TW201507226A - 電阻式隨機存取記憶裝置的製造方法 - Google Patents

電阻式隨機存取記憶裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

揭露一種用於形成電阻式隨機存取記憶體(RRAM)裝置的方法。所述方法包括：形成第一電極；藉由熱原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及藉由熱原子層沉積(ALD)而形成第二電極，其中所述電阻式切換層插置於所述第一電極與所述第二電極之間。形成所述電阻式切換氧化物可在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質電漿處理的情況下進行。

Description

電阻式隨機存取記憶器的製造方法
本發明是關於半導體製程的領域，且更特定言之，是關於電阻式隨機存取記憶體的製造。
非揮發性記憶體裝置用於各種電子裝置，諸如(略舉實例)行動電話、智慧型電話、數位相機、數位音樂播放器、平板型電腦以及手提電腦。隨著非揮發性記憶體裝置的大小繼續縮小以滿足較高裝置密度的持續增大的需要，相應地，對三維陣列的記憶體裝置以及基於電阻改變而儲存資訊的新記憶體裝置的需要持續增大。解決此等需要的一種概念是三維電阻式隨機存取記憶體陣列(3D RRAM)。為了達成製造目標且改良此等記憶體陣列的效能，正在進行形成3D RRAM的製程的研究。
根據一些實施例的用於形成電阻式隨機存取記憶體 (RRAM)裝置的方法包括：形成第一電極；藉由熱原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及藉由熱原子層沉積(ALD)而形成第二電極，其中所述電阻式切換層插置於所述第一電極與所述第二電極之間。根據一些實施例，形成所述電阻式切換氧化物是在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質及/或膜改質電漿處理的情況下進行。
根據另一實施例的用於形成RRAM裝置的方法包括：形成包括金屬氮化物的第一電極；藉由原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及藉由原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氮化物的第二電極，其中所述電阻式切換層具有與所述第一電極接觸的第一表面以及與所述第二電極接觸的與所述第一表面相對的第二表面。形成所述電阻式切換氧化物可在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質及/或膜改質電漿處理的情況下進行。
3‧‧‧截線
10‧‧‧3D-RRAM陣列
10a‧‧‧子陣列
12‧‧‧半導體基板
14‧‧‧電極線\電極
16‧‧‧電極線\電極
16a‧‧‧電極線\電極
16b‧‧‧電極線\電極
18‧‧‧電阻式切換氧化物層\電阻式切換層\切換氧化物層
18a‧‧‧電阻式切換氧化物層\電阻式氧化物層\電阻式切換層
18b‧‧‧電阻式切換氧化物層\電阻式氧化物層\電阻式切換層
20‧‧‧垂直連接器
22‧‧‧電晶體
26‧‧‧源極觸點
28‧‧‧閘極
32‧‧‧源極
34‧‧‧汲極
38a‧‧‧層間介電質
38b‧‧‧層間介電質
38c‧‧‧層間介電質
40‧‧‧3D-RRAM陣列
50‧‧‧RRAM單元堆疊
60‧‧‧氧空位形成層
80‧‧‧電流-電壓(I-V)曲線
82‧‧‧預形成高電阻狀態(HRS)I-V部分
84‧‧‧形成HRS至LRS轉變I-V部分
86‧‧‧第一LRS返回路徑I-V部分
88‧‧‧LRS I-V部分
90‧‧‧「重設」LRS至HRS轉變I-V部分
92‧‧‧HRS返回路徑I-V部分
94‧‧‧HRS I-V部分
96‧‧‧「設定」HRS至LRS轉變I-V部分
98‧‧‧第二LRS返回路徑I-V部分
100‧‧‧組成深度輪廓
102‧‧‧第一Hf原子百分比深度輪廓
104‧‧‧第二Hf原子百分比深度輪廓
106‧‧‧第一Hf原子比深度輪廓
108‧‧‧第二Hf原子比深度輪廓
110‧‧‧氧化物崩潰電壓(BV)曲線
112‧‧‧第一BV曲線
114‧‧‧第二BV曲線
120‧‧‧介電常數(k值)比較條形圖
122‧‧‧k值條形圖
124‧‧‧k值條形圖
126‧‧‧k值條形圖
128‧‧‧k值條形圖
130‧‧‧I-V曲線
132‧‧‧「設定」HRS I-V部分
134‧‧‧「設定」HRS至LRS轉變I-V部分
136‧‧‧「設定」返回I-V部分
138‧‧‧「重設」LRS I-V部分
140‧‧‧「重設」LRS至HRS轉變I-V部分
142‧‧‧「重設」返回I-V部分
140‧‧‧I-V曲線
142‧‧‧「設定」HRS I-V部分
144‧‧‧「設定」HRS至LRS轉變I-V部分
146‧‧‧「設定」返回I-V部分
148‧‧‧「重設」LRS I-V部分
150‧‧‧「重設」LRS至HRS轉變I-V部分
152‧‧‧「重設」返回I-V部分
150‧‧‧I-V曲線
152‧‧‧「設定」HRS I-V部分
154‧‧‧「設定」HRS至LRS轉變I-V部分
156‧‧‧「設定」返回I-V部分
158‧‧‧「重設」LRS I-V部分
160‧‧‧「重設」LRS至HRS轉變I-V部分
162‧‧‧「重設」返回I-V部分
圖1為根據一些實施例的3D RRAM陣列的示意性橫截面。
圖2為根據一些其他實施例的3D RRAM陣列的示意性橫截面。
圖3為根據一些實施例的RRAM單元堆疊的示意性橫截面。
圖4為根據一些實施例的RRAM單元的切換操作的電流-電壓關係的示意性圖式。
圖5為根據一些實施例的電阻式切換氧化物層的所量測的濃度深度輪廓的圖式。
圖6為根據一些實施例的電阻式切換氧化物層的所量測的氧化物崩潰電壓的圖式。
圖7為根據一些實施例的電阻式切換氧化物層的所量測的介電常數的圖式。
圖8為根據一些實施例的RRAM單元的所量測的電流-電壓關係的圖式。
圖9為根據一些實施例的RRAM單元的所量測的電流-電壓關係的圖式。
圖10為根據一些其他實施例的RRAM單元的所量測的電流-電壓關係的圖式。
諸如智慧型電話、電腦以及數位相機的電子裝置將大量 資料儲存於非揮發性儲存裝置(諸如，硬碟或固態磁碟)中。在諸如智慧型電話以及行動電腦的許多行動應用中，由於固態磁碟的小巧尺寸以及對因移動而引起的可靠性問題相對具有抵抗力，所以相對於硬碟，固態磁碟通常是較佳的。固態磁碟包括數十億個雙閘極電晶體(稱為快閃電晶體)以及其他元件，雙閘極電晶 體在浮動閘極中儲存電荷。快閃電晶體可配置為各種形式的陣列架構。被稱為「反及(NAND)」陣列架構的一種特定陣列架構使用配置為16、32、64或128個快閃電晶體的快閃電晶體串，其通道由形成快閃電晶體的控制閘極的字元線控制。NAND區塊可包含多個上述的快閃電晶體串，例如，1024個、2048個等，其中每一串經由選擇電晶體而連接至位元線。NAND陣列組態在每單位面積中提供最高數目的快閃電晶體，從而使快閃電晶體尤其適用於儲存高密度的數位媒體。
對愈來愈高的密度(以及愈來愈低的成本)的快閃電晶 體的需求已導致快閃電晶體的尺寸的持續減小。隨著快閃電晶體縮小到小於約20奈米的節點，由於相鄰浮動閘極之間的寄生電容耦合以及每浮動閘極所儲存的電子的數目減少以及其他，將實質上降低快閃電晶體的可靠性。可將兩種可調性(scalability)概念用於使儲存裝置的密度持續遵循尺寸減小以及密度增大的趨勢。
第一可調性概念在裝置級解決可調性，且使用基於記憶體單元的電阻改變(與快閃電晶體的臨限電壓的改變相反)的儲存裝置。基於電阻改變的各種儲存裝置已被提議為對持續調整的快閃電晶體的替代，包含電阻式切換隨機存取記憶體(RRAM)。RRAM已由於其簡單性以及可調性而成為大量研究的重點。RRAM裝置在兩個電極之間可包含電阻切換層。切換層的電阻可藉由電信號的施加而在高電阻狀態(HRS)與低電阻狀態(LRS)之間切換。
第二可調性概念在陣列級解決可調性，且使用三維(3D) 陣列。舉例而言，在一些3D NAND陣列結構中，16個、32個、64個、128個等個數的快閃電晶體串在垂直於矽基板的表面的方向上垂直地延伸，其通道可由形成平行於矽基板而延伸的控制閘極的字元線控制。
第一可調性概念以及第二可調性概念可組合為3D RRAM陣列的概念，其中，16個、32個、64個、128個等個數的RRAM裝置的「串」可在垂直於矽基板的表面的方向上垂直地延伸。在3D RRAM陣列的一個實例中，第一組互連線(例如，字元線)在垂直於矽基板的表面的方向上垂直地延伸，且第二組互連線(例如，位元線)在平行於基板的表面的方向上水平地延伸，且第二組互連線經組態以與字元線形成交叉接面(cross junction)。電阻式切換氧化物層在交叉接面處安置於所述字元線與所述位元線之間以形成RRAM單元，以使得當電信號跨越RRAM單元而施加時，所述RRAM單元可在LRS與HRS之間可逆地切換。
此等3D RRAM陣列通常製造於諸如驅動器以及電荷泵 的支撐電路上方，以減少基板上的總佔據區域(footprint)。因此，可存在對用於製造3D RRAM陣列的製程的溫度約束。諸如電漿增強原子層沉積(PE-ALD)的電漿增強製程可降低一些沉積製程的沉積溫度。然而，此等3D RRAM陣列的各種製程整合做法需要在具有極高高寬比的通孔以及空穴的表面上等形地沉積不同膜(諸 如，電極膜以及電阻式切換材料)。由於在一些狀況下需要鞘層，電漿製程可能並不有效於在此等類型的表面形態(topography)內進行沉積。因此，需要用於形成3D RRAM陣列的各種膜的低溫且等形的沉積技術，諸如熱原子層沉積。
根據一些實施例的三維電阻式隨機存取記憶體(3D RRAM)陣列包含在x方向上彼此鄰近而安置的多個子陣列。每一子陣列可包含在z方向上垂直地堆疊且在y方向上水平地延伸的多個第一電極線。每一子陣列可更包含在z方向上垂直地延伸的多個第二電極線。第二電極線中的每一者可橫過至少一個第一電極線，且與第一電極線中的一者形成至少一個交叉點接面。在交叉接面中的每一者處，第一電極線以及第二電極線可藉由插置電阻式切換氧化物層而形成RRAM單元。
根據一些實施例，製造RRAM單元的方法包括：形成第 一電極；藉由熱原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及藉由熱原子層沉積(ALD)而形成第二電極，其中所述電阻式切換層插置於所述第一電極與所述第二電極之間。應瞭解，熱ALD製程是在不使用電漿的情況下進行的沉積。因此，在一些實施例中，形成所述電阻式切換氧化物層是在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質電漿處理的情況下進行。在一些實施例中，藉由熱原子層沉積而形成所述第二電極是在約325℃或325℃以下(例如，約200至300℃或約200至250℃)的溫度下進行。
現參考附圖，其中相同的元件符號通篇指相同的特徵。
圖1說明根據一些實施例的3D-RRAM陣列10的橫截面 圖。3D-RRAM陣列10包含形成於半導體基板12上的多個子陣列10a。根據所使用的特定陣列架構，3D-RRAM陣列10內的子陣列的數目可為任何適當數目。然而，為易於說明，在圖1中，僅繪示兩個此等子陣列10a。每一子陣列10a在x方向上具有至少一個鄰近的其他子陣列。在圖1中的所繪示的實施例中，兩個子陣列10a在x方向上彼此鄰近且面對。
子陣列10a中的每一者包含在z方向上堆疊且在進出頁面的y方向上延伸的多個第一電極線16。為易於說明，在圖1中僅繪示給定子陣列10a的三個第一電極線16的橫截面。然而，根據特定陣列架構，給定子陣列中的堆疊的第一電極線16的數目可為任何適當數目N。此外，可由所插入的層間介電質38a將鄰近堆疊的第一電極線16分離。因此，在圖1中，給定子陣列的第一電極的堆疊包含N個堆疊的第一電極線16以及(N-1)個所插入的層間介電質38a。根據各種實施方案，取決於特定陣列架構，N(即，堆疊的第一電極線16的數目)可為(例如)8、16、32、64、128、256等。第一電極線16有時可稱為區域位元線、位元線或行。
子陣列10a中的每一者更包含在z方向上垂直延伸的多個第二電極線14。在一些實施方案中，第二電極線14形成垂直柱狀物。為易於說明，在圖1中僅繪示每一子陣列10a的一個第二電極線14的橫截面。然而，根據所使用的特定陣列架構，給定子 陣列中的第二電極線14的數目可為任何適當數目M。在圖1的組態中，在進出圖紙的y方向上，在橫截面圖繪示於圖1中的電極線的前後，可存在額外的第二電極線14(未繪示)。根據實施方案，取決於特定陣列架構，子陣列10a中的每一者可包含(例如)N個第二電極線，其中N等於256、512、1024、2048、4096等。第二電極線14有時可稱為字元線、區域字元線或列。
在下文稱為「纏繞式字元線架構(wrapped word line architecture)」的一個組態中，第二電極線14延伸穿過垂直通孔，而垂直通孔延伸穿過第一電極線16的堆疊以及層間介電質38a。 在此實施例中，第一電極線16形成狹長板，所述狹長板在y方向上延伸且在y方向上橫過M個第二電極線14的至少一子集。在此組態中，垂直通孔的側壁以電阻式切換氧化物層18做為內襯。此外，第二電極線14填充以電阻式切換氧化物層18做為內襯的垂直通孔以形成桿，桿可為圓柱形且延伸穿過通孔，而通孔延伸穿過第一電極線16的整個堆疊以及所插入的層間介電質38a。一個RRAM單元形成於第一電極線16與第二電極線14之間的每一相交處，且一個RRAM中插置有圍繞第二電極線14的電阻式切換氧化物層18。當藉由在所選擇的第一電極線16與第二電極線14之間施加適當電壓來選擇單元時，導電路徑可跨越圍繞第二電極線14的電阻式切換氧化物層18而在任何位置處形成。因此，在纏繞式字元線架構中，RRAM單元包括在z方向上延伸的第二電極線14、連續圍繞第二電極線14的電阻式切換氧化物層18以及圍繞 電阻式切換氧化物層18(其圍繞第二電極線14)的第一電極線16。在一些實施例中，第二電極線14可採取圓柱形桿的形式。
再參看圖1，在下文稱為「相交式字元線架構」的另一組 態中，第二電極線14延伸穿過在z方向上延伸的垂直通孔(如同在上文的纏繞式字元線架構中所述者)。類似於纏繞式字元線架構，相交式字元線架構的第二電極線14延伸穿過第一電極線16a/16b的堆疊以及插置於兩個鄰近堆疊的第一電極線16a/16b之間的層間介電質38a。此外，類似於纏繞式字元線架構，可呈圓柱形的垂直通孔的側壁以電阻式切換氧化物層18做為內襯。此外，第二電極線14填充以電阻式切換氧化物層18做為內襯的垂直通孔以形成桿，所述桿可為圓柱形且延伸穿過所述通孔。
然而，不同於纏繞式字元線架構，第一電極線不形成具 有圓柱形第二電極14延伸穿過的孔的板。反之，一對第一電極線16a及16b在y方向上延伸，且與第二電極線14的第一側以及第二側的部分相交。第一電阻式切換氧化物層18a以及第二電阻式切換氧化物層18b分別安置於第一電極線16a及16b之間的每一相交處。亦即，所述一對第一電極16a及16b中的每一者形成在y方向上延伸的狹長線，且「共用」一個第二電極14。因此，不同於纏繞式字元線架構，一個導電路徑可在第二電極線14與所選擇的第一電極線16a或16b中的一者之間跨越第一電阻式切換氧化物層18a或第二電阻式切換氧化物層18b中的每一者而形成。因此，不同於纏繞式字元線架構，可形成同一RRAM單元佔據區域 的兩個導電路徑。因此，在此組態中，RRAM單元包括形成在z方向上延伸的圓柱形桿的第二電極線14、在y方向上延伸且與第二電極線14形成一對相交處的一對第一電極線16a及16b、以及在所述一對相交處插置於第一電極線16a及16b與第二電極線14之間的第一電阻式切換氧化物層18a及第二電阻式切換氧化物層18b。
圖1中的所繪示的實施例的3D RRAM陣列可更包括連接至第二電極線14的一或多個電晶體22。電晶體22中的每一者形成於半導體基板12中，且包括閘極28、源極32、汲極34，且經由垂直連接器20而連接至第二電極線14。層間介電質38b及38c將各種傳導結構電絕緣。在一個實施例中，電晶體22可提供第二電極線14的選擇功能，且可藉由經由閘極觸點(未繪示)而實現的閘極28的適當偏壓以及經由源極觸點26而實現的源極32的適當偏壓來供應所需電流。在一些實施例中，電晶體22經組態以供應足以對至少一個RRAM單元進行程式化以及抹除的驅動電流。
雖然當在圖1的所繪示的實施例中在z方向上檢視時，子陣列10a安置於電晶體22上方且與其重疊，但其他實施例是可能的。在一些實施例中，當在z方向上檢視時，子陣列10a安置於電晶體22上方，但不與其重疊。在其他實施例中，當在z方向上檢視時，電晶體22安置於子陣列10a上方，且與其重疊。在其他實施例中，電晶體22以及子陣列10a在x方向上安置為彼此鄰近。
在總製造程序流程中的不同點形成電晶體22可導致不同 處理考慮事項。舉例而言，在圖1的所繪示的實例中，因電晶體22以及在製造子陣列10a之前製造的相關聯的電連接(諸如，垂直連接器20)而引起的一個考慮事項可為溫度約束。在一些實施例中，在電晶體22的製造之後的高溫製程可導致裝置參數(諸如，臨限電壓、次臨限擺動、沖穿電壓以及其他)的不良的製造後偏移(post-fabrication shift)。此外，在垂直連接器的部分包含諸如Cu或Al的低溫熔融金屬的製程中，後續製程溫度限於上述效應不會造成顯著困擾的溫度。因此，可期望將各種製程的溫度限制在典型的後段處理溫度。在一些實施例中，子陣列10a的製造溫度可低於約400℃。在其他實施例中，子陣列10a的製造溫度可低於約350℃。在其他實施例中，子陣列10a的製造溫度可低於約300℃。
此外，如上文所論述，此等3D RRAM陣列的各種製程整 合做法需要在具有極高高寬比的通孔以及空穴的表面上等形地沉積電阻式切換氧化物層以及第一電極線或第二電極線中的至少一者。雖然諸如PE-ALD的電漿增強製程可有效於降低在一些暴露表面上進行沉積的沉積溫度，但此等製程可能不有效於在具有高高寬比的通孔以及空穴內進行沉積。有利的是，根據本文中所揭露的實施例的熱原子層沉積可有效地沉積至高高寬比的特徵中，以形成3D RRAM陣列的各種膜。
此外，在製造子陣列10a之前製造電晶體22以及相關聯 的電連接的實施例中，電漿製程的使用可造成額外困擾。在電漿製程期間，部分製造的積體電路裝置的某些傳導結構可聚集來自電漿的電荷。所聚集的電荷可在處理期間引起放電事件，從而使得高位準的電流流經各種電流路徑，例如，流經二極體、電晶體的閘極介電質以及RRAM裝置。此等放電事件可導致包含RRAM裝置的積體電路裝置的效能以及可靠性的降級。舉例而言，放電事件可導致電阻式切換氧化物層的降級。因此，出於此等原因，可希望使用熱活化的製程來代替電漿製程，且不超過上文所論述的後段處理溫度體系。
圖1的3D RRAM陣列10可按照任何數目的方式來製 造。在圖1中，始於半導體基板12，直至垂直連接器20且包含垂直連接器20的結構可使用一般熟習此項技術者熟知的矽製造程序來製造。在形成子陣列10a之前，使用一般熟習此項技術者熟知的製造程序(諸如，減色金屬流程(subtractive metal flow)或雙金屬鑲嵌流程(dual-damascene flow))來提供將垂直連接器20以及層間介電質38b暴露出來的平坦表面。在下文中，將詳細論述子陣列10a的製造程序。
在垂直連接器20的形成之後，在下文稱為與「位元線最先流程(bitline-first flow)」相關的一些實施例中，交替沉積包括N層層間介電質38a以及N個第一電極層的堆疊。
第一電極層包括任何適當導電及半導電材料，包含：n摻雜多晶矽以及p摻雜多晶矽；金屬，包含C、Al、Cu、Ni、Cr、 Co、Ru、Rh、Pd、Ag、Pt、Au、Ir、Ta及W；導電金屬氮化物；導電金屬矽化物，包含矽化鉭、矽化鎢、矽化鎳、矽化鈷以及矽化鈦；以及導電金屬氧化物，包含RuO2。在一些實施例中，第二電極材料包含過渡金屬，且可為(例如)過渡金屬氮化物，諸如TiN、TaN、WN或TaCN。在位元線最先流程中，可使用用於沉積平坦膜的各種製程來沉積第一電極層，所述製程包含化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PE-CVD)、電漿增強原子層沉積(PE-ALD)以及物理氣相沉積(PVD)以及其他製程。在一些實施例中，藉由熱原子層沉積(ALD)來形成第一電極層。
層間介電質38a包括電絕緣的介電質材料，其包含(例 如)SiO2或Si3N4以及其他。可使用用於沉積平坦膜的製程來形成層間介電質38a，所述製程包含化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PE-CVD)、高密度化學氣相沉積(HDP-CVD)、熱原子層沉積(ALD)、電漿增強原子層沉積(PE-ALD)、旋塗式介電質製程(SOD)以及物理氣相沉積(PVD)以及其他製程。
隨後，根據位元線最先流程的一個態樣，使用適用於形 成高高寬比的通孔的圖案化技術(例如，微影以及蝕刻技術)經由包括N層的交替的層間介電質38a以及第一電極層的堆疊來形成垂直通孔。在一些實施例中，通孔的直徑為約20奈米與約500奈米之間或約20奈米與約100奈米之間。此外，在一些實施例中，通孔的深度為約0.5微米與約20微米之間或約0.5微米與約5微米之間。
垂直通孔的側壁可隨後以電阻式切換氧化物層18做為內 襯。電阻式切換氧化物層的實例包含包括金屬氧化物材料(例如，NiO、HfO2、ZrO2、Cu2O、TaO2、Ta2O5、TiO2、SiO2、Al2O3)及/或包含兩種或兩種以上金屬(例如，過渡金屬、鹼土金屬及/或稀土金屬)的合金的薄膜。一般而言，可藉由可尤其有利於形成3D RRAM記憶體單元的熱原子層沉積(ALD)來形成電阻式切換氧化物層18。舉例而言，對於具有相對高的高寬比及/或相對小的直徑的通孔，ALD型製程可促進尤其等形的層的沉積。此外，在一些情況下，電漿可能無法達到高高寬比的通孔的較深部分。在此等情況下，通孔的不同部分可暴露於不同量的電漿，從而導致非均勻沉積的不良結構效應，諸如，相比於較深部分，較厚膜沉積於通孔的開口附近(有時稱為尖化(cusping))。出於此等原因，熱ALD可較有利，此是因為熱ALD不取決於電漿的能力來達到被沉積的表面的部分。
隨後，根據「位元線最先流程」的另一態樣，可藉由適 當蝕刻技術來移除形成於垂直通孔的底部處的電阻式切換氧化物層18以便在電晶體22與第二電極線14之間進行電接觸。隨後，以適用於第二電極線14的第二電極材料填充以將電阻式切換氧化物層18做為垂直通孔的內襯。可能的第二電極材料包含適當導電及半導電材料，包含：n摻雜多晶矽以及p摻雜多晶矽；金屬，包含C、Al、Cu、Ni、Cr、Co、Ru、Rh、Pd、Ag、Pt、Au、Ir、Ta及W；導電金屬氮化物；導電金屬矽化物，包含矽化鉭、矽化鎢、 矽化鎳、矽化鈷以及矽化鈦；以及導電金屬氧化物，包含RuO2。在一些實施例中，第二電極材料包含過渡金屬，且可為(例如)過渡金屬氮化物，諸如TiN、TaN、WN或TaCN。可使用熱原子層沉積(ALD)來沉積第二電極材料。如上文結合電阻式切換氧化物層18的沉積而論述，對於具有相對高的高寬比及/或相對小的直徑的通孔，ALD型製程可促進尤其等形的層的沉積。此外，如上文針對電阻式切換氧化物層的沉積而論述，在通孔的不同部分可暴露於不同量的電漿的情況下，相比於PE-ALD，熱ALD可提供優點，以便避免因非均勻電漿暴露而引起的不良結構效應(諸如，相比於較深部分，較高量的第二電極材料沉積於通孔的開口附近，此可在第二電極線14內導致不期望的空隙(void))。
隨後，根據「位元線最先流程」的另一態樣，可對子陣列10a進行平坦化以移除過量第二電極材料。接著分離子陣列10a，藉此使用適用於經由交替的絕緣體以及導體的多個堆疊進行蝕刻的微影以及蝕刻技術而將第一電極層分離為每一子陣列10a的第一電極線16。隨後以層間介電質38a填充子陣列10a之間所形成的子陣列間間隙，且使用上文所論述的類似材料以及技術進行平坦化。隨後，可進行額外製程以進一步將第一電極16以及第二電極14連接至較高層級的金屬線。
在下文稱為與「位元線最後流程」相關的一些其他實施例中，形成子陣列10a之前的製程步驟實質上與位元線最先流程中的相同。隨後，相比於位元線最先流程，N層層間介電質38a 以及N個第一電極層的所沉積的堆疊包括沉積犧牲的第一電極層。犧牲第一電極層可包括可稍後在製程中在既不移除層間介電質38a亦不移除電阻式切換氧化物層18的同時藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻而選擇性地移除的任何適當層。舉例而言，在層間介電質38a為SiO2的實施例中，犧牲第一電極層可為Si3N4層或多晶Si層。隨後，在位元線最後流程中，直至分離子陣列且包含分離子陣列的處理步驟實質上類似於位元線最先流程，不同之處在於以下事實：在形成垂直通孔時蝕刻的材料(例如)包含犧牲第一電極材料而不是永久第一電極材料。
根據位元線最後流程的一個態樣，在使用適當微影以及 蝕刻技術進行子陣列10a的分離之後，以永久第一電極材料替換犧牲第一電極層以形成第一電極線16。可使用適用於在既不移除層間介電質38a亦不移除電阻式切換氧化物層18的同時優先移除犧牲第一電極材料的濕式或乾式蝕刻技術而進行犧牲第一電極層的移除。舉例而言，在層間介電質38a為SiO2的實施例中，犧牲第一電極層為Si3N4層，且電阻式切換氧化物層18為HfOx，適當蝕刻製程可為在保持SiO2及HfOx完整的同時選擇性地移除Si3N4的濕式蝕刻。
在位元線最後流程的另一態樣中，以適當的永久第一電 極材料填充藉由犧牲第一電極層的移除而形成的水平凹陷空穴，所述適當的永久第一電極材料包含實質上與上文結合位元線最先流程而論述的適當第二電極材料相同的材料。不同於可使用用於 在實質上平坦的表面上沉積第一電極層的各種處理技術而沉積第一電極層的位元線最先流程，一些處理技術可能不適用於在位元線最後流程中沉積永久第一電極材料。此是因為永久第一電極材料沉積於水平凹陷的空穴的表面上。因此，適用於在位元線最後流程中沉積永久第一電極材料的製程可包含類似於用於將第二電極材料沉積至高高寬比的通孔中的製程的製程。在一些實施例中，藉由熱ALD而沉積第一電極材料。預期化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PE-CVD)、電漿增強原子層沉積(PE-ALD)亦可應用於在一些情況(包含對等形性的要求較放鬆的情況)下沉積第一電極材料。如上文結合針對位元線最先流程在具有相對高的高寬比及/或小直徑的通孔的內表面上沉積電阻式切換氧化物層18以及第二電極材料而論述，第二電極材料可藉由熱ALD製程而沉積於水平空穴的內表面上。此外，如上文針對位元線最先流程而論述，因為水平空穴的不同部分可暴露於不同量的電漿，所以相比於PE-ALD，熱ALD可提供優點，以便避免因非均勻電漿暴露而引起的不良結構效應，諸如，相比於位於子陣列間間隙中較深的水平空穴，較高量的第二電極材料沉積於位於子陣列間間隙的開口附近的水平空穴中。
隨後，在位元線最後流程的另一態樣中，藉由自第一電 極線16之間的層間介電質38a的側壁表面移除第一電極材料而形成分離的第一電極線16。用於以層間介電質38a填充子陣列10a之間的子陣列間間隙以及平坦化的後續製程實質上與上文針對位 元線最先流程所論述類似。此外，類似於位元線最先流程，可進行額外製程以進一步將第一電極16以及第二電極14連接至較高層級的金屬線。
圖2繪示根據一些其他實施例的3D-RRAM陣列40的橫 截面圖。3D-RRAM陣列40的總陣列架構類似於圖1的3D-RRAM陣列10的總陣列架構，且3D-RRAM陣列40亦包含多個子陣列10a。
除描述於本文中的某些特徵之外，圖2所說明的總子陣 列架構亦類似於上文結合圖1所論述的相交式字元線架構的實例。舉例而言，類似於圖1，第二電極線14延伸穿過垂直通孔，而垂直通孔在z方向上延伸穿過多對第一電極線16a及16b的堆疊與所插置的層間介電質38a。然而，不同於圖1的實施例，圖2中的相交式字元線架構的第一電阻式切換氧化物層18a及第二電阻式切換氧化物層18b不對垂直通孔加內襯。反之，以與上文結合位元線最後流程所描述類似的方式，第一電阻式氧化物層18a及第二電阻式氧化物層18b對犧牲第一電極材料的移除之後形成的水平空穴加內襯。因此，因為不存在任何做為底層的電阻式切換氧化物層，第二電極線14填充垂直通孔的整個容積以形成圓柱形桿。
因此，在一些態樣中，所得陣列架構類似於圖1的相交 式字元線架構。舉例而言，所述一對電極16a及16b中的每一者形成在y方向上延伸的狹長線，且「共用」一個第二電極14，以 使得針對形成於第一電極16a及16b中的一者與第二電極14之間的相交處中的每一者處的每一RRAM單元形成兩個導電路徑。因此，在此實施例中，RRAM單元包括在z方向上延伸的第二電極線14的桿、在y方向上延伸且與第二電極線14形成一對相交處的一對第一電極線16a及16b、以及在所述一對相交處插置於第一電極線16a及16b與第二電極線14之間的電阻式切換氧化物層18a及18b。
在一些態樣中，用於製造3D-RRAM陣列40的製程流程 亦類似於上文結合圖1的「位元線最後」製程流程，不同之處在於：在以第二電極材料填充通孔以形成第二電極14之前不沉積電阻式切換氧化物層18a及18b。反之，電阻式切換層18a及18b等形地沉積於藉由犧牲第一電極層的移除而形成的水平凹陷空穴中。用於沉積電阻式切換層18a及18b的材料以及製程類似於上文在圖1中所述的位元線最後製程。且類似於上文在圖1中所述的位元線最後製程，接著以適當的永久第一電極材料填充藉由犧牲第一電極層的移除而形成的水平空穴，所述適當的永久第一電極材料包含實質上與上文所論述的適當第二電極材料相同的材料。此外，可使用適用於將實質上等形的膜沉積至水平空穴中的製程(類似於用於圖1中的第二電極材料沉積的製程)來沉積第一電極材料。因此，如上文結合圖1的位元線最先流程所論述，針對電阻式切換層18a及18b以及永久第一電極材料的沉積，相比於PE-ALD，熱ALD製程可為較佳的，以便避免因非均勻電漿 暴露而引起的不良結構效應，諸如，相比於位於子陣列間間隙中較深的水平空穴，較高量的第二電極材料沉積於位於子陣列間間隙的開口附近的水平空穴中。
在一些態樣中，使用圖2的位元線最後製程流程來製造具有相交式字元線陣列架構的3D-RRAM陣列40可比圖1的位元線最先製程有利。舉例而言，在以第二電極材料覆蓋之前，電阻式切換氧化物層18a及18b不暴露於蝕刻及清潔化學品，因此最小化污染以及其他處理問題，諸如，在電阻式切換氧化物層中形成針孔。
如上文所論述，可將安置於由第一電極線16及第二電極線14形成的相交處的RRAM單元中的任一者的傳導路徑程式化為處於相對高電阻的狀態(亦稱為「重設」狀態)。類似地，可將RRAM單元中的任一者的傳導路徑程式化為處於相對低電阻的狀態(亦稱為「設定」狀態)。在一個實施例中，在每單元單位元(single bit-per-cell)記憶體系統中，高電阻狀態以及低電阻狀態可對應於「1」狀態及「0」狀態。
參看圖3，在本文中揭露包括圖1及圖2的RRAM單元的材料堆疊的細節。RRAM單元堆疊50表示在圖1及圖2中沿著截線3截取的RRAM單元的橫截面。單元堆疊包括第一電極16、藉由熱原子層沉積(ALD)而形成的第二電極14以及包括藉由熱原子層沉積(ALD)而形成的金屬氧化物的電阻式切換氧化物層18，其中電阻式切換氧化物層18插置於第一電極16與第二電極 14之間。
一般而言，經由所吸附的前驅物的原子層之間的反應而 產生藉由ALD而生長的膜。在熱ALD生長製程中，經由自基板的溫度賦予的熱能所驅動的表面反應來使得膜生長。相比而言，在電漿增強(PE-ALD)生長製程中，經由至少部分由電漿製程驅動的表面反應而發生膜生長。
在一些實施例中，電阻式切換氧化物層18可包含次化學 計量金屬氧化物，其可由MOx表示，其中M為金屬，O為氧，且x表示小於化學計量飽和值的值。舉例而言，在電阻式切換氧化物層18包含氧化鉿的實施例中，次化學計量氧化物可為HfOx，其中x為小於飽和化學計量值2的值。
應瞭解，具有次化學計量組成的電阻式切換氧化物層18 可用於控制RRAM裝置的切換行為。舉例而言，氧化物的次化學計量組成可在氧化物內引起氧空位，氧空位可在RRAM裝置的切換條件下行動。在一些實施例中，可調整組成以獲得RRAM裝置的特定切換及其他參數，諸如，切換電壓、切換電流以及資料保持。
在一些實施例中，藉由在電阻式切換層18與第一電極以 及第二電極中的一者或兩者之間沉積反應性金屬層(諸如，元素過渡金屬層)而達成次化學計量組成。在此等實施例中，反應性金屬層可在後續製程期間或在裝置操作期間與電阻式切換層18混雜以形成次化學計量組成。在一些實施方案中，形成反應性金屬 層的金屬包含形成電阻式切換氧化物層的金屬或其他金屬，包含Ni、Hf、Zr、Cu、Ta、Ta、Ti、Si及Al以及其他。在此等實施例中，電阻式切換層18與反應性金屬層接觸，所述反應性金屬層插置於電阻式切換層18與第一電極以及第二電極中的一者或兩者之間。
在一些其他實施例中，藉由控制電阻式切換層18自身的組成、藉由控制諸如沉積溫度以及ALD循環時間的沉積參數以及藉由其他方式來達成次化學計量組成。在此等實施例中，電阻式切換層與第一電極以及第二電極中的一者或兩者接觸。在一些實施方案中，x可為介於約1.0與約2.0之間的值(亦即，50%至100%的化學計量值)。在一些其他實施方案中，x可為介於約1.5與約2.0之間的值(亦即，75%至100%的化學計量值)。次化學計量值的類似度數可存在於上文列出的其他金屬氧化物系統中。
在其他實施例中，電阻式切換氧化物層18可包含由MzNyOx表示的次化學計量金屬氧化物的合金，其中M為第一金屬，N為第二金屬，O為氧，z及y分別表示第一金屬以及第二金屬的相對量，且x表示小於飽和化學計量值的值。舉例而言，次化學計量氧化物可為HfzAlyOx，其中z及y表示Hf及Al的相對量，且x表示小於化學計量飽和值的值。如上文所論述，氧化物的次化學計量組成可在氧化物內引起氧空位，氧空位可在RRAM裝置的切換條件下行動。在一個實施方案中，x可為介於約75%與100%之間的化學計量值的值。在另一實施方案中，x可為介於 約50%與75%之間的化學計量值的值。
在一些實施例中，將HfCl4及H2O用作為前驅物，藉由 熱ALD來沉積電阻式切換氧化物層18(例如，包含HfOx)。在一些其他實施例中，將TEMAHf或其任何衍生物用作為Hf的前驅物且使用臭氧及/或H2O，藉由熱ALD來沉積包含HfOx的電阻式切換氧化物層18。
在一些實施例中，電阻式切換氧化物層18摻雜以金屬摻 雜劑，例如，Al、Ti及Ni。舉例而言，在切換氧化物層18為HfOx的情況下，可以鋁摻雜(例如，以Al2O3的形式)電阻式切換金屬氧化物層18以形成HfzAlyOx。在一些實施例中，將TMA及H2O用作Al2O3前驅物，藉由熱ALD而沉積包含HfAlOx的電阻式切換氧化物層18。在一些實施例中，Al濃度處於約1原子%至約20原子%的範圍中(亦即，z=0.95且y=0.05)。在一些實施例中，Al濃度處於約1原子%至約10原子%的範圍中(亦即，z=0.90且y=0.10)，例如約5%。
如上所述，除鋁之外的金屬摻雜劑是可行的。在一些實施例中，在切換氧化物層18為HfOx的情況下，以鈦(例如，以TiO2的形式)摻雜電阻式切換氧化物層18，此可形成HfzTiyOx。在一些其他實施例中，以鎳(例如，以NiO2的形式)摻雜電阻式切換氧化物層18的HfOx以形成HfzNiyOx。
應瞭解，如本文中所論述且如下文所述的各曲線圖中所說明，電阻式切換氧化物層18的沉積溫度對控制RRAM裝置的切 換條件以及其他裝置參數亦可為重要的。舉例而言，沉積溫度可與組成(例如，次化學計量的度數以及氫及/或碳含量)相關。在一些實施例中，在範圍為200℃至325℃的溫度下沉積電阻式切換氧化物層18。在另一實施例中，在範圍為200℃至250℃的溫度下沉積電阻式切換氧化物層18。在又一實施例中，在範圍為220℃至230℃的溫度(例如，約225℃)下沉積電阻式切換氧化物層18。
在一個實施例中，包含HfOx的電阻式切換氧化物層18 的厚度為約40奈米與約1奈米之間，例如約20奈米。在另一實施例中，包含HfOx的電阻式切換氧化物層18的厚度為約20奈米與約1奈米之間，例如約10奈米。在又一實施例中，包含HfOx的電阻式切換氧化物層18的厚度為約10奈米與約1奈米之間，例如約5奈米。
在一些實施例中，單元堆疊50可更包括氧空位形成層 60，其促進在電阻式切換氧化物層18中形成氧空位。在一些實施例中，氧空位形成層60包含電阻式切換氧化物層18的元素金屬(亦即，M或M及N)。舉例而言，在電阻式切換氧化物層18為HfOx的情況下，氧空位形成層60可包含元素Hf。
在一些其他實施例中，氧空位形成層60包含次化學計量 金屬氧化物，其包含相同金屬元素(亦即，MOx或MzNyOx)且氧含量的化學計量實質上低於電阻式切換層。在一些實施方案中，x可為介於約25%與約50%之間的化學計量值的值。在一些其他實施方案中，x可為介於約1%與約25%之間的化學計量值的值。舉 例而言，電阻式切換層18可具有化學計量HfO1.5，且氧空位形成層60可具有化學計量HfO0.5。
在一些實施例中，第一電極16以及第二電極14中的一 者或兩者可藉由熱原子層沉積(ALD)而形成，且可包含金屬氮化物。在一些實施例中，藉由熱ALD而形成的第二電極14包含使用包括TiCl4及NH3的前驅物的TiN層。
在一些實施例中，藉由熱ALD而形成的第一電極16以 及第二電極14中的一者或兩者包含在低於約400℃的溫度下形成的TiN層。在另一實施例中，藉由熱ALD而形成的第二電極14包含在約350℃與約400℃之間的溫度下形成的TiN層。在又一實施例中，藉由熱ALD而形成的第二電極14包含在約300℃與約350℃之間的溫度下形成的TiN層。
在一些實施例中，藉由熱ALD而形成的第一電極16以 及第二電極14中的一者或兩者包含厚度為約1奈米至約100奈米的TiN層。在另一實施例中，藉由熱ALD而形成的第二電極14包含厚度為約5奈米至約50奈米的TiN層。在又一實施例中，藉由熱ALD而形成的第二電極14包含具有約5奈米至約30奈米(例如，10奈米)的厚度的TiN層。
圖4表示可改變RRAM單元的狀態的三個存取操作的示 意性電流-電壓(I-V)曲線80。形成操作正是參考施加至製造狀態下(as-fabricated)的RRAM單元的第一電脈衝。如本文中所參考的電脈衝可包含適當電壓或電流脈衝。此外，電脈衝在正被施 加時可具有電壓及/或電流度數的變化，例如，DC電壓擺動(voltage sweep)。在圖4中，x軸表示跨越諸如圖3中的RRAM單元堆疊50的RRAM單元堆疊而施加的電壓。y軸表示在給定電壓下流經RRAM單元堆疊的電流。
在圖4中，表示形成操作的I-V曲線包含在電壓軸上範圍為初始電壓VINIT至形成起始電壓VFORM START的預形成高電阻狀態(HRS)I-V部分82，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對慢的電流增大。表示形成操作的I-V曲線更包含在電壓軸上範圍為VFORM START至VFORM END的形成HRS至LRS轉變I-V部分84，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對快的電流增大，在此期間，RRAM單元將其狀態自預形成HRS改變為後形成低電阻狀態(LRS)。表示自VFORM END至VINIT的返回路徑的I-V曲線由第一LRS返回路徑I-V部分86表示。
在一些實施例中，形成電壓VFORM START及VFORM END與氧 化物崩潰電壓(BV)相關，氧化物崩潰電壓可與電場成正比。因此，形成電壓可取決於諸如電阻式切換氧化物層的厚度、密度、組成以及總品質以及其他特性的因素。因此，可藉由調整熱ALD的上述沉積參數(諸如，沉積溫度以及ALD循環時間)來控制此等電壓。
表示「重設(RESET)」操作的I-V曲線包含在電壓軸上範 圍為初始電壓VINIT至「重設」起始電壓VRESET START的LRS I-V部分88，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對慢的電流減 小。表示「重設」操作的I-V曲線更包含在電壓軸上範圍為VRESET START至VRESET END的「重設」LRS至HRS轉變I-V部分90，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對快的電流減小，在此期間，RRAM單元將其狀態自LRS改變為HRS。表示自VRESET END至VINIT的返回路徑的I-V曲線由HRS返回路徑I-V部分92表示。
表示「設定(SET)」操作的I-V曲線包含在電壓軸上範圍 為初始電壓VINIT至「設定」起始電壓VSET START的HRS I-V部分94，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對慢的電流增大。此I-V部分比形成I-V曲線的類似I-V部分漏失(leaky)。表示「設定」操作的I-V曲線更包含在電壓軸上範圍為VSET START至VSET END的「設定」HRS至LRS轉變I-V部分96，且特徵在於針對電壓的給定改變出現相對快的電流增大，在此期間，RRAM單元將其狀態自HRS改變為LRS。表示自VSET END至VINIT的返回路徑的I-V曲線由第二LRS返回路徑I-V部分98表示。
在圖5至圖10，根據本發明的一些實施例來論述電阻式 切換氧化物層材料以及併有所述材料的RRAM裝置的物理特性及電特性。圖5至圖7中的電阻式切換氧化物層的實施例是在約325℃或325℃以下的溫度下藉由熱ALD而形成。有利的是，根據上文結合圖3所論述的實施例，包含電阻式切換氧化物層的RRAM單元堆疊不包含反應性金屬層。因此，在圖8至圖10的實施例中，RRAM裝置包含與第一電極及第二電極接觸的電阻式切換氧化物層。
圖5繪示根據本發明的實施例的電阻式切換氧化物層的組成深度輪廓100。特定言之，圖5的左軸表示40奈米的HfO2膜的定量x射線光電子強度，其始於電阻式切換氧化物層的表面且隨著相對於表面的深度而改變，所述x射線光電子強度是以原子%為單位，且在對應於Hf金屬的電子能下量測。分別由連接的實心正方形以及實心菱形表示的第一Hf原子百分比深度輪廓102以及第二Hf原子百分比深度輪廓104來分別表示在300℃及225℃的兩個不同溫度下沉積的化學計量HfO2膜中的Hf的深度輪廓。疊加的輪廓102及104展示，相比於300℃的較高沉積溫度，225℃的沉積溫度導致相對較高的峰值Hf原子百分比。此外，深度輪廓證實例示性HfO2膜在膜的中間深度下(在約25奈米的深度下)具有最高Hf含量。
圖5的右軸表示在各別電子能量下量測的Hf金屬的x射 線光電子強度與氧的x射線光電子強度的比，其始於電阻式切換氧化物層的表面且隨著相對於表面的深度而改變。分別由連接的開放正方形以及連接的x符號表示的第一Hf原子比深度輪廓106以及第二Hf原子比深度輪廓108來分別表示在300℃及225℃的兩個不同溫度下沉積的化學計量HfO2膜中的Hf的深度輪廓。疊加的原子比輪廓106及108展示電阻式切換層HfOx具有約1.5與2之間的x值。此外，疊加的原子輪廓展示，相比於300℃的較高沉積溫度，225℃的沉積溫度導致相對較低的氧的原子百分比(亦即，較高的Hf原子百分比)，低了約5%。
圖6繪示根據本發明的實施例的電阻式切換氧化物層的 氧化物崩潰電壓(BV)曲線110。y軸表示電阻式切換氧化物層經受硬(不可逆)崩潰的電壓，如上文結合圖4所論述，其在一些實施例中可類似於形成RRAM裝置。x軸表示電阻式切換氧化物的厚度。第一BV曲線112及第二BV曲線114分別對應於在225℃及300℃下沉積的HfO2。疊加的BV曲線112及114說明雖然在225℃及300℃下沉積的兩個HfO2膜如所預期在較高厚度下顯現較高BV，但相比於在300℃下沉積的HfO2膜，在225℃下沉積的HfO2膜，在給定的厚度增大下具有較高的BV增大量。因此，針對10奈米的膜，在225℃下沉積的膜相比於在300℃下沉積的膜具有顯著較高的BV。顯著高於「設定」電壓VSET的形成電壓VFORM可出於許多原因(包含用於供應較大量的電流的較大電晶體)而不是理想的。因此，沉積溫度可對調整VFORM起重要作用。
圖7繪示介電常數(k值)比較條形圖120，其展示分別 對應於在200℃、225℃、250℃及300℃下沉積的第一至第四10奈米HfO2電阻式切換氧化物層的k值條形圖122、124、126及128。k值比較條形圖120說明10奈米HfO2膜的k值處於約15與20之間，且不隨著沉積溫度而顯著變化。
圖8及圖9繪示包括安置於包括TiN的第一電極與第二電極之間的HfOx電阻式切換氧化物層的RRAM單元的I-V曲線。圖8的I-V曲線130對應於具有在225℃下生長的10奈米HfOx的RRAM單元，且圖9的I-V曲線140對應於具有在225℃下生 長的5奈米HfOx的RRAM單元。
圖8的I-V曲線130的「設定」部分包含在電壓軸上範圍為約零的VINIT至約0.7伏特的VSET START的「設定」HRS I-V部分132、在電壓軸上範圍為約0.7伏特的VSET START至約0.8伏特的VSET END的「設定」HRS至LRS轉變I-V部分134、以及約0.8伏特的VSET END至約零的VINIT的「設定」返回I-V部分136。
圖8的I-V曲線130的「重設」部分包含在電壓軸上範 圍為約零的VINIT至約-1.2伏特的VRESET START的「重設」LRS I-V部分138、在電壓軸上範圍為約-1.2伏特的VRESET START至約-1.5伏特的VRESET END的「重設」LRS至HRS轉變I-V部分140、以及約-1.5伏特的VRESET END至約零的VINIT的「重設」返回I-V部分142。
圖9的I-V曲線140的「設定」部分包含在電壓軸上範圍為約零的VINIT至約0.9伏特的VSET START的「設定」HRS I-V部分142、在電壓軸上範圍為約0.9伏特的VSET START至約1.0伏特的VSET END的「設定」HRS至LRS轉變I-V部分144、以及約1.5伏特的VSET END至約零的VINIT的「設定」返回I-V部分146。
圖9的I-V曲線140的「重設」部分包含在電壓軸上範圍為約零的VINIT至約-0.7伏特的VRESET START的「重設」LRS I-V部分148、在電壓軸上範圍為約-0.7伏特的VRESET START至約-1.2伏特的VRESET END的「重設」LRS至HRS轉變I-V部分150、以及約-1.2伏特的VRESET END至約零的VINIT的「重設」返回I-V部分 152。
對應於分別具有在225℃下生長的10奈米HfOx以及在 225℃下生長的5奈米HfOx的RRAM單元的圖8及圖9的I-V曲線130及140分別展現在VREAD為0.3伏特下所量測的開/關比(ON/OFF ratio)為25及20。
圖10繪示包括安置於包括TiN的第一電極與第二電極之間的HfzAlyOx電阻式切換氧化物層的RRAM單元的I-V曲線。圖8的I-V曲線150對應於具有在300℃下生長且以約5原子%的Al摻雜的5奈米HfzAlyOx(亦即，z=0.95且y=0.05)的RRAM單元。HfzAlyOx電阻式切換氧化物層具有膜的BV為3.8伏特。
圖10的I-V曲線150的「設定」部分包含在電壓軸上範圍為約零的VINIT至約0.7伏特的VSET START的「設定」HRS I-V部分152、在電壓軸上範圍為約0.7伏特的VSET START至約0.8伏特的VSET END的「設定」HRS至LRS轉變I-V部分154、以及約1.5伏特的VSET END至約零的VINIT的「設定」返回I-V部分156。
圖10的I-V曲線160的「重設」部分包含在電壓軸上範圍為約零的VINIT至約-1.3伏特的VRESET START的「重設」LRS I-V部分158、在電壓軸上範圍為約-1.3伏特的VRESET START至約-1.5伏特的VRESET END的「重設」LRS至HRS轉變I-V部分160、以及約-1.5伏特的VRESET END至約零的VINIT的「重設」返回I-V部分162。
對應於具有5奈米HfzAlyOx的RRAM單元的圖10的I-V 曲線150展現在VREAD為0.3伏特下所量測的開/關比為約40。
熟習此項技術者應瞭解，可對上述製程進行各種省略、添加及修改，而不偏離本發明的範疇，且所有此等修改及改變意欲落入如由隨附申請專利範圍界定的本發明的範疇內。
3‧‧‧截線
10‧‧‧3D-RRAM陣列
10a‧‧‧子陣列
12‧‧‧半導體基板
14‧‧‧電極線\電極
16‧‧‧電極線\電極
16a‧‧‧電極線\電極
16b‧‧‧電極線\電極
18a‧‧‧電阻式切換氧化物層\電阻式氧化物層\電阻式切換層
18b‧‧‧電阻式切換氧化物層\電阻式氧化物層\電阻式切換層
20‧‧‧垂直連接器
22‧‧‧電晶體
26‧‧‧源極觸點
28‧‧‧閘極
32‧‧‧源極
34‧‧‧汲極
38a‧‧‧層間介電質
38b‧‧‧層間介電質
38c‧‧‧層間介電質

Claims (23)

  1. 一種電阻式隨機存取記憶體(RRAM)裝置的形成方法，包括：形成第一電極；在約325℃或325℃以下，藉由熱原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及藉由熱原子層沉積(ALD)而形成第二電極，其中所述電阻式切換層插置於所述第一電極與所述第二電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換氧化物是在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質電漿處理的情況下進行。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換氧化物層包括沉積氧化鉿。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中所述氧化鉿具有化學式HfOx，其中x介於約1.5與約2之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換層以及形成所述第二電極是在約200℃與約300℃之間的溫度下進行。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換氧化物層包括在約200℃與約250℃之間的溫度下沉積HfOx。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換氧化物層包括使用包含HfCl4及H2O的前驅物來沉積HfOx。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第一電極以及形成所述第二電極包含沉積金屬氮化物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中所述第一電極以及所述第二電極與所述電阻式切換氧化物層接觸。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中沉積所述金屬氮化物包括沉積TiN層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第二電極包括使用包括TiCl4及NH3的前驅物來沉積所述TiN層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第二電極的膜層包括在約400℃或400℃以下的溫度下沉積所述TiN層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第二電極的膜層包括在約300℃與約 350℃之間的溫度下沉積所述TiN層。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第一電極包括使用包括TiCl4及NH3的前驅物來沉積所述TiN層。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中所述RRAM裝置為三維RRAM裝置，包括在不同垂直層級處形成的多個所述第一電極，且其中所述第二電極包括垂直延伸的導電桿。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第一電極包含：在基板表面上方沉積所述第一電極的膜層，所述第一電極的膜層具有實質上平行於所述基板表面的主表面，其中形成所述電阻式切換層包括對經形成而穿過所述第一電極的膜層的孔的側壁表面加內襯，所述孔在垂直方向上延伸，且其中形成所述第二電極包含在所述電阻式切換層上沉積所述第二電極的膜層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中沉積所述第一電極的膜層包括沉積導電金屬氮化物。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中沉積所述第一電極的膜層包括沉積犧牲層，且形成所述第一電極更包含將所述犧牲層替換為導電金屬氮化 物。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述第一電極包括：在基板表面上方沉積犧牲層，所述犧牲層具有實質上平行於所述基板表面的主表面，其中形成所述第二電極包含在經形成而穿過所述犧牲層的孔的側壁表面上沉積所述第二電極的膜層，其中形成所述電阻式切換層包括對藉由移除所述犧牲層而形成的空穴加內襯，且其中形成所述第一電極更包含在所述電阻式切換層上沉積所述第一電極的膜層。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，更包括在形成所述RRAM裝置之前形成電晶體，所述RRAM裝置形成於所述電晶體上方。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中所述孔的直徑為約20奈米至約100奈米且深度為約0.5微米至約5微米。
  22. 一種電阻式隨機存取記憶體(RRAM)裝置的形成方法，包括：形成包括金屬氮化物的第一電極；在約325℃或325℃以下，藉由原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氧化物的電阻式切換氧化物層；以及 藉由原子層沉積(ALD)而形成包括金屬氮化物的第二電極，其中所述電阻式切換層具有與所述第一電極接觸的第一表面以及與所述第二電極接觸的第二表面，所述第一側與所述第二側彼此相對。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的電阻式隨機存取記憶體裝置的形成方法，其中形成所述電阻式切換氧化物是在沉積所述金屬氧化物之後不將所述切換氧化物層的表面暴露於表面改質電漿處理的情況下進行。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11508697B2 (en) 2019-09-18 2022-11-22 Kioxia Corporation Semiconductor memory device

Families Citing this family (269)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102410289B1 (ko) 2014-12-18 2022-06-17 인텔 코포레이션 국소화된 필라멘트 채널을 포함하는 저항성 메모리 셀, 그것을 포함하는 디바이스, 및 그것의 제조 방법
CN107004761B (zh) * 2014-12-24 2021-09-14 英特尔公司 电阻式存储器单元及电阻式存储器单元的前体、制造其的方法和包括其的器件
US9508430B2 (en) * 2015-03-10 2016-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional memory device including memory cells with resistance change layers
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102384893B1 (ko) 2015-05-21 2022-04-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) * 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102627584B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 주기적 증착 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11362275B2 (en) * 2019-05-07 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Annealing processes for memory devices
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
CN111312896A (zh) * 2020-02-29 2020-06-19 厦门半导体工业技术研发有限公司 一种半导体元件及其制备方法
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
US11882776B2 (en) 2020-04-07 2024-01-23 Tokyo Electron Limited In-situ encapsulation of metal-insulator-metal (MIM) stacks for resistive random access memory (RERAM) cells
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116096217A (zh) * 2021-11-02 2023-05-09 联华电子股份有限公司 可变电阻式存储器结构及其制作方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6849868B2 (en) 2002-03-14 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for resistance variable material cells
US6864500B2 (en) 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6858482B2 (en) 2002-04-10 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Method of manufacture of programmable switching circuits and memory cells employing a glass layer
US6855975B2 (en) 2002-04-10 2005-02-15 Micron Technology, Inc. Thin film diode integrated with chalcogenide memory cell
US6825135B2 (en) 2002-06-06 2004-11-30 Micron Technology, Inc. Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition
US6890790B2 (en) 2002-06-06 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides
JP2005536071A (ja) * 2002-08-21 2005-11-24 オヴォニクス，インコーポレイテッド プログラム可能デバイスに原子層堆積法を利用する方法及び装置
US6867114B2 (en) 2002-08-29 2005-03-15 Micron Technology Inc. Methods to form a memory cell with metal-rich metal chalcogenide
KR100576363B1 (ko) * 2003-05-30 2006-05-03 삼성전자주식회사 인시투 화학기상증착 금속 공정 및 그에 사용되는화학기상증착 장비
EP1790758A1 (en) * 2005-11-25 2007-05-30 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Atomic layer deposition (ald) method for producing a high quality layer
JP2009081251A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Panasonic Corp 抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ
KR101418434B1 (ko) * 2008-03-13 2014-08-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는프로세싱 시스템
JP2010062418A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置の製造方法
US20100102417A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Vapor deposition method for ternary compounds
JP2010287744A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Elpida Memory Inc 固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置
US20130082230A1 (en) * 2010-10-01 2013-04-04 Koji Katayama Method of manufacturing nonvolatile memory element, and nonvolatile memory element
KR20120065799A (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 삼성전자주식회사 ＴｉＮ 박막의 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8951829B2 (en) 2011-04-01 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Resistive switching in memory cells
US9343672B2 (en) * 2011-06-07 2016-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, nonvolatile memory cells and methods of manufacturing nonvolatile memory devices
US8288297B1 (en) * 2011-09-01 2012-10-16 Intermolecular, Inc. Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications
JP6180700B2 (ja) * 2011-09-09 2017-08-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US9093369B2 (en) * 2012-06-07 2015-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional resistive random access memory devices, methods of operating the same, and methods of fabricating the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11508697B2 (en) 2019-09-18 2022-11-22 Kioxia Corporation Semiconductor memory device
TWI788687B (zh) * 2019-09-18 2023-01-01 日商鎧俠股份有限公司 半導體記憶裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014216646A (ja) 2014-11-17
KR102077778B1 (ko) 2020-02-14
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KR20140128876A (ko) 2014-11-06
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US8956939B2 (en) 2015-02-17

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