TW201514229A - 一種表面被覆鉬化合物的無機塡料及其用途 - Google Patents
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Abstract
一種表面被覆鉬化合物的無機填料,使用用途適合添加於積層板或預浸材中及製造較低熱膨脹係數的印刷電路板,且添加量可提升到占積層板或預浸材樹脂組成物總重20~80wt%,也不會影響印刷電路板的鑽孔加工性、孔位精確度及焊錫耐熱性。
Description
本發明涉及一種表面經過改質的無機填料,特別是一種表面被覆鉬化合物的無機填料,適用於改善印刷電路板兼具較低熱膨脹係數、較佳耐熱性及優異鑽孔加工性。
隨著電子產品朝向「輕、薄、短、小」及功能多樣化的發展,印刷電路板趨向具備高密度化及更高傳輸及處理速度的功能。在這種需求下,印刷電路板的剛性、熱膨脹係數及耐熱性,將嚴格要求符合使用規格。
在現有技術中,為了使印刷電路板具備較高的剛性、耐熱性及尺寸安定性,以及具備較低熱膨脹係數,常會在製造印刷電路板的環氧樹脂配方中加入一定量的無機填料,其中最常添加的無機填料為二氧化矽(SiO2)。
但是,二氧化矽的莫氏硬度高達7.0,相當不利印刷電路板的鑽孔加工性。在印刷電路板鑽孔加工時,二氧化矽會加速鑽頭磨損,有更換鑽頭及重磨鑚尖頻率過高、以及鑽孔加工品質不佳易造成印刷電路板成品電性異常的缺點之外,也造成印刷電路板成本提高及良率下降。
為了改善印刷電路板鑽孔加工性,已經公開的先前技術,
包括:日本特開2005-162787號公開案提出添加板狀煆燒滑石作為無機材料(莫氏硬度1.0~1.5),或者減少其添加量,結果印刷電路板的鑽孔加工品質並沒有明顯改善,反而造成印刷電路板的剛性及膨脹係數降低、以及尺寸安定性不佳。
日本特開2011-137054號公開案提出將鉬化合物粒子直接添加在樹脂配方中,會造成所製造之銅箔基板耐熱性下降。
為解決上述之問題,本發明的主要目的在於提供一種表面被覆鉬化合物的無機填料,平均粒徑介於0.01~50微米(μm),包括構成核結構的無機粒子及披覆在無機粒子表面而構成殼結構的鉬化合物表層,且限制鉬化合物的被覆量占無機填料總重量0.01~5wt%,優選為占0.1~3wt%。
所述構成核結構的無機粒子,可為球型或不規則型,選自二氧化矽(熔融態或非熔融態)、二氧化鈦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氧化鎂、滑石、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石粉、類鑽石粉、石墨、煆燒高嶺土或熏矽石的其中一種或一種以上。
所述構成殼結構的鉬化合物表層,其成分為磷鉬酸銨(NH4)3{P(Mo3O10)4}‧6H2O或具有以下通式(I)的含結晶水鉬酸鹽:xMe2O‧yMoO3‧nH2O (I)
其中,Me為金屬,選自鈉(Na)、銨(NH4)、鋇(Ba)、鐵
(Fe)、鉛(Pb)或銅(Cu);x:y=1:1;1:2;1:3;1:4;1:10;1:16;3:7;3:8或5:12;n=1~10正整數;本發明的另一主要目的在於提供一種用於製作印刷電路板的積層板或預浸材,且積層板或預浸材的樹脂組成物中,含有所述表面被覆鉬化合物的無機填料,且占樹脂組成物總重20~80wt%。
本發明的表面被覆鉬化合物的無機填料,其使用用途適合添加於積層板或預浸材中及製造較低熱膨脹係數的印刷電路板,且提升添加量到占積層板或預浸材樹脂組成物總重20~80wt%,也不會影響印刷電路板的鑽孔加工性、孔位精確度及焊錫耐熱性。
第1圖係鑽頭未鑽孔前的鑚尖影像。
第2圖係第1圖的鑽頭對實施例1的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第3圖係第1圖的鑽頭對實施例2的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第4圖係第1圖的鑽頭對實施例3的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第5圖係第1圖的鑽頭對實施例4的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第6圖係第1圖的鑽頭對實施例5的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第7圖係第1圖的鑽頭對實施例6的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第8圖係第1圖的鑽頭對比較例1的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第9圖係第1圖的鑽頭對比較例2的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第10圖係第1圖的鑽頭對比較例3的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第11圖係第1圖的鑽頭對比較例4的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
第12圖係第1圖的鑽頭對比較例5的積層板鑽孔加工2,000孔後的鑚尖磨耗影像。
現有技術中的印刷電路板,無機填料的添加量越高,印刷電路板的熱膨脹係數越低、印刷電路板的鑽孔加工品質越不佳。
本發明的表面被覆鉬化合物的無機填料(以下簡稱本發明的無機填料),是一種表面經過改質的無機填料,適合使用添加於積層板或預浸材中及製造較低熱膨脹係數的印刷電路板。
本發明的無機填料添加量,在積層板或預浸材中的成分中,可提升添加量到占積層板或預浸材樹脂組成物總重20~80wt%,不但可
製得具較低熱膨脹係數的印刷電路板,也明顯改善印刷電路板的鑽孔加工性、孔位精確度及焊錫耐熱性。
本發明的無機填料添加量,在積層板或預浸材中的成分中,如果低於20wt%,對印刷電路板的熱膨脹係數不能明顯降低,如果高於80wt%,則會影響預浸材含浸時的加工性。
本發明的無機填料,平均粒徑介於0.01~50微米(μm),且結構上包括構成核結構的無機粒子及披覆在無機粒子表面而構成殼結構的鉬化合物表層,其中,所述鉬化合物表層的鉬化合物被覆量,占所述無機填料總重量0.01~5wt%,優選為占0.1~3wt%。
所述無機填料的鉬化合物被覆量,如果小於所述無機填料總重量0.01wt%,不能明顯改善印刷電路板的鑽孔加工性;如果大於所述無機填料總重量5wt%,會降低印刷電路板的耐熱性。
所述構成核結構的無機粒子,選自二氧化矽(熔融態或非熔融態)、二氧化鈦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氧化鎂、滑石、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石粉、類鑽石粉、石墨或煆燒高嶺土的其中一種或一種以上。
所述構成核結構的無機粒子,也可選用奈米級(nano-sized)多孔矽石,優選為選用平均粒徑為1~100奈米(nm)的熏矽石,但添加比例為0.1~10wt%;當熏矽石的添加比例大於10wt%,會造成樹脂組成物黏度提升,加工困難。
所述構成殼結構的鉬化合物表層,其成分為磷鉬酸銨(NH4)3{P(Mo3O10)4}‧6H2O或具有以下通式(I)的含結晶水鉬酸鹽:
xMe2O‧yMoO3‧nH2O (I)
其中,Me為金屬,選自鈉(Na)、銨(NH4)、鋇(Ba)、鐵(Fe)、鉛(Pb)或銅(Cu);x:y=1:1;1:2;1:3;1:4;1:10;1:16;3:7;3:8或5:12;n=1~10正整數;一般將x:y=1:1的鹽稱為正鉬酸鹽;x:y=1:2的鹽稱為重鉬酸鹽或二鉬酸鹽;x:y=3:7及5:12的鹽稱為仲鉬酸鹽;x:y=1:3及1:4的鹽稱為偏鉬酸鹽;x:y=3:8的鹽稱為八鉬酸鹽;x:y=1:10的鹽稱為十鉬酸鹽;x:y=1:16的鹽稱為十六鉬酸鹽,其中n=1~10之整數,即鉬酸鹽含有結晶水,可改善與水之溶解度,以利後續無機填料之改質處理。
所述通式(I)的含結晶水鉬酸鹽,包括:正鉬酸鹽(Me2O‧MoO3‧nH2O)、重鉬酸鹽(Me2O‧2MoO3‧nH2O)、仲鉬酸鹽(3Me2O‧7MoO3‧nH2O)、仲鉬酸鹽(5Me2O‧12MoO3‧nH2O)、偏鉬酸鹽(Me2O‧3MoO3‧nH2O)、偏鉬酸鹽(Me2O‧4MoO3‧nH2O)、八鉬酸鹽(3Me2O‧8MoO3‧nH2O)、十鉬酸鹽(Me2O‧10MoO3‧nH2O)、十六鉬酸鹽(Me2O‧16MoO3‧nH2O)。
式(1)中之Me為金屬,可為鈉(Na)、銨(NH4)、鋇(Ba)、鐵(Fe)、鉛(Pb)及銅(Cu),考量後段改質時與水之溶解度,優選為選用鈉(Na)或銨(NH4)較佳。
當式(1)中之Me為鈉(Na)時,其通式為xNa2O‧yMoO3‧nH2O,包含x:y=1:1時之正鉬酸鈉;x:y=1:2時之重鉬酸鈉(二鉬
酸鈉);x:y=3:7及5:12時之仲鉬酸鈉;x:y=1:3及1:4時之偏鉬酸鈉;x:y=1:10時之十鉬酸鈉;x:y=1:16時之十六鉬酸鈉,其中n=1~10之整數。
當式(1)中之Me為銨(NH4)時,其通式為x(NH4)2O‧yMoO3‧nH2O,包含x:y=1:1時之正鉬酸銨;x:y=1:2時之重鉬酸銨(二鉬酸銨);x:y=3:7及5:12時之仲鉬酸銨;x:y=3:8時之八鉬酸銨;x:y=1:3及1:4時之偏鉬酸銨;x:y=1:10時之十鉬酸銨;x:y=1:16時之十六鉬酸銨,其中n=1~10之整數。
本發明的無機填料,在表面被覆鉬化合物的處理過程中,可同時併用偶合劑作為表面處理劑。偶合劑的種類,可選用矽烷類偶合劑、鈦酸酯類偶合劑或磷酸脂偶合劑的其中一種或一種以上組合。其中,矽烷類偶合劑可選自乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油丙基三乙氧基矽烷、p-異丁烯三甲氧基矽烷、3-異丁烯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-異丁烯丙基三甲氧基矽烷、3-異丁烯丙基三乙氧基矽烷、3-異丁烯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-丙烯酸基丙基三甲氧基矽烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基矽烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基三乙氧基矽烷、3-氨丙基三甲氧基矽烷、3-氨丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基矽烷、3-胺基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基三乙氧基矽烷、3-硫氫基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-硫氫基丙基三甲氧基矽烷或3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷;而且,可單獨使用或依所需比例將二種或多種組合使用。
本發明的無機填料,將鉬化合物被覆在無機填料表面的方法,有乾式方法及濕式方法二種。
乾式方法使用改質混合機進行改質,首先將適量鉬化合物溶解於水後,使用特殊噴嘴(噴灑之液滴小於0.2μm)於室溫下以噴灑方式均勻噴塗於無機填料表面,在噴灑過程中,無機填料亦使用混合機均勻攪拌,以達成均勻噴塗之目的,待鉬化合物溶液噴塗完畢後,繼續攪拌2~4小時後,再升溫至120℃繼續攪拌2~4小時,將殘餘水分烘乾,即得乾式鉬化合物改質之無機填料。
濕式方法為先選用適量鉬化合物溶解於水後,再投入適當比例無機填料,無機填料在水中的固型份約在20%,於80℃均勻攪拌2~4小時後進行過濾,將過濾後之無機填料於120℃烘乾2~4小時,即得表面以濕式方被覆上鉬化合物的無機填料。
本發明的無機填料,其使用用途涵蓋用於製作各種積層板及各種電子產品。當積層板的樹脂組成物要添加本發明的無機填料時,所使用的樹脂組成物不需特別限制,而且,與沒有添加所述無機填料的積層板相較,有添加本發明的無機填料的積層板,在鑽孔加工性方面獲得大幅改善。
茲列舉以下實施例及比較例來闡明本發明的效果,但本發明的權利範圍不拘限於實施例的範圍。
將0.3重量份之正鉬酸鈉(Na2MoO4‧2H2O)溶于300重量份之水中,使
用特殊噴嘴(噴灑之液滴小於0.2μm)於室溫下以噴灑方式均勻噴塗於300重量份之二氧化矽(admatechs公司,產品代號SC2500)表面,在噴灑過程中,無機填料亦使用混合機均勻攪拌,以達均勻噴塗之目的,待正鉬酸鈉溶液噴塗完畢後,繼續攪拌2~4小時,之後再升溫至120℃攪拌2~4小時,將殘餘水分烘乾,即得正鉬酸鈉處理的二氧化矽無機填料,簡稱為改質填料A。
取100重量份多官能基環氧樹脂(南亞塑膠工業股份有限公司(簡稱NAN YA)製品,含30重量份NPPN-433苯甲醛型酚醛環氧樹脂、30重量份NPPN-438丙二酚型酚醛環氧樹脂、20重量份NPPN-454溴化環氧樹脂及20重量份NPPN-431乙二醛型酚醛環氧樹脂)、50重量份之酚醛型樹脂硬化劑(NAN YA公司製品,含25重量份NPEH-720H丙二酚型酚醛樹脂、15重量份NPEH-710H苯酚型酚醛樹脂及10重量份BPNA苯甲醛型酚醛樹脂)及1.7重量份之2-MI,溶於242.3重量份之丙銅後,摻混上述製備的改質填料A,即得環氧樹脂組成液。
將玻纖布(NAN YA公司製品,布種型號7628),含浸上述環氧樹脂組成液,然後於170℃(含浸機)乾燥數分鐘,並調整乾燥時間將預浸漬體之最低熔融黏度調整為2000~10000poise間,最後將膠片迭於二片12μm後之銅箔間,在30kg/cm2壓力及溫度85℃下以5℃/min的加溫速率,加溫到185℃後,再保持恒溫120分鐘,接著慢慢冷卻到130℃以取得銅箔基板。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
以0.3重量份二鉬酸鈉(Na2Mo2O7‧2H2O)處理300重量份二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500),簡稱為改質填料B,其處理方式與實施例1同,並將其摻混至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
以0.3重量份偏鉬酸銨(NH4)2Mo4O13‧4H2O)處理300重量份二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500),簡稱為改質填料C,其處理方式與實施例1同,並將其摻混至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
以0.3重量份仲鉬酸銨(NH4)6Mo7O24‧4H2O)處理300重量份二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500),簡稱為改質填料D,其處理方式與實施例1同,並將其摻混至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
以1.5重量份仲鉬酸銨(((NH4)6Mo7O24‧4H2O)處理300重量份二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500),簡稱為改質填料E,其處理方式與實施例1同,並將其摻混至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
以3.0重量份仲鉬酸銨(((NH4)6Mo7O24‧4H2O)處理300重量份二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500),簡稱為改質填料F,其處理方式與實施例1同,並將其摻混至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
摻混未處理之二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500)100重量份至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
直接添加3.0重量份仲鉬酸銨(((NH4)6Mo7O24‧4H2O)並摻混未處理之二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500)300重量份至環氧樹脂組成
液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
直接添加3.0重量份鉬酸鋅/滑石粉混合物(Sherwin-Williams公司製品,產品代號Kemgard 911C)並摻混未處理之二氧化矽(Admatechs公司製品,產品代號SC2500)300重量份至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
摻混改良之二氧化矽(寶琳公司,產品代號G2C)300重量份至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
摻混氫氧化鋁(昭和電工,產品代號H42M)300重量份至環氧樹脂組成液中(配方同實施例1),製成銅箔基板(製造方式同實施例1)。測試所製成的銅箔基板的物性,包括預浸漬體配方表及基板物性表,詳如表1所示。
比較表1的實施例1-6及比較例1-5的結果後,可以得到以下結論:
1.實施例1至實施例4為使用不同種類之鉬酸鹽,以0.3重量份(相對於二氧化矽300重量份時)之被覆量處理二氧化矽,之後將鉬酸鹽處理後之二氧化矽摻混於環氧樹脂組成液中製成積層板,經過鑽2,000孔後其鑚針磨耗量分別為36%(實施例1)、38%(實施例2)、35%(實施例3)及30%(實施例4),而與添加未處理之二氧化矽所製成之積層板比較(比較例1)鑽2,000孔後之鑚針磨耗量90%,其鑽孔加工性大幅改善,且孔位精確度也較佳。
2.實施例4至實施例6為使用不同被覆量之仲鉬酸銨處理300重量份之二氧化矽,其被覆量分別為0.3重量份(實施例4)、1.5重量份(實施例5)及3.0重量份(實施例6),隨著被覆量的提升,其鑽孔加工性及孔位精確度亦明顯提升,其鑚針磨耗量分別為30%(實施例4)、21%(實施例5)及5%(實施例6)。
3.實施例6與比較例2、比較例3之差異為:實施例6為使用3.0重量份之仲鉬酸氨處理二氧化矽,比較例2為直接添加3.0重量份之仲鉬酸銨並摻混未處理之二氧化矽,比較例3為直接添加3.0重量份之鉬酸鋅/滑石粉混合物(911C)並摻混未處理之二氧化矽,由鑽針磨耗及孔位精確度比較得知,在配方中含有相同重量份之鉬酸鹽比較下,其鑚針磨耗量為實施例6(5%)<比較例2(68%)<比較例3(83%),孔位精確度(Cpk值)為實施例6(2.937)優於比較例2(1.735)優於比較例3(1.276),其原因為實施例6經由本發明之方式處理二氧化矽,可將仲鉬酸鹽均勻塗覆於二氧化矽表面,因此在相同重量份下,具有較佳鑽孔加工性及孔位精確度,而比較例2
及比較例3以添加方式加入仲鉬酸銨及鉬酸鋅/滑石粉混合物(911C),單靠後段配方調配時之攪拌,並無法有效均勻分散,因此對鑽孔改善效果較差,實施例1~6之Cpk值2.0~3.2孔位精確度最佳。
4.由實施例6與比較例4結果得知,比較例4使用改良型二氧化矽(G2C,莫氏硬度為4~6)做為填料,因此其鑚針磨耗量(55%)優於使用一般之二氧化矽(莫氏硬度8,鑚針磨耗量90%,比較例1),但仍較實施例6(鑚針磨耗量5%)為差,且實施例6之Z軸膨脹係數為81ppm,大幅優於比較例4之128ppm。
5.由實施例6與比較例5結果得知,比較例5使用氫氧化鋁(莫氏硬度為3)做為填料,因此其鑚針磨耗量為46%優於使用一般之二氧化矽(莫氏硬度8,鑚針磨耗量90%,比較例1),但仍較實施例6(鑚針磨耗量5%)為差,且實施例6之Z軸膨脹係數為81ppm,大幅優於比較例4之143ppm,另外,使用氫氧化鋁於耐焊錫測試時易放出水分,造成耐焊錫測試不佳。
6.比較例2直接添加3.0重量份之仲鉬酸銨((NH4)6Mo7O24‧4H2O)並摻混未處理之二氧化矽,比較例3直接添加3.0重量份之鉬酸鋅/滑石粉混合物(911C)並摻混未處理之二氧化矽,兩個比較例之焊錫耐熱性均較實施例1至6之表面處理方式差。
7.由以上結果得知,添加莫氏硬度較低之填料(改良型二氧化矽或氫氧化鋁),與未處理之二氧化矽相比雖可改善鑚針磨耗量,但犧牲了積層板之尺寸安定性(膨脹係數)及焊錫耐熱性,添加以本發明之鉬化合物處理之二氧化矽,可同時兼顧積層板之物性及鑽孔加工性,故本發明具有產業利用價值。
3.鑚針磨耗量
4.膨脹係數(Coefficient of thermal expension):將壓合後的積層板蝕刻剝銅後,以鑽石裁切機將樣品裁切為長*寬*厚為4*4*0.8mm的尺寸,以TMA(Thermomechanical Analysis)量測積層板之膨脹係數;其中,X-Y軸表示玻纖布平面方向,Z軸表示基板厚度方向。
5. 288℃焊錫耐熱性:將試片經過2小時壓力鍋(條件121℃,2大氣壓)處理,浸入288℃焊錫爐中,記錄試片爆板分層所需時間。
6.直接添加3.0重量份之仲鉬酸銨(NH4)6Mo7O24‧4H2O)並摻混未處理之二氧化矽,非處理式方法。
Claims (7)
- 一種表面被覆鉬化合物的無機填料,應用於製備特性兼具低(熱)膨脹係數、優異耐熱性及鑽孔加工性的積層板或印刷電路板,其特徵在於,包括:構成核結構的無機粒子及披覆在無機粒子表面而構成殼結構的鉬化合物表層,其中,所述無機粒子的粒徑,介於0.01~50微米(μm),所述鉬化合物表層的鉬化合物被覆量,占所述無機填料總重量0.01~5wt%,且所述鉬化合的成分為磷鉬酸銨(NH4)3{P(Mo3O10)4}‧6H2O或具有以下通式(I)的含結晶水鉬酸鹽:xMe2O‧yMoO3‧nH2O (I)其中,Me為金屬,選自鈉(Na)、銨(NH4)、鋇(Ba)、鐵(Fe)、鉛(Pb)或銅(Cu);x:y=1:1;1:2;1:3;1:4;1:10;1:16;3:7;3:8或5:12;n=1~10正整數。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種表面被覆鉬化合物的無機填料,其中,所述鉬化合物表層的鉬化合物被覆量,占所述無機填料總重量0.1~3wt%。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種表面被覆鉬化合物的無機填料,其中,所述構成核結構的無機粒子,選自二氧化矽、二氧化鈦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氧化鎂、滑石、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石粉、類鑽石粉、石墨或煆燒高嶺土的其 中一種或一種以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種表面被覆鉬化合物的無機填料,其中,所述構成核結構的無機粒子,為粒徑1~100奈米(nm)的熏矽石。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種表面被覆鉬化合物的無機填料,其中,所述含結晶水鉬酸鹽通式(I)中的Me,為鈉(Na)或銨(NH4)。
- 一種用於製作印刷電路板的預浸材,其特徵在於,預浸材的樹脂組成物中,含有申請專利範圍第1項的無機填料,且占樹脂組成物總重20~80wt%。
- 一種用於製作印刷電路板的積層板,其特徵在於,積層板的樹脂組成物中,含有申請專利範圍第1項的無機填料,且占樹脂組成物總重20~80wt%。
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