TW201506087A - 硬化性樹脂組成物及使用其之半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種具備透明性、耐熱性、柔軟性，同時具備耐熱衝擊性與耐迴焊性，並且兼具對於硫化氫(H2S)氣體之阻隔性與對於硫氧化物(SOX)氣體之阻隔性，在半導體元件(特別是光半導體元件)之密封用途為有用的硬化性樹脂組成物、使用其之硬化物、密封材、及半導體裝置。 本發明係一種硬化性樹脂組成物、使用其之硬化物、密封材、及半導體裝置，該硬化性樹脂組成物係包含聚有機矽氧烷(A)、倍半矽氧烷(B)、及異三聚氰酸酯化合物(C)的硬化性樹脂組成物，其特徵為：聚有機矽氧烷(A)為具有芳基的聚有機矽氧烷，且黏度為4000~8000mPa．s。

Description

硬化性樹脂組成物及使用其之半導體裝置
本發明係關於一種硬化性樹脂組成物、使用該硬化性樹脂組成物而得到的硬化物、密封材、以及使用該密封材而得到的半導體裝置。本案係主張在2013年8月6日於日本申請的特願2013-163577號之優先權，並在此援用其內容。
在需要高耐熱．高耐電壓的半導體裝置中，於被覆半導體元件的材料中，一般係需要150℃左右以上的耐熱性。特別是在被覆光半導體元件等之光學材料的材料(密封材)中，除了耐熱性以外，也需要透明性、柔軟性等之物性佳。例如，作為在液晶顯示器之背光單元的密封材，目前使用環氧系樹脂材料或矽酮系樹脂材料。
在專利文獻1中，作為耐熱性高且散熱性佳的材料，有揭露含有分子量為2萬至80萬的第3有機矽聚合物之1種以上的合成高分子化合物，其中該第3有機矽聚合物係使具有矽氧烷(Si-O-Si鍵結體)的交聯結構之至少1種的第1有機矽聚合物與具有矽氧烷的線狀連結結構之至少1種的第2有機矽聚合物，藉由矽氧烷鍵連結。然而，該等之材料的物性仍無法滿足。
又，在專利文獻2中，作為透明性、耐UV性 、耐熱著色性優異的光元件密封用樹脂組成物，有揭露包含倍半矽氧烷(silsesquioxane)作為樹脂成分的光元件密封用樹脂組成物，其中該倍半矽氧烷係選自於包含含有脂肪族碳-碳不飽和鍵且未包含H-Si鍵的籠型結構體之液狀的倍半矽氧烷、及含有H-Si鍵且未包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的籠型結構體之液狀的倍半矽氧烷之群組中的至少1種。然而，包含籠型之倍半矽氧烷的樹脂組成物之硬化物，因為比較硬，且缺乏柔軟性，所以有容易產生裂縫或破裂的問題。
又，在專利文獻3中，有揭露包含在1分子中含有至少2個與SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵的三烯丙基異三聚氰酸酯等之有機化合物、在1分子中至少含有2個SiH基之鏈狀及/或環狀聚有機矽氧烷等之化合物、氫矽烷化觸媒作為必要成分的硬化性組成物。然而，該等之材料的耐裂縫性等之物性，仍無法滿足。
另一方面，光半導體裝置的電極等之金屬材料，容易因為腐蝕性氣體而腐蝕，且有通電特性(例如，高溫環境的通電特性)隨時間惡化的問題。因此，光半導體用的密封材料中，需要相對於腐蝕性氣體的高阻隔性。然而，使用專利文獻1~3等所揭露之以往的矽酮系樹脂材料之密封材料，對於腐蝕性氣體之阻隔性，不能說是十分足夠。
專利文獻4中，有揭露一種矽酮樹脂組成物，其係包含(A)具有至少2個鍵結於矽原子之烯基的聚矽氧烷、(B)具有至少2個鍵結於矽原子之氫基的聚矽氧烷交 聯劑、(C)氫矽烷化反應觸媒、以及(D)鋅化合物，相對於前述(A)成分及前述(B)成分之合計100質量份，含有前述(D)成分0.1~5質量份，且耐硫化性佳。然而，雖有揭露對於硫化氫(H2S)的耐腐蝕性，但關於對於其他腐蝕性氣體的耐腐蝕性，並沒有記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-206721號公報
[專利文獻2]日本特開2007-031619號公報
[專利文獻3]日本特開2002-314140號公報
[專利文獻4]日本特開2011-178983號公報
使半導體裝置腐蝕的腐蝕性氣體存在有多個種類，且仍沒有揭露如相對於作為代表的腐蝕性氣體之硫化氫(H2S)氣體或硫氧化物(SOX)氣體等多個腐蝕性氣體之任一者均具有足夠的阻隔性之密封材料。
再者，在作為照明用或背光用之白色LED(Light Emitting Diode)使用的光半導體裝置中，為了提高光取出效率，需要有具有高折射率的密封材料。又，在製造作為白色LED使用的半導體裝置之步驟中，有時在光半導體元件之密封材料中混合螢光體而使用，且為了防止螢光體在密封材料中沉降而集中，需要有具有高黏度的密封材料。
因此，本發明的目的在於提供一種對於半導體元件(特別是光半導體元件)之密封用途為有用，並為高折射率且高黏度的硬化物，其係具備透明性、耐熱性，同時具備耐熱衝擊性，並且兼具對於腐蝕性氣體之阻隔性(特別是相對於硫化氫(H2S)氣體的阻隔性(耐H2S腐蝕性)、及相對於硫氧化物(SOX)氣體的阻隔性(耐SOX腐蝕性))。又，本發明之另一目的在於提供一種對於半導體元件之密封用途為有用，並為高折射率且高黏度的硬化性樹脂組成物，其係具備透明性、耐熱性、柔軟性，同時具備耐熱衝擊性與耐迴焊性(迴焊步驟之耐裂縫性、相對於封裝體之密合性等)，並且兼具相對於腐蝕性氣體之阻隔性。又，本發明之另一目的在於提供一種高折射率的硬化物及密封材，其係具有優異的透明性、耐熱性、柔軟性、耐熱衝擊性、耐迴焊性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性。又，本發明之另一目的在於提供一種半導體裝置，其係具有該等之硬化物及/或密封材。
本案發明人發現：相對於具有芳基的聚有機矽氧烷添加倍半矽氧烷及異三聚氰酸酯化合物，黏度為4000~8000mPa．s的硬化性樹脂組成物具有優異的透明性、耐熱性，特別是可形成對於腐蝕性氣體之阻隔性、耐熱衝擊性均優異的硬化物，進而完成本發明。
亦即，本發明提供一種硬化性樹脂組成物，其係包含聚有機矽氧烷(A)、倍半矽氧烷(B)、及異三聚氰酸酯化合物(C)的硬化性樹脂組成物，其特徵為：聚有 機矽氧烷(A)為具有芳基的聚有機矽氧烷，且黏度為4000~8000mPa．s。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中聚有機矽氧烷(A)之利用膠體滲透層析的標準聚苯乙烯換算之數量平均分子量(Mn)為500~4000。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中將聚有機矽氧烷(A)之利用膠體滲透層析的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量作為Mw、數量平均分子量作為Mn時之分子量分散度(Mw/Mn)為0.95~4.00。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係包含具有脂肪族碳-碳雙鍵的聚有機矽氧烷(A1)。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係包含具有Si-H鍵的聚有機矽氧烷(A2)。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係含有包含式(6)所示的結構之聚有機矽氧烷；
[式(6)中，R21~R26可相同或不同，並表示氫原子、芳基、一價烴基、一價雜環式基、或包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基；但是，R21~R26中之1個以上為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基；又，R21~R26中之1個以上為芳基；R27表示二價烴基；r、s各別表示1以上的整數]。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中倍半矽氧烷(B)係梯型倍半矽氧烷。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中異三聚氰酸酯化合物(C)係式(1)所示的異三聚氰酸酯化合物；
[式(1)中，Rx、Ry、Rz可相同或不同，並表示式(2)所示的基、或式(3)所示的基；
[式(2)及式(3)中，R1及R2可相同或不同，並表示氫原子或碳數1~8之直鏈狀或分支鏈狀的烷基]]。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中式(1)的Rx、Ry、Rz之中，任一個以上為式(3)所示的基。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中更包含矽烷偶合劑(D)，且矽烷偶合劑(D)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物 ，其中矽烷偶合劑(D)係包含將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中更包含鋅化合物(E)，且鋅化合物(E)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
又，本發明提供如前述硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.3重量份以上小於0.6重量份。
又，本發明提供如前述之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)為羧酸鋅。
又，本發明提供一種硬化物，其係將如前述之硬化性樹脂組成物硬化而得到。
又，本發明提供一種密封材，其係使用如前述之硬化性樹脂組成物而得到。
又，本發明提供一種半導體裝置，其係使用如前述之密封材而得到。
又，本發明的硬化性樹脂組成物係與下述有關。
[1]一種硬化性樹脂組成物，其係包含聚有機矽氧烷(A)、倍半矽氧烷(B)、及異三聚氰酸酯化合物(C)的硬化性樹脂組成物，其特徵為：聚有機矽氧烷(A)為具有芳基的聚有機矽氧烷，且黏度為4000~8000mPa．s。
[2]如[1]記載之硬化性樹脂組成物，其中聚有機矽氧 烷(A)係具有分支鏈的聚有機矽氧烷。
[3]如[1]或[2]記載之硬化性樹脂組成物，其中聚有機矽氧烷(A)係包含式(6)所示的結構(特別是R27為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基較佳，更佳為伸乙基)的聚有機矽氧烷。
[4]如[1]至[3]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中聚有機矽氧烷(A)之含量(摻合量)係相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為60~99.7重量%。
[5]如[3]或[4]記載之硬化性樹脂組成物，相對於聚有機矽氧烷(A)全量(合計含量，100重量%)之包含式(6)所示的結構(特別是R27為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基較佳，更佳為伸乙基)的聚有機矽氧烷之比例為60~100重量%。
[6]如[3]至[5]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係使用具有脂肪族碳-碳雙鍵且具有芳基的聚有機矽氧烷基矽烷基烯、與具有脂肪族碳-碳雙鍵及Si-H鍵且具有芳基的聚有機矽氧烷基矽烷基烯之2種。
[7]如[1]至[6]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其係包含倍半矽氧烷(B)。
[8]如[1]至[7]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中倍半矽氧烷(B)係梯型倍半矽氧烷。
[9]如[1]至[8]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中倍半矽氧烷(B)之含量係相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0.01~30重量%。
[10]如[1]至[9]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中倍半矽氧烷(B)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)與倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01~30重量份。
[11]如[1]至[10]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中作為異三聚氰酸酯化合物(C)係包含式(1)所示的異三聚氰酸酯化合物；[式(1)中，Rx、Ry、Rz可相同或不同，並表示式(2)所示的基、或式(3)所示的基；[式(2)及式(3)中，R1及R2可相同或不同，並表示氫原子或碳數1~8之直鏈狀或分支鏈狀的烷基]]。
[12]如[1]至[11]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中異三聚氰酸酯化合物(C)為單烯丙基二環氧丙基異三聚氰酸酯。
[13]如[1]至[12]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中異三聚氰酸酯化合物(C)之含量係相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0.01~10重量%。
[14]如[1]至[13]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中異三聚氰酸酯化合物(C)之比例係相對於聚有機矽氧烷(A)與倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01~0.5重量份。
[15]如[1]至[14]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中更包含矽烷偶合劑(D)。
[16]如[15]記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)為3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷。
[17]如[15]或[16]記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)與倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
[18]如[15]至[17]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)之含量係相對於硬化性樹脂組成物全量(100重量份)為0.01~5重量份。
[19]如[15]至[18]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中作為矽烷偶合劑(D)係包含將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物。
[20]如[19]記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)中之將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物之比例，係相對於矽烷偶合劑(D)全量(100重量%)為50~100重量%。
[21]如[19]或[20]記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)中之將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物之比例，係相對於硬化性樹脂組成物全量(100重量份)為0.01~5重量份。
[22]如[19]至[21]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)中之將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物之比例，係相對於該聚有機矽氧烷(A)及該倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
[23]如[1]至[22]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中更包含鋅化合物(E)。
[24]如[23]記載之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)為羧酸鋅。
[25]如[23]記載之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)為辛酸鋅。
[26]如[23]至[25]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)之含量係相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
[27]如[23]至[26]中任一項記載之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)的化合物中(100重量%)之鋅含量為2~30重量%。
本發明的硬化性樹脂組成物，由於具有前述構成，故可形成具有優異的透明性、耐熱性之硬化物。特別是前述硬化物之耐熱衝擊性佳，更詳細而言，係溫度變化激烈之條件下的耐剝離性(相對於LED封裝體之密合性)或耐裂縫性等優異，並且對於H2S氣體或SOX氣體等之多種腐蝕性氣體之阻隔性也優異。又，得到的硬化物有柔軟性或耐迴焊性也佳的情況。因此，本發明的硬化性樹脂組成物，尤可作為半導體元件(例如，LED元件、半導體雷射元件、太陽光發電元件、CCD元件等)之密封材使用，且利用本發明的硬化性樹脂組成物之硬化物密封光半導體元件而得到的光半導體裝置，係具備優異的品質與耐久性。特別是本發明的硬化性樹脂組成物，作為需要至今為止沒有的高溫(例如180℃以上)之耐熱 性的次世代光源用的密封材係有用。
100‧‧‧反射器(光反射用樹脂組成物)
101‧‧‧金屬配線
102‧‧‧光半導體元件
103‧‧‧接合導線
104‧‧‧硬化物(密封材)
第1圖係顯示使用本發明的硬化性樹脂組成物密封光半導體元件之光半導體裝置的一實施形態之概略圖。左側的圖(a)為立體圖，右側的圖(b)為剖面圖。
[實施發明之形態]
本發明的硬化性樹脂組成物係包含聚有機矽氧烷(A)、倍半矽氧烷(B)、及異三聚氰酸酯化合物(C)的硬化性樹脂組成物，其特徵為：聚有機矽氧烷(A)為具有芳基的聚有機矽氧烷，且黏度為4000~8000mPa．s。
[聚有機矽氧烷(A)]
本發明的硬化性樹脂組成物之聚有機矽氧烷(A)，係具有矽氧烷鍵(Si-O-Si)所構成之主鏈的聚有機矽氧烷，且為具有芳基作為前述主鏈之取代基的聚有機矽氧烷。聚有機矽氧烷(A)亦可為含有氫矽烷基或具有脂肪族碳-碳不飽和鍵的基之直鏈狀或分支鏈狀的聚有機矽氧烷。作為聚有機矽氧烷(A)，例如，可舉出苯基矽酮骨架(聚二苯基矽氧烷)、苯基甲基矽酮骨架(聚甲基苯基矽氧烷)等之周知慣用的矽酮骨架。再者，在聚有機矽氧烷(A)中，並未包含倍半矽氧烷(B)。
前述聚有機矽氧烷(A)亦可為具有直鏈及/或分支鏈的聚有機矽氧烷。其中，從硬化物的強度之觀點，聚有機矽氧烷(A)又以為具有分支鏈的聚有機矽氧烷( 分支鏈狀的聚有機矽氧烷)較佳。
作為聚有機矽氧烷(A)之芳基，並沒有特別限定，例如，可舉出苯基、萘基等之C6-14芳(特別是C6-10芳基)基等。該等芳基亦可為聚有機矽氧烷(A)之矽原子具有的取代基(直接鍵結於矽原子的基)。
聚有機矽氧烷(A)之芳基亦可具有1個以上的取代基。作為前述取代基，可舉出鹵原子、取代或無取代之烴基、羥基、烷氧基、烯氧基、芳氧基、芳烷氧基、醯氧基、巰基(硫醇基)、烷硫基、烯硫基、芳硫基、芳烷硫基、羧基、烷氧羰基、芳氧羰基、芳烷氧羰基、胺基或取代胺基(單或二烷胺基、醯胺基等)、環氧基、氰基、異氰酸酯基、胺甲醯基、異硫氰酸酯基等。
作為前述取代或無取代之烴基，例如，可舉出脂肪族烴基、脂環式烴基、芳香族烴基、該等鍵結2種以上的基等。
作為前述脂肪族烴基，例如，可舉出烷基、烯基、炔基等。作為烷基，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、己基、辛基、異辛基、癸基、十二基等之C1-20烷基(較佳為C1-10烷基，更佳為C1-4烷基)等。作為烯基，例如，可舉出乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、5-己烯基等之C2-20烯基(較佳為C2-10烯基，更佳為C2-4烯基)等。作為炔基，例如，可舉出乙炔基、丙炔基等之C2-20炔基(較佳為C2-10炔基，更佳為C2-4炔基)等。
作為前述脂環式烴基，例如，可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環十二基等之C3-12的環烷基；環己烯基等之C3-12的環烯基；雙環庚基、雙環庚烯基等之C4-15的交聯環式烴基等。
作為前述芳香族烴基，例如，可舉出苯基、萘基等之C6-14芳基(特別是C6-10芳基)等。
又，作為前述脂肪族烴基與脂環式烴基鍵結的基，例如，可舉出環己基甲基、甲基環己基等。再者，作為前述脂肪族烴基與前述芳香族烴基鍵結的基，例如，可舉出苯甲基、苯乙基等之C7-18芳烷基(特別是C7-10芳烷基)、肉桂基等之C6-10芳基-C2-6烯基、甲苯基等之C1-4烷基取代芳基、苯乙烯基等之C2-4烯基取代芳基等。
作為前述取代或無取代之烴基(經取代的烴基)具有的取代基，例如，可舉出與前述芳基可具有的取代基相同者。
又，作為聚有機矽氧烷(A)之芳基具有之1個以上的取代基，可舉出式(4)所示的基作為其他的例。
式(4)中之複數個R'，可各別相同，亦可不同。式(4)中的R'，可舉出氫原子、鹵原子、取代或無取代之烴基、羥基、烷氧基、烯氧基、芳氧基、芳烷氧基、醯氧基、巰基(硫醇基)、烷硫基、烯硫基、芳硫基、芳烷硫基、羧基、烷氧羰基、芳氧羰基、芳烷氧羰基、胺基或取 代胺基(單或二烷胺基、醯胺基等)、環氧基、氰基、異氰酸酯基、胺甲醯基、異硫氰酸酯基等。
在式(4)所示的基中，作為各R'，各別為氫原子、C1-10烷基(特別是C1-4烷基)、C2-10烯基(特別是C2-4烯基)、C3-12環烷基、C3-12環烯基、可在芳香環具有C1-4烷基、C2-4烯基、鹵原子、C1-4烷氧基等之取代基的C6-14芳基、C7-18芳烷基、C6-10芳基-C2-6烯基、羥基、C1-6烷氧基、鹵原子較為理想。
相對於聚有機矽氧烷(A)之全量(100重量%)的芳基(苯基換算)之含量，並沒有特別限定，但35重量%以上(例如，35~70重量%)較佳，40重量%以上更佳，45重量%以上最佳。前述芳基之含量低於35重量%時，有得到的硬化物相對於腐蝕性氣體之阻隔性低的情況。又，聚有機矽氧烷(A)之矽氧烷鍵(Si-O-Si)所構成的主鏈之取代基可全為芳基，或者前述取代基亦可一部分為芳基。再者，前述芳基之含量，例如，可藉由1H-NMR等進行測定。
作為聚有機矽氧烷(A)，例如，可舉出包含式(6)所示的結構之聚有機矽氧烷。在本說明書中，係將包含式(6)所示的結構之聚有機矽氧烷稱為「聚有機矽氧烷基矽烷基烯」。
本發明的硬化性樹脂組成物，包含聚有機矽氧烷基矽烷基烯作為聚有機矽氧烷(A)較為理想，且聚有機矽氧烷(A)僅為聚有機矽氧烷基矽烷基烯更佳。與僅包含主鏈為矽氧烷鍵(Si-O-Si)的聚有機矽氧烷相比，聚有機矽氧 烷基矽烷基烯在製造步驟上難以產生低分子量之環，而且，難以利用加熱進行分解而產生矽烷醇基(-SiOH)。因此，變得容易得到表面黏著性低，且黃變少的硬化物。
式(6)中，R21~R26可相同或不同，並表示氫原子、前述芳基、前述芳基以外的取代基、雜環式基、或包含後述脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基(較佳為相同或不同，並且為氫原子、前述芳基、一價烴基、一價雜環式基、或包含後述脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基)。但是，R21~R26中之1個以上為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基。再者，R21~R26並非全部為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基較為理想。但是，R21~R26中之至少1個以上為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基。
再者，R21~R26並非全部為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基較為理想。又，R21~R26中之至少1個以上為芳基(苯基、萘基等之C6-14芳基(特別是C6-10芳基)，特別是苯基)較為理想。再者，R21~R26之芳基亦可具有一種以上的取代基。作為R21~R26之芳基的取代基，可舉出與前述聚有機矽氧烷(A)之芳基的取代基相同者。
作為前述一價烴基，例如，可舉出一價脂肪族烴基；一價脂環式烴基；一價芳香族烴基；脂肪族烴基、脂環式烴基、及芳香族烴基之2種以上鍵結的一價基等。作為前述一價雜環式基，例如，可舉出吡啶基、呋喃基、噻吩基等。
作為前述一價脂肪族烴基，例如，可舉出烷基、烯基、炔基等。作為前述烷基，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、己基、辛基、異辛基、癸基、十二基等之直鏈狀或分支鏈狀的C1-20烷基(較佳為C1-10烷基，更佳為C1-4烷基)等。作為前述烯基，例如，可舉出乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、5-己烯基等之C2-20烯基(較佳為C2-10烯基，更佳為C2-4烯基)等。作為前述炔基，例如，可舉出乙炔基、丙炔基等之C2-20炔基(較佳為C2-10炔基，更佳為C2-4炔基)等。
作為前述一價脂環式烴基，例如，可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環十二基等之C3-12的環烷基；環己烯基等之C3-12的環烯基；雙環庚基、雙環庚烯基等之C4-15的交聯環式烴基等。
作為前述一價芳香族烴基，例如，可舉出苯基、萘基、蒽基等之C6-14芳基(特別是C6-10芳基)等。
又，作為脂肪族烴基與脂環式烴基鍵結的基，例如，可舉出環己基甲基、甲基環己基等。作為脂肪族烴基與芳香族烴基鍵結的基，可舉出苯甲基、苯乙基等之C7-18芳烷基(特別是C7-10芳烷基)、肉桂基等之C6-10芳基-C2-6烯基、甲苯基等之C1-4烷基取代芳基、苯乙烯基等之C2-4烯基取代芳基等。
前述一價烴基，亦可具有取代基。亦即，前述一價烴基，亦可為前述所示列的一價烴基之至少1個的 氫原子取代為取代基之一價烴基。前述取代基的碳數為0~20較佳，更佳為0~10。作為前述取代基，具體而言，例如，可舉出鹵原子；羥基；烷氧基；烯氧基；芳氧基；芳烷氧基；醯氧基；巰基；烷硫基；烯硫基；芳硫基；芳烷硫基；羧基；烷氧羰基；芳氧羰基；芳烷氧羰基；胺基；單或二烷胺基；單或二苯胺基；醯胺基；含有環氧基的基；含有氧雜環丁烷基的基；醯基；側氧基；異氰酸酯基；該等之2種以上視需要藉由C1-6伸烷基鍵結的基等。
作為前述烷氧基，例如，可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基等之C1-6烷氧基(較佳為C1-4烷氧基)等。作為前述烯氧基，例如，可舉出烯丙氧基等之C2-6烯氧基(較佳為C2-4烯氧基)等。作為前述芳氧基，例如，可舉出苯氧基、甲苯氧基、萘氧基等之可在芳香環具有C1-4烷基、C2-4烯基、鹵原子、C1-4烷氧基等之取代基的C6-14芳氧基等。作為前述芳烷氧基，例如，可舉出苯甲氧基、苯乙氧基等之C7-18芳烷氧基等。作為前述醯氧基，例如，可舉出乙醯氧基、丙醯氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯甲醯氧基等之C1-12醯氧基等。
作為前述烷硫基，例如，可舉出甲硫基、乙硫基等之C1-6烷硫基(較佳為C1-4烷硫基)等。作為前述烯硫基，例如，可舉出烯丙硫基等之C2-6烯硫基(較佳為C2-4烯硫基)等。作為前述芳硫基，例如，可舉出苯硫基、甲苯硫基、萘硫基等之可在芳香環具有C1-4烷基、C2-4烯基 、鹵原子、C1-4烷氧基等之取代基的C6-14芳硫基等。作為前述芳烷硫基，例如，可舉出苯甲硫基、苯乙硫基等之C7-18芳烷硫基等。作為前述烷氧羰基，例如，可舉出甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、丁氧羰基等之C1-6烷氧基-羰基等。作為前述芳氧羰基，例如，可舉出苯氧羰基、甲苯氧羰基、萘氧羰基等之C6-14芳氧-羰基等。作為前述芳烷氧羰基，例如，可舉出苯甲氧羰基等之C7-18芳烷氧基-羰基等。作為前述單或二烷胺基，可舉出甲胺基、乙胺基、二甲胺基、二乙胺基等之單或二-C1-6烷胺基等。作為前述醯胺基，例如，可舉出乙醯胺基、丙醯胺基、苯甲醯胺基等之C1-11醯胺基等。作為前述含有環氧基的基，例如，可舉出環氧丙基、環氧丙氧基、3,4-環氧環己基等。作為前述含有氧雜環丁烷基的基，例如，可舉出乙基氧雜環丁烷氧基等。作為前述醯基，例如，可舉出乙醯基、丙醯基、苯甲醯基等。作為前述鹵原子，可舉出氯原子、溴原子、碘原子等。
前述一價雜環式基亦可具有取代基。作為雜環式基之前述取代基，可示列出與前述一價烴基之前述取代基同樣者。
作為前述一價烴基、一價雜環式基，更具體而言，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、己基、辛基、癸基、苯基、萘基、蒽基、苯甲基、苯乙基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、乙烯基、烯丙基、苯乙烯基(例如，p-苯乙烯基)、具有取代基的烴基(例如，2-(3,4-環氧環己基)乙基、3-環氧丙基丙基、3-甲基丙烯 醯氧丙基、3-丙烯醯氧丙基、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基、3-胺丙基、N-苯基-3-胺丙基、3-巰丙基、3-異氰酸酯丙基等)等。
前述式(6)中之R21~R26可各別相同，亦可不同。
式(6)中，R27表示二價烴基。作為前述二價烴基，例如，可舉出直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基、二價脂環式烴基、二價芳香族烴基等。作為直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基，例如，可舉出亞甲基、甲基亞甲基、二甲基亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基等之碳數為1~18的直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基。作為二價脂環式烴基，例如，可舉出1,2-伸環戊基、1,3-伸環戊基、亞環戊基、1,2-伸環己基、1,3-伸環己基、1,4-伸環己基、亞環己基等之二價伸環烷基(包含亞環烷基)。作為二價芳香族烴基，例如，可舉出1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、4,4’-聯伸苯基、伸萘基等。其中，作為R27，碳數1~8(特別是碳數1~5)之直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基較佳，更佳為伸乙基。
式(6)中，r表示1以上的整數。r為2以上的整數時，附有r之括弧內的結構，各別可為相同，亦可為不同。附有r之括弧內的結構各別不同時，各結構之間的附加形態並沒有特別限定，可為無規型，亦可為嵌段型。又，式(6)中，s表示1以上的整數。s為2以上的整數時，附有s之括弧內的結構，各別可為相同，亦可為不同。附有s之括弧內的結構各別不同時，各結構之間的附加形態 並沒有特別限定，可為無規型，亦可為嵌段型。再者，在式(6)中，附有r之括弧內的結構與附有s之括弧內的結構之附加形態並沒有特別限定，可為無規型，亦可為嵌段型。再者，r與s，可為相同，亦可為不同。亦即，式(6)中，r、s可相同或不同，且各別表示1以上的整數。
前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯之末端結構，並沒有特別限定，例如，可舉出矽烷醇基、烷氧矽烷基、三烷基矽烷基(例如，三甲基矽基)等。在前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯的末端，亦可導入包含脂肪族碳-碳雙鍵的基或氫矽烷基等之各種的基。
前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯，如前述，亦可為具有直鏈、分支鏈中之任一者的鏈狀結構者。作為前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯，例如，具有分支鏈，且具有芳基的聚有機矽氧烷基矽烷基烯較為理想。
作為前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯，例如，可舉出GD-1125A(長興化學工業(股)製)、GD-1125B(長興化學工業(股)製)等。
作為聚有機矽氧烷(A)，使用2種以上之(特別是2種的)前述聚有機矽氧烷基矽烷基烯較為理想。其中，從相對於腐蝕性氣體的阻隔性之觀點，使用含有具有脂肪族碳-碳雙鍵的基，且具有芳基的聚有機矽氧烷基矽烷基烯與含有具有脂肪族碳-碳雙鍵的基、具有Si-H鍵的基、及芳基的聚有機矽氧烷基矽烷基烯之2種較為理想。
使用聚有機矽氧烷(A)2種以上時，相對於本發明的硬化性樹脂組成物之聚有機矽氧烷(A)的全量 (100重量%)之聚有機矽氧烷基矽烷基烯的比例，並沒有特別限定，但60重量%以上(例如，60~100重量%)較佳，更佳為80重量%以上(例如，80~99.5重量%)，特佳為88重量%以上。聚有機矽氧烷基矽烷基烯之比例小於60重量%時，有硬化物容易黃變，表面容易具有黏著性之處理性下降的傾向。
聚有機矽氧烷(A)之數量平均分子量(Mn)為500~4000較佳，550~2800更佳，600~1500特佳。又，重量平均分子量(Mw)為500~20000較佳，600~10000更佳，700~6500特佳。數量平均分子量(Mn)及/或重量平均分子量(Mw)小於500時，有得到的硬化物之耐熱性下降的情況。另一方面，數量平均分子量(Mn)超過4000及/或重量平均分子量(Mw)超過20000時，聚有機矽氧烷(A)與其他成分之相溶性下降，或者組合聚有機矽氧烷(A)2種以上而使用時，有聚有機矽氧烷相互之相溶性下降的情況。再者，聚有機矽氧烷(A)，亦可為具有前述範圍之種種數量平均分子量(Mn)及/或重量平均分子量(Mw)者的混合物。再者，前述數量平均分子量(Mn)及/或重量平均分子量(Mw)，例如，可算出作為利用膠體滲透層析之聚苯乙烯換算的分子量。
聚有機矽氧烷(A)之利用重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)算出的分子量分散度(Mw/Mn)，並沒有特別限定，但0.95~4.00較佳，1.00~3.80更佳，1.20~3.50特佳。前述分子量分散度(Mw/Mn)超過3.50時，有得到的硬化物之耐熱性或相對於腐蝕性 氣體之阻隔性下降的情況。
本發明的硬化性樹脂組成物之聚有機矽氧烷(A)的含量(摻合量，使用2種以上時為合計含量)，並沒有特別限定，相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為60~99.7重量%較佳，75~99.0重量%更佳，90~98.5重量%特佳。含量小於60重量%時，有得到的硬化物之耐熱衝擊性下降的情況。另一方面，含量超過99.5重量%時，有得到的硬化物相對於腐蝕性氣體之阻隔性變低的情況。
聚有機矽氧烷(A)可具有芳基以外之取代基，且前述芳基以外之取代基，亦可為聚有機矽氧烷(A)之矽原子具有的取代基。作為前述芳基以外之取代基，可舉出氫原子、鹵原子、具有Si-H鍵的基、取代或無取代之烴基(較佳為烷基、烯基、環烷基、或環烯基)、羥基、烷氧基、烯氧基、醯氧基、巰基(硫醇基)、烷硫基、烯硫基、羧基、烷氧羰基、胺基或取代胺基(單或二烷胺基、醯胺基等)、環氧基、氰基、異氰酸酯基、胺甲醯基、異硫氰酸酯基等。
作為聚有機矽氧烷(A)之前述芳基以外的取代基，選自於氫原子、具有Si-H鍵的基(氫矽烷基等)、取代或無取代之烴基(較佳為烷基或具有脂肪族碳-碳雙鍵的基(烯基等))中之至少1種以上的取代基特為理想。聚有機矽氧烷(A)，例如，亦可為含有芳基及具有脂肪族碳-碳雙鍵的基之聚有機矽氧烷、含有芳基及具有Si-H鍵的基之聚有機矽氧烷、含有芳基、具有脂肪族碳-碳雙鍵的 基、及具有Si-H鍵的基之聚有機矽氧烷等。
在本發明的硬化性樹脂組成物中，聚有機矽氧烷(A)可使用單獨1種，或者組合2種以上而使用。
[具有脂肪族碳-碳雙鍵的聚有機矽氧烷(A1)]本發明的硬化性樹脂組成物，亦可包含具有脂肪族碳-碳雙鍵的聚有機矽氧烷(A1)(在本說明書中，有時簡稱為「聚有機矽氧烷(A1)」)作為聚有機矽氧烷(A)。其中，聚有機矽氧烷(A)為聚有機矽氧烷(A1)(僅為聚有機矽氧烷(A1))較佳。只要構成聚有機矽氧烷(A1)之任何一個部分結構及/或構成成分具有前述脂肪族碳-碳雙鍵即可。聚有機矽氧烷(A1)之取代基(例如，矽原子具有的取代基)，亦可具有前述脂肪族碳-碳雙鍵。又，前述脂肪族碳-碳雙鍵，亦可存在於聚有機矽氧烷(A1)之矽氧烷鍵(Si-O-Si)所構成的主鏈(直鏈及/或分支鏈)之末端。
作為前述具有脂肪族碳-碳雙鍵的基，例如，可舉出乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、5-己烯基等之C2-20烯基(較佳為C2-10烯基，更佳為C2-4烯基)；環己烯基等之C3-12的環烯基；雙環庚烯基等之C4-15交聯環式不飽和烴基；苯乙烯基等之C2-4烯基取代芳基；肉桂基等。再者，在前述具有脂肪族碳-碳雙鍵的基中，於前述式(4)所示的基中，也包含3個R'中之至少1個為前述之C2-20烯基、C3-12的環烯基、C4-15的交聯環式不飽和烴基、C2-4烯基取代芳基、肉桂基等之基。其中，烯基較佳，更佳為C2-20烯基， 特佳為乙烯基。
相對於聚有機矽氧烷(A)之全量(100重量%)的前述脂肪族碳-碳雙鍵之含量(乙烯基換算)，並沒有特別限定，但1.5~15.0重量%較佳，2.0~13.0重量%更佳，3.0~12.0重量%特佳。藉由在前述範圍具有前述脂肪族碳-碳雙鍵，有容易得到所得到之硬化物的耐熱性等之各種物性、耐裂縫性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性均佳的硬化物之傾向。再者，前述脂肪族碳-碳雙鍵之含量，例如，可藉由1H-NMR等進行測定。
[具有Si-H鍵的聚有機矽氧烷(A2)]
本發明的硬化性樹脂組成物亦可包含具有Si-H鍵的聚有機矽氧烷(A2)(在本說明書中，有時簡稱為「聚有機矽氧烷(A2)」)作為聚有機矽氧烷(A)。只要構成聚有機矽氧烷(A2)之任何一個部分結構及/或構成成分具有前述Si-H鍵即可。再者，聚有機矽氧烷(A2)之取代基(例如，矽原子具有的取代基)亦可具有前述Si-H鍵。又，前述Si-H鍵亦可存在於聚有機矽氧烷(A2)之矽氧烷鍵(Si-O-Si)所構成的主鏈(直鏈及/或分支鏈)之末端。
作為前述具有Si-H鍵的基，並沒有特別限定，例如，可舉出在前述式(4)所示的基中，3個R'中之至少1個為氫原子的基等。
相對於聚有機矽氧烷(A)之全量(100重量%)的前述Si-H鍵之含量，並沒有特別限定，但以氫原子或Si-H鍵之H(氫化物)的重量換算(H換算)為0.01~0.50重量%較佳，0.05~0.30重量%更佳，0.08~0.20重量%特佳 。藉由在前述範圍具有前述Si-H鍵，有容易得到所得到之硬化物的耐熱性等之各種物性、耐裂縫性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性均佳的硬化物之傾向。再者，前述Si-H鍵之含量，例如，可藉由1H-NMR等進行測定。
相對於聚有機矽氧烷(A)之全量(合計含量，100重量%)的聚有機矽氧烷(A2)之含量，並沒有特別限定，但50重量%以上較佳，80重量%以上更佳。藉由在前述範圍含有聚有機矽氧烷(A2)，有容易得到所得到之硬化物的耐熱性等之各種物性、耐裂縫性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性均佳的硬化物之傾向。
聚有機矽氧烷(A)之脂肪族碳-碳雙鍵的含量(乙烯基換算)a1(mol/g)與Si-H鍵的含量(H換算)a2(mol/g)之比率a1/a2為0.80~1.10較佳，0.90~1.05更佳，0.95~1.00特佳。藉由使a1/a2成為1.10以下，尤可提高相對於腐蝕性氣體之阻隔性。又，藉由使a1/a2成為0.80以上，尤可提高耐裂縫性等之強度。
再者，聚有機矽氧烷(A1)可同時為具有Si-H鍵的聚有機矽氧烷(A2)，又，聚有機矽氧烷(A2)亦可同時為具有脂肪族碳-碳雙鍵的聚有機矽氧烷(A1)。
又，聚有機矽氧烷(A)可僅以聚有機矽氧烷(A1)或聚有機矽氧烷(A2)中之任一方構成，又，聚有機矽氧烷(A)亦可以相互不同之2種以上的聚有機矽氧烷(A1)及/或聚有機矽氧烷(A2)構成。
又，聚有機矽氧烷(A)以相互不同之2種以上的聚有機矽氧烷構成時，前述2種以上的聚有機矽氧烷之 中，至少1種為聚有機矽氧烷(A2)的情況中，排除聚有機矽氧烷(A2)之前述2種以上的聚有機矽氧烷為不具有Si-H鍵之聚有機矽氧烷(A1)較佳。
又，聚有機矽氧烷(A)亦可預先包含後述之倍半矽氧烷(B)、異三聚氰酸酯化合物(C)、矽烷偶合劑(D)、鋅化合物(E)、氫矽烷化觸媒、氫矽烷化反應抑制劑、其他的矽氧烷化合物、其他的矽烷化合物、溶媒、添加劑等之其他成分的一部分或全部。該情況中，亦可聚有機矽氧烷(A1)包含前述其他成分的一部分，且聚有機矽氧烷(A2)包含前述其他成分剩餘的一部分。又，亦可僅聚有機矽氧烷(A1)或聚有機矽氧烷(A2)中之任一方包含其他成分的一部分或全部。
[倍半矽氧烷(B)]
本發明的硬化性樹脂組成物包含倍半矽氧烷(B)。前述倍半矽氧烷(B)並沒有特別限定，可舉出具有無規結構、籠狀結構、梯型結構的倍半矽氧烷(梯型倍半矽氧烷)，且將具有梯型結構的倍半矽氧烷作為主成分的倍半矽氧烷較為理想。倍半矽氧烷(B)包含梯型倍半矽氧烷作為主成分較為理想。其中，倍半矽氧烷(B)僅為梯型倍半矽氧烷更為理想。
倍半矽氧烷為聚矽氧烷之一種。聚矽氧烷一般為具有矽氧烷鍵(Si-O-Si)所構成之主鏈的化合物，作為其基本構成單元，可舉出M單元(包含矽原子與1個氧原子鍵結之1價基的單元)、D單元(包含矽原子與2個氧原子鍵結之2價基的單元)、T單元(包含矽原子與3個氧原子鍵 結之3價基的單元)、Q單元(包含矽原子與4個氧原子鍵結之4價基的單元)。
倍半矽氧烷(B)係將前述T單元作為基本構成單元的聚矽氧烷，其實驗式(基本結構式)以RSiO1.5表示。作為倍半矽氧烷之Si-O-Si骨架的結構，可舉出無規結構、籠狀結構、梯型結構，梯型倍半矽氧烷係具有梯型結構之Si-O-Si骨架的結構之倍半矽氧烷。
前述倍半矽氧烷(B)亦可在分子內(一分子中)具有2個以上之脂肪族碳-碳雙鍵。又，前述倍半矽氧烷(B)亦可在分子內(一分子中)具有2個以上之具有Si-H鍵的基。再者，前述倍半矽氧烷(B)並沒有特別限定，但在室溫為液狀較為理想。前述倍半矽氧烷(B)可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
藉由包含倍半矽氧烷(B)，特別是利用硬化所形成的硬化物相對於腐蝕性氣體的阻隔性會提升，並且有強韌性(特別是耐裂縫性)提升的傾向。本發明的硬化性樹脂組成物之倍半矽氧烷(B)的含量(摻合量)，並沒有特別限定，但相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0.01~30重量%較佳，0.1~20重量%更佳，0.5~15重量%特佳。
倍半矽氧烷(B)之含量並沒有特別限定，但從相對於腐蝕性氣體的阻隔性(特別是相對於H2S氣體的耐腐蝕性)之觀點，例如，相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01~30重量份較佳，更佳為0.1~20重量份，特佳為1~15重量份，最佳為7 ~13重量份。
[異三聚氰酸酯化合物(C)]
本發明的硬化性樹脂組成物係包含異三聚氰酸酯化合物(C)。本發明的硬化性樹脂組成物藉由包含異三聚氰酸酯化合物(C)，特別是利用硬化所形成的硬化物相對於腐蝕性氣體的阻隔性會提升，並且對於包覆體之密合性將提升。其中，異三聚氰酸酯化合物(C)包含式(1)所示的異三聚氰酸酯化合物較為理想。尤其，異三聚氰酸酯化合物(C)僅為式(1)所示的異三聚氰酸酯化合物較佳。
式(1)中，Rx、Ry、Rz可相同或不同，並表示式(2)所示的基、或式(3)所示的基。其中，式(1)的Rx、Ry、Rz之中，任一個以上(較佳為1個或2個，更佳為1個)為式(3)所示的基較佳。
式(2)及式(3)中，R1、R2可相同或不同，且表示氫原子或碳數1~8之直鏈狀或分支鏈狀的烷基。作為碳數1~8之直鏈狀或分支鏈狀的烷基，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、 戊基、己基、庚基、辛基、乙基己基等。前述烷基之中，尤以甲基、乙基、丙基、異丙基等之碳數1~3的直鏈狀或分支鏈狀之烷基較為理想。式(2)及式(3)之R1、R2各別為氫原子特為理想。
作為異三聚氰酸酯化合物(C)，並沒有特別限定，例如，可舉出單烯丙基二甲基異三聚氰酸酯、二烯丙基單甲基異三聚氰酸酯、三烯丙基異三聚氰酸酯、單烯丙基二環氧丙基異三聚氰酸酯、二烯丙基單環氧丙基異三聚氰酸酯、三環氧丙基異三聚氰酸酯、1-烯丙基-3,5-雙(2-甲基環氧丙基)異三聚氰酸酯、1-(2-甲基丙烯基)-3,5-二環氧丙基異三聚氰酸酯、1-(2-甲基丙烯基)-3,5-雙(2-甲基環氧丙基)異三聚氰酸酯、1,3-二烯丙基-5-(2-甲基環氧丙基)異三聚氰酸酯、1,3-雙(2-甲基丙烯基)-5-環氧丙基異三聚氰酸酯、1,3-雙(2-甲基丙烯基)-5-(2-甲基環氧丙基)異三聚氰酸酯、參(2-甲基丙烯基)異三聚氰酸酯等。其中，尤以單烯丙基二環氧丙基異三聚氰酸酯較為理想。再者，異三聚氰酸酯化合物(C)可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
從提升與其他成分之相溶性的觀點，異三聚氰酸酯化合物(C)係如後述，亦可與矽烷偶合劑預先混合之後與其他成分摻合。
異三聚氰酸酯化合物(C)之含量並沒有特別限定，但相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0.01~10重量%較佳，0.05~5重量%更佳，0.1~3重量%最佳。異三聚氰酸酯化合物(C)之含量小於0.01重量%時 ，有硬化物相對於腐蝕性氣體之阻隔性、相對於包覆體之密合性下降的情況。另一方面，異三聚氰酸酯化合物(C)之含量超過10重量%時，在硬化性樹脂組成物中會析出固體，而有硬化物白濁的情況。前述異三聚氰酸酯化合物(C)之比例並沒有特別限定，但從硬化物相對於腐蝕性氣體的阻隔性之觀點，例如，相對於聚有機矽氧烷(A)與倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01~0.5重量份較佳。
[矽烷偶合劑(D)]
本發明的硬化性樹脂組成物亦可包含矽烷偶合劑(D)。本發明的硬化性樹脂組成物藉由包含矽烷偶合劑(D)，特別是相對於包覆體之密合性將提升，而且硬化物相對於腐蝕性氣體之阻隔性會進一步提升。
矽烷偶合劑(D)與聚有機矽氧烷(A)及異三聚氰酸酯化合物(C)等之相溶性為良好，因此例如為了提升相對於異三聚氰酸酯化合物(C)之其他成分的相溶性，以預先形成異三聚氰酸酯化合物(C)與矽烷偶合劑(D)之組成物為前提，與其他成分摻合的話，容易得到均勻的硬化性樹脂組成物。
作為矽烷偶合劑(D)，可使用周知乃至慣用的矽烷偶合劑，且沒有特別限定，例如，可舉出3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等之含有環氧基的矽烷偶合劑；N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙 基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苯甲基)-2-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽、N-(β-胺乙基)-γ-胺丙基甲基二乙氧基矽烷等之含有胺基的矽烷偶合劑；四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基參(甲氧基乙氧基矽烷)、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、巰基伸丙基三甲氧基矽烷、巰基伸丙基三乙氧基矽烷等。其中，尤能適用含有環氧基的矽烷偶合劑(特別是3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)。
作為矽烷偶合劑(D)，亦可使用前述矽烷偶合劑之部分縮合物。藉由使用前述部分縮合物，可提升本發明的硬化性樹脂組成物之黏度，同時提升相對於腐蝕性氣體之阻隔性或耐熱衝擊性。
前述部分縮合物可藉由將1種或2種以上之前述矽烷偶合劑進行水解及部分縮合而得到。在水解及部分縮合中可使用周知乃至慣用的方法。例如，可舉出在前述矽烷偶合劑之混合物添加溶媒、水，且視需要添加觸媒，並進行加熱攪拌的方法。攪拌中，亦可視需要藉 由蒸餾除去副生成物(水或醇類等)。
作為前述部分縮合物，並沒有特別限定，例如，可舉出3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物等之含有環氧基的共低聚物；N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、3-胺丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、3-胺丙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、3-胺丙基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、3-胺丙基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺-四甲氧基矽烷低聚物、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺-四乙氧基矽烷低聚物、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、N-苯基-3-胺丙基三 甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物等之含有胺基的共低聚物；乙烯基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、乙烯基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、乙烯基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、乙烯基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、乙烯基參(甲氧基乙氧基矽烷)-四甲氧基矽烷低聚物、乙烯基參(甲氧基乙氧基矽烷)-四乙氧基矽烷低聚物、乙烯基三乙醯氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、乙烯基三乙醯氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物等之含有乙烯基的共低聚物；苯基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、苯基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、二苯基二甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、二苯基二甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物等之含有苯基的共低聚物；γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、γ-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物等之含有(甲基)丙烯酸基的共低聚物；巰基伸丙基三甲氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、巰基伸丙基三甲氧基矽烷-四乙氧基矽烷低聚物、巰基伸丙基三乙氧基矽烷-四甲氧基矽烷低聚物、巰基伸丙基三乙氧基矽烷-四乙氧基矽烷 低聚物等之含有巰基的共低聚物等。
矽烷偶合劑(D)可進行合成，亦可使用市售品。作為矽烷偶合劑之市售品，例如，可舉出Z-6610、Z-6011、Z-6020、Z-6094、Z-6883、Z-6032、Z-6040、Z-6044、Z-6043、Z-6075、Z-6300、Z-6519、Z-6825、Z-6030、Z-6033、Z-6062、Z-6862、Z-6911、Z-6026、AZ-720、Z-6050(均為商品名，均為Dow Corning Toray(股)製)、KBM-303、KBM-402、KBM-403、KBE-402、KBE-403、KBM-1403、KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503、KBM-5103、KBM-602、KBM-603、KBE-603、KBM-903、KBE-903、KBE-9103、KBM-573、KBM-575、KBE-585、KBM-1003、KBE-1003、KBM-802、KBM-803、KBE-846、KBE-9007、X-41-1053、X-41-1056、X-41-1059A、X-41-1805、X-41-1808、X-41-1810、KR-513、X-40-2672B、X-40-9272B、X-40-2651等(均為商品名，均為信越化學工業(股)製)等。再者，前述矽烷偶合劑可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
矽烷偶合劑(D)之含量並沒有特別限定，但相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量份)為0.01~5重量份較佳，0.03~1重量份更佳，0.05~0.8重量份特佳。藉由使矽烷偶合劑(D)之含量成為前述範圍，有提升相對於腐蝕性氣體之阻隔性及耐迴焊性的效果。特別是使用矽烷偶合劑之部分縮合物時，有大幅提升耐腐蝕性(特別是耐H2S腐蝕性)及耐熱衝擊性的效果。矽烷偶合劑(D)之含量小於0.01重量份時，相對於包覆體之密合性會下 降，特別是在與異三聚氰酸酯化合物(C)相溶而使用之際，有得不到足夠的硬化之情況。另一方面，矽烷偶合劑(D)之含量超過5重量%時，有時難以將硬化性樹脂組成物之黏度調整為作為目的之範圍內。
矽烷偶合劑(D)之含量並沒有特別限定，但從相對於腐蝕性氣體的阻隔性及耐迴焊性之觀點，例如，相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份較佳，更佳為0.08~0.9重量份。
矽烷偶合劑(D)中之矽烷偶合劑的前述部分縮合物之比例，並沒有特別限定，例如，相對於矽烷偶合劑(D)全量(100重量%)為50~100重量%較佳，更佳為80~100重量%。其中，前述矽烷偶合劑(D)僅為矽烷偶合劑之前述部分縮合物較為理想。根據矽烷偶合劑的前述部分縮合物之比例為前述範圍，耐腐蝕性(特別是耐H2S腐蝕性)及耐熱衝擊性更佳。
硬化性樹脂組成物中之矽烷偶合劑的前述部分縮合物之比例，並沒有特別限定，但從耐腐蝕性(特別是相對於耐H2S氣體的耐腐蝕性)及耐熱衝擊性之觀點，例如，相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量份)為0.01~5重量份較佳，0.03~1重量份更佳，0.05~0.8重量份最佳。
又，矽烷偶合劑的前述部分縮合物之比例，並沒有特別限定，但從耐腐蝕性(特別是相對於耐H2S氣體的耐腐蝕性)、耐熱衝擊性、及耐迴焊性之觀點，例如 ，相對於聚有機矽氧烷(A)及倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份，更佳為0.08~0.9重量份。
[鋅化合物(E)]
本發明的硬化性樹脂組成物亦可包含鋅化合物(E)。本發明的硬化性樹脂組成物，藉由包含前述鋅化合物，特別是有相對於H2S氣體之阻隔性提升的傾向。
作為前述鋅化合物(E)，並沒有特別限定，例如，可舉出含有鋅的錯合物或金屬鹽等。例如，可舉出雙乙醯基丙酮酸鋅、雙(辛烷-2,4-二酮基)鋅等之鋅二酮錯合物或環烷酸鋅、辛酸鋅、乙醯乙酸鋅、(甲基)丙烯酸鋅、新癸酸鋅等之羧酸鋅等所代表的有機鋅化合物、氧化鋅、錫酸鋅等之鋅氧化物所代表的無機鋅化合物、及該等之混合物。其中，尤以羧酸鋅較佳，特佳為辛酸鋅。鋅化合物(E)至少包含羧酸鋅(特別是辛酸鋅)較為理想。其中，鋅化合物(E)僅為羧酸鋅(特別是辛酸鋅)更為理想。
前述鋅化合物(E)並沒有特別限定，但從相對於腐蝕性氣體的阻隔性之觀點，相對於化合物中(100重量%)之鋅含量，例如，2~30重量%較佳，更佳為5~20重量%，特佳為6~17重量%。
前述鋅化合物(E)之含量並沒有特別限定，但相對於前述聚有機矽氧烷(A)與前述倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份，0.1重量份以上小於0.8重量份較佳，0.3重量份以上小於0.6 重量份更為理想。藉由使鋅化合物(E)之含量成為前述範圍，可將耐熱衝擊性及耐迴焊性保持為實用上足夠的等級。鋅化合物(E)之含量小於0.01重量份時，有相對於H2S氣體之阻隔性下降的情況。另一方面，前述鋅化合物(E)之含量為1.0重量份以上時，有相對於SOX氣體之阻隔性下降的情況。
[氫矽烷化觸媒]
本發明的硬化性樹脂組成物亦可進一步包含氫矽烷化觸媒。本發明的硬化性樹脂組成物，藉由包含氫矽烷化觸媒，可有效率地進行硬化反應(氫矽烷化反應)。作為前述氫矽烷化觸媒，可示列出鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒等之周知的氫矽烷化反應用觸媒。具體而言，可舉出鉑微粉末、鉑黑、載持鉑的二氧化矽微粉末、載持鉑的活性碳、氯化鉑酸、氯化鉑酸與醇、醛、酮等之錯合物、鉑之烯烴錯合物、鉑-羰基乙烯基甲基錯合物等之鉑的羰基錯合物、鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物或鉑-環乙烯基甲基矽氧烷錯合物等之鉑乙烯基甲基矽氧烷錯合物、鉑-膦錯合物、鉑-亞磷酸鹽錯合物等之鉑系觸媒、以及在前述鉑系觸媒中含有鈀原子或銠原子代替鉑原子的鈀系觸媒或銠系觸媒。再者，前述氫矽烷化觸媒，可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
本發明的硬化性樹脂組成物之前述氫矽烷化觸媒的含量，並沒有特別限定，例如，氫矽烷化觸媒中之鉑、鈀、或銠以重量單位而言成為0.01~1,000ppm之範圍內的量較佳，成為0.1~500ppm之範圍內的量更佳。 氫矽烷化觸媒之含量在如前述的範圍時，交聯速度不會顯著地變慢，且硬化物產生著色等之問題的可能性少，因此較為理想。
[氫矽烷化反應抑制劑]
本發明的硬化性樹脂組成物，為了調整硬化反應(氫矽烷化反應)之速度，亦可包含氫矽烷化反應抑制劑。作為前述氫矽烷化反應抑制劑，例如，可舉出3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、苯基丁炔醇等之炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等之烯炔化合物；噻唑、苯并噻唑、苯并三唑等。前述氫矽烷化反應抑制劑可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。作為前述氫矽烷化反應抑制劑之含量，根據硬化性樹脂組成物之交聯條件而不同，但實用上作為硬化性樹脂組成物中之含量，0.00001~5重量%之範圍內較為理想。
[其他的矽氧烷化合物]
本發明的硬化性樹脂組成物，亦可進一步包含在分子內(一分子中)具有2個以上之脂肪族碳-碳雙鍵的環狀矽氧烷作為其他的矽氧烷化合物。又，本發明的硬化性樹脂組成物，亦可進一步包含含有在分子內(一分子中)具有2個以上之Si-H鍵的基之環狀矽氧烷作為其他的矽氧烷化合物。前述環狀矽氧烷可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。本發明的硬化性樹脂組成物之環狀矽氧烷的含量(摻合量)，並沒有特別限定，但相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0.01~30重量%較佳，0.1~20重量%更佳，0.5~10重量%特佳。
[其他的矽烷化合物]
本發明的硬化性樹脂組成物，亦可包含其他的矽烷化合物(例如，具有氫矽烷基的化合物)。作為前述其他的矽烷化合物，例如，可舉出甲基(參二甲基矽烷氧基)矽烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、1,1,1,3,5,5,7,7,7-九甲基四矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷、1,1,1,3,5,5,7,7,9,9,9-十一甲基五矽氧烷等之具有Si-H基的直鏈狀或分支鏈狀矽氧烷等。再者，前述矽烷化合物可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。前述矽烷化合物之含量並沒有特別限定，但相對於硬化性樹脂組成物之全量(100重量%)為0~5重量%以下較佳，0~1.5重量%更佳。
[溶媒]
本發明的硬化性樹脂組成物亦可包含溶媒。作為前述溶媒，例如，可舉出甲苯、己烷、異丙醇、甲基異丁酮、環戊酮、丙二醇單甲醚乙酸酯等之以往周知的溶媒。前述溶媒可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
[添加劑]
本發明的硬化性樹脂組成物，亦可包含沉降二氧化矽、濕式二氧化矽、燻矽(fumed silica)、燒成二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、玻璃、石英、鋁矽酸鹽、氧化鐵、氧化鋅、碳酸鈣、碳黑、碳化矽、氮化矽、氮化硼等之無機質填充劑、將該等之填充劑利用有機鹵矽烷、有機 烷氧基矽烷、有機矽氮烷等之有機矽化合物進行處理的無機質填充劑；矽酮樹脂、環氧樹脂、氟樹脂等之有機樹脂微粉末；銀、銅等之導電性金屬粉末等之填充劑、安定化劑(抗氧化劑、紫外線吸收劑、耐光安定劑、熱安定化劑等)、阻燃劑(磷系阻燃劑、鹵系阻燃劑、無機系阻燃劑等)、阻燃助劑、補強材(其他的填充劑等)、晶核劑、偶合劑、滑劑、蠟、塑化劑、脫模劑、耐衝擊改良劑、色相改良劑、流動性改良劑、著色劑(染料、顏料等)、分散劑、消泡劑、脫泡劑、抗菌劑、防腐劑、黏度調整劑、增黏劑等之慣用的添加劑作為其他任意的成分。該等之添加劑，可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。
[硬化性樹脂組成物]
本發明的硬化性樹脂組成物並沒有特別限定，相對於存在於硬化性樹脂組成物中之氫矽烷基1莫耳，如脂肪族碳-碳雙鍵成為0.2~4莫耳的組成(摻合組成)較佳，更佳為0.5~1.5莫耳，最佳0.8~1.2莫耳。藉由將氫矽烷基與脂肪族碳-碳雙鍵之比例控制在前述範圍，有硬化物之耐熱性、透明性、柔軟性、耐迴焊性、及對於腐蝕性氣體之阻隔性進一步提升的傾向。
本發明的硬化性樹脂組成物並沒有特別限定，可藉由在室溫進行攪拌．混合前述各成分而進行製備。再者，本發明的硬化性樹脂組成物可作為直接使用各成分預先混合者的1液系之組成物使用，也可例如作為在使用各別保管之2種以上的成分前以所定之比例混合而使 用的多液系(例如，2液系)之組成物使用。
本發明的硬化性樹脂組成物，25℃之黏度為4000~8000mPa．s。前述黏度為4500~7000mPa．s較佳，5000~6000mPa．s更佳。黏度小於4000mPa．s時，例如，硬化性樹脂組成物包含螢光體的情況中，有螢光體難以均勻地分散的情況。另一方面，黏度超過8000mPa．s時，例如，在將硬化性樹脂組成物注入LED封裝體之際，有注入量不安定的情況。
本發明的硬化性樹脂組成物之黏度，可採用周知乃至慣用的方法適當調整。例如，可適當選擇倍半矽氧烷(B)、矽烷偶合劑(D)、其他矽氧烷化合物、其他矽烷化合物、溶媒、添加劑等調整為所需的黏度。或者，可適當選擇市售的聚有機矽氧烷(A)調整為所需的黏度。
在本說明書中，25℃之黏度係指使用圓錐-平板形旋轉黏度計(錐板型黏度計)(例如，流變計(商品名「PhysicaUDS-200」、AntonPaar公司製)與錐板(圓錐直徑：16mm、圓錐角度=0°)，以溫度：25℃、旋轉數：5rpm的條件進行測定的黏度。
[硬化物]
藉由利用硬化反應(氫矽烷化反應)使本發明的硬化性樹脂組成物硬化，可得到硬化物(以下有時稱為「本發明的硬化物」)。硬化反應之際的條件，並沒有特別限定，可根據以往周知的條件適當選擇，例如，從反應速度之觀點，溫度(硬化溫度)為25~180℃(更佳為60℃~ 150℃)較佳，時間(硬化時間)為5~720分鐘較佳。本發明的硬化物之耐熱性、透明性、柔軟性等之各種物性均佳，並且迴焊步驟之耐裂縫性、相對於封裝體之密合性等之耐迴焊性佳，且相對於腐蝕性氣體之阻隔性也優異。
[密封材及半導體裝置]
本發明的密封材，係包含本發明的硬化性樹脂組成物作為必要成分的密封材。藉由使本發明的硬化性樹脂組成物硬化而得到的密封材(硬化物)，耐熱性、透明性、柔軟性等之各種物性均優，並且耐迴焊性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性均佳。因此，本發明的密封材，尤可作為半導體裝置之半導體元件的密封材使用，特別是作為光半導體裝置之光半導體元件(特別是高亮度、短波長的光半導體元件)的密封材等。藉由使用本發明的密封材進行密封半導體元件(特別是光半導體元件)，可得到耐久性及品質均優異的半導體裝置(特別是光半導體裝置)。
[實施例]
以下根據實施例更詳細地說明本發明，但本發明並沒有限定於該等之實施例。
反應生成物及製品之1H-NMR分析，係利用JEOL ECA500(500MHz)而實施。又，反應生成物及製品的數量平均分子量及重量平均分子量之測定，係於Alliance HPLC系統2695(Waters製)、Refractive Index Detector 2414(Waters製)、管柱：Tskgel GMHHR-M×2(TOSOH(股)製)、保護管柱：Tskgel guardcolumn HHRL (TOSOH(股)製)、管柱烘箱：COLUMN HEATER U-620(Sugai製)、溶媒：THF、測定條件：40℃進行。
[聚有機矽氧烷(A)]
作為聚有機矽氧烷(A)，係使用以下的製品。
GD-1125A：長興化學工業(股)製、乙烯基含量1.13重量%、苯基含量42.79重量%、SiH基含量(氫化物換算)0重量%、數量平均分子量2858、重量平均分子量9598、黏度6300mPa．s
GD-1125B：長興化學工業(股)製、乙烯基含量3.71重量%、苯基含量51.75重量%、SiH基含量(氫化物換算)0.16重量%、數量平均分子量671、重量平均分子量1354、黏度5900mPa．s
OE-6631A：Dow Corning Toray(股)製、乙烯基含量1.72重量%、苯基含量54.20重量%、SiH基含量(氫化物換算)0重量%、數量平均分子量3600、重量平均分子量11000、黏度5100mPa．s
OE-6631B：Dow Corning Toray(股)製、乙烯基含量3.81重量%、苯基含量57.49重量%、SiH基含量(氫化物換算)0.34重量%、數量平均分子量830、重量平均分子量2200、黏度13500mPa．s
[倍半矽氧烷(B)之合成]
<合成例1>
在反應容器加入苯基三乙氧基矽烷(信越化學工業(股)製)15.86g及甲基異丁酮(MIBK)6.16g，將該等之混合物冷卻直到10℃。在前述混合物花費1小時滴加水4.32g 及5N之鹽酸0.16g(氯化氫為2.4毫莫耳)。滴加後，將該等之混合物於10℃保持1小時。之後，添加MIBK26.67g，將反應溶液稀釋。
其次，將反應容器之溫度升溫直到70℃，在成為70℃的時間點添加5N之鹽酸0.16g(氯化氫為25毫莫耳)，在氮氣下進行聚縮合反應4小時。
接著，在前述反應溶液添加二乙烯基四甲基二矽氧烷11.18g及六甲基二矽氧烷3.25g，在70℃進行4小時矽烷基化反應。之後，將反應溶液冷卻，進行水洗直到下層液成為中性，之後，分取上層液。
其次，自該上層液於1mmHg、40℃之條件餾去溶媒，得到無色透明之液狀的反應生成物(在末端具有乙烯基的梯型倍半矽氧烷，13.0g)。
前述反應的數量平均分子量(Mn)為840，分子量分散度為1.06。
[異三聚氰酸酯化合物(C)]
作為異三聚氰酸酯化合物(C)係使用以下的製品。
單烯丙基二環氧丙基異三聚氰酸酯：四國化成工業(股)製
[矽烷偶合劑(D)]
作為矽烷偶合劑(D)係使用以下的製品。
3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：Dow Corning Toray(股)製
[矽烷偶合劑(D)之合成]
<合成例2>
在反應容器加入3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷210.9g、四乙氧基矽烷20.8g、甲醇210.9g、乙醇20.8g及氟化鉀(1%乙醇溶液)17.4g，使該等之混合物升溫直到50℃。
其次，花費30分鐘滴加水16.2g及乙醇16.2g，並升溫後，在回流下進行4小時聚縮合反應。
接著，在常壓下，一邊升溫至80℃，一邊餾去揮發成分。之後，在減壓條件(30Torr)下，一邊升溫至100℃，一邊餾去殘留的揮發成分，得到無色透明之液狀的反應生成物(141.5g)。
[鋅化合物(E)]
作為鋅化合物(E)，係使用以下的製品。
辛酸鋅：日本化學產業(股)製、商品名「NIKKA OCTHIX鋅」(Zn：15%)
<實施例及比較例>
依據以下順序實施實施例1~5及比較例1~3。
依據表1，將倍半矽氧烷(B)、異三聚氰酸酯化合物(C)、矽烷偶合劑(D)、及鋅化合物(E)以所定重量比率(表1及表2中之各成分的摻合量之單元為重量份)混合後，在60℃攪拌2小時。之後，冷卻直到室溫後，混合聚有機矽氧烷(A)，並於室溫攪拌30分鐘，得到硬化性樹脂組成物。
再者，表1中，關於辛酸鋅，係顯示自「NIKKA OCTHIX鋅」除去礦油精的量。
[黏度之測定]
將前述各試料使用流變計(商品名「PhysicaUDS-200」、AntonPaar公司製)與錐板(圓錐直徑：16mm、圓錐角度=0°)，以溫度：25℃、旋轉數：5rpm的條件，測定25℃之黏度(mPa．s)。
[光度維持率之測定]
在第1圖所示之LED封裝體(InGaN元件、3.5mm×2.8mm)注入實施例1~5、比較例1~3所得到的硬化性樹脂組成物，在60℃加熱1小時，接著在80℃加熱1小時且在150℃加熱4小時，作成試料。再者，亦可在LED封裝體注入硬化性樹脂組成物後，在150℃加熱1小時，作成試料。
關於前述各試料，使用全光束測定機(Optronic Laboratories公司製、多分光放射測定系統「OL771」) ，測定流通20mA的電流之際的全光束(單元：lm)，並將其作為腐蝕性試驗前的全光束。
其次，關於前述各試料，供於後述的SOX腐蝕性試驗及H2S腐蝕性試驗，與前述同樣進行測定全光束，並將其作為腐蝕性試驗後之全光束。
之後，依據下式，算出光度維持率。
光度維持率(%)=(腐蝕試驗前之全光束/腐蝕試驗後之全光束)×100
[SOX腐蝕性試驗]
將前述各試料與硫粉末(KISHIDA化學(股)製)0.3g放入450ml的玻璃瓶，並且將前述玻璃瓶放入鋁製的箱中。接著，將前述鋁製的箱放入烘箱(Yamato科學(股)製、型號「DN-64」)，將烘箱溫度設定為80℃後，在24小時後取出，並如前述測定全光束。
[H2S腐蝕性試驗]
將前述各試料放入調整為硫化氫濃度25ppm、溫度50℃、濕度80%RH的氣體腐蝕試驗機(Suga試驗機(股)製、型號「GS-UV」)，在96小時後取出，並如前述測定全光束。
[耐腐蝕性之評價]
關於耐腐蝕性之評價基準，係如下述。
A：SOX腐蝕性試驗之光度維持率為85%以上，且H2S腐蝕性試驗之光度維持率為99%以上
B：SOX腐蝕性試驗之光度維持率為85%以上，且H2S腐蝕性試驗之光度維持率小於99%
C：SOX腐蝕性試驗之光度維持率小於85%
[耐熱衝擊性試驗]
關於前述各試料，使用熱衝擊試驗機(ESPEC(股)製、型號「TSB-21」)，將在溫度-40℃暴露5分鐘，接著在溫度100℃暴露5分鐘作為1循環的熱衝擊賦予實施1000循環。之後，使用數位顯微鏡(KEYENCE(股)製、型號「VW-9000」)，計數在LED封裝體之密封材確認有剝離及裂縫之試料數，並依據下式算出剝離產生率及裂縫產生率。
剝離產生率(%)=(確認有剝離的試料數/全試料數)×100
裂縫產生率(%)=(確認有裂縫的試料數/全試料數)×100
[耐熱衝擊性之評價]
關於耐熱衝擊性之評價基準，係如下述。
A：剝離產生率為20%以下，且裂縫產生率為10%以下
B：剝離產生率超過20%並為50%以下，且裂縫產生率為10%以下
C：裂縫產生率超過10%
[耐迴焊性試驗]
將前述各試料放入調整為溫度30℃、濕度70%RH的恆溫恆濕層(ESPEC(股)製、型號「SH-641」)，在192小時後取出。接著，關於前述各試料，使用迴焊爐(ANTOM(股)製、型號「UNI-5016F」)，在溫度260℃實施2次10秒鐘的加熱處理。之後，採用與前述耐熱衝擊性試驗相同的要領算出剝離產生率及裂縫產生率。
[耐迴焊性之評價]
關於耐迴焊性之評價，係如下述。
A：剝離產生率為10%以下，且裂縫產生率為20%以下
B：剝離產生率為10%以下，且裂縫產生率超過20%並為50%以下
C：剝離產生率超過10%
比較例1~3中，耐腐蝕性、耐熱衝擊性、耐迴焊性均非可滿足的結果。
相對於此，實施例1中，藉由添加倍半矽氧烷(B)、異三聚氰酸酯化合物(C)、及矽烷偶合劑(D)，係確認耐腐蝕性(特別是耐SOX腐蝕性)大幅提升，同時耐迴焊性(特別是剝離產生率)有戲劇性的改善。
又，實施例2中，藉由使用合成例2之矽烷偶合劑(D)，係確認相較於實施例1，耐H2S腐蝕性大幅提升，同時耐熱衝擊性有大幅的改善。
其次，實施例3中，在添加記載於專利文獻4之範圍的鋅化合物(E)時，耐H2S腐蝕性會提升，且耐腐蝕性成為可滿足的等級。另一方面，耐熱衝擊性，係確認相較於實施例2，有若干下降的傾向。
因此，實施例4中，相較於實施例3，將鋅化合物(E)進一步增量時，令人驚訝的是確認到實施例3中下降的耐熱衝擊性，實施例4反而大幅上升。此外，係確認耐迴焊性也有戲劇性的改善。
再者，實施例5中，相較於實施例3，將矽烷偶合劑(D)減量時，係確認到耐熱衝擊性有提升的傾向，但耐迴焊性成為若干下降的結果。
根據前述，可得到兼具耐SOX腐蝕性與耐H2S腐蝕性，同時兼備實用上有足夠等級之耐熱衝擊性及耐迴焊性的硬化性樹脂組成物、硬化物、密封材、及光半導體裝置。
[產業上之可利用性]
本發明的硬化性樹脂組成物及硬化物，在需要耐熱性、透明性、柔軟性、相對於腐蝕性氣體之阻隔性、耐熱衝擊性、耐迴焊性的接著劑、塗布劑、密封材等之用途係有用。特別是本發明的硬化性樹脂組成物及硬化物，可適當作為光半導體元件(例如，LED元件、半導體雷射元件、太陽光發電元件、CCD元件等)的密封材。

Claims (17)

  1. 一種硬化性樹脂組成物，其係包含聚有機矽氧烷(A)、倍半矽氧烷(B)、及異三聚氰酸酯化合物(C)的硬化性樹脂組成物，其特徵為：聚有機矽氧烷(A)為具有芳基的聚有機矽氧烷，且黏度為4000~8000mPa．s。
  2. 如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中聚有機矽氧烷(A)之利用膠體滲透層析的標準聚苯乙烯換算之數量平均分子量(Mn)為500~4000。
  3. 如請求項1或2之硬化性樹脂組成物，其中將聚有機矽氧烷(A)之利用膠體滲透層析的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量作為Mw、數量平均分子量作為Mn時之分子量分散度(Mw/Mn)為0.95~4.00。
  4. 如請求項1至3中任一項之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係包含具有脂肪族碳-碳雙鍵的聚有機矽氧烷(A1)。
  5. 如請求項1至4中任一項之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係包含具有Si-H鍵的聚有機矽氧烷(A2)。
  6. 如請求項1至5中任一項之硬化性樹脂組成物，其中作為聚有機矽氧烷(A)係含有包含式(6)所示的結構之聚有機矽氧烷； [式(6)中，R21~R26可相同或不同，並表示氫原子、芳 基、一價烴基、一價雜環式基、或包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基；但是，R21~R26中之1個以上為包含脂肪族碳-碳不飽和鍵的一價基；又，R21~R26中之1個以上為芳基；R27表示二價烴基；r、s各別表示1以上的整數]。
  7. 如請求項1至6中任一項之硬化性樹脂組成物，其中倍半矽氧烷(B)係梯型倍半矽氧烷。
  8. 如請求項1至7中任一項之硬化性樹脂組成物，其中作為異三聚氰酸酯化合物(C)係式(1)所示的異三聚氰酸酯化合物； [式(1)中，Rx、Ry、Rz可相同或不同，並表示式(2)所示的基、或式(3)所示的基； [式(2)及式(3)中，R1及R2可相同或不同，並表示氫原子或碳數1~8之直鏈狀或分支鏈狀的烷基]]。
  9. 如請求項8之硬化性樹脂組成物，其中式(1)的Rx、Ry、Rz之中，任一個以上為式(3)所示的基。
  10. 如請求項1至9中任一項之硬化性樹脂組成物，其中更包含矽烷偶合劑(D)，且矽烷偶合劑(D)之含量係相對於 該聚有機矽氧烷(A)及該倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
  11. 如請求項10之硬化性樹脂組成物，其中矽烷偶合劑(D)係包含將1種或2種以上的矽烷偶合劑藉由水解及部分縮合而得到的部分縮合物。
  12. 如請求項1至11中任一項之硬化性樹脂組成物，其中更包含鋅化合物(E)，且鋅化合物(E)之含量係相對於該聚有機矽氧烷(A)及該倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.01重量份以上小於1.0重量份。
  13. 如請求項12之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)之含量係相對於該聚有機矽氧烷(A)及該倍半矽氧烷(B)之合計量(100重量份)為0.3重量份以上小於0.6重量份。
  14. 如請求項12或13之硬化性樹脂組成物，其中鋅化合物(E)為羧酸鋅。
  15. 一種硬化物，其係將如請求項1至14中任一項之硬化性樹脂組成物硬化而得到。
  16. 一種密封材，其係使用如請求項1至14中任一項之硬化性樹脂組成物而得到。
  17. 一種半導體裝置，其係使用如請求項16之密封材而得到。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI825299B (zh) * 2019-03-26 2023-12-11 日商琳得科股份有限公司 硬化性組合物、硬化物及硬化性組合物的使用方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014125964A1 (ja) 2013-02-14 2014-08-21 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、硬化物、封止材、及び半導体装置
JP6474801B2 (ja) * 2014-06-06 2019-02-27 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、硬化物、封止材、及び半導体装置
JP2016216642A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、封止剤、並びに半導体装置
JP2017002172A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社ダイセル 高硬度ポリシロキサン硬化物を与える硬化性樹脂組成物及びその硬化物
US9912311B2 (en) 2015-07-22 2018-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd Multimode reconfigurable amplifier and analog filter including the same
CN108368342B (zh) * 2016-01-08 2021-07-02 日亚化学工业株式会社 固化性有机硅树脂组合物及其固化物、以及光半导体装置
KR20180128921A (ko) * 2016-03-30 2018-12-04 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 광 반도체 소자 탑재용 기판 및 그의 제조 방법 및 광 반도체 장치
US10990012B2 (en) 2016-05-03 2021-04-27 Dow Silicones Corporation Silsesquioxane resin and oxaamine composition
CN109661435B (zh) * 2016-09-07 2022-04-12 日亚化学工业株式会社 固化性树脂组合物、其固化物、及半导体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4275889B2 (ja) 2001-02-09 2009-06-10 株式会社カネカ 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006206721A (ja) 2005-01-27 2006-08-10 Kansai Electric Power Co Inc:The 高耐熱合成高分子化合物及びこれで被覆した高耐電圧半導体装置
JP4826160B2 (ja) 2005-07-28 2011-11-30 ナガセケムテックス株式会社 光素子封止用樹脂組成物
KR20120114237A (ko) * 2009-11-30 2012-10-16 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물 및 그 경화물
JP5300148B2 (ja) * 2009-11-30 2013-09-25 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂組成物、硬化性樹脂組成物
JP4788837B2 (ja) * 2010-01-26 2011-10-05 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物およびその使用方法、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂含有構造体、ならびに光半導体素子封止体
JP2011159912A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体素子用封止剤及び光半導体装置
TWI504681B (zh) * 2010-03-08 2015-10-21 Lintec Corp A hardening composition, a hardened product, and a hardening composition
WO2012039322A1 (ja) * 2010-09-22 2012-03-29 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体、多面体構造ポリシロキサン系組成物、硬化物、及び、光半導体デバイス
KR101332171B1 (ko) * 2010-11-10 2013-11-25 요코하마 고무 가부시키가이샤 열경화형 실리콘 수지 조성물, 및, 이것을 이용하여 얻어지는 실리콘 수지 함유 구조체 및 광반도체 소자 봉지체
JP5045862B2 (ja) * 2010-11-18 2012-10-10 横浜ゴム株式会社 熱硬化型シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、および、シラノール縮合触媒
JP2012111875A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Daicel Corp 硬化性樹脂組成物及び硬化物
JP2012162666A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Kaneka Corp 多面体構造ポリシロキサン系組成物
JP2012201706A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Kaneka Corp ポリシロキサン系組成物
WO2013005633A1 (ja) * 2011-07-04 2013-01-10 Jnc株式会社 イソシアヌル骨格、エポキシ基およびＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンまたはシルセスキオキサン骨格を含む化合物および該化合物を密着付与材として含む熱硬化性樹脂組成物、硬化物、および光半導体用封止材
US9181397B2 (en) * 2011-12-22 2015-11-10 Daicel Corporation Curable resin composition and cured product thereof
WO2013176238A1 (ja) * 2012-05-25 2013-11-28 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、封止剤、並びに光半導体装置
EP2944675B1 (en) * 2013-01-09 2017-04-12 Daicel Corporation Curable resin composition, and cured product of same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI825299B (zh) * 2019-03-26 2023-12-11 日商琳得科股份有限公司 硬化性組合物、硬化物及硬化性組合物的使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5830201B2 (ja) 2015-12-09
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KR20150135531A (ko) 2015-12-02
TWI546339B (zh) 2016-08-21
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CN105209549A (zh) 2015-12-30
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