TW201443443A

TW201443443A - 探針裝置

Info

Publication number: TW201443443A
Application number: TW103106499A
Authority: TW
Inventors: Yuichi Ozawa; Hiroshi Nishimura; Seiichi Ohta; Yasuhito Iguchi; Kunihiko Chiba; Ken Kato
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2013-02-27
Filing date: 2014-02-26
Publication date: 2014-11-16
Also published as: JP5939417B1; JP2016036040A; WO2014132855A1; US9664733B2; TWI548878B; JP5825502B2; JP5888461B2; US20150362552A1; JP2016115945A; JP5995156B2; JPWO2014132855A1; JP2016154268A

Abstract

本發明之探針裝置，係測定待檢測體之晶圓之全部晶片之位置而取得實測資料。依據該實測資料，算出各晶片之實測位置之誤差量或探針與晶圓之各晶片接觸的接觸位置之誤差量，將該誤差量以視覺方式顯示的誤差精確度表示圖像100顯示於監控器。於該圖像100，係顯示有與各晶片對應的四角區域102，於各四角區域102，在對應於誤差量而由中心位置挪移的位置係顯示有點104。

Description

探針裝置

本發明關於探針裝置，特別是關於針對形成於半導體晶圓上的複數個積體電路等半導體元件(晶片或晶粒)之電氣特性進行測試的探針裝置。

於半導體製造工程的切割工程，係藉由切割裝置將固定於切割框架的圓板狀半導體晶圓切割為複數個晶片(晶粒)。於該切割工程之前或之後，進行晶圓測試工程以檢測各晶片之電氣特性，於該晶圓測試工程中使用探針裝置。

探針裝置係用以使連接在測試器的探針卡之探針接觸晶片之電極焊墊的裝置，由測試器透過探針對晶片供給電源及各種試驗信號，透過探針由測試器取得晶片電極所輸出的響應信號，進行解析並確認正常動作與否(參照專利文獻1、專利文獻2)。於該習知之探針裝置，不論切割前後，均可以將固定於切割框架狀態之晶圓固定於平台而進行測試。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-95938號公報

[專利文獻2]日本特開2011-222851號公報

但是，WLCSP(晶圓級晶片尺寸封裝(Wafer level chip size package))晶圓或CSP(晶片尺寸封裝(Chip size package))，其晶片係個別被切斷，各晶片之索引尺寸(index size)在數μm至數十μm等級而存在有誤差。

因此，為了使探針以良好精確度接觸晶圓面內之全部晶片內之焊墊，除通常的晶圓對位以外，亦需要實施各晶片(晶粒)之對位，依據該測定結果來計算各晶片之位置之誤差量。

但是，現狀為該各晶片之位置之誤差量無法由使用者來確認。

該各晶片之位置之誤差量，或者該誤差量所造成探針對各晶片接觸之接觸位置之誤差量之資訊，在探針裝置動作時之控制參數之設定上為重要之資訊，因此較好是可由使用者加以確認。

本發明有鑑於該事情而研創，目的在於提供探針裝置，其可對使用者提供資訊以利於作動探針裝置時之控制參數之設定等。

為達成上述目的，本發明一態樣之探針裝置，係使形成於待檢測體之晶圓上的複數個晶片接觸測試器之探針的探針裝置；其係為具備：實測資料取得手段，係取得表示上述待檢測體之晶圓之各晶片的實測位置的實測資料；誤差量算出手段，係根據藉由上述實測資料取得手段所取得的實測資料，算出上述晶圓之各晶片之實測位置的誤差量、或使上述各晶片接觸上述探針時上述探針接觸於上述各晶片之位置的誤差量作為各晶片之誤差量；及圖像產生手段，係產生用以將藉由上述誤差量算出手段所算出的誤差量以視覺方式顯示的圖像。

依據本發明之一態樣，可對使用者提供和各晶片之誤差量相關的資訊，該資訊係在使探針裝置動作時對於控制參數之設定而言很重要。

本發明另一態樣的探針裝置中，較好是上述圖像產生手段係產生將點(dot)顯示在由與上述晶圓之各晶片對應的區域之中心位置起因應各晶片之誤差量而挪移的位置上之圖像。本態樣係以視覺方式表示誤差量的圖像的一形態，各晶片之誤差量可以直觀方式辨識為點之表示位置之誤差量。

本發明再另一態樣的探針裝置中，較好是上述圖像產生手段係產生使與上述晶圓之各晶片對應的區域之顯示色的至少亮度、彩度、色相之中之任一要素因應各晶片之誤差量變化的圖像。本態樣係以視覺方式表示誤差量的圖像的一形態，各晶片之誤差量可由表示色之變化以直觀方式來辨識。

本發明再另一態樣的探針裝置中，較好是上述圖像產生手段係產生將上述晶圓之各晶片之誤差量按排成一列的晶片以曲線顯示的圖像。

本態樣係以視覺方式表示誤差量的圖像之一形態，各晶片之誤差量可由曲線來辨識，因此亦可以把握誤差量之絕對大小。

本發明再另一態樣的探針裝置中，較好是上述誤差量算出手段係針對各晶片，算出上述實測資料取得手段取得的實測資料所示之實測位置上述晶圓之設計資料所示之理想位置之差作為上述實測位置之誤差量。

本態樣，係以理想位置為基準而算出各晶片之實測位置之誤差量的形態。

本發明再另一態樣的探針裝置中，較好是上述誤差量算出手段係針對各晶片，算出上述探針接觸於藉由上述實測資料取得手段取得的實測資料所示實測位置的晶片之位置、與上述探針應接觸於晶片的理想接觸位置之間之差，作為上述探針接觸於上述各晶片之位置之誤差量。

本態樣，係以理想接觸位置為基準而算出探針對各晶片之接觸位置之誤差量的形態。

依據本發明，可對使用者提供對探針裝置動作時控制參數之設定等有利的資訊以利於探針裝置動作時控制參數之設定等。

1‧‧‧晶圓測試系統

10‧‧‧探測器(探針裝置)

18‧‧‧晶圓平台

19‧‧‧探針位置檢測攝影機

23‧‧‧晶圓對位攝影機

25‧‧‧探針卡

26‧‧‧探針

30‧‧‧測試器

40‧‧‧控制部

42‧‧‧操作部

44‧‧‧監控器

50‧‧‧晶片位置實測資料取得部

52、80‧‧‧資料記憶部

54‧‧‧發射位置設定部

56‧‧‧誤差精確度算出部

58、90‧‧‧結果圖像產生部

60、82‧‧‧測定點設定部

62、86‧‧‧判斷部

64、88‧‧‧條件值輸入部

100‧‧‧誤差精確度表示圖像

102‧‧‧四角區域

104‧‧‧四角形狀之點

W‧‧‧晶圓

T‧‧‧晶片

圖1係本發明適用的晶圓測試系統之概略構成圖。

圖2係待檢測體之晶圓之圖。

圖3係控制部中，依據誤差精確度表示功能之實施程式，由CPU之處理構成的處理部之方塊圖。

圖4係誤差精確度表示功能中表示處理順序的流程圖。

圖5係誤差精確度表示圖像之圖。

圖6係圖5之一部分之擴大圖。

圖7係探針卡之探針同時接觸的晶片之例示圖。

圖8A係拍攝(shot)位置修正之說明圖。

圖8B係發射位置修正之說明圖。

圖9係發射位置修正後的誤差精確度表示圖像之表示圖。

圖10係誤差精確度表示圖像之另一形態之表示圖。

圖11係誤差精確度表示圖像之另一形態之表示圖，係發射位置修正前的誤差精確度表示圖像之表示圖。

圖12係以和圖11同樣之形態來表示發射位置修正後的誤差精確度表示圖像時。

圖13係於控制部，由CPU執行程式來實施測定點自動算出功能之第1模式，而於控制部內構築的處理部之方塊圖。

圖14係和圖5同樣，使用以四角區域表示晶圓W之各晶片之圖，進行測定點設定之模樣之例示圖。

圖15係測定點自動算出功能之第1模式中處理順序之表示用的流程圖。

圖16A係和圖5同樣，使用以四角區域表示晶圓W之各晶片之圖，來增加測定間隔之模樣之圖。

圖16R係和圖5同樣，使用以四角區域表示晶圓W之各晶片之圖，來增加測定間隔之模樣之圖。

圖16C係和圖5同樣，使用以四角區域表示晶圓W之各晶片之圖，來增加測定間隔之模樣之圖。

圖17係測定點自動算出功能之第2模式中處理順序之流程圖。

圖18係測定點自動算出功能之第2模式中處理順序之流程圖。

圖19係和圖5同樣，使用以四角區域表示晶圓W之各晶片之圖來設定個別運算範圍之測定間隔的模樣圖。

圖20係於控制部，由CPU執行程式來實施測定點自動算出功能之第3模式，而於控制部內構築的處理部之方塊圖。

圖21係測定點自動算出功能之第3模式中處理順序之流程圖。

圖22A係發射位置之修正說明用的說明圖。

圖22B係發射位置之修正說明用的說明圖。

圖22C係發射位置之修正說明用的說明圖。

圖22D係發射位置之修正說明用的說明圖。

圖22E係發射位置之修正說明用的說明圖。

[實施發明之形態]

以下，依據附圖詳細說明本發明較佳實施形態。

圖1為應用本發明的晶圓測試系統之概略構成圖。晶圓測試系統1，係具備探測器(探針裝置)10及測試器30。形成有多個半導體晶片(以下簡單稱為晶片)的待檢測體即晶圓W係藉由探測器10進行定位，通過探針卡25電連接於測試器30。接著，由測試器30透過配置於探針卡25的多數支探針26對晶圓W之各晶片供給測試信號，對此由測試器30測定由晶圓W輸出響應信號。如此而進行各晶片之性能檢測(電氣特性之測定)，依據對於測試信號之響應信號的測定結果進行各晶片之好壞判斷(良品與不良品之選別)等。

又，於本晶圓測試系統1，針對藉由未圖示的切割裝置切斷成為各個晶片(晶粒)後之晶圓W，可在使其附著於切割框架之狀態下直接進行測試。但是，並非切斷成為各個晶片的切割後之晶圓，即使是切斷成為晶片前(切割前)之晶圓亦可進行測試，另外，即使是未固定於切割框架之晶圓亦可進行測試。

探測器10，係具備：平台移動機構，將支撐待檢測體即晶圓W的晶圓平台18移動至特定位置；用來對配置於探針卡25的探針26進行攝影的探針位置檢測攝影機19；對晶圓W進行攝影的晶圓對位攝影機23；保持探針卡25的探針卡保持機構；及控制部40，係進行包含對探測器10之各部控制或圖像處理的各種運算處理。

控制部40，例如係配置於探測器10之框體內部或外部，藉由來自該控制部40之信號而對探測器10之各部之動作進行統合控制。

另外，於控制部40連接有操作部42(鍵盤，滑鼠，觸控面板，操作按鈕等)或監控器44，操作者可以參照監控器44顯示的導引畫面等，藉由操作部42之操作，將探測器10之控制相關的指示或各種條件(參數)之設定提供給控制部40。

另外，控制部40，例如藉由通信手段連接成為亦可與測試器30(後述之測試器本體31)通信，可由控制部40進行對測試器30之各種指示、測定結果之取得等。

以下適當說明該控制部40之控制內容等。

平台移動機構，係由以下構成：基台11，移動底座12，Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動部15，Z軸移動台16，θ旋轉部17，及晶圓平台18等。

基台11，係形成為平板狀且配置於探測器10之底部，藉由該基台11來支撐探測器10全體。於基台11之上面配置有移動底座12。

移動底座12，係固定於基台11，於該移動底座12之上部配置有Y軸移動台13。

Y軸移動台13，係於移動底座12可於Y軸方向移動地被支撐，藉由未圖示的馬達之動力於Y軸方向移動。Y軸方向，係平行於設置面(基台11之上面)的方向，係表示探測器10之前後方向。亦即，表示和圖1之紙面垂直的方向。於Y軸移動台13之上部配置有X軸移動台14。

X軸移動台14，係於Y軸移動台13可於X軸方向移動地被支撐，藉由未圖示的馬達之動力而移動於X軸方向。X軸方向，係和Y軸呈正交，係平行於設置面的方向，表示探測器10之左右方向。亦即，表示圖1之紙面之左右方向。於X軸移動台14之上部配置有Z軸移動部15。

Z軸移動部15，係固定於X軸移動台14，於其上部支撐著Z軸移動台16。該Z軸移動部15，係具有藉由未圖示的馬達之動力使Z軸移動台16在Z軸方向移動之機構。Z軸係和X軸及Y軸呈正交，相對於設置面為垂直之方向，係表示探測器10之上下方向的方向。亦即，表示圖1之紙面之上下方向。於Z軸移動台16之上部配置有θ旋轉部17。

θ旋轉部17，係可繞Z軸(θ方向)旋動地被支撐為Z軸移動台16，藉由未圖示的馬達之動力於θ方向旋動，而使固定於θ旋轉部17之上部的晶圓平台18旋動於θ方向。

晶圓平台18係於上面側具有平坦的載置面用以載置待檢測體之晶圓W，藉由該載置面來吸付保持晶圓W。待檢測體之晶圓W，係以複數個同種類者被收納於未圖示的晶圓匣，藉由未圖示的搬送手段依序由晶圓匣取出並搬送至晶圓平台18之載置面。

依據該平台移動機構，晶圓平台18係透過Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16及θ旋轉部17被支撐於基台11上，藉由彼等移動可於X軸、Y軸、Z軸之3軸方向及θ方向(繞Z軸)移動。因此，載置於晶圓平台18的晶圓W亦和晶圓平台18同時於3軸方向及θ方向移動。

另外，平台移動機構之各馬達係由來自控制部40之控制信號進行驅動，Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16及θ旋轉部17之位置係由感測器檢測而供給至控制部40。

因此，控制部40可對Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16及θ旋轉部17之各別位置進行控制，而將晶圓平台18及保持於晶圓平台18的晶圓W移動至所要之位置。

例如，於測試器30之檢測時，控制部40，係如後述說明依據檢測出的探針26之位置及晶圓W之各晶片之位置，藉由θ旋轉部17來旋轉晶圓平台18，以使晶片之電極焊墊之配列方向與探針26之配列方向成為一致。接著，在使其移動以使待檢測的晶片之電極焊墊使位於探針26之下方之後，上升晶圓平台18，使電極焊墊接觸探針26。

如此而使晶圓W之各晶片之電極焊墊依序移動至接觸探針26之位置，藉由後述之測試器30來實施各晶片之檢測。

又，上述平台移動機構之構成為一例，只要是能將待檢測體之晶圓W如上述支撐於晶圓平台且移動至特定位置的機構，可為任意構成。

探針位置檢測攝影機19，係以攝影視野朝上方而被固定於上述Z軸移動台16之上部，係和晶圓平台18同樣藉由控制部40之控制，而於X軸、Y軸、Z軸之3軸方向移動。

探針位置檢測攝影機19係連接於控制部40，探針位置檢測攝影機19之攝影動作之控制，係由控制部40進行之同時，探針位置檢測攝影機19攝影之圖像係被取入控制部40。

如此，控制部40係使探針位置檢測攝影機19移動至成為探針卡25之下方的位置，對配置於探針卡25的探針26進行攝影，並取入該圖像。接著，由該圖像來檢測探針26之前端位置，並以檢測出的探針26之前端位置作為探針26之位置而予以檢測出。

例如，探針26之前端之水平方向(X軸方向及Y軸方向)之位置(XY座標)，可依據攝影時之探針位置檢測攝影機19之水平方向之位置及探針26之前端圖像內之檢測位置而求出，探針26之前端之垂直方向(Z軸方向)之位置(Z座標)，可依據探針位置檢測攝影機19之焦點位置求出。

每當因應待檢測體即晶圓W之種類更換探針卡25，即實施該探針位置之檢測，或於探針卡25更換後定期實施。

又，於探針卡25通常設置數千支以上之探針26，並非藉由探針位置檢測攝影機19攝影全部探針26之位置所獲得之圖像來求出，而是藉由探針位置檢測攝影機19僅攝影特定探針26之位置來獲得圖像，並使用該圖像來求出，其他探針之位置亦可參照探針卡25中各探針配列相關的資訊(設計資料等)求出。

晶圓對位攝影機23，係以攝影視野朝下方而被支撐於固定在基台11的支柱22。

晶圓對位攝影機23係連接於控制部40，晶圓對位攝影機23之控制係由控制部40進行之同時，晶圓對位攝影機23攝影之圖像係被取入控制部40。

如此，控制部40將支撐於晶圓平台18的晶圓W，移動至成為晶圓對位攝影機23之下方的位置，而進行晶圓W之攝影，並取入該圖像。接著，由該圖像檢測晶圓W之各晶片之電極焊墊之位置，依據檢測出的電極焊墊之位置對各晶片之位置進行檢測。

例如，各晶片之水平方向(X軸方向及Y軸方向)之位置(X座標及Y座標)，可依據攝影時之晶圓平台18之水平方向之位置，以及圖像內各晶片之電極焊墊之檢測位置來求出。

又，亦可求出各晶片之特定電極焊墊之位置之座標作為各晶片之位置，或求出成為各晶片之中心等基準的特定位置之座標作為晶片之位置。

另外，並非使用由晶圓對位攝影機23攝影晶圓W之全部晶片之位置獲得的圖像來求出，而是使用由晶圓對位攝影機23攝影特定晶片之位置獲得的圖像來求出，其他晶片之位置亦可參照晶圓W之中各晶片之配列相關的資訊(設計資料等)來求出。

探針卡保持機構係具備頭部平台21及卡保持器24等。

頭部平台21，係被支撐於基台11上所支撐的支柱20、20．．．，且被配置於探測器10之上部。該頭部平台21係形成為板狀，於其之一部分形成有開口。卡保持器24係固定於該開口，探針卡25係可裝拆地安裝於該卡保持器24。

依此而使探針卡25保持於探測器10之上部。

探針卡25係因應待檢測的元件(晶圓W之種類)而被更換，具備因應待檢測的元件之電極配置而配置的多數個探針26。各探針26之前端，係抵接於保持於晶圓平台18的晶圓W之各晶片之電極焊墊。

於探針卡25設置連接於各探針26的端子，各探針26係透過彼等端子電連接於測試器30。

又，探針卡25之種類，可為單點探測用之卡，係具有1個晶片之檢測所必要支數之探針；或為多點探測用之卡，係具有複數晶片之檢測所必要支數之探針，藉由晶圓W與探針之一次接觸動作來同時檢查複數個晶片，本系統中可使用其之任一。

測試器30係具備測試器本體31及接觸環32。

測試器本體31，係藉由未圖示的支撐機構被支撐於探測器10之上部。於測試器本體31之內部，係具備：電路，其產生施加於待檢測體即晶圓W之各晶片的測試信號並予以輸出；(取入)電路，輸入各晶片針對測試信號所輸出的響應信號；及處理部，係依據針對測試信號之響應信號之狀態來檢測各晶片之性能(電氣特性之測定)，進行各晶片之好壞判斷(良品與不良品之選別)等。

於測試器本體31之下部設有接觸環32，該接觸環32係配置於探針卡25之上部。

接觸環32，係設有和測試器本體31之內部之電路連接的多數個接觸部，彼等接觸部係和連接於探針卡25之各探針26的端子接觸。

如此，測試器本體31之內部之電路與探針卡25之各探針26，可透過接觸環32進行電連接。

如此，可由測試器本體31透過探針26對接觸於探針26之晶片施加測試信號，響應於該測試信號而由晶片輸出的響應信號係透過探針26被取入測試器本體31。接著，於測試器本體31，依據該響應信號進行晶片性能之檢查，進行晶片之好壞判斷等。

測試器本體31，係藉由通信手段連接成為可與控制部40通信，可由控制部40對測試器30進行各種指示或檢測結果之取得等。

如此，例如檢測時，晶圓平台18所支撐的晶圓W之各晶片之電極焊墊接觸於探針26時，係由控制部40對測試器本體31下達檢查準備完了之通知，而於測試器本體31實施晶片之性能檢查。當由測試器本體31對控制部40下達檢查終了之通知後，於控制部40實施晶圓W之位置控制以使接下來待檢查的晶片接觸探針26。

另外，由測試器本體31對控制部40提供各晶片之檢測結果，並作為檢測結果對監控器44之顯示或不良晶片之標記等資訊來使用。

接著，說明搭載於上述控制部40的對位公用程式(Alignment Utility)功能。

控制部40係和一般的電腦同樣構成為具備：進行運算或控制的處理裝置(CPU，Central Processing Unit)；一次性或永久記憶資料的記憶裝置(記憶體)；及與外部進行信號的交流的輸出入裝置(I/O，Input/Output) 等。控制部40，係透過I/O連接於探測器10之平台移動機構之馬達或感測器、探針位置檢測攝影機19、晶圓對位攝影機23、測試器30之測試器本體31、操作部42及監控器44等。

CPU係依據儲存於記憶體之程式實施各種處理，而如上述說明般適當進行以下：對晶圓W(晶圓平台18)之位置控制、探針位置檢測攝影機19及晶圓對位攝影機23之攝影動作之控制或彼等攝影圖像之取入、與操作部42之操作對應的操作信號之取入、表示圖像對監控器44之畫面之輸出等。

另外，具備有對位公用程式功能作為利用CPU依據程式所進行的處理而安裝於控制部40的功能之一，該對位公用程式功能係在對位控制之控制參數之設定方面支援使用者，該對位控制係使用晶圓對位攝影機23測定待檢測體即晶圓W之各晶片之位置(電極焊墊之位置)。

主要因為當測定(實測)晶圓W之全部晶片之位置時對位控制所要時間變長，因此該對位公用程式為了縮短對位控制之時間(對位時間)，而支援對位控制之控制參數之設定。

詳細如後述，例如由使用者指定和探針26對晶片之接觸位置(探針接觸位置)之誤差量(誤差精確度)或對位時間相關的對位條件，藉由模擬求出對位控制之控制參數之設定並將其提供給使用者，該對位控制為在滿足該對位條件範圍內可將實施對位(位置之測定)的晶片數設為最少。

使用者可以參照該資訊，而對實際實施的對位控制之控制參數進行設定。

使用對位公用程式功能時，係由使用者進行操作部42之特定操作而下達對對位公用程式之執行之指示。依此，於監控器44之畫面顯示對位公用程式之畫面。接著，於該畫面中，由使用者對操作部42進行操作，即可由對位公用程式功能所包含各種功能之中選擇所要之功能，而實施以下說明之處理。

又，如圖2所示，本實施形態之說明中，待檢測體之晶圓W，係附著於切割片S而被安裝於環狀框架F的晶圓(固定於切割框架之晶圓)，係藉由切割裝置切斷成形成於晶圓W的各個晶片T、T、T、．．．的切割後之晶圓W。

探針卡25係多點探測用之卡，探針26例如係具備同時接觸2×2之晶片的探針。

首先，說明對位公用程式之執行後，選擇誤差精確度表示功能之執行時。

誤差精確度表示功能，係將相對於待檢測體即晶圓W之各晶片的探針接觸位置之誤差精確度予以顯示之功能。

圖3，係表示於控制部40，藉由CPU執行誤差精確度表示功能之程式，而構築於控制部40內的處理部之方塊圖。

該圖中，晶片位置實測資料取得部(實測資料取得手段)50，在檢測多數個圖2所示待檢測體之晶圓W時，係以其中之1片晶圓W作為樣本晶圓將其載置於晶圓平台18，藉由對位控制實施全部晶片之對位。

其中，由控制部40實施的對位控制中，例如係將載置於晶圓平台18的晶圓W移動至晶圓對位攝影機23之下方進行攝影，將晶圓W之縱橫晶片之配列方向設為X軸方向及Y軸方向時，係以彼等軸方向成為和探測器10之空間中之X軸方向及Y軸方向一致的方式，使晶圓W於θ方向移動(旋轉)。

又，於晶圓W中，將並列於X軸方向的晶片之列稱為行(line)時，晶圓W上之晶片，係形成Y軸方向具有特定間隔之複數行。

接著，依據和晶圓W之晶片於X軸方向之大小呈對應的X軸方向之索引尺寸(在X軸方向呈鄰接的晶片之中心間之距離)，使晶圓W於X軸方向一次移動特定距離，將同一行之複數個晶片之中每隔特定晶片數之晶片設為實施對位的測定點而由晶圓對位攝影機23進行攝影。

接著，依據該攝影圖像，針對測定點的晶片之電極焊墊之位置進行測定並將其設為晶片之位置。

如上述針對1行實施沿著X軸方向之行的行對位時，係依據和晶圓W之晶片於Y軸方向之大小呈對應的Y軸方向之索引尺寸(在Y軸方向呈鄰接的晶片之中心間之距離)，使晶圓W於Y軸方向移動特定距離，而對沿著複數個行之中每隔特定行數之行的晶片實施。

晶片位置實測資料取得部50，係對樣本晶圓實施以上之對位控制之同時，將各行之行對位時晶圓W於X軸方向之移動距離設為X軸方向之索引尺寸，將切換欲實施行對位之行時晶圓W於Y軸方向之移動距離設為Y軸方向之索引尺寸，而對晶圓W上之全部晶片之位置進行測定。

如此，取得樣本晶圓之全部晶片之位置並作為實測資料(晶片位置實測資料)，該晶片位置實測資料係被儲存於資料記憶部52。

於此，本實施形態之待檢測體之晶圓W，係切斷成為各個晶片的切割後之晶圓W，如圖2所示係固定於切割框架。和切割前之晶片之配列比較，該切割後之晶圓W之中各晶片之位置(晶片之配列)雖產生歪斜，但該歪斜方式有一定之傾向。

因此，晶片位置實測資料取得部50所取得的晶片位置實測資料，可以表示和樣本晶圓同樣被切斷成為各個晶片的切割後之同種晶圓W，亦即全部待檢測體之晶圓W之各晶片之位置。

資料記憶部52，係將晶片位置實測資料取得部50取得的晶片位置實測資料記憶之同時，亦記憶將和待檢測體即晶圓W之切割前之晶片之配列相關的設計資料，或對應於待檢測體之晶圓W之種類而和設於探測器10之卡保持器24的探針卡25之探針26之配列相關的設計資料等以下之運算所必要之資料。

作為該資料記憶部52而進行資料之記憶的記憶媒體，不限定於內建於控制部40的記憶媒體，亦可為可裝拆地安裝於控制部40的記憶媒體，或連接成為可與控制部40通信的其他裝置(電腦等)之記憶媒體，另外，亦可為包含彼等記憶媒體之中之複數個記憶媒體者，只要是在控制部40(CPU)處於可以取得資料之狀態者均可，不限定配置於特定場所之記憶媒體。

發射(shot)位置設定部54，於測試器30之檢測時，係對探針接觸控制時之發射位置進行設定，以使晶圓W之晶片之電極焊墊接觸於探針卡25之探針26。

於此，控制部40實施的探針接觸控制，例如係進行目標晶片之X軸及Y軸方向之定位，而使晶圓平台18所載置的待檢測體之晶圓W，在探針26之下方於X軸方向及Y軸方向移動，以使電極焊墊接觸探針26。

接著，使晶圓W由該位置上升(於Z軸方向移動)，使目標晶片之電極焊墊接觸探針26，由測試器30對目標晶片進行檢測。檢測終了後，晶圓W下降(於Z軸方向移動)以使目標晶片由探針26分離。

該控制係切換即將成為目標之晶片之同時重複實施，而對晶圓W之全部晶片實施檢測。

於該探針接觸控制，發射位置係表示晶圓W上與探針卡25之探針26接觸之位置。

探針卡25，通常具有同時接觸複數個電極焊墊之複數支探針26，發射位置係表示彼等探針26接觸晶圓W之位置。

另外，如本實施形態般使用多點探測用之卡作為探針卡25時，係藉由設定1個發射位置，來決定同時接觸探針26的晶片之範圍。

於探針接觸控制，該發射位置係以探針26接觸晶圓W之全部晶片的方式，而且以探針26不重複接觸同一晶片的方式，針對晶圓W而被設定於X軸及Y軸方向之不同的複數個位置。

發射位置設定部54係進行該發射位置之設定。另外，在設定發射位置時，發射位置設定部54係參照資料記憶部52所儲存的和切割前之晶圓W(與待檢測體同種之晶圓W)之晶片配列(位置)相關的設計資料、上述晶片位置實測資料、及和探針卡25之探針26之配列(各探針之位置)相關的設計資料等。

誤差精確度算出部(誤差量算出手段)56，係依據發射位置設定部54所設定的各發射位置、及資料記憶部52記憶的晶片位置實測資料等之資料，在假設依據發射位置設定部54所設定的發射位置實施探針接觸控制時，算出探針26接觸待檢測體之晶圓W之各晶片之位置(探針接觸位置)之誤差精確度(偏移量、誤差量)。

誤差精確度(偏移量)，係表示各晶片中自探針接觸位置之理想接觸位置起之偏移之大小及方向的值，亦可以X軸方向及Y軸方向之各方向之偏移之大小來表示。

例如，切割前之晶圓W之各晶片之配列(位置)及與晶圓W之種類對應的多點探測用之探針卡25之探針26之配列(位置)和設計資料相等時，對於切割前之晶圓W設定發射位置以使探針26接觸各晶片之理想接觸位置(例如各電極焊墊之中心位置)，此情況下，各晶片之誤差精確度(偏移量)可以設為0。

另一方面，假設已藉由設定與切割前之晶圓W相同的發射位置而對待檢測體之切割後之晶圓W實施探針接觸控制時，切割後之晶圓W之各晶片之位置會由切割前之晶圓W之各晶片之位置(設計資料之位置)起位移，探針26接觸各晶片之位置亦相對地偏離理想接觸位置，誤差精確度(偏移量)成為不同於0之值。

結果圖像產生部(圖像產生手段)58係產生結果圖像(如後述)，該結果圖像係以視覺方式表示經由誤差精確度算出部56算出的誤差精確度之結果，該結果圖像被顯示於監控器44之畫面。

使用圖4之流程圖來說明誤差精確度表示功能中之各處理部50~58之處理內容及處理順序。

操作者藉由操作部42之操作，而於對位公用程式之畫面選擇誤差精確度表示功能時，依據圖4之流程圖進行之處理即開始。

首先，於步驟S10之處理，如上述說明，晶片位置實測資料取得部50係以多數個待檢測體之晶圓W之中之1片晶圓W為樣本晶圓並載置於晶圓平台18，使用晶圓對位攝影機23實施全部晶片(晶粒)之對位(全晶片對位)。

如此，晶圓W之全部晶片之位置被測定(實測)，以該實測的各晶片之位置設為晶片位置實測資料並儲存於資料記憶部52。

又，該步驟S10之處理只要對於待檢測體之晶圓W僅實施1次即可，資料記憶部52已記憶有待檢測體之晶圓W之晶片位置實測資料時，該步驟S10之處理則無須實施。

接著，於步驟S12之處理，發射位置設定部54係將和待檢測體之晶圓W為同種且為切割前之晶圓W之晶片之配列(位置)的相關設計資料、及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料自資料記憶部52讀出。

接著，探針接觸控制時，係針對切割前之晶圓W之各晶片設定發射位置以使探針26接觸理想接觸位置。又，為了和後述之修正後之發射位置區別，而將於此設置的發射位置稱為修正前之發射位置。

接著，於步驟S14之處理，誤差精確度算出部56係由資料記憶部52讀出待檢測體之晶圓W之晶片位置實測資料、以及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料。接著，依據彼等資料，針對待檢測體之晶圓W，使探針26接觸在步驟S12中所設定的修正前之發射位置時(依據發射位置設定部54所設定的修正前之發射位置來實施探針接觸控制時)，算出探針卡25之探針26接觸於實測位置上所配列各晶片之位置偏離理想接觸位置之誤差精確度(偏移量)。

接著，於步驟S16之處理，結果圖像產生部58，係產生結果圖像並使其顯示於監控器44之畫面，該結果圖像係而以視覺方式顯示在步驟S14中所算出的各晶片之誤差精確度，並作為誤差精確度表示圖像顯示於監控器44之畫面。

圖5係表示誤差精確度表示圖像的圖。

在圖5，於誤差精確度表示圖像100(簡單稱為表示圖像100)，係於橫方向及縱方向形成以等間隔之行包圍的多數個四角區域102，彼等四角區域102於橫方向及縱方向係以等間隔配列而被表示。

彼等四角區域102之各個係表示1個晶片之區域，待檢測體即晶圓W上之各晶片，係模仿於該晶圓W上之配列而和表示圖像100之各四角區域102被賦予關連對應。

又，四角區域102之中包含晶圓W之任一晶片皆不對應的四角區域。

另外，將表示圖像100上(畫面上)之橫方向設為X軸方向，將縱方向設為Y軸方向時，於晶圓W上於X軸方向被並排成為一列的晶片係和亦於表示圖像100上在X軸方向並排成為一列的四角區域102被賦予關連對應，而且，晶圓W之於Y軸方向被並排成為一列的晶片係和亦於表示圖像100上在Y軸方向並排成為一列的四角區域102被賦予關連對應。

於該表示圖像100，和晶圓W之各晶片被賦予關連對應的四角區域102呈對應地將多數個四角形狀之點104予以顯示，彼等點104之各個係表示各晶片之探針接觸位置偏離理想接觸位置之誤差精確度(偏移量)。

亦即，結果圖像產生部58係依據誤差精確度算出部56針對各晶片算出的誤差精確度(偏移量)，針對各四角區域102之中心位置，在和各個四角區域102對應的晶片依據誤差精確度(偏移量)所因應的大小及方向而位移之位置上顯示點104。

圖6係將圖5中表示圖像100之4個四角區域102抽出並顯示之圖，其中右下的四角區域102顯示有點104。

於圖6係表示點104之中心104A對四角區域102之中心102A偏移的位置。此時，自四角區域102之中心102A至點104之中心104A為止的位移量之大小係表示誤差精確度之大小(探針接觸位置對於理想接觸位置之偏移之大小)，點104之中心104A對於四角區域102之中心102A的方向係表示誤差精確度之方向(探針接觸位置對於理想接觸位置之偏移之方向)。亦即，自四角區域102之中心102A至點104之中心104A為止的X軸方向之偏移量及Y軸方向之偏移量之各個，係和探針接觸位置對於理想接觸位置在X軸方向之偏移量及在Y軸方向之偏移量呈比例。

藉由該表示圖像100之顯示，使用者可以視覺方式把握探針26接觸晶圓W之各晶片的接觸位置之誤差精確度。

又，圖5所示各點104亦可因應誤差精確度之大小，變更亮度、色相、彩度之中之至少1個要素而顯示。

另外，表示圖像100，雖以根據各晶片之實測位置的探針接觸位置與理想接觸位置間之差設為誤差精確度予以顯示，但是亦可以待檢測體之晶圓W之各晶片之實測位置(晶片位置實測資料所顯示的位置)與切割前之晶圓W之位置(和晶圓W之晶片之配列相關的設計資料所顯示的理想位置)間之差設為誤差精確度，和表示圖像100同樣地顯示。

此情況下，各晶片之誤差精確度可依據步驟S10所取得的晶片位置實測資料及和切割前之晶圓W之配列(位置)相關的設計資料算出。

回至圖4之流程圖，於步驟S16之處理後，例如藉由使用者對操作部42之操作而指示發射位置之修正時，於步驟S18之處理，發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出待檢測體之晶圓W之晶片位置實測資料。

接著，對步驟S12設定的修正前之發射位置進行修正，針對各晶片之實測位置設定探針26最適合接觸的發射位置作為修正後之發射位置。

本實施形態中，探針卡25係設為多點探測用之卡，因此於探針卡25針對複數個晶片設置的探針26係同時接觸晶圓W之複數個晶片。

因此，無法將發射位置修正成使探針26同時接觸的晶片之全部探針接觸位置成為理想接觸位置。

因此，關於複數個晶片的修正前之發射位置之各個，係檢測出探針26同時接觸的晶片之誤差精確度之大小之平均值成為最小之位移位置，將該檢測位置設為修正後之發射位置。

圖7表示探針卡25之探針26在1個發射位置同時接觸的晶片，探針26例如係設為針對配列於晶圓W上的晶片T、T、．．．，同時接觸在X軸方向及Y軸方向呈鄰接的2×2之4個晶片T1~T4。

另一方面，圖8A係將圖5所示發射位置修正前之誤差精確度表示圖像100之一部分之四角區域102抽出並表示之圖，係表示圖7之探針卡25之探針26在特定發射位置同時接觸的4個晶片所對應的四角區域102。

如圖8A之各點104之表示位置所示，於發射位置修正前，針對各四角區域102所對應之各晶片，探針26之接觸位置全體係由理想接觸位置朝左下側偏移。

因此，使發射位置朝右上側位移，針對各晶片在X方向及Y軸方向進行位移，而在各晶片之中誤差精確度之大小之總和成為最小的位置對發射位置進行修正，即可使探針26接觸各晶片之位置接近理想接觸位置。將此時之各晶片之誤差精確度和圖8A同樣表示時，係如圖8B所示，成為各點104被表示於各四角區域102之大略中心之狀態。

回至圖4，步驟S18之修正後之發射位置之設定終了時，於步驟S20之處理，誤差精確度算出部56係和步驟S14之處理同樣針對待檢測體之晶圓W，算出使探針26接觸於步驟S18所設定的修正後之發射位置時各晶片之探針接觸位置之誤差精確度(偏移量)。

接著，於步驟S22之處理，結果圖像產生部58 係產生結果圖像並作為發射位置修正後之誤差精確度表示圖像顯示於監控器44之畫面，該結果圖像係以視覺方式來顯示步驟S20所算出各晶片之誤差精確度。

圖9係表示該發射位置修正後之誤差精確度表示圖像之圖。

同圖所示發射位置修正後之誤差精確度表示圖像120(簡單稱為表示圖像120)，係和圖5所示發射位置修正前之誤差精確度表示圖像100同樣之構成。

將圖9之發射位置修正後之表示圖像120與圖5之發射位置修正前之表示圖像100比較可知，於圖9之表示圖像120各點104係顯示於四角區域102之中心附近，藉由對發射位置進行修正，而使探針26接觸各晶片的位置接近理想接觸位置。

使用者係藉由操作部42之特定操作，而可以將上述產生的圖5之發射位置修正前之表示圖像100，與圖9之發射位置修正後之表示圖像120進行切換，或者並列顯示於監控器44之畫面，藉由彼等之比較，而可以視覺把握經由發射位置之修正可將各晶片之探針接觸位置改善至何種程度之誤差精確度。

又，結果圖像產生部58所形成的誤差精確度表示圖像，不限定於圖5、圖9所示形態，亦可為以下說明之形態，可以藉由使用者對操作部42之操作來切換彼等不同的形態之顯示。

圖10係表示將和圖5、圖9同樣之各四角區域102之內部塗滿特定色之同時，因應各晶片之誤差精確度 (偏移量)之大小而變更該色之亮度、彩度、色相之中之任一要素。

圖11係表示按晶圓W之晶片之於X軸方向之每一行，以直線將表示同一行晶片於X軸方向之誤差精確度之大小的點予以連結成為曲線(graph)表示之形態，曲線圖之橫軸表示X軸方向之晶片之位置，縱軸表示X軸方向之誤差精確度之大小。圖11為發射位置修正前之誤差精確度表示圖像之例，作為參考而於圖12顯示藉由和圖11同樣形態來表示的發射位置修正後之誤差精確度表示圖像。又，關於Y軸方向之誤差精確度之大小，亦可以和圖11、圖12同樣地予以表示。

接著，說明對位公用程式之執行後，選擇測定點自動算出功能之執行的情況。

測定點自動算出功能係為了滿足以使用者指定的條件值為根據的對位條件，而自動設定對位控制時實施對位之測定位置(測定點)，並將該結果提示給使用者之功能。

於此，測定點係表示多數配列的晶片之中實施對位(位置之測定)之晶片。

另外，測定點自動算出功能之種類(模式)，可以選擇對位條件之種類不同的模式，該對位條件之種類有和誤差精確度相關的對位條件及和對位時間相關的對位條件。

和誤差精確度相關的對位條件，係指在探針接觸控制時以使各晶片之探針接觸位置之誤差精確度成為使用者所指定條件值以下的方式來實施對位控制之條件，於採用該條件的模式之中，作為和測定點之選擇相關的對位條件之種類，係有採用選擇測定點使全體成為均等之條件的模式，及採用部分增減測定點之條件的模式，稱前者之模式為第1模式，後者之模式為第2模式。

和對位時間相關的對位條件，係指使對位控制所要對位時間(實施對位的晶片之位置之測定全部終了為止所要的時間)成為使用者所指定條件值以下的方式來實施對位控制的條件，稱呼採用該條件的模式為第3模式。

在對位公用程式之執行後，使用者可由測定點自動算出功能之該等第1模式~第3模式之中選擇所要之模式並執行，以下依序說明測定點自動算出功能之第1模式~第3模式。

首先，說明第1模式之測定點自動算出功能。

圖13係顯示處理部的方塊圖，該處理部係藉由CPU執行將測定點自動算出功能之第1模式予以實施的程式構築於控制部40內。

同圖所示晶片位置實測資料取得部50、資料記憶部52、發射位置設定部54、及誤差精確度算出部56、結果圖像產生部58，係進行和圖3說明之同一符號之處理部同樣的處理的處理部，和圖3比較係追加了測定點設定部60、判斷部62、及條件值輸入部64。又，晶片位置實測資料取得部50及資料記憶部52之處理內容係和圖3說明的處理內容完全一致，因此省略說明。

測定點設定部60，係將實施對位(實測晶片之位置(XY座標))的對象晶片設為測定點。

和圖5同樣，圖14為使用以四角區域102來表示晶圓W之各晶片之圖以顯示測定點之設定情況的例圖。圖中設為測定點的晶片(對應之四角區域)之一部分係以符號TP表示，於晶圓W的晶片T當中，選擇中心之晶片、及相對於中心之晶片在X軸方向具有各隔開特定晶片數之間隔(X軸方向之測定間隔)且於Y軸方向具有各隔開特定晶片數(行數)之間隔(Y軸方向之測定間隔)的晶片，作為測定點的晶片。

亦即，晶圓W之晶片在沿著X軸方向的複數個行之中，成為Y軸方向之中心之行，及相對於該中心之行在Y軸方向各隔開特定晶片(行)數之間隔(Y軸方向之測定間隔)之行被選擇作為測定行，彼等測定行之各行上所配置晶片之中，成為X軸方向之中心之晶片，及由該中心之晶片起各隔開特定晶片數之間隔(X軸方向之測定間隔)之晶片被選擇作為測定點之晶片。圖14之例表示X軸方向及Y軸方向之測定間隔均設為4個晶片之狀態。

另外，不論測定間隔為何值，最上端及最下端之行必定被選擇為測定行，而且，在選擇作為測定行的各行之晶片之中，左右兩端之晶片亦必定被選為測定點之晶片。

表示該等X軸方向之測定間隔的晶片數與表示Y軸方向之測定間隔的晶片數(行數)係由判斷部62指定，測定點設定部60係依據判斷部62所指定的彼等測定間隔之值來進行測定點之設定。

發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出測定點設定部60所設定的測定點之晶片之晶片位置實測資料，依據讀出的晶片位置實測資料，於探針接觸控制時設定最適當之發射位置。

和誤差精確度表示功能同樣，誤差精確度算出部56，係依據發射位置設定部54所設定的發射位置，及資料記憶部52所記憶的全部晶片之晶片位置實測資料，算出各晶片之探針接觸位置之誤差精確度(偏移量)。

判斷部62係對測定點設定部60提供和實施對位用的測定點之設定、變更相關的指示，針對依此而被設定、變更的測定點，取得由發射位置設定部54及誤差精確度算出部56所算出各晶片之探針接觸位置之誤差精確度之算出結果。

接著，判斷部62係判斷該誤差精確度之算出結果是否滿足以條件值輸入部64所輸入之條件值為根據的對位條件。依據該判斷之結果，來檢測最適當測定點之設定。

於此，判斷部62係將以下設為對位條件：以各晶片之誤差精確度成為條件值輸入部64所提供的條件值以下的方式來實施對位控制，判斷部62係判斷各晶片之誤差精確度是否在條件值以下。

另外，關於最適當測定點之設定，判斷部62係求出滿足對位條件的測定點之設定之中，測定點之數成為最少時之設定。

條件值輸入部64係在監控器44之畫面顯示用以輸入與對位條件相關的條件值的條件設定畫面，並取得使用者藉由操作部42之操作而輸入至該條件設定畫面之條件值。將該條件值提供給判斷部62。

結果圖像產生部58係產生結果圖像，以便對使用者提示和判斷部62所檢測的最適當測定點之設定相關的資訊，並將該結果圖像顯示於監控器44之畫面。

接著，使用圖15之流程圖依序說明測定點自動算出功能之第1模式之中各處理部50~64之處理內容及處理順序。

操作者藉由操作部42之操作，於對位公用程式之畫面選擇測定點自動算出功能之第1模式之執行時，係依據圖15之流程圖開始處理。

首先，於步驟S30之處理，條件值輸入部64係將條件設定畫面顯示於監控器44，取入使用者所輸入的對位條件之條件值，將該條件值提供給判斷部62。該條件值係表示可允許的各晶片之誤差精確度之限制值(上限值)。

接著，於步驟S32之處理，和上述步驟S10同樣，晶片位置實測資料取得部50係設定多數個待檢測體之晶圓W之中之1片晶圓W為樣本晶圓，並將其載置於晶圓平台18，使用晶圓對位攝影機23實施全部晶片(晶粒)之對位(全晶片對位)。

如此，測定(實測)晶圓W之全部晶片之位置，該實測的各晶片之位置係作為晶片位置實測資料被儲存於資料記憶部52。

又，該步驟S32之處理對待檢測體之晶圓W僅實施1次即可，資料記憶部52已儲存有待檢測體之晶圓W之晶片位置實測資料時，無須實施該步驟S32之處理。

接著，於步驟S34之處理，發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出和待檢測體之晶圓W同種且為切割前之晶圓W之晶片之配列(位置)的相關設計資料，及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料。

接著，設定用以在探針接觸控制時使探針26對切割前之晶圓W之各晶片接觸於理想接觸位置的發射位置。又，於此設定之發射位置如上述係表示修正前之發射位置。

接著，於步驟S36之處理，針對測定點設定部60，判斷部62係將測定點之X軸方向及Y軸方向之測定間隔均指定為0。

接著，於步驟S38之處理，測定點設定部60係依據判斷部62指示的測定點之X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值來設定測定點。於步驟S36之處理之後之步驟S38之處理，測定點設定部60係將晶圓W上之全部晶片設定為測定點之晶片。

接著，於步驟S40之處理，發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出測定點設定部60所設定的測定點之晶片之晶片位置實測資料。

接著，發射位置設定部54，係依據該測定點之晶片之實測位置(晶片位置實測資料之位置)，對步驟 S34設定的修正前之各發射位置進行修正，針對各晶片之位置將探針26可以最適當接觸的發射位置設定成為修正後之發射位置。

以下說明發射位置之修正方法。

首先，依據測定點之晶片之實測位置，算出(推定)測定點以外(非測定點)之晶片之位置。例如，測定點晶片之中在X軸方向(同一行上)鄰接的2個晶片之間所配置之非測定點之晶片，係視為在連結彼等2個測定點之晶片之實測位置的直線上以等間隔被配列晶片，而算出被測定點之晶片之位置。亦即，針對鄰接的2個測定點之晶片之實測位置之誤差(相對於設計資料之位置的誤差)，係視為彼等2個測定點之晶片間所配置的非測定點之晶片具有線性(直線)誤差，而算出被測定點晶片之位置。

和其同樣地，可以算出Y軸方向呈鄰接的2個測定點之晶片間所配置的非測定點晶片之位置。接著，進一步依據該算出的非測定點晶片之位置，亦同樣可以算出彼等晶片位置之間所配置的其他非測定點晶片之位置。

又，依據測定點之晶片之實測位置算出非測定點之位置的方法不限定於此，可以適用任意之方法。

接著，依據如上述獲得的各晶片之位置(測定點之各晶片之實測位置，及如上述算出的非測定點之各晶片之算出位置)，發射位置設定部54係算出探針26可以最適合接觸彼等晶片位置之發射位置，並將其設為修正後之發射位置。

於此，作為多點探測(multi-probing)用之探針卡25，係以使用具備探針26的探針卡為例來說明發射位置之修正，該探針26係如圖22A所示同時接觸8×1之8個晶片。又，於圖22A至22E，以部位(site)1~8來表示在探針卡25之探針26接觸1個晶片的探針26之範圍內進行區分時的各範圍。

發射位置之修正方法例如可採用部位1位置基準修正、多重部位對角兩端部基準修正、全多重部位基準修正等之修正方法之中之任意形態。

於部位1位置基準修正，發射位置設定部54係針對各發射位置依據部位1之探針26所接觸晶片之位置進行發射位置之修正。具體為，以使部位1之探針26對晶片的接觸位置成為理想接觸位置的方式，亦即以使部位1之探針26對晶片的接觸位置之誤差(由理想接觸位置起之偏移量)不存在的方式，針對各發射位置進行修正。

例如，於某一發射位置，探針卡25之各部位1~8之探針26同時接觸的晶片之位置(實測位置及算出位置)係假設為如圖22B之晶片T1~T8所示位置般具有誤差(偏離設計資料之位置之誤差)。於修正前之發射位置之設定中，探針卡25之各部位1~8對於彼等晶片T1~T8之接觸位置，係設定成為如虛線所示。

此時，實施部位1位置基準修正時，係如圖22C般以使部位1之探針26對晶片T1的接觸位置之誤差不存在的方式來設定修正後之發射位置。

於多重部位對角兩端部基準修正之中，針對各發射位置，發射位置設定部54係依據探針卡25之部位之中左下及右上部位之探針26所接觸晶片之位置來進行發射位置之修正。具體為，在修正前之發射位置之設定中，係求出探針卡25之左下及右上部位之探針26對於晶片的接觸位置之誤差之平均，使發射位置挪移以抵消該誤差份(平均份)，依此而進行發射位置之修正。

例如，如果是圖22A所示1行份之多點探測用之探針卡25時，探針卡25之部位1相當於左下之部位，部位8相當於右上之部位，於修正前之發射位置中，係求出部位1之探針26之接觸位置之誤差與部位8之探針26之接觸位置之誤差的平均，藉由使發射位置挪移以抵消該誤差份，依此來設定修正後之發射位置。

圖22D係如圖22B般表示修正後之發射位置(各部位1~8之探針26對各晶片T1~T8之接觸位置)，該修正後之發射位置係於某一發射位置在探針卡25之各部位1~8之探針26所同時接觸的晶片T1~T8之位置產生誤差時，實施多重部位對角兩端部基準修正時的修正後之發射位置。

於全多重部位基準修正中，針對各發射位置，發射位置設定部54係依據探針卡25全部部位之探針26所接觸晶片之位置進行發射位置之修正。具體為，於修正前之發射位置之設定中，係求出探針卡25全部部位之探針26對晶片之接觸位置之誤差之平均，藉由使發射位置挪移以抵消該誤差份(平均份)，依此來進行發射位置之修正。如果為於圖22A所示探針卡25時，係求出全部部位1~8之探針26之接觸位置之誤差之平均，藉由使發射位置挪移以抵消該誤差份，依此來設定修正後之發射位置。

圖22E係如圖22B般表示修正後之發射位置(各部位1~8之探針26對各晶片T1~T8之位置)，該修正後之發射位置係於某一發射位置在探針卡25之各部位1~8之探針26所同時接觸的晶片T1~T8之位置產生誤差時，實施全多重部位對角兩端部基準修正時的修正後之發射位置。

本實施形態中，以上之發射位置之修正方法之形態可以適用於進行發射位置之修正時之處理。所說明的任意形態之修正方法可以適用於已說明的誤差精確度表示功能中之發射位置之修正(圖4之流程圖之步驟S18之處理)。另外，發射位置之修正不限定於上述形態，只要是探針卡25之各部位之探針26的接觸位置之誤差和修正前之發射位置比較全體呈現變小即可，可為任一方法。

回至圖15之流程圖，接著，於步驟S42之處理，誤差精確度算出部56係由資料記憶部52讀出全部晶片之晶片位置實測資料，以及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料。接著，依據彼等資料，針對待檢測體之晶圓W，算出使探針26接觸步驟S40所設定的修正後之發射位置時，探針卡25之探針26與配列於實測位置各晶片接觸之接觸位置之偏離理想接觸位置的誤差精確度。

接著，於步驟S44之處理，判斷部62係將步驟S42之誤差精確度算出部56所算出各晶片之誤差精確度，和步驟S30之條件值輸入部64所提供的條件值進行比較，判斷是否全部晶片之誤差精確度在條件值以下。

該結果，當判斷為是時移行至步驟S46之處理，當判斷為否時移行至步驟S52。

於步驟S44當判斷為是時，於步驟S46之處理，判斷部62係判斷X軸方向之測定間隔之現在值與Y軸方向之測定間隔之現在值是否相等。判斷結果當判斷為是時係移行至步驟S48之處理，當判斷為否時係移行至步驟S50之處理。

於步驟S46當判斷為是時，於步驟S48之處理，判斷部62係針對測定點設定部60，將X軸方向之測定間隔指定為僅對現在值加1之值。Y軸方向之測定間隔則直接指定為現在值。接著，回至步驟S38之處理。

如此，藉由步驟S38~步驟S42，使X軸方向之測定間隔增加1晶片份以減少測定點之數而完成測定點之設定，並針對該設定算出各晶片之誤差精確度，於步驟S44針對彼等全部晶片之誤差精確度是否在條件值以下進行判斷。

於步驟S46當判斷為否時，於步驟S50之處理，判斷部62係針對測定點設定部60，將Y軸方向之測定間隔指定為僅對現在值加1之值。將X軸方向之測定間隔直接指定為現在值。接著，回至步驟S38之處理。

如此，藉由步驟S38~步驟S42，使Y軸方向之測定間隔增加1晶片份以減少測定點之數而完成測定點之設定，並針對該設定算出各晶片之誤差精確度，於步驟S44針對彼等全部晶片之誤差精確度是否在條件值以下進行判斷。

於步驟S44判斷為是時，亦即全部晶片之誤差精確度在條件值以下時，由於為已滿足和使用者所期待的誤差精確度相關的對位條件之狀態，故為可以進一步減少測定點之數的狀態。因此，於步驟S46~步驟S50，進行交互增加X軸方向之測定間隔與Y軸方向之測定間隔之處理。

和圖5同樣，圖16A至16C係使用以四角區域102表示晶圓W之各晶片的圖，表示增加測定間隔之情況，依圖16A、16B、16C之順序增加晶圓W上之晶片之中使設為測定點的晶片TP之間隔(測定間隔)。

回至圖15，於步驟S44判斷為否時，於步驟S52之處理，判斷部62係將X軸方向之測定間隔之現在值與Y軸方向之測定間隔之現在值之中最後變更之值、即藉由步驟S48或步驟S50之處理之中最後進行的處理而被變更的測定間隔之值，變更為僅減1之值。另一方之測定間隔則維持現在值。

接著，將如此獲得的X軸方向及Y軸方向之測定間隔而進行的測定點之設定(設定狀態)，決定為最適當測定點之設定(最適當測定點設定)。亦即，將未滿足與使用者所期待的誤差精確度相關的對位條件之前的測定點之設定，決定為最適當測定點之設定。該設定係表示滿足對位條件的設定之中，測定點之數為最小的設定。

接著，於步驟S54之處理，結果圖像產生部58係產生結果圖像，其用來顯示步驟S52所決定的最適當測定點之設定，並使結果圖像顯示於監控器44之畫面。

顯示於監控器44之畫面的結果圖像，例如係如圖16A至16C所示將最適當測定點之設定之中X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值、測定點之總數、測定點之晶片予以顯示之圖。

另外，關於最適當測定點之設定，亦可以依據圖15之步驟S38~步驟S42之處理所算出各晶片之誤差精確度，而將各晶片之誤差精確度之中之最大值或最小值、圖9~圖11所示之誤差精確度表示圖像顯示於監控器44之畫面。

又，於圖15所示處理順序，雖依序減少測定點之數來檢測出全部晶片之誤差精確度成為條件值以下時之測定點之設定，並以之前之設定設定為最適當測定點之設定，但不限定於此，亦可依序增加測定點之數來檢測全部晶片之誤差精確度成為條件值以下時之測定點之設定，而以該設定設為最適當測定點之設定。

亦即，可以任意方法依序變更測定點之設定來算出誤差精確度，並檢測其中全部晶片之誤差精確度在條件值以下，而且測定點之數為最小的測定點之設定，而將其決定為最適當測定點之設定即可。以下之第2模式亦可以同樣變更。

接著，說明第2模式之測定點自動算出功能。

於控制部40，藉由CPU執行實施測定點自動算出功能之第2模式的程式而構築於控制部40內的處理部，係和圖13所示方塊圖為同等之構成，因此省略說明。

但是，測定點設定部60及判斷部62之處理內容係和第1模式不同，在說明測定點自動算出功能之第2模式之中各處理部50~64之處理內容及處理順序的同時，使用圖17、圖18之流程圖對該處理內容加以說明。又，於圖17之流程圖中，和第1模式同樣之處理步驟係附加同一步驟編號。

操作者藉由操作部42之操作，於對位公用程式之畫面選擇測定點自動算出功能之第2模式之執行時，係依據圖17之流程圖開始處理。

首先，於步驟S30之處理，條件值輸入部64係於監控器44顯示條件設定畫面，取入由使用者輸入的對位條件之條件值，將該條件值提供給判斷部62。該條件值表示可以允許的各晶片之誤差精確度之限制值(上限值)。

接著，於步驟S32之處理，晶片位置實測資料取得部50係以多數個待檢測體之晶圓W之中之1片晶圓W為樣本晶圓並將其載置於晶圓平台18，使用晶圓對位攝影機23實施全部晶片(晶粒)之對位(全晶片對位)。

如此而測定(實測)晶圓W之全部晶片之位置(實測)，以該實測的各晶片之位置設為晶片位置實測資料並儲存於資料記憶部52。

又，該步驟S32之處理係對待檢測體之晶圓W僅實施1次即可，於資料記憶部52已儲存有待檢測體之晶圓W之晶片位置實測資料時，無須實施該步驟S32之處理。

接著，設定發射位置以便在探針接觸控制時使探針26對切割前之晶圓W之各晶片接觸於理想接觸位置。又，於此設定之發射位置係表示修正前之發射位置。

接著，於步驟S38之處理，測定點設定部60 係依據判斷部62指示的測定點之X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值來設定測定點。於步驟S36之處理之後的步驟S38之處理，測定點設定部60係將晶圓W上之全部晶片設為測定點之晶片。

另外，關於如後述即將設定為測定點之晶片為已決定之確定範圍，係依據該決定來設定測定點。

接著，於步驟S40之處理，發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出測定點設定部60所設定的測定點晶片之晶片位置實測資料。

接著，發射位置設定部54係依據該測定點晶片之實測位置，對步驟S34設定的修正前之發射位置進行修正，而針對各晶片之位置將探針26可以最適當接觸的發射位置設定成為修正後之發射位置。

接著，於步驟S42之處理，誤差精確度算出部56係由資料記憶部52讀出全部晶片之晶片位置實測資料，及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料。依據彼等資料，針對待檢測體之晶圓W，算出在探針26接觸步驟S38所設定的修正後之發射位置時，探針卡25之探針26對於實測位置所配列的各晶片之接觸位置由理想接觸位置偏移之誤差精確度。

接著，於步驟S44之處理，判斷部62係將步驟 S42之誤差精確度算出部56所算出各晶片之誤差精確度，與步驟S30之條件值輸入部64所提供的條件值進行比較，判斷是否全部晶片之誤差精確度在條件值以下。

結果，當判斷為是時移行至步驟S46之處理，當判斷為否時移行至圖18之步驟S60。

於步驟S44判斷為是時之步驟S46之處理，判斷部62，係判斷X軸方向之測定間隔之現在值與Y軸方向之測定間隔之現在值是否相等。該判斷之結果當判斷為是時移行至步驟S48之處理，當判斷為否時移行至步驟S50之處理。

於步驟S46判斷為是時之步驟S48之處理，針對測定點設定部60，判斷部62係指定X軸方向之測定間隔為僅對現在值加1後之值。Y軸方向之測定間隔則被直接指定為現在值。接著，回至步驟S38之處理。

依此而藉由步驟S38~步驟S42，針對測定點晶片已被決定的確定範圍以外之X軸方向之測定間隔，將其增加1晶片份以減少測定點之數而進行測定點之設定，並對該設定算出各晶片之誤差精確度，藉由步驟S44判斷彼等全部晶片之誤差精確度是否在條件值以下。

於步驟S46判斷為否時之步驟S50之處理，針對測定點設定部60，判斷部62係指定Y軸方向之測定間隔為僅對現在值加1之值。X軸方向之測定間隔則直接指定為現在值。接著，回至步驟S38之處理。

依此而藉由步驟S38~步驟S42，使測定點晶片已被決定的確定範圍以外之Y軸方向之測定間隔增加1晶片份來減少測定點之數而進行測定點之設定，針對該設定算出各晶片之誤差精確度，由步驟S44來判斷彼等全部晶片之誤差精確度是否在條件值以下。

另外，步驟S44判斷為否時，於圖18之步驟S60之處理，判斷部62係選出誤差精確度成為條件值以上之晶片。

接著，於步驟S62之處理，判斷部62係以包圍步驟S60所選出晶片的矩形範圍設為個別運算範圍。又，亦可選出包含步驟S44所選出晶片的發射位置，以包含所選出發射位置的最小範圍設為個別運算範圍。

接著，於步驟S64之處理，判斷部62係對測定點設定部60指定減少個別運算範圍之測定間隔並增加測定點。具體為，每當重複執行本步驟S64之處理，即交互指定將Y軸方向之測定間隔設為現在值、將X軸方向之測定間隔設為現在值僅減1之值之指定、以及將X軸方向之測定間隔設為現在值、將Y軸方向測定間隔設為現在值僅減1之值之指定。

接著，於步驟S66之處理，測定點設定部60係依據判斷部62所指定的X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值，針對判斷部62所設定的個別運算範圍之晶片進行測定點之設定。

於此，圖5同樣，圖19係使用以四角區域102來表示晶圓W之各晶片之圖以顯示設定個別運算範圍之測定間隔的情況的圖。於該圖，當步驟S60所選出晶片為符號TS所示3個晶片時，於步驟S62係將包含彼等晶片TS的範圍設為個別運算範圍130。接著，於步驟S64及步驟S66，將符號TR所示晶片設為個別運算範圍130內之測定點之晶片。於個別運算範圍130內，係和個別運算範圍130外部之測定點無關而重新進行測定點之設定，以使個別運算範圍130周緣之晶片成為測定點之晶片。

回至圖18，接著，於步驟S68之處理，發射位置設定部54係由資料記憶部52讀出測定點設定部60所設定的個別運算範圍之測定點之全部晶片之晶片位置實測資料。

接著，依據該個別運算範圍之測定點之晶片之實測位置，對步驟S34所設定的個別運算範圍之修正前之發射位置進行修正，針對個別運算範圍內之各晶片之位置，將探針26可以最適當接觸的發射位置設為修正後之發射位置。

接著，於步驟S70之處理，誤差精確度算出部56係由資料記憶部52讀出個別運算範圍之全部晶片之晶片位置實測資料，以及和探針卡25之探針26之配列(位置)相關的設計資料。接著，依據彼等資料，針對晶圓W之個別運算範圍，算出探針26接觸於步驟S68所設定的修正後之發射位置時，探針卡25之探針26對於實測位置所配列各晶片的接觸位置由理想接觸位置偏離之誤差精確度。

接著，於步驟S72之處理，判斷部62係將步驟S70之誤差精確度算出部56所算出的個別運算範圍之各晶片之誤差精確度，和步驟S30之條件值輸入部64所提供的條件值進行比較，判斷全部晶片之誤差精確度是否在條件值以下。當判斷為否時回至步驟S64，減少測定間隔並增加測定點之數，重複步驟S66~步驟S72之處理。

另外，當判斷為是時，於步驟S74之處理，判斷部62係將個別運算範圍之現在之測定點之設定，決定為最適當測定點之設定(最適當測定點設定)。

接著，於步驟S76之處理，判斷部62係將個別運算範圍之晶片設為確定範圍之晶片。

接著，於步驟S78之處理，判斷部62判斷是否晶圓W之全部晶片已被設為確定範圍之晶片。當判斷為否時移行至圖17之步驟S46，當判斷為是時移行至步驟S80。

步驟S78判斷為否時之步驟S46之處理，針對已被設為確定範圍的範圍，係不進行測定點之變更而固定為步驟S74所決定的測定點。又，關於確定範圍，亦可設為不進行步驟S42之誤差精確度之算出或步驟S44之判斷。

另外，於步驟S78判斷為是時之步驟S80之處理，判斷部62係將各確定範圍所決定的測定點之設定，決定為最適當測定點之設定。

接著，於步驟S82之處理，結果圖像產生部58係產生結果圖像並顯示於監控器44之畫面，該結果圖像用來表示步驟S80所決定的最適當測定點之設定。

例如，如圖19般將最適當測定點之設定中X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值、測定點之數、及測定點之晶片予以顯示之圖等顯示於監控器44之畫面作為結果圖像。

另外，針對最適當測定點之設定，亦可以依據圖17(圖15)之步驟S38~步驟S42之處理所算出的各晶片之誤差精確度，而將各晶片之誤差精確度之中之最大值或最小值、圖9~圖11所示之誤差精確度表示圖像顯示於監控器44之畫面。

接著，說明第3模式之測定點自動算出功能。

圖20表示處理部之方塊圖，該處理部係藉由CPU執行實施測定點自動算出功能之第3模式的程式，而構築於控制部40內。

資料記憶部80係相當於圖3所示資料記憶部52，係儲存將和待檢測體即晶圓W之切割前之晶片之配列相關的設計資料，或藉由平台移動機構移動載置於晶圓平台18的晶圓W時之最高速度、加速度等與平台移動機構之控制相關的資料等算出以下之對位時間所必要的資料。

測定點設定部82係和上述測定點設定部60同樣地把即將實施對位(晶片位置(XY座標)之實測)的晶片設為測定點。

亦即，依據判斷部86所指定之表示X軸方向之測定間隔的晶片數及表示Y軸方向之測定間隔的晶片數(行數)設定測定點。

對位時間算出部84係算出依據測定點設定部82所設定的測定點實施對位控制時該對位控制所要的對位時間(測定點晶片之對位全部終了為止所要的時間)。

此時，係由資料記憶部80讀出和待檢測體之晶圓W之配列(位置)相關的資料，或和平台移動機構之控制相關的資訊，算出測定點於晶片間移動所要的時間等。

判斷部86係提供與將要實施對位的測定點之設定、變更相關的指示給測定點設定部82，並取得由對位時間算出部84針對依此而被設定、變更的測定點算出的對位時間。

接著，判斷該對位時間是否滿足以條件值輸入部88所輸入條件值為根據之對位條件。依據該判斷之結果，來檢測最適當測定點之設定。

於此，係以實施對位控制而使對位時間成為條件值輸入部88所提供條件值以下作為對位條件，判斷部86係判斷對位時間是否在條件值以下。

另外，作為最適當測定點之設定，係針對滿足對位條件的測定點之設定之中，檢測出測定點之數儘可能變少之設定。亦即，最適當測定點之設定係表示為了對位時間設為條件值以下測定點之數需要減少至何種程度。

條件值輸入部88係將輸入與對位條件相關的條件值的顯示條件設定畫面顯示於監控器44之畫面，並取得使用者藉由操作部42之操作而輸入該條件設定畫面之條件值。該條件值被提供給判斷部86。

結果圖像產生部90，係產生結果圖像並將其顯示於監控器44之畫面，該結果圖像用來對使用者提示和判斷部86所檢測的最適當測定點之設定相關的資訊。

接著，使用圖21之流程圖說明測定點自動算出功能之第3模式之中各處理部80~90之處理內容及處理順序。

操作者藉由操作部42之操作，於對位公用程式之畫面選擇測定點自動算出功能之第3模式之執行時，依據圖12之流程圖開始處理。

首先，於步驟S100之處理，條件值輸入部88係於監控器44顯示條件設定畫面，取入使用者所輸入的對位條件之條件值，該條件值被提供給判斷部62。該條件值表示可允許的對位時間之限制值(上限值)。

接著，於步驟S102之處理，對位時間算出部84係由資料記憶部80讀出和待檢測體之晶圓W同種且為切割前之晶圓W之晶片之配列(位置)的相關設計資料(X 軸方向及Y軸方向之索引尺寸之資料)，以及對位控制時藉由平台移動機構而移動的晶圓W之最高速度、加速度之資料。

接著，於步驟S104之處理，對位時間算出部84係於對位控制時，由資料記憶部80取得晶圓W停止而由晶圓對位攝影機23進行攝影之時間。

接著，於步驟S106之處理，判斷部86係指示測定點設定部82，將測定點之X軸方向及Y軸方向之測定間隔均設為0。

接著，於步驟S108之處理，測定點設定部82係依據判斷部86所指示的測定點之X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值來設定測定點。於步驟S106之處理之後的步驟S108之處理，測定點設定部82係將晶圓W上之全部晶片設為測定點之晶片。

接著，於步驟S110之處理，對位時間算出部84在實施測定點設定部82所設定的測定點晶片之對位時，係依據步驟S102及步驟S104讀出的資料，算出全部測定點晶片之對位所要的對位時間、即以全部晶片設為測定點的對位控制所要的對位時間。

接著，於步驟S112之處理，判斷部86係將步驟S112藉由對位時間算出部84所算出的對位時間，和步驟S100由條件值輸入部88所提供的條件值進行比較，並判斷所算出對位時間是否在條件值以下。

該結果，當判斷為否時移行至步驟S114之處理，當判斷為是時移行至步驟S120。

於步驟S112判斷為否時之步驟S114之處理，判斷部86係判斷X軸方向之測定間隔之現在值與Y軸方向之測定間隔之現在值是否相等。該判斷之結果判斷為是時移行至步驟S116之處理，當判斷為否時移行至步驟S118之處理。

於步驟S114判斷為是時之步驟S116之處理，判斷部86係對測定點設定部82指示將X軸方向之測定間隔設為僅對現在值加1之值。將Y軸方向之測定間隔直接設為現在值。接著，回至步驟S108之處理。

依此，藉由步驟S108、步驟S110，可將X軸方向之測定間隔增加1晶片份，減少測定點之數來實施測定點之設定，算出相對於該設定的對位時間，藉由步驟S112判斷該對位時間是否在條件值以下。

於步驟S114判斷為否時之步驟S118之處理，判斷部86係對測定點設定部82指示將Y軸方向之測定間隔設為僅對現在值加1之值。將X軸方向之測定間隔直接設為現在值。接著，回至步驟S108之處理。

依此，藉由步驟S108、步驟S110，可將Y軸方向之測定間隔增加1晶片份，減少測定點之數來實施測定點之設定，算出相對於該設定的對位時間，藉由步驟S112判斷該對位時間是否在條件值以下。

另外，於步驟S112判斷為是時之步驟S120之處理，判斷部86係將現在之X軸方向及Y軸方向之測定間隔的測定點之設定決定為最適當測定點之設定(最適當測定點設定)。

接著，於步驟S122之處理，結果圖像產生部90係產生表示圖像並顯示於監控器44之畫面，該表示圖像係表示步驟S120所決定的最適當測定點之設定。

例如，如圖14般將最適當測定點之設定中X軸方向及Y軸方向之測定間隔之值、測定點之總數、最適當測定點設定之對位時間及最適當測定點之晶片予以顯示之圖等，顯示於監控器44作為結果圖像。

另外，藉由圖15之步驟S30~S34及步驟S38~步驟S42之處理，針對最適當測定點之設定算出各晶片之誤差精確度，依此而以圖9~圖11所示誤差精確度表示圖像來顯示各晶片之誤差精確度之中之最大值或最小值亦可。

又，於圖21所示處理順序，係依序減少測定點之數並檢測出對位時間成為條件值以下時之測定點之設定，並將其設為最適當測定點之設定，但不限定於此，依序增加測定點之數並檢測出對位時間超出條件值時之測定點之設定，並將之前之設定設為最適當測定點之設定亦可。亦即，測定點之設定可以任意方法依序變更而算出對位時間，檢測出其中對位時間在條件值以下，而且對位時間成為最大(測定點之數最大)的測定點之設定，並將其決定為最適當測定點之設定即可。

以上，於上述實施形態，係將待檢測體之晶圓W設定為切斷成為各個晶片的切割後之晶圓，但是即使以切割前之晶圓作為待檢測體之晶圓W時亦可適用，不限定於特定形態之晶圓。另外，探針卡25雖設為多點探測(multi-probing)用之卡，但亦可設為單點探測(single probing)用之卡。

另外，上述實施形態說明的對位公用程式功能，未必一定要在控制探測器10的控制部被實施，實施對位公用程式功能的裝置，係作為對位支援裝置，只要是能透過記錄媒體或通信手段等取得必要資料的裝置(電腦等)即可，可為和控制探測器10之控制部為獨立之裝置。

100‧‧‧誤差精確度表示圖像

102‧‧‧四角區域

104‧‧‧四角形狀之點

Claims

一種探針裝置，係使形成於待檢測體之晶圓上的複數個晶片接觸測試器之探針的探針裝置；其係具備：實測資料取得手段，係取得表示上述待檢測體之晶圓上之各晶片的實測位置的實測資料；誤差量算出手段，係根據藉由上述實測資料取得手段所取得的實測資料，算出上述晶圓之各晶片之實測位置的誤差量、或使上述各晶片接觸上述探針時上述探針接觸上述各晶片之位置的誤差量作為各晶片之誤差量；及圖像產生手段，係產生用以將藉由上述誤差量算出手段所算出的誤差量以視覺方式顯示的圖像。
如請求項1之探針裝置，其中上述圖像產生手段係產生將點(dot)顯示在由與上述晶圓之各晶片對應的區域之中心位置起因應各晶片之誤差量而挪移的位置上之圖像。
如請求項1之探針裝置，其中上述圖像產生手段係產生使與上述晶圓之各晶片對應的區域之顯示色的至少亮度、彩度、色相之中之任一要素因應各晶片之誤差量變化的圖像。
如請求項1之探針裝置，其中上述圖像產生手段係產生將上述晶圓之各晶片之誤差量按排成一列的晶片以曲線顯示的圖像。
如請求項1至4中任一項之探針裝置，其中上述誤差量算出手段係針對各晶片，算出上述實測資料取得手段取得的實測資料所示之實測位置，與上述晶圓之設計資料所示之理想位置之差作為上述實測位置之誤差量。
如請求項1至4中任一項之探針裝置，其中上述誤差量算出手段係針對各晶片，算出上述探針接觸於藉由上述實測資料取得手段取得的實測資料所示實測位置的晶片之位置、與上述探針應接觸於晶片的理想接觸位置之間之差，作為上述探針接觸於上述各晶片之位置之誤差量。