側的區域，形成與元件區域13對應之凹部23，並且使對應於外周剩餘區域15之環狀凸部(補強部)25殘存。當例如，與元件區域13對應之區域被磨削到完成品厚度時，此磨削步驟即結束。
在已實施磨削步驟之後，即可實施遮罩形成步驟，該遮罩形成步驟是在晶圓11之背面11b側形成使對應於凹部23與環狀凸部25之分界處以及分割預定線17之區域露出的遮罩。圖3(A)是模式地表示遮罩形成步驟的剖面圖。
在本實施形態之遮罩形成步驟中，是於晶圓11之背面11b側以任意之方法形成預定圖案之遮罩31。例如， 將形成有對應於欲形成之遮罩31之開口的遮罩圖型(mask pattern)(圖未示)重疊於晶圓11之背面11b側，並朝向這個遮罩圖型之開口滴下防護(resist)材料，其中該防護材料含有對後述乾式蝕刻有耐受性之樹脂等。
之後，以乾燥處理、加熱處理等使防護材料硬化，且從晶圓11之背面11b側將遮罩圖型去除。加熱溫度、處理時間等之條件，是對應於防護材料之種類等而設定。藉由以上，能夠形成使對應於凹部23與環狀凸部25之分界處以及分割預定線17之區域露出的遮罩31。
在已實施了遮罩形成步驟之後，即可同時實施切斷溝形成步驟與分割步驟，該切斷溝形成步驟是在凹部23與環狀凸部25之分界處形成切斷溝，而該分割步驟是形成對應於分割預定線17之分割溝。圖3(B)是模式地表示切斷溝形成步驟以及分割步驟的剖面圖。
在切斷溝形成步驟以及分割步驟中，是在例如晶圓11之背面11b側使預定的電漿作用，而對未被遮罩31遮蓋的區域進行乾式蝕刻(電漿蝕刻)。在例如，晶圓11是以矽形成時，較佳的是讓使用以SF6與C4F8為代表之氟類氣體產生之電漿來進行作用。
雖然蝕刻的處理時間可為任意，但至少要做到以下的程度：可在凹部23與環狀凸部25之分界處形成從晶圓11之背面11b側至表面11a側的切斷溝33，並且，能夠沿著晶圓11之分割預定線17形成從背面11b側至表面11a側的分割溝35。
藉由以上，可以將晶圓11切斷成元件區域13與外周剩餘區域15，又，可以沿著分割預定線17分割。在本實施形態中，因為是同時實施切斷溝形成步驟以及分割步驟，相較於將切斷溝形成步驟與分割步驟在不同的時間點實施，能夠將步驟簡單化以抑制成本。藉由晶圓11之分割所形成的複數個晶片，可在例如實施了去除環狀凸部25的環狀凸部去除步驟之後，再以任意的拾取機構進行拾取。
像這樣，在本實施形態之晶圓的加工方法中，因為在磨削晶圓11之背面11b側而形成凹部23與環狀凸部25的磨削步驟之後，實施在凹部23與環狀凸部25的分界處以乾式蝕刻形成切斷溝33的切斷溝形成步驟，所以可以在不讓切削刀片切入的情形下形成切斷溝33以去除環狀凸部25。
據此，可以防止起因於切削刀片之彎曲所導致的晶圓11之破損等。又，因為不需要避開凹部23與環狀凸部25的分界處來形成切斷溝33，因此可以充分地確保元件19的產出數量。亦即，根據本實施形態，可提供一種可以防止晶圓11的破損，並且還能充分地確保元件19之產出數量的晶圓的加工方法。
(第2實施形態)
在本實施形態中，是針對在不同時間點實施切斷溝形成步驟與分割步驟的晶圓的加工方法進行說明。本實施形態之晶圓的加工方法包含：表面保護構件配置步驟(參照圖1(B)及圖1(C))、磨削步驟(參照圖2(A)及圖2(B))、轉移步驟 (參照圖4(A))、遮罩形成步驟(參照圖4(B))、切斷溝形成步驟(參照圖4(C))、環狀凸部去除步驟(參照圖4(D))，以及分割步驟(參照圖5)。
在表面保護構件配置步驟中，是在晶圓11之表面11a側配置保護構件21。在磨削步驟中，是磨削晶圓11之背面11b側，以形成對應於元件區域13之凹部23及對應於外周剩餘區域15之環狀凸部25。在轉移步驟中，是在晶圓11之背面11b側黏貼切割膠帶，並且去除已配置於晶圓11之表面11a側之保護構件21。
在遮罩形成步驟中，是在晶圓11之表面11a側形成使凹部23與環狀凸部25之分界處露出的遮罩。在切斷溝形成步驟中，是從表面11a側對晶圓11進行乾式蝕刻，以在凹部23與環狀凸部25之分界處形成切斷溝。在環狀凸部去除步驟中，是去除已被切斷的環狀凸部25。在分割步驟中，是將已去除環狀凸部25後之晶圓從表面11a側切削，以形成與分割預定線17對應之分割溝。以下，針對本實施形態之晶圓的加工方法加以詳述。
在本實施形態之晶圓的加工方法中，首先是實施在晶圓11的表面11a側配置保護構件21的表面保護構件配置步驟。在已實施了此表面保護構件配置步驟後，即可實施磨削步驟，該磨削步驟是磨削晶圓11之背面11b側，以形成與元件區域13對應之凹部23以及與外周剩餘區域15對應之環狀凸部25。本實施形態之表面保護構件配置步驟以及磨削步驟，因為能夠與實施形態1之表面保護構件配置步驟 以及磨削步驟同樣地實施，所以省略其詳細之敘述。
在已實施了磨削步驟後，則可實施轉移步驟，該轉移步驟是在晶圓11之背面11b側黏貼切割膠帶，並且去除已被配置在晶圓11之表面11a側的保護構件21。圖4(A)是模式地表示轉移步驟之剖面圖。
如圖4(A)所示，在轉移步驟中，是在晶圓11之背面11b側黏貼外徑比晶圓11還要大的切割膠帶41。在此切割膠帶41外周部分固定有環狀的框架43。亦即，晶圓11是透過切割膠帶41而被保持在環狀的框架43上。
又，去除已被配置於晶圓11之表面11a側的保護構件21。藉此，晶圓11a之表面11a側會露出。再者，保護構件21之去除，可以在黏貼切割膠帶41之前實施，也可以在黏貼切割膠帶41之後實施。
在實施過轉移步驟之後，即可實施遮罩形成步驟，該遮罩形成步驟是於晶圓11之表面11a側形成使凹部23與環狀凸部25之分界處露出的遮罩。圖4(B)是模式地表示遮罩形成步驟之剖面圖。如圖4(B)所示，在本實施形態中，是形成使對應於凹部23與環狀凸部25之分界處的區域露出，但對應於分割預定線17之區域不露出的遮罩45。
然而，也可以形成使對應於凹部23與環狀凸部25之分界處以及分割預定線17之區域均露出的遮罩。此時，與實施形態1同樣地，可以同時實施切斷溝形成步驟以及分割步驟。
在已實施了遮罩形成步驟後，即可實施在凹部23 與環狀凸部25之分界處形成切斷溝的切斷溝形成步驟。圖4(C)是模式地表示切斷溝形成步驟之剖面圖。
在本實施形態之切斷溝形成步驟中，是使例如電漿作用在晶圓11之表面11a側，將未被遮罩45遮蓋之區域乾式蝕刻(電漿蝕刻)。藉此，能夠形成將晶圓11切斷成元件區域13與外周剩餘區域15的切斷溝47。
在已實施了切斷溝形成步驟後，即可實施將已被切斷之環狀凸部25去除的環狀凸部去除步驟。圖4(D)是模式地表示環狀凸部去除步驟之剖面圖。因為元件區域13與外周剩餘區域15是被切斷溝47所切斷，所以如圖4(D)所示，可以容易地去除環狀凸部25，以獲得對應於元件區域13之已薄化的晶圓51。再者，宜在已實施了切斷溝形成步驟後的任意時間點，去除遮罩45。
在已實施了環狀凸部去除步驟之後，即可實施分割步驟，該分割步驟是從表面11a側切削晶圓51，以形成與分割預定線17對應之分割溝。圖5為模式化地表示分割步驟之立體圖。
如圖5所示，本實施形態之分割步驟是以切削裝置22來實施。切削裝置22具備有可吸引保持晶圓51之保持台(圖未示)。將保持台與馬達等旋轉機構(圖未示)連結，且以繞著於鉛直方向上延伸的旋轉軸的形式旋轉。又，在保持台的下方設有移動機構(圖未示)，且保持台是藉由這個移動機構而在水平方向上移動。
在保持台的上方配置有切削單元。此切削單元包 含圓環狀之切削刀片24。切削刀片24是被裝設在水平配置之主軸26的一端側。主軸26的另一端側是與馬達(圖未示)連結著，且切削刀片24是利用馬達之旋轉力而旋轉。此主軸26是被主軸殼體28所支撐。
在本實施形態之分割步驟中，首先是使被黏貼於晶圓51之切割膠帶41接觸於保持台之保持面，而使吸引源之負壓發揮作用。藉此，晶圓51可在使表面11a側露出於上方的狀態下被吸引保持在保持台上。
接著，讓旋轉之切削刀片24切入目標的分割預定線17，且使晶圓51與切削刀片24在與此分割預定線17平行的方向上相對移動(加工進給)。藉此，可沿著目標的分割預定線17切削晶圓51，形成分割溝53。反覆進行這樣的動作，當沿著所有的分割預定線17都形成分割溝53後，分割步驟即結束。
即使是本實施形態之晶圓的加工方法，因為也可在磨削晶圓11之背面11b側而形成凹部23與環狀凸部25的磨削步驟之後，實施在凹部23與環狀凸部25之分界處以乾式蝕刻形成切斷溝47的切斷溝形成步驟，所以可以在不使切削刀片切入的情形下形成切斷溝47以去除環狀凸部25。
據此，可以防止起因於切削刀片之彎曲所導致的晶圓11之破損等。又，因為不需要避開凹部23與環狀凸部25的分界處來形成切斷溝47，因此可以充分地確保元件19的產出數量。亦即，根據本實施形態，可提供一種可防止晶圓11的破損，並且還能充分地確保元件19之產出數量的 晶圓的加工方法。
本實施形態所示之構成、方法等，可以與其他實施形態之構成、方法等作適當的組合。
再者，本發明並不受限於上述實施形態之記載，可進行各種變更而實施。例如，在上述實施形態中，雖然形成有用以遮蓋對應於外周剩餘區域15之環狀凸部25的遮罩31、45，但是也可以形成不遮蓋環狀凸部25之遮罩。又，遮罩31、45的形成方法可以是任意方式。例如，也可以利用光蝕刻法(photolithography)等方法形成遮罩31、45。
又，在上述第1實施形態中，雖然在切斷溝形成步驟以及分割步驟中都是從背面11b側對晶圓11進行乾式蝕刻，但是也可以從表面11a側對晶圓11進行乾式蝕刻。同樣地，在上述第2實施形態中，雖然在切斷溝形成步驟中是從表面11a側對晶圓11進行乾式蝕刻，但是也可以從背面11b側對晶圓11進行乾式蝕刻。
又，在上述第2實施形態中，雖然在分割步驟中是使切削刀片24切入晶圓11中，但是分割晶圓11的方法並不受限於此。例如，也可以利用雷射燒蝕等形成分割溝53。又，也可以在照射難以被晶圓11吸收之波長的雷射光束而沿著分割預定線17形成改質層後，再賦與外力來分割晶圓11。
另外，上述實施形態之構成、方法等，在不脫離本發明的目的之範圍內，均可進行適當之變更而實施。
11‧‧‧晶圓
17‧‧‧分割預定線
19‧‧‧元件
21‧‧‧保護構件
21a‧‧‧表面
21b‧‧‧背面
23‧‧‧凹部
25‧‧‧環狀凸部
31‧‧‧遮罩
33‧‧‧切斷溝
35‧‧‧分割溝

Claims (3)

  1. 一種晶圓的加工方法，該晶圓具有元件區域和圍繞該元件區域的外周剩餘區域，其中該元件區域在以交叉之複數條分割預定線所劃分出之表面的各個區域中分別形成有元件，該晶圓的加工方法的特徵在於，其包括：磨削步驟，磨削晶圓的背面而形成與該元件區域對應之凹部，並且於晶圓的背面側形成與該外周剩餘區域對應之環狀凸部；以及切斷溝形成步驟，在已實施該磨削步驟後，在該凹部與該環狀凸部的分界處形成從晶圓的表面到背面切斷該元件區域與該外周剩餘區域的切斷溝，且該切斷溝是以乾式蝕刻所形成。
  2. 如請求項1之晶圓的加工方法，其還包括分割步驟，該分割步驟是沿著該分割預定線以乾式蝕刻形成從晶圓的表面到背面的分割溝，以沿著該分割預定線分割晶圓，且該分割步驟是與該切斷溝形成步驟同時地被實施。
  3. 如請求項2之晶圓的加工方法，其還包括表面保護構件配置步驟與遮罩形成步驟，該表面保護構件配置步驟是在實施該磨削步驟之前，在晶圓的表面配置表面保護構件，該遮罩形成步驟是在已實施該磨削步驟之後，且在 實施該切斷溝形成步驟與該分割步驟之前，在晶圓的背面形成使對應於形成在該凹部與該環狀凸部的分界處的該切斷溝的區域和對應於該分割預定線之區域露出的遮罩。
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