CN110246859B - 一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先，提供玻璃载板和影像传感器晶圆，并将二者键合在一起；在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽；在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层；制作金属线路层完成电性连接；在所述金属线路层上制作阻焊层；在所述阻焊层上开口，并在开口中制作凸点或印刷焊球，最后切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。

Description

一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构
技术领域
本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构。
背景技术
随着自动驾驶和物联网的发展，影像传感器在车载和安防等领域的应用越来越多；这些应用由于涉及安全问题，其对可靠性的要求也通常比较高。
传统的如专利CN105244359B公开的带有空腔结构的影像传感器晶圆级封装技术，越来越不能满足现在车载和安防对可靠性的要求。另外，从性能方面考虑，当前影像器件晶圆流片工艺水平不断提高，单颗芯片的像素点也在逐步增加，感光面积占芯片面积比重越来越高，因此也没有足够空间制作围堰从而形成空腔结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构，以提高封装结构抗高温高湿的可靠性能力，解决可靠性中容易出现的键合分层问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，包括如下步骤：
提供玻璃载板和影像传感器晶圆，并将二者键合在一起；
在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽；
在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层；
制作金属线路层完成电性连接；
在所述金属线路层上制作阻焊层；
在所述阻焊层上开口，并在开口中制作凸点或印刷焊球，最后切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。
可选的，所述玻璃载板包括玻璃基板和所述玻璃基板上旋涂的键合层；
所述影像传感器晶圆包括硅基板和形成在所述硅基板上的影像传感器晶圆功能层、金属焊垫层和微透镜。
可选的，在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽包括：
从影像传感器晶圆的背部减薄至目标厚度；
通过光刻、干法刻蚀制作TSV通孔，所述TSV通孔达到金属焊垫层；
使用激光将影像传感器晶圆功能层划开，形成预切槽。
可选的，所述TSV通孔为角度50°~70°二阶斜孔，包括第一阶平台和第二阶平台。
可选的，通过如下方法在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层：
通过喷涂分两步进行钝化，第一步钝化在所述第二阶平台处保留5-50微米，第二步钝化完全覆盖所述第二阶平台所在平面。
可选的，所述玻璃基板的厚度为50~500μm，且两面都镀有防反射层。
可选的，所述键合层的厚度不小于1μm，透光率不低于99%。。
可选的，所述金属线路层通过物理气相沉积、电镀和化镀方法制作。
可选的，所述阻焊层采用旋涂或丝网印胶工艺制作，其厚度不小于1μm。
本发明还提供了一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构，通过上述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法制备而成。
本发明具体以下有益效果：
本发明提出利用高透光率键合层，形成无空腔封装结构，大大增强封装芯片抗高温高湿可靠性，解决可靠性中容易出现的键合分层问题。同时，通过两步钝化法，一方面可以减小封装体钝化胶体积，另一方面在TSV通孔的第二阶平台表面形成凸起，降低了芯片表面钝化层厚度，提高阻焊层在旋涂时候的厚度均一性，能够增强封装体的抗冷热冲击可靠性能力。最后，使用激光划预切槽方式，避免机械切割导致的芯片功能层low-k材料破裂和微裂纹扩展，增强封装可靠性。本发明的封装工艺简单，成本低，封装效率和良率高，适合大规模量产使用。
附图说明
图1是本发明提供的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法的流程示意图；
图2是玻璃载板的结构示意图；
图3是影像传感器晶圆的结构示意图；
图4是玻璃载板和影像传感器晶圆键合在一起的示意图；
图5是制作TSV通孔和预切槽的示意图；
图6是喷涂第一钝化层的示意图；
图7是喷涂第二钝化层的示意图；
图8是制作金属线路层的示意图；
图9是制作阻焊层的示意图；
图10是最终形成的单颗封装芯片的示意图；
图11是TSV通孔中第二阶平台的放大示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法及结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
本发明提供了一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其流程示意图如图1所示。所述高可靠性影像传感器晶圆级封装方法包括如下步骤：
步骤S11、提供玻璃载板和影像传感器晶圆，并将二者键合在一起；
步骤S12、在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽；
步骤S13、在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层；
步骤S14、制作金属线路层完成电性连接；
步骤S15、在所述金属线路层上制作阻焊层；
步骤S16、在所述阻焊层上开口，并在开口中制作凸点或印刷焊球，最后切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。
具体的，提供玻璃载板和影像传感器晶圆。具体的，所述玻璃载板如图2所示，包括玻璃基板302和所述玻璃基板302上旋涂的键合层301；进一步的，所述玻璃基板302的厚度为50~500μm，且两面都镀有防反射层；所述键合层301为高透光率键合层，厚度不小于1μm，透光率不低于99%。所述影像传感器晶圆如图3所示，包括硅基板105和形成在所述硅基板105上的影像传感器晶圆功能层107、金属焊垫层108和微透镜109。如图2所示的玻璃载板和如图3所示的影像传感器晶圆键合在一起，如图4所示。
通过研磨、干法刻蚀等方法从影像传感器晶圆的背部，即所述硅基板105减薄至目标厚度；然后通过光刻、干法刻蚀制作TSV通孔110，使用激光将影像传感器晶圆功能层107划开，形成预切槽111，如图5所示。制作的所述TSV通孔110到达所述金属焊垫层108；所述TSV通孔110优选角度为50~70°二阶斜孔，包括第一阶平台201和第二阶平台202。
接着请参阅图6和图7，通过喷涂分两步进行钝化，第一步钝化形成第一钝化层101覆盖所述第一阶平台201，且在所述第二阶平台202处保留5-50微米，第二步钝化形成第二钝化层102完全覆盖所述第一阶平台201和所述第二阶平台202所在平面。
请参阅图8，通过物理气相沉积、电镀和化镀方法制作金属线路层103完成电性连接，之后采用旋涂或丝网印胶工艺制作阻焊层104，其厚度不小于1um，如图9所示。
最后在所述阻焊层104上开口，并在开口中制作凸点或印刷焊球106，最后切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片，如图10所示。
本发明提出利用高透光率键合层，形成无空腔封装结构，大大增强封装芯片抗高温高湿可靠性。同时，通过两步钝化法，一方面可以减小封装体钝化胶体积，另一方面在TSV通孔的第二阶平台表面形成凸起，降低芯片表面钝化层厚度，提高阻焊层在旋涂时候的厚度均一性，如图11所示，能够增强封装体的抗冷热冲击可靠性能力。最后，使用激光划预切槽方式，避免机械切割导致的芯片功能层low-k材料破裂和微裂纹扩展，增强封装可靠性。
实施例二
通过上述方法制备出的高可靠性影像传感器晶圆级封装结构，如图10所示。所述高可靠性影像传感器晶圆级封装结构包括影像传感器晶圆和玻璃载板，所述影像传感器晶圆包括硅基板105和形成在所述硅基板105上的影像传感器晶圆功能层107、金属焊垫层108和微透镜109。所述玻璃载板包括玻璃基板302，所述玻璃基板302通过键合层301与所述影像传感器晶圆键合在一起。优选的，所述玻璃基板302的厚度为50~500μm，且两面都镀有防反射层。所述键合层301的厚度不小于1μm，透光率不低于99%。
进一步的，所述所述影像传感器晶圆的背面制作有TSV通孔110，所述影像传感器晶圆的背面和所述TSV通孔110中依次形成有第一钝化层101、第二钝化层102、金属线路层103和阻焊层104；更进一步的，所述组焊层104上形成有开口，所述开口中制作有凸点或印刷焊球106。其中，所述金属线路层103通过物理气相沉积、电镀和化镀方法制作；所述阻焊层104采用旋涂或丝网印胶工艺制作，其厚度不小于1μm。
具体的，请继续参阅图1，所述TSV通孔110为角度50°~70°二阶斜孔，包括第一阶平台201和第二阶平台202。所述第一钝化层101覆盖所述第一阶平台201，并在所述第二阶平台202处保留5-50微米；所述第二钝化层102完全覆盖所述第二阶平台202所在平面。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (8)

1.一种高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供玻璃载板和影像传感器晶圆，并将二者键合在一起；
在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽；
在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层；
制作金属线路层完成电性连接；
在所述金属线路层上制作阻焊层；
在所述阻焊层上开口，并在开口中制作凸点或印刷焊球，最后切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片；
所述TSV通孔为角度50°~70°二阶斜孔，包括第一阶平台和第二阶平台；
通过如下方法在所述影像传感器晶圆背面和TSV通孔处依次形成第一钝化层和第二钝化层：通过喷涂分两步进行钝化，第一步钝化在所述第二阶平台处保留5-50微米，第二步钝化完全覆盖所述第二阶平台所在平面。
2.如权利要求1所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，
所述玻璃载板包括玻璃基板和所述玻璃基板上旋涂的键合层；
所述影像传感器晶圆包括硅基板和形成在所述硅基板上的影像传感器晶圆功能层、金属焊垫层和微透镜。
3.如权利要求2所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，在所述影像传感器晶圆背面制作TSV通孔和预切槽包括：
从影像传感器晶圆的背部减薄至目标厚度；
通过光刻、干法刻蚀制作TSV通孔，所述TSV通孔达到金属焊垫层；
使用激光将影像传感器晶圆功能层划开，形成预切槽。
4.如权利要求2所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，所述玻璃基板的厚度为50~500μm，且两面都镀有防反射层。
5.如权利要求2所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，所述键合层的厚度不小于1μm，透光率不低于99%。
6.如权利要求1所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，所述金属线路层通过物理气相沉积、电镀和化镀方法制作。
7.如权利要求1所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法，其特征在于，所述阻焊层采用旋涂或丝网印胶工艺制作，其厚度不小于1μm。
8.一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构，其特征在于，通过如权利要求1-7任一所述的高可靠性影像传感器晶圆级封装方法制备而成。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103855173A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构
CN104505393A (zh) * 2014-09-16 2015-04-08 华天科技（昆山）电子有限公司 背照式影像传感器三维堆叠封装结构及封装工艺
CN107248505A (zh) * 2017-06-30 2017-10-13 苏州科阳光电科技有限公司 一种生物识别芯片的封装结构及封装方法
CN108336104A (zh) * 2014-01-27 2018-07-27 索尼公司 具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法
CN105244359B (zh) * 2015-10-28 2019-02-26 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感芯片封装结构及封装方法
CN210040201U (zh) * 2019-07-11 2020-02-07 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738653B1 (ko) * 2005-09-02 2007-07-11 한국과학기술원 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103855173A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构
CN108336104A (zh) * 2014-01-27 2018-07-27 索尼公司 具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法
CN104505393A (zh) * 2014-09-16 2015-04-08 华天科技（昆山）电子有限公司 背照式影像传感器三维堆叠封装结构及封装工艺
CN105244359B (zh) * 2015-10-28 2019-02-26 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感芯片封装结构及封装方法
CN107248505A (zh) * 2017-06-30 2017-10-13 苏州科阳光电科技有限公司 一种生物识别芯片的封装结构及封装方法
CN210040201U (zh) * 2019-07-11 2020-02-07 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
给图像传感器封装瘦身;Sally Cole Johnson;;集成电路应用;20070405(第04期);全文 *

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