CN108227050B - 光学芯片及其制造方法 - Google Patents
光学芯片及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108227050B CN108227050B CN201611159257.7A CN201611159257A CN108227050B CN 108227050 B CN108227050 B CN 108227050B CN 201611159257 A CN201611159257 A CN 201611159257A CN 108227050 B CN108227050 B CN 108227050B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lens
- optical chip
- pixels
- optical
- lenses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 39
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 8
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
一种光学芯片的制造方法，包括下列步骤。提供晶圆，所述晶圆包括多个光学芯片，其中每一光学芯片包括多个像素，且每一像素包括一透镜。形成透镜保护层在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上。切割所述晶圆以使所述光学芯片分离。将分离的所述光学芯片配置在一衬底上。将所述透镜保护层自所述光学芯片的所述像素的所述透镜上移除。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学芯片及其制造方法。具体来说，本发明涉及一种在制造过程中设置透镜保护层的光学芯片及其制造方法。
背景技术
在光学芯片例如感光芯片的制造过程中，用来聚光的透镜常常会因为不可避免的因素而受到污染。受污染的透镜会产生缺陷例如微粒缺陷甚至受损，因此不仅会影响到透镜的光学效果，严重时更可能会造成光学芯片无法正常运作而影响良率。
发明内容
在一方面中，一种光学芯片的制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个光学芯片，其中每一光学芯片包括多个像素，且每一像素包括一透镜；形成透镜保护层在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上；切割所述晶圆以使所述光学芯片分离；将分离的所述光学芯片配置在一衬底上；以及将所述透镜保护层自所述光学芯片的所述像素的所述透镜上移除。
在另一方面中，一种光学芯片，包括多个像素及多个透镜保护层。每一所述像素包括一光学构件，以及一透镜设置在所述光学构件上。所述透镜保护层分别设置在所述透镜上。
附图说明
依据结合附图阅读的以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据业内标准惯例，各种结构并非是按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意地增加或减小各种结构的尺寸。
图1至图11是根据本发明一些实施例的光学构件的制造方法的示意图。
贯穿所述图式及具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似构件。本发明的实施例将从结合随附图式的以下具体实施方式更显而易见。
具体实施方式
空间描述，例如“上面”、“下面”、“向上”、“左侧”、“右侧”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧部”、“高于”、“下部”、“上部”、“上方”、“下方”等相对于图中所展示的定向而指示，除非另外规定。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此布置而有偏差。
如本文中所使用，例如“第一”及“第二”等术语描述各种构件、组件、区域、层及/或区段，但这些构件、组件、区域、层及/或区段不应受这些术语限制。这些术语可仅用于将一个构件、组件、区域、层或区段与另一构件、组件、区域、层或区段区分开。除非上下文另有清晰指示，否则例如“第一”及“第二”等术语当在本文中使用时并不暗示存在顺序或次序。
本发明实施例提供一种光学芯片的制造方法，透过在晶圆上先形成覆盖光学芯片的透镜的透镜保护层的作法，可以有效的保护光学芯片的透镜，以避免透镜在进行后续制造工艺时受损或受到污染而产生缺陷，进而提高光学芯片的良率。在一些实施例中，可以在制造工艺完成后将透镜保护层自透镜上移除。在另一些实施例中，可以在制造工艺完成后将透镜保护层保留在透镜上。
图1至图11是根据本发明一些实施例的光学构件的制造方法的示意图。参考图1，提供一晶圆10。晶圆10包括多个光学芯片12，其中每一光学芯片12包括多个像素14，且每一像素14包括一或多个透镜20。在一些实施例中，晶圆10可包括半导体晶圆例如硅晶圆，但不以此为限。在一些实施例中，每一所述像素14包括一或多个光学构件16，且透镜20设置在光学构件16上。在一些实施例中，光学构件16可包括感光构件例如互补式金属氧化物半导体影像感测(CMOS image sensor,CIS)芯片、电荷耦合(CCD)影像感测构件、感光二极管(photodiode)或其它类型的感光构件。在另一些实施例中，光学构件16可包括发光构件例如发光二极管(LED)芯片或其它类型的发光构件。在一些实施例中，光学芯片12还可包括彩色滤光片18，设置在光学构件16与透镜20之间。举例而言，彩色滤光片18可包括红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片及其它颜色的滤光片。
接着，形成一透镜保护层22在光学芯片12的像素14的透镜20上。在一些实施例中，在形成透镜保护层22之前，可以先对透镜20进行清洗工艺，例如利用去离子水或化学溶剂，以去除透镜20表面的微粒并增加透镜保护层22与透镜20的附着力。在一些实施例中，形成透镜保护层22在透镜20上的方法可以如下文所揭示。
参考图2，在光学芯片12的像素14的透镜20上形成亲水性液态保护材料。在一些实施例中，亲水性液态保护材料可以选用在室温下具有水溶性且在通过加热后可转变成疏水性的材料，以使得透镜20不易在形成透镜保护层22的过程中受损，且形成的透镜保护层22不易有水份残留的问题。在一些实施例中，亲水性液态保护材料可具有如下式(1)的化学结构：
其中
R1是亲水性基团(hydrophilic group)；
R2及R3是彼此可以聚合的基团(polymerization group)；及
C是裂解基团(cleavage group)。
举例而言，亲水性液态保护材料可以包括但不限制是聚氨酯(polyurethane)及乙二醇异丙醚(2-Isopropoxyethanol)的混合液体。在一些实施例中，聚氨酯的重量百分比约介在60％至80％之间，乙二醇异丙醚的重量百分比约介在10％至30％之间，且聚氨酯及乙二醇异丙醚的重量百分比和小于或等于100％。在一些实施例中，亲水性液态保护材料还可以包括适合的添加剂。在一些实施例中，亲水性液态保护材料是在约摄氏20度至约摄氏30度的温度范围内形成在光学芯片12的像素14的透镜20上，但不以此为限。在一些实施例中，形成亲水性液态保护材料的工艺可以包括旋涂(spin coating)工艺、喷淋(spraycoating)工艺、浸泡(dipping)工艺或其它适合的工艺。举例而言，可使用亲水性液态保护材料，在一定的每分钟转速(RPM)的范围内进行一定时间的旋涂工艺，以在晶圆10上形成亲水性液态保护材料。
在一些实施例中，式(1)的亲水性液态保护材料在加热后R2基团及R3基团可以产生聚合反应而形成如式(2)的聚合物，其中n是聚合度。
参考图3，对亲水性液态保护材料进行烘烤工艺24以使亲水性液态保护材料聚合而形成透镜保护层22。在一些实施例中，烘烤工艺24的温度小于摄氏100度，在一实施例中约摄氏100度至约摄氏150度之间，且烘烤工艺24的时间少于10分钟，在一实施例中约1分钟至约3分钟之间，但不以此为限。在一些实施例中，透镜保护层22的厚度小于10微米，一实施例中介在约0.5微米至约5微米之间，但不以此为限。在一些实施例中，透镜保护层22是透明保护层。在一些实施例中，透镜保护层22具有实质上平坦的表面，以利后续将透镜保护层22固定在载板上。在一些实施例中，透镜保护层22是保形(conformal)保护层，其实质上沿着透镜保护层22的轮廓形成。
参考图4，将透镜保护层22的表面固定在一第一载板26上。在一些实施例中，第一载板26包括胶带(tape)，或其它软质或硬质的载板。在一些实施例中，对晶圆10进行薄化(thinning)，自晶圆10的背面缩减晶圆10的厚度，如图5中所描绘。在一些实施例中，晶圆薄化的方法可包括利用磨削机台28进行磨削(grinding)工艺，但不以此为限。
参考图6，将晶圆10的背面固定在一第二载板30上。在一些实施例中，第二载板30包括胶带，或其它软质或硬质的载板。参考图7，将第一载板26自透镜保护层22的表面移除。参考图8，对晶圆10进行切割，以使多个光学芯片12分离。在一些实施例中，晶圆切割的方法可包括利用切割刀具32进行切割工艺，但不以此为限。
参考图9，将检测结果正常的光学芯片12自第二载板30上捡拾起来。在一些实施例中，可利用一夹具34将光学芯片12自第二载板30上捡拾起来。参考图10，接着将光学芯片12重置排列在一衬底36上。
在一些实施例中，透镜保护层22可以保留在光学芯片12的像素14的透镜20上。在一些实施例中，可将透镜保护层22自光学芯片12的像素14的透镜20移除，如图11中所描绘。在一些实施例中，将透镜保护层22自光学芯片12的像素14的透镜20上移除的步骤包括利用一化学清洗溶液将透镜保护层22移除。在一些实施例中，所述化学清洗溶液具有弱碱性。在一实施例中，利用化学清洗溶液将透镜保护层22移除的机制可以如下式(3)所示。
在一些实施例中，化学清洗溶液包括R4基团及R5基团，在弱碱性的条件上R4基团及R5基团容易具有电荷，其中带负电荷的R4基团会攻击透镜保护层22的裂解基团的羰基(carbonyl group)而与羰基结合，而透镜保护层22的带负电荷的氧原子则会与带正电荷R5基团结合。因此，透镜保护层22会被裂解成上式中的两个水溶性的产物，并可溶解在化学清洗溶液内而被移除。
在一些实施例中，所述化学清洗溶液包括二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide)、二乙二醇丁醚(diethylene glycol monobutyl ether)以及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物(polyoxyethylene polyoxypropylene polymer)的混合溶液。在一些实施例中，二甲基亚砜的重量百分比介在约60％至约80％之间、二乙二醇丁醚的重量百分比介在约10％至约30％之间、聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比介在约1％至约5％之间，且二甲基亚砜、二乙二醇丁醚及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比和小于或等于100％。在一些实施例中，化学清洗溶液还可以包括适合的添加剂。在一些实施例中，利用化学清洗溶液将透镜保护层22移除的步骤的温度在约摄氏20度至约摄氏30度之间，且移除时间少于300秒，在一实施例中约30秒至约120秒之间，但不以此为限。在一些实施例中，可以将化学清洗溶液喷淋在透镜保护层22上以去除透镜保护层22。在一些实施例中，可以将透镜保护层22浸泡在化学清洗溶液内以去除透镜保护层22。在一些实施例中，化学清洗溶液具有良好的湿润度(wettability)。在一些实施例中，在将透镜保护层22自光学芯片12的像素14的透镜20上移除的步骤之后，可以对晶圆10进行清洗工艺。
本发明实施例提供一种光学芯片的制造方法，透过在晶圆上先形成覆盖光学芯片的透镜的透镜保护层的作法，可以有效的保护光学芯片的透镜，以避免透镜在进行后续制造工艺时受损或受到污染而产生缺陷，进而提高光学芯片的良率。透镜保护层可使用在室温下是水溶性且加热后是疏水性的材料来制作。透镜保护层可以利用化学清洗溶液轻易移除，不会造成透镜受损。
如本文中所使用，术语“大约”、“基本上”、“基本的”及“约”用以描述及考虑小变化。当与事件或情形结合使用时，术语可指其中事件或情形明确发生的例子以及其中事件或情形极近似于发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指小于或等于数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或者小于或等于±0.05％的变化范围。
尽管已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神及范围的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。说明可不必按比例绘制。归因于制造过程及容限，本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书及图式视为说明性而非限制性的。可做出修改，以使具体情形、材料、物质组成、方法或过程适应于本发明的目标、精神及范围。所有此类修改意欲在此处随附的权利要求书的范围内。尽管已参考按具体次序执行的具体操作来描述本文中所揭示的方法，但应理解，在不脱离本发明的教示的情况下，可组合、再细分，或重新定序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特定地指示，否则操作的次序及分组并非本发明的限制。
Claims (18)
1.一种光学芯片的制造方法，包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括多个光学芯片，其中每一所述光学芯片包括多个像素，且每一所述像素包括一透镜；
形成一透镜保护层在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上，包括：
在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上形成一亲水性液态保护材料；以及
对所述亲水性液态保护材料进行一烘烤工艺以使所述亲水性液态保护材料聚合而形成所述透镜保护层，其中所述透镜保护层具有疏水性；
切割所述晶圆以使所述光学芯片分离；
将分离的所述光学芯片配置在一衬底上；以及
将所述透镜保护层自所述光学芯片的所述像素的所述透镜上移除以暴露出所述透镜。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述亲水性液态保护材料包括聚氨酯(polyurethane)及乙二醇异丙醚(2-Isopropoxyethanol)。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中聚氨酯的重量百分比介在60％至80％之间，乙二醇异丙醚的重量百分比介在10％至30％之间，且聚氨酯及乙二醇异丙醚的重量百分比和小于或等于100％。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上形成所述亲水性液态保护材料的步骤包括旋涂工艺、喷淋工艺或浸泡工艺。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中所述亲水性液态保护材料在摄氏20度至摄氏30度的温度范围内形成在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上。
6.如权利要求1所述的制造方法，其中所述烘烤工艺的温度在摄氏100度至摄氏150度之间，且所述烘烤工艺的时间少于10分钟。
7.如权利要求1所述的制造方法，其中将所述透镜保护层自所述光学芯片的所述像素的所述透镜上移除的步骤包括利用一化学清洗溶液将所述透镜保护层移除。
8.如权利要求7所述的制造方法，其中所述化学清洗溶液具有弱碱性。
9.如权利要求7所述的制造方法，其中所述化学清洗溶液包括二甲基亚砜(dimethylsulfoxide)、二乙二醇丁醚(diethylene glycolmonobutyl ether)以及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物(polyoxyethylene polyoxypropylene polymer)。
10.如权利要求9所述的制造方法，其中二甲基亚砜的重量百分比介在60％至80％之间、二乙二醇丁醚的重量百分比介在10％至30％之间、聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比介在1％至5％之间，且二甲基亚砜、二乙二醇丁醚及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比和小于或等于100％。
11.如权利要求8所述的制造方法，其中利用所述化学清洗溶液将所述透镜保护层移除的步骤包括将所述化学清洗溶液喷淋在所述透镜保护层上或将所述透镜保护层浸泡在所述化学清洗溶液内。
12.如权利要求8所述的制造方法，其中利用所述化学清洗溶液将所述透镜保护层移除的步骤的温度在摄氏20度至摄氏30度之间，且利用所述化学清洗溶液将所述透镜保护层移除的步骤的时间在30秒至120秒之间。
13.如权利要求1所述的制造方法，还包括在形成所述透镜保护层在所述光学芯片的所述像素的所述透镜上的步骤之前及在将所述透镜保护层自所述光学芯片的所述像素的所述透镜上移除的步骤之后对所述晶圆进行清洗工艺。
14.如权利要求1所述的制造方法，其中所述透镜保护层的厚度小于10微米。
15.一种光学芯片，包括：
多个像素，且每一所述像素包括一光学构件，以及一透镜设置在所述光学构件上；以及
多个透镜保护层分别设置在所述透镜上，其中所述透镜保护层具有疏水性，且所述透镜保护层包括具有羰基的裂解基团的聚合物。
16.如权利要求15所述的光学芯片，其中所述光学构件包括一感光构件。
17.如权利要求15所述的光学芯片，还包括一彩色滤光片，设置在所述光学构件与所述透镜之间。
18.如权利要求15所述的光学芯片，其中所述透镜保护层的厚度小于10微米。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611159257.7A CN108227050B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 光学芯片及其制造方法 |
| KR1020170160196A KR102007578B1 (ko) | 2016-12-15 | 2017-11-28 | 광학 칩 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611159257.7A CN108227050B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 光学芯片及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108227050A CN108227050A (zh) | 2018-06-29 |
| CN108227050B true CN108227050B (zh) | 2020-11-13 |
Family
ID=62650314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611159257.7A Active CN108227050B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 光学芯片及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102007578B1 (zh) |
| CN (1) | CN108227050B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230046517A (ko) | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 주식회사 에스에프에이반도체 | Cis 웨이퍼 다이싱 방법 |
| KR20230046518A (ko) | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 주식회사 에스에프에이반도체 | Cis 웨이퍼 다이싱 방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010010311A (ko) * | 1999-07-19 | 2001-02-05 | 윤종용 | 조립시 고체 촬상 소자의 마이크로 렌즈 보호 방법 |
| CN1301536C (zh) * | 2003-05-26 | 2007-02-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法 |
| TWI251931B (en) * | 2004-12-29 | 2006-03-21 | Advanced Chip Eng Tech Inc | Imagine sensor with a protection layer |
| KR20060114250A (ko) * | 2005-04-29 | 2006-11-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | ＳｉＣ 막을 캡핑레이어로 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 |
| KR100812078B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100835524B1 (ko) * | 2007-05-03 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지센서의 제조방법 |
| US20090008729A1 (en) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Image sensor package utilizing a removable protection film and method of making the same |
| KR20090065980A (ko) * | 2007-12-18 | 2009-06-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서 |
| KR100982270B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-09-15 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 및 이의 제조 방법 |
| CN102034721B (zh) * | 2010-11-05 | 2013-07-10 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 芯片封装方法 |
| JP6300029B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 撮像素子、製造装置、製造方法 |
-
2016
- 2016-12-15 CN CN201611159257.7A patent/CN108227050B/zh active Active
-
2017
- 2017-11-28 KR KR1020170160196A patent/KR102007578B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180069693A (ko) | 2018-06-25 |
| CN108227050A (zh) | 2018-06-29 |
| KR102007578B1 (ko) | 2019-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101853864B (zh) | 晶片键合方法 | |
| US9365681B2 (en) | Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method | |
| US7989266B2 (en) | Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier | |
| US8313971B2 (en) | Camera module manufacturing method and camera module | |
| US9525002B2 (en) | Image sensor device with sensing surface cavity and related methods | |
| EP2551322A1 (en) | Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method | |
| JP7307545B2 (ja) | ソーイング保護膜組成物及びそれを利用した半導体パッケージ製造方法 | |
| CN108227050B (zh) | 光学芯片及其制造方法 | |
| TWI460485B (zh) | 相機模組的製造方法 | |
| US20150217998A1 (en) | Shielding mems structures during wafer dicing | |
| US20070292127A1 (en) | Small form factor camera module with lens barrel and image sensor | |
| CN103515334A (zh) | 晶片封装体及其形成方法、半导体结构的形成方法 | |
| KR20160148612A (ko) | 경화성 조성물, 가접착재 및 이들을 이용한 부재와 기재의 가접착 방법 | |
| US8278189B2 (en) | Method for thinning wafer | |
| KR100555559B1 (ko) | 백 그라인딩 공정용 표면 보호 테이프를 이용하여 다이싱공정을 수행하는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| Sanchez et al. | Collective die direct bonding for photonic on silicon | |
| Inoue et al. | Protective layer for collective die to wafer hybrid bonding | |
| EP3319125B1 (en) | Method for manufacturing optical sensor arrangements and housing for an optical sensor | |
| KR101893582B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 박리제 조성물 및 이를 포함하는 박리제 | |
| KR20040078898A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| US7091058B2 (en) | Sacrificial protective layer for image sensors and method of using | |
| JP4763251B2 (ja) | 撮像用装置とその製造方法とカメラモジュール | |
| US20110042767A1 (en) | Filters in an image sensor | |
| US9368361B2 (en) | Method of making a semiconductor device | |
| CN113410170B (zh) | 提高拣片效率的方法、三维集成芯片的制造方法及芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |