JP7028430B2

JP7028430B2 - 高周波プローブ位置補正技術

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Publication number: JP7028430B2
Application number: JP2017163566A
Authority: JP
Inventors: 亮坂巻; 雅弘堀部
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2017-08-28
Filing date: 2017-08-28
Publication date: 2022-03-02
Anticipated expiration: 2037-08-28
Also published as: JP2019039869A

Description

本発明は所定の電気的検査を実行するための高周波プローブを備えた高周波特性検査装置においてプローブ及び試料ステージの回転軸補正に関する。

ミリ波帯における平面回路の評価に高周波特性検査装置が利用されている。
高周波インピーダンス測定等の高周波検査において使用される高周波特性検査装置には、測定部材として、その先端に測定信号をＤＵＴ（被試験装置、被測定回路網）に入力、或いはＤＵＴから出力するシグナル端子（Ｓ）および接地されたグランド端子（Ｇ）が離間し並行して配設された高周波プローブ（Ｓ－Ｇタイプ、またはＧ－Ｓタイプ）や、その先端にシグナル端子（Ｓ）を挟むように２本のグランド端子（Ｇ，Ｇ）が各離間し並行して配設された高周波プローブ（Ｇ－Ｓ－Ｇタイプ）などが使用されている。

高周波特性検査装置は、図６に示すように、一般的にＤＵＴを載置して回転軸（以降、θ軸と呼ぶ）を中心に回転しさらにＸ、Ｙ、Ｚ軸に移動可能な水平面を備えた可動サンプルステージ（以降、簡単にステージとも呼ぶ）と、その載置されたＤＵＴに接触して電気的特性を測定する対向した一対の高周波プローブ、各プローブのＸＹＺ位置を調整する可動プローブステージ、及びプローブの傾きを調整するティルトステージ、ＤＵＴ測定のための高周波を生成する周波数拡張ユニット、およびシステムを制御してＤＵＴからの反射波・透過波を測定・解析するベクトルネットワークアナライザー（ＶＮＡ）等から構成されている（非特許文献１）。

この高周波プローブを用いてＤＵＴの所定の電気的検査を実行する前には検査値に含まれるその機器固有の誤差等を測定評価するための校正を行うのが一般的である。
校正は検査用の所定の基準パターンをステージ上に用意し、たとえば、図７に示す校正用の基準器を用いてＺ軸方向の調整（プローブ押付け量）を行なった後、所定の校正用の基準器（例えば、ＴＨＲＵ，ＳＨＯＲＴ，ＬＯＡＤ基準器、図１～図３）に移動して、目視（図４、比較例１）、或いは、ＰＣ制御等により予め決められた量プローブを平行移動させる（図４、比較例２）ことによって高周波プローブのＸＹ位置を決めてから所定の電気的検査を行うのが一般的である（非特許文献１、２）。
なお、適用する校正手法によっては、校正用の基準器としてＯＰＥＮ，ＬＩＮＥ基準器（図１２）を利用する場合もある。

一般的に各基準器は規則性をもって同一基板上に配されており、例えば基準パターンからＸ方向に１ｍｍ移動してＴＨＲＵ基準、さらにＸ方向に１ｍｍ移動してＬＯＡＤ基準器、
さらにＸ方向に１ｍｍ移動してＳＨＯＲＴ基準器、というようにステージを平行移動させてプローブを配置する。
この時、ステージのＸＹ軸と基板（ＤＵＴ）のＸＹ軸が不一致の場合、上述のようにステージを平行移動させても狙いの基準器上に正しくプローブを配することができない。
そのため、ステージのＸＹ軸を固定したままθ軸を回転させることで、ステージのＸＹ軸と基板のＸＹ軸を一致させる。

この目的のため、従来の方法では、基板上に規則的に配された基準器の基準軸または一辺に平行に併設された２つの補正用パターンを用いて、顕微鏡によって観察をしてθ軸を調整することで位置合わせを行なっていた。
詳しくは、顕微鏡像で２つの補正用パターンの各々が顕微鏡中央に来る時のステージのＸＹ座標情報から基板のＸＹ軸とステージのＸＹ軸のオフセット量を求めてθ軸の調整量を算出していた（図９）。
この場合、ステージのθ軸を実際に動かして補正するハード補正と、θ軸のズレを考慮してＸＹ軸の移動量をソフトウェア上で補正するソフト補正の双方が用いられている。

ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／１４９７０「高精度プローブ位置決め技術」（本発明者による出願）

「ＲＦ測定ガイド」（カスケードマイクロテック）https://www.cascademicrotech.com/files/JPN_RF_Measurement_Guide_Rev203.pdf ＣａｓｃａｄｅＭｉｃｒｏｔｅｃｈ社インピーダンス基準基板１０１－１９０公開図面、http://www.cmicro.com/files/iss_map_101-190.pdf

しかしながら、上に記載の手法によると顕微鏡を利用するため、観察像の解像度は顕微鏡の解像度により制限され、一般的な計測システムでは取得する座標の精度は±１０μｍ程度であるところ、２つのマーカー間の長さＬ＝１ｃｍとすると、θ軸の調整は０．１°程度の精度であり、θ軸補正の精度の改善が望まれていた。

一般的に、実体顕微鏡を用いた時の解像度（せいぜい１０μｍ程度）よりもプローブの微動精度（０．１～１μｍ程度）の方が高いことが知られている。
本発明は、高周波プローブから基板上の位置決め用パターン（以降、単にパターン、または基準パターンと呼ぶ）に高周波を放出してその反射波・透過波を測定したＳパラメータの測定値をフィードバックして得た座標に基づいてθ軸補正を行なう構成とした。

本技術は電気信号センシングによってθ軸の調整・補正する手段を提供する。
図５に示したＳｈｏｒｔ型或いはＬｏａｄ型の位置決め用パターンを用いて、特許文献１に記載の手法をさらに改善したアルゴリズムにより位置決め用パターンの座標を高精度に取得する（図８）。

（１）ＶＮＡと接続され、周波数拡張ユニットに保持されたプロ―ブが接地し得る水平な回転ステージを備えた高周波特性検査装置において、前記回転ステージの上に載置された基板のＸ軸と前記回転ステージの固定されたＸ軸のオフセットを解消する方法であって、
前記回転ステージはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動し、回転軸の周りをＸＹ平面で回転するように構成され、
前記プローブは、前記回転ステージに同時に接地するように等間隔に整列されたグランド端子とシグナル端子（Ｓ端子）とグランド端子（以降、ＧＳＧ端子と呼ぶ）を備え、
前記ＧＳＧ端子の整列する方向と前記回転ステージのＸ方向は平行に調整されている場合において、
その１辺に平行に所定形状の位置決め用パターン（以後単にパターンとよぶ）を前記基板に平行に２個配置した前記基板を、前記回転ステージの上に前記１辺と前記回転ステージの固定されたＸ軸が略平行になるように載置し、
前記プローブのＧＳＧ端子を前記基板の上方から前記パターンにコンタクトして前記Ｓ端子から高周波を放出して得られるその反射波のＳパラメータを解析して前記パターンとのコンタクト位置（Ｚ軸座標）を決定し、
前記パターンにおいて、前記回転ステージを操作して、前記プローブをその上方から前記決定されたコンタクト位置（Ｚ軸座標）に関してリリースとコンタクトを繰り返し移動しながら、前記Ｓ端子から高周波を放出して得られる反射波のＳパラメータを解析して前記パターンの中心の前記回転ステージ上のＸ座標、Ｙ座標を取得し、
前記取得した２つの位置決め用パターンの前記中心のＸ座標、Ｙ座標に基づいて、前記基板のＸ軸と前記回転ステージのＸ軸のオフセットを算出し、
前記算出したオフセット分だけ前記回転ステージを前記回転軸の周りに逆に回転させて、前記オフセットを解消することを特徴とする方法。

（２）さらに前記周波数拡張ユニットを載置して前記保持された前記プローブを前記回転ステージのＸＹ平面と水平な平面で回転する回転軸を有し、前記プローブをＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動するプローブステージを備え、
前記回転ステージに代って前記プローブステージを操作して、前記プローブを移動させて前記パターンの中心の前記プローブステージ上のＸ座標、Ｙ座標を取得し、
前記取得した２つの位置決め用パターンの前記中心のＸ座標、Ｙ座標に基づいて、前記基板のＸ軸と前記プローブステージのＸ軸のオフセットを算出し、
前記算出したオフセット分だけ前記プローブステージを前記プローブステージに係る回転軸の周りに逆に回転させて、前記オフセットを解消することを特徴とする（１）に記載の方法。

（３）前記Ｓパラメータ解析は、前記反射波の反射特性であって、その位相、または反射係数、のいずれかの解析であることを特徴とする（１）または（２）のいずれかに記載の方法。
（４）前記位置決め用パターンは、矩形部に短手方向に凸部を接続した櫛形形状をして、
前記位置決め用パターンの中心について、
前記Ｘ座標は、前記矩形部の前記凸部の反対側の端部に係るＸ座標であって、
前記Ｙ座標は、前記矩形部の前記凸部の両端部の中心に係るＹ座標で定められることを特徴とする（３）に記載の方法。
（５）前記位置決め用パターンは、ＬＯＡＤ型基準器またはＳＨＯＲＴ型基準器に前記凸部を接続したことを特徴とする（４）に記載の方法。
（６）前記オフセットは、数式（１）で表されるオフセット角であることを特徴とする（５）に記載の方法。
ただし、数式（１）において前記取得した２つの位置決め用パターンの前記中心の前記回転ステージの、または、前記プローブステージのＸ座標、Ｙ座標をそれぞれ、Ｘ_１，Ｘ_２，Ｙ_１，Ｙ_２とする。

（７）さらに前記基板は前記位置決め用パターンと所定の間隔をあけて前記位置決め用パターンと平行に配置された校正用の基準器を備え、（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の方法で前記基板のＸ軸と前記回転ステージのＸ軸のオフセットを解消した後に、前記プローブを前記中心のいずれかから前記所定の間隔だけ移動させて、前記校正用の基準器で前記高周波特性検査装置の校正を行うことを特徴とする方法。
（８）さらに前記基板は前記位置決め用パターンと所定の間隔をあけて前記位置決め用パターンと平行に配置された校正用の基準器を備え、（１）乃至（６）のいずれかに記載の方法において前記算出したオフセット分だけ前記回転ステージおよび前記プローブステージを当該回転軸の周りに逆に回転させて、前記オフセットを解消する代わりに、
前記回転ステージまたは前記プローブステージを前記中心のいずれかから数式（２）により算出されるＸ値、Ｙ値だけ移動させて、前記校正用の基準器で前記高周波特性検査装置の校正を行うことを特徴とする方法。
ただし、数式（２）においてＸ方向においてＸｎ、Ｙ方向においてＹｎを前記所定の間隔とし、前記θは前記算出したオフセットとする。
（９）さらに前記回転ステージおよび前記プローブステージの移動および前記ＶＮＡを制御する制御装置を備えた前記高周波特性検査装置において、前記制御装置において（７）または（８）のいずれかに記載の方法を実行することを特徴とするプログラムおよびプログラムを記録した記憶媒体。

本発明は顕微鏡の解像度や人の作業能力に依存しないことで顕微鏡的手法よりも高精度なθ軸の補正ができる。
具体的には本発明の実施によって、理論値としてはステージの移動分解能である２０ｎｍ精度で位置決め用パターンの座標を決定することができる。
実用上は高精度動作をさせると座標取得に要する時間が膨大になってしまうため、０．１μｍ～程度で取得する。
そのようにして得た位置決め用パターンの座標を用いて、最高０．０００２°、実用上も０．００１°～程度でθ軸角度を調整・補正することができるようになった。

ＴＨＲＵ基準器の形状例を表した図である。ＳＨＯＲＴ基準器の形状例を表した図である。ＬＯＡＤ基準器の形状例を表した図である。従来のプローブ位置の決定手法を表す図である。システム構成の概略図である。本発明に使用した高周波特性検査装置の概略構成を表す図である。従来のプローブ位置のＺ軸の決定手法を表す図である。プローブ位置決め動作の概要図。技術背景実施例の概要図 θ軸の調整アルゴリズム例（ａ）はＯＰＥＮ基準器の形状例、（ｂ）はＬＩＮＥ基準器の形状例を表した図である。

以下に図を用いて本発明を説明するが、以下は本発明を特定するものであって、本発明を限定するためのものでないことは言うまでもない。
図６は本発明に使用した高周波特性検査装置の概略構成を表す図である。

本実施例によれば、特許文献１に記載されているＺ方向のコンタクト位置の決定手法を応用し、かつ位置決め用パターンを用いることでθ軸を高精度に補正することができる。
なお本実施例では、基板とその上に規則的に配された基準器とは、矩形状の基板の一辺と基準器の基準軸または一辺が平行であることを仮定するが、本発明は、その基準器が規則的にオフセット角をもって配置されている基板であっても、適宜変更実施できることは言うまでもない。

特許文献１の実施例３に記載のプローブの高精度位置決め技術はパターン内部に直接コンタクトを行なう必要があるため、パターン形状が変化し再現性が劣化する恐れがあった。
そこで、本実施例ではパターン内部へのコンタクトを抑制することによって、再現性を高めることができる手法を提案する。

本実施例で使用する位置決め用パターンは図５に示したような矩形部とプローブのＧＳＧと同じ等間隔に並んだ凸部を有する櫛型形状であり、その凸部を利用してＸ、Ｙ及びＺ位置を高精度に決定する（図８）。

櫛型形状は、ＳＨＯＲＴ型の場合、例えば、矩形部は２０×６００（μｍ）、凸部は、２０×２０（μｍ）である。
ＬＯＡＤ型の場合、例えば、矩形部は５０×６００（μｍ）、凸部は、２０×２０（μｍ）である。
厚み方向は双方とも５μｍ程度である。

図１１にθ軸を調整するフローチャートを示す。
本実施例では、単一のプローブのみを用いて位置決めが可能である。

まず、プローブを位置決め用パターンの凸部のおおよそ直上に配し（Ｓ１）、特許文献１の実施例１の手法によってコンタクト位置（Ｚ位置）を検出する（Ｓ２）。
すなわち、ステージを少しずつ上昇させながらＶＮＡによる測定値であるＳパラメータの反射係数の急峻な変化を検知して、その時のＺ座標をコンタクト位置と定義する。

（Ｓ３ステップの開始）プローブがＸ方向にパターンの凸部の先端位置からおおよそ１０μｍ程度離れた位置にあるようにステージを移動する。

その後、プローブがパターン端部（凸部の反対側）に近づくように少しずつＸ方向にステージ位置を変えながらコンタクトとリリースを繰り返していく。

プローブがパターンの端部に達すると、プローブがパターンにコンタクトするため、反射係数の急峻な変化が認められる。
そのため、パターンの端部のＸ座標を決定することができる。

次に、プローブの配置とコンタクト検出をＹ方向に対しても同様に実施する。
パターン凸部のＹ方向の一方の端部から１０μｍ程度離れた位置にプローブを配する。
パターンの他方の端部に近づくように少しずつステージのＹ座標を変えながら反射係数が急激に変化する点を検出し、パターンの端部のＹ座標を決定することができる。

（Ｓ３ステップの終了）同様の操作をＹ軸の逆方向についても行なうことによって、パターンの凸部の両端部のＹ座標が決定できるため、それらの中心座標を基準となるＹ座標と定義することができる。

この手法により、位置決め用パターンを基準としてＸ、Ｙ、Ｚ座標を決定することができる。
この時のＸ、Ｙ座標を位置決め用パターンの中心として記録する（Ｓ４）。

上記Ｘ，Ｙ座標の決定手法を、校正用の基準器等と並列して配された２つのパターンについて実施することによって（（Ｓ５）から（Ｓ８））、２つの位置決め用パターンの中心のＸ，Ｙ座標の組を得ることができる。

しかも、特許文献１と異なり、パターンとの近接するのは端部のみであるため、パターンとプローブの接触によるパターン形状の変化を大幅に抑制するため、再現性を向上させることが可能である。
得られたＸ，Ｙ座標の組から、下式によりθ軸の補正値を算出する（Ｓ９）。

ここで、Ｘａ、Ｙａ（ａ＝１，２）は単一のプローブに対して基準となる位置決め用パターンについて位置調整を行なった時のサンプルステージのＸ，Ｙ座標である。

得られたθ値に従い、ステージのθ軸そのものを回転させる（ハード補正）か、或いはステージがＸ，Ｙ方向に動作する際にソフトウェア上で角度補正を行なう（ソフト補正）ことによって、ステージのＸＹ軸と基板のＸＹ軸を一致させる（Ｓ１０）。

後者の場合の角度補正は下式（２）を用いて行なう。
例えば基準パターンからＸ方向に１ｍｍ移動してＴＨＲＵ基準に移動したい場合は、Ｘｎ＝１ｍｍ、Ｙｎ＝０ｍｍとし、式（１）で導かれた角度補正値θによって算出されたＸ，Ｙ値だけステージを移動すれば、目的のＴＨＲＵ基準に移動することが可能である。

特許文献１の図１６では凸部は全て短絡した構造になっている（図は記載せず）。
本実施例では図５（ｂ）に示すＳｈｏｒｔ型基準器を使用するが、図５（ａ）に示したＬｏａｄ型のパターンでも同様の動作を行なうことができる。

なおこの時、Ｓｈｏｒｔ型の場合は反射係数の位相が９０～１８０°、Ｌｏａｄ型の場合は反射係数の振幅が０．７以下を満たすかどうかを判定することでコンタクト検出することも可能である。

実施例１と同様に、プローブステージのθ軸（回転軸）補正によってもステージを平行移動させてプローブを正しく配置することが可能である。

実施例１ではステージ位置を変えながら、ステージのＸ、Ｙ座標を利用してθ軸補正を行なったが、本実施例ではプローブ位置を少しずつ変えながら基準となる２箇所の位置決め用パターンのＸ，Ｙ座標情報（Ｘａ，Ｙａ（ａ＝１，２））を取得する。

ただし、この時サンプルステージの座標ではなく、単一のプローブステージの座標を利用して式（１）によってθ軸補正量を算出する。

その後、式（２）によってプローブのステージのＸ，Ｙ軸方向の移動量を補正する。
プローブのステージに回転軸を調整するステージが設置されていない場合は、実際例１記載のソフト補正のみが利用可能である。

この調整によりあたかもステージのＸＹ軸と基板のＸＹ軸を一致させたように、プローブを基板に対して平行に移動しプローブを各基準器に正しく配置することができる。

１、１ａ、１ｂプローブ（高周波プローブ）
２可動ステージ（サンプルステージ、回転ステージ）
３ＶＮＡ（計測装置）
４周波数拡張ユニット
５抵抗体
６ステージコントローラ
７制御装置
８高周波特性検査装置
９ＴＨＲＵ基準器
１０ＬＯＡＤ基準器
１１ＳＨＯＲＴ基準器
１２シグナル領域（信号領域）
１３グランド領域
１４ａ、１４ｂシグナル端子（Ｓ）
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄグランド端子（Ｇ）
１６プローブステージ
１７ティルトステージ
１８回転系（θ軸）オートステージ
１９ＤＵＴ
２０ＯＰＥＮ基準器
２１ＬＩＮＥ基準器

Claims

ベクトルネットワークアナライザーに周波数拡張ユニットを介して接続されたプローブが接触し得る水平な第１のステージを備えた高周波特性検査装置において、
前記プローブは、前記第１のステージに同時に接触するように整列された少なくとも１のグランド端子と少なくとも１のシグナル端子とを含む端子を備え、
基板上には、当該基板のある辺に平行に且つ一直線上に、所定形状の２つの位置決め用パターンが配置されており、
前記グランド端子及び前記シグナル端子が整列する方向と前記第１のステージのＸ方向は平行に調整され、前記基板が、前記第１のステージの上に、前記ある辺と前記第１のステージのＸ軸が略平行になるように載置されている状態において、
前記端子を前記基板の上方から前記位置決め用パターンにコンタクトさせて前記シグナル端子から高周波を放出して得られる反射波のＳパラメータを解析して前記位置決め用パターンとのコンタクト位置のＺ座標を決定し、
前記位置決め用パターンの各々について、決定された前記Ｚ座標で前記端子と前記基板とのコンタクトと当該コンタクトのリリースとを前記基板上の異なる位置で繰り返しながら、前記シグナル端子から高周波を放出して得られる反射波のＳパラメータを解析して、前記位置決め用パターンの基準となる点のＸ座標及びＹ座標を取得し、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標及びＹ座標に基づいて、前記基板のＸ軸のオフセット角を算出する
方法。
前記第１のステージは、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に可動し、回転軸の周りをＸＹ平面で回転する回転ステージであり、
前記回転ステージを操作して、前記位置決め用パターンの基準となる点の、前記回転ステージにおけるＸ座標及びＹ座標を取得し、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標及びＹ座標に基づいて、前記基板のＸ軸と前記第１のステージのＸ軸とのオフセット角を算出し、
算出される前記オフセット角だけ前記回転ステージを前記回転軸の周りに逆に回転させる
請求項１記載の方法。
前記高周波特性検査装置は、
前記プローブを前記第１のステージのＸＹ平面と平行な平面で回転させる第２の回転軸を有し、前記プローブをＸ、Ｙ及びＺ方向に可動する第２のステージをさらに備え、
前記第２のステージを操作して、前記位置決め用パターンの基準となる点の、前記第２のステージにおけるＸ座標及びＹ座標を取得し、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標及びＹ座標に基づいて、前記基板のＸ軸と前記第２のステージのＸ軸とのオフセット角を算出し、
算出された前記オフセットに基づき算出されるオフセット角だけ前記第２のステージを前記第２の回転軸の周りに逆に回転させる
請求項１記載の方法。
前記Ｓパラメータの解析は、前記反射波の反射特性における位相又は反射係数の解析である
請求項２又は３記載の方法。
前記位置決め用パターンは、矩形部に対して当該矩形部の短手方向に凸部を接続した櫛形形状をしており、
前記位置決め用パターンの基準となる点について、
前記Ｘ座標は、前記矩形部の前記凸部の反対側の端部に係るＸ座標であって、
前記Ｙ座標は、前記矩形部の前記凸部の両端部の中心に係るＹ座標で定められる
請求項２又は３記載の方法。
前記位置決め用パターンは、ＬＯＡＤ型基準器またはＳＨＯＲＴ型基準器に前記凸部を接続したことを特徴とする請求項５記載の方法。
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標を、Ｘ_１及びＸ_２とし、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｙ座標を、Ｙ_１及びＹ_２とした場合、
前記オフセット角θを、

で算出する請求項２又は３記載の方法。
前記基板は、前記位置決め用パターンと所定の間隔をあけて前記位置決め用パターンと平行に配置された校正用の基準器をさらに備え、
前記回転の後、前記位置決め用パターンの基準となる点から前記所定の間隔だけ前記プローブを相対的に移動させて、前記校正用の基準器で前記高周波特性検査装置の校正をさらに行う請求項２又は３記載の方法。
前記第１のステージは、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に可動し、回転軸の周りをＸＹ平面で回転する回転ステージであり、
前記基板は、前記位置決め用パターンと所定の間隔をあけて前記位置決め用パターンと平行に配置された校正用の基準器をさらに備え、
前記位置決め用パターンの各々について、前記回転ステージを操作して、前記位置決め用パターンの基準となる点の、前記回転ステージにおけるＸ座標及びＹ座標を取得し、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標をＸ_１及びＸ_２とし、前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｙ座標をＹ_１及びＹ_２とした場合、前記オフセット角θを、

で算出し、
前記所定の間隔が、Ｘ方向においてＸ_ｎ、Ｙ方向においてＹ_ｎで規定される場合において、

で算出されるＸ値及びＹ値だけ、前記回転ステージを移動させて、前記校正用の基準器で前記高周波特性検査装置の校正を行う
請求項１記載の方法。
前記高周波特性検査装置は、
前記プローブを前記第１のステージのＸＹ平面と平行な平面で回転させる第２の回転軸を有し、前記プローブをＸ、Ｙ及びＺ方向に可動する第２のステージをさらに備え、
前記基板は、前記位置決め用パターンと所定の間隔をあけて前記位置決め用パターンと平行に配置された校正用の基準器をさらに備え、
前記位置決め用パターンの各々について、前記第２のステージを操作して、前記位置決め用パターンの基準となる点の、前記第２のステージにおけるＸ座標及びＹ座標を取得し、
前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｘ座標をＸ_１及びＸ_２とし、前記位置決め用パターンの各々について取得された前記Ｙ座標をＹ_１及びＹ_２とした場合、前記オフセット角θを、

で算出し、
前記所定の間隔が、Ｘ方向においてＸ_ｎ、Ｙ方向においてＹ_ｎで規定される場合において、

で算出されるＸ値及びＹ値だけ、前記第２のステージを移動させて、前記校正用の基準器で前記高周波特性検査装置の校正を行う
請求項１記載の方法。
前記高周波特性検査装置の制御装置に、請求項１乃至１０のいずれか１つ記載の方法を実行させるためのプログラム。