TW201535699A - 具有改良切割性質的影像感測器，及其製造設備及製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明技術係關於防止濕氣侵入至一晶片中之技術。
各項闡釋性實施例包含影像感測器，該等影像感測器包含：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。舉例而言，本發明技術可應用於一影像感測器。
Description
本申請案主張2014年1月27日申請之日本優先權專利申請案JP 2014-012628及2014年12月22日申請之日本優先權專利申請案JP 2014-258939之權利，該等申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明技術係關於一種影像感測器、一種製造設備及一種製造方法。更特定言之，本發明技術係關於一種影像感測器、一種製造設備及一種製造方法，其等能夠改良防濕效能。
近年來，其中以二維形式配置複數個電荷耦合裝置(CCD)感測器或複數個互補金屬氧化物半導體(CMOS)感測器之成像裝置已用於數位視訊攝影機、數位靜態相機或類似者中。
在一CMOS影像感測器中，採用具有將信號暫時保持於一記憶體中之一結構的一全域快門結構作為實施同時電荷累積之方法之一者。該全域快門結構經組態使得一記憶體經配置於一像素中，累積於光接收單元中之電荷被集體轉移至全部像素中的記憶體，且該等電荷經保持直至以列為單位執行一讀取操作，使得全部像素具有相同曝光時間(參見專利文獻1及2)。
JP 2012-129797 A
JP 2013-21533 A
其間，影像感測器經製造使得複數個影像感測器形成於一基板上且沿著製造時間切割。在切割時，有可能發生膜剝離、一龜裂或類似者。此外，當膜剝離、一龜裂或類似者發生時，濕氣侵入至影像感測器中，發生冷凝且因此有可能發生影像品質劣化。
期望在製造一影像感測器時或之後維持及改良防濕效能。
鑑於前述內容進行本發明技術，且期望改良防濕效能。
各項闡釋性實施例包含影像感測器，該等影像感測器包含：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
額外闡釋性實施例包含影像感測器，該等影像感測器包含：經堆疊之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；一肋，其形成於該透明樹脂層中；及一耐濕膜，其形成於該肋之一底面與該透明樹脂之間。
進一步闡釋性實施例包含成像裝置，該等成像裝置包含一影像感測器及支援電路，該影像感測器包含：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
根據本發明技術之一實施例之一第一影像感測器包含一基板，複數個層堆疊於該基板上，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層，且包含一凹槽，該凹槽經形成使得至少一或多個層在垂直於該表面之一方向上被挖空。
一透明樹脂層可形成於其中形成光電二極體之層上方的一層上，且該透明樹脂層可形成於凹槽中。
該凹槽可為形成於一待刻劃之區域中且寬度在刻劃之前的一時間點大於劃線時所使用之一刀片之一寬度的一凹槽之一部分。該凹槽可經形成使得直至其中形成光電二極體之一矽基板之一部分被挖空。該凹槽可經形成使得直至複數個層中之一支撐基板之一部分被挖空。
一鈍化膜可形成於凹槽中。該鈍化膜可甚至形成於一微透鏡層上，該微透鏡層形成於其中形成光電二極體之層上方。
一肋可形成於透明樹脂層中。
一鈍化膜可形成於該凹槽及該肋中。
可藉由兩個程序形成凹槽，其中一程序為形成一第一貫通電極，而另一程序為形成一第二貫通電極。在形成該第二貫通電極之該程序中該凹槽可用形成該第二貫通電極之一材料填充。
一透明樹脂層可形成於其中形成光電二極體之層上方的一層上，一板狀透明部件可堆疊於該透明樹脂層上，凹槽可經形成使得至
少該透明部件層被挖空，且一耐濕膜可形成於該凹槽中。
一透明樹脂層可形成於其中形成光電二極體之層上方的一層上，一板狀透明部件可堆疊於該透明樹脂層上，凹槽可經延伸直至基板之一底面，該凹槽之一側面可使用該透明部件覆蓋，且透明樹脂層可形成於該透明部件與基板之一側面之間。
一疏水膜可形成於凹槽中。
根據本發明技術之一實施例之一第二影像感測器包含：複數個層，其等經堆疊且包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層；一透明樹脂層，其形成於其中形成光電二極體之該層上方的一層上；一肋，其形成於該透明樹脂層中；及一耐濕膜，其形成於該肋之一底面與該透明樹脂之間。
一板狀透明部件可堆疊於透明樹脂層上，且耐濕膜可甚至形成於該板狀透明部件與該透明樹脂之間。
耐濕膜可為其中堆疊具有不同折射率之複數個膜之一堆疊膜。
肋可由吸收特定光之一材料製成。
又一實施例包含方法，該等方法包含：形成堆疊於一基板上之複數個層，該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；在該複數個層中之至少一層中形成一凹槽，該凹槽經形成使得該至少一層被挖空；及在該光電二極體層上方及該凹槽中形成一透明樹脂層。
根據本發明技術之實施例之一額外製造設備製造一影像感測器，該影像感測器包含一基板，複數個層堆疊於該基板上，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層，且包含一凹槽，該凹槽經形成使得至少一或多個層在垂直於該表面之一方向上被挖空。
根據本發明技術之一實施例之一製造方法包含以下步驟：製造
其上堆疊複數個層之一基板，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層；及製造一凹槽，該凹槽經形成使得至少一或多個層在垂直於該表面之一方向上被挖空。
在根據本發明技術之一實施例之第一影像感測器中，一凹槽經形成使得至少一或多個層在垂直於其上堆疊複數個層之一基板的一方向上被挖空，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層。
在根據本發明技術之一實施例之第二影像感測器中，堆疊複數個層，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層，一透明樹脂層係形成於其中形成光電二極體之該層上方的一層上，一肋形成於該透明樹脂層中，且一耐濕膜係形成於該肋之一底面與該透明樹脂之間。
在根據本發明技術之一實施例之製造設備及製造方法中，製造一影像感測器，在該影像感測器中一凹槽經形成使得至少一或多個層在垂直於其上堆疊複數個層之一基板的一方向上被挖空，該複數個層包含其中在一表面上形成複數個光電二極體之一層。
根據本發明技術之一實施例，可改良一影像感測器或類似者之防濕效能。
本發明技術之效果並不一定限於本文中所描述之效果，且可包含本發明中所描述之效果。
30‧‧‧互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器
41‧‧‧像素陣列單元
42‧‧‧垂直驅動單元
43‧‧‧行處理單元
44‧‧‧水平驅動單元
45‧‧‧系統控制單元
46‧‧‧像素驅動線
47‧‧‧垂直信號線
48‧‧‧信號處理單元
49‧‧‧資料儲存單元
70-1‧‧‧晶片
70-2‧‧‧晶片
70-3‧‧‧晶片
71‧‧‧支撐基板
72‧‧‧互連層
73‧‧‧矽基板
74‧‧‧光電二極體
75‧‧‧平坦化膜
76‧‧‧光屏蔽膜
77‧‧‧彩色濾光器層
78‧‧‧平坦化膜
79‧‧‧微透鏡層
80‧‧‧黏著層
81‧‧‧防護玻璃罩
91-1‧‧‧刻劃區段
91-2‧‧‧刻劃區段
100-1‧‧‧晶片
100-2‧‧‧晶片
100-3‧‧‧晶片
101-1‧‧‧凹槽
101-2‧‧‧凹槽
101-1’‧‧‧凹槽
101-2’‧‧‧凹槽
111-1‧‧‧凹槽
111-2‧‧‧凹槽
120-1‧‧‧晶片
120-2‧‧‧晶片
120-3‧‧‧晶片
121-1‧‧‧凹槽
121-2‧‧‧凹槽
122-1‧‧‧空間
122-2‧‧‧空間
130-1‧‧‧晶片
130-2‧‧‧晶片
130-3‧‧‧晶片
131-1‧‧‧凹槽
131-2‧‧‧凹槽
140-1‧‧‧晶片
140-2‧‧‧晶片
140-3‧‧‧晶片
141-1‧‧‧凹槽
141-2‧‧‧凹槽
141-1’‧‧‧凹槽
141-2’‧‧‧凹槽
150-1‧‧‧晶片
150-2‧‧‧晶片
150-3‧‧‧晶片
151-1‧‧‧凹槽
151-2‧‧‧凹槽
152-1‧‧‧透明樹脂層
160-1‧‧‧晶片
160-2‧‧‧晶片
160-3‧‧‧晶片
161-1‧‧‧凹槽
161-2‧‧‧凹槽
162‧‧‧吸收膜
170-1‧‧‧晶片
170-2‧‧‧晶片
170-3‧‧‧晶片
171-1‧‧‧凹槽
171-2‧‧‧凹槽
172‧‧‧低折射率膜
180-1‧‧‧晶片
180-2‧‧‧晶片
180-3‧‧‧晶片
181-1‧‧‧凹槽
181-2‧‧‧凹槽
182‧‧‧低折射率膜
200-1‧‧‧晶片
200-2‧‧‧晶片
200-3‧‧‧晶片
201-1‧‧‧凹槽
201-2‧‧‧凹槽
202-1‧‧‧鈍化膜
202-2‧‧‧鈍化膜
210-1‧‧‧晶片
210-2‧‧‧晶片
210-3‧‧‧晶片
211-1‧‧‧凹槽
211-2‧‧‧凹槽
220-1‧‧‧晶片
220-2‧‧‧晶片
220-3‧‧‧晶片
221-1‧‧‧凹槽
221-2‧‧‧凹槽
222‧‧‧鈍化膜
230-1‧‧‧晶片
230-2‧‧‧晶片
230-3‧‧‧晶片
231-1‧‧‧凹槽
231-2‧‧‧凹槽
232‧‧‧鈍化膜
240-1‧‧‧晶片
240-2‧‧‧晶片
240-3‧‧‧晶片
241-1‧‧‧凹槽
241-2‧‧‧凹槽
242-1‧‧‧鈍化膜
242-2‧‧‧鈍化膜
242-3‧‧‧鈍化膜
242-4‧‧‧鈍化膜
242-5‧‧‧鈍化膜
242-6‧‧‧鈍化膜
243-1‧‧‧肋
243-2‧‧‧肋
243-4‧‧‧肋
250-1‧‧‧晶片
250-2‧‧‧晶片
250-3‧‧‧晶片
251-1‧‧‧凹槽
251-2‧‧‧凹槽
252-1‧‧‧鈍化膜
252-2‧‧‧鈍化膜
252-3‧‧‧鈍化膜
252-4‧‧‧鈍化膜
252-5‧‧‧鈍化膜
252-6‧‧‧鈍化膜
253-1‧‧‧肋
253-2‧‧‧肋
253-3‧‧‧肋
253-4‧‧‧肋
260-1‧‧‧晶片
260-2‧‧‧晶片
260-3‧‧‧晶片
261-1‧‧‧凹槽
261-2‧‧‧凹槽
262‧‧‧鈍化膜
263-1‧‧‧肋
263-2‧‧‧肋
263-3‧‧‧肋
263-4‧‧‧肋
270-1‧‧‧晶片
270-2‧‧‧晶片
270-3‧‧‧晶片
271-1‧‧‧凹槽
271-2‧‧‧凹槽
272‧‧‧鈍化膜
273-1‧‧‧肋
273-2‧‧‧肋
273-3‧‧‧肋
273-4‧‧‧肋
300-1‧‧‧晶片
300-2‧‧‧晶片
300-3‧‧‧晶片
301-1‧‧‧肋
301-2‧‧‧肋
301-1’‧‧‧肋
301-2’‧‧‧肋
302-1‧‧‧防濕膜
302-2‧‧‧防濕膜
302-1’‧‧‧防濕膜
302-2’‧‧‧防濕膜
310‧‧‧晶片
311‧‧‧肋
311-1‧‧‧肋
311-2‧‧‧肋
312-1‧‧‧防濕膜
312-2‧‧‧防濕膜
320‧‧‧晶片
321-1‧‧‧肋
321-2‧‧‧肋
322-1‧‧‧防濕膜
322-2‧‧‧防濕膜
330‧‧‧晶片
331-1‧‧‧肋
331-2‧‧‧肋
332-1‧‧‧防濕膜
332-2‧‧‧防濕膜
340‧‧‧晶片
341-1‧‧‧肋
341-2‧‧‧肋
342-1‧‧‧第一防濕膜
342-2‧‧‧第一防濕膜
343-1‧‧‧第二防濕膜
343-2‧‧‧第二防濕膜
350‧‧‧晶片
351-1‧‧‧肋
351-2‧‧‧肋
352-1‧‧‧防濕膜
352-2‧‧‧防濕膜
400‧‧‧晶片
401‧‧‧第一層
402‧‧‧第二層
403‧‧‧CIS穿孔(TCV)
403-1‧‧‧CIS穿孔(TCV)
403-2‧‧‧CIS穿孔(TCV)
404-1‧‧‧矽穿孔(TSV)
404-2‧‧‧矽穿孔(TSV)
405‧‧‧連接終端
406‧‧‧側壁保護部分
406-1‧‧‧側壁保護部分
406-2‧‧‧側壁保護部分
421‧‧‧焊料遮罩
422‧‧‧互連件
441‧‧‧空間
441-1‧‧‧空間
441-2‧‧‧空間
442-1‧‧‧空間
442-2‧‧‧空間
443-1‧‧‧空間
443-2‧‧‧空間
461‧‧‧空間
462-1‧‧‧空間
462-2‧‧‧空間
471‧‧‧材料
481‧‧‧空間
482-1‧‧‧空間
482-2‧‧‧空間
491‧‧‧材料
491-1‧‧‧材料
491-2‧‧‧材料
500-1‧‧‧晶片
500-2‧‧‧晶片
500-3‧‧‧晶片
501-1‧‧‧防濕膜
501-2‧‧‧防濕膜
501-3‧‧‧防濕膜
502-1‧‧‧凹槽
502-2‧‧‧凹槽
502-1’‧‧‧凹槽
502-2’‧‧‧凹槽
510‧‧‧晶片
511-1‧‧‧防濕膜
511-2‧‧‧防濕膜
520-1‧‧‧晶片
520-2‧‧‧晶片
520-3‧‧‧晶片
521-1‧‧‧防濕膜
521-2‧‧‧防濕膜
521-3‧‧‧防濕膜
522-1‧‧‧金屬膜
522-2‧‧‧金屬膜
522-3‧‧‧金屬膜
523-1‧‧‧凹槽
523-2‧‧‧凹槽
523-1’‧‧‧凹槽
523-2’‧‧‧凹槽
531-1‧‧‧防濕膜
531-2‧‧‧防濕膜
532-1‧‧‧金屬膜
532-2‧‧‧金屬膜
610-1‧‧‧晶片
610-2‧‧‧晶片
610-3‧‧‧晶片
611-1‧‧‧凹槽
611-2‧‧‧凹槽
611-1’‧‧‧凹槽
611-2’‧‧‧凹槽
612-1‧‧‧抗焊劑
614-1‧‧‧玻璃
614-2‧‧‧玻璃
614-1’‧‧‧玻璃
614-2’‧‧‧玻璃
615-1‧‧‧黏著層
615-2‧‧‧黏著層
615-3‧‧‧黏著層
615-4‧‧‧黏著層
620-1‧‧‧晶片
620-2‧‧‧晶片
620-3‧‧‧晶片
621-1‧‧‧凹槽
621-2‧‧‧凹槽
621-1’‧‧‧凹槽
621-2’‧‧‧凹槽
622-1‧‧‧抗焊劑
624-1‧‧‧玻璃
624-2‧‧‧玻璃
624-1’‧‧‧玻璃
624-2’‧‧‧玻璃
625-1‧‧‧黏著層
625-2‧‧‧黏著層
625-3‧‧‧黏著層
625-4‧‧‧黏著層
630-1‧‧‧晶片
630-2‧‧‧晶片
630-3‧‧‧晶片
631-1‧‧‧凹槽
631-2‧‧‧凹槽
631-1’‧‧‧凹槽
631-2’‧‧‧凹槽
632-1‧‧‧抗焊劑
634-1‧‧‧玻璃
634-2‧‧‧玻璃
634-1’‧‧‧玻璃
634-2’‧‧‧玻璃
635-1‧‧‧黏著層
635-2‧‧‧黏著層
635-3‧‧‧黏著層
635-4‧‧‧黏著層
641‧‧‧間隔層
700‧‧‧晶片
701‧‧‧鈍化膜
702‧‧‧電極襯墊
703‧‧‧襯墊開口部分
704-1‧‧‧疏水膜
704-2‧‧‧疏水膜
705‧‧‧疏水膜
710‧‧‧晶片
711-1‧‧‧凹槽
711-2‧‧‧凹槽
712-1‧‧‧疏水膜
712-2‧‧‧疏水膜
712-3‧‧‧疏水膜
712-4‧‧‧疏水膜
713‧‧‧凹槽
714-1‧‧‧疏水膜
714-2‧‧‧疏水膜
720‧‧‧晶片
721‧‧‧鈍化膜
722-1‧‧‧鈍化膜
722-2‧‧‧鈍化膜
723‧‧‧鈍化膜
724-1‧‧‧疏水膜
724-2‧‧‧疏水膜
725‧‧‧疏水膜
730‧‧‧晶片
731-1‧‧‧凹槽
731-2‧‧‧凹槽
732-1‧‧‧鈍化膜
732-2‧‧‧鈍化膜
732-3‧‧‧鈍化膜
732-4‧‧‧鈍化膜
733-1‧‧‧疏水膜
733-2‧‧‧疏水膜
733-3‧‧‧疏水膜
733-4‧‧‧疏水膜
734‧‧‧凹槽
735-1‧‧‧鈍化膜
735-2‧‧‧鈍化膜
736-1‧‧‧疏水膜
736-2‧‧‧疏水膜
740‧‧‧晶片
741-1‧‧‧鈍化膜
741-2‧‧‧鈍化膜
742-1‧‧‧疏水膜
742-2‧‧‧疏水膜
743‧‧‧鈍化膜
744‧‧‧疏水膜
750‧‧‧晶片
751-1‧‧‧凹槽
751-2‧‧‧凹槽
752-1‧‧‧鈍化膜
752-2‧‧‧鈍化膜
752-3‧‧‧鈍化膜
752-4‧‧‧鈍化膜
753-1‧‧‧疏水膜
753-2‧‧‧疏水膜
753-3‧‧‧疏水膜
753-4‧‧‧疏水膜
754‧‧‧凹槽
755-1‧‧‧鈍化膜
755-2‧‧‧鈍化膜
756-1‧‧‧疏水膜
756-2‧‧‧疏水膜
760‧‧‧晶片
761‧‧‧微透鏡鈍化膜
762‧‧‧平坦化膜
763-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
763-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
764-1‧‧‧疏水膜
764-2‧‧‧疏水膜
765‧‧‧微透鏡鈍化膜
766‧‧‧疏水膜
770‧‧‧晶片
771-1‧‧‧凹槽
771-2‧‧‧凹槽
772-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
772-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
772-3‧‧‧微透鏡鈍化膜
772-4‧‧‧微透鏡鈍化膜
773-1‧‧‧疏水膜
773-2‧‧‧疏水膜
773-3‧‧‧疏水膜
773-4‧‧‧疏水膜
774‧‧‧凹槽
775-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
775-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
776-1‧‧‧疏水膜
776-2‧‧‧疏水膜
780‧‧‧晶片
781-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
781-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
782-1‧‧‧疏水膜
782-2‧‧‧疏水膜
783‧‧‧微透鏡鈍化膜
784‧‧‧疏水膜
790‧‧‧晶片
791-1‧‧‧凹槽
791-2‧‧‧凹槽
792-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
792-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
792-3‧‧‧微透鏡鈍化膜
792-4‧‧‧微透鏡鈍化膜
793-1‧‧‧疏水膜
793-2‧‧‧疏水膜
793-3‧‧‧疏水膜
793-4‧‧‧疏水膜
794‧‧‧凹槽
795-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
795-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
796-1‧‧‧疏水膜
796-2‧‧‧疏水膜
800‧‧‧晶片
801‧‧‧鈍化膜
802‧‧‧襯墊開口部分
803-1‧‧‧鈍化膜
803-2‧‧‧鈍化膜
804-1‧‧‧疏水膜
804-2‧‧‧疏水膜
805‧‧‧鈍化膜
806‧‧‧疏水膜
810‧‧‧晶片
811-1‧‧‧凹槽
811-2‧‧‧凹槽
812-1‧‧‧鈍化膜
812-2‧‧‧鈍化膜
812-3‧‧‧鈍化膜
812-4‧‧‧鈍化膜
813-1‧‧‧疏水膜
813-2‧‧‧疏水膜
813-3‧‧‧疏水膜
813-4‧‧‧疏水膜
815‧‧‧凹槽
816-1‧‧‧鈍化膜
816-2‧‧‧鈍化膜
817-1‧‧‧疏水膜
817-2‧‧‧疏水膜
820‧‧‧晶片
821‧‧‧鈍化膜
822-1‧‧‧鈍化膜
822-2‧‧‧鈍化膜
823-1‧‧‧疏水膜
823-2‧‧‧疏水膜
824‧‧‧鈍化膜
825‧‧‧疏水膜
830‧‧‧晶片
831-1‧‧‧凹槽
831-2‧‧‧凹槽
832-1‧‧‧鈍化膜
832-2‧‧‧鈍化膜
832-3‧‧‧鈍化膜
832-4‧‧‧鈍化膜
833-1‧‧‧疏水膜
833-2‧‧‧疏水膜
833-3‧‧‧疏水膜
833-4‧‧‧疏水膜
835‧‧‧凹槽
836-1‧‧‧鈍化膜
836-2‧‧‧鈍化膜
837-1‧‧‧疏水膜
837-2‧‧‧疏水膜
840‧‧‧晶片
841‧‧‧鈍化膜
842‧‧‧襯墊開口部分
843-1‧‧‧鈍化膜
843-2‧‧‧鈍化膜
844-1‧‧‧疏水膜
844-2‧‧‧疏水膜
845‧‧‧鈍化膜
846‧‧‧疏水膜
850‧‧‧晶片
851-1‧‧‧凹槽
851-2‧‧‧凹槽
852-1‧‧‧鈍化膜
852-2‧‧‧鈍化膜
852-3‧‧‧鈍化膜
852-4‧‧‧鈍化膜
853-1‧‧‧疏水膜
853-2‧‧‧疏水膜
853-3‧‧‧疏水膜
853-4‧‧‧疏水膜
855‧‧‧凹槽
856-1‧‧‧鈍化膜
856-2‧‧‧鈍化膜
857-1‧‧‧疏水膜
857-2‧‧‧疏水膜
860‧‧‧晶片
861‧‧‧矽基板
862‧‧‧光電二極體
863‧‧‧層間絕緣膜
864‧‧‧互連層金屬
865‧‧‧平坦化膜
866‧‧‧彩色濾光器層
867‧‧‧平坦化膜
868‧‧‧微透鏡鈍化膜
869‧‧‧襯墊開口部分
870‧‧‧電極襯墊
871-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
871-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
872-1‧‧‧疏水膜
872-2‧‧‧疏水膜
873‧‧‧微透鏡鈍化膜
874‧‧‧疏水膜
880‧‧‧晶片
881-1‧‧‧凹槽
881-2‧‧‧凹槽
882-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
882-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
882-3‧‧‧微透鏡鈍化膜
882-4‧‧‧微透鏡鈍化膜
883-1‧‧‧疏水膜
883-2‧‧‧疏水膜
883-3‧‧‧疏水膜
883-4‧‧‧疏水膜
884‧‧‧凹槽
885-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
885-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
886-1‧‧‧疏水膜
886-2‧‧‧疏水膜
890‧‧‧晶片
891-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
891-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
892-1‧‧‧疏水膜
892-2‧‧‧疏水膜
893‧‧‧微透鏡鈍化膜
894‧‧‧疏水膜
900‧‧‧晶片
901-1‧‧‧凹槽
901-2‧‧‧凹槽
902-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
902-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
902-3‧‧‧微透鏡鈍化膜
902-4‧‧‧微透鏡鈍化膜
903-1‧‧‧疏水膜
903-2‧‧‧疏水膜
903-3‧‧‧疏水膜
903-4‧‧‧疏水膜
904‧‧‧凹槽
905-1‧‧‧微透鏡鈍化膜
905-2‧‧‧微透鏡鈍化膜
906-1‧‧‧疏水膜
906-2‧‧‧疏水膜
910‧‧‧晶片
911‧‧‧微透鏡層
912‧‧‧鈍化膜
913‧‧‧襯墊開口部分
914-1‧‧‧疏水膜
914-2‧‧‧疏水膜
915‧‧‧鈍化膜
916‧‧‧疏水膜
920‧‧‧晶片
921‧‧‧凹槽
922-1‧‧‧鈍化膜
922-2‧‧‧鈍化膜
923-1‧‧‧疏水膜
923-2‧‧‧疏水膜
930‧‧‧半導體封裝體
931‧‧‧透明密封樹脂
932‧‧‧玻璃基板
940‧‧‧半導體封裝體
950‧‧‧半導體封裝體
960‧‧‧半導體封裝體
970‧‧‧半導體封裝體
980‧‧‧半導體封裝體
990‧‧‧半導體封裝體
1000‧‧‧半導體封裝體
1010‧‧‧半導體封裝體
1020‧‧‧半導體封裝體
1030‧‧‧半導體封裝體
1040‧‧‧半導體封裝體
1050‧‧‧半導體封裝體
1060‧‧‧半導體封裝體
1070‧‧‧半導體封裝體
1080‧‧‧半導體封裝體
1090‧‧‧半導體封裝體
1100‧‧‧半導體封裝體
1300-1‧‧‧晶片
1300-2‧‧‧晶片
1300-3‧‧‧晶片
1311-1‧‧‧凹槽
1311-2‧‧‧凹槽
1311-1’‧‧‧凹槽
1311-2’‧‧‧凹槽
1312-1‧‧‧抗焊劑
1314-1‧‧‧黏著層
1314-2‧‧‧黏著層
2000‧‧‧成像裝置
2001‧‧‧透鏡群組
2002‧‧‧固態影像感測器
2003‧‧‧數位信號處理(DSP)電路
2004‧‧‧圖框記憶體
2005‧‧‧顯示單元
2006‧‧‧記錄單元
2007‧‧‧操作單元
2008‧‧‧電源單元
2009‧‧‧匯流排線
S101‧‧‧步驟
S102‧‧‧步驟
S103‧‧‧步驟
S104‧‧‧步驟
S201‧‧‧步驟
S202‧‧‧步驟
S203‧‧‧步驟
S204‧‧‧步驟
S205‧‧‧步驟
S301‧‧‧步驟
S302‧‧‧步驟
S303‧‧‧步驟
S304‧‧‧步驟
S305‧‧‧步驟
S306‧‧‧步驟
S307‧‧‧步驟
S308‧‧‧步驟
S309‧‧‧步驟
S310‧‧‧步驟
S311‧‧‧步驟
S312‧‧‧步驟
S401‧‧‧步驟
S402‧‧‧步驟
S403‧‧‧步驟
S404‧‧‧步驟
S405‧‧‧步驟
S406‧‧‧步驟
S407‧‧‧步驟
S421‧‧‧步驟
S422‧‧‧步驟
S423‧‧‧步驟
S424‧‧‧步驟
S425‧‧‧步驟
S426‧‧‧步驟
S441‧‧‧步驟
S442‧‧‧步驟
S443‧‧‧步驟
S444‧‧‧步驟
S445‧‧‧步驟
S446‧‧‧步驟
S447‧‧‧步驟
S501‧‧‧步驟
S502‧‧‧步驟
S503‧‧‧步驟
S504‧‧‧步驟
S505‧‧‧步驟
S521‧‧‧步驟
S522‧‧‧步驟
S523‧‧‧步驟
S524‧‧‧步驟
S525‧‧‧步驟
S611‧‧‧步驟
S612‧‧‧步驟
S613‧‧‧步驟
S614‧‧‧步驟
S615‧‧‧步驟
S616‧‧‧步驟
S617‧‧‧步驟
S641‧‧‧步驟
S642‧‧‧步驟
S643‧‧‧步驟
S644‧‧‧步驟
S645‧‧‧步驟
S646‧‧‧步驟
S647‧‧‧步驟
S661‧‧‧步驟
S662‧‧‧步驟
S663‧‧‧步驟
S664‧‧‧步驟
S665‧‧‧步驟
S666‧‧‧步驟
S667‧‧‧步驟
S668‧‧‧步驟
S711‧‧‧步驟
S712‧‧‧步驟
S713‧‧‧步驟
S721‧‧‧步驟
S722‧‧‧步驟
S723‧‧‧步驟
S724‧‧‧步驟
S1311‧‧‧步驟
S1312‧‧‧步驟
S1313‧‧‧步驟
S1314‧‧‧步驟
S1315‧‧‧步驟
S1316‧‧‧步驟
A1‧‧‧像素區域
A2‧‧‧襯墊區域
A3‧‧‧刻劃區域
w‧‧‧寬度
w’‧‧‧寬度
h‧‧‧高度
h’‧‧‧高度/深度
圖1係繪示一CMOS影像感測器之一例示性組態的一方塊圖。
圖2係繪示一單位像素之一組態的一圖式。
圖3係繪示一單位像素之一組態的一圖式。
圖4係繪示根據一第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖5係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖6係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖7係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖8係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖9係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖10係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖11係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖12係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖13係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖14係繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖15係用於描述製造根據該第一實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖16係繪示根據一第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖17係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖18係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖19係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖20係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖21係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖22係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖23係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖24係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖25係繪示根據該第二實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖26係用於描述製造根據該第二實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖27係繪示根據一第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖28係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖29係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖30係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖31係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖32係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖33係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖34A及圖34B係繪示根據該第三實施例之一晶片之一組態的圖式。
圖35係用於描述製造根據該第三實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖36係用於描述製造根據該第三實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖37係繪示根據一第四實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖38係繪示根據該第四實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖39係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖40係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖41係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖42係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖43係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖44係用於描述製造根據該第四實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖45係繪示根據一第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖46係繪示根據該第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖47係繪示根據該第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖48係用於描述製造根據該第五實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖49係繪示根據該第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖50係繪示根據該第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖51係繪示根據該第五實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖52係用於描述製造根據該第五實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖53係繪示根據一第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖54係繪示根據該第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖55係用於描述製造根據該第六實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖56係繪示根據該第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖57係繪示根據該第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖58係用於描述製造根據該第六實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖59係繪示根據該第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖60係繪示根據該第六實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖61係用於描述製造根據該第六實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖62係繪示根據一第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖63係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖64係用於描述製造根據該第七實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖65係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖66係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖67係用於描述製造根據該第七實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖68係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖69係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖70係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖71係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖72係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖73係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖74係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖75係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖76係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖77係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖78係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖79係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖80係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖81係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖82係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖83係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖84係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖85係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖86係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖87係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖88係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖89係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖90係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖91係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖92係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖93係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖94係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖95係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖96係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖97係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖98係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖99係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖100係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖101係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖102係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖103係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖104係繪示根據該第七實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖105係繪示根據一第八實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖106係繪示根據該第八實施例之一晶片之一組態的一圖式。
圖107係用於描述製造根據該第八實施例之一晶片之一程序的一圖式。
圖108係繪示一電子裝置之一組態的一圖式。
在下文中，將描述用於執行本發明技術之模式(在下文中稱為「實施例」)。該描述將依以下順序進行。
1.固態影像感測器之組態
2.晶片之結構
3.第一實施例
4.第二實施例
5.第三實施例
6.第四實施例
7.第五實施例
8.第六實施例
9.第七實施例
10.第八實施例
11.電子裝置
圖1係繪示根據本發明技術之一實施例之作為一固態影像感測器之一互補金屬氧化物半導體(CMOS)之一例示性組態的一方塊圖。
一CMOS影像感測器30包含一像素陣列單元41、一垂直驅動單元42、一行處理單元43、一水平驅動單元44及一系統控制單元45。像素陣列單元41、垂直驅動單元42、行處理單元43、水平驅動單元44及系統控制單元45係形成於一半導體基板(晶片)(並未繪示)上。
在像素陣列單元41中，各包含一光電轉換元件之單位像素係以一矩陣形式二維配置，該光電轉換元件產生及累積對應於本文中之一入射光量之一電荷量之光電荷。在下文中，根據一入射光量之一電荷量之光電荷亦簡稱為「電荷」，且一單位像素亦稱為一「像素」。
此外，在像素陣列單元41中，在矩陣形式之像素陣列中，針對圖1中之在一水平方向上(其中配置一像素列之一方向)的各列形成一像素驅動線46，且針對圖1中之在一垂直方向上(其中配置一像素行之一方向)的各行形成一垂直信號線47。該像素驅動線46之一端經連接至對應於垂直驅動單元42之各列之一輸出終端。
CMOS影像感測器30進一步包含一信號處理單元48及一資料儲存單元49。該信號處理單元48及該資料儲存單元49可藉由形成於不同於CMOS影像感測器30之一基板上或軟體上的一外部信號處理單元(諸如
一數位信號處理器(DSP))實施，且可安裝於與該CMOS影像感測器30相同的基板上。
垂直驅動單元42係一像素驅動單元，其經組態具有一移位暫存器、一位址解碼器或類似者，且同時或以列為單位驅動像素陣列單元41之像素。儘管並未繪示一具體組態，然垂直驅動單元42經組態以包含一讀取掃描系統及一放電掃描系統或集體放電及集體轉移。
該讀取掃描系統以列為單位依序選擇性地掃描像素陣列單元41之單位像素以從該等單位像素讀取信號。在列驅動(一滾動快門操作)之情況中，為放電目的，在讀取掃描之前先以一快門速度對讀取列執行一段時間的放電掃描，藉由讀取掃描系統對該等讀取列執行讀取掃描。此外，在全域曝光(一全域快門操作)之情況中，在集體轉移之前以一快門速度執行一段時間的集體放電。
透過放電，使不必要的電荷從讀取列中之單位像素之光電轉換元件排放(重設)。此外，藉由排放(重設)不必要的電荷來執行一所謂電子快門操作。此處，該電子快門操作係指用於排放光電轉換元件之光電荷且新開始曝光(開始光電荷累積)之一操作。
藉由憑藉讀取掃描系統執行之一讀取操作讀取之一信號對應於在緊接的先前讀取操作或電子快門操作之後入射之一光量。在列驅動之情況中，從一緊接的先前讀取操作之一讀取時間或電子快門操作之一放電時間至一電流讀取操作之一讀取時間的一時間段係單位像素中之光電荷之一累積時間段(一曝光時間段)。在全域曝光之情況中，從集體放電至集體轉移之一時間段係一累積時間段(一曝光時間段)。
透過垂直信號線47之各者將自藉由垂直驅動單元42選擇性掃描的像素列之單位像素輸出的像素信號供應至行處理單元43。該行處理單元43透過針對像素陣列單元41之各像素列之垂直信號線47對自選定列之單位像素輸出的像素信號執行特定信號處理，且暫時保持經歷信
號處理之該等像素信號。
明確言之，行處理單元43執行至少一雜訊降低程序(諸如一相關雙取樣(CDS))作為信號處理。透過藉由行處理單元43執行之CDS，移除特定於一像素之一重設雜訊或一固定型樣雜訊，諸如一放大電晶體之一臨限值之一變動。此外，除了該雜訊降低程序之外，舉例而言，行處理單元43亦可具有一類比轉數位(AD)轉換功能且使用一數位信號輸出一信號位準。
水平驅動單元44經組態具有一移位暫存器、一位址解碼器或類似者，且循序選擇對應於行處理單元43之像素行之單元電路。透過藉由水平驅動單元44之選擇性掃描，將已經歷藉由行處理單元43之信號處理之像素信號循序輸出至信號處理單元48。
系統控制單元45經組態具有一時序產生器，該時序產生器產生各種時序信號或類似者，且基於藉由該時序產生器產生之各種時序信號對垂直驅動單元42、行處理單元43及水平驅動單元44執行驅動控制。
信號處理單元48具有至少一額外處理功能，且對從行處理單元43輸出之像素信號執行各種信號處理，諸如一額外處理。當藉由信號處理單元48執行信號處理時，資料儲存單元49暫時儲存信號處理所需之資料。
接著，將描述以矩陣形式配置成圖1之像素陣列單元41的單位像素之一具體結構。透過應用本發明技術之一像素，可改良防濕效能及感測器效能。為描述存在上述效果，在應用本發明技術之一像素之前首先描述未應用本發明技術之一像素。
圖2繪示其中配置複數個單位像素之一晶片之一例示性組態。在執行切割之前，圖2之晶片組態一背側照明型CMOS影像感測器。
下文描述之圖2中所繪示之一組態係一實例，且下文描述之本發明技術可甚至應用於任何其他組態，諸如其中除了下文描述之層之外還增加另一層的一組態或其中刪除下文描述之層之任一者的一組態。
在圖2中所繪示之一晶片70中，一絕緣層及由金屬製成之一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。該支撐基板71係由矽、玻璃環氧樹脂、玻璃、塑膠或類似者製成。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
由一絕緣材料製成之一平坦化膜75係形成於矽基板73及光電二極體74上。在該平坦化膜75中，用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係在相鄰光電二極體74之間執行。
一彩色濾光器層77係形成於平坦化膜75及光屏蔽膜76上。在該彩色濾光器層77中，複數個彩色濾光器係形成於像素單元中，且舉例而言，該等彩色濾光器之色彩係根據一拜耳(Bayer)陣列來配置。
一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。如上所述，該微透鏡層79係形成於包含具有光電二極體74之複數個層之基板上。在該微透鏡層79中，針對各像素形成用於收集光至各像素之光電二極體74上之一微透鏡層。該微透鏡層79係一無機材料層且由SiN、SiO或SiOxNy(此處，0<x1，0<y1)製成。
一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至微透鏡層79上。該防護玻璃罩81並不限於玻璃，且亦可使用由樹脂或類似者製成之一透明板。該黏著層80係由以丙烯酸為基礎之樹脂材料、以苯乙烯為基礎之樹脂材料、以環氧樹脂為基礎之樹脂材料或類似者製成。
圖2中所繪示之晶片70係其中存在複數個晶片之一狀態。圖2繪示其中在一水平方向上存在三個晶片且尚未切割一晶圓之一狀態。在
圖2中所繪示之晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片70-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片70-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片70-3」。
在晶片70-1與晶片70-2之間存在一刻劃區段91-1，且在該晶片70-1與該晶片70-3之間存在一刻劃區段91-2。藉由沿著該刻劃區段91-1及該刻劃區段91-2切割而將圖2中所繪示之三個晶片切割成三個晶片。
圖3繪示經切割晶片70-1。圖3中所繪示之晶片70-1係定位於圖2中所繪示之晶片之中心處的一晶片，且指示因沿著刻劃區段91-1及刻劃區段91-2切割而獲得之晶片70-1。
在切割時，有可能由切割時施加至晶片70-1之物理力剝除一邊緣部分。此外，在切割之後，濕氣有可能侵入至該晶片70-1之側或類似者中，如圖3中所繪示。例如，一密封樹脂部分與任何其他部分相比更有可能吸收濕氣。此外，濕氣有可能侵入至密封樹脂與玻璃之間的一界面部分或類似者中。
若濕氣侵入至晶片70-1中，則取決於侵入位置，一金屬材料或一斷開有可能受損害，且因此可能無法執行一正常操作。此外，一不規則影像或一顯示缺陷可能發生。因此，有必要執行切割使得在切割時並不發生諸如剝離之損壞，或需要防止濕氣侵入至晶片70-1中之一機構。
在下文中，將描述抑制在切割時發生諸如剝離之損壞及防止濕氣侵入至晶片70中之一結構及一製程作為第一實施例至第七實施例。此外，在各實施例中，一晶片基本上具有圖2及圖3中所繪示之組態，且用於描述各實施例所需之部分係適當進行繪示及描述。
在一第一實施例中，一凹槽係形成於一晶片中之一特定層中以防止切割時之損壞及防止濕氣侵入至一晶片中。
圖4繪示根據該第一實施例之一晶片之一組態。圖4繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖4中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片100-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片100-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片100-3」。在以下描述中，當該等晶片100-1至100-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片100」。
各晶片100具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同的組態。換言之，晶片100經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於光電二極體74之間的一位置之一部分中。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層79上。
該黏著層80係由透明樹脂製成，且較佳為能夠固定防護玻璃罩81之一部件。該防護玻璃罩81可為一板狀透明部件而非玻璃。
在圖4中所繪示之晶圓中，一凹槽101係形成於晶片100之間。一凹槽101-1係形成於晶片100-1與晶片100-2之間，且凹槽101-2係形成於晶片100-1與晶片100-3之間。
在晶片100-1與晶片100-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽101-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片100-1與晶片100-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽101-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖4之後之其他圖式中，為有助於觀察凹槽101-2，描述將在其中並未繪示刻劃區段91-2之一狀態中進行。
在圖4中所繪示之晶片100中，凹槽101經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。
如稍後將描述，在製造時，因為凹槽101係在形成黏著層80之前形成且該黏著層80係在形成該凹槽101之後形成，所以該凹槽101係用與該黏著層80相同的材料填充。透明樹脂可用作形成黏著層80之一材料。凹槽101可用該透明樹脂填充。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片100之間形成凹槽101之晶圓時，切下圖5中所繪示之晶片100-1。在圖5中所繪示之晶片100-1中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75係藉由黏著層80圍繞且因此並不曝露於表面上。
換言之，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。
如上所述，經切割晶片100-1具有如下結構：其中晶片100之堆疊層之若干部分係使用凹槽101-1’及凹槽101-2’覆蓋(在切割之後增加一劃至該等凹槽以與圖4中所繪示之在切割之前的凹槽101-1及凹槽101-2區分)。
如上所述，因為經切割晶片100-1經組態使得凹槽101-1’及凹槽101-2’保留，且與黏著層80相同之材料保留於該凹槽101-1’及該凹槽101-2’之部分中，所以在切割之前在晶片100之間的凹槽101-1或凹槽101-2之一寬度較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
如上所述，在其中形成凹槽101且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽101之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因
為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
圖4及圖5中所繪示之凹槽101(凹槽101’)係繪示為到達直至矽基板73之上部部分，但可經形成使得該矽基板73亦被挖空。換言之，一凹槽111-1及一凹槽111-2可經形成使得矽基板73之一部分被挖空，如圖6中所繪示。
在如上所述形成凹槽111時，矽基板73及平坦化膜75之界面側係使用與黏著層80相同的材料覆蓋，且因此可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
已結合其中如在圖6中所繪示之晶片110中形成凹槽使得直至一相鄰膜(層)之一部分被挖空之實例來描述第一實施例。
圖7繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖7繪示類似於圖4包含複數個晶片(在圖7中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖4中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖7中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片120-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片120-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片120-3」。
在圖7中所繪示之晶圓中，一凹槽121係形成於晶片120之間。凹槽121-1係形成於晶片120-1與晶片120-2之間，且凹槽121-2係形成於晶片120-1與晶片120-3之間。
在晶片120-1與晶片120-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽121-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片120-1與晶片120-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽121-2係形成於該刻劃區段91-2中。
形成凹槽121之一方法係與上文參考圖6所描述之晶片110中相
同。在圖7中所繪示之晶片120中，進一步形成一空間122-1及一空間122-2。該空間122-1係形成於晶片120-1與晶片120-2之間，且該空間122-2係形成於晶片120-1與晶片120-3之間。
圖7中所繪示之晶片120具有如下組態：其中凹槽121經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分被挖空，且空間122亦形成於黏著層80中。
如上所述，空間122經形成以從凹槽121穿透黏著層80。因為刻劃區段91係藉由切割而切開，所以當該刻劃區段91預先定位於該空間122中時，可減小在切割時施加至晶片120之層之力。
舉例而言，凹槽121及空間122經形成使得該凹槽121係在形成黏著層80之前形成，該黏著層80係在形成該凹槽121之後形成，且此後形成空間122。
替代性地，儘管並未繪示，然凹槽121及空間122可經形成以彼此整合。可提供其中與黏著層80相同的材料並未保留於凹槽121之側(凹槽121之側，諸如彩色濾光器層77之側)的一組態，且空間122可定位於該彩色濾光器層77或類似者之側以用作凹槽121。
在此組態中，在堆疊直至黏著層80之後，形成空間122。在此情況中，因為形成空間122來代替凹槽121，所以可執行形成空間122之一程序來代替形成凹槽121之一程序。
當沿著刻劃區段91切割圖7中所繪示之其中在晶片120之間形成凹槽121及空間122的晶圓時，切下具有與圖5中所繪示之晶片100幾乎相同之結構的晶片120。
換言之，切下晶片120，在該晶片120中微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分係藉由黏著層80圍繞且因此並不曝露於表面上。
如上所述，在其中形成凹槽121及空間122且用與黏著層80相同
的材料填充該凹槽121之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
空間122可保持為一空間或可用具有高防濕效能之一材料或不同於用於形成黏著層80之一材料的一材料填充。
圖8繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖8繪示類似於圖6包含複數個晶片(在圖8中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖6中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖8中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片130-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片130-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片130-3」。
在圖8中所繪示之晶圓中，一凹槽131係形成於晶片130之間。凹槽131-1係形成於晶片130-1與晶片130-2之間，且凹槽131-2係形成於晶片130-1與晶片130-3之間。
圖8中所繪示之具有凹槽131之晶片130係類似於圖6中所繪示之晶片110，惟在圖6中所繪示之晶片110之一下部部分中添加了一互連層72及一支撐基板71除外，且因此省略對該晶片130之一描述。換言之，本實施例可甚至應用於具有包含互連層72及支撐基板71之一信號處理電路基板之晶片130，如圖8中所繪示。
如上所述，在其中形成凹槽131且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽131之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，第(1-2)實施例可應用於第(1-3)實施例，使得空間122係形成於黏著層80及凹槽131中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
圖9繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖9繪示類似於圖8包含複數個晶片(在圖9中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖8中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖9中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片140-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片140-2」，且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片140-3」。
在圖9中所繪示之晶圓中，一凹槽141係形成於晶片140之間。凹槽141-1係形成於晶片140-1與晶片140-2之間，且凹槽141-2係形成於晶片140-1與晶片140-3之間。
在圖9中所繪示之晶片140中，類似於圖8中所繪示之晶片130，堆疊包含一互連層72及一支撐基板71之一信號處理電路基板，且形成直至該信號處理電路基板之凹槽141。在圖9中所繪示之實例中，凹槽141經形成使得直至支撐基板71被挖空。
在圖9中所繪示之晶片140中，凹槽141經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之一部分被挖空。
如稍後將描述，在製造時，凹槽141係在形成黏著層80之前形成且該黏著層80係在形成該凹槽141之後形成，且因此該凹槽141係用與該黏著層80相同的黏著劑填充。
在沿著刻劃區段91切割其中在晶片140之間形成凹槽141之晶圓時，切下圖10中所繪示之晶片140-1。在圖10中所繪示之晶片140-1
中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之一部分係藉由黏著層80圍繞且因此並不曝露於表面上。
換言之，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之一部分之側面係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。如上所述，經切割晶片140-1具有其中該晶片140-1之堆疊層之若干部分係使用凹槽141-1’及凹槽141-2’覆蓋的結構。
如上所述，在其中形成凹槽141且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽141之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
第(1-2)實施例可應用於第(1-4)實施例，且空間122可形成於黏著層80及凹槽141中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
圖11繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖11繪示類似於圖6包含複數個晶片(在圖11中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖6中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖11中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片150-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片150-2」，且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片150-3」。
在圖11中所繪示之晶圓中，一凹槽151係形成於晶片150之間。凹槽151-1係形成於晶片150-1與晶片150-2之間，且凹槽151-2係形成於晶片150-1與晶片150-3之間。
在圖11中所繪示之具有凹槽151之晶片150係類似於圖6中所繪示之晶片110，惟在圖6中所繪示之晶片110之黏著層80與防護玻璃罩81之間形成一透明樹脂層152除外，且因此省略對該晶片150之一描述。
如上所述，在其中形成凹槽151且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽151之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，第(1-2)實施例可應用於第(1-5)實施例，使得空間122係形成於黏著層80及凹槽131中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
此外，可應用第(1-3)實施例或第(1-4)實施例以提供其中堆疊包含互連層72及支撐基板71之信號處理電路基板之一組態。
圖12繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖12繪示類似於圖6包含複數個晶片(在圖12中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖6中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖12中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片160-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片160-2」，且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片160-3」。
在圖11中所繪示之晶圓中，一凹槽161係形成於晶片160之間。凹槽161-1係形成於晶片160-1與晶片160-2之間，且凹槽161-2係形成於晶片160-1與晶片160-3之間。
在圖12中所繪示之具有凹槽161之晶片160係類似於圖6中所繪示之晶片110，惟在圖6中所繪示之晶片110之黏著層80與防護玻璃罩81之間形成一吸收膜162除外，且因此省略對該晶片160之一描述。該吸
收膜162係由吸收一特定波長之光之一材料製成的一膜。
如上所述，在其中形成凹槽161且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽161之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，第(1-2)實施例可應用於第(1-6)實施例，使得空間122係形成於黏著層80及凹槽131中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
此外，可應用第(1-3)實施例或第(1-4)實施例以提供其中堆疊包含互連層72及支撐基板71之信號處理電路基板之一組態。
圖13繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖13繪示類似於圖8包含複數個晶片(在圖13中為三個晶片)及堆疊於該複數個晶片上之一信號處理電路基板且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖8中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖13中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片170-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片170-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片170-3」。
在圖13中所繪示之晶圓中，一凹槽171係形成於晶片170之間。凹槽171-1係形成於晶片170-1與晶片170-2之間，且凹槽171-2係形成於晶片170-1與晶片170-3之間。
在圖13中所繪示之具有凹槽171之晶片170係類似於圖8中所繪示之晶片130，惟在圖8中所繪示之晶片130之黏著層80與微透鏡層79之間形成一低折射率膜172除外，且因此省略對該晶片170之一描述。該低折射率膜172係形成於微透鏡層79上且由折射率低於用於形成該微透鏡層79之一材料的一材料製成的一膜。
如上所述，在其中形成凹槽171且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽171之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，第(1-2)實施例可應用於第(1-7)實施例，使得空間122係形成於黏著層80及凹槽131中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
圖14繪示在第一實施例中之晶片之另一組態。圖14繪示類似於圖9包含複數個晶片(在圖14中為三個晶片)及堆疊於該複數個晶片上之一信號處理電路基板且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖9中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖14中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片180-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片180-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片180-3」。
在圖14中所繪示之晶圓中，一凹槽181係形成於晶片180之間。凹槽181-1係形成於晶片180-1與晶片180-2之間，且凹槽181-2係形成於晶片180-1與晶片180-3之間。
在圖14中所繪示之具有凹槽181之晶片180係類似於圖9中所繪示之晶片140，惟在圖9中所繪示之晶片140之黏著層80與微透鏡層79之間形成一低折射率膜182除外，且因此省略對該晶片180之一描述。該低折射率膜182係形成於微透鏡層79上且由折射率低於用於形成該微透鏡層79之一材料的一材料製成的一膜。
如上所述，在其中形成凹槽181且用與黏著層80相同的材料填充該凹槽181之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為
膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，第(1-2)實施例可應用於第(1-8)實施例，使得空間122係形成於黏著層80及凹槽131中。當形成空間122時，該空間122可用透明樹脂或具有高防濕效能之一部件填充。
如上文參考第(1-1)實施例至第(1-8)實施例所描述，在切割一晶片之前在一晶圓狀態中之晶片之間形成一凹槽時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖15係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。
參考圖15描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。此處，描述將使用其中製造圖6之根據第(1-1)實施例的晶片110之一實例進行。
在步驟S101中，製備一晶圓，其中堆疊一矽基板73、一平坦化膜75、一彩色濾光器層77、一平坦化膜78及一微透鏡層79，在該矽基板73中形成一光電二極體74，且在該平坦化膜75中形成一光屏蔽膜76。此外，儘管並未繪示，然亦可製備其中堆疊互連層72及支撐基板71之一晶圓。
在步驟S102中，形成一凹槽111-1及一凹槽111-2。例如，藉由在圖案化之後執行乾式蝕刻來形成該凹槽111。此外，當如圖9中所繪示之第(1-4)實施例中形成凹槽141使得直至支撐基板71被挖空時，在步驟S102中，形成該凹槽141以到達其中堆疊互連層72及支撐基板71之晶圓之該支撐基板71。
在步驟S103中，形成黏著層80。當形成該黏著層80時，用形成該黏著層80之一透明部件來填充凹槽111。此外，當如圖7中所繪示之第(1-2)實施例中形成空間122時，在步驟S103中，形成黏著層80且接著藉由執行乾式蝕刻來形成該空間122，舉例而言，類似於步驟S102。
替代性地，在其中僅存在形成於凹槽121之側上的不具有與黏著層80相同之材料的空間122之一組態的情況中，在步驟S103中，可在無需執行步驟S102中之形成一凹槽之一程序的情況下形成該空間122。
在步驟S104中，堆疊防護玻璃罩81。在堆疊該防護玻璃罩81之後，沿著刻劃區段91-1及刻劃區段91-2執行切割，且因此製造經切割晶片110。
在如上所述般執行形成一凹槽之步驟S102時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
在第二實施例中，一凹槽係形成於一晶片中之一特定層中以防止切割時之損壞及防止濕氣侵入至一晶片中。
圖16繪示根據第二實施例之一晶片之一組態。圖16繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖16中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片200-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片200-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片200-3」。在以下描述中，當該等晶片200-1至200-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片200」。
各晶片200具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同之組
態。換言之，晶片200經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於光電二極體74之間的一位置之一部分中。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層79上。
在圖16中所繪示之晶圓中，一凹槽201係形成於晶片200之間。凹槽201-1係形成於晶片200-1與晶片200-2之間，且凹槽201-2係形成於晶片200-1與晶片200-3之間。
一鈍化膜202-1係形成於凹槽201-1中，且一鈍化膜202-2係形成於凹槽201-2中。該鈍化膜202係較佳由一無機材料製成之具有一高防濕性質之一膜，諸如一SiN膜。因為取決於濕度、溫度或類似者之條件，濕氣有可能侵入至一光接收裝置(晶片)中以引起諸如影像品質劣化之一問題，所以鈍化膜202經形成以保護該光接收裝置之端面。
鈍化膜202具有如上所述在切割時防止濕氣侵入至晶片200中且保護該晶片之端面的一功能。
在晶片200-1與晶片200-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽201-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片200-1與晶片200-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽201-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖16之後之其他圖式中，為有助於觀察凹槽201-2，描述將在其中並未繪示刻劃區段91-2之一狀態中進行。
在圖16中所繪示之晶片200中，凹槽201經形成使得微透鏡層
79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。
此外，因為鈍化膜202係形成於凹槽201中，所以該鈍化膜202係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面以及矽基板73之上部部分上。
如稍後將描述，在製造時，因為凹槽201係在形成黏著層80之前形成，鈍化膜202係在形成該凹槽201之後形成，且該黏著層80係在形成該鈍化膜202之後形成，所以該凹槽201(藉由鈍化膜202形成之矩形之內部)係用與該黏著層80相同的材料填充。透明樹脂可用作形成黏著層80之一材料。凹槽201可用該透明樹脂填充。
此處，描述使用如下實例進行，其中形成鈍化膜202，且該鈍化膜202之內部係用與黏著層80相同的材料填充，但凹槽201可僅用該鈍化膜202之材料填充。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片200之間形成凹槽201之晶圓時，切下圖17中所繪示之晶片200-1。在圖17中所繪示之晶片200-1中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截面係使用鈍化膜202覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。
如上所述，經切割晶片200-1具有一結構，其中晶片200-1之堆疊層之若干部分係使用凹槽201-1’及凹槽201-2’覆蓋(在切割之後增加一劃至該等凹槽以與圖16中所繪示之在切割之前的凹槽201-1及凹槽201-2區分)。
如上所述，因為經切割晶片200-1經組態使得凹槽201-1’及凹槽201-2’保留，且鈍化膜202保留於該凹槽201-1’及該凹槽201-2’之部分中，所以在切割之前在晶片200之間的凹槽201-1或凹槽201-2之一寬
度係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
如上所述，在其中形成凹槽201且在該凹槽201之內側上形成鈍化膜202之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。此外，在形成鈍化膜202時，可進一步改良防濕效能。
圖18繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖18繪示類似於圖16包含複數個晶片(在圖18中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖16中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖18中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片210-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片210-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片210-3」。
在圖18中所繪示之晶圓中，一凹槽211係形成於晶片210之間。凹槽211-1係形成於晶片210-1與晶片210-2之間，且凹槽211-2係形成於晶片210-1與晶片210-3之間。
在圖18中所繪示之晶圓中，凹槽211經形成使得直至矽基板73之一部分被挖空。換言之，在圖18中所繪示之晶片210中，凹槽211經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分被挖空。
此外，一鈍化膜212係形成於凹槽211中，且因此該鈍化膜212經形成以覆蓋微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分之各自層。
凹槽211(藉由鈍化膜212形成之矩形之內部)係用與黏著層80相同的材料填充。透明樹脂可用作形成黏著層80之一材料。凹槽211可用
該透明樹脂填充。
此處，描述使用如下實例進行，其中形成鈍化膜212，且該鈍化膜212之內部係用與黏著層80相同的材料填充，但凹槽211可僅用該鈍化膜212之材料填充。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片210之間形成凹槽211之晶圓時，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分之橫截面係使用鈍化膜212覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。
如上所述，在其中形成凹槽211且在該凹槽211之內側上形成鈍化膜212之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。此外，在形成鈍化膜212時，可進一步改良防濕效能。
圖19繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖19繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖19中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片220-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片220-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片220-3」。
在圖19中所繪示之晶圓中，一凹槽221係形成於晶片220之間。凹槽221-1係形成於晶片220-1與晶片220-2之間，且凹槽221-2係形成於晶片220-1與晶片220-3之間。一鈍化膜222係形成於該凹槽221-1及該凹槽221-2中，且該鈍化膜222亦形成於微透鏡層79上方。
在晶片220-1與晶片220-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽221-1
係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片220-1與晶片220-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽221-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖19中所繪示之晶片220中，凹槽221經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。
此外，因為鈍化膜222係形成於凹槽221中，所以該鈍化膜222係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面上及在矽基板73以及該微透鏡層79上方。
因為鈍化膜222係甚至形成於微透鏡層79上方，所以較佳使用在一可見區域中具有等於或大於1.55之特性透明度N之一材料。替代性地，可使用吸收一特定波長之一材料。
圖19中所繪示之晶片220係與根據第(2-1)實施例之在圖16中所繪示的晶片200相同，惟鈍化膜222係甚至形成於微透鏡層79上方除外，且因此省略對該晶片220之一描述。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片220之間形成凹槽221之晶圓時，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截面係使用鈍化膜222覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。
此外，因為鈍化膜222係甚至形成於微透鏡層79上方，所以舉例而言即使當濕氣從黏著層80侵入時，該鈍化膜222亦可防止濕氣侵入至該微透鏡層79側中。因此，可進一步改良晶片220之防濕效能。
如上所述，在其中形成凹槽221且在該凹槽221之內側上形成鈍化膜222之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。此外，在形成
鈍化膜222時，可進一步改良防濕效能。
圖20繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖20繪示類似於圖18包含複數個晶片(在圖20中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。藉由相同元件符號表示與圖18中相同之部分且省略對該等相同部分之一描述。
在圖20中所繪示之一晶圓中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片230-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片230-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片230-3」。
在圖20中所繪示之晶圓中，一凹槽231係形成於晶片230之間。凹槽231-1係形成於晶片230-1與晶片230-2之間，且凹槽231-2係形成於晶片230-1與晶片230-3之間。
在圖20中所繪示之晶圓中，凹槽231經形成使得直至矽基板73之一部分被挖空。換言之，在圖20中所繪示之晶片230中，凹槽231經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分被挖空。
此外，一鈍化膜232係形成於凹槽231中，且該鈍化膜232亦經形成以覆蓋微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分之各自層。
此組態係與根據第(2-2)實施例之在圖18中所繪示的晶片210之組態相同。此外，圖20中所繪示之晶片230與圖18中所繪示之晶片210不同之處在於，鈍化膜232係甚至形成於微透鏡層79上方。
因為鈍化膜232係甚至形成於微透鏡層79上方，所以較佳使用在一可見區域中具有等於或大於1.55之特性透明度N之一材料。替代性地，可使用吸收一特定波長之一材料。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片230之間形成凹槽231之晶圓
時，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分之橫截面係使用鈍化膜232覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分係使用與黏著層80相同的材料覆蓋。
此外，因為鈍化膜232係甚至形成於微透鏡層79上方，所以舉例而言即使當濕氣從黏著層80侵入時，該鈍化膜232亦可防止濕氣侵入至該微透鏡層79側中。因此，可進一步改良晶片230之防濕效能。
如上所述，在其中形成凹槽231且在該凹槽231之內側上形成鈍化膜232之一狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。此外，在形成鈍化膜232時，可進一步改良防濕效能。
圖21繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖21繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖21中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片240-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片240-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片240-3」。
在圖21中所繪示之一晶圓中，一凹槽241係形成於晶片240之間。凹槽241-1係形成於晶片240-1與晶片240-2之間，且凹槽241-2係形成於晶片240-1與晶片240-3之間。
在晶片240-1與晶片240-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽241-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片240-1與晶片240-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽241-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖21中所繪示之晶片240中，凹槽241經形成使得微透鏡層
79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。一鈍化膜242係形成於凹槽241之側上。鈍化膜242-2係形成於凹槽241-1之側上，且鈍化膜242-5係形成於凹槽241-2之側上。
在圖21中一肋243-1係形成於鈍化膜242-2之左側上，且鈍化膜242-1係形成於該肋243-1之左側上。該肋243-1經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜242。類似地，在圖21中肋243-2係形成於鈍化膜242-2之右側上，且鈍化膜242-3係形成於該肋243-2之右側上。該肋243-2經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜242。
此外，類似地，在圖21中肋243-2係形成於鈍化膜242-5之左側上，且鈍化膜242-4係形成於該肋243-2之左側上。該肋243-2經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜242。類似地，在圖21中肋243-4係形成於鈍化膜242-5之右側上，且鈍化膜242-6係形成於該肋243-4之右側上。該肋243-2經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜242。
如上所述，舉例而言，肋243係使用一微影技術形成於一感測器基板上，且鈍化膜242係形成於該肋243之側上。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片240之間形成凹槽241之晶圓時，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截面係如在圖22中所繪示之晶片240-1中使用鈍化膜242覆蓋且因此並不曝露於表面上。
此外，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75係使用與該黏著層80相同的材料覆蓋。此外，藉由使用鈍化膜242填充凹槽241來形成該凹槽241，且該凹槽241係僅使用該鈍化膜242覆蓋。
此外，舉例而言，因為肋243係形成於黏著層80中且鈍化膜242係形成於該肋243中，所以該肋243及該鈍化膜242可防止濕氣侵入至
該黏著層80中。因此，可進一步改良晶片240之防濕效能。
在其中形成凹槽241，在該凹槽241之內側中形成鈍化膜242，形成肋243且甚至在該肋243中形成該鈍化膜242之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，在形成鈍化膜242及肋243時，可進一步改良防濕效能。此外，在形成肋243時，可阻斷或降低來自晶片240之側之一雜散光分量，且具有防止一閃光或類似者的一效果。
圖23繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖23中所繪示之一晶片250具有如下組態，其中根據第(2-5)實施例之在圖21中所繪示的具有肋之晶片240之組態係應用於根據第(2-2)實施例之在圖18中所繪示之晶片210。
圖23中所繪示之一晶圓亦係包含複數個晶片(在圖23中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片250-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片250-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片250-3」。
在圖23中所繪示之晶圓中，一凹槽251係形成於晶片250之間。凹槽251-1係形成於晶片250-1與晶片250-2之間，且凹槽251-2係形成於晶片250-1與晶片250-3之間。
在晶片250-1與晶片250-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽251-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片250-1與晶片250-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽251-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖23中所繪示之晶圓中，凹槽251經形成使得直至矽基板73之
一部分被挖空。換言之，在圖23中所繪示之晶片250中，凹槽251經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分被挖空。
一鈍化膜252係形成於凹槽251之側上。鈍化膜252-2係形成於凹槽251-1之側上，且鈍化膜252-5係形成於凹槽251-2之側上。在圖23中一肋253-1係形成於鈍化膜252-2之左側上，且鈍化膜252-1係形成於該肋253-1之側上。該肋253-1經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜252。
類似地，在圖23中一肋253-2係形成於鈍化膜252-2之右側上，且鈍化膜252-3係形成於該肋253-2之右側上。該肋253-2經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜252。
此外，類似地，在圖23中肋253-3係形成於鈍化膜252-5之左側上，且鈍化膜252-4係形成於該肋253-3之左側上。該肋253-3經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜252。類似地，在圖23中一肋253-4係形成於鈍化膜252-5之右側上，且鈍化膜252-6係形成於該肋253-4之右側上。該肋253-4經組態以在其左側及右側上包含鈍化膜252。
如上所述，舉例而言，肋253係使用一微影技術形成於一感測器基板上，且鈍化膜252係形成於該肋253之側上。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片250之間形成凹槽251之晶圓時，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分之橫截面係使用鈍化膜252覆蓋且因此並不曝露於表面上。
此外，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分係使用與該黏著層80相同的材料覆蓋。此外，當凹槽251係用鈍化膜252填充時，該凹槽251係僅使用該鈍化膜252覆蓋。
此外，舉例而言，因為肋253係形成於黏著層80中且鈍化膜252係形成於該肋253中，所以該肋253及該鈍化膜252可防止濕氣侵入至該黏著層80中。因此，可進一步改良晶片250之防濕效能。
在其中形成凹槽251，在該凹槽251之內側中形成鈍化膜252，形成肋253且甚至在該肋253中形成該鈍化膜252之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，在形成鈍化膜252及肋253時，可進一步改良防濕效能。此外，在形成肋253時，可阻斷或降低來自晶片250之側之一雜散光分量，且有防止一閃光或類似者的一效果。
圖24繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖24中所繪示之一晶片260具有如下組態，其中根據第(2-5)實施例之在圖21中所繪示的具有肋之晶片240之組態係應用於根據第(2-3)實施例之在圖19中所繪示之晶片220。
圖24中所繪示之一晶圓亦係包含複數個晶片(在圖24中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片260-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片260-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片260-3」。
在圖24中所繪示之晶圓中，一凹槽261係形成於晶片260之間。凹槽261-1係形成於晶片260-1與晶片260-2之間，且凹槽261-2係形成於晶片260-1與晶片260-3之間。
在晶片260-1與晶片260-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽261-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片260-1與晶片260-3之間
存在一刻劃區段91-2，且凹槽261-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖24中所繪示之晶片260中，凹槽261經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之上部部分。此外，因為一鈍化膜262係形成於凹槽261中，所以該鈍化膜262亦形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面上及在矽基板73以及該微透鏡層79上方。
因為鈍化膜262亦甚至形成於微透鏡層79上方，所以較佳使用在一可見區域中具有等於或大於1.55之特性透明度N之一材料。替代性地，可使用吸收一特定波長之一材料。
此外，一肋263亦形成於圖24中所繪示之晶圓之各晶片260中。肋263-1係形成於凹槽261-1之左側上，且肋263-2係形成於凹槽261-1之右側上。此外，肋263-3係形成於凹槽261-2之左側上，且肋263-4係形成於凹槽261-2之右側上。肋263之側及上部部分亦使用鈍化膜262覆蓋，如圖24中所繪示。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片260之間形成凹槽261之晶圓時，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截表面係使用鈍化膜262覆蓋且因此並不曝露於表面上。
此外，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75係使用與該黏著層80相同的材料覆蓋。此外，當藉由使用鈍化膜262填充凹槽261來形成該凹槽261時，該凹槽261係僅使用該鈍化膜262覆蓋。
此外，舉例而言，因為肋263係形成於黏著層80中且鈍化膜262係形成於該肋263中，所以該肋263及該鈍化膜262可防止濕氣侵入至該黏著層80中。因此，可進一步改良晶片260之防濕效能。
如上所描述，在其中形成凹槽261，在該凹槽261之內側上形成鈍化膜262，形成肋263且甚至在該肋263中形成該鈍化膜262之狀態中
執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，在形成鈍化膜262及肋263時，可進一步改良防濕效能。此外，在形成肋263時，可阻斷或降低來自晶片260之側之一雜散光分量，且有防止一閃光或類似者的一效果。
圖25繪示根據第二實施例之一晶片之另一組態。圖25中所繪示之一晶片270具有如下組態，其中根據第(2-5)實施例之在圖21中所繪示的具有肋之晶片240之組態係應用於根據第(2-4)實施例之在圖20中所繪示之晶片230。
圖25中所繪示之一晶圓亦係包含複數個晶片(在圖25中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片270-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片270-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片270-3」。
在圖25中所繪示之晶圓中，一凹槽271係形成於晶片270之間。凹槽271-1係形成於晶片270-1與晶片270-2之間，且凹槽271-2係形成於晶片270-1與晶片270-3之間。
在圖25中所繪示之晶圓中，凹槽271經形成使得直至矽基板73之一部分被挖空。換言之，在圖25中所繪示之晶片270中，凹槽271經形成使得微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之一部分被挖空。
此外，因為一鈍化膜272係形成於凹槽271中，所以該鈍化膜272亦經形成以覆蓋微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分。
此外，在圖25中所繪示之晶片270中，鈍化膜272係甚至形成於微透鏡層79上方。因為該鈍化膜272係甚至形成於微透鏡層79上方，所以較佳使用在一可見區域中具有等於或大於1.55之特性透明度N之一材料。替代性地，可使用吸收一特定波長之一材料。
此外，一肋273亦形成於圖25中所繪示之晶圓之各晶片270中。肋273-1係形成於凹槽271-1之左側上，且肋273-2係形成於凹槽271-1之右側上。此外，肋273-3係形成於凹槽271-2之左側上，且肋273-4係形成於凹槽271-2之右側上。肋273之側及上部部分亦使用鈍化膜272覆蓋，如圖25中所繪示。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片270之間形成凹槽271之晶圓時，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分之橫截表面係使用鈍化膜272覆蓋且因此並不曝露於表面上。
此外，黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75及矽基板73之部分係使用與該黏著層80相同的材料覆蓋。此外，當藉由使用鈍化膜272填充凹槽271來形成該凹槽271時，該凹槽271係僅使用該鈍化膜272覆蓋。
此外，舉例而言，因為肋273係形成於黏著層80中且鈍化膜272係形成於該肋273中，所以該肋273及該鈍化膜272可防止濕氣侵入至該黏著層80中。因此，可進一步改良晶片270之防濕效能。
在如上所描述其中形成凹槽271，且在該凹槽271之內側上形成鈍化膜272，形成肋273且甚至在該肋273中形成該鈍化膜272之狀態中執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，在形成鈍化膜272及肋273時，可進一步改良防濕效能。
此外，在形成肋273時，可阻斷或降低來自晶片270之側之一雜散光分量，且具有防止一閃光或類似者的一效果。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖26係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。
參考圖26描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。此處，描述將使用其中製造圖16之根據第(2-1)實施例的晶片200之一實例進行。
在步驟S201中，製備一晶圓，其中堆疊一矽基板73、一平坦化膜75、一彩色濾光器層77、一平坦化膜78及一微透鏡層79，在該矽基板73中形成一光電二極體74，且在該平坦化膜75中形成一光屏蔽膜76。此外，儘管並未繪示，然亦可製備其中堆疊互連層72及支撐基板71之一晶圓。
在步驟S202中，形成一凹槽201-1及一凹槽201-2。例如，藉由在圖案化之後執行乾式蝕刻來形成該凹槽201。此外，當如圖18中所繪示之第(2-2)實施例中形成凹槽141使得直至矽基板73被挖空時，在步驟S202中，形成該凹槽141以到達該矽基板73。
在步驟S203中，形成一鈍化膜202-1及一鈍化膜202-2。藉由形成鈍化膜202及移除微透鏡層79上之鈍化膜來形成圖16中所繪示之晶片200之鈍化膜202。舉例而言，當在步驟S203中形成鈍化膜202之後在無需移除微透鏡層79上之鈍化膜的情況下執行一後續程序時，可形成圖19中所繪示之晶片220之鈍化膜222。
例如，當形成肋243以提供圖21中所繪示之晶片240的組態時，在步驟S202與步驟S203之間的一程序中形成該肋243，且此後形成鈍
化膜242。
在步驟S204中，形成黏著層80。當形成黏著層80時，亦用組態該黏著層80的一透明部件填充凹槽201(鈍化膜202之內側)。
在步驟S205中，堆疊防護玻璃罩81。在堆疊該防護玻璃罩81之後，沿著刻劃區段91-1及刻劃區段91-2執行切割，且因此製造經切割晶片200。
在如上所述般執行形成凹槽之步驟S202或形成鈍化膜之步驟S203時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
在第三實施例中，防止濕氣侵入至一晶片中使得在一晶片中之一特定層中形成一肋，且圍繞該肋形成一耐濕膜。
圖27繪示根據第三實施例之一晶片之一組態。圖27繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖27中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片300-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片300-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片300-3」。在以下描述中，當該等晶片300-1至300-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片300」。
各晶片300具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同之組態。換言之，晶片300經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於光電二極體74
之間的一位置之一部分中。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層79上。
在圖27中所繪示之晶圓中，一肋301係形成於晶片300之間。肋301-1係形成於晶片300-1與晶片300-2之間，且肋301-2係形成於晶片300-1與晶片300-3之間。該肋301係以一正方形形狀形成。
在晶片300-1與晶片300-2之間存在一刻劃區段91-1，且肋301-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片300-1與晶片300-3之間存在一刻劃區段91-2，且肋301-2係形成於該刻劃區段91-2中。
肋301較佳由具有諸如耐熱性之容限、用於形成一圖案化或類似者且具有低彈性模數的一光敏樹脂材料製成。
肋301之一側及一下部部分係藉由防濕膜302圍繞。防濕膜302-1係形成於在黏著層80側之肋301-1的側上及在微透鏡層79側之肋301-1之底面上。耐濕膜302-2係形成於在黏著層80側之肋301-2的側上及在微透鏡層79側之肋301-2之底面上。
例如，耐濕膜302係由具有防止濕氣侵入至晶片300中的一功能之一材料製成的一膜，諸如氮化矽膜。此處，耐濕膜302係描述為並未形成於在防護玻璃罩81側之肋301之頂面上，但該耐濕膜302可形成於在防護玻璃罩81側之肋301之頂面上。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片300之間形成凹槽301之晶圓時，切下圖28中所繪示之晶片300。此處，描述使用其中切下晶片300-1之實例進行。
在圖28中所繪示之晶片300-1中，肋301-1’及肋301-2’(在切割之後增加一劃至該肋以與圖27中所繪示之在切割之前的肋301-1及肋301-2區分)係形成於黏著層80之橫截表面上，且因此該黏著層80並不
與外部接觸。
此外，耐濕膜302-1’係形成於肋301-1’與微透鏡層79之間，該耐濕膜302-1’係甚至形成於該肋301-1’與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，耐濕膜302-2’係形成於肋301-2’與微透鏡層79之間，該耐濕膜302-2’係甚至形成於該肋301-2’與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
在如上所述肋301及耐濕膜302形成於晶片300之黏著層80的兩端時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在形成肋301時，提高對於一外部震動或類似者的容限。
換言之，當施加力至晶片300時，肋301可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片300上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋301阻止該龜裂，且可防止耐濕膜302破損。可維持該耐濕膜302不破損，且因此可改良耐濕效能。此外，耐濕膜302可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
圖29繪示根據第三實施例之一晶片之另一組態。圖29繪示類似於圖28在切割之後之一經切割晶片的一狀態。圖29中所繪示之一晶片310之一組態係基本上與圖28中所繪示之晶片300之組態相同，惟一肋之一形狀除外。
在圖29中所繪示之晶片310中，一肋311-1及一肋311-2係形成於黏著層80之橫截表面上，且該黏著層80並不與外部接觸。此外，一耐濕膜312-1係形成於肋311-1與微透鏡層79之間，該耐濕膜312-1係甚至形成於該肋311-1與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，一耐濕膜312-2係形成於肋311-2與微透鏡層79之間，該耐濕膜312-2係甚至形成於該肋311-2與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
肋311具有藉由將一梯形形狀切成兩半而獲得之一形狀。儘管並未繪示，然在切割之前之一晶圓狀態中，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片310-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片310-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片310-3」，且肋311係如下在該晶圓狀態中形成。
梯形形狀之肋311-1係形成於晶片310-1與晶片310-2之間，且梯形形狀之肋311-2係形成於晶片310-1與晶片310-3之間。一耐濕膜312係形成於梯形形狀之肋311在黏著層80側之表面上及肋311在微透鏡層79側之表面上。
其中存在梯形形狀之肋311之一部分，即，在晶片310-1與晶片310-2之間的一部分及在晶片310-1與晶片310-3之間的一部分，用作一刻劃區段，且在沿著該等刻劃區段執行切割時切下圖29中所繪示之晶片310。
肋311較佳由具有諸如耐熱性之容限、用於形成一圖案化或類似者且具有低彈性模數的一光敏樹脂材料製成。例如，耐濕膜312係由具有防止濕氣侵入至晶片310中的一功能之一材料製成的一膜，諸如氮化矽膜。此處，耐濕膜312係描述為並未形成於在防護玻璃罩81側之肋311之頂面上，但該耐濕膜312可形成於在防護玻璃罩81側之肋311之頂面上。
例如，當耐濕膜312係由氮化矽膜或類似者形成時，氮化矽膜或類似者可在一膜形成程序中形成具有一良好覆蓋特性的一膜，且因此可形成圖29中所繪示之具有一傾斜表面的肋311。
在如上所述肋311及耐濕膜312形成於晶片310之黏著層80的兩端
時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在形成肋311時，提高對於一外部震動或類似者的容限。
換言之，當施加力至晶片310時，肋311可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片310上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋311阻止該龜裂，且可防止耐濕膜312破損。可維持該耐濕膜312不破損，且因此可改良耐濕效能。此外，耐濕膜312可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
圖30繪示根據第三實施例之一晶片之另一組態。圖30繪示類似於圖28及圖29在切割之後之一經切割晶片的一狀態。圖30中所繪示之一晶片320之一組態係基本上與圖29中所繪示之晶片310之組態相同，惟一耐濕膜之一形狀除外。
在圖30中所繪示之晶片320之一肋321中，一肋321-1及一肋321-2係形成於黏著層80之橫截表面上，且該黏著層80並不與外部接觸。此外，一耐濕膜322-1係形成於肋321-1與微透鏡層79之間，該耐濕膜322-1係甚至形成於該肋321-1與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，一耐濕膜322-2係形成於肋321-2與微透鏡層79之間，該耐濕膜322-2係甚至形成於該肋321-2與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
肋321具有藉由將一梯形形狀切成兩半而獲得之一形狀。該肋321係類似於圖29中所繪示之肋311。
此外，在圖30中所繪示之晶片320中，耐濕膜322係甚至形成於黏著層80與防護玻璃罩81之間。參考圖31，耐濕膜322-1經形成以從肋321-1在微透鏡層79側之表面延伸至肋321-1在黏著層80側之表面，
且進一步沿著防護玻璃罩81形成於該防護玻璃罩81與該黏著層80之間。
類似地，耐濕膜322-2經形成以從肋321-2在微透鏡層79側之表面延伸至肋321-2在黏著層80側之表面，且進一步沿著防護玻璃罩81形成於該防護玻璃罩81與該黏著層80之間。
形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間的耐濕膜322經形成以並未延伸直至對應於其中形成微透鏡層79之微透鏡之部分的位置。
在如上所述耐濕膜322係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間時，可提供其中防護玻璃罩81與耐濕膜322之間的一黏著區域為大且黏著強度為大之一結構，且因此可防止耐濕膜322被剝除。
在如上所述肋321及耐濕膜322係形成於晶片320之黏著層80的兩端時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在形成肋321時，提高對於一外部震動或類似者的容限。
換言之，當施加力至晶片320時，肋321可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片320上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋321阻止該龜裂，且可防止耐濕膜322破損。此外，耐濕膜322可以一薄厚度形成，且因此可改良耐濕效能。此外，耐濕膜322可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
圖31繪示根據第三實施例之一晶片之另一組態。圖31繪示類似於圖28至圖30在切割之後之一經切割晶片的一狀態。圖31中所繪示之一晶片330之一組態係基本上與圖30中所繪示之晶片320之組態相同，惟一耐濕膜之一形狀除外。
在圖31中所繪示之晶片330之一肋331中，一肋331-1及一肋331-2
係形成於黏著層80之橫截表面上，且該黏著層80並不與外部接觸。
肋331具有藉由將一梯形形狀切成兩半而獲得之一形狀。該肋331係類似於圖29中所繪示之肋311。
一耐濕膜332-1係形成於肋331-1與微透鏡層79之間，該耐濕膜332-1係甚至形成於該肋331-1與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，一耐濕膜332-2係形成於肋331-2與微透鏡層79之間，該耐濕膜332-2係甚至形成於該肋331-2與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
此外，在圖31中所繪示之晶片330中，耐濕膜332係甚至形成於黏著層80與防護玻璃罩81之間。參考圖30，耐濕膜332-1經形成以從肋331-1在微透鏡層79側之表面延伸至肋331-1在黏著層80側之表面，且進一步沿著防護玻璃罩81形成於該防護玻璃罩81與該黏著層80之間。
類似地，耐濕膜332-2經形成以從肋331-2在微透鏡層79側之表面延伸至肋331-2在黏著層80側之表面，且進一步沿著防護玻璃罩81形成於該防護玻璃罩81與該黏著層80之間。
形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間的耐濕膜332經形成以並未延伸直至對應於其中形成微透鏡層79之微透鏡之部分的位置。該耐濕膜332具有類似於圖30中所繪示之耐濕膜322之形狀的一形狀。此外，在圖31中所繪示之晶片330中，耐濕膜332經塑形以包含一楔形物以防止剝離。
換言之，參考圖31，在形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間的耐濕膜332-1之若干部分中，耐濕膜332-1之在相對於肋331-1之側處之一部分經形成以插入至防護玻璃罩81中。該耐濕膜332-1係形成於防護玻璃罩81之一部分中。
類似地，在形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間的耐濕膜332-2之若干部分中，耐濕膜332-2之在相對於肋331-2之側處之一部分經形成以插入至防護玻璃罩81中。該耐濕膜332-2係形成於防護玻璃罩81之一部分中。
在如上所述耐濕膜332係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間且經形成以包含楔形物時，可增加防護玻璃罩81與耐濕膜332之間的一黏著區域且可增加黏著強度，且因此可防止耐濕膜332被剝除。
在如上所述肋331及耐濕膜332係形成於晶片330之黏著層80的兩端時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在形成肋331時，提高對於一外部震動或類似者的容限。
換言之，當施加力至晶片330時，肋331可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片330上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋331阻止該龜裂，且可防止耐濕膜332破損。此外，耐濕膜332可以一薄厚度形成，且因此可改良耐濕效能。此外，耐濕膜332可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
圖32繪示根據第三實施例之一晶片之另一組態。圖32繪示類似於圖29之在切割之後之一經切割晶片的一狀態。圖32中所繪示之一晶片340之一組態係基本上與圖29中所繪示之晶片310之組態相同，惟一耐濕膜之一形狀除外。
在圖32中所繪示之晶片340中，一肋341-1及一肋341-2係形成於黏著層80之橫截表面上，且該黏著層80並不與外部接觸。肋341較佳由具有諸如耐熱性之容限、用於形成一圖案化或類似者且具有低彈性模數的一光敏樹脂材料製成。
一第一耐濕膜342-1及一第二耐濕膜343-1係形成於肋341-1與微透鏡層79之間，該第一耐濕膜342-1及該第二耐濕膜343-1係甚至形成於該肋341-1與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，一第一耐濕膜342-2及一第二耐濕膜343-2係形成於肋341-2與微透鏡層79之間，該第一耐濕膜342-2及該第二耐濕膜343-2係甚至形成於該肋341-2與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
如上所述，根據第(3-5)實施例之晶片340具有其中堆疊耐濕膜之組態。在圖32中所繪示之晶片340中，堆疊兩個耐濕膜作為一實例，且可提供其中堆疊更多耐濕膜之一組態。
此外，第一耐濕膜342-2及第二耐濕膜343-2係由不同材料製成之耐濕膜。例如，該第一耐濕膜342-2及該第二耐濕膜343-2之一者可由氮化矽膜形成，且另一者可由氧化矽膜形成。
氮化矽膜及氧化矽膜具有不同折射率。在堆疊及形成具有不同折射率之複數個膜時，可引發光學干涉且反射具有一任意波長之入射光，可防止光入射於像素上，此稍後將參考圖34A及圖34B描述，且可減少一閃光或類似者。
在如上所述肋341及其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜形成於晶片340之黏著層80的兩端時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在堆疊該等耐濕膜時，可吸收及反射不必要的入射光以因此減少一閃光或類似者。
此外，在形成肋341時，提高對於一外部震動或類似者的容限。換言之，當施加力至晶片340時，肋341可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片340上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋341阻止該龜裂，且可防止其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜破
損。此外，可維持其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜不破損，且因此可改良耐濕效能。
此外，其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
此外，根據第(3-3)實施例之在圖30中所繪示的晶片320之耐濕膜322之形狀可應用於根據第(3-5)實施例之在圖32中所繪示之晶片330，使得其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間。
此外，根據第(3-4)實施例之在圖31中所繪示的晶片330之耐濕膜322之形狀可應用於根據第(3-5)實施例之在圖32中所繪示之晶片330，使得其中堆疊第一耐濕膜342及第二耐濕膜343之耐濕膜係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間，且耐濕膜經塑形以包含經配合至該防護玻璃罩81之一部分中的楔形物。
圖33繪示根據第三實施例之一晶片之另一組態。圖33繪示類似於圖29之在切割之後之一經切割晶片的一狀態。圖33中所繪示之一晶片350之一組態係基本上與圖29中所繪示之晶片310之組態相同，惟一肋之一材料除外。
在圖33中所繪示之晶片350中，一肋351-1及一肋351-2係形成於黏著層80之側面上，且該黏著層80並不與外部接觸。此外，一耐濕膜352-1係形成於肋351-1與微透鏡層79之間，該耐濕膜352-1係甚至形成於該肋351-1與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
類似地，一耐濕膜352-2係形成於肋351-2與微透鏡層79之間，該耐濕膜352-2係甚至形成於該肋351-2與黏著層80之間，且該黏著層80並不與外部接觸。
肋351係由如在一黑色濾光器中吸收一任意波長之光的一材料製成。在肋351係由吸收一特定波長之光的一材料製成時，可減少一閃光或類似者。
類似於上文實施例，肋351較佳由具有諸如耐熱性之容限、用於形成一圖案化或類似者且具有較低彈性模數的一光敏樹脂材料製成。例如，耐濕膜352係由具有防止濕氣侵入至晶片350中之一功能之一材料製成的一膜，諸如氮化矽膜。
在如上所述肋351及耐濕膜352係形成於晶片350之黏著層80的兩端時，可防止濕氣侵入至該黏著層80中。此外，在形成肋351時，提高對於一外部震動或類似者的容限。
換言之，當施加力至晶片350時，肋351可用作一減震器且吸收一震動，且因此可提高對於晶片350上之一外部震動或類似者的容限。
此外，即使當發生一龜裂或類似者時，亦可藉由肋351阻止該龜裂，且可防止耐濕膜352破損。可維持該耐濕膜352不破損，且因此可改良耐濕效能。此外，耐濕膜352可以一薄厚度形成，可減小膜應力引發的影響且因此可獲得充分的耐濕效能。
此外，在肋351係由吸收一特定波長之光的一材料製成時，可減少一閃光或類似者。
此外，根據第(3-3)實施例之在圖30中所繪示的晶片320之耐濕膜322之形狀可應用於根據第(3-6)實施例之在圖33中所繪示之晶片350，使得耐濕膜352係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間。
此外，根據第(3-4)實施例之在圖31中所繪示的晶片330之耐濕膜332之形狀可應用於根據第(3-6)實施例之在圖33中所繪示之晶片350，使得耐濕膜352係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間，且該耐濕膜352經塑形以包含經配合至該防護玻璃罩81之一部分中的楔形
物。
此外，根據第(3-5)實施例之在圖32中所繪示的晶片340之耐濕膜可應用於根據第(3-6)實施例之在圖33中所繪示之晶片350，使得耐濕膜352係形成為其中堆疊具有不同折射率之第一耐濕膜342及第二耐濕膜343的耐濕膜。
將參考圖34A及圖34B描述根據第(3-5)實施例之在圖32中所繪示之晶片340之組態，在該組態中堆疊耐濕膜以吸收一特定波長之光。此外，類似地，將參考圖34A及圖34B描述根據第(3-6)實施例之在圖33中所繪示之晶片350之組態，在該組態中肋351係由吸收一特定波長之光的一材料製成且吸收一特定波長之光。
圖34A繪示圖3中所繪示之晶片70-1(在下文中，稱為「晶片70」)以用於比較。圖34B繪示圖33中所繪示之晶片350。圖34A中所繪示之晶片70及圖34B中所繪示之晶片350係安裝於(例如)一相機系統中。在該相機系統中，存在各種雜散光分量，且歸因於該等雜散光分量有可能發生造成影像品質劣化的問題，諸如一閃光。
例如，如藉由圖34A中之粗箭頭所指示，當光在晶片70之側向方向上入射時，該光有可能入射於光電二極體74上。因為不存在阻斷從晶片70中之側入射之光之機構，所以從該側入射之光有可能入射於光電二極體74上同時維持其強度。如上所述，當雜散光入射於像素上時，產生一閃光影像且因此一影像品質劣化。
另一方面，舉例而言，如在圖34B中繪示，當形成肋351且由如在一黑色濾光器中吸收一特定波長之光的一材料製成該肋351時，該肋351可吸收從晶片350之側入射的光。
換言之，因為晶片350具有阻斷從側入射之光的一機構，所以降低光之強度，且因此即使當光從側入射於光電二極體74上時，亦可降
低一閃光影像之一可能性，且可抑制影像品質劣化。如上所述，在形成肋351時，可阻斷或降低雜散光分量且抑制影像品質劣化。
如在圖32中所繪示之晶片340中，即使當堆疊具有不同折射率之第一耐濕膜342及第二耐濕膜343時，亦可引發光學干涉，且因此可反射及減少一任意波長之入射光，且因此可阻斷或降低從晶片340之側入射之光。因此，在晶片340之情況中，可阻斷或降低雜散光分量且抑制影像品質劣化。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖35及圖36係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的圖式。
將參考圖35及圖36描述之一製程將集中於製造作為本發明技術之特性組件之一肋及一耐濕膜之一程序，及製造其他部分之一程序，舉例而言，可使用一相關技術之一製造方法執行形成一層的一程序且因此將省略對該製程之一描述。此處，描述將使用製造根據第(3-3)實施例之在圖29中所繪示之晶片320之一實例進行。
在步驟S301中，裝配防護玻璃罩81。
在步驟S302中，在防護玻璃罩81上形成肋321。該肋321係使用微影程序形成於該防護玻璃罩81之一玻璃晶圓上。例如，將含有作為一主固體組分之聚醯亞胺樹脂之一材料滴落於一玻璃晶圓上，藉由一旋塗技術形成50μm之一厚度之一膜，且接著在60秒期間在120℃之一溫度下執行一加溫程序以乾燥一溶劑。
接著，藉由一i線曝光裝置執行曝光，使用2.38重量百分比之TMAH之一水溶液執行一顯影程序，且在300秒期間在200℃之一溫度下執行一加溫程序，使得充分固化一膜。
在步驟S302中，當形成一正方形形狀之一肋(諸如圖27中所繪示的晶片300之肋301)時，形成一正方形形狀之一肋，且當形成一梯形
形狀之一肋(諸如圖30中所繪示之晶片320之肋321)時，形成一梯形形狀之一肋。
在步驟S303中，當固化膜時，執行膜形成。在步驟S303中，形成一防水膜，即，一耐濕膜322。例如，在具有肋321之圖案之玻璃晶圓上形成用作耐濕膜322之氮化矽膜。例如，可藉由一電漿化學氣相沈積(CVD)使用SiH4、NH3及N2之一混合氣體物種在其中一大氣溫度為400℃且HF功率為800W之條件下執行該膜形成方法。
在步驟S304中，使用微影程序形成用於保護肋321之圖案之一圖案。例如，可執行該形成方法使得將含有作為一主固體組分之酚醛清漆樹脂之一抗蝕劑材料滴落於晶圓上，藉由旋塗技術形成100μm之一厚度之一膜，且在180秒期間在100℃之一溫度下執行一加溫程序以乾燥一溶劑。接著，藉由一i線曝光裝置執行曝光，使用2.38重量百分比之TMAH之一水溶液執行一顯影程序，且在180秒期間在100℃之一溫度下執行一加溫程序以乾燥一溶劑。
在步驟S305中，執行一乾式蝕刻程序以移除氮化矽膜中排除在肋321之圖案上之一部分的一部分。例如，使用CF4/O2之一混合氣體在其中偏壓功率為150W且源功率為1000W之一蝕刻條件下執行該蝕刻程序。
在步驟S306中，移除剩餘在肋321之圖案上之抗蝕劑，且因此在該肋321上形成一防水膜結構。例如，可執行抗蝕劑之移除使得將含有作為一主溶劑組分之丙二醇甲醚之一稀釋劑滴落於晶圓上，接著在滴落該稀釋劑的同時使該晶圓在120秒期間旋轉，且在120秒期間在100℃下執行一加溫程序以乾燥一溶劑。
步驟S304至S306之程序係適於一耐濕膜322之形狀之一程序。例如，如在晶片320(圖30)中，當耐濕膜322係甚至形成於防護玻璃罩81與黏著層80之間時，使用一抗蝕劑塗佈其上期望形成該耐濕膜322之
一部分。
在步驟S307中，藉由用密封樹脂(一黏著劑)塗佈包含在肋321上之耐濕膜322(防水膜)結構之玻璃晶圓來形成一黏著層80。例如，可執行形成該黏著層80使得將含有作為一主固體組分之聚矽氧烷樹脂之一材料滴落於晶圓上，藉由旋塗技術形成50μm之一厚度之一膜，且此後在1200秒期間在120℃下執行一加溫程序以乾燥一溶劑。
在步驟S308(圖36)中，製備一晶圓，其中堆疊支撐基板71、互連層72、矽基板73、平坦化膜75、彩色濾光器層77、平坦化膜78及微透鏡層79，在該矽基板73中形成光電二極體74，且在該平坦化膜75中形成光屏蔽膜76，且製備一玻璃晶圓，其中形成肋321及耐濕膜322且形成黏著層80。
在步驟S309中，將其中形成該等元件之晶圓接合至玻璃晶圓。例如，一真空接合設備係用於接合，且執行該接合使得在5分鐘期間在其中一真空度為1Pa、一負載為6.8kN且一溫度為70℃之條件下執行處理，且在不具有一空隙之情況下執行接合。
如步驟S307(圖35)及步驟S309(圖36)中所繪示，根據肋321之形狀形成呈一凸起形狀之黏著層80。在如上所述該黏著層80形成於該肋321之頂面(在接合時用作微透鏡層79側之側)上時，一黏著劑在接合時如藉由步驟S309中之箭頭所指示般滲入該肋321之兩端中。
在該黏著劑滲入肋321之兩端中時，用該黏著劑填充介於其中形成肋321之玻璃晶圓與其中形成元件之晶圓之間的一空間，且因此可增加該等晶圓之間的一黏著度。因此，舉例而言，可降低將剝除耐濕膜322之一可能性。
在步驟S310中，為固化密封樹脂(例如，黏著層80)，在一大氣環境下在200°下執行固化程序持續4小時，且因此充分執行膜固化。
在步驟S311中，形成後貫通互連。可使用一相關技術之一方法
執行該等後貫通互連。
在步驟S312中，執行切割使得一晶片被切割。
因此，製造包含肋321及耐濕膜322之晶片320。
在根據第三實施例之晶片中，因為可在該晶片之外周邊部分之內側上形成一薄厚度之耐濕膜，所以可防止發生由在一晶片於一基板中處置或安裝時施加的一外部震動或膜應力引起之一龜裂或類似者，且因此可改良耐濕性。
此外，因為具有光反射或吸收性質之一結構及一材料係用於形成耐濕膜及肋，所以除了改良耐濕性之外，亦可降低沿著水平方向穿過晶片之側壁部分且入射於像素上的一閃光之一問題，且因此可改良一影像品質。
在第四實施例中，防止濕氣侵入至一晶片中使得由金屬製成之具有耐濕性之一壁係形成於一晶片中之一特定層中。
圖37繪示根據該第四實施例之一晶片之一組態。類似於圖3中所繪示之晶片70，圖37中所繪示之一晶片400具有其中堆疊特定層且包含相同層之一結構，但因為該第四實施例係關於形成於支撐基板71或互連層72中之一互連、一電極及類似者，所以繪示不同於圖3中所繪示之晶片70之一圖式的一圖式，且藉由相同元件符號表示相同層，且因此適當省略對該晶片400之一描述。
將使用其中將晶片400劃分成4個層之一實例來描述該第四實施例。在圖37中，從頂部依序堆疊一防護玻璃罩81、一黏著層80、一第一層401及一第二層402。該第一層401包含一微透鏡層79、一彩色濾光器層77、一光電二極體74及類似者，且該第二層402包含一互連層72或一支撐基板71。
該第一層401包含一CIS穿孔(TCV)403-1及一TCV 403-2。經堆疊
之一第(1-1)層及一第(1-2)層之信號線及電力線係藉由該TCV 403電連接。
該第二層402包含一矽穿孔(TSV)404-1及一TSV 404-2。經堆疊之該第一層401及該第二層402之信號線及電力線係藉由該TSV 404電連接。用於與一外部電路連接之連接終端405係形成於該第二層402下面。
晶片400進一步包含形成於該晶片400之兩端上的一側壁保護部分406-1及一側壁保護部分406-2。該側壁保護部分406經形成以防止濕氣從該晶片400之側侵入。圖38繪示經放大之側壁保護部分406。
圖38係繪示側壁保護部分406之一放大視圖。該側壁保護部分406經形成以穿透黏著層80、第一層401及第二層402。該側壁保護部分406之內側係由一焊料遮罩421形成，且該側壁保護部分406之外側係由一互連件422形成。
如稍後將描述，側壁保護部分406係藉由兩個程序形成，其中一程序為形成TCV 403(第一貫通電極)，且另一程序為形成TSV 404(第二貫通電極)。因為側壁保護部分406係藉由兩個程序形成，所以該側壁保護部分406經塑形以在中間具有一窄部分，如圖38中所繪示。
將描述形成側壁保護部分406之一製程。下文描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的側壁保護部分406，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
將參考圖39及圖40描述製造晶片400之一程序。
在步驟S401中，在一第一層401中形成用於形成側壁保護部分406之一空間441。在步驟S401中，製備第一層401，其中尚未堆疊彩色濾光器層77及微透鏡層79但已形成光電二極體74。
在步驟S401中，亦形成TCV 403。換言之，為形成該TCV 403，當執行矽蝕刻時，執行針對TCV 403之蝕刻，且藉由蝕刻形成用於形成側壁保護部分406之空間441。
如上所述，在第四實施例中，包含形成TCV 403之程序及形成側壁保護部分406之一部分之程序，且因此可在不執行一新程序的情況下形成該側壁保護部分406。
在步驟S402中，執行客製形成。在步驟S402中，形成包含於第一層401中之彩色濾光器層77、微透鏡層79及類似者。此外，形成黏著層80。
在步驟S403中，將防護玻璃罩81接合至第一層401。接著，在步驟S404中，將第二層402中之支撐基板71薄化。在圖39中，步驟S401至S403在比例上不同於步驟S404。此外，在步驟S404中，已將基板倒置，且將防護玻璃罩81定位於下側處。
在步驟S401至S404中之晶片400中，空間441保持中空。如步驟S404中所繪示，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之兩端處，所以空間441亦形成於該晶片400之兩端處。
換言之，在圖39中所繪示之實例中，空間441-1及空間441-2係形成於晶片400之兩端處。
在步驟S405(圖40)及步驟S406中，形成一TSV 404。該TSV 404經形成使得藉由蝕刻形成用於敞開形成於一半導體晶圓表面上的一多層互連件(並未繪示)之一互連部分之一穿孔。
接著，形成諸如氧化矽膜之一絕緣膜，藉由蝕刻敞開穿孔之絕緣膜，舉例而言，藉由Cu電鍍在該穿孔中形成一貫通電極，且在相對於半導體晶圓之一半透明基板之一側的一表面(一背面)上形成一互連件。
接著，在半導體晶圓之背面上形成用作一絕緣部件之一抗焊
劑，在互連件上方形成一開口，且在步驟S407中，形成用作連接終端405之一焊球。
因此，形成TSV 404。在第四實施例中，當形成TSV 404時，亦形成形成側壁保護部分406之一部分。換言之，在步驟S405中，形成用於形成側壁保護部分406之一部分的一空間442及一空間443。
形成在第二層402中定位於空間441-1上方的空間442-1，且形成在黏著層80中定位於空間441-1上方的空間443-1。類似地，形成在第二層402中定位於空間441-2上方的空間442-2，且形成在黏著層80中定位於空間441-2上方的空間443-2。
在如上所述般形成空間441、空間442及空間443時，形成穿透黏著層80、第一層401及第二層402之一空間。在形成TSV 404之程序中在蝕刻時一起形成空間442及空間443。
此外，在步驟S406中，可形成側壁保護部分406使得在形成絕緣膜及貫通電極以形成TSV 404時，該絕緣膜及用於形成該貫通電極之金屬係甚至形成於由空間441、空間442及空間443形成之空間中。
如上所述，在第四實施例中，包含形成TSV 404之程序及形成側壁保護部分406之一部分之程序，且因此可在不執行一新程序的情況下形成該側壁保護部分406。
當在步驟S401中形成TCV 403時且當在步驟S405中形成TSV 404時，執行挖空以用於形成側壁保護部分406。當假定在步驟S401中用於形成TCV 403之挖空為向下挖空時，在步驟S405中用於形成TSV 404之挖空係在其中將步驟S401中之晶圓倒置的一狀態中進行挖空，即，向上挖空。
藉由如上所述般兩次執行挖空來執行側壁保護部分406，但在不同方向上兩次執行該挖空。歸因於挖空之方向的差異，側壁保護部分406具有在中間含一窄部分之一形狀，如上文參考圖38所描述。
如上所述，在第四實施例中，側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，且因此可防止濕氣侵入至該晶片400中及在一感測器中冷凝。
此外，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，所以可防止必要光從該晶片400之側侵入。
此外，因為側壁保護部分406係藉由兩個步驟來形成，所以處理該側壁保護部分406係簡單的。而且，因為處理該側壁保護部分406可與另一處理(即，在上文實例中TCV或TSV之處理)一起執行，所以可在不增加處理次數的情況下形成該側壁保護部分406。
將參考圖41及圖42描述晶片400之另一製程。
在步驟S421中，在一第一層401中形成用於形成側壁保護部分406之一空間461。類似於圖39中所繪示之步驟S401，可執行步驟S421中之程序。
在步驟S422中，執行客製形成。亦可類似於圖39之步驟S402般執行步驟S422，但步驟S422不同之處在於，將黏著層80之材料471灌注至所形成之空間461中。
換言之，在步驟S422中，形成彩色濾光器層77及微透鏡層79，且形成黏著層80，但在形成該黏著層80時，亦用該黏著層80之材料471填充空間461。
例如，可用材料471填充空間461使得當形成彩色濾光器層77、微透鏡層79及類似者時，並未在該空間461中形成任何膜，或在該空間461中形成一膜且接著移除該膜，且接著將黏著層80灌注至該空間461中。
如上所述，在第(4-2)實施例中，在形成空間461之後，用材料471填充該空間461。
在步驟S423中，接合防護玻璃罩81，且在步驟S424中，薄化第二層402中之支撐基板71。類似於步驟S403及步驟S404之程序，執行步驟S423及步驟S424之程序。
在圖41中，步驟S421至S423在比例上不同於步驟S424。此外，在步驟S424中，已將基板倒置，且將防護玻璃罩81定位於下側處
在步驟S422至S424中，在晶片400中，用材料471填充空間461。此外，如步驟S424中所繪示，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之兩端處，所以空間461亦形成於該晶片400之兩端處。
換言之，在圖41中所繪示之實例中，空間461-1及空間461-2係形成於晶片400之兩端處且用材料471填充，該材料471係與黏著層80相同的材料。
在步驟S425(圖42)中，形成一TSV 404。當挖空用於形成該TSV 404之一部分時，一起形成用於側壁保護部分406之一空間462。
換言之，類似於步驟S405，在形成TSV 404之程序中，在蝕刻時亦蝕刻用於形成側壁保護部分406之部分，且形成空間462-1及空間462-2。此時，一起蝕刻材料471且形成空間462。
因此，在形成TSV 404之程序中形成穿透黏著層80、第一層401及第二層402之一空間462。
此外，在步驟S426中，可形成側壁保護部分406使得當形成絕緣膜及貫通電極以形成TSV 404時，該絕緣膜及用於形成該貫通電極之金屬係甚至形成於空間462中。
如上所述，在第四實施例中，包含形成TSV 404之程序及形成側壁保護部分406之一部分之程序，且因此可在不執行一新程序的情況下形成該側壁保護部分406。
在第(4-2)實施例中，當在步驟S421中形成TCV 403時且當在步驟S425中形成TSV 404時，執行挖空以用於形成側壁保護部分406。當
假定在步驟S421中用於形成TCV 403之挖空為向下挖空時，在步驟S425中用於形成TSV 404之挖空係在其中將步驟S421中之晶圓倒置的一狀態中進行挖空，即，向上挖空。
藉由如上所述般兩次執行挖空來執行側壁保護部分406，但在不同方向上兩次執行該挖空。歸因於挖空之方向的差異，側壁保護部分406具有在中間含一窄部分之一形狀，如上文參考圖38所描述。
如上所述，在第四實施例中，側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，且因此可防止濕氣侵入至該晶片400中及在一感測器中冷凝。
此外，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，所以可防止必要光從該晶片400之側侵入。
此外，因為側壁保護部分406係藉由兩個步驟來形成，所以處理該側壁保護部分406係簡單的。而且，因為處理該側壁保護部分406可與另一處理(即，在上文實例中TCV或TSV之處理)一起執行，所以可在不增加處理次數的情況下形成該側壁保護部分406。
將參考圖43及圖44描述晶片400之另一製程。
在步驟S441中，在一第一層401中形成用於形成側壁保護部分406之一空間481。可類似於圖39中所繪示之步驟S401，執行步驟S441中之程序。
在步驟S442中，將一材料491灌注至空間481中。該材料491係不同於黏著層80之一材料的一材料且易於藉由蝕刻或類似者處理。
在步驟S443中，執行客製形成。亦可類似於圖39之步驟S402執行步驟S443，但步驟S442不同之處在於，在步驟S443之前將材料491灌注至所形成之空間481中。
如上所述，在第(4-3)實施例中，在形成空間481之後，用材料
491填充該空間481。
在步驟S444中，接合防護玻璃罩81，且在步驟S445(圖44)中，薄化第二層402中之支撐基板71。類似於步驟S403及步驟S404之程序，執行步驟S444及步驟S445之程序。
在圖43中，步驟S441至S444在比例上不同於步驟S445。此外，在步驟S445中，已將基板倒置，且將防護玻璃罩81定位於下側處
在步驟S443至S445中，在晶片400中，用材料491填充空間481。此外，如步驟S445中所繪示，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之兩端處，所以空間481亦形成於該晶片400之兩端處。
換言之，在圖44中所繪示之實例中，空間481-1及空間481-2係形成於晶片400之兩端處，且用為一易於蝕刻之材料之材料491-1及材料491-2填充空間481。
在步驟S446中，形成一TSV 404。當挖空用於形成該TSV 404之一部分時，一起形成用於側壁保護部分406之一空間482。
換言之，類似於步驟S405(圖40)，在形成TSV 404之程序中，在蝕刻時亦蝕刻用於形成側壁保護部分406之部分，且形成空間482-1及空間482-2。此時，亦藉由一起蝕刻而移除材料491。
因此，在形成TSV 404之程序中形成穿透黏著層80、第一層401及第二層402之一空間482。此時，因為易於藉由蝕刻或類似者處理的一材料係用作材料491，所以可易於形成空間482。
此外，在步驟S447中，可形成側壁保護部分406使得當形成絕緣膜及貫通電極以形成TSV 404時，該絕緣膜及用於形成該貫通電極之金屬係甚至形成於空間482中。
如上所述，在第四實施例中，包含形成TSV 404之程序及形成側壁保護部分406之一部分之程序，且因此可在不執行一新程序的情況下形成該側壁保護部分406。
在第(4-3)實施例中，當在步驟S441中形成TCV 403時且當在步驟S446中形成TSV 404時，執行挖空以用於形成側壁保護部分406。當假定在步驟S441中用於形成TCV 403之挖空為向下挖空時，在步驟S446中用於形成TSV 404之挖空係在其中將步驟S441中之晶圓倒置的一狀態中進行挖空，即，向上挖空。
藉由如上所述般兩次執行挖空來執行側壁保護部分406，但在不同方向上兩次執行該挖空。歸因於挖空之方向的差異，側壁保護部分406具有在中間含一窄部分之一形狀，如上文參考圖38所描述。
如上所述，在第四實施例中，側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，且因此可防止濕氣侵入至該晶片400中及在一感測器中冷凝。
此外，因為側壁保護部分406係形成於晶片400之側上，所以可防止必要光從該晶片400之側侵入。
此外，因為側壁保護部分406係藉由兩個步驟來形成，所以處理該側壁保護部分406係簡單的。而且，因為處理該側壁保護部分406可與另一處理(即，在上文實例中TCV或TSV之處理)一起執行，所以可在不增加處理次數的情況下形成該側壁保護部分406。
在第五實施例中，防止濕氣侵入至一晶片中使得由金屬製成之具有耐濕性之一壁係形成於一晶片中之一特定層中。
圖45繪示根據第五實施例之一晶片之一組態。圖45繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖45中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片500-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片500-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片500-3」。在以下描述中，當該等晶片500-1至500-3不需要彼此
區分時，該等晶片簡稱為一「晶片500」。
各晶片500具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同之組態。換言之，晶片500經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於光電二極體74之間的一位置之一部分中。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層79上。
在圖45中所繪示之晶圓中，一凹槽502係形成於晶片500之間。凹槽502-1係形成於晶片500-1與晶片500-2之間，且凹槽502-2係形成於晶片500-1與晶片500-3之間。
一耐濕膜501-1係形成於凹槽502-1中，且一耐濕膜501-2係形成於凹槽502-2中。耐濕膜501係較佳由一無機材料製成之具有一高防濕性質之一膜，諸如SiN膜。因為取決於濕度、溫度或類似者之條件，濕氣有可能侵入至一光接收裝置(晶片)中以引起諸如影像品質劣化之一問題，所以耐濕膜501經形成以保護該光接收裝置之端面。
在晶片500-1與晶片500-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽502-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片500-1與晶片500-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽502-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖45中所繪示之晶片500中，凹槽502經形成使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。
此外，因為耐濕膜501係形成於凹槽502中，所以該耐濕膜501係形成於防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面上以及矽基板73之上部部分上。
如稍後將描述，在製造時，凹槽502係在接合防護玻璃罩81之後形成，且耐濕膜501係在形成該凹槽502之後形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片500之間形成凹槽502之晶圓時，切下圖46中所繪示之晶片500-1。在圖46中所繪示之晶片500-1中，防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截表面係使用耐濕膜501覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，耐濕膜501係定位於矽基板73之頂面上。
如上所述，經切割晶片500-1具有如下結構，其中晶片500-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽502-1’及凹槽502-2’(在切割之後增加一劃至該等凹槽以與圖45中所繪示之在切割之前的凹槽502-1及凹槽502-2區分)中之耐濕膜501-1及耐濕膜501-2覆蓋。
因為如上所述經切割晶片500-1經組態使得凹槽502-1’及凹槽502-2’保留，且耐濕膜501保留於該凹槽502-1’及該凹槽502-2’中，所以在切割之前在晶片500之間的凹槽502-1或凹槽502-2之一寬度(形成於耐濕膜501之矽基板73之頂面上的耐濕膜501之一寬度)係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽502且在該凹槽502之內側上形成耐濕膜501時，可進一步改良防濕效能。
圖45及圖46中所繪示之凹槽502(凹槽502’)經形成以到達矽基板73之頂面，但該凹槽502可經形成使得直至該矽基板73被挖空。換言之，如圖47中所繪示，一凹槽可經形成使得直至矽基板73之一部分被挖空且一耐濕膜511-1及一耐濕膜511-2可形成於該凹槽中。
在如上所述形成耐濕膜511時，亦使用該耐濕膜511覆蓋矽基板73
與平坦化膜75之間的界面之側，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
以下描述將使用圖45及圖46中所繪示之晶片500之實例進行。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖48係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。參考圖48描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽及一耐濕膜，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S501中，製備圖2中所繪示之晶圓，使得將其中形成光電二極體74及類似者之半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。
在步驟S502中，形成凹槽502。例如，藉由從防護玻璃罩81側執行切割來形成該凹槽502。替代性地，可藉由諸如乾式蝕刻或濕式蝕刻之一技術來形成該凹槽502。
在步驟S502中，形成凹槽502使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空。
此外，當凹槽502經形成直至矽基板73之一部分，且如在圖47中所繪示之晶片510中形成耐濕膜501時，在步驟S502中，挖空直至矽基板73之部分。
在步驟S503中，塗佈耐濕膜501之一材料且執行一固化程序，使得形成該耐濕膜501。透過步驟S503中之膜形成，在凹槽502-1中形成耐濕膜501-1，且在凹槽502-2中形成耐濕膜501-2。此外，耐濕膜501-3係甚至形成於防護玻璃罩81之頂面上。
形成於防護玻璃罩81之頂面上之耐濕膜501-3係不必要的且因此在步驟S504中被移除。在步驟S504中，舉例而言，藉由一化學機械拋光(CMP)技術移除形成於防護玻璃罩81之頂面上的耐濕膜501-3。
藉由在步驟S504中移除耐濕膜501-3而獲得之一晶圓係圖45中所繪示之一晶圓。
在步驟S505中，執行切割。在刻劃區段91-1及刻劃區段91-2之位置處切割圖45中所繪示之晶圓，且因此製造經切割之晶片500-1、晶片500-2及晶片500-3。在步驟S505中，從支撐基板71側執行切割。
執行晶片切割使得從防護玻璃罩81側執行切開，且從支撐基板71側執行切開。換言之，執行切割使得單獨執行向上切開及向下切開。
如上所述，在根據第(5-1)實施例之晶片之製程中，在步驟S502中，執行切割(或對應於切割之處理)以形成凹槽502。因為步驟S502之程序包含用於從防護玻璃罩81側切開之處理，所以可在不增加用於形成凹槽502之一新程序的情況下形成該凹槽502。
此外，步驟S505係分離剩餘部分之切割，且從支撐基板71側執行切開程序。因此，可在不增加與切割相關之處理工時的情況下執行該切割。
在如上所述形成耐濕膜511時，可進一步改良晶片之防濕效能。
圖49繪示根據第五實施例之一晶片之另一組態。圖49繪示類似於圖45包含複數個晶片(在圖49中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片520-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片520-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片520-3」。在以下描述中，當該等晶片520-1至520-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片520」。
各晶片520具有與上文參考圖45所描述之晶片500相同之組態，惟形成於凹槽502中之一膜之一組態除外。
在圖49中所繪示之晶圓中，一凹槽523係形成於晶片520之間。凹槽523-1係形成於晶片520-1與晶片520-2之間，且凹槽523-2係形成於晶片520-1與晶片520-3之間。
一耐濕膜521-1及一金屬膜522-1係形成於凹槽523-1中，且一耐濕膜521-2及一金屬膜522-2係形成於凹槽523-2中。
耐濕膜521係較佳由一無機材料製成之具有一高防濕性質之一膜，諸如SiN膜。因為取決於濕度、溫度或類似者之條件，濕氣有可能侵入至一光接收裝置(晶片)中以引起諸如影像品質劣化之一問題，所以耐濕膜521經形成以保護該光接收裝置之端面。
金屬膜522係由金屬製成，且經形成以阻斷入射於晶片520之側上的光或降低該光之強度。
此處，描述使用其中堆疊耐濕膜521及金屬膜522之實例進行，但當金屬膜522具有耐濕效能時，僅金屬膜522可形成於凹槽523中，而不具有耐濕膜521。
在晶片520-1與晶片520-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽523-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片520-1與晶片520-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽523-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖49中所繪示之晶片520中，凹槽523經形成使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空直至矽基板73之一上部部分。
此外，因為耐濕膜521係形成於凹槽523中，所以該耐濕膜521係形成於防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面上以及矽基板73之頂面上。
此外，因為金屬膜522經堆疊於耐濕膜521上，所以該金屬膜522係形成於防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之側面上以及矽基板73之頂面上。
如稍後將描述，在製造時，凹槽523係在接合防護玻璃罩81之後形成，且耐濕膜521及金屬膜522係在形成該凹槽523之後形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片520之間形成凹槽523之晶圓時，切下圖50中所繪示之晶片520-1。在圖50中所繪示之晶片520-1中，防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75之橫截表面係使用耐濕膜521及金屬膜522覆蓋且因此並不曝露於表面上。此外，耐濕膜521及金屬膜522係定位於矽基板73之頂面上。
如上所述，經切割晶片520-1具有如下結構，其中晶片520-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽523-1’及凹槽523-2’(在切割之後增加一劃至該等凹槽以與圖49中所繪示之在切割之前的凹槽523-1及凹槽523-2區分)中之耐濕膜521-1及耐濕膜521-2覆蓋。
此外，經切割晶片520-1具有如下結構，其中晶片520-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽523-1’及凹槽523-2’中之金屬膜522-1及金屬膜522-2覆蓋。
因為如上所述經切割晶片520-1經組態使得凹槽523-1’及凹槽523-2’保留，且耐濕膜521及金屬膜522保留於該凹槽523-1’及該凹槽523-2’中，所以在切割之前在晶片520之間的凹槽523-1或凹槽523-2之一寬度(形成於矽基板73之頂面上的耐濕膜521及金屬膜522之一寬度)係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽523且在該凹槽523之內側上形成耐濕膜521時，可進一步改良防濕效能。
此外，圖49中所繪示之晶片520經安裝於(例如)一相機系統中。在該相機系統中，存在各種雜散光分量，且歸因於該等雜散光分量有可能發生造成影像品質劣化的問題，諸如一閃光。
當光在其中並未形成金屬膜522之晶片(例如，圖3中所繪示之晶
片70)之側向方向上入射時，該光有可能入射於光電二極體74上。因為不存在阻斷從晶片70中之側入射之光之機構，所以從該側入射之該光有可能入射於光電二極體74上同時維持其強度。如上所述，當雜散光入射於像素上時，產生一閃光影像且因此一影像品質劣化。
另一方面，舉例而言，如在圖50中繪示，當形成金屬膜522且由阻斷一特定波長之光的一材料製成該金屬膜522時，該金屬膜522可阻斷從晶片520之側入射的光。
換言之，因為晶片520具有阻斷從側入射之光的一機構，所以降低光之強度，且因此甚至當光從側入射於光電二極體74上時，亦可降低一閃光影像之一可能性，且可抑制影像品質劣化。如上所述，在形成金屬膜522時，可阻斷或降低雜散光分量且抑制影像品質劣化。
圖49及圖50繪示如下狀態，其中凹槽523(凹槽523’)到達直至矽基板73之頂面，但該凹槽523(該凹槽523’)可經形成使得直至矽基板73被挖空。換言之，如圖51中所繪示，一凹槽533可經形成使得直至矽基板73之一部分被挖空，且一耐濕膜531-1、一耐濕膜531-2、一金屬膜532-1及一金屬膜532-2係形成於該凹槽533中。
在如上所述形成耐濕膜531及金屬膜532時，亦使用該耐濕膜531及該金屬膜532覆蓋矽基板73及平坦化膜75之側面，且因此可進一步改良晶片之防濕效能及光屏蔽效能。
以下描述將使用圖49及圖50中所繪示之晶片520之實例進行。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖52係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。參考圖52描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽及一耐濕膜，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S521中，製備圖2中所繪示之晶圓，使得將其中形成光電二極體74及類似者之半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。在步驟S522中，形成凹槽523。
例如，藉由從防護玻璃罩81側執行切割來形成該凹槽523。替代性地，可藉由諸如乾式蝕刻或濕式蝕刻之一技術來形成該凹槽523。
在步驟S522中，形成凹槽523使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77及平坦化膜75被挖空。
此外，當凹槽523經形成直至矽基板73之一部分且如在圖51中所繪示之晶片510中般形成耐濕膜521及金屬膜522時，在步驟S523中，挖空直至矽基板73之部分。
在步驟S523中，塗佈耐濕膜521之一材料且執行一固化程序，使得形成該耐濕膜521。在步驟S524中，形成金屬膜522。透過步驟S523及步驟S524中之膜形成，在凹槽523-1中形成耐濕膜521-1及金屬膜522-1，且在凹槽523-2中形成耐濕膜521-2及金屬膜522-2。
此外，耐濕膜521-3及金屬膜522-3係甚至形成於防護玻璃罩81之頂面上。形成於防護玻璃罩81之頂面上之該耐濕膜521-3及該金屬膜522-3係不必要的且因此在步驟S525中被移除。在步驟S525中，舉例而言，藉由一化學機械拋光(CMP)技術移除形成於防護玻璃罩81之頂面上的耐濕膜521-3及金屬膜522-3。
藉由在步驟S525中移除耐濕膜521-3及金屬膜522-3而獲得之一晶圓係圖49中所繪示之一晶圓。
在步驟S525中，執行切割。在刻劃區段91-1及刻劃區段91-2之位置處切割圖49中所繪示之晶圓，且因此製造經切割之晶片520-1、晶片520-2及晶片520-3。在步驟S525中，從支撐基板71側執行切割。
執行晶片切割使得從防護玻璃罩81側執行切開，且從支撐基板71側執行切開。換言之，執行切割使得單獨執行向上切開及向下切
開。
如上所述，在根據第(5-2)實施例之晶片之製程中，在步驟S522中，執行切割(或對應於切割之處理)以形成凹槽523。
因為步驟S522之程序包含用於從防護玻璃罩81側切開之處理，所以可在不增加用於形成凹槽523之一新程序的情況下形成該凹槽523。
此外，步驟S525係分離剩餘部分之切割，且從支撐基板71側執行切開程序。因此，可在不增加與切割相關之處理工時的情況下執行切割。
在如上所述形成耐濕膜521時，可進一步改良晶片之防濕效能。
此外，在形成金屬膜522時，可進一步改良對入射於晶片上之雜散光之光屏蔽效能，且可防止一閃光或類似者。
在第六實施例中，藉由具有防濕性之一壁(諸如玻璃)圍繞一晶片中之一特定層以防止濕氣侵入至一晶片中。
圖53繪示根據第六實施例之一晶片之一組態。圖53繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖53中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片610-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片610-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片610-3」。在以下描述中，當該等晶片610-1至610-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片610」。
各晶片610具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同之組態。換言之，晶片610經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元
件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於光電二極體74之間的一位置之一部分中。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層79上。
用於與一外部電路連接之一抗焊劑612及一連接終端613係形成於支撐基板71下面。此外，形成一矽穿孔(TSV)及類似者，但在圖53中省略對其之圖解說明。
在圖53中所繪示之晶圓中，一凹槽611係形成於晶片610之間。凹槽611-1係形成於晶片610-1與晶片610-2之間，且凹槽611-2係形成於晶片610-1與晶片610-3之間。
在晶片610-1與晶片610-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽611-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片610-1與晶片610-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽611-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖53中所繪示之晶片610中，凹槽611經形成使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71被挖空。
由與防護玻璃罩81相同之玻璃形成之一玻璃614及由與黏著層80相同之材料形成之一黏著層615經堆疊於凹槽611上。
從黏著層80延伸之黏著層615-1係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽611-1之晶片610-2側處之側面上。
從黏著層80延伸之黏著層615-2係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板
71在凹槽611-1之晶片610-3側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層615係在垂直方向上形成。
玻璃614-1係形成於黏著層615-1與黏著層615-2之間。該玻璃614-1經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃614係在垂直方向上形成。
類似地，從黏著層80延伸之黏著層615-3係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽611-2之晶片610-1側處之側面上。
從黏著層80延伸之黏著層615-4係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽611-2之晶片610-3側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層615係在垂直方向上形成。
玻璃614-2係形成於黏著層615-3與黏著層615-4之間。該玻璃614-2經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃614係在垂直方向上形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片610之間形成凹槽611之晶圓時，切下圖54中所繪示之晶片610-1。在圖54中所繪示之晶片610-1中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之橫截表面係使用其中堆疊玻璃614及黏著層615之膜覆蓋且因此並不曝露於表面上。
如上所述，經切割晶片610-1具有如下結構，其中晶片610-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽611-1’(在切割之後增加一劃至該凹槽以與圖53中所繪示之在切割之前的凹槽611-1區分)中之玻璃614-1’及黏著層615-2覆蓋。
此外，經切割晶片610-1具有如下結構，其中晶片610-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽611-2’中之玻璃614-2’及黏著層615-3覆
蓋。
如上所述，晶片610-1之兩端係使用玻璃614及黏著層615覆蓋。因此，可防止濕氣從該晶片610-1之側侵入至該晶片610-1中。
此外，抗焊劑612-1係形成於晶片610-1下面，且因此可防止濕氣從底部侵入至該晶片610-1中。可使用氧化物膜來代替該抗焊劑612-1，且氧化物膜可進一步堆疊於該抗焊劑612-1上。
因為如上所述經切割晶片610-1經組態使得凹槽611-1’及凹槽611-2’保留，所以在切割之前在晶片610之間的凹槽611-1或凹槽611-2之一寬度(玻璃614之一寬度)係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽611且在該凹槽611中形成玻璃614及黏著層615時，可進一步改良防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖55係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。
參考圖55描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S611中，製備其中形成光電二極體74及類似者之一半導體晶圓。該半導體晶圓經組態使得支撐基板71、互連層72、矽基板73、平坦化膜75、彩色濾光器層77、平坦化膜78及微透鏡層79經堆疊，且光電二極體74係形成於該矽基板73中且光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中。
在步驟S611中，凹槽611-1及凹槽611-2係形成於該半導體晶圓中。如上所述凹槽611係形成於刻劃區段91中。例如，藉由在圖案化之後執行乾式蝕刻來形成凹槽611。替代性地，可藉由諸如乾式蝕刻
或濕式蝕刻之一技術來形成凹槽611。
半導體晶圓之一挖掘量(凹槽611之深度)取決於最終嵌入於玻璃中之矽之一膜厚度且係(例如)約30μm至300μm。一挖掘寬度係大於玻璃614之一寬度。
在步驟S612中，形成一黏著層80。當形成黏著層80時，亦用與用於形成該黏著層80之一材料相同的材料填充凹槽611。填充該凹槽611之材料係黏著層615。使用諸如一塗佈技術或一層壓技術的一技術形成黏著層80。
在執行以上製程時，在步驟S613中，製備防護玻璃罩81。在步驟S613，對該經製備之防護玻璃罩81執行挖空。
步驟S613中所繪示之防護玻璃罩81之一突出部分的一寬度w係小於在半導體晶圓中形成之凹槽611之一寬度w’(參見步驟S611)。此外，防護玻璃罩81之該突出部分之一高度h係幾乎相同於或大於或小於在半導體晶圓中形成之凹槽611之一高度h’(參見步驟S611)。
在光電二極體74(感測器)上方之防護玻璃罩81(位於一經挖空層上方之一層)之一厚度減小時，防止來自一玻璃邊緣之一閃光之一效果增加。在相關技術之接合結構中，玻璃基板用作一支撐件，且因此當防護玻璃罩81為薄時一晶片有可能破損，且該防護玻璃罩81必須具有一特定厚度或更多。
然而，在晶片610之結構中，形成玻璃以覆蓋感測器晶片之外側，且因此加固該經覆蓋之外側，且即使當該感測器之上部部分之玻璃厚度為薄時，亦可防止晶片破損。
因此，可減小防護玻璃罩81之感測器上部部分之玻璃厚度(例如)直至100μm至500μm。
根據第六實施例，可減小防護玻璃罩81之感測器上部部分之玻璃厚度，且因此可防止來自玻璃邊緣之一閃光。
在步驟S614中，將半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。執行該接合使得其中形成該半導體晶圓之光電二極體74及類似者之一部分(矽基板73之一凸部分)接近防護玻璃罩81之一經挖空部分(一凹部分)，且防護玻璃罩81中除該經挖空部分以外之突出部分用作玻璃614。
當執行接合時，為防止氣泡進入至接合表面中，較佳使用一真空接合機器。此外，因為接合係以一晶圓級執行，所以無大影響且並不影響稍後將描述之一CSP程序。
此處，描述使用其中黏著層80形成於半導體晶圓上且接合至防護玻璃罩81之實例進行，但黏著層80亦可形成於該防護玻璃罩81上且接合至該半導體晶圓。
在步驟S615中，將支撐基板71薄化。執行該支撐基板71之薄化直至玻璃614之底部部分(防護玻璃罩81之凸部分之一前端)使得該支撐基板71之底面係在與防護玻璃罩81之該凸部分之底面相同的平面上。
在步驟S616中，執行一CSP程序。為敞開形成於半導體晶圓表面中的一多層互連件(並未繪示)之一互連部分，藉由蝕刻形成一穿孔，形成諸如氧化矽膜之一絕緣膜，蝕刻及敞開該穿孔中之該絕緣膜，舉例而言，藉由Cu電鍍在該穿孔中形成一貫通電極且在相對於半導體晶圓之一半透明基板之一側的一表面(背面)上形成一互連件。
在步驟S617中，使用防護玻璃罩81之凸部分(玻璃614)作為刻劃區段91來執行切割，且因此切割晶片。
在如上所述形成凹槽611且在該凹槽611中形成玻璃614及黏著層615時，可進一步改良防濕效能。
此外，在形成凹槽611，在該凹槽611中堆疊玻璃614及黏著層615且沿著該玻璃614及該黏著層615執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖56繪示根據第六實施例之一晶片之另一組態。圖56繪示類似於圖53包含複數個晶片(在圖56中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片620-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片620-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片620-3」。在以下描述中，當該等晶片620-1至620-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片620」。
各晶片620具有與上文參考圖53所描述之晶片610相同之組態，惟一凹槽或類似者之一組態不同除外，且一描述將使用一不同部分進行。
在圖56中所繪示之晶圓中，一凹槽621係形成於晶片620之間。凹槽621-1係形成於晶片620-1與晶片620-2之間，且凹槽621-2係形成於晶片620-1與晶片620-3之間。
在晶片620-1與晶片620-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽621-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片620-1與晶片620-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽621-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖56中所繪示之晶片620中，凹槽621經形成使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之一部分被挖空。
由與防護玻璃罩81相同之玻璃形成之一玻璃624及由與黏著層80相同之材料形成之一黏著層625經堆疊於凹槽621上。
從黏著層80延伸之黏著層625-1係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板
71之部分在凹槽621-1之晶片620-2側處之側面上。
從黏著層80延伸之黏著層625-2係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之部分在凹槽621-1之晶片620-1側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層625係在垂直方向上形成。
玻璃624-1係形成於黏著層625-1與黏著層625-2之間。該玻璃624-1經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃624係在垂直方向上形成。
類似地，從黏著層80延伸之黏著層625-3係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之部分在凹槽621-2之晶片620-1側處之側面上。
從黏著層80延伸之黏著層625-4係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之部分在凹槽621-2之晶片620-3側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層625係在垂直方向上形成。
玻璃624-2係形成於黏著層625-3與黏著層625-4之間。該玻璃624-2經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃624係在垂直方向上形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片620之間形成凹槽621之晶圓時，切下圖57中所繪示之晶片620-1。在圖57中所繪示之晶片620-1中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之部分之橫截表面係使用其中堆疊玻璃624及黏著層625之膜覆蓋且因此並不曝露於表面上。
如上所述，經切割晶片620-1具有如下結構，其中晶片620-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽621-1’(在切割之後增加一劃至該凹槽以與圖56中所繪示之在切割之前的凹槽621-1區分)中之玻璃624-1’
及黏著層625-2覆蓋。
此外，經切割晶片620-1具有如下結構，其中晶片620-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽621-2’中之玻璃624-2’及黏著層625-3覆蓋。
如上所述，晶片620-1之兩端係使用玻璃624及黏著層625覆蓋。因此，可防止濕氣從該晶片620-1之側侵入至該晶片620-1中。
此外，玻璃624及黏著層625之前端係形成於支撐基板71中。為使支撐基板71預期防濕效能，使用該支撐基板71覆蓋黏著層625之前端，且因此可防止濕氣從該黏著層625之前端侵入。
此外，一抗焊劑622-1係形成於晶片620-1下面，且因此可防止濕氣從底部侵入至該晶片620-1中。可使用氧化物膜來代替該抗焊劑622-1，且氧化物膜可進一步堆疊於該抗焊劑622-1上。
因為如上所述經切割晶片620-1經組態使得凹槽621-1’及凹槽621-2’保留且凹槽之部分保留於該部分中，所以在切割之前在晶片620之間的凹槽621-1或凹槽621-2之一寬度(玻璃624之一寬度)係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽621且在該凹槽621中形成玻璃624及黏著層625時，可進一步改良防濕效能。此外，在使用支撐基板71覆蓋黏著層625之前端時，可防止濕氣從晶片620之底部侵入且可進一步改良防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖58係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。
參考圖58描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
包含與製造根據第(6-1)實施例之晶片610之程序相同的程序，且因此將適當省略對該等相同程序之一描述。明確言之，一差異在於，當將支撐基板71薄化時，在其中該支撐基板71保留之狀態中執行該薄化。
在步驟S641中，在半導體晶圓中形成一凹槽621-1及一凹槽621-2。在步驟S642中，形成一黏著層80。當形成黏著層80時，亦用與用於形成該黏著層80之一材料相同的材料填充凹槽621。
在步驟S643中，對防護玻璃罩81執行挖空。在步驟S644中，將半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。執行該接合使得防護玻璃罩81之凸部分與半導體晶圓之凹部分重疊。
此處，描述使用其中黏著層80形成於半導體晶圓上且接合至防護玻璃罩81之實例進行，但黏著層80亦可形成於該防護玻璃罩81上且接合至該半導體晶圓。
以相同於與製造圖55中所繪示之晶片610有關之步驟S611至S614之程序的方式執行步驟S641至S644之程序。
因此，在第(6-2)實施例中，類似於第(6-1)實施例，可減小防護玻璃罩81之感測器上部部分的厚度，且可防止來自玻璃邊緣之一閃光。
此外，當在步驟S644中執行接合時，該接合係以一晶圓級執行，且因此無大影響且並不影響將作為稍後程序之一晶片尺寸封裝(CSP)程序。
在步驟S645中，將支撐基板71薄化。在到達玻璃624之底部部分(防護玻璃罩81之凸部分之前端)之前執行該支撐基板71之該薄化使得維持其中該支撐基板71之底面與防護玻璃罩81之該凸部分之底面(即，黏著層625之底面)係使用支撐基板71覆蓋的狀態。
在步驟S646中，執行一CSP程序。在步驟S647中，使用防護玻璃
罩81之凸部分(玻璃624)作為刻劃區段91來執行切割，且因此切割晶片。以相同於與製造圖55中所繪示之晶片610有關之步驟S616至S617之程序的方式執行步驟S646至S647之程序。
在如上所述形成凹槽621且在該凹槽621中形成玻璃624及黏著層625時，可進一步改良防濕效能。此外，在執行薄化使得支撐基板71保留於黏著層625之前端部分中時，可防止濕氣從晶片620之底部侵入且可進一步改良防濕效能。
此外，在形成凹槽621，在該凹槽621中堆疊玻璃624及黏著層625且沿著該玻璃624及該黏著層625執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖59繪示根據第六實施例之一晶片之另一組態。圖59繪示類似於圖53包含複數個晶片(在圖59中為三個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片630-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片630-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片630-3」。在以下描述中，當該等晶片630-1至630-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片630」。
各晶片630具有與上文參考圖53所描述之晶片610相同之組態，惟微透鏡層79上並未形成黏著層80除外。根據第(6-1)實施例之晶片610及根據第(6-2)實施例之晶片620係無腔型晶片尺寸封裝體(CSP)，而根據第(6-3)實施例之晶片630係一腔型CSP。
因為晶片630係腔型CSP，如圖59中所繪示，所以在該晶片630之
一微透鏡層79與一防護玻璃罩81之間形成一間隔層641。
在圖59中所繪示之晶圓中，一凹槽631係形成於晶片630之間。凹槽631-1係形成於晶片630-1與晶片630-2之間，且凹槽631-2係形成於晶片630-1與晶片630-3之間。
在晶片630-1與晶片630-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽631-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片630-1與晶片630-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽631-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖59中所繪示之晶片630中，凹槽631經形成使得防護玻璃罩81、間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71被挖空。
由與防護玻璃罩81相同之玻璃形成之一玻璃634及由與黏著層80相同之材料形成之一黏著層635經堆疊於凹槽631上。
對於黏著層80，因為晶片630具有腔型結構，所以不存在黏著層80且代替性地存在間隔層641，但如稍後將描述，在製程中，形成黏著層80，該黏著層80之一部分保留且該黏著層80之其餘部分經形成為間隔層641。
黏著層635-1係形成於間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽631-1之晶片630-2側處之側面上。
黏著層635-2係形成於間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽631-1之晶片630-1側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層635係在垂直方向上形成。
玻璃634-1係形成於黏著層635-1與黏著層635-2之間。該玻璃634-1經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃634係在垂直方向上形成。
類似地，黏著層635-3係形成於間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽631-2之晶片630-1側處之側面上。
黏著層635-4係形成於間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽631-2之晶片630-3側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層635係在垂直方向上形成。
玻璃634-2係形成於黏著層635-3與黏著層635-4之間。該玻璃634-2經形成以從防護玻璃罩81延伸。當防護玻璃罩81係在水平方向上形成時，玻璃634係在垂直方向上形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片630之間形成凹槽631之晶圓時，切下圖60中所繪示之晶片630-1。在圖60中所繪示之晶片630-1中，間隔層641、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之橫截表面係使用其中堆疊玻璃634及黏著層635之膜覆蓋且因此並不曝露於表面上。
如上所述，經切割晶片630-1具有如下結構，其中晶片630-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽631-1’(在切割之後增加一劃至該凹槽以與圖59中所繪示之在切割之前的凹槽631-1區分)中之玻璃634-1’及黏著層635-2覆蓋。
此外，經切割晶片630-1具有如下結構，其中晶片630-1之堆疊層之若干部分係使用形成於凹槽631-2’中之玻璃634-2’及黏著層635-3覆蓋。
如上所述，晶片630-1之兩端係使用玻璃634及黏著層635覆蓋。因此，可防止濕氣從該晶片630-1之側侵入至該晶片630-1中。
此外，一抗焊劑632-1係形成於晶片630-1下面，且因此可防止濕氣從底部侵入至該晶片630-1中。可使用氧化物膜來代替該抗焊劑
632-1，且氧化物膜可進一步堆疊於該抗焊劑632-1上。
因為經切割晶片630-1經組態使得凹槽631-1’及凹槽631-2’保留，所以在切割之前在晶片630之間的凹槽631-1或凹槽631-2之一寬度(玻璃634之一寬度)係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽631且在該凹槽631中形成玻璃634及黏著層635時，可進一步改良防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖61係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。參考圖61描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
包含與製造根據第(6-1)實施例之晶片610之程序相同的程序，且因此將適當省略對該等相同程序之一描述。
在步驟S661中，在半導體晶圓中形成凹槽631-1及凹槽631-2。在步驟S662中，形成黏著層80。當形成黏著層80時，亦用與用於形成該黏著層80之一材料相同的材料填充凹槽631。
以相同於與製造圖55中所繪示之晶片610有關之步驟S611及S612之程序的方式執行步驟S661及S662之程序。
在步驟S663中，移除經形成之黏著層80之一部分使得形成用作間隔層641之一部分。如上所述，因為在形成黏著層80之後移除該黏著層80之一部分，所以一光敏黏著劑係較佳用作該黏著層80之一材料。接著，執行圖案化及蝕刻，使得移除在用作間隔層641之該部分中形成之黏著層80。
在步驟S664中，對防護玻璃罩81執行挖空。在步驟S665中，將半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。執行該接合使得防護玻璃罩81之凸
部分與半導體晶圓之凹部分重疊。
因此，在將防護玻璃罩81接合至半導體晶圓時，形成間隔層641。為形成該間隔層641，形成於該半導體晶圓中之凹槽631之深度與防護玻璃罩81之凸部分之深度必須滿足以下關係。
換言之，防護玻璃罩81之突出部分的高度h係大於在半導體晶圓中形成之凹槽611之高度h’(參見步驟S661)。換言之，防護玻璃罩81之凸部分之高度h與凹槽611之高度h’滿足(高度h>高度h’)之一關係。
因為如上所述在凹槽611之高度與防護玻璃罩81之凸部分之高度(對應於玻璃634之部分之高度)之間存在一差異，所以可形成間隔層641。
此外，類似於第(6-1)實施例，防護玻璃罩81之凸部分之寬度w係小於在半導體晶圓中形成之凹槽611之寬度w’(參見步驟S611)。
此處，描述使用其中黏著層80形成於半導體晶圓上且接合至防護玻璃罩81之實例進行，但該黏著層80亦可形成於該防護玻璃罩81上，可移除該黏著層80之一不必要部分且接著可將所得黏著層80接合至該半導體晶圓。
以相同於與製造圖55中所繪示之晶片610有關之步驟S611至S614之程序的方式執行步驟S661至S665(惟步驟S663除外)之程序。因此，在第(6-3)實施例中，類似於第(6-1)實施例，可減小防護玻璃罩81之感測器上部部分之厚度，且可防止來自玻璃邊緣之一閃光。
此外，當在步驟S665中執行接合時，該接合係以一晶圓級執行，且因此無大影響且並不影響將作為稍後程序之一CSP程序。
在步驟S666中，將支撐基板71薄化。執行該支撐基板71之薄化直至玻璃634之底部部分(防護玻璃罩81之凸部分之前端)使得該支撐基板71之底面係在與防護玻璃罩81之該凸部分之底面相同的平面上。
在步驟S667中，執行一CSP程序。在步驟S668中，使用防護玻璃
罩81之凸部分(玻璃634)作為刻劃區段91來執行切割，且因此切割晶片。以相同於與製造圖55中所繪示之晶片610有關之步驟S616及S617之程序的方式執行步驟S667及S668之程序。
在如上所述形成凹槽631且在該凹槽631中形成玻璃634及黏著層635時，可進一步改良防濕效能。
此外，形成凹槽631，在該凹槽631中堆疊玻璃634及黏著層635且切割對應於該玻璃634及該黏著層635之部分，且因此可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
此處，儘管並未繪示，然第(6-2)實施例可應用於第(6-3)實施例。換言之，具有腔型結構之晶片630之玻璃634及黏著層635之前端可使用支撐基板71覆蓋。
在其中如上所述般組態晶片630之情況中，當在步驟S666中執行支撐基板71之薄化時，可類似於步驟S645(圖58)之程序，在到達玻璃634之底面(防護玻璃罩81之凸部分之前端)之前執行該薄化使得維持其中該支撐基板71之底面與防護玻璃罩81之該凸部分之底面(即，黏著層635之底面)係使用支撐基板71覆蓋的狀態。
在如上所述整個晶片係使用防護玻璃罩81覆蓋時，該晶片具有其中在邊緣處不存在界面之結構。因此，可防止濕氣從該晶片之邊緣界面侵入。
此外，因為自邊緣至界面之距離為大，所以可實施濕氣不可能侵入其中之一結構。
此外，因為晶片係使用呈一箱式結構之防護玻璃罩81覆蓋，所以該晶片之端部分具有一充分的玻璃厚度，且可減小感測器之上部部
分中之玻璃之厚度，且因此可防止來自玻璃邊緣之一閃光。
此外，因為提供其中在切割時僅切開玻璃之結構，所以可降低成本。
在第七實施例中，藉由一疏水膜圍繞一晶片中之一特定層以防止濕氣侵入至一晶片中。
圖62繪示根據第七實施例之一晶片之一組態。圖62中所繪示之一晶片700組態一背側照明類型CMOS影像感測器。藉由相同元件符號表示具有與圖2中所繪示之晶片70中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
明確言之，由SiO2製成之一互連層72係形成於一支撐基板71上，且矽基板73係形成於該互連層72上。用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74係以特定間隔形成於矽基板73之表面上。
由SiO2製成之一鈍化膜701係形成於矽基板73及光電二極體74上。用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該鈍化膜701在相鄰光電二極體74之間的一部分上。用於平坦化其上形成一彩色濾光器之一區域的一平坦化膜75係形成於鈍化膜701及光屏蔽膜76上。
一彩色濾光器層77係形成於平坦化膜75上。在該彩色濾光器層77中，複數個彩色濾光器係形成於像素單元中，且舉例而言，該等彩色濾光器之色彩係根據一拜耳(Bayer)陣列來配置。
一微透鏡層79係形成於該彩色濾光器層77上。在微透鏡層79中，針對各像素形成用於收集光至各像素之光電二極體74上之一微透鏡層。
此處，除了圖62之外，亦將參考圖63進一步描述晶片700之組
態。圖63係示意性地繪示晶片700之組態之一平面視圖。在圖63中，為有助於理解該圖式，部分省略一襯墊開口部分703之一元件符號。
將晶片700大致劃分成一像素區域A1、一襯墊區域A2、一刻劃區域A3及一剩餘區域。
該像素區域A1係其中配置包含形成於矽基板73之表面上的光電二極體74之一像素的一區域。
襯墊區域A2經界定於像素區域A1外部以沿著晶片700之兩個相對側並行配置。在該等襯墊區域A2之各者中，在一直線上並排形成襯墊開口部分703，該等襯墊開口部分703之各者用作從晶片700之上端延伸至互連層72之內部之一孔且係用作一電極襯墊702之一互連孔。
此外，用於互連之該電極襯墊702係形成於襯墊開口部分703之底部處。
刻劃區域A3係其中自晶圓切得晶片700之一區域，且包含該晶片700之一邊緣部分(在下文中稱為一「晶片邊緣」)。
在襯墊區域A2及刻劃區域A3中，形成用於防止濕氣從外部侵入或防止雜質侵入之一疏水膜。例如，該疏水膜可藉由基於F之沈積憑藉使用基於CxFy之氣體或基於CxHyFz之氣體(例如，CF4、C4F8、C5F8、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F或C5HF7)進行蝕刻來形成或可藉由在一側壁部分中進行自對準來形成。
在襯墊區域A2中，疏水膜經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁。在圖62中所繪示之晶片700中，一疏水膜704-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側上，且疏水膜704-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側上。
因為圖62係晶片700之一橫截面視圖，所以疏水膜704係繪示為形成於各襯墊開口部分703之內壁上，但因為襯墊開口部分703具有一封閉形狀，諸如一圓形形狀或如圖63中所繪示之一正方形形狀，所以
疏水膜704-1及疏水膜704-2經形成為一不間斷之疏水膜。
為便於描述，在圖63之後的圖式中，如圖62中所繪示般繪示形成於襯墊開口部分703上的疏水膜704，且該疏水膜704將被描述為形成於各襯墊開口部分703之內壁上。
形成於襯墊開口部分703上之疏水膜704經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁，且從微透鏡層79之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜704之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜705係形成於晶片邊緣上。在下文中，在晶片700之側面(外側壁，即，晶片700之外壁)上垂直於矽基板73之表面而形成之一部分係稱為一「側壁部分」。形成於該側壁部分中之疏水膜705從微透鏡層79之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片700之側面。疏水膜705之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，在垂直於基板之方向上形成之凹槽(諸如晶片700之各襯墊開口部分703)之內壁係使用疏水膜704覆蓋而不具有一間隙。此外，在垂直於晶片700之基板之方向上形成之側壁部分係使用疏水膜705覆蓋而不具有一間隙。因此，藉由疏水膜704及疏水膜705防止濕氣或雜質侵入至晶片700中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片700。
因為在襯墊開口部分703之內壁及側壁部分上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至襯墊開口部分703之內壁及側壁部分中。在疏水膜形成於襯墊開口部分703之內壁及側壁部分上以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖64係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。將參考圖64描述之製程將集中於製造作為本發明技術之特性組件之一者的疏水膜，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S711中，製備其中形成光電二極體74及類似者之一半導體晶圓。
在步驟S712中，形成半導體晶圓之襯墊區域A2之襯墊開口部分703。例如，在圖案化之後藉由蝕刻形成襯墊開口部分703。
在步驟S713中，形成疏水膜704及疏水膜705。該疏水膜704及該疏水膜705可藉由基於F之沈積憑藉使用基於CxFy之氣體或基於CxHyFz之氣體(例如，CF4、C4F8、C5F8、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F或C5HF7)進行蝕刻來形成或可藉由在側壁部分中進行自對準來形成。
在如上所述疏水膜形成於襯墊開口部分703之內壁及晶片邊緣上時，可進一步改良防濕效能。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中之後執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖65繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖65中所繪示之一晶片710組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖65中所繪示之晶片710中，藉由相同元件符號表示具有與圖62中所繪示之晶片700中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在根據第(7-2)實施例之在圖65中所繪示之晶片710的組態中，像
素區域A1之組態係與根據第(7-1)實施例之在圖62中所繪示之晶片700之組態中相同。
在晶片710之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於一襯墊開口部分703之兩側處，且疏水膜係形成於該等凹槽中，一凹槽711-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側上，且一疏水膜712-1及一疏水膜712-2係形成於該凹槽711-1之內壁上。類似地，一凹槽711-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側上，且一疏水膜712-3及一疏水膜712-4係形成於該凹槽711-2之內壁上。
凹槽711經形成使得直至其中形成光電二極體74之一矽基板73之一部分被挖空。疏水膜712係形成於凹槽711之內側上。換言之，疏水膜712經形成以從微透鏡層79之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜704之前端經形成以與矽基板73接觸。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽713係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜714-1及一疏水膜714-2係形成於該凹槽713之內壁上。
類似於凹槽711，凹槽713經形成使得其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。疏水膜714係形成於凹槽713之內側上。換言之，該疏水膜714經形成以從微透鏡層79之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜174之前端經形成以與矽基板73接觸。
在如上所述形成凹槽且形成疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73及具有一防水性質之疏水膜712及714圍繞而不具有一間隙。
因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
沿著襯墊開口部分之內壁或晶片之側面形成以曝露至外部之一疏水膜(諸如圖62之晶片700之疏水膜704或疏水膜705)係稱為一「側
壁類型」。同時，嵌入及形成於經形成凹槽之內側中之一疏水膜(諸如圖65之晶片710之疏水膜712或疏水膜714)係稱為一「嵌入式類型」。
該嵌入式類型之疏水膜可經形成以具有小於側壁類型之疏水膜之一垂直階差。
如上所述，根據第(7-2)實施例之晶片710，藉由疏水膜712及疏水膜714防止濕氣或雜質侵入至晶片710中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片710。
因為在襯墊開口部分703或晶片邊緣中存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703或該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中以覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖66繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖66中所繪示之一晶片720組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖66中所繪示之晶片720中，藉由相同元件符號表示具有與圖62中所繪示之晶片700中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖66中所繪示之晶片720中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜721係形成於一微透鏡層79之表面上。例如，該鈍化膜721係由具
有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
此處，將參考圖63詳細描述鈍化膜721之組態。可將鈍化膜721大致劃分成一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
該頂面部分經形成以覆蓋藉由該側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分703之部分。此外，一彩色濾光器層77係配置於該頂面部分與一矽基板73之間。鈍化膜721係形成於該頂面部分中。
該多孔壁部分經形成以覆蓋各襯墊開口部分703之內壁。該多孔壁部分之外壁與矽基板73接觸，且該多孔壁部分之下端與電極襯墊702之頂面接觸。一鈍化膜722-1及一鈍化膜722-2(圖66)係形成於該多孔壁部分中。
因為圖66係晶片720之一橫截面視圖，所以鈍化膜722係繪示為形成於各襯墊開口部分703之內壁上，但因為襯墊開口部分703具有一封閉形狀，諸如一圓形形狀或如圖63中所繪示之一正方形形狀，所以鈍化膜722-1及鈍化膜722-2經形成為一不間斷之鈍化膜。
為便於描述，在圖66之後的圖式中，如圖66中所繪示般繪示形成於襯墊開口部分703上的鈍化膜722，且該鈍化膜722將被描述為形成於各襯墊開口部分703之內壁上。
側壁部分係垂直於矽基板73之表面而形成於晶片720之側面(外側壁，即，晶片720之外壁)中。該側壁部分從微透鏡層79之上端至互連層72之一部分覆蓋晶片720之側面，且該側壁部分之內壁與矽基板73之側面接觸。一鈍化膜723係形成於該側壁部分中。
因此，排除其中形成襯墊開口部分703之部分，包含像素區域A1之矽基板73之整個表面及整個彩色濾光器層77係藉由頂面部分之鈍化膜721及側壁部分之鈍化膜723圍繞而不具有一間隙。此外，襯墊開口部分703之各內壁(多孔壁部分)係使用鈍化膜722覆蓋而不具有一間
隙。
因此，藉由頂面部分中之鈍化膜721防止濕氣或雜質從晶片720之表面(上部部分)侵入。此外，藉由多孔壁部分中之鈍化膜722及側壁部分中之鈍化膜723防止濕氣或雜質從晶片720之側侵入。而且，藉由矽基板73之底面防止濕氣或雜質從晶片720之底部侵入。
因此，舉例而言，即使當將晶片720放置於其中水蒸氣壓力為高且濕氣迅速擴散之一環境中，亦可防止由濕氣或雜質侵入至光電二極體74或彩色濾光器層77之表面而引起的一暗電流之一增加及光譜特性之一變化。
此外，在圖66中所繪示之晶片720中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖66中所繪示之晶片720中，一疏水膜724-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側中，且一疏水膜724-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側中。
形成於襯墊開口部分703中之疏水膜724經形成以從微透鏡層79之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋襯墊開口部分703之內壁。疏水膜724之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜725係形成於晶片邊緣處。形成於側壁部分中之疏水膜724從微透鏡層79之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片700之側面。該疏水膜725之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片720之各襯墊開口部分703之內壁係使用疏水膜724覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片720之側壁部分係使用疏水膜725覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。
疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面，且因此可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖66中所繪示之晶片720具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片720。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖64係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。將參考圖67描述之製程將集中於製造作為本發明技術之特性組件之一者的疏水膜，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S721中，製備其中形成光電二極體74及類似者之一半導體晶圓。
在步驟S722中，形成該半導體晶圓之襯墊區域A2之襯墊開口部分703。例如，在圖案化之後藉由蝕刻來形成該襯墊開口部分703。
在步驟S723中，形成鈍化膜721、鈍化膜722及鈍化膜723。在形成該等鈍化膜之後，視需要執行將該等鈍化膜薄化之一程序。
在步驟S724中，形成疏水膜704及疏水膜705。該疏水膜704及該疏水膜705可藉由基於F之沈積憑藉使用基於CxFy之氣體或基於CxHyFz之氣體(例如，CF4、C4F8、C5F8、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F或C5HF7)進行蝕刻來形成或可藉由在側壁部分中進行自對準來形成。
在鈍化膜及疏水膜形成於襯墊開口部分703之內壁(多孔壁部分)
及晶片邊緣(側壁部分)上時，可進一步改良防濕效能。
在鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中之後執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖68繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖68中所繪示之一晶片730組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖68中所繪示之晶片730中，藉由相同元件符號表示具有與圖66中所繪示之晶片720中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在根據第(7-4)實施例之在圖68中所繪示之晶片730的組態中，像素區域A1中之組態係與根據第(7-3)實施例之在圖66中所繪示之晶片720之組態中相同，且一鈍化膜721係形成於一微透鏡層79上。
在晶片730之一襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於一襯墊開口部分703之兩側處，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽731-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側上，且在該凹槽731-1之內壁上，一疏水膜733-1經形成以堆疊於一鈍化膜732-1上，且一疏水膜733-2經形成以堆疊於一鈍化膜732-2上。
類似地，一凹槽731-2係形成於襯墊開口部分703之一刻劃區域A3側上，且在該凹槽731-2之內壁上，一疏水膜733-3經形成以堆疊於一鈍化膜732-3上，且一疏水膜733-4經形成以堆疊於一鈍化膜732-4上。
凹槽731經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜732及疏水膜733係形成於凹槽731之內側上。換言之，鈍化膜732及疏水膜733經形成以從微透鏡層79之上端覆蓋至矽基板73之部分，且鈍化膜732及疏水膜704之前端經形成以與矽基板73
接觸。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽734係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽734之內壁上，一疏水膜736-1經形成以堆疊於一鈍化膜735-1上，且一疏水膜736-2經形成以堆疊於一鈍化膜735-2上。
類似於凹槽731，凹槽734經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜735及疏水膜736係形成於凹槽734之內側上。換言之，該鈍化膜735及該疏水膜736經形成以從微透鏡層79之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該鈍化膜735及該疏水膜736之前端經形成以與矽基板73接觸。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據依照第(7-4)實施例之晶片730，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片730中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片730。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣中存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖69繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖69中所繪示之一晶片740組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖69中所繪示之一晶片740中，藉由相同元件符號表示具有與圖66中所繪示之晶片720中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖69中所繪示之晶片740中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜721係形成於一微透鏡層79之表面上。此點係與圖66中所繪示之晶片720中相同，但圖69中所繪示之晶片740與晶片720之不同之處在於，在一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，並未形成微透鏡層79，且形成一膜厚度之一鈍化膜721來代替微透鏡層79。
在襯墊區域A2及刻劃區域A3中，並未形成光電二極體74，且因此不必要形成一微透鏡。在無微透鏡層79形成於襯墊區域A2及刻劃區域A3中時，可降低濕氣或類似者將侵入至該微透鏡層79中的一可能性。
在圖69中所繪示之晶片740中，類似於圖66中所繪示之晶片720，一疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖69中所繪示之晶片740中，一疏水膜742-1經形成以堆疊於在一襯墊開口部分703之像素區域A1側上之一鈍化膜741-1上，且一疏水膜742-2經形成以堆疊於在該襯墊開口部分703之刻劃區域A3側上之一鈍化膜741-2上。
形成於襯墊開口部分703中之疏水膜741經形成以覆蓋襯墊開口
部分703之內壁，且從一平坦化膜75之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。鈍化膜741之前端與一電極襯墊702之頂面接觸。
類似地，形成於襯墊開口部分703中之疏水膜742經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁，且從鈍化膜721之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜742之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
疏水膜742經形成以於晶片邊緣處堆疊於鈍化膜743上。形成於側壁部分中之該鈍化膜743從平坦化膜75之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。鈍化膜743之前端與其中形成一互連層72之矽基板接觸。
類似地，形成於側壁部分中之一疏水膜744從鈍化膜721之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。該疏水膜744之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片740之各襯墊開口部分703之內壁係使用鈍化膜741及疏水膜742覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片740之側壁部分係使用鈍化膜743及疏水膜742覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。鈍化膜及疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面，且因此可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。此外，可較厚地形成對應部分之鈍化膜且因此可進一步提高防濕效果。
此外，在切割之前鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖69中所繪示之晶片740具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，
可實施具有改良之防濕效能之晶片740。
圖70繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖70中所繪示之一晶片750組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖70中所繪示之晶片750中，藉由相同元件符號表示具有與圖68中所繪示之晶片730中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖70中所繪示之晶片750中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜721係形成於一微透鏡層79之表面上。此點係與圖68中所繪示之晶片730中相同，但圖70中所繪示之晶片750與晶片730之不同之處在於，在一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，並未形成微透鏡層79，且形成一膜厚度之一鈍化膜721來代替微透鏡層79。
在襯墊區域A2及刻劃區域A3中，並未形成光電二極體74，且因此不必要形成一微透鏡。在無微透鏡層79形成於襯墊區域A2及刻劃區域A3中時，可降低濕氣或類似者將侵入至該微透鏡層79中的一可能性。
在圖70中所繪示之晶片750中，類似於圖68中所繪示之晶片730，一疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在晶片750之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分703之兩側處，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽751-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側處，且在該凹槽751-1之內壁上，一疏水膜753-1經形成以堆疊於一鈍化膜752-1上，且一疏水膜753-2經形成以堆疊於一鈍化膜752-2上。
類似地，一凹槽751-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側處，且在該凹槽751-2之內壁上，一疏水膜753-3經形成以堆疊於一鈍化膜752-3上，且一疏水膜753-4經形成以堆疊於一鈍化膜752-4上。
凹槽751經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一
部分被挖空。鈍化膜752及疏水膜753係形成於凹槽751之內側上。換言之，鈍化膜752經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且鈍化膜752之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜753經形成以從鈍化膜721之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜753之前端經形成以與矽基板73接觸。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽754係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽754之內壁上，一疏水膜756-1經形成以堆疊於一鈍化膜755-1上，且一疏水膜756-2經形成以堆疊於一鈍化膜755-2上。
類似於凹槽751，一凹槽754經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜755及疏水膜756係形成於凹槽754之內側上。換言之，該鈍化膜755經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該鈍化膜755之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜756經形成以從鈍化膜721之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜756之前端經形成以與矽基板73接觸。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據第(7-4)實施例之晶片750，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片750中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片750。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣中存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶
片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖71繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖71中所繪示之一晶片760組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖71中所繪示之晶片760中，藉由相同元件符號表示具有與圖66中所繪示之晶片720中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖71之晶片760與圖66之晶片720之不同之處在於，形成一微透鏡鈍化膜761及一平坦化膜762來代替一鈍化膜721及一微透鏡層79。
該平坦化膜762係形成於一彩色濾光器層77與該微透鏡鈍化膜761之間以平坦化其中形成一微透鏡之一區域。
例如，微透鏡鈍化膜761係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且亦執行微透鏡層79及圖66之鈍化膜721之功能。微透鏡鈍化膜761包含一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
在該頂面部分中，在一像素區域A1中，針對各像素形成用於收集光至各像素之光電二極體74上之一微透鏡。該頂面部分經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成襯墊開口部分703之
部分。
形成於多孔壁部分中之一微透鏡鈍化膜763-1及一微透鏡鈍化膜763-2經形成以覆蓋一襯墊開口部分703之內壁。此外，形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜763-1及該微透鏡鈍化膜763-2之外壁與矽基板73接觸，且形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜763-1及該微透鏡鈍化膜763-2之下端與一電極襯墊702之頂面接觸。
形成於側壁部分中之一微透鏡鈍化膜765經形成以覆蓋晶片760之側面從平坦化膜762之上端至一互連層72之一部分的一範圍。此外，形成於側壁部分中之該微透鏡鈍化膜765係垂直於一矽基板73之表面，且與該矽基板73之側面接觸。
因此，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之微透鏡鈍化膜761、微透鏡鈍化膜763及微透鏡鈍化膜765圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
此外，微透鏡鈍化膜761用作一微透鏡及具有一防水性質之一鈍化膜兩者，且因此可減少晶片760之經堆疊層之數目及製程之數目。
在圖71中所繪示之晶片760中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖71中所繪示之晶片760中，一疏水膜764-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側處，且一疏水膜764-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分703中之疏水膜764經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁，且從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜764之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜766係形成於側壁部分中。形成於側壁部分中之疏水膜
766從微透鏡鈍化膜761之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片760之側面。此外，疏水膜766之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片760之各襯墊開口部分703之內壁係使用疏水膜764覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片760之側壁部分係使用疏水膜766覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在微透鏡鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖71中所繪示之晶片760具有如下結構，其中藉由其中堆疊微透鏡鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片760。
圖72繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖72中所繪示之一晶片770組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖72中所繪示之晶片770中，藉由相同元件符號表示具有與圖68中所繪示之晶片730中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖72之晶片770與圖68之晶片730之不同之處在於，形成一微透鏡鈍化膜761及一平坦化膜762來代替鈍化膜721及微透鏡層79。
該平坦化膜762係形成於一彩色濾光器層77與一微透鏡鈍化膜761之間以平坦化其中形成一微透鏡之一區域。
例如，微透鏡鈍化膜761係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且亦執行微透鏡層79及圖68之鈍化膜721之功能。微透鏡鈍化膜761包含一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
在該頂面部分中，在一像素區域A1中，針對各像素形成用於收集光至各像素之一光電二極體74上之一微透鏡。此外，該頂面部分經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分703之部分。
在晶片770之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分703之兩側處，且微透鏡鈍化膜及疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽771-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側處，且在該凹槽771-1之內壁上，一疏水膜773-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜772-1上，且一疏水膜773-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜772-2上。
類似地，一凹槽771-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側處，且在該凹槽771-2之內壁上，一疏水膜773-3經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜772-3上，且一疏水膜773-4經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜772-4上。
凹槽771經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜772及疏水膜773係形成於凹槽771之內側上。換言之，微透鏡鈍化膜772經形成以從平坦化膜762之上端覆蓋至矽基板73之部分，且微透鏡鈍化膜772之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜773經形成以從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜773之前端經形成以與矽基板73接觸。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽774係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽774之內壁上，一疏水膜776-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜775-1上，且一疏
水膜776-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜775-2上。
類似於凹槽771，凹槽774經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜775及疏水膜776係形成於凹槽774之內側上。
換言之，微透鏡鈍化膜775經形成以從平坦化膜762之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該微透鏡鈍化膜775之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜776經形成以從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜776之前端經形成以與矽基板73接觸。
在如上所述形成凹槽且形成微透鏡鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之微透鏡鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據第(7-8)實施例之晶片770，藉由微透鏡鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片770中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片770。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦
可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖73繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖73中所繪示之一晶片780組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖73中所繪示之晶片780中，藉由相同元件符號表示具有與圖71中所繪示之晶片760中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖73之晶片780具有其中從圖71之晶片760移除平坦化膜762之一組態。換言之，圖73中所繪示之晶片780之一微透鏡鈍化膜761的頂面部分與一彩色濾光器層77之頂面接觸。
因此，晶片780在一微透鏡之平面度方面略低於圖71之晶片760，但可實現一製程之縮減及一成本降低同時實施相同防水效果。
在圖73之晶片780中，類似於圖71之晶片760，舉例而言，一微透鏡鈍化膜761係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且包含頂面部分、多孔壁部分及側壁部分。
形成於頂蓋部分中之微透鏡鈍化膜761係針對各像素形成作為用於收集光至像素區域A1中之各像素之一光電二極體74上之微透鏡。此外，頂面部分經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分703之部分。
形成於多孔壁部分中之一微透鏡鈍化膜781-1及一微透鏡鈍化膜781-2經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁。此外，形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜781-1及該微透鏡鈍化膜781-2之外壁與矽基板73接觸，且形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜781-1及該微透鏡鈍化膜781-2之下端與一電極襯墊702之頂面接觸。
形成於側壁部分中之一微透鏡鈍化膜783經形成以覆蓋晶片780之側面從平坦化膜75之上端至一互連層72之一部分的一範圍。此外，形成於側壁部分中之該微透鏡鈍化膜783係垂直於互連層72之表面，且與該互連層72之側面接觸。
因此，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之微透鏡鈍化膜761、微透鏡鈍化膜781及微透鏡鈍化膜783圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
此外，微透鏡鈍化膜761用作一微透鏡及具有一防水性質之一鈍化膜兩者，且因此可減少晶片780之經堆疊層之數目及製程之數目。
在圖73中所繪示之晶片780中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖73中所繪示之晶片780中，一疏水膜782-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側處，且一疏水膜782-2係形成於襯墊開口部分703之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分703上之疏水膜782經形成以覆蓋襯墊開口部分703之內壁，且從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。該疏水膜782之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜784係形成於側壁部分中。形成於側壁部分中之該疏水膜784從微透鏡鈍化膜761之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片780之側面。此外，該疏水膜784之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片780之各襯墊開口部分703之內壁係使用疏水膜782覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片780之側壁部分係使用疏水膜784覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在微透鏡鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖73中所繪示之晶片780具有如下結構，其中藉由其中堆疊微透鏡鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片780。
圖74繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖74中所繪示之一晶片790組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖74中所繪示之晶片790中，藉由相同元件符號表示具有與圖72中所繪示之晶片770中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖74之晶片790具有其中從圖72之晶片770移除平坦化膜762之一組態。換言之，圖74中所繪示之晶片790之一微透鏡鈍化膜761的頂面部分與一彩色濾光器層77之頂面接觸。
因此，晶片790在一微透鏡之平面度方面略低於圖72之晶片770，但可實現一製程之縮減及一成本降低同時實施相同防水效果。
在圖74之晶片790中，類似於圖72之晶片770，舉例而言，微透鏡鈍化膜761係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且包含頂面部分、多孔壁部分及側壁部分。
形成於頂面部分中之微透鏡鈍化膜761係針對各像素形成作為用於收集光至一像素區域A1中之各像素之一光電二極體74上之微透
鏡。此外，頂面部分經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分703之部分。
在晶片790之一襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分703之兩側處，且微透鏡鈍化膜及疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽791-1係形成於襯墊開口部分703之像素區域A1側處，且在該凹槽791-1之內壁上，一疏水膜793-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜792-1上，且一疏水膜793-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜792-2上。
類似地，一凹槽791-2係形成於襯墊開口部分703之一刻劃區域A3側上，且在該凹槽791-2之內壁上，一疏水膜793-3經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜792-3上，且一疏水膜793-4經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜792-4上。
凹槽791經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜792及疏水膜793係形成於凹槽791之內側上。換言之，微透鏡鈍化膜792經形成以從一平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且微透鏡鈍化膜792之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜793經形成以從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜793之前端經形成以與矽基板73接觸。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽794係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽794之內壁上，一疏水膜796-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜795-1上，且一疏水膜796-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜795-2上。
類似於凹槽791，凹槽794經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜795及疏水膜796係形成於凹槽794之內側上。
換言之，微透鏡鈍化膜795經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至
矽基板73之部分，且該微透鏡鈍化膜795之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜796經形成以從微透鏡鈍化膜761之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜796之前端經形成以與矽基板73接觸。
在如上所述形成凹槽且形成微透鏡鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之微透鏡鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據第(7-10)實施例之晶片790，可藉由微透鏡鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片790中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片790。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖75繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖75中所繪示之一晶片800組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖75中所繪示之晶片800中，藉由相同元件符號表示具有與圖66中所繪示之晶片720中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖75中所繪示之晶片800中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜801係形成於一微透鏡層79與一彩色濾光器層77之間。例如，該鈍化膜801係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜801之一頂面部分係形成於彩色濾光器層77與微透鏡層79之間，且與一彩色濾光器層77之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。此處，在其中並未形成彩色濾光器層77之襯墊區域A2及刻劃區域A3中，頂面部分係形成於一平坦化膜75與微透鏡層79之間且與該平坦化膜75之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。
形成於頂面部分中之鈍化膜801經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除形成一襯墊開口部分802之部分。此外，彩色濾光器層77係配置於形成於頂面部分中之鈍化膜801與矽基板73之間。
形成於多孔壁部分中之鈍化膜801經形成以覆蓋各襯墊開口部分802之內壁，且形成一鈍化膜803-1及一鈍化膜803-2(圖75)。形成於多孔壁部分中之鈍化膜803與一矽基板73接觸，且該多孔壁部分之下端與一電極襯墊702之頂面接觸。
在鈍化膜801形成於側壁部分中時，一鈍化膜805係垂直於矽基板73之表面而形成於晶片800之側面(外側壁，即，晶片800之外壁)上。形成於側壁部分中之鈍化膜805覆蓋晶片800之側面從平坦化膜75之上端至互連層72之一部分的一範圍，且該側壁部分之內壁與矽基板73之側面接觸。
因此，排除其中形成襯墊開口部分802之部分，包含像素區域A1之矽基板73之整個表面及整個彩色濾光器層77係藉由頂面部分中之鈍
化膜801及側壁部分中之鈍化膜805圍繞而不具有一間隙。此外，各襯墊開口部分802之內壁(多孔壁部分)係使用鈍化膜803覆蓋而不具有一間隙。
因此，藉由頂面部分中之鈍化膜801及側壁部分中之鈍化膜803防止濕氣或雜質從晶片800之表面(上部部分)侵入。此外，藉由側壁部分中之鈍化膜805防止濕氣或雜質從晶片800之側侵入。而且，藉由矽基板73之底面防止濕氣或雜質從晶片800之底部侵入。
因此，舉例而言，即使當將晶片800放置於其中水蒸氣壓力為高且濕氣迅速擴散之一環境中，亦可防止由濕氣或雜質侵入至一光電二極體74或彩色濾光器層77之表面中而引起的一暗電流之一增加及光譜特性之一變化。
此外，在圖75中所繪示之晶片800中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖75中所繪示之晶片800中，一疏水膜804-1係形成於襯墊開口部分802之像素區域A1側處，且一疏水膜804-2係形成於襯墊開口部分802之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分802中之疏水膜804經形成以覆蓋該襯墊開口部分802之內壁，且從鈍化膜801之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜804之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜806係形成於晶片邊緣處。形成於側壁部分中之疏水膜806從鈍化膜801之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片800之側面。此外，該疏水膜806之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片800之各襯墊開口部分802之內壁係使用疏水膜804覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片800之側壁部分係使用疏水膜806覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。
在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖75中所繪示之晶片800具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片800。
圖76繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖76中所繪示之一晶片810組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖76中所繪示之晶片810中，藉由相同元件符號表示具有與圖65中所繪示之晶片710中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖76中所繪示之晶片810中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜801係形成於一微透鏡層79與一彩色濾光器層77之間。例如，該鈍化膜801係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜801之一頂面部分係形成於彩色濾光器層77與微透鏡層79之間，且與該彩色濾光器層77之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。此處，在其中並未形成彩色濾光器層77之一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，頂面部分係形成於一平坦化膜75與微透鏡層79之間且與該平坦化膜75之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。
在晶片810之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分802之兩端處，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。
一凹槽811-1係形成於襯墊開口部分802之像素區域A1側上，且在該凹槽811-1之內壁上，一疏水膜813-1經形成以堆疊於一鈍化膜812-1上，且一疏水膜813-2經形成以堆疊於一鈍化膜812-2上。該凹槽811-1係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充，且經形成以連續至微透鏡層79。
類似地，一凹槽811-2係形成於襯墊開口部分802之刻劃區域A3側上，且在該凹槽811-2之內壁上，一疏水膜813-3經形成以堆疊於一鈍化膜812-3上，且一疏水膜813-4經形成以堆疊於一鈍化膜812-4上。該凹槽811-2係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充。
凹槽811經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜812及疏水膜813係形成於凹槽811之內側上。換言之，鈍化膜812經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且鈍化膜812之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜813經形成以從鈍化膜801之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜813之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，疏水膜813經形成以覆蓋鈍化膜801之側面。
一凹槽(狹縫)係形成於一刻劃區域A3中，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽815係形成於該刻劃區域A3中，且在該凹槽815之內壁上，一疏水膜817-1經形成以堆疊於一鈍化膜816-1上，且一疏水膜817-2經形成以堆疊於一鈍化膜816-2上。
該凹槽815係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充。
類似於凹槽811，凹槽815經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜816及疏水膜817係形成於凹槽815之內側上。換言之，該鈍化膜816經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該鈍化膜816之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜817經形成以從鈍化膜801之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜817之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，該疏水膜817經形成以覆蓋鈍化膜801之側面。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體74之像素區域A1及包含彩色濾光器層77之區域係藉由矽基板73、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74及彩色濾光器層77中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據第(7-12)實施例之晶片810，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片810中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片810。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
此外，因為其中形成凹槽之部分係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充，所以可提供其中並不容許濕氣或類似者侵入之
組態，且可進一步改良防濕效能。
圖77繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖77中所繪示之一晶片820組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖77中所繪示之晶片820中，藉由相同元件符號表示具有與圖75中所繪示之晶片800中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖77中所繪示之晶片820中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜821係形成於一平坦化膜75與一彩色濾光器層77之間。例如，該鈍化膜821係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜821之一頂面部分係形成於平坦化膜75與彩色濾光器層77之間，且與該平坦化膜75之頂面及該彩色濾光器層77之底面接觸。此處，在其中並未形成彩色濾光器層77之一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，頂面部分係形成於平坦化膜75與一微透鏡層79之間且與該平坦化膜75之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。
形成於頂面部分中之鈍化膜821經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除形成一襯墊開口部分802之部分。
形成於多孔壁部分中之鈍化膜821經形成以覆蓋各襯墊開口部分802之內壁，且形成一鈍化膜822-1及一鈍化膜822-2。形成於多孔壁部分中之鈍化膜822與一矽基板73接觸，且該多孔壁部分之下端與一電極襯墊702之頂面接觸。
形成於側壁部分中之一鈍化膜824係垂直於矽基板73之表面而形成於晶片820之側面(外側壁，即，晶片820之外壁)上，且形成為鈍化膜824。形成於側壁部分中之該鈍化膜824覆蓋晶片820之側面從平坦化膜75之上端至一互連層72之一部分的一範圍，且該側壁部分之內壁與矽基板73之側面接觸。
因此，排除其中形成襯墊開口部分802之部分，包含一像素區域
A1之矽基板73之整個表面係藉由頂面部分中之鈍化膜821及側壁部分中之鈍化膜824圍繞而不具有一間隙。此外，各襯墊開口部分802之內壁(多孔壁部分)係使用鈍化膜822覆蓋而不具有一間隙。
因此，藉由頂面部分中之鈍化膜821及側壁部分中之鈍化膜822防止濕氣或雜質從晶片820之表面(上部部分)侵入。此外，藉由側壁部分中之鈍化膜824防止濕氣或雜質從晶片820之側侵入。而且，藉由矽基板73之底面防止濕氣或雜質從晶片820之底部侵入。
因此，舉例而言，即使當將晶片820放置於其中水蒸氣壓力為高且濕氣迅速擴散之一環境中時，亦可防止由濕氣或雜質侵入至光電二極體74或彩色濾光器層77之表面中而引起的一暗電流之一增加及光譜特性之一變化。
此外，在圖77中所繪示之晶片820中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖77中所繪示之晶片820中，一疏水膜823-1係形成於襯墊開口部分802之像素區域A1側處，且一疏水膜823-2係形成於襯墊開口部分802之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分802中之疏水膜823經形成以覆蓋襯墊開口部分802之內壁，且從鈍化膜821之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜823之前端與電極襯墊702之頂面接觸。
一疏水膜825係形成於晶片邊緣處。形成於側壁部分中之疏水膜825從鈍化膜821之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片820之側面。此外，該疏水膜825之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。
如上所述，晶片820之各襯墊開口部分802之內壁係使用疏水膜823覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片820之側壁部分係使用疏水膜825覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖77中所繪示之晶片820具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片820。
圖78繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖78中所繪示之一晶片830組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖78中所繪示之晶片830中，藉由相同元件符號表示具有與圖76中所繪示之晶片810中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖78中所繪示之晶片830中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜821係形成於一平坦化膜75與一彩色濾光器層77之間。例如，該鈍化膜821係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜821之頂面部分係形成於平坦化膜75與彩色濾光器層77之間，且與該平坦化膜75之頂面及該彩色濾光器層77之底面接觸。此處，在其中並未形成彩色濾光器層77之一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，頂面部分係形成於平坦化膜75與一微透鏡層79之間且與該平坦化膜75之頂面及該微透鏡層79之底面接觸。
在晶片830之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於一襯墊開口部分802之兩端處，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。
一凹槽831-1係形成於襯墊開口部分802之像素區域A1側上，且在該凹槽831-1之內壁上，一疏水膜833-1經形成以堆疊於一鈍化膜832-1上，且一疏水膜833-2經形成以堆疊於一鈍化膜832-2上。該凹槽831-1係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充，且經形成以連續至微透鏡層79。
類似地，一凹槽831-2係形成於襯墊開口部分802之刻劃區域A3側上，且在該凹槽831-2之內壁上，一疏水膜833-3經形成以堆疊於一鈍化膜832-3上，且一疏水膜833-4經形成以堆疊於一鈍化膜832-4上。該凹槽831-2係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充。
凹槽831經形成使得直至其中形成光電二極體74之一矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜832及疏水膜833係形成於凹槽831之內側上。換言之，鈍化膜832經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且鈍化膜832之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜833經形成以從鈍化膜821之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜833之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，疏水膜833經形成以覆蓋鈍化膜832之側面。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽835係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽835之內壁上，一疏水膜837-1經形成以堆疊於一鈍化膜836-1上，且一疏水膜837-2經形成以堆疊於一鈍化膜836-2上。
該凹槽835係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充。
類似於凹槽831，凹槽835經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜836及疏水膜837係形成於凹槽835之內側上。換言之，該鈍化膜836經形成以從平坦化膜75之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該鈍化膜836之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜837經形成以從鈍化膜821之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜837之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，該疏水膜837經形成以覆蓋鈍化膜836之側面。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，包含其中配置光電二極體74之一像素區域A1的區域係藉由矽基板73、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74中，且防止一暗電流之一增加。
如上所述，根據第(7-14)實施例之晶片830，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片830中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片830。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
此外，因為其中形成凹槽之部分係用與用於形成微透鏡層79之材料相同的材料填充，所以可提供其中並不容許濕氣或類似者侵入之組態，且可進一步改良防濕效能。
圖79繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖79中所繪示之一晶片840組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖79中所繪示之晶片840中，藉由相同元件符號表示具有與圖75中所繪示之晶片800中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖79中所繪示之晶片840中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜841係形成於一鈍化膜701與一平坦化膜75之間。此外，一光屏蔽膜76係形成於該鈍化膜701之頂面上，且在其中形成該光屏蔽膜76之部分中，該鈍化膜841係形成於該光屏蔽膜76與該平坦化膜75之間。
連續形成該鈍化膜841。例如，該鈍化膜841係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜841之一頂面部分係連續形成於鈍化膜701與平坦化膜75之間及光屏蔽膜76與平坦化膜75之間，且與該鈍化膜701及該光屏蔽膜76之頂面及該平坦化膜75之底面接觸。此處，在其中並未形成光屏蔽膜76之一襯墊區域A2中及一刻劃區域A3中，頂面部分係形成於鈍化膜701與平坦化膜75之間，且該鈍化膜701之頂面及該平坦化膜75之底面與該頂面部分接觸。
形成於頂面部分中之鈍化膜841經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分842之一部分。
形成於多孔壁部分中之鈍化膜841經形成以覆蓋各襯墊開口部分842之內壁，且經形成為一鈍化膜843-1及一鈍化膜843-2。
形成於側壁部分中之鈍化膜841係垂直於一矽基板73之表面而形成於晶片840之側面上，且經形成為一鈍化膜845。該側壁部分從鈍化膜701之上端至一互連層72之一部分覆蓋晶片840之側面，且該側壁部分之內壁與矽基板73之側面接觸。
因此，排除其中形成襯墊開口部分842之部分，包含一像素區域
A1之矽基板73之整個表面係藉由頂面部分中之鈍化膜841及側壁部分中之鈍化膜845圍繞而不具有一間隙。
因此，藉由頂面部分中之鈍化膜841防止濕氣或雜質從晶片840之表面(上部部分)侵入。此外，藉由側壁部分中之鈍化膜845防止濕氣或雜質從晶片840之側侵入。而且，藉由矽基板73之底面防止濕氣或雜質從晶片840之底部侵入。
因此，舉例而言，即使將晶片840放置於其中水蒸氣壓力為高且濕氣迅速擴散之一環境中，亦可防止由濕氣或雜質侵入至一光電二極體74之表面中而引起的一暗電流之一增加及光譜特性之一變化。
此外，在圖79中所繪示之晶片840中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖79中所繪示之晶片840中，一疏水膜844-1係形成於襯墊開口部分842之像素區域A1側處，且疏水膜844-2係形成於襯墊開口部分842之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分842中之疏水膜844經形成以覆蓋襯墊開口部分842之內壁，且從鈍化膜841之上端覆蓋至其中形成互連層72之矽基板之部分。疏水膜844之前端與一電極襯墊870之頂面接觸。換言之，疏水膜844經形成以覆蓋鈍化膜843。
一疏水膜846係形成於晶片邊緣處。形成於側壁部分中之疏水膜846從鈍化膜841之上端至其中形成互連層72之矽基板之部分覆蓋晶片840之側面。此外，該疏水膜846之前端與其中形成互連層72之矽基板接觸。換言之，該疏水膜846經形成以覆蓋鈍化膜845。
如上所述，晶片840之各襯墊開口部分842之內壁係使用疏水膜844覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片840之側壁部分係使用疏水膜846覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與
晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖79中所繪示之晶片840具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片840。
圖80繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖80中所繪示之一晶片850組態一背側照明類型CMOS影像感測器。在圖80中所繪示之晶片850中，藉由相同元件符號表示具有與圖76中所繪示之晶片810中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖80中所繪示之晶片850中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜841係形成於一鈍化膜701與一平坦化膜75之間。一光屏蔽膜76係形成於該鈍化膜701之頂面上，且在其中形成該光屏蔽膜76之部分中，一鈍化膜841係形成於該光屏蔽膜76與該平坦化膜75之間。
連續形成該鈍化膜841。例如，該鈍化膜841係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜841之一頂面部分係連續形成於鈍化膜701與平坦化膜75之間及光屏蔽膜76與平坦化膜75之間，且與該鈍化膜701及該光屏蔽膜76之頂面及該平坦化膜75之底面接觸。此處，在其中並未形成光屏蔽膜76之一襯墊區域A2中及一刻劃區域A3中，頂面部分係形成於鈍化膜701與平坦化膜75之間，且該鈍化膜701之頂面及該平坦化膜75之
底面與該頂面部分接觸。
形成於頂面部分中之鈍化膜841經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分842之一部分。
在晶片850之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分842之兩側處，且一鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。
一凹槽851-1係形成於襯墊開口部分842之一像素區域A1側上，且在該凹槽851-1之內壁上，一疏水膜853-1經形成以堆疊於一鈍化膜852-1上，且一疏水膜853-2經形成以堆疊於一鈍化膜852-2上。該凹槽851-1係用與用於形成平坦化膜75之材料相同的材料填充，且經形成以連續至該平坦化膜75。
類似地，一凹槽851-2係形成於襯墊開口部分842之刻劃區域A3側上，且在該凹槽851-2之內壁上，一疏水膜853-3經形成以堆疊於一鈍化膜852-3上，且一疏水膜853-4經形成以堆疊於一鈍化膜852-4上。該凹槽851-2係用與用於形成平坦化膜75之材料相同的材料填充。
凹槽851經形成使得直至其中形成一光電二極體74之一矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜852及疏水膜853係形成於凹槽851之內側上。換言之，鈍化膜852經形成以從鈍化膜701之上端覆蓋至矽基板73之部分，且鈍化膜852之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜853經形成以從鈍化膜841之上端覆蓋至矽基板73之部分，且疏水膜853之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，疏水膜853經形成以覆蓋鈍化膜852。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽855係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽855之內壁上，一疏水膜857-1經形成以堆疊於一鈍化膜856-1上，且一疏水膜857-2經形成以堆疊於一鈍化膜856-2上。
該凹槽855係用與用於形成平坦化膜75之材料相同的材料填充。
類似於凹槽851，凹槽855經形成使得直至其中形成光電二極體74之矽基板73之一部分被挖空。鈍化膜856及疏水膜857係形成於凹槽855之內側上。換言之，該鈍化膜856經形成以從鈍化膜701之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該鈍化膜856之前端經形成以與矽基板73接觸。
疏水膜857經形成以從鈍化膜841之上端覆蓋至矽基板73之部分，且該疏水膜857之前端經形成以與矽基板73接觸。換言之，該疏水膜857經形成以覆蓋鈍化膜856。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，包含其中配置光電二極體74之像素區域A1的區域係藉由矽基板73、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體74中。
如上所述，根據第(7-16)實施例之晶片850，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片850中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片850。
因為在襯墊開口部分842及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分842及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分842及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
此外，因為其中形成凹槽之部分係用與用於形成平坦化膜75之材料相同的材料填充，所以可提供其中並不容許濕氣或類似者侵入之組態，且可進一步改良防濕效能。
已結合實例描述第(7-1)實施例至第(7-16)實施例，在該等實例中本發明技術應用於背側照明類型CMOS影像感測器，但本發明技術可甚至應用於表面照明類型CMOS影像感測器。
圖81係繪示在本發明技術應用於一表面照明類型CMOS影像感測器時一晶片之一組態的一圖式，即，繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態的一圖式。
用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體862係以特定間隔形成於一晶片860之一矽基板861之表面上。
一層間絕緣膜863係形成於該矽基板861及該光電二極體862上。在該層間絕緣膜863中或上，互連層金屬864係垂直形成於相鄰光電二極體862之間。
換言之，晶片860經組態為其中互連層形成於光電二極體862的上方(表面側處)之一表面照明類型CMOS影像感測器。互連層金屬864亦具有用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜之一功能。
用於平坦化其中形成一彩色濾光器之一區域的一平坦化膜865係形成於層間絕緣膜863及最高互連層金屬864上。
一彩色濾光器層866係形成於該平坦化膜865上。在該彩色濾光器層866中，彩色濾光器係形成於像素單元中，且舉例而言，該等彩色濾光器之色彩係根據一拜耳陣列來配置。
一平坦化膜867及一微透鏡鈍化膜868係形成於彩色濾光器層866
上。該平坦化膜867係形成於該彩色濾光器層866與該微透鏡鈍化膜868之間以平坦化其中形成微透鏡之區域。
例如，微透鏡鈍化膜868係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且亦執行微透鏡層79及圖66之鈍化膜721之功能。
類似於背側照明類型CMOS影像感測器之晶片，將晶片860大致劃分成一像素區域A1、一襯墊區域A2、一刻劃區域A3及剩餘區域。此外，微透鏡鈍化膜868包含一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
形成於該頂面部分中之微透鏡鈍化膜868係針對各像素形成作為用於收集光至像素區域A1中之各像素之光電二極體862上之微透鏡。此外，頂面部分中之該微透鏡鈍化膜868經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分869之一部分。
形成於多孔壁部分中之一微透鏡鈍化膜871-1及一微透鏡鈍化膜871-2經形成以覆蓋襯墊開口部分869之內壁。此外，形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜871-1及該微透鏡鈍化膜871-2之外壁與平坦化膜865及平坦化膜867接觸，且形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜871-1及該微透鏡鈍化膜871-2之下端與電極襯墊870之頂面接觸。
形成於側壁部分中之一微透鏡鈍化膜873經形成以覆蓋晶片860之側面從平坦化膜867之上端至矽基板861之一部分的一範圍。此外，形成於側壁部分中之該微透鏡鈍化膜873係垂直於矽基板861之表面，且與該矽基板861之側面接觸。
因此，其中配置光電二極體862之像素區域A1及包含彩色濾光器層866之區域係藉由矽基板861、具有防水性質之微透鏡鈍化膜868、微透鏡鈍化膜871及微透鏡鈍化膜873圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體862及彩色濾光器層866之表面中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
此外，微透鏡鈍化膜868用作一微透鏡及具有一防水性質之一鈍化膜兩者，且因此可減少晶片860之經堆疊層之數目及製程之數目。
在圖81中所繪示之晶片860中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖81中所繪示之晶片860中，一疏水膜872-1係形成於襯墊開口部分869之像素區域A1側處，且一疏水膜872-2係形成於襯墊開口部分869之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分869中之疏水膜872經形成以覆蓋襯墊開口部分869之內壁，且從微透鏡鈍化膜868之上端覆蓋至平坦化膜865之一部分。疏水膜872之前端與電極襯墊870之頂面接觸。換言之，疏水膜872經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜871。
一疏水膜874係形成於側壁部分中。形成於側壁部分中之該疏水膜874從微透鏡鈍化膜868之上端至矽基板861之一部分覆蓋晶片860之側面。疏水膜874之前端與矽基板861接觸。換言之，疏水膜874經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜873。
如上所述，晶片860之各襯墊開口部分869之內壁係使用疏水膜872覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片860之側壁部分係使用疏水膜874覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在微透鏡鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖81中所繪示之晶片860具有如下結構，其中藉由其中堆疊微透鏡鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片860。
圖82繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖82中所繪示之一晶片880組態一表面照明類型CMOS影像感測器。在圖82中所繪示之晶片880中，藉由相同元件符號表示具有與圖81中所繪示之晶片860中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖82中所繪示之晶片880之一像素區域A1具有類似於圖81中所繪示之晶片860之像素區域A1的一組態，但一差異在於，凹槽(狹縫)係形成於一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中。
在晶片880之襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分869之兩側處，且一微透鏡鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽881-1係形成於襯墊開口部分869之像素區域A1側上，且在該凹槽881-1之內壁上，一疏水膜883-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜882-1上，且一疏水膜883-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜882-2上。
類似地，一凹槽881-2係形成於襯墊開口部分869之刻劃區域A3側上，且在該凹槽881-2之內壁上，一疏水膜883-3經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜882-3上，且一疏水膜883-4經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜882-4上。
凹槽881經形成使得直至其中形成光電二極體862之矽基板861之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜882及疏水膜883係形成於凹槽881之內側上。換言之，微透鏡鈍化膜882經形成以從平坦化膜867之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且微透鏡鈍化膜882之前端經形成以與矽基板861接觸。
疏水膜883經形成以從微透鏡鈍化膜868之上端覆蓋至矽基板861
之一部分，且疏水膜883之前端經形成以與矽基板861接觸。換言之，疏水膜883經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜882。
一凹槽(狹縫)係形成於刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽884係形成於刻劃區域A3中，且在該凹槽884之內壁上，一疏水膜886-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜885-1上，且一疏水膜886-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜885-2上。
類似於凹槽881，凹槽884經形成使得直至其中形成光電二極體862之矽基板861之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜885及疏水膜886係形成於凹槽884之內側上。
換言之，微透鏡鈍化膜885經形成以從平坦化膜867之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該微透鏡鈍化膜885之前端經形成以與矽基板861接觸。
疏水膜886經形成以從微透鏡鈍化膜868之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該疏水膜886之前端經形成以與矽基板861接觸。換言之，疏水膜886經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜885。
在如上所述形成凹槽且形成微透鏡鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體862之像素區域A1及包含彩色濾光器層866之區域係藉由矽基板861、具有防水性質之微透鏡鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體862及彩色濾光器層866中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據圖82中所繪示之晶片880，藉由微透鏡鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片880中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片880。
因為在襯墊開口部分869及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分869及該晶
片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分869及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖83繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖83中所繪示之一晶片890組態一表面照明類型CMOS影像感測器。在圖83中所繪示之晶片890中，藉由相同元件符號表示具有與圖81中所繪示之晶片860中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖83之晶片890具有其中從圖81之晶片860移除平坦化膜867之一組態。換言之，圖83中所繪示之晶片890之一微透鏡鈍化膜868的頂面部分與一彩色濾光器層866接觸。
因此，晶片890在一微透鏡之平面度方面略低於圖81之晶片860，但可實現一製程之縮減及一成本降低同時實施相同防水效果。
在圖83之晶片890中，類似於圖81之晶片860，舉例而言，微透鏡鈍化膜868係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且包含一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
形成於頂面部分中之微透鏡鈍化膜868係針對各像素形成作為用於收集光至一像素區域A1中之各像素之一光電二極體862上之微透
鏡。此外，頂面部分中之微透鏡鈍化膜868經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分869之部分。
形成於多孔壁部分中之一微透鏡鈍化膜891-1及一微透鏡鈍化膜891-2經形成以覆蓋襯墊開口部分869之內壁。此外，形成於多孔壁部分中之該微透鏡鈍化膜891-1及該微透鏡鈍化膜891-2與一平坦化膜865接觸，且該微透鏡鈍化膜891-1及該微透鏡鈍化膜891-2之下端與一電極襯墊870之頂面接觸。
形成於側壁部分中之一微透鏡鈍化膜893經形成以覆蓋晶片890之側面從平坦化膜865之上端至一矽基板861之一部分的一範圍。此外，形成於側壁部分中之該微透鏡鈍化膜893係垂直於矽基板861之表面，且與該矽基板861之側面接觸。
因此，其中配置光電二極體862之像素區域A1及包含彩色濾光器層866之區域係藉由矽基板861及具有防水性質之微透鏡鈍化膜868圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體862及彩色濾光器層866之表面中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
此外，微透鏡鈍化膜868用作一微透鏡及具有一防水性質之一鈍化膜兩者，且因此可減少晶片890之經堆疊層之數目及製程之數目。
在圖83中所繪示之晶片890中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖83中所繪示之晶片890中，一疏水膜892-1係形成於襯墊開口部分869之像素區域A1側處，且一疏水膜892-2係形成於襯墊開口部分869之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分869中之疏水膜892經形成以從微透鏡鈍化膜868之上端至電極襯墊870覆蓋襯墊開口部分869之內壁，且與該電極襯墊870之頂面接觸。換言之，疏水膜892經形成以覆蓋微透鏡鈍化
膜891。
一疏水膜894係形成於側壁部分中。形成於側壁部分中之疏水膜894從微透鏡鈍化膜868之上端至矽基板861之一部分覆蓋晶片890之側面。此外，疏水膜894之前端與矽基板861接觸。換言之，疏水膜894經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜893。
如上所述，晶片890之各襯墊開口部分869之內壁係使用疏水膜892覆蓋而不具有一間隙。此外，晶片890之側壁部分係使用疏水膜894覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在微透鏡鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖83中所繪示之晶片890具有如下結構，其中藉由其中堆疊微透鏡鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片890。
圖84繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖84中所繪示之一晶片900組態一表面照明類型CMOS影像感測器。在圖84中所繪示之晶片900中，藉由相同元件符號表示具有與圖82中所繪示之晶片880中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖84之晶片900具有其中從圖82之晶片880移除平坦化膜867之一組態。換言之，圖84中所繪示之晶片900之一微透鏡鈍化膜868的頂面
部分與一彩色濾光器層866接觸。
因此，晶片900在一微透鏡之平面度方面略低於圖82之晶片880，但可實現一製程之縮減及一成本降低同時實施相同防水效果。
在圖84之晶片900中，類似於圖82之晶片880，舉例而言，一微透鏡鈍化膜868係由透明且具有一防水性質之SiN形成，且包含一頂面部分、一多孔壁部分及一側壁部分。
形成於頂面部分中之微透鏡鈍化膜868係針對各像素形成作為用於收集光至一像素區域A1中之各像素之一光電二極體862上之微透鏡。此外，頂面部分中之該微透鏡鈍化膜868經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分869、一凹槽901及一凹槽904之部分。
在晶片900之一襯墊區域A2中，凹槽(狹縫)係形成於襯墊開口部分869之兩側處，且一微透鏡鈍化膜及一疏水膜係形成於該等凹槽中。一凹槽901-1係形成於襯墊開口部分869之像素區域A1側上，且在該凹槽901-1之內壁上，一疏水膜903-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜902-1上，且一疏水膜903-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜902-2上。
類似地，一凹槽901-2係形成於襯墊開口部分869之一刻劃區域A3側上，且在該凹槽901-2之內壁上，一疏水膜903-3經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜902-3上，且一疏水膜903-4經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜902-4上。
凹槽901經形成使得直至其中形成一光電二極體862之一矽基板861之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜902及疏水膜903係形成於凹槽901之內側上。換言之，微透鏡鈍化膜902經形成以從平坦化膜865之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且微透鏡鈍化膜902之前端經形成以與矽基板861接觸。
疏水膜903經形成以從微透鏡鈍化膜868之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且疏水膜903之前端經形成以與矽基板861接觸。換言之，疏水膜903經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜902。
一凹槽(狹縫)係形成於一刻劃區域A3中，且一疏水膜係形成於該凹槽中。一凹槽904係形成於該刻劃區域A3中，且在該凹槽904之內壁上，一疏水膜906-1經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜905-1上，且一疏水膜906-2經形成以堆疊於一微透鏡鈍化膜905-2上。
類似於凹槽901，凹槽904經形成使得直至其中形成光電二極體862之矽基板861之一部分被挖空。微透鏡鈍化膜905及疏水膜906係形成於凹槽904之內側上。
換言之，微透鏡鈍化膜905經形成以從平坦化膜865之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該微透鏡鈍化膜905之前端經形成以與矽基板861接觸。
疏水膜906經形成以從微透鏡鈍化膜868之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該疏水膜906之前端經形成以與矽基板861接觸。換言之，該疏水膜906經形成以覆蓋微透鏡鈍化膜905。
在如上所述形成凹槽且形成微透鏡鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電二極體862之像素區域A1及包含彩色濾光器層866之區域係藉由矽基板861、具有防水性質之微透鏡鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體862及彩色濾光器層866中，且防止一暗電流之一增加及一彩色濾光器之光譜特性之一變化。
如上所述，根據圖84中所繪示之晶片900，藉由微透鏡鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片900中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片900。
因為在襯墊開口部分869及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所
以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分869及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分869及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖85繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖85中所繪示之一晶片910組態一表面照明類型CMOS影像感測器。在圖85中所繪示之晶片910中，藉由相同元件符號表示具有與圖81中所繪示之晶片860中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
圖85中所繪示之晶片910與圖81中所繪示之晶片860之不同之處在於，形成一微透鏡層911來代替微透鏡鈍化膜868以用作一微透鏡。
在圖85中所繪示之晶片910中，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜912係形成於一層間絕緣膜863與一平坦化膜865之間。一互連層金屬864係形成於該層間絕緣膜863之頂面上，且在其中形成該互連層金屬864之部分中，鈍化膜912係形成於該互連層金屬864與一平坦化膜865之間。
連續形成該鈍化膜912。例如，該鈍化膜912係由具有一防水性質之透明SiN(氮化矽)形成。
鈍化膜912之一頂面部分係連續形成於層間絕緣膜863與平坦化膜865之間及互連層金屬864與平坦化膜865之間，且與該層間絕緣膜863及該互連層金屬864之頂面以及該平坦化膜865之底面接觸。
在一襯墊區域A2及一刻劃區域A3中，並未形成互連層金屬864、平坦化膜865及彩色濾光器層866，且因此頂面部分中之鈍化膜912係形成於層間絕緣膜863與微透鏡層911之間，且與該層間絕緣膜863之頂面及該微透鏡層911之底面接觸。
形成於頂面部分中之鈍化膜912經形成以覆蓋藉由側壁部分圍繞之整個區域，排除其中形成一襯墊開口部分913之部分。
形成於側壁部分中之鈍化膜912係垂直於矽基板861之表面而形成於晶片910之側面上作為一鈍化膜915。該側壁部分中之該鈍化膜915覆蓋晶片910之側面從層間絕緣膜863之上端至矽基板861之一部分的一範圍，且該側壁部分之內壁與矽基板861接觸。
因此，排除其中形成襯墊開口部分913之部分，包含一像素區域A1之矽基板861之整個表面係藉由頂面部分中之鈍化膜912及側壁部分中之鈍化膜915圍繞而不具有一間隙。
因此，藉由頂面部分中之鈍化膜912防止濕氣或雜質從晶片910之表面(上部部分)侵入。此外，藉由側壁部分中之鈍化膜915防止濕氣或雜質從晶片910之側侵入。而且，藉由矽基板861之底面防止濕氣或雜質從晶片910之底部侵入。
因此，舉例而言，即使當將晶片910放置於其中水蒸氣壓力為高且濕氣迅速擴散之一環境中，亦可防止由濕氣或雜質侵入至光電二極體862之表面中而引起的一暗電流之一增加及光譜特性之一變化。
此外，在圖85中所繪示之晶片910中，疏水膜係形成於多孔壁部分及側壁部分中。
在圖85中所繪示之晶片910中，一疏水膜914-1係形成於襯墊開口
部分913之像素區域A1側處，且一疏水膜914-2係形成於襯墊開口部分913之刻劃區域A3側處。
形成於襯墊開口部分913中之疏水膜914經形成以覆蓋襯墊開口部分913之內壁，且覆蓋鈍化膜912在襯墊開口部分913側處之側面。疏水膜914之前端與電極襯墊870之頂面接觸。
一疏水膜916係形成於晶片邊緣處。形成於側壁部分中之該疏水膜916從鈍化膜912之上端至矽基板861之一部分覆蓋晶片900之側面。該疏水膜916之前端與矽基板861接觸。換言之，該疏水膜916經形成以覆蓋鈍化膜915。
如上所述，晶片910之各襯墊開口部分913之內壁係使用疏水膜914覆蓋而不具有一間隙。晶片910之側壁部分係使用疏水膜916覆蓋而不具有一間隙。
因為在多孔壁部分及側壁部分中具有一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該多孔壁部分及該側壁部分中。在疏水膜形成於多孔壁部分及側壁部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在鈍化膜及疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
如上所述，圖85中所繪示之晶片910具有如下結構，其中藉由其中堆疊鈍化膜及疏水膜之兩層之膜來防止濕氣或雜質的侵入。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片910。
圖86繪示根據第七實施例之一晶片之另一組態。圖86中所繪示之一晶片920組態一表面照明類型CMOS影像感測器。在圖86中所繪
示之晶片920中，藉由相同元件符號表示具有與圖85中所繪示之晶片910中相同的組態之部分且接著將進行一描述。
在圖86中所繪示之晶片920中，類似於圖85中所繪示之晶片910，形成一微透鏡層911來代替微透鏡鈍化膜868以用作一微透鏡。
在圖86中所繪示之晶片920中，類似於圖85中所繪示之晶片910，用於防止濕氣或雜質侵入之一鈍化膜912係形成於一層間絕緣膜863與一平坦化膜865之間。一互連層金屬864係形成於該層間絕緣膜863之頂面上，且在其中形成該互連層金屬864之部分中，鈍化膜912係形成於該互連層金屬864與平坦化膜865之間。
圖86中所繪示之晶片920之一像素區域A1及一襯墊區域A2具有與如圖85中所繪示之晶片910之像素區域A1及襯墊區域A2相同的組態。
一凹槽921係形成於晶片920之刻劃區域A3中，且一鈍化膜922及一疏水膜923係形成於該凹槽921中。換言之，該凹槽921係形成於一刻劃區域A3中，且在該凹槽921之內壁上，一疏水膜923-1經形成以堆疊於一鈍化膜922-1上，且一疏水膜923-2經形成以堆疊於一鈍化膜922-2上。
凹槽921經形成使得直至其中形成光電二極體862之矽基板861之一部分被挖空。鈍化膜922及疏水膜923係形成於該凹槽921之內側上。
換言之，鈍化膜922經形成以從層間絕緣膜863之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該鈍化膜922之前端經形成以與矽基板861接觸。
疏水膜923經形成以從鈍化膜912之上端覆蓋至矽基板861之一部分，且該疏水膜923之前端經形成以與矽基板861接觸。該疏水膜923經形成以覆蓋鈍化膜922之整個側面。
在如上所述形成凹槽且形成鈍化膜及疏水膜時，其中配置光電
二極體862之像素區域A1係藉由矽基板861、具有防水性質之鈍化膜及疏水膜圍繞而不具有一間隙。因此，防止濕氣或雜質侵入至光電二極體862中，且防止一暗電流之一增加。
如上所述，根據圖86中所繪示之晶片920，藉由鈍化膜及疏水膜防止濕氣或雜質侵入至該晶片920中。因此，可實施具有改良之防濕效能之晶片920。
因為在襯墊開口部分913及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至該襯墊開口部分913及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分913及晶片邊緣中且經堆疊膜界面係使用疏水膜覆蓋時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
舉例而言，可採用一晶片尺寸封裝(CSP)技術作為封裝第(7-1)實施例至第(7-22)實施例中所描述之該等晶片之各者的一方法。
圖87係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖66中所繪示之晶片720而獲得之一半導體封裝體930之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖87中，藉由相同元件符號表示對應於圖66之部分之部分，且將適當省略對圖87中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體930中，在晶片720之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片720使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充襯墊開口部分703。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜724圍繞之襯墊開口部分703之內部。此外，使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜725。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分703時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體930時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜725時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片720之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜721之功能防止濕氣侵入至晶片720之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片720之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片720之光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，所以亦可防止該晶片720之品質劣化。
圖88係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖68中所繪示之晶片730而獲得之一半導體封裝體940之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖88中，藉由相同元件符號表示對應於圖68之部分之部分，且將適當省略對圖88中之該等部分的一描述。
在該半導體封裝體940中，在晶片730之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片730使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703、一凹槽731-1、一凹槽731-2及一凹槽734。亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分703、該凹槽731-1、該凹槽731-2及該凹槽734時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體930時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在一刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片730之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜721之功能防止濕氣侵入至晶片730之光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片730之品質劣化。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且
使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖89係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖71中所繪示之晶片760而獲得之一半導體封裝體950之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖89中，藉由相同元件符號表示對應於圖71之部分之部分，且將適當省略對圖89中之該等部分的一描述。
在該半導體封裝體950中，在晶片760之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片760使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜764圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜766。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分703時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體950時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜766時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，
所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片760之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜761、763及765之功能防止濕氣侵入至晶片760之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以可防止該晶片760之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及晶片邊緣中。在疏水膜以及微透鏡鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片760之光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，所以亦可防止該晶片760之品質劣化。
圖90係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖72中所繪示之晶片770而獲得之一半導體封裝體960之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖90中，藉由相同元件符號表示對應於圖72之部分之部分，且將適當省略對圖90中之該等部分的一描述。
在該半導體封裝體960中，在晶片770之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片770使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703、一凹槽771-1、一凹槽771-2及一凹槽774。亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分703、該凹槽771-1、該凹槽771-2及該凹槽774時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體930時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片770之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜761、772及775之功能防止濕氣侵入至晶片770之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片770之品質劣化。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖91係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖73中所繪示之晶片780而獲得之一半導體封裝體970之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖91中，藉由相同元件符號表示對應於圖73之部分之部分，且將適當省略對圖91中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體970中，在晶片780之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片780使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜782圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜784。
在用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體970時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜784時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片780之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜761、781及783之功能防止濕氣侵入至晶片780之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以可防止該晶片780之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及微透鏡鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片780之光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，所以亦可防止該晶片780之品質劣化。
圖92係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖74中所繪示之晶片
790而獲得之一半導體封裝體980之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖92中，藉由相同元件符號表示對應於圖74之部分之部分，且將適當省略對圖92中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體980中，在晶片790之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片790使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分703、一凹槽791-1、一凹槽791-2及一凹槽794。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分703、該凹槽791-1、該凹槽791-2及該凹槽794時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體980時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片790之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜761、792及795之功能防止濕氣侵入至晶片790之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片790之品質劣化。
因為在襯墊開口部分703及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分703及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分703及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖93係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖75中所繪示之晶片800而獲得之一半導體封裝體990之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖93中，藉由相同元件符號表示對應於圖75之部分之部分，且將適當省略對圖93中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體990中，在晶片800之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片800使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分802。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜804圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜806。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分802時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體990時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜806時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片800之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜801、803及805之功能防止濕氣侵入至晶片800之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以可防止該晶片800之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片800之光電二極體74及彩色濾光器層77之表面中，所以亦可防止該晶片800之品質劣化。
圖94係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖76中所繪示之晶片810而獲得之一半導體封裝體1000之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖94中，藉由相同元件符號表示對應於圖76之部分之部分，且將適當省略對圖94中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1000中，在晶片810之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片810使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分802、一凹槽811-1、一凹槽811-2及一凹槽815。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分802、該凹槽811-1、該凹槽811-2及該凹槽815時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體930時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片810之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜801、812及816之功能防止濕氣侵入至晶片810之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片810之品質劣化。
此外，因為在襯墊開口部分802及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至該襯墊開口部分802及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分802及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖95係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖77中所繪示之晶片820而獲得之一半導體封裝體1010之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖95中，藉由相同元件符號表示對應於圖77之部分之部分，且將適
當省略對圖95中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1010中，在晶片820之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片820使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分802。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜823圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜825。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分802時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1010時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜825及一微透鏡層79時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片820之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜821、822及824之功能防止濕氣侵入至晶片820之一光電二極體74之表面中，所以可防止該晶片820之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片820之光電二極體74之表面中，所以亦可防止該晶片820之品質劣化。
圖96係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖78中所繪示之晶片830而獲得之一半導體封裝體1020之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖96中，藉由相同元件符號表示對應於圖78之部分之部分，且將適當省略對圖96中之該等部分的一描述。
在該半導體封裝體1020中，在晶片830之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片830使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分802、一凹槽831-1、一凹槽831-2及一凹槽835。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分802、該凹槽831-1、該凹槽831-2及該凹槽835時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1020時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片830之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜821、832及836之功能防止濕氣侵入至晶片830之一光電二極體74及一彩色濾光器層77之表面中，所以防止該晶片830之品質劣化。
因為在襯墊開口部分802及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分802及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分802及晶片邊緣中且
使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖97係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖79中所繪示之晶片840而獲得之一半導體封裝體1030之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖97中，藉由相同元件符號表示對應於圖79之部分之部分，且將適當省略對圖97中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1030中，在晶片840之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片840使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分842。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜844圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜846。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分842時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1030時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜846、一平坦化膜75及一微透鏡層79時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此
外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片840之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜841、843及845之功能防止濕氣侵入至晶片840之一光電二極體74之表面中，所以可防止該晶片840之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片840之光電二極體74之表面中，所以亦可防止該晶片840之品質劣化。
圖98係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖80中所繪示之晶片850而獲得之一半導體封裝體1040之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖98中，藉由相同元件符號表示對應於圖80之部分之部分，且將適當省略對圖98中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1040中，在晶片850之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片850使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分842、一凹槽851-1、一凹槽851-2及一凹槽855。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分842、該凹槽851-1、該凹槽851-2及該凹槽855時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1040時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可
改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片850之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜821、852及856之功能防止濕氣侵入至晶片850之一光電二極體74之表面中，所以防止該晶片850之品質劣化。
因為在襯墊開口部分842及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分842及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分842及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖99係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖81中所繪示之晶片860而獲得之一半導體封裝體1050之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖99中，藉由相同元件符號表示對應於圖81之部分之部分，且將適
當省略對圖99中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1050中，在晶片860之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片860使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分869。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜872圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜874。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分869時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1050時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜874時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片860之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜868、871及873之功能防止濕氣侵入至晶片860之一光電二極體862之表面中，所以可防止該晶片860之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片860之光電二極體862之表面中，所以亦可防止該晶片860之品質劣化。
圖100係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖82中所繪示之晶片880而獲得之一半導體封裝體1060之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖100中，藉由相同元件符號表示對應於圖82之部分之部分，且將適當省略對圖100中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1060中，在晶片880之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片880使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分869、一凹槽881-1、一凹槽881-2及一凹槽884。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分869、該凹槽881-1、該凹槽881-2及該凹槽884時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1060時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片880之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜868、882及885之功能防止濕氣侵入至晶片880之一光電二極體862之表面中，所以防止該晶片880之品質劣化。
因為在襯墊開口部分842及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分842及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分842及晶片邊緣中且
使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖101係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖83中所繪示之晶片890而獲得之一半導體封裝體1070之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖101中，藉由相同元件符號表示對應於圖83之部分之部分，且將適當省略對圖101中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1070中，在晶片890之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片890使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充一襯墊開口部分869。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜892圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜894。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分869時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1070時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之疏水膜894時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，
所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片890之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜868、891及893之功能防止濕氣侵入至晶片890之一光電二極體862之表面中，所以可防止該晶片890之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片890之光電二極體862之表面中，所以亦可防止該晶片890之品質劣化。
圖102係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖84中所繪示之晶片900而獲得之一半導體封裝體1080之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖102中，藉由相同元件符號表示對應於圖84之部分之部分，且將適當省略對圖102中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1080中，在晶片900之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片900使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分869、一凹槽901-1、一凹槽901-2及一凹槽904。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分869、該凹槽901-1、該凹槽901-2及該凹槽904時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1080時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可
改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片900之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之微透鏡鈍化膜868、902及905之功能防止濕氣侵入至晶片900之一光電二極體862之表面中，所以防止該晶片900之品質劣化。
因為在襯墊開口部分869及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分869及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分869及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖103係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖85中所繪示之晶片910而獲得之一半導體封裝體1090之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖103中，藉由相同元件符號表示對應於圖85之部分之部分，
且將適當省略對圖103中之該等部分的一描述。
在該半導體封裝體1090中，在晶片910之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片910使其免受一外部環境的影響。
用密封樹脂931填充襯墊開口部分913。換言之，用密封樹脂931填充藉由形成於多孔壁部分中的一疏水膜914圍繞之內部。此外，亦使用密封樹脂931覆蓋形成於側壁部分中之一疏水膜916。
在用密封樹脂931填充襯墊開口部分913時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1090時，可預期填充有密封樹脂931之該部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
在使用密封樹脂931填充形成於側壁部分中之疏水膜916及一微透鏡層911時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片910之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜912及915之功能防止濕氣侵入至晶片910之一光電二極體862之表面中，所以可防止該晶片910之品質劣化。
此外，因為在其中形成襯墊開口部分之部分及晶片邊緣中存在經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣或類似者更有可能侵入至其中形成襯墊開口部分之該部分及該晶片邊緣中。在疏水膜以及鈍化膜形成於該等部分中以覆蓋該經堆疊膜界面時，即使當濕氣侵入至密封樹脂931中時，因為防止濕氣侵入至晶片910之光電二極體862之表面中，所以亦可防止該晶片910之品質劣化。
圖104係示意性地繪示藉由憑藉CSP技術封裝圖86中所繪示之晶片920而獲得之一半導體封裝體1100之一例示性組態的一橫截面視圖。在圖104中，藉由相同元件符號表示對應於圖86之部分之部分，且將適當省略對圖104中之該等部分的一描述。
在半導體封裝體1100中，在晶片920之表面上形成透明密封樹脂931，且在該密封樹脂931上堆疊一玻璃基板932。因此，保護晶片920使其免受一外部環境的影響。
此外，亦用密封樹脂931填充一襯墊開口部分913及一凹槽921。而且，亦用密封樹脂931填充一刻劃區域A3之晶片邊緣。
在用密封樹脂931填充該襯墊開口部分913及該凹槽921時，舉例而言，當施加外力至半導體封裝體1100時，可預期填充有密封樹脂931之該等部分承接一減震器，且因此可改良對於外部壓力或類似者的容限。
此外，在刻劃區域A3亦使用密封樹脂931填充時，可減輕在切割時施加至一膜界面之力，且可降低在切割時將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。此外，因為膜剝離或一龜裂並未發生，所以可改良晶片之防濕效能。
此外，當濕氣侵入至密封樹脂931中時，包含於該密封樹脂931中之一黏著劑之一組分有可能融化至該侵入之濕氣中，且因此晶片920之品質可能劣化。然而，因為藉由如上所述之鈍化膜912及922之功能防止濕氣侵入至晶片920之一光電二極體862之表面中，所以防止該晶片920之品質劣化。
因為在襯墊開口部分913及晶片邊緣上存在一經堆疊膜界面，所以與晶片之表面相比濕氣更有可能侵入至該襯墊開口部分913及該晶片邊緣中。在凹槽及疏水膜形成於襯墊開口部分913及晶片邊緣中且使用疏水膜覆蓋經堆疊膜界面時，可防止濕氣或雜質侵入至晶片中。
此外，在疏水膜形成於側壁部分(刻劃區域A3)中時，可預期減輕在切割時施加至各膜界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
此外，即使當膜剝離或一龜裂發生時，由於形成凹槽，所以亦可藉由該凹槽防止膜剝離或一龜裂的發生，且可防止一襯墊區域A2受影響。
可降低將發生膜剝離或一龜裂的一可能性且即使當膜剝離或一龜裂發生時亦可減小影響，且因此可進一步改良晶片之防濕效能。
圖105繪示根據一第八實施例之一晶片之一組態。圖105繪示類似於圖2包含複數個晶片(在圖105中為3個晶片)且尚未被切割之一晶圓。
此處，定位於中心處之一晶片係稱為一「晶片1300-1」，定位於左側之一晶片係稱為一「晶片1300-2」且定位於右側之一晶片係稱為一「晶片1300-3」。在以下描述中，當該等晶片1300-1至1300-3不需要彼此區分時，該等晶片簡稱為一「晶片1300」。
各晶片1300具有與上文參考圖2及圖3所描述之晶片70相同之組態。換言之，晶片1300經組態使得一互連層72係配置於一支撐基板71上，且一矽基板73係配置於該互連層72上。在該矽基板73中，以特定間隔形成用作像素之光電轉換單元之複數個光電二極體74(光學元件)。
平坦化膜75係形成於矽基板73上，且用於防止光洩漏至一相鄰像素中之一光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中對應於相鄰光電二極體74之間的一位置。一彩色濾光器層77係形成於該平坦化膜75上。一平坦化膜78係形成於該彩色濾光器層77上。一微透鏡層79係形成於該平坦化膜78上。一防護玻璃罩81係透過一黏著層80接合至該微透鏡層
79上。
用於與一外部電路連接之一抗焊劑1312及一連接終端1313係形成於支撐基板71下面。此外，形成諸如矽穿孔(TSV)之一貫通電極，但在圖105中省略對其之圖解說明。
在圖105中所繪示之晶圓中，一凹槽1311係形成於晶片1300之間。凹槽1311-1係形成於晶片1300-1與晶片1300-2之間，且凹槽1311-2係形成於晶片1300-1與晶片1300-3之間。
在晶片1300-1與晶片1300-2之間存在一刻劃區段91-1，且凹槽1311-1係形成於該刻劃區段91-1中。類似地，在晶片1300-1與晶片1300-3之間存在一刻劃區段91-2，且凹槽1311-2係形成於該刻劃區段91-2中。
在圖105中所繪示之晶片1300中，凹槽1311經形成使得防護玻璃罩81、黏著層80、微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71被挖空。
凹槽1311係用由相同於黏著層80之材料形成的一黏著層1314填充。當樹脂用作黏著層80之一黏著劑時，凹槽1311亦用樹脂填充。
從黏著層80延伸之黏著層1314-1係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽1311-1之晶片1300-1側部及晶片1300-2側處之側面上。
從黏著層80延伸之黏著層1314-2係形成於微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71在凹槽1311-2之晶片1300-1側及晶片1300-3側處之側面上。如上所述，當黏著層80係在水平方向上形成時，黏著層1314係在垂直方向上形成。
當沿著刻劃區段91切割其中在晶片1300之間形成凹槽1311之晶圓時，切下圖106中所繪示之晶片1300-1。在圖106中所繪示之晶片
1300-1中，微透鏡層79、平坦化膜78、彩色濾光器層77、平坦化膜75、矽基板73、互連層72及支撐基板71之橫截面係使用其中堆疊黏著層1314之膜覆蓋且因此並不曝露於表面上。
如上所述，經切割晶片1300-1具有如下結構，其中晶片1300-1之堆疊層係使用形成於凹槽1311-1’(在切割之後增加一劃至該凹槽以與圖105中所繪示之在切割之前的凹槽1311-1區分)中之黏著層1314-1覆蓋。
此外，經切割晶片1300-1具有如下結構，其中晶片1300-1之堆疊層係使用形成於凹槽1311-2’中之黏著層1314-2覆蓋。
如上所述，晶片1300-1之兩端係使用黏著層1314覆蓋。因此，可防止濕氣從該晶片1300-1之側侵入至該晶片1300-1中。
此外，抗焊劑1312-1係形成於晶片1300-1下面，且因此可防止濕氣從底部侵入至該晶片1300-1中。可使用氧化物膜來代替該抗焊劑1312-1，或氧化物膜可進一步堆疊於該抗焊劑1312-1上。
因為如上所述經切割晶片1300-1經組態使得凹槽1311-1’及凹槽1311-2’保留，所以在切割之前在晶片1300之間的凹槽1311-1及凹槽1311-2之一寬度係較佳大於在切割程序中所使用之一刀片的一寬度。
在如上所述形成凹槽1311且在該凹槽1311中形成黏著層1314時，可進一步改良防濕效能。
將描述製造具有此一凹槽之一晶片(晶圓)之一程序。圖107係用於描述製造在切割之前的一晶片之一程序的一圖式。
參考圖107描述之製程將集中於製造用作本發明技術之特性組件之一者的一凹槽，且一相關技術之一製造方法可應用於製造其他部分(諸如形成若干層)，且因此將適當省略對該製程之一描述。
在步驟S1311中，製備其中形成一光電二極體74及類似者之一半
導體晶圓。該半導體晶圓經組態使得一支撐基板71、一互連層72、一矽基板73、一平坦化膜75、一彩色濾光器層77、一平坦化膜78及一微透鏡層79經堆疊，該光電二極體74係形成於該矽基板73中，且光屏蔽膜76係形成於該平坦化膜75中。
在步驟S1311中，一凹槽1311-1及一凹槽1311-2係形成於半導體晶圓中。如上所述凹槽1311係形成於刻劃區段91中。例如，藉由在圖案化之後執行乾式蝕刻來形成凹槽1311。替代性地，可藉由濕式蝕刻或與切割相同之一技術來形成凹槽1311。
所形成凹槽1311經形成以具有大於在切割程序中所使用之一刀片之一寬度的一寬度w'。此外，當在一隨後程序中將支撐基板71薄化時，該經形成凹槽1311具有曝露填充凹槽1311之黏著層1314之一深度h'。
在步驟S1312中，形成一黏著層80。當形成黏著層80時，亦用與用於形成該黏著層80之一材料(例如，樹脂)相同的材料填充凹槽1311。填充該凹槽1311之該材料係黏著層1314。使用諸如一塗佈技術或一層壓技術的一技術形成黏著層80。
在步驟S1313中，將半導體晶圓接合至防護玻璃罩81。當執行接合時，為防止氣泡進入至接合表面中，較佳使用一真空接合機器。此外，因為該接合係以一晶圓級執行，所以無大影響且並不影響稍後將描述之一晶片尺寸封裝(CSP)程序。
在步驟S1314中，將支撐基板71薄化。執行該支撐基板71之薄化直至黏著層1314之底部部分(該黏著層1314之凸部分之一前端)使得該支撐基板71之底面係在與該黏著層1314之底面相同的平面上。
在步驟S1315中，執行一CSP程序。為敞開形成於半導體晶圓表面中的一多層互連件(並未繪示)之一互連部分，藉由蝕刻形成一穿孔，形成諸如氧化矽膜之一絕緣膜，蝕刻及敞開該穿孔中之該絕緣
膜，舉例而言，藉由Cu電鍍在該穿孔中形成一貫通電極且在相對於半導體晶圓之一半透明基板之一側的一表面(一背面)上形成一互連件。
在步驟S1316中，沿著刻劃區段91執行切割，且因此切割晶片。
在如上所述形成凹槽1311且在該凹槽1311中形成黏著層1314時，可進一步改良防濕效能。
此外，在形成凹槽1311，在該凹槽1311中堆疊黏著層1314且沿著該黏著層1314執行切割時，可減輕在切割時施加至膜之間的一界面之力，且可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性。
因為可降低將發生膜剝離或一龜裂之一可能性，所以可進一步改良晶片之防濕效能。
上文已描述其中將本發明技術應用於CMOS影像感測器之實例，但舉例而言，本發明技術可甚至應用於其他類型的固態成像裝置，諸如CCD影像感測器。
此外，上文已描述其中由SiN形成鈍化膜及微透鏡鈍化膜之實例，亦可使用滿足要求(諸如電特性、光學特性及耐久性)且具有一防水性質之其他透明材料。
此外，即使當藉由除CSP以外之一方法封裝一晶片時亦可應用本發明技術。
一晶片可經組態使得組合第一實施例至第七實施例。
本發明技術並不限於對成像裝置之應用，且可應用於其中將一成像裝置用作一影像獲取單元(一光電轉換單元)之一般電子裝置，諸如成像裝置，諸如數位靜態相機或視訊攝影機、具有一成像功能之行動終端裝置(諸如行動電話)及其中將一成像裝置用作一影像讀取單元之影印機。此外，存在其中將安裝於一電子裝置中之一類模組組態
(即，一相機模組)用作一成像裝置的情況。
圖105係繪示用作本發明技術之一例示性電子裝置之一成像裝置之一例示性組態的一方塊圖。本發明技術之一成像裝置2000包含：包含一透鏡群組2001之一光學單元、一固態影像感測器2002、用作一相機信號處理單元之一數位信號處理(DSP)電路2003、一圖框記憶體2004、一顯示單元2005、一記錄單元2006、一操作單元2007及一電源單元2008以及類似者，如圖105中所繪示。
DSP電路2003、圖框記憶體2004、顯示單元2005、記錄單元2006、操作單元2007及電源單元2008係經由一匯流排線2009彼此連接。
透鏡群組2001從一主體接收入射光(影像光)且在固態影像感測器2002之一成像平面上形成一影像。該固態影像感測器2002將藉由透鏡群組2001形成於該成像平面上之入射光之一光量轉換成像素單元中的一電信號，且輸出該電信號作為一像素信號。根據以上實施例之任一者的影像感測器可用作固態影像感測器2002。
顯示單元2005包含一面板型顯示裝置，諸如一液晶顯示(LCD)裝置或一有機電子發光(EL)顯示裝置，且顯示藉由固態影像感測器2002成像之一移動影像或一靜止影像。記錄單元2006將藉由固態影像感測器2002成像之該移動影像或該靜止影像記錄於一記錄媒體(諸如一數位多功能磁碟(DVD))上。
操作單元2007根據由使用者執行之一操作發佈關於本成像裝置之各種功能的一操作命令。電源單元2008將用作DSP電路2003、圖框記憶體2004、顯示單元2005、記錄單元2006及操作單元2007之操作電力的各種電力適當地供應至供應目標。
成像裝置2000係應用於針對視訊攝影機、數位靜態相機之相機模組及諸如行動電話之行動裝置。在成像裝置2000中，根據以上實施
例之任一者之固態影像感測器可用作固態影像感測器2002。
本說明書中所描述之效果僅為實例且並非限制性，且可獲得任何其他效果。
此外，本發明技術之一實施例並不限於上文實施例，且可在不脫離本發明技術之要旨的範疇內作出各種改變。
本發明技術可具有以下組態。
(1)一種影像感測器，其包含：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
(2)如以上任一項之影像感測器，其中該凹槽具有大於一刻劃刀片寬度之一寬度。
(3)如以上任一項之影像感測器，其中該凹槽包含該光電二極體層之一部分使得該光電二極體層之該部分被挖空。
(4)如以上任一項之影像感測器，其中該凹槽包含該基板之一部分使得該基板之該部分被挖空。
(5)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該凹槽中之一鈍化膜。
(6)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該光電二極體層上方之一微透鏡層，其中該鈍化膜係形成於該微透鏡層上。
(7)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該透明樹脂層中之一肋。
(8)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該凹槽及該肋中之一鈍化膜。
(9)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含一第一貫通電極及一第二貫通電極，其中該第一貫通電極及該第二貫通電極各具有一側壁保護部分，且其中該凹槽包含該等側壁保護部分之至少一部分。
(10)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含填充該凹槽之該第二貫通電極之一材料。
(11)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含：一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；一透明部件，其形成於該透明樹脂層上；一防濕膜，其形成於該凹槽中；其中該凹槽包含該透明部件層之一經挖空部分。
(12)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含：一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；及一透明部件，其形成於該透明樹脂層上；其中該凹槽延伸至該基板之一底面，該透明部件覆蓋該凹槽之一側面，且該透明樹脂層係形成於該透明部件與該基板之一側面之間。
(13)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該凹槽中之一疏水膜。
(14)一種影像感測器，其包含：經堆疊之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；一肋，其形成於該透明樹脂層中；及一防濕膜，其形成於該肋之一底面與該透明樹脂之間。
(15)如以上任一項之影像感測器，其進一步包含形成於該透明樹脂層上之一透明部件，其中該防濕膜係形成於該透明部件與該透明樹脂層之間。
(16)如以上任一項之影像感測器，其中該防濕膜包含經堆疊之具有不同折射率之複數個膜。
(17)如以上任一項之影像感測器，其中該肋係吸收特定光之一材料。
(18)一種成像裝置，其包含一影像感測器及支援電路，該影像感測器包含：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
(19)如以上任一項之成像裝置，其中該凹槽具有大於一刻劃刀片寬度之一寬度。
(20)一種方法，其包含：形成堆疊於一基板上之複數個層，該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；在該複數個層中之至少一層中形成一凹槽，該凹槽經形成使得該至少一層被挖空；及在該光電二極體層上方及該凹槽中形成一透明樹脂層。
熟習此項技術者應理解，各種修改、組合、子組合及替代可取決於設計要求及其他因素而發生，只要該等修改、組合、子組合及替代係在隨附申請專利範圍或其等之等效物之範疇內。
73‧‧‧矽基板
74‧‧‧光電二極體
75‧‧‧平坦化膜
76‧‧‧光屏蔽膜
77‧‧‧彩色濾光器層
78‧‧‧平坦化膜
79‧‧‧微透鏡層
80‧‧‧黏著層
81‧‧‧防護玻璃罩
100-1‧‧‧晶片
100-2‧‧‧晶片
100-3‧‧‧晶片
101-1‧‧‧凹槽
101-2‧‧‧凹槽
Claims (20)
- 一種影像感測器，其包括：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
- 如請求項1之影像感測器，其中該凹槽具有大於一刻劃刀片寬度之一寬度。
- 如請求項1之影像感測器，其中該凹槽包含該光電二極體層之一部分使得該光電二極體層之該部分被挖空。
- 如請求項1之影像感測器，其中該凹槽包含該基板之一部分使得該基板之該部分被挖空。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括形成於該凹槽中之一鈍化膜。
- 如請求項5之影像感測器，其進一步包括形成於該光電二極體層上方之一微透鏡層，其中該鈍化膜係形成於該微透鏡層上。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括形成於該透明樹脂層中之一肋。
- 如請求項7之影像感測器，其進一步包括形成於該凹槽及該肋中之一鈍化膜。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括一第一貫通電極及一第 二貫通電極，其中該第一貫通電極及該第二貫通電極各具有一側壁保護部分，且其中該凹槽包含該等側壁保護部分之至少一部分。
- 如請求項9之影像感測器，其進一步包括填充該凹槽之該第二貫通電極之一材料。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括：一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；一透明部件，其形成於該透明樹脂層上；一防濕膜，其形成於該凹槽中；其中該凹槽包含該透明部件層之一經挖空部分。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括：一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；及一透明部件，其形成於該透明樹脂層上；其中該凹槽延伸至該基板之一底面，該透明部件覆蓋該凹槽之一側面，且該透明樹脂層係形成於該透明部件與該基板之一側面之間。
- 如請求項1之影像感測器，其進一步包括形成於該凹槽中之一疏水膜。
- 一種影像感測器，其包括：經堆疊之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方；一肋，其形成於該透明樹脂層中；及一防潮膜，其形成於該肋之一底面與該透明樹脂之間。
- 如請求項14之影像感測器，其進一步包括形成於該透明樹脂層 上之一透明部件，其中該防潮膜係形成於該透明部件與該透明樹脂層之間。
- 如請求項14之影像感測器，其中該防潮膜包含經堆疊之具有不同折射率之複數個膜。
- 如請求項14之影像感測器，其中該肋係吸收特定光之一材料。
- 一種成像裝置，其包含一影像感測器及支援電路，該影像感測器包括：一基板；堆疊於該基板上之複數個層；該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；該複數個層包含具有一凹槽之至少一層，該凹槽經形成使得該至少一層之一部分被挖空；及一透明樹脂層，其形成於該光電二極體層上方且形成於該凹槽中。
- 如請求項18之成像裝置，其中該凹槽具有大於一刻劃刀片寬度之一寬度。
- 一種方法，其包括：形成堆疊於一基板上之複數個層，該複數個層包含一光電二極體層，該光電二極體層具有形成於該光電二極體層之一表面上的複數個光電二極體；在該複數個層中之至少一層中形成一凹槽，該凹槽經形成使得該至少一層被挖空；及在該光電二極體層上方及該凹槽中形成一透明樹脂層。
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